KR102330553B1 - Display device using micro led and method for producing the same - Google Patents

Display device using micro led and method for producing the same Download PDF

Info

Publication number
KR102330553B1
KR102330553B1 KR1020190152572A KR20190152572A KR102330553B1 KR 102330553 B1 KR102330553 B1 KR 102330553B1 KR 1020190152572 A KR1020190152572 A KR 1020190152572A KR 20190152572 A KR20190152572 A KR 20190152572A KR 102330553 B1 KR102330553 B1 KR 102330553B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
connection electrode
display device
light emitting
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1020190152572A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200026769A (en
Inventor
박정운
김정안
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Publication of KR20200026769A publication Critical patent/KR20200026769A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102330553B1 publication Critical patent/KR102330553B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76895—Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/03—Manufacturing methods
    • H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
    • H01L2224/0343—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in solid form
    • H01L2224/03436—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
    • H01L2224/0344—Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer by transfer printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 특히, 수㎛ 내지 수십㎛ 크기의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 광투과성 물질로 이루어지는 베이스부 및 상기 베이스부 상에 배치되는 배선 전극을 구비하는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 복수의 광원 모듈을 포함하고, 상기 광원 모듈은 연결 전극 및 상기 연결 전극 사이에 형성되며 광투과성 물질로 이루어지는 전극 지지부를 구비하는 연결전극층 및 상기 연결전극층 상에 배치되며, 상기 연결 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들을 구비하고, 상기 반도체 발광소자와 상기 배선 전극이 전기적으로 연결되도록, 상기 연결전극은 상기 배선 전극과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치를 제공한다. The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device and a manufacturing method using a semiconductor light emitting device having a size of several μm to several tens of μm. The present invention includes a substrate including a base portion made of a light-transmitting material and a wiring electrode disposed on the base portion, and a plurality of light source modules disposed on the substrate, wherein the light source module is disposed between a connection electrode and the connection electrode. A connection electrode layer formed on a surface of the lithography layer having an electrode support made of a light-transmitting material, and a plurality of semiconductor light emitting devices disposed on the connection electrode layer and electrically connected to the connection electrode, wherein the semiconductor light emitting device and the wiring electrode are To be electrically connected, the connection electrode provides a transparent display device, characterized in that overlapping with the wiring electrode.

Figure R1020190152572
Figure R1020190152572

Description

마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE USING MICRO LED AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME}Display device using micro LED and manufacturing method thereof

본 발명은 디스플레이 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 특히, 수㎛ 내지 수십㎛ 크기의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device and a manufacturing method using a semiconductor light emitting device having a size of several μm to several tens of μm.

최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.Recently, in the field of display technology, display devices having excellent characteristics, such as thin and flexible, have been developed. In contrast, currently commercialized main displays are represented by LCD (Liguid Crystal Display) and AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diodes).

한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.On the other hand, a light emitting diode (Light Emitting Diode: LED) is a well-known semiconductor light emitting device that converts electric current into light. It has been used as a light source for display images of electronic devices including communication devices. Accordingly, a method for solving the above problems by implementing a display using the semiconductor light emitting device may be proposed.

삭제delete

본 발명은 투명도가 향상된 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a display device having improved transparency and a method for manufacturing the same.

또한, 본 발명은 고화질의 대면적 투명 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a high-quality, large-area transparent display device and a method for manufacturing the same.

또한, 본 발명은 대면적 투명 디스플레이 장치를 구현 함에 있어서, 광원 모듈간 이음부로 인하여 화질이 저하되는 것을 방지하기 위한 구조를 제공하기 위한 것이다.Another object of the present invention is to provide a structure for preventing image quality from being deteriorated due to a joint between light source modules in realizing a large-area transparent display device.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 광투과성 물질로 이루어지는 베이스부 및 상기 베이스부 상에 배치되는 배선 전극을 구비하는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 복수의 광원 모듈을 포함하고, 상기 광원 모듈은 연결 전극 및 상기 연결 전극 사이에 형성되며 광투과성 물질로 이루어지는 전극 지지부를 구비하는 연결전극층 및 상기 연결전극층 상에 배치되며, 상기 연결 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들을 구비하고, 상기 반도체 발광소자와 상기 배선 전극이 전기적으로 연결되도록, 상기 연결전극은 상기 배선 전극과 오버랩되는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention includes a substrate having a base portion made of a light-transmitting material and a wiring electrode disposed on the base portion, and a plurality of light source modules disposed on the substrate, the light source module a connection electrode layer formed between the connection electrode and the connection electrode, the connection electrode layer having an electrode support made of a light-transmitting material, and a plurality of semiconductor light emitting devices disposed on the connection electrode layer and electrically connected to the connection electrode; Provided is a transparent display device, wherein the connection electrode overlaps the wiring electrode so that the semiconductor light emitting device and the wiring electrode are electrically connected.

일 실시 예에 있어서, 상기 광원 모듈은 상기 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되며, 광투과성 물질로 이루어지는 평탄층을 더 포함할 수 있다.In an embodiment, the light source module is disposed to cover the semiconductor light emitting devices, and may further include a planarization layer made of a light-transmitting material.

일 실시 예에 있어서, 본 발명은 상기 복수의 광원 모듈 사이에 충전되며, 광투과성 물질로 이루어지는 고정부를 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the present invention is charged between the plurality of light source modules, may further include a fixing part made of a light-transmitting material.

일 실시 예에 있어서, 상기 고정부는 상기 평탄층을 덮도록, 상기 광원 모듈의 일단에서 연장될 수 있다. In an embodiment, the fixing part may extend from one end of the light source module to cover the flattening layer.

일 실시 예에 있어서, 상기 고정부 및 평탄층은 동일한 소재로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the fixing part and the planarization layer may be made of the same material.

일 실시 예에 있어서, 상기 연결 전극은 금속 메쉬로 이루어질 수 있다.In an embodiment, the connection electrode may be formed of a metal mesh.

일 실시 예에 있어서, 상기 전극 지지부의 두께는 상기 연결 전극의 두께와 같거나, 상기 연결 전극의 두께보다 작을 수 있다.In an embodiment, a thickness of the electrode support part may be the same as a thickness of the connection electrode or smaller than a thickness of the connection electrode.

또한, 본 발명은, 제1임시 기판 상에 금속층을 증착하는 단계, 연결 전극이 형성되도록, 상기 금속층을 에칭하는 단계, 상기 연결 전극 사이로 광투과성 레진을 도포한 후 경화시키는 단계, 상기 연결 전극 상에 제2임시 기판을 부착하고, 상기 제1임시 기판을 제거 하는 단계, 상기 연결 전극 상에 반도체 발광소자들을 전사하는 단계 및 상기 반도체 발광소자 상에 평탄층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 연결 전극 사이로 광투과성 레진을 도포한 후 경화시키는 단계는, 상기 광투과성 레진 층의 두께가 상기 연결 전극의 두께와 같거나, 상기 연결 전극의 두께보다 작아지도록 수행될 수 있다.In addition, the present invention includes the steps of depositing a metal layer on a first temporary substrate, etching the metal layer to form a connection electrode, applying a light-transmitting resin between the connection electrodes and then curing, on the connection electrode attaching a second temporary substrate to the substrate, removing the first temporary substrate, transferring the semiconductor light emitting devices on the connection electrode, and forming a planarization layer on the semiconductor light emitting device, wherein the connection The step of applying and curing the light-transmitting resin between the electrodes may be performed such that the thickness of the light-transmitting resin layer is the same as the thickness of the connection electrode or smaller than the thickness of the connection electrode.

일 실시 예에 있어서, 상기 연결 전극 및 광투과성 레진 층에 대한 접착력은 상기 제1임시 기판이 상기 제2임시 기판보다 클 수 있다. In an embodiment, the adhesive force to the connection electrode and the light-transmitting resin layer may be greater in the first temporary substrate than the second temporary substrate.

일 실시 예에 있어서, 상기 광투과성 레진 층과 상기 평탄층은 동일한 소재로 이루어질 수 있다. In an embodiment, the light-transmitting resin layer and the planarization layer may be made of the same material.

본 발명에 따르면, 광원 모듈간의 경계가 눈에 보이지 않기 때문에, 광원 모듈간 이음부로 인하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다. 본 발명에 따르면, 광원 모듈간 연결이 자유로워 지기 때문에, 화질 저하 없이 다양한 크기의 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다. According to the present invention, since the boundary between the light source modules is invisible, it is possible to prevent the image quality from being deteriorated due to the joint between the light source modules. According to the present invention, since the connection between the light source modules is free, it is possible to implement display devices of various sizes without deterioration of image quality.

도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 단면도이다.
도 3은 배선 전극의 형태를 나타내는 개념도이다.
도 4는 광원 모듈의 단면도이다.
도 5a 내지 5c는 연결 전극의 구현 예를 나타내는 개념도이다.
도 6은 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 7은 플립 칩 타입의 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 광원 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이다.
도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 10은 복수의 광원 모듈을 이용하여 제조된 디스플레이 장치를 나타내는 개념도이다.
도 11 및 12는 본 발명에 따른 광원 모듈의 일 실시 예를 나타내는 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.
2 is a cross-sectional view of a display device according to the present invention.
3 is a conceptual diagram illustrating a shape of a wiring electrode.
4 is a cross-sectional view of a light source module.
5A to 5C are conceptual views illustrating an embodiment of a connection electrode.
6 is a cross-sectional view illustrating a vertical semiconductor light emitting device.
7 is a cross-sectional view illustrating a flip chip type semiconductor light emitting device.
8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light source module according to the present invention.
9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to the present invention.
10 is a conceptual diagram illustrating a display device manufactured using a plurality of light source modules.
11 and 12 are conceptual views illustrating an embodiment of a light source module according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. The suffixes "module" and "part" for the components used in the following description are given or mixed in consideration of only the ease of writing the specification, and do not have a meaning or role distinct from each other by themselves. In addition, in describing the embodiments disclosed in the present specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in the present specification, the detailed description thereof will be omitted. In addition, it should be noted that the accompanying drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in the present specification, and should not be construed as limiting the technical spirit disclosed herein by the accompanying drawings.

또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.It is also understood that when an element, such as a layer, region, or substrate, is referred to as being “on” another component, it may be directly on the other element or intervening elements in between. There will be.

본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.The display device described in this specification includes a mobile phone, a smart phone, a laptop computer, a digital broadcasting terminal, a personal digital assistant (PDA), a portable multimedia player (PMP), a navigation system, and a slate PC. , Tablet PC, Ultra Book, digital TV, desktop computer, and the like. However, it will be readily apparent to those skilled in the art that the configuration according to the embodiment described in this specification may be applied to a display capable device even in a new product form to be developed later.

도 1은 본 발명의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating an embodiment of a display device using a semiconductor light emitting device of the present invention.

도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 디스플레이 모듈(140)에서 출력될 수 있다. 상기 디스플레이 모듈의 테두리를 감싸는 폐루프 형태의 케이스가 상기 디스플레이 장치의 베젤을 형성할 수 있다. As illustrated, information processed by the control unit of the display apparatus 100 may be output from the display module 140 . A closed-loop case surrounding the edge of the display module may form a bezel of the display device.

상기 디스플레이 모듈(140)은 영상이 표시되는 패널을 구비하고, 상기 패널은 마이크로 크기의 반도체 발광소자와 상기 반도체 발광소자가 장착되는 배선기판을 구비할 수 있다.The display module 140 may include a panel on which an image is displayed, and the panel may include a micro-sized semiconductor light emitting device and a wiring board on which the semiconductor light emitting device is mounted.

상기 배선기판에는 배선이 형성되어, 상기 반도체 발광소자의 n형 전극 및 p형 전극과 연결될 수 있다. 이를 통하여, 상기 반도체 발광소자는 자발광하는 개별화소로서 상기 배선기판 상에 구비될 수 있다. A wiring may be formed on the wiring board to be connected to the n-type electrode and the p-type electrode of the semiconductor light emitting device. Through this, the semiconductor light emitting device may be provided on the wiring board as an individual pixel that emits light.

상기 패널에 표시되는 영상은 시각 정보로서, 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 상기 배선을 통하여 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다.The image displayed on the panel is visual information and is realized by independently controlling the light emission of sub-pixels arranged in a matrix form through the wiring.

본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 마이크로 LED(Light Emitting Diode)를 예시한다. 상기 마이크로 LED는 100마이크로 이하의 작은 크기로 형성되는 발광 다이오드가 될 수 있다. 상기 반도체 발광소자(150)는 청색, 적색 및 녹색이 발광영역에 각각 구비되어 이들의 조합에 의하여 단위 화소가 구현될 수 있다. 즉, 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미하며, 상기 단위 화소 내에 적어도 3개의 마이크로 LED가 구비될 수 있다.In the present invention, a micro LED (Light Emitting Diode) is exemplified as a kind of semiconductor light emitting device that converts electric current into light. The micro LED may be a light emitting diode formed in a small size of 100 micro or less. In the semiconductor light emitting device 150 , blue, red, and green colors are provided in the light emitting region, respectively, and a unit pixel may be realized by a combination thereof. That is, the unit pixel means a minimum unit for realizing one color, and at least three micro LEDs may be provided in the unit pixel.

이하, 본 발명에 따른 디스플레이 장치에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a display device according to the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 단면도이고, 도 3은 배선 전극의 형태를 나타내는 개념도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of a display device according to the present invention, and FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a shape of a wiring electrode.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는 기판(310), 광원 모듈(320)을 구비한다. 다만, 이에 한정되지 않고, 본 발명은 상술한 구성요소보다 많은 구성요소를 포함할 수 있다. 이하, 상술한 구성요소에 대하여 구체적으로 설명한다. The display device according to the present invention includes a substrate 310 and a light source module 320 . However, the present invention is not limited thereto, and the present invention may include more components than the above-described components. Hereinafter, the above-described components will be described in detail.

상기 기판(310)은 베이스부(311) 및 배선 전극(312)을 구비한다. 상기 베이스부(311)는 평판 형태로 이루어지며, 필요에 따라 플렉서블한 재질로 이루어질 수 있다. 디스플레이 장치에 포함된 구성요소들을 지지하는 역할을 한다. 상기 베이스부(311)는 광투과성 물질로 이루어진다. The substrate 310 includes a base portion 311 and a wiring electrode 312 . The base portion 311 is formed in a flat plate shape, and may be made of a flexible material if necessary. It serves to support the components included in the display device. The base part 311 is made of a light-transmitting material.

예를 들어, 상기 베이스부(311)는 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)로 이루어질 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 광투과성이 있는 재질이면 어느 것이라도 사용될 수 있다. 디스플레이 장치의 광투과율을 극대화하기 위해 상기 베이스부(311)의 광투과율은 높을 수록 바람직하다. For example, the base part 311 may be made of glass or polyimide (PI). In addition, any material having insulation and light transmission may be used. In order to maximize the light transmittance of the display device, it is preferable that the light transmittance of the base part 311 be higher.

상기 베이스부(311) 상에는 광원 모듈(320)에 전원을 인가하기 위한 배선 전극(312)이 배치된다. 광원 모듈(320)에는 서로 다른 두 개 이상의 전압이 인가되어야 하기 때문에, 배선 전극(312)은 적어도 두 종류가 배치되어야 한다. A wiring electrode 312 for applying power to the light source module 320 is disposed on the base 311 . Since two or more different voltages should be applied to the light source module 320 , at least two types of wiring electrodes 312 should be disposed.

일 실시 예에 있어서, 상기 베이스부 상에는 공통 전압을 인가하기 위해 복수의 반도체 발광소자와 연결되는 스캔 전극 및 반도체 발광소자에 데이터를 인가하기 위한 데이터 전극이 각각 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 배선 전극의 배치 형태는 디스플레이 장치의 구동 방식에 따라 달라질 수 있다. In an embodiment, a scan electrode connected to a plurality of semiconductor light emitting devices to apply a common voltage and a data electrode for applying data to the semiconductor light emitting devices may be disposed on the base, respectively. However, the present invention is not limited thereto, and the arrangement of the wiring electrodes may vary depending on a driving method of the display device.

예를 들어, 배선 전극은 도 3과 같이 배치될 수 있다. 구체적으로, 도 3은 PM 방식의 디스플레이 장치에 구비되는 배선 전극을 나타내는 개념도이다. 배선 전극은 복수의 반도체 발광소자들이 전기적으로 연결되는 스캔 전극(312) 및 단일 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 데이터 전극(312b 및 312c)으로 이루어질 수 있다. 데이터 전극(312b 및 312c)의 개수는 반도체 발광소자의 수 만큼 형성될 수 있다. 도 3과 같이 배선 전극을 배치할 경우, 데이터 전극 간의 간격이 디스플레이 장치의 일단으로 갈수록 줄어들 수 있다. 도 3은 배선 전극을 구현하는 일 실시 예를 도시한 것일 뿐, 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 배선 전극 구조를 한정하지 않는다. For example, the wiring electrode may be disposed as shown in FIG. 3 . Specifically, FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a wiring electrode provided in a PM type display device. The wiring electrode may include a scan electrode 312 to which a plurality of semiconductor light emitting devices are electrically connected, and data electrodes 312b and 312c to which a single semiconductor light emitting device is electrically connected. The number of data electrodes 312b and 312c may be as many as the number of semiconductor light emitting devices. In the case of disposing the wiring electrodes as shown in FIG. 3 , the distance between the data electrodes may decrease toward one end of the display device. FIG. 3 only shows an embodiment of implementing the wiring electrode, and does not limit the structure of the wiring electrode of the display device according to the present invention.

한편, 도 3에 도시된 확대도와 같이, 상기 배선 전극(312a 내지 312c)이 디스플레이 장치의 투명도를 저하시키는 요인이 될 수 있다. 배선 전극으로 인한 투명도 저하를 최소화 하기 위해, 상기 배선 전극은 금속 메쉬로 이루어 질 수 있다. 금속 메쉬 구조는 배선 전극의 저항을 최소화 함과 동시에 배선 전극으로 인한 이질감을 최소화할 수 있도록 한다. 하지만, 이에 한정되지 않고, 상기 배선 전극은 투명 전극으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 배선 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. Meanwhile, as illustrated in the enlarged view of FIG. 3 , the wiring electrodes 312a to 312c may be a factor of lowering the transparency of the display device. In order to minimize a decrease in transparency due to the wiring electrode, the wiring electrode may be formed of a metal mesh. The metal mesh structure minimizes the resistance of the wiring electrode and at the same time minimizes the sense of heterogeneity due to the wiring electrode. However, the present invention is not limited thereto, and the wiring electrode may be formed of a transparent electrode. For example, the wiring electrode may be made of indium tin oxide (ITO).

상술한 기판(310)의 면적은 디스플레이 장치(300)의 표시 면적과 같거나 커야한다. 상기 기판(310)은 디스플레이 장치(300)에 구비된 모든 광원 모듈(320)이 동일 평면에 배치될 수 있도록 형성되어야 한다. 그 밖에도 상기 기판에는 외부 전원을 인가하기 위한 버스 전극 및 디스플레이 장치의 베젤부 등이 배치될 수 있다.The above-described area of the substrate 310 should be equal to or larger than the display area of the display device 300 . The substrate 310 should be formed so that all the light source modules 320 included in the display device 300 can be arranged on the same plane. In addition, a bus electrode for applying an external power source and a bezel portion of the display device may be disposed on the substrate.

다음으로, 광원 모듈(320)에 대하여 설명한다. Next, the light source module 320 will be described.

도 4는 광원 모듈의 단면도이고, 도 5a 내지 5c는 연결 전극의 구현 예를 나타내는 개념도이다. 4 is a cross-sectional view of a light source module, and FIGS. 5A to 5C are conceptual views illustrating an embodiment of a connection electrode.

다시 도 2를 참조하면, 상기 광원 모듈(320)은 연결전극층(321 및 322) 및 복수의 반도체 발광소자(323)를 구비한다. Referring back to FIG. 2 , the light source module 320 includes connection electrode layers 321 and 322 and a plurality of semiconductor light emitting devices 323 .

상기 연결전극층(321 및 322)은 연결 전극(321) 및 상기 연결 전극(321) 사이에 형성되며 광투과성 물질로 이루어지는 전극 지지부(322)를 포함한다. 패드 또는 바 형태의 연결 전극(321) 사이에 전극 지지부(322)가 배치된다. 이때, 상기 전극 지지부(322)의 두께는 상기 연결 전극(321)의 두께와 같거나, 상기 연결 전극(321)의 두께보다 작아야 한다. 후술할 반도체 발광소자(323)들은 상기 연결 전극(321) 상으로 직접 전사하는데, 이때, 상기 연결 전극(321)이 범프(bump) 역할을 수행한다. 전극 지지부(322)의 두께가 상기 연결 전극(321)의 두께보다 클 경우, 상기 연결 전극(321)이 범프 역할을 수행할 수 없다. The connection electrode layers 321 and 322 are formed between the connection electrode 321 and the connection electrode 321 and include an electrode support 322 made of a light-transmitting material. The electrode support 322 is disposed between the pad or bar-shaped connection electrodes 321 . In this case, the thickness of the electrode support part 322 should be the same as the thickness of the connection electrode 321 or smaller than the thickness of the connection electrode 321 . The semiconductor light emitting devices 323 to be described later are directly transferred onto the connection electrode 321 . In this case, the connection electrode 321 serves as a bump. When the thickness of the electrode support 322 is greater than the thickness of the connection electrode 321 , the connection electrode 321 may not function as a bump.

종합하면, 상기 연결전극층(321 및 322)은 평판 형태의 전극 지지부(322)를 복수의 연결 전극(321)들이 관통하는 형태로 형성된다.In summary, the connection electrode layers 321 and 322 are formed in such a way that a plurality of connection electrodes 321 penetrate the plate-shaped electrode support 322 .

한편, 연결 전극(321)은 디스플레이 장치의 구동방식에 따라 다양한 방식으로 구현될 수 있다. Meanwhile, the connection electrode 321 may be implemented in various ways according to a driving method of the display device.

일 실시 예에 있어서, 도 5a를 참조하면, 모든 연결 전극은 패드 형태로 이루어질 수 있다. 각각의 패드에는 하나의 반도체 발광소자만 연결된다. 이 경우, 상기 연결 전극은 +전압을 인가하기 위한 패드들(321a) 및 -전압을 인가하기 위한 패드들(321b)로 구성된다. In one embodiment, referring to FIG. 5A , all connection electrodes may be formed in the form of a pad. Only one semiconductor light emitting device is connected to each pad. In this case, the connection electrode includes pads 321a for applying a + voltage and pads 321b for applying a - voltage.

다른 일 실시 예에 있어서, 도 5b를 참조하면, 일부 연결 전극은 바 형태(321b)로 이루어지고, 나머지 연결 전극은 패드 형태(321a)로 이루어진다. 바 형태의 연결 전극(321b)에는 복수의 반도체 발광소자들이 연결되며, 패드 형태의 연결 전극(321a)에는 하나의 반도체 발광소자만 연결된다. 이 경우, 바 형태의 연결 전극(321b)으로 공통의 전압이 인가되고, 패드 형태의 연결 전극(321a)으로 개별 전압이 인가된다.In another embodiment, referring to FIG. 5B , some connection electrodes are formed in a bar shape 321b, and the other connection electrodes are formed in a pad shape 321a. A plurality of semiconductor light emitting devices are connected to the bar-shaped connection electrode 321b, and only one semiconductor light emitting device is connected to the pad-shaped connection electrode 321a. In this case, a common voltage is applied to the bar-shaped connection electrode 321b, and an individual voltage is applied to the pad-shaped connection electrode 321a.

다른 일 실시 예에 있어서, 도 5c를 참조하면, 일부 연결 전극은 대면적 패드(321b) 형태로 이루어지고, 나머지 연결 전극은 상대적으로 작은 패드(321a) 형태로 이루어진다. 대면전 패드(321b)에는 복수의 반도체 발광소자들이 연결되며, 나머지 패드(321a)에는 하나의 반도체 발광소자만 연결된다. 이 경우, 대면적 패드(321b)로 공통의 전압이 인가되고, 나머지 패드(321a)로 개별 전압이 인가된다.In another embodiment, referring to FIG. 5C , some connection electrodes are formed in the form of a large-area pad 321b, and the other connection electrodes are formed in the form of a relatively small pad 321a. A plurality of semiconductor light emitting devices are connected to the face-to-face pad 321b, and only one semiconductor light emitting device is connected to the remaining pad 321a. In this case, a common voltage is applied to the large-area pad 321b, and a separate voltage is applied to the remaining pads 321a.

한편, 복수의 반도체 발광소자 발광소자는 상기 연결전극층 상에 배치된다.On the other hand, a plurality of semiconductor light emitting device light emitting devices are disposed on the connection electrode layer.

도 6은 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이고, 도 7은 플립 칩 타입의 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view illustrating a vertical semiconductor light emitting device, and FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a flip chip type semiconductor light emitting device.

구체적으로, 상기 반도체 발광소자는 기판 상에 배치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광소자의 크기는 한 변의 길이가 200㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 120X100㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.Specifically, the semiconductor light emitting device is disposed on a substrate, thereby configuring individual pixels in the display device. Since the semiconductor light emitting device has excellent luminance, individual unit pixels can be configured even with a small size. The size of such an individual semiconductor light emitting device may have a side length of 200 μm or less, and may be a rectangular or square device. In the case of a rectangle, the size may be 120X100㎛ or less.

도 6을 참조하면, 반도체 발광소자는 수직형 반도체 발광소자일 수 있다. 도 6을 참조하면, 수직형 반도체 발광소자는 p형 전극(156), p형 전극(156) 상에 형성된 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154)상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에 형성된 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극은 연결 전극과 연결되고, 상부에 위치한 n형 전극은 반도체 발광소자 상측에 배치된 별도의 배선 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광소자는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.Referring to FIG. 6 , the semiconductor light emitting device may be a vertical type semiconductor light emitting device. Referring to FIG. 6 , the vertical semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 156 , a p-type semiconductor layer 155 formed on the p-type electrode 156 , and an active layer 154 formed on the p-type semiconductor layer 155 . , an n-type semiconductor layer 153 formed on the active layer 154 and an n-type electrode 152 formed on the n-type semiconductor layer 153 . In this case, the lower p-type electrode may be connected to the connection electrode, and the upper n-type electrode may be electrically connected to a separate wiring electrode disposed above the semiconductor light emitting device. Such a vertical semiconductor light emitting device has a great advantage in that it is possible to reduce the chip size because electrodes can be arranged up and down.

한편, 도 7을 참조하면, 상기 반도체 발광소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 발광소자는 p형 전극(256), p형 전극(256)이 형성되는 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254) 상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에서 p형 전극(256)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(256) 및 n형 전극(252)은 서로 다른 연결 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. Meanwhile, referring to FIG. 7 , the semiconductor light emitting device may be a flip chip type light emitting device. For example, the semiconductor light emitting device includes a p-type electrode 256 , a p-type semiconductor layer 255 on which the p-type electrode 256 is formed, an active layer 254 formed on the p-type semiconductor layer 255 , an active layer ( An n-type semiconductor layer 253 formed on the 254 , and an n-type electrode 252 spaced apart from the p-type electrode 256 in the horizontal direction on the n-type semiconductor layer 253 are included. In this case, the p-type electrode 256 and the n-type electrode 252 may be electrically connected to different connection electrodes.

한편, 상술한 반도체 발광소자를 단위 화소로 활용하기 위해, 기판 상에 배치되는 반도체 발광소자는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 반도체 발광소자를 포함할 수 있다. Meanwhile, in order to utilize the above-described semiconductor light emitting device as a unit pixel, the semiconductor light emitting device disposed on the substrate may include a semiconductor light emitting device that emits red (R), green (G), and blue (B) light.

다만, 이에 한정되지 않고, 상기 반도체 발광소자의 일면에는 형광체층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광소자는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체 및 녹색 형광체 일 수 있다.However, the present invention is not limited thereto, and a phosphor layer may be formed on one surface of the semiconductor light emitting device. For example, the semiconductor light emitting device is a blue semiconductor light emitting device that emits blue (B) light, and a phosphor layer for converting the blue (B) light into the color of the unit pixel may be provided. In this case, the phosphor layer may be a red phosphor and a green phosphor constituting individual pixels.

즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광소자 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광소자만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.That is, a red phosphor capable of converting blue light into red (R) light may be stacked on the blue semiconductor light emitting device at a position constituting the red unit pixel, and at a position constituting the green unit pixel, the blue semiconductor light emitting device A green phosphor capable of converting blue light into green (G) light may be stacked thereon. In addition, only the blue semiconductor light emitting device may be used alone in the portion constituting the blue unit pixel. In this case, unit pixels of red (R), green (G), and blue (B) may form one pixel.

상기 연결전극층(321 및 322)은 반도체 발광소자와 기판 사이에서 반도체 발광소자를 지지하고, 반도체 발광소자(323)와 배선 전극(312)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 상기 반도체 발광소자(323)와 상기 배선 전극(312)이 전기적으로 연결되도록, 상기 연결전극(321)은 상기 배선 전극(312)과 오버랩된다. The connection electrode layers 321 and 322 support the semiconductor light emitting device between the semiconductor light emitting device and the substrate, and serve to electrically connect the semiconductor light emitting device 323 and the wiring electrode 312 . The connection electrode 321 overlaps the wiring electrode 312 so that the semiconductor light emitting device 323 and the wiring electrode 312 are electrically connected.

한편, 상기 기판(310)에는 복수의 광원 모듈(320)이 배치된다. 복수의 광원 모듈(320)을 이용하여 구현된 디스플레이 장치에 대하여 설명하기에 앞서, 개별 광원 모듈(320)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Meanwhile, a plurality of light source modules 320 are disposed on the substrate 310 . Before describing the display device implemented using the plurality of light source modules 320 , a method of manufacturing the individual light source modules 320 will be described.

도 8은 본 발명에 따른 광원 모듈의 제조 방법을 나타내는 순서도이다. 8 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a light source module according to the present invention.

먼저, 제1임시 기판(S1) 상에 금속층(M)을 증착하는 단계(S110)가 진행된다. 상기 임시 기판(S1)은 연결전극층으로부터 이탈되는 층으로 평판 형태의 폴리머로 이루어질 수 있다. 상기 제1임시 기판(S1)은 기 공지된 재료를 사용하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.First, a step S110 of depositing a metal layer M on the first temporary substrate S1 is performed. The temporary substrate S1 is a layer separated from the connection electrode layer and may be made of a polymer in the form of a flat plate. Since the first temporary substrate S1 uses a known material, a detailed description thereof will be omitted.

상기 제1임시 기판(S1)상에는 소정 두께의 금속층(M)이 증착된다. 한편, 금속층(M)은 금속 메쉬 형태로 증착될 수 있다. 금속층(M) 증착 방법은 물리 증착법 등의 기공지된 방식이 활용될 수 있다. A metal layer M having a predetermined thickness is deposited on the first temporary substrate S1. Meanwhile, the metal layer M may be deposited in the form of a metal mesh. As the metal layer (M) deposition method, a known method such as a physical vapor deposition method may be utilized.

이후, 연결 전극(321)이 형성되도록, 상기 금속층(M)을 에칭하는 단계(S120)가 진행된다. 금속층(M) 에칭 단계를 통해, 도 5a 내지 5c에서 설명하였던 형태의 연결 전극(321)이 형성된다. Thereafter, a step ( S120 ) of etching the metal layer M is performed so that the connection electrode 321 is formed. Through the etching step of the metal layer M, the connection electrode 321 having the shape described with reference to FIGS. 5A to 5C is formed.

상기 에칭 단계는 드라이 에칭 또는 웨트에칭 방식으로 수행될 수 있다. 금속층의 에칭 방식은 기공지된 방식을 활용하므로 구체적인 설명은 생략한다.The etching step may be performed by dry etching or wet etching. Since the etching method of the metal layer utilizes a known method, a detailed description thereof will be omitted.

이후, 상기 연결 전극(321) 사이로 광투과성 레진을 도포한 후 경화시키는 단계(S130)가 진행된다. 상기 광투과성 레진은 상기 전극 지지부를 이루는 재료이다. 상기 광투과성 레진은 경화시 부피 변화량을 고려하여, 전극 지지부(322)가 연결 전극보다 낮은 높이로 형성되도록 도포되는 것이 바람직하다.Thereafter, a step (S130) of applying a light-transmitting resin between the connection electrodes 321 and curing the resin is performed. The light-transmitting resin is a material constituting the electrode support. The light-transmitting resin is preferably applied so that the electrode support 322 is formed to have a lower height than the connection electrode in consideration of the amount of volume change during curing.

상기 연결 전극(321)이 금속 메쉬로 이루어지는 경우, 연결 전극(321) 사이로 광투과성 레진을 선택적으로 도포하는 것이 사실상 어렵다. 이 경우, 연결 전극(321) 전체에 광투과성 레진을 도포 및 경화 후, 경화된 광투과성 레진을 연결 전극보다 낮은 높이까지 식각하는 방식이 활용될 수 있다.When the connection electrode 321 is made of a metal mesh, it is virtually difficult to selectively apply a light-transmitting resin between the connection electrodes 321 . In this case, after coating and curing the light-transmitting resin on the entire connection electrode 321 , a method of etching the cured light-transmitting resin to a height lower than that of the connection electrode may be utilized.

이후, 상기 연결 전극(321) 상에 제2임시 기판(S2)을 부착하고, 상기 제1임시 기판(S1)을 제거 하는 단계(S140)가 진행된다. 상기 연결전극층(321 및 322)에 대한 접착력은 상기 제1임시 기판(S1)이 상기 제2임시 기판(S2)보다 클 수 있다. 이 때문에, 상기 제2임시 기판(S2)은 상대적으로 상기 제1임시 기판(S1)보다 제거하기가 용이하다. Thereafter, a step ( S140 ) of attaching a second temporary substrate ( S2 ) to the connection electrode ( 321 ) and removing the first temporary substrate ( S1 ) is performed. Adhesion to the connection electrode layers 321 and 322 may be greater in the first temporary substrate S1 than in the second temporary substrate S2 . For this reason, the second temporary substrate S2 is relatively easier to remove than the first temporary substrate S1 .

상기 제1임시 기판(S1)을 제거하기 위해서는 상대적으로 강한 열 또는 강한 외력이 필요하다. 상기 제1임시 기판(S1)을 제거하는 과정에서 반도체 발광소자가 파괴되는 것을 방지하기 위해, 상기 제1임시 기판(S1)은 반도체 발광소자의 전사 전에 제거된다.In order to remove the first temporary substrate S1, relatively strong heat or strong external force is required. In order to prevent the semiconductor light emitting device from being destroyed in the process of removing the first temporary substrate S1 , the first temporary substrate S1 is removed before the semiconductor light emitting device is transferred.

상기 제1임시 기판(S1)을 제거함에 따라, 연결전극(321)의 일단이 외부로 노출된다. 이후, 반도체 발광소자(323)를 외부로 노출된 연결전극 상에 전사하는 단계(S150)가 진행된다. 이때에, 상기 제2임시 기판(S2)은 연결전극층(321 및 322)을 지지하는 역할을 한다.As the first temporary substrate S1 is removed, one end of the connection electrode 321 is exposed to the outside. Thereafter, a step (S150) of transferring the semiconductor light emitting device 323 onto the externally exposed connection electrode is performed. In this case, the second temporary substrate S2 serves to support the connection electrode layers 321 and 322 .

반도체 발광소자(323)의 전사는 반도체 발광소자(323)가 형성된 웨이퍼를 상기 연결전극층(321 및 322)에 압착시키거나, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 발광소자(323)를 도너 기판으로 1차 전사한 후, 도너 기판을 상기 연결전극층(321 및 322)에 압착시키는 과정을 통해 수행될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 반도체 발광소자(323)의 전사는 pick and place 방식으로 수행될 수 있다. The transfer of the semiconductor light emitting device 323 is performed by pressing the wafer on which the semiconductor light emitting device 323 is formed to the connection electrode layers 321 and 322, or by first transferring the semiconductor light emitting device 323 formed on the wafer to the donor substrate. Thereafter, the process of pressing the donor substrate to the connection electrode layers 321 and 322 may be performed. However, the present invention is not limited thereto, and the transfer of the semiconductor light emitting device 323 may be performed in a pick and place method.

상기 광원 모듈(320)의 크기는 반도체 발광소자의 전사 방식, 전사 효율 등에 따라 달라질 수 있다. The size of the light source module 320 may vary depending on a transfer method and transfer efficiency of the semiconductor light emitting device.

이후, 상기 반도체 발광소자(323) 상에 평탄층(324)을 형성하는 단계(S160)가 진행된다. 상기 평탄층(324)은 광투과성 레진으로 이루어진다. 광투과성 레진은 상기 반도체 발광소자(323) 상에 도포된 후 경화된다. 일 실시 예에 있어서, 상기 평탄층(324)은 상기 전극 지지부(322)와 동일한 소재로 이루어질 수 있다. Thereafter, a step ( S160 ) of forming a planarization layer 324 on the semiconductor light emitting device 323 is performed. The planarization layer 324 is made of a light-transmitting resin. The light-transmitting resin is coated on the semiconductor light emitting device 323 and then cured. In an embodiment, the flattening layer 324 may be made of the same material as the electrode support 322 .

상기 평탄층(324)은 반도체 발광소자(323)의 상면 뿐 아니라 측면을 덮도록 배치된다. 상기 평탄층(324)에는 상기 반도체 발광소자(323)의 상측에도 존재하며, 반도체 발광소자(323)들 사이에도 존재할 수 있다. The planarization layer 324 is disposed to cover the side surface as well as the top surface of the semiconductor light emitting device 323 . The planarization layer 324 may also exist above the semiconductor light emitting device 323 and may exist between the semiconductor light emitting devices 323 .

이후, 평탄층(324) 및 연결전극층(321 및 322)의 일부를 절삭하여, 복수의 광원 모듈(320)을 제조하는 단계(S170)가 진행된다. 이 과정은 필수적인 것이 아니어서, 광원 모듈(320)이 제2임시 기판(S2)과 동일한 크기로 제조되는 경우, 이 단계는 수행되지 않는다. Thereafter, a step ( S170 ) of manufacturing the plurality of light source modules 320 by cutting a portion of the flattening layer 324 and the connection electrode layers 321 and 322 is performed. This process is not essential, so when the light source module 320 is manufactured to have the same size as the second temporary substrate S2, this step is not performed.

평탄층(324) 및 연결전극층(321 및 322)의 일부를 절삭하는 단계는 하나의 임시 기판 상에 복수의 광원 모듈(320)을 형성하는 경우에만 수행된다.Cutting a portion of the planarization layer 324 and the connection electrode layers 321 and 322 is performed only when the plurality of light source modules 320 are formed on one temporary substrate.

마지막으로, 상기 제2임시 기판(S2)을 제거하는 단계(S180)가 진행된다. 제2임시 기판(S2)이 제거된 광원 모듈(320)은 패키지 형태로 다양한 크기의 디스플레이 장치에 적용될 수 있다. 이하, 상술한 광원 모듈(320)을 이용한 디스플레이 장치를 제조하는 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.Finally, a step S180 of removing the second temporary substrate S2 is performed. The light source module 320 from which the second temporary substrate S2 is removed may be applied to display devices of various sizes in the form of a package. Hereinafter, a method of manufacturing a display device using the above-described light source module 320 will be described in more detail.

도 9는 본 발명에 따른 디스플레이 장치를 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다. 9 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a display device according to the present invention.

먼저, 기판(310) 상에 복수의 광원 모듈(320a 내지 320c)을 배치하는 단계가 진행(S210)된다. 이때, 상기 연결 전극(322)과 배선 전극(312)이 오버랩되도록 배치된다. First, the step of disposing the plurality of light source modules 320a to 320c on the substrate 310 proceeds (S210). In this case, the connection electrode 322 and the wiring electrode 312 are disposed to overlap each other.

기판(310) 상에 배치되는 광원 모듈(320)의 수는 구현하고자 하는 디스플레이 장치의 크기에 따라 달라진다. 한편, 광원 모듈(320)의 크기가 작아질수록 동일 면적의 디스플레이 장치를 구현하기 위한 광원 모듈(320)의 수가 증가한다. The number of light source modules 320 disposed on the substrate 310 depends on the size of a display device to be implemented. Meanwhile, as the size of the light source module 320 decreases, the number of light source modules 320 for realizing a display device having the same area increases.

한편, 기판(310) 상에 복수의 광원 모듈(320)을 배치하여 디스플레이 장치를 구현할 경우, 광원 모듈(320) 간의 이격 공간이 발생된다. 상기 이격 공간은 디스플레이 장치의 화질을 저하시키는 요인이 된다. On the other hand, when a display apparatus is implemented by disposing a plurality of light source modules 320 on the substrate 310 , a spaced space between the light source modules 320 is generated. The separation space is a factor that deteriorates the image quality of the display device.

이를 해소하기 위해, 광원 모듈(320) 사이에는 고정부(330)가 형성된다. 상기 고정부(330) 형성을 위해, 상기 광원 모듈(320) 사이에 광투과성 레진을 도포하는 단계(S220)가 진행된다. In order to solve this problem, a fixing part 330 is formed between the light source modules 320 . In order to form the fixing part 330 , a step ( S220 ) of applying a light-transmitting resin between the light source modules 320 is performed.

상기 고정부(330)를 이루는 광투과성 레진은 상기 평탄층(324)을 이루는 광투과성 레진과 동일한 소재일 수 있다. 본 발명은 광원 모듈(320)들 사이에 광원 모듈(320)을 구성하는 광투과성 레진과 동일한 소재를 배치함으로써, 광원 모듈(320) 간의 이격 공간으로 인하여 디스플레이 장치의 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 상기 고정부(330)는 광원 모듈(320)의 측면을 덮도록 배치되며, 광원 모듈(320)의 상측에서 연장되어 광원 모듈(320)의 상측을 덮도록 형성될 수 있다. The light-transmitting resin constituting the fixing part 330 may be the same material as the light-transmitting resin constituting the flattening layer 324 . In the present invention, by disposing the same material as the light-transmitting resin constituting the light source module 320 between the light source modules 320, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the display device due to the space between the light source modules 320. have. The fixing part 330 may be disposed to cover the side surface of the light source module 320 , and may be formed to extend from the upper side of the light source module 320 to cover the upper side of the light source module 320 .

나아가, 상기 고정부(330), 평탄층(324), 전극 지지부(322) 및 베이스부(311)는 모두 동일한 광투과성 레진으로 이루어질 수 있다. 이를 통해, 본 발명은 디스플레이 장치의 광투과율을 최대한 높일 수 있다. Furthermore, the fixing part 330 , the flattening layer 324 , the electrode support part 322 , and the base part 311 may all be made of the same light-transmitting resin. Through this, the present invention can maximize the light transmittance of the display device.

도 10은 복수의 광원 모듈을 이용하여 제조된 디스플레이 장치를 나타내는 개념도이다. 10 is a conceptual diagram illustrating a display device manufactured using a plurality of light source modules.

광원 모듈(320)은 일정한 크기로 제조된다. 원하는 디스플레이 장치의 크기에 따라, 디스플레이 장치 제조에 필요한 광원 모듈의 개수가 달라질 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는 10cm×10cm의 크기로 제조된 광원 모듈(320) 6개를 조합하여 제조될 수 있다. 이 경우, 디스플레이 장치의 표시 면적은 30cm×20cm가 된다. 이와 같이, 복수의 광원 모듈을 활용하면 다양한 크기의 디스플레이 장치가 구현될 수 있다.The light source module 320 is manufactured to have a predetermined size. The number of light source modules required for manufacturing the display device may vary according to the size of the desired display device. For example, the display device according to the present invention may be manufactured by combining six light source modules 320 manufactured in a size of 10 cm×10 cm. In this case, the display area of the display device is 30 cm x 20 cm. In this way, by utilizing a plurality of light source modules, display devices of various sizes can be implemented.

한편, 디스플레이 장치를 구성하는 픽셀들 각각은 청색, 녹색, 적색 광원을 구비한다. 제조 과정 중 반도체 발광소자가 파손되는 것을 대비하기 위해 하나의 픽셀에는 청색, 녹색, 적색 광원 각각이 두 개씩 구비될 수 있다. Meanwhile, each of the pixels constituting the display device includes blue, green, and red light sources. In order to prepare for damage to the semiconductor light emitting device during the manufacturing process, each pixel may be provided with two blue, green, and red light sources.

예를 들어, 도 11과 같이, 광원 모듈(420)은 하나의 픽셀 단위로 구현될 수 있다. 이 경우, 하나의 광원 모듈에는 총 6개의 반도체 발광소자(423a 내지 423c)가 구비될 수 있다. 6개의 반도체 발광소자(423a 내지 423c)는 하나의 공용 연결 전극(421a)에 전기적으로 연결되고, 청색, 녹색, 적색 반도체 발광소자 각각은 개별 연결 전극(421b)에 연결된다. 이 경우, 하나의 광원 모듈에는 하나의 공용 연결 전극(421a)과 세 개의 개별 연결 전극(421b)이 구비되어야 한다. For example, as shown in FIG. 11 , the light source module 420 may be implemented in units of one pixel. In this case, a total of six semiconductor light emitting devices 423a to 423c may be provided in one light source module. The six semiconductor light emitting devices 423a to 423c are electrically connected to one common connection electrode 421a, and each of the blue, green, and red semiconductor light emitting devices 423a to 423c is connected to an individual connection electrode 421b. In this case, one common connection electrode 421a and three individual connection electrodes 421b should be provided in one light source module.

도 11에서 설명한 광원 모듈을 이용하여 디스플레이 장치를 구현하는 경우, 도 12와 같이, 네 개의 광원 모듈(420) 각각에 구비된 공용 연결 전극이 서로 인접하도록, 광원 모듈을 배치할 수 있다. 이러한 방식으로 공용 연결 전극을 배치하는 경우, 하나의 스캔 배선(411b)으로 네 개의 광원 모듈(420)을 연결할 수 있게 된다. 이를 통해, 본 발명은 디스플레이 장치를 구현하기 위한 배선 전극의 수를 최소화 할 수 있다. When a display device is implemented using the light source module described in FIG. 11 , the light source module may be disposed such that the common connection electrodes provided in each of the four light source modules 420 are adjacent to each other, as shown in FIG. 12 . When the common connection electrode is disposed in this way, the four light source modules 420 can be connected with one scan wire 411b. Through this, the present invention can minimize the number of wiring electrodes for realizing the display device.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 광원 모듈간의 경계가 눈에 보이지 않기 때문에, 광원 모듈간 이음부로 인하여 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있게 된다. 본 발명에 따르면, 광원 모듈간 연결이 자유로워 지기 때문에, 화질 저하 없이 다양한 크기의 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, since the boundary between the light source modules is invisible, it is possible to prevent the image quality from being deteriorated due to the joint between the light source modules. According to the present invention, since the connection between the light source modules is free, it is possible to implement display devices of various sizes without deterioration of image quality.

Claims (10)

광투과성 물질로 이루어지는 베이스부 및 상기 베이스부 상에 배치되는 배선 전극을 구비하는 기판; 및
상기 기판 상에 배치되는 복수의 광원 모듈을 포함하고,
상기 광원 모듈은,
연결 전극 및 상기 연결 전극 사이에 형성되며 광투과성 물질로 이루어지는 전극 지지부를 구비하는 연결전극층 및
상기 연결전극층 상에 배치되며, 상기 연결 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들을 구비하고,
상기 반도체 발광소자와 상기 배선 전극이 전기적으로 연결되도록, 상기 연결전극은 상기 배선 전극과 오버랩되며, 금속 메쉬로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치.a substrate including a base portion made of a light-transmitting material and a wiring electrode disposed on the base portion; and
A plurality of light source modules disposed on the substrate,
The light source module,
a connecting electrode layer formed between the connecting electrode and the connecting electrode and having an electrode support made of a light-transmitting material; and
a plurality of semiconductor light emitting devices disposed on the connection electrode layer and electrically connected to the connection electrode;
The transparent display device according to claim 1, wherein the connection electrode overlaps the wiring electrode so that the semiconductor light emitting device and the wiring electrode are electrically connected, and is formed of a metal mesh. 제1항에 있어서,
상기 광원 모듈은,
상기 반도체 발광소자들을 덮도록 배치되며, 광투과성 물질로 이루어지는 평탄층을 더 포함하는 것을 투명 디스플레이 장치.According to claim 1,
The light source module,
and a planarization layer disposed to cover the semiconductor light emitting devices and made of a light-transmitting material. 제2항에 있어서,
상기 복수의 광원 모듈 사이에 충전되며, 광투과성 물질로 이루어지는 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치.3. The method of claim 2,
The transparent display device is filled between the plurality of light source modules, the transparent display device characterized in that it further comprises a fixing part made of a light-transmitting material. 제3항에 있어서,
상기 고정부는,
상기 평탄층을 덮도록, 상기 광원 모듈의 일단에서 연장되는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치.4. The method of claim 3,
The fixing part,
Transparent display device, characterized in that extending from one end of the light source module so as to cover the flat layer. 제4항에 있어서,
상기 고정부 및 평탄층은 동일한 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치.5. The method of claim 4,
The fixing part and the flat layer are transparent display device, characterized in that made of the same material. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 전극 지지부의 두께는,
상기 연결 전극의 두께와 같거나, 상기 연결 전극의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치.According to claim 1,
The thickness of the electrode support is,
The transparent display device, characterized in that the same as or smaller than the thickness of the connection electrode of the connection electrode. 제1임시 기판 상에 금속층을 증착하는 단계;
연결 전극이 형성되도록, 상기 금속층을 에칭하는 단계;
상기 연결 전극 사이로 광투과성 레진을 도포한 후 경화시키는 단계;
상기 연결 전극 상에 제2임시 기판을 부착하고, 상기 제1임시 기판을 제거 하는 단계;
상기 연결 전극 상에 반도체 발광소자들을 전사하는 단계; 및
상기 반도체 발광소자 상에 평탄층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 연결 전극 사이로 광투과성 레진을 도포한 후 경화시키는 단계는,
상기 광투과성 레진의 두께가 상기 연결 전극의 두께와 같거나, 상기 연결 전극의 두께보다 작아지도록 수행되며,
상기 연결전극은 금속 메쉬로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치의 제조 방법.depositing a metal layer on the first temporary substrate;
etching the metal layer to form a connecting electrode;
applying a light-transmitting resin between the connection electrodes and curing the resin;
attaching a second temporary substrate to the connection electrode and removing the first temporary substrate;
transferring semiconductor light emitting devices onto the connection electrode; and
forming a planarization layer on the semiconductor light emitting device;
The step of curing after applying a light-transmitting resin between the connection electrodes,
It is performed so that the thickness of the light-transmitting resin is the same as the thickness of the connection electrode or smaller than the thickness of the connection electrode,
The method of manufacturing a transparent display device, characterized in that the connection electrode is made of a metal mesh. 제8항에 있어서,
상기 연결 전극 및 광투과성 레진 층에 대한 접착력은 상기 제1임시 기판이 상기 제2임시 기판보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치의 제조 방법.9. The method of claim 8,
The method of manufacturing a transparent display device, characterized in that the adhesion to the connection electrode and the light-transmitting resin layer is greater than that of the first temporary substrate and the second temporary substrate. 제8항에 있어서,
상기 광투과성 레진 층과 상기 평탄층은 동일한 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 디스플레이 장치의 제조 방법.9. The method of claim 8,
The method of manufacturing a transparent display device, characterized in that the light-transmitting resin layer and the flattening layer are made of the same material.
KR1020190152572A 2019-03-27 2019-11-25 Display device using micro led and method for producing the same KR102330553B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962824988P 2019-03-27 2019-03-27
US62/824,988 2019-03-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200026769A KR20200026769A (en) 2020-03-11
KR102330553B1 true KR102330553B1 (en) 2021-11-24

Family

ID=69809764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190152572A KR102330553B1 (en) 2019-03-27 2019-11-25 Display device using micro led and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102330553B1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220164769A (en) * 2020-04-13 2022-12-13 엘지전자 주식회사 Display device, manufacturing method thereof, and multi-screen display device using the same
WO2021210698A1 (en) * 2020-04-13 2021-10-21 엘지전자 주식회사 Display device and method for manufacturing same, and multi-screen display device using same
KR102503855B1 (en) * 2020-06-10 2023-02-23 아이디씨코리아 주식회사 Micro chips module arranged matrix and Method thereof
WO2022102796A1 (en) * 2020-11-10 2022-05-19 엘지전자 주식회사 Display device and method for manufacturing same
WO2023024069A1 (en) * 2021-08-27 2023-03-02 京东方科技集团股份有限公司 Display backplane, manufacturing method therefor, and display apparatus
WO2023128039A1 (en) * 2022-01-03 2023-07-06 엘지전자 주식회사 Transparent display device
KR102533685B1 (en) * 2022-02-25 2023-05-17 주식회사 씨티랩 Light source device
WO2024075856A1 (en) * 2022-10-04 2024-04-11 엘지전자 주식회사 Transparent display device using light-emitting diode

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101968527B1 (en) * 2016-05-31 2019-04-12 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
KR20180065342A (en) * 2016-12-07 2018-06-18 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device
KR102385091B1 (en) * 2017-03-07 2022-04-12 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
WO2019027248A1 (en) * 2017-08-02 2019-02-07 서울반도체주식회사 Display device, substrate for display device and method for repairing display device
KR102436750B1 (en) * 2017-09-15 2022-08-26 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200026769A (en) 2020-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102330553B1 (en) Display device using micro led and method for producing the same
US9206967B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device
CN106663721B (en) Display device using semiconductor light emitting device
EP3061081B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR102502970B1 (en) Manufacturing method and display device of a display device using a semiconductor light emitting device
EP4068368A1 (en) Display device using semiconductor light emitting elements, and method for manufacturing same
CN112655091B (en) Display device using semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same
KR20200005096A (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
US20230017298A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
KR102389729B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR102639607B1 (en) Method for manufacturing display device using semiconductor light emitting device
KR102243768B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing
EP4391063A1 (en) Display apparatus using semiconductor light-emitting device, and manufacturing method therefor
US20230395768A1 (en) Semiconductor light-emitting device and display apparatus comprising same
US20230282792A1 (en) Thermocompression device and method of manufacturing display device using same
US20230411575A1 (en) Display device and method for manufacturing same
KR102374262B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device
KR102111461B1 (en) Display device using semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
EP4369328A1 (en) Modular display device and method for manufacturing same
EP4071821A1 (en) Display device using semiconductor light-emitting elements and method for manufacturing same
KR20240090705A (en) Display device using light-emitting elements and manufacturing method thereof
KR20230048740A (en) Display device using micro led and manufacturing method thereof
KR20240025027A (en) Display device using semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
KR20220013770A (en) Display device using semiconductor light emitting element

Legal Events

Date Code Title Description
G15R Request for early opening
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant