KR20230169018A

KR20230169018A - SiC EPITAXIAL WAFER

Info

Publication number: KR20230169018A
Application number: KR1020230169097A
Authority: KR
Inventors: 히로마사 수오; 림페이 긴다이치; 다모츠 야마시타
Original assignee: 가부시끼가이샤 레조낙
Priority date: 2022-05-31
Filing date: 2023-11-29
Publication date: 2023-12-15

Abstract

본 발명의 SiC 기판은, 중심으로부터 [11-20] 방향으로 외주단으로부터 10㎜ 내측의 점을 제1 외주점으로 하고, 중심으로부터 직경 10㎜의 원 내의 임의의 점을 제1 중심점으로 했을 때에, 상기 제1 외주점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력보다 크다.In the SiC substrate of the present invention, when a point within 10 mm from the outer peripheral end in the [11-20] direction from the center is set as the first peripheral point, and an arbitrary point within a circle with a diameter of 10 mm from the center is set as the first central point, , the tensile stress in the <1-100> direction, which is the circumferential direction of the first peripheral point, at the first peripheral point is <1, which is the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point at the first central point. It is greater than the tensile stress in the -100> direction.

Description

SiC epitaxial wafer {SiC EPITAXIAL WAFER}

본 발명은, SiC 기판 및 SiC 에피택셜 웨이퍼에 관한 것이다.The present invention relates to SiC substrates and SiC epitaxial wafers.

탄화규소(SiC)는, 실리콘(Si)에 비하여 절연 파괴 전계가 한 자릿수 크고, 밴드 갭이 3배 크다. 또한, 탄화규소(SiC)는, 실리콘(Si)에 비하여 열전도율이 3배 정도 높은 등의 특성을 갖는다. 그 때문에 탄화규소(SiC)는, 파워 디바이스, 고주파 디바이스, 고온 동작 디바이스 등에 대한 응용이 기대되고 있다. 이 때문에, 근년, 상기와 같은 반도체 디바이스에 SiC 에피택셜 웨이퍼가 사용되도록 되어 있다.Silicon carbide (SiC) has a dielectric breakdown field that is one order of magnitude larger than silicon (Si), and a band gap that is three times larger. Additionally, silicon carbide (SiC) has characteristics such as a thermal conductivity that is about three times higher than that of silicon (Si). Therefore, silicon carbide (SiC) is expected to be applied to power devices, high-frequency devices, high-temperature operating devices, etc. For this reason, in recent years, SiC epitaxial wafers have come to be used in semiconductor devices such as those described above.

SiC 에피택셜 웨이퍼는, SiC 잉곳으로부터 잘라내어진 SiC 기판의 표면에 SiC 에피택셜층을 적층함으로써 얻어진다. 이하, SiC 에피택셜층을 적층 전의 기판을 SiC 기판이라고 칭하고, SiC 에피택셜층을 적층 후의 기판을 SiC 에피택셜 웨이퍼라고 칭한다.A SiC epitaxial wafer is obtained by laminating a SiC epitaxial layer on the surface of a SiC substrate cut from a SiC ingot. Hereinafter, the substrate before lamination of the SiC epitaxial layer is referred to as a SiC substrate, and the substrate after lamination of the SiC epitaxial layer is referred to as a SiC epitaxial wafer.

SiC 에피택셜 웨이퍼는, 편면에 SiC 에피택셜층을 갖기 때문에, 휘는 경우가 있다. SiC 에피택셜 웨이퍼의 휨은, 반도체 디바이스의 프로세스에 악영향을 미친다. 예를 들어, 휨은, 포토리소그래피 가공에 있어서의 초점 어긋남의 원인이 된다. 또한 휨은, 반송 프로세스 중에 있어서의 웨이퍼의 위치 정밀도 저하의 원인이 된다. 또한, SiC 에피택셜 웨이퍼는 반도체 프로세스 중의 산화막 적층이나 이온 주입에 의해, 큰 휨이 발생하는 경우가 있다.Since the SiC epitaxial wafer has a SiC epitaxial layer on one side, it may bend. The warp of the SiC epitaxial wafer has a negative effect on the process of semiconductor devices. For example, bending causes defocus during photolithography processing. Additionally, warping causes a decrease in the positional accuracy of the wafer during the transfer process. Additionally, SiC epitaxial wafers may be greatly warped due to oxide film stacking or ion implantation during the semiconductor process.

한편으로, SiC 에피택셜층을 적층하기 전의 SiC 기판은 평탄하며, SiC 기판의 상태에서 SiC 에피택셜 웨이퍼의 휨이나 반도체 프로세스 중의 휨을 예상하는 일은 어렵다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 연마가 완료된 SiC 단결정 제품 웨이퍼의 휨의 값을, 연마 공정 완료 전에 예측하기 위해서, 라만 산란광의 파수 시프트량의 차분을 이용하는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 기판의 두께 방향에 있어서 라만 스펙트럼을 측정하고, 두께 방향에 있어서 응력의 분포가 저감되어 있는 기판이 개시되어 있다. 또한 예를 들어, 특허문헌 3에는, 결정학적인 스트레스를 완화함으로써, SiC 기판의 휨이 저감되는 것이 기재되어 있다.On the other hand, the SiC substrate before stacking the SiC epitaxial layer is flat, and it is difficult to predict warping of the SiC epitaxial wafer or warping during the semiconductor process in the state of the SiC substrate. For example, Patent Document 1 describes using the difference in the wave number shift amount of Raman scattered light to predict the warpage value of a polished SiC single crystal product wafer before completion of the polishing process. Patent Document 2 discloses a substrate in which the Raman spectrum is measured in the thickness direction of the substrate and the stress distribution in the thickness direction is reduced. Additionally, for example, Patent Document 3 describes that warpage of a SiC substrate is reduced by alleviating crystallographic stress.

일본 특허 공개 제2015-59073호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-59073 국제 공개 제2019/111507호International Publication No. 2019/111507 미국 특허 출원 공개 제2021/0198804호 명세서US Patent Application Publication No. 2021/0198804 Specification 일본 특허 공개 제2007-290880호 공보Japanese Patent Publication No. 2007-290880

특허문헌 1 및 2에는, 라만 시프트를 사용하여, 기판의 내부 응력의 평가를 하고 있지만, 라만 시프트에는 방향의 정보는 포함되어 있지 않다. 또한 특허문헌 1 내지 3에는 응력을 작게 하는 것이 기재되어 있지만, 응력을 작게 하는 것만으로는, SiC 에피택셜 웨이퍼의 휨을 충분히 억제할 수 없었다. 또한, 특허문헌 4에는 잉곳의 둘레 방향의 압축 응력을 크게 함으로써, 잉곳의 크랙을 억제하는 것이 기재되어 있지만, SiC 에피택셜 웨이퍼의 휨을 충분히 억제할 수 없었다.In Patent Documents 1 and 2, Raman shift is used to evaluate the internal stress of the substrate, but Raman shift does not include direction information. Additionally, although reducing the stress is described in Patent Documents 1 to 3, the warping of the SiC epitaxial wafer could not be sufficiently suppressed simply by reducing the stress. Additionally, Patent Document 4 describes suppressing cracks in the ingot by increasing the compressive stress in the circumferential direction of the ingot, but warping of the SiC epitaxial wafer could not be sufficiently suppressed.

본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, SiC 에피택셜층을 적층하고, 산화막을 적층하며, 이온 주입을 실시하는 등의 표면 처리한 후의 휨을 억제할 수 있는 SiC 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to provide a SiC substrate capable of suppressing warpage after surface treatment such as stacking a SiC epitaxial layer, stacking an oxide film, and performing ion implantation.

본 발명자들은, 외주 근방의 원주 방향의 인장 응력을 중심 근방의 원주 방향의 인장 응력보다 크게 함으로써, SiC 에피택셜층을 적층하는 등의 표면 처리한 후의 휨을 억제할 수 있음을 알아내었다. 즉, 본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 이하의 수단을 제공한다.The present inventors have found that warping after surface treatment such as stacking a SiC epitaxial layer can be suppressed by increasing the tensile stress in the circumferential direction near the outer periphery than the tensile stress in the circumferential direction near the center. That is, the present invention provides the following means to solve the above problems.

(1) 제1 양태에 따른 SiC 기판은, 중심으로부터 [11-20] 방향으로 외주단으로부터 10㎜ 내측의 점을 제1 외주점으로 하고, 중심으로부터 직경 10㎜의 원 내의 임의의 점을 제1 중심점으로 했을 때에, 상기 제1 외주점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력보다 크다.(1) The SiC substrate according to the first aspect has a point inside 10 mm from the outer circumference end in the [11-20] direction from the center as the first peripheral point, and an arbitrary point within a circle with a diameter of 10 mm from the center as the first peripheral point. Assuming 1 center point, the tensile stress in the <1-100> direction, which is the circumferential direction of the first outer circumferential point, at the first central point is equal to the circumferential direction of the first outer circumferential point at the first central point. It is greater than the tensile stress in the same direction, <1-100>.

(2) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 중심으로부터 [-1100] 방향으로 외주단으로부터 10㎜ 내측의 점을 제2 외주점으로 했을 때에, 상기 제2 외주점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력보다 커도 된다.(2) In the SiC substrate according to the above aspect, when a point inside 10 mm from the outer peripheral end in the [-1100] direction from the center is set as the second peripheral point, the second peripheral point at the second peripheral point is The tensile stress in the <11-20> direction, which is the same direction as the circumferential direction, may be greater than the tensile stress in the <11-20> direction, which is the same direction as the circumferential direction of the second outer peripheral point at the first central point.

(3) 제2 양태에 따른 SiC 기판은, 중심으로부터 [-1100] 방향으로 외주단으로부터 10㎜ 내측의 점을 제2 외주점으로 하고, 중심으로부터 직경 10㎜의 원 내의 임의의 점을 제1 중심점으로 했을 때에, 상기 제2 외주점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력보다 크다.(3) In the SiC substrate according to the second aspect, a point inside 10 mm from the outer peripheral end in the [-1100] direction from the center is set as the second peripheral point, and an arbitrary point within a circle with a diameter of 10 mm from the center is set as the first peripheral point. When taken as a center point, the tensile stress in the <11-20> direction, which is the circumferential direction of the second outer peripheral point, at the second outer peripheral point is the same as the circumferential direction of the second outer peripheral point at the first central point. It is greater than the tensile stress in the <11-20> direction.

(4) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 중심으로부터 [11-20] 방향으로 외주단으로부터 10㎜ 내측의 점을 제1 외주점으로 했을 때에, 상기 제1 외주점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력보다 커도 된다.(4) In the SiC substrate according to the above aspect, when a point inside 10 mm from the outer peripheral end in the [11-20] direction from the center is set as the first peripheral point, the first peripheral point at the first peripheral point The tensile stress in the <1-100> direction, which is the same direction as the circumferential direction, may be greater than the tensile stress in the <1-100> direction, which is the same direction as the circumferential direction of the first outer peripheral point at the first central point.

(5) 상기 양태에 따른 SiC 기판에 있어서, 상기 제1 외주점의 원주 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 커도 된다. 또한 상기 제2 외주점의 원주 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 커도 된다.(5) In the SiC substrate according to the above aspect, the tensile stress in the circumferential direction of the first outer peripheral point is 10 MPa greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first outer peripheral point at the first central point. It can be bigger than that. Additionally, the tensile stress in the circumferential direction of the second outer peripheral point may be 10 MPa or more greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second outer peripheral point at the first central point.

(6) 상기 양태에 따른 SiC 기판에 있어서, 상기 제1 외주점의 원주 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 30MPa 이상 커도 된다. 또한 상기 제2 외주점의 원주 방향의 인장 응력은, 상기 제1 중심점에 있어서의 상기 제2 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 30MPa 이상 커도 된다.(6) In the SiC substrate according to the above aspect, the tensile stress in the circumferential direction of the first outer peripheral point is 30 MPa greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first outer peripheral point at the first central point. It can be bigger than that. Additionally, the tensile stress in the circumferential direction of the second outer peripheral point may be 30 MPa or more greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second outer peripheral point at the first center point.

(7) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 직경이 145㎜ 이상이어도 된다.(7) The SiC substrate according to the above aspect may have a diameter of 145 mm or more.

(8) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 직경이 195㎜ 이상이어도 된다.(8) The SiC substrate according to the above aspect may have a diameter of 195 mm or more.

(9) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 제1 면의 표면 조도(Ra)가 1㎚ 이하여도 된다.(9) The SiC substrate according to the above aspect may have a surface roughness (Ra) of 1 nm or less on the first surface.

(10) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, Warp가 50㎛ 이하여도 된다.(10) The SiC substrate according to the above aspect may have a warp of 50 μm or less.

(11) 상기 양태에 따른 SiC 기판은, 제1 면에 있어서, 최외주로부터 7.5㎜ 내측의 원주와 겹치는 위치에 있는 지지체와, 두께 방향으로부터 보아 겹치는 부분을 연결하는 면을 기준면으로 했을 때의 Bow가 30㎛ 이하여도 된다.(11) In the SiC substrate according to the above embodiment, on the first side, the support is located at a position overlapping with the circumference inside 7.5 mm from the outermost periphery, and the bow when the surface connecting the overlapping portion when viewed from the thickness direction is taken as a reference plane. It may be 30㎛ or less.

(12) 제3 양태에 따른 SiC 에피택셜 웨이퍼는, 상기 양태에 따른 SiC 기판과, 상기 SiC 기판의 한 면에 적층된 SiC 에피택셜층을 갖는다.(12) A SiC epitaxial wafer according to the third aspect has a SiC substrate according to the above aspect, and a SiC epitaxial layer laminated on one side of the SiC substrate.

(13) 상기 양태에 따른 SiC 에피택셜 웨이퍼는, Warp가 50㎛ 이하여도 된다.(13) The SiC epitaxial wafer according to the above aspect may have a warp of 50 μm or less.

(14) 상기 양태에 따른 SiC 에피택셜 웨이퍼는, 상기 에피택셜층의 표면에 있어서, 최외주로부터 7.5㎜ 내측의 원주와 겹치는 위치에 있는 지지체와, 두께 방향으로부터 보아 겹치는 부분을 통과하는 면을 기준면으로 했을 때의 Bow가 30㎛ 이하여도 된다.(14) The SiC epitaxial wafer according to the above aspect has a support located on the surface of the epitaxial layer at a position overlapping with the circumference inside 7.5 mm from the outermost periphery, and a surface passing through the overlapping portion when viewed from the thickness direction as a reference plane. Bow may be 30㎛ or less.

상기 양태에 따른 SiC 기판은, SiC 에피택셜층을 적층하는 등의 표면 처리한 후의 휨을 억제할 수 있다.The SiC substrate according to the above aspect can suppress warping after surface treatment such as stacking a SiC epitaxial layer.

도 1은 SiC 에피택셜 웨이퍼의 휨을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 SiC 기판의 평면도이다.
도 3은 제1 외주점의 원주 방향의 인장 응력의 측정 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4는 제2 외주점의 원주 방향의 인장 응력의 측정 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 Warp에 의한 SiC 기판의 형상의 평가 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 Bow에 의한 SiC 기판의 형상의 평가 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 7은 SiC 잉곳의 제조 장치의 일례인 승화법을 설명하기 위한 모식도이다.Figure 1 is a schematic diagram for explaining the bending of a SiC epitaxial wafer.
Figure 2 is a top view of a SiC substrate according to this embodiment.
Figure 3 is a schematic diagram for explaining a method of measuring the tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point.
Figure 4 is a schematic diagram for explaining a method of measuring the tensile stress in the circumferential direction of the second outer peripheral point.
Figure 5 is a diagram schematically showing a method for evaluating the shape of a SiC substrate by warp.
Figure 6 is a diagram schematically showing a method for evaluating the shape of a SiC substrate using Bow.
Figure 7 is a schematic diagram for explaining the sublimation method, which is an example of a SiC ingot manufacturing device.

이하, 본 실시 형태에 따른 SiC 기판 등에 대하여 도면을 적절히 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 설명에서 이용하는 도면은, 본 실시 형태의 특징을 이해하기 쉽게 하기 위해서 편의상 특징이 되는 부분을 확대해서 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성 요소의 치수 비율 등은 실제와는 다르게 되어 있는 경우가 있다. 이하의 설명에 있어서 예시되는 재질, 치수 등은 일례이며, 본 발명은 그것들로 한정되는 것이 아니라, 그 요지를 변경하지 않는 범위에서 적절히 변경해서 실시하는 것이 가능하다.Hereinafter, the SiC substrate and the like according to the present embodiment will be described in detail with appropriate reference to the drawings. In the drawings used in the following description, in order to make it easier to understand the features of the present embodiment, the characteristic parts may be enlarged for convenience, and the dimensional ratios of each component may be different from those in reality. . The materials, dimensions, etc. exemplified in the following description are examples, and the present invention is not limited thereto, and can be implemented with appropriate changes without changing the gist of the invention.

우선 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 휨에 대하여 설명한다. 도 1은, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 휨을 설명하기 위한 모식도이다. SiC 에피택셜 웨이퍼(20)는, SiC 기판(10)의 제1 면(10a)에 SiC 에피택셜층(11)을 적층함으로써 얻어진다. SiC 에피택셜 웨이퍼(20)는, SiC 기판(10)과 SiC 에피택셜층(11)을 갖는다.First, the bending of the SiC epitaxial wafer 20 will be described. Figure 1 is a schematic diagram for explaining the bending of the SiC epitaxial wafer 20. The SiC epitaxial wafer 20 is obtained by laminating the SiC epitaxial layer 11 on the first surface 10a of the SiC substrate 10. The SiC epitaxial wafer 20 has a SiC substrate 10 and a SiC epitaxial layer 11.

SiC 기판(10)에 큰 휨은 없으며, 거의 평탄하다. 거의 평탄이라 함은, 평탄 면 위에 적재했을 때에, 크게 부상하는 부분이 없음을 의미한다.There is no significant warpage in the SiC substrate 10 and it is almost flat. Almost flat means that when placed on a flat surface, there is no significant floating area.

디바이스를 동작할 수 있는 고품질의 SiC를 얻기 위해서, SiC 기판(10)에는 SiC 에피택셜층(11)이 적층된다. 또한 SiC 에피택셜층(11)을 적층하기 전에는, 연마 등의 기계적인 가공이 실시되는 경우가 많다. 이 경우, SiC 기판(10)의 제1 면(10a)에 가공 변질층이 형성된다. SiC 기판(10)의 한 면에, SiC 에피택셜층(11)이 적층되거나, 가공 변질층이 형성되면 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)가 휘는 경우가 있다.In order to obtain high-quality SiC capable of operating a device, a SiC epitaxial layer 11 is stacked on the SiC substrate 10. Additionally, before stacking the SiC epitaxial layer 11, mechanical processing such as polishing is often performed. In this case, a damaged layer is formed on the first surface 10a of the SiC substrate 10. When the SiC epitaxial layer 11 is laminated on one side of the SiC substrate 10 or a damaged layer is formed, the SiC epitaxial wafer 20 may bend.

「제1 실시 형태」“First embodiment”

도 2는, 본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)이다. SiC 기판(10)은, SiC를 포함한다. SiC 기판(10)의 폴리타입은 특별히 묻지 않고, 2H, 3C, 4H, 6H 중 어느 것이어도 된다. SiC 기판(10)은, 예를 들어 4H-SiC이다.Figure 2 shows the SiC substrate 10 according to this embodiment. The SiC substrate 10 contains SiC. The polytype of the SiC substrate 10 is not particularly limited and may be any of 2H, 3C, 4H, and 6H. The SiC substrate 10 is, for example, 4H-SiC.

SiC 기판(10)의 평면으로 본 형상은 대략 원형이다. SiC 기판(10)은, 결정축의 방향을 파악하기 위한 오리엔테이션 플랫 OF 혹은 노치를 가져도 된다. SiC 기판(10)의 직경은, 예를 들어 145㎜ 이상이며, 바람직하게는 195㎜ 이상이다. SiC 기판(10)의 직경이 클수록, 동일한 곡률이어도 휨의 절대량이 커진다. 휨이 큰 SiC 에피택셜 웨이퍼는, 후공정의 프로세스에 미치는 영향이 커서, 휨의 억제가 요구된다. 다시 말해, 본 발명은, 직경이 큰 SiC 기판(10)에 적용할수록 효과적이다.The planar shape of the SiC substrate 10 is approximately circular. The SiC substrate 10 may have an orientation flat OF or a notch for determining the direction of the crystal axis. The diameter of the SiC substrate 10 is, for example, 145 mm or more, and is preferably 195 mm or more. The larger the diameter of the SiC substrate 10, the greater the absolute amount of bending, even if the curvature is the same. SiC epitaxial wafers with large warpage have a large impact on post-processing processes, so suppression of warpage is required. In other words, the more effective the present invention is applied to a SiC substrate 10 with a larger diameter.

본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, 제1 외주점(1)의 원주 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)에 있어서의 제1 외주점(1)의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력보다 크다. 제1 외주점(1)의 원주 방향의 인장 응력은, 제1 중심점(2)에 있어서의 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 큰 것이 바람직하고, 30MPa 이상 큰 것이 보다 바람직하다.In the SiC substrate 10 according to the present embodiment, the tensile stress in the <1-100> direction, which is the circumferential direction of the first peripheral point 1, is the first peripheral point 1 at the first center point 2. It is greater than the tensile stress in the <1-100> direction, which is the same direction as the circumferential direction. The tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point 1 is preferably 10 MPa or more larger than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point at the first center point 2, and is 30 MPa or more larger. It is more preferable.

제1 외주점(1)은, SiC 기판(10)의 외주단으로부터 10㎜ 내측의 외주부(5)에 있다. 제1 외주점(1)은, 외주부(5) 중 SiC 기판(10)의 중심으로부터 [11-20]의 방향에 있는 점이다. 제1 중심점(2)은, 중심부(6) 내의 임의의 점이다. 중심부(6)는, SiC 기판(10)의 중심으로부터 직경 10㎜의 원 내의 영역이다. 제1 중심점(2)은, 예를 들어 SiC 기판(10)의 중심과 일치한다.The first peripheral point 1 is located in the outer peripheral portion 5 within 10 mm from the outer peripheral end of the SiC substrate 10. The first peripheral point 1 is a point in the outer peripheral portion 5 in the direction [11-20] from the center of the SiC substrate 10. The first center point 2 is an arbitrary point within the center 6. The center 6 is an area within a circle with a diameter of 10 mm from the center of the SiC substrate 10. The first center point 2 coincides with the center of the SiC substrate 10, for example.

여기서, 미러 지수의 방향을 나타내는 괄호의 표기로서, < >, [ ]가 있다. <1-100>은, 결정 방향의 대칭성으로부터 [-1100]을 포함한다. <11-20>은, 결정 방향의 대칭성으로부터 [11-20]을 포함한다.Here, the parenthetical notation indicating the direction of the mirror index includes < > and [ ]. <1-100> includes [-1100] from the symmetry of the crystal direction. <11-20> includes [11-20] from the symmetry of the crystal direction.

인장 응력은, 변형 ε과 영률의 곱으로 산출된다. 변형 ε은, (a₀-a)/a₀으로구해진다. a₀은, 기준 격자 상수이다. a₀은, 4H-SiC의 경우, 약 3.08Å이다. a는, X선 회절법(XRD)으로 구해지는 격자 상수이다. 응력의 방향은, X선 회절의 입사 X선의 방향으로부터 구해진다. 또한, 본 발명에서는 인장을 정, 압축을 부의 값으로서 취급한다. 응력의 대소를 논의할 때에는, 절댓값으로 대소를 규정한다. 격자 상수 a가, 기준 격자 상수 a₀보다 작아지면 작아질수록, 변형 ε은 커지고, 그 결과, 인장 응력이 커진다.Tensile stress is calculated as the product of strain ε and Young's modulus. The strain ε is obtained as (a ₀ -a)/a ₀ . a ₀ is the reference lattice constant. a ₀ is approximately 3.08 Å in the case of 4H-SiC. a is the lattice constant determined by X-ray diffraction (XRD). The direction of stress is obtained from the direction of incident X-rays from X-ray diffraction. Additionally, in the present invention, tension is treated as a positive value and compression is treated as a negative value. When discussing the magnitude of stress, the magnitude is defined by absolute values. As the lattice constant a becomes smaller than the reference lattice constant a ₀ , the strain ε increases, and as a result, the tensile stress increases.

도 3은, 제1 외주점(1)의 원주 방향의 인장 응력의 측정 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 제1 외주점(1)에 있어서의 원주 방향은, SiC 기판(10)의 중심과 제1 외주점(1)을 연결하는 선분과 직교하는 방향(이하, '제1 방향'이라고 칭함)이다. 제1 방향은, <1-100> 방향이다. 제1 외주점(1)의 원주 방향의 인장 응력을 측정하는 경우에는, 제1 방향으로부터 X선을 조사한다. 이 원주 방향으로부터 X선을 SiC 기판(10)에 입사함으로써, 제1 외주점(1)에 있어서의 원주 방향의 격자 상수 a가 구해진다. 그리고 이 격자 상수 a를 이용하여, 상기 식으로부터 제1 외주점(1)에 있어서의 원주 방향의 응력이 구해진다. 또한, 실측의 격자 상수 a가 기준 격자 상수 a₀보다 작은 경우에는, 인장 응력이 작용하고 있다고 간주한다.FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a method of measuring the tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point 1. The circumferential direction at the first peripheral point 1 is a direction perpendicular to a line segment connecting the center of the SiC substrate 10 and the first peripheral point 1 (hereinafter referred to as the “first direction”). The first direction is the <1-100> direction. When measuring the tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point 1, X-rays are irradiated from the first direction. By making X-rays incident on the SiC substrate 10 from this circumferential direction, the lattice constant a in the circumferential direction at the first outer peripheral point 1 is obtained. And using this lattice constant a, the stress in the circumferential direction at the first outer peripheral point 1 is obtained from the above equation. Additionally, when the actual measured lattice constant a is smaller than the reference lattice constant a ₀ , it is considered that tensile stress is acting.

제1 중심점(2)에 있어서 제1 외주점(1)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력은, 제1 외주점(1)과 동일한 방법으로, 제1 중심점(2)에 X선을 입사함으로써 구해진다. 제1 외주점(1)의 원주 방향과 동일한 방향은, 상술한 제1 방향이다. 제1 외주점(1)과 제1 중심점(2)은, 동일한 방향(제1 방향)에 작용하는 인장 응력의 대소를 비교한다.The tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point (1) at the first central point (2) is determined by applying an Saved by joining the company. The same direction as the circumferential direction of the first outer peripheral point 1 is the first direction described above. The first peripheral point 1 and the first central point 2 compare the magnitude of the tensile stress acting in the same direction (first direction).

제1 외주점(1)의 원주 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)에 있어서의 제1 외주점(1)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 크면, SiC 에피택셜층(11)을 적층 후에 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)가 휘기 어렵다. 이것은, 제1 외주점(1)의 원주 방향으로 인장 응력이 강하게 가해짐으로써, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)를 외측을 향해 넓히려고 하는 힘이 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)에 작용하기 때문이라고 생각된다.If the tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point 1 is greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point 1 at the first central point 2, the SiC epitaxial layer ( It is difficult for the SiC epitaxial wafer 20 to bend after stacking 11). This is thought to be because a strong tensile stress is applied in the circumferential direction of the first outer peripheral point 1, thereby causing a force to expand the SiC epitaxial wafer 20 outward to act on the SiC epitaxial wafer 20. do.

또한 본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, 제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 큰 것이 바람직하다. 또한 제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력은, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 큰 것이 바람직하고, 30MPa 이상 큰 것이 보다 바람직하다.In addition, in the SiC substrate 10 according to the present embodiment, the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3 is in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first center point 2. It is preferable that it is greater than the tensile stress acting as. In addition, the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3 is preferably 10 MPa or more greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first central point 2, , it is more preferable that it is greater than 30MPa.

제2 외주점(3)은, SiC 기판(10)의 외주단으로부터 10㎜ 내측의 외주부(5)에 있다. 제2 외주점(3)은, 외주부(5) 중 SiC 기판(10)의 중심으로부터 [-1100]의 방향에 있는 점이다.The second peripheral point 3 is located in the outer peripheral portion 5 within 10 mm from the outer peripheral end of the SiC substrate 10. The second peripheral point 3 is a point in the outer peripheral portion 5 in the direction of [-1100] from the center of the SiC substrate 10.

도 4는, 제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력의 측정 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 제2 외주점(3)에 있어서의 원주 방향은, SiC 기판(10)의 중심과 제2 외주점(3)을 연결하는 선분과 직교하는 방향(이하, '제2 방향'이라고 칭함)이다. 제2 방향은, <11-20> 방향이다. 제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력을 측정하는 경우에는, 제2 방향으로부터 X선을 조사한다. 이 원주 방향으로부터 X선을 SiC 기판(10)에 입사함으로써, 제2 외주점(3)에 있어서의 원주 방향의 격자 상수 a가 구해진다. 그리고 이 격자 상수 a를 이용하여, 상기 식으로부터 제2 외주점(3)에 있어서의 원주 방향의 인장 응력이 구해진다.FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a method of measuring the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3. The circumferential direction of the second peripheral point 3 is a direction perpendicular to a line segment connecting the center of the SiC substrate 10 and the second peripheral point 3 (hereinafter referred to as the 'second direction'). The second direction is the <11-20> direction. When measuring the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3, X-rays are irradiated from the second direction. By making X-rays incident on the SiC substrate 10 from this circumferential direction, the lattice constant a in the circumferential direction at the second outer peripheral point 3 is obtained. And using this lattice constant a, the tensile stress in the circumferential direction at the second outer peripheral point 3 is obtained from the above equation.

제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력과, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력을 비교할 때에는, 제1 중심점(2)에 있어서 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력을 구한다. 제1 중심점(2)에 있어서 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력은, 제2 외주점(3)과 동일한 방법으로, 제1 중심점(2)에 X선을 입사함으로써 구해진다. 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향은, 상술한 제2 방향이다.When comparing the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3 and the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first central point 2, the first central point ( In 2), the tensile stress in the <11-20> direction, which is the same direction as the circumferential direction of the second outer peripheral point 3, is obtained. The tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first central point 2 is determined by applying an Saved by joining the company. The same direction as the circumferential direction of the second outer peripheral point 3 is the above-mentioned second direction.

제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 크면, SiC 에피택셜층(11)을 적층 후에 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)가 보다 휘기 어렵다. 이것은, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)를 외측을 향해 넓히려고 하는 힘이, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 면 내 다른 방향으로 작용하기 때문이라고 생각된다.If the tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3 is greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first central point 2, the SiC epitaxial layer ( After stacking 11), the SiC epitaxial wafer 20 is less likely to bend. This is believed to be because the force trying to expand the SiC epitaxial wafer 20 outward acts in a different direction within the plane of the SiC epitaxial wafer 20.

또한 본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, 외주부(5)의 어느 위치에서도 원주 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)의 인장 응력보다 큰 것이 바람직하다. 여기서, 제1 중심점(2)의 인장 응력은, 측정점에 있어서의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력이다. 또한 외주부(5)보다 외측의 영역에 가해지는 평균 인장 응력은, 중심부(6)에 가해지는 평균 인장 응력보다 큰 것이 바람직하다. 여기서, 평균 인장 응력은, 예를 들어 그 영역 내의 다른 5점에서 측정된 인장 응력의 평균값이다.In addition, in the SiC substrate 10 according to the present embodiment, it is preferable that the tensile stress in the circumferential direction is greater than the tensile stress at the first center point 2 at any position of the outer peripheral portion 5. Here, the tensile stress at the first center point 2 is a tensile stress that acts in the same direction as the circumferential direction at the measurement point. Additionally, the average tensile stress applied to the area outside the outer peripheral portion 5 is preferably greater than the average tensile stress applied to the central portion 6. Here, the average tensile stress is, for example, the average value of the tensile stresses measured at five different points within the area.

SiC 기판(10)의 표면은 연삭되는 경우가 많다. SiC 기판(10)의 제1 면(10a)의 표면 조도(Ra)는, 예를 들어 1㎚ 이하인 것이 바람직하다. 제1 면(10a)은, 예를 들어 SiC 에피택셜층(11)이 적층되는 측의 면이다.The surface of the SiC substrate 10 is often ground. The surface roughness (Ra) of the first surface 10a of the SiC substrate 10 is preferably, for example, 1 nm or less. The first surface 10a is, for example, the surface on which the SiC epitaxial layer 11 is laminated.

SiC 기판(10)의 제1 면(10a) 및 제2 면(10b)은, 모두 연삭되어 있어도 된다. 제1 면(10a)은 예를 들어 Si면이고, 제2 면(10b)은 예를 들어 C면이다. 제1 면(10a)과 제2 면(10b)의 관계는 이 반대여도 된다. 제1 면(10a)과 제2 면(10b)은, 모두 스크래치 등이 잔류된 경면 가공된 경면에서도, 모두 CMP(Chemical mechanical polish)된 CMP 처리면이어도 되며, 연마의 정도가 제1 면(10a)과 제2 면(10b)에서 달라도 된다. 스크래치 등이 잔류된 경면에는 가공 변질층이 형성되고, CMP 처리면에는 거의 가공 변질층이 형성되지 않는다. 가공 변질층은, 가공에 의해 대미지를 받은 부분이며, 결정 구조가 무너져 있는 부분이다.Both the first surface 10a and the second surface 10b of the SiC substrate 10 may be ground. The first surface 10a is, for example, a Si surface, and the second surface 10b is, for example, a C surface. The relationship between the first surface 10a and the second surface 10b may be reversed. The first surface 10a and the second surface 10b may both be mirror-finished surfaces with remaining scratches, etc., or both may be CMP-processed surfaces that have been CMP (Chemical Mechanical Polished), and the degree of polishing may be similar to that of the first surface (10a). ) and the second side (10b) may be different. A damaged layer is formed on the mirror surface where scratches, etc. remain, and almost no damaged layer is formed on the CMP treated surface. The processing-affected layer is a portion that has been damaged by processing and is a portion in which the crystal structure has collapsed.

예를 들어, 제1 면(10a)이 경면 연삭면에서 제2 면(10b)이 CMP 처리면인 경우에는, 양면의 표면 상태의 차이에 의해, SiC 기판(10)에 트와이만 효과가 발생한다. 트와이만 효과는, 기판의 양면에 있는 잔류 응력에 차가 발생한 경우에, 양면의 응력의 차를 보충하려고 하는 힘이 작용하는 현상이다. 트와이만 효과는, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 휨의 원인이 될 수 있다. 즉, 본 발명은, 제1 면(10a)과 제2 면(10b)의 표면 상태가 다른 SiC 기판(10)에 적용할수록 효과적이다.For example, when the first surface 10a is a mirror-ground surface and the second surface 10b is a CMP-treated surface, the Twyman effect occurs in the SiC substrate 10 due to the difference in surface condition between the two surfaces. do. The Twyman effect is a phenomenon in which, when a difference occurs in the residual stress on both sides of a substrate, a force acts to compensate for the difference in stress between the two sides. The Twyman effect may cause bending of the SiC epitaxial wafer 20. In other words, the present invention is more effective when applied to a SiC substrate 10 in which the first surface 10a and the second surface 10b have different surface states.

본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, Warp가 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, Warp가 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. Warp가 50㎛ 이하로 상기 인장 응력의 관계를 충족하는 SiC 기판(10)을 사용하면, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 휨을 충분히 작게 할 수 있다. 그 때문에, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)가 반송 중의 정밀도 저하를 피할 수 있어, 미세한 리소그래피 프로세스에 있어서도, 초점을 적절하게 맞출 수 있다.The SiC substrate 10 according to this embodiment preferably has a warp of 50 μm or less, and more preferably has a warp of 30 μm or less. If a SiC substrate 10 that satisfies the above tensile stress relationship with a warp of 50 μm or less is used, the warp of the SiC epitaxial wafer 20 can be sufficiently reduced. Therefore, the SiC epitaxial wafer 20 can avoid a decrease in precision during transportation, and can achieve appropriate focus even in a fine lithography process.

도 5는, Warp에 의한 SiC 기판의 형상(변형)의 평가 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다. Warp는, 제1 면(10a)의 최고점 hp와 최저점 lp의 두께 방향의 거리이다. Warp가 클수록, SiC 기판(10)은 변형되고 있다고 판단된다. 우선 SiC 기판(10)을 평탄면 F에 설치된 3점의 지지점 위에 설치한다. 제1 면(10a)에 있어서의 최저점 lp를 통과하고 평탄면 F와 평행한 가상면 Slp와, 제1 면(10a)에 있어서의 최고점 hp를 통과하고 평탄면 F와 평행한 가상면 Shp를 구한다. Warp는, 가상면 Slp와 가상면 Shp의 높이 방향의 거리로서 구해진다. 높이 방향은, 평탄면 F와 직교하고, 평탄면 F로부터 이격되는 방향이다.Figure 5 is a diagram schematically showing a method for evaluating the shape (strain) of a SiC substrate by warp. Warp is the distance in the thickness direction between the highest point hp and the lowest point lp of the first surface 10a. It is judged that the larger the warp, the more the SiC substrate 10 is deformed. First, the SiC substrate 10 is installed on three support points provided on the flat surface F. An imaginary surface Slp passing through the lowest point lp on the first surface 10a and parallel to the flat surface F and an imaginary surface Shp passing through the highest point hp on the first surface 10a and parallel to the flat surface F are obtained. . Warp is obtained as the distance in the height direction between the virtual surface Slp and the virtual surface Shp. The height direction is perpendicular to the flat surface F and is away from the flat surface F.

본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, Bow가 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, Bow가 10㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한, Bow는 -30㎛ 이상인 것이 바람직하다. Bow의 절댓값이 30㎛ 이하이고 상기 인장 응력의 관계를 충족하는 SiC 기판(10)을 사용하면, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 휨을 충분히 작게 할 수 있다. 그 때문에, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 반송 중의 정밀도 저하를 피할 수 있어, 미세한 리소그래피 프로세스에 있어서도, 초점을 적절하게 맞출 수 있다.The SiC substrate 10 according to this embodiment preferably has a Bow of 30 μm or less, and more preferably has a Bow of 10 μm or less. Additionally, it is preferable that the Bow is -30㎛ or more. If a SiC substrate 10 is used where the absolute value of Bow is 30 μm or less and satisfies the above tensile stress relationship, the warpage of the SiC epitaxial wafer 20 can be sufficiently reduced. Therefore, a decrease in precision during transport of the SiC epitaxial wafer 20 can be avoided, and focus can be appropriately achieved even in a fine lithography process.

도 6은, Bow에 의한 SiC 기판의 형상(변형)의 평가 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다. Bow는, 기준면 Sr에 대한 SiC 기판(10)의 중심 c의 높이 방향의 위치이다. 다시 말해, Bow는, SiC 기판(10)의 중심 c의, 기준면 Sr로부터의 부호가 부여된 거리이다. 기준면 Sr은, 제1 면(10a) 중 두께 방향으로부터 보아, 복수의 지지체의 각각과 겹치는 점 sp를 연결하는 면이다. 복수의 지지체는, 예를 들어 SiC 기판(10)의 외주단으로부터 7.5㎜ 내측의 원주와 겹치는 위치에 배치된다. 예를 들어, 3개의 지지체로 SiC 기판(10)을 지지한다. 3개의 지지체의 각각은, 지지체가 지지하는 SiC 기판(10)의 중심을 중심축으로, 3회 대칭의 위치에 있다. 기준면 Sr은, 예를 들어 3점 기준 평면이다. Bow의 절댓값이 클수록, SiC 기판(10)은 변형되고 있다고 판단된다. 우선 SiC 기판(10)을 평탄면 F에 설치된 3점의 지지점 위에 설치한다. 두께 방향으로부터 보아 지지점 위에 있는 제1 면(10a)의 3개의 점 sp를 연결하고, 기준면 Sr을 구한다. 그리고, 기준면 Sr을 0으로 하고, 기준면 Sr을 기준으로 평탄면 F로부터 이격되는 방향을 +, 기준면 Sr을 기준으로 평탄면 F에 근접하는 방향을 -로 규정한다. Bow는, 제1 면(10a)의 중심 c의 기준면 Sr에 대한 높이 방향의 위치로서 구해진다. 다시 말해, Bow는, 제1 면(10a)의 중심 c의, 기준면 Sr로부터의 부호가 부여된 거리로서 구해진다.Figure 6 is a diagram schematically showing a method for evaluating the shape (strain) of a SiC substrate using Bow. Bow is the height direction position of the center c of the SiC substrate 10 with respect to the reference surface Sr. In other words, Bow is the distance to which a sign is given from the reference plane Sr of the center c of the SiC substrate 10. The reference surface Sr is a surface connecting the points sp that overlap each of the plurality of supports when viewed from the thickness direction among the first surfaces 10a. The plurality of supports are disposed, for example, at positions overlapping with the inner circumference of the SiC substrate 10 by 7.5 mm from the outer peripheral end. For example, the SiC substrate 10 is supported by three supports. Each of the three supports is in a three-fold symmetrical position with the center of the SiC substrate 10 supported by the support as its central axis. The reference plane Sr is, for example, a three-point reference plane. It is judged that the larger the absolute value of Bow, the more deformed the SiC substrate 10 is. First, the SiC substrate 10 is installed on three support points provided on the flat surface F. The three points sp of the first surface 10a on the support point when viewed from the thickness direction are connected to obtain the reference surface Sr. In addition, the reference surface Sr is set to 0, the direction away from the flat surface F based on the reference surface Sr is defined as +, and the direction approaching the flat surface F based on the reference surface Sr is defined as -. Bow is obtained as the position of the center c of the first surface 10a in the height direction with respect to the reference surface Sr. In other words, Bow is obtained as the distance to which a sign is given from the reference surface Sr of the center c of the first surface 10a.

또한 에피택셜층(11)을 적층 후의 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)도, Warp가 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, Warp가 30㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또한 에피택셜층(11)을 적층 후의 SiC 에피택셜 웨이퍼도, Bow가 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, Bow가 10㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, Bow는 -30㎛ 이상인 것이 바람직하다. SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 Bow를 측정할 때의 기준면은, 에피택셜층(11)의 표면 중 두께 방향으로부터 보아, 복수의 지지체 각각과 겹치는 점을 연결하는 면이다. 복수의 지지체의 위치는, SiC 기판(10)의 Bow를 측정하는 위치와 동일하다. 우선 SiC 에피택셜 웨이퍼(20)를 평탄면 F에 설치된 3점의 지지점 위에 설치한다. 두께 방향으로부터 보아 지지점 위에 있는 에피택셜층(11)의 표면의 3개의 점을 연결하고, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)의 Bow를 측정할 때의 기준면을 구한다. Bow는, 에피택셜층(11)의 표면의 중심의 기준면에 대한 높이 방향의 위치로서 구해진다. 다시 말해, Bow는, 에피택셜층(11)의 표면의 중심의, 기준면으로부터의 부호가 부여된 거리로서 구해진다.Furthermore, the SiC epitaxial wafer 20 after lamination of the epitaxial layer 11 also preferably has a warp of 50 μm or less, and more preferably has a warp of 30 μm or less. In addition, the SiC epitaxial wafer after lamination of the epitaxial layer 11 also preferably has a Bow of 30 μm or less, more preferably a Bow of 10 μm or less, and preferably a Bow of -30 μm or more. The reference plane when measuring the Bow of the SiC epitaxial wafer 20 is a plane connecting the overlapping points of each of the plurality of supports when viewed from the thickness direction of the surface of the epitaxial layer 11. The positions of the plurality of supports are the same as the positions where the Bow of the SiC substrate 10 is measured. First, the SiC epitaxial wafer 20 is installed on three support points provided on the flat surface F. By connecting three points on the surface of the epitaxial layer 11 above the support point when viewed from the thickness direction, a reference plane for measuring the bow of the SiC epitaxial wafer 20 is obtained. Bow is obtained as the position in the height direction with respect to the reference plane of the center of the surface of the epitaxial layer 11. In other words, Bow is obtained as the distance to which a sign is given from the reference plane of the center of the surface of the epitaxial layer 11.

이어서, 본 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다. SiC 기판(10)은, SiC 잉곳을 슬라이스해서 얻어진다. SiC 잉곳은, 예를 들어 승화법에 의해 얻어진다.Next, an example of a method for manufacturing the SiC substrate 10 according to the present embodiment will be described. The SiC substrate 10 is obtained by slicing a SiC ingot. SiC ingots are obtained, for example, by a sublimation method.

도 7은, SiC 잉곳의 제조 장치(30)의 일례인 승화법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 7에 있어서 받침대(32)의 표면과 직교하는 방향을 z 방향, z 방향과 직교하는 일방향을 x 방향, z 방향 및 x 방향과 직교하는 방향을 y 방향이라 한다.FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the sublimation method, which is an example of the SiC ingot manufacturing apparatus 30. In FIG. 7, the direction orthogonal to the surface of the pedestal 32 is called the z direction, one direction orthogonal to the z direction is called the x direction, and the direction orthogonal to the z direction and the x direction is called the y direction.

승화법은, 흑연제의 도가니(31) 내에 배치한 받침대(32)에 SiC 단결정으로 이루어지는 종결정(33)을 배치하고, 도가니(31)를 가열함으로써 도가니(31) 내의 원료 분말(34)로부터 승화한 승화 가스를 종결정(33)에 공급하고, 종결정(33)을 보다 큰 SiC 잉곳(35)으로 성장시키는 방법이다. 도가니(31)의 가열은, 예를 들어 코일(36)에서 행한다.In the sublimation method, a seed crystal 33 made of a SiC single crystal is placed on a pedestal 32 placed in a crucible 31 made of graphite, and the crucible 31 is heated to separate the raw material powder 34 from the crucible 31. This is a method of supplying sublimated gas to the seed crystal 33 and growing the seed crystal 33 into a larger SiC ingot 35. The crucible 31 is heated, for example, by the coil 36.

승화법에 의한 결정 성장 조건을 제어함으로써, SiC 잉곳(35)으로부터 얻어지는 SiC 기판(10)의 내부에 가해지는 인장 응력을 제어할 수 있다.By controlling the crystal growth conditions by the sublimation method, the tensile stress applied to the inside of the SiC substrate 10 obtained from the SiC ingot 35 can be controlled.

예를 들어, SiC 잉곳(35)을 c면 성장시킬 때, 결정 성장면의 중심부의 온도와, 외주부의 온도를 제어한다. 결정 성장면은, 결정의 성장 과정에 있어서의 표면이다. 예를 들어, SiC 잉곳(35)을 c면 성장시킬 때, 결정 성장면의 중심부의 온도보다 외주부의 온도를 낮게 한다. 또한 xy 면 내의 중앙과 외주의 성장 속도차가 0.001㎜/h 이상, 0.05㎜/h 이하로 되도록, 결정 성장을 행한다. 여기서, xy 면 내의 중앙 성장 속도는, 외주의 성장 속도보다 늦게 한다. 성장 속도는, 결정 성장면의 온도를 바꿈으로써 변화한다.For example, when growing the SiC ingot 35 on a c-plane, the temperature at the center of the crystal growth surface and the temperature at the outer periphery are controlled. The crystal growth surface is the surface in the crystal growth process. For example, when growing the SiC ingot 35 on a c-plane, the temperature of the outer peripheral portion is lower than the temperature of the central portion of the crystal growth surface. Additionally, crystal growth is performed so that the growth rate difference between the center and the outer periphery in the xy plane is 0.001 mm/h or more and 0.05 mm/h or less. Here, the central growth rate within the xy plane is slower than the outer periphery growth rate. The growth rate changes by changing the temperature of the crystal growth surface.

결정 성장면의 온도는, 코일(36)에 의한 도가니(31)의 가열 중심의 z 방향의 위치를 제어함으로써 조정할 수 있다. 예를 들어, 도가니(31)의 가열 중심의 z 방향의 위치는, 코일(36)의 z 방향의 위치를 바꿈으로써 변경할 수 있다. 도가니(31)의 가열 중심의 z 방향의 위치와 결정 성장면의 z 방향의 위치가, 0.5㎜/h로 이격되도록 제어한다. 여기서, 도가니(31)의 가열 중심의 z 방향의 위치가, 결정 성장면의 z 방향의 위치에 대하여 하측(원료 분말(34)측)으로 오도록 제어한다.The temperature of the crystal growth surface can be adjusted by controlling the position of the heating center of the crucible 31 by the coil 36 in the z direction. For example, the z-direction position of the heating center of the crucible 31 can be changed by changing the z-direction position of the coil 36. The z-direction position of the heating center of the crucible 31 and the z-direction position of the crystal growth surface are controlled to be spaced apart at 0.5 mm/h. Here, the z-direction position of the heating center of the crucible 31 is controlled so that it is located below (the raw material powder 34 side) relative to the z-direction position of the crystal growth surface.

이어서, 이와 같은 조건에서 제작한 SiC 잉곳을 SiC 기판(10)으로 가공한다. 일반적인 가공 방법에서는, SiC 잉곳의 상태와 SiC 기판의 상태에서, 단결정에 걸리는 응력이 바뀌어버린다. 예를 들어, 성형 공정에서는, 직경 180㎜의 SiC 잉곳으로부터, 직경 150㎜의 SiC 기판에 가공할 때에는 직경을 작게 할 필요가 있다. 또한, 예를 들어 멀티와이어 절단 공정에서는 표면의 파상이 발생하여, 파상을 제거할 필요가 있다. 이와 같은 공정을 거침으로써, 예를 들어 SiC 잉곳의 응력이 큰 부분이 제거되는 것이나 결정 격자면의 형상이 바뀌는 경우가 있어, SiC 잉곳의 상태 응력이, SiC 기판의 상태에서는 개방되고, 외주부에서 인장 응력이 큰 SiC 기판을 얻지 못한다. 외주부에서 인장 응력이 큰 SiC 기판을 얻기 위해서는, 잉곳의 상태 단결정에 걸리는 응력을 기판의 상태로 인계되도록 가공하는 것이 필요하다.Next, the SiC ingot produced under these conditions is processed into a SiC substrate 10. In a general processing method, the stress applied to a single crystal changes depending on the state of the SiC ingot and the state of the SiC substrate. For example, in the molding process, when processing a SiC ingot with a diameter of 180 mm to a SiC substrate with a diameter of 150 mm, the diameter needs to be reduced. In addition, for example, in a multi-wire cutting process, waviness occurs on the surface, and it is necessary to remove the waviness. By going through this process, for example, parts of the SiC ingot with high stress may be removed or the shape of the crystal lattice surface may change, so that the state stress of the SiC ingot is released in the state of the SiC substrate and is stretched at the outer periphery. SiC substrates with high stress are not obtained. In order to obtain a SiC substrate with large tensile stress at the outer periphery, it is necessary to process the stress applied to the single crystal in the ingot state to transfer it to the state of the substrate.

예를 들어, SiC 잉곳의 편면에 대미지 프리 가공을 실시한 후, 싱글 와이어 쏘로 절단하고, 대미지 프리 가공을 실시한 면을 흡착해서 절단면에 대하여 추가로 대미지 프리 가공을 행한다. SiC 기판(10)의 양면에 대하여 대미지 프리 가공을 행함으로써, SiC 잉곳의 상태에서 발생한 인장 응력의 일부가, 기판에도 인계된다. 대미지 프리 가공은, 예를 들어 CMP 가공이다. 이렇게 SiC 잉곳의 상태 격자면 형상을 남기도록 기판 가공을 행함으로써, SiC 잉곳이 갖는 응력이 해방되지 않고 큰 인장 응력을 갖는 SiC 기판(10)을 제작할 수 있다. 그 후, 직경을 조정하는 성형 공정을 행함으로써, 큰 인장 응력을 갖는 SiC 기판(10)을 얻을 수 있다.For example, after damage-free processing is performed on one side of a SiC ingot, it is cut with a single wire saw, and the side on which damage-free processing was performed is sucked and damage-free processing is further performed on the cut surface. By performing damage-free processing on both sides of the SiC substrate 10, part of the tensile stress generated in the state of the SiC ingot is transferred to the substrate. Damage-free processing is, for example, CMP processing. By processing the substrate to leave the state lattice shape of the SiC ingot in this way, the SiC substrate 10 with large tensile stress can be manufactured without the stress of the SiC ingot being released. Thereafter, by performing a molding process to adjust the diameter, the SiC substrate 10 with large tensile stress can be obtained.

상술한 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, SiC 에피택셜층(11)을 적층한 후에도 휘기 어렵다. 이것은, SiC 기판(10)의 외측의 둘레 방향의 인장 응력을 의도적으로 높임으로써, SiC 에피택셜 웨이퍼(20)를 외측을 향해 넓히려고 하는 힘이 작용하기 때문이라고 생각된다.As described above, the SiC substrate 10 according to the first embodiment is difficult to bend even after the SiC epitaxial layer 11 is laminated. This is believed to be because, by intentionally increasing the tensile stress in the outer circumferential direction of the SiC substrate 10, a force acts to expand the SiC epitaxial wafer 20 outward.

「제2 실시 형태」“Second Embodiment”

제2 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, 제2 외주점(3)의 원주 방향인 <11-20> 방향의 인장 응력이, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향인 <11-20> 방향으로 작용하는 인장 응력보다 크다. 제2 실시 형태에 있어서의 SiC 기판(10)은, SiC 기판(10)의 상태를 규정하기 위한 측정 개소가 다른 것을 제외하고, 제1 실시 형태에 있어서의 SiC 기판(10)과 마찬가지이다. 예를 들어, 제2 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)의 Warp, Bow, 직경, 표면 조도 등의 바람직한 범위는, 제1 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)과 마찬가지이다.The SiC substrate 10 according to the second embodiment has the tensile stress in the <11-20> direction, which is the circumferential direction of the second peripheral point 3, at the second peripheral point 3 at the first central point 2. ) is greater than the tensile stress acting in the <11-20> direction, which is the same direction as the circumferential direction. The SiC substrate 10 in the second embodiment is the same as the SiC substrate 10 in the first embodiment, except that the measurement location for defining the state of the SiC substrate 10 is different. For example, the preferable ranges of warp, bow, diameter, surface roughness, etc. of the SiC substrate 10 according to the second embodiment are the same as those of the SiC substrate 10 according to the first embodiment.

제2 외주점(3)의 원주 방향의 인장 응력은, 제1 중심점(2)에 있어서의 제2 외주점(3)의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 큰 것이 바람직하고, 30MPa 이상 큰 것이 보다 바람직하다.The tensile stress in the circumferential direction of the second peripheral point 3 is preferably 10 MPa or more greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the second peripheral point 3 at the first central point 2, It is more preferable that it is greater than 30MPa.

또한 제1 외주점(1)의 원주 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력은, 제1 중심점(2)에 있어서의 제1 외주점(1)의 원주 방향과 동일한 방향인 <1-100> 방향의 인장 응력보다 큰 것이 바람직하다. 제1 외주점(1)의 원주 방향의 인장 응력은, 제1 중심점(2)에 있어서의 제1 외주점의 원주 방향과 동일한 방향으로 작용하는 인장 응력보다 10MPa 이상 큰 것이 보다 바람직하고, 30MPa 이상 큰 것이 더욱 바람직하다.In addition, the tensile stress in the <1-100> direction, which is the circumferential direction of the first peripheral point 1, is <1-100>, which is the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point 1 at the first center point 2. It is desirable to have greater than the tensile stress in the > direction. The tensile stress in the circumferential direction of the first peripheral point 1 is more preferably 10 MPa or more greater than the tensile stress acting in the same direction as the circumferential direction of the first peripheral point at the first center point 2, and is 30 MPa or more. Larger is more desirable.

제2 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)은, 제1 실시 형태에 따른 SiC 기판(10)과 마찬가지의 효과를 발휘한다.The SiC substrate 10 according to the second embodiment exhibits the same effect as the SiC substrate 10 according to the first embodiment.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 상세히 설명하였지만, 본 발명은 특정한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 청구범위 내에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the specific embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

실시예Example

(실시예 1)(Example 1)

SiC 기판의 표면에, SiC 에피택셜층을 적층했을 때의 휨을 시뮬레이션에 의해 구하였다. 시뮬레이션은, 유한 요소법 시뮬레이터 ANSYS를 이용하여 행하였다. 유한 요소법 시뮬레이터 ANSYS를 사용한 시뮬레이션이, 실제로 제작한 것의 결과와 일치함은 별도 확인하였다.The warpage when a SiC epitaxial layer was laminated on the surface of a SiC substrate was determined through simulation. Simulation was performed using the finite element method simulator ANSYS. It was separately confirmed that the simulation using the finite element method simulator ANSYS was consistent with the results of the actually manufactured product.

시뮬레이션은 이하의 수순으로 행하였다. 우선, SiC 기판 및 응력이 다른 표면층의 물성값을 설정하였다. 설정하는 물성값은, SiC 기판의 판 두께, 표면층의 막 두께, 영률, 푸아송비이다. SiC 기판의 판 두께는 350㎛로 하였다. SiC 기판의 직경은 150㎜로 하였다. SiC 기판의 Warp는 0㎛로 하였다. SiC 기판의 영률은 480GPa, 푸아송비는 0.20으로 하였다. 표면층의 막 두께는 10㎛로 하였다. 여기서 표면층은 이온 주입에 의해 응력이 발생한 경우를 생각하여, 표면층의 영률 및 푸아송비는, SiC 기판과 동일한 값을 이용하였다.The simulation was performed in the following procedure. First, the physical properties of the SiC substrate and surface layers with different stresses were set. The physical property values to be set are the sheet thickness of the SiC substrate, the film thickness of the surface layer, Young's modulus, and Poisson's ratio. The thickness of the SiC substrate was 350 μm. The diameter of the SiC substrate was 150 mm. Warp of the SiC substrate was set to 0㎛. The Young's modulus of the SiC substrate was 480 GPa and Poisson's ratio was 0.20. The film thickness of the surface layer was 10 μm. Here, considering the case where stress was generated in the surface layer by ion implantation, the Young's modulus and Poisson's ratio of the surface layer were the same as those of the SiC substrate.

이어서, SiC 기판의 응력 분포와 표면층의 응력을 설정하였다. 우선 SiC 기판의 응력 분포를 설정하였다. SiC 기판의 제1 외주점(1)의 인장 응력을 제1 중심점(2)의 인장 응력보다 40MPa 크게 설정하였다. 즉, 제1 외주점(1)과 제1 중심점(2)의 응력차는 40MPa로 설정하고, 제1 외주점(1)이 제1 중심점보다 강하게 인장 응력이 걸리도록 설정하였다. 표면층의 전체에는, 응력으로서 60MPa를 인가하였다.Next, the stress distribution of the SiC substrate and the stress of the surface layer were set. First, the stress distribution of the SiC substrate was set. The tensile stress at the first peripheral point (1) of the SiC substrate was set to be 40 MPa greater than the tensile stress at the first central point (2). That is, the stress difference between the first peripheral point 1 and the first central point 2 was set to 40 MPa, and the tensile stress was set so that the first peripheral point 1 was stronger than the first central point. 60 MPa was applied as stress to the entire surface layer.

상기 조건에서 시뮬레이션을 행하고, 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨을 구하였다. 휨은, Warp로 평가하였다. 실시예 1의 휨(Warp)은 47㎛였다. 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨은, 표면층을 에피택셜층이라고 간주함으로써, 에피택셜 웨이퍼의 휨이라고 간주할 수 있다. 표면층이 에피택셜층의 경우에는, 에피택셜층의 막 두께나 불순물 농도차에 의존하는 응력차에 의해, Warp의 대소는 바뀌지만, 구해진 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨과 상관이 있음을 확인하였다.A simulation was performed under the above conditions, and the warpage of the SiC substrate with a surface layer was determined. Warp was evaluated by warp. The warp of Example 1 was 47㎛. The warp of a SiC substrate having a surface layer can be regarded as the warp of an epitaxial wafer by considering the surface layer as an epitaxial layer. In the case where the surface layer is an epitaxial layer, the size of warp changes depending on the stress difference depending on the film thickness of the epitaxial layer or the difference in impurity concentration, but it was confirmed that it is correlated with the warp of the SiC substrate with the obtained surface layer.

(실시예 2)(Example 2)

실시예 2는, SiC 기판의 제1 외주점(1)의 인장 응력을 제1 중심점(2)의 인장 응력보다 20MPa 크게 설정한 점이 실시예 1과 다르다. 즉, 제1 외주점(1)과 제1 중심점(2)의 응력차는, 20MPa로 설정하고, 제1 외주점(1)이 제1 중심점보다 강하게 인장 응력이 걸리도록 설정하였다. 그 밖의 파라미터는 실시예 1과 동일하게 하고, 실시예 1과 마찬가지로, 시뮬레이션으로 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨(Warp)을 구하였다. 실시예 2의 휨(Warp)은 78㎛였다.Example 2 is different from Example 1 in that the tensile stress at the first peripheral point 1 of the SiC substrate is set to be 20 MPa larger than the tensile stress at the first central point 2. That is, the stress difference between the first peripheral point 1 and the first central point 2 was set to 20 MPa, and the tensile stress was set so that the first peripheral point 1 was stronger than the first central point. Other parameters were the same as in Example 1, and as in Example 1, the warp of the SiC substrate with a surface layer was obtained through simulation. The warp of Example 2 was 78㎛.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

비교예 1은, SiC 기판의 제1 외주점(1)의 인장 응력을 제1 중심점(2)의 인장 응력과 동일하게 설정한 점이 실시예 1과 다르다. 즉, 제1 외주점(1)과 제1 중심점(2)의 응력차는, 0MPa로 설정하고, 제1 외주점(1)이 제1 중심점(2)과 동일한 응력이 걸리도록 설정하였다. 그 밖의 파라미터는 실시예 1과 동일하게 하고, 실시예 1과 마찬가지로, 시뮬레이션으로 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨(Warp)을 구하였다. 비교예 1의 휨(Warp)은 116㎛였다.Comparative Example 1 is different from Example 1 in that the tensile stress at the first peripheral point 1 of the SiC substrate is set to be the same as the tensile stress at the first central point 2. That is, the stress difference between the first peripheral point 1 and the first central point 2 was set to 0 MPa, and the first peripheral point 1 was set to receive the same stress as the first central point 2. Other parameters were the same as in Example 1, and as in Example 1, the warp of the SiC substrate with a surface layer was obtained through simulation. The warp of Comparative Example 1 was 116㎛.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

비교예 2는, SiC 기판의 제1 중심점(2)의 인장 응력을 제1 외주점(1)의 인장 응력보다 20MPa 크게 설정한 점이 실시예 1과 다르다. 즉, 제1 외주점(1)과 제1 중심점(2)의 응력차는 -20MPa로 설정하고, 제1 중심점(2)이 제1 외주점(1)보다 강하게 인장 응력이 걸리도록 설정하였다. 즉, 제1 외주점(1)은, 제1 중심점(2)보다 압축 응력이 걸려 있다. 그 밖의 파라미터는 실시예 1과 동일하게 한, 실시예 1과 마찬가지로, 시뮬레이션으로 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨(Warp)을 구하였다. 비교예 2의 휨(Warp)은 189㎛였다.Comparative Example 2 is different from Example 1 in that the tensile stress at the first central point 2 of the SiC substrate was set to be 20 MPa larger than the tensile stress at the first peripheral point 1. That is, the stress difference between the first peripheral point (1) and the first central point (2) was set to -20 MPa, and the tensile stress was set to be stronger at the first central point (2) than the first peripheral point (1). That is, the first peripheral point 1 is subjected to compressive stress more than the first central point 2. The warp of the SiC substrate with a surface layer was obtained through simulation as in Example 1, with other parameters being the same as in Example 1. The warp of Comparative Example 2 was 189㎛.

실시예 1, 2 및 비교예 1, 2의 결과를 표 1에 정리하였다.The results of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 are summarized in Table 1.

중앙부와 비교해서 외주부에 큰 인장 응력이 작용하고 있는 실시예 1 및 실시예 2는, 중앙부와 비교해서 외주부에 인장 응력이 작용하지 않는 비교예 1 및 외주부에 압축 응력이 작용하고 있는 비교예 2과 비교해서 표면층을 갖는 SiC 기판의 휨이 작았다. 즉 중앙부와 비교해서 외주부에 인장 응력을 갖는 기판에 있어서는, 선행 문헌에 나타낸 바와 같은, 중앙부와 비교해서 외주부에 인장 응력이 작용하지 않는 SiC 기판 및 외주부에 압축 응력이 작용하고 있는 SiC 기판보다, 에피택셜 웨이퍼 및 반도체 프로세스 중의 휨을 저감시킬 수 있다. Examples 1 and 2 in which a large tensile stress acts on the outer peripheral part compared to the central part, Comparative Example 1 in which no tensile stress acts on the outer peripheral part compared to the central part, and Comparative Example 2 in which compressive stress acts on the outer peripheral part. In comparison, the warpage of the SiC substrate with a surface layer was small. That is, in the case of a substrate having tensile stress on the outer periphery compared to the central portion, the epitaxial layer is higher than that of a SiC substrate on which no tensile stress acts on the outer peripheral portion compared to the central portion and a SiC substrate on which compressive stress acts on the outer peripheral portion as shown in prior literature. Warpage during taxial wafer and semiconductor processes can be reduced.

1: 제1 외주점
2: 제1 중심점
3: 제2 외주점
5: 외주부
6: 중심부
10: SiC 기판
10a: 제1 면
10b: 제2 면
11: SiC 에피택셜층
20: SiC 에피택셜 웨이퍼
hp: 최고점
lp: 최저점
sp: 지지점
Shp, Slp: 가상면
Sr: 기준면1: 1st outsourcing point
2: First center point
3: 2nd outsourcing branch
5: Outer periphery
6: Center
10: SiC substrate
10a: side 1
10b: Side 2
11: SiC epitaxial layer
20: SiC epitaxial wafer
hp: highest point
lp: lowest point
sp: support point
Shp, Slp: virtual plane
Sr: reference plane

Claims

It has a SiC substrate and a SiC epitaxial layer laminated on one side of the SiC substrate,
The diameter of the SiC substrate is 195 mm or more,
SiC epitaxial wafer with warp of 50㎛ or less.

According to paragraph 1,
On the surface of the SiC epitaxial layer, a support at a position overlapping with the inner circumference of 7.5 mm from the outermost periphery, and a SiC epitaxial with a Bow of 30 μm or less when the surface passing through the overlapping portion when viewed from the thickness direction is taken as a reference plane. Taxial wafer.

According to paragraph 1,
SiC epitaxial wafer with warp of 30㎛ or less.

According to paragraph 2,
A SiC epitaxial wafer where the Bow is 10㎛ or less.

According to paragraph 2,
A SiC epitaxial wafer where the Bow is -30㎛ or more.