KR20230161930A - Micro LED display device - Google Patents

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KR20230161930A
KR20230161930A KR1020237021121A KR20237021121A KR20230161930A KR 20230161930 A KR20230161930 A KR 20230161930A KR 1020237021121 A KR1020237021121 A KR 1020237021121A KR 20237021121 A KR20237021121 A KR 20237021121A KR 20230161930 A KR20230161930 A KR 20230161930A
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KR
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refractive index
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low refractive
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micro led
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KR1020237021121A
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Inventor
타카히로 요시카와
다이스케 핫토리
료타 모리시마
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

발광 효율이 뛰어나고, 또한, 혼색이 억제된 마이크로 LED 디스플레이 장치를 제공한다.
본 발명의 마이크로 LED 디스플레이 장치는 복수의 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 어레이 기판과, 복수의 상기 마이크로 LED를 밀봉하는 밀봉부와, 저굴절률층과, 구획해서 형성된 복수의 파장 변환층을 배면측으로부터 이 순서대로 구비하고, 각각의 상기 파장 변환층은 1개의 상기 마이크로 LED와 두께 방향으로 대응해서 세트가 되도록 형성되고, 상기 저굴절률층의 굴절률이 상기 밀봉부의 굴절률 및 파장 변환층의 굴절률보다 낮고, 상기 저굴절률층의 굴절률과 상기 밀봉부의 굴절률의 차가 0.10 이상이며, 상기 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차는 0.10 이상이다.
A micro LED display device with excellent luminous efficiency and suppressed color mixing is provided.
The micro LED display device of the present invention includes a micro LED array substrate including a plurality of micro LEDs, a sealing portion for sealing the plurality of micro LEDs, a low refractive index layer, and a plurality of wavelength conversion layers formed in partitions from the back side. Provided in this order, each of the wavelength conversion layers is formed to be set to correspond to one of the micro LEDs in the thickness direction, and the refractive index of the low refractive index layer is lower than the refractive index of the sealing portion and the refractive index of the wavelength conversion layer, The difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is 0.10 or more, and the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the wavelength conversion layer is 0.10 or more.

Description

마이크로 LED 디스플레이 장치Micro LED display device

본 발명은 마이크로 LED 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a micro LED display device.

근년, 새로운 디스플레이 장치로서, 매트릭스상으로 배열된 화소 내에 마이크로 LED를 배치해서 구성된 마이크로 LED 디스플레이의 개발이 행해지고 있다(예를 들면, 특허문헌 1, 특허문헌 2). 마이크로 LED 디스플레이로서는, 복수의 마이크로 LED를 배치해서 구성된 마이크로 LED 어레이 기판과, 마이크로 LED 어레이 기판 상에 형성되어, 마이크로 LED로부터의 광을 흡수하고, 그 광의 발광 파장을 적색, 녹색 및 청색의 각 광의 파장으로 각각 변환하는 파장 변환층(형광 발광층)의 어레이를 구비한 디스플레이가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2). 이러한 마이크로 LED 디스플레이에 있어서는, 서브 픽셀마다, 마이크로 LED와 파장 변환층이 세트가 되어서 구성되어 있다.In recent years, as a new display device, micro LED displays configured by arranging micro LEDs in pixels arranged in a matrix have been developed (for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). The micro LED display includes a micro LED array substrate composed of a plurality of micro LEDs arranged on the micro LED array substrate, absorbs light from the micro LED, and changes the emission wavelength of the light into red, green, and blue light. A display including an array of wavelength conversion layers (fluorescent light-emitting layers) that each convert wavelengths into wavelengths has been proposed (for example, patent document 2). In such a micro LED display, each subpixel is configured with a set of micro LEDs and a wavelength conversion layer.

일본 특허공개 2020-43073호 공보Japanese Patent Publication No. 2020-43073 일본 특허공표 2016-523450호 공보Japanese Patent Publication No. 2016-523450

상기된 바와 같은 마이크로 LED 디스플레이에 있어서는, 마이크로 LED로부터의 광이 상기 마이크로 LED에 대응하는 이외의 서브 픽셀(인접 서브 픽셀, 주변 서브 픽셀)로 새어서, 혼색이 생긴다고 하는 문제가 있다. 또한, 파장 변환층 내에서의 산란에 의해 배면측으로 돌아가는 광이 생겨서, 충분한 발광 효율을 얻을 수 없다고 하는 문제도 있다.In the micro LED display as described above, there is a problem in that light from the micro LED leaks into subpixels (adjacent subpixels, peripheral subpixels) other than those corresponding to the micro LED, resulting in color mixing. Additionally, there is a problem that light returning to the back side occurs due to scattering in the wavelength conversion layer, making it impossible to obtain sufficient luminous efficiency.

본 발명의 과제는 발광 효율이 뛰어나고, 또한, 혼색이 억제된 마이크로 LED 디스플레이 장치를 제공하는 것에 있다.The object of the present invention is to provide a micro LED display device that has excellent luminous efficiency and suppresses color mixing.

본 발명의 마이크로 LED 디스플레이 장치는 복수의 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 어레이 기판과, 복수의 상기 마이크로 LED를 밀봉하는 밀봉부와, 저굴절률층과, 구획해서 형성된 복수의 파장 변환층을 상기 마이크로 LED 어레이 기판측으로부터 이 순서대로 구비하고, 각각의 상기 파장 변환층은 1개의 상기 마이크로 LED와 두께 방향에 대응해서 세트가 되도록 형성되고, 상기 저굴절률층의 굴절률이 상기 밀봉부의 굴절률 및 파장 변환층의 굴절률보다 낮고, 상기 저굴절률층의 굴절률과 상기 밀봉부의 굴절률의 차가, 0.10 이상이며, 상기 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차가, 0.10 이상이다.The micro LED display device of the present invention includes a micro LED array substrate including a plurality of micro LEDs, a sealing portion for sealing the plurality of micro LEDs, a low refractive index layer, and a plurality of wavelength conversion layers formed to separate the micro LEDs. It is provided in this order from the array substrate side, and each of the wavelength conversion layers is formed to be set corresponding to one of the micro LEDs in the thickness direction, and the refractive index of the low refractive index layer is equal to the refractive index of the sealing portion and that of the wavelength conversion layer. It is lower than the refractive index, the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is 0.10 or more, and the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the wavelength conversion layer is 0.10 or more.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 저굴절률층의 굴절률이 1.25 이하이다.In one embodiment, the refractive index of the low refractive index layer is 1.25 or less.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 저굴절률층이 미세입자끼리가 화학적으로 결합해서 구성되는 다공체로 이루어지는 공극층이다.In one embodiment, the low refractive index layer is a void layer made of a porous body formed by chemically bonding fine particles to each other.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 밀봉부가 점착제로 구성되어 있다.In one embodiment, the sealing portion is made of adhesive.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 각각의 파장 변환층이 격벽에 의해, 이격 배치되어 있다.In one embodiment, each of the wavelength conversion layers is spaced apart by a partition.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 마이크로 LED가 청색 LED 또는 자외선 LED이다.In one embodiment, the micro LED is a blue LED or an ultraviolet LED.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 마이크로 LED 디스플레이 장치는 상기 파장 변환층의 상기 저굴절률층과는 반대측의 면에 배치된 컬러필터를 추가로 갖는다.In one embodiment, the micro LED display device further has a color filter disposed on a side of the wavelength conversion layer opposite to the low refractive index layer.

본 발명에 의하면, 발광 효율이 뛰어나고, 또한, 혼색이 억제된 마이크로 LED 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, a micro LED display device with excellent luminous efficiency and suppressed color mixing can be provided.

도 1은 본 발명의 1개의 실시형태에 의한 마이크로 LED 디스플레이 장치의 개략단면도이다.
도 2의 (a)는 실시예에 제공한 구성을 나타내는 개략단면도이고, (b)는 비교예에 제공한 구성을 나타내는 개략단면도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of a micro LED display device according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 (a) is a schematic cross-sectional view showing the configuration provided in the examples, and (b) is a schematic cross-sectional view showing the configuration provided in the comparative example.

A.마이크로 LED 디스플레이 장치A. Micro LED display device

도 1은 본 발명의 1개의 실시형태에 의한 마이크로 LED 디스플레이 장치의 개략단면도이다. 본 실시형태에 의한 마이크로 LED 디스플레이 장치(100)는 복수의 마이크로 LED(11)를 포함하는 마이크로 LED 어레이 기판(10)과, 복수의 마이크로 LED(11)를 밀봉하는 밀봉부(20)와, 저굴절률층(30)과, 구획해서 형성된 복수의 파장 변환층(40)을 마이크로 LED 어레이 기판측으로부터 이 순서대로 구비한다. 대표적으로는, 마이크로 LED 어레이 기판(10)은 구동 기판(12)과, 상기 구동 기판(12) 상에 어레이상(매트릭스상)으로 배열된 복수의 마이크로 LED(11)를 구비한다. 각각의 파장 변환층(40)은 1개의 마이크로 LED(11)와 두께 방향으로 대응해서 세트가 되도록 형성된다. 대표적으로는, 1개의 서브 픽셀에, 파장 변환층(40)과 마이크로 LED(11)가 각각 하나씩 포함된다. 마이크로 LED(11)로부터의 광을 파장 변환층(40)에 투과시킴으로써, 적색, 녹색, 청색의 서브 픽셀을 형성할 수 있다. 또한, 마이크로 LED로부터의 광을 그대로 이용하는 서브 픽셀일 경우(예를 들면, 청색 LED에 의해 청색 서브 픽셀을 형성할 경우), 상기 개소에 있어서는, 파장 변환층은 생략되거나, 또는, 다른 층(예를 들면, 광 확산층)으로 대체될 수 있다. 1개의 실시형태에 있어서는, 각 파장 변환층은 격벽(50)(차광층)에 의해, 이격 배치된다.1 is a schematic cross-sectional view of a micro LED display device according to one embodiment of the present invention. The micro LED display device 100 according to this embodiment includes a micro LED array substrate 10 including a plurality of micro LEDs 11, a sealing portion 20 that seals the plurality of micro LEDs 11, and a The refractive index layer 30 and a plurality of partitioned wavelength conversion layers 40 are provided in this order from the micro LED array substrate side. Typically, the micro LED array substrate 10 includes a driving substrate 12 and a plurality of micro LEDs 11 arranged in an array (matrix shape) on the driving substrate 12. Each wavelength conversion layer 40 is formed to correspond to one micro LED 11 in the thickness direction. Typically, one subpixel includes one wavelength conversion layer 40 and one micro LED 11. By transmitting light from the micro LED 11 through the wavelength conversion layer 40, red, green, and blue subpixels can be formed. In addition, in the case of a subpixel that uses light from a micro LED as is (for example, when a blue subpixel is formed by a blue LED), the wavelength conversion layer is omitted in the above location, or another layer (e.g. For example, it can be replaced with a light diffusion layer). In one embodiment, each wavelength conversion layer is spaced apart by a partition 50 (light-shielding layer).

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 저굴절률층(30)은 밀봉부(20)의 마이크로 LED 어레이 기판(10)과는 반대측의 면의 전면에 형성된다. 또한, 1개의 실시형태에 있어서는, 상기 저굴절률층(30)은 밀봉부(20)에 직접(즉, 다른 층을 개재하지 않고) 형성된다.In one embodiment, the low refractive index layer 30 is formed on the entire surface of the sealing portion 20 opposite to the micro LED array substrate 10. Additionally, in one embodiment, the low refractive index layer 30 is formed directly on the sealing portion 20 (i.e., without interposing another layer).

저굴절률층(30)의 굴절률은 밀봉부(20)의 굴절률 및 파장 변환층(40)의 굴절률보다 낮다. 저굴절률층(30)의 굴절률과 밀봉부(20)의 굴절률의 차는 0.10 이상이다. 또한, 저굴절률층(30)의 굴절률과 파장 변환층(40)의 굴절률의 차는 0.10 이상이다.The refractive index of the low refractive index layer 30 is lower than the refractive index of the sealing part 20 and the refractive index of the wavelength conversion layer 40. The difference between the refractive index of the low refractive index layer 30 and the refractive index of the sealing portion 20 is 0.10 or more. Additionally, the difference between the refractive index of the low refractive index layer 30 and the refractive index of the wavelength conversion layer 40 is 0.10 or more.

본 발명에 있어서는, 밀봉부와 파장 변환층의 사이에, 저굴절률층을 배치함으로써, 각 층 사이에 굴절률 차가 생긴다. 그 결과, 마이크로 LED로부터 발생되어 파장 변환층 내에서 산란해서 배면측으로 돌아가려고 하는 광의 적어도 일부는 파장 변환층과 저굴절률층의 계면에서 반사되어서 시인측으로 출사할 수 있다. 그 결과, 발광 효율이 향상된다. 또한, 마이크로 LED로부터 대각선 방향으로 발생되어, 대응하는 파장 변환층(동 서브 픽셀 내의 파장 변환층)에 도달하지 못하고 그 주변으로 향하는 광의 적어도 일부는 저굴절률층과 밀봉부의 계면에서 반사되어서, 배면측으로 되돌려진다. 그 결과, 혼색이 억제된다. 본 발명의 실시형태에 의한 마이크로 LED 디스플레이 장치는 고정세(高精細)한 것에 더해, 종래의 디스플레이보다 고휘도 및 광색역인 점에서 유리하다.In the present invention, a low refractive index layer is disposed between the sealing portion and the wavelength conversion layer, thereby creating a difference in refractive index between the layers. As a result, at least part of the light generated from the micro LED, scattered in the wavelength conversion layer, and returning to the back side is reflected at the interface between the wavelength conversion layer and the low refractive index layer and can be emitted to the viewer side. As a result, luminous efficiency is improved. In addition, at least part of the light that is generated diagonally from the micro LED and does not reach the corresponding wavelength conversion layer (wavelength conversion layer in the same subpixel) and heads to the periphery is reflected at the interface between the low refractive index layer and the sealing portion, and is transmitted to the back side. It is returned. As a result, color mixing is suppressed. In addition to being high definition, the micro LED display device according to an embodiment of the present invention is advantageous over conventional displays in that it has high brightness and a wide color gamut.

B.저굴절률층B. Low refractive index layer

저굴절률층의 굴절률은 바람직하게는 1.30 이하이며, 보다 바람직하게는 1.25 이하이며, 더욱 바람직하게는 1.20 이하이며, 특히 바람직하게는 1.15 이하이다. 저굴절률층의 굴절률은 낮을수록 바람직하지만, 그 하한은 예를 들면, 1.07 이상(바람직하게는 1.05 이상)이다. 본 명세서에 있어서, 굴절률이란, 파장 550nm에 있어서 측정된 굴절률을 말한다.The refractive index of the low refractive index layer is preferably 1.30 or less, more preferably 1.25 or less, further preferably 1.20 or less, and particularly preferably 1.15 or less. The lower the refractive index of the low refractive index layer, the more preferable it is, but the lower limit is, for example, 1.07 or more (preferably 1.05 or more). In this specification, refractive index refers to the refractive index measured at a wavelength of 550 nm.

상기된 바와 같이, 저굴절률층의 굴절률과 밀봉부의 굴절률의 차는 0.10 이상이다. 저굴절률층의 굴절률과 밀봉부의 굴절률의 차는 바람직하게는 0.20 이상이며, 보다 바람직하게는 0.30 이상이다. 이러한 범위이면, 상기 효과가 현저해진다. 저굴절률층의 굴절률과 밀봉부의 굴절률의 차의 상한은 예를 들면, 0.50(바람직하게는 0.70)이다.As mentioned above, the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is 0.10 or more. The difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is preferably 0.20 or more, and more preferably 0.30 or more. Within this range, the above effect becomes noticeable. The upper limit of the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is, for example, 0.50 (preferably 0.70).

상기된 바와 같이, 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차는 0.10 이상이다. 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차는 바람직하게는 0.20 이상이며, 보다 바람직하게는 0.30 이상이다. 이러한 범위이면, 상기 효과가 현저해진다. 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차의 상한은 예를 들면, 0.50(바람직하게는 0.70)이다.As mentioned above, the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the wavelength conversion layer is 0.10 or more. The difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the wavelength conversion layer is preferably 0.20 or more, and more preferably 0.30 or more. Within this range, the above effect becomes noticeable. The upper limit of the difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the wavelength conversion layer is, for example, 0.50 (preferably 0.70).

상기 저굴절률층의 두께는 바람직하게는 0.01㎛∼1000㎛이며, 보다 바람직하게는 0.05㎛∼100㎛이며, 더욱 바람직하게는 0.1㎛∼80㎛이며, 특히 바람직하게는 0.3㎛∼50㎛이다.The thickness of the low refractive index layer is preferably 0.01 μm to 1000 μm, more preferably 0.05 μm to 100 μm, further preferably 0.1 μm to 80 μm, and particularly preferably 0.3 μm to 50 μm.

저굴절률층은 임의의 적절한 구성이 채용될 수 있다. 1개의 실시형태에 있어서는, 저굴절률층은 공극을 갖는다. 저굴절률층은 바람직하게는 도포 또는 인쇄 등에 의해 형성될 수 있다. 저굴절률층을 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 국제공개 제 2004/113966호, 일본 특허공개 2013-254183호 공보, 및 일본 특허공개 2012-189802호 공보에 기재된 재료를 채용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 실리카계 화합물; 가수 분해성 실란류, 및 그 부분 가수 분해물 및 탈수 축합물; 유기 폴리머; 실라놀기를 함유하는 규소 화합물; 규산염을 산이나 이온 교환 수지에 접촉시킴으로써 얻어지는 활성 실리카; 중합성 모노머(예를 들면, (메타)아크릴계 모노머, 및 스티렌계 모노머); 경화성 수지(예를 들면, (메타)아크릴계 수지, 불소 함유 수지, 및 우레탄 수지); 및 이것들의 조합을 예로 들 수 있다. 저굴절률층은 이러한 재료의 용액 또는 분산액을 도포 또는 인쇄 등을 함으로써 형성될 수 있다.The low refractive index layer may have any suitable configuration. In one embodiment, the low refractive index layer has voids. The low refractive index layer may preferably be formed by coating or printing. As the material constituting the low refractive index layer, for example, materials described in International Publication No. 2004/113966, Japanese Patent Application Publication No. 2013-254183, and Japanese Patent Application Publication No. 2012-189802 can be adopted. Specifically, for example, silica-based compounds; Hydrolyzable silanes, and their partial hydrolysates and dehydration condensates; organic polymer; Silicon compounds containing silanol groups; Activated silica obtained by contacting silicates with acids or ion exchange resins; polymerizable monomers (for example, (meth)acrylic monomers and styrene monomers); curable resins (for example, (meth)acrylic resins, fluorine-containing resins, and urethane resins); and combinations thereof can be given as examples. The low refractive index layer can be formed by applying or printing a solution or dispersion of these materials.

공극을 갖는 저굴절률층의 공극률은 바람직하게는 35체적% 이상이며, 보다 바람직하게는 38체적% 이상이며, 특히 바람직하게는 40체적% 이상이다. 이러한 범위이면, 굴절률이 특히 낮은 저굴절률층을 형성할 수 있다. 저굴절률층의 공극률의 상한은 예를 들면, 90체적% 이하이며, 바람직하게는 75체적% 이하이다. 이러한 범위이면, 강도가 뛰어난 저굴절률층을 형성할 수 있다. 공극률은 엘립소미터로 측정한 굴절률의 값으로부터, Lorentz-Lorenz's formula(로렌츠-로렌츠의 식)에 의해 공극률이 산출된 값이다.The porosity of the low refractive index layer having voids is preferably 35 volume% or more, more preferably 38 volume% or more, and particularly preferably 40 volume% or more. Within this range, a low refractive index layer with a particularly low refractive index can be formed. The upper limit of the porosity of the low refractive index layer is, for example, 90 volume% or less, and preferably 75 volume% or less. Within this range, a low refractive index layer with excellent strength can be formed. The porosity is a value calculated by Lorentz-Lorenz's formula from the value of the refractive index measured with an ellipsometer.

저굴절률층에 있어서의 공극(구멍)의 사이즈는 공극(구멍)의 장축의 직경 및 단축의 직경 중, 장축의 직경을 가리키는 것으로 한다. 공극(구멍)의 사이즈는 예를 들면, 2nm∼500nm이다. 공극(구멍)의 사이즈는 예를 들면 2nm 이상이며, 바람직하게는 5nm 이상이며, 보다 바람직하게는 10nm 이상이며, 더욱 바람직하게는 20nm 이상이다. 한편, 공극(구멍)의 사이즈는 예를 들면 500nm 이하이며, 바람직하게는 200nm 이하이며, 보다 바람직하게는 100nm 이하이다. 공극(구멍)의 사이즈의 범위는 예를 들면 2nm∼500nm이며, 바람직하게는 5nm∼500nm이며, 보다 바람직하게는 10nm∼200nm이며, 더욱 바람직하게는 20nm∼100nm이다. 공극(구멍)의 사이즈는 목적 및 용도 등에 따라서, 소망의 사이즈로 조정할 수 있다.The size of the void (hole) in the low refractive index layer refers to the major axis diameter among the major axis diameter and minor axis diameter of the void (hole). The size of the gap (hole) is, for example, 2 nm to 500 nm. The size of the void (hole) is, for example, 2 nm or more, preferably 5 nm or more, more preferably 10 nm or more, and even more preferably 20 nm or more. On the other hand, the size of the gap (hole) is, for example, 500 nm or less, preferably 200 nm or less, and more preferably 100 nm or less. The range of the size of the void (hole) is, for example, 2 nm to 500 nm, preferably 5 nm to 500 nm, more preferably 10 nm to 200 nm, and still more preferably 20 nm to 100 nm. The size of the gap (hole) can be adjusted to a desired size depending on the purpose, use, etc.

공극(구멍)의 사이즈는 BET 시험법에 의해 정량화할 수 있다. 구체적으로는, 비표면적 측정 장치(마이크로메리틱사제: ASAP2020)의 캐필러리에, 샘플(형성된 공극층)을 0.1g 투입한 후, 실온에서 24시간, 감압 건조를 행하고, 공극 구조 내의 기체를 탈기한다. 그리고, 상기 샘플에 질소 가스를 흡착시킴으로써 흡착 등온선을 그리고, 가는 구멍 분포를 구한다. 이것에 의해, 공극 사이즈를 평가할 수 있다.The size of voids (holes) can be quantified by the BET test method. Specifically, 0.1 g of sample (formed void layer) was charged into the capillary of a specific surface area measuring device (ASAP2020 manufactured by Micrometric Corporation), then dried under reduced pressure at room temperature for 24 hours to degas the gas in the void structure. do. Then, by adsorbing nitrogen gas to the sample, an adsorption isotherm is drawn and the pore distribution is obtained. By this, the gap size can be evaluated.

저굴절률층의 헤이즈는 예를 들면 5% 미만이며, 바람직하게는 3% 미만이다. 한편, 헤이즈는 예를 들면 0.1% 이상이며, 바람직하게는 0.2% 이상이다. 헤이즈의 범위는 예를 들면 0.1% 이상 5% 미만이며, 바람직하게는 0.2% 이상 3% 미만이다. 헤이즈는 예를 들면, 이하와 같은 방법에 의해 측정할 수 있다. 또한, 헤이즈는 저굴절률층의 투명성의 지표이다.The haze of the low refractive index layer is, for example, less than 5%, and is preferably less than 3%. On the other hand, the haze is, for example, 0.1% or more, and is preferably 0.2% or more. The range of haze is, for example, 0.1% or more and less than 5%, and is preferably 0.2% or more and less than 3%. Haze can be measured, for example, by the following method. Additionally, haze is an indicator of the transparency of the low refractive index layer.

공극층(저굴절률층)을 50mm×50mm의 사이즈로 커트하고, 헤이즈 미터(무라카미 시키사이기쥬츠겐큐쇼사제: HM-150)에 세트해서 헤이즈를 측정한다. 헤이즈 값에 대해서는, 이하의 식에 의해 산출한다.The void layer (low refractive index layer) is cut to a size of 50 mm x 50 mm, set in a haze meter (HM-150, manufactured by Murakami Shikisai Kijutsu Genkyusho Co., Ltd.), and the haze is measured. The haze value is calculated using the following formula.

헤이즈(%)=[확산 투과율(%)/전 광선 투과율(%)]×100 (%)Haze (%) = [diffuse transmittance (%) / total light transmittance (%)] × 100 (%)

상기 내부에 공극을 갖는 저굴절률층으로서는, 예를 들면, 다공질층, 및/또는 공기층을 적어도 일부에 갖는 저굴절률층을 예로 들 수 있다. 다공질층은 대표적으로는, 에어로겔, 및/또는 입자(예를 들면, 중공 미립자 및/또는 다공질 입자)를 포함한다. 저굴절률층은 바람직하게는 나노 다공성층(구체적으로는, 90% 이상의 미세 구멍의 직경이 10-1nm∼103nm의 범위 내인 다공질층)일 수 있다.Examples of the low refractive index layer having voids therein include a porous layer and/or a low refractive index layer having at least a portion of an air layer. The porous layer typically includes airgel and/or particles (eg, hollow particulates and/or porous particles). The low refractive index layer may preferably be a nanoporous layer (specifically, a porous layer in which the diameter of 90% or more of the micropores is within the range of 10 -1 nm to 10 3 nm).

상기 입자로서는, 임의의 적절한 입자를 채용할 수 있다. 입자는 대표적으로는, 실리카계 화합물로 이루어진다. 입자의 형상으로서는, 예를 들면, 구상, 판상, 바늘 형상, 스트링 형상, 및 포도의 송이 형상을 예로 들 수 있다. 스트링 형상의 입자로서는, 예를 들면, 구상, 판상, 또는 바늘 형상의 형상을 갖는 복수의 입자가 염주 형상으로 연결된 입자, 단섬유상의 입자(예를 들면, 일본 특허공개 2001-188104호 공보에 기재된 단섬유상의 입자), 및 이것들의 조합을 예로 들 수 있다. 스트링 형상의 입자는 직쇄상이어도 좋고, 분기상이어도 좋다. 포도의 송이 형상의 입자로서는, 예를 들면, 구상, 판상, 및 바늘 형상의 입자가 복수 응집해서 포도의 송이 형상이 된 것을 예로 들 수 있다. 입자의 형상은 예를 들면 투과 전자 현미경으로 관찰함으로써 확인할 수 있다.As the particles, any suitable particle can be employed. The particles are typically made of a silica-based compound. Examples of particle shapes include spherical shape, plate shape, needle shape, string shape, and grape cluster shape. String-shaped particles include, for example, particles in which a plurality of particles having a spherical, plate-shaped, or needle-shaped shape are connected in a beads shape, and single fiber-shaped particles (for example, those described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-188104). single-fiber particles), and combinations thereof can be given as examples. The string-shaped particles may be linear or branched. Examples of grape cluster-shaped particles include those in which a plurality of spherical, plate-shaped, and needle-shaped particles are aggregated to form a grape cluster. The shape of the particle can be confirmed, for example, by observation with a transmission electron microscope.

저굴절률층의 두께는 바람직하게는 0.2㎛∼5㎛이며, 보다 바람직하게는 0.3㎛∼3㎛이다. 저굴절률층의 두께가 이러한 범위이면, 본 발명에 의한 파손 방지 효과가 현저한 것이 된다. 또한, 상기 소망의 두께의 비를 용이하게 실현할 수 있다.The thickness of the low refractive index layer is preferably 0.2 μm to 5 μm, and more preferably 0.3 μm to 3 μm. If the thickness of the low refractive index layer is within this range, the damage prevention effect of the present invention becomes significant. Additionally, the desired thickness ratio can be easily achieved.

저굴절률층은 대표적으로는 상기된 바와 같이 도포 또는 인쇄에 의해 형성될 수 있다. 이러한 구성이면, 저굴절률층을 롤 투 롤에 의해 연속적으로 형성할 수 있다. 인쇄는 임의의 적절한 방식이 채용될 수 있다. 인쇄 방법은 구체적으로는, 그라비어 인쇄, 오프셋 인쇄, 플렉소 인쇄 등의 유판식(有版式) 인쇄 방법이어도 좋고, 잉크젯 인쇄, 레이저 인쇄, 정전 인쇄 등의 무판식(無版式) 인쇄 방법이어도 좋다.The low refractive index layer can typically be formed by coating or printing as described above. With this configuration, the low refractive index layer can be formed continuously from roll to roll. For printing, any suitable method may be employed. Specifically, the printing method may be a plate-type printing method such as gravure printing, offset printing, or flexo printing, or may be a plateless printing method such as inkjet printing, laser printing, or electrostatic printing.

이하, 저굴절률층의 구체적인 구성의 일례에 대해서 설명한다. 본 실시형태의 저굴절률층은 미세한 공극 구조를 형성하는 한 종류 또는 복수 종류의 구성 단위로 이루어지고, 상기 구성 단위끼리가 촉매 작용을 개재해서 화학적으로 결합하고 있다. 구성 단위의 형상으로서는, 예를 들면, 입자상, 섬유상, 봉 형상, 평판상을 예로 들 수 있다. 구성 단위는 1개의 형상만을 갖고 있어도 좋고, 2개 이상의 형상을 조합시켜서 갖고 있어도 좋다. 1개의 실시형태에 있어서는, 상기 저굴절률층은 미세입자끼리가 화학적으로 결합해서 구성되는 다공체로 이루어지는 공극층이다. 이하에 있어서는, 주로, 미세입자끼리가 화학적으로 결합해서 구성되는 다공체로 이루어지는 공극층일 경우에 대해서 설명한다.Hereinafter, an example of a specific configuration of the low refractive index layer will be described. The low refractive index layer of the present embodiment is made of one or more types of structural units that form a fine void structure, and the structural units are chemically bonded to each other through catalytic action. The shape of the structural unit includes, for example, particle shape, fibrous shape, rod shape, and flat shape. The structural unit may have only one shape, or may have a combination of two or more shapes. In one embodiment, the low refractive index layer is a void layer made of a porous body formed by chemically bonding fine particles to each other. Below, the case where the porous layer is mainly composed of a porous body composed of fine particles chemically bonded to each other will be explained.

이러한 공극층은 공극층 형성 공정에 있어서, 예를 들면 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시킴으로써 형성될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시형태에 있어서 「입자」(예를 들면, 상기 미세 구멍 입자)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 구상이어도 좋고 다른 형상이어도 좋다. 또한, 본 발명의 실시형태에 있어서, 상기 미세 구멍 입자는 예를 들면, 졸 겔 염주 형상 입자, 나노 입자(중공 나노 실리카·나노 벌룬 입자), 나노 섬유 등이어도 좋다. 미세 구멍 입자는 대표적으로는 무기물을 포함한다. 무기물의 구체예로서는, 규소(Si), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 지르코늄(Zr)을 예로 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 1개의 실시형태에 있어서는, 상기 미세 구멍 입자는 예를 들면 규소 화합물의 미세 구멍 입자이며, 상기 다공체는 예를 들면 실리콘 다공체이다. 상기 규소 화합물의 미세 구멍 입자는 예를 들면, 겔상 실리카 화합물의 분쇄체를 포함한다. 또한, 다공질층 및/또는 공기층을 적어도 일부에 갖는 저굴절률층의 다른 형태로서는, 예를 들면, 나노 화이버 등의 섬유상물질로 이루어지고, 상기 섬유상 물질이 서로 얽혀 공극이 형성되어서 층을 이루고 있는 공극층이 있다. 이러한 공극층의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 상기 미세 구멍 입자끼리가 화학적으로 결합하고 있는 다공체의 공극층의 경우와 같다. 또한 다른 형태로서는, 중공 나노 입자나 나노 클레이를 사용한 공극층, 중공 나노 벌룬이나 불화 마그네슘을 사용해서 형성한 공극층을 예로 들 수 있다. 공극층은 단일한 구성 물질로 이루어지는 공극층이어도 좋고, 복수의 구성 물질로 이루어지는 공극층이어도 좋다. 공극층은 단일한 상기 형태로 구성되어 있어도 좋고, 복수의 상기 형태를 포함해서 구성되어 있어도 좋다.This void layer can be formed, for example, by chemically bonding fine pore particles to each other in the void layer forming process. In addition, in the embodiment of the present invention, the shape of the “particles” (for example, the above-mentioned microporous particles) is not particularly limited, and may be, for example, spherical or other shapes. In addition, in the embodiment of the present invention, the microporous particles may be, for example, sol-gel beads-shaped particles, nanoparticles (hollow nanosilica/nanoballoon particles), nanofibers, etc. Microporous particles typically contain inorganic substances. Specific examples of inorganic substances include silicon (Si), magnesium (Mg), aluminum (Al), titanium (Ti), zinc (Zn), and zirconium (Zr). These may be used individually, or two or more types may be used together. In one embodiment, the microporous particles are, for example, microporous particles of a silicon compound, and the porous body is, for example, a silicon porous body. The microporous particles of the silicon compound include, for example, pulverized gel-like silica compounds. In addition, another form of the low refractive index layer having at least a part of a porous layer and/or an air layer is, for example, a layer made of a fibrous material such as nanofibers, and the fibrous materials are intertwined to form voids to form a layer. There are layers. The method for producing such a void layer is not particularly limited, and is, for example, the same as the case of the void layer of a porous body in which the above-mentioned fine pore particles are chemically bonded to each other. Additionally, other examples include a void layer formed using hollow nanoparticles or nanoclay, and a void layer formed using hollow nanoballoons or magnesium fluoride. The void layer may be a void layer composed of a single constituent material, or may be a void layer composed of a plurality of constituent materials. The void layer may be composed of a single form, or may be composed of a plurality of the above-mentioned forms.

본 실시형태에 있어서는, 다공체의 다공질 구조는 예를 들면, 구멍 구조가 연속된 연속 거품 구조체일 수 있다. 연속 거품 구조체란, 예를 들면 상기 실리콘 다공체에 있어서, 삼차원적으로 구멍 구조가 연결되어 있는 것을 의미하고, 구멍 구조의 내부 공극이 연속되어 있는 상태라고도 할 수 있다. 다공질체가 연속 거품 구조를 가짐으로써, 공극률을 높이는 것이 가능하다. 단, 중공 실리카와 같은 독립 거품 입자(각각에 구멍 구조를 갖는 입자)를 사용할 경우에는, 연속 거품 구조를 형성할 수 없다. 한편, 예를 들면 실리카 졸 입자(졸을 형성하는 겔상 규소 화합물의 분쇄물)를 사용할 경우, 상기 입자가 삼차원의 나무 형상 구조를 갖기 때문에, 도포막(겔상 규소 화합물의 분쇄물을 포함하는 졸의 도포막) 중에 상기 나무 형상 입자가 침강 및 퇴적됨으로써, 용이하게 연속 거품 구조를 형성하는 것이 가능하다. 저굴절률층은 보다 바람직하게는, 연속 거품 구조가 복수의 가는 구멍 분포를 포함하는 모노리스 구조를 갖는다. 모노리스 구조는 예를 들면, 나노 사이즈의 미세한 공극이 존재하는 구조와, 동 나노 공극이 집합한 연속 거품 구조를 포함하는 계층 구조를 의미한다. 모노리스 구조를 형성할 경우, 예를 들면, 미세한 공극으로 막 강도를 부여하면서, 조대한 연속 거품 공극으로 높은 공극률을 부여해서, 막 강도와 고공극률을 양립할 수 있다. 이러한 모노리스 구조는 바람직하게는, 실리카 졸 입자로 분쇄하기 전 단계의 겔(겔상 규소 화합물)에 있어서, 생성하는 공극 구조의 가는 구멍 분포를 제어함으로써 형성될 수 있다. 또한 예를 들면, 겔상 규소 화합물을 분쇄할 때, 분쇄 후의 실리카 졸 입자의 입도 분포를 소망의 사이즈로 제어함으로써, 모노리스 구조를 형성할 수 있다.In this embodiment, the porous structure of the porous body may be, for example, a continuous foam structure in which the pore structure is continuous. A continuous bubble structure means, for example, in the silicon porous body, the pore structure is connected three-dimensionally, and can also be said to be a state in which the internal pores of the pore structure are continuous. By having a porous body having a continuous bubble structure, it is possible to increase the porosity. However, when independent foam particles (particles each having a pore structure) such as hollow silica are used, a continuous foam structure cannot be formed. On the other hand, for example, when using silica sol particles (pulverized material of a gel-like silicon compound that forms a sol), the particles have a three-dimensional tree-like structure, so the coating film (of the sol containing the pulverized material of the gel-like silicon compound) By settling and depositing the wood-shaped particles in the coating film, it is possible to easily form a continuous foam structure. The low refractive index layer more preferably has a monolithic structure in which the continuous bubble structure includes a plurality of fine pore distributions. A monolithic structure means, for example, a hierarchical structure including a structure in which fine nano-sized pores exist and a continuous bubble structure in which the nano-pores are gathered. When forming a monolithic structure, for example, membrane strength can be provided by fine pores while high porosity can be provided by coarse continuous bubble pores, so that both membrane strength and high porosity can be achieved. Such a monolithic structure can preferably be formed by controlling the distribution of fine pores in the resulting pore structure in the gel (gel-like silicon compound) at the stage before pulverizing it into silica sol particles. Also, for example, when pulverizing a gel-like silicon compound, a monolith structure can be formed by controlling the particle size distribution of the pulverized silica sol particles to a desired size.

저굴절률층은 예를 들면 상기된 바와 같이 겔상 화합물의 분쇄물을 포함하고, 상기 분쇄물끼리가 화학적으로 결합되어 있다. 저굴절률층에 있어서의 분쇄물끼리의 화학적인 결합(화학 결합)의 형태는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 가교 결합, 공유 결합, 수소 결합을 예로 들 수 있다.For example, the low refractive index layer includes pulverized gel-like compounds as described above, and the pulverized materials are chemically bonded to each other. The type of chemical bond (chemical bond) between the pulverized materials in the low refractive index layer is not particularly limited, and examples include crosslinking, covalent bonding, and hydrogen bonding.

겔상 화합물의 겔 형태는 특별히 제한되지 않는다. 「겔」이란, 일반적으로, 용질이 상호 작용을 위해서 독립된 운동성을 잃고 집합한 구조를 갖고, 고화한 상태를 말한다. 겔상 화합물은 예를 들면, 웨트 겔이어도 좋고, 키세로 겔이어도 좋다. 또한, 일반적으로, 웨트 겔은 분산매를 포함하고, 분산매 중에서 용질이 똑같은 구조를 취하는 것을 말하고, 키세로 겔은 용매가 제거되어서, 용질이 공극을 가지는 그물눈 구조를 취하는 것을 말한다.The gel form of the gel-like compound is not particularly limited. “Gel” generally refers to a state in which solutes have lost their independent mobility for interaction, have an aggregated structure, and have solidified. The gel-like compound may be, for example, a wet gel or a cicerogel. In addition, generally, a wet gel includes a dispersion medium and refers to a solute having the same structure in the dispersion medium, while a cicerogel refers to one in which the solvent is removed and the solute takes on a network structure with pores.

겔상 화합물로서는, 예를 들면, 모노머 화합물을 겔화한 겔화물을 예로 들 수 있다. 구체적으로는, 상기 겔상 규소 화합물로서는, 예를 들면, 모노머의 규소 화합물이 서로 결합한 겔화물, 구체예로서, 모노머의 규소 화합물이 서로 공유 결합, 수소 결합 또는 분자간력 결합한 겔화물을 예로 들 수 있다. 공유 결합으로서는, 예를 들면 탈수 축합에 의한 결합을 예로 들 수 있다.Examples of the gel-like compound include gelatinized products obtained by gelling a monomer compound. Specifically, the gel-like silicon compound includes, for example, a gelled product in which monomeric silicon compounds are bonded to each other, and as a specific example, a gelled product in which monomeric silicon compounds are covalently bonded, hydrogen bonded, or intermolecularly bonded to each other. . Examples of covalent bonds include bonds by dehydration condensation.

저굴절률층에 있어서의 상기 분쇄물의 체적 평균 입자 지름은 예를 들면 0.10㎛ 이상이며, 바람직하게는 0.20㎛ 이상이며, 보다 바람직하게는 0.40㎛ 이상이다. 한편, 체적 평균 입자 지름은 예를 들면 2.00㎛ 이하이며, 바람직하게는 1.50㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 1.00㎛ 이하이다. 체적 평균 입자 지름의 범위는 예를 들면 0.10㎛∼2.00㎛이며, 바람직하게는 0.20㎛∼1.50㎛이며, 보다 바람직하게는 0.40㎛∼1.00㎛이다. 입도 분포는 예를 들면, 동적 광 산란법, 레이저 회절법 등의 입도 분포 평가 장치, 및 주사형 전자 현미경(SEM), 투과형 전자 현미경(TEM) 등의 전자 현미경 등에 의해 측정할 수 있다. 또한, 체적 평균 입자 지름은 분쇄물의 입도의 불균일의 지표이다.The volume average particle diameter of the pulverized material in the low refractive index layer is, for example, 0.10 μm or more, preferably 0.20 μm or more, and more preferably 0.40 μm or more. On the other hand, the volume average particle diameter is, for example, 2.00 μm or less, preferably 1.50 μm or less, and more preferably 1.00 μm or less. The range of the volume average particle diameter is, for example, 0.10 μm to 2.00 μm, preferably 0.20 μm to 1.50 μm, and more preferably 0.40 μm to 1.00 μm. The particle size distribution can be measured, for example, by a particle size distribution evaluation device such as a dynamic light scattering method or a laser diffraction method, and an electron microscope such as a scanning electron microscope (SEM) or a transmission electron microscope (TEM). Additionally, the volume average particle diameter is an indicator of the unevenness of the particle size of the pulverized material.

겔상 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 겔상 화합물로서는, 예를 들면 겔상 규소 화합물을 예로 들 수 있다. 이하, 겔상 화합물이 겔상 규소 화합물일 경우를 예로서 설명하지만, 이것에는 한정되지 않는다.The type of gel compound is not particularly limited. Examples of the gel-like compound include a gel-like silicon compound. Hereinafter, the case where the gel-like compound is a gel-like silicon compound will be described as an example, but the case is not limited to this.

상기 가교 결합은 예를 들면 실록산 결합이다. 실록산 결합으로서는, 예를 들면 이하에 나타내는 바와 같은, T2의 결합, T3의 결합, T4의 결합을 예로 들 수 있다. 공극층(저굴절률층)이 실록산 결합을 가질 경우, 어느 1종의 결합을 가져도 좋고, 어느 2종의 결합을 가져도 좋고, 3종 전부의 결합을 가져도 좋다. 실록산 결합 중, T2 및 T3의 비율이 많을수록, 가요성이 풍부하고, 겔 본래의 특성을 기대할 수 있다. 한편, T4의 비율이 많을수록, 막 강도가 발현되기 쉽다. 따라서, 목적, 용도, 소망의 특성 등에 따라서, T2, T3 및 T4의 비율을 바꾸는 것이 바람직하다.The crosslink is, for example, a siloxane bond. Examples of the siloxane bond include a T2 bond, a T3 bond, and a T4 bond as shown below. When the void layer (low refractive index layer) has a siloxane bond, it may have any one type of bond, any two types of bond, or all three types of bond. Among the siloxane bonds, the greater the ratio of T2 and T3, the greater the flexibility, and the original properties of the gel can be expected. On the other hand, the greater the ratio of T4, the easier it is for membrane strength to develop. Therefore, it is desirable to change the ratio of T2, T3 and T4 depending on the purpose, use, desired characteristics, etc.

또한, 저굴절률층(공극층)에 있어서는, 예를 들면, 포함되는 규소 원자가 실록산 결합하고 있는 것이 바람직하다. 구체예로서, 공극층에 포함되는 전 규소 원자 중, 미결합의 규소 원자(즉, 잔류 실라놀)의 비율은 예를 들면 50% 미만이며, 바람직하게는 30% 이하이며, 보다 바람직하게는 15% 이하이다.In addition, in the low refractive index layer (void layer), for example, it is preferable that the contained silicon atoms are siloxane bonded. As a specific example, the proportion of unbonded silicon atoms (i.e., residual silanol) among all silicon atoms contained in the void layer is, for example, less than 50%, preferably 30% or less, and more preferably 15%. % or less.

겔상 화합물이 겔상 규소 화합물일 경우, 모노머의 규소 화합물은 특별히 제한되지 않는다. 모노머의 규소 화합물로서는, 예를 들면, 하기 식(1)으로 나타내어지는 화합물을 예로 들 수 있다. 겔상 규소 화합물이 상기된 바와 같이, 모노머의 규소 화합물이 서로 수소 결합 또는 분자간력 결합한 겔화물일 경우, 식(1)의 모노머 사이는 예를 들면, 각각의 수산기를 개재해서 수소 결합할 수 있다.When the gel-like compound is a gel-like silicon compound, the silicon compound of the monomer is not particularly limited. Examples of monomer silicon compounds include compounds represented by the following formula (1). As described above, when the gel-like silicon compound is a gelled product in which the silicon compounds of the monomers are hydrogen-bonded or intermolecularly bonded to each other, for example, the monomers of formula (1) can be hydrogen-bonded through each hydroxyl group.

식(1) 중, X는 예를 들면 2, 3 또는 4이며, 바람직하게는 3 또는 4이다. R1은 예를 들면 직쇄 혹은 분기 알킬기이다. R1의 탄소수는 예를 들면 1∼6이며, 바람직하게는 1∼4이며, 보다 바람직하게는 1∼2이다. 직쇄 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 예로 들 수 있고, 분기 알킬기로서는, 예를 들면, 이소프로필기, 이소부틸기 등을 예로 들 수 있다.In formula (1), X is, for example, 2, 3, or 4, and is preferably 3 or 4. R 1 is, for example, a straight-chain or branched alkyl group. The carbon number of R 1 is, for example, 1 to 6, preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 2. Examples of straight-chain alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, and hexyl, and examples of branched alkyl groups include isopropyl, isobutyl, and the like. there is.

식(1)으로 나타내어지는 규소 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, X가 3인 하기 식(1')으로 나타내는 화합물을 예로 들 수 있다. 하기 식(1')에 있어서, R1은 식(1)의 경우와 같고, 예를 들면 메틸기이다. R1이 메틸기일 경우, 규소 화합물은 트리스(히드록시)메틸 실란이다. X가 3일 경우, 규소 화합물은 예를 들면, 3개의 관능기를 갖는 3관능 실란이다.Specific examples of the silicon compound represented by formula (1) include a compound represented by the following formula (1') where X is 3. In the following formula (1'), R 1 is the same as in formula (1) and is, for example, a methyl group. When R 1 is a methyl group, the silicon compound is tris(hydroxy)methyl silane. When X is 3, the silicon compound is, for example, a trifunctional silane having three functional groups.

식(1)으로 나타내어지는 규소 화합물의 다른 구체예로서는, X가 4인 화합물을 예로 들 수 있다. 이 경우, 규소 화합물은 예를 들면, 4개의 관능기를 갖는 4관능 실란이다.Another specific example of the silicon compound represented by formula (1) is a compound where X is 4. In this case, the silicon compound is, for example, a tetrafunctional silane having four functional groups.

모노머의 규소 화합물은 예를 들면, 규소 화합물 전구체의 가수 분해물이어도 좋다. 규소 화합물 전구체로서는, 예를 들면, 가수 분해에 의해 규소 화합물을 생성할 수 있는 것이면 좋고, 구체예로서는, 하기 식(2)으로 나타내어지는 화합물을 예로 들 수 있다.For example, the silicon compound of the monomer may be a hydrolyzate of a silicon compound precursor. The silicon compound precursor may be any that can produce a silicon compound by hydrolysis, and specific examples include compounds represented by the following formula (2).

상기 식(2) 중, X는 예를 들면 2, 3 또는 4이며, R1 및 R2은 각각 독립하고,In the above formula (2), X is for example 2, 3 or 4, R 1 and R 2 are each independent,

직쇄 혹은 분기 알킬기이며,It is a straight chain or branched alkyl group,

R1 및 R2은 동일해도 달라도 좋고,R 1 and R 2 may be the same or different,

R1은 X가 2일 경우, 서로 동일해도 달라도 좋고,R 1 may be the same or different when X is 2,

R2은 서로 동일해도 달라도 좋다.R 2 may be the same or different.

X 및 R1은 예를 들면, 식(1)에 있어서의 X 및 R1과 같다. R2은 예를 들면, 식(1)에 있어서의 R1의 예시를 원용할 수 있다.X and R 1 are, for example, the same as X and R 1 in formula (1). For R 2 , for example, the example of R 1 in Formula (1) can be used.

식(2)으로 나타내어지는 규소 화합물 전구체의 구체예로서는, 예를 들면, X가 3인 하기 식(2')으로 나타내는 화합물을 예로 들 수 있다. 하기 식(2')에 있어서, R1 및 R2은 각각, 식(2)의 경우와 같다. R1 및 R2이 메틸기일 경우, 규소 화합물 전구체는 트리메톡시(메틸)실란(이하, 「MTMS」라고도 한다)이다.Specific examples of the silicon compound precursor represented by formula (2) include, for example, a compound represented by the following formula (2') where X is 3. In the following formula (2'), R 1 and R 2 are each the same as in formula (2). When R 1 and R 2 are methyl groups, the silicon compound precursor is trimethoxy(methyl)silane (hereinafter also referred to as “MTMS”).

모노머의 규소 화합물은 예를 들면 저굴절률성이 뛰어난 점으로부터, 3관능 실란이 바람직하다. 또한, 모노머의 규소 화합물은 예를 들면 강도(예를 들면, 내찰상성)가 뛰어난 점으로부터, 4관능 실란이 바람직하다. 모노머의 규소 화합물은 1종류만을 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용해도 좋다. 예를 들면, 모노머의 규소 화합물로서, 3관능 실란만을 포함해도 좋고, 4관능 실란만을 포함해도 좋고, 3관능 실란과 4관능 실란의 양쪽을 포함해도 좋고, 그 밖의 규소 화합물을 추가로 포함해도 좋다. 모노머의 규소 화합물로서 2종류 이상의 규소 화합물을 사용할 경우, 그 비율은 특별히 제한되지 않고, 적절히 설정할 수 있다.For example, the monomer silicon compound is preferably a trifunctional silane because it has excellent low refractive index. Additionally, the monomer silicon compound is preferably a tetrafunctional silane because it has excellent strength (e.g., scratch resistance). Only one type of monomer silicon compound may be used, or two or more types may be used together. For example, the monomer silicon compound may contain only tri-functional silane, may contain only tetra-functional silane, may contain both tri-functional silane and tetra-functional silane, and may further contain other silicon compounds. . When two or more types of silicon compounds are used as the monomer silicon compound, the ratio is not particularly limited and can be set appropriately.

이하, 이러한 저굴절률층의 형성 방법의 일례에 대해서 설명한다.Hereinafter, an example of a method for forming such a low refractive index layer will be described.

상기 방법은 대표적으로는, 수지 필름 상에 저굴절률층(공극층)의 전구체인 공극 구조를 형성하는 전구체 형성 공정, 및, 전구체 형성 공정 후에 상기 전구체 내부에서 가교 반응을 일으키게 하는 가교 반응 공정을 포함한다. 상기 방법은 미세 구멍 입자를 포함하는 함유액(이하, 「미세 구멍 입자 함유액」 또는 간단히 「함유액」이라고 할 경우가 있다.)을 제작하는 함유액 제작 공정, 및, 상기 함유액을 건조시키는 건조 공정을 추가로 포함하고, 전구체 형성 공정에 있어서, 건조체 중의 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시켜서 전구체를 형성한다. 함유액은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 미세 구멍 입자를 포함하는 현탁액이다. 또한, 이하에 있어서는, 주로, 미세 구멍 입자가 겔상 화합물의 분쇄물이며, 공극층이 겔상 화합물의 분쇄물을 포함하는 다공체(바람직하게는 실리콘 다공체)일 경우에 대해서 설명한다. 단, 저굴절률층은 미세 구멍 입자가 겔상 화합물의 분쇄물 이외일 경우도, 마찬가지로 형성할 수 있다.The method typically includes a precursor formation process of forming a void structure that is a precursor of a low refractive index layer (void layer) on a resin film, and a crosslinking reaction process of causing a crosslinking reaction inside the precursor after the precursor formation process. do. The method includes a step of producing an containing liquid containing microporous particles (hereinafter sometimes referred to as “microporous particle containing liquid” or simply “containing liquid”), and drying the containing liquid. A drying process is further included, and in the precursor forming process, the fine pore particles in the dried body are chemically bonded to each other to form a precursor. The containing liquid is not particularly limited, and is, for example, a suspension containing microporous particles. In addition, the following mainly explains the case where the microporous particles are pulverized gel-like compounds and the void layer is a porous body (preferably a silicon porous body) containing pulverized gel-like compounds. However, the low refractive index layer can be formed similarly even when the microporous particles are other than pulverized products of the gel-like compound.

상기된 방법에 의하면, 예를 들면, 대단히 낮은 굴절률을 갖는 저굴절률층(공극층)이 형성된다. 그 이유는 예를 들면 아래와 같이 추측된다. 단, 상기 추측은 저굴절률층의 형성 방법을 한정하는 것은 아니다.According to the method described above, for example, a low refractive index layer (void layer) having an extremely low refractive index is formed. The reason is assumed to be as follows, for example. However, the above guess does not limit the method of forming the low refractive index layer.

상기 분쇄물은 겔상 규소 화합물을 분쇄한 것이기 때문에, 분쇄 전의 겔상 규소 화합물의 삼차원 구조가 삼차원 기본 구조로 분산된 상태로 되어 있다. 또한, 상기 방법에서는, 겔상 규소 화합물의 파쇄물을 수지 필름 상에 도포함으로써, 삼차원 기본 구조에 기반하는 다공성 구조의 전구체가 형성된다. 즉, 상기의 방법에 의하면, 겔상 규소 화합물의 삼차원 구조와는 다른, 분쇄물의 도포에 의한 새로운 다공 구조(삼차원 기본 구조)가 형성된다. 이것 때문에, 최종적으로 얻어지는 공극층에 있어서는, 예를 들면 공기층과 같은 정도로 기능하는 저굴절률을 실현할 수 있다. 또한, 상기의 방법에 있어서는, 쇄(碎)물끼리를 화학적으로 결합시키기 때문에, 삼차원 기본 구조가 고정화된다. 이것 때문에, 최종적으로 얻어지는 공극층은 공극을 갖는 구조임에도 불구하고, 충분한 강도와 가요성을 유지할 수 있다.Since the pulverized product is obtained by pulverizing a gel-like silicon compound, the three-dimensional structure of the gel-like silicon compound before pulverization is dispersed into a three-dimensional basic structure. Additionally, in the above method, a precursor with a porous structure based on a three-dimensional basic structure is formed by applying a crushed product of a gel-like silicon compound onto a resin film. That is, according to the above method, a new porous structure (three-dimensional basic structure) is formed by applying the pulverized material, which is different from the three-dimensional structure of the gel-like silicon compound. For this reason, in the air gap layer finally obtained, for example, a low refractive index that functions to the same extent as the air layer can be realized. Additionally, in the above method, the three-dimensional basic structure is fixed because the chains are chemically bonded to each other. For this reason, the finally obtained void layer can maintain sufficient strength and flexibility despite its structure having voids.

또한, 상기의 방법은 상기 전구체 형성 공정과 상기 가교 반응 공정을 별개 공정으로서 행한다. 추가로, 가교 반응 공정을 바람직하게는 다단계로 행한다. 가교 반응 공정을 다단계로 행함으로써, 예를 들면, 가교 반응 공정을 1단계로 행하는 것보다 전구체의 강도를 추가로 향상시켜, 고공극률과 강도가 양립된 저굴절률층을 얻을 수 있다. 이 메커니즘은 불명이지만, 예를 들면, 아래와 같이 추측된다. 즉, 상기된 바와 같이, 공극층의 형성과 동시에 촉매 등에 의해 막 강도를 향상시키면, 촉매 반응의 진행에 의해, 막 강도는 향상되지만 공극률이 저하되는 문제가 있다. 이것은, 예를 들면, 촉매에 의한 미세 구멍 입자끼리의 가교 반응의 진행에 의해, 미세 구멍 입자끼리의 가교(화학적인 결합)의 수가 증가함으로써, 결합은 강고해지지만 공극층 전체가 응축해 공극률이 저하되기 때문이라고 생각된다. 이것에 비하여, 전구체 형성 공정과 가교 반응 공정을 별개 공정으로서 행하고, 또한, 가교 반응 공정을 다단계로 행함으로써, 예를 들면, 전구체 전체의 형태를 그다지 변화시키지 않고(예를 들면, 전체의 응축을 그다지 일으키지 않고) 가교(화학적인 결합)의 수를 증가시킬 수 있다고 생각된다. 단, 이것들은 추측 가능한 메커니즘의 일례이며, 저굴절률층의 형성 방법을 한정하는 것은 아니다.Additionally, in the above method, the precursor formation process and the crosslinking reaction process are performed as separate processes. Additionally, the crosslinking reaction process is preferably carried out in multiple steps. By performing the crosslinking reaction process in multiple steps, for example, the strength of the precursor can be further improved compared to performing the crosslinking reaction process in one step, and a low refractive index layer with both high porosity and strength can be obtained. This mechanism is unknown, but is assumed to be as follows, for example. That is, as described above, if the membrane strength is improved by a catalyst or the like at the same time as the formation of the void layer, there is a problem that the porosity decreases although the membrane strength improves due to the progress of the catalytic reaction. This means, for example, that the number of cross-links (chemical bonds) between fine-porous particles increases due to the progress of the cross-linking reaction between fine-porous particles using a catalyst, and the bond becomes stronger, but the entire porous layer condenses and the porosity decreases. I think it's because it's deteriorating. In contrast, by performing the precursor formation process and the crosslinking reaction process as separate processes and performing the crosslinking reaction process in multiple stages, for example, the shape of the entire precursor is not changed much (e.g., the overall condensation process is reduced). It is thought that it can increase the number of cross-links (chemical bonds) without causing much. However, these are examples of possible mechanisms and do not limit the method of forming the low refractive index layer.

전구체 형성 공정에 있어서는, 예를 들면, 일정한 형상을 갖는 입자를 적층 시켜, 공극층의 전구체를 형성한다. 이 시점에서의 전구체의 강도는 대단히 약하다. 그 후, 예를 들면, 광 혹은 열 활성 촉매 반응에 의해, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시킬 수 있는 생성물(예를 들면, 광 염기 발생제로부터 발생한 강염기 촉매 등)을 발생시킨다(가교 반응 공정의 1단계째). 효율적으로 단시간에 반응을 진행시키기 위해서 추가로 가열 에이징(가교 반응 공정의 2단계째)을 행함으로써, 미세 구멍 입자끼리의 화학적인 결합(가교 반응)이 추가로 진행되어 강도가 향상될 것으로 생각된다. 예를 들면, 미세 구멍 입자가 규소 화합물의 미세 구멍 입자(예를 들면 겔상 실리카 화합물의 분쇄체)로서, 전구체 내에 잔류 실라놀기(Si-OH기)가 존재할 경우, 잔류 실라놀기끼리가 가교 반응에 의해 화학적으로 결합될 것으로 생각된다. 단, 이 설명도 예시이며, 저굴절률층의 형성 방법을 한정하는 것은 아니다.In the precursor formation process, for example, particles having a certain shape are stacked to form a precursor for the void layer. The strength of the precursor at this point is very weak. Thereafter, a product (e.g., a strong base catalyst generated from a photobase generator, etc.) that can chemically bond the fine pore particles to each other is generated by, for example, a light- or heat-activated catalytic reaction (cross-linking reaction process). 1st step). In order to efficiently proceed with the reaction in a short period of time, additional heat aging (the second step of the cross-linking reaction process) is performed, and the chemical bonding (cross-linking reaction) between fine pore particles is expected to proceed further, thereby improving strength. . For example, when the microporous particles are microporous particles of a silicon compound (e.g., pulverized gel-like silica compound) and residual silanol groups (Si-OH groups) are present in the precursor, the residual silanol groups are involved in a crosslinking reaction. It is thought that they will be chemically bonded together. However, this explanation is also an example and does not limit the method of forming the low refractive index layer.

상기의 방법은 미세 구멍 입자를 포함하는 함유액을 제작하는 함유액 제작 공정을 갖는다. 미세 구멍 입자가 겔상 화합물의 분쇄물일 경우는, 분쇄물은 예를 들면 겔상 화합물을 분쇄해서 얻어진다. 겔상 화합물의 분쇄에 의해, 상기된 바와 같이, 겔상 화합물의 삼차원 구조가 파괴되어 삼차원 기본 구조로 분산된다. 분쇄물의 조제의 일례는 이하 대로이다.The above method has a containing liquid production process for producing an containing liquid containing microporous particles. When the microporous particles are a pulverized product of a gel-like compound, the pulverized product is obtained, for example, by pulverizing the gel-like compound. By pulverizing the gel-like compound, the three-dimensional structure of the gel-like compound is broken and dispersed into a three-dimensional basic structure, as described above. An example of preparation of pulverized material is as follows.

모노머 화합물의 겔화는 예를 들면, 모노머 화합물을 서로 수소 결합시킴으로써 또는 분자간력 결합시킴으로써 행할 수 있다. 모노머 화합물로서는, 예를 들면, 상기 식(1)으로 나타내어지는 규소 화합물을 예로 들 수 있다. 식(1)의 규소 화합물은 수산기를 갖기 때문에, 식(1)의 모노머 사이는 예를 들면, 각각의 수산기를 개재해서 수소 결합 또는 분자간력 결합이 가능하다.Gelation of the monomer compound can be performed, for example, by hydrogen bonding the monomer compounds to each other or by bonding them through intermolecular force. Examples of the monomer compound include a silicon compound represented by the formula (1). Since the silicon compound of formula (1) has a hydroxyl group, for example, hydrogen bonding or intermolecular force bonding between monomers of formula (1) is possible through each hydroxyl group.

또는, 규소 화합물은 상기 규소 화합물 전구체의 가수 분해물이어도 좋고, 예를 들면, 상기 식(2)으로 나타내어지는 규소 화합물 전구체를 가수 분해해서 생성해도 좋다.Alternatively, the silicon compound may be a hydrolyzate of the silicon compound precursor, and may be produced, for example, by hydrolyzing the silicon compound precursor represented by the formula (2).

모노머 화합물 전구체의 가수 분해의 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 촉매 존재 하에서의 화학 반응에 의해 행할 수 있다. 촉매로서는, 예를 들면, 옥살산, 아세트산 등의 산 등을 예로 들 수 있다. 가수 분해 반응은 예를 들면, 옥살산의 수용액을 규소 화합물과 디메틸술폭시드의 혼합액(예를 들면 현탁액)에, 실온 환경하에서 천천히 적하 혼합시킨 후에, 그대로 30분 정도 교반함으로써 행할 수 있다. 규소 화합물 전구체를 가수 분해할 때는, 예를 들면, 규소 화합물 전구체의 알콕시기를 완전히 가수 분해함으로써, 그 후의 겔화·숙성·공극 구조 형성 후의 가열·고정화를 추가로 효율적으로 행할 수 있다.The method of hydrolyzing the monomer compound precursor is not particularly limited, and can be performed, for example, through a chemical reaction in the presence of a catalyst. Examples of the catalyst include acids such as oxalic acid and acetic acid. The hydrolysis reaction can be performed, for example, by slowly mixing an aqueous solution of oxalic acid dropwise into a mixture of a silicon compound and dimethyl sulfoxide (for example, a suspension) in a room temperature environment, and then stirring the mixture as is for about 30 minutes. When hydrolyzing the silicon compound precursor, for example, by completely hydrolyzing the alkoxy group of the silicon compound precursor, subsequent gelation, maturation, heating and fixation after forming the void structure can be further efficiently performed.

모노머 화합물의 겔화는 예를 들면, 모노머 간의 탈수 축합 반응에 의해 행할 수 있다. 탈수 축합 반응은 예를 들면, 촉매 존재하에서 행하는 것이 바람직하고, 촉매로서는, 예를 들면, 염산, 옥살산, 황산 등의 산 촉매, 및 암모니아, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨, 수산화 암모늄 등의 염기 촉매 등의, 탈수 축합 촉매를 예로 들 수 있다. 탈수 축합 촉매로서는, 염기 촉매가 바람직하다. 탈수 축합 반응에 있어서, 모노머 화합물에 대한 촉매의 첨가량은 특별히 제한되지 않는다. 촉매는 예를 들면, 모노머 화합물 1몰에 대해서, 바람직하게는 0.1몰∼10몰, 보다 바람직하게는 0.05몰∼7몰, 더욱 바람직하게는 0.1몰∼5몰 첨가될 수 있다.Gelation of the monomer compound can be performed, for example, by a dehydration condensation reaction between monomers. The dehydration condensation reaction is preferably performed in the presence of a catalyst, and examples of the catalyst include acid catalysts such as hydrochloric acid, oxalic acid, and sulfuric acid, and base catalysts such as ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, and ammonium hydroxide. , dehydration condensation catalysts are examples. As a dehydration condensation catalyst, a base catalyst is preferable. In the dehydration condensation reaction, the amount of catalyst added to the monomer compound is not particularly limited. For example, the catalyst may be added in an amount of preferably 0.1 mol to 10 mol, more preferably 0.05 mol to 7 mol, and even more preferably 0.1 mol to 5 mol, based on 1 mol of the monomer compound.

모노머 화합물의 겔화는 예를 들면, 용매 중에서 행하는 것이 바람직하다. 용매에 대한 모노머 화합물의 비율은 특별히 제한되지 않는다. 용매로서는, 예를 들면, 디메틸 술폭시드(DMSO), N-메틸 피롤리돈(NMP), N, N-디메틸 아세트아미드(DMAc), 디메틸 포름아미드(DMF), γ-부틸 락톤(GBL), 아세토니트릴(MeCN), 에틸렌글리콜 에틸에테르(EGEE) 등을 예로 들 수 있다. 용매는 단독으로 사용해도 좋고 2종류 이상을 병용해도 좋다. 겔화에 사용하는 용매를 이하, 「겔화용 용매」라고도 한다.Gelation of the monomer compound is preferably performed in a solvent, for example. The ratio of monomer compound to solvent is not particularly limited. Solvents include, for example, dimethyl sulfoxide (DMSO), N-methyl pyrrolidone (NMP), N,N-dimethyl acetamide (DMAc), dimethyl formamide (DMF), γ-butyl lactone (GBL), Examples include acetonitrile (MeCN) and ethylene glycol ethyl ether (EGEE). Solvents may be used individually or two or more types may be used in combination. The solvent used for gelation is hereinafter also referred to as “solvent for gelation.”

겔화의 조건은 특별히 제한되지 않는다. 모노머 화합물을 포함하는 용매에 대한 처리 온도는 예를 들면 20℃∼30℃이며, 바람직하게는 22℃∼28℃이며, 보다 바람직하게는 24℃∼26℃이다. 처리 시간은 예를 들면 1분∼60분이며, 바람직하게는 5분∼40분이며, 보다 바람직하게는 10분∼30분이다. 탈수 축합 반응을 행할 경우, 그 처리 조건은 특별히 제한되지 않고, 이것들의 예시를 원용할 수 있다. 겔화를 행함으로써, 예를 들면, 실록산 결합이 성장하고, 실리카 일차 입자가 형성되고, 추가로 반응이 진행됨으로써, 일차 입자끼리가 염주 형상으로 연결되어 삼차원 구조의 겔이 생성된다.The conditions for gelation are not particularly limited. The treatment temperature for the solvent containing the monomer compound is, for example, 20°C to 30°C, preferably 22°C to 28°C, and more preferably 24°C to 26°C. The treatment time is, for example, 1 minute to 60 minutes, preferably 5 minutes to 40 minutes, and more preferably 10 minutes to 30 minutes. When performing a dehydration condensation reaction, the processing conditions are not particularly limited, and these examples can be used. By performing gelation, for example, siloxane bonds grow, silica primary particles are formed, and as the reaction further progresses, the primary particles are connected to each other in the shape of beads, creating a gel with a three-dimensional structure.

겔화에 의해 얻어지는 겔상 화합물은 겔화 반응 후, 숙성 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 숙성 처리에 의해, 예를 들면, 겔화로 얻어진 삼차원 구조를 갖는 겔의 일차 입자를 추가로 성장시켜, 입자 자체의 사이즈를 크게 하는 것이 가능하고, 결과적으로는, 입자끼리가 접촉하고 있는 네크 부분의 접촉 상태를 점 접촉으로부터 면접촉으로 할(접촉 면적을 늘릴) 수 있다. 숙성 처리를 행한 겔은 예를 들면, 겔 자체의 강도가 증가하고, 결과적으로는, 분쇄를 행한 후의 삼차원 기본 구조의 강도를 향상시킬 수 있다. 이것에 의해, 예를 들면, 분쇄물을 도포한 후의 건조 공정에 있어서, 삼차원 기본 구조가 퇴적된 공극 구조의 가는 구멍 사이즈가 건조 과정의 용매 휘발에 따라 수축하는 것을 억제할 수 있다.The gel-like compound obtained by gelation is preferably subjected to aging treatment after the gelation reaction. By aging treatment, for example, it is possible to further grow the primary particles of the gel having a three-dimensional structure obtained by gelation, thereby increasing the size of the particles themselves, and as a result, the size of the neck portion where the particles are in contact with each other is increased. The contact state can be changed from point contact to surface contact (increasing the contact area). For a gel that has been subjected to aging treatment, for example, the strength of the gel itself increases, and as a result, the strength of the three-dimensional basic structure after pulverization can be improved. As a result, for example, in the drying process after applying the pulverized material, it is possible to suppress shrinkage of the pore size of the pore structure in which the three-dimensional basic structure is deposited due to solvent volatilization during the drying process.

숙성 처리는 예를 들면, 소정의 온도에서 소정의 시간, 겔상 화합물을 인큐베이트함으로써 행할 수 있다. 숙성 온도는 예를 들면 30℃ 이상이며, 바람직하게는 35℃ 이상이며, 보다 바람직하게는 40℃ 이상이다. 한편, 숙성 온도는 예를 들면 80℃ 이하이며, 바람직하게는 75℃ 이하이며, 보다 바람직하게는 70℃ 이하이다. 숙성 온도의 범위는 예를 들면 30℃∼80℃이며, 바람직하게는 35℃∼75℃이며, 보다 바람직하게는 40℃∼70℃이다. 숙성 시간은 예를 들면 5시간 이상이며, 바람직하게는 10시간 이상이며, 보다 바람직하게는 15시간 이상이다. 한편, 숙성 시간은 예를 들면 50시간 이하이며, 바람직하게는 40시간 이하이며, 보다 바람직하게는 30시간 이하이다. 숙성 시간의 범위는 예를 들면 5시간∼50시간이며, 바람직하게는 10시간∼40시간이며, 보다 바람직하게는 15시간∼30시간이다. 또한, 숙성 조건에 대해서는, 예를 들면, 실리카 일차 입자 사이즈의 증대, 및 네크 부분의 접촉 면적의 증대를 얻을 수 있도록 최적화될 수 있다. 추가로는, 사용하고 있는 용매의 비점을 고려하는 것이 바람직하고, 예를 들면, 숙성 온도가 지나치게 높으면, 용매가 과잉하게 휘발해 버려, 도포액(겔액) 농도의 농축에 의해 삼차원 공극 구조의 가는 구멍이 폐구되는 등의 문제가 생길 가능성이 있다. 한편, 예를 들면, 숙성 온도가 지나치게 낮을 경우는, 숙성에 의한 효과를 충분히 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 양산 프로세스의 경시(經時)에서의 온도 불균일이 증대하게 되어, 특성이 뒤쳐지는 저굴절률층이 생길 가능성이 있다.The aging treatment can be performed, for example, by incubating the gel-like compound at a predetermined temperature for a predetermined time. The ripening temperature is, for example, 30°C or higher, preferably 35°C or higher, and more preferably 40°C or higher. On the other hand, the aging temperature is, for example, 80°C or lower, preferably 75°C or lower, and more preferably 70°C or lower. The range of aging temperature is, for example, 30°C to 80°C, preferably 35°C to 75°C, and more preferably 40°C to 70°C. The aging time is, for example, 5 hours or more, preferably 10 hours or more, and more preferably 15 hours or more. On the other hand, the aging time is, for example, 50 hours or less, preferably 40 hours or less, and more preferably 30 hours or less. The range of aging time is, for example, 5 hours to 50 hours, preferably 10 hours to 40 hours, and more preferably 15 hours to 30 hours. Additionally, aging conditions can be optimized to obtain, for example, an increase in the size of the silica primary particles and an increase in the contact area of the neck portion. Additionally, it is desirable to consider the boiling point of the solvent being used. For example, if the maturation temperature is too high, the solvent will volatilize excessively and the three-dimensional pore structure may be reduced by concentrating the concentration of the coating liquid (gel liquid). There is a possibility that problems such as holes being blocked may occur. On the other hand, for example, if the maturation temperature is too low, not only cannot the sufficient effect of maturation be obtained, but also temperature unevenness increases over time in the mass production process, resulting in a low refractive index layer whose characteristics are inferior. There is a possibility that this may occur.

숙성 처리는 예를 들면 겔화 처리와 같은 용매를 사용할 수 있다. 구체적으로는 겔 처리 후의 반응물(즉, 겔상 화합물을 포함하는 용매)에 대해서, 그대로 숙성 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 겔화 후의 숙성 처리를 마친 겔(겔상 화합물, 예를 들면, 겔상 규소 화합물)에 포함되는 잔류 실라놀기의 몰수는 예를 들면 50% 이하이며, 바람직하게는 40% 이하이며, 보다 바람직하게는 30% 이하이다. 한편, 잔류 실라놀기의 몰수는 예를 들면 1% 이상이며, 바람직하게는 3% 이상이며, 보다 바람직하게는 5% 이상이다. 잔류 실라놀기의 몰수의 범위는 예를 들면 1%∼50%이며, 바람직하게는 3%∼40%이며, 보다 바람직하게는 5%∼30%이다. 겔의 경도를 높일 목적에서는, 예를 들면, 잔류 실라놀기의 몰수가 낮을수록 바람직하다. 실라놀기의 몰수가 지나치게 높으면, 예를 들면, 실리콘 다공체의 전구체가 가교될 때까지, 공극 구조를 유지할 수 없게 될 가능성이 있다. 한편, 실라놀기의 몰수가 지나치게 낮으면, 예를 들면, 미세 구멍 입자 함유액(예를 들면 현탁액)을 제작하는 공정 및/또는 그 후의 공정에 있어서, 겔상 화합물의 분쇄물을 가교할 수 없게 되어, 충분한 막 강도를 부여할 수 없게 될 가능성이 있다. 또한, 잔류 실라놀기의 몰수는 예를 들면, 원재료(예를 들면, 모노머 화합물 전구체)의 알콕시기의 몰수를 100으로 했을 경우의 잔류 실라놀기의 비율이다. 또한, 상기는 실라놀기의 예이지만, 예를 들면, 모노머의 규소 화합물을 각종 반응성 관능기로 수식했을 경우는, 각각의 관능기에 대해서도 같은 사항 및 조건 등이 적용될 수 있다.The aging treatment can, for example, use a solvent such as a gelation treatment. Specifically, it is preferable to perform aging treatment on the reactant (i.e., solvent containing the gel-like compound) after the gel treatment as is. The number of moles of residual silanol groups contained in the gel (gel-like compound, for example, gel-like silicon compound) that has completed the aging treatment after gelation is, for example, 50% or less, preferably 40% or less, and more preferably 30%. It is as follows. On the other hand, the molar number of residual silanol groups is, for example, 1% or more, preferably 3% or more, and more preferably 5% or more. The range of the molar number of residual silanol groups is, for example, 1% to 50%, preferably 3% to 40%, and more preferably 5% to 30%. For the purpose of increasing the hardness of the gel, for example, the lower the molar number of residual silanol groups, the more preferable. If the molar number of silanol groups is too high, for example, there is a possibility that the void structure cannot be maintained until the precursor of the silicon porous body is crosslinked. On the other hand, if the mole number of silanol groups is too low, for example, in the process of producing a liquid containing microporous particles (for example, a suspension) and/or in the subsequent processes, it becomes impossible to crosslink the ground product of the gel-like compound. , there is a possibility that sufficient membrane strength may not be provided. In addition, the number of moles of residual silanol groups is, for example, the ratio of residual silanol groups when the number of moles of alkoxy groups in the raw material (for example, monomer compound precursor) is set to 100. In addition, although the above is an example of a silanol group, for example, when the monomer silicon compound is modified with various reactive functional groups, the same matters and conditions can be applied to each functional group.

모노머 화합물을 겔화용 용매 중에서 겔화한 후, 얻어진 겔상 화합물을 분쇄한다. 분쇄는 예를 들면, 겔화용 용매 중의 겔상 화합물에 대해서, 그대로 분쇄 처리를 실시해도 좋고, 겔화용 용매를 다른 용매로 치환하고 나서, 상기 다른 용매 중의 겔상 화합물에 대해서, 분쇄 처리를 실시해도 좋다. 또한 예를 들면, 겔화 반응에 사용한 촉매 및 사용한 용매가 숙성 공정 후에도 잔존함으로써, 액의 경시 겔화(포트 라이프), 건조 공정 시의 건조 효율 저하를 발생시킬 경우는, 다른 용매로 치환하는 것이 바람직하다. 상기 외의 용매를 이하, 「분쇄용 용매」라고도 한다.After the monomer compound is gelled in a gelling solvent, the obtained gel-like compound is pulverized. For example, the gelatinous compound in the gelation solvent may be pulverized as is, or the gelatinization solvent may be replaced with another solvent, and then the gelatinous compound in the other solvent may be pulverized. Additionally, for example, if the catalyst used in the gelation reaction and the solvent used remain even after the aging process, causing gelation of the liquid over time (pot life) and a decrease in drying efficiency during the drying process, it is preferable to replace it with another solvent. . Solvents other than the above are hereinafter also referred to as “solvents for grinding.”

분쇄용 용매는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 유기 용매를 사용할 수 있다. 유기 용매로서는, 비점이 예를 들면 130℃ 이하, 바람직하게는 100℃ 이하, 보다 바람직하게는 85℃ 이하인 용매를 예로 들 수 있다. 구체예로서는, 이소프로필알콜(IPA), 에탄올, 메탄올, 부탄올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 메틸 셀로솔브, 아세톤, 디메틸포름아미드(DMF), 이소부틸 알콜 등을 예로 들 수 있다. 분쇄용 용매는 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.The solvent for grinding is not particularly limited, and for example, an organic solvent can be used. Examples of the organic solvent include solvents with a boiling point of, for example, 130°C or lower, preferably 100°C or lower, and more preferably 85°C or lower. Specific examples include isopropyl alcohol (IPA), ethanol, methanol, butanol, propylene glycol monomethyl ether (PGME), methyl cellosolve, acetone, dimethylformamide (DMF), and isobutyl alcohol. The solvent for grinding may be used individually, or two or more types may be used in combination.

겔화용 용매와 분쇄용 용매의 조합은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, DMSO와 IPA, DMSO와 에탄올, DMSO와 메탄올, DMSO와 부탄올, DMSO와 이소부틸 알콜의 조합 등을 예로 들 수 있다. 이렇게, 겔화용 용매를 파쇄용 용매로 치환함으로써, 예를 들면, 후술하는 도막 형성에 있어서, 보다 균일한 도포막을 형성할 수 있다.The combination of the solvent for gelation and the solvent for grinding is not particularly limited, and examples include combinations of DMSO and IPA, DMSO and ethanol, DMSO and methanol, DMSO and butanol, and DMSO and isobutyl alcohol. In this way, by substituting the solvent for gelation with the solvent for crushing, a more uniform coating film can be formed, for example, in the coating film formation described later.

겔상 화합물의 분쇄 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 초음파 호모지나이저, 고속 회전 호모지나이저, 그 밖의 캐비테이션 현상을 사용하는 분쇄 장치에 의해 행할 수 있다. 볼 밀 등의 미디어 분쇄를 행하는 장치는 예를 들면, 분쇄 시에 겔의 공극 구조를 물리적으로 파괴하는 것에 비해, 호모지나이저 등의 캐비테이션 방식 분쇄 장치는, 예를 들면, 미디어리스 방식이기 때문에, 겔 삼차원 구조에 이미 내포되어 있는 비교적 약한 결합의 실리카 입자 접합면을 고속의 전단력으로 박리한다. 이것에 의해, 얻어지는 겔 삼차원 구조는 예를 들면, 일정 범위의 입도 분포를 갖는 공극 구조를 유지할 수 있고, 도포·건조 시의 퇴적에 의한 공극 구조를 재형성할 수 있다. 분쇄의 조건은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 순간적으로 고속의 흐름을 부여함으로써, 용매를 휘발시키지 않고 겔을 분쇄할 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기된 바와 같은 입도 불균일(예를 들면, 체적평균 입자 지름 또는 입도 분포)의 분쇄물이 되도록 분쇄하는 것이 바람직하다. 만일 분쇄 시간·강도 등의 작업량이 부족했을 경우는, 예를 들면, 큰 입자가 남게 되어 치밀한 가는 구멍을 형성할 수 없을 뿐만 아니라 외관 결점도 증가해 높은 품질을 얻을 수 없을 가능성이 있다. 한편, 작업량이 과다할 경우는, 예를 들면, 소망의 입도 분포보다 미세한 입자가 되어, 도포·건조 후에 퇴적된 공극 사이즈가 미세해져, 소망의 공극률을 얻을 수 없을 가능성이 있다.The method of pulverizing the gel-like compound is not particularly limited and can be performed, for example, by an ultrasonic homogenizer, a high-speed rotation homogenizer, or other pulverizing devices that use the cavitation phenomenon. Devices that perform media pulverization, such as ball mills, physically destroy the pore structure of the gel during pulverization, whereas cavitation-type pulverizers, such as homogenizers, are medialess, for example. The bonding surface of the relatively weakly bonded silica particles already contained in the gel three-dimensional structure is peeled off with high-speed shear force. As a result, the resulting gel three-dimensional structure can, for example, maintain a void structure with a particle size distribution in a certain range, and the void structure can be reformed by deposition during application and drying. The conditions for pulverization are not particularly limited, and it is preferable that the gel can be pulverized without volatilizing the solvent, for example, by instantaneously applying a high-speed flow. For example, it is desirable to pulverize to obtain a pulverized product with non-uniform particle size (e.g., volume average particle diameter or particle size distribution) as described above. If the amount of work, such as grinding time and intensity, is insufficient, for example, not only will large particles remain and it will not be possible to form dense pores, but appearance defects will also increase and high quality may not be obtained. On the other hand, if the amount of work is excessive, for example, the particles may become finer than the desired particle size distribution, and the pore size deposited after application and drying may become fine, so that the desired porosity may not be obtained.

이상과 같이 해서, 미세 구멍 입자(겔상 화합물의 분쇄물)를 포함하는 액(예를 들면 현탁액)을 제작할 수 있다. 또한, 미세 구멍 입자를 포함하는 액을 제작한 후에, 또는 제작 공정 중에, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매를 더함으로써, 미세 구멍 입자 및 촉매를 포함하는 함유액을 제작할 수 있다. 촉매는 예를 들면, 미세 구멍 입자끼리의 가교 결합을 촉진하는 촉매여도 좋다. 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 화학 반응으로서는, 실리카 졸 분자에 포함되는 잔류 실라놀기의 탈수 축합 반응을 이용하는 것이 바람직하다. 실라놀기의 수산기끼리의 반응을 촉매로 촉진함으로써, 단시간에 공극 구조를 경화시키는 연속 성막이 가능하다. 촉매로서는, 예를 들면, 광 활성 촉매 및 열활성 촉매를 예로 들 수 있다. 광 활성 촉매에 의하면, 예를 들면, 전구체 형성 공정에 있어서, 가열에 의하지 않고 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합(예를 들면 가교 결합)시킬 수 있다. 이것에 의하면, 예를 들면, 전구체 형성 공정에 있어서, 전구체 전체의 수축이 일어나기 어렵기 때문에, 보다 높은 공극률을 유지할 수 있다. 또한, 촉매에 더해, 또는 이것에 대신해, 촉매를 발생하는 물질(촉매 발생제)을 사용해도 좋다. 예를 들면, 광 활성 촉매에 더해, 또는 이것에 대신해, 광에 의해 촉매를 발생하는 물질(광 촉매 발생제)을 사용해도 좋고, 열활성 촉매에 더해, 또는 이것에 대신해, 열에 의해 촉매를 발생하는 물질(열촉매 발생제)을 사용해도 좋다. 광 촉매 발생제로서는, 예를 들면, 광 염기 발생제(광 조사에 의해 염기성 촉매를 발생하는 물질), 광 산 발생제(광 조사에 의해 산성 촉매를 발생하는 물질) 등을 예로 들 수 있고, 광 염기 발생제가 바람직하다. 광 염기 발생제로서는, 예를 들면, 9-안트릴메틸 N, N-디에틸 카바메이트(9-anthrylmethyl N, N-diethylcarbamate, 상품명 WPBG-018), (E)-1-[3-(2-히드록시페닐)-2-프로페노일] 피페리딘 ((E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl] piperidine, 상품명 WPBG-027), 1- (안트라퀴논-2-일)에틸이미다졸카르복실레이트(1-(anthraquinon-2-yl)ethylimidazolecarboxylate, 상품명 WPBG-140), 2-니트로페닐 메틸4-메타크릴로일옥시 피페리딘-1-카르복실레이트(상품명 WPBG-165), 1, 2-디이소프로필-3-〔비스(디메틸아미노)메틸렌〕구아니디늄 2-(3-벤조일페닐) 프로피오네이트(상품명 WPBG-266), 1,2-디시클로헥실-4, 4, 5, 5-테트라메틸 비구아니디늄 n-부틸트리페닐보라트(상품명 WPBG-300), 및 2-(9-옥소 크산텐-2-일)프로피온산 1, 5, 7-트리아자 비시클로[4.4.0]데카-5-엔(도쿄 가세이고교 가부시키가이샤), 4-피페리딘 메탄올을 포함하는 화합물(상품명 HDPD-PB100: 헤레우스사제) 등을 예로 들 수 있다. 또한, 상기 「WPBG」를 포함하는 상품명은 모두 와코 준야쿠 가부시키가이샤의 상품명이다. 광 산 발생제로서는, 예를 들면, 방향족 술포늄염(상품명 SP-170: ADEKA사), 트리아릴 술포늄염(상품명 CPI101A: 산아프로사), 방향족 요오드늄염(상품명 Irgacure250: 치바·재팬사) 등을 예로 들 수 있다. 또한, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매는 광 활성 촉매 및 광 촉매 발생제에 한정되지 않고, 예를 들면, 열활성 촉매 또는 요소와 같은 열촉매 발생제라도 좋다. 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매는 예를 들면, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨, 수산화 암모늄 등의 염기 촉매, 염산, 아세트산, 옥살산 등의 산 촉매 등을 예로 들 수 있다. 이것들 중에서, 염기 촉매가 바람직하다. 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매 혹은 촉매 발생제는 예를 들면, 분쇄물(미세 구멍 입자)을 포함하는 졸 입자액(예를 들면 현탁액)에, 도포 직전에 첨가해서 사용하는, 또는 촉매 혹은 촉매 발생제를 용매에 혼합한 혼합액으로서 사용할 수 있다. 혼합액은 예를 들면, 졸 입자액에 직접 첨가해서 용해한 도포액, 촉매 혹은 촉매 발생제를 용매에 용해한 용액, 또는, 촉매 혹은 촉매 발생제를 용매에 분산시킨 분산액이어도 좋다. 용매는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 물, 완충액 등을 예로 들 수 있다.In the above manner, a liquid (for example, a suspension) containing fine porous particles (pulverized gel-like compound) can be produced. Additionally, a liquid containing microporous particles and a catalyst can be produced by adding a catalyst that chemically bonds the microporous particles to each other after producing the liquid containing the microporous particles or during the production process. The catalyst may be, for example, a catalyst that promotes crosslinking between microporous particles. As a chemical reaction for chemically bonding microporous particles to each other, it is preferable to use a dehydration condensation reaction of the residual silanol group contained in the silica sol molecule. By promoting the reaction between the hydroxyl groups of silanol groups with a catalyst, continuous film formation is possible to harden the void structure in a short time. Examples of catalysts include light-activated catalysts and heat-activated catalysts. According to the photoactive catalyst, for example, in the precursor formation process, microporous particles can be chemically bonded (for example, cross-linked) to each other without heating. According to this, for example, in the precursor formation process, shrinkage of the entire precursor is unlikely to occur, and thus a higher porosity can be maintained. Additionally, in addition to or instead of the catalyst, a substance that generates a catalyst (catalyst generator) may be used. For example, in addition to or instead of a photo-activated catalyst, a substance that generates a catalyst by light (photocatalyst generator) may be used, or in addition to or instead of a thermally-activated catalyst, a material that generates a catalyst by heat may be used. You may use a substance (thermal catalyst generator) that Examples of the photocatalyst generator include a photobase generator (a substance that generates a basic catalyst by light irradiation), a photoacid generator (a substance that generates an acidic catalyst by light irradiation), etc. Photobase generators are preferred. As a photobase generator, for example, 9-anthrylmethyl N, N-diethylcarbamate (brand name WPBG-018), (E)-1-[3-(2) -hydroxyphenyl)-2-propenoyl] piperidine ((E)-1-[3-(2-hydroxyphenyl)-2-propenoyl] piperidine, brand name WPBG-027), 1- (anthraquinone-2 -yl)ethylimidazolecarboxylate (1-(anthraquinon-2-yl)ethylimidazolecarboxylate, brand name WPBG-140), 2-nitrophenyl methyl4-methacryloyloxy piperidine-1-carboxylate ( Product name WPBG-165), 1, 2-diisopropyl-3-[bis(dimethylamino)methylene] guanidinium 2-(3-benzoylphenyl) propionate (Product name WPBG-266), 1,2-DC Chlohexyl-4, 4, 5, 5-tetramethyl biguanidinium n-butyltriphenylborat (trade name WPBG-300), and 2-(9-oxo-xanthen-2-yl)propionic acid 1, 5, 7 -Triaza bicyclo[4.4.0]deca-5-ene (Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.), a compound containing 4-piperidine methanol (product name HDPD-PB100: manufactured by Heraeus), etc. can be given as examples. . In addition, all product names including “WPBG” above are product names of Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Examples of photoacid generators include aromatic sulfonium salt (brand name SP-170: ADEKA), triaryl sulfonium salt (brand name CPI101A: San-Apro), and aromatic iodonium salt (brand name Irgacure250: Chiba Japan). An example can be given. In addition, the catalyst that chemically bonds microporous particles to each other is not limited to a photoactive catalyst and a photocatalyst generator, and may be, for example, a thermally active catalyst or a thermal catalyst generator such as urea. Catalysts that chemically bond microporous particles to each other include, for example, base catalysts such as potassium hydroxide, sodium hydroxide, and ammonium hydroxide, and acid catalysts such as hydrochloric acid, acetic acid, and oxalic acid. Among these, base catalysts are preferred. Catalysts or catalyst generators that chemically bond microporous particles to each other are, for example, used by adding to a sol particle solution (e.g., suspension) containing pulverized material (microporous particles) immediately before application, or as a catalyst. Alternatively, it can be used as a mixed solution in which a catalyst generator is mixed with a solvent. The mixed solution may be, for example, a coating solution obtained by directly adding and dissolving the sol particle solution, a solution in which a catalyst or catalyst generator is dissolved in a solvent, or a dispersion in which the catalyst or catalyst generator is dispersed in a solvent. The solvent is not particularly limited, and examples include water and buffer solutions.

또한, 예를 들면, 겔 함유액에는, 추가로, 상기 겔의 분쇄물끼리를 간접적으로 결합시키기 위한 가교 보조제를 첨가해도 좋다. 이 가교 보조제가 입자(상기 분쇄물)끼리의 사이에 들어가, 입자와 가교 보조제가 각각 상호 작용 혹은 결합함으로써, 거리적으로 다소 떨어진 입자끼리도 결합시키는 것이 가능해, 효율적으로 강도를 높이는 것이 가능해진다. 상기 가교 보조제로서는, 다가교 실란 모노머가 바람직하다. 상기 다가교 실란 모노머는 구체적으로는, 예를 들면, 2 이상 3 이하의 알콕시실릴 기를 갖고, 알콕시실릴기 사이의 사슬 길이가 탄소수 1 이상 10 이하여도 좋고, 탄소 이외의 원소도 포함해도 좋다. 상기 가교 보조제로서는, 예를 들면, 비스(트리메톡시실릴)에탄, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)프로판, 비스(트리메톡시실릴)프로판, 비스(트리에톡시실릴)부탄, 비스(트리메톡시실릴)부탄, 비스(트리에톡시실릴)펜탄, 비스(트리메톡시실릴)펜탄, 비스(트리에톡시실릴)헥산, 비스(트리메톡시실릴)헥산, 비스(트리메톡시실릴)-N-부틸-N-프로필-에탄-1, 2-디아민, 트리스-(3-트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 트리스-(3-트리에톡시실릴프로필)이소시아누레이트 등을 예로 들 수 있다. 이 가교 보조제의 첨가량으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기 규소 화합물의 분쇄물의 중량에 대해서 0.01∼20중량%, 0.05∼15중량%, 또는 0.1∼10중량%이다.Additionally, for example, a crosslinking aid for indirectly bonding the pulverized products of the gel to each other may be added to the gel-containing liquid. This cross-linking aid enters between the particles (the pulverized material), and the particles and the cross-linking aid each interact or combine, making it possible to bond even particles that are somewhat distant in distance, thereby efficiently increasing the strength. As the crosslinking aid, a polyvalent silane monomer is preferable. Specifically, the polyvalent silane monomer may have, for example, 2 to 3 alkoxysilyl groups, the chain length between alkoxysilyl groups may be 1 to 10 carbon atoms, and may also contain elements other than carbon. Examples of the crosslinking aid include bis(trimethoxysilyl)ethane, bis(triethoxysilyl)ethane, bis(trimethoxysilyl)methane, bis(triethoxysilyl)methane, and bis(triethoxy). Silyl)propane, bis(trimethoxysilyl)propane, bis(triethoxysilyl)butane, bis(trimethoxysilyl)butane, bis(triethoxysilyl)pentane, bis(trimethoxysilyl)pentane, bis. (triethoxysilyl)hexane, bis(trimethoxysilyl)hexane, bis(trimethoxysilyl)-N-butyl-N-propyl-ethane-1, 2-diamine, tris-(3-trimethoxysilyl) Examples include propyl)isocyanurate and tris-(3-triethoxysilylpropyl)isocyanurate. The amount of this crosslinking aid added is not particularly limited, but is, for example, 0.01 to 20% by weight, 0.05 to 15% by weight, or 0.1 to 10% by weight based on the weight of the ground product of the silicon compound.

다음으로, 밀봉부 상에 미세 구멍 입자를 포함하는 함유액(예를 들면 현탁액)을 도포한다(도포 공정). 도포는 예를 들면, 후술하는 각종 도포 방식을 사용할 수 있고, 또한, 이것들에 한정되지 않는다. 미세 구멍 입자(예를 들면 겔상 실리카 화합물의 분쇄물)를 포함하는 함유액을 밀봉부 상에 직접 도포함으로써, 미세 구멍 입자 및 촉매를 포함하는 도포막을 형성할 수 있다. 도포막은 예를 들면, 도포층이라고 할 수도 있다. 도포막을 형성함으로써, 예를 들면, 삼차원 구조가 파괴된 분쇄물이 침강·퇴적됨으로써, 새로운 삼차원 구조가 구축된다. 또한, 예를 들면, 미세 구멍 입자를 포함하는 함유액이 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매를 포함하지 않아도 좋다. 예를 들면, 후술하는 바와 같이, 도포막에, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매를 분사하고 나서, 또는 분사하면서 전구체 형성 공정을 행해도 좋다. 그러나, 미세 구멍 입자를 포함하는 함유액이 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시키는 촉매를 포함하고, 도포막 중에 포함되는 촉매의 작용에 의해, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시켜서 다공체의 전구체를 형성해도 좋다.Next, a containing liquid (for example, suspension) containing microporous particles is applied onto the sealed portion (application step). Application can be performed using, for example, various application methods described later, and is not limited to these. By directly applying a containing liquid containing microporous particles (for example, pulverized gel-like silica compound) onto the seal, a coating film containing microporous particles and a catalyst can be formed. For example, the coating film may be referred to as an application layer. By forming a coating film, for example, a new three-dimensional structure is constructed by settling and depositing pulverized material whose three-dimensional structure has been destroyed. Additionally, for example, the containing liquid containing microporous particles does not need to contain a catalyst that chemically bonds the microporous particles to each other. For example, as described later, the precursor formation step may be performed after or while spraying a catalyst that chemically bonds fine pore particles to the coating film. However, the containing liquid containing microporous particles contains a catalyst that chemically bonds the microporous particles to each other, and by the action of the catalyst contained in the coating film, the microporous particles are chemically bonded to each other to form a precursor of the porous body. It's also good.

상기 용매(이하, 「도포용 용매」라고도 한다)는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 유기 용매를 사용할 수 있다. 유기 용매로서는, 예를 들면, 비점 150℃ 이하의 용매를 예로 들 수 있다. 구체예로서는, 예를 들면, IPA, 에탄올, 메탄올, n-부탄올, 2-부탄올, 이소부틸 알콜, 펜타놀 등을 예로 들 수 있고, 또한, 분쇄용 용매와 같은 것을 사용할 수 있다. 저굴절률층의 형성 방법이 겔상 화합물을 분쇄하는 공정을 포함할 경우, 도포막의 형성 공정에 있어서는, 예를 들면, 겔상 화합물의 분쇄물을 포함하는 분쇄용 용매를 그대로 사용해도 좋다.The solvent (hereinafter also referred to as “coating solvent”) is not particularly limited, and for example, an organic solvent can be used. Examples of the organic solvent include solvents with a boiling point of 150°C or lower. Specific examples include IPA, ethanol, methanol, n-butanol, 2-butanol, isobutyl alcohol, pentanol, etc. Additionally, a solvent such as a grinding solvent can be used. When the method of forming the low refractive index layer includes a step of pulverizing the gel-like compound, in the coating film forming step, for example, a pulverizing solvent containing the pulverized product of the gel-like compound may be used as is.

도포 공정에 있어서는, 예를 들면, 용매에 분산시킨 졸상의 분쇄물(이하, 「졸 입자액」이라고도 한다)을 밀봉부 상에 도포하는 것이 바람직하다. 졸 입자액은 예를 들면, 밀봉부 상에 도포·건조한 후에, 상기 화학 가교를 행함으로써, 일정 레벨 이상의 막 강도를 갖는 공극층을 연속 성막하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 실시형태에 있어서의 「졸」이란, 겔의 삼차원 구조를 분쇄함으로써, 공극 구조의 일부를 유지한 나노 삼차원 구조의 실리카 졸 입자가 용매 중에 분산되어서 유동성을 나타내는 상태를 말한다.In the application step, for example, it is preferable to apply a pulverized sol dispersed in a solvent (hereinafter also referred to as “sol particle liquid”) onto the sealed portion. The sol particle liquid can be continuously formed into a film having a film strength of a certain level or higher by, for example, applying and drying the sol particle liquid onto the seal and then performing the chemical crosslinking. In addition, “sol” in the embodiment of the present invention refers to a state in which silica sol particles with a nano three-dimensional structure maintaining a part of the void structure are dispersed in a solvent and exhibit fluidity by pulverizing the three-dimensional structure of the gel.

도포용 용매에 있어서의 분쇄물의 농도는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 0.3%(v/v)∼50%(v/v)이며, 바람직하게는 0.5%(v/v)∼30%(v/v)이며, 보다 바람직하게는 1.0%(v/v)∼10%(v/v)이다. 분쇄물의 농도가 지나치게 높으면, 예를 들면, 졸 입자액의 유동성이 현저하게 저하되고, 도포 시의 응집물·도포 불균일을 발생시킬 가능성이 있다. 분쇄물의 농도가 지나치게 낮으면, 예를 들면, 졸 입자액의 용매의 건조에 상당한 시간이 걸릴 뿐만 아니라, 건조 직후의 잔류 용매도 높아지기 때문에, 공극률이 저하되어 버릴 가능성이 있다.The concentration of the pulverized material in the application solvent is not particularly limited, and is, for example, 0.3% (v/v) to 50% (v/v), preferably 0.5% (v/v) to 30% (v). /v), and more preferably 1.0% (v/v) to 10% (v/v). If the concentration of the pulverized material is too high, for example, the fluidity of the sol particle liquid is significantly reduced, and there is a possibility of generating aggregates and uneven application during application. If the concentration of the pulverized material is too low, for example, not only does it take a considerable amount of time to dry the solvent in the sol particle liquid, but the residual solvent immediately after drying also increases, so the porosity may decrease.

졸의 물성은 특별히 제한되지 않는다. 졸의 전단 점도는 10001/s의 전단 속도에 있어서, 예를 들면 100cPa·s 이하이며, 바람직하게는 10cPa·s 이하이며, 보다 바람직하게는 1cPa·s 이하이다. 전단 점도가 지나치게 높으면, 예를 들면, 도포 불균일이 발생하고, 그라비어 도포의 전사율의 저하 등의 문제가 보일 가능성이 있다. 반대로, 전단 점도가 지나치게 낮을 경우는, 예를 들면, 도포 시의 웨트 도포 두께를 두껍게 할 수 없어, 건조 후에 소망의 두께를 얻을 수 없을 가능성이 있다.The physical properties of the sol are not particularly limited. The shear viscosity of the sol is, for example, 100 cPa·s or less at a shear rate of 10001/s, preferably 10 cPa·s or less, and more preferably 1 cPa·s or less. If the shear viscosity is too high, for example, uneven application may occur and problems such as a decrease in the transfer rate of gravure application may occur. Conversely, if the shear viscosity is too low, for example, the wet application thickness cannot be increased during application, and there is a possibility that the desired thickness cannot be obtained after drying.

분쇄물의 도포량은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 소망의 실리콘 다공체(결과로서, 저굴절률층)의 두께 등에 따라서 적절히 설정할 수 있다. 구체예로서, 두께 0.1㎛∼1000㎛의 실리콘 다공체를 형성할 경우, 분쇄물의 도포량은 도포면의 면적 1m2당, 예를 들면 0.01μg∼60000μg이며, 바람직하게는 0.1μg∼5000μg이며, 보다 바람직하게는 1μg∼50μg이다. 졸 입자액의 바람직한 도포량은 예를 들면, 액의 농도나 도포 방식 등과 관계되기 때문에, 일의적으로 정의하는 것은 어렵지만, 생산성을 고려하면, 될 수 있는 한 박층으로 도포하는 것이 바람직하다. 도포량이 지나치게 많으면, 예를 들면, 용매가 휘발하기 전에 건조로로 건조될 가능성이 높아진다. 이것에 의해, 용매 중에서 나노 분쇄 졸 입자가 침강·퇴적되고, 공극 구조를 형성하기 전에, 용매가 건조됨으로써, 공극의 형성이 저해되어서 공극률이 크게 저하될 가능성이 있다. 한편, 도포량이 지나치게 얇으면, 도포 크레이터링이 발생할 리스크가 높아질 가능성이 있다.The application amount of the pulverized material is not particularly limited and can be appropriately set depending on, for example, the desired thickness of the silicon porous body (resulting in a low refractive index layer). As a specific example, when forming a silicon porous body with a thickness of 0.1 μm to 1000 μm, the application amount of the pulverized material is, for example, 0.01 μg to 60000 μg, preferably 0.1 μg to 5000 μg, per 1 m 2 of the area of the coated surface, and more preferably 0.1 μg to 5000 μg. is 1 μg to 50 μg. It is difficult to define the preferred application amount of the sol particle liquid, for example, because it is related to the concentration of the liquid and the application method, but considering productivity, it is preferable to apply it in as thin a layer as possible. If the application amount is too large, for example, the possibility of drying in a drying furnace before the solvent volatilizes increases. As a result, nano-pulverized sol particles precipitate and deposit in the solvent, and the solvent dries before forming a void structure, which may inhibit the formation of voids and significantly reduce the porosity. On the other hand, if the application amount is too thin, the risk of application cratering may increase.

또한, 저굴절률층의 형성 방법은 예를 들면 상기된 바와 같이, 공극층(저굴절률층)의 전구체인 공극 구조를 형성하는 전구체 형성 공정을 갖는다. 전구체 형성 공정은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 미세 구멍 입자 함유액을 도포해서 제작된 도포막을 건조시키는 건조 공정에 의해, 전구체(공극 구조)를 형성해도 좋다. 건조 공정에 있어서의 건조 처리에 의해, 예를 들면, 상기 도포막 중의 용매(졸 입자액에 포함되는 용매)를 제거할 뿐만 아니라, 건조 처리 중에, 졸 입자를 침강·퇴적시켜, 공극 구조를 형성할 수 있다. 건조 처리의 온도는 예를 들면 50℃∼250℃이며, 바람직하게는 60℃∼150℃이며, 보다 바람직하게는 70℃∼130℃이다. 건조 처리의 시간은 예를 들면 0.1분∼30분이며, 바람직하게는 0.2분∼10분이며, 보다 바람직하게는 0.3분∼3분이다.Additionally, the method of forming a low refractive index layer has a precursor forming process for forming a void structure that is a precursor of a void layer (low refractive index layer), for example, as described above. The precursor formation process is not particularly limited, but for example, the precursor (pore structure) may be formed through a drying process of drying a coating film produced by applying a liquid containing microporous particles. By drying treatment in the drying process, for example, not only the solvent in the coating film (solvent contained in the sol particle liquid) is removed, but also the sol particles are precipitated and deposited during the drying treatment to form a void structure. can do. The temperature of the drying treatment is, for example, 50°C to 250°C, preferably 60°C to 150°C, and more preferably 70°C to 130°C. The drying treatment time is, for example, 0.1 to 30 minutes, preferably 0.2 to 10 minutes, and more preferably 0.3 to 3 minutes.

건조 처리는 예를 들면, 자연 건조여도 좋고, 가열 건조여도 좋고, 감압 건조여도 좋다. 그 중에서도, 공업적으로 연속 생산하는 것을 전제로 한 경우는, 가열 건조를 사용하는 것이 바람직하다. 가열 건조의 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 일반적인 가열 수단을 사용할 수 있다. 가열 수단으로서는, 예를 들면, 열풍기, 가열 롤, 원적외선 히터 등을 예로 들 수 있다. 또한, 사용되는 용매에 대해서는, 건조 시의 용매 휘발에 따르는 수축 응력의 발생, 그것에 의한 공극층(실리콘 다공체)의 크랙 현상을 억제할 목적으로, 표면 장력이 낮은 용매가 바람직하다. 용매로서는, 예를 들면, 이소프로필알콜(IPA)로 대표되는 저급 알콜, 헥산, 퍼플루오로 헥산 등을 예로 들 수 있다. 또한, 상기 IPA 등에 퍼플루오로계 계면 활성제 혹은 실리콘계 계면 활성제를 소량 첨가해 표면 장력을 저하시켜도 좋다.The drying treatment may be, for example, natural drying, heat drying, or reduced pressure drying. Among these, when industrial continuous production is assumed, it is preferable to use heat drying. The method of heat drying is not particularly limited, and for example, a general heating means can be used. Examples of the heating means include a heat gun, a heating roll, and a far-infrared heater. Additionally, regarding the solvent used, a solvent with low surface tension is preferred for the purpose of suppressing the generation of shrinkage stress due to solvent volatilization during drying and the resulting cracking phenomenon in the porous layer (silicon porous body). Examples of solvents include lower alcohols such as isopropyl alcohol (IPA), hexane, and perfluorohexane. Additionally, a small amount of perfluoro-based surfactant or silicone-based surfactant may be added to the IPA or the like to reduce the surface tension.

또한, 저굴절률층의 형성 방법은 상기된 바와 같이, 전구체 형성 공정 후에, 전구체 내부에서 가교 반응을 일으키게 하는 가교 반응 공정을 포함하고, 상기 가교 반응 공정에 있어서, 광 조사 또는 가열에 의해 염기성 물질을 발생시키고, 또한, 가교 반응 공정이 다단계이다. 가교 반응 공정의 1단계째에서는, 예를 들면, 미세 구멍 입자끼리를 촉매(염기성 물질)의 작용에 의해 화학적으로 결합시킨다. 이것에 의해, 예를 들면, 도포막(전구체)에 있어서의 분쇄물의 삼차원 구조가 고정화된다. 종래의 소결에 의한 고정화를 행할 경우는, 예를 들면, 200℃ 이상의 고온처리를 행함으로써, 실라놀기의 탈수 축합, 실록산 결합의 형성을 유발한다. 본 형성 방법에 있어서는, 상기의 탈수 축합 반응을 촉매하는 각종 첨가제를 반응시킴으로써, 예를 들면, 100℃ 전후의 비교적 낮은 건조 온도, 및 몇 분 미만의 짧은 처리 시간으로, 연속적으로 공극 구조를 형성, 고정화할 수 있다.In addition, as described above, the method of forming a low refractive index layer includes a crosslinking reaction process of causing a crosslinking reaction inside the precursor after the precursor formation process, and in the crosslinking reaction process, a basic material is formed by light irradiation or heating. Additionally, the crosslinking reaction process is multi-step. In the first step of the crosslinking reaction process, for example, microporous particles are chemically bonded to each other through the action of a catalyst (basic substance). By this, for example, the three-dimensional structure of the pulverized material in the coating film (precursor) is fixed. When performing immobilization by conventional sintering, for example, high temperature treatment of 200°C or higher causes dehydration condensation of silanol groups and formation of siloxane bonds. In this formation method, various additives that catalyze the above dehydration condensation reaction are reacted to continuously form a void structure, for example, at a relatively low drying temperature of around 100°C and with a short processing time of less than a few minutes. It can be fixed.

화학적으로 결합시키는 방법은 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 겔상 규소 화합물의 종류에 따라서, 적절히 결정할 수 있다. 구체예로서, 화학적인 결합은 예를 들면, 분쇄물끼리의 화학적인 가교 결합에 의해 행할 수 있고, 그 밖에도, 예를 들면, 산화 티타늄 등의 무기 입자 등을 분쇄물에 첨가했을 경우, 무기 입자와 분쇄물을 화학적으로 가교 결합시키는 것도 생각될 수 있다. 또한, 효소 등의 생체 촉매를 담지시킬 경우도, 촉매 활성점과는 다른 부위와 분쇄물을 화학 가교 결합시키는 경우도 있다. 따라서, 저굴절률층의 형성 방법은 예를 들면, 졸 입자끼리로 형성하는 공극층(실리콘 다공체)뿐만 아니라, 유기 무기 하이브리드 공극층, 호스트 게스트 공극층 등의 응용 전개가 생각될 수 있다.The method of chemically bonding is not particularly limited and can be appropriately determined, for example, depending on the type of gel silicon compound. As a specific example, chemical bonding can be performed, for example, by chemical cross-linking between the pulverized materials. In addition, for example, when inorganic particles such as titanium oxide are added to the pulverized materials, the inorganic particles It is also conceivable to chemically cross-link the pulverized material. Additionally, in cases where biocatalysts such as enzymes are supported, the pulverized material may be chemically cross-linked with a site different from the catalytic active site. Therefore, the method for forming the low refractive index layer can be considered to be applied not only to a porous layer (silicon porous body) formed by sol particles, but also to an organic-inorganic hybrid porous layer, a host-guest void layer, etc.

상기 촉매 존재하에서의 화학 반응은 저굴절률층의 형성 방법에 있어서의 어느 단계에서 행하는(일어나는)지는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 상기 다단계의 가교 반응 공정에 있어서의 적어도 하나의 단계에서 행한다. 예를 들면, 저굴절률층의 형성 방법에서는, 상기된 바와 같이, 건조 공정이 전구체 형성 공정을 겸하고 있어도 좋다. 또한 예를 들면, 건조 공정 후에, 다단계의 가교 반응 공정을 행하고, 그 적어도 하나의 단계에서, 미세 구멍 입자끼리를 촉매의 작용에 의해 화학적으로 결합시켜도 좋다. 예를 들면, 상기된 바와 같이 촉매가 광 활성 촉매일 경우에는, 가교 반응 공정에 있어서, 광 조사에 의해, 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시켜서 다공체의 전구체를 형성해도 좋다. 또한, 촉매가 열활성 촉매일 경우에는, 가교 반응 공정에 있어서, 가열에 의해 미세 구멍 입자끼리를 화학적으로 결합시켜서 다공체의 전구체를 형성해도 좋다.The chemical reaction in the presence of the catalyst is not particularly limited at which step in the method of forming the low refractive index layer, and is, for example, at least one step in the multi-step crosslinking reaction step. For example, in the method of forming a low refractive index layer, the drying process may also serve as the precursor forming process, as described above. Additionally, for example, after the drying process, a multi-step crosslinking reaction process may be performed, and in at least one step, the microporous particles may be chemically bonded to each other through the action of a catalyst. For example, when the catalyst is a light-activated catalyst as described above, in the crosslinking reaction step, the fine pore particles may be chemically bonded to each other by light irradiation to form a precursor of the porous body. Additionally, when the catalyst is a thermally active catalyst, in the crosslinking reaction step, the microporous particles may be chemically bonded to each other by heating to form a precursor of the porous body.

상기 화학 반응은 예를 들면, 사전에 졸 입자액(예를 들면 현탁액)에 첨가된 촉매를 포함하는 도포막에 대해서 광 조사 혹은 가열, 또는, 도포막에 촉매를 분사하고 나서 광 조사 혹은 가열, 또는, 촉매를 분사하면서 광 조사 혹은 가열함으로써, 행할 수 있다. 광 조사에 있어서의 적산 광량은 특별히 한정되지 않고, 파장 360nm 환산으로, 예를 들면 200mJ/cm2∼800mJ/cm2이며, 바람직하게는 250mJ/cm2∼600mJ/cm2이며, 보다 바람직하게는 300mJ/cm2∼400mJ/cm2이다. 조사량이 충분하지 않아 촉매의 광 흡수에 의한 분해가 진행되지 않고 효과가 불충분해지는 것을 방지하는 관점으로부터는, 200mJ/cm2 이상의 적산 광량이 바람직하다. 가열 처리의 조건은 특별히 제한되지 않는다. 가열 온도는 예를 들면 50℃∼250℃이며, 바람직하게는 60℃∼150℃이며, 보다 바람직하게는 70℃∼130℃이다. 가열 시간은 예를 들면 0.1분∼30분이며, 바람직하게는 0.2분∼10분이며, 보다 바람직하게는 0.3분∼3분이다. 또는, 상기된 바와 같이 도포된 졸 입자액(예를 들면 현탁액)을 건조하는 공정이 촉매 존재하에서의 화학 반응을 행하는 공정을 겸하고 있어도 좋다. 즉, 도포된 졸 입자액(예를 들면 현탁액)을 건조하는 공정에 있어서, 촉매 존재하에서의 화학 반응에 의해, 분쇄물(미세 구멍 입자)끼리를 화학적으로 결합시켜도 좋다. 이 경우, 건조 공정 후에 도포막을 추가로 가열함으로써, 분쇄물(미세 구멍 입자)끼리를 추가로 강고하게 결합시켜도 좋다. 또한, 촉매 존재하에서의 화학 반응은 미세 구멍 입자 함유액(예를 들면 현탁액)을 제작하는 공정, 및, 미세 구멍 입자 함유액을 도포하는 공정에 있어서도 일어날 경우가 있다고 추측된다. 그렇지만, 이 추측은 저굴절률층의 형성 방법을 한정하는 것은 아니다. 또한, 사용되는 용매에 대해서는, 예를 들면, 건조 시의 용매 휘발에 따른 수축 응력의 발생, 그것에 의한 공극층의 크랙 현상을 억제할 목적으로, 표면 장력이 낮은 용매가 바람직하다. 예를 들면, 이소프로필알콜(IPA)로 대표되는 저급 알콜, 헥산, 퍼플루오로 헥산 등을 예로 들 수 있다.The above chemical reaction can be performed, for example, by light irradiation or heating on a coating film containing a catalyst previously added to a sol particle solution (e.g., suspension), or by spraying a catalyst onto the coating film and then light irradiation or heating. Alternatively, it can be performed by irradiating light or heating while spraying the catalyst. The accumulated amount of light during light irradiation is not particularly limited, and is, for example, 200 mJ/cm 2 to 800 mJ/cm 2 in terms of wavelength 360 nm, preferably 250 mJ/cm 2 to 600 mJ/cm 2 , and more preferably 250 mJ/cm 2 to 600 mJ/cm 2 . It is 300mJ/cm 2 to 400mJ/cm 2 . From the viewpoint of preventing decomposition due to light absorption of the catalyst from proceeding due to insufficient irradiation amount and the effect becoming insufficient, an integrated light amount of 200 mJ/cm 2 or more is preferable. Conditions for heat treatment are not particularly limited. The heating temperature is, for example, 50°C to 250°C, preferably 60°C to 150°C, and more preferably 70°C to 130°C. The heating time is, for example, 0.1 to 30 minutes, preferably 0.2 to 10 minutes, and more preferably 0.3 to 3 minutes. Alternatively, the process of drying the applied sol particle liquid (for example, suspension) as described above may also serve as a process of carrying out a chemical reaction in the presence of a catalyst. That is, in the process of drying the applied sol particle liquid (for example, suspension), the pulverized products (microporous particles) may be chemically bonded to each other through a chemical reaction in the presence of a catalyst. In this case, the pulverized materials (microporous particles) may be further firmly bonded to each other by additionally heating the coating film after the drying process. In addition, it is assumed that chemical reactions in the presence of a catalyst may also occur in the process of producing a liquid containing microporous particles (for example, a suspension) and in the process of applying the liquid containing microporous particles. However, this guess does not limit the method of forming the low refractive index layer. Additionally, regarding the solvent used, for example, a solvent with low surface tension is preferable for the purpose of suppressing the occurrence of shrinkage stress due to solvent volatilization during drying and cracking of the void layer due to this. For example, lower alcohols such as isopropyl alcohol (IPA), hexane, perfluorohexane, etc. can be mentioned.

저굴절률층의 형성 방법에 있어서는, 가교 반응 공정이 다단계인 것에 의해, 예를 들면, 가교 반응 공정이 1단계인 경우보다, 공극층(저굴절률층)의 강도를 추가로 향상시킬 수 있다. 이하, 가교 반응 공정의 2단계째 이후의 공정을 「에이징 공정」이라고 할 경우가 있다. 에이징 공정에 있어서는, 예를 들면, 전구체를 가열함으로써, 전구체 내부에서 가교 반응을 추가로 촉진시켜도 좋다. 가교 반응 공정에 있어서 일어나는 현상 및 메커니즘은 불명이지만, 예를 들면, 상기된 바와 같다. 예를 들면, 에이징 공정에 있어서는, 가열 온도를 저온으로 해서, 전구체의 수축을 억제하면서 가교 반응을 일으키게 함으로써 강도를 향상시켜, 고공극률과 강도의 양립을 달성할 수 있다. 에이징 공정에 있어서의 온도는 예를 들면 40℃∼70℃이며, 바람직하게는 45℃∼65℃이며, 보다 바람직하게는 50℃∼60℃이다. 에이징 공정을 행하는 시간은 예를 들면 10hr∼30hr이며, 바람직하게는 13hr∼25hr이며, 보다 바람직하게는 15hr∼20hr이다.In the method of forming the low refractive index layer, the crosslinking reaction process is multi-step, for example, so that the strength of the void layer (low refractive index layer) can be further improved compared to the case where the crosslinking reaction process is one step. Hereinafter, the process after the second stage of the crosslinking reaction process may be referred to as the “aging process.” In the aging process, the crosslinking reaction inside the precursor may be further promoted, for example, by heating the precursor. The phenomena and mechanisms that occur in the crosslinking reaction process are unknown, but are, for example, as described above. For example, in the aging process, the heating temperature is set to a low temperature and the strength is improved by causing a crosslinking reaction while suppressing shrinkage of the precursor, thereby achieving both high porosity and strength. The temperature in the aging process is, for example, 40°C to 70°C, preferably 45°C to 65°C, and more preferably 50°C to 60°C. The time for performing the aging process is, for example, 10 hr to 30 hr, preferably 13 hr to 25 hr, and more preferably 15 hr to 20 hr.

이상과 같이 해서 형성되는 저굴절률층은 강도가 뛰어나기 때문에, 예를 들면, 롤상의 다공체로 할 수 있고, 제조 효율이 좋고, 취급하기 쉬운 등의 이점이 있다.Since the low refractive index layer formed as described above has excellent strength, it can be used as a roll-shaped porous body, for example, and has advantages such as good manufacturing efficiency and ease of handling.

이렇게 해서 형성되는 저굴절률층(공극층)은 예를 들면, 추가로 다른 필름(층)과 적층하여, 다공질 구조를 포함하는 적층 구조체로 해도 좋다. 이 경우, 적층구조체에 있어서의 각 구성 요소는 예를 들면, 점착제 또는 접착제를 개재해서 적층시켜도 좋다.The low refractive index layer (porous layer) formed in this way may be further laminated with another film (layer), for example, to form a laminated structure containing a porous structure. In this case, each component in the laminated structure may be laminated through, for example, an adhesive or adhesive.

저굴절률층의 구체적인 구성 및 형성 방법의 상세는 예를 들면 국제공개 제2019/151073호에 기재되어 있다. 상기 공보의 기재는 본 명세서에 참고로서 원용된다.Details of the specific structure and formation method of the low refractive index layer are described, for example, in International Publication No. 2019/151073. The description in the above publication is incorporated herein by reference.

C.마이크로 LED 어레이 기판C. Micro LED array board

마이크로 LED 어레이 기판으로서는, 임의의 적절한 구성의 마이크로 LED 어레이 기판이 사용될 수 있다. 대표적으로는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 마이크로 LED 어레이 기판(10)은 구동 기판(12)과, 상기 구동 기판(12) 상에 매트릭스상으로 배열된 복수의 마이크로 LED(11)를 구비한다.As the micro LED array substrate, a micro LED array substrate of any suitable configuration can be used. Typically, as shown in FIG. 1, the micro LED array substrate 10 includes a driving substrate 12 and a plurality of micro LEDs 11 arranged in a matrix on the driving substrate 12.

마이크로 LED란, 칩 사이즈가 예를 들면, 한 변이 1㎛∼100㎛인 LED를 의미한다.Micro LED refers to an LED whose chip size is, for example, 1㎛ to 100㎛ on one side.

1개의 실시형태에 있어서는, 복수의 마이크로 LED로서, 단일종의 마이크로 LED가 사용될 수 있다. 1개의 실시형태에 있어서는, 상기 마이크로 LED는 청색 LED 또는 자외선 LED이다.In one embodiment, as the plurality of micro LEDs, a single type of micro LED may be used. In one embodiment, the micro LED is a blue LED or an ultraviolet LED.

구동 기판은 마이크로 LED를 각각 개별로 스위치 구동시키도록 구성될 수 있다. 구동 기판은 당업자에게 잘 알려져 있기 때문에, 여기에서는 설명을 생략한다.The driving substrate can be configured to individually switch and drive the micro LEDs. Since the driving substrate is well known to those skilled in the art, description is omitted here.

D.밀봉부D. Sealing part

밀봉부는 임의의 적절한 투명 재료로 형성될 수 있다. 밀봉부를 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, 아크릴계 수지 등을 예로 들 수 있다. 또한, 밀봉부는 용융 유리에 의해 형성되어 있어도 좋다. 밀봉부를 구성하는 유리로서는, 예를 들면, 아크릴 유리, 크라운 유리, 플린트 유리, 붕소규산 유리 등을 예로 들 수 있다.The seal may be formed of any suitable transparent material. Examples of materials constituting the sealing portion include epoxy resin, silicone resin, and acrylic resin. Additionally, the sealing portion may be formed of molten glass. Examples of glass constituting the sealing portion include acrylic glass, crown glass, flint glass, and borosilicate glass.

밀봉부는 접착제 또는 점착제로 구성되어 있어도 좋다. 1개의 실시형태에 있어서는, 밀봉부는 점착제로 구성된다.The sealing portion may be comprised of an adhesive or adhesive. In one embodiment, the seal is made of adhesive.

접착제로서는, 임의의 적절한 접착제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 이소시아네이트계, 폴리비닐알콜계, 젤라틴계, 비닐계 라텍스계, 수계 폴리우레탄, 수계 폴리에스테르 등의 수계 접착제, 자외선 경화형 접착제, 전자선 경화형 접착제 등의 경화형 접착제 등을 예로 들 수 있다.As the adhesive, any suitable adhesive can be used. For example, water-based adhesives such as isocyanate-based, polyvinyl alcohol-based, gelatin-based, vinyl-based latex-based, water-based polyurethane, water-based polyester, and curable adhesives such as ultraviolet curing adhesives and electron beam curing adhesives.

점착제로서는, 임의의 적절한 점착제가 사용될 수 있다. 예를 들면, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 우레탄계, 비닐 알킬에테르계, 폴리비닐 알콜계, 폴리비닐 피롤리돈계, 폴리 아크릴아미드계, 셀룰로오스계 등의 점착제를 예로 들 수 있다. 그중에서도, 광학적 투명성이 뛰어나고, 또한, 점착특성, 내후성, 내열성 등이 뛰어난 점으로부터, 아크릴계 점착제가 바람직하게 사용된다.As the adhesive, any suitable adhesive can be used. For example, adhesives include rubber-based, acrylic-based, silicone-based, urethane-based, vinyl alkyl ether-based, polyvinyl alcohol-based, polyvinyl pyrrolidone-based, polyacrylamide-based, and cellulose-based adhesives. Among them, an acrylic adhesive is preferably used because it has excellent optical transparency, and is also excellent in adhesive properties, weather resistance, heat resistance, etc.

밀봉부는 파장 590nm의 광선 투과율(23℃)이 예를 들면 80% 이상, 바람직하게는 85% 이상, 보다 바람직하게는 90% 이상일 수 있다. 또한, 밀봉부의 파장 450nm∼500nm의 평균 광선 투과율은 바람직하게는 70% 이상, 보다 바람직하게는 75% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상이다. 또한, 밀봉부의 파장 500nm∼780nm의 평균 광선 투과율은 바람직하게는 80% 이상, 보다 바람직하게는 85% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다.The sealing portion may have a light transmittance (23°C) at a wavelength of 590 nm of, for example, 80% or more, preferably 85% or more, and more preferably 90% or more. In addition, the average light transmittance of the sealed portion at a wavelength of 450 nm to 500 nm is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, and even more preferably 80% or more. Additionally, the average light transmittance of the sealing portion at a wavelength of 500 nm to 780 nm is preferably 80% or more, more preferably 85% or more, and even more preferably 90% or more.

밀봉부의 굴절률은 바람직하게는 1.40 이상이며, 보다 바람직하게는 1.40∼2.00이며, 더욱 바람직하게는 1.45∼1.80이다.The refractive index of the sealed portion is preferably 1.40 or more, more preferably 1.40 to 2.00, and still more preferably 1.45 to 1.80.

밀봉부의 두께는 바람직하게는 200㎛ 이하이며, 보다 바람직하게는 150㎛ 이하이며, 더욱 바람직하게는 100㎛ 이하이며, 특히 바람직하게는 50㎛ 이하이다. 밀봉부의 두께를 얇게 하면, 혼색 억제의 효과가 현저해진다. 밀봉부의 두께의 하한은 예를 들면, 10㎛이다. 또한, 밀봉부의 두께는 마이크로 LED의 저굴절률층측의 면으로부터 밀봉부의 마이크로 LED측의 면까지의 거리일 수 있다.The thickness of the sealed portion is preferably 200 μm or less, more preferably 150 μm or less, further preferably 100 μm or less, and particularly preferably 50 μm or less. If the thickness of the sealing portion is thinned, the effect of suppressing color mixing becomes more noticeable. The lower limit of the thickness of the sealed portion is, for example, 10 μm. Additionally, the thickness of the sealing portion may be the distance from the surface on the low refractive index layer side of the micro LED to the surface on the micro LED side of the sealing portion.

E.파장 변환층E. Wavelength conversion layer

파장 변환층은 마이크로 LED로부터의 여기광을 흡수해서, 소정색을 발광하는 층이다. 마이크로 LED로서, 청색 LED가 사용될 경우, 마이크로 LED로부터의 여기광을 흡수해서, 적색을 발광하는 파장 변환층에 의해 적색 서브 픽셀이 형성되고, 상기 여기광을 흡수해 녹색을 발광하는 파장 변환층에 의해 녹색 서브 픽셀이 형성될 수 있다. 또한, 자외선 LED가 사용될 경우, 자외선에 의해 여기되어서 적색을 발광하는 파장 변환층에 의해 적색 서브 픽셀이 형성되고, 자외선에 의해 여기되어서 녹색을 발광하는 파장 변환층에 의해 녹색 서브 픽셀이 형성되고, 자외선에 의해 여기 되어서 청색을 발광하는 파장 변환층에 의해 청색 서브 픽셀이 형성된다.The wavelength conversion layer is a layer that absorbs excitation light from the micro LED and emits light of a predetermined color. As a micro LED, when a blue LED is used, a red subpixel is formed by a wavelength conversion layer that absorbs the excitation light from the micro LED and emits red color, and a wavelength conversion layer that absorbs the excitation light and emits green color. A green subpixel may be formed. In addition, when an ultraviolet LED is used, a red subpixel is formed by a wavelength conversion layer that is excited by ultraviolet rays and emits red, and a green subpixel is formed by a wavelength conversion layer that is excited by ultraviolet rays and emits green, A blue subpixel is formed by a wavelength conversion layer that is excited by ultraviolet rays and emits blue light.

1개의 실시형태에 있어서는, 파장 변환층은 형광체 입자를 포함한다. 파장 변환층은 대표적으로는, 매트릭스와 상기 매트릭스 중에 분산된 형광체 입자를 포함한다. 매트릭스를 구성하는 재료(이하, 매트릭스 재료라고도 칭한다)로서는, 임의의 적절한 재료를 사용할 수 있다. 이러한 재료로서는, 수지, 유기 산화물, 무기 산화물을 예로 들 수 있다. 매트릭스 재료는 바람직하게는 수지이다. 수지는 열가소성 수지여도 좋고, 열경화성 수지여도 좋고, 활성 에너지선 경화성 수지(예를 들면, 전자선 경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 가시광선 경화형 수지)여도 좋다. 바람직하게는, 열경화성 수지 또는 자외선 경화형 수지이며, 보다 바람직하게는 열경화성 수지이다. 수지는 단독으로 사용해도 좋고, 조합해서(예를 들면, 블렌드, 공중합) 사용해도 좋다.In one embodiment, the wavelength conversion layer includes phosphor particles. The wavelength conversion layer typically includes a matrix and phosphor particles dispersed in the matrix. As the material constituting the matrix (hereinafter also referred to as matrix material), any suitable material can be used. Examples of such materials include resin, organic oxide, and inorganic oxide. The matrix material is preferably a resin. The resin may be a thermoplastic resin, a thermosetting resin, or an active energy ray-curable resin (for example, an electron beam-curable resin, an ultraviolet ray-curable resin, or a visible ray-curable resin). Preferably, it is a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin, and more preferably, it is a thermosetting resin. Resins may be used individually or in combination (e.g., blend, copolymerization).

1개의 실시형태에 있어서는, 형광체 입자로서, 양자 도트가 사용될 수 있다. 양자 도트는 파장 변환층의 파장 변환 특성을 제어할 수 있다. 구체적으로는, 다른 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트를 적절하게 조합해서 사용함으로써, 소망의 발광 중심 파장을 갖는 광을 실현하는 파장 변환층을 형성할 수 있다. 양자 도트의 발광 중심 파장은 양자 도트의 재료 및/또는 조성, 입자 사이즈, 형상 등에 의해 조정할 수 있다. 양자 도트로서는, 예를 들면, 600nm∼680nm의 범위의 파장대역에 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트(이하, 양자 도트A), 500nm∼600nm의 범위의 파장대역에 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트(이하, 양자 도트B), 400nm∼500nm의 파장대역에 발광 중심 파장을 갖는 양자 도트(이하, 양자 도트C)가 알려져 있다. 양자 도트A는, 여기광(마이크로 LED로부터의 광)에 의해 여기되어 적색광을 발광하고, 양자 도트B는 녹색광을 발광하고, 양자 도트C는 청색광을 발광한다. 이것들을 적절하게 조합시킴으로써, 소정의 파장의 광을 파장 변환층에 입사 및 통과시키면, 소망의 파장대역에 발광 중심 파장을 갖는 광을 실현할 수 있다.In one embodiment, quantum dots can be used as phosphor particles. Quantum dots can control the wavelength conversion characteristics of the wavelength conversion layer. Specifically, by using quantum dots with different emission center wavelengths in an appropriate combination, a wavelength conversion layer that realizes light with a desired emission center wavelength can be formed. The emission center wavelength of the quantum dot can be adjusted by the material and/or composition, particle size, shape, etc. of the quantum dot. Quantum dots include, for example, quantum dots (hereinafter referred to as quantum dot A) having an emission center wavelength in the wavelength range of 600 nm to 680 nm, and quantum dots (hereinafter referred to as quantum dots) having an emission center wavelength in the wavelength range of 500 nm to 600 nm. , quantum dot B), and a quantum dot (hereinafter referred to as quantum dot C) having an emission center wavelength in the wavelength range of 400 nm to 500 nm are known. Quantum dot A is excited by excitation light (light from a micro LED) and emits red light, quantum dot B emits green light, and quantum dot C emits blue light. By appropriately combining these, when light of a predetermined wavelength is incident on and passes through the wavelength conversion layer, light with an emission center wavelength in a desired wavelength band can be realized.

양자 도트는 임의의 적절한 재료로 구성될 수 있다. 양자 도트는 바람직하게는 무기 재료, 보다 바람직하게는 무기 도체 재료 또는 무기 반도체 재료로 구성될 수 있다. 반도체 재료로서는, 예를 들면, II-VI족, III-V족, IV-VI족, 및 IV족의 반도체를 예로 들 수 있다. 구체예로서는, Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C(다이아몬드를 포함한다), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si3N4, Ge3N4, Al2O3, (Al, Ga, In)2(S, Se, Te)3, Al2CO를 예로 들 수 있다. 이것들은 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 양자 도트는 p형 도펀트 또는 n형 도펀트를 포함하고 있어도 좋다.Quantum dots can be composed of any suitable material. Quantum dots may preferably be composed of inorganic materials, more preferably inorganic conductor materials or inorganic semiconductor materials. Examples of semiconductor materials include semiconductors of group II-VI, group III-V, group IV-VI, and group IV. Specific examples include Si, Ge, Sn, Se, Te, B, C (including diamond), P, BN, BP, BAs, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP. , InAs, InSb, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdSeZn, CdTe, HgS, HgSe, HgTe, BeS, BeSe, BeTe, MgS, MgSe, GeS, GeSe, GeTe, SnS, SnSe, SnTe, PbO , PbS, PbSe, PbTe, CuF, CuCl, CuBr, CuI, Si 3 N 4 , Ge 3 N 4 , Al 2 O 3 , (Al, Ga, In) 2 (S, Se, Te) 3 , Al 2 CO Examples include: These may be used individually, or two or more types may be used in combination. The quantum dot may contain a p-type dopant or an n-type dopant.

양자 도트의 사이즈는 소망의 발광 파장에 따라서 임의의 적절한 사이즈가 채용될 수 있다. 양자 도트의 사이즈는 바람직하게는 1nm∼10nm이며, 보다 바람직하게는 2nm∼8nm이다. 양자 도트의 사이즈가 이러한 범위이면, 녹색 및 적색의 각각이 샤프한 발광을 나타내고, 고연색성을 실현할 수 있다. 예를 들면, 녹색광은 양자 도트의 사이즈가 7nm 정도로 발광할 수 있고, 적색광은 3nm 정도로 발광할 수 있다. 양자 도트의 사이즈는 양자 도트가 예를 들면 진구상(眞球狀)일 경우에는 평균 입경이며, 그 이외의 형상일 경우에는 상기 형상에 있어서의 최소 축을 따른 치수이다. 또한, 양자 도트의 형상으로서는, 목적에 따라서 임의의 적절한 형상이 채용될 수 있다. 구체예로서는, 진구상, 인편상(燐片狀), 판상, 타원구상, 부정형을 예로 들 수 있다.The size of the quantum dot may be any appropriate size depending on the desired emission wavelength. The size of the quantum dot is preferably 1 nm to 10 nm, and more preferably 2 nm to 8 nm. If the size of the quantum dot is within this range, each of green and red emits sharp light, and high color rendering can be achieved. For example, green light can emit light when the quantum dot size is about 7 nm, and red light can emit light when the quantum dot size is about 3 nm. The size of the quantum dot is the average particle diameter when the quantum dot is, for example, spherical, and when it has a shape other than that, it is the dimension along the minimum axis of the shape. Additionally, as the shape of the quantum dot, any appropriate shape may be adopted depending on the purpose. Specific examples include spherical shape, scaly shape, plate shape, ellipsoidal shape, and irregular shape.

양자 도트는 매트릭스 재료 100중량부에 대해서, 바람직하게는 1중량부∼50중량부, 보다 바람직하게는 2중량부∼30중량부의 비율로 배합될 수 있다. 양자 도트의 배합량이 이러한 범위이면, RGB 모두의 색상 밸런스가 뛰어난 디스플레이를 제공할 수 있다.Quantum dots can be blended in a ratio of preferably 1 part by weight to 50 parts by weight, more preferably 2 parts by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the matrix material. If the amount of quantum dots is within this range, a display with excellent color balance in both RGB and RGB can be provided.

양자 도트의 상세는 예를 들면, 일본 특허공개 2012-169271호 공보, 일본 특허공개 2015-102857호 공보, 일본 특허공개 2015-65158호 공보, 일본 특허공표 2013-544018호 공보, 일본 특허공표 2013-544018호 공보, 일본 특허공표 2010-533976호 공보에 기재되어 있고, 이것들의 공보의 기재는 본 명세서에 참고로서 원용된다. 양자 도트는 시판품을 사용해도 좋다.Details of quantum dots are, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-169271, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-102857, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-65158, Japanese Patent Application Publication No. 2013-544018, and Japanese Patent Publication No. 2013- It is described in Publication No. 544018 and Japanese Patent Publication No. 2010-533976, and the descriptions of these publications are incorporated herein by reference. Quantum dots may be commercially available.

다른 실시형태에 있어서는, 형광체 입자는 그 조성에 기인하는 루미네센스를 나타내는 입자이다. 이러한 형광체 입자로서는, 예를 들면, 황화물, 알루민산염, 산화물, 규산염, 질화물, YAG, 테르븀 알루미늄 가넷(TAG) 베이스의 재료를 예로 들 수 있다.In another embodiment, the phosphor particles are particles that exhibit luminescence due to their composition. Examples of such phosphor particles include materials based on sulfide, aluminate, oxide, silicate, nitride, YAG, and terbium aluminum garnet (TAG).

또한, 형광체 입자로서, 하기의 적색 형광체, 녹색 형광체를 사용해도 좋다. 적색 형광체로서는, 예를 들면, Mn4+로 활성화된 복합 불소화물 형광체를 예로 들 수 있다. 복합 불소화물 형광체란, 적어도 하나의 배위 중심(예를 들면, 후술하는 M)을 함유하고, 배위자로서 작용하는 불소화물 이온으로 둘러싸여, 필요에 따라서 대 이온(예를 들면, 후술하는 A)에 의해 전하를 보상받는 배위 화합물을 말한다. 그 구체예로서는, A2[MF5]:Mn4+, A3[MF6]:Mn4+, Zn2[MF7]:Mn4+, A[In2F7]:Mn4+, A2[M'F6]:Mn4+, E[M'F6]:Mn4+, A3[ZrF7]:Mn4+, Ba0.65Zr0.35F2.70:Mn4+을 예로 들 수 있다. 여기에서, A는 Li, Na, K, Rb, Cs, NH4 또는 그 조합이다. M은 Al, Ga, In 또는 그 조합이다. M'은 Ge, Si, Sn, Ti, Zr 또는 그 조합이다. E는 Mg, Ca, Sr, Ba, Zn 또는 그 조합이다. 배위 중심에 있어서의 배위수가 6인 복합 불소화물 형광체가 바람직하다. 이러한 적색 형광체의 상세는 예를 들면 일본 특허공개 2015-84327호 공보에 기재되어 있다. 상기 공보의 기재는 그 전체가 참고로서 본 명세서에 원용된다.Additionally, as the phosphor particles, the following red phosphor and green phosphor may be used. Examples of red phosphors include complex fluoride phosphors activated with Mn 4+ . A complex fluoride phosphor contains at least one coordination center (e.g., M, described later), is surrounded by fluoride ions that act as a ligand, and is surrounded by a counter ion (e.g., A, described later) as needed. It refers to a coordination compound that compensates for charge. Specific examples thereof include A 2 [MF 5 ]:Mn 4+ , A 3 [MF 6 ]:Mn 4+ , Zn 2 [MF 7 ]:Mn 4+ , A[In 2 F 7 ]:Mn 4+ , A Examples include 2 [M'F 6 ]:Mn 4+ , E[M'F 6 ]:Mn 4+ , A 3 [ZrF 7 ]:Mn 4+ , Ba 0.65 Zr 0.35 F 2.70 :Mn 4+ . Here, A is Li, Na, K, Rb, Cs, NH 4 or a combination thereof. M is Al, Ga, In, or a combination thereof. M' is Ge, Si, Sn, Ti, Zr, or a combination thereof. E is Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, or a combination thereof. A composite fluoride phosphor with a coordination number of 6 at the coordination center is preferred. Details of this red phosphor are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-84327. The entire disclosure of the above-mentioned publication is incorporated herein by reference.

녹색 형광체로서는, 예를 들면, β형 Si3N4 결정 구조를 갖는 사이알론의 고용체를 주성분으로서 포함하는 화합물을 예로 들 수 있다. 바람직하게는, 이러한 사이알론 결정 중에 포함되는 산소량을 특정량(예를 들면, 0.8질량%) 이하로 하는 것 같은 처리가 행해진다. 이러한 처리를 행함으로써, 피크 폭이 좁은, 샤프한 광을 발광하는 녹색 형광체가 얻어질 수 있다. 이러한 녹색 형광체의 상세는 예를 들면 일본 특허공개 2013-28814호 공보에 기재되어 있다. 상기 공보의 기재는 그 전체가 참고로서 본 명세서에 원용된다.Examples of the green phosphor include compounds containing a solid solution of sialon with a β-type Si 3 N 4 crystal structure as a main component. Preferably, a treatment is performed to reduce the amount of oxygen contained in these sialon crystals to a specific amount (for example, 0.8% by mass) or less. By performing this treatment, a green phosphor that emits sharp light with a narrow peak width can be obtained. Details of this green phosphor are described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-28814. The entire disclosure of the above-mentioned publication is incorporated herein by reference.

파장 변환층의 두께는 바람직하게는 5㎛∼100㎛이며, 보다 바람직하게는 30㎛∼50㎛이다. 파장 변환층의 두께가 이러한 범위이면, 변환 효율 및 내구성이 뛰어날 수 있다.The thickness of the wavelength conversion layer is preferably 5 μm to 100 μm, and more preferably 30 μm to 50 μm. If the thickness of the wavelength conversion layer is within this range, conversion efficiency and durability can be excellent.

상기된 바와 같이, 1개의 실시형태에 있어서는, 각 파장 변환층은 격벽(차광층)에 의해, 이격 배치된다. 격벽의 폭(즉, 이웃하는 파장 변환층의 간격)은 바람직하게는 0.1㎛∼100㎛이며, 보다 바람직하게는 1㎛∼50㎛이다. 본 발명에 있어서는, 격벽의 폭이 좁더라도, 충분한 혼색 억제가 가능해진다. 격벽의 폭을 좁게 함으로써, 발광 효율이 뛰어난 마이크로 LED 디스플레이 장치를 얻을 수 있다.As described above, in one embodiment, each wavelength conversion layer is spaced apart by a partition (light-shielding layer). The width of the partition (that is, the spacing between adjacent wavelength conversion layers) is preferably 0.1 μm to 100 μm, and more preferably 1 μm to 50 μm. In the present invention, even if the width of the partition is narrow, sufficient color mixing can be suppressed. By narrowing the width of the partition wall, a micro LED display device with excellent luminous efficiency can be obtained.

상기된 바와 같이, 마이크로 LED로부터의 광을 그대로 이용하는 서브 픽셀을 구성할 경우(예를 들면, 청색 LED에 의해 청색 서브 픽셀을 형성할 경우), 상기 개소에 있어서는, 파장 변환층은 광 확산층으로 대체될 수 있다. 광 산란층에는 광 산란성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 광 산란성 입자를 구성하는 재료로서는, 예를 들면, 알루미나, 산화 지르코늄, 산화 티타늄, 황산 바륨 등을 예로 들 수 있다.As described above, when constructing a subpixel using light from a micro LED as is (for example, when forming a blue subpixel with a blue LED), the wavelength conversion layer is replaced with a light diffusion layer in the above location. It can be. It is preferable that the light scattering layer contains light scattering particles. Examples of materials constituting the light scattering particles include alumina, zirconium oxide, titanium oxide, and barium sulfate.

1개의 실시형태에 있어서는, 상기 마이크로 LED 디스플레이 장치는 파장 변환층(및/또는 광 확산층)의 저굴절률층과는 반대측의 면에 배치된 컬러필터를 추가로 갖는다. 컬러필터는 서브 픽셀의 발색에 따라서, 임의의 적절한 구성으로 될 수 있다. 1개의 실시형태에 있어서는, 각 서브 픽셀에 있어서, 소망으로 하는 색 이외의 발색을 커트하는 것 같은 컬러필터가 배치된다. 예를 들면, 적색 서브 픽셀 및 녹색 서브 픽셀에 있어서, 청의 발색을 커트하는 것 같은 컬러필터가 사용된다.In one embodiment, the micro LED display device further has a color filter disposed on a side of the wavelength conversion layer (and/or light diffusion layer) opposite to the low refractive index layer. The color filter can have any suitable configuration depending on the color development of the subpixel. In one embodiment, a color filter is disposed in each subpixel to cut out colors other than the desired color. For example, in the red subpixel and the green subpixel, a color filter that cuts out the color of blue is used.

(실시예)(Example)

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

[실시예 1][Example 1]

도 2의 (a)에 나타내는 구성, 즉, 파장 변환층으로서의 적색 형광체와 녹색 형광체를 배열하고, 저굴절률층(굴절률: 1.20)과 밀봉부(굴절률: 1.50)를 개재해서, 녹색 형광체 바로 아래에 청색 LED를 배치한 구성에 대해서, 광학 시뮬레이션에 의한 적색 발광의 휘도 및 녹색 발광의 휘도를 구했다. 파장 변환층은 모두 매트릭스부(굴절률 1.47)에 파장 변환 입자(굴절률 1.80)를 10중량% 첨가한 것이다. 파장 변환층의 굴절률은 모두 1.50이다.The configuration shown in Figure 2(a), that is, the red phosphor and green phosphor as the wavelength conversion layer are arranged, and a low refractive index layer (refractive index: 1.20) and a sealing portion (refractive index: 1.50) are interposed, directly below the green phosphor. For a configuration in which blue LEDs were arranged, the luminance of red light emission and the luminance of green light emission were determined by optical simulation. All wavelength conversion layers are made by adding 10% by weight of wavelength conversion particles (refractive index 1.80) to the matrix portion (refractive index 1.47). The refractive index of the wavelength conversion layer is all 1.50.

본 실시예, 및, 후술하는 실시예 및 비교예에 있어서의 광학 특성은 Synopsys사 광학 시뮬레이션 소프트(Lighttools)를 사용해서 산출했다. 시뮬레이션에 사용한 광학 모델은 이하 대로이다.The optical properties in this example and the examples and comparative examples described later were calculated using Synopsys optical simulation software (Lighttools). The optical model used in the simulation is as follows.

각 RGB의 파장 변환층의 두께를 100㎛, 폭을 100㎛로 했다. 각 RGB의 사이에 배치된 격벽의 폭을 50nm로 했다. 각 파장 변환층에 대향하는 위치에 LED를 배치했다. 본 시뮬레이션에서는 혼색의 영향을 조사하는 목적을 위해, Green의 파장 변환층에 대응하는 LED만 배치하고, LED와 파장 변환층 사이에 밀봉부(점착제층)를 배치했다. LED와 파장 변환층의 사이의 밀봉부 두께는 표 1 대로이다. 저굴절률층의 두께를 1.0㎛로 했다. 또한, 본 치수는 4K 해상도(3840x2160)로 78인치를 상정하고 있다. 격벽은 파장 변환층 사이에 50.0㎛로 배치하고, 투과율을 0%로 해서 설정했다. 또한, 각 화소 상에 수광기를 배치했다.The thickness of each RGB wavelength conversion layer was 100 μm and the width was 100 μm. The width of the partition wall placed between each RGB was set to 50 nm. LEDs were placed in positions opposite to each wavelength conversion layer. In this simulation, for the purpose of investigating the effect of color mixing, only the LED corresponding to the green wavelength conversion layer was placed, and a sealing part (adhesive layer) was placed between the LED and the wavelength conversion layer. The thickness of the sealing portion between the LED and the wavelength conversion layer is as shown in Table 1. The thickness of the low refractive index layer was set to 1.0 μm. Additionally, this dimension assumes 78 inches with 4K resolution (3840x2160). The partition wall was placed at 50.0 μm between the wavelength conversion layers, and the transmittance was set to 0%. Additionally, a light receiver was placed on each pixel.

[비교예 1][Comparative Example 1]

도 2의 (b)에 나타내는 구성, 즉, 파장 변환층으로서의 적색 형광체와 녹색 형광체를 배열하고, 밀봉부를 개재해서(저굴절률층은 배치하지 않고), 녹색 형광체 바로 아래에 청색 LED를 배치한 구성에 대해서, 광학 시뮬레이션에 의한 적색 발광의 휘도 및 녹색 발광의 휘도를 구했다.The configuration shown in Figure 2(b), that is, a configuration in which red phosphor and green phosphor as wavelength conversion layers are arranged, a blue LED is arranged directly below the green phosphor through a sealing portion (without arranging a low refractive index layer). Regarding this, the luminance of red light emission and the luminance of green light emission were obtained by optical simulation.

<평가><Evaluation>

비교예 1에 있어서의 휘도(100%)에 대한, 실시예 1에 있어서의 휘도의 비를 표 1에 나타낸다. 또한, LED와 파장 변환층의 사이의 밀봉부의 두께를 25㎛, 75㎛, 125㎛로 설정하고, 각각의 두께 설정에 있어서의 상기 휘도의 비를 구했다.Table 1 shows the ratio of the luminance in Example 1 to the luminance (100%) in Comparative Example 1. Additionally, the thickness of the sealing portion between the LED and the wavelength conversion layer was set to 25 μm, 75 μm, and 125 μm, and the ratio of the brightness at each thickness setting was determined.

상기 구성에 있어서는, 녹색 형광체와 청색 LED가 녹색 발색의 서브 픽셀을 구성하고 있고, 따라서, 녹색 발광의 휘도>적색 발광의 휘도의 관계를 갖고, 또한, 녹색 발광과 적색 발광의 휘도차가 클수록 혼색 억지 효과가 큰 것이 된다.In the above configuration, the green phosphor and the blue LED constitute a green-colored subpixel, and therefore, there is a relationship of luminance of green light > luminance of red light, and the larger the difference in luminance between green and red light, the more suppressed color mixing becomes. It becomes a big effect.

표 1로부터 명확한 것 같이, 본 발명에 있어서는, 저굴절률층을 배치함으로써, 불필요한 적색 발광이 억제되고, 또한, 혼색이 바람직하게 억제된다. 또한, 이러한 효과는, LED와 파장 변환층의 사이의 밀봉부의 두께를 적절하게 설정함으로써, 현저해진다.As is clear from Table 1, in the present invention, by disposing the low refractive index layer, unnecessary red light emission is suppressed and color mixing is preferably suppressed. Additionally, this effect becomes noticeable by appropriately setting the thickness of the sealing portion between the LED and the wavelength conversion layer.

[실시예 2][Example 2]

도 2의 (a)에 나타내는 구성, 즉, 파장 변환층으로서의 적색 형광체와 녹색 형광체를 배열하고, 저굴절률층과 밀봉부(LED와 파장 변환층의 사이의 두께: 75㎛)를 개재해서, 녹색 형광체 바로 아래에 청색 LED를 배치한 구성(파장 변환층의 두께는 100㎛이고, 또한 폭은 100㎛이며, 격벽 두께는 50㎛이며, 저굴절률층의 두께는 1.0㎛이다)에 대해서, 광학 시뮬레이션에 의한 적색 발광의 휘도 및 녹색 발광의 휘도를 구했다.The configuration shown in Figure 2 (a), that is, the red phosphor and green phosphor as the wavelength conversion layer are arranged, and the green phosphor is interposed between the low refractive index layer and the sealing portion (thickness between the LED and the wavelength conversion layer: 75 μm). Optical simulation for a configuration in which a blue LED is placed directly below the phosphor (the thickness of the wavelength conversion layer is 100 ㎛, the width is 100 ㎛, the partition wall is 50 ㎛, and the thickness of the low refractive index layer is 1.0 ㎛) The luminance of red light emission and the luminance of green light emission were obtained.

[비교예 2][Comparative Example 2]

도 2의 (b)에 나타내는 구성, 즉, 파장 변환층으로서의 적색 형광체와 녹색 형광체를 배열하고, 밀봉부(두께 75㎛)를 개재해서(저굴절률층은 배치하지 않고), 녹색 형광체 바로 아래에 청색 LED를 배치한 구성에 대해서, 광학 시뮬레이션에 의한 적색 발광의 휘도 및 녹색 발광의 휘도를 구했다.The configuration shown in Figure 2(b), that is, the red phosphor and green phosphor as the wavelength conversion layer are arranged, and a sealing portion (thickness of 75 μm) is interposed (without the low refractive index layer), directly below the green phosphor. For a configuration in which blue LEDs were arranged, the luminance of red light emission and the luminance of green light emission were determined by optical simulation.

<평가><Evaluation>

비교예 2에 있어서의 휘도(100%)에 대한, 실시예 2에 있어서의 휘도의 비를 표 2에 나타낸다. 또한, 저굴절률층의 굴절률을 1.10, 1.20, 1.25, 1.30로 설정하고, 각각의 굴절률 설정에 있어서의 상기 휘도의 비를 구했다.Table 2 shows the ratio of the luminance in Example 2 to the luminance (100%) in Comparative Example 2. Additionally, the refractive index of the low refractive index layer was set to 1.10, 1.20, 1.25, and 1.30, and the ratio of the brightness at each refractive index setting was obtained.

표 2로부터 명확한 것 같이, 본 발명에 있어서는, 저굴절률층을 배치함으로써, 불필요한 적색 발광이 억제되고, 또한, 혼색이 바람직하게 억제된다.As is clear from Table 2, in the present invention, by disposing the low refractive index layer, unnecessary red light emission is suppressed and color mixing is preferably suppressed.

10 마이크로 LED 어레이 기판
11 마이크로 LED
12 구동 기판
20 밀봉부
30 저굴절률층
40 파장 변환층
100 마이크로 LED 디스플레이 장치
10 micro LED array board
11 micro LEDs
12 driving board
20 seal
30 Low refractive index layer
40 wavelength conversion layer
100 micro LED display device

Claims (7)

복수의 마이크로 LED를 포함하는 마이크로 LED 어레이 기판과,
복수의 상기 마이크로 LED를 밀봉하는 밀봉부와,
저굴절률층과,
구획해서 형성된 복수의 파장 변환층을 상기 마이크로 LED 어레이 기판측으로부터 이 순서대로 구비하고,
각각의 상기 파장 변환층은 1개의 상기 마이크로 LED와 두께 방향으로 대응해서 세트가 되도록 형성되고,
상기 저굴절률층의 굴절률이 상기 밀봉부의 굴절률 및 파장 변환층의 굴절률보다 낮고,
상기 저굴절률층의 굴절률과 상기 밀봉부의 굴절률의 차가 0.10 이상이고,
상기 저굴절률층의 굴절률과 파장 변환층의 굴절률의 차가 0.10 이상인,
마이크로 LED 디스플레이 장치.
A micro LED array substrate including a plurality of micro LEDs,
a sealing portion that seals the plurality of micro LEDs;
a low refractive index layer,
A plurality of partitioned wavelength conversion layers are provided in this order from the micro LED array substrate side,
Each of the wavelength conversion layers is formed to be set to correspond to one of the micro LEDs in the thickness direction,
The refractive index of the low refractive index layer is lower than the refractive index of the sealing portion and the refractive index of the wavelength conversion layer,
The difference between the refractive index of the low refractive index layer and the refractive index of the sealing portion is 0.10 or more,
The difference between the refractive index of the low refractive index layer and the wavelength conversion layer is 0.10 or more,
Micro LED display device.
제 1 항에 있어서,
상기 저굴절률층의 굴절률이 1.25 이하인 마이크로 LED 디스플레이 장치.
According to claim 1,
A micro LED display device wherein the low refractive index layer has a refractive index of 1.25 or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 저굴절률층은 미세입자끼리가 화학적으로 결합해서 구성되는 다공체로 이루어지는 공극층인 마이크로 LED 디스플레이 장치.
The method of claim 1 or 2,
The low refractive index layer is a micro LED display device that is a porous layer made of a porous body composed of fine particles chemically bonded to each other.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 밀봉부가 점착제로 구성되어 있는 마이크로 LED 디스플레이 장치.
The method according to any one of claims 1 to 3,
A micro LED display device wherein the sealing portion is made of adhesive.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 각각의 파장 변환층이 격벽에 의해, 이격 배치되어 있는 마이크로 LED 디스플레이 장치.
The method according to any one of claims 1 to 4,
A micro LED display device in which each of the wavelength conversion layers is spaced apart by a partition.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마이크로 LED가 청색 LED 또는 자외선 LED인 마이크로 LED 디스플레이 장치.
The method according to any one of claims 1 to 5,
A micro LED display device wherein the micro LED is a blue LED or an ultraviolet LED.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 파장 변환층의 상기 저굴절률층과는 반대측의 면에 배치된 컬러필터를 추가로 갖는 마이크로 LED 디스플레이 장치.
The method according to any one of claims 1 to 6,
A micro LED display device further comprising a color filter disposed on a side of the wavelength conversion layer opposite to the low refractive index layer.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116072800B (en) * 2023-03-06 2023-06-23 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro-LED display chip and preparation method thereof
JP7518987B1 (en) 2024-02-21 2024-07-18 大日本印刷株式会社 Encapsulating material sheet for self-luminous display body or direct-type backlight, self-luminous display body, and direct-type backlight

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016523450A (en) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション LED display having wavelength conversion layer
JP2020043073A (en) 2018-09-13 2020-03-19 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Display device

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013254651A (en) * 2012-06-07 2013-12-19 Sharp Corp Phosphor substrate, light-emitting device, display device, and lighting device
JP2015022072A (en) * 2013-07-17 2015-02-02 シャープ株式会社 Curable composition and wavelength conversion substrate
JP6537891B2 (en) * 2015-05-25 2019-07-03 スタンレー電気株式会社 Light emitting device and method of manufacturing the same
WO2016204166A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-22 シャープ株式会社 Wavelength conversion-type light emission device, and display device, illumination device, and electronic instrument provided with same
JP2017187549A (en) * 2016-04-01 2017-10-12 シャープ株式会社 Wavelength conversion substrate, manufacturing method of wavelength conversion substrate, and display device
JP2018032693A (en) * 2016-08-23 2018-03-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device, and illumination apparatus
KR20200040788A (en) * 2017-08-30 2020-04-20 엔지케이 인슐레이터 엘티디 Optical component and transparent sealing member
CN112420897A (en) * 2019-08-20 2021-02-26 群创光电股份有限公司 Electronic device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016523450A (en) 2013-06-18 2016-08-08 ルクスビュー テクノロジー コーポレイション LED display having wavelength conversion layer
JP2020043073A (en) 2018-09-13 2020-03-19 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. Display device

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