KR20230169257A - 공통 기판 및 섀도우 링 리프트 장치 - Google Patents

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KR20230169257A
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아비쉬크 초두리
나타라즈 바스카르 라오
시칭 루
라비쿠마르 파틸
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본원에는 기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치의 실시예들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 리프트 장치는, 상부에 소정의 직경을 갖는 기판이 배치될 때 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제1 리프트 핀 조립체들 ― 제1 리프트 핀 조립체들 각각은 제1 벨로우즈 조립체 상에 배치된 제1 리프트 핀을 포함함 ―; 소정의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형으로 배열되고, 환형 챔버 컴포넌트를 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제2 리프트 핀 조립체들 ― 제2 리프트 핀 조립체들 각각은 제2 벨로우즈 조립체 상에 배치된 제2 리프트 핀을 포함함 ―; 액추에이터; 및 액추에이터에 커플링되고, 액추에이터의 이동에 의해 제1 리프트 핀 조립체 및 제2 리프트 핀 조립체 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 조립체를 포함한다.

Description

공통 기판 및 섀도우 링 리프트 장치
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판 프로세싱 장비(substrate processing equipment)에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 기판 프로세싱 장비에 사용하기 위한 리프트 메커니즘(lift mechanism)들에 관한 것이다.
[0002] 기판 프로세싱 시스템(substrate processing system)들은 전형적으로 내부에 배치된 하나 이상의 기판들 상에 에칭 또는 증착 프로세스(etch or deposition process)와 같은 원하는 프로세스를 수행하기 위한 프로세스 챔버(process chamber)들을 포함한다. 예를 들어, 전기 경로들을 위한 인프라(infrastructure)를 구축하기 위해 깊은 트렌치(deep trench)들 또는 콘택들을 만들기 위해 매우 높은 종횡비의 구멍들을 필요로하는 에칭 프로세스들에서 무선 주파수(RF) 전력이 자주 사용된다. RF 전력은 플라즈마 생성에 사용되고, 그리고/또는 벌크 플라즈마(bulk plasma)로부터 이온(ion)들을 끌어당기기 위해 프로세싱되는 기판 상에 바이어스 전압(bias voltage)을 생성하는 데 사용될 수 있다. 기판을 지지하기 위한 페디스털(pedestal)이 프로세스 챔버 내에 배치되고, 기판을 유지하기 위한 정전 척(electrostatic chuck) 또는 진공 척(vacuum chuck)을 포함할 수 있다. 프로세스 챔버는 프로세싱되는 기판의 에지(edge)를 보호하거나 프로세스 챔버의 프로세싱 용적부(processing volume) 내의 플라즈마를 제어하도록 기판 주위에 배치되는 섀도우 링(shadow ring)을 포함할 수 있다.
[0003] 기판은 전형적으로 프로세스 챔버의 챔버 벽에 있는 개구를 통해 프로세스 챔버 내로 기판을 운반하는 이송 블레이드(transfer blade)를 통해 프로세스 챔버 내로 이송된다. 프로세스 챔버는 전형적으로 기판을 페디스털로부터 상승시키거나 페디스털 상으로 하강시키기 위한 기판 리프트 조립체(substrate lift assembly)를 포함할 수 있다. 기판 리프트 조립체는 일반적으로, 하나 이상의 기판 리프트 핀(substrate lift pin)들에 커플링된 하나 이상의 액추에이터(actuator)들을 포함한다. 프로세스 챔버는 프로세싱 용적부 내에서 섀도우 링을 상승 또는 하강시키기 위한 섀도우 링 리프트 조립체(shadow ring lift assembly)를 포함할 수 있다. 그러나, 기판 및 섀도우 링을 위한 별도의 리프트 메커니즘들은 비용이 많이 들고 페디스털 아래의 용적부를 혼잡하게 할 수 있다.
[0004] 따라서, 본 발명자들은 프로세스 챔버들에 배치된 기판들 및 섀도우 링들을 위한 개선된 리프트 메커니즘들을 제공하고 있다.
[0005] 본원에는 기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치의 실시예들이 제공된다. 일부 실시예들에서, 리프트 장치는, 상부에 소정의 직경을 갖는 기판이 배치될 때 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제1 리프트 핀 조립체들 ― 제1 리프트 핀 조립체들 각각은 제1 벨로우즈 조립체 상에 배치된 제1 리프트 핀을 포함함 ―; 소정의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형으로 배열되고, 환형 챔버 컴포넌트를 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제2 리프트 핀 조립체들 ― 제2 리프트 핀 조립체들 각각은 제2 벨로우즈 조립체 상에 배치된 제2 리프트 핀을 포함함 ―; 액추에이터; 및 액추에이터에 커플링되고, 액추에이터의 이동에 의해 제1 리프트 핀 조립체 및 제2 리프트 핀 조립체 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 조립체를 포함한다.
[0006] 일부 실시예들에서, 기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체는, 베이스 플레이트; 베이스 플레이트에 커플링되고, 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 가지며, 내부에 배치된 하나 이상의 척킹 전극(chucking electrode)들을 갖는 유전체 플레이트; 및 리프트 장치를 포함하며, 리프트 장치는, 상부에 기판이 배치될 때 기판을 상승 또는 하강시키도록 베이스 플레이트 및 유전체 플레이트를 통해 연장되는 복수의 제1 리프트 핀들을 갖는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들; 베이스 플레이트를 통해 연장되고 기판 위에 배치된 환형 챔버 컴포넌트를 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제2 리프트 핀들을 갖는 복수의 제2 리프트 핀 조립체들; 액추에이터; 및 액추에이터에 커플링되고, 액추에이터의 이동에 의해 제1 리프트 핀 조립체들 및 제2 리프트 핀 조립체들 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 조립체를 포함한다.
[0007] 일부 실시예들에서, 기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버는, 내부 용적부를 내부에 정의하는 챔버 본체; 챔버 본체의 내부 용적부에 배치된 기판 지지체 ― 기판 지지체는 기판을 지지하기 위한 페디스털 및 리프트 장치를 포함하며, 리프트 장치는, 페디스털을 통해 연장되고 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제1 리프트 핀들을 갖는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들; 페디스털을 통해 복수의 제1 리프트 핀들의 반경방향 외측으로 연장되는 복수의 제2 리프트 핀들을 갖는 복수의 제2 리프트 핀 조립체들; 액추에이터; 및 액추에이터에 커플링되고, 액추에이터의 이동에 의해 제1 리프트 핀 조립체들 및 제2 리프트 핀 조립체들 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 조립체를 포함함 ―; 및 복수의 제2 리프트 핀들 상에 배치된 섀도우 링을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 다른 및 추가 실시예들이 하기에서 설명된다.
[0009] 위에서 간략히 요약되고 아래에서 더 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 묘사된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0010] 도 1a는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 제1 포지션에 있는 프로세스 챔버의 개략적인 측면도를 묘사한다.
[0011] 도 1b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 제2 포지션에 있는 프로세스 챔버의 개략적인 측면도를 묘사한다.
[0012] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치의 일부의 개략적인 측면도를 묘사한다.
[0013] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치의 저면 등각도를 묘사한다.
[0014] 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치의 저면 등각도를 묘사한다.
[0015] 도 5는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치의 일부의 단면도를 묘사한다.
[0016] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치의 일부분의 등각도를 묘사한다.
[0017] 도 7은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 리프터와 리프트 핀 조립체 사이의 연결 인터페이스의 등각 단면도를 묘사한다.
[0018] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처(feature)들은 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다.
[0019] 본원에서는 프로세스 챔버들에서 사용하기 위한 리프트 장치(lift apparatus)의 실시예들이 제공된다. 본 발명의 리프트 장치는 일반적으로, 상부에 기판이 배치될 때 기판을 상승 또는 하강시키기 위한 복수의 제1 리프트 핀 조립체들, 및 상부에 환형 링(annular ring)이 배치될 때 환형 링을 상승 또는 하강시키기 위한 복수의 제2 리프트 핀 조립체들을 상승 또는 하강시키기 위해 공통 액추에이터를 사용하는 것을 포함한다. 환형 링은 프로세스 챔버의 작동 동안에 기판 상에 또는 기판 위에 안착되도록 구성된 섀도우 링, 에지 링(edge ring) 등일 수 있다. 리프트 장치는 본원에 개시된 바와 같은 다양한 구성들을 통해 기판을 상승시키기 전에 환형 링을 상승시키도록 구성된다. 공통 액추에이터를 사용함으로써, 리프트 장치는 유리하게는 보다 비용 효율적이고, 보다 간단하며, 프로세스 챔버에서 보다 적은 공간을 차지한다.
[0020] 도 1a는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 제1 포지션에 있는 프로세스 챔버 또는 챔버(100)의 개략적인 측면도를 묘사한다. 도 1b는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 제2 포지션에 있는 챔버(100)의 개략적인 측면도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 챔버(100)는 에칭 프로세싱 챔버이다. 그러나, 상이한 프로세스들을 위해 구성된 다른 유형들의 프로세싱 챔버들이 또한 본원에 설명된 기판 지지체들의 실시예들과 함께 사용되거나 사용되도록 수정될 수 있다. 챔버(100)는 일반적으로 기판 프로세싱 동안에 내부 용적부(120) 내에 대기압 미만의 압력을 유지하도록 적절하게 적합화된 진공 챔버이다. 챔버(100)는 내부 용적부(120)의 상부 부분에 위치된 프로세싱 용적부(119)를 에워싸는 덮개(104)에 의해 덮여진 챔버 본체(106)를 포함한다.
[0021] 기판 지지체(124)는 예를 들어 반도체 웨이퍼(semiconductor wafer)와 같은 기판(122), 또는 정전기적으로 보유될 수 있는 다른 그러한 기판을 지지 및 보유하도록 내부 용적부(120) 내에 배치된다. 챔버 본체(106)는 기판(122) 또는 섀도우 링(134)과 같은 다른 챔버 컴포넌트들을 내부 용적부(120) 내외로 이송하는 것을 용이하게 하는 이송 슬롯(transfer slot)(144)을 포함한다. 섀도우 링(134)은 기판(122)의 에지를 보호하거나 기판(122)의 에지에 근접한 플라즈마를 제어하기 위해 프로세싱 동안에 기판(122) 상에 배치되거나 기판(122) 약간 위로 상승되도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 이송 로봇(transfer robot)(도시되지 않음)은 기판(122)을 이송하도록 구성된다. 이송 로봇은 또한 유리하게는 교체를 위해 섀도우 링(134)을 내부 용적부(120) 내외로 이송하도록 구성될 수 있다.
[0022] 챔버(100)는 또한 다양한 챔버 컴포넌트들을 둘러싸서 그러한 컴포넌트들과 이온화된 프로세스 재료 또는 플라즈마 사이의 원치 않는 반응을 방지하는 프로세스 실드(process shield)(105)와 같은 하나 이상의 실드들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세스 실드(105)는 챔버 본체(106) 내의 이송 슬롯(144)의 위치에 대응하는 이송 슬롯(185)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 프로세스 실드(105)는 챔버 본체(106) 상에 안착되거나, 다른 방식으로 챔버 본체(106)에 커플링된다. 챔버 본체(106) 및 덮개(104)는 알루미늄과 같은 금속으로 제조될 수 있다. 챔버 본체(106)는 접지(115)에 대한 커플링(coupling)을 통해 접지될 수 있다.
[0023] 기판 지지체(124)는 일반적으로 챔버 본체(106)에 커플링된 페디스털(150)(도 2와 관련하여 하기에서 보다 상세하게 설명됨)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 도 1a에 도시된 바와 같이, 페디스털(150)은 챔버 본체(106)에 고정적으로 커플링된다. 일부 실시예들에서, 페디스털(150)은 내부 용적부(120)에서 페디스털(150)을 상승 또는 하강시키도록 구성된 페디스털 리프트 조립체를 통해 챔버 본체(106)에 이동 가능하게 커플링될 수 있다. 페디스털(150)은 베이스 조립체(base assembly)(136) 상에 배치된 유전체 플레이트(dielectric plate)(152)를 포함한다. 유전체 플레이트(152)는 기판(122)을 지지하기 위한 지지 표면을 포함한다. 유전체 플레이트(152)는 기판(122)을 유전체 플레이트(152)에 정전기적으로 척킹하도록 구성된 하나 이상의 척킹 전극(chucking electrode)들(154)을 포함한다. 페디스털(150)은 베이스 플레이트(132)를 통해 챔버 본체(106)에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 베이스 플레이트(132)는, 챔버 본체(106)와 함께, 챔버(100)의 하부 용적부(145)를 정의한다. 일부 실시예들에서, 하부 용적부(145)는 사용 동안에 대기압에 있을 수 있다.
[0024] 하나 이상의 공급부들(128)은 하부 용적부(145)를 통해 임의의 적합한 방식으로 기판 지지체(124)에 커플링된다. 예를 들어, 하나 이상의 공급부들(128)은 챔버 본체(106)의 측벽들, 챔버 본체(106)의 바닥, 또는 챔버 본체(106)의 측벽들 또는 바닥의 조합을 통해 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 공급부들(128)은 하나 이상의 척킹 전극들(154)에 커플링된 척킹 전력 공급부(chucking power supply)(140)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 공급부들(128)은 페디스털(150)의 상부 표면(즉, 유전체 플레이트(152)의 지지 표면)에 후면 가스를 제공하기 위한 후면 가스 공급부(backside gas supply)(141)를 포함한다. 후면 가스 공급부(141)는 챔버 본체(106)의 외부에 배치되고 페디스털(150)에 열 전달 가스를 공급한다. 후면 가스는 헬륨, 질소, 아르곤 등을 필수적 요소로 하여 구성(consist essentially of)될 수 있다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 공급부들(128)은 페디스털(150)에 바이어스 전력을 제공하도록 구성된 바이어스 전력 공급부(bias power supply)(117)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 바이어스 전력 공급부(117)는 바이어스 RF 매칭 네트워크(bias RF match network)(116)를 통해 페디스털에 커플링된다. 바이어스 전력 공급부(117)는 AC, DC 또는 RF 바이어스 전력을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 바이어스 전력 공급부(117)는 하나 이상의 RF 바이어스 전원들을 포함할 수 있다.
[0025] 기판 지지체(124)는 기판 지지체(124) 위에 배치된 다수의 컴포넌트들을 상승 또는 하강시키기 위한 리프트 장치(126)를 포함한다. 다수의 컴포넌트들은 기판(122) 및 다른 환형 챔버 컴포넌트들을 포함한다. 리프트 장치(126)는 일반적으로, 유리하게는 단일 액추에이터를 사용하여 기판(122) 및 섀도우 링(134) 둘 모두를 들어올리기 위해 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)에 커플링된 액추에이터(130)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 액추에이터(130)는 공압식(pneumatic) 액추에이터이다. 그러나, 다른 실시예들에서, 액추에이터(130)는 유압 액추에이터, 서보 액추에이터, 또는 챔버(100)에서 사용하기 위한 임의의 다른 적합한 유형의 액추에이터일 수 있다. 일부 실시예들에서, 액추에이터(130)는 선형 액추에이터이다.
[0026] 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138)은 소정의 직경을 갖는 기판(122)이 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 위에 배치될 때 기판(122)을 상승 또는 하강시키도록 구성된다. 제1 리프트 핀 조립체들(138) 각각은 제1 벨로우즈 조립체(bellows assembly)(164) 상에 배치되거나 그에 커플링된 제1 리프트 핀(162)을 포함하며, 제1 벨로우즈 조립체(164)는 챔버(100) 내부로부터의 진공 손실을 방지하면서 제1 리프트 핀(162)의 수직 이동을 허용하는 가요성 시일(flexible seal)을 제공하도록 구성된다. 제1 리프트 핀(162)은 선택적으로 기판(122)을 상승시키도록 페디스털(150)의 상부 표면을 넘어서 연장되거나 기판(122)을 페디스털(150)의 상부 표면 상으로 하강시키도록 페디스털(150) 내로 후퇴된다.
[0027] 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)은 기판 지지체(124) 위에 배치된 환형 챔버 컴포넌트, 예를 들어 섀도우 링(134)을 지지하거나, 상승 또는 하강시키도록 구성된다. 제2 리프트 핀 조립체들(148) 각각은 제2 벨로우즈 조립체(168) 상에 배치되거나 그에 커플링된 제2 리프트 핀(166)을 포함하며, 제2 벨로우즈 조립체(168)는 챔버(100) 내부로부터의 진공 손실을 방지하면서 제2 리프트 핀(166)의 수직 이동을 허용하는 가요성 시일을 제공하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)은 소정의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형으로 배열된다. 리프트 조립체(146)(도 3 내지 도 6과 관련하여 하기에서 보다 상세하게 설명됨)는 액추에이터(130)에 커플링되고, 액추에이터(130)의 이동에 의해 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 제2 리프트 핀 조립체들(148) 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된다. 제2 리프트 핀(166)은 선택적으로 섀도우 링(134)을 상승시키도록 페디스털(150)의 상부 표면을 넘어서 연장되거나 섀도우 링(134)을 하강시키도록 페디스털(150) 내로 후퇴된다. 페디스털(150)은 제1 리프트 핀들(162) 및 제2 리프트 핀들(166)을 수용하기 위한 관통 구멍들을 포함한다.
[0028] 제1 포지션 또는 프로세싱 포지션에서, 기판(122)은 페디스털(150) 상에 배치된다. 도 1a에 도시된 바와 같은 제1 포지션에서, 섀도우 링(134)은 기판(122) 위의 프로세싱 포지션에 배치된다. 대안적으로, 프로세싱 포지션에서, 섀도우 링(134)은 제2 리프트 핀들(166) 대신에 기판(122)의 외부 에지 상에 안착되도록 하강될 수 있다. 어느 쪽이든, 일부 실시예들에서, 기판(122)에 대한 섀도우 링(134)의 수직 간격을 제어하기 위해 기판(122)이 들어올려지기 전에 섀도우 링(134)이 들어올려질 수 있도록, 복수의 제2 리프트 핀들(166)은 복수의 제1 리프트 핀들(162)을 넘어서 유전체 플레이트(152) 위로 수직으로 연장되도록 구성된다. 그러한 실시예들에서, 제2 리프트 핀들(166)이 페디스털(150) 내로 후퇴될 때, 제1 리프트 핀들(162)과 유전체 플레이트(152)의 상부 표면 사이에 갭(gap)(112)이 존재한다. 즉, 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀들(162)은 갭(112)의 거리만큼 페디스털(150) 내로 리세스된다. 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀들(162)이 완전히 후퇴되었을 때 갭(112)은 약 10 ㎜ 내지 약 30 ㎜의 거리를 갖는다.
[0029] 도 1b에 도시된 바와 같은 제2 포지션 또는 이송 포지션에서, 제1 리프트 핀들(162)은 예를 들어 로봇 이송 블레이드(도시되지 않음)에 의해 이송 슬롯(144)을 통해 내부 용적부(120)에 배치된 후에 또는 내부 용적부(121)로부터 제거되기 전에 페디스털(150) 위로 상승되고 챔버 본체(106)의 이송 슬롯(144)과 정렬된다. 일부 실시예들에서, 제2 리프트 핀들(166)은 또한 기판(122)을 내부 용적부(120) 내외로 이송할 때 섀도우 링(134)이 로봇 이송 블레이드와 간섭하지 않도록 제1 리프트 핀(162)보다 수직으로 더 높게 연장된다. 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀들(162)의 최상부와 제2 리프트 핀들(166)의 최상부 사이의 수직 거리는 갭(112)의 거리에 대응한다.
[0030] 챔버(100)는 챔버(100)를 배기하는 데 사용되는 스로틀 밸브(throttle valve)(도시되지 않음) 및 진공 펌프(vacuum pump)(도시되지 않음)를 포함하는 진공 시스템(114)에 커플링되고 그와 유체 연통한다. 챔버(100) 내부의 압력은 스로틀 밸브 및/또는 진공 펌프를 조정함으로써 조절될 수 있다. 챔버(100)는 또한 내부에 배치된 기판을 프로세싱하기 위해 챔버(100)에 하나 이상의 프로세스 가스들을 공급할 수 있는 프로세스 가스 공급부(118)에 커플링되고 그와 유체 연통한다. 일부 실시예들에서, RF 에너지는 약 400 kHz 내지 40 MHz 초과의 주파수를 가질 수 있는 RF 플라즈마 전력 공급부(RF plasma power supply)(170)에 의해 프로세싱 용적부(199)에 공급된다. 일부 실시예들에서, RF 플라즈마 전력 공급부(170)는 RF 매칭 네트워크(도시되지 않음)를 통해 챔버(100)에 커플링된다.
[0031] 작동 시에, 예를 들어, 하나 이상의 프로세스들을 수행하기 위해 플라즈마(102)가 프로세싱 용적부(119)에 생성될 수 있다. 플라즈마(102)는 프로세스 가스를 점화하여 플라즈마(102)를 생성하기 위해 내부 용적부(120) 근처 또는 내부의 하나 이상의 전극들을 통해 플라즈마 전원(예를 들어, RF 플라즈마 전력 공급부(170))으로부터의 전력을 프로세스 가스에 커플링함으로써 생성될 수 있다. 플라즈마(102)로부터 기판(122)을 향해 이온들을 끌어당기기 위해 바이어스 전력 공급부(예를 들어, 바이어스 전력 공급부(117))로부터 페디스털(150)로 바이어스 전력이 제공될 수 있다.
[0032] 도 2는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치(126)의 일부의 개략적인 측면도를 묘사한다. 도 2에 묘사된 부분은 기판(122)을 지지하기 위해 페디스털(150)을 통해 연장되는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나 및 섀도우 링(134)을 지지하기 위해 페디스털(150)을 통해 연장되는 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 중 하나를 도시한다. 일부 실시예들에서, 리프트 조립체(146)는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)에 커플링된 제1 리프터(lifter)(210)를 포함한다. 제1 리프터(210)는 리프트 조립체(146)의 제1 거리만큼의 수직 변위가 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)을 제1 거리만큼 수직으로 변위시키도록 하는 단일 강성 구조체일 수 있다.
[0033] 일부 실시예들에서, 기판 지지체(124)는 페디스털(150) 주위에 배치된 라이너(liner)(216)를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 라이너(216) 및 베이스 플레이트(132) 중 하나 이상은 사용 동안에 접지된다. 일부 실시예들에서, 페디스털(150)의 베이스 조립체(136)는 베이스 플레이트(132)를 냉각 플레이트(cooling plate)(220)로부터 전기적으로 격리시키도록 베이스 플레이트(132) 상에 배치된 절연체 플레이트(insulator plate)(202)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 베이스 조립체(136)는 절연체 플레이트(202) 상에 배치된 냉각 플레이트(220)를 포함하고, 냉각 플레이트(220)는 냉각 플레이트(220)를 통해 냉각제를 순환시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 유전체 플레이트(152)는 냉각 플레이트(220) 상에 배치된다.
[0034] 일부 실시예들에서, 기판 지지체(124)는 기판(122)의 반경방향 외측으로 프로세스 환경을 연장시켜서 기판(122)에 걸친 에칭 균일성을 향상시키기 위해 유전체 플레이트(152) 주위에 배치된 에지 링(206)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제2 에지 링(204)이 냉각 플레이트(220) 주위에 배치된다. 일부 실시예들에서, 제2 에지 링(204)은 냉각 플레이트(220) 및 절연체 플레이트(202) 주위에 배치된다. 일부 실시예들에서, 에지 링(206)은 제2 에지 링(204) 상에 배치된다. 일부 실시예들에서, 제2 에지 링(204)은 석영 또는 산화알루미늄(Al2O3)과 같은 세라믹 재료로 제조된다.
[0035] 일부 실시예들에서, 제3 에지 링(208)이 에지 링(206)과 베이스 플레이트(132) 사이에 배치된다. 제3 에지 링(208)은 절연체 플레이트(202) 주위에 배치되고 절연체 플레이트(202)와는 상이한 재료로 제조되어, 의도치 않은 플라즈마 방전으로부터 절연체 플레이트(202)의 외부 측벽을 보호할 수 있다. 예를 들어, 제3 에지 링(208)은 산화알루미늄(Al2O3)과 같은 세라믹 재료로 제조된다. 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀들(162)은 유전체 플레이트(152)와, 베이스 플레이트(132), 절연체 플레이트(202) 또는 냉각 플레이트(220) 중 하나 이상을 통해 연장되어 기판(122)을 지지한다. 일부 실시예들에서, 제2 리프트 핀들(166)은 베이스 플레이트(132), 제3 에지 링(208), 제2 에지 링(204) 또는 에지 링(206) 중 하나 이상을 통해 연장되어 섀도우 링(134)을 지지한다.
[0036] 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 각각은 제1 벨로우즈 조립체(164) 상에 배치되거나 그에 커플링된 제1 리프트 핀들(162)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 벨로우즈 조립체(164)는 제1 상부 플랜지(upper flange)(232)와 제1 하부 플랜지(lower flange)(234) 사이에 배치된 벨로우즈(230)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 하부 플랜지(234)는 제1 리프터(210)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀 조립체들(138) 각각의 부분들(예를 들어, 제1 리프트 핀들(162)의 하부 부분 및 제1 벨로우즈 조립체(164)의 상부 부분)은 기판 지지체(124)의 베이스 플레이트(132)에 커플링된 제1 장착 조립체(238)를 통해 연장된다. 일부 실시예들에서, 제1 장착 조립체(238)는 그 내부에서 제1 상부 플랜지(232)와 슬라이딩 가능하게 맞물리도록(engage) 구성된 중공 튜브(hollow tube)를 포함한다.
[0037] 제1 리프트 핀들(162) 각각은 제1 상부 플랜지(232)의 수직 이동이 제1 리프트 핀들(162) 각각의 대응하는 수직 이동으로 변환되도록 제1 상부 플랜지(232) 상에 배치되거나 그에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 벨로우즈(230)가 작동되거나 후퇴될 때 제1 리프트 핀들(162)을 안내하기 위해 하나 이상의 제1 부싱(bushing)들(256)(도 2의 절연체 플레이트(202)에 하나만 도시됨)이 제1 리프트 핀들(162) 주위의 페디스털(150) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 제1 부싱들(256)은 절연체 플레이트(202), 냉각 플레이트(220) 및 유전체 플레이트(152)를 통해 연장될 수 있다.
[0038] 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 각각은 제2 벨로우즈 조립체(168) 상에 배치되거나 그에 커플링된 제2 리프트 핀들(166)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제2 벨로우즈 조립체(168)는 제2 상부 플랜지(242)와 제2 하부 플랜지(244) 사이에 배치된 벨로우즈(240)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 각각의 부분들은 기판 지지체(124)의 베이스 플레이트(132)에 커플링된 제2 장착 조립체(248)를 통해 연장된다. 일부 실시예들에서, 제2 장착 조립체(248)는 제1 장착 조립체(238)와 유사하다.
[0039] 도 2에 도시된 바와 같은 일부 실시예들에서, 제2 장착 조립체(248)는 베이스 플레이트(132)에 커플링된 상부 브래킷(upper bracket)(252) 및 상부 브래킷(252)에 커플링된 하부 브래킷(lower bracket)(254)을 포함한다. 제2 하부 플랜지(244)는, 예를 들어 상부 브래킷(252)으로부터 하부 브래킷(254) 내로 연장되거나 하부 브래킷(254)으로부터 상부 브래킷(252) 내로 연장되는 파스너(fastener)들을 통해, 상부 브래킷(252)과 하부 브래킷(254) 사이에 클램핑될 수 있다. 일부 실시예들에서, 제2 벨로우즈 조립체(168)는 제2 장착 조립체(248) 및 제2 하부 플랜지(244)를 통해 연장되는 리프트 로드(lift rod)(246)를 포함한다. 리프트 로드(246)는 상단부에서 제2 상부 플랜지(242)에 커플링되고, 반대측의 하단부에서 제1 리프터(210)에 커플링될 수 있다.
[0040] 제2 리프트 핀들(166) 각각은 제2 상부 플랜지(242)의 수직 이동이 제2 리프트 핀들(166) 각각의 대응하는 수직 이동으로 변환되도록 제2 상부 플랜지(242) 상에 배치되거나 그에 커플링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 벨로우즈(240)가 작동되거나 후퇴될 때 제2 리프트 핀들(168)을 안내하기 위해 하나 이상의 제2 부싱들(도시되지 않음)이 제2 리프트 핀들(166) 주위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 제2 부싱들은 베이스 플레이트(132), 에지 링(206), 제2 에지 링(204) 또는 제3 에지 링(208) 중 하나 이상을 통해 연장될 수 있다.
[0041] 도 3은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치(126)의 저면 등각도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 리프트 장치(126)의 리프트 조립체(146)는 베이스(302) 및 베이스(302)로부터 연장되는 복수의 브랜치(branch)들(306)을 갖는 제1 리프터(210)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 베이스(302)는 페디스털(150) 아래에 비대칭으로 배치된다. 복수의 브랜치들(306)은 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138)은 3 개의 그러한 조립체들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)은 3 개의 그러한 조립체들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)의 일부 또는 전부는 선형 수직 운동을 안내하기 위해 제1 벨로우즈 조립체(164) 및 제2 벨로우즈 조립체(168) 각각에 커플링된 선형 가이드(linear guide)들(340)을 가질 수 있다.
[0042] 일부 실시예들에서, 복수의 브랜치들(306) 중 하나 이상은 포크(fork)(310)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 포크(310)의 제1 프롱(prong)(312)은 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나에 커플링되고, 포크(310)의 제2 프롱(316)은 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 중 하나에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제2 프롱(316)은 하나 이상의 굴곡부들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나는 제1 리프터(210)의 베이스(302)에 커플링된다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 복수의 브랜치들(306)은 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 중 하나에 각각 커플링된 2 개의 브랜치들, 및 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나에 커플링되지 않고 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 중 제3의 리프트 핀 조립체에 커플링된 복수의 브랜치들(306) 중 제3 브랜치를 포함한다.
[0043] 도 4는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치(126)의 저면 등각도를 묘사한다. 도 4의 리프트 장치(126)는, 도 4의 제1 리프터(210)의 복수의 브랜치들(306)이 도 3의 포크(310)를 포함하지 않는다는 점을 제외하고는, 도 3의 리프트 장치(126)와 유사할 수 있다. 대신에, 일부 실시예들에서, 복수의 브랜치들(306) 중 하나 이상은 베이스(302)로부터 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나로 연장되는 제1 부분(410), 및 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나로부터 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 중 하나로 연장되는 제2 부분(420)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 부분(410)은 수평 플레이트를 따라 제2 부분(420)에 평행하게 연장되지 않는다. 일부 실시예들에서, 제1 부분(410)은 베이스(302)로부터 수평면을 따라 제1 각도로 연장되고, 제2 부분(420)은 수평 플레이트를 따라 베이스(302)로부터 제2 각도로 연장된다. 일부 실시예들에서, 제2 각도는 제1 각도보다 크다. 일부 실시예들에서, 리프트 장치(126)는 베이스(302) 및 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138)과 인터페이싱하는 공통 선형 가이드(440)를 포함할 수 있으며, 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148)은 도 3에 도시된 선형 가이드들(340)과 같은 어떠한 추가 선형 가이드들과도 인터페이싱하지 않을 수 있다.
[0044] 도 5는 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치(126)의 일부의 단면도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나는 제1 리프터(210)의 베이스(302) 위에 배치된다. 일부 실시예들에서, 액추에이터(130)는 그 내부의 공동(514) 및 공동(514) 내에서 이동하도록 구성된 샤프트(516)를 포함한다. 예를 들어, 사용 시에, 가스 소스(gas source)(502)는 샤프트(516)의 헤드(head)(518)에 공압을 제공하여 샤프트(516)를 상향으로 강제할 수 있다. 일부 실시예들에서, 베이스(302)는 임의의 적합한 방식으로 액추에이터(130)의 샤프트(516)를 제1 벨로우즈 조립체(164)에 커플링하는 것을 용이하게 하는 관통 개구(512)를 포함한다. 그러한 배열에서, 샤프트(516)의 수직 이동은 제1 벨로우즈 조립체(164) 상에 배치되거나 그에 커플링된 제1 리프트 핀들(162) 중 하나의 수직 이동으로 변환될 수 있다.
[0045] 일부 실시예들에서, 제1 벨로우즈 조립체(164)는 상부 플랜지(510) 및 하부 플랜지(528)를 갖는 로드(504)를 포함할 수 있다. 하부 플랜지(528)는, 예를 들어 파스너(542)를 통해, 액추에이터(130)의 샤프트(516)에 커플링될 수 있다. 상부 플랜지(510)는 제1 장착 조립체(238) 내에 배치되고, 제1 리프트 핀(162)을 이동시키기 위해 제1 장착 조립체(238) 내에서 수직 이동하도록 구성될 수 있다. 따라서, 일부 실시예들에서, 제1 리프트 핀들(162) 중 하나는 액추에이터(130)의 샤프트(516)와 정렬될 수 있다.
[0046] 일부 실시예들에서, 선형 가이드 브래킷(linear guide bracket)(520)이 액추에이터(130)에 커플링된다. 선형 가이드 브래킷(520)은 제1 리프터(210)의 선형 수직 운동을 용이하게 하고 더 나아가 유리하게는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 모두의 선형 수직 운동을 용이하게 하기 위해 제1 리프터(210)의 베이스(302)의 대응하는 피처들과 맞물리도록 구성된 슬롯들 또는 돌출부들을 포함할 수 있다.
[0047] 도 6은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른 리프트 장치(126)의 일부의 등각 측면도를 묘사한다. 일부 실시예들에서, 리프트 장치(126)의 리프트 조립체(146)는 제1 리프터(210) 및 제2 리프터(610)를 포함한다. 일부 실시예들에서, 제1 리프터(210)는 액추에이터(130) 및 복수의 제2 리프트 핀 조립체들(148) 각각에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제2 리프터(610)는 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 각각에 커플링된다. 일부 실시예들에서는, 제1 리프터(210)가 하부 포지션에 있을 때 제1 리프터(210)와 제2 리프터(610) 사이에 갭(618)이 존재하도록 제2 리프터(610)는 제1 리프터(210) 위에 배치되고, 제1 리프터(210)는 제1 리프터(210)가 상부 포지션으로 이동될 때 제2 리프터(610)를 상승시키도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 갭(618)은 갭(112)과 거리가 유사하다. 도 6의 2-리프터 구성(예를 들어, 제1 리프터(210) 및 제2 리프터(610))은 유리하게는 제1 리프트 핀들(162)을 상승시키기 전에 갭(618)의 거리만큼 제2 리프트 핀들(166)을 상승시키는 것을 허용한다. 따라서, 제1 리프트 핀들(162)과 페디스털(150)의 상부 표면 사이의 갭(112)은 유리하게는 사용 동안에 섀도우 링(134)이 기판(122)보다 높게 상승될 수 있게 하면서 아킹(arcing)의 위험을 감소시키도록 최소화될 수 있다.
[0048] 제2 리프터(610)는 일반적으로 베이스(608) 및 베이스(608)로부터 연장되는 하나 이상의 브랜치들(606)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 복수의 제1 리프트 핀 조립체들(138) 중 하나는 베이스(608)에 커플링되고 베이스(608)의 개구(632)를 통해 연장되며, 2 개의 다른 제1 리프트 핀 조립체들은 하나 이상의 브랜치들(606) 중 2 개의 대응하는 브랜치들의 개개의 단부들에 커플링된다. 일부 실시예들에서, 제2 리프터(610)의 하나 이상의 브랜치들(606)의 상부 표면(622)은 베이스(608)로부터 하향 및 밖을 향해 테이퍼진다. 일부 실시예들에서, 제2 리프터(610)의 하부 표면은 실질적으로 편평하다. 일부 실시예들에서, 제1 리프터(210)의 상부 표면(616)은 유리하게는 제2 리프터(610)의 실질적으로 편평한 하부 표면과의 양호한 콘택 표면을 제공하도록 실질적으로 편평하다. 일부 실시예들에서, 하나 이상의 브랜치들(606)은 하나 이상의 굴곡부들을 포함할 수 있다.
[0049] 도 7은 본 개시내용의 적어도 일부 실시예들에 따른, 리프터(예를 들어, 제1 리프터(210), 제2 리프터(610))와 리프트 핀 조립체(예를 들어, 제1 리프트 핀 조립체(138), 제2 리프트 핀 조립체(148)) 사이의 연결 인터페이스(700)의 등각 단면도를 묘사한다. 예를 들어, 일부 실시예들에서, 제2 리프트 핀 조립체(148)는 파스너(708)를 통해 복수의 브랜치들(306) 중 하나의 단부(710)에 커플링된다. 파스너(708)는 단부(710)를 통해 제2 리프트 핀 조립체(148)의 리프트 로드(246)의 개구(718) 내로 연장될 수 있다. 일부 실시예들에서, 단부(710)는 파스너(708)를 수용하기 위한 슬롯(706)을 포함한다. 단부(710)의 하부 표면과 파스너(708)의 헤드 사이에 스페이서(712)가 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 파스너(708)는 개구(718)에 공기가 갇히는 것을 방지하기 위한 채널(channel)(724)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 스페이서(712)는 슬롯(706)을 통해 파스너 주위로 연장되는 관형 부분(722)을 포함하는 단차형 스페이서일 수 있다.
[0050] 일부 실시예들에서, 유리하게는 연결 인터페이스(700)의 강성을 증가시켜서 단부(710)와 제2 리프트 핀 조립체(148) 사이의 진동들을 최소화하기 위해 파스너(708)와 단부(710)의 하부 표면 사이, 예를 들어 스페이서(712)와 파스너(708)의 헤드(728) 사이에 와셔(washer)(726)가 배치될 수 있다. 일부 실시예들에서, 와셔(726)는 파스너가 조여질 때 파스너(708)의 헤드(728)를 단부(710)에 대해 편향시켜서 이들 사이의 연결의 강성을 증가시키도록 구성된다. 와셔(726)는 단순한 평와셔(flat washer), 스프링 와셔(spring washer), 스프링 등일 수 있다. 예를 들어, 와셔(726)는 원추형 스프링 와셔 또는 디스크형 스프링 와셔일 수 있다. 일부 실시예들에서, 연결 인터페이스(700)의 강성을 증가시키고 조이는 동안에 리프트 로드(246)를 보호하기 위해 리프트 로드(246)와 단부(710)의 상부 표면 사이에 와셔(714)가 배치된다.
[0051] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 프로세싱 챔버(substrate processing chamber)에 사용하기 위한 리프트 장치(lift apparatus)로서,
    상부에 소정의 직경을 갖는 기판이 배치될 때 상기 기판을 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제1 리프트 핀 조립체(lift pin assembly)들 ― 상기 제1 리프트 핀 조립체들 각각은 제1 벨로우즈 조립체(bellows assembly) 상에 배치된 제1 리프트 핀을 포함함 ―;
    상기 소정의 직경보다 큰 직경을 갖는 원형으로 배열되고, 환형 챔버 컴포넌트를 상승 또는 하강시키도록 구성된 복수의 제2 리프트 핀 조립체들 ― 상기 제2 리프트 핀 조립체들 각각은 제2 벨로우즈 조립체 상에 배치된 제2 리프트 핀을 포함함 ―;
    액추에이터(actuator); 및
    상기 액추에이터에 커플링되고, 상기 액추에이터의 이동에 의해 상기 제1 리프트 핀 조립체들 및 상기 제2 리프트 핀 조립체들 각각을 상승 또는 하강시키도록 구성된 리프트 조립체(lift assembly)를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 리프트 조립체는 상기 제1 리프트 핀 조립체들 및 상기 제2 리프트 핀 조립체들에 커플링된 제1 리프터(lifter)를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 리프터는 개구를 갖는 베이스(base)를 포함하고, 상기 액추에이터의 샤프트는 상기 베이스의 개구 내로 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 리프터는 베이스, 및 상기 베이스로부터 상기 제1 리프트 핀 조립체들 및 상기 제2 리프트 핀 조립체들로 연장되는 복수의 브랜치(branch)들을 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 브랜치들 중 하나 이상은 포크(fork)를 포함하고, 상기 포크의 제1 프롱(prong)은 상기 제1 리프트 핀 조립체들 중 하나에 커플링되고, 상기 포크의 제2 프롱은 상기 제2 리프트 핀 조립체들 중 하나에 커플링되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 브랜치들 중 하나 이상은 상기 베이스로부터 상기 복수의 제1 리프트 핀 조립체들 중 하나, 상기 복수의 제2 리프트 핀 조립체들 중 하나로 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 리프트 핀 조립체들 중 하나는 상기 제1 리프터의 베이스에 커플링되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 브랜치들은 상기 제1 리프트 핀 조립체들 중 하나 및 상기 제2 리프트 핀 조립체들 중 하나에 각각 커플링된 2 개의 브랜치들, 및 상기 복수의 제2 리프트 핀 조립체들 중 제3의 리프트 핀 조립체에 커플링된 제3 브랜치를 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  9. 제2 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리프트 조립체는, 상기 제1 리프터 위에 배치되고 상기 제1 리프트 핀 조립체들 각각에 커플링된 제2 리프터를 포함하고, 상기 리프트 조립체가 하부 포지션에 있을 때 상기 제1 리프터와 상기 제2 리프터 사이에 갭이 존재하며, 상기 제1 리프터는 상기 제1 리프터가 상부 포지션으로 이동될 때 상기 제2 리프터를 상승시키도록 구성되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  10. 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액추에이터에 커플링된 선형 가이드 브래킷(linear guide bracket)을 더 포함하며, 상기 리프트 조립체는 상기 리프트 조립체의 선형 수직 운동을 용이하게 하기 위해 상기 선형 가이드 브래킷과 맞물리도록(engage) 구성되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 리프트 장치.
  11. 기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체로서,
    베이스 플레이트(base plate);
    상기 베이스 플레이트에 커플링되고, 기판을 지지하기 위한 지지 표면을 가지며, 내부에 배치된 하나 이상의 척킹 전극(chucking electrode)들을 갖는 유전체 플레이트(dielectric plate); 및
    제2 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 리프트 장치를 포함하며, 상기 제1 리프트 핀은 상기 베이스 플레이트 및 상기 유전체 플레이트를 통해 연장되고, 상기 제2 리프트 핀은 상기 베이스 플레이트 및 상기 유전체 플레이트를 통해 연장되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 리프트 조립체는 상기 제1 리프터 위에 배치된 제2 리프터를 포함하며, 상기 제2 리프터는 상기 액추에이터 주위에 배치된 제2 베이스 및 상기 복수의 제1 리프트 핀 조립체들에 커플링된 복수의 제2 브랜치들을 갖는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제1 리프터가 하부 포지션에 있을 때 상기 제1 리프터와 상기 제2 리프터 사이에 갭이 존재하며, 상기 제1 리프터는 상기 제1 리프터가 상부 포지션으로 이동될 때 상기 제2 리프터를 상승시키도록 구성되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 리프트 핀들은 상기 복수의 제1 리프트 핀들을 넘어서 상기 유전체 플레이트 위로 연장되도록 구성되는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 유전체 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이에 배치된 냉각 플레이트(cooling plate)를 더 포함하는,
    기판 프로세싱 챔버에 사용하기 위한 기판 지지체.
  16. 기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버(process chamber)로서,
    내부 용적부를 내부에 정의하는 챔버 본체(chamber body);
    상기 챔버 본체의 상기 내부 용적부에 배치된 기판 지지체 ― 상기 기판 지지체는,
    상기 기판을 지지하기 위한 페디스털(pedestal); 및
    제2 항 내지 제8 항 중 어느 한 항의 리프트 장치를 포함하며, 상기 제1 리프트 핀은 상기 페디스털을 통해 연장되고, 상기 제2 리프트 핀은 상기 페디스털을 통해 상기 제1 리프트 핀의 반경방향 외측으로 연장됨 ―; 및
    각각의 제2 리프트 핀 상에 배치된 섀도우 링(shadow ring)을 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버.
  17. 제16 항에 있어서,
    각각의 제2 리프트 핀은 상기 페디스털의 지지 표면 위에서 상기 섀도우 링을 지지하도록 구성되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버.
  18. 제16 항에 있어서,
    각각의 제1 리프트 핀은 각각의 제1 리프트 핀이 완전히 후퇴될 때 약 10 ㎜ 내지 약 30 ㎜의 거리만큼 상기 페디스털 내로 리세스되도록 구성되는,
    기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버.
  19. 제16 항에 있어서,
    상기 리프트 조립체는 상기 복수의 제1 리프트 핀 조립체들에 커플링된 제2 리프터를 포함하는,
    기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버.
  20. 제16 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 공압식(pneumatic) 액추에이터인,
    기판을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버.
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