KR20230166823A - 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 380
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 21
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
본 개시에 따르면 디스플레이 모듈은 기판과, 기판의 위에 마련되는 TFT층과, TFT층 위에 마련되는 복수의 접속 패드들과, TFT층 위에 마련되고 접착층과 이 접착층의 내부에 산포된 복수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전층과, 이방성 도전층에 본딩되며 복수의 접속 패드들에 대응되는 복수의 전극들을 포함하는 무기 발광 소자와, 무기 발광 소자가 이방성 도전층에 본딩되는 중에 복수의 도전볼들이 본딩 방향에 수직한 방향으로 이동하는 것을 제한하도록 TFT층의 위의 복수의 접속 패드들의 주변에 마련되는 도전볼 제어층을 포함한다.
Description
본 발명은 무기 발광 소자를 이용하여 영상을 구현하는 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치는 각각의 픽셀이 스스로 광을 내는 자발광 디스플레이와 별도의 광원을 필요로 하는 수발광 디스플레이로 구분할 수 있다.
LCD(Liquid Crystal Display)는 대표적인 수발광 디스플레이로서, 디스플레이 패널의 후방에서 광을 공급하는 백라이트 유닛, 광을 통과/차단시키는 스위치 역할을 하는 액정층, 공급된 광을 원하는 색으로 바꿔주는 컬러필터 등을 필요로 하기 때문에 구조적으로 복잡하고 얇은 두께를 구현하는데 한계가 있다.
반면에, 픽셀마다 발광 소자를 구비하여 각각의 픽셀이 스스로 광을 내는 자발광 디스플레이는 백라이트 유닛, 액정층 등의 구성요소가 필요 없고, 컬러 필터도 생략할 수 있기 때문에 구조적으로 단순하여 높은 설계 자유도를 가질 수 있다. 또한, 얇은 두께를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 우수한 명암비, 밝기 및 시야각을 구현할 수 있다.
자발광 디스플레이 중 마이크로 LED 디스플레이는 평판 디스플레이 중 하나로 크기가 100 마이크로미터 내외인 복수의 LED로 구성되어 있다. 백라이트가 필요한 LCD 에 비해 마이크로 LED 디스플레이는 우수한 대비, 응답 시간 및 에너지 효율을 제공할 수 있다.
본 개시의 일 측면은 무기 발광 소자가 이방성 도전층을 통해 기판 위에 실장된 디스플레이 모듈 및 이를 갖는 디스플레이 장치를 개시한다.
본 개시의 일 측면은 무기 발광 소자를 이방성 도전층을 통해 기판 위에 실장할 시에 무기 발광 소자의 전극과 기판의 접속 패드 사이에 다수의 도전볼이 포획되도록 구성된 디스플레이 모듈 및 이를 갖는 디스플레이 장치를 개시한다.
본 개시의 일 실시예에 따르면 디스플레이 모듈은 기판;과, 상기 기판의 위에 마련되는 TFT층;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 복수의 접속 패드들;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 이방성 도전층으로서, 접착층과, 상기 접착층의 내부에 산포된 복수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전층;과, 상기 이방성 도전층에 본딩되는 무기 발광 소자로서, 상기 복수의 접속 패드들에 대응되는 복수의 전극들을 포함하는 무기 발광 소자; 및 상기 무기 발광 소자가 상기 이방성 도전층에 본딩되는 중에 상기 복수의 도전볼들이 본딩 방향에 수직한 방향으로 이동하는 것을 제한하도록 상기 TFT층의 위의 상기 복수의 접속 패드들의 주변에 마련되는 도전볼 제어층; 을 포함한다.
상기 이방성 도전층은 상기 복수의 접속 패드들과 상기 도전볼 제어층을 덮도록 마련될 수 있다.
상기 복수의 접속 패드들과 상기 도전볼 제어층은 상기 이방성 도전층에 매립될 수 있다.
상기 도전볼 제어층의 두께는 상기 복수의 접속 패드들의 두께 보다 크고 상기 이방성 도전층의 두께 보다 작을 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 복수의 접속 패드들로부터 이격될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 복수의 접속 패드들 중 적어도 어느 하나를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 폴리머 또는 포토 레지스트 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 TFT층 위에 스크린 인쇄, 잉크젯, 또는 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 기판과 일체로 형성될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 기판의 상면을 식각하는 것을 통해 형성될 수 있다.
상기 접착층은 제1층과, 상기 제1층의 상측에 마련되는 제2층을 포함할 수 있다.
상기 제1층의 내부에 상기 복수의 도전볼들이 산포될 수 있다.
상기 제1층은 상기 제2층에 비해 높은 점도를 가질 수 있다.
상기 제1층의 두께는 상기 제2층의 두께 보다 작을 수 있다.
다른 측면에서 본 개시의 일 실시예에 따르면 디스플레이 모듈은 기판;과, 상기 기판의 위에 마련되는 TFT층;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 복수의 접속 패드들;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 이방성 도전층으로서, 접착층과, 상기 접착층의 내부에 산포된 복수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전층; 및 상기 이방성 도전층에 본딩되는 무기 발광 소자로서, 상기 복수의 접속 패드들에 대응되는 복수의 전극들을 포함하는 무기 발광 소자; 를 포함하고, 상기 접착층은 제1층과, 상기 제1층의 상측에 마련되는 제2층을 포함하고, 상기 제1층의 내부에 상기 복수의 도전볼들이 산포된다.
상기 제1층은 상기 제2층에 비해 높은 점도를 가질 수 있다.
상기 제1층의 두께는 상기 제2층의 두께 보다 작을 수 있다.
다른 측면에서 본 개시의 일 실시예에 따르면 디스플레이 장치는 프레임;과, 상기 프레임에 M * N 행렬로 설치되는 복수의 디스플레이 모듈들; 을 포함하고, 상기 복수의 디스플레이 모듈들 각각은, 기판;과, 상기 기판의 위에 마련되는 TFT층;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 복수의 접속 패드들;과, 상기 TFT층 위에 마련되는 이방성 도전층으로서, 접착층과, 상기 접착층의 내부에 산포된 복수의 도전볼들을 포함하는 이방성 도전층;과, 상기 이방성 도전층에 본딩되는 무기 발광 소자로서, 상기 복수의 접속 패드들에 대응되는 복수의 전극들을 포함하는 무기 발광 소자; 및 상기 무기 발광 소자가 상기 이방성 도전층에 본딩되는 중에 상기 복수의 도전볼들이 본딩 방향에 수직한 방향으로 이동하는 것을 제한하도록 상기 TFT층의 위의 상기 복수의 접속 패드들의 주변에 마련되는 도전볼 제어층; 을 포함한다.
상기 도전볼 제어층은 폴리머 또는 포토 레지스트 수지 재질을 갖고, 상기 TFT층 위에 스크린 인쇄, 잉크젯, 또는 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 도전볼 제어층은 상기 기판과 일체이며, 상기 기판의 상면을 식각하는 것을 통해 형성될 수 있다.
상기 접착층은 제1층과, 상기 제1층의 상측에 마련되는 제2층을 포함하고, 상기 제1층의 내부에 상기 복수의 도전볼들이 산포될 수 있다.
상기 제1층은 상기 제2층에 비해 높은 점도를 가지며, 상기 제1층의 두께는 상기 제2층의 두께 보다 작게 형성될 수 있다.
본 개시의 실시예에 따르면, 무기 발광 소자를 이방성 도전층을 통해 기판 위에 실장할 시에 무기 발광 소자의 전극과 기판의 접속 패드 사이에 다수의 도전볼이 포획되어 무기 발광 소자에 충분한 양의 전류가 공급되고 디스플레이 장치의 신뢰성이 제고될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 외관을 도시한 도면.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성을 분해하여 도시한 도면.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 접속 패드와 도전볼 제어층을 도시한 평면도.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 접속 패드와 전극의 크기에 따른 접속 패드와 전극간 도전볼 포획수를 도시한 도면.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성을 분해하여 도시한 도면.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 접속 패드와 도전볼 제어층을 도시한 평면도.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면.
도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면.
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 접속 패드와 전극의 크기에 따른 접속 패드와 전극간 도전볼 포획수를 도시한 도면.
본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명의 가장 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에서 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물 또는 변형예들도 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 할 것이다.
설명 중 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 뜻하지 않은 이상 복수의 표현을 포함할 수 있다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등의 명확한 설명을 위해 과장된 것일 수 있다.
본 명세서에서 '포함하다' 또는 '가지다' 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지칭하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
명세서 전체에서, "제 1", "제2"와 같은 서수의 표현은 복수의 구성 요소들을 상호구분하기 위해 사용하는 것으로서, 사용된 서수가 구성 요소들 간의 배치 순서, 제조 순서가 중요도 등을 나타내는 것은 아니다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 예외가 있지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 외관을 도시한 도면이다. 도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 구성을 분해하여 도시한 도면이다.
도면에서 도시된 복수의 무기 발광 소자들(30, 31, 32, 33)을 비롯한 디스플레이 장치(1)의 일부 구성들은 수 μm 내지 수백 μm 크기를 가지는 마이크로 단위의 구성으로 설명의 편의상 일부 구성들의 스케일을 과장하여 도시하였다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 디스플레이 장치(1)는 정보, 자료, 데이터 등을 문자, 도형, 그래프, 영상 등으로 표시하여 주는 장치로서, TV, PC, 모바일, 디지털 사이니지(singage) 등이 디스플레이 장치(1)로 구현될 수 있다.
디스플레이 장치(1)는 영상을 표시하는 복수의 디스플레이 모듈들(20)과, 디스플레이 모듈들(20)에 전원을 공급하는 전원 공급 장치(미도시)와, 디스플레이 모듈들(20)의 전체적인 동작을 제어하는 메인 보드(16)와, 디스플레이 모듈들(20)을 지지하는 프레임(15)과, 프레임(15)의 후면을 커버하는 후방 커버(10)를 포함할 수 있다. 후방 커버(10)는 스탠드(미도시)를 통해 바닥 위에 설치되거나, 또는 행어(미도시) 등을 통해 벽에 설치될 수 있다.
복수의 디스플레이 모듈들(20)은 서로 인접하도록 상하 좌우로 배열될 수 있다. 복수의 디스플레이 모듈들(20)은 M * N 의 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 본 실시예에서 복수의 디스플레이 모듈들(20)은 16개가 마련되고, 4 * 4 의 매트릭스 형태로 배열되고 있으나, 복수의 디스플레이 모듈들(20)의 개수 및 배열 방식에 제한은 없다.
복수의 디스플레이 모듈들(20)은 프레임(15)에 설치될 수 있다. 복수의 디스플레이 모듈들(20)은 마그넷을 이용한 자력이나, 기계적인 끼움 구조 등 공지된 다양한 방법을 통해 프레임(15)에 설치될 수 있다. 프레임(15)의 후방에는 후방 커버(10)가 결합되며, 후방 커버(10)는 디스플레이 장치(1)의 후면 외관을 형성할 수 있다.
후방 커버(10)는 금속 재질을 포함할 수 있다. 이에 따라 복수의 디스플레이 모듈들(20) 및 프레임(15)에서 발생된 열이 용이하게 후방 커버(10)로 전도되어 디스플레이 장치(1)의 방열 효율을 상승시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 복수의 디스플레이 모듈들(20)을 타일링하여 대화면을 구현할 수 있다.
본 발명의 실시예와 달리 단일개의 디스플레이 모듈(20)이 디스플레이 장치(1)에 적용될 수 있다. 즉 디스플레이 모듈(20)은 단일 단위로 wearable device, portable device, handheld device 및 각종 디스플레이가 필요가 전자 제품이나 전장에 설치되어 적용될 수 있다.
복수의 디스플레이 모듈들(20)은 서로 동일한 구성을 가질 수 있다. 따라서, 이하에 기재된 어느 하나의 디스플레이 모듈(20)에 대한 설명은 다른 모든 디스플레이 모듈들(20)에 동일하게 적용될 수 있다.
각 디스플레이 모듈(20)은 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다. 복수의 무기 발광 소자들(30, 31, 32, 33)은 각각 서브 픽셀을 형성할 수 있다. 복수의 무기 발광 소자들(30)은 R 무기 발광 소자(32), G 무기 발광 소자(32), B 무기 발광 소자(33)를 포함할 수 있다.
픽셀은 서로 다른 색상의 광을 출력하는 적어도 3개의 서브 픽셀의 조합으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 픽셀(P)은 R, G, B에 각각 대응되는 세 개의 서브 픽셀로 이루어질 수 있다. 여기서, 적색 서브 픽셀은 적색광을 출력할 수 있고, 녹색 서브 픽셀은 녹색광을 출력할 수 있으며, 청색 서브 픽셀은 청색광을 출력할 수 있다. 적색 서브 픽셀은 R 무기 발광 소자로 구성되고, 녹색 서브 픽셀은 G 무기 발광 소자로 구성되며, 청색 서브 픽셀은 B 무기 발광 소자로 구성될 수 있다.
R 발광 소자(31)와, G 발광 소자(32)와, B 발광 소자(33)는 도 1과 같이 일렬로 소정 간격으로 배치될 수도 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 삼각형 형태 등 다른 형태로도 배치될 수도 있다.
또한, 본 개시에서는 하나의 픽셀이 R, G, B에 각각 대응되는 세 개의 서브 픽셀로 이루어진 것을 예로 들었으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 하나의 픽셀은 R, G 또는 G, B 또는 B, R 의 2개의 서브 픽셀로 이루어지거나, R, B, W의 3개의 서브 픽셀로 이루어지거나, R, G, B, W(백색) 의 4개의 서브 픽셀로 이루어지거나 또는 그 이상의 서브 픽셀로 이루어질 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면이다. 도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면이다. 도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 접속 패드와 도전볼 제어층을 도시한 평면도이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 디스플레이 모듈(20)은 기판(50)과, 기판(50) 위에 마련되는 TFT층(51)과, TFT층(51) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55)과, TFT층(51)의 위에 마련되는 이방성 도전층(60)과, 이방성 도전층(60) 위에 본딩되는 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다.
기판(50)은 디스플레이 모듈(20)의 뼈대를 이루며, 유리(glass) 재질로 형성될 수 있다. 다만, 실시예에 따라, 유리가 아닌 폴리이미드(Polyimide), PET, FR4 등에 의해 형성될 수도 있다.
TFT층(51)은 기판(50)의 상면에 형성되며 TFT(Thin Film Transistor) 회로를 포함할 수 있다. TFT 층(51)은 복수의 픽셀 영역을 포함할 수 있다. 각 픽셀 영역에는 서브 픽셀을 구동하기 위한 픽셀 회로가 마련될 수 있다.
픽셀 회로는 각 무기 발광 소자(31, 32, 33)와 전기적으로 연결되고 대응하는 각 무기 발광 소자(31, 32, 33)를 점등 또는 점멸하도록 제어할 수 있다.
기판(50)의 하면에는 TFT 회로를 구동하는 구동 회로(미도시)가 형성되고, 기판(50)의 측면에는 TFT층(51)의 TFT 회로와 구동 회로(미도시)를 전기적으로 연결하는 측면 배선(미도시)이 형성될 수 있다.
복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55)은 TFT층(51)의 TFT 회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55)은 복수의 무기 발광 소자들(31, 32, 33)의 전극이 공통적으로 연결되는 접속 패드(52)와, 복수의 무기 발광 소자들(31, 32, 33)이 각각 연결되는 접속 패드(53, 54, 55)를 포함할 수 있다.
이방성 도전층(60)은 필름 형태의 이방성 도전 필름(ACF, Anisotropic Conductive Film)과, 페이스트 형태의 이방성 도전 페이스트(ACP, Anisotropic Conductive Paste)를 포함할 수 있다.
이방성 도전층(60)은 접속 패드들(52, 53)을 덮도록 TFT층(51) 위에 마련될 수 있다. 즉, 접속 패드들(52, 53)은 이방성 도전층(60)에 매립될 수 있다.
이방성 도전층(60)은 접착층(61)과, 접착층(61)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(65)을 포함할 수 있다. 접착층(61)은 전기가 통하지 않을 수 있으며, 가열하여 형태를 변형시킬 수 있는 열가소성 소재로 형성될 수 있다. 일례로, 접착층(61)은 스타이렌 부타디엔, 폴리비닐 부틸렌 등으로 형성될 수 있다.
도전볼들(65)은 얇은 절연막으로 둘러싸인 도전성 입자로서 압력에 의해 절연막이 깨지면서 압착 방향에 따른 도체와 도체를 서로 전기적으로 연결시킬 수 있다. 도전성 입자로서 금속재료인 Au, Ni, Pd 등이 사용될 수 있다.
무기 발광 소자(30)는 무기물(無機物) 재질로 형성되며, 가로, 세로 및 높이가 각각 수 μm 내지 수십 μm 크기를 갖는 마이크로 LED일 수 있다.
무기 발광 소자(30)는 가로, 세로, 및 높이 중 단변의 길이가 100μm 이하의 크기일 수 있다. 즉, 무기 발광 소자(30)는 사파이어 또는 실리콘 웨이퍼에서 픽업되어 직접 기판(50) 위에 직접 전사될 수 있다. 무기 발광 소자(30)는 정전 헤드(Electrostatic Head)를 사용하는 정전기 방식 또는 PDMS 나 실리콘 등의 탄성이 있는 고분자 물질을 헤드로 사용하는 스탬프 방식 등을 통해 픽업 및 이송될 수 있다.
무기 발광 소자(30)는 n형 반도체, 활성층, p형 반도체 등으로 구성되어 발광하는 발광체(34)와, 발광체(34)의 저면(40)에 마련되는 한 쌍의 전극(41, 42)을 포함할 수 있다. 발광체(34)는 대략 육면체 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 발광체(34)는 상면(35)과, 저면(40)과, 측면(36, 37, 38, 39)를 가질 수 있다. 한 쌍의 전극(41, 42)은 발광체(34)의 저면(40)에 같은 방향을 향해 배치되므로 무기 발광 소자(30)는 플립칩(Flip chip) 구조를 갖는다고 할 수 있다.
한 쌍의 전극(41, 42)은 한 쌍의 접속 패드(52, 53)에 대응될 수 있다. 한 쌍의 전극(41, 42)은 캐소드(41)와 애노드(42)를 포함할 수 있다. 일 예로, 캐소드(41)와 애노드(42)는 무기 발광 소자(30)의 길이 방향의 양 단에 각각 마련될 수 있다. 캐소드(41)와 애노드(42)는 각각 이방성 도전층(60)을 통해 접속 패드(52)와, 접속 패드(53)에 전기적으로 연결될 수 있다.
이방성 도전층(60)에 열을 가하면서 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(60)을 향해 가압하면, 접착층(61)이 압축되면서 도전볼(65)이 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53)에 접촉하게 되며, 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53)가 전기적으로 연결될 수 있다.
다만, 이러한 본딩 공정 중에 압력이 가해지는 영역에 위치한 도전볼들(65) 중에 일부가 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하여 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53) 사이의 공간에서 외측으로 탈출하는 경우가 발생할 수 있다. 이와 같이, 도전볼들(65)이 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53) 사이의 공간의 외측으로 탈출하면 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53)에 접촉되는 도전볼들(65)의 수가 줄어들어 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53) 사이에 전류가 흐르지 않거나 전류가 불충분하게 흐를 수 있다.
본 실시예에 따르면 디스플레이 모듈(20)은 본딩 공정 중에 도전볼들(65)의 탈출을 제한하여 무기 발광 소자(30)의 구동에 충분한 전류를 공급하도록 마련되는 도전볼 제어층(70)을 포함할 수 있다.
즉, 도전볼 제어층(70)은 무기 발광 소자(30)가 이방성 도전층(60)에 본딩되는 중에 도전볼들(65)이 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것을 제한할 수 있다. 도전볼 제어층(70)은 TFT층(51)의 위의 복수의 접속 패드들(52, 53)의 주변에 마련될 수 있다.
이방성 도전층(60)은 도전볼 제어층(70)을 덮도록 TFT층(51) 위에 마련될 수 있다. 즉, 도전볼 제어층(70)은 이방성 도전층(60)에 매립될 수 있다.
도전볼 제어층(70)의 두께(D2)는 접속 패드들(52, 53)의 두께(D1) 보다 크게 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(70)의 두께(D2)는 이방성 도전층(60)의 두께(D3) 보다 작게 형성될 수 있다. 이로써, 본딩 공정 중에 도전볼들(65)이 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53) 사이의 공간에서 외측으로 탈출하는 것이 물리적으로 제한될 수 있다.
도전볼 제어층(70)은 상기 접속 패드들(52, 53)로부터 이격되도록 형성될 수 있다.
도전볼 제어층(70)은 접속 패드들(52, 53, 54, 55) 중 적어도 하나를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 도전볼 제어층(70)은 공통 접속 패드(52)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 또한, 도전볼 제어층(70)은 접속 패드들(53, 54, 55)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.
이러한 도전볼 제어층(70)은 폴리머 소재로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(70)은 스크린 인쇄, 잉크젯 공정을 통해 형성될 수 있다. 또는, 도전볼 제어층(70)은 포토 레지스트 수지 재질로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(70)은 포토 공정((Photo-Lithography)을 통해 형성될 수 있다.
디스플레이 모듈(20)의 제조 방법은 기판(50) 위에 TFT층(51)과 접속 패드(52, 53)를 형성하고(도 3(a)), TFT층(51) 위에 도전볼 제어층(70)을 형성하고(도 3(b)), 접속 패드(52, 53)와 도전볼 제어층(70)을 덮도록 TFT층(51) 위에 이방성 도전층(60)을 형성하는 것(도 3(c))을 포함할 수 있다.
디스플레이 모듈(20)의 제조 방법은 이방성 도전층(60)에 열을 가하며 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(60)을 향해 가압하는 것을 포함할 수 있다(도 4). 이와 같이 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(60)을 향해 가압할 시 도전볼(65)은 도전볼 제어층(70)에 의해 가로 막혀 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것이 제한될 수 있으며, 따라서, 전극(41, 42)과 접속 패드(52, 53)에 더 많은 수의 도전볼(65)이 접촉될 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면이다. 도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면이다.
이하에서 전술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 설명은 생략할 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 디스플레이 모듈(220)은 기판(250)과, 기판(250) 위에 마련되는 TFT층(251)과, TFT층(251) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(252, 253)과, TFT층(251)의 위에 마련되는 이방성 도전층(260)과, 이방성 도전층(260) 위에 본딩되는 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(260)은 접속 패드들(252, 253)을 덮도록 TFT층(251) 위에 마련될 수 있다. 즉, 접속 패드들(252, 253)은 이방성 도전층(260)에 매립될 수 있다.
이방성 도전층(260)은 접착층(261)과, 접착층(261)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(265)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(260)에 열을 가하면서 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(260)을 향해 가압하면, 접착층(261)이 압축되면서 도전볼(265)이 전극(41, 42)과 접속 패드(252, 253)에 접촉하게 됨으로써 전극(41, 42)과 접속 패드(252, 253)가 전기적으로 연결될 수 있다.
디스플레이 모듈(220)은 본딩 공정 중에 도전볼들(265)의 탈출을 제한하여 무기 발광 소자(30)의 구동에 충분한 전류를 공급하도록 마련되는 도전볼 제어층(270)을 포함한다.
도전볼 제어층(270)의 두께(D2)는 접속 패드들(252, 253)의 두께(D1) 보다 크게 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(270)의 두께(D2)는 이방성 도전층(260)의 두께(D3) 보다 작게 형성될 수 있다.
도전볼 제어층(270)은 기판(250)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, 도전볼 제어층(270)은 기판(250)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(270)은 기판(250)의 상면을 물리적 또는 화학적으로 식각함으로써 형성될 수 있다.
이러한 디스플레이 모듈(220)의 제조 방법은 기판(250)의 상면을 식각함으로써 도전볼 제어층(270)을 형성하고(도 6(b)), 기판(250)의 위에 TFT층(251)과 접속 패드(252, 253)를 형성하고(도 6(c)), 접속 패드(252, 253)와 도전볼 제어층(270)을 덮도록 TFT층(251) 위에 이방성 도전층(260)을 형성하는 것(도 6(d))을 포함할 수 있다.
디스플레이 모듈(220)의 제조 방법은 이방성 도전층(260)에 열을 가하며 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(260)을 향해 가압하는 것을 포함할 수 있다(도 7). 이와 같이 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(260)을 향해 가압할 시 도전볼(265)은 도전볼 제어층(270)에 의해 가로 막혀 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것이 제한될 수 있으며, 따라서, 전극(41, 42)과 접속 패드(252, 253)에 더 많은 수의 도전볼(265)이 접촉될 수 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면이다. 도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면이다.
이하에서 전술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 설명은 생략할 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 디스플레이 모듈(320)은 기판(350)과, 기판(350) 위에 마련되는 TFT층(351)과, TFT층(351) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(352, 353)과, TFT층(351)의 위에 마련되는 이방성 도전층(360)과, 이방성 도전층(360) 위에 본딩되는 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(360)은 접속 패드들(352, 353)을 덮도록 TFT층(351) 위에 마련될 수 있다. 즉, 접속 패드들(352, 353)은 이방성 도전층(360)에 매립될 수 있다.
이방성 도전층(360)은 접착층(361)과, 접착층(361)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(365)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(360)에 열을 가하면서 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(360)을 향해 가압하면, 접착층(361)이 압축되면서 도전볼(365)이 전극(41, 42)과 접속 패드(352, 353)에 접촉하게 됨으로써 전극(41, 42)과 접속 패드(352, 353)가 전기적으로 연결될 수 있다.
접착층(361)은 2층 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 접착층(361)은 제1층(362)과, 제1층(362)의 상측에 마련되는 제2층(363)을 포함할 수 있다. 도전볼들(365)은 제1층(362)의 내부에 산포되도록 마련되고, 도전볼들(365)은 제2층(363)의 내부에는 마련되지 않을 수 있다.
제1층(362)은 제2층(363)에 비해 높은 점도를 가질 수 있다. 구체적으로, 접착층(361)이 열에 의해 녹기 시작하는 온도에서 제1층(362)은 제2층(363)에 비해 높은 점도를 갖는 재질로 형성될 수 있다. 즉, 제1층(362)은 제2층(363)에 비해 유동성이 낮을 수 있다. 또한, 제1층(362)의 두께(362d)는 제2층(363)의 두께(363d) 보다 작을 수 있다.
이와 같이, 제1층(362)은 제2층(363)에 비해 높은 점도를 갖고, 제1층(362)의 두께(362d)는 제2층(363)의 두께(363d) 보다 작게 형성됨으로써, 무기 발광 소자(30)의 본딩 중에 제1층(362)의 내부에 산포되어 있는 도전볼(365)들은 제1층(362)에서 제2층(363)으로 이동 및 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것이 제한될 수 있다.
이러한 디스플레이 모듈(320)의 제조 방법은 기판(350) 위에 TFT층(351)과 접속 패드(352, 353)를 형성하고(도 8(a)), 접속 패드(352, 353)를 덮도록 TFT층(351) 위에 이방성 도전층(360)을 형성하는 것(도 8(b))을 포함할 수 있다. 이때 이방성 도전층(360)은 전술한 2층 구조의 접착층(361)을 포함한다.
디스플레이 모듈(320)의 제조 방법은 이방성 도전층(360)에 열을 가하며 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(360)을 향해 가압하는 것을 포함할 수 있다(도 9).
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면이다. 도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면이다.
이하에서 전술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 설명은 생략할 수 있다.
도 10 및 도11을 참조하면, 디스플레이 모듈(420)은 기판(450)과, 기판(450) 위에 마련되는 TFT층(451)과, TFT층(451) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(452, 453)과, TFT층(451)의 위에 마련되는 이방성 도전층(460)과, 이방성 도전층(460) 위에 본딩되는 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(460)은 접속 패드들(452, 453)을 덮도록 TFT층(451) 위에 마련될 수 있다. 즉, 접속 패드들(452, 453)은 이방성 도전층(60)에 매립될 수 있다.
이방성 도전층(460)은 접착층(461)과, 접착층(461)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(465)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(460)에 열을 가하면서 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(460)을 향해 가압하면, 접착층(461)이 압축되면서 도전볼(465)이 전극(41, 42)과 접속 패드(452, 453)에 접촉하게 됨으로써 전극(41, 42)과 접속 패드(452, 453)가 전기적으로 연결될 수 있다.
접착층(461)은 2층 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 접착층(461)은 제1층(462)과, 제1층(462)의 상측에 마련되는 제2층(463)을 포함할 수 있다. 도전볼들(465)은 제1층(462)의 내부에 산포되도록 마련되고, 도전볼들(465)은 제2층(463)의 내부에는 마련되지 않을 수 있다.
제1층(462)은 제2층(463)에 비해 높은 점도를 가질 수 있다. 구체적으로, 접착층(461)이 열에 의해 녹기 시작하는 온도에서 제1층(462)은 제2층(463)에 비해 높은 점도를 갖는 재질로 형성될 수 있다. 즉, 제1층(462)은 제2층(463)에 비해 유동성이 낮을 수 있다. 또한, 제1층(462)의 두께(462d)는 제2층(463)의 두께(463d) 보다 작을 수 있다.
이와 같이, 제1층(462)은 제2층(463)에 비해 높은 점도를 갖고, 제1층(462)의 두께(462d)는 제2층(463)의 두께(463d) 보다 작게 형성됨으로써, 무기 발광 소자(30)의 본딩 중에 제1층(462)의 내부에 산포되어 있는 도전볼(465)들은 제1층(462)에서 제2층(463)으로 이동 및 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것이 제한될 수 있다.
디스플레이 모듈(420)은 본딩 공정 중에 도전볼들(465)의 탈출을 제한하여 무기 발광 소자(30)의 구동에 충분한 전류를 공급하도록 마련되는 도전볼 제어층(470)을 더 포함한다.
도전볼 제어층(470)의 두께(D2)는 접속 패드들(452, 453)의 두께(D1) 보다 크게 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(470)의 두께(D2)는 이방성 도전층(460)의 두께(D3) 보다 작게 형성될 수 있다.
도전볼 제어층(470)은 폴리머 소재로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(470)은 스크린 인쇄, 잉크젯 공정을 통해 형성될 수 있다. 또는, 도전볼 제어층(470)은 포토 레지스트 수지 재질로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(470)은 포토 공정을 통해 형성될 수 있다.
이러한 디스플레이 모듈(420)의 제조 방법은 기판(450) 위에 TFT층(451)과 접속 패드(452, 453)를 형성하고(도 10(a)), TFT층(451) 위에 도전볼 제어층(470)을 형성하고(도 10(b)), 접속 패드(452, 453)와 도전볼 제어층(470)을 덮도록 TFT층(451) 위에 이방성 도전층(460)을 형성하는 것(도 10(c))을 포함할 수 있다. 이때 이방성 도전층(460)은 전술한 2층 구조의 접착층(461)을 포함한다.
디스플레이 모듈(420)의 제조 방법은 이방성 도전층(460)에 열을 가하며 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(460)을 향해 가압하는 것을 포함할 수 있다(도 11).
도 12는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈을 제조하는 방법을 도시한 도면이다. 도 13은 본 개시의 일 실시예에 따른 이방성 도전층에 무기 발광 소자가 본딩된 상태를 도시한 도면이다.
이하에서 전술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 설명은 생략할 수 있다.
도 10 및 도11을 참조하면, 디스플레이 모듈(520)은 기판(550)과, 기판(550) 위에 마련되는 TFT층(551)과, TFT층(551) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(552, 553)과, TFT층(551)의 위에 마련되는 이방성 도전층(560)과, 이방성 도전층(560) 위에 본딩되는 복수의 무기 발광 소자들(30)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(560)은 접속 패드들(552, 553)을 덮도록 TFT층(551) 위에 마련될 수 있다. 즉, 접속 패드들(552, 553)은 이방성 도전층(60)에 매립될 수 있다.
이방성 도전층(560)은 접착층(561)과, 접착층(561)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(565)을 포함할 수 있다.
이방성 도전층(560)에 열을 가하면서 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(560)을 향해 가압하면, 접착층(561)이 압축되면서 도전볼(565)이 전극(41, 42)과 접속 패드(552, 553)에 접촉하게 됨으로써 전극(41, 42)과 접속 패드(552, 553)가 전기적으로 연결될 수 있다.
접착층(561)은 2층 구조로 이루어질 수 있다. 즉, 접착층(561)은 제1층(562)과, 제1층(562)의 상측에 마련되는 제2층(563)을 포함할 수 있다. 도전볼들(565)은 제1층(562)의 내부에 산포되도록 마련되고, 도전볼들(565)은 제2층(563)의 내부에는 마련되지 않을 수 있다.
제1층(562)은 제2층(563)에 비해 높은 점도를 가질 수 있다. 구체적으로, 접착층(561)이 열에 의해 녹기 시작하는 온도에서 제1층(562)은 제2층(563)에 비해 높은 점도를 갖는 재질로 형성될 수 있다. 즉, 제1층(562)은 제2층(563)에 비해 유동성이 낮을 수 있다. 또한, 제1층(562)의 두께(562d)는 제2층(563)의 두께(563d) 보다 작을 수 있다.
이와 같이, 제1층(562)은 제2층(563)에 비해 높은 점도를 갖고, 제1층(562)의 두께(562d)는 제2층(563)의 두께(563d) 보다 작게 형성됨으로써, 무기 발광 소자(30)의 본딩 중에 제1층(562)의 내부에 산포되어 있는 도전볼(565)들은 제1층(562)에서 제2층(563)으로 이동 및 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것이 제한될 수 있다.
디스플레이 모듈(520)은 본딩 공정 중에 도전볼들(565)의 탈출을 제한하여 무기 발광 소자(30)의 구동에 충분한 전류를 공급하도록 마련되는 도전볼 제어층(570)을 더 포함한다.
도전볼 제어층(570)의 두께(D2)는 접속 패드들(552, 553)의 두께(D1) 보다 크게 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(570)의 두께(D2)는 이방성 도전층(560)의 두께(D3) 보다 작게 형성될 수 있다.
도전볼 제어층(570)은 기판(550)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, 도전볼 제어층(570)은 기판(550)과 동일한 재질로 형성될 수 있다. 도전볼 제어층(570)은 기판(550)의 상면을 물리적 또는 화학적으로 식각함으로써 형성될 수 있다.
이러한 디스플레이 모듈(520)의 제조 방법은 기판(550)의 상면을 식각함으로써 도전볼 제어층(570)을 형성하고(도 12(b)), 기판(550)의 위에 TFT층(551)과 접속 패드(552, 553)를 형성하고(도 12(c)), 접속 패드(552, 553)와 도전볼 제어층(570)을 덮도록 TFT층(551) 위에 이방성 도전층(560)을 형성하는 것(도 12(d))을 포함할 수 있다.
이때 이방성 도전층(560)은 제1층(562)과 제2층(563)을 갖는 2층 구조의 접착층(561)을 포함한다.
디스플레이 모듈(520)의 제조 방법은 이방성 도전층(560)에 열을 가하며 무기 발광 소자(30)를 이방성 도전층(560)을 향해 가압하는 것을 포함할 수 있다(도 13).
도 14는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈의 접속 패드와 전극의 크기에 따른 접속 패드와 전극간 도전볼 포획수를 도시한 도면이다.
도 14에는 (a) 접속 패드와 전극의 크기에 따른 열/압력 본딩 전 접속 패드와 전극 사이의 도전볼의 개수를 도시한 그래프(가는 실선)와, (b) 기존 구조에 있어서, 접속 패드와 전극의 크기에 따른 열/압력 본딩 후 접속 패드와 전극 사이에 포획된 도전볼의 개수를 도시한 그래프(점선)와, (c) 본 개시에 따른 신규 구조에 있어서, 접속 패드와 전극의 크기에 따른 열/압력 본딩 후 접속 패드와 전극 사이에 포획된 도전볼의 개수를 도시한 그래프(굵은 실선)가 도시되어 있다.
(a)와, (b)와, (c)의 모든 경우에 있어서, 접속 패드 및 전극의 크기가 커질수록 접속 패드와 전극 사이에 위치한(또는 접속 패드와 전극 사이에 포획되는) 도전볼의 개수는 당연히 많아짐을 알 수 있다.
또한, (b)와, (c)의 경우에 있어서, 열/압력 본딩 전 접속 패드와 전극 사이의 도전볼의 개수 보다 열/압력 본딩 후 접속 패드와 전극 사이에 포획된 도전볼의 개수가 줄어듬을 알 수 있다. 이것은 무기 발광 소자의 가압에 의해 도전볼이 본딩 방향에 수직한 방향으로 이동하여 접속 패드와 전극 사이의 공간에서 외측으로 탈출하기 때문이다.
그러나, 본 개시의 신규 구조 (c)의 경우에 종래 구조 (b) 의 경우 보다 포획된 도전볼의 개수가 많음을 알 수 있다. 이것으로 본 개시에 따른 구조에 있어서 도전볼 제어층 또는 접착층의 2층 구조에 의해 무기 발광 소자의 본딩 시에 도전볼의 탈출이 줄어드는 효과가 있음을 알 수 있다.
특정 실시예에 의하여 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상을 설명하였으나 본 발명의 권리범위는 이러한 실시예에 한정되는 것이 아니다. 특허청구범위에 명시된 본 발명의 기술적 사상으로서의 요지를 일탈하지 아니하는 범위 안에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 또는 변형 가능한 다양한 실시예들도 본 발명의 권리범위에 속한다 할 것이다.
1 : 디스플레이 장치
10 : 후방 커버
15 : 프레임
16 : 메인 보드
20, 220, 320, 420, 520 : 디스플레이 모듈
30, 31, 32, 33 : 무기 발광 소자
34 : 발광체
35 : 상면
36, 37, 38, 39 : 제1, 2, 3, 4측면
40 : 저면
41, 42 : 전극
50, 250, 350, 450, 550 : 기판
51, 251, 351, 451, 551 : TFT층
52, 53, 54, 55, 252, 253, 352, 353, 452, 453, 552, 553 : 접속 패드
60, 260, 360, 460, 560 : 이방성 도전층
61, 261, 361, 461, 561 : 접착층
362, 462, 562 : 제1층
363, 463, 563 : 제2층
362d, 462d, 562d : 제1층 두께
363d, 463d, 563d : 제2층 두께
65, 265, 365, 465, 565 : 도전볼
70, 270, 470, 570 : 도전볼 제어층
D1 : 접속 패드의 두께
D2 : 도전볼 제어층 두께
D3 : 이방성 도전층 두께
10 : 후방 커버
15 : 프레임
16 : 메인 보드
20, 220, 320, 420, 520 : 디스플레이 모듈
30, 31, 32, 33 : 무기 발광 소자
34 : 발광체
35 : 상면
36, 37, 38, 39 : 제1, 2, 3, 4측면
40 : 저면
41, 42 : 전극
50, 250, 350, 450, 550 : 기판
51, 251, 351, 451, 551 : TFT층
52, 53, 54, 55, 252, 253, 352, 353, 452, 453, 552, 553 : 접속 패드
60, 260, 360, 460, 560 : 이방성 도전층
61, 261, 361, 461, 561 : 접착층
362, 462, 562 : 제1층
363, 463, 563 : 제2층
362d, 462d, 562d : 제1층 두께
363d, 463d, 563d : 제2층 두께
65, 265, 365, 465, 565 : 도전볼
70, 270, 470, 570 : 도전볼 제어층
D1 : 접속 패드의 두께
D2 : 도전볼 제어층 두께
D3 : 이방성 도전층 두께
Claims (20)
- 기판(50, 250, 450, 550);
상기 기판(50, 250, 450, 550)의 위에 마련되는 TFT층(51, 251, 451, 551);
상기 TFT층(51, 251, 451, 551) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553);
상기 TFT층(51, 251, 451, 551) 위에 마련되는 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)으로서, 접착층(61, 261, 461, 561)과, 상기 접착층(61, 261, 461, 561)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(65, 265, 465, 565)을 포함하는 이방성 도전층(60, 260, 460, 560);
상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)에 본딩되는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33)로서, 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)에 대응되는 복수의 전극들(41, 42)을 포함하는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33); 및
상기 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33)가 상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)에 본딩되는 중에 상기 복수의 도전볼들(65, 265, 465, 565)이 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것을 제한하도록 상기 TFT층(51, 251, 451, 551)의 위의 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)의 주변에 마련되는 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570); 을 포함하는 디스플레이 모듈(20, 220, 420, 520). - 제1항에 있어서,
상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)은 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)과 상기 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570)을 덮도록 마련되고,
상기 복수의 접속 패드들 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)과 상기 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570)은 상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)에 매립되는 디스플레이 모듈(20, 220, 420, 520). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570)의 두께(D2)는 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)의 두께(D1) 보다 크고 상기 이방성 도전층의 두께(D3) 보다 작은 디스플레이 모듈(20, 220, 420, 520). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570)은 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)로부터 이격된 디스플레이 모듈(20, 220, 420, 520). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570)은 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553) 중 적어도 어느 하나를 둘러싸도록 형성된 디스플레이 모듈(20, 220, 420, 520). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 470)은 폴리머 또는 포토 레지스트 수지 재질로 형성된 디스플레이 모듈(20, 420). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 470)은 상기 TFT층(51, 451) 위에 스크린 인쇄, 잉크젯, 또는 포토 공정을 통해 형성된 디스플레이 모듈(20, 420). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(270, 570)은 상기 기판(250, 550)과 일체로 형성된 디스플레이 모듈(220, 520). - 제1항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(270, 570)은 상기 기판(250, 550)의 상면을 식각하는 것을 통해 형성된 디스플레이 모듈(220, 520). - 제1항에 있어서,
상기 접착층(461, 561)은 제1층(462, 562)과, 상기 제1층(462, 562)의 상측에 마련되는 제2층(463, 563)을 포함하고,
상기 제1층(462, 562)의 내부에 상기 복수의 도전볼들(465, 565)이 산포된 디스플레이 모듈(420, 520) - 제10항에 있어서,
상기 제1층(462, 562)은 상기 제2층(463, 563)에 비해 높은 점도를 갖는 디스플레이 모듈(420, 520). - 제10항에 있어서,
상기 제1층(462, 562)의 두께는 상기 제2층(463, 563)의 두께 보다 작은 디스플레이 모듈(420, 520). - 기판(350, 450, 550);
상기 기판(350, 450, 550)의 위에 마련되는 TFT층(351, 451, 551);
상기 TFT층(351, 451, 551) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(352, 353, 452, 453, 552, 553);
상기 TFT층(351, 451, 551) 위에 마련되는 이방성 도전층(360, 460, 560)으로서, 접착층(361, 461, 561)과, 상기 접착층(361, 461, 561)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(365, 465, 565)을 포함하는 이방성 도전층(360, 460, 560); 및
상기 이방성 도전층(360, 460, 560)에 본딩되는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33)로서, 상기 복수의 접속 패드들(352, 353, 452, 453, 552, 553)에 대응되는 복수의 전극들(41, 42)을 포함하는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33); 를 포함하고,
상기 접착층(361, 461, 561)은 제1층(362, 462, 562)과, 상기 제1층(362, 462, 562)의 상측에 마련되는 제2층(363, 463, 563)을 포함하고,
상기 제1층(362, 462, 562)의 내부에 상기 복수의 도전볼들(365, 465, 565)이 산포된 디스플레이 모듈(320, 420, 520). - 제13항에 있어서,
상기 제1층(362, 462, 562)은 상기 제2층(363, 463, 563)에 비해 높은 점도를 갖는 디스플레이 모듈(320, 420, 520). - 제13항에 있어서,
상기 제1층(362, 462, 562)의 두께(362d, 462d, 562d)는 상기 제2층(363, 463, 563)의 두께(363d, 463d, 563d) 보다 작은 디스플레이 모듈(320, 420, 520). - 프레임(15);
상기 프레임(15)에 M * N 행렬로 설치되는 복수의 디스플레이 모듈들(20, 220, 420, 520); 을 포함하고,
상기 복수의 디스플레이 모듈들(20, 220, 420, 520) 각각은,
기판(50, 250, 450, 550);
상기 기판(50, 250, 450, 550)의 위에 마련되는 TFT층(51, 251, 451, 551);
상기 TFT층(51, 251, 451, 551) 위에 마련되는 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553);
상기 TFT층(51, 251, 451, 551) 위에 마련되는 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)으로서, 접착층(61, 261, 461, 561)과, 상기 접착층(61, 261, 461, 561)의 내부에 산포된 복수의 도전볼들(65, 265, 465, 565)을 포함하는 이방성 도전층(60, 260, 460, 560);
상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)에 본딩되는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33)로서, 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)에 대응되는 복수의 전극들(41, 42)을 포함하는 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33); 및
상기 무기 발광 소자(30, 31, 32, 33)가 상기 이방성 도전층(60, 260, 460, 560)에 본딩되는 중에 상기 복수의 도전볼들(65, 265, 465, 565)이 본딩 방향(A)에 수직한 방향(B)으로 이동하는 것을 제한하도록 상기 TFT층(51, 251, 451, 551)의 위의 상기 복수의 접속 패드들(52, 53, 54, 55, 252, 253, 452, 453, 552, 553)의 주변에 마련되는 도전볼 제어층(70, 270, 470, 570); 을 포함하는 디스플레이 장치(1). - 제16항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(70, 470)은 폴리머 또는 포토 레지스트 수지 재질로 형성되고, 상기 도전볼 제어층(70, 470)은 상기 TFT층(51, 451) 위에 스크린 인쇄, 잉크젯, 또는 포토 공정을 통해 형성된 디스플레이 장치(1). - 제16항에 있어서,
상기 도전볼 제어층(270, 570)은 상기 기판(250, 550)과 일체이며, 상기 기판(250, 550)의 상면을 식각하는 것을 통해 형성된 디스플레이 장치(1). - 제16항에 있어서,
상기 접착층(461, 561)은 제1층(462, 562)과, 상기 제1층(462, 562)의 상측에 마련되는 제2층(463, 563)을 포함하고,
상기 제1층(462, 562)의 내부에 상기 복수의 도전볼들(465, 565)이 산포된 디스플레이 장치(1). - 제19항에 있어서,
상기 제1층(462, 562)은 상기 제2층(463, 563)에 비해 높은 점도를 가지며, 상기 제1층(462, 562)의 두께(462d, 562d)는 상기 제2층(463, 563)의 두께(463d, 563d) 보다 작은 디스플레이 장치(1).
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2023/005034 WO2023234550A1 (ko) | 2022-05-31 | 2023-04-13 | 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US18/208,034 US20230387095A1 (en) | 2022-05-31 | 2023-06-09 | Display module and display apparatus having the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220067224 | 2022-05-31 | ||
KR20220067224 | 2022-05-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230166823A true KR20230166823A (ko) | 2023-12-07 |
Family
ID=89163867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220108755A KR20230166823A (ko) | 2022-05-31 | 2022-08-29 | 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230166823A (ko) |
-
2022
- 2022-08-29 KR KR1020220108755A patent/KR20230166823A/ko unknown
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