KR20230167958A - A Method for manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법은, 복수의 반도체 발광 소자를 패널 기판에 전사하는 방법에 있어서, 패널 기판 상에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 패널 전극을 배치하는 단계; 상기 패널 전극 상에 이방성 전도층을 배치하는 단계; 제1 성장 기판에서 제1 반도체 발광 소자를 상기 제1 전극에 선택적 전사하는 단계; 상기 패널 전극과 상기 제1 반도체 발광 소자를 덮도록 비전도성 페이스트를 도포하는 단계; 제2 성장 기판에서 제2 반도체 발광 소자를 상기 제2 전극 상에 선택적 전사하는 단계; 및 상기 비전도성 페이스트, 상기 이방성 전도층 및 상기 제1, 제2 반도체 발광소자를 프레스부로 압착하는 단계;를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device according to an embodiment is a method of transferring a plurality of semiconductor light-emitting devices to a panel substrate, including disposing a panel electrode including a first electrode and a second electrode on the panel substrate. step; disposing an anisotropic conductive layer on the panel electrode; Selectively transferring a first semiconductor light emitting device from a first growth substrate to the first electrode; Applying a non-conductive paste to cover the panel electrode and the first semiconductor light emitting device; Selectively transferring a second semiconductor light emitting device from a second growth substrate onto the second electrode; and compressing the non-conductive paste, the anisotropic conductive layer, and the first and second semiconductor light emitting devices using a press unit.

Description

반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조방법{A Method for manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device}{A Method for manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device}

실시예는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 마이크로 LED를 패널 기판에 전사하는 방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device, and more specifically, to a method of transferring micro LEDs to a panel substrate.

대면적 디스플레이는 액정디스플레이(LCD), OLED 디스플레이, 그리고 마이크로-LED 디스플레이(Micro-LED display) 등이 있다.Large-area displays include liquid crystal displays (LCDs), OLED displays, and Micro-LED displays.

마이크로-LED 디스플레이는 100㎛ 이하의 직경 또는 단면적을 가지는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하는 디스플레이이다. A micro-LED display is a display that uses micro-LED, a semiconductor light emitting device with a diameter or cross-sectional area of 100㎛ or less, as a display element.

마이크로-LED 디스플레이는 반도체 발광소자인 마이크로-LED를 표시소자로 사용하기 때문에 명암비, 응답속도, 색 재현율, 시야각, 밝기, 해상도, 수명, 발광효율이나 휘도 등 많은 특성에서 우수한 성능을 가지고 있다.Because micro-LED displays use micro-LED, a semiconductor light-emitting device, as a display device, they have excellent performance in many characteristics such as contrast ratio, response speed, color gamut, viewing angle, brightness, resolution, lifespan, luminous efficiency, and luminance.

특히 마이크로-LED 디스플레이는 화면을 모듈 방식으로 분리, 결합할 수 있어 크기나 해상도 조절이 자유로운 장점 및 플렉서블 디스플레이 구현이 가능한 장점이 있다.In particular, the micro-LED display has the advantage of being able to freely adjust the size and resolution and implement a flexible display because the screen can be separated and combined in a modular manner.

그런데 대형 마이크로-LED 디스플레이는 수백만 개 이상의 마이크로-LED가 필요로 하기 때문에 마이크로-LED를 디스플레이 패널에 신속하고 정확하게 전사하기 어려운 기술적 문제가 있다.However, because large micro-LED displays require more than millions of micro-LEDs, there is a technical problem that makes it difficult to quickly and accurately transfer micro-LEDs to the display panel.

최근 개발되고 있는 전사기술에는 픽앤-플레이스 공법(pick and place process), 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off method) 또는 자가조립 방식(self-assembly method) 등이 있다.Transfer technologies that have been recently developed include the pick and place process, laser lift-off method, or self-assembly method.

이 중에 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off method)은 웨이퍼에서 R, G, B컬러를 발광하는 반도체 발광 소자들을 성장시킨 후 패널 기판으로 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off) 방식으로 전사하는 방식으로 만들어 지고 있다. Among these, the laser lift-off method is a method of growing semiconductor light-emitting devices that emit R, G, and B colors on a wafer and then transferring them to the panel substrate using the laser lift-off method. It is being made.

그런데, 성장 기판에서 패널 기판으로 반도체 발광 소자를 전사함에 있어서, , 종래기술에서는 성장 기판에서 패널 기판으로 직접 전사가 어렵고 도너 기판을 활용하는 중간 단계들을 거쳐서 전사하고 있다.However, in transferring a semiconductor light emitting device from a growth substrate to a panel substrate, in the prior art, it is difficult to transfer directly from the growth substrate to the panel substrate, and the transfer is performed through intermediate steps using a donor substrate.

예를 들어, 성장 기판에서 도너 기판으로 LED 칩을 LLO를 이용하여 1차 전사하고, 그 후 픽앤-플레이스 공법으로 패널 기판으로 도너 기판 상의 LED를 스탬프를 이용하여 전사가 진행되고 있다.For example, the LED chip is first transferred from the growth substrate to the donor substrate using LLO, and then the LED on the donor substrate is transferred to the panel substrate using a pick-and-place method using a stamp.

그런데 이러한 종래기술은 LLO를 이용한 1차 전사 및 스탬프를 이용한 픽앤-플레이스 전사로 인해 전사시간이 많이 소요될 뿐만 아니라 LED 칩과 패널 화소의 얼라인 이슈가 증대하여 고 정세 디스플레이까지에 적용이 어려운 문제가 있다.However, this prior art not only requires a lot of transfer time due to the primary transfer using LLO and the pick-and-place transfer using a stamp, but also increases alignment issues between LED chips and panel pixels, making it difficult to apply to high-definition displays. there is.

실시예의 기술적 과제는 반도체 발광 소자를 성장 기판에서 패널 기판으로 전사하는 과정에서 공정 수를 최소화한 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.The technical task of the embodiment is to provide a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device that minimizes the number of steps in the process of transferring the semiconductor light-emitting device from a growth substrate to a panel substrate.

또한, 실시예의 기술적 과제는 성장 기판에서 패널 기판으로 반도체 발광 소자를 직접 전사하면서 고 정밀 얼라인이 가능한 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조방법을 제공하는 것이다.In addition, the technical task of the embodiment is to provide a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device capable of high-precision alignment while directly transferring the semiconductor light-emitting device from the growth substrate to the panel substrate.

또한, 실시예의 기술적 과제는 LED 패널의 전기적 신뢰성을 향상시키는 것이다.Additionally, the technical challenge of the embodiment is to improve the electrical reliability of the LED panel.

또한, 실시예의 기술적 과제는 패널 기판 형성 시 수율을 향상시킨 제조방법을 제공하는 것이다.Additionally, the technical task of the embodiment is to provide a manufacturing method that improves yield when forming a panel substrate.

실시예의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 명세서로부터 파악될 수 있는 것을 포함한다.The tasks of the embodiment are not limited to the tasks mentioned above and include what can be understood from the specification.

실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법은, 패널 기판 상에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 패널 전극을 배치하는 단계; 상기 패널 전극 상에 이방성 전도층을 배치하는 단계; 제1 성장 기판에서 제1 반도체 발광 소자를 상기 제1 전극에 선택적 전사하는 단계; 상기 패널 전극과 상기 제1 반도체 발광 소자를 덮도록 비전도성 페이스트를 도포하는 단계; 제2 성장 기판에서 제2 반도체 발광 소자를 상기 제2 전극 상에 선택적 전사하는 단계; 및 상기 비전도성 페이스트, 상기 이방성 전도층 및 상기 제1, 제2 반도체 발광소자를 프레스부로 압착하는 단계;를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device according to an embodiment includes disposing a panel electrode including a first electrode and a second electrode on a panel substrate; disposing an anisotropic conductive layer on the panel electrode; Selectively transferring a first semiconductor light emitting device from a first growth substrate to the first electrode; Applying a non-conductive paste to cover the panel electrode and the first semiconductor light emitting device; selectively transferring a second semiconductor light emitting device from a second growth substrate onto the second electrode; and compressing the non-conductive paste, the anisotropic conductive layer, and the first and second semiconductor light emitting devices using a press unit.

또한, 다른 실시예에 있어서, 제3 성장 기판에서 제3 반도체 발광 소자를 제3 전극에 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.Additionally, in another embodiment, the step of transferring the third semiconductor light emitting device from the third growth substrate to the third electrode may be further included.

또한, 다른 실시예에 있어서, 상기 이방성 전도층과 상기 반도체 발광 소자 사이에 접착층을 배치할 수 있다.Additionally, in another embodiment, an adhesive layer may be disposed between the anisotropic conductive layer and the semiconductor light emitting device.

또한, 다른 실시예에 있어서, 상기 접착층은, 상기 제1 반도체 발광 소자 상에 배치될 수 있다.Additionally, in another embodiment, the adhesive layer may be disposed on the first semiconductor light emitting device.

또한, 다른 실시예에 있어서, 상기 패널 기판의 하면에서 UV를 조사하는 단계를 더 포함할 수 있다.Additionally, in another embodiment, the step of irradiating UV light to the lower surface of the panel substrate may be further included.

또한, 다른 실시예에 있어서, 상기 반도체 발광 소자를 전사하는 방법은 레이저리프트오프(LLO) 방식일 수 있다.Additionally, in another embodiment, the method of transferring the semiconductor light emitting device may be a laser lift-off (LLO) method.

또한, 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법은, 패널 기판 상에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 패널 전극을 배치하는 단계; 상기 패널 전극 상에 이방성 전도층을 배치하는 단계; 상기 패널 기판과 상기 이방성 전도층 상에 비전도성 페이스트를 도포하는 단계; 상기 비전도성 페이스트에서, 상기 이방성 전도층이 노출되도록 상기 패널 전극과 수직으로 중첩하는 영역에 홈부를 형성하는 단계; 상기 홈부에 반도체 발광 소자를 선택적 전사하는 단계; 및 상기 반도체 발광 소자, 비전도성 페이스트 및 상기 이방성 전도층을 프레스부로 압착하는 단계를 포함할 수 있다.Additionally, a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device according to an embodiment includes the steps of disposing a panel electrode including a first electrode and a second electrode on a panel substrate; disposing an anisotropic conductive layer on the panel electrode; Applying a non-conductive paste on the panel substrate and the anisotropic conductive layer; forming a groove in the non-conductive paste in a region that vertically overlaps the panel electrode to expose the anisotropic conductive layer; selectively transferring a semiconductor light emitting device to the groove; And it may include the step of pressing the semiconductor light emitting device, the non-conductive paste, and the anisotropic conductive layer with a press unit.

또한, 다른 실시예에 있어서, 상기 홈부에 전사되는 상기 반도체 발광 소자의 하면에 보호 캡이 배치될 수 있다.Additionally, in another embodiment, a protective cap may be disposed on the lower surface of the semiconductor light emitting device transferred to the groove.

실시예에 의하면 도너 기판을 사용하지 않고, 성장 기판에서 패널 기판으로 직접 전사하여 공정 수를 최소화할 수 있는 기술적 효과가 있다.According to the embodiment, there is a technical effect of minimizing the number of processes by directly transferring from the growth substrate to the panel substrate without using a donor substrate.

예를 들어, 비전도성 페이스트를 이용하여, 각각 다른 컬러를 발광하는 소자들의 부딪힘을 방지하고, 도너 기판 없이 직접 전사할 수 있다.For example, by using a non-conductive paste, elements emitting different colors can be prevented from colliding and transfer can be performed directly without a donor substrate.

또한, 실시에는 발광 소자 전사 시, 소자의 손상을 예방할 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, the implementation has the technical effect of preventing damage to the light emitting device when transferring it.

예를 들어, 발광 소자 하면에 깨짐 방지 보호캡을 형성하여, 소자의 파괴를 예방할 수 있다.For example, by forming a breakage prevention protective cap on the bottom of the light emitting device, destruction of the device can be prevented.

또한, 실시예는 성장 기판에서 패널 기판으로 반도체 발광 소자를 직접 전사하면서 발광 소자 전사 시, 얼라인 정확도를 높일 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, the embodiment has the technical effect of increasing alignment accuracy when transferring the light emitting device by directly transferring the semiconductor light emitting device from the growth substrate to the panel substrate.

또한, 실시예는 패널 기판 제조 시, 제조 비용과 택 타임을 저감할 수 있는 기술적 효과가 있다.Additionally, the embodiment has the technical effect of reducing manufacturing costs and tact times when manufacturing panel substrates.

도 1 내지 도 7은 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.
도 8은 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 개략적인 단면도이다.
도 9 내지 도 15는 제2 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.
도 16은 제2 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 개략적인 단면도이다.
도 17 내지 도 21은 제3 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.
도 22 내지 도 29는 제4 실시예에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다.1 to 7 are process diagrams for explaining a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device according to an embodiment.
Figure 8 is a schematic cross-sectional view of a display panel including a semiconductor light-emitting device according to an embodiment.
9 to 15 are process diagrams for explaining a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device according to a second embodiment.
Figure 16 is a schematic cross-sectional view of a display panel including a semiconductor light-emitting device according to a second embodiment.
17 to 21 are process diagrams for explaining a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device according to a third embodiment.
22 to 29 are process diagrams for explaining a method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.Hereinafter, embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the attached drawings. The attached drawings are intended to facilitate easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings. Additionally, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being 'on' another component, this includes either directly on the other element or there may be other intermediate elements in between. do.

본 명세서에서 설명되는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널은 디지털 TV, 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트(Slate) PC, 태블릿(Tablet) PC, 울트라 북(Ultra-Book), 데스크탑 컴퓨터 등에 이용될 수 있다. The display panel including the semiconductor light emitting device described in this specification is used in digital TVs, mobile phones, smart phones, laptop computers, digital broadcasting terminals, personal digital assistants (PDAs), and portable multimedia players (PMPs). , navigation, slate PC, tablet PC, ultra-book, desktop computer, etc.

이하에서는 도면을 참조하여 실시예에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

도 1 내지 도 8은 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 전사 과정을 나타내는 개략적인 단면도이다.1 to 8 are schematic cross-sectional views showing the transfer process of a semiconductor light emitting device according to an embodiment.

실시예에서 반도체 발광 소자는 Micro-LED나 Nano-LED일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.In the embodiment, the semiconductor light emitting device may be Micro-LED or Nano-LED, but is not limited thereto.

도 1을 참조하면, 복수 개의 패널 전극(120)들은 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 기판(110) 상에 배치된다. 각 패널 전극(120)들은 반도체 발광 소자가 전사되는 위치에 배치될 수 있으며, 하나의 발광 소자에 각각 대응하는 제1 전극(121), 제2 전극(122) 및 제3 전극(123)을 포함하는 패널 전극(120)이 배치될 수 있다. 이어서, 각각의 패널 전극(120) 상에는 이방성 전도층(130)이 배치될 수 있다. 이방성 전도층(130)은 도전 볼(134)을 포함하며, 도전 볼(314)은 압착이 되었을 때, 압착 받은 방향으로 전기적 전도성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 1, a plurality of panel electrodes 120 are disposed on a display panel substrate 110 including a semiconductor light emitting device. Each panel electrode 120 may be disposed at a position where a semiconductor light-emitting device is transferred, and includes a first electrode 121, a second electrode 122, and a third electrode 123, each corresponding to one light-emitting device. A panel electrode 120 may be disposed. Subsequently, an anisotropic conductive layer 130 may be disposed on each panel electrode 120. The anisotropic conductive layer 130 includes a conductive ball 134, and when the conductive ball 314 is compressed, it may have electrical conductivity in the direction in which it is compressed.

예를 들어, 제1 전극(121) 상에는 제1 이방성 전도층(131)이, 제2 전극(122) 상에는 제2 이방성 전도층(132)이, 제3 전극(123) 상에는 제3 이방성 전도층(133)이 배치될 수 있다. 하지만, 이에 한정하지 않고, 하나의 이방성 전도층(130)이 제1 전극(121), 제2 전극(122) 및 제3 전극(123)을 모두 덮도록 배치될 수 있다.For example, the first anisotropic conductive layer 131 is on the first electrode 121, the second anisotropic conductive layer 132 is on the second electrode 122, and the third anisotropic conductive layer is on the third electrode 123. (133) can be placed. However, the present invention is not limited to this, and one anisotropic conductive layer 130 may be disposed to cover all of the first electrode 121, the second electrode 122, and the third electrode 123.

다음으로 도 2를 참조하면, 제1 컬러를 발광하는 제1 반도체 발광 소자(141)들이 형성된 제1 성장 기판(211)이 패널 기판(110) 상에 위치한다. 제1 성장 기판(211)에서 제1 반도체 발광 소자(141)들이 형성된 면의 반대 면에서 레이저부(220)가 배치될 수 있다. Next, referring to FIG. 2, a first growth substrate 211 on which first semiconductor light emitting devices 141 that emit light of the first color are formed is positioned on the panel substrate 110. The laser unit 220 may be disposed on the surface of the first growth substrate 211 opposite to the surface on which the first semiconductor light emitting devices 141 are formed.

이어서, 레이저 리프트오프(LLO, Laser lift off) 방식에 의해 제1 성장 기판(211)에서 형성된 제1 반도체 발광 소자(141)가 이방성 전도층(130) 상으로 선택적 전사될 수 있다. 전사되는 제1 반도체 발광 소자(141)는 복수 개를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 성장 기판(211)에서 형성된 제3 반도체 발광 소자(143)가 이방성 전도층(130) 상으로 전사될 수 있다. 상기 제3 반도체 발광 소자(143)는 상기 제1 반도체 발광 소자(141)와 같은 컬러를 발광할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Subsequently, the first semiconductor light emitting device 141 formed on the first growth substrate 211 may be selectively transferred onto the anisotropic conductive layer 130 by a laser lift off (LLO) method. The transferred first semiconductor light emitting devices 141 may include a plurality. For example, the third semiconductor light emitting device 143 formed on the first growth substrate 211 may be transferred onto the anisotropic conductive layer 130. The third semiconductor light-emitting device 143 may emit the same color as the first semiconductor light-emitting device 141, but is not limited thereto.

또한, 제1 반도체 발광 소자(141)가 제1 이방성 전도층(131) 상에서 흔들림을 갖더라도, 소정의 본딩 영역 내에 위치한다면, 하기에 설명될 경화된 비전도성 페이스트에 의해 안정적으로 고정되어, 이후 공정에서 전기적 연결이 가능하다.In addition, even if the first semiconductor light emitting device 141 shakes on the first anisotropic conductive layer 131, if it is located within a predetermined bonding area, it is stably fixed by the cured non-conductive paste to be described below, Electrical connection is possible in the process.

한편, 패널 기판(110) 아래에는 UV를 조사하는 UV부(230)가 배치될 수 있다. UV부는 상부로 UV를 조사하여, 제1 이방성 전도층(131)과 제1 반도체 발광 소자(141) 간의 접착력을 강화시킬 수 있다.Meanwhile, a UV unit 230 that irradiates UV may be disposed under the panel substrate 110. The UV unit may irradiate UV upward to strengthen the adhesion between the first anisotropic conductive layer 131 and the first semiconductor light emitting device 141.

따라서, UV가 이방성 전도층(130)에 전달될 수 있도록, 패널 기판은 광이 투과하는 광 투과 기판일 수 있다. 또한, 패널 전극(120)들은 광이 투과할 수 있는 투명 전극일 수 있다. 또한, 이방성 전도층(130)은 광 투과가 가능한 투명한 절연물질을 포함할 수 있다.Accordingly, so that UV can be transmitted to the anisotropic conductive layer 130, the panel substrate may be a light-transmitting substrate through which light transmits. Additionally, the panel electrodes 120 may be transparent electrodes that allow light to pass through. Additionally, the anisotropic conductive layer 130 may include a transparent insulating material capable of transmitting light.

이어서, 도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 반도체 발광 소자(141)가 선택적 전사된 패널 기판(110) 상에 비전도성 페이스트(150)(NCP)가 배치될 수 있다. 비전도성 페이스트(150)는 패널 전극(120), 이방성 전도층(130), 제1 반도체 발광 소자(141), 제3 반도체 발광소자(143)들을 모두 덮도록 배치될 수 있다. 비전도성 페이스트(150)는 약 15㎛의 두께로 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. Next, referring to FIGS. 3 and 4 , a non-conductive paste 150 (NCP) may be disposed on the panel substrate 110 on which the first semiconductor light emitting device 141 is selectively transferred. The non-conductive paste 150 may be disposed to cover all of the panel electrode 120, the anisotropic conductive layer 130, the first semiconductor light-emitting device 141, and the third semiconductor light-emitting device 143. The non-conductive paste 150 may be formed to have a thickness of about 15㎛, but is not limited thereto.

다음으로 도 5를 참조하면, 제2 성장 기판(212)이 도 4에 개시된 패널 기판(110) 상에 위치할 수 있다. 제2 성장 기판(212)에는 제2 컬러를 발광하는 제2 반도체 발광 소자(142)들이 형성될 수 있다. Next, referring to FIG. 5 , the second growth substrate 212 may be positioned on the panel substrate 110 shown in FIG. 4 . Second semiconductor light emitting devices 142 that emit light of a second color may be formed on the second growth substrate 212.

이어서, 레이저리프트오프(LLO) 방식에 의해 제2 성장 기판(212)에서 형성된 제2 반도체 발광 소자(142)가 비전도성 페이스트(150) 상으로 선택적 전사될 수 있다. 전사되는 제2 반도체 발광 소자(142)는 복수 개를 포함할 수 있다.Subsequently, the second semiconductor light emitting device 142 formed on the second growth substrate 212 may be selectively transferred onto the non-conductive paste 150 by the laser lift-off (LLO) method. The transferred second semiconductor light emitting devices 142 may include a plurality.

제1 반도체 발광 소자(141)와 제2 반도체 발광 소자(142)는 비전도성 페이스트(150)를 사이에 두고 이격되어 있기 때문에, 서로 다른 반도체 발광 소자 간의 부딪힘이 없어서 소자의 손상을 예방할 수 있고, 제2 성장 기판에서도 레이저 리프트오프(LLO)를 통한 선택적 전사가 가능하다는 기술적 효과가 있다. 또한, 선택적 전사를 통해 반도체 발광 소자와 패널 전극간의 얼라인 정확도를 향상시킬 수 있는 기술적 효과가 있다.Since the first semiconductor light emitting device 141 and the second semiconductor light emitting device 142 are spaced apart with the non-conductive paste 150 in between, damage to the device can be prevented because there is no collision between different semiconductor light emitting devices, There is a technical effect in that selective transfer through laser lift-off (LLO) is possible even on the second growth substrate. In addition, there is a technical effect of improving the alignment accuracy between the semiconductor light emitting device and the panel electrode through selective transfer.

이어서 도 6 내지 도 8을 참조하면, 비전도성 페이스트(150) 상에 제2 반도체 발광 소자(142)가 전사된 상태에서 패널 기판(110) 상에 프레스부(240) 가 위치한다. 이어서 프레스부(240)는 패널 기판을 향하여 압착한다. 이 때, 제2 반도체 발광 소자(142)는 프레스부(240)에 의해 비전도성 페이스트(150) 내에 위치한 제2 전극(122)에 밀착할 수 있다. 또한, 이방성 전도층(130) 내에 위치한 도전 볼(134)은 프레스부(240)에 의해 압착되어, 압착된 방향으로 전기적 전도성을 가질 수 있다. Next, referring to FIGS. 6 to 8 , the press unit 240 is positioned on the panel substrate 110 with the second semiconductor light emitting device 142 transferred onto the non-conductive paste 150. Next, the press unit 240 presses the panel substrate. At this time, the second semiconductor light emitting device 142 may be in close contact with the second electrode 122 located in the non-conductive paste 150 by the press unit 240. Additionally, the conductive ball 134 located within the anisotropic conductive layer 130 may be compressed by the press unit 240 and have electrical conductivity in the direction in which it is compressed.

반면에, 도전 볼(134)은 탄성을 가지기 때문에 압착된 이후에 원래의 형태로 되돌아가려는 특성이 있다. 이에 따라, 경화된 비전도성 페이스트(150)가 도전 볼(134)을 압착된 형태로 고정시켜서 전기적 전도성을 유지시키므로 전기적 신뢰성이 향상되는 기술적 효과가 있다.On the other hand, since the conductive ball 134 has elasticity, it tends to return to its original form after being compressed. Accordingly, the cured non-conductive paste 150 maintains electrical conductivity by fixing the conductive ball 134 in a compressed form, which has the technical effect of improving electrical reliability.

또한, 프레스부(240)의 압착하는 면에서는 열이 발생할 수 있다. 프레스부(240)에서 발생한 열에 의해, 비전도성 페이스트(150)는 가경화되어 유동성을 가질 수 있다. 가경화된 비전도성 페이스트(150)는 전사된 반도체 발광 소자와 동일한 높이를 가질 수 있고, 반도체 발광 소자와 이방성 전도층 및 패널 전극의 사이로 침투할 수 있다.Additionally, heat may be generated on the pressing surface of the press unit 240. Due to the heat generated in the press unit 240, the non-conductive paste 150 may be pre-cured and have fluidity. The pre-cured non-conductive paste 150 may have the same height as the transferred semiconductor light-emitting device and may penetrate between the semiconductor light-emitting device, the anisotropic conductive layer, and the panel electrode.

또한 프레스부(240) 저면에는 유연성 기판이 배치되어 프레스부(240) 압착력이 프레스부(240)와 접촉되고 있는 반도체 발광소자들에 손상 없이 압력이 균일하게 진행될 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, since a flexible substrate is disposed on the bottom of the press unit 240, there is a technical effect in that the compression force of the press unit 240 can be applied uniformly without damaging the semiconductor light emitting devices in contact with the press unit 240.

이후, 프레스부(240)가 제거된 후, 온도가 하강하여 비전도성 페이스트(150)는 경화될 수 있다. 경화된 비전도성 페이스트에 의해 반도체 발광 소자와 이방성 전도층 및 패널 전극은 안정적으로 고정될 수 있다.Thereafter, after the press unit 240 is removed, the temperature decreases and the non-conductive paste 150 can be hardened. The semiconductor light emitting device, the anisotropic conductive layer, and the panel electrode can be stably fixed by the cured non-conductive paste.

따라서, 제1 전극(121)은 제1 반도체 발광 소자(141)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(122)은 제2 반도체 발광 소자(142)와 전기적으로 연결되고, 제3 전극(123)은 제3 반도체 발광 소자(143)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때, 제3 반도체 발광 소자(143)는 제1 반도체 발광 소자(141) 또는 제2 반도체 발광 소자(142)와 같은 컬러를 발광하는 소자일 수 있다.Accordingly, the first electrode 121 is electrically connected to the first semiconductor light-emitting device 141, the second electrode 122 is electrically connected to the second semiconductor light-emitting device 142, and the third electrode 123 may be electrically connected to the third semiconductor light emitting device 143. At this time, the third semiconductor light-emitting device 143 may be a device that emits the same color as the first semiconductor light-emitting device 141 or the second semiconductor light-emitting device 142.

한편, 패널 전극에 합착 본딩된 발광 소자들 상에 평탄화층(190)이 배치될 수 있다. 또한, 형광체층(191)은 평탄화층(190)상에 배치될 수 있다. 평탄화층(190)은 반도체 발광 소자에서 발생한 빛이 형광체층(191)에 전달되고 빛이 투과할 수 있는 물질을 포함한다. 반도체 발광 소자에서 발광하는 빛의 컬러는 형광체층(191)에 의해 특정 컬러로 변환할 수 있다. 따라서, 복수의 반도체 발광 소자(140)와 형광체층(191)에 의해 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널은 R, G, B 컬러를 구현할 수 있다.Meanwhile, the planarization layer 190 may be disposed on the light emitting devices that are cemented and bonded to the panel electrode. Additionally, the phosphor layer 191 may be disposed on the planarization layer 190. The planarization layer 190 includes a material that allows light generated from the semiconductor light emitting device to be transmitted to the phosphor layer 191 and transmit light. The color of light emitted from a semiconductor light emitting device can be converted to a specific color by the phosphor layer 191. Accordingly, a display panel including a semiconductor light emitting device using a plurality of semiconductor light emitting devices 140 and a phosphor layer 191 can implement R, G, and B colors.

따라서, 제1 실시예는 도너 기판 없이 성장 기판에서 패널 기판으로 직접 전사가 가능하다는 장점이 있다. 또한, 도너 기판을 활용하여 전사하는 중간 단계가 없기 때문에, 공정 수가 줄어들어 공정 비용과 택 타임이 저감되고, 수율이 증가하는 기술적 효과가 있다.Therefore, the first embodiment has the advantage of enabling direct transfer from the growth substrate to the panel substrate without a donor substrate. In addition, since there is no intermediate step of transferring using a donor substrate, the number of processes is reduced, which has the technical effect of reducing process cost and tack time, and increasing yield.

또한, 실시예는 성장 기판에서 패널 기판으로 반도체 발광 소자를 직접 전사하면서 발광 소자 전사 시, 얼라인 정확도를 높일 수 있는 기술적 효과가 있다.In addition, the embodiment has the technical effect of increasing alignment accuracy when transferring the light emitting device by directly transferring the semiconductor light emitting device from the growth substrate to the panel substrate.

다음으로 도 9 내지 도 15은 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 전사 방법을 나타낸 개략적인 단면도이다. 제2 실시예는 도 1 내지 도 8의 제1 실시예와 비교하여 접착층(161)이 상이하며 이러한 특징을 중심으로 기술하기로 한다..Next, FIGS. 9 to 15 are schematic cross-sectional views showing a method of transferring a semiconductor light emitting device according to a second embodiment. The second embodiment has a different adhesive layer 161 compared to the first embodiment of FIGS. 1 to 8, and will be described focusing on these features.

도 9를 참조하면, 접착층(161)이 이방성 전도층(130) 상에 배치될 수 있다. 접착층(161)은 복수 개의 이방성 전도층(130)을 모두 덮도록 배치될 수 있다. Referring to FIG. 9, the adhesive layer 161 may be disposed on the anisotropic conductive layer 130. The adhesive layer 161 may be arranged to cover all of the plurality of anisotropic conductive layers 130.

이어서, 도 10 및 도 11을 참조하면, 레이저 리프트오프(LLO) 방식에 의해, 제1 성장 기판(211)의 제1 반도체 발광 소자(141)가 접착층(161) 상으로 전사될 수 있다. 접착층(161)에 의해 제1 반도체 발광 소자(141)는 제1 전극(121)과 연결되는 본딩 영역에 안정적으로 안착될 수 있다. 전사되는 제1 반도체 발광 소자(141)는 복수 개를 포함할 수 있다. 또한 제3 전극(123) 상에 제3 반도체 발광소자(143)가 전사될 수 있다.Next, referring to FIGS. 10 and 11 , the first semiconductor light emitting device 141 of the first growth substrate 211 may be transferred onto the adhesive layer 161 by the laser lift-off (LLO) method. The first semiconductor light emitting device 141 can be stably seated in the bonding area connected to the first electrode 121 by the adhesive layer 161. The transferred first semiconductor light emitting devices 141 may include a plurality. Additionally, the third semiconductor light emitting device 143 may be transferred onto the third electrode 123.

이 때, 패널 기판 아래에 배치된 UV부(230)에서 조사하는 UV에 의해 접착층(161)의 접착력이 강화되어 제1 반도체 발광 소자(141)와 제3 반도체 발광소자(143)가 각각 제1 이방성 전도층(131) 및 제3 이방성 전도층(133)에 더욱 안정적으로 고정될 수 있다.At this time, the adhesive strength of the adhesive layer 161 is strengthened by UV irradiated from the UV unit 230 disposed below the panel substrate, so that the first semiconductor light emitting device 141 and the third semiconductor light emitting device 143 are each It can be more stably fixed to the anisotropic conductive layer 131 and the third anisotropic conductive layer 133.

이후, 도 12를 참조하면, 패널 기판(110) 상에 반도체 발광 소자(140), 접착층(161), 이방성 전도층(130), 및 패널 전극(120)을 모두 감싸도록 비전도성 페이스트(150)가 도포될 수 있다.Thereafter, referring to FIG. 12, a non-conductive paste 150 is applied to cover the semiconductor light emitting device 140, adhesive layer 161, anisotropic conductive layer 130, and panel electrode 120 on the panel substrate 110. may be applied.

그리고, 도 13을 참조하면, 비전도성 페이스트(150)가 도포된 패널 기판 상에, 제2 성장 기판이 위치할 수 있다. 또한, 제2 반도체 발광 소자는 제2 성장 기판에서 비전도성 페이스트 상으로 레이저 리프트오프(LLO) 방식에 의해 전사될 수 있다.And, referring to FIG. 13, a second growth substrate may be positioned on the panel substrate on which the non-conductive paste 150 is applied. Additionally, the second semiconductor light emitting device may be transferred from the second growth substrate onto the non-conductive paste using a laser lift-off (LLO) method.

이후 도 14 및 도 15를 참조하면, 프레스부(240)에 의해서, 제2 반도체 발광 소자(142)가 제2 전극(122)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 프레스부(240)에서 발생하는 열과 압력에 의해 경화된 비전도성 페이스트(150)와 접착층(161)의 접착력이 강화될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자들은 패널 전극과의 본딩 영역에 안정적으로 고정되어 전기적 신뢰성이 향상될 수 있다.Referring to FIGS. 14 and 15 , the second semiconductor light emitting device 142 may be electrically connected to the second electrode 122 by the press unit 240 . Additionally, the adhesion between the cured non-conductive paste 150 and the adhesive layer 161 may be strengthened by the heat and pressure generated in the press unit 240. Accordingly, the semiconductor light emitting devices can be stably fixed to the bonding area with the panel electrode, thereby improving electrical reliability.

다음으로 도 16을 참조하면, 패널 전극에 합착 본딩된 발광 소자들 상에 평탄화층(190)이 배치될 수 있다. 또한, 형광체층(191)은 평탄화층(190) 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(190)은 반도체 발광 소자에서 발생한 빛이 형광체층(191)에 전달되고 빛이 투과할 수 있는 물질을 포함한다. 반도체 발광 소자에서 발광하는 빛의 컬러는 형광체층(191)에 의해 특정 컬러로 변환할 수 있다. 따라서, 복수의 반도체 발광 소자(140)와 형광체층(191)에 의해 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널은 R, G, B 컬러를 구현할 수 있다.Next, referring to FIG. 16, a planarization layer 190 may be disposed on the light emitting devices that are cemented and bonded to the panel electrode. Additionally, the phosphor layer 191 may be disposed on the planarization layer 190. The planarization layer 190 includes a material that allows light generated from the semiconductor light emitting device to be transmitted to the phosphor layer 191 and transmit light. The color of light emitted from a semiconductor light emitting device can be converted to a specific color by the phosphor layer 191. Accordingly, a display panel including a semiconductor light emitting device using a plurality of semiconductor light emitting devices 140 and a phosphor layer 191 can implement R, G, and B colors.

따라서, 제2 실시예는 도너 기판 없이 성장 기판에서 패널 기판으로 직접 전사가 가능하다는 장점이 있다. 또한, 도너 기판을 활용하여 전사하는 중간 단계가 없기 때문에, 공정 수가 줄어들어 공정 비용과 택 타임이 저감되고, 수율이 증가하는 기술적 효과가 있다. 또한, 접착층을 이용하여, 반도체 발광 소자가 패널 전극과의 본딩 영역에 강하게 고정되어 전기적 신뢰성이 향상될 수 있는 기술적 효과가 있다.Therefore, the second embodiment has the advantage of enabling direct transfer from the growth substrate to the panel substrate without a donor substrate. In addition, since there is no intermediate step of transferring using a donor substrate, the number of processes is reduced, which has the technical effect of reducing process cost and tack time, and increasing yield. In addition, by using the adhesive layer, the semiconductor light emitting device is strongly fixed to the bonding area with the panel electrode, which has the technical effect of improving electrical reliability.

다음으로 도 17 내지 도 21은 제3 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 전사 방법을 나타낸 개략적인 단면도이다.Next, Figures 17 to 21 are schematic cross-sectional views showing a method of transferring a semiconductor light emitting device according to a third embodiment.

도 17 및 도 18을 참조하면, 제1 전극(121) 상에 제1 반도체 발광 소자(141)가 전사되고, 제2 전극(122) 상에 제2 반도체 발광 소자(142)가 전사될 수 있다. 이 때, 이방성 전도층(130)과 반도체 발광 소자(140) 사이에는 접착층(161)이 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 17 and 18 , the first semiconductor light emitting device 141 may be transferred onto the first electrode 121 and the second semiconductor light emitting device 142 may be transferred onto the second electrode 122. . At this time, an adhesive layer 161 may be disposed between the anisotropic conductive layer 130 and the semiconductor light emitting device 140.

이어서, 도 19 내지 도 21을 참조하면, 제3 전극(123) 상에 제3 반도체 발광 소자(143)가 전사될 수 있다. 이후, 프레스부(240)에 의해 제1 반도체 발광 소자(141), 제2 반도체 발광 소자(142), 및 제3 반도체 발광 소자(143)가 각각 제1 전극(121), 제2 전극(122) 및 제3 전극(123)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 비전도성 페이스트(150)와 접착층(161)이 압착됨으로 인해 접착력이 향상되어서 반도체 발광 소자가 패널 전극 및 이방성 전도층의 본딩 영역에 안정적으로 고정될 수 있다.Next, referring to FIGS. 19 to 21 , the third semiconductor light emitting device 143 may be transferred onto the third electrode 123. Thereafter, the first semiconductor light emitting device 141, the second semiconductor light emitting device 142, and the third semiconductor light emitting device 143 are formed by the press unit 240, respectively, into the first electrode 121 and the second electrode 122. ) and may be electrically connected to the third electrode 123. In addition, as the non-conductive paste 150 and the adhesive layer 161 are compressed, the adhesive strength is improved, so that the semiconductor light emitting device can be stably fixed to the bonding area of the panel electrode and the anisotropic conductive layer.

다음으로 도 22 내지 도 29는 제4 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 전사 방법을 나타낸 개략적인 단면도이다. Next, FIGS. 22 to 29 are schematic cross-sectional views showing a method of transferring a semiconductor light emitting device according to a fourth embodiment.

도 22 내지 도 24를 참조하면, 패널 기판(110) 상에 패널 전극(120)과 이방성 전도층(130)이 비전도성 페이스트(150)에 의해 덮여 있다. 이후 비전도성 페이스트(150)는 프레임부(240)에 의해 압착될 수 있다. 한편, 프레임부(240)는 반도체 발광 소자가 전사될 위치에 대응하는 부분에 프레임 돌출부(251)를 구비할 수 있다.22 to 24, the panel electrode 120 and the anisotropic conductive layer 130 are covered with a non-conductive paste 150 on the panel substrate 110. Thereafter, the non-conductive paste 150 may be compressed by the frame portion 240. Meanwhile, the frame portion 240 may be provided with a frame protrusion 251 at a portion corresponding to a position where the semiconductor light emitting device is to be transferred.

프레임 돌출부(251)에 의해 압착된 비전도성 페이스트(150)에는 홈부(170)가 형성될 수 있다. 홈부(170)는 이후 반도체 발광 소자가 전사될 영역에 해당할 수 있다. 또한, 홈부(170)는 드라이 에칭 등으로 형성될 수 있다.A groove 170 may be formed in the non-conductive paste 150 pressed by the frame protrusion 251. The groove 170 may correspond to an area into which the semiconductor light emitting device will later be transferred. Additionally, the groove portion 170 may be formed by dry etching, etc.

제1 반도체 발광 소자(141)가 전사될 영역과 제2 반도체 발광 소자(142)가 전사될 영역 사이에는 비전도성 페이스트(150)가 격벽 역할을 수행하기 때문에, 전사 과정에서 서로 다른 발광 소자 간에 부딪힘을 방지할 수 있으며, 성장기판에서 직접 선택적 전사가 가능하다는 기술적 효과가 있다.Since the non-conductive paste 150 serves as a partition between the area where the first semiconductor light-emitting device 141 is to be transferred and the area where the second semiconductor light-emitting device 142 is to be transferred, different light-emitting devices collide during the transfer process. It can prevent and has the technical effect of enabling selective transcription directly from the growth substrate.

한편, 도 25을 참조하면, 제1 성장 기판에 형성된 제1 반도체 발광 소자의 일면에는 보호 캡(180)이 형성될 수 있다. 이후, 레이저 리프트오프(LLO)의 방식에 의해 보호 캡(180)이 패널 기판(110)을 향하는 방향으로 제1 전극(121)에 제1 반도체 발광 소자(141)가 전사될 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 25, a protection cap 180 may be formed on one surface of the first semiconductor light emitting device formed on the first growth substrate. Thereafter, the first semiconductor light emitting device 141 may be transferred to the first electrode 121 in the direction in which the protective cap 180 faces the panel substrate 110 by using a laser lift-off (LLO) method.

그리고, 도 26 및 도 27을 참조하면, 제2 반도체 발광 소자(142) 및 제3 반도체 발광 소자(143) 또한 보호 캡(180)이 형성된 상태로 패널 기판(110)에 전사될 수 있다. 전사 과정에서 보호 캡(180)에 의해 반도체 발광 소자의 손상을 예방할 수 있다.And, referring to FIGS. 26 and 27 , the second semiconductor light emitting device 142 and the third semiconductor light emitting device 143 may also be transferred to the panel substrate 110 with the protective cap 180 formed thereon. Damage to the semiconductor light emitting device can be prevented by the protective cap 180 during the transfer process.

이후, 도 28 및 도 29를 참조하면, 전사된 제1, 제2 및 제3 반도체 발광 소자와 비전도성 페이스트(150)는 프레스부(240)에 의해 압착되고, 도전 볼이 압력을 받아 전도성을 가지게 되어 반도체 발광 소자들은 패널 전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 압착 과정에서 반도체 발광 소자는 보호 캡(180)에 의해 손상이 방지될 수 있다.Thereafter, referring to FIGS. 28 and 29, the transferred first, second, and third semiconductor light emitting devices and the non-conductive paste 150 are pressed by the press unit 240, and the conductive balls are pressed to become conductive. As a result, the semiconductor light emitting devices can be electrically connected to the panel electrode 120. During the compression process, the semiconductor light emitting device can be prevented from being damaged by the protective cap 180.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니 되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as restrictive in any respect and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

110: 패널 기판
120: 패널 전극
121: 제1 전극
122: 제2 전극
123: 제3 전극
130: 이방성 전도층
131: 제1 이방성 전도층
132: 제2 이방성 전도층
133: 제3 이방성 전도층
134: 도전 볼
140: 반도체 발광 소자
141: 제1 반도체 발광 소자
142: 제2 반도체 발광 소자
143: 제3 반도체 발광 소자
150: 비전도성 페이스트(NCP)
161: 접착층
170: 홈부
180: 보호 캡
190: 평탄화층
191: 형광체층
211: 제1 성장 기판
212: 제2 성장 기판
213: 제3 성장 기판
220: 레이저부
230: UV부
240: 프레스부
250: 프레임부
251: 프레임 돌출부110: panel board
120: panel electrode
121: first electrode
122: second electrode
123: third electrode
130: Anisotropic conductive layer
131: first anisotropic conductive layer
132: second anisotropic conductive layer
133: Third anisotropic conductive layer
134: Challenge Ball
140: Semiconductor light emitting device
141: First semiconductor light emitting device
142: Second semiconductor light emitting device
143: Third semiconductor light emitting device
150: Non-conductive paste (NCP)
161: Adhesive layer
170: Home department
180: protective cap
190: Flattening layer
191: Phosphor layer
211: first growth substrate
212: second growth substrate
213: Third growth substrate
220: Laser unit
230: UV section
240: Press department
250: frame part
251: frame protrusion

Claims (11)

복수의 반도체 발광 소자를 패널 기판에 전사하는 방법에 있어서,
패널 기판 상에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 패널 전극을 배치하는 단계;
상기 패널 전극 상에 이방성 전도층을 배치하는 단계;
제1 성장 기판에서 제1 반도체 발광 소자를 상기 제1 전극에 선택적 전사하는 단계;
상기 패널 전극과 상기 제1 반도체 발광 소자를 덮도록 비전도성 페이스트를 도포하는 단계;
제2 성장 기판에서 제2 반도체 발광 소자를 상기 제2 전극 상에 선택적 전사하는 단계; 및
상기 비전도성 페이스트, 상기 이방성 전도층 및 상기 제1, 제2 반도체 발광소자를 프레스부로 압착하는 단계;를 포함하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.In a method of transferring a plurality of semiconductor light emitting devices to a panel substrate,
Disposing panel electrodes including a first electrode and a second electrode on a panel substrate;
disposing an anisotropic conductive layer on the panel electrode;
Selectively transferring a first semiconductor light emitting device from a first growth substrate to the first electrode;
Applying a non-conductive paste to cover the panel electrode and the first semiconductor light emitting device;
selectively transferring a second semiconductor light emitting device from a second growth substrate onto the second electrode; and
Compressing the non-conductive paste, the anisotropic conductive layer, and the first and second semiconductor light emitting devices using a press unit. 제1항에 있어서,
제3 성장 기판에서 제3 반도체 발광 소자를 제3 전극에 전사하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device, further comprising transferring the third semiconductor light-emitting device to a third electrode on a third growth substrate. 제1항에 있어서,
상기 이방성 전도층과 상기 반도체 발광 소자 사이에 접착층을 배치하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device, further comprising disposing an adhesive layer between the anisotropic conductive layer and the semiconductor light-emitting device. 제3항에 있어서,
상기 접착층은,
상기 제1 반도체 발광 소자 상에 배치되는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 3,
The adhesive layer is,
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device disposed on the first semiconductor light-emitting device. 제1항에 있어서,
상기 패널 기판의 하면에서 UV를 조사하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light emitting device further comprising irradiating UV light on a lower surface of the panel substrate. 제1항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자를 전사하는 방법은 레이저 리프트오프(LLO) 방식인 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device, wherein the method of transferring the semiconductor light-emitting device is a laser lift-off (LLO) method. 패널 기판 상에 제1 전극, 제2 전극을 포함하는 패널 전극을 배치하는 단계;
상기 패널 전극 상에 이방성 전도층을 배치하는 단계;
상기 패널 기판과 상기 이방성 전도층 상에 비전도성 페이스트를 도포하는 단계;
상기 비전도성 페이스트에서, 상기 이방성 전도층이 노출되도록 상기 패널 전극과 수직으로 중첩하는 영역에 홈부를 형성하는 단계;
상기 홈부에 반도체 발광 소자를 선택적 전사하는 단계; 및
상기 반도체 발광 소자, 상기 비전도성 페이스트 및 상기 이방성 전도층을 프레스부로 압착하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.Disposing panel electrodes including a first electrode and a second electrode on a panel substrate;
disposing an anisotropic conductive layer on the panel electrode;
Applying a non-conductive paste on the panel substrate and the anisotropic conductive layer;
forming a groove in the non-conductive paste in a region that vertically overlaps the panel electrode to expose the anisotropic conductive layer;
selectively transferring a semiconductor light emitting device to the groove; and
A method of manufacturing a display panel including a semiconductor light-emitting device, comprising pressing the semiconductor light-emitting device, the non-conductive paste, and the anisotropic conductive layer with a press. 제7항에 있어서,
상기 홈부에 전사되는 상기 반도체 발광 소자의 하면에 보호 캡이 배치되는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.In clause 7,
A display panel manufacturing method including a semiconductor light-emitting device in which a protective cap is disposed on a lower surface of the semiconductor light-emitting device that is transferred to the groove. 제1항 또는 제8항에 있어서,
상기 패널 전극은 광 투과가 가능한 투명 전극인 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to claim 1 or 8,
A method of manufacturing a display panel wherein the panel electrode includes a semiconductor light-emitting device that is a transparent electrode capable of transmitting light. 제1항 또는 제8항에 있어서,
상기 반도체 발광 소자 상에 평탄화층이 배치되고,
상기 평탄화층 상에 상기 복수의 반도체 발광 소자 중 적어도 어느 하나와 수직으로 중첩되도록 형광체층이 배치되는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to claim 1 or 8,
A planarization layer is disposed on the semiconductor light emitting device,
A display panel manufacturing method including a semiconductor light-emitting device in which a phosphor layer is disposed on the planarization layer to vertically overlap at least one of the plurality of semiconductor light-emitting devices. 제1항에 있어서,
상기 이방성 전도층은 일체형으로 형성되어 제1 전극 및 제2 전극전극을 모두 덮는 반도체 발광소자를 포함하는 디스플레이 패널 제조 방법.According to paragraph 1,
A method of manufacturing a display panel, wherein the anisotropic conductive layer is formed integrally and includes a semiconductor light emitting device covering both the first electrode and the second electrode.
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