KR20230163418A - Method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 495
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 495
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 467
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 128
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 410
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 175
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 26
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 60
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 567
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 68
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 20
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 18
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 10
- 238000010330 laser marking Methods 0.000 description 10
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 7
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 5
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
회로면을 갖는 워크, 또는, 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름(13)을 적층하고, 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 할단 공정(j)부터, 수지막 형성 필름(13)에 대해 에너지선 조사하여 수지막(13')을 형성하는 경화 공정(k)까지, 또는, 경화 공정(k)부터 할단 공정(j)까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법.An energy ray-curable resin film forming film 13 is laminated on the surface 14'b opposite to the circuit surface 14a of a work having a circuit surface, or a workpiece 14' obtained by processing the work, , from the cutting process (j) of cutting the resin film forming film 13 to the curing process (k) of forming the resin film 13' by irradiating energy rays to the resin film forming film 13, or, curing. A method of manufacturing a pieced work piece 21 with a resin film formed thereon, wherein the process (k) to the cutting process (j) is performed in an in-line process.
Description
본 발명은 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법, 및 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치에 관한 것이다. 상세하게는, 반도체 칩 등의 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에 수지막이 형성된, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법 및 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film formed on it. In detail, it relates to a method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece such as a semiconductor chip, and a manufacturing apparatus for a pieced workpiece with a resin film formed thereon.
본원은 2021년 3월 31일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2021-062250호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2021-062250, filed in Japan on March 31, 2021, and uses the content here.
반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 면(이면)에, 유기 재료를 함유하는 수지막을 구비한 것(수지막이 형성된 반도체 칩)이 취급되는 경우가 있다. 상기 수지막으로는, 예를 들면, 열경화성 수지막 형성 필름의 열경화물 등을 들 수 있고, 이 경우, 반도체 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면(이면)에 열경화성 수지막 형성 필름을 첩부한 후, 열경화성 수지막 형성 필름의 열경화와, 반도체 웨이퍼의 반도체 칩으로의 개편화를 행함으로써, 수지막이 형성된 반도체 칩을 제작한다.In the manufacturing process of a semiconductor device, there are cases where a semiconductor chip provided with a resin film containing an organic material on the surface (back surface) opposite to the circuit surface (semiconductor chip with a resin film formed) is handled. Examples of the resin film include a thermoset product of a thermosetting resin film-forming film. In this case, after attaching the thermosetting resin film-forming film to the surface (back side) of the semiconductor wafer opposite to the circuit surface, , a semiconductor chip with a resin film formed is produced by thermally curing the thermosetting resin film forming film and dividing the semiconductor wafer into semiconductor chips.
회로면에 범프를 구비하고 있지 않은 반도체 칩은, 가장 범용되고 있는 것이고, 그 이면에는, 통상, 상기 수지막 형성 필름으로서, 반도체 칩을 기판의 회로 형성면에 다이 본딩하기 위해 사용되는 필름형 접착제를 구비한다. 즉, 이 경우의 수지막 형성용 필름은 필름형 접착제이다.Semiconductor chips that do not have bumps on the circuit surface are the most widely used, and the back side is usually the resin film forming film, which is a film-type adhesive used to die-bond the semiconductor chip to the circuit forming surface of the substrate. is provided. That is, the film for forming a resin film in this case is a film-type adhesive.
근래, 이른바 페이스 다운(face down) 방식으로 불리는 실장법을 적용한 반도체 장치의 제조가 행해지고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 돌출형 전극을 갖는 반도체 칩이 사용되고, 상기 돌출형 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 반도체 칩의 회로면과는 반대측의 이면은 노출이 되는 경우가 있다.In recent years, semiconductor devices have been manufactured using a so-called face down mounting method. In the face-down method, a semiconductor chip having protruding electrodes such as bumps on the circuit surface is used, and the protruding electrodes are bonded to a substrate. For this reason, the back side of the semiconductor chip opposite to the circuit side may be exposed.
노출이 되는 반도체 칩의 이면에는, 수지막으로서, 유기 재료를 함유하는 이면 보호막이 형성되고, 이면 보호막이 형성된 반도체 칩으로서 반도체 장치에 삽입되는 경우가 있다. 이면 보호막은 다이싱 공정이나 패키징 후, 반도체 칩에 있어서 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해 이용된다.On the exposed back side of the semiconductor chip, a back side protective film containing an organic material is formed as a resin film, and the semiconductor chip with the back side protective film formed may be inserted into a semiconductor device. The backside protective film is used to prevent cracks from occurring in the semiconductor chip after the dicing process or packaging.
반도체 웨이퍼의 반도체 칩으로의 개편화에는, 웨이퍼의 표면에 다이싱 블레이드(원형 칼날)를 대고 누르면서 절삭 가공하는 블레이드 다이싱법이나, 웨이퍼의 두께를 조정하는 이면 연삭에 앞서 다이싱을 행하는, 선 다이싱법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 선 다이싱법은 다이싱에 의해 웨이퍼 표면으로부터 절입 홈을 형성해 두고, 그 후, 적어도 절입 홈의 바닥면에 도달하도록 이면을 연삭하여, 이면 연삭에 의해 두께 조정과 반도체 웨이퍼의 칩으로의 분할을 동시에 행하는 것이다. 또한, 미리 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성해 두고, 웨이퍼의 표면 방향으로 익스팬드하여, 상기 개질층의 부위에 있어서 상기 반도체 웨이퍼를 분할하는 방법도 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 2).To separate semiconductor wafers into semiconductor chips, there is a blade dicing method, which involves cutting while pressing a dicing blade (circular blade) against the surface of the wafer, or a line die method, where dicing is performed prior to back side grinding to adjust the thickness of the wafer. The singe method is known (for example, patent document 1). In the line dicing method, a cutting groove is formed from the surface of the wafer by dicing, and then the back surface is ground so as to reach at least the bottom surface of the cutting groove. By grinding the back surface, the thickness is adjusted and the semiconductor wafer is divided into chips at the same time. It is done. In addition, a method is also known in which a modified layer is formed in advance inside a semiconductor wafer, expanded toward the surface of the wafer, and the semiconductor wafer is divided at the portion of the modified layer (for example, patent document 2).
이들 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물은, 예를 들면, 도 9에 나타내는 공정을 거쳐 제조된다. 즉, 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼(8) 등의 워크의 이면(8b)에, 수지막 형성 필름(13)을 적층하고(도 9(A)), 수지막 형성 필름(13)을 열경화시켜 수지막(13')으로 하며(도 9(B)), 수지막(13')에 레이저 마킹하고(도 9(C)), 수지막(13')에 지지 시트(10)를 적층하며(도 9(D)), 반도체 웨이퍼(8) 등의 워크 및 수지막(13')을 다이싱하여, 수지막이 형성된 반도체 칩(7)(즉, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(도 9(E)∼도 9(F)))을 형성하고, 수지막이 형성된 반도체 칩(7)을, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 방법이 알려져 있다(도 9(G)). 경화 공정 및 레이저 마킹 공정의 순번은 임의이고, 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 수지막 형성 필름(13)을 적층하며(도 9(A)), 수지막 형성 필름(13)에 레이저 마킹한 후, 수지막 형성 필름(13)을 열경화시켜 수지막(13')으로 하고, 그 후, 도 9(D)∼도 9(G)의 공정을 거쳐도 된다. 도 9(A)에서, 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에, 수지막 형성 필름(13)을 적층하는 제1 적층 공정과, 도 9(D)에서, 수지막(13')에 지지 시트(10)를 적층하는 제2 적층 공정은, 동일한 장치 내에서 행해지는 경우가 있다(예를 들면, 특허문헌 3). 그러나, 도 9(B)에서, 수지막 형성 필름(13)을 열경화시키는 공정과, 도 9(D)에서, 수지막(13')에 지지 시트(10)를 적층하는 제2 적층 공정은, 종래, 별도의 장치에서 행해지고 있다. 또한, 도 9(D)에서, 수지막(13')에 지지 시트(10)를 적층하는 제2 적층 공정과, 도 9(E)∼도 9(F)에서, 반도체 웨이퍼(8) 및 수지막(13')을 다이싱하는 공정도, 별도의 장치에서 행해지고 있다.The pieced workpiece with these resin films formed is manufactured through the process shown in FIG. 9, for example. That is, the resin film-forming
또한, 수지막 형성 필름(13) 및 지지 시트(10)가 일체화된, 수지막 형성용 복합 시트(1)가, 수지막이 형성된 반도체 칩의 제조에 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 2).In addition, a
수지막 형성용 복합 시트(1)를 사용하는, 수지막이 형성된 반도체 칩(7)의 제조 방법은, 예를 들면, 도 10에 나타내는 공정을 거친다. 즉, 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼(8) 등의 워크의 이면(8b)에, 수지막 형성 필름(13) 및 지지 시트(10)가 적층되어 이루어지는 수지막 형성용 복합 시트(1)의 수지막 형성 필름(13)을 첩부하고(도 10(A')), 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하며(도 10(B')), 수지막 형성 필름(13)을 열경화시켜 수지막(13')으로 하고(도 10(C')), 지지 시트(10)측으로부터, 수지막(13')에 레이저 마킹하며(도 10(D')), 반도체 웨이퍼(8) 및 수지막(13')을 다이싱하여, 수지막이 형성된 반도체 칩(7)(즉, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물)으로 하고(도 10(E')∼(도 10(F'))), 수지막이 형성된 반도체 칩(7)을, 지지 시트(10)로부터 픽업하는(도 10(G')) 방법이 알려져 있다. 경화 공정 및 레이저 마킹 공정의 순번은 임의이다. 이 경우도, 도 10(A')에서 반도체 웨이퍼(8)의 이면(8b)에 수지막 형성용 복합 시트(1)의 수지막 형성 필름(13)을 적층하는 공정과, 도 10(C')에서 수지막 형성 필름(13)을 열경화시켜 수지막(13')으로 하는 공정은, 별도의 장치에서 행해지고 있고, 도 10(C')에서 수지막 형성 필름(13)을 열경화시켜 수지막(13')으로 하는 공정과, 도 10(E')∼도 10(F')에서 반도체 웨이퍼(8) 및 수지막(13')을 다이싱하는 공정은, 별도의 장치에서 행해지고 있다.The method of manufacturing the
반도체 웨이퍼 등의 워크에 수지막 형성 필름을 개재하여 지지 시트(10)를 적층하는 공정과, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 다이싱하는 공정 사이에 있어서는, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 포함하는 적층체를 1장씩 반송하는 인라인 프로세스가 가능하다. 그런데, 상기 종래의 프로세스에서는, 수지막 형성 필름의 경화 공정을 오프라인으로 행하고 있어, 이에 한 번 워크를 생산 라인으로부터 떼어내지 않으면 안되고, 반도체 웨이퍼 등의 워크에 수지막 형성 필름을 개재하여 지지 시트(10)를 적층하는 공정과, 수지막 형성 필름을 경화시키는 공정은, 별도의 장치에서 행해지고 있다. 또한, 수지막 형성 필름을 경화시키는 공정과, 반도체 웨이퍼 등의 워크를 다이싱하는 공정은, 종래, 별도의 장치에서 행해지고 있다.Between the step of laminating the
워크에 수지막 형성 필름을 개재하고 지지 시트(10)를 적층하여 얻어지는 적층체는, 1개의 카세트에 복수장 수용되어, 수지막 형성 필름을 경화시키는 장치로 사람의 손에 의해 반송되고 있다. 또한, 경화시켜 얻어지는 적층체는, 1개의 카세트에 복수장 수용되어, 워크를 다이싱하는 장치로 사람의 손에 의해 반송되고 있다. 사람의 손에 의한 반송은, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 생산 효율을 현저히 저하시킨다.A plurality of laminates obtained by laminating the
또한, 이들 적층체가 카세트에 수용되어 반송되는 동안에 오염되거나, 파손될 우려가 있다.Additionally, there is a risk that these laminates may become contaminated or damaged while being transported in a cassette.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능한 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention was made in consideration of the above circumstances, and its object is to provide a method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film that can be manufactured efficiently and at low cost.
본 발명은 이하의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법, 및 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치를 제공한다.The present invention provides the following method for manufacturing a piece-by-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film on it.
[1] 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정과,[1] An energy ray-curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work, Energy ray irradiation is performed on the laminate including the resin film-forming film and the work in this order, or the resin film-forming film of the laminate including the resin film-forming film and the workpiece in this order. A curing process to form,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정을 구비하고,A cleaving process is provided to cleave the resin film forming film or the resin film,
상기 할단 공정부터 상기 경화 공정까지, 또는, 상기 경화 공정부터 상기 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.A method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the cutting process to the hardening process is performed, or the curing process to the cutting process is performed in an in-line process.
[2] 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 공정과,[2] An energy ray curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work, A lamination process of forming a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order, or a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order;
상기 경화 공정과, 상기 할단 공정을 구비하고,Provided with the curing process and the cutting process,
상기 적층 공정과, 상기 경화 공정과, 상기 할단 공정을 이 순서로 행하여,The lamination process, the curing process, and the cutting process are performed in this order,
상기 적층 공정부터 상기 경화 공정까지, 및 상기 경화 공정부터 상기 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, [1]에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.The method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to [1], wherein from the lamination process to the curing process and from the curing process to the cutting process are performed in an in-line process.
[3] 상기 워크의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공 또는 하프 다이싱 가공함으로써, 워크 가공물을 형성하는 가공 공정과,[3] A processing step of forming a work piece by performing modified layer processing or half dicing processing on the portion where the work is to be divided into pieces;
상기 할단 공정을 구비하고,Provided with the above division process,
상기 할단 공정이, 상기 워크 가공물의 개질층 가공된 개소 또는 하프 다이싱 가공된 개소를 따라, 상기 수지막 형성 필름 또는 상기 수지막을 할단하는 공정인, [1] 또는 [2]에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.The resin film formed according to [1] or [2], wherein the cutting process is a process of cutting the resin film forming film or the resin film along the modified layer processed portion or the half diced portion of the workpiece. Method for manufacturing individualized workpieces.
[4] 지지 시트 상에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름, 및, 회로면을 갖는 워크, 혹은, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 첩부 공정과,[4] A sticking process of forming a laminate including an energy-ray curable resin film forming film on a support sheet, and a work having a circuit surface, or a workpiece obtained by processing the work in this order;
상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정과,A curing process of forming a resin film by irradiating energy rays to the resin film forming film;
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정과,A cutting process of cutting the resin film forming film or the resin film;
상기 할단 공정 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 공정을 구비하고,After the cutting process, an expand process is provided to expand the support sheet,
상기 할단 공정부터 상기 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.A method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the cutting process and the expanding process are performed in an in-line process.
[5] 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 수단과,[5] An energy ray-curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work, Energy ray irradiation is performed on the laminate including the resin film-forming film and the work in this order, or the resin film-forming film of the laminate including the resin film-forming film and the workpiece in this order. hardening means for forming,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단을 구비하고,Provided with a cutting means for cutting the resin film forming film or the resin film,
상기 할단 수단부터 상기 경화 수단까지, 또는, 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.An apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the process from the cutting means to the hardening means or from the hardening means to the cutting means is performed in an in-line process.
[6] 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 수단과,[6] An energy ray curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work, Lamination means for forming a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order, or a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order;
상기 경화 수단과, 상기 할단 수단을 구비하고,Equipped with the hardening means and the cutting means,
상기 적층 수단과, 상기 경화 수단과, 상기 할단 수단을 이 순서로 행하여,The lamination means, the hardening means, and the cutting means are performed in this order,
상기 적층 수단부터 상기 경화 수단까지, 및 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, [5]에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film as described in [5], wherein the process from the stacking means to the hardening means and from the hardening means to the cutting means are performed in an in-line process.
[7] 상기 워크의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공 또는 하프 다이싱 가공함으로써, 워크 가공물을 형성하는 가공 수단과,[7] Processing means for forming a work piece by performing modified layer processing or half dicing processing on the portion where the work is to be divided into pieces;
상기 할단 수단을 구비하고,Provided with the above installment means,
상기 할단 수단이, 상기 워크 가공물의 개질층 가공된 개소 또는 하프 다이싱 가공된 개소를 따라, 상기 수지막 형성 필름 또는 상기 수지막을 할단하는 수단인, [5] 또는 [6]에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The resin film formed according to [5] or [6], wherein the cutting means is a means for cutting the resin film-forming film or the resin film along the modified layer-processed portion or the half-diced portion of the workpiece. Equipment for manufacturing individualized workpieces.
[8] 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 지지 시트 및 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 수단과,[8] A support sheet and an energy-ray curable resin film forming film are laminated on the surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on the surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. A laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the workpiece in this order, or a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the workpiece in this order. Curing means for forming a resin film by irradiating energy rays to the resin film forming film;
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단과,a cutting means for cutting the resin film-forming film or the resin film;
상기 할단 수단 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 수단을 구비하고,After the cutting means, an expand means for expanding the support sheet,
상기 할단 수단부터 상기 익스팬드 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, [5]∼[7] 중 어느 한 항에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The apparatus for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to any one of [5] to [7], wherein the process from the cutting means to the expanding means is performed in an in-line process.
본 발명에 의하면, 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능한 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, a method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film that can be manufactured efficiently and at low cost is provided.
도 1a는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 1b는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 2는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 3a는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 3b는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 4는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 기재(11) 상에 점착제층(12)이 형성된 지지 시트(10)의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7a는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 7b는 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 8은 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 또 다른 일 예에 있어서의 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 9는 종래의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.
도 10은 종래의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법의 다른 일 예를 모식적으로 나타내는 개략 단면도이다.Fig. 1A is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in an example of the method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
FIG. 1B is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in an example of the method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
FIG. 3A is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
FIG. 3B is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
Fig. 4 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
Fig. 5 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a
FIG. 7A is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
FIG. 7B is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
Fig. 8 is a schematic cross-sectional view schematically showing a part of the process in another example of the method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon according to the embodiment.
Figure 9 is a schematic cross-sectional view schematically showing an example of a conventional method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon.
Figure 10 is a schematic cross-sectional view schematically showing another example of a conventional method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon.
＜＜수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞＞＜＜Manufacturing method of individual workpieces with resin film formed＞＞
본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은,The method for manufacturing a pieced workpiece on which a resin film is formed according to the present invention,
회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정과,The above-mentioned resin film formation, wherein an energy ray-curable resin film-forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the above-mentioned work. Curing to form a resin film by irradiating energy rays to the resin film-forming film of a laminate comprising the film and the work in this order, or the laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order. process,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정을 구비하고,A cleaving process is provided to cleave the resin film forming film or the resin film,
상기 할단 공정부터 상기 경화 공정까지, 또는, 상기 경화 공정부터 상기 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행한다.From the cutting process to the hardening process, or from the hardening process to the cutting process, the process is performed in an in-line process.
또한, 본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은,In addition, the method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon according to the present invention includes the following:
회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 공정과,The resin film is formed by laminating an energy ray curable resin film forming film on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. A lamination process of forming a laminate comprising the film and the work in this order, or a laminate comprising the resin film forming film and the workpiece in this order;
지지 시트 상에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름, 및, 회로면을 갖는 워크, 혹은, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 첩부 공정과,A sticking step of forming a laminate including an energy-ray curable resin film forming film on a support sheet, and a work having a circuit surface, or a workpiece obtained by processing the work in this order;
상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정과,A curing process of forming a resin film by irradiating energy rays to the resin film forming film;
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정과,A cutting process of cutting the resin film forming film or the resin film;
상기 할단 공정 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 공정을 구비하고,After the cutting process, an expand process is provided to expand the support sheet,
상기 할단 공정부터 상기 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.A method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the cutting process and the expanding process are performed in an in-line process.
열경화성 수지막 형성 필름을 사용한 경우, 열경화시켜 수지막을 얻기 위해, 통상은 1시간 이상의 열경화 공정이 필요해져, 동일 장치에서 순차적으로, 수지막 형성 필름, 혹은, 수지막을 할단하는 할단 공정을 행할 수 없다.When a thermosetting resin film-forming film is used, a heat curing process of 1 hour or more is usually required to obtain a resin film by heat curing, and a cutting process of cutting the resin film-forming film or the resin film is performed sequentially in the same device. I can't.
본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정을 구비한다. 본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 사용하므로, 수지막을 형성하는 경화 공정을 단시간에 완료시킬 수 있다. 그리고, 수지막 형성 필름, 혹은, 수지막을 할단하는 할단 공정을 행하는 생산 라인에, 에너지선 조사의 유닛을 포함하는 것만 하면, 동일한 장치에서 이들 공정을 행할 수 있어, 생산성이 현저히 향상된다.The method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film of the present invention includes a curing step of forming a resin film by irradiating an energy ray curable resin film forming film with energy rays. Since the method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film of the present invention uses an energy ray-curable resin film-forming film, the curing process for forming the resin film can be completed in a short time. In addition, as long as the production line that performs the cutting process of cutting the resin film forming film or the resin film includes an energy ray irradiation unit, these processes can be performed in the same device, and productivity is significantly improved.
이하, 제1 실시형태∼제6 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법에 대해 도면을 사용하여 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상 특징이 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일하다고는 한정되지 않는다.Hereinafter, a method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film according to the first to sixth embodiments will be described using the drawings. Meanwhile, in the drawings used in the following description, in order to make the features easier to understand, the featured parts may be enlarged for convenience, and the dimensional ratios of each component are not limited to being the same as the actual figures.
＜제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to the first embodiment>
제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 1a 및 도 1b로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제1 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)함으로써, 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 1a(a)∼도 1a(b))과, 개질층 가공(141)된 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하는 연삭 공정(도 1a(c)∼도 1a(d))을 구비한다.The manufacturing method of the pieced
본 실시형태에 있어서, 도 1a(a)에 나타내는 워크(14)로서, 반도체 웨이퍼를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼(워크(14))의 한쪽 면에 회로면(14a)을 갖고 있고, 회로면(14a)에는 범프(41)가 형성되어 있다. 또한, 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프(41)가, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭시 찌그러지거나, 웨이퍼 이면에 있어서의 딤플이나 크랙이 발생하는 것을 방지하기 위해, 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프(41)를, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호하는 것이 바람직하다(도 1a(c)).In this embodiment, a semiconductor wafer is used as the
워크(14)로는, 한쪽에 회로면(14a)을 갖고, 다른 쪽 면이 이면이라고 할 수 있는 것이면 한정되지 않는다. 워크(14)로서, 한쪽에 회로면을 갖는 반도체 웨이퍼나, 개편화되어 개개의 전자 부품이 봉지 수지로 봉지되고, 한편, 단자가 형성된 반도체 장치의 단자 형성면(다시 말하면, 회로면)을 갖는 단자가 형성된 반도체 장치 집합체로 이루어지는 반도체 장치 패널 등을 예시할 수 있다.The
웨이퍼로는, 실리콘, 게르마늄, 셀렌 등의 원소 반도체나, GaAs, GaP, InP, CdTe, ZnSe, SiC 등의 화합물 반도체로 구성되는 반도체 웨이퍼; 사파이어, 유리 등의 절연체로 구성되는 절연체 웨이퍼를 들 수 있다.Examples of the wafer include semiconductor wafers made of elemental semiconductors such as silicon, germanium, and selenium, and compound semiconductors such as GaAs, GaP, InP, CdTe, ZnSe, and SiC; Examples include insulator wafers made of insulators such as sapphire and glass.
「반도체 장치 패널」이란, 적어도 1개의 전자 부품이 봉지 수지층으로 봉지된 복수의 반도체 장치가, 평면적으로 배열되어 배치된 집합체를 말한다.“Semiconductor device panel” refers to an assembly of a plurality of semiconductor devices in which at least one electronic component is sealed with an encapsulation resin layer, arranged in a planar manner.
본 명세서에 있어서는, 회로가 형성되어 있는 측의 워크의 면을 「회로면」으로 칭한다. 그리고, 워크의 회로면과는 반대측의 면을 「이면」이라고 하는 경우가 있다. 회로가 형성되어 있는 측의 워크 가공물의 면을 「회로면」으로 칭하고, 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면을 「이면」이라고 하는 경우가 있다.In this specification, the surface of the work on which the circuit is formed is referred to as the “circuit surface.” In some cases, the surface opposite to the circuit surface of the workpiece is referred to as the “back surface.” The surface of the workpiece on which the circuit is formed is sometimes referred to as the “circuit surface,” and the surface on the opposite side to the circuit surface of the workpiece is sometimes referred to as the “back side.”
회로면 보호용 테이프(17)로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2016-192488호, 일본 공개특허공보 2009-141265호에 개시된 표면 보호용 시트를 사용할 수 있다. 회로면 보호용 테이프(17)는 적당한 재박리성을 갖는 점착제층(12)을 구비하고 있다. 점착제층(12)은 고무계, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 우레탄 수지, 비닐에테르 수지 등 범용 약점착 타입의 점착제로부터 형성되어도 된다. 또한, 점착제층(12)은 에너지선의 조사에 의해 경화하여 재박리성이 되는 에너지선 경화형 점착제여도 된다. 회로면 보호용 테이프(17)가 양면 테이프 형상으로 되어 있고, 회로면 보호용 테이프(17)의 더욱 외측이 경질 지지체에 고정되어 있어도 되며, 경질 지지체에 워크(14)가 고정되어 있어도 된다.As the circuit
본 실시형태는 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)한 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하므로, 연삭할 때의 진동이나 충격에 의해 개편화할 수 있다. 본 실시형태는 개질층이 벽개한 후의 파쇄층도 연삭에 의해 절삭함으로써, 개편화된 워크 가공물(14')의 강도가 향상되기 때문에, 보다 얇은 개편화된 워크 가공물(14')을 제조할 수 있다.In this embodiment, after the modified
제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로,The method for manufacturing the pieced
워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 지지 시트(10) 및 수지막 형성 필름(13)이 적층된 수지막 형성용 복합 시트(1)의 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 지지 시트(10) 상에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 1b(g)∼도 1b(h))과,A
제3 적층체(103) 중의 수지막 형성 필름(13)을, 워크 가공물(14')의 개질층 가공(141)된 개소를 따라 할단하여, 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)이 적층된 제4 적층체(104)를 형성하는 할단 공정(도 1b(j))과,The resin film-forming
제4 적층체(104) 중의 수지막 형성 필름(13)에 대해, 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하여 수지막(13')을 형성하며, 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)이 적층된 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 1b(k))을 구비하고,The resin
할단 공정(도 1b(j))부터 경화 공정(도 1b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The cutting process (FIG. 1b(j)) to the curing process (FIG. 1b(k)) is performed in an in-line process.
본 명세서에 있어서, 「인라인 프로세스」란, 단일 혹은 복수의 공정을 행하는 장치를 복수대 연결한 시설 내에서, 또는, 복수의 공정을 행하는 1개의 장치 내에서 행하는 프로세스로서, 1개의 공정과 그 다음 공정 사이에 있어서, 워크 혹은 워크 가공물을 포함하는 적층체를 1장씩 반송하는 프로세스를 말한다. 또한, 「오프라인 프로세스」란, 1개의 공정과 그 다음 공정 사이에 있어서, 워크 혹은 워크 가공물을 포함하는 적층체를 2장 이상씩 반송하는 프로세스를 말하고, 연결되어 있지 않은 복수대의 장치에서 복수의 공정을 행하는 프로세스를 포함할 수 있다.In this specification, “in-line process” refers to a process performed in a facility where multiple devices that perform single or multiple processes are connected, or in one device that performs multiple processes, where one process and the next process are performed. This refers to a process in which the laminate containing the work or workpiece is transported one by one between processes. In addition, “offline process” refers to a process in which two or more laminates containing workpieces or workpieces are transported between one process and the next process, and is performed in multiple processes using multiple unconnected devices. It may include a process that performs.
본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.In this specification, “energy ray” means an electromagnetic wave or charged particle ray that has energy quantum. Examples of energy rays include ultraviolet rays, radiation, and electron beams. For example, ultraviolet rays can be irradiated by using a high-pressure mercury lamp, fusion lamp, xenon lamp, black light, or LED lamp as the ultraviolet ray source. Electron beams generated by an electron beam accelerator, etc. can be irradiated.
또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.In addition, in this specification, “energy ray curability” means the property of hardening by irradiating an energy ray, and “non-energy ray curing property” means the property of not hardening even when irradiating an energy ray.
에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 에너지선 경화시켜, 보호막을 형성할 때의 경화 조건은, 보호막이 충분히 그 기능을 발휘하는 정도의 경화도가 되는 한 특별히 한정되지 않고, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름의 종류에 따라, 적절히 선택하면 된다.The curing conditions when forming a protective film by energy ray curing the energy ray curable resin film forming film are not particularly limited as long as the degree of curing is sufficient for the protective film to sufficiently exert its function. Depending on the type, select appropriately.
예를 들면, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름의 에너지선 경화시에 있어서의, 에너지선의 조도는 4∼280㎽/㎠인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 경화시에 있어서의, 에너지선의 광량은 3∼1000mJ/㎠인 것이 바람직하다.For example, the illuminance of the energy ray during energy ray curing of the energy ray curable resin film forming film is preferably 4 to 280 mW/cm2. And, during the curing, the amount of energy rays is preferably 3 to 1000 mJ/cm2.
본 실시형태는 할단 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하므로, 제4 적층체(104)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있다. 동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 제4 적층체(104)를 사람의 손에 의해 반송할 필요가 없어져, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 장치(예를 들면, 지지 시트(10)를 신장(익스팬드)함으로써, 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 장치)와, 수지막 형성 필름(13)에 대해 에너지선 조사(E)하는 장치를 연결시켜 행함으로써, 처음부터 설계하지 않더라도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어, 초기 비용의 저감이 가능하다. 그리고, 본 실시형태는 제4 적층체(104)를 반송하는 동안의 오염, 파손을 억제할 수 있고, 또한, 제4 적층체(104)의, 반송 및 공정 사이의 보관에 필요한 시간을 줄일 수 있다. 그 결과, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, since the cutting process and the curing process are performed in an in-line process, the fourth
본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 상술한 연삭 공정에 있어서, 워크 가공물(14')의 연삭에 의해 워크(14)의 개편화를 행함으로써, 적층 공정에 있어서 이미 워크 가공물(14')이 개편화되어 있다. 이 때문에, 수지막 형성 필름(13)을 할단함으로써, 간편하게, 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)을 얻을 수 있다. 따라서, 할단 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 장치에, 할단 수단과는 별도로 워크 가공물(14')의 개편화 수단을 추가할 필요가 없다. 할단 수단으로서, 익스팬드 수단을 채용하는 경우에는, 장치에 블레이드 다이싱 수단이나 레이저 절단 수단을 추가할 필요가 없어, 장치를 간략화할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 할단 공정과 같이, 워크 가공물(14')을 개질층 가공(141)에 의해 얻는 경우에는, 워크 가공물(14')의 개질층 가공(141)된 개소를 따라, 수지막 형성 필름(13)을 할단하지만, 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 것이 바람직하다. 연삭에 의해 워크 가공물(14')을 벽개시키는 것에 의한 개편화의 경우에는, 이웃하는 개개의 개편화된 워크 가공물(14')의 간격은 실질적으로 존재하지 않기 때문에, 레이저나 블레이드에 의한 수지막 형성 필름(13)의 절단이 곤란한 경우가 있기 때문이다.In the method of manufacturing a workpiece with a resin film formed according to the present embodiment, in the above-described grinding process, the
본 실시형태에서는, 첩부 공정(도 1b(g)∼도 1b(h))의 시점에서 워크 가공물(14')은 개편화되어 있지만, 연삭에 의해 워크 가공물(14')을 벽개시키는 것에 의한 개편화의 경우에는, 이웃하는 개개의 개편화된 워크 가공물(14')의 간격은 실질적으로 존재하지 않고, 개개의 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)의 간격은 작다. 이 때문에, 제4 적층체(104)를 긴 반송 거리 사이에서 반송하면, 이웃하는 개편화된 워크 가공물(14')끼리가 접촉하여, 개편화된 워크 가공물(14')의 단부가 파손될 우려가 있다. 본 실시형태에서는, 할단 공정(도 1b(j))부터 경화 공정(도 1b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행하므로, 할단 공정(도 1b(j))과, 경화(도 1b(k)) 사이의 반송 거리는 매우 짧고, 개편화된 워크 가공물(14')의 단부가 파손될 우려를 저감시킬 수 있다.In this embodiment, the workpiece 14' is divided into pieces at the time of the sticking process (FIGS. 1b(g) to 1b(h)), but the workpiece 14' is broken into pieces by grinding. In the case of a thin film, the gap between neighboring individual individual work pieces 14' does not exist substantially, and the gap between the
또한, 할단 공정 및 경화 공정 후, 별도로 지지 시트(10)를 익스팬드하는 익스팬드 공정을 행하는 경우, 할단 공정부터 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다. 지지 시트(10)의 익스팬드 전에는, 개편화된 상기 워크 가공물(14')의 간격이 좁아, 이들 공정을 오프라인 프로세스로 행하면, 공정 이행시의 반송에 의해, 개편화된 상기 워크 가공물(14')끼리가 접촉하여 파손될 가능성이 있다. 그러나, 익스팬드 공정을 인라인 프로세스 내에서 실행한 후에는, 그 후의 오프라인 프로세스에 있어서의, 상기 워크 가공물끼리의 접촉에 의한 파손의 가능성이 저감된다.In addition, when performing an expand process to expand the
본 실시형태에 있어서, 워크 가공물(14')의 개편화부터, 경화 공정까지의 모든 프로세스를 인라인으로 행하여, 개편화된 워크 가공물(14')이 파손될 가능성을 저감하는 관점에서, 연삭 공정부터 적층 공정까지를 인라인 프로세스로 행하는 것도 바람직하다.In this embodiment, all processes from the separation of the workpiece 14' to the hardening process are performed in-line, from the grinding process to the stacking process from the viewpoint of reducing the possibility of the broken workpiece 14' being broken into pieces. It is also desirable to carry out the entire process in an in-line process.
또한, 본 실시형태는 첩부 공정(도 1b(g)∼도 1b(h))부터 경화 공정(도 1b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다.In addition, in this embodiment, it is preferable to perform the sticking process (FIG. 1B(g) to 1B(h)) to the curing process (FIG. 1B(k)) in an in-line process.
본 실시형태에서는, 첩부 공정(도 1b(g)∼도 1b(h))과 동시에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제2 적층체(102)를 형성하는 적층 공정이 행해진다.In this embodiment, the
본 실시형태는 첩부 공정(즉, 적층 공정)부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제3 적층체(103) 및 제4 적층체(104)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있다. 동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 제3 적층체(103) 및 제4 적층체(104)를 사람의 손에 의해 반송할 필요가 없어져, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 장치와, 수지막 형성 필름(13)에 대해 에너지선 조사(E)하는 장치를 연결시켜 행함으로써, 처음부터 설계하지 않더라도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어, 초기 비용의 저감이 가능하다. 또한, 워크 가공물(14')에 적층하는 장치(수지막 형성용 복합 시트(1)를 워크 가공물(14')에 첩부하는 장치)도 동일한 장치에 연결시키는 것이 가능하다. 그리고, 본 실시형태는 제3 적층체(103) 및 제4 적층체(104)를 반송하는 동안의 오염, 파손을 억제할 수 있고, 또한, 제3 적층체(103) 및 제4 적층체(104)의, 반송 및 공정 사이에 있어서의 보관에 필요한 시간을 줄일 수 있다. 그 결과, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, the process from the sticking process (i.e., the lamination process) to the curing process is performed in an in-line process, so that the third
이 경우에는, 첩부 공정부터 할단 공정까지의 사이에 있어서도, 이웃하는 개편화된 워크 가공물(14')끼리가 접촉하여, 개편화된 워크 가공물(14')의 단부가 파손될 가능성을 저감할 수 있다.In this case, even between the pasting process and the cutting process, the possibility that adjacent divided work pieces 14' come into contact with each other and the ends of the broken work pieces 14' are damaged can be reduced. .
본 실시형태에 있어서, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)은, 회로면 보호용 테이프(17)로 보호되고, 첩부 공정(도 1b(g)∼도 1b(h)) 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정을 구비하는 것이 바람직하다(도 1b(h)∼도 1b(i)).In this embodiment, the
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로, 수지막 형성 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 1b(l))과, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)을, 지지 시트(10)로부터 픽업하는 공정(도 1b(m))을 구비하는 것이 바람직하다. 본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 수지막 형성 필름(13)에, 지지 시트(10)가 적층되므로, 지지 시트(10)측으로부터 지지 시트(10) 너머로 레이저를 조사하면, 수지막 형성 필름(13)의 지지 시트(10)와 접하고 있는 면에 레이저 마킹할 수 있다.The method of manufacturing the piece-
(제1 실시형태의 변형예)(Modification of the first embodiment)
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed in the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. 1A and 1B, and includes some of those shown in FIGS. 1A and 1B within a range that does not impair the effect of the present invention. The configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
예를 들면, 본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 수지막 형성용 복합 시트(1)를 사용하지 않고, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')이 적층된 제2 적층체(102)를 형성하는 적층 공정(도 2(e)∼도 2(f))과, 제2 적층체(102) 중의 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13b)에, 지지 시트(10)를 첩부하여, 지지 시트(10) 상에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 2(g)∼도 1b(h))을 구비하고 있어도 된다.For example, the method for manufacturing a separate workpiece with a resin film of the present embodiment does not use the
한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.Meanwhile, in the drawings after FIG. 2, the same components as those shown in the already described drawings are given the same reference numerals as in the described drawings, and their detailed descriptions are omitted.
이 경우, 적층 공정 후, 첩부 공정이 실시되고, 첩부 공정은 통상, 할단 공정 전에 실시된다. 또한, 적층 공정, 첩부 공정, 할단 공정, 및 경화 공정을 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다. 적층 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제2 적층체(102)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있으며, 제3 적층체(103)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있으므로, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을, 보다 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this case, the sticking process is performed after the lamination process, and the sticking process is usually performed before the cutting process. Additionally, it is desirable to perform the lamination process, pasting process, cutting process, and curing process as an in-line process. By performing the lamination process and the curing process in an in-line process, the second
또한, 적층 공정은 오프라인 프로세스로 하고, 첩부 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스에 의해 실행해도 되며, 이 경우에도, 첩부 공정부터 경화 공정까지의 사이의, 제3 적층체(103)의 반송이나 보관 시간의 단축에 의한 효율화, 제3 적층체(103)가 파손되는 것의 리스크를 저감한다는 효과를 얻을 수 있다. 본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 실시하기 위한 제조 장치에 있어서, 적층 공정을 행하는 적층 수단과 첩부 공정을 행하는 첩부 수단은, 통상, 유사한 기구를 구비하고 있고, 일체화하는 것이 용이하기 때문에, 적층 공정과 첩부 공정도 인라인 프로세스로 실행하는 것이 보다 바람직하다.In addition, the lamination process may be an offline process, and the pasting process to the curing process may be performed by an in-line process. In this case, the third
이와 같이 적층 공정 후 첩부 공정을 실행하는 경우에 있어서, 지지 시트(10)가 기재(11) 상에 점착제층(12)을 갖는 점착 시트이면, 점착제층(12)과 수지막 형성 필름(13) 사이에서, 서로 각각의 성분이 이행될 가능성이 있다. 이러한 성분의 이행량은, 점착제층(12)과 수지막 형성 필름(13)이 접촉하고 있는 시간이 길수록 증대해 간다. 본 발명에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법에서는, 첩부 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 가능하고, 첩부 공정과 경화 공정 사이의 시간을 단축하는 것이 가능하다. 이에 의해, 상기 성분 이행의 증대를 방지하여, 성분 이행에 수반하는 수지막 형성 필름(13)의 특성의 변화 등, 예를 들면, 경화 성능의 저하 등의 문제가 발생할 가능성을 저감할 수 있다.In the case of carrying out the sticking process after the lamination process in this way, if the
＜제2 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piece-shaped workpiece with a resin film formed according to the second embodiment>
제2 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 3a 및 도 3b로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제2 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 상기 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 하프 다이싱 가공(142)함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 3a(a)∼도 3a(b))과, 하프 다이싱 가공(142)된 상기 워크 가공물(14')의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 개편화하는 연삭 공정(도 3a(c)∼도 3a(d))을 구비한다.In the method of manufacturing the pieced
본 실시형태에 있어서, 도 1a(a)에 나타내는 워크(14)로서, 한쪽 면에 회로면(14a)을 갖는 반도체 웨이퍼(워크(14))를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프(41)를, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호한다(도 3a(c)). 본 실시형태에 있어서의 상기 워크 가공물(14')은, 하프 다이싱 가공(142)되므로, 상기 워크 가공물(14')의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭할 때 개편화되어, 개편화 워크 가공물(20)로 할 수 있다.In this embodiment, a semiconductor wafer (work 14) having a
워크 가공물(14')을 개편화하는 연삭 공정(도 3a(c)∼도 3a(d))에 있어서는, 연삭할 때의 진동이나 충격에 의해 워크 가공물(14')이 개편화되는 것은 아니고, 워크 가공물(14')의 이면이 연삭되어, 하프 다이싱 가공(142)에 의해 형성된 홈에 이면이 도달함으로써 개편화된다. 본 실시형태에 있어서, 회로면 보호용 테이프(17)는 복수의 개편화 워크 가공물(20)을 유지할 수 있다.In the grinding process of dividing the workpiece 14' into pieces (FIGS. 3a(c) to 3a(d)), the workpiece 14' is not broken into pieces due to vibration or impact during grinding. The back side of the workpiece 14' is ground, and the back side reaches the groove formed by the
상기 워크 가공물(14')은 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭할 때 개편화되므로, 상기 수지막 형성 필름(13)을 할단할 때, 간편하게, 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)을 얻을 수 있다.Since the workpiece 14' is divided into pieces when grinding the
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 추가로, 개편화 워크 가공물(20)의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 상기 지지 시트(10) 및 상기 수지막 형성 필름(13)이 적층된 수지막 형성용 복합 시트(1)의 상기 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 상기 지지 시트(10) 상에, 상기 수지막 형성 필름(13) 및 상기 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 3b(g)∼도 3b(h))과,The method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed on it according to the present embodiment further includes forming the
상기 제3 적층체(103) 중의 상기 수지막 형성 필름(13)을, 상기 워크 가공물(14')의 상기 하프 다이싱 가공(142)된 개소를 따라 할단하여, 상기 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)이 적층된 제4 적층체(104)를 형성하는 할단 공정(도 3b(j))과,The resin
상기 제4 적층체(104) 중의 상기 수지막 형성 필름(13)에 대해, 상기 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하여 수지막(13')을 형성하며, 상기 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)이 적층된 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))을 구비하고,Energy ray irradiation (E) is applied to the resin
제4 적층체(104)를 형성하는 할단 공정(도 3b(j))부터 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The cutting process (FIG. 3b(j)) for forming the fourth
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 3b(g)∼도 3b(h))부터 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행해도 된다.The method for manufacturing a separate workpiece with a resin film of this embodiment includes the sticking process of forming the third laminated body 103 (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) to the sixth
워크 가공물(14')의 이면을 연삭하여, 하프 다이싱 가공(142)에 의해 형성된 홈에 이면이 도달함으로써 개편화하는 경우, 통상은 개질층 가공(141)에 의해 워크 가공물(14')을 얻는 경우보다 개편화된 워크 가공물(14')의 간격은 크다. 그러나, 수율 향상 등을 위해, 개편화된 워크 가공물(14')의 간격은 작은 경우도 있어, 적층 공정 후 경화 공정을 오프라인 프로세스로 행하는 경우나, 할단 공정과 경화 공정을 오프라인 프로세스로 행하는 경우에, 개편화된 워크 가공물(14')끼리의 접촉에 의한 파손이 일어날 수 있다. 이 때문에, 이들 공정을 인라인 프로세스화함으로써, 개편화된 워크 가공물(14')의 파손의 가능성을 저감할 수 있다. 워크 가공물(14')이 아닌, 워크(14)에 수지막 형성 필름(13)을 적층하는 경우에는, 수지막 형성 필름(13)에 에너지선 조사하여 수지막(13')을 형성한 후, 워크(14)의 개편화 및 수지막(13')의 할단을 일괄하여 행함으로써, 개편화된 워크 가공물(14')의 상태에서 경화 공정을 행하는 것을 회피할 수 있다.When grinding the back surface of the workpiece 14' and dividing it into pieces by reaching the groove formed by the
그러나, 워크 가공물(14')을 연삭 공정으로 개편화하는 경우, 반드시 경화 공정은 워크 가공물(14')이 개편화된 상태에서 행해지기 때문에, 경화 공정의 인라인 프로세스화에 의해, 개편화된 워크 가공물(14')의 파손을 방지할 수 있다.However, when the workpiece 14' is divided into pieces through the grinding process, the hardening process is necessarily performed while the workpiece 14' is broken into pieces, so by converting the hardening process into an in-line process, the pieced workpiece is Damage to the workpiece 14' can be prevented.
＜제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piecework workpiece with a resin film formed according to the third embodiment>
제3 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 1a 및 도 4로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제3 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 상기 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 1a(a)∼도 1a(b))과, 개질층 가공(141)된 상기 워크 가공물(14')의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하는 연삭 공정(도 1a(c)∼도 1a(d))을 구비한다.The method of manufacturing the pieced
본 실시형태에 있어서의 가공 공정(도 1a(a)∼도 1a(b))부터 연삭 공정(도 1a(c)∼도 1a(d))은, 제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법에 있어서의 가공 공정(도 1a(a)∼도 1a(b))부터 연삭 공정(도 1a(c)∼도 1a(d))과 동일하다.The machining process (FIG. 1A(a) to 1A(b)) to the grinding process (FIG. 1A(c) to 1A(d)) in the present embodiment are divided into pieces on which the resin film according to the first embodiment has been formed. The machining process (FIGS. 1A(a) to 1A(b)) in the manufacturing method of the workpiece is the same as the grinding process (FIGS. 1A(c) to 1A(d)).
본 실시형태에 있어서, 도 1a(a)에 나타내는 워크(14)로서, 한쪽 면에 회로면(14a)을 갖는 반도체 웨이퍼(워크(14))를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프(41)를, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호한다(도 1a(c)). 회로면 보호용 테이프(17)에 대한 설명은, 제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법에 있어서의 회로면 보호용 테이프(17)에 대한 설명과 동일하다.In this embodiment, a semiconductor wafer (work 14) having a
본 실시형태는 상기 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)한 후, 상기 워크 가공물(14')의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하므로, 연삭할 때의 진동이나 충격에 의해 개편화할 수 있다. 본 실시형태는 개질층이 벽개한 후의 파쇄층도 연삭에 의해 절삭함으로써, 개편화 워크 가공물의 강도가 향상되기 때문에, 보다 얇은 개편화 워크 가공물을 제조할 수 있다.In this embodiment, after performing modified
제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로,The method for manufacturing the pieced
워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 지지 시트(10) 및 수지막 형성 필름(13)이 적층된 수지막 형성용 복합 시트(1)의 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 지지 시트(10) 상에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h))과,A
제3 적층체(103) 중의 수지막 형성 필름(13)에 대해, 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하여 수지막(13')을 형성하며, 지지 시트(10) 상에, 수지막(13') 및 상기 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정(도 4(j))과,Energy ray irradiation (E) is applied to the resin
제５ 적층체(105) 중의 수지막(13')을, 워크 가공물(14')의 개질층 가공(141)된 개소를 따라 할단하여, 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)이 적층된 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정(도 4(l))을 구비하고,The resin film 13' in the
경화 공정(도 4(j))부터 할단 공정(도 4(l))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The curing process (FIG. 4(j)) to the cutting process (FIG. 4(l)) is performed in an in-line process.
본 실시형태는 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h))과 동시에, 상기 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제2 적층체(102)를 형성하는 적층 공정이 행해진다.In this embodiment, simultaneously with the sticking process (FIGS. 4(g) to 4(h)), the
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태와 동일하게, 연삭 공정에 있어서, 워크 가공물(14')의 연삭에 의해 워크(14)의 개편화를 행함으로써, 적층 공정에 있어서 이미 워크 가공물(14')이 개편화되어 있기 때문에, 수지막 형성 필름(13)을 할단함으로써, 간편하게, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)을 얻을 수 있다. 또한, 적층 공정, 할단 공정(바람직하게는, 지지 시트(10)의 익스팬드에 의한, 익스팬드 공정을 겸한 할단 공정), 및 경화 공정을 인라인 프로세스화하여, 워크에 대한 수지막 형성과, 개편화된 수지막이 형성된 워크 가공물(14')을 효율적으로 얻을 수 있고, 제조 장치의 간략을 도모할 수 있다. 또한, 이웃하는 개개의 개편화된 워크 가공물(14')의 간격이 실질적으로 존재하지 않더라도, 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해, 용이하게 수지막(13')을 할단할 수 있다.In this embodiment as well, as in the first embodiment, in the grinding process, the
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태와 동일하게, 이웃하는 개개의 개편화된 워크 가공물(14')의 간격은 실질적으로 존재하지 않고, 개개의 수지막 형성 필름(13)이 형성된 개편화 워크 가공물(20)의 간격은 작다. 그러나, 경화 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하므로, 경화 공정과, 할단 사이의 반송 거리는 매우 짧고, 개편화된 워크 가공물(14')의 단부가 파손될 우려를 저감시킬 수 있다.In this embodiment as well, as in the first embodiment, there is substantially no gap between adjacent individual individual workpieces 14', and the individual workpieces on which the individual resin
본 실시형태는 경화 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제５ 적층체(105)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있다. 동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 제５ 적층체(105)를 사람의 손에 의해 반송할 필요가 없어져, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.In this embodiment, the curing process and the cutting process are performed in an in-line process, so that the fifth
수지막 형성 필름(13)에 대해 상기 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하는 장치와, 수지막(13')을 할단하는 장치(예를 들면, 지지 시트(10)를 익스팬드함으로써, 수지막(13')을 할단하는 장치)를 연결시켜 행함으로써, 처음부터 설계하지 않더라도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어, 초기 비용의 저감이 가능하다. 본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법에 있어서는, 상술한 연삭 공정에 있어서, 워크 가공물(14')의 연삭에 의해 워크(14)의 개편화를 행하기 때문에, 경화 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 장치에, 할단 수단과는 별도로 워크 가공물(14')의 개편화 수단을 추가할 필요가 없다. 할단 수단으로서, 익스팬드 수단을 채용하는 경우에는, 장치에 블레이드 다이싱 수단이나 레이저 절단 수단을 추가할 필요가 없어, 장치를 간략화할 수 있다. 그리고, 본 실시형태는 추가로, 제５ 적층체(105)를 반송하는 동안의 오염, 파손을 억제할 수 있다. 그 결과, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.A device for irradiating energy rays (E) to the resin
이 경우에는, 경화 공정부터 할단 공정까지의 사이에 있어서도, 이웃하는 개편화된 워크 가공물(14')끼리가 접촉하여, 개편화된 워크 가공물(14')의 단부가 파손될 가능성을 저감할 수 있다.In this case, even between the hardening process and the cutting process, the possibility that neighboring divided work pieces 14' may come into contact with each other and cause damage to the ends of the broken work pieces 14' can be reduced. .
할단 공정을 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해 행하는 경우나, 할단 공정 후, 별도로 지지 시트(10)를 익스팬드하는 익스팬드 공정을 행하는 경우, 경화 공정부터 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것(즉, 할단 공정부터 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것)이 바람직하다. 지지 시트(10)의 익스팬드 전에는, 개편화된 상기 워크 가공물(14')의 간격이 좁아, 이들 공정을 오프라인 프로세스로 행하면, 공정 이행시의 반송에 의해, 개편화된 상기 워크 가공물(14')끼리가 접촉하여 파손될 가능성이 있다. 그러나, 익스팬드 공정을 인라인 프로세스 내에서 실행한 후에는, 그 후의 오프라인 프로세스에 있어서의, 상기 워크 가공물끼리의 접촉에 의한 파손의 가능성이 저감된다.When the cutting process is performed by expanding the
한편, 할단 공정을 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해 행하는 경우는, 경화 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 당연히, 경화 공정부터 익스팬드 공정까지가 인라인 프로세스로 실행된다. 할단 공정 후, 익스팬드 공정을 행하는 경우에는, 할단 공정부터 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스화하면 된다.On the other hand, when the cutting process is performed by expanding the
이러한 개편화된 상기 워크 가공물(14')끼리의 접촉에 의한 파손의 가능성을 저감하는 효과에 대해서는, 워크 가공물(14')을 사용하여, 수지막 형성 필름을 경화시켜 수지막을 얻는 공정 후, 수지막을 할단하는 할단 공정을 행하는, 다른 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법에 있어서도, 동일하게 얻을 수 있다.Regarding the effect of reducing the possibility of damage due to contact between the separate work pieces 14', after the process of curing the resin film forming film using the work pieces 14' to obtain a resin film, the resin The same can be obtained in the method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to another embodiment, in which a cutting process for cutting the film is performed.
본 실시형태에 있어서, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)은, 회로면 보호용 테이프(17)로 보호되어 있고, 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h)) 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정을 구비하는 것이 바람직하다(도 4(h)∼도 4(i)).In this embodiment, the
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h))부터 할단 공정(도 4(l))까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다.The method of manufacturing the pieced
본 실시형태는 첩부 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제3 적층체(103) 및 제５ 적층체(105)를 카세트에 수용하지 않고, 1장씩 반송할 수 있다. 동일 장치 내에서 행함으로써, 장치 스페이스를 보다 저감할 수 있다. 제3 적층체(103) 및 제５ 적층체(105)를 사람의 손에 의해 반송할 필요가 없어져, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 생산 효율을 향상시킬 수 있다. 수지막 형성 필름(13)에 대해 상기 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하는 장치와, 수지막(13')을 할단하는 장치를 연결시켜 행함으로써, 처음부터 설계하지 않더라도 종래의 장치를 개조함으로써 대응할 수 있어, 초기 비용의 저감이 가능하다. 본 실시형태는 추가로, 제3 적층체(103)를 반송하는 동안, 및 제５ 적층체(105)를 반송하는 동안의 오염, 파손을 억제할 수 있고, 그 결과, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, by performing the sticking process and the cutting process in an in-line process, the third
만일, 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정을 오프라인 프로세스로 행하는 경우에는, 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정부터 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정 사이와, 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정부터 수지막(13')을 할단하여 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정 사이에, 2번의 반송이 필요해진다. 이 때문에, 이들 반송에 수반하는 적층체의 보관의 필요성도 생길 수 있다. 본 실시형태에 따르면, 이들 2번의 반송 및 보관을 생략할 수 있어, 프로세스의 현저한 효율화가 달성된다.If the curing process for forming the fifth
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로, 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h)) 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정(도 4(h)∼도 4(j))과, 경화 공정(도 4(j)) 후, 수지막(13')에 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 4(k))과, 할단 공정(도 4(l)) 후, 픽업하는 공정(도 4(m))을 구비한다. 레이저 마킹하는 공정은 이에 한정되지 않고, 임의의 순번으로, 수지막 형성 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사해도 된다.The manufacturing method of the
(제3 실시형태의 변형예)(Modification of the third embodiment)
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 도 1a 및 도 4에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1a 및 도 4에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The method of manufacturing the pieced workpiece with the resin film formed in the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. 1A and 4, and includes some of those shown in FIGS. 1A and 4 within a range that does not impair the effect of the present invention. The configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태의 변형예와 동일하게, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 수지막 형성 필름(13) 및 상기 워크 가공물(14')이 적층된 제2 적층체(102)를 형성하는 적층 공정(도 2(e)∼도 2(f))과, 제2 적층체(102) 중의 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13b)에, 지지 시트(10)를 첩부하여, 지지 시트(10) 상에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 4(g)∼도 4(h))을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 적층 공정 후, 첩부 공정이 실시된다. 첩부 공정은 통상, 할단 공정 전에 행해지지만, 경화 공정 후 첩부 공정을 행하여, 지지 시트(10) 상에, 수지막(13') 및 워크 가공물(14')을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성해도 된다(도시하지 않음). 적층 공정은 오프라인 프로세스로 하고, 첩부 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스에 의해 실행해도 되지만, 본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 워크 가공물의 제조 방법을 실시하기 위한 제조 장치에 있어서, 적층 공정을 행하는 적층 수단과 첩부 공정을 행하는 첩부 수단은, 통상, 유사한 기구를 구비하고, 일체화하는 것이 용이하기 때문에, 적층 공정, 첩부 공정, 및 경화 공정을 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다.In this embodiment as well, as in the modified example of the first embodiment, the resin
적층 공정 후, 경화 공정 전에 첩부 공정을 행하는 경우, 지지 시트(10)가 기재(11) 상에 점착제층(12)을 갖는 점착 시트이면, 점착제층(12)과 수지막 형성 필름(13) 사이에서, 서로 각각의 성분이 이행될 가능성이 있다. 제1 실시형태와 동일하게, 첩부 공정과 경화 공정을 인라인 프로세스화함으로써, 이러한 성분 이행의 증대를 방지할 수 있다.When performing the sticking process after the lamination process but before the curing process, if the
제1 실시형태와 동일하게, 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)함으로써, 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정과, 개질층 가공(141)된 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하는 연삭 공정 대신에, 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 하프 다이싱 가공(142)함으로써, 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 3a(a)∼도 3a(b))과, 하프 다이싱 가공(142)된 워크 가공물(14')의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭함으로써, 워크 가공물(14')을 개편화하는 연삭 공정(도 3a(c)∼도 3a(d))을 구비하고 있어도 된다.As in the first embodiment, a processing step of forming a workpiece 14' by performing modified
한편, 가공 공정 및 연삭 공정은, 제3 실시형태와 제1 실시형태에서 동일하기 때문에, 발생하는 작용 효과도 동일하다.On the other hand, since the machining process and the grinding process are the same in the third embodiment and the first embodiment, the effects that occur are also the same.
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 추가로, 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 3b(g)∼도 3b(h))과, 제4 적층체(104)를 형성하는 할단 공정(도 3b(j))과, 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))을 구비하고, 제4 적층체(104)를 형성하는 할단 공정(도 3b(j))부터 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The method for manufacturing a separate workpiece with a resin film of the present embodiment further includes a sticking process for forming the third laminated body 103 (FIGS. 3B(g) to 3B(h)), and a fourth laminated body. A cutting process (FIG. 3b(j)) to form the 104 and a curing process (FIG. 3b(k)) to form the 6th
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 제3 적층체(103)를 형성하는 첩부 공정(도 3b(g)∼도 3b(h))부터 제6 적층체(106)를 형성하는 경화 공정(도 3b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행해도 된다.The method for manufacturing a separate workpiece with a resin film of this embodiment includes the sticking process of forming the third laminated body 103 (FIGS. 3B(g) to 3B(h)) to the sixth
＜제4 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piece-shaped workpiece with a resin film formed according to the fourth embodiment>
제4 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 3a 및 도 5로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제4 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 상기 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 하프 다이싱 가공(142)함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 3a(a)∼도 3a(b))과, 하프 다이싱 가공(142)된 상기 워크 가공물(14')의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 개편화하는 연삭 공정(도 3a(c)∼도 3a(d))을 구비한다.In the method of manufacturing the pieced
본 실시형태에 있어서, 도 3a(a)에 나타내는 워크(14)로서, 한쪽 면에 회로면(14a)을 갖는 반도체 웨이퍼(워크(14))를 사용하고 있다. 반도체 웨이퍼의 회로면(14a) 및 범프(41)를, 회로면 보호용 테이프(17)에 의해 보호한다(도 3a(c)).In this embodiment, a semiconductor wafer (work 14) having a
상기 워크 가공물(14')은 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭할 때 개편화되므로, 상기 수지막(13')을 할단할 때는, 간편하게, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)을 얻을 수 있다.Since the workpiece 14' is divided into pieces when grinding the
제4 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로,The method for manufacturing the pieced
개편화 워크 가공물(20)의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14'b)에, 상기 지지 시트(10) 및 상기 수지막 형성 필름(13)이 적층된 수지막 형성용 복합 시트(1)의 상기 수지막 형성 필름(13)의 노출면(13a)을 첩부하여, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정(도 5(g)∼도 5(h))과,A composite sheet for forming a resin film in which the
상기 제3 적층체(103) 중의 상기 수지막 형성 필름(13)에 대해, 상기 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하여 수지막(13')을 형성하며, 상기 지지 시트(10) 상에, 상기 수지막(13') 및 개편화 워크 가공물(20)을 이 순서로 구비하는 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정(도 5(j))과,Energy ray irradiation (E) is applied to the resin
상기 제５ 적층체(105) 중의 상기 수지막(13')을, 상기 개편화 워크 가공물(20)의 상기 하프 다이싱 가공(142)된 개소를 따라 할단하여, 상기 지지 시트(10) 상에, 복수의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)이 적층된 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정(도 5(l))을 구비하고,The resin film 13' in the
상기 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정(도 5(j))부터 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정(도 5(l))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The curing process for forming the fifth laminated body 105 (FIG. 5(j)) to the cutting process for forming the sixth laminated body 106 (FIG. 5(l)) is performed in an in-line process.
본 실시형태는 상기 지지 시트(10) 상에, 상기 수지막 형성 필름(13) 및 개편화 워크 가공물(20)을 이 순서로 구비하는 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정(도 5(g)∼도 5(h))과 동시에, 상기 수지막 형성 필름(13) 및 개편화 워크 가공물(20)을 이 순서로 구비하는 제2 적층체(102)가 형성된다.This embodiment is a lamination process of forming a third
본 실시형태에 있어서, 상기 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정부터 상기 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법과 동일하게, 상기 제５ 적층체(105)를 반송하는 동안에 오염되거나, 파손될 우려를 저감시킬 수 있어, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, the resin film according to the third embodiment is formed by performing the curing process for forming the
본 실시형태에 있어서, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정부터 상기 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법과 동일하게, 상기 제3 적층체(103)를 반송하는 동안에 오염되거나, 파손될 우려를 저감시킬 수 있어, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, it is preferable to perform the lamination process for forming the third
본 실시형태에 있어서, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)은, 회로면 보호용 테이프(17)로 보호되어 있고, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정(도 5(g)∼도 5(h)) 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정을 구비하는 것이 바람직하다(도 5(h)∼도 5(i)).In this embodiment, the
본 실시형태에 있어서, 상기 할단 공정은 상기 워크 가공물(14')의 상기 하프 다이싱 가공(142)된 개소를 따라, 상기 수지막(13')을 레이저 블레이드 할단, 플라즈마 할단, 또는 에칭 할단하는 공정인 것이 바람직하다.In this embodiment, the cutting process involves laser blade cutting, plasma cutting, or etching cutting the resin film 13' along the half-diced
본 실시형태에 있어서, 상기 개편화 워크 가공물(20)은 수지막(13')을 하프 다이싱 가공(142)된 개소를 따라 할단함으로써, 복수의 수지막(13')이 형성된 개편화 워크 가공물(21)로 할 수 있다. 수지막(13')을 할단하는 수단으로는, 레이저 블레이드 할단, 플라즈마 할단, 에칭 할단 등을 들 수 있다.In this embodiment, the divided
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정(도 5(g)∼도 5(h))부터 상기 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정(도 5(l))까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다.The method of manufacturing the
본 실시형태에 있어서, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정부터 상기 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법과 동일하게, 상기 제3 적층체(103)를 반송하는 동안, 및 상기 제５ 적층체(105)를 반송하는 동안에 오염되거나, 파손될 우려를 저감시킬 수 있어, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물을 효율적으로, 또한 저비용으로 제조 가능하다.In this embodiment, the resin film according to the third embodiment is formed by performing the lamination process for forming the third
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법은, 추가로, 상기 제3 적층체(103)를 형성하는 적층 공정(도 5(g)∼도 5(h)) 후, 워크 가공물(14')의 회로면(14a)으로부터, 회로면 보호용 테이프(17)를 박리하는 박리 공정(도 5(h)∼도 5(j))과, 제５ 적층체(105)를 형성하는 경화 공정(도 5(j)) 후, 수지막(13')에 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하는 공정(도 5(k))과, 제6 적층체(106)를 형성하는 할단 공정(도 5(l)) 후, 픽업하는 공정(도 5(m))을 구비한다. 레이저 마킹하는 공정은 이에 한정되지 않고, 임의의 순번으로, 수지막 형성 필름(13)에, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사해도 된다.The method of manufacturing the individually divided
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 도 1a 및 도 5에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1a 및 도 5에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed in the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. 1A and 5, and includes some of those shown in FIGS. 1A and 5 within a range that does not impair the effect of the present invention. The configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
＜제5 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piece-shaped workpiece with a resin film formed according to the fifth embodiment>
제5 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 7a 및 도 7b로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제5 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 워크(14)의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하는 연삭 공정(도 7a(c)∼도 7a(d))과,The method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to the fifth embodiment includes a grinding process of grinding the
연삭된 상기 워크(14)의 회로면과는 반대측의 면(14b)에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름(13)을 적층하여, 수지막 형성 필름(13) 및 상기 워크(14)를 이 순서로 구비하는 제1 적층체(101)를 형성하는 적층 공정(도 7b(g)∼도 7b(h))과,The energy ray-curable resin film-forming
상기 수지막 형성 필름(13)을 할단하는 할단 공정(도 7b(j))과,A cutting process (FIG. 7b(j)) of cutting the resin
상기 수지막 형성 필름(13)에 대해, 에너지선 조사하여 수지막(13')을 형성하는 경화 공정(도 7b(k))을 구비하고,The resin
적층 공정(도 7b(g)∼도 7b(h))부터 경화 공정(도 7b(k))까지, 또는, 할단 공정(도 7b(j))부터 경화 공정(도 7b(k))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.From the lamination process (FIG. 7b(g) to 7b(h)) to the curing process (FIG. 7b(k)), or from the cutting process (FIG. 7b(j)) to the curing process (FIG. 7b(k)). Runs as an inline process.
제5 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 연삭 공정에 있어서, 개질층 가공(141)된 상기 워크 가공물(14') 또는 하프 다이싱 가공(142)된 상기 워크 가공물(14') 대신에, 이들 가공이 행해지지 않은 워크(14)의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하여, 적층 공정에 있어서, 워크(14)에 수지막 형성 필름(13)을 적층하는 점이, 상술한 제1 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법과 상이하다. 본 실시형태에서는, 적층 공정에 있어서, 제1 실시형태와 동일하게, 수지막 형성용 복합 시트를 사용하고 있고, 제1 적층체(101)의 형성과 동시에, 지지 시트(10) 상에, 수지막 형성 필름(13) 및 워크(14)를 이 순서로 구비하는 적층체(도시하지 않음)가 형성된다. 즉, 본 실시형태의 적층 공정은, 첩부 공정을 겸하는 것이다. 한편, 제1 실시형태와 동일하게, 수지막 형성 복합 시트를 사용하지 않고, 적층 공정 후, 통상은 할단 공정보다 전에, 별도로 지지 시트(10)를 수지막 형성 필름(13)에 첩부하는 첩부 공정을 행해도 된다.The method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to the fifth embodiment includes, in a grinding process, the workpiece 14' subjected to modified
본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 상기 연삭 공정 후로서, 수지막 형성 필름을 할단하는 할단 공정 전에, 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)함으로써, 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 7b(h')∼도 7b(i))을 구비하고 있어도 된다. 적층 공정에 있어서의 가압에 의해, 워크 가공물(14')이 벽개하는 것을 방지하는 관점에서, 통상, 가공 공정은 적층 공정보다 후에 행한다.In the method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed according to the present embodiment, after the grinding process and before the cutting process of cutting the resin film-forming film, the portion where the
그리고, 할단 공정에 있어서, 워크(14) 또는 워크 가공물(14')이 동시에 개편화되어, 개편화 워크 가공물(20)이 얻어진다.Then, in the cutting process, the
수지막 형성 필름(13)을 할단하는 할단 공정에 있어서, 워크(14)가 개질층 가공(141)되어 있지 않은 경우에는, 통상, 수지막 형성 필름(13) 및 워크(14)를 일괄하여 블레이드 다이싱 등에 의해 절단하여, 워크(14)의 개편화가 동시에 행해진다.In the cutting process of cutting the resin film-forming
한편, 할단 공정에 있어서, 개질층 가공(141)이 실시되어 있는 경우에는, 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해, 수지막 형성 필름(13)과 동시에 워크(14)가, 개질층을 따라 분할되어 개편화된다.On the other hand, in the cutting process, when the modified
본 실시형태에 있어서도, 할단 공정부터 경화 공정까지(즉, 상기 지지 시트(10)를 익스팬드하는 할단 공정부터 상기 수지막(13')을 형성하는 경화 공정까지)를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 프로세스의 효율화가 도모된다.In this embodiment as well, the process from the cutting process to the curing process (i.e., from the cutting process of expanding the
또한, 개질층 가공(141)된 워크 가공물(14')은, 본 실시형태에 있어서는, 할단 공정(익스팬드 공정)보다 전의 시점에서는 개편화되어 있지 않지만, 워크 가공물(14')의 개질층 가공(141)된 부분은 무르기 때문에, 오프라인 프로세스의 반송 중에 의도하지 않게 워크 가공물(14')이 벽개한 경우에는, 개편화된 워크 가공물(14')끼리의 접촉에 의한 파손이 일어날 수 있다. 따라서, 가공 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하여, 개편화된 워크 가공물(14')의 파손의 가능성을 저감하는 것이 바람직하다. 워크(14)가 개질층 가공(141)되어 있지 않고, 할단 공정이 지지 시트(10)의 익스팬드에 의하지 않은 경우는, 개편화된 워크 가공물(14') 사이의 간격이 좁은 경우가 있기 때문에, 할단 공정부터 경화 공정까지를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 개편화된 워크 가공물(14')끼리의 접촉을 방지할 수 있다.In addition, in the present embodiment, the workpiece 14' that has been subjected to the modified
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 도 7a 및 도 7b에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 7a 및 도 7b에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed in the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. 7A and 7B, and includes some of those shown in FIGS. 7A and 7B within a range that does not impair the effect of the present invention. The configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
＜제6 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법＞<Method for manufacturing a piece-shaped workpiece with a resin film formed according to the sixth embodiment>
제6 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 제조 방법의 일 예는, 도 7a 및 도 8로 나타낸다.An example of the method for manufacturing the pieced
제6 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 워크(14)의 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하는 연삭 공정(도 7a(c)∼도 7a(d))과,The method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed according to the sixth embodiment includes a grinding process of grinding the
연삭된 워크(14)의 회로면과는 반대측의 면(14b)에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름(13)을 적층하여, 수지막 형성 필름(13) 및 상기 워크(14)를 이 순서로 구비하는 제1 적층체(101)를 형성하는 적층 공정(도 8(g)∼도 8(h))과,The energy ray-curable resin film-forming
수지막 형성 필름(13)에 대해, 에너지선 조사하여 수지막(13')을 형성하는 경화 공정(도 8(j))과,A curing process (FIG. 8(j)) of forming a resin film 13' by irradiating the resin
수지막(13')을 할단하는 할단 공정(도 8(l))을 구비하고,A cleaving process (FIG. 8(l)) is provided to cleave the resin film 13',
상기 수지막(13')을 형성하는 경화 공정(도 8(j))부터 수지막(13')을 할단하는 할단 공정(도 8(l))까지를 인라인 프로세스로 실행한다.The curing process for forming the resin film 13' (FIG. 8(j)) to the cutting process for cutting the resin film 13' (FIG. 8(l)) are performed in an in-line process.
제6 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 연삭 공정에 있어서, 개질층 가공(141)된 워크 가공물(14') 또는 하프 다이싱 가공(142)된 상기 워크 가공물(14') 대신에, 이들 가공이 행해지지 않은 워크(14)의 상기 회로면(14a)과는 반대측의 면(14b)을 연삭하여, 적층 공정에 있어서, 워크(14)에 수지막 형성 필름(13)을 적층하는 점이, 상술한 제3 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법과 상이하다. 제1 실시형태 및 제5 실시형태와 동일하게, 본 실시형태의 적층 공정은 첩부 공정을 겸하는 것이다. 한편, 제1 실시형태와 동일하게, 수지막 형성 복합 시트를 사용하지 않고, 적층 공정 후, 통상은 할단 공정보다 전에, 별도로 지지 시트(10)를 수지막 형성 필름(13)에 첩부하는 첩부 공정을 행해도 된다. 첩부 공정은 경화 공정 후여도 된다.The method of manufacturing a separate workpiece with a resin film according to the sixth embodiment includes, in a grinding process, the workpiece 14' subjected to modified
본 실시형태에 따른 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 연삭 공정 후로서, 할단 공정 전에, 상기 워크(14)의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공(141)함으로써, 상기 워크 가공물(14')을 형성하는 가공 공정(도 8(h')∼도 8(i))을 구비하고 있어도 된다. 적층 공정에 있어서의 가압에 의해, 워크 가공물(14')이 벽개하는 것을 방지하는 관점에서, 통상, 가공 공정은 적층 공정보다 후에 행한다.The method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed according to the present embodiment includes, after the grinding process and before the cutting process, performing modified
그리고, 수지막(13')을 할단하는 할단 공정에 있어서, 워크(14) 또는 워크 가공물(14')이 동시에 개편화되어, 개편화 워크 가공물(20)이 얻어진다.Then, in the cutting process of cutting the resin film 13', the
수지막(13')을 할단하는 할단 공정에 있어서, 워크(14)가 개질층 가공(141)되어 있지 않은 경우에는, 통상, 수지막(13') 및 워크(14)를 일괄하여 블레이드 다이싱 등에 의해 절단하여, 워크(14)의 개편화가 동시에 행해진다.In the cutting process of cutting the resin film 13', when the
한편, 수지막(13')을 할단하는 할단 공정에 있어서, 개질층 가공(141)이 실시되어 있는 경우에는, 지지 시트(10)의 익스팬드에 의해, 수지막(13')과 동시에 워크(14)가, 개질층을 따라 분할되어 개편화된다.On the other hand, in the cutting process of cutting the resin film 13', when the modified
본 실시형태에 있어서도, 경화 공정부터 할단 공정까지(즉, 경화 공정부터 지지 시트(10)를 익스팬드하는 공정까지)를 인라인 프로세스로 실행함으로써, 프로세스의 효율화가 도모된다.In this embodiment as well, process efficiency is improved by performing the curing process to the cutting process (that is, from the curing process to the process of expanding the support sheet 10) in an in-line process.
또한, 제5 실시형태와 동일하게, 개질층 가공(141)된 워크 가공물(14')은, 할단 공정(익스팬드 공정)보다 전의 시점에서는 개편화되어 있지 않지만, 워크 가공물(14')의 개질층 가공(141)된 부분이 오프라인 프로세스의 반송 중에 의도하지 않게 벽개하여, 개편화된 워크 가공물(14')끼리의 접촉에 의한 파손이 일어날 수 있다. 따라서, 오프라인 프로세스의 반송 중의 워크 가공물(14')의 벽개의 가능성을 저감하는 것이 바람직하고, 가공 공정을 경화 공정 전에 행하는 경우에는, 가공 공정, 경화 공정, 및 할단 공정을 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하다. 한편, 경화 공정 후, 가공 공정을 행하는 경우에는, 가공 공정부터 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는 것이 바람직하고, 경화 공정, 가공 공정, 및 할단 공정을 인라인 프로세스로 실행하는 것이 보다 바람직하다.In addition, similarly to the fifth embodiment, the workpiece 14' subjected to the modified
본 실시형태의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법은, 도 7a 및 도 8에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 7a 및 도 8에 나타내는 것의 일부의 구성이 변경 또는 삭제된 것이나, 지금까지 설명한 것에 또 다른 구성이 추가된 것이어도 된다.The method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed in the present embodiment is not limited to that shown in FIGS. 7A and 8, and includes some of those shown in FIGS. 7A and 8 within a range that does not impair the effect of the present invention. The configuration may be changed or deleted, or another configuration may be added to what has been described so far.
＜수지막 형성 조성물＞<Resin film-forming composition>
수지막 형성 필름(13)을 형성하기 위한 수지막 형성 조성물의 조성으로는, 바인더 폴리머 성분 및 에너지선 경화성 성분을 함유하는 것이 바람직하다.The composition of the resin film-forming composition for forming the resin film-forming
(바인더 폴리머 성분)(Binder polymer component)
수지막 형성 필름(13)에 충분한 접착성 및 조막성(시트 형성성)을 부여하기 위해 바인더 폴리머 성분이 사용된다. 바인더 폴리머 성분으로는, 종래 공지의 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 실리콘 수지, 고무계 폴리머 등을 사용할 수 있다.A binder polymer component is used to provide sufficient adhesiveness and film forming properties (sheet forming properties) to the resin
한편, 본 실시형태에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw)이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산 값이다.Meanwhile, in this embodiment, the weight average molecular weight (Mw) is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise specified.
바인더 폴리머 성분으로서, 아크릴 수지가 바람직하게 사용된다. 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 -60∼50℃, 더욱 바람직하게는 -50∼40℃, 특히 바람직하게는 -40∼30℃의 범위에 있다.As the binder polymer component, an acrylic resin is preferably used. The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably in the range of -60 to 50°C, more preferably in the range of -50 to 40°C, and particularly preferably in the range of -40 to 30°C.
본 명세서에 있어서 「유리 전이 온도」란, 시차 주사 열량계를 이용하여, 시료의 DSC 곡선을 측정하고, 얻어진 DSC 곡선의 변곡점의 온도로 나타낸다.In this specification, “glass transition temperature” refers to the temperature of the inflection point of the DSC curve obtained by measuring the DSC curve of a sample using a differential scanning calorimeter.
또한, 경화 후의 보호막의 가요성을 유지하기 위해, 아크릴 수지와 함께 아크릴 수지 이외의 열가소성 수지를 배합해도 된다. 이러한 열가소성 수지로는, 중량 평균 분자량이 1000∼10만인 것이 바람직하고, 3000∼8만인 것이 더욱 바람직하다. 열가소성 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 -30∼120℃, 더욱 바람직하게는 -20∼120℃인 것이 바람직하다. 열가소성 수지로는, 폴리에스테르 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리스티렌 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 1종 단독으로, 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.Additionally, in order to maintain the flexibility of the protective film after curing, a thermoplastic resin other than the acrylic resin may be blended together with the acrylic resin. As for such thermoplastic resins, those with a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000 are preferable, and those with a weight average molecular weight of 3,000 to 80,000 are more preferable. The glass transition temperature of the thermoplastic resin is preferably -30 to 120°C, more preferably -20 to 120°C. Examples of thermoplastic resins include polyester resin, urethane resin, phenoxy resin, polybutene, polybutadiene, and polystyrene. These thermoplastic resins can be used individually or in combination of two or more types.
(에너지선 경화성 성분)(Energy ray hardenable ingredient)
에너지선 경화성 성분으로는, 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 저분자 화합물(에너지선 중합성 화합물)을 사용할 수 있다. 이러한 에너지선 경화성 성분으로는, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖고, 통상은 중량 평균 분자량이 100∼30000, 바람직하게는 300∼10000 정도이다.As the energy ray curable component, a low molecular compound (energy ray polymerizable compound) that contains an energy ray polymerizable group and polymerizes and hardens when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays or electron beams can be used. These energy-ray curable components have at least one polymerizable double bond in the molecule, and usually have a weight average molecular weight of about 100 to 30,000, preferably about 300 to 10,000.
또한, 에너지선 경화성 성분으로서, 바인더 폴리머 성분의 주쇄 또는 측쇄에, 에너지선 중합성기가 결합된 에너지선 경화형 중합체를 사용해도 된다. 이러한 에너지선 경화형 중합체는 바인더 폴리머 성분으로서의 기능과, 경화성 성분으로서의 기능을 겸비한다.Additionally, as the energy ray curable component, an energy ray curable polymer in which an energy ray polymerizable group is bonded to the main chain or side chain of the binder polymer component may be used. This energy-ray curable polymer has both a function as a binder polymer component and a function as a curable component.
에너지선 경화형 중합체의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 바인더 폴리머 성분으로서 범용되고 있는 아크릴 수지여도 되며, 또한 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지 등이어도 되지만, 합성 및 물성의 제어가 용이한 점에서, 아크릴 수지를 주골격으로 하는 것이 특히 바람직하다.The main skeleton of the energy ray-curable polymer is not particularly limited, and may be a widely used acrylic resin as a binder polymer component, or may also be a polyester resin, polyether resin, etc., but since it is easy to synthesize and control physical properties, acrylic resin is used. It is particularly preferable to use resin as the main skeleton.
에너지선 경화형 중합체를 사용하는 경우에도, 상기한 에너지선 중합성 화합물을 병용해도 되고, 또한 바인더 폴리머 성분을 병용해도 된다.Even when using an energy ray-curable polymer, the above-mentioned energy ray polymerizable compound may be used in combination, and a binder polymer component may also be used in combination.
수지막 형성 필름(13)에 에너지선 경화성을 부여함으로써, 수지막 형성 필름(13)을 간편하면서 또한 단시간에 경화할 수 있고, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)의 생산 효율이 향상된다. 종래, 개편화 워크 가공물용 수지막은 일반적으로 에폭시 수지 등의 열경화 수지에 의해 형성되어 있었지만, 열경화 수지의 경화 온도는 200℃를 초과하고, 또한 경화 시간은 2시간 정도를 필요로 하고 있기 때문에, 생산 효율 향상의 장애가 되고 있었다. 그러나, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름(13)은 에너지선 조사(E)에 의해 단시간에 경화하기 때문에, 간편하게 보호막을 형성할 수 있어, 생산 효율의 향상에 기여할 수 있다.By imparting energy ray curability to the resin film-forming
수지막 형성 필름(13)은 상기 바인더 폴리머 성분 및 에너지선 경화성 성분 에 더해, 착색제, 광중합 개시제, 커플링제, 무기 충전재 등의 성분을 포함하는 것이 바람직하다.The resin film-forming
(범용 첨가제)(General purpose additive)
수지막 형성 필름(13)에는, 상기 외에, 필요에 따라 각종 첨가제가 배합되어도 된다. 각종 첨가제로는, 가교제, 레벨링제, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 이온 포착제, 게터링제, 연쇄 이동제 등을 들 수 있다.In addition to the above, various additives may be blended into the resin
(용매)(menstruum)
수지막 형성 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 수지막 형성 조성물은 취급성이 양호해진다. 용매로는, 공지의 유기 용매를 사용할 수 있다.It is preferable that the resin film-forming composition further contains a solvent. A resin film-forming composition containing a solvent has improved handling properties. As the solvent, a known organic solvent can be used.
상기와 같은 각 성분으로 이루어지는 수지막 형성 조성물을, 예를 들면, 도포하고, 건조시킴으로써 수지막 형성 필름(13)을 얻을 수 있다. 수지막 형성 필름(13)은 접착성과 경화성을 갖고, 미경화 상태에서, 반도체 웨이퍼 등의 워크에 가압함으로써 접착하는 것이어도 되며, 가압할 때, 수지막 형성 필름(13)을 가열하여 워크 가공물에 접착하는 것이어도 된다. 그리고, 경화를 거쳐 수지막을 부여하는 것이고, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물(21)에 있어서, 개편화 워크 가공물(20)의 보호 기능을 갖는다. 한편, 수지막 형성 필름(13)은 단층 구조여도 되고, 또한 상기 성분을 포함하는 층을 1층 이상 포함하는 한에 있어서 다층 구조여도 된다.The resin film-forming
수지막 형성 필름(13)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3∼300㎛, 더욱 바람직하게는 5∼250㎛, 특히 바람직하게는 7∼200㎛이다.The thickness of the resin
본 명세서에 있어서, 「두께」란, 대상물의 두께 방향으로 무작위로 절단한 절단면에 있어서, 무작위로 선택한 5개소의 두께를 접촉식 두께계로 측정하여, 그 평균으로 나타내는 값이다.In this specification, “thickness” is a value expressed as the average of the thicknesses measured at five randomly selected locations on a cut surface randomly cut in the thickness direction of an object using a contact thickness meter.
＜지지 시트＞＜Support sheet＞
지지 시트(10)로는, 기재(11)만으로 구성된 시트나, 기재(11) 상에 점착제층(12)을 갖는 점착 시트를 들 수 있다.Examples of the
지지 시트(10)의 두께로는, 용도에 따라 적절히 선택되지만, 충분한 가요성을 부여하고, 실리콘 웨이퍼에 대한 첩부성을 양호하게 하는 관점에서, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 20∼350㎛, 더욱 바람직하게는 30∼200㎛이다.The thickness of the
한편, 상기 지지 시트(10)의 두께에는, 지지 시트(10)를 구성하는 기재(11)의 두께뿐만 아니라, 점착제층(12)을 갖는 경우에는, 이들 층이나 막의 두께도 포함한다.Meanwhile, the thickness of the
(기재)(write)
지지 시트(10)를 구성하는 기재(11)로는, 수지 필름이 바람직하다.As the base material 11 constituting the
상기 수지 필름으로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE) 필름이나 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 에틸렌·프로필렌 공중합체 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·초산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등을 들 수 있다.Examples of the resin film include polyethylene films such as low-density polyethylene (LDPE) film and linear low-density polyethylene (LLDPE) film, ethylene-propylene copolymer film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, and polymethyl Pentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene/vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/ (meth)acrylic acid copolymer film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, polystyrene film, polycarbonate film, polyimide film, fluororesin film, etc.
기재(11)는 1종류의 수지 필름으로 이루어지는 단층 필름이어도 되고, 2종류 이상의 수지 필름을 적층한 적층 필름이어도 된다.The base material 11 may be a single-layer film made of one type of resin film, or may be a laminated film in which two or more types of resin films are laminated.
또한, 상술한 수지 필름 등의 기재(11)의 표면에, 표면 처리를 실시한 시트를 지지 시트(10)로서 사용해도 된다.Additionally, a sheet that has undergone surface treatment on the surface of the substrate 11, such as the above-mentioned resin film, may be used as the
이들 수지 필름은 가교 필름이어도 된다.These resin films may be crosslinked films.
또한, 이들 수지 필름을 착색한 것, 또는 인쇄를 실시한 것 등도 사용할 수 있다.Additionally, colored or printed versions of these resin films can also be used.
또한, 수지 필름은 열가소성 수지를 압출 형성에 의해 시트화한 것이어도 되고, 연신된 것이어도 되며, 경화성 수지를 소정 수단에 의해 박막화 및 경화하여 시트화한 것이 사용되어도 된다.In addition, the resin film may be a thermoplastic resin formed into a sheet by extrusion forming, may be stretched, or a curable resin formed into a sheet by thinning and curing by a predetermined means may be used.
이들 수지 필름 중에서도, 내열성이 우수하고, 또한 적당한 유연성을 갖기 위해 익스팬드 적성을 가지며, 픽업 적성도 유지되기 쉽다는 관점에서, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재(11)가 바람직하다.Among these resin films, the base material 11 containing a polypropylene film is preferable from the viewpoint of being excellent in heat resistance, having expandability in order to have appropriate flexibility, and easily maintaining pick-up ability.
한편, 폴리프로필렌 필름을 포함하는 기재(11)의 구성으로는, 폴리프로필렌 필름만으로 이루어지는 단층 구조여도 되고, 폴리프로필렌 필름과 다른 수지 필름으로 이루어지는 복층 구조여도 된다.On the other hand, the structure of the substrate 11 including the polypropylene film may be a single-layer structure made of only the polypropylene film, or may be a multi-layer structure made of the polypropylene film and another resin film.
지지 시트(10)를 구성하는 기재(11)의 두께로는, 바람직하게는 10∼500㎛, 보다 바람직하게는 15∼300㎛, 더욱 바람직하게는 20∼200㎛이다.The thickness of the base material 11 constituting the
(점착 시트)(adhesive sheet)
본 발명의 일 양태에서 지지 시트(10)로서 사용되는 점착 시트로는, 상술한 수지 필름 등의 기재(11) 상에, 점착제로부터 형성한 점착제층(12)을 갖는 것을 들 수 있다.Examples of the adhesive sheet used as the
도 6은 기재(11) 상에 점착제층(12)이 형성된 지지 시트(10)의 일 예를 나타내는 개략 단면도이다.FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a
지지 시트(10)가 점착제층(12)을 구비할 때는, 수지막 형성 필름(13)에, 지지 시트(10)의 점착제층(12)을 적층한다.When the
점착제층(12)의 형성 재료인 점착제로는, 점착성 수지를 포함하는 점착제 조성물을 들 수 있고, 상기 점착제 조성물은 추가로 상술한 가교제나 점착 부여제 등의 범용 첨가제를 함유해도 된다. 점착성 수지는 점착 부여제 등의 점착성 수지 이외의 성분과 조합함으로써, 처음으로 점착성을 발현하는 수지도 포함한다.Examples of the adhesive that is the forming material of the adhesive layer 12 include a pressure-sensitive adhesive composition containing an adhesive resin, and the pressure-sensitive adhesive composition may further contain general-purpose additives such as the crosslinking agent and tackifier described above. The adhesive resin also includes a resin that exhibits adhesiveness for the first time by combining it with components other than the adhesive resin, such as a tackifier.
상기 점착성 수지로는, 그 수지의 구조에 주목한 경우, 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지, 비닐에테르 수지 등을 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다. 또한, 그 수지의 기능에 주목한 경우, 예를 들면, 에너지선 경화형 점착제나, 가열 발포형 점착제, 에너지선 발포형 점착제 등을 들 수 있다.Examples of the adhesive resin include, when paying attention to the structure of the resin, acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, vinyl ether resin, etc., with acrylic resin being preferred. do. In addition, when attention is paid to the function of the resin, for example, energy ray curable adhesive, heat foamable adhesive, energy ray foamable adhesive, etc. can be used.
본 발명의 일 양태에 있어서, 박리력을 일정한 범위로 조정하는 관점, 및 픽업성을 양호하게 하는 관점에서, 에너지선 경화형 수지를 포함하는 점착제 조성물로부터 형성된 에너지선 경화성 점착제층(12)을 갖는 점착 시트, 또는 미점착성 점착제층(12)을 갖는 점착 시트가 바람직하다.In one aspect of the present invention, from the viewpoint of adjusting the peeling force to a certain range and improving the pick-up properties, the adhesive has an energy ray-curable adhesive layer 12 formed from an adhesive composition containing an energy ray-curable resin. A sheet or an adhesive sheet having a non-adhesive adhesive layer 12 is preferred.
에너지선 경화형 수지로는, (메타)아크릴로일기, 비닐기 등의 중합성기를 갖는 수지이면 되고, 중합성기를 갖는 점착성 수지여도 된다. 에너지선 경화형 수지에는, 광중합 개시제를 병용하는 것이 바람직하다.The energy ray-curable resin may be a resin having a polymerizable group such as a (meth)acryloyl group or a vinyl group, and may be an adhesive resin having a polymerizable group. It is preferable to use a photopolymerization initiator together with the energy ray-curable resin.
지지 시트(10)는 에너지선 경화성 수지막 형성 필름(13)에 대해, 지지 시트(10)측으로부터 에너지선 조사(E)하여 수지막(13')을 형성하기 위해, 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.The
수지막 형성 필름(13) 또는 수지막(13')을, 지지 시트(10)를 개재하여 광학적으로 검사하기 위해서도, 지지 시트(10)는 투명한 것이 바람직하다. 수지막 형성 필름(13) 또는 수지막(13')에 대해, 지지 시트(10)측으로부터 레이저를 조사하여 레이저 마킹하기 위해서도, 지지 시트(10)는 투명한 것이 바람직하다.In order to optically inspect the resin
에너지선 경화성 수지막 형성 필름으로는, 예를 들면, 국제공개 제2017/188200호, 국제공개 제2017/188218호에 개시된 것을 사용할 수도 있다.As the energy ray-curable resin film forming film, for example, those disclosed in International Publication No. 2017/188200 and International Publication No. 2017/188218 can also be used.
＜수지막 형성용 복합 시트＞＜Composite sheet for resin film formation＞
수지막 형성용 복합 시트(1)는 기재(11)만으로 이루어지는 지지 시트(10), 또는 점착 시트인 지지 시트(10) 등의 지지 시트(10)에 상기 수지막 형성 필름(13)이, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.The
제1 실시형태에서 사용되는 수지막 형성용 복합 시트(1)는, 지지 시트(10)가 점착 시트여도, 점착제층(12)과 수지막 형성 필름(13) 사이의 성분의 이행을 억제하거나, 이행이 발생해도 문제가 없도록 설계되어 있는 것이 통상적이며, 상술한 바와 같은 성분 이행의 문제는 발생하기 어렵다.The
＜＜수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치＞＞＜＜Manufacturing equipment for individualized workpieces with resin films formed＞＞
본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치는, 이하의 측면을 갖는다.The apparatus for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film of the present invention has the following aspects.
＜11＞ 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 수단과,<11> The energy ray curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. Energy ray irradiation is performed on the laminate including the resin film-forming film and the work in this order, or the resin film-forming film of the laminate including the resin film-forming film and the workpiece in this order. hardening means for forming,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단을 구비하고,Provided with a cutting means for cutting the resin film forming film or the resin film,
상기 할단 수단부터 상기 경화 수단까지, 또는, 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.An apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the process from the cutting means to the hardening means or from the hardening means to the cutting means is performed in an in-line process.
＜12＞ 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 수단과,<12> An energy-ray curable resin film forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work, Lamination means for forming a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order, or a laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order;
상기 경화 수단과, 상기 할단 수단을 이 순서로 행하여,The hardening means and the splitting means are performed in this order,
상기 적층 수단부터 상기 경화 수단까지, 및 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, ＜11＞에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film according to <11>, wherein the process from the stacking means to the hardening means and from the hardening means to the cutting means are performed in an in-line process.
＜13＞ 상기 워크의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공 또는 하프 다이싱 가공함으로써, 워크 가공물을 형성하는 가공 수단과,<13> Processing means for forming a work piece by performing modified layer processing or half dicing processing on the portion where the work is to be divided into pieces;
상기 할단 수단을 구비하고,Provided with the above installment means,
상기 할단 수단이, 상기 워크 가공물의 개질층 가공된 개소 또는 하프 다이싱 가공된 개소를 따라, 상기 수지막 형성 필름 또는 상기 수지막을 할단하는 수단인, ＜11＞ 또는 ＜12＞에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The resin film formed according to <11> or <12>, wherein the cutting means is a means for cutting the resin film-forming film or the resin film along the modified layer-processed portion or the half-diced portion of the workpiece. Equipment for manufacturing individualized workpieces.
＜14＞ 회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 지지 시트 및 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 수단과,<14> A support sheet and an energy-ray curable resin film-forming film are laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. A laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work in this order, or the resin of the laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the workpiece in this order. Curing means for forming a resin film by irradiating the film forming film with energy rays;
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단과,a cutting means for cutting the resin film forming film or the resin film;
상기 할단 수단 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 수단을 구비하고,After the cutting means, an expand means for expanding the support sheet,
상기 할단 수단부터 상기 익스팬드 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는,＜11＞∼＜13＞ 중 어느 한 항에 기재된 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed according to any one of <11> to <13>, wherein the process from the cutting means to the expanding means is performed in an in-line process.
본 발명의 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법, 및 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치는, 반도체 장치의 제조에 이용할 수 있다.The method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film and the manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film of the present invention can be used in the manufacture of a semiconductor device.
1…수지막 형성용 복합 시트, 7…반도체 칩, 8…반도체 웨이퍼, 8b…반도체 웨이퍼의 이면, 10…지지 시트, 11…기재, 12…점착제층, 13…수지막 형성 필름, 13a…수지막 형성 필름의 노출면, 13'…수지막, 14…워크, 14a…워크의 회로면, 14b…워크의 회로면과는 반대측의 면(이면), 14'…워크 가공물, 14'a…워크 가공물의 회로면, 14'b…워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면(이면), 151…제1 박리 필름, 152…제2 박리 필름, 16…지그용 접착제층, 17…회로면 보호용 테이프, 18…고정용 지그, 20…개편화 워크 가공물, 21…수지막이 형성된 개편화 워크 가공물, 41…범프, 101…제1 적층체, 102…제2 적층체, 103…제3 적층체, 104…제4 적층체, 105…제５ 적층체, 106…제6 적층체, 141…개질층 가공, 142…하프 다이싱 가공, EX…익스팬드 할단, E…에너지선 조사, M…레이저 마킹, P…픽업, L…레이저 할단One… Composite sheet for forming a resin film, 7… Semiconductor chip, 8… Semiconductor wafer, 8b… The back side of a semiconductor wafer, 10… Support sheet, 11… List, 12… Adhesive layer, 13... Resin film forming film, 13a... Exposed surface of the resin film forming film, 13'... Resin film, 14... Walk, 14a… Circuit surface of work, 14b... The side (back side) opposite to the circuit side of the workpiece, 14'... Workpiece, 14'a… Circuit surface of workpiece, 14'b... The surface (back side) opposite to the circuit surface of the workpiece, 151... First release film, 152... Second release film, 16... Adhesive layer for jig, 17... Circuit protective tape, 18… Fixing jig, 20… Reorganized work artifacts, 21… Individualized workpiece with resin film formed, 41... Bump, 101… First laminate, 102... Second laminate, 103... Third laminate, 104... Fourth laminate, 105... Fifth laminate, 106... 6th laminate, 141... Modified layer processing, 142… Half dicing processing, EX… Expand Haldan, E… Energy line survey, M… Laser marking, P… Pickup, L… laser cutting
Claims (8)
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정을 구비하고,
상기 할단 공정부터 상기 경화 공정까지, 또는, 상기 경화 공정부터 상기 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.The above-mentioned resin film formation, wherein an energy ray-curable resin film-forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the above-mentioned work. Curing to form a resin film by irradiating energy rays to the resin film-forming film of a laminate comprising the film and the work in this order, or the laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order. process,
A cleaving process is provided to cleave the resin film forming film or the resin film,
A method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the cutting process to the hardening process is performed, or the curing process to the cutting process is performed in an in-line process.
회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 공정과,
상기 경화 공정과, 상기 할단 공정을 구비하고,
상기 적층 공정과, 상기 경화 공정과, 상기 할단 공정을 이 순서로 행하여,
상기 적층 공정부터 상기 경화 공정까지, 및 상기 경화 공정부터 상기 할단 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.According to claim 1,
The resin film is formed by laminating an energy ray curable resin film forming film on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. A lamination process of forming a laminate comprising the film and the work in this order, or a laminate comprising the resin film forming film and the workpiece in this order;
Provided with the curing process and the cutting process,
The lamination process, the curing process, and the cutting process are performed in this order,
A method of manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, wherein from the lamination process to the curing process and from the curing process to the cutting process are performed in an in-line process.
상기 워크의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공 또는 하프 다이싱 가공함으로써, 워크 가공물을 형성하는 가공 공정과,
상기 할단 공정을 구비하고,
상기 할단 공정이, 상기 워크 가공물의 개질층 가공된 개소 또는 하프 다이싱 가공된 개소를 따라, 상기 수지막 형성 필름 또는 상기 수지막을 할단하는 공정인, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A processing step of forming a work piece by performing modified layer processing or half dicing processing on the portion where the work is to be divided into pieces;
Provided with the above division process,
A method for manufacturing a pieced workpiece with a resin film, wherein the cutting step is a step of cutting the resin film-forming film or the resin film along the modified layer-processed portion or the half-diced portion of the workpiece.
상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 공정과,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 공정과,
상기 할단 공정 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 공정을 구비하고,
상기 할단 공정부터 상기 익스팬드 공정까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 방법.A sticking step of forming a laminate including an energy-ray curable resin film forming film on a support sheet, and a work having a circuit surface, or a workpiece obtained by processing the work in this order;
A curing process of forming a resin film by irradiating energy rays to the resin film forming film;
A cutting process of cutting the resin film forming film or the resin film,
After the cutting process, an expand process is provided to expand the support sheet,
A method of manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the cutting process and the expanding process are performed in an in-line process.
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단을 구비하고,
상기 할단 수단부터 상기 경화 수단까지, 또는, 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The above-mentioned resin film formation, wherein an energy ray-curable resin film-forming film is laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the above-mentioned work. Curing to form a resin film by irradiating energy rays to the resin film-forming film of a laminate comprising the film and the work in this order, or the laminate comprising the resin film-forming film and the workpiece in this order. means,
Provided with a cutting means for cutting the resin film forming film or the resin film,
An apparatus for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, wherein the process from the cutting means to the hardening means or from the hardening means to the cutting means is performed in an in-line process.
회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 에너지선 경화성 수지막 형성 필름을 적층하여, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 수지막 형성 필름 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체를 형성하는 적층 수단과,
상기 경화 수단과, 상기 할단 수단을 구비하고,
상기 적층 수단과, 상기 경화 수단과, 상기 할단 수단을 이 순서로 행하여,
상기 적층 수단부터 상기 경화 수단까지, 및 상기 경화 수단부터 상기 할단 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.According to claim 5,
The resin film is formed by laminating an energy ray curable resin film forming film on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. Lamination means for forming a laminate comprising the film and the work in this order, or a laminate comprising the resin film forming film and the workpiece in this order;
Equipped with the hardening means and the cutting means,
The lamination means, the hardening means, and the cutting means are performed in this order,
An apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film formed thereon, wherein the steps from the stacking means to the hardening means and from the hardening means to the cutting means are performed in an in-line process.
상기 워크의 개편화하려고 하는 개소를 개질층 가공 또는 하프 다이싱 가공함으로써, 워크 가공물을 형성하는 가공 수단과,
상기 할단 수단을 구비하고,
상기 할단 수단이, 상기 워크 가공물의 개질층 가공된 개소 또는 하프 다이싱 가공된 개소를 따라, 상기 수지막 형성 필름 또는 상기 수지막을 할단하는 수단인, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.The method of claim 5 or 6,
Processing means for forming a work piece by performing modified layer processing or half dicing processing on the portion where the work is to be divided into pieces;
Provided with the above installment means,
An apparatus for manufacturing a pieced workpiece with a resin film, wherein the cutting means is a means for cutting the resin film-forming film or the resin film along a modified layer-processed portion or a half-diced portion of the workpiece.
회로면을 갖는 워크의 회로면과는 반대측의 면에, 또는, 상기 워크를 가공함으로써 얻어지는 워크 가공물의 회로면과는 반대측의 면에, 지지 시트 및 에너지선 경화성 수지막 형성 필름이 적층된, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크를 이 순서로 구비하는 적층체, 또는, 상기 지지 시트, 상기 수지막 형성 필름, 및 상기 워크 가공물을 이 순서로 구비하는 적층체의 상기 수지막 형성 필름에 대해, 에너지선 조사하여 수지막을 형성하는 경화 수단과,
상기 수지막 형성 필름, 혹은, 상기 수지막을 할단하는 할단 수단과,
상기 할단 수단 후, 상기 지지 시트를 익스팬드하는 익스팬드 수단을 구비하고,
상기 할단 수단부터 상기 익스팬드 수단까지를 인라인 프로세스로 실행하는, 수지막이 형성된 개편화 워크 가공물의 제조 장치.According to any one of claims 5 to 7,
A support sheet and an energy-ray curable resin film forming film are laminated on a surface opposite to the circuit surface of a work having a circuit surface, or on a surface opposite to the circuit surface of a workpiece obtained by processing the work. The resin film formation of a laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the work in this order, or the laminate comprising the support sheet, the resin film-forming film, and the workpiece in this order. Curing means for forming a resin film by irradiating the film with energy rays;
a cutting means for cutting the resin film-forming film or the resin film;
After the cutting means, an expand means for expanding the support sheet,
An apparatus for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, wherein the steps from the cutting means to the expanding means are performed in an in-line process.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021062250 | 2021-03-31 | ||
| JPJP-P-2021-062250 | 2021-03-31 | ||
| PCT/JP2022/015430 WO2022210705A1 (en) | 2021-03-31 | 2022-03-29 | Method for manufacturing resin film-attached singulated workpiece processed item, and apparatus for manufacturing resin film-attached singulated workpiece processed item |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230163418A true KR20230163418A (en) | 2023-11-30 |
Family
ID=83456278
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237033373A KR20230161991A (en) | 2021-03-31 | 2022-03-29 | Method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon |
| KR1020237033381A KR20230163418A (en) | 2021-03-31 | 2022-03-29 | Method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237033373A KR20230161991A (en) | 2021-03-31 | 2022-03-29 | Method for manufacturing a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon, and a manufacturing apparatus for a piece-piece workpiece with a resin film formed thereon |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JPWO2022210705A1 (en) |
| KR (2) | KR20230161991A (en) |
| CN (2) | CN117099186A (en) |
| TW (2) | TW202246065A (en) |
| WO (2) | WO2022210705A1 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016219706A (en) | 2015-05-25 | 2016-12-22 | リンテック株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2018056282A (en) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | リンテック株式会社 | Manufacturing method of semiconductor chip with protection film, and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2020218516A1 (en) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | リンテック株式会社 | Method of manufacturing three-layer laminate |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007214457A (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer processing equipment and method therefor |
| WO2019009123A1 (en) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate treatment method and substrate treatment system |
-
2022
- 2022-03-29 KR KR1020237033373A patent/KR20230161991A/en unknown
- 2022-03-29 CN CN202280026451.5A patent/CN117099186A/en active Pending
- 2022-03-29 WO PCT/JP2022/015430 patent/WO2022210705A1/en active Application Filing
- 2022-03-29 WO PCT/JP2022/015411 patent/WO2022210701A1/en active Application Filing
- 2022-03-29 JP JP2023511375A patent/JPWO2022210705A1/ja active Pending
- 2022-03-29 JP JP2023511372A patent/JPWO2022210701A1/ja active Pending
- 2022-03-29 CN CN202280026479.9A patent/CN117099187A/en active Pending
- 2022-03-29 KR KR1020237033381A patent/KR20230163418A/en unknown
- 2022-03-30 TW TW111112119A patent/TW202246065A/en unknown
- 2022-03-30 TW TW111112197A patent/TW202246066A/en unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016219706A (en) | 2015-05-25 | 2016-12-22 | リンテック株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| JP2018056282A (en) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | リンテック株式会社 | Manufacturing method of semiconductor chip with protection film, and manufacturing method of semiconductor device |
| WO2020218516A1 (en) | 2019-04-26 | 2020-10-29 | リンテック株式会社 | Method of manufacturing three-layer laminate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202246065A (en) | 2022-12-01 |
| KR20230161991A (en) | 2023-11-28 |
| JPWO2022210701A1 (en) | 2022-10-06 |
| TW202246066A (en) | 2022-12-01 |
| CN117099186A (en) | 2023-11-21 |
| CN117099187A (en) | 2023-11-21 |
| WO2022210701A1 (en) | 2022-10-06 |
| WO2022210705A1 (en) | 2022-10-06 |
| JPWO2022210705A1 (en) | 2022-10-06 |
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