KR20200139914A - Chamber lid assembly and apparatus for processing substrate having the same - Google Patents

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홍성재
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Abstract

The present invention relates to a chamber lid assembly and a substrate processing apparatus provided with the same and, more specifically, to a substrate processing apparatus which performs a substrate process such as evaporation, engraving, etc. with respect to a substrate. The present invention provides a chamber lid assembly, comprising: one or more dielectric substances (300) installed to form a processing space (S1) by covering an opening part; a lid frame (100) including an outer edge frame (110) forming an outer edge framework and a plurality of inner frames (120) installed within the outer edge frame (110) to cross each other and provided with a gas flow path (130), and supporting the one or more dielectric substances (300); and a plurality of support units (400) installed vertical to the plurality of inner frames (120) to support the lid frame (100), wherein the gas flow path (130), in order to prevent interference with the plurality of support units (400), is provided within the plurality of inner frames (120).

Description

챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치{Chamber lid assembly and apparatus for processing substrate having the same}Chamber lid assembly and substrate processing apparatus having the same

본 발명은, 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chamber lead assembly and a substrate processing apparatus including the same, and more particularly, to a substrate processing apparatus that performs substrate processing such as deposition and etching on a substrate.

기판처리장치는 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지부 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing apparatus refers to an apparatus that performs substrate processing such as depositing and etching the surface of a substrate mounted on a substrate support by applying power to a sealed processing space to form plasma.

이때, 기판처리를 위하여 밀폐된 처리공간에 형성되는 플라즈마의 발생 방식은 RF를 이용한 것으로 발생 방식에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)와, 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)로 구분된다.At this time, the generation method of plasma formed in the sealed processing space for substrate processing is using RF, and according to the generation method, capacitively coupling plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) It is divided into

특히, 유도결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 플라즈마를 발생시키며, 이를 위해 일반적으로 안테나와 유전체가 처리공간 외부인 챔버리드조립체에 배치된다. In particular, inductively coupled plasma (ICP) generates plasma by an induced electric field formed by a current flowing through the antenna by applying RF power to a coil-type antenna. For this purpose, a chamber lead assembly in which the antenna and the dielectric are generally outside the processing space. Is placed in

한편, 대면적 기판의 처리를 수행하기 위하여, 챔버본체 및 챔버리드조립체가 대형화 됨으로써, 챔버본체의 상부에 설치되는 챔버리드조립체가 중력에 의해 처지는 문제가 발생하는 바, 이를 방지하기 위하여 일반적으로 챔버리드조립체에 수직방향으로 처짐 보완용 지지프레임들이 설치된다.On the other hand, in order to process large-area substrates, the chamber body and the chamber lid assembly are enlarged, causing a problem that the chamber lid assembly installed on the chamber body is sagged by gravity. Support frames are installed to compensate for deflection in the vertical direction on the lead assembly.

상기와 같은 상황에서 종래에는 처리공간 내부로 공정가스를 공급하기 위하여, 외부로부터 공정가스를 공급하는 공정가스 공급라인 또한 챔버리드조립체에 설치되어야 하므로 복수의 안테나와 지지프레임들과의 공정가스 공급라인이 간섭되는 문제점이 있다.In the above circumstances, in order to supply the process gas into the processing space, the process gas supply line for supplying the process gas from the outside must also be installed in the chamber lid assembly, so the process gas supply line between the plurality of antennas and the support frames There is a problem with this interference.

또한 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 공정가스 공급라인을 챔버리드조립체 내에서 복수의 안테나 및 지지프레임들을 회피하여 배치하거나, 챔버본체의 측면에 배치하였으나, 이러한 구조는 처리공간 내부로 균일한 공정가스의 공급이 불가능한 문제점이 있다. In addition, in order to solve this problem, the process gas supply line is arranged to avoid a plurality of antennas and support frames in the chamber lid assembly, or is arranged on the side of the chamber body. There is a problem that cannot be supplied.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 챔버리드조립체 내에 안테나 및 지지프레임들과 간섭이 없도록 공정가스 공급라인을 배치함으로써, 균일한 공정가스 공급이 가능한 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a chamber lid assembly capable of supplying a uniform process gas by arranging a process gas supply line so as not to interfere with antennas and support frames in the chamber lid assembly in order to solve the above problems. It is to provide a substrate processing apparatus.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(10)와; 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하도록 설치되는 챔버리드조립체(30)와; 상기 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나(40)를 포함하는 기판처리장치의 챔버리드조립체로서, 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(300)와; 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(110)과, 상기 외곽프레임(110)의 내측에 서로 교차하여 설치되고, 가스유로(130)가 구비되는 복수의 내측프레임(120)들을 포함하며, 상기 하나 이상의 유전체(300)를 지지하는 리드프레임(100)과; 상기 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되어, 상기 리드프레임(100)을 지지하는 복수의 지지부(400)들을 포함하며, 상기 가스유로(130)는, 상기 복수의 지지부(400)들과의 간섭을 방지하기 위하여, 상기 복수의 내측프레임(120)들의 내부에 구비되는 챔버리드조립체를 개시한다.The present invention, as created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the chamber body 10 and the opening is formed on the upper side; A chamber lid assembly (30) installed to cover the opening to form a processing space (S1) and supply a process gas to the processing space (S1); A substrate support part 20 installed on the chamber body 10 to support the substrate 1; A chamber lead assembly of a substrate processing apparatus including an antenna 40 installed on the upper side of the chamber lead assembly 30 to form an induction electric field in the processing space S1, and the processing space S1 is covered by covering the opening. One or more dielectrics 300 installed to form; An outer frame 110 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 120 installed to cross each other on the inner side of the outer frame 110 and provided with a gas passage 130, wherein the at least one dielectric A lead frame 100 supporting the 300; It is installed vertically on the plurality of inner frames 120 and includes a plurality of support parts 400 for supporting the lead frame 100, and the gas flow path 130 includes the plurality of support parts 400 In order to prevent interference with, a chamber lid assembly provided inside the plurality of inner frames 120 is disclosed.

상기 복수의 내측프레임(120)들은, 상기 외곽프레임(110)의 내측에 일정간격으로 서로 교차하여 설치될 수 있다.The plurality of inner frames 120 may be installed on the inner side of the outer frame 110 to cross each other at regular intervals.

상기 복수의 지지부(400)들은, 상기 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되는 지지샤프트(410)와, 상기 지지샤프트(410) 끝단에 구비되고, 상기 복수의 내측프레임(120)에 삽입되어 결합하는 삽입부(420)를 포함하며, 상기 삽입부(420)는, 상기 복수의 내측프레임(120)들에 구비되는 복수의 상기 가스유로(130)들이 서로 연통되도록 상기 가스유로(130)들을 연결하는 가스유로연통수단(421)이 구비될 수 있다.The plurality of support parts 400 are provided at an end of the support shaft 410 installed vertically to the plurality of inner frames 120, the support shaft 410, and the plurality of inner frames 120 Includes an insertion portion 420 inserted and coupled, the insertion portion 420, the gas flow passage 130 so that the plurality of the gas passages 130 provided in the plurality of inner frames 120 communicate with each other. ) May be provided with a gas flow passage communication means 421 connecting.

상기 가스유로연통수단(421)은, 복수의 상기 가스유로(130)들이 연통되도록 상기 삽입부(420)에 상기 가스유로(130)와 연결하여 구비되는 배관일 수 있다.The gas flow passage communication means 421 may be a pipe connected to the gas flow passage 130 in the insertion part 420 so that the plurality of gas passages 130 communicate.

상기 가스유로연통수단(421)은, 상기 가스유로(130)가 상기 삽입부(420)를 관통하여 연결되도록, 상기 삽입부(420)에 가공을 통해 형성되는 관통공일 수 있다.The gas flow passage communication means 421 may be a through hole formed through processing in the insertion portion 420 so that the gas flow passage 130 is connected through the insertion portion 420.

상기 가스유로(130)는, 상기 리드프레임(100)에서 수평방향으로 상기 공정가스를 공급하는 제1가스유로(131)와, 상기 제1가스유로(131)와 연통되어 상기 제1가스유로(131)로부터 상기 공정가스를 상기 처리공간(S1)에 공급하는 제2가스유로(132)를 포함할 수 있다.The gas passage 130 is in communication with a first gas passage 131 for supplying the process gas in a horizontal direction from the lead frame 100 and the first gas passage 131 to be connected to the first gas passage ( A second gas flow path 132 for supplying the process gas from 131 to the processing space S1 may be included.

상기 가스유로연통수단(421)은, 양단의 복수의 상기 제1가스유로(131)들이 연통되도록, 평행하게 형성될 수 있다.The gas flow passage communication means 421 may be formed in parallel so that the plurality of first gas passages 131 at both ends communicate.

상기 가스유로연통수단(421)은, 측면의 상기 제1가스유로(131)와 하측면의 상기 제2가스유로(132)가 연통되도록, 직각으로 꺾여 형성될 수 있다.The gas flow passage communication means 421 may be formed to be bent at a right angle so that the first gas passage 131 on the side and the second gas passage 132 on the lower side communicate with each other.

상기 제2가스유로(132)는, 상기 복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하는 상기 교차지점에서 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 공급하는 교차지점가스유로(133)를 포함할 수 있다.The second gas passage 132 may include a cross-point gas passage 133 for supplying the process gas to the processing space S1 at the intersection point where the plurality of inner frames 120 cross each other. have.

상기 가스유로(130)는, 상기 리드프레임(100)의 평면 상 대칭으로 형성될 수 있다.The gas flow path 130 may be formed symmetrically on a plane of the lead frame 100.

상기 가스유로(130)는, 상기 복수의 내측프레임(120)들 내부에 매립되어 설치되는 가스배관일 수 있다.The gas flow path 130 may be a gas pipe embedded and installed in the plurality of inner frames 120.

상기 가스유로(130)는, 상기 복수의 내측프레임(120) 내부에 가공을 통해 형성되는 가스통로일 수 있다.The gas passage 130 may be a gas passage formed through processing inside the plurality of inner frames 120.

상기 삽입부(420)는, 상기 지지샤프트(410)의 끝단에 구비되어, 상기 복수의 내측프레임(120)과 결합하는 결합블록일 수 있다.The insertion part 420 may be a coupling block provided at an end of the support shaft 410 and coupled to the plurality of inner frames 120.

상기 리드프레임(100)의 하측에 상기 가스유로(130)와 연통하여 구비되어, 상기 가스유로(130)를 통해 공급받은 공정가스를 상기 처리공간(S1)으로 분사하는 가스분사부(200)를 포함할 수 있다.A gas injection unit 200 provided below the lead frame 100 in communication with the gas flow path 130 to inject the process gas supplied through the gas flow path 130 into the processing space S1 Can include.

상기 가스분사부(200)는, 상기 복수의 내측프레임(120)들의 하측에 상기 가스유로(130)와 연통되어 구비되며, 적어도 하나의 확산유로(S2)를 형성하여 상기 가스유로(130)로부터 공급받은 상기 공정가스를 확산하는 가스확산부(210)와, 상기 가스확산부(210)에 일정간격으로 구비되어 상기 공정가스를 상기 처리공간(S1)으로 분사하는 분사노즐(220)을 포함할 수 있다.The gas injection unit 200 is provided in communication with the gas passage 130 under the plurality of inner frames 120, and forms at least one diffusion passage S2 from the gas passage 130. And a gas diffusion unit 210 for diffusing the supplied process gas, and an injection nozzle 220 provided in the gas diffusion unit 210 at regular intervals to inject the process gas into the processing space S1. I can.

또한 본 발명은, 상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(10)와; 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하도록 설치되는 청구항 제1항 내지 제12항 중 어느 하나의 항에 따른 챔버리드조립체(30)와; 상기 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나(40)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.In addition, the present invention, the chamber body 10 and the opening is formed on the upper side; The chamber lid assembly (30) according to any one of claims 1 to 12, which covers the opening to form a processing space (S1), and is installed to supply a process gas to the processing space (S1), ; A substrate support part 20 installed on the chamber body 10 to support the substrate 1; Disclosed is a substrate processing apparatus including an antenna 40 installed on the upper side of the chamber lid assembly 30 to form an induction electric field in the processing space S1.

본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 챔버리드조립체 내에 공정가스 공급라인을 구비함으로써, 복수의 안테나 및 지지프레임과의 간섭없이 공정가스 공급라인을 배치하고 안정적인 공정가스 공급이 가능한 이점이 있다. The chamber lid assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention are provided with a process gas supply line in the chamber lid assembly, thereby disposing a process gas supply line without interference with a plurality of antennas and support frames, and providing a stable process gas supply. There are possible advantages.

또한 본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 공정가스 공급라인을 챔버리드조립체의 리드프레임에 구비함으로써, 처리공간 내에 플라즈마를 형성하기 위한 안테나와 유전체의 최적화된 구조설계가 가능한 이점이 있다.In addition, the chamber lead assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention are provided with a process gas supply line in the lead frame of the chamber lead assembly, so that an optimized structural design of an antenna and a dielectric for forming plasma in the processing space is possible. There is an advantage.

또한 본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 챔버리드조립체의 리드프레임에 공정가스 공급라인을 구비함으로써, 지지프레임이 배치되는 지점에서의 공정가스 공급이 가능한 바, 처리공간 내에 균일한 공정가스 공급이 가능한 이점이 있다.In addition, the chamber lead assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention are provided with a process gas supply line in the lead frame of the chamber lead assembly, so that the process gas can be supplied at the point where the support frame is disposed. There is an advantage that a uniform process gas supply is possible.

이를 통해, 본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 처리공간 내에 공정가스를 균일하게 공급함으로써 기판처리의 완성도가 증대되는 이점이 있다.Through this, the chamber lid assembly and the substrate processing apparatus having the same according to the present invention have the advantage of increasing the completeness of the substrate processing by uniformly supplying the process gas into the processing space.

도 1은, 본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치의 모습을 보여주는 개략도이다.
도 2는, 도 1의 챔버리드조립체의 모습을 보여주는 사시도 및 부분확대도이다.
도 3은, 도 2의 챔버리드조립체의 내측프레임 및 가스유로를 보여주는 A부분 확대도이다.
도 4는, 도 1의 챔버리드조립체의 리드프레임 및 가스분사부를 보여주는 B부분 확대단면도이다.
도 5는, 도 2의 챔버리드조립체 중 삽입부의 모습을 보여주는 사시도이다.1 is a schematic diagram showing a chamber lid assembly and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention.
2 is a perspective view and a partially enlarged view showing the state of the chamber lid assembly of FIG. 1.
3 is an enlarged view of part A showing an inner frame and a gas flow path of the chamber lid assembly of FIG. 2.
4 is an enlarged cross-sectional view of part B showing a lead frame and a gas injection part of the chamber lead assembly of FIG. 1.
5 is a perspective view showing a state of an insertion portion of the chamber lid assembly of FIG. 2.

이하 본 발명에 따른 챔버리드조립체 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a chamber lead assembly and a substrate processing apparatus having the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(10)와; 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하도록 설치되는 챔버리드조립체(30)와; 상기 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나(40)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention, as shown in Fig. 1, includes a chamber body 10 having an opening formed thereon; A chamber lid assembly (30) installed to cover the opening to form a processing space (S1) and supply a process gas to the processing space (S1); A substrate support part 20 installed on the chamber body 10 to support the substrate 1; It includes an antenna 40 installed on the upper side of the chamber lid assembly 30 to form an induction electric field in the processing space S1.

본 발명의 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 1 to be treated according to the present invention is a configuration in which substrate treatment such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, a solar cell manufacturing substrate, and a transparent glass substrate may be used.

특히, 상기 기판(1)은, 안테나에 RF전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 발생되는 플라즈마를 활용하여 기판처리가 수행되는 구성일 수 있다.In particular, the substrate 1 may be a configuration in which a substrate treatment is performed using plasma generated by an induced electric field formed by a current flowing through the antenna by applying RF power to the antenna.

상기 챔버본체(10)는, 상측에 개구부가 형성되며 처리공간(S1)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 10 has an opening formed at the upper side and is configured to form a processing space S1, and various configurations are possible.

특히, 상기 챔버본체(10)는, 후술하는 챔버리드조립체(30)가 상측에 설치됨으로써, 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S1)이 형성될 수 있으며, 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.In particular, in the chamber body 10, a chamber lid assembly 30, which will be described later, is installed on the upper side, thereby forming a processing space S1 in which the substrate 1 is processed, and a predetermined Any configuration is possible as long as it can withstand vacuum pressure.

또한 상기 챔버본체(10)는, 처리되는 기판(1)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 예로서 대면적 기판(1)이 처리되기 위한 직사각형 형상일 수 있다.In addition, the chamber body 10 preferably has a shape corresponding to the shape of the substrate 1 to be processed, and may be, for example, a rectangular shape for processing the large-area substrate 1.

상기 기판지지부(20)는, 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support part 20 is a configuration installed on the chamber body 10 to support the substrate 1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(20)는, 기판처리를 위하여 기판(1)을 지지하는 기판플레이트(21)와, 챔버본체(10)의 하부면을 관통하여 기판플레이트(21)를 지지하는 기판지지대(22)를 포함할 수 있다.For example, the substrate support part 20 includes a substrate plate 21 supporting the substrate 1 for substrate processing, and a substrate supporting the substrate plate 21 by penetrating the lower surface of the chamber body 10 It may include a support 22.

상기 안테나(40)는, 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어, 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하기 위한 구성으로서, 금속재질의 플레이트부재 등 다양한 구성이 가능하다.The antenna 40 is installed on the upper side of the chamber lid assembly 30 to form an induction electric field in the processing space S1, and various configurations such as a plate member made of metal are possible.

상기 안테나(40)는, 공정조건에 따라 다양한 형상 및 패턴으로 설치될 수 있으며, 외부의 RF전력을 인가받아 처리공간(S1)에 유도전계 플라즈마를 형성할 수 있다.The antenna 40 may be installed in various shapes and patterns according to process conditions, and may receive external RF power to form an induced electric field plasma in the processing space S1.

예를 들면, 상기 안테나(40)는, 일단에서 접지되고 타단에서 RF전원이 인가됨으로써 처리공간(S1) 내에 전기장을 유도하여 플라즈마가 형성되도록 할 수 있으며, 이때, 처리공간(S1)과의 사이에 챔버리드조립체(30)에 구비되는 유전체(300)가 배치될 수 있다.For example, the antenna 40 may be grounded at one end and applied with RF power at the other end to induce an electric field in the processing space S1 to form a plasma. The dielectric 300 provided in the chamber lid assembly 30 may be disposed in the chamber lid assembly 30.

또한 본 발명에 따른 기판처리장치는, 안테나(40)의 지지, 안테나(40)에서 형성되는 유도전계의 차폐 등을 위하여 챔버리드조립체(30)의 상측에 안테나(40)를 복개하도록 설치되는 상부리드(11)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention is installed to cover the antenna 40 on the upper side of the chamber lid assembly 30 for support of the antenna 40 and shielding of the induced electric field formed in the antenna 40. It may include a lead 11.

상기 상부리드(11)는, 챔버리드조립체(30)의 상측에 안테나(40)를 복개하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The upper lead 11 is a configuration installed so as to cover the antenna 40 on the upper side of the chamber lead assembly 30, and various configurations are possible.

특히, 상기 상부리드(11)는, 일단이 리드프레임(100)에 결합되는 지지부(400)의 타단이 결합되어, 지지부(400)을 지지함으로써, 리드프레임(100)이 하측으로 처지는 것을 방지할 수 있다.In particular, the upper lead 11, one end is coupled to the other end of the support portion 400 coupled to the lead frame 100, by supporting the support portion 400, to prevent the lead frame 100 from sagging downward. I can.

상기 챔버리드조립체(30)는, 챔버본체(10)의 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다. The chamber lid assembly 30 is a configuration for forming a processing space S1 by covering an opening of the chamber body 10 and supplying a process gas to the processing space S1, and various configurations are possible.

종래에는 후술하는 지지부(400)들과, 안테나(40)의 설치로 인해 공정가스 공급라인을 균일한 공정가스의 공급 및 분사가 가능한 위치에 배치하기 어려운 문제점이 있었다. Conventionally, due to the installation of the support parts 400 and the antenna 40 to be described later, it is difficult to arrange the process gas supply line in a position capable of uniform supply and injection of the process gas.

이러한 문제를 극복하기 위하여, 본 발명에 따른 챔버리드조립체(30)는, 도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(300)와; 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(110)과, 상기 외곽프레임(110)의 내측에 서로 교차하여 설치되고 가스유로(130)가 구비되는 복수의 내측프레임(120)들을 포함하며, 상기 하나 이상의 유전체(300)를 지지하는 리드프레임(100)과; 상기 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되어, 상기 리드프레임(100)을 지지하는 복수의 지지부(400)들을 포함하며, 상기 가스유로(130)는, 상기 복수의 지지부(400)들과의 간섭을 방지하기 위하여, 상기 복수의 내측프레임(120)들 내부에 구비되는 챔버리드조립체를 개시한다.In order to overcome this problem, the chamber lid assembly 30 according to the present invention includes at least one dielectric 300 installed to cover the opening to form a processing space S1, as shown in FIGS. 1 to 5. )Wow; An outer frame 110 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 120 installed to cross each other on the inner side of the outer frame 110 and provided with a gas passage 130, wherein the at least one dielectric ( A lead frame 100 supporting the 300; It is installed vertically on the plurality of inner frames 120 and includes a plurality of support parts 400 for supporting the lead frame 100, and the gas flow path 130 includes the plurality of support parts 400 In order to prevent interference with, a chamber lid assembly provided inside the plurality of inner frames 120 is disclosed.

또한 본 발명에 따른 챔버리드조립체(30)는, 하나 이상의 유전체(300)의 저면을 보호하기 위하여 가스분사부(200)의 하측에서 하나 이상의 유전체(300)의 저면을 복개하는 실드부재(500)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the chamber lid assembly 30 according to the present invention includes a shield member 500 covering the bottom of the at least one dielectric 300 from the lower side of the gas injection unit 200 in order to protect the bottom of the at least one dielectric 300 It may further include.

상기 리드프레임(100)은, 챔버본체(10) 상측에 설치되어 하나 이상의 유전체(300)를 지지하고, 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The lead frame 100 is installed on the upper side of the chamber body 10 to support one or more dielectrics 300 and supply a process gas, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 리드프레임(100)은, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(110)과, 외곽프레임(110)의 내측에 서로 교차하여 설치되고 내부에 가스유로(130)가 구비되는 복수의 내측프레임(120)들을 포함할 수 있다.For example, the lead frame 100 includes an outer frame 110 forming an outer frame, and a plurality of inner sides of the outer frame 110 intersecting each other and having a gas flow path 130 therein. It may include frames 120.

복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하는 교차지점에 설치되며, 내부에 가스유로(130)와 연통하는 가스유로연통수단(421)가 구비되는 복수의 삽입부(420)들을 포함할 수 있다.A plurality of inner frames 120 may include a plurality of insertion portions 420 installed at intersections where they cross each other, and having a gas flow passage communication means 421 communicating with the gas passage 130 therein.

상기 외곽프레임(110)은, 챔버본체(10)의 평면형상에 대응되는 형상으로 형성되며, 챔버본체(10)의 상측에 설치되어 챔버리드조립체의 외곽틀을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The outer frame 110 is formed in a shape corresponding to the planar shape of the chamber body 10, and is installed on the upper side of the chamber body 10 to form the outer frame of the chamber lid assembly, and various configurations are possible. Do.

예를 들면, 상기 외곽프레임(110)은, 내측에 복수의 내측프레임(120)들이 일정간격으로 격자를 이루도록 교차하여 설치될 수 있으며, 복수의 내측프레임(120)들과 함께 하나 이상의 유전체(300)가 설치되는 복수의 개구부를 형성할 수 있다.For example, the outer frame 110 may be intersected so that a plurality of inner frames 120 form a grid at regular intervals on the inner side, and at least one dielectric 300 together with the plurality of inner frames 120 A plurality of openings in which) are installed may be formed.

또한 상기 외곽프레임(110)은, 구조적 강성이 충분한 알루미늄, 알루미늄 합금 등 상자성체이며 강성이 있는 재질을 가짐이 바람직하며, 내측에 하나 이상의 유전체(300)가 걸려 지지되도록 단차가 형성될 수 있다.In addition, the outer frame 110 is preferably a paramagnetic material such as aluminum or aluminum alloy having sufficient structural rigidity and has a rigid material, and a step may be formed so that one or more dielectrics 300 are caught and supported inside.

상기 복수의 내측프레임(120)들은, 외곽프레임(110)의 내측에 서로 교차하여 설치되고 내부에 가스유로(130)가 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of inner frames 120 are installed to cross each other on the inner side of the outer frame 110 and a gas passage 130 is provided therein, and various configurations are possible.

상기 복수의 내측프레임(120)들은, 전술한 외곽프레임(110)과 마찬가지로 충분한 강성을 가지는 알루미늄, 알루미늄 합금 등 상자성체이며 강성이 있는 재질을 가질 수 있으며, 내측에 하나 이상의 유전체(300)가 걸려 지지되도록 단차가 형성될 수 있다.The plurality of inner frames 120 are paramagnetic materials such as aluminum, aluminum alloy, etc. having sufficient rigidity, similar to the above-described outer frame 110, and may have a rigid material, and at least one dielectric 300 is caught and supported inside. Steps may be formed as possible.

예를 들면, 상기 복수의 내측프레임(120)들은, 평면 상 직사각형 형상의 기판(1) 처리를 위해 정사각형 형상의 챔버본체(10)에 대응되어, 평면 상 직사각형을 이루는 외곽프레임(110)의 내측에 격자를 이루도록 교차하여 설치될 수 있다.For example, the plurality of inner frames 120 correspond to the square-shaped chamber body 10 for processing the rectangular-shaped substrate 1 in a plane, and the inner side of the outer frame 110 forming a rectangular It can be installed crosswise to form a grid.

이때, 상기 복수의 내측프레임(120)들은, 외곽프레임(110)의 내측에 서로 일정간격으로 서로 교차하여 설치될 수 있다.In this case, the plurality of inner frames 120 may be installed on the inner side of the outer frame 110 to cross each other at predetermined intervals.

상기 복수의 내측프레임(120)들은, 처리공간(S1)으로 분사되는 공정가스의 공급을 위한 가스유로(130)가 구비될 수 있다.The plurality of inner frames 120 may be provided with a gas flow path 130 for supplying a process gas injected into the processing space S1.

상기 가스유로(130)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 외부로부터 공정가스를 처리공간(S1) 또는 가스분사부(200)에 공급하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas flow path 130 is a configuration for supplying a process gas to the processing space S1 or the gas injection unit 200 from the outside, as shown in FIG. 4, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스유로(130)는, 복수의 내측프레임(120)의 상측 또는 내부에 매립되어 설치되는 가스배관일 수 있으며, 다른 예로서 복수의 내측프레임(120)들 내부에 가공을 통해 형성되는 가스통로일 수 있다.For example, the gas flow path 130 may be a gas pipe embedded above or inside the plurality of inner frames 120 and installed, as another example, through processing inside the plurality of inner frames 120 It may be a formed gas passage.

더 나아가 상기 가스유로(130)는, 가스배관 또는 가공형성되는 가스통로의 조합일 수 있음은 또한 물론이다. Further, of course, the gas flow path 130 may be a combination of a gas pipe or a gas path formed by processing.

또한 상기 가스유로(130)는, 리드프레임(100)에서 수평방향으로 공정가스를 공급하는 제1가스유로(131)와, 제1가스유로(131)와 연통되어 제1가스유로(131)로부터 공정가스를 처리공간(S1)에 공급하는 제2가스유로(132)를 포함할 수 있다.In addition, the gas passage 130 is in communication with the first gas passage 131 for supplying the process gas in the horizontal direction from the lead frame 100 and the first gas passage 131 from the first gas passage 131. It may include a second gas flow path 132 for supplying the process gas to the processing space (S1).

또한 상기 가스유로(130)는, 외부 가스공급라인으로부터 공정가스를 공급받는 가스인입부(134)를 포함할 수 있다. In addition, the gas flow path 130 may include a gas inlet 134 receiving process gas from an external gas supply line.

한편, 상기 가스유로(130)는, 리드프레임(100) 평면 상 대칭으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the gas flow path 130 may be formed symmetrically on a plane of the lead frame 100.

상기 제1가스유로(131)는, 리드프레임(100)에서 수평방향으로 고정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The first gas passage 131 is a configuration for supplying a fixed gas in a horizontal direction from the lead frame 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 제1가스유로(131)는, 복수의 내측프레임(120)들의 상부면에 형성되는 홈부를 따라 삽입 설치되는 배관일 수 있으며, 다른 예로서 복수의 내측프레임(120)들의 내부에 가공형성되는 홀(121)에 매립 설치되는 배관일 수 있다.For example, the first gas passage 131 may be a pipe inserted and installed along a groove formed on the upper surface of the plurality of inner frames 120, and as another example, the interior of the plurality of inner frames 120 It may be a pipe that is embedded and installed in the hole 121 that is formed in the process.

또한 상기 제1가스유로(131)는, 복수의 내측프레임(120)들의 내부에 가공을 통해 형성될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, of course, the first gas flow passage 131 may be formed through processing inside the plurality of inner frames 120.

한편, 상기 제1가스유로(131)는, 전술한 복수의 내측프레임(120)들에 구비되는 것 뿐만 아니라, 외곽프레임(110)에 함께 구비될 수 있다. Meanwhile, the first gas passage 131 may be provided in the plurality of inner frames 120 described above, as well as the outer frame 110.

상기 제2가스유로(132)는, 제1가스유로(131)와 연통되어 제1가스유로(131)로부터 상기 공정가스를 처리공간(S1)에 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The second gas flow path 132 is a configuration that communicates with the first gas flow path 131 to supply the process gas from the first gas flow path 131 to the processing space S1, and various configurations are possible.

상기 제2가스유로(132)는, 제1가스유로(131)와 연통되어 공정가스가 처리공간(S1)으로 유동하도록 수직방향으로 형성될 수 있으며, 리드프레임(100)의 평면 상 다양한 위치에 형성될 수 있다.The second gas flow passage 132 may be formed in a vertical direction to communicate with the first gas flow passage 131 so that the process gas flows into the processing space S1, and may be formed at various positions on the plane of the lead frame 100. Can be formed.

특히, 상기 제2가스유로(132)는, 복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하는 교차지점에서 가스분사부(200)로 공정가스를 공급하는 교차지점가스유로(133)를 포함할 수 있다.In particular, the second gas passage 132 may include a cross-point gas passage 133 for supplying process gas to the gas injection unit 200 at an intersection point where the plurality of inner frames 120 cross each other. .

즉, 상기 제2가스유로(132)는, 교차지점가스유로(133)를 제외한 위치에서 처리공간(S1) 또는 가스분사부(200)에 공정가스를 공급하는 수직가스유로와, 복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하는 교차지점에서 가스분사부(200)로 공정가스를 공급하는 교차지점가스유로(133)를 포함할 수 있다. That is, the second gas passage 132 includes a vertical gas passage supplying a process gas to the processing space S1 or the gas injection unit 200 at a position other than the cross-point gas passage 133, and a plurality of inner frames. It may include a crossing point gas flow path 133 for supplying the process gas to the gas injection unit 200 at the crossing point where the 120 cross each other.

상기 제2가스유로(132)는, 전술한 제1가스유로(131)와 마찬가지로, 복수의 내측프레임(120)들의 내부에 매립되어 설치되는 가스배관 또는 복수의 내측프레임(120)의들의 내부에 가공형성되는 가스통로 또는 이들의 조합으로 구성될 수 있다.The second gas passage 132 is, like the first gas passage 131 described above, a gas pipe embedded in and installed in the plurality of inner frames 120 or inside of the plurality of inner frames 120 It may be composed of a gas passage or a combination thereof to be processed.

한편, 상기 제2가스유로(132) 또한 외곽프레임(110)에 함께 구비될 수 있음은 물론이다.Meanwhile, it goes without saying that the second gas passage 132 may also be provided in the outer frame 110.

상기 교차지점가스유로(133)는, 복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하고, 복수의 지지부(400)들이 설치되는 교차지점에 설치되어, 가스분사부(200)로 공정가스를 공급하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The crossing point gas flow path 133 is installed at an intersection point where a plurality of inner frames 120 cross each other and a plurality of support parts 400 are installed, and supply process gas to the gas injection unit 200 As, various configurations are possible.

상기 교차지점가스유로(133)는, 처리공간(S1) 내에 균일한 공정가스의 공급을 위하여, 일정간격의 격자를 이루도록 서로 교차하여 설치되는 복수의 내측프레임(120)들의 교차지점에서 공정가스를 가스분사부(200)에 공급하도록, 교차지점에 구비될 수 있다.The cross-point gas flow path 133, in order to supply a uniform process gas in the processing space (S1), the process gas at the intersection of the plurality of inner frames 120 intersecting each other to form a grid at regular intervals. It may be provided at the intersection point to supply the gas injection unit 200.

상기 가스인입부(134)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1가스유로(133)의 끝단에 구비되어, 제1가스유로(133)와 연통되며, 외부 가스공급라인으로부터 공정가스를 공급받는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas inlet 134, as shown in FIG. 2, is provided at the end of the first gas passage 133, communicates with the first gas passage 133, and supplies process gas from an external gas supply line. As a receiving configuration, various configurations are possible.

상기 가스인입부(134)는, 복수개일 수 있으며, 리드프레임(100) 평면 상 대칭되도록 구비되어, 외부로부터 공정가스를 공급받을 수 있으며, 비대칭으로 일측에 복수개 구비될 수도 있다.The gas inlet 134 may be plural, and the lead frame 100 may be provided to be symmetrical on a plane, so that process gas may be supplied from the outside, and may be provided asymmetrically in a plurality of one side.

상기 복수의 지지부(400)들은, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되어, 리드프레임(100)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of support parts 400, as shown in FIGS. 1 and 3, are vertically installed on the plurality of inner frames 120 to support the lead frame 100, and various configurations are possible. .

예를 들면, 상기 복수의 지지부(400)들은, 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되는 지지샤프트(410)와, 지지샤프트(410) 끝단에 구비되고, 복수의 내측프레임(120)에 삽입되어 결합하는 삽입부(420)를 포함할 수 있다.For example, the plurality of support parts 400 are provided at the end of the support shaft 410 and the support shaft 410 vertically installed on the plurality of inner frames 120, and the plurality of inner frames 120 It may include an insertion portion 420 inserted into and coupled to.

상기 복수의 지지부(400)들은, 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되는 지지샤프트(410)와, 지지샤프트(410) 끝단에 구비되어, 복수의 내측프레임(120)과 결합하는 삽입부(420)을 각각 포함할 수 있다.The plurality of support parts 400 are provided at the end of the support shaft 410 installed vertically on the plurality of inner frames 120 and the support shaft 410, and are inserted to be coupled to the plurality of inner frames 120 Each of the units 420 may be included.

또한, 상기 복수의 지지부(400)들은, 복수의 내측프레임(120)들이 교차하는 지점에 설치되는 삽입부(420) 대신에, 복수의 내측프레임(120)들의 교차지점들 사이에 고정결합되도록 구비되는 설치블록(430)을 구비할 수 있다.In addition, the plurality of support parts 400 are provided to be fixedly coupled between the intersection points of the plurality of inner frames 120 instead of the insertion unit 420 installed at the intersection of the plurality of inner frames 120 It may be provided with an installation block 430.

이를 통해, 상기 복수의 지지부(400)들은, 일단이 내측프레임(120)에 고정결합되고, 타단이 상부리드(11)에 고정결합됨으로써, 리드프레임(100)이 하측으로 처지는 것을 방지할 수 있다.Through this, the plurality of support parts 400, one end is fixedly coupled to the inner frame 120, the other end is fixedly coupled to the upper lead 11, it is possible to prevent the lead frame 100 from sagging downward. .

또한 상기 복수의 지지부(400)들은, 복수의 내측프레임(120)들의 교차지점에서 수직으로 설치될 뿐만 아니라, 리드프레임(100)을 보다 강하게 지지하기 위하여, 내측프레임(120)의 교차지점 외에도 추가적으로 설치될 수 있다.In addition, the plurality of support parts 400 are not only installed vertically at the intersection point of the plurality of inner frames 120, but also additionally in addition to the intersection point of the inner frame 120 to support the lead frame 100 more strongly. Can be installed.

상기 지지샤프트(410)는, 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되어, 리드프레임(100)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support shaft 410 is vertically installed on the plurality of inner frames 120 to support the lead frame 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 지지샤프트(410)는, 일단이 상부리드(11)에 고정되고, 타단에 구비되는 삽입부(420) 또는 설치블록(430)을 통해 복수의 내측프레임(120)들에 고정결합함으로써, 리드프레임(100)을 지지할 수 있다.For example, the support shaft 410 has one end fixed to the upper lead 11 and fixed to a plurality of inner frames 120 through an insertion part 420 or an installation block 430 provided at the other end By combining, it is possible to support the leadframe 100.

상기 복수의 삽입부(420)들은, 도 5에 도시된 바와 같이, 리드프레임(100)이 중력에 의해 처지는 것을 방지하기 위하여, 지지샤프트(410)가 내측프레임(120)에 고정설치되도록 지지샤프트(410)의 끝단에 구비되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The plurality of insertion portions 420, as shown in Figure 5, in order to prevent the lead frame 100 from sagging by gravity, a support shaft so that the support shaft 410 is fixedly installed on the inner frame 120 As a configuration provided at the end of 410, various configurations are possible.

이때, 상기 복수의 삽입부(420)들은, 지지샤프트(410)의 끝단에 결합되거나, 지지샤프트(410)의 끝단에 일체로 형성될 수 있다.In this case, the plurality of insertion portions 420 may be coupled to the end of the support shaft 410 or may be integrally formed with the end of the support shaft 410.

한편, 상기 삽입부(420)는, 복수의 내측프레임(120)들에 구비되는 복수의 가스유로(130)들이 서로 연통되도록 가스유로(130)들을 연결하는 가스유로연통수단(421)이 구비될 수 있다.On the other hand, the insertion unit 420 is provided with a gas flow passage communication means 421 connecting the gas passages 130 so that the plurality of gas passages 130 provided in the plurality of inner frames 120 communicate with each other. I can.

즉, 상기 복수의 삽입부(420)들은, 지지부(400)가 고정 설치된 상태에서 교차지점가스유로(133)를 통해 공정가스를 가스분사부(200)에 공급하기 위하여, 제1가스유로(131)와 교차지점가스유로(133)가 연통되도록 또는 제1가스유로(131)들이 서로 연통되도록, 내부에 가스유로연통수단(421)이 구비될 수 있다.That is, the plurality of insertion portions 420 are, in order to supply the process gas to the gas injection unit 200 through the cross-point gas channel 133 in a state in which the support unit 400 is fixedly installed, the first gas channel 131 ) And the crossing point gas passage 133 or the first gas passage 131 may communicate with each other, a gas passage communicating means 421 may be provided therein.

상기 복수의 삽입부(420)들은, 내측프레임(120)에 다양한 방법을 통해 결합될 수 있으며, 예로서 볼트결합을 이용할 수 있다. The plurality of insertion portions 420 may be coupled to the inner frame 120 through various methods, and bolting may be used as an example.

상기 가스유로연통수단(421)는, 삽입부(420) 내부에 구비되어, 가스유로(130)와 연통하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas flow passage communication means 421 is provided in the insertion portion 420 and communicates with the gas flow passage 130, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스유로연통수단(421)은, 복수의 가스유로(130)들이 연통되도록 삽입부(420)에 가스유로(130)와 연결하여 구비되는 가스배관일 수 있으며, 다른 예로서, 가스유로(130)가 삽입부(420)를 관통하여 연결되도록, 삽입부(420)에 가공을 통해 형성되는 관통공일 수 있다.For example, the gas flow passage communication means 421 may be a gas pipe connected to the gas flow passage 130 in the insertion part 420 so that the plurality of gas passages 130 communicate. As another example, The gas flow path 130 may be a through hole formed through processing in the insertion part 420 so that the gas passage 130 is connected through the insertion part 420.

즉, 상기 가스유로연통수단(421)은, 양단에 위치하는 복수의 가스유로(130)들과 연결되도록 내부에 구비되는 가스배관이거나, 삽입부(420)의 양단에 결합하는 복수의 가스유로(130)들이 연통되도록 내부에 가공을 통해 형성되는 관통공이거나, 가스유로(130)가 삽입부(420) 내부를 관통하도록 구비되는 관통공일 수 있다.That is, the gas flow passage communication means 421 is a gas pipe provided therein to be connected to a plurality of gas flow passages 130 located at both ends, or a plurality of gas flow passages coupled to both ends of the insertion part 420 ( It may be a through hole formed through processing therein to communicate with each other, or a through hole provided so that the gas flow path 130 penetrates the inside of the insertion part 420.

이 경우, 상기 가스유로연통수단(421)는, 제1가스유로(131)와 연통되도록, 평면 상 'T', '+', '-', 형상으로 형성될 수 있으며, 하측에 교차지점가스유로(133)와 연통되도록 하측으로 유로가 추가 형성될 수 있다.In this case, the gas flow passage communication means 421 may be formed in a shape of'T','+','-' on a plane so as to communicate with the first gas flow passage 131, and a cross point gas on the lower side. A flow path may be additionally formed downward to communicate with the flow path 133.

즉, 상기 가스유로연통수단(421)은, 양단의 복수의 제1가스유로(131)들이 연통되도록, 평행하게 형성되거나, 측면의 제1가스유로(131)와 하측면의 제2가스유로(132)가 서로 연통되도록 직각으로 꺾여 형성될 수 있다.That is, the gas flow passage communication means 421 may be formed in parallel so that the plurality of first gas passages 131 at both ends communicate with each other, or the first gas passage 131 on the side and the second gas passage on the lower side ( 132 may be formed by bent at a right angle to communicate with each other.

한편, 이때 상기 가스유로연통수단(421)은, 지지샤프트(410)의 끝단에 구비되어, 복수의 내측프레임(120)가 결합하는 결합블록일 수 있다.Meanwhile, at this time, the gas flow passage communication means 421 may be a coupling block provided at the end of the support shaft 410 to which the plurality of inner frames 120 are coupled.

상기 설치블록(430)은, 지지샤프트(410)의 끝단에 구비되어 내측프레임(120)에 고정결합되도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The installation block 430 is provided at the end of the support shaft 410 and is installed to be fixedly coupled to the inner frame 120, and various configurations are possible.

상기 설치블록(430)은, 전술한 삽입부(420)과 마찬가지로, 볼트 등을 이용하여 내측프레임(120)에 고정결합될 수 있으며, 내부에 가스유로(130)와 연통되기 위한 가스유로연통수단(421)이 형성될 수 있다.The installation block 430 may be fixedly coupled to the inner frame 120 using a bolt or the like, similar to the above-described insertion unit 420, and a gas channel communication means for communicating with the gas channel 130 therein. 421 may be formed.

상기 가스분사부(200)는, 리드프레임(100)의 하측에 가스유로(130)와 연통하여 구비되어, 가스유로(130)를 통해 공급받은 공정가스를 처리공간(S1)으로 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas injection unit 200 is provided under the lead frame 100 in communication with the gas flow path 130 and injects the process gas supplied through the gas flow path 130 into the processing space S1. , Various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스분사부(200)는, 복수의 내측프레임(120)들의 하측에 가스유로(130)와 연통되어 구비되며, 적어도 하나의 확산유로(S2)를 형성하여 가스유로(130)로부터 공급받은 공정가스를 확산하는 가스확산부(210)와, 가스확산부(210)에 일정간격으로 구비되어 공정가스를 처리공간(S1)으로 분사하는 분사노즐(220)을 포함할 수 있다.For example, the gas injection unit 200 is provided in communication with the gas passage 130 at the lower side of the plurality of inner frames 120, and forms at least one diffusion passage S2 to form the gas passage 130 It may include a gas diffusion unit 210 for diffusing the process gas supplied from the gas diffusion unit 210, and a spray nozzle 220 provided in the gas diffusion unit 210 at regular intervals to inject the process gas into the processing space S1.

상기 가스확산부(210)는, 가스유로(130), 보다구체적으로는 제2가스유로(132)와 연통되며 공정가스가 수평방향으로 이동하면서 확산되도록 형성되는 적어도 하나의 확산유로(S2)를 통해 공급받은 공정가스를 확산할 수 있다.The gas diffusion unit 210 communicates with the gas flow passage 130, more specifically, the second gas flow passage 132, and includes at least one diffusion passage S2 formed to diffuse while the process gas moves in the horizontal direction. Process gas supplied through can be diffused.

상기 분사노즐(220)은, 가스확산부(210)에 일정간격으로 구비되어 공정가스를 처리공간(S1)으로 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The injection nozzle 220 is provided in the gas diffusion unit 210 at regular intervals to inject process gas into the processing space S1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 분사노즐(220)은, 복수개 구비될 수 있으며, 처리공간(S1)으로 일정하게 공정가스가 공급되도록 이웃하는 분사노즐(220)과의 거리가 일정하게 유지될 수 있다. For example, a plurality of the injection nozzles 220 may be provided, and the distance between the adjacent injection nozzles 220 may be kept constant so that the process gas is constantly supplied to the processing space S1.

한편, 상기 분사노즐(220)은, 복수개 구비되어 가스확산부(210)에 공정가스를 공급하는 교차지점가스유로(133)를 중심으로 대칭으로 구비될 수 있으며, 이를 통해 균등한 공정가스의 처리공간(S1)으로의 공급이 가능하다.On the other hand, the injection nozzle 220 may be provided symmetrically around the cross-point gas flow path 133 that is provided in plural to supply the process gas to the gas diffusion unit 210, through which uniform process gas is processed. Supply to the space (S1) is possible.

다른 예로서, 상기 분사노즐(220)은, 교차지점가스유로(133)를 중심으로 비대칭으로 복수개 구비될 수 있으며, 이 경우, 기판(1)을 기준으로 균등한 공정처리가 가능하도록 기판(1)의 에지에 대응되는 위치에 좁은 간격으로 구비될 수 있다.As another example, a plurality of the injection nozzles 220 may be provided asymmetrically around the crossing point gas flow path 133, in this case, the substrate 1 so that uniform processing is possible based on the substrate 1 ) May be provided at narrow intervals at a position corresponding to the edge.

상기 하나 이상의 유전체(300)는, 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The one or more dielectrics 300 are installed to form the processing space S1 by covering the openings, and various configurations are possible.

특히, 상기 하나 이상의 유전체(300)는, 리드프레임(100)에 설치되어 안테나(40)와 플라즈마가 형성되는 처리공간(S1)을 분리할 수 있으며, 보다 구체적으로는 외곽프레임(110) 및 복수의 내측프레임(120)들에 의해 형성되는 리드프레임(100)의 개구영역에 설치될 수 있다.In particular, the at least one dielectric 300 may be installed in the lead frame 100 to separate the antenna 40 from the processing space S1 in which plasma is formed, and more specifically, the outer frame 110 and the plurality of It may be installed in the opening area of the lead frame 100 formed by the inner frames 120 of.

이 경우, 복수개의 유전체(300)가 리드프레임(100)의 개구영역에 설치될 수 있으며, 외곽프레임(110) 및 복수의 내측프레임(120)들의 내측에 형성되는 단차에 의해 지지되어 설치될 수 있다.In this case, a plurality of dielectrics 300 may be installed in the opening area of the lead frame 100, and may be supported and installed by a step formed inside the outer frame 110 and the plurality of inner frames 120. have.

상기 실드부재(500)는, 하나 이상의 유전체(300)의 저면을 보호하기 위하여 가스분사부(200)의 하측에서 하나 이상의 유전체(300)의 저면을 복개하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The shield member 500 is configured to cover the bottom of one or more dielectrics 300 under the gas injection unit 200 in order to protect the bottom of the one or more dielectrics 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 실드부재(500)는, 하나 이상의 유전체(300) 및 리드프레임(100)을 플라즈마로부터 보호하고, 폴리머가 증착되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 세라믹 등의 재질을 가질 수 있다.For example, the shield member 500 is a configuration for protecting one or more dielectrics 300 and lead frame 100 from plasma and preventing polymer deposition, and has a material such as ceramic that is resistant to plasma. I can.

상기 실드부재(500)는, 유전체(300)가 복수개인 경우 복수개 구비되어, 유전체(300) 각각에 밀착되어 설치될 수 있으며, 보다 바람직하게는 리드프레임(100)의 저면에 구비되는 가스분사부(200)에 설치됨으로써, 유전체(300)와 미세한 간격을 두고 설치될 수 있다.The shield member 500 is provided with a plurality of dielectrics 300, and may be installed in close contact with each of the dielectrics 300, and more preferably, a gas injection unit provided on the bottom of the lead frame 100 By being installed on 200, it can be installed with a minute distance from the dielectric 300.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

10: 챔버본체 20: 기판지지부
30: 챔버리드조립체 40: 안테나
100: 리드프레임 200: 가스분사부
300: 유전체 400: 지지부
500: 실드부재10: chamber body 20: substrate support
30: chamber lid assembly 40: antenna
100: lead frame 200: gas injection unit
300: dielectric 400: support
500: shield member

Claims (16)

상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(10)와; 상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하도록 설치되는 챔버리드조립체(30)와; 상기 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와; 상기 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나(40)를 포함하는 기판처리장치의 챔버리드조립체로서,
상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하도록 설치되는 하나 이상의 유전체(300)와;
외곽틀을 형성하는 외곽프레임(110)과, 상기 외곽프레임(110)의 내측에 서로 교차하여 설치되고, 가스유로(130)가 구비되는 복수의 내측프레임(120)들을 포함하며, 상기 하나 이상의 유전체(300)를 지지하는 리드프레임(100)과;
상기 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되어, 상기 리드프레임(100)을 지지하는 복수의 지지부(400)들을 포함하며,
상기 가스유로(130)는,
상기 복수의 지지부(400)들과의 간섭을 방지하기 위하여, 상기 복수의 내측프레임(120)들의 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.A chamber body 10 having an opening formed thereon; A chamber lid assembly (30) installed to cover the opening to form a processing space (S1) and supply a process gas to the processing space (S1); A substrate support part 20 installed on the chamber body 10 to support the substrate 1; A chamber lead assembly of a substrate processing apparatus including an antenna 40 installed above the chamber lead assembly 30 to form an induction electric field in the processing space S1,
At least one dielectric (300) installed to cover the opening to form a processing space (S1);
An outer frame 110 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 120 installed to cross each other on the inner side of the outer frame 110 and provided with a gas passage 130, wherein the at least one dielectric A lead frame 100 supporting the 300;
It is installed vertically on the plurality of inner frames 120, and includes a plurality of support parts 400 supporting the lead frame 100,
The gas flow path 130,
Chamber lid assembly, characterized in that provided inside the plurality of inner frames (120) in order to prevent interference with the plurality of support parts (400). 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 내측프레임(120)들은,
상기 외곽프레임(110)의 내측에 일정간격으로 서로 교차하여 설치되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method according to claim 1,
The plurality of inner frames 120,
Chamber lid assembly, characterized in that installed to cross each other at regular intervals on the inside of the outer frame (110). 청구항 1에 있어서,
상기 복수의 지지부(400)들은,
상기 복수의 내측프레임(120)들에 수직으로 설치되는 지지샤프트(410)와, 상기 지지샤프트(410) 끝단에 구비되고, 상기 복수의 내측프레임(120)에 삽입되어 결합하는 삽입부(420)를 포함하며,
상기 삽입부(420)는,
상기 복수의 내측프레임(120)들에 구비되는 복수의 상기 가스유로(130)들이 서로 연통되도록 상기 가스유로(130)들을 연통하는 가스유로연통수단(421)이 구비되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체. The method according to claim 1,
The plurality of support parts 400,
A support shaft 410 installed vertically on the plurality of inner frames 120, and an insertion part 420 provided at an end of the support shaft 410 and inserted into and coupled to the plurality of inner frames 120 Including,
The insertion part 420,
A chamber lid assembly, characterized in that a gas flow passage communication means 421 for communicating the gas passages 130 is provided so that the plurality of gas passages 130 provided in the plurality of inner frames 120 communicate with each other. . 청구항 3에 있어서,
상기 가스유로연통수단(421)은,
복수의 상기 가스유로(130)들이 연통되도록 상기 삽입부(420)에 상기 가스유로(130)와 연결하여 구비되는 배관인 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체. The method of claim 3,
The gas flow passage communication means 421,
A chamber lid assembly, characterized in that the pipe is provided in connection with the gas flow path 130 to the insertion part 420 so that the plurality of gas flow paths 130 communicate. 청구항 3에 있어서,
상기 가스유로연통수단(421)은,
상기 가스유로(130)가 상기 삽입부(420)를 관통하여 연결되도록, 상기 삽입부(420)에 가공을 통해 형성되는 관통공인 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체. The method of claim 3,
The gas flow passage communication means 421,
A chamber lid assembly, characterized in that the gas flow path 130 is a through hole formed through processing in the insertion part 420 so that the gas flow path 130 is connected through the insertion part 420. 청구항 3에 있어서,
상기 가스유로(130)는,
상기 리드프레임(100)에서 수평방향으로 상기 공정가스를 공급하는 제1가스유로(131)와, 상기 제1가스유로(131)와 연통되어 상기 제1가스유로(131)로부터 상기 공정가스를 상기 처리공간(S1)에 공급하는 제2가스유로(132)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method of claim 3,
The gas flow path 130,
The lead frame 100 is in communication with a first gas flow path 131 for supplying the process gas in a horizontal direction, and the first gas flow path 131 to transfer the process gas from the first gas flow path 131. Chamber lid assembly, characterized in that it comprises a second gas flow path (132) supplied to the processing space (S1). 청구항 6에 있어서,
상기 가스유로연통수단(421)은,
양단의 복수의 상기 제1가스유로(131)들이 연통되도록, 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method of claim 6,
The gas flow passage communication means 421,
Chamber lid assembly, characterized in that formed in parallel so that a plurality of the first gas flow passages 131 at both ends communicate. 청구항 6에 있어서,
상기 가스유로연통수단(421)은,
측면의 상기 제1가스유로(131)와 하측면의 상기 제2가스유로(132)가 연통되도록, 직각으로 꺾여 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체. The method of claim 6,
The gas flow passage communication means 421,
A chamber lid assembly, characterized in that it is formed by being bent at a right angle so that the first gas flow path 131 on the side and the second gas flow path 132 on the lower side communicate with each other. 청구항 6에 있어서,
상기 제2가스유로(132)는,
상기 복수의 내측프레임(120)들이 서로 교차하는 상기 교차지점에서 상기 처리공간(S1)으로 상기 공정가스를 공급하는 교차지점가스유로(133)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method of claim 6,
The second gas flow path 132,
The chamber lid assembly, characterized in that it comprises a crossing point gas flow path (133) for supplying the process gas to the processing space (S1) at the intersection point where the plurality of inner frames (120) cross each other. 청구항 1에 있어서,
상기 가스유로(130)는,
상기 리드프레임(100)의 평면 상 대칭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체. The method according to claim 1,
The gas flow path 130,
Chamber lid assembly, characterized in that formed symmetrically on the plane of the lead frame (100). 청구항 1에 있어서,
상기 가스유로(130)는,
상기 복수의 내측프레임(120)들 내부에 매립되어 설치되는 가스배관인 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method according to claim 1,
The gas flow path 130,
Chamber lid assembly, characterized in that the gas pipe is installed and embedded in the plurality of inner frames (120). 청구항 1에 있어서,
상기 가스유로(130)는,
상기 복수의 내측프레임(120) 내부에 가공을 통해 형성되는 가스통로인 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method according to claim 1,
The gas flow path 130,
Chamber lid assembly, characterized in that the gas passage formed through processing inside the plurality of inner frames (120). 청구항 1에 있어서,
상기 삽입부(420)는,
상기 지지샤프트(410)의 끝단에 구비되어, 상기 복수의 내측프레임(120)과 결합하는 결합블록인 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method according to claim 1,
The insertion part 420,
Chamber lid assembly, characterized in that provided at the end of the support shaft (410), characterized in that the coupling block coupled to the plurality of inner frames (120). 청구항 1에 있어서,
상기 리드프레임(100)의 하측에 상기 가스유로(130)와 연통하여 구비되어, 상기 가스유로(130)를 통해 공급받은 공정가스를 상기 처리공간(S1)으로 분사하는 가스분사부(200)를 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method according to claim 1,
A gas injection unit 200 provided below the lead frame 100 in communication with the gas flow path 130 to inject the process gas supplied through the gas flow path 130 into the processing space S1 Chamber lid assembly comprising a. 청구항 14에 있어서,
상기 가스분사부(200)는,
상기 복수의 내측프레임(120)들의 하측에 상기 가스유로(130)와 연통되어 구비되며, 적어도 하나의 확산유로(S2)를 형성하여 상기 가스유로(130)로부터 공급받은 상기 공정가스를 확산하는 가스확산부(210)와, 상기 가스확산부(210)에 일정간격으로 구비되어 상기 공정가스를 상기 처리공간(S1)으로 분사하는 분사노즐(220)을 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버리드조립체.The method of claim 14,
The gas injection unit 200,
A gas that is provided in communication with the gas passage 130 under the plurality of inner frames 120 and diffuses the process gas supplied from the gas passage 130 by forming at least one diffusion passage S2 A chamber lid assembly comprising a diffusion unit 210 and a spray nozzle 220 provided in the gas diffusion unit 210 at regular intervals to inject the process gas into the processing space S1. 상측에 개구부가 형성되는 챔버본체(10)와;
상기 개구부를 복개하여 처리공간(S1)을 형성하며, 상기 처리공간(S1)으로 공정가스를 공급하도록 설치되는 청구항 제1항 내지 제15항 중 어느 하나의 항에 따른 챔버리드조립체(30)와;
상기 챔버본체(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(20)와;
상기 챔버리드조립체(30)의 상측에 설치되어 처리공간(S1)에 유도전계를 형성하는 안테나(40)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A chamber body 10 having an opening formed thereon;
The chamber lid assembly (30) according to any one of claims 1 to 15, which covers the opening to form a processing space (S1), and is installed to supply a process gas to the processing space (S1), ;
A substrate support part 20 installed on the chamber body 10 to support the substrate 1;
And an antenna (40) installed above the chamber lid assembly (30) to form an induction electric field in the processing space (S1).
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024029702A1 (en) * 2022-08-02 2024-02-08 주식회사 한화 Atomic layer deposition device

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