KR20210016937A - Dielectric assembly, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing system having the same. - Google Patents

Dielectric assembly, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing system having the same. Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a dielectric assembly, a substrate processing module, and a substrate processing system and, more specifically, to a dielectric assembly which performs substrate processing such as deposition, etching, and the like on the substrate, a substrate processing module, and a substrate processing system. According to the present invention, the dielectric assembly comprises: at least one dielectric plate (100); a support frame (200) supported to and installed on a chamber main body (11) to support an edge of the dielectric plate (100); at least a portion of the cover part (300) installed in close contact with the bottom surface of the dielectric plate (100); and a fixing part (400) including a fixing bolt (410) installed on the lower surface of the support frame (200) to support the cover part (300) and an elastic member (420) installed between the fixing bolt (410) and the cover part (300) to allow the cover part (300) to maintain a state in close contact with the dielectric plate (100).

Description

유전체조립체, 기판처리모듈 및 기판처리시스템{Dielectric assembly, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing system having the same.}Dielectric assembly, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing system having the same.}

본 발명은, 유전체조립체, 기판처리모듈 및 기판처리시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판에 대하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 유전체조립체, 기판처리모듈 및 기판처리시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric assembly, a substrate processing module, and a substrate processing system, and more particularly, to a dielectric assembly, a substrate processing module, and a substrate processing system for performing substrate processing such as deposition and etching on a substrate.

기판처리모듈은 밀폐된 처리공간에 전원을 인가하여 플라즈마를 형성함으로써 기판지지부 위에 안착된 기판의 표면을 증착, 식각하는 등 기판처리를 수행하는 장치를 말한다.The substrate processing module refers to a device that performs substrate processing, such as depositing and etching the surface of a substrate mounted on a substrate support by applying power to a sealed processing space to form plasma.

이때, 기판처리를 위하여 밀폐된 처리공간에 형성되는 플라즈마의 발생 방식은 RF를 이용한 것으로 발생 방식에 따라 용량결합형 플라즈마(Capacitively coupling plasma, CCP)와, 유도결합형 플라즈마(Inductively coupled plasma, ICP)로 구분된다.At this time, the generation method of plasma formed in the sealed processing space for substrate processing is using RF, and according to the generation method, capacitively coupling plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) It is divided into

특히, 유도결합형 플라즈마(ICP)는 코일 형태의 안테나에 RF전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성된 유도전기장에 의해 플라즈마를 발생시키며, 이를 위해 일반적으로 안테나와 유전체플레이트가 처리공간 외부인 챔버리드조립체에 배치된다. In particular, inductively coupled plasma (ICP) generates plasma by an induced electric field formed by a current flowing through the antenna by applying RF power to a coil-type antenna. For this purpose, in general, the antenna and the dielectric plate are outside the processing space. Placed in the assembly.

한편, 종래 유도결합형 플라즈마 기판처리모듈은, 유전체플레이트와 유전체플레이트의 하단에서 유전체플레이트를 보호하는 유전체커버가 서로 맞닿아 설치되어 유전체플레이트의 변형에 따라 유전체커버가 파손되는 문제점이 있었다.Meanwhile, in the conventional inductively coupled plasma substrate processing module, a dielectric plate and a dielectric cover protecting the dielectric plate at a lower end of the dielectric plate are installed in contact with each other, and the dielectric cover is damaged due to the deformation of the dielectric plate.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 유전체플레이트와 유전체플레이트의 하단에서 유전체플레이트를 보호하는 유전체커버가 사이에 공간을 가지고 서로 이격되도록 설치함으로써, 유전체플레이트의 물리적 변형이 허용되는 공간을 통해 유전체커버의 내구성을 개선하였으나, 이 경우 유전체플레이트와 유전체커버가 서로 이격설치되어 유전체플레이트와 유전체커버 사이의 열전달 효율이 떨어지는 문제점이 있다.In order to improve this problem, by installing the dielectric plate and the dielectric cover protecting the dielectric plate at the bottom of the dielectric plate to be spaced apart from each other with a space therebetween, the durability of the dielectric cover is improved through a space where physical deformation of the dielectric plate is allowed. However, in this case, there is a problem in that the dielectric plate and the dielectric cover are spaced apart from each other, so that the heat transfer efficiency between the dielectric plate and the dielectric cover is deteriorated.

따라서, 고온의 유전체플레이트에도 불구하고 유전체커버의 온도가 낮아 유전체커버의 표면에 부착된 폴리머가 파티클로서 낙하하게 되어, 낙하하는 파티클로 인하여 기판처리가 불량 또는 지연되는 문제점이 있다.Accordingly, in spite of the high temperature dielectric plate, the temperature of the dielectric cover is low, and the polymer adhered to the surface of the dielectric cover falls as particles, and there is a problem in that substrate processing is defective or delayed due to the falling particles.

본 발명의 목적은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 유전체플레이트와 유전체커버가 밀착되어 설치되면서도, 유전체플레이트의 물리적 변형에 따른 유전체커버의 파손을 방지할 수 있는 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템을 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to solve the above problems, a dielectric assembly, a substrate processing module, and a dielectric assembly capable of preventing damage to the dielectric cover due to physical deformation of the dielectric plate while being installed in close contact with the dielectric plate. It is to provide a substrate processing system including.

본 발명은, 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(11)와; 상기 개구부를 복개하도록 설치된 유전체조립체(20)와; 상기 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(40)와; 상기 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(30)를 포함하는 기판처리모듈의 유전체조립체(20)로서, 하나 이상의 유전체플레이트(100)와; 상기 유전체플레이트(100)의 가장자리를 지지하도록 상기 챔버본체(11)에 지지되어 설치되는 지지프레임(200)과; 상기 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 설치되는 유전체커버(310)와, 상기 유전체커버(310)의 저면에서 상기 유전체커버(310)를 지지하며, 상기 지지프레임(200)을 복개하는 실드부재(320)를 포함하는 커버부(300)와; 상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정부(400)를 포함하며, 상기 고정부(400)는, 상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정볼트(410)와, 상기 유전체커버(310)가 상기 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 상기 고정볼트(410)에 설치되어 상기 커버부(300)에 밀착력을 제공하는 탄성부재(420)를 포함하는 유전체조립체를 개시한다.The present invention, as created in order to achieve the object of the present invention as described above, the present invention, the chamber body 11 is formed with an opening on the upper side; A dielectric assembly 20 installed to cover the opening; A substrate support portion 40 installed on the chamber body 11 to support the substrate 1; A dielectric assembly 20 of a substrate processing module including an antenna 30 installed above the dielectric assembly 20 to form an induced electric field in a processing space S, comprising: at least one dielectric plate 100; A support frame 200 supported and installed on the chamber body 11 to support the edge of the dielectric plate 100; A dielectric cover 310 installed in close contact with the lower surface of the dielectric plate 100, and a shield member supporting the dielectric cover 310 at the lower surface of the dielectric cover 310 and covering the support frame 200 A cover part 300 including 320; And a fixing part 400 installed on the bottom of the support frame 200 to support the shield member 320, and the fixing part 400 is installed on the bottom of the support frame 200 to provide the shield A fixing bolt 410 supporting the member 320 and the dielectric cover 310 are installed on the fixing bolt 410 to maintain a close contact state with the dielectric plate 100 to adhere to the cover part 300 Disclosed is a dielectric assembly including an elastic member 420 providing a.

상기 고정부(400)는, 단차를 가지고 상기 고정볼트(410)에 상하이동 가능하도록 설치되어, 상기 고정볼트(410)의 볼트머리(411)에 대향되는 내측단차면(441)과 상기 볼트머리(411) 사이에 설치되는 상기 탄성부재(420)의 탄성력을 상기 실드부재(320)에 전달하는 와셔부(440)를 포함할 수 있다.The fixing part 400 is installed to be able to move up and down on the fixing bolt 410 with a step, and an inner stepped surface 441 facing the bolt head 411 of the fixing bolt 410 and the bolt head It may include a washer portion 440 that transmits the elastic force of the elastic member 420 is installed between the shield member 320 (411).

상기 와셔부(440)는, 상기 실드부재(320)에 대향되는 외측단차면(442)을 통해 상기 실드부재(320)를 지지할 수 있다.The washer part 440 may support the shield member 320 through an outer stepped surface 442 opposite to the shield member 320.

상기 고정부(400)는, 상기 고정볼트(410) 및 탄성부재(420)의 외부노출을 방지하기 위하여, 상기 고정볼트(410)를 복개하는 캡부(430)를 추가로 포함할 수 있다.The fixing part 400 may further include a cap part 430 covering the fixing bolt 410 to prevent external exposure of the fixing bolt 410 and the elastic member 420.

상기 캡부(430)는, 상기 와셔부(440)에 결합 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지할 수 있다.The cap part 430 may be installed coupled to the washer part 440 to support the shield member 320.

상기 지지프레임(200)은, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(210)과, 상기 외곽프레임(210)의 내측에 서로 교차하여 설치되는 복수의 내측프레임(220)들을 포함하며, 복수 개의 상기 유전체플레이트(100)가 상기 외곽프레임(210) 및 상기 복수의 내측프레임(220)들에 의해 형성되는 복수의 개구에 설치될 수 있다.The support frame 200 includes an outer frame 210 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 220 intersecting each other on the inner side of the outer frame 210, and a plurality of the dielectric plates 100 may be installed in a plurality of openings formed by the outer frame 210 and the plurality of inner frames 220.

상기 복수의 내측프레임(220)들은, 외부로부터 상기 챔버본체(11)의 처리공간(S)으로 공정가스를 전달하기 위한 가스유로(230)가 내부에 형성될 수 있다.The plurality of inner frames 220 may have a gas flow path 230 for transferring a process gas to the processing space S of the chamber body 11 from the outside.

상기 복수의 내측프레임(220)의 저면에 상기 가스유로(230)와 연통되도록 설치되어, 상기 가스유로(230)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간(S)으로 분사하는 분사노즐(500)을 추가로 포함할 수 있다.An injection nozzle 500 installed at the bottom of the plurality of inner frames 220 to be in communication with the gas flow path 230 and injecting the process gas delivered from the gas flow path 230 into the processing space S It may further include.

또한 본 발명은, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(11)와; 상기 개구부를 복개하여 설치되어 상기 챔버본체(11)와 함께 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 청구항 제1항 내지 청구항 제9항 중 어느 하나에 따른 유전체조립체(20)와; 상기 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(40)와; 상기 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(30)를 포함하는 기판처리모듈을 개시한다.In addition, the present invention, the chamber body 11 is formed with an opening on the upper side; The dielectric assembly (20) according to any one of claims 1 to 9, which is installed by covering the opening to form a processing space (S) in which the substrate (1) is processed together with the chamber body (11), ; A substrate support portion 40 installed on the chamber body 11 to support the substrate 1; Disclosed is a substrate processing module including an antenna 30 installed on the upper side of the dielectric assembly 20 to form an induction electric field in the processing space S.

또한 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하여 기판처리를 수행하는 청구항 제10항에 따른 복수의 기판처리모듈(4)들과; 상기 복수의 기판처리모듈(4)들이 결합되며, 상기 복수의 기판처리모듈(4)들 각각에 상기 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과; 상기 기판반송모듈(3)에 결합되어 상기 기판처리모듈(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함하는 기판처리시스템을 개시한다.In addition, the present invention comprises a plurality of substrate processing modules (4) according to claim 10 for performing substrate processing by forming a sealed processing space (S); A substrate transfer module (3) in which the plurality of substrate processing modules (4) are combined and a transfer robot (5) for carrying out or introducing the substrate (1) is installed in each of the plurality of substrate processing modules (4); A substrate exchange module (2) coupled to the substrate transfer module (3) to carry out a substrate (1), which has been subjected to substrate processing through the substrate processing module (4), to the outside, and to introduce a substrate (1) to be processed from the outside. A substrate processing system including) is disclosed.

본 발명에 따른 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 유전체플레이트와 유전체커버가 서로 밀착되어 설치됨으로써, 유전체플레이트와 유전체커버 사이의 열전달 효율이 뛰어나, 유전체플레이트의 가열을 통해 유전체커버의 온도상승이 쉽게 가능한 이점이 있다.The dielectric assembly, the substrate processing module, and the substrate processing system including the same according to the present invention have excellent heat transfer efficiency between the dielectric plate and the dielectric cover, as the dielectric plate and the dielectric cover are installed in close contact with each other. There is an advantage that the temperature of the cover can be easily increased.

또한, 본 발명에 따른 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 유전체플레이트의 가열을 통해 유전체플레이트와 밀착되어 설치되는 유전체커버의 온도상승이 용이하므로, 유전체커버의 온도강하에 따른 폴리머의 파티클로서 낙하를 방지하여, 기판처리의 불량 또는 지연을 방지할 수 있는 이점이 있다.In addition, the dielectric assembly, the substrate processing module, and the substrate processing system including the same according to the present invention facilitate the temperature increase of the dielectric cover installed in close contact with the dielectric plate through heating of the dielectric plate, so that the temperature of the dielectric cover decreases. There is an advantage in that it is possible to prevent a fall as a particle of a polymer, thereby preventing defects or delays in substrate processing.

특히, 본 발명에 따른 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 유전체플레이트의 물리적변형에도 유전체커버를 유전체플레이트의 하단에 밀착되어 위치할 수 있도록 외력을 제공함으로써, 유전체플레이트의 변형과는 무관하게 열전달 효율이 뛰어난 이점이 있다.In particular, the dielectric assembly, the substrate processing module, and the substrate processing system including the same according to the present invention provide an external force so that the dielectric cover can be placed in close contact with the lower end of the dielectric plate even when the dielectric plate is physically deformed, thereby deforming the dielectric plate. Regardless of this, there is an advantage of excellent heat transfer efficiency.

또한, 본 발명에 따른 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템은, 유전체플레이트와 유전체커버 사이의 열전달 효율이 뛰어나면서도, 유전체플레이트의 물리적 변형이 가능하도록 설치됨으로써, 유전체커버의 파손을 방지하여 장치의 내구성이 증진되는 이점이 있다.In addition, the dielectric assembly, the substrate processing module, and the substrate processing system including the same according to the present invention are installed to enable physical deformation of the dielectric plate while having excellent heat transfer efficiency between the dielectric plate and the dielectric cover, thereby preventing damage to the dielectric cover. There is an advantage that the durability of the device is improved by preventing.

도 1은, 본 발명에 따른 유전체조립체 및 이를 구비하는 기판처리모듈의 모습을 보여주는 개략도이다.
도 2는, 도 1에 따른 유전체조립체의 모습을 보여주는 저면도이다.
도 3은, 도 2에 따른 유전체조립체 중 고정부재의 모습을 보여주는 A부분 확대도로써, B-B부분의 확대단면도이다.
도 4는, 도 2에 따른 유전체조립체 중 분사노즐의 모습을 보여주는 C-C부분 확대단면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 유전체조립체 및 이를 구비하는 기판처리모듈을 포함하는 기판처리시스템의 개략도이다.1 is a schematic diagram showing a dielectric assembly according to the present invention and a substrate processing module having the same.
2 is a bottom view showing the state of the dielectric assembly according to FIG. 1.
3 is an enlarged view of part A showing the state of the fixing member in the dielectric assembly according to FIG. 2, and is an enlarged cross-sectional view of part BB.
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a part of CC showing a state of a spray nozzle in the dielectric assembly according to FIG. 2.
5 is a schematic diagram of a substrate processing system including a dielectric assembly according to FIG. 1 and a substrate processing module having the same.

이하 본 발명에 따른 유전체조립체, 기판처리모듈 및 이를 포함하는 기판처리시스템에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a dielectric assembly, a substrate processing module, and a substrate processing system including the same according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 기판처리시스템은, 도 5에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하여 기판처리를 수행하는 복수의 기판처리모듈(4)들과; 복수의 기판처리모듈(4)들이 결합되며, 복수의 기판처리모듈(4)들 각각에 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과; 기판반송모듈(3)에 결합되어 기판처리모듈(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함한다. The substrate processing system according to the present invention includes a plurality of substrate processing modules 4 for performing substrate processing by forming an enclosed processing space S, as shown in FIG. 5; A substrate transfer module 3 in which a plurality of substrate processing modules 4 are combined, and a transfer robot 5 for carrying out or introducing a substrate 1 to each of the plurality of substrate processing modules 4 is installed; A substrate exchange module (2) that is coupled to the substrate transfer module (3) to carry out the substrate (1), which has been subjected to substrate processing through the substrate processing module (4), and to introduce the substrate (1) to be processed from the outside. Include.

본 발명의 처리대상인 기판(1)은, 증착, 식각 등 기판처리가 수행되는 구성으로서, 반도체 제조용기판, LCD 제조용기판, OLED 제조용기판, 태양전지 제조용기판, 투명 글라스기판 등 어떠한 기판도 가능하다.The substrate 1 to be treated according to the present invention is a configuration in which substrate processing such as deposition and etching is performed, and any substrate such as a semiconductor manufacturing substrate, an LCD manufacturing substrate, an OLED manufacturing substrate, a solar cell manufacturing substrate, a transparent glass substrate, etc. can be used.

특히, 상기 기판(1)은, 안테나에 RF전력을 인가하여 안테나에 흐르는 전류에 의해 형성되 유도전기장에 의해 발생되는 플라즈마를 활용하여 기판처리가 수행되는 구성일 수 있다.In particular, the substrate 1 may have a configuration in which the substrate processing is performed using plasma generated by an induced electric field formed by a current flowing through the antenna by applying RF power to the antenna.

상기 기판반송모듈(3)은, 복수의 기판처리모듈(4)들이 결합되며, 복수의 기판처리모듈(4)들 각각에 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate transfer module 3 is a configuration in which a plurality of substrate processing modules 4 are combined, and a transfer robot 5 for carrying out or introducing a substrate 1 to each of the plurality of substrate processing modules 4 is installed. , Various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판반송모듈(3)은, 기판교환모듈(2)을 통해 외부로부터 반입되는 기판처리될 기판(1)을 내부에 설치된 반송로봇(5)을 통해 기판처리모듈(4)로 이송할 수 있다.For example, the substrate transfer module 3 transfers the substrate 1 to be processed, which is carried from the outside through the substrate exchange module 2, to the substrate processing module 4 through the transfer robot 5 installed therein. Can be transferred.

또한, 상기 기판반송모듈(3)은, 기판처리모듈(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 기판처리모듈(4)로부터 기판교환모듈(2)로 이송하여 외부로 반출하도록 할 수 있다.In addition, the substrate transfer module 3 may transfer the substrate 1 that has been processed through the substrate processing module 4 from the substrate processing module 4 to the substrate exchange module 2 to be carried out. have.

상기 기판교환모듈(2)은, 기판반송모듈(3)에 결합되어 기판처리모듈(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate exchange module 2 is coupled to the substrate transfer module 3 to carry out the substrate 1, which has been subjected to substrate processing, to the outside through the substrate processing module 4, and transfers the substrate 1 to be processed from the outside. As a configuration to be introduced, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판교환모듈(2)은, 대기압 상태의 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 로딩하고 진공공간의 기판반송모듈(3)로 기판(1)이 이송될 수 있도록 할 수 있다.For example, the substrate exchange module 2 may load the substrate 1 to be processed from the outside under atmospheric pressure and allow the substrate 1 to be transferred to the substrate transfer module 3 in a vacuum space. .

또한, 상기 기판교환모듈(2)은, 기판처리모듈(4)로부터 기판처리가 완료된 기판(1)을 기판반송모듈(3)을 통해 전달받아 진공공간의 내부로부터 대기압 상태의 외부로 처리가 완료된 기판(1)을 언로딩할 수 있다.In addition, the substrate exchange module 2 receives the substrate 1 on which the substrate has been processed from the substrate processing module 4 through the substrate transfer module 3, and the processing is completed from the inside of the vacuum space to the outside at atmospheric pressure. The substrate 1 can be unloaded.

상기 기판처리모듈(4)은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하여 기판처리를 수행하는 구성으로서, 기판반송모듈(3)에 복수개 설치되어, 서로 동일한 공정 또는 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다.The substrate processing module 4 is a configuration for performing substrate processing by forming a sealed processing space S, and is installed in a plurality of substrate transport modules 3, and can perform the same process or different processes. .

보다 구체적으로, 상기 기판처리모듈(4)은, 유도결합 플라즈마 처리장치로서, 유도전계에 의하여 플라즈마를 형성하여 기판처리르 수행하는 장치로서, 유전체의 상측에 고주파(RF) 안테나를 설치하여 안테나에 전원을 인가하여 처리공간에 유도전계를 형성하고, 유도전계에 의하여 처리가스를 플라즈마화하여 기판처리를 수행할 수 있다.More specifically, the substrate processing module 4 is an inductively coupled plasma processing apparatus, which forms plasma by an inductive electric field to perform substrate processing. A radio frequency (RF) antenna is installed on the upper side of the dielectric to the antenna. Power is applied to form an induction electric field in the processing space, and the processing gas is converted into plasma by the induction electric field to perform substrate treatment.

예를 들면, 상기 기판처리모듈(4)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(11)와; 상기 개구부를 복개하도록 설치되는 유전체조립체(20)와; 상기 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(40)와; 상기 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(30)를 포함할 수 있다.For example, the substrate processing module 4, as shown in Figure 1, the chamber body 11 is formed with an opening on the upper side; A dielectric assembly (20) installed to cover the opening; A substrate support portion 40 installed on the chamber body 11 to support the substrate 1; It may include an antenna 30 installed on the upper side of the dielectric assembly 20 to form an induced electric field in the processing space (S).

또한 본 발명에 따른 기판처리모듈(4)은, 안테나(30)의 지지, 안테나(30)에서 형성되는 유도전계의 차폐 등을 위하여 유전체조립체(20)의 상측에 안테나(30)를 복개하도록 설치되는 상부리드(12)를 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing module 4 according to the present invention is installed to cover the antenna 30 on the upper side of the dielectric assembly 20 for support of the antenna 30 and shielding of the induced electric field formed in the antenna 30. It may include an upper lead 12.

상기 챔버본체(11)는, 상측에 개구부가 형성되며 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The chamber body 11 has an opening formed at the upper side and is configured to form a processing space S, and various configurations are possible.

특히, 상기 챔버본체(11)는, 상부리드(12)와의 결합을 통해 챔버(10)를 이루는 구성으로써, 후술하는 유전체조립체(20)가 상측에 설치됨으로써 내부에 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)이 형성될 수 있으며, 공정수행에 필요한 소정의 진공압을 견딜 수 있는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다. In particular, the chamber body 11 is a configuration that forms the chamber 10 through the combination with the upper lead 12, and the dielectric assembly 20 to be described later is installed on the upper side so that the substrate 1 is processed therein. A space (S) can be formed, and any configuration is possible as long as it can withstand a predetermined vacuum pressure required for performing the process.

또한 상기 챔버본체(11)는, 처리되는 기판(1)의 형상에 대응되는 형상을 이룸이 바람직하며, 예로서 대면적 기판(1)이 처리되기 위한 직사각형 형상일 수 있다.In addition, the chamber body 11 preferably has a shape corresponding to the shape of the substrate 1 to be processed, and may be, for example, a rectangular shape for processing the large-area substrate 1.

상기 상부리드(12)는, 유전체조립체(20)의 상측에 안테나(30)를 복개하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The upper lead 12 is a configuration installed so as to cover the antenna 30 on the upper side of the dielectric assembly 20, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 상부리드(12)는, 후술하는 지지프레임(200)의 상측에 설치되어, 유전체조립체(20)의 상측에 설치되는 안테나(30)를 복개할 수 있다.For example, the upper lead 12 may be installed on the upper side of the support frame 200 to be described later to cover the antenna 30 installed on the upper side of the dielectric assembly 20.

상기 기판지지부(40)는, 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support portion 40 is a configuration installed on the chamber body 11 to support the substrate 1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 기판지지부(40)는, 기판처리를 위하여 기판(1)을 지지하는 기판플레이트와, 챔버본체(11)의 하부면을 관통하여 기판플레이트를 지지하는 기판지지대를 포함할 수 있다.For example, the substrate support part 40 may include a substrate plate supporting the substrate 1 for substrate processing, and a substrate support penetrating the lower surface of the chamber body 11 to support the substrate plate. .

상기 안테나(30)는, 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어, 처리공간(S)에 유도전계를 형성하기 위한 구성으로서, 금속재질의 플레이트부재 등 다양한 구성이 가능하다.The antenna 30 is installed on the upper side of the dielectric assembly 20 to form an inductive electric field in the processing space S, and various configurations such as a plate member made of metal are possible.

이를 통해 상기 안테나(30)는, 공정조건에 따라 다양한 형성 및 패턴으로 설치될 수 있으며, 외부의 RF전력을 인가받아 처리공간(S)에 유도전계 플라즈마를 형성할 수 있다.Through this, the antenna 30 may be installed in various formations and patterns according to process conditions, and by receiving external RF power, an induced electric field plasma may be formed in the processing space S.

예를 들면, 상기 안테나(30)는, 일단에서 접지되고 타단에서 RF전원이 인가됨으로써, 처리공간(S) 내에 전기장을 유도하여 플라즈마가 형성되도록 할 수 있으며, 이때, 처리공간(S)과의 사이에 유전체조립체(20)에 구비되는 유전체플레이트(100)가 배치될 수 있다.For example, the antenna 30 may be grounded at one end and RF power is applied at the other end, thereby inducing an electric field in the processing space S to form a plasma. A dielectric plate 100 provided in the dielectric assembly 20 may be disposed therebetween.

상기 유전체조립체(20)는, 챔버본체(11)의 상측에 형성된 개구부를 복개하여 설치되어, 챔버본체(11)와 함께 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The dielectric assembly 20 is installed by covering an opening formed on the upper side of the chamber body 11 to form a processing space S in which the substrate 1 is processed together with the chamber body 11 Configuration is possible.

한편 상기 유전체조립체(20)는, 종래 유전체플레이트(100)와 유전체플레이트(100)를 저면에서 보호하는 커버부(300)가 유전체플레이트(100)의 변형에 따른 커버부(300)의 파손을 방지하고자 이격을 두고 설치되었으나, 이 경우, 유전체플레이트(100)의 상측에서 유전체플레이트(100)의 가열에도 불구하고 커버부(300)에 온도가 충분히 전달되지 않아, 상대적으로 온도가 낮은 커버부(300)에 붙어있던 폴리머들이 파티클이 되어 처리공간(S)으로 낙하하는 문제점이 있다.Meanwhile, in the dielectric assembly 20, a cover part 300 that protects the conventional dielectric plate 100 and the dielectric plate 100 from the bottom surface prevents damage to the cover part 300 due to the deformation of the dielectric plate 100. Although it was installed with a space apart to do so, in this case, despite heating of the dielectric plate 100 from the upper side of the dielectric plate 100, the temperature is not sufficiently transferred to the cover part 300, so that the cover part 300 having a relatively low temperature ), there is a problem that the polymers attached to them become particles and fall into the processing space (S).

이러한 문제점을 개선하기 위하여 본 발명에 따른 유전체조립체는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 유전체플레이트(100)와; 상기 유전체플레이트(100)의 가장자리를 지지하도록 상기 챔버본체(11)에 지지되어 설치되는 지지프레임(200)과; 상기 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 설치되는 유전체커버(310)와, 상기 유전체커버(310)의 저면에서 상기 유전체커버(310)를 지지하며, 상기 지지프레임(200)을 복개하는 실드부재(320)를 포함하는 커버부(300)와; 상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정부(400)를 포함하며, 상기 고정부(400)는, 상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정볼트(410)와, 상기 유전체커버(310)가 상기 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 상기 고정볼트(410)에 설치되어 상기 커버부(300)에 밀착력을 제공하는 탄성부재(420)를 포함한다.In order to improve this problem, the dielectric assembly according to the present invention includes at least one dielectric plate 100, as shown in FIGS. 1 and 2; A support frame 200 supported and installed on the chamber body 11 to support the edge of the dielectric plate 100; A dielectric cover 310 installed in close contact with the lower surface of the dielectric plate 100, and a shield member supporting the dielectric cover 310 at the lower surface of the dielectric cover 310 and covering the support frame 200 A cover part 300 including 320; And a fixing part 400 installed on the bottom of the support frame 200 to support the shield member 320, and the fixing part 400 is installed on the bottom of the support frame 200 to provide the shield A fixing bolt 410 supporting the member 320 and the dielectric cover 310 are installed on the fixing bolt 410 to maintain a close contact state with the dielectric plate 100 to adhere to the cover part 300 It includes an elastic member 420 to provide a.

또한 본 발명에 따른 유전체조립체는, 도 4에 도시된 바와 같이, 지지프레임(200) 내부에 설치되는 가스유로(230)를 통해 공급받은 공정가스를 처리공간(S)으로 분사하기 위한 분사노즐(500)을 포함할 수 있다.In addition, the dielectric assembly according to the present invention, as shown in Figure 4, the injection nozzle for injecting the process gas supplied through the gas flow path 230 installed inside the support frame 200 into the processing space (S) ( 500).

상기 하나 이상의 유전체플레이트(100)는, 챔버본체(11)의 상측에 형성되는 개구부를 복개하여 처리공간(S)을 형성하도록 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The at least one dielectric plate 100 is configured to cover an opening formed on the upper side of the chamber body 11 to form a processing space S, and various configurations are possible.

특히, 상기 하나 이상의 유전체플레이트(100)는, 지지프레임(200)에 설치되어 안테나(30)와 플라즈마가 형성되는 처리공간(S)을 분리할 수 있으며, 보다 구체적으로는, 후술하는 외곽프레임(210) 및 복수의 내측프레임(22)들에 의해 형성되는 지지프레임(200)의 개구영역에 설치될 수 있다. In particular, the at least one dielectric plate 100 may be installed on the support frame 200 to separate the antenna 30 from the processing space S in which the plasma is formed, and more specifically, an outer frame ( 210) and the plurality of inner frames 22 may be installed in an opening area of the support frame 200.

이 경우, 복수개의 유전체플레이트(100)가 지지프레임(200)의 개구영역에 설치될 수 있으며, 외곽프레임(210) 및 복수의 내측프레임(220)들의 내측에 형성되는 단차에 의해 지지되어 설치될 수 있다.In this case, a plurality of dielectric plates 100 may be installed in the opening area of the support frame 200, and may be supported and installed by a step formed inside the outer frame 210 and the plurality of inner frames 220. I can.

즉, 상기 하나 이상의 유전체플레이트(100)는 가장자리가 상면의 폭이 더 넓도록 연장되어 단차를 가지도록 형성되고, 지지프레임(200) 또한 유전체플레이트(100)가 설치되는 위치에 단차를 가지도록 형성되어, 유전체플레이트(100)를 지지할 수 있다.That is, the at least one dielectric plate 100 is formed so that the edge extends so that the width of the upper surface is wider to have a step, and the support frame 200 is also formed to have a step at a position where the dielectric plate 100 is installed. As a result, the dielectric plate 100 can be supported.

상기 유전체플레이트(100)는, 지지프레임(200)과의 접촉면에서 실링을 위한 실링부재(110)를 포함할 수 있다.The dielectric plate 100 may include a sealing member 110 for sealing on a contact surface with the support frame 200.

상기 실링부재(110)는, 유전체플레이트(100)와 지지프레임(200) 사이의 접촉면에 구비되는 구성으로서, 처리공간(S) 측으로 분사되는 가스 등의 챔버본체(11) 상측으로의 누출을 방지할 수 있다.The sealing member 110 is provided on a contact surface between the dielectric plate 100 and the support frame 200, and prevents leakage of gas, etc., injected into the processing space S to the upper side of the chamber body 11 can do.

상기 지지프레임(200)은, 유전체플레이트(100)의 가장자리를 지지하도록 챔버본체(11)에 지지되어 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support frame 200 is a configuration that is supported and installed on the chamber body 11 to support the edge of the dielectric plate 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 지지프레임(200)은, 외곽틀을 형성하는 외곽프레임(210)과, 외곽프레임(210)의 내측에 서로 교차하여 설치되는 복수의 내측프레임(220)들을 포함할 수 있다.For example, the support frame 200 may include an outer frame 210 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 220 intersecting each other on the inner side of the outer frame 210.

상기 외곽프레임(210)은, 챔버본체(11)에 지지되어 설치되며, 유전체조립체(20)의 전체 외곽틀을 형성할 수 있다.The outer frame 210 is supported and installed on the chamber body 11, and may form the entire outer frame of the dielectric assembly 20.

예를 들면, 상기 외곽프레임(210)은, 챔버본체(11)의 평면형상에 대응되는 형상으로 형성되며, 내측에 복수의 내측프레임(220)들이 일정간격으로 격자를 이루도록 교차하여 설치될 수 있으며, 복수의 내측프레임(220)들과 함께 하나 이상의 유전체플레이트(100)가 설치되는 복수의 개구부를 형성할 수 있다.For example, the outer frame 210 is formed in a shape corresponding to the planar shape of the chamber main body 11, and a plurality of inner frames 220 are intersected to form a grid at regular intervals on the inside, and may be installed. , A plurality of openings in which one or more dielectric plates 100 are installed may be formed together with the plurality of inner frames 220.

또한, 상기 외곽프레임(210)은, 구조적 강성이 충분한 알루미늄, 알루미늄 합금 등 상자성체이며 강성이 있는 재질을 가짐이 바람직하며, 내측에 하나 이상의 유전체플레이트(100)가 걸려 지지되도록 단차가 형성될 수 있다.In addition, the outer frame 210 is preferably a paramagnetic material such as aluminum or aluminum alloy having sufficient structural rigidity, and has a rigid material, and a step may be formed so that at least one dielectric plate 100 is caught and supported inside. .

상기 복수의 내측프레임(220)들은, 전술한 외곽프레임(210)의 내측에 서로 교차하여 설치됨으로써, 대면적 기판의 제조를 위하여 대면적화된 외곽프레임(210)의 강성을 구조적으로 보강하고, 하나 이상의 유전체플레이트(100)를 지지할 수 있다.The plurality of inner frames 220 are installed to cross each other on the inner side of the outer frame 210 described above, thereby structurally reinforcing the stiffness of the outer frame 210 that has been made large area for the manufacture of a large area substrate. The above dielectric plate 100 may be supported.

상기 복수의 내측프레임(220)들은, 전술한 외곽프레임(210)과 같이 충분한 강성을 가지는 알루미늄, 알루미늄 합금 등 상자성체이며 강성이 있는 재질을 가질 수 있으며, 내측에 하나 이상의 유전체플레이트(100)가 걸려 지지되도록 단차가 형성될 수 있다.The plurality of inner frames 220 are paramagnetic materials such as aluminum or aluminum alloy having sufficient rigidity, such as the aforementioned outer frame 210, and may have a rigid material, and at least one dielectric plate 100 is caught inside. Steps may be formed to be supported.

예를 들면, 상기 복수의 내측프레임(220)들은, 평면 상 직사각형 형상의 기판(1)의 처리를 위하여 직사각형 형상의 챔버본체(11)에 대응되는 외곽프레임(210)의 내측에 일정간격 또는 불일정한 간격으로 서로 교차하여 설치될 수 있다.For example, the plurality of inner frames 220 are spaced at a predetermined interval or inside the outer frame 210 corresponding to the rectangular chamber body 11 for processing the rectangular-shaped substrate 1 in a plane. They can be installed crossing each other at regular intervals.

또한, 상기 지지프레임(200)은, 외부로부터 챔버본체(11)의 처리공간(S)으로 공정가스를 전달하기 위한 가스유로(230)가 내부에 형성될 수 있다.In addition, the support frame 200 may have a gas flow path 230 for transferring a process gas to the processing space S of the chamber main body 11 from the outside.

상기 가스유로(230)는, 외부로부터 챔버본체(11)의 처리공간(S)으로 공정가스를 전달하기 위하여 지지프레임(200)의 내부에 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The gas flow path 230 is a configuration formed inside the support frame 200 to deliver a process gas to the processing space S of the chamber body 11 from the outside, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 가스유로(230)는, 지지프레임(200) 특히, 복수의 내측프레임(220)들의 내부에 매립되어 설치되는 가스배관일 수 있으며, 다른 예로서 복수의 내측프레임(220)들의 내부에 가공을 통해 형성되는 가스통로일 수 있다.For example, the gas flow path 230 may be a gas pipe embedded and installed in the support frame 200, in particular, a plurality of inner frames 220. As another example, the plurality of inner frames 220 It may be a gas passage formed through processing inside.

더 나아가 상기 가스유로(230)는, 가스배관 또는 가공형성되는 가스통로의 조합일 수 있음은 또한 물론이다.Further, of course, the gas flow path 230 may be a combination of a gas pipe or a gas path formed by processing.

상기 분사노즐(500)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 내측프레임(220)의 저면에 가스유로(230)와 연통되도록 설치되어, 전달받은 공정가스를 처리공간(S)으로 분사하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The injection nozzle 500, as shown in Figure 4, is installed to communicate with the gas flow path 230 on the bottom of the plurality of inner frames 220, to inject the received process gas into the processing space (S). As a configuration, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 분사노즐(500)은, 내부에 가스유로(230)의 가스홀(231)과 연통되는 분사공(510)이 형성되며, 지지프레임(200)의 저면에 결합되어 지지프레임(200)의 저면을 복개하는 실드부재(320)를 지지할 수 있다.For example, the injection nozzle 500 has an injection hole 510 communicating with the gas hole 231 of the gas passage 230 therein, and is coupled to the bottom surface of the support frame 200 to form a support frame ( It is possible to support the shield member 320 covering the bottom of 200).

또한 상기 분사노즐(500)은, 복수개 구비될 수 있으며, 처리공간(S)으로 일정하게 공정가스가 공급되도록 이웃하는 분사노즐(230)과의 거리가 일정하게 유지될 수 있다.In addition, a plurality of the injection nozzles 500 may be provided, and the distance between the adjacent injection nozzles 230 may be kept constant so that the process gas is constantly supplied to the processing space S.

또한, 상기 분사노즐(500)은, 지지프레임(200)의 저면에 결합된 상태에서 금속재질의 지지프레임(200)이 처리공간(S)에 노출되는 것을 방지하여 플라즈마 처리과정에서 아킹이 발생하는 등의 문제를 해소하기 위한 실드부재(320)를 지지할 수 있다.In addition, the injection nozzle 500 prevents the support frame 200 made of metal from being exposed to the processing space S in a state coupled to the bottom surface of the support frame 200 so that arcing occurs during plasma processing. It is possible to support the shield member 320 to solve such problems.

한편, 상기 분사노즐(500)은, 내측프레임(220)의 저면에 가스유로(230)와 연통되고 실드부재(320)에 형성되는 홀 또는 슬릿을 통해 돌출되도록 결합되어, 처리공간(S)으로 가스유로(230)를 통해 전달받은 공정가스를 분사하는 구조일 수 있다.On the other hand, the injection nozzle 500 is coupled to protrude through a hole or slit formed in the shield member 320 and communicated with the gas flow path 230 on the bottom of the inner frame 220, to the processing space (S). It may have a structure to inject the process gas delivered through the gas flow path 230.

즉, 상기 분사노즐(500)은, 실드부재(320)에 형성되는 홀 또는 슬릿을 통해 돌출되도록 내측프레임(220)의 저면에 가스유로(230)와 연통되도록 설치될 수 있다.That is, the injection nozzle 500 may be installed to be in communication with the gas passage 230 on the bottom of the inner frame 220 so as to protrude through a hole or a slit formed in the shield member 320.

한편, 상기 분사노즐(500)은, 본 발명에 따른 고정부(400)의 구성과 같이 내측프레임(220)의 저면에 고정 설치되며, 실드부재(320)와의 사이에 탄성부재(미도시)가 구비되어 상기 실드부재(320)에 탄성력이 제공되도록 할 수 있으며, 이를 통해 실드부재(320)가 지지하는 유전체커버(310)가 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 할 수 있다.On the other hand, the injection nozzle 500 is fixedly installed on the bottom of the inner frame 220 as in the configuration of the fixing part 400 according to the present invention, and an elastic member (not shown) between the shield member 320 It is provided so that elastic force is provided to the shield member 320, and through this, the dielectric cover 310 supported by the shield member 320 can be kept in close contact with the dielectric plate 100.

즉, 상기 분사노즐(500)은, 전술한 고정부(400)의 구성이 도입되어 설치될 수 있음은 또한 물론이다. That is, of course, the injection nozzle 500 may be installed by introducing the configuration of the fixing part 400 described above.

상기 커버부(300)는, 유전체플레이트(100)의 저면에 적어도 일부가 밀착되어 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cover part 300 is a configuration in which at least a portion is installed in close contact with the bottom surface of the dielectric plate 100, and various configurations are possible.

또한 상기 커버부(300)는, 플라즈마를 이용한 기판처리 과정에서 처리공간(S)에 노출되는 구성이면서 하나 이상의 유전체플레이트(100) 및 지지프레임(200)을 플라즈마로부터 보호하고, 폴리머가 증착되는 것을 방지하기 위한 구성으로서, 플라즈마에 강한 세라믹 등의 재질을 가질 수 있다. In addition, the cover part 300 is configured to be exposed to the processing space S during a substrate processing process using plasma, and protects at least one dielectric plate 100 and the support frame 200 from plasma, and prevents polymer deposition. As a configuration for preventing, it may have a material such as ceramic that is resistant to plasma.

예를 들면, 상기 커버부(300)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 설치되는 유전체커버(310)와, 유전체커버(310)의 저면에서 유전체커버(310)를 지지하고 고정부(400) 지지되어 지지프레임(200)을 복개하는 실드부재(320)를 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, the cover part 300 includes a dielectric cover 310 installed in close contact with the bottom of the dielectric plate 100, and a dielectric cover 310 at the bottom of the dielectric cover 310. It may include a shield member 320 supporting 310 and supporting the fixing part 400 to cover the support frame 200.

상기 유전체커버(310)는, 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The dielectric cover 310 is configured to be installed in close contact with the bottom surface of the dielectric plate 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 유전체커버(310)는, 후술하는 실드부재(320)에 의해 지지된 상태에서 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착될 수 있으며, 이때, 지지프레임(200)의 측면에 대응되는 위치에 설치될 수 있다.For example, the dielectric cover 310 may be in close contact with the bottom surface of the dielectric plate 100 while being supported by the shield member 320 to be described later, and at this time, the side surface of the support frame 200 Can be installed on site.

한편 상기 유전체커버(310)는, 복수개로써, 외곽프레임(210) 및 서로 교차되어 설치되는 복수의 내측프레임(220)에 의해 형성되는 개구 및 그에 설치되는 유전체플레이트(100)에 대응되어 설치될 수 있다.Meanwhile, a plurality of the dielectric covers 310 may be installed in correspondence with the openings formed by the outer frame 210 and the plurality of inner frames 220 installed to cross each other, and the dielectric plate 100 installed therein. have.

상기 유전체커버(310)는, 유전체플레이트(100)를 보호하기 위하여 설치되는 바 폴리머 등이 부착되어 정기적으로 유지보수 시 교체 되는 구성으로써, 손쉽게 유지보수가 가능하도록 유전체플레이트(100)의 저면에 설치될 수 있다.The dielectric cover 310 is installed to protect the dielectric plate 100 and is attached to a polymer and is replaced during regular maintenance. It is installed on the bottom of the dielectric plate 100 for easy maintenance. Can be.

상기 실드부재(320)는, 유전체커버(310)의 저면에서 유전체커버(310)를 지지하고 고정부(400)에 지지되어 지지프레임(200)을 복개하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The shield member 320 supports the dielectric cover 310 at the bottom of the dielectric cover 310 and is supported by the fixing part 400 to cover the support frame 200, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 실드부재(320)는, 인접하는 지지프레임(200)들 사이에 삽입되어 위치하는 유전체커버(310)의 가장자리를 지지하고, 상기 지지프레임(200)의 측면 일부와 저면을 복개하기 위하여 'ㄴ'자 형상으로 형성되어 지지프레임(200)에 설치될 수 있다.For example, the shield member 320 supports the edge of the dielectric cover 310 inserted and positioned between the adjacent support frames 200, and covers a part of the side surface and the bottom surface of the support frame 200 In order to do this, it may be formed in a'b' shape and installed on the support frame 200.

이 경우, 상기 실드부재(320)는, 후술하는 고정부(400)에 의해 지지되어 지지프레임(200)을 복개할 수 있으며, 다른 예로서, 후술하는 와셔부(440)에 의해 지지되어 지지프레임(200)을 복개할 수 있다.In this case, the shield member 320 may be supported by a fixing part 400 to be described later to cover the support frame 200, and as another example, the shield member 320 may be supported by a washer part 440 to be described later. (200) can be covered.

한편, 상기 실드부재(320)는, 인접하는 고정부(400) 사이에 설치되도록 수평의 판형상으로써, 인접하는 고정부(400) 사이에 설치되어 지지프레임(200)의 저면을 복개할 수 있으며, 유전체커버(310)의 저면이 지지프레임(200)의 저면과 동일 선상에 위치하는 경우, 수평의 판형상으로써 지지프레임(200)의 저면 일부를 복개하고, 유전체커버(310)의 가장자리 일부를 지지할 수 있다.Meanwhile, the shield member 320 has a horizontal plate shape so as to be installed between the adjacent fixing parts 400, and is installed between the adjacent fixing parts 400 to cover the bottom surface of the support frame 200, and , When the bottom surface of the dielectric cover 310 is located on the same line as the bottom surface of the support frame 200, a horizontal plate shape covers a part of the bottom surface of the support frame 200, and a part of the edge of the dielectric cover 310 is I can support it.

한편, 이때 유전체플레이트(100)와 유전체커버(310)는 밀착되어 접촉된 상태를 유지할 수 있으며, 유전체커버(310)는 실드부재(320)에 의해 접촉되어 지지될 수 있다.Meanwhile, at this time, the dielectric plate 100 and the dielectric cover 310 may be in close contact with each other to maintain a contact state, and the dielectric cover 310 may be supported by being in contact with the shield member 320.

또한 상기 실드부재(320)는, 후술하는 탄성부재(420)를 통해 유전체플레이트(100)의 물리적 변형에 따른 상하유동 시, 지지프레임(200)의 간섭없이 유동가능하도록, 지지프레임(200)과 간격(d1)을 가지고 이격되어 설치될 수 있다.In addition, the shield member 320, the support frame 200 and the support frame 200 to be able to flow without interference of the support frame 200 when the dielectric plate 100 moves up and down according to the physical deformation of the dielectric plate 100 through an elastic member 420 to be described later. It can be installed spaced apart with a gap (d1).

이를 통해, 유전체플레이트(100)의 상승 시, 탄성부재(420)에 의해 실드부재(320) 및 유전체커버(310)가 상승하여 유전체커버(310)가 유전체플레이트(100)에 밀착될 때, 실드부재(320) 상승가능하도록, 지지프레임(200)에 간격(d1)을 가지고 이격되어 설치될 수 있다.Through this, when the dielectric plate 100 is raised, when the shield member 320 and the dielectric cover 310 are raised by the elastic member 420 and the dielectric cover 310 is in close contact with the dielectric plate 100, the shield The member 320 may be installed to be spaced apart with a gap d1 in the support frame 200 so as to be able to rise.

상기 고정부(400)는, 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 커버부(300)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The fixing part 400 is a configuration installed on the bottom of the support frame 200 to support the cover part 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 고정부(400)는, 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 커버부(300)를 지지하는 고정볼트(410)와, 커버부(300)가 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 고정볼트(410)와 커버부(300) 사이에 설치되는 탄성부재(420)를 포함할 수 있다.For example, the fixing part 400 has a fixing bolt 410 installed on the bottom of the support frame 200 to support the cover part 300 and the cover part 300 in close contact with the dielectric plate 100 It may include an elastic member 420 installed between the fixing bolt 410 and the cover portion 300 to maintain the state.

또한, 상기 고정부(400)는, 고정볼트(410) 및 탄성부재(420)의 외부노출을 방지하기 위하여, 고정볼트(410)를 복개하는 캡부(430)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the fixing part 400 may further include a cap part 430 covering the fixing bolt 410 to prevent external exposure of the fixing bolt 410 and the elastic member 420.

또한 상기 고정부(400)는, 단차를 가지고 고정볼트(410)에 상하이동 가능하도록 설치되어, 고정볼트(410)의 볼트머리(411)에 대향되는 내측단차면(441)과 볼트머리(411) 사이에 설치되는 탄성부재(420)의 탄성력을 실드부재(320)에 전달하는 와셔부(440)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the fixing part 400 is installed to be able to move up and down on the fixing bolt 410 with a step, and the inner stepped surface 441 and the bolt head 411 opposite to the bolt head 411 of the fixing bolt 410 ) It may further include a washer part 440 for transmitting the elastic force of the elastic member 420 installed between the shield member 320.

상기 와셔부(440)는, 단차를 가지고 고정볼트(410)에 상하이동 가능하도록 설치되어, 고정볼트(410)의 볼트머리(411)에 대향되는 내측단차면(441)과 볼트머리(411) 사이에 설치되는 탄성부재(420)의 탄성력을 실드부재(320)에 전달하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The washer part 440 is installed to be able to move up and down on the fixing bolt 410 with a step, and the inner stepped surface 441 and the bolt head 411 opposite to the bolt head 411 of the fixing bolt 410 As a configuration that transmits the elastic force of the elastic member 420 installed therebetween to the shield member 320, various configurations are possible.

예를 들면, 상기 와셔부(440)는, 단차를 가지고 고정볼트(410)에 상하이동 가능하도록 설치될 수 있으며, 이때, 볼트머리(411)에 대향하는 내측단차면(441)과 볼트머리(411) 사이에 후술하는 탄성부재(420)가 설치되어, 탄성부재(420)의 탄성력에의해 상하로 고정볼트(410)를 따라 이동할 수 있다.For example, the washer part 440 may be installed to be able to move up and down on the fixing bolt 410 with a step difference, and at this time, the inner stepped surface 441 and the bolt head facing the bolt head 411 ( An elastic member 420, which will be described later, is installed between the 411, and can move along the fixing bolt 410 up and down by the elastic force of the elastic member 420.

이때, 상기 와셔부(440)는, 내측단차면(441)이 볼트머리(411)의 내경에 비해 확장되어 볼트머리(411)와 내측단차면(311) 사이에 탄성부재(420)가 설치되도록 할 수 있다.In this case, the washer part 440 is such that the inner stepped surface 441 is expanded compared to the inner diameter of the bolt head 411 so that the elastic member 420 is installed between the bolt head 411 and the inner stepped surface 311. can do.

또한 상기 와셔부(440)는, 내측단차면(441)의 바깥면으로써, 실드부재(320)에 대향되는 외측단차면(442)을 통해 실드부재(320)를 지지할 수 있다.In addition, the washer part 440 is an outer surface of the inner stepped surface 441 and may support the shield member 320 through an outer stepped surface 442 opposite to the shield member 320.

즉, 상기 와셔부(440)는, 고정볼트(410)에 대응되는 크기의 관통홀로부터 반경방향으로 확장되는 단차를 가지도록 구성되며, 고정볼트(410)가 관통되도록 삽입되어 설치되고, 내측단차면(441)과 볼트머리(411) 사이에는 탄성부재(420)가 설치되고, 외측단차면(442)을 통해 실드부재(320)를 지지하여 실드부재(320)에 탄성부재(420)를 통한 탄성력을 직접 전달할 수 있다.That is, the washer part 440 is configured to have a step extending in a radial direction from a through hole having a size corresponding to the fixing bolt 410, and is inserted and installed so that the fixing bolt 410 penetrates, and the inner end An elastic member 420 is installed between the vehicle surface 441 and the bolt head 411, and the shield member 320 is supported through the outer stepped surface 442, and the elastic member 420 is attached to the shield member 320. The elastic force can be directly transmitted.

한편, 다른 예로서, 상기 와셔부(440)는, 후술하는 캡부(430)에 고정결합되어 설치되어, 캡부(430)에 의해 지지되는 실드부재(320)에 탄성부재(420)를 통한 탄성력을 간접적으로 전달할 수 있다.On the other hand, as another example, the washer part 440 is fixedly coupled to the cap part 430 to be described later, so that the elastic force through the elastic member 420 is applied to the shield member 320 supported by the cap part 430. Can be delivered indirectly.

상기 고정볼트(410)는, 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 커버부(300)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The fixing bolt 410 is a configuration installed on the bottom of the support frame 200 to support the cover part 300, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 고정볼트(410)는, 지지프레임(200)의 저면에 볼트결합되어 고정설치될 수 있으며, 지지프레임(200)의 저면에 고정되어 결합되는 구성이면 어떠한 구성도 가능하다.For example, the fixing bolt 410 may be bolted to the bottom surface of the support frame 200 to be fixedly installed, and any configuration is possible as long as it is fixed and coupled to the bottom surface of the support frame 200.

또한 상기 고정볼트(410)는, 지지프레임(200)의 저면에 형성되는 볼트공에 적어도 일부가 삽입되어 결합되는 볼트부(412)와, 볼트부(412)의 끝단에서 반경방향으로 확장되어 형성되는 볼트머리(411)를 포함할 수 있다.In addition, the fixing bolt 410 is formed by extending radially from the end of the bolt portion 412 and a bolt portion 412 that is at least partially inserted and coupled to a bolt hole formed on the bottom surface of the support frame 200 It may include a bolt head (411).

이를 통해 상기 고정볼트(410)는, 지지프레임(200) 및 유전체플레이트(100)를 복개하는 커버부(300)를 직접 또는 간접적으로 지지할 수 있다.Through this, the fixing bolt 410 may directly or indirectly support the support frame 200 and the cover part 300 covering the dielectric plate 100.

상기 탄성부재(420)는, 커버부(300)가 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 고정볼트(410)와 커버부(300) 사이에 설치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The elastic member 420 is configured to be installed between the fixing bolt 410 and the cover part 300 so that the cover part 300 is in close contact with the dielectric plate 100, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 탄성부재(420)는, 볼트머리(411)와 커버부(300) 사이에 설치될 수 있으며, 보다 바람직하게는 와셔부(440)의 내측단차면(441)과 볼트머리(411) 사이에 설치되어, 유전체플레이트(100)의 물리적 변형에 따른 유전체커버(310) 및 실드부재(320)의 유동 시 그 변형이 가능하도록 할 수 있다.For example, the elastic member 420 may be installed between the bolt head 411 and the cover part 300, more preferably the inner stepped surface 441 of the washer part 440 and the bolt head ( It is installed between the 411, the dielectric cover 310 and the shield member 320 according to the physical deformation of the dielectric plate 100 may be deformed when flowing.

상기 캡부(430)는, 고정볼트(410) 및 탄성부재(420)의 외부노출을 방지하기 위하여, 고정볼트(410)를 복개하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cap portion 430 is configured to cover the fixing bolt 410 to prevent external exposure of the fixing bolt 410 and the elastic member 420, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 캡부(430)는, 와셔부(440)와 무관하게 고정볼트(410) 및 탄성부재(420)의 외부노출을 방지하도록 고정볼트(410)를 복개할 수 있으며, 다른 예로서, 와셔부(440)에 고정결합되어, 와셔부(440)의 상하이동에 따라 상하로 이동 가능하도록 설치될 수 있다.For example, the cap part 430 may cover the fixing bolt 410 to prevent external exposure of the fixing bolt 410 and the elastic member 420 regardless of the washer part 440, as another example , It is fixedly coupled to the washer part 440, it may be installed to be movable up and down according to the vertical movement of the washer part 440.

상기 캡부(430)는, 실드부재(320)를 지지하도록 설치될 수 있으며, 와셔부(440)와 결합되어 와셔부(440)의 상하이동에 따라 상하로 이동하는 경우, 고정볼트(410)와의 간섭을 방지하기 위하여, 볼트머리(411)와 간격(d2)을 가지고 설치될 수 있다.The cap part 430 may be installed to support the shield member 320, and when it is combined with the washer part 440 and moves up and down according to the upward movement of the washer part 440, the fixing bolt 410 and the In order to prevent interference, it may be installed with a bolt head 411 and a gap d2.

본 발명의 작동관계에 대하여 보다 상세하게 설명하면, 유전체플레이트(100)의 물리적 변형에 의해 유전체플레이트(100)의 두께가 얇아지는 경우, 탄성부재(420)의 탄성력에 의해 와셔부(440)가 상승하게 되고, 와셔부(440)의 상승에 따라 실드부재(320)가 상승하여 실드부재(320)가 접촉하여 지지하는 유전체커버(310)가 상승하도록 할 수 있다.When the working relationship of the present invention is described in more detail, when the thickness of the dielectric plate 100 decreases due to physical deformation of the dielectric plate 100, the washer part 440 is formed by the elastic force of the elastic member 420. As the washer part 440 rises, the shield member 320 rises so that the dielectric cover 310 that the shield member 320 contacts and supports rises.

이를 통해, 유전체커버(310)는 지속적으로 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 결합될 수 있다.Through this, the dielectric cover 310 may be continuously in close contact with and coupled to the bottom surface of the dielectric plate 100.

한편, 다른 예로서 탄성부재(420)의 탄성력에 의해 와셔부(440)가 상승하면, 와셔부(440)와 결합된 캡부(430)가 상승하여 캡부(430)가 지지하는 실드부재(320)가 상승하게 되고, 유전체커버(310)가 상승하여 유전체플레이트(100)의 저면에 유전체커버(310)가 밀착되어 접촉된 상태를 유지할 수 있다.On the other hand, as another example, when the washer part 440 is raised by the elastic force of the elastic member 420, the cap part 430 coupled with the washer part 440 rises and the shield member 320 supported by the cap part 430 Is raised, the dielectric cover 310 is raised, and the dielectric cover 310 is in close contact with the lower surface of the dielectric plate 100 to maintain a contacted state.

한편, 유전체플레이트(100)의 폭이 커지는 경우, 종래 고정설치된 유전체커버(310)에 파손을 야기하는 외력이 작용했던 것과는 달리, 탄성부재(420)가 압축되면서 유전체커버(310)가 하강하고, 실드부재(320), 와셔부(440) 및 캡부(430)가 하강하여 유전체커버(310)에 작용하는 외력이 탄성력으로 흡수되어 유전체커버(310)의 파손 등을 방지할 수 있다.On the other hand, when the width of the dielectric plate 100 increases, unlike the external force that causes damage to the conventional fixedly installed dielectric cover 310, the elastic member 420 is compressed and the dielectric cover 310 descends, When the shield member 320, the washer part 440, and the cap part 430 are lowered, an external force acting on the dielectric cover 310 is absorbed as an elastic force, so that damage to the dielectric cover 310 may be prevented.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only described with respect to some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as well known, the scope of the present invention should not be limited to the above embodiments and should not be interpreted. It will be said that both the technical idea and the technical idea together with the fundamental are included in the scope of the present invention.

1: 기판 2: 기판교환모듈
3: 기판반송모듈 4: 기판처리모듈
10: 챔버 20: 유전체조립체
30: 안테나 40: 기판지지부
100: 유전체플레이트 200: 지지프레임
300: 커버부 400: 고정부1: substrate 2: substrate exchange module
3: substrate transfer module 4: substrate processing module
10: chamber 20: dielectric assembly
30: antenna 40: substrate support
100: dielectric plate 200: support frame
300: cover part 400: fixing part

Claims (10)

상측에 개구부가 형성된 챔버본체(11)와; 상기 개구부를 복개하도록 설치된 유전체조립체(20)와; 상기 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(40)와; 상기 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(30)를 포함하는 기판처리모듈의 유전체조립체(20)로서,
하나 이상의 유전체플레이트(100)와;
상기 유전체플레이트(100)의 가장자리를 지지하도록 상기 챔버본체(11)에 지지되어 설치되는 지지프레임(200)과;
상기 유전체플레이트(100)의 저면에 밀착되어 설치되는 유전체커버(310)와, 상기 유전체커버(310)의 저면에서 상기 유전체커버(310)를 지지하며, 상기 지지프레임(200)을 복개하는 실드부재(320)를 포함하는 커버부(300)와;
상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정부(400)를 포함하며,
상기 고정부(400)는,
상기 지지프레임(200)의 저면에 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 고정볼트(410)와, 상기 유전체커버(310)가 상기 유전체플레이트(100)와 밀착상태를 유지하도록 상기 고정볼트(410)에 설치되어 상기 커버부(300)에 밀착력을 제공하는 탄성부재(420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체. A chamber body 11 having an opening formed thereon; A dielectric assembly 20 installed to cover the opening; A substrate support portion 40 installed on the chamber body 11 to support the substrate 1; A dielectric assembly 20 of a substrate processing module including an antenna 30 installed above the dielectric assembly 20 to form an induction electric field in the processing space S,
At least one dielectric plate 100;
A support frame 200 supported and installed on the chamber body 11 to support the edge of the dielectric plate 100;
A dielectric cover 310 installed in close contact with the lower surface of the dielectric plate 100, and a shield member supporting the dielectric cover 310 at the lower surface of the dielectric cover 310 and covering the support frame 200 A cover part 300 including 320;
It is installed on the bottom of the support frame 200 and includes a fixing part 400 for supporting the shield member 320,
The fixing part 400,
Fixing bolts 410 installed on the bottom of the support frame 200 to support the shield member 320, and the fixing bolts to keep the dielectric cover 310 in close contact with the dielectric plate 100 Dielectric assembly, characterized in that it comprises an elastic member (420) installed on the cover portion (300) to provide adhesion to the cover portion (300). 청구항 1에 있어서,
상기 고정부(400)는,
단차를 가지고 상기 고정볼트(410)에 상하이동 가능하도록 설치되어, 상기 고정볼트(410)의 볼트머리(411)에 대향되는 내측단차면(441)과 상기 볼트머리(411) 사이에 설치되는 상기 탄성부재(420)의 탄성력을 상기 실드부재(320)에 전달하는 와셔부(440)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method according to claim 1,
The fixing part 400,
The bolt head 411 is installed between the inner stepped surface 441 and the bolt head 411 opposite to the bolt head 411 of the fixed bolt 410 and installed so as to move upwardly. A dielectric assembly comprising a washer part 440 for transmitting the elastic force of the elastic member 420 to the shield member 320. 청구항 2에 있어서,
상기 와셔부(440)는,
상기 실드부재(320)에 대향되는 외측단차면(442)을 통해 상기 실드부재(320)를 지지하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method according to claim 2,
The washer part 440,
A dielectric assembly, characterized in that the shield member (320) is supported through an outer stepped surface (442) facing the shield member (320). 청구항 2에 있어서,
상기 고정부(400)는,
상기 고정볼트(410) 및 탄성부재(420)의 외부노출을 방지하기 위하여, 상기 고정볼트(410)를 복개하는 캡부(430)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method according to claim 2,
The fixing part 400,
In order to prevent external exposure of the fixing bolt 410 and the elastic member 420, the dielectric assembly further comprises a cap portion 430 covering the fixing bolt 410. 청구항 4에 있어서,
상기 캡부(430)는,
상기 와셔부(440)에 결합 설치되어 상기 실드부재(320)를 지지하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method of claim 4,
The cap portion 430,
A dielectric assembly, characterized in that coupled to the washer part (440) to support the shield member (320). 청구항 1에 있어서,
상기 지지프레임(200)은,
외곽틀을 형성하는 외곽프레임(210)과, 상기 외곽프레임(210)의 내측에 서로 교차하여 설치되는 복수의 내측프레임(220)들을 포함하며,
복수 개의 상기 유전체플레이트(100)가 상기 외곽프레임(210) 및 상기 복수의 내측프레임(220)들에 의해 형성되는 복수의 개구에 설치되는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method according to claim 1,
The support frame 200,
An outer frame 210 forming an outer frame, and a plurality of inner frames 220 installed to cross each other on the inner side of the outer frame 210,
A dielectric assembly, characterized in that the plurality of dielectric plates (100) are installed in a plurality of openings formed by the outer frame (210) and the plurality of inner frames (220). 청구항 6에 있어서,
상기 복수의 내측프레임(220)들은,
외부로부터 상기 챔버본체(11)의 처리공간(S)으로 공정가스를 전달하기 위한 가스유로(230)가 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method of claim 6,
The plurality of inner frames 220,
A dielectric assembly, characterized in that a gas flow path 230 for transferring the process gas from the outside to the processing space S of the chamber body 11 is formed therein. 청구항 7에 있어서,
상기 복수의 내측프레임(220)의 저면에 상기 가스유로(230)와 연통되도록 설치되어, 상기 가스유로(230)로부터 전달받은 상기 공정가스를 상기 처리공간(S)으로 분사하는 분사노즐(500)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체조립체.The method of claim 7,
An injection nozzle 500 installed at the bottom of the plurality of inner frames 220 to be in communication with the gas flow path 230 and injecting the process gas delivered from the gas flow path 230 into the processing space S Dielectric assembly, characterized in that it further comprises. 상측에 개구부가 형성된 챔버본체(11)와;
상기 개구부를 복개하여 설치되어 상기 챔버본체(11)와 함께 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 청구항 제1항 내지 청구항 제8항 중 어느 하나에 따른 유전체조립체(20)와;
상기 챔버본체(11)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 기판지지부(40)와;
상기 유전체조립체(20)의 상측에 설치되어 처리공간(S)에 유도전계를 형성하는 안테나(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리모듈.A chamber body 11 having an opening formed thereon;
The dielectric assembly (20) according to any one of claims 1 to 8, which is installed by covering the opening to form a processing space (S) in which the substrate (1) is processed together with the chamber body (11), ;
A substrate support portion 40 installed on the chamber body 11 to support the substrate 1;
And an antenna (30) installed above the dielectric assembly (20) to form an induced electric field in the processing space (S). 밀폐된 처리공간(S)을 형성하여 기판처리를 수행하는 청구항 제9항에 따른 복수의 기판처리모듈(4)들과;
상기 복수의 기판처리모듈(4)들이 결합되며, 상기 복수의 기판처리모듈(4)들 각각에 상기 기판(1)을 반출하거나 도입하는 반송로봇(5)이 설치된 기판반송모듈(3)과;
상기 기판반송모듈(3)에 결합되어 상기 기판처리모듈(4)을 통해 기판처리가 완료된 기판(1)을 외부로 반출하고, 외부로부터 기판처리될 기판(1)을 도입하는 기판교환모듈(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
A plurality of substrate processing modules (4) according to claim 9 for performing substrate processing by forming a sealed processing space (S);
A substrate transfer module (3) in which the plurality of substrate processing modules (4) are combined and a transfer robot (5) for carrying out or introducing the substrate (1) is installed in each of the plurality of substrate processing modules (4);
A substrate exchange module (2) coupled to the substrate transfer module (3) to carry out a substrate (1), which has been subjected to substrate processing through the substrate processing module (4), to the outside, and to introduce a substrate (1) to be processed from the outside. A substrate processing system comprising a).
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