KR20230154826A - Manufacturing method of adhesive sheet for semiconductor processing and semiconductor device - Google Patents

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KR20230154826A
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사야카 반도우
마사히로 우메자와
가즈유키 다무라
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린텍 가부시키가이샤
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Abstract

표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 85°이상인, 반도체 가공용 점착 시트, 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.An adhesive sheet for semiconductor processing, which has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, and has a static contact angle of water at 23° C. with respect to the surface coat layer of 85° or more, and the adhesive sheet for semiconductor processing It relates to a manufacturing method of a semiconductor device to be used.

Description

반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법Manufacturing method of adhesive sheet for semiconductor processing and semiconductor device

본 발명은, 반도체 가공용 점착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing an adhesive sheet for semiconductor processing and a semiconductor device.

정보 단말 기기의 박형화, 소형화 및 다기능화가 급속히 진행되는 가운데, 이들 기기에 탑재되는 반도체 장치에도, 박형화 및 고밀도화가 요구되고 있다.As information terminal devices are rapidly becoming thinner, more compact, and more functional, there is a demand for semiconductor devices mounted on these devices to be thinner and more dense.

반도체 장치를 박형화하는 방법으로는, 반도체 장치에 사용하는 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 방법이 실시되어 왔다. 반도체 웨이퍼의 이면 연삭은, 반도체 웨이퍼의 표면에 이면 연삭용 점착 시트 (이하,「백 그라인드 시트」라고도 한다) 를 첩부 (貼付) 하고, 그 시트에 의해 반도체 웨이퍼의 표면을 보호한 상태에서 실시된다. 백 그라인드 시트는, 이면 연삭 후에 반도체 웨이퍼의 표면으로부터 박리 제거된다.As a method of reducing the thickness of a semiconductor device, a method of grinding the back side of a semiconductor wafer used in the semiconductor device has been implemented. Back grinding of a semiconductor wafer is performed by attaching an adhesive sheet for back grinding (hereinafter also referred to as “back grind sheet”) to the surface of the semiconductor wafer and protecting the surface of the semiconductor wafer with the sheet. . The back grind sheet is peeled and removed from the surface of the semiconductor wafer after back grinding.

최근, 반도체 칩에 대한 데미지를 억제하면서 박형화하는 연삭 및 개편화 방법으로서, 선 (先) 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등이 실용되고 있다. 선 다이싱법은, 반도체 웨이퍼의 표면에, 다이싱 블레이드 등으로 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 홈에 이르기까지 연삭함으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 또한, 스텔스 선 다이싱법은, 레이저 광의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한 후, 그 반도체 웨이퍼를 이면측에서부터 연삭하여, 상기 개질 영역을 분할 기점으로 하여 할단시킴으로써 반도체 칩으로 개편화하는 방법이다. 이들 방법에 있어서도, 반도체 웨이퍼의 표면을 보호하기 위한 백 그라인드 시트가 사용되고 있다.Recently, pre-dicing methods, stealth pre-dicing methods, etc. have been used as grinding and segmentation methods to reduce the thickness of semiconductor chips while suppressing damage to them. The line dicing method is a method of forming a groove of a predetermined depth on the surface of a semiconductor wafer with a dicing blade or the like, and then grinding the semiconductor wafer from the back side to the groove to separate it into semiconductor chips. In addition, the stealth line dicing method forms a modified region inside a semiconductor wafer by irradiation of laser light, then grinds the semiconductor wafer from the back side, and divides the modified region into pieces by using the modified region as a starting point for division. This is how to do it. In these methods as well, a back grind sheet is used to protect the surface of the semiconductor wafer.

이들 박형화 프로세스 기술의 개발과 함께, 백 그라인드 시트에 대해서도, 반도체 칩을 높은 수율로 박형화하기 위한 기능이 요구되고 있어, 다양한 검토가 이루어지고 있다.Along with the development of these thinning process technologies, back grind sheets are also required to have a function for thinning semiconductor chips with high yield, and various studies are being conducted.

특허문헌 1 에는, 선 다이싱법 또는 스텔스 선 다이싱법에 적용 가능한 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트로서, 기재 필름과, 상기 기재 필름의 적어도 편면측에 형성되고, 점착제로 이루어지는 중간층과, 상기 중간층의 상기 기재 필름과 반대측이면서 최외층에 형성된 최외 점착제층을 갖는 점착 시트로서, 상기 중간층은, 상기 점착 시트 형성 후의 경화 처리에 의해 경화되는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트가 개시되어 있다.Patent Document 1 discloses an adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection applicable to a line dicing method or a stealth line dicing method, comprising a base film, an intermediate layer formed on at least one side of the base film and made of an adhesive, and the base material of the intermediate layer. An adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection is disclosed, which is an adhesive sheet having an outermost adhesive layer formed on the outermost layer on the opposite side from the film, wherein the intermediate layer is formed of a material that is hardened by a curing treatment after forming the adhesive sheet. there is.

일본 공개특허공보 2015-56446호Japanese Patent Publication No. 2015-56446

특허문헌 1 의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트에 의하면, 반도체 웨이퍼를 칩으로 개편화한 후, 본래의 칩 간격이 무너져 버리는 커프 시프트를 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼의 연삭 부스러기에 의한 오염을 억제할 수 있고, 표면 보호 테이프를 박리했을 때의 칩에 풀이 잔류하는 것을 방지할 수 있다고 되어 있다.According to the adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection of Patent Document 1, after the semiconductor wafer is divided into chips, kerf shift, which causes the original chip gap to collapse, can be suppressed, and contamination by grinding debris of the semiconductor wafer can be suppressed. It is said that it can prevent glue from remaining on the chip when the surface protection tape is peeled off.

그런데, 이면 연삭을 할 때, 반도체 웨이퍼에 첩부된 백 그라인드 시트는, 반도체 웨이퍼에 첩부하는 면과는 반대측의 면 (이하,「배면」이라고도 한다) 이 척 테이블 등의 지지 장치에 의해 고정된다. 그리고, 백 그라인드 시트를 통해 지지 장치의 테이블 상에 고정된 반도체 웨이퍼는, 연삭에 의한 열 및 연삭 부스러기를 제거하기 위한 냉각수가 연삭면에 공급되면서 이면이 연삭된다.However, when performing back grinding, the back grind sheet attached to the semiconductor wafer is fixed on the side opposite to the surface attached to the semiconductor wafer (hereinafter also referred to as “back surface”) by a support device such as a chuck table. Then, the back side of the semiconductor wafer fixed on the table of the support device through the back grind sheet is ground while cooling water to remove heat from grinding and grinding debris is supplied to the grinding surface.

이면 연삭을 할 때에, 백 그라인드 시트와 지지 장치의 테이블 사이에 연삭 부스러기가 존재하면, 그 연삭 부스러기가 존재하는 부분을 기점으로 하여, 반도체 웨이퍼를 테이블에 고정시킬 때의 충격, 이면 연삭 중의 가압 및 진동 등에 의해, 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩에 크랙이 발생하는 경우가 있다. 연삭 부스러기는, 냉각수에 포함된 상태로 백 그라인드 시트의 배면에 부착되기 때문에, 상기 크랙의 발생을 억제하기 위해서는, 백 그라인드 시트의 배면에 부착되는 연삭 부스러기의 양을 저감할 필요가 있다.When performing back grinding, if grinding debris exists between the back grind sheet and the table of the support device, shock when fixing the semiconductor wafer to the table starting from the part where the grinding debris exists, pressure during back grinding, and Cracks may occur in semiconductor wafers or semiconductor chips due to vibration or the like. Since grinding debris adheres to the back surface of the back grind sheet while contained in the cooling water, in order to suppress the occurrence of cracks, it is necessary to reduce the amount of grinding waste adhering to the back surface of the back grind sheet.

특허문헌 1 의 반도체 웨이퍼 표면 보호용 점착 시트는, 백 그라인드 시트의 배면에 부착되는 연삭 부스러기의 양을 저감한다는 요구에 대해서는, 충분히 따를 수는 없었다.The adhesive sheet for semiconductor wafer surface protection of Patent Document 1 could not sufficiently comply with the request to reduce the amount of grinding debris adhering to the back surface of the back grind sheet.

본 발명은, 이상의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 반도체 가공용 점착 시트, 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide an adhesive sheet for semiconductor processing with a reduced amount of adhesion of grinding debris, and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor processing.

본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이 특정한 범위인 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖는 반도체 가공용 점착 시트에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 이하의 본 발명을 완성시켰다.As a result of intensive study, the present inventors have found that the above problems can be solved by an adhesive sheet for semiconductor processing having a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, the static contact angle of water at 23°C being within a specific range. By finding this out, the following invention was completed.

즉, 본 발명은, 하기 [1] ∼ [11] 에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the following [1] to [11].

[1] 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,[1] It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,

상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 85°이상인, 반도체 가공용 점착 시트.An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the static contact angle of water at 23°C with respect to the surface coat layer is 85° or more.

[2] 상기 표면 코트층이, 수지 성분을 함유하는 유기층인, 상기 [1] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[2] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [1] above, wherein the surface coat layer is an organic layer containing a resin component.

[3] 상기 수지 성분이, 열가소성 수지인, 상기 [2] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[3] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [2] above, wherein the resin component is a thermoplastic resin.

[4] 상기 수지 성분은, 헤테로 원자의 함유량이 7 질량% 이하인, 상기 [2] 또는 [3] 에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[4] The adhesive sheet for semiconductor processing according to [2] or [3] above, wherein the resin component has a heteroatom content of 7% by mass or less.

[5] 상기 수지 성분이, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대해 1 질량% 이상 용해되는 것인, 상기 [2] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[5] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [2] to [4] above, wherein the resin component dissolves 1% by mass or more in toluene at 23°C.

[6] 상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 90°이상인, 상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[6] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [5] above, wherein the static contact angle of water at 23°C with respect to the surface coat layer is 90° or more.

[7] 상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 상기 [1] ∼ [6] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[7] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [6], wherein the surface coating layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.

[8] 상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는, 상기 [1] ∼ [7] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[8] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [7] above, wherein the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.

[9] 반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 상기 [1] ∼ [8] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트.[9] The adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [8] above, which is used for backside grinding of a semiconductor wafer.

[10] 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,[10] A process of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [9] above to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.

[11] 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,[11] A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 상기 [1] ∼ [9] 중 어느 하나에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,After the step a, or before or after the step b, the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of [1] to [9] above is attached to the surface of the semiconductor wafer, using the adhesive layer as a sticking surface. The sheet sticking process,

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 상기 [10] 에 기재된 반도체 장치의 제조 방법.With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground and divided into a plurality of semiconductor chips using the groove or modified area as a starting point. The method for manufacturing a semiconductor device according to [10] above, including a grinding and segmentation process.

본 발명에 의하면, 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 반도체 가공용 점착 시트, 및 그 반도체 가공용 점착 시트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, an adhesive sheet for semiconductor processing with a reduced amount of adhesion of grinding debris, and a method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive sheet for semiconductor processing can be provided.

본 명세서에 있어서, 바람직한 수치 범위에 대해서 단계적으로 기재된 하한값 및 상한값은, 각각 독립적으로 조합할 수 있다. 예를 들어,「바람직하게는 10 ∼ 90, 보다 바람직하게는 30 ∼ 60」이라는 기재로부터,「바람직한 하한값 (10)」과「보다 바람직한 상한값 (60)」을 조합하여,「10 ∼ 60」으로 할 수도 있다.In this specification, the lower limit and upper limit values described step by step for the preferred numerical range can be independently combined. For example, from the description “preferably 10 to 90, more preferably 30 to 60”, “preferable lower limit value (10)” and “more preferred upper limit value (60)” are combined to “10 to 60”. You may.

본 명세서에 있어서, 예를 들어,「(메트)아크릴산」이란,「아크릴산」과「메타크릴산」의 쌍방을 나타내고, 다른 유사 용어도 동일하다.In this specification, for example, “(meth)acrylic acid” refers to both “acrylic acid” and “methacrylic acid”, and other similar terms are also the same.

본 명세서에 있어서,「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미하고, 그 예로서, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은, 예를 들어, 자외선원으로서 무전극 램프, 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다.In this specification, “energy ray” means an electromagnetic wave or a charged particle beam that has energy quantum, and examples thereof include ultraviolet rays, radiation, and electron beams. Ultraviolet rays can be irradiated, for example, by using an electrodeless lamp, high-pressure mercury lamp, metal halide lamp, UV-LED, etc. as an ultraviolet ray source. Electron beams generated by an electron beam accelerator or the like can be irradiated.

본 명세서에 있어서,「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다. 또한,「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화되는 성질을 의미하고,「비에너지선 경화성」이란, 에너지선 경화성을 갖지 않는 성질을 의미한다.In this specification, “energy ray polymerizability” means the property of polymerizing by irradiating energy rays. In addition, “energy ray curability” refers to the property of being hardened by irradiating an energy ray, and “non-energy ray curability” refers to the property of not having energy ray curability.

본 명세서에 있어서, 반도체 웨이퍼의「표면」이란 회로가 형성된 면을 가리키고,「이면」이란 회로가 형성되어 있지 않은 면을 가리킨다.In this specification, the “surface” of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the “back surface” refers to the surface on which circuits are not formed.

본 명세서에 기재되어 있는 작용 기전은 추측으로서, 본 발명의 반도체 가공용 점착 시트의 효과를 나타내는 기전을 한정하는 것은 아니다.The mechanism of action described in this specification is a guess and does not limit the mechanism showing the effect of the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention.

[반도체 가공용 점착 시트][Adhesive sheet for semiconductor processing]

본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트 (이하,「점착 시트」라고도 한다) 는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고, 상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 85°이상인, 반도체 가공용 점착 시트이다.The adhesive sheet for semiconductor processing (hereinafter also referred to as “adhesive sheet”) of the present embodiment has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order, and the water at 23°C with respect to the surface coat layer It is an adhesive sheet for semiconductor processing with a static contact angle of 85° or more.

본 실시형태의 점착 시트는, 워크인 반도체 장치의 표면에 첩부되어, 그 표면을 보호하면서 반도체 장치에 소정의 가공을 실시하기 위해서 사용된다. 워크에 대하여 소정의 가공을 실시한 후, 본 실시형태의 점착 시트는 반도체 장치로부터 박리 제거된다.The adhesive sheet of this embodiment is affixed to the surface of a work-in semiconductor device and is used to perform predetermined processing on the semiconductor device while protecting the surface. After predetermined processing is performed on the work, the adhesive sheet of this embodiment is peeled and removed from the semiconductor device.

또한, 본 실시형태에 있어서,「반도체 장치」란, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리키며, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 그 반도체 칩을 포함하는 전자 부품, 그 전자 부품을 구비하는 전자 기기류 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼의 가공에 바람직하다.In addition, in this embodiment, “semiconductor device” refers to the overall device that can function by utilizing semiconductor characteristics, for example, a semiconductor wafer, a semiconductor chip, an electronic component including the semiconductor chip, and the electronic component. Electronic devices including, etc. may be mentioned. Among these, the adhesive sheet of this embodiment is suitable for processing semiconductor wafers.

본 실시형태의 점착 시트는, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층 이외의 층을 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 기재 및 점착제층 이외의 층으로는, 예를 들어, 기재와 점착제층 사이에 형성되는 중간층, 점착제층의 기재와는 반대측의 면에 형성되는 박리 시트 등을 들 수 있다.The adhesive sheet of this embodiment may or may not have layers other than the surface coat layer, buffer layer, base material, and adhesive layer. Layers other than the base material and the adhesive layer include, for example, an intermediate layer formed between the base material and the adhesive layer, a release sheet formed on the side of the adhesive layer opposite to the base material, and the like.

이하, 본 실시형태의 점착 시트를 구성하는 각 부재에 대해서 순서대로 설명한다.Hereinafter, each member constituting the adhesive sheet of this embodiment will be described in order.

<표면 코트층><Surface coat layer>

표면 코트층은, 완충층의 기재와는 반대의 면측에 형성되는 층으로서, 반도체 장치를 가공할 때, 지지 장치에 의해 고정되는 층이다.The surface coat layer is a layer formed on the side opposite to the base material of the buffer layer and is fixed by a support device when processing a semiconductor device.

(접촉각) (contact angle)

표면 코트층은, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각 (이하, 간단히「물 접촉각」이라고도 한다) 이, 85°이상이고, 연삭 부스러기를 포함하는 물이 부착되기 어려운 성질을 갖는다. 그 때문에, 본 실시형태의 점착 시트는 배면에 있어서의 연삭 부스러기의 부착량이 저감된 것으로, 배면에 부착된 연삭 부스러기에서 기인하는 워크의 파손을 억제할 수 있다.The surface coat layer has a static contact angle of water at 23°C (hereinafter simply referred to as “water contact angle”) of 85° or more, and has the property that water including grinding debris is difficult to adhere to. Therefore, the adhesive sheet of the present embodiment has a reduced amount of grinding debris adhering to the back surface, and can suppress damage to the work caused by grinding debris adhering to the back surface.

표면 코트층의 물 접촉각은, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 바람직하게는 90°이상, 보다 바람직하게는 93°이상, 더욱 바람직하게는 96°이상이다. 표면 코트층의 물 접촉각의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 제조 용이성 등의 관점에서, 예를 들어, 150°이하여도 되고, 100°이하여도 된다.The water contact angle of the surface coat layer is preferably 90° or higher, more preferably 93° or higher, and even more preferably 96° or higher from the viewpoint of further reducing the amount of adhesion of grinding chips. The upper limit of the water contact angle of the surface coat layer is not particularly limited, but may be, for example, 150° or less or 100° or less from the viewpoint of ease of manufacture.

또한, 표면 코트층의 물 접촉각은, JIS R 3257:1999 에 준거하여 측정되는 값으로, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정할 수 있다.In addition, the water contact angle of the surface coat layer is a value measured based on JIS R 3257:1999, and can be specifically measured by the method described in the Examples.

표면 코트층은, 물 접촉각이 85°이상인 것이면 특별히 제한은 없고, 무기층이어도 되고, 유기층이어도 되지만, 점착 시트의 생산성 및 취급성의 관점에서, 유기층인 것이 바람직하다.The surface coat layer is not particularly limited as long as it has a water contact angle of 85° or more, and may be an inorganic layer or an organic layer, but is preferably an organic layer from the viewpoint of productivity and handleability of the adhesive sheet.

유기층은, 수지 성분을 함유하는 층인 것이 바람직하고, 유기층이 함유하는 수지 성분으로는, 물 접촉각을 85°이상으로 조정하기 쉽다는 관점에서, 열가소성 수지가 바람직하고, 폴리올레핀계 수지가 보다 바람직하다.The organic layer is preferably a layer containing a resin component, and the resin component contained in the organic layer is preferably a thermoplastic resin and more preferably a polyolefin resin from the viewpoint of easy adjustment of the water contact angle to 85° or more.

(수지 성분의 헤테로 원자 함유량) (Hetero atom content of resin components)

유기층에 함유되는 수지 성분 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 7 질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 4 질량%, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 1 질량% 이다.The content of hetero atoms in the resin component contained in the organic layer is not particularly limited, but is preferably 7% by mass or less, more preferably 0.2 to 4% by mass, and even more preferably 0.5 to 1% by mass.

수지 성분 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량이, 상기 상한값 이하이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다. 또, 수지 성분 중에 있어서의 헤테로 원자의 함유량이, 상기 하한값 이상이면, 수지 성분의 용매 용해성이 향상되어, 수지 성분의 도포에 의한 표면 코트층의 형성이 용이해지는 경향이 있다.If the heteroatom content in the resin component is below the above upper limit, the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced. Moreover, if the heteroatom content in the resin component is more than the above lower limit, the solvent solubility of the resin component improves, and the formation of a surface coat layer by application of the resin component tends to become easy.

또한, 본 명세서 중,「헤테로 원자」란, 탄소 원자 및 수소 원자 이외의 모든 원자를 의미한다.In addition, in this specification, “hetero atom” means all atoms other than carbon atoms and hydrogen atoms.

(수지 성분의 용매 용해성) (Solvent solubility of resin components)

유기층이 함유하는 수지 성분은, 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 유기 용매에 대해 용해성을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 수지 성분은, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대하여, 1 질량% 이상 용해되는 것이 바람직하고, 5 질량% 이상 용해되는 것이 보다 바람직하고, 8 질량% 이상 용해되는 것이 더욱 바람직하다.The resin component contained in the organic layer preferably has solubility in an organic solvent from the viewpoint of facilitating the formation of a surface coat layer by application. Specifically, at 23°C, the resin component is preferably dissolved in toluene in an amount of 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, and even more preferably 8% by mass or more.

이하, 수지 성분으로서, 폴리올레핀계 수지를 함유하는 표면 코트층의 바람직한 양태에 대해 상세히 서술한다.Hereinafter, preferred embodiments of the surface coat layer containing polyolefin resin as the resin component will be described in detail.

(폴리올레핀계 수지)(polyolefin resin)

표면 코트층이 함유하는 폴리올레핀계 수지는, 적어도 올레핀을 포함하는 단량체를 중합하여 이루어지는 수지이다.The polyolefin-based resin contained in the surface coat layer is a resin formed by polymerizing a monomer containing at least olefin.

여기서, 본 실시형태에 있어서의「폴리올레핀계 수지」란, 올레핀을 단독 중합시켜 이루어지는 수지, 또는 올레핀을 올레핀 이외의 모노머와 공중합시켜 이루어지는 수지로서, 올레핀에서 유래하는 구성 단위를 50 질량% 이상 함유하는 수지 중 어느 것을 의미한다.Here, the “polyolefin-based resin” in this embodiment is a resin formed by homopolymerizing olefin, or a resin formed by copolymerizing olefin with a monomer other than olefin, and contains 50% by mass or more of structural units derived from olefin. Which of the resins does it mean?

또한, 본 실시형태에 있어서의「올레핀」이란, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 불포화 탄화수소를 의미하고, 헤테로 원자를 함유하는 화합물은, 본 실시형태에 있어서의「올레핀」에는 포함시키지 않는 것으로 한다.In addition, “olefin” in this embodiment means an unsaturated hydrocarbon having an ethylenically unsaturated bond, and compounds containing heteroatoms are not included in “olefin” in this embodiment.

또한, 본 실시형태에 있어서의「에틸렌성 불포화 결합」이란, 부가 반응이 가능한 탄소-탄소 이중 결합을 의미하고, 방향고리의 이중 결합은 포함하지 않는 것으로 한다.In addition, the “ethylenically unsaturated bond” in this embodiment means a carbon-carbon double bond capable of addition reaction, and does not include a double bond in an aromatic ring.

또한, 이하의 설명에 있어서, 에틸렌성 불포화 결합을 함유하는 기를, 간단히「불포화기」라고 부르는 경우가 있다.In addition, in the following description, a group containing an ethylenically unsaturated bond may simply be referred to as an “unsaturated group.”

폴리올레핀계 수지는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Polyolefin resin may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

폴리올레핀계 수지 중에 있어서의, 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70 질량% 이상, 보다 바람직하게는 90 질량% 이상, 더욱 바람직하게는 95 질량% 이상이다. 폴리올레핀계 수지 중의 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 하한값 이상이면, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.The content of the structural unit derived from olefin in the polyolefin resin is not particularly limited, but is preferably 70% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and even more preferably 95% by mass or more. If the content of the structural unit derived from olefin in the polyolefin resin is more than the above lower limit, the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced.

또한, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의, 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량은, 100 질량% 여도 되지만, 바람직하게는 99.5 질량% 이하, 보다 바람직하게는 99 질량% 이하이다. 폴리올레핀계 수지 중의 올레핀에서 유래하는 구성 단위의 함유량이 상기 상한값 이하이면, 용매 용해성 등의 개선을 목적으로 한 올레핀 이외의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유시킬 수 있고, 도포에 의한 표면 코트층의 형성이 용이해지는 경향이 있다.In addition, the content of the structural unit derived from olefin in the polyolefin resin may be 100% by mass, but is preferably 99.5% by mass or less, and more preferably 99% by mass or less. If the content of the structural unit derived from olefin in the polyolefin resin is below the above upper limit, structural units derived from monomers other than olefin can be contained for the purpose of improving solvent solubility, etc., and formation of a surface coat layer by application. This tends to become easier.

폴리올레핀계 수지를 구성하는 올레핀으로는, 예를 들면, 사슬형 올레핀, 고리형 올레핀, 방향족 비닐 화합물 등을 들 수 있다.Examples of olefins constituting the polyolefin resin include chain olefins, cyclic olefins, and aromatic vinyl compounds.

폴리올레핀계 수지를 구성하는 올레핀은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The olefins constituting the polyolefin-based resin may be used individually or in combination of two or more types.

사슬형 올레핀으로는, 예를 들면, 에틸렌, 프로필렌, 1-부텐, 1-펜텐, 1-헥센, 1-헵텐, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 2-메틸-1-프로펜, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 5-메틸-1-헥센 등의 사슬형 모노올레핀 ; 1,4-헥사디엔, 4-메틸-1,4-헥사디엔, 5-메틸-1,4-헥사디엔 등의 사슬형의 비공액 디엔 ; 1,3-부타디엔, 이소프렌, 1,3-펜타디엔, 2,3-디메틸-1,3-부타디엔, 2-페닐-1,3-부타디엔, 1,3-헥사디엔 등의 사슬형의 공액 디엔 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀이 바람직하고, 에틸렌, 프로필렌이 보다 바람직하다.Examples of chain olefins include ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 1-nonene, 1-decene, and 2-methyl-1-propene. , chain monoolefins such as 3-methyl-1-pentene, 4-methyl-1-pentene, and 5-methyl-1-hexene; Chain non-conjugated dienes such as 1,4-hexadiene, 4-methyl-1,4-hexadiene, and 5-methyl-1,4-hexadiene; Chain-type conjugated dienes such as 1,3-butadiene, isoprene, 1,3-pentadiene, 2,3-dimethyl-1,3-butadiene, 2-phenyl-1,3-butadiene, and 1,3-hexadiene ; etc. can be mentioned. Among these, chain olefins having 2 to 6 carbon atoms are preferable, and ethylene and propylene are more preferable.

고리형 올레핀으로는, 예를 들면, 시클로부텐, 시클로펜텐, 메틸시클로펜텐, 시클로헥센, 메틸시클로헥센, 시클로헵텐, 시클로옥텐 등의 고리형 모노올레핀 ; 시클로헥사디엔, 메틸시클로헥사디엔, 시클로옥타디엔, 메틸시클로옥타디엔, 페닐시클로옥타디엔 등의 고리형 디올레핀 ; 노르보르넨, 디시클로펜타디엔, 테트라시클로도데센, 에틸테트라시클로도데센, 에틸리덴테트라시클로도데센, 테트라시클로[7.4.0.110,13.02,7]트리데카-2,4,6,11-테트라엔 등의 다고리형 올레핀 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 테트라시클로도데센이 바람직하다.Examples of the cyclic olefin include cyclic monoolefins such as cyclobutene, cyclopentene, methylcyclopentene, cyclohexene, methylcyclohexene, cycloheptene, and cyclooctene; Cyclic diolefins such as cyclohexadiene, methylcyclohexadiene, cyclooctadiene, methylcyclooctadiene, and phenylcyclooctadiene; Norbornene, dicyclopentadiene, tetracyclododecene, ethyltetracyclododecene, ethylidenetetracyclododecene, tetracyclo[7.4.0.110,13.02,7]trideca-2,4,6,11-tetra Polycyclic olefins such as N; etc. can be mentioned. Among these, tetracyclododecene is preferable from the viewpoint of improving solvent solubility and facilitating the formation of a surface coat layer by application.

방향족 비닐 화합물로는, 예를 들면, 스티렌, o-메틸스티렌, m-메틸스티렌, p-메틸스티렌 등을 들 수 있다.Examples of aromatic vinyl compounds include styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, and p-methylstyrene.

올레핀과 공중합시켜도 되는 올레핀 이외의 모노머로는, 예를 들면, 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머, 질소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머 등을 들 수 있다.Examples of monomers other than olefins that may be copolymerized with olefins include monomers having an oxygen atom and an ethylenically unsaturated bond, monomers having a nitrogen atom and an ethylenically unsaturated bond, and the like.

올레핀 이외의 모노머는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Monomers other than olefin may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types.

산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로는, 예를 들면, 무수 말레산, 메틸 무수 말레산, 디메틸 무수 말레산, 페닐 무수 말레산, 디페닐 무수 말레산 등의 산 무수물 ; 말레산, 메틸말레산, 말레산디메틸, 말레산디에틸, 말레산디부틸, 말레산모노메틸 등의 말레산류 ; 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 시클로알킬기의 탄소수가 3 ∼ 20 인 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산 및 (메트)아크릴산에스테르 ; 아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 비닐에스테르 화합물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 산 무수물, 비닐에스테르 화합물이 바람직하고, 무수 말레산, 아세트산비닐이 보다 바람직하고, 무수 말레산이 더욱 바람직하다.Examples of the monomer having an oxygen atom and an ethylenically unsaturated bond include acid anhydrides such as maleic anhydride, methyl maleic anhydride, dimethyl maleic anhydride, phenyl maleic anhydride, and diphenyl maleic anhydride; Maleic acids such as maleic acid, methylmaleic acid, dimethyl maleate, diethyl maleate, dibutyl maleate, and monomethyl maleate; Methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, cycloalkyl (meth)acrylate with 3 to 20 carbon atoms in the cycloalkyl group, benzyl ( (meth)acrylic acid and (meth)acrylic acid ester, such as meth)acrylate and isobornyl (meth)acrylate; Vinyl ester compounds such as vinyl acetate and vinyl propionate; etc. can be mentioned. Among these, from the viewpoint of improving solvent solubility and facilitating the formation of a surface coating layer by application, acid anhydrides and vinyl ester compounds are preferable, maleic anhydride and vinyl acetate are more preferable, and maleic anhydride is still more preferable. .

질소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머로는, 예를 들면, 말레이미드 화합물 및 그의 유도체, 니트릴계 모노머 등을 들 수 있다.Examples of monomers having a nitrogen atom and an ethylenically unsaturated bond include maleimide compounds, derivatives thereof, and nitrile-based monomers.

말레이미드 화합물 및 그 유도체로는, 예를 들면, 말레이미드 ; N-메틸말레이미드, N-에틸말레이미드 등의 N-알킬 치환 말레이미드 ; N-페닐말레이미드 등의 N-아릴 치환 말레이미드 ; 등을 들 수 있다. 니트릴계 모노머로는, 예를 들면, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등을 들 수 있다.Examples of the maleimide compound and its derivatives include maleimide; N-alkyl substituted maleimide such as N-methylmaleimide and N-ethylmaleimide; N-aryl substituted maleimides such as N-phenylmaleimide; etc. can be mentioned. Examples of nitrile-based monomers include acrylonitrile and methacrylonitrile.

이상의 구성 단위 중에서도, 폴리올레핀계 수지는, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 탄소수 2 ∼ 6 의 사슬형 올레핀에서 유래하는 구성 단위 (이하,「사슬형 올레핀계 구성 단위 (A)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하고, 에틸렌에서 유래하는 구성 단위 및 프로필렌에서 유래하는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하다.Among the above structural units, the polyolefin resin is a structural unit derived from a chain olefin having 2 to 6 carbon atoms from the viewpoint of further reducing the amount of adhesion of grinding chips (hereinafter also referred to as “chain olefin structural unit (A)”). It is preferable to contain, and it is more preferable to contain at least one type selected from the group consisting of structural units derived from ethylene and structural units derived from propylene.

폴리올레핀계 수지는, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 상기 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 와 함께, 산소 원자 및 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 모노머에서 유래하는 구성 단위(이하,「산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.The polyolefin resin is derived from a monomer having an oxygen atom and an ethylenically unsaturated bond together with the chain olefin structural unit (A) from the viewpoint of improving solvent solubility and facilitating the formation of a surface coat layer by application. It is preferable to contain the structural unit (hereinafter also referred to as “structural unit (B) containing an oxygen atom”).

폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 80 ∼ 99.5 질량%, 보다 바람직하게는 90 ∼ 99 질량%, 더욱 바람직하게는 95 ∼ 98.8 질량% 이다.When the polyolefin-based resin contains a chain olefin-based structural unit (A) and a structural unit (B) containing an oxygen atom, the content of the chain olefin-based structural unit (A) in the polyolefin-based resin is particularly limited. However, it is preferably 80 to 99.5 mass%, more preferably 90 to 99 mass%, and even more preferably 95 to 98.8 mass%.

폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.5 ∼ 20 질량%, 보다 바람직하게는 1 ∼ 10 질량%, 더욱 바람직하게는 1.2 ∼ 5 질량% 이다.When the polyolefin-based resin contains a chain olefin-based structural unit (A) and a structural unit (B) containing an oxygen atom, the content of the structural unit (B) containing an oxygen atom in the polyolefin-based resin is particularly Although it is not limited, it is preferably 0.5 to 20 mass%, more preferably 1 to 10 mass%, and even more preferably 1.2 to 5 mass%.

사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 산소 원자를 포함하는 구성 단위 (B) 의 함유량이 상기 범위이면, 양호한 용매 용해성이 얻어지면서, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.If the content of the chain olefin-based structural unit (A) and the structural unit (B) containing an oxygen atom is within the above range, good solvent solubility is obtained and the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced.

또한, 폴리올레핀계 수지는, 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 상기 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 와 함께, 고리형 올레핀에서 유래하는 구성 단위 (이하,「고리형 올레핀계 구성 단위 (C)」라고도 한다) 를 함유하는 것이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of improving solvent solubility and facilitating the formation of a surface coat layer by application, the polyolefin-based resin, together with the chain olefin-based structural unit (A), contains a structural unit derived from cyclic olefin (hereinafter referred to as , also referred to as “cyclic olefin-based structural unit (C)”), is preferably contained.

폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 90 질량%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 70 질량%, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 50 질량% 이다.When the polyolefin-based resin contains a chain olefin-based structural unit (A) and a cyclic olefin-based structural unit (C), the content of the chain olefin-based structural unit (A) in the polyolefin-based resin is not particularly limited. However, it is preferably 10 to 90 mass%, more preferably 20 to 70 mass%, and even more preferably 25 to 50 mass%.

폴리올레핀계 수지가, 사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 를 함유하는 경우, 폴리올레핀계 수지 중에 있어서의 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 90 질량%, 보다 바람직하게는 30 ∼ 80 질량%, 더욱 바람직하게는 50 ∼ 75 질량% 이다.When the polyolefin-based resin contains a chain olefin-based structural unit (A) and a cyclic olefin-based structural unit (C), the content of the cyclic olefin-based structural unit (C) in the polyolefin-based resin is not particularly limited. However, it is preferably 10 to 90 mass%, more preferably 30 to 80 mass%, and even more preferably 50 to 75 mass%.

사슬형 올레핀계 구성 단위 (A) 및 고리형 올레핀계 구성 단위 (C) 의 함유량이 상기 범위이면, 양호한 용매 용해성이 얻어지면서, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감할 수 있는 경향이 있다.If the content of the chain olefin-based structural unit (A) and the cyclic olefin-based structural unit (C) is within the above range, good solvent solubility is obtained and the amount of grinding debris adhesion tends to be further reduced.

폴리올레핀계 수지로는, 예를 들어, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부타디엔 등의 단독 중합체 ; 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 프로필렌-부텐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-테트라시클로도데센 공중합체 등의 2 원 공중합체 ; 에틸렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-무수 말레산-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-아세트산비닐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-프로필렌-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-프로필렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-프로필렌-(메트)아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 에틸렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체, 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 프로필렌-부텐-아세트산비닐 공중합체, 프로필렌-부텐-(메트)아크릴레이트 공중합체 등의 다원 중합체 ; 등을 들 수 있다.Examples of the polyolefin resin include homopolymers such as polyethylene, polypropylene, and polybutadiene; Ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-maleic anhydride copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylate copolymer, ethylene-tetracyclododecene copolymer, propylene-butene copolymer. Binary copolymers such as polymers, propylene-maleic anhydride copolymer, propylene-vinyl acetate copolymer, propylene-(meth)acrylate copolymer, and propylene-tetracyclododecene copolymer; Ethylene-maleic anhydride-vinyl acetate copolymer, ethylene-maleic anhydride-(meth)acrylate copolymer, ethylene-vinyl acetate-(meth)acrylate copolymer, propylene-maleic anhydride-vinyl acetate copolymer, propylene -Maleic anhydride-(meth)acrylate copolymer, propylene-vinyl acetate-(meth)acrylate copolymer, ethylene-propylene-maleic anhydride copolymer, ethylene-propylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-propylene-( Meth)acrylate copolymer, ethylene-butene-maleic anhydride copolymer, ethylene-butene-vinyl acetate copolymer, ethylene-butene-(meth)acrylate copolymer, propylene-butene-maleic anhydride copolymer, propylene- Multipolymers such as butene-vinyl acetate copolymer and propylene-butene-(meth)acrylate copolymer; etc. can be mentioned.

이들 중에서도, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감시킨다는 관점 및 용매 용해성을 향상시켜 도포에 의한 표면 코트층의 형성을 용이하게 한다는 관점에서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체가 바람직하고, 에틸렌-부텐-무수 말레산 공중합체가 보다 바람직하다.Among these, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-tetracyclododecene copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-tetracyclododecene copolymer, from the viewpoint of further reducing the amount of adhesion of grinding chips and improving solvent solubility to facilitate formation of a surface coat layer by application. Butene-maleic anhydride copolymer is preferred, and ethylene-butene-maleic anhydride copolymer is more preferred.

유기층이 수지 성분으로서 폴리올레핀계 수지를 함유하는 경우, 유기층은 폴리올레핀계 수지 이외의 수지를 함유하고 있어도 된다.When the organic layer contains a polyolefin-based resin as a resin component, the organic layer may contain a resin other than the polyolefin-based resin.

수지 성분 중에 있어서의 폴리올레핀계 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 바람직하게는 90 ∼ 100 질량%, 보다 바람직하게는 95 ∼ 100 질량%, 더욱 바람직하게는 98 ∼ 100 질량% 이다.The content of the polyolefin resin in the resin component is not particularly limited, but is preferably 90 to 100% by mass, more preferably 95 to 100% by mass, and further preferably 98% by mass, from the viewpoint of further reducing the amount of adhesion of grinding chips. It is ~100% by mass.

(그 밖의 성분) (Other ingredients)

유기층은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 수지 성분 이외의 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 방청제, 안료, 염료 등의 첨가제 ; 등을 들 수 있다.The organic layer may contain components other than the resin component within a range that does not impair the effect of the present invention. Other components include, for example, additives such as antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust preventives, pigments, and dyes; etc. can be mentioned.

유기층의 총량에 대한 수지 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 연삭 부스러기 부착량을 보다 저감한다는 관점에서, 바람직하게는 90 ∼ 100 질량%, 보다 바람직하게는 95 ∼ 100 질량%, 더욱 바람직하게는 98 ∼ 100 질량% 이다.The content of the resin component relative to the total amount of the organic layer is not particularly limited, but is preferably 90 to 100% by mass, more preferably 95 to 100% by mass, and still more preferably 98 to 98% by mass, from the viewpoint of further reducing the amount of adhesion of grinding debris. It is 100% by mass.

표면 코트층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 7 ㎛, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 4 ㎛ 이다.The thickness of the surface coat layer is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 10 μm, more preferably 0.2 to 7 μm, and still more preferably 1 to 4 μm.

표면 코트층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 균일한 층 형성이 가능해져, 연삭 부스러기 부착량을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다. 또, 표면 코트층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 척 테이블 상의 이물질 등의 요철을 흡수한다는 완충층의 효과가 얻어지기 쉬워지는 경향이 있다.If the thickness of the surface coat layer is more than the above lower limit, uniform layer formation becomes possible and the amount of grinding debris adhesion tends to be sufficiently reduced. Moreover, if the thickness of the surface coat layer is below the above upper limit, the effect of the buffer layer of absorbing irregularities such as foreign matter on the chuck table tends to be easily obtained.

<완충층><Buffer layer>

완충층은, 기재와 표면 코트층 사이에 형성되는 층으로, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하여, 워크에 크랙이 발생하는 것을 방지하는 역할을 담당하는 층이다. 나아가서는, 완충층을 형성함으로써, 지지 장치의 테이블 상에 존재하는 이물질 등의 요철을 흡수하여, 지지 장치에 의한 점착 시트의 유지성을 향상시킬 수도 있다.The buffer layer is a layer formed between the base material and the surface coating layer, and is a layer that absorbs vibration and shock generated during back side grinding and prevents cracks from occurring in the workpiece. Furthermore, by forming a buffer layer, it is possible to absorb irregularities such as foreign matter existing on the table of the support device and improve the retention of the adhesive sheet by the support device.

(완충층 형성용 조성물)(Composition for forming a buffer layer)

완충층은, 완충층 형성용 조성물로 형성할 수 있다.The buffer layer can be formed from a composition for forming a buffer layer.

완충층은, 완충층에 적절한 물성을 얻는다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물을 에너지선 경화시킨 층인 것이 바람직하다.From the viewpoint of obtaining appropriate physical properties for the buffer layer, the buffer layer is preferably a layer obtained by energy-ray curing a composition for forming a buffer layer containing an energy-ray polymerizable compound.

완충층 형성용 조성물은, 에너지선 중합성 화합물로서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유하는 것이 바람직하다. 완충층 형성용 조성물이 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 을 함유함으로써, 완충층의 저장 탄성률 등을 양호한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.The composition for forming a buffer layer preferably contains urethane (meth)acrylate (a1) as an energy ray polymerizable compound. When the composition for forming a buffer layer contains urethane (meth)acrylate (a1), the storage modulus of the buffer layer tends to be adjusted to a good range.

또한, 완충층 형성용 조성물은, 동일한 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 것이 보다 바람직하고, 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 에 추가하여, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 및 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유하는 것이 더욱 바람직하다.Additionally, from the same viewpoint, the composition for forming a buffer layer includes, in addition to urethane (meth)acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and a functional group. It is more preferable to contain at least one selected from the group consisting of polymerizable compounds (a3), and in addition to urethane (meth)acrylate (a1), an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms is added. It is more preferable to contain a polymerizable compound (a2) having a polymerizable compound (a2) and a polymerizable compound (a3) having a functional group.

〔우레탄(메트)아크릴레이트 (a1)〕[Urethane (meth)acrylate (a1)]

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, (메트)아크릴로일기 및 우레탄 결합을 갖는 화합물이고, 에너지선 조사에 의해 중합하는 성질을 갖는 것이다.Urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of polymerizing by energy ray irradiation.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Urethane (meth)acrylate (a1) may be used individually or in combination of two or more types.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 ∼ 100,000, 보다 바람직하게는 2,000 ∼ 60,000, 더욱 바람직하게는 3,000 ∼ 20,000 이다.The mass average molecular weight (Mw) of urethane (meth)acrylate (a1) is not particularly limited, but is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, and still more preferably 3,000 to 20,000.

또한, 본 실시형태에 있어서, 질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 법으로 측정되는 표준 폴리스티렌 환산의 값을 의미하고, 구체적으로는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값이다.In addition, in this embodiment, the mass average molecular weight (Mw) means the standard polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method, and specifically, the value measured by the method described in the Examples. am.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 ∼ 4 개, 보다 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 더욱 바람직하게는 1 개 또는 2 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that urethane (meth)acrylate (a1) has in one molecule is not particularly limited, but is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1. There are one or two.

우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 은, 예를 들어, 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있다.Urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained, for example, by reacting (meth)acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyhydric isocyanate compound.

폴리올 화합물로는, 하이드록시기를 2 개 이상 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.The polyol compound is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.

폴리올 화합물의 구체예로는, 알킬렌디올, 폴리에테르형 폴리올, 폴리에스테르형 폴리올, 폴리카보네이트형 폴리올 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르형 폴리올이 바람직하다.Specific examples of polyol compounds include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Among these, polyester type polyol is preferable.

폴리올 화합물은, 2 관능의 디올, 3 관능의 트리올, 4 관능 이상의 폴리올 중 어느 것이어도 되지만, 2 관능의 디올이 바람직하고, 폴리에스테르형 디올이 보다 바람직하다.The polyol compound may be any of a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher functional polyol, but a bifunctional diol is preferable and a polyester type diol is more preferable.

폴리올 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A polyol compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

다가 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어, 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리이소시아네이트류 ; 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 ; 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 톨릴렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 톨리딘디이소시아네이트, 테트라메틸렌자일릴렌디이소시아네이트, 나프탈렌-1,5-디이소시아네이트 등의 방향족계 디이소시아네이트류 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 이소포론디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트가 바람직하다.Examples of the polyvalent isocyanate compound include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic products such as isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, ω,ω'-diisocyanate and dimethylcyclohexane. Diisocyanates; aromatic diisocyanates such as 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, and naphthalene-1,5-diisocyanate; etc. can be mentioned. Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferable.

다가 이소시아네이트 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A polyhydric isocyanate compound may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 반응시키는 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 적어도 1 분자 중에 하이드록시기 및 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다.The (meth)acrylate having a hydroxy group to be reacted with the terminal isocyanate urethane prepolymer is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.

하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시시클로헥실(메트)아크릴레이트, 5-하이드록시시클로옥틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페닐옥시프로필(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; N-메틸올(메트)아크릴아미드 등의 하이드록시기 함유 (메트)아크릴아미드 ; 비닐알코올, 비닐페놀, 비스페놀 A 의 디글리시딜에스테르에 (메트)아크릴산을 반응시켜 얻어지는 반응물 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of (meth)acrylates having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4 -Hydroxycyclohexyl (meth)acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as glycol mono(meth)acrylate and polypropylene glycol mono(meth)acrylate; Hydroxyl group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide; Reactants obtained by reacting vinyl alcohol, vinyl phenol, and diglycidyl ester of bisphenol A with (meth)acrylic acid; etc. can be mentioned. Among these, hydroxyalkyl (meth)acrylate is preferable and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferable.

하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.(meth)acrylates having a hydroxy group may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머와 하이드록시기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 반응시키는 조건은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 필요에 따라 첨가되는 용제, 촉매 등의 존재하, 60 ∼ 100 ℃ 에서 1 ∼ 4 시간 반응시키는 조건으로 할 수 있다.The conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer with the (meth)acrylate having a hydroxy group are not particularly limited, but for example, 1 to 4 hours at 60 to 100°C in the presence of solvents, catalysts, etc. added as necessary. This can be done under reaction conditions.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 우레탄(메트)아크릴레이트 (a1) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량% 이다.The content of urethane (meth)acrylate (a1) in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 70% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. , more preferably 20 to 60 mass%, and even more preferably 30 to 50 mass%.

또한, 본 실시형태에 있어서, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분이란, 완충층 형성용 조성물 중에 함유되는 성분으로부터, 완충층을 형성하는 과정에서 제거되는 유기 용매 등의 성분을 제외한 성분을 의미한다.In addition, in this embodiment, the active ingredient of the composition for forming a buffer layer means a component contained in the composition for forming a buffer layer excluding components such as organic solvents removed in the process of forming the buffer layer.

〔고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)〕[Polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms]

완충층 형성용 조성물이, 고리 형성 원자수 6 ∼ 20 의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) (이하,「지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2)」라고도 한다) 를 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 성막성이 향상되는 경향이 있다.The composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms (hereinafter also referred to as “polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group”). By doing so, the film forming properties of the composition for forming a buffer layer tend to improve.

또한, 고리 형성 원자수란, 원자가 고리형으로 결합한 구조의 화합물의 당해 고리 자체를 구성하는 원자의 수를 나타내고, 고리를 구성하지 않는 원자 (예를 들어, 고리를 구성하는 원자에 결합한 수소 원자), 및 당해 고리가 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 고리 형성 원자수에는 포함하지 않는다. 복소고리기의 고리 구조를 형성하는 원자로는, 예를 들어, 탄소 원자, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.In addition, the number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound with a structure in which atoms are bonded in a ring, and refers to the number of atoms that do not constitute a ring (for example, a hydrogen atom bonded to an atom that constitutes a ring). , and when the ring is substituted by a substituent, the atoms included in the substituent are not included in the number of ring forming atoms. Examples of atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include carbon atoms, nitrogen atoms, oxygen atoms, and sulfur atoms.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group may be used individually or in combination of two or more types.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 는, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group is preferably a compound having a (meth)acryloyl group.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group has in one molecule is not particularly limited, but is preferably one or more, more preferably one or two, and further. Preferably one.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 가 갖는 지환기 또는 복소고리기의 고리 형성 원자수는, 6 ∼ 20 이며, 바람직하게는 6 ∼ 18, 보다 바람직하게는 6 ∼ 16, 더욱 바람직하게는 7 ∼ 12 이다.The number of ring forming atoms of the alicyclic group or heterocyclic group of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group is 6 to 20, preferably 6 to 18, more preferably 6 to 16, even more preferably. The average number is 7 to 12.

지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 로는, 예를 들어, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 아다만탄(메트)아크릴레이트 등의 지환기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 모르폴린(메트)아크릴레이트 등의 복소고리기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 지환기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 이소보르닐(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, and dicyclophene. Alicyclic group-containing (meth)acrylates such as thenyloxy (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, and adamantane (meth)acrylate; Heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate and morpholine (meth)acrylate; etc. can be mentioned. Among these, alicyclic group-containing (meth)acrylate is preferable, and isobornyl (meth)acrylate is more preferable.

완충층 형성용 조성물 중의 지환기 또는 복소고리기를 갖는 중합성 화합물 (a2) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 10 ∼ 70 질량%, 보다 바람직하게는 20 ∼ 60 질량%, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 50 질량% 이다.The content of the polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or a heterocyclic group in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 70% based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. It is % by mass, more preferably 20 to 60 % by mass, and even more preferably 30 to 50 % by mass.

〔관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3)〕[Polymerizable compound having a functional group (a3)]

완충층 형성용 조성물이 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 을 함유함으로써, 완충층 형성용 조성물의 점도를 적당한 범위로 조정할 수 있는 경향이 있다.When the composition for forming a buffer layer contains a polymerizable compound (a3) having a functional group, the viscosity of the composition for forming a buffer layer tends to be adjusted to an appropriate range.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The polymerizable compound (a3) having a functional group may be used individually or in combination of two or more types.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 갖는 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group possessed by the polymerizable compound (a3) having a functional group include a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, and an amino group.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 관능기의 수는, 1 개 이상이며, 바람직하게는 1 ∼ 3 개, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of functional groups in one molecule of the polymerizable compound (a3) having a functional group is 1 or more, preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2, and still more preferably 1.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 은, 관능기와 함께 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.The polymerizable compound (a3) having a functional group is preferably a compound having a (meth)acryloyl group together with the functional group.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 이 1 분자 중에 갖는 (메트)아크릴로일기의 수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 개 이상, 보다 바람직하게는 1 개 또는 2 개, 더욱 바람직하게는 1 개이다.The number of (meth)acryloyl groups that the polymerizable compound (a3) having a functional group has in one molecule is not particularly limited, but is preferably 1 or more, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1. It's a dog.

관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 으로는, 예를 들어, 수산기 함유 중합성 화합물, 에폭시기 함유 중합성 화합물, 아미드기 함유 중합성 화합물, 아미노기 함유 중합성 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the polymerizable compound (a3) having a functional group include a hydroxyl group-containing polymerizable compound, an epoxy group-containing polymerizable compound, an amide group-containing polymerizable compound, and an amino group-containing polymerizable compound.

수산기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 하이드록시에틸비닐에테르, 하이드록시부틸비닐에테르 등의 비닐에테르 화합물 ; 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing polymerizable compounds include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl. Contains hydroxyl groups such as (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate (meth) Acrylate; Vinyl ether compounds such as hydroxyethyl vinyl ether and hydroxybutyl vinyl ether; etc. can be mentioned.

에폭시기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜(메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy group-containing polymerizable compound include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, and allyl glycidyl ether.

아미드기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-비닐포름아미드 등을 들 수 있다.Examples of polymerizable compounds containing an amide group include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N -Methylolpropane (meth)acrylamide, N-methoxymethyl (meth)acrylamide, N-butoxymethyl (meth)acrylamide, N-vinylformamide, etc.

아미노기 함유 중합성 화합물로는, 예를 들어, 제 1 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 2 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트, 제 3 급 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the amino group-containing polymerizable compound include amino group-containing compounds such as primary amino group-containing (meth)acrylate, secondary amino group-containing (meth)acrylate, and tertiary amino group-containing (meth)acrylate. ) Acrylates, etc. can be mentioned.

이들 중에서도, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 바람직하고, 2-하이드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 방향고리를 갖는 수산기 함유 (메트)아크릴레이트가 보다 바람직하다.Among these, hydroxyl group-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl group-containing (meth)acrylates having an aromatic ring, such as 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, are more preferable.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 관능기를 갖는 중합성 화합물 (a3) 의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 5 ∼ 40 질량%, 보다 바람직하게는 10 ∼ 30 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량% 이다.The content of the polymerizable compound (a3) having a functional group in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 40% by mass relative to the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. , more preferably 10 to 30 mass%, and even more preferably 15 to 25 mass%.

〔그 밖의 중합성 화합물〕[Other polymerizable compounds]

완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, (a1) ∼ (a3) 성분 이외의 그 밖의 중합성 화합물을 함유하고 있어도 된다.The composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds other than components (a1) to (a3) within a range that does not impair the effect of the present invention.

그 밖의 중합성 화합물로는, 예를 들면, 탄소수 1 ∼ 20 의 알킬기를 갖는 알킬(메트)아크릴레이트 ; 스티렌, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등의 비닐 화합물 ; 등을 들 수 있다.Other polymerizable compounds include, for example, alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; Vinyl compounds such as styrene, N-vinylpyrrolidone, and N-vinylcaprolactam; etc. can be mentioned.

그 밖의 중합성 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.Other polymerizable compounds may be used individually or in combination of two or more types.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 그 밖의 중합성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량%, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량%, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량% 이다.The content of other polymerizable compounds in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. is 0 to 10 mass%, more preferably 0 to 2 mass%.

〔광중합 개시제〕[Photopolymerization initiator]

에너지선 중합성 화합물을 함유하는 완충층 형성용 조성물은, 에너지선 조사에 의한 중합 시간 및 에너지선 조사량을 저감시킨다는 관점에서, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.The composition for forming a buffer layer containing an energy ray polymerizable compound preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of reducing the polymerization time and energy ray irradiation amount by energy ray irradiation.

광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The photopolymerization initiator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤이 바람직하다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. Can be, more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethyl Benzoyl) phenylphosphine oxide, etc. are mentioned. Among these, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone is preferable.

완충층 형성용 조성물 중에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 에너지선 중합성 화합물의 합계량 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.05 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 더욱 바람직하게는 0.3 ∼ 5 질량부이다.The content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 15 parts per 100 parts by mass of the total amount of the energy ray polymerizable compound from the viewpoint of making the energy ray curing reaction proceed homogeneously and sufficiently. Parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and still more preferably 0.3 to 5 parts by mass.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

완충층 형성용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는, 예를 들어, 상기한 수지 이외의 수지 성분 ; 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 방청제, 안료, 염료 등의 첨가제 ; 등을 들 수 있다.The composition for forming a buffer layer may contain other components as long as they do not impair the effects of the present invention. Other components include, for example, resin components other than the above resins; Additives such as antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes; etc. can be mentioned.

완충층 형성용 조성물 중의 그 밖의 수지 성분의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 20 질량%, 보다 바람직하게는 0 ∼ 10 질량%, 더욱 바람직하게는 0 ∼ 2 질량% 이다.The content of other resin components in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer. It is 10 mass %, more preferably 0 to 2 mass %.

완충층 형성용 조성물 중의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 각각에 대해, 완충층 형성용 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 6 질량%, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 5 질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량% 이다.The content of other additives in the composition for forming a buffer layer is not particularly limited, but is preferably 0 to 6% by mass, more preferably 0 to 6% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the composition for forming a buffer layer for each. is 0.01 to 5 mass%, more preferably 0.1 to 3 mass%.

(완충층의 영률)(Young’s modulus of buffer layer)

완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 기재의 23 ℃ 에 있어서의 영률보다 작고, 구체적으로는, 바람직하게는 1,200 ㎫ 미만, 보다 바람직하게는 900 ㎫ 이하이다. 또, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, 바람직하게는 50 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 100 ㎫ 이상이다.The Young's modulus of the buffer layer at 23°C is smaller than the Young's modulus of the base material at 23°C, and specifically, it is preferably less than 1,200 MPa, more preferably 900 MPa or less. Moreover, the Young's modulus of the buffer layer at 23°C is preferably 50 MPa or more, and more preferably 100 MPa or more.

완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 상한값 이하이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 향상되는 경향이 있다. 또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.If the Young's modulus at 23°C of the buffer layer is below the above upper limit, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during back surface grinding and the retention of the adhesive sheet tend to improve. Additionally, if the Young's modulus at 23°C of the buffer layer is equal to or greater than the above lower limit, there is a tendency to suppress excessive deformation of the buffer layer when processing a workpiece.

또한, 완충층의 23 ℃ 에 있어서의 영률은, JIS K 7127:1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건으로 측정할 수 있다.In addition, the Young's modulus at 23°C of the buffer layer can be measured under the conditions of a test speed of 200 mm/min in accordance with JIS K 7127:1999.

(완충층의 응력 완화율)(Stress relaxation rate of buffer layer)

완충층의 응력 완화율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 70 ∼ 100 %, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 %, 더욱 바람직하게는 78 ∼ 98 % 이다.The stress relaxation rate of the buffer layer is not particularly limited, but is preferably 70 to 100%, more preferably 75 to 100%, and still more preferably 78 to 98%.

완충층의 응력 완화율이 상기 범위이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다.If the stress relaxation rate of the buffer layer is within the above range, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during backside grinding and the retention of the adhesive sheet tend to increase.

완충층의 응력 완화율은, 두께 200 ㎛ 의 완충층을 15 mm × 140 mm 로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 그 시험편의 양단 20 mm 를 잡고, 200 mm/분으로 10 % 신장시켰을 때의 응력 A (N/㎡), 및 신장 정지로부터 1 분 후의 응력 B (N/㎡) 의 값을 사용하여, 하기 식으로부터 구할 수 있다.The stress relaxation rate of the buffer layer is the stress A (N/ m2), and the stress B (N/m2) 1 minute after the stoppage of elongation.

응력 완화율 (%) = 100 × (A-B)/A (%)Stress relaxation rate (%) = 100 × (A-B)/A (%)

(완충층의 두께)(thickness of buffer layer)

완충층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 70 ㎛, 보다 바람직하게는 15 ∼ 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 40 ㎛ 이다.The thickness of the buffer layer is not particularly limited, but is preferably 10 to 70 μm, more preferably 15 to 50 μm, and even more preferably 20 to 40 μm.

완충층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 이면 연삭시에 생기는 진동, 충격 등을 흡수하는 효과 및 점착 시트의 유지성이 높아지는 경향이 있다. 또한, 완충층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 가공할 때에 완충층이 과도하게 변형되는 것을 억제할 수 있는 경향이 있다.If the thickness of the buffer layer is more than the above lower limit, the effect of absorbing vibration, shock, etc. generated during backside grinding and the retention of the adhesive sheet tend to increase. Additionally, if the thickness of the buffer layer is below the above upper limit, excessive deformation of the buffer layer when processing the workpiece tends to be suppressed.

<점착제층><Adhesive layer>

점착제층은, 기재의 완충층과는 반대의 면측에 형성되는 층으로, 워크에 첩부되는 층이다.The adhesive layer is a layer formed on the side opposite to the buffer layer of the substrate and is attached to the work.

점착제층은, 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 층인 것이 바람직하다. 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성됨으로써, 에너지선 경화 전에 있어서는 충분한 점착성에 의해 워크 표면을 양호하게 보호할 수 있고, 에너지선 경화 후에 있어서는 박리력이 저감되어, 워크로부터의 박리를 용이하게 할 수 있다.The adhesive layer is preferably a layer formed of an energy ray-curable adhesive. By forming the adhesive layer with an energy-ray curable adhesive, the work surface can be well protected by sufficient adhesiveness before energy-ray curing, and after energy-ray curing, peeling force is reduced, making peeling from the work easier. there is.

에너지선 경화성 점착제로는, 예를 들면, 하기 X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 등을 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable adhesive include the following adhesive compositions of type X, type Y, and type XY.

X 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하,「점착성 수지 I」이라고도 한다) 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물Type

Y 형의 점착제 조성물 : 비에너지선 경화성의 점착성 수지의 측사슬에 불포화기를 도입한 에너지선 경화성의 점착성 수지 (이하,「점착성 수지 II」라고도 한다) 를 함유하고, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 에너지선 경화성 점착제 조성물Y-type adhesive composition: Contains an energy-ray-curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “Adhesive Resin II”) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy-ray-curable adhesive resin, and an energy-ray-curable compound other than the adhesive resin. Energy radiation curable adhesive composition that does not contain

XY 형의 점착제 조성물 : 상기 에너지선 경화성의 점착성 수지 II 와, 점착성 수지 이외의 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 에너지선 경화성 점착제 조성물XY type adhesive composition: Energy ray curable adhesive composition containing the above energy ray curable adhesive resin II and an energy ray curable compound other than the adhesive resin.

이들 중에서도, 에너지선 경화성 점착제는, XY 형의 점착제 조성물인 것이 바람직하다. XY 형의 점착제 조성물을 사용함으로써, 경화 전에 있어서는 충분한 점착성을 갖는 한편, 경화 후에 있어서는 워크에 대한 박리력을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다.Among these, it is preferable that the energy ray curable adhesive is an XY type adhesive composition. By using an

점착제층을 형성하는 점착제는, 에너지선을 조사해도 경화되지 않는 비에너지선 경화성의 점착제로 형성되는 층이어도 된다.The adhesive forming the adhesive layer may be a layer formed of a non-energy ray curable adhesive that does not harden even when irradiated with energy rays.

비에너지선 경화성의 점착제로는, 예를 들면, 점착성 수지 I 을 함유하는 한편, 점착성 수지 II 및 에너지선 경화성 화합물을 함유하지 않는 것을 들 수 있다.Examples of non-energy ray curable adhesives include ones that contain adhesive resin I but do not contain adhesive resin II and energy ray curable compounds.

다음으로, 점착제층을 구성하는 각 성분에 대하여, 보다 상세하게 설명한다.Next, each component constituting the adhesive layer is explained in more detail.

이하의 설명에 있어서「점착성 수지」는, 점착성 수지 I 및 점착성 수지 II 의 일방 또는 양방을 가리키는 용어로서 사용한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 간단히「점착제 조성물」이라고 기재하는 경우, X 형의 점착제 조성물, Y 형의 점착제 조성물, XY 형의 점착제 조성물 및 이들 이외의 점착제 조성물도 포함하는 개념으로 한다.In the following description, “adhesive resin” is used as a term referring to one or both of adhesive resin I and adhesive resin II. In addition, in the following description, when simply referred to as “adhesive composition”, the concept includes the X-type adhesive composition, Y-type adhesive composition, XY-type adhesive composition, and adhesive compositions other than these.

점착성 수지로는, 예를 들어, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 고무계 수지, 실리콘계 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 아크릴계 수지가 바람직하다.Examples of the adhesive resin include acrylic resin, urethane resin, rubber resin, and silicone resin. Among these, acrylic resin is preferable.

(아크릴계 수지)(Acrylic resin)

아크릴계 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate.

알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 20 인 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the alkyl (meth)acrylate include alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 1 to 20 carbon atoms.

알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기는, 직사슬형이어도 되고, 분기형이어도 된다.The alkyl group contained in the alkyl (meth)acrylate may be linear or branched.

아크릴계 수지는, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of further improving the adhesive strength of the adhesive layer, the acrylic resin preferably contains a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms.

아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group contained in the acrylic resin has 4 or more carbon atoms may be used alone or in combination of two or more types.

알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트가 갖는 알킬기의 탄소수는, 바람직하게는 4 ∼ 12, 보다 바람직하게는 4 ∼ 8, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 6 이다.The carbon number of the alkyl group of the alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably 4 to 12, more preferably 4 to 8, and still more preferably 4 to 6.

알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, n-옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 부틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 부틸아크릴레이트가 보다 바람직하다.Examples of alkyl (meth)acrylates having an alkyl group having 4 or more carbon atoms include butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, and isooctyl (meth)acrylate. Acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate, etc. are mentioned. Among these, butyl (meth)acrylate is preferable and butyl acrylate is more preferable.

아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 점착제층의 점착력을 보다 향상시킨다는 관점에서, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 30 ∼ 90 질량%, 보다 바람직하게는 40 ∼ 80 질량%, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 60 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms, the content is preferably 30 to 30 in the acrylic resin from the viewpoint of further improving the adhesive strength of the adhesive layer. It is 90 mass%, more preferably 40 to 80 mass%, and further preferably 45 to 60 mass%.

아크릴계 수지는, 점착제층의 저장 탄성률 G' 및 점착 특성을 양호하게 한다는 관점에서, 알킬기의 탄소수가 4 이상인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위와 함께, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the storage modulus G' and adhesive properties of the adhesive layer, the acrylic resin is an alkyl resin having a carbon number of 1 to 3 in the alkyl group together with a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has a carbon number of 4 or more. It is preferable to contain structural units derived from (meth)acrylate.

아크릴계 수지에 함유되는 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from alkyl (meth)acrylate whose alkyl group contained in the acrylic resin has 1 to 3 carbon atoms may be used alone or in combination of two or more.

알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트로는, 예를 들어, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-프로필(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트가 바람직하고, 메틸(메트)아크릴레이트가 보다 바람직하고, 메틸메타크릴레이트가 더욱 바람직하다.Examples of alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 1 to 3 carbon atoms include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and n-propyl (meth)acrylate. Rates, etc. can be mentioned. Among these, methyl (meth)acrylate and ethyl (meth)acrylate are preferable, methyl (meth)acrylate is more preferable, and methyl methacrylate is still more preferable.

아크릴계 수지가, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 1 ∼ 35 질량%, 보다 바람직하게는 5 ∼ 30 질량%, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 25 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 1 to 3 carbon atoms, the content is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 5% by mass, in the acrylic resin. to 30 mass%, more preferably 15 to 25 mass%.

아크릴계 수지는, 추가로 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the acrylic resin further contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer.

아크릴계 수지가 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유함으로써, 가교제와 반응하는 가교 기점으로서의 관능기, 또는 불포화기 함유 화합물과 반응하여, 아크릴계 수지의 측사슬에 불포화기를 도입하는 것을 가능하게 하는 관능기를 도입할 수 있다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer, a functional group as a crosslinking origin that reacts with a crosslinking agent is introduced, or a functional group that reacts with an unsaturated group-containing compound and makes it possible to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic resin. can do.

아크릴계 수지에 함유되는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from the functional group-containing monomer contained in the acrylic resin may be one type or two or more types.

관능기 함유 모노머로는, 예를 들어, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.Examples of functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers. Among these, hydroxyl group-containing monomers and carboxyl group-containing monomers are preferable, and hydroxyl group-containing monomers are more preferable.

수산기 함유 모노머로는, 예를 들어, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록시알킬(메트)아크릴레이트 ; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 불포화 알코올 ; 등을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. ) Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol; etc. can be mentioned.

카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들어, (메트)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산 ; 푸마르산, 이타콘산, 말레산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산 및 그 무수물 ; 2-카르복시에틸메타크릴레이트 ; 등을 들 수 있다.Examples of the carboxyl group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids and anhydrides thereof such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; 2-carboxyethyl methacrylate; etc. can be mentioned.

아크릴계 수지가, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 수지 중, 바람직하게는 5 ∼ 45 질량%, 보다 바람직하게는 15 ∼ 40 질량%, 더욱 바람직하게는 25 ∼ 35 질량% 이다.When the acrylic resin contains a structural unit derived from a functional group-containing monomer, the content is not particularly limited, but is preferably 5 to 45% by mass, more preferably 15 to 40% by mass, in the acrylic resin. Typically, it is 25 to 35 mass%.

아크릴계 수지는, 상기한 구성 단위 이외에도, 아크릴계 모노머와 공중합 가능한 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하고 있어도 된다.In addition to the structural units described above, the acrylic resin may contain structural units derived from other monomers copolymerizable with the acrylic monomer.

아크릴계 수지에 함유되는 그 밖의 모노머에서 유래하는 구성 단위는, 1 종 단독 또는 2 종 이상이어도 된다.The structural units derived from other monomers contained in the acrylic resin may be used individually or in combination of two or more types.

그 밖의 모노머로는, 예를 들어, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔, 포름산비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.Other monomers include, for example, styrene, α-methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide.

아크릴계 수지는, 추가로 에너지선 경화성을 부여하기 위해서, 에너지선 중합성을 갖는 불포화기를 도입한 것이어도 된다.The acrylic resin may be one into which an unsaturated group having energy ray polymerizability has been introduced in order to further impart energy ray curability.

불포화기는, 예를 들어, 관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지의 관능기와, 그 관능기와 반응성을 갖는 반응성 치환기 및 불포화기를 갖는 화합물 (이하,「불포화기 함유 화합물」이라고도 한다) 의 반응성 치환기를 반응시키는 것에 의해 도입할 수 있다. 불포화기 함유 화합물은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The unsaturated group is, for example, a functional group of an acrylic resin containing a structural unit derived from a functional group-containing monomer, a reactive substituent reactive with the functional group, and a compound having an unsaturated group (hereinafter also referred to as “unsaturated group-containing compound”). A reactive substituent can be introduced by reacting it. The unsaturated group-containing compound may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

불포화기 함유 화합물이 갖는 불포화기로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, (메트)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the unsaturated group contained in the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyl group, vinyl group, and allyl group. Among these, (meth)acryloyl group is preferable.

불포화기 함유 화합물이 갖는 반응성 치환기로는, 예를 들어, 이소시아네이트기, 글리시딜기 등을 들 수 있다.Examples of the reactive substituent that the unsaturated group-containing compound has include an isocyanate group and glycidyl group.

불포화기 함유 화합물로는, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.

관능기 함유 모노머에서 유래하는 구성 단위를 함유하는 아크릴계 수지와 불포화기 함유 화합물을 반응시키는 경우, 아크릴계 수지 중의 관능기의 총수 중, 불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 60 ∼ 98 몰%, 보다 바람직하게는 70 ∼ 95 몰%, 더욱 바람직하게는 80 ∼ 93 몰% 이다.When reacting an acrylic resin containing a structural unit derived from a functional group-containing monomer with an unsaturated group-containing compound, the ratio of the functional group that reacts with the unsaturated group-containing compound out of the total number of functional groups in the acrylic resin is not particularly limited, but is preferably It is 60 to 98 mol%, more preferably 70 to 95 mol%, and even more preferably 80 to 93 mol%.

불포화기 함유 화합물과 반응하는 관능기의 비율이 상기 범위이면, 아크릴계 수지에 대하여 충분한 에너지선 경화성을 부여할 수 있음과 함께, 불포화기 함유 화합물과 반응하지 않은 관능기를 가교제와 반응시켜 아크릴계 수지를 가교시킬 수 있다.If the ratio of the functional group that reacts with the unsaturated group-containing compound is within the above range, sufficient energy radiation curability can be imparted to the acrylic resin, and the acrylic resin can be crosslinked by reacting the functional group that does not react with the unsaturated group-containing compound with a crosslinking agent. You can.

아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 만 ∼ 150 만, 보다 바람직하게는 35 만 ∼ 100 만, 더욱 바람직하게는 40 만 ∼ 60 만이다.The mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is not particularly limited, but is preferably 300,000 to 1.5 million, more preferably 350,000 to 1 million, and even more preferably 400,000 to 600,000.

아크릴계 수지의 질량 평균 분자량 (Mw) 이 상기 범위이면, 점착제층의 점착력 및 응집력이 보다 양호해지는 경향이 있다.When the mass average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is within the above range, the adhesive force and cohesive force of the adhesive layer tend to become better.

(에너지선 경화성 화합물)(Energy ray curable compound)

X 형 또는 XY 형의 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 경화성 화합물로는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.The energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type adhesive composition is preferably a monomer or oligomer that has an unsaturated group in the molecule and can be cured by energy ray irradiation.

에너지선 경화성 화합물로는, 예를 들어, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메트)아크릴레이트 등의 다가 (메트)아크릴레이트 모노머 ; 우레탄(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등의 올리고머 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 탄성률을 저하시키기 어렵다는 관점에서, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.Energy ray curable compounds include, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. , polyhydric (meth)acrylate monomers such as 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate and 1,6-hexanediol (meth)acrylate; Oligomers such as urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, and epoxy (meth)acrylate; etc. can be mentioned. Among these, urethane (meth)acrylate oligomer is preferable from the viewpoint of its relatively high molecular weight and difficulty in lowering the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.

에너지선 경화성 화합물의 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 100 ∼ 12,000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10,000, 더욱 바람직하게는 400 ∼ 8,000, 보다 더 바람직하게는 600 ∼ 6,000 이다. 또한, 에너지선 경화성 화합물이 올리고머인 경우, 상기 분자량은, 질량 평균 분자량 (Mw) 을 의미한다.The molecular weight of the energy ray curable compound is not particularly limited, but is preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, further preferably 400 to 8,000, and still more preferably 600 to 6,000. In addition, when the energy-ray curable compound is an oligomer, the molecular weight means mass average molecular weight (Mw).

X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 40 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 50 ∼ 150 질량부, 더욱 바람직하게는 60 ∼ 90 질량부이다.The content of the energy ray curable compound in the type is 60 to 90 parts by mass.

X 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다.If the content of the energy ray curable compound in the type

XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부, 보다 바람직하게는 2 ∼ 20 질량부, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 15 질량부이다.The content of the energy ray curable compound in the is 3 to 15 parts by mass.

XY 형의 점착제 조성물 중에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위이면, 에너지선 조사 전의 점착력과 에너지선 조사 후의 박리성의 밸런스가 양호해지는 경향이 있다. 또한, XY 형의 점착제 조성물은, 점착성 수지가 에너지선 경화성이기 때문에, 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 적어도, 에너지선 조사 후, 박리력을 충분히 저감할 수 있는 경향이 있다.If the content of the energy ray curable compound in the In addition, since the adhesive resin of the

(가교제)(Cross-linking agent)

점착제 조성물은, 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the adhesive composition further contains a crosslinking agent.

가교제는, 예를 들면, 점착성 수지가 갖는 관능기 함유 모노머에서 유래하는 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지끼리를 가교시키는 것이다.The crosslinking agent crosslinks the adhesive resins, for example, by reacting with a functional group derived from a functional group-containing monomer of the adhesive resin.

가교제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.A crosslinking agent may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

가교제로는, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이들의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제 ; 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제 ; 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제 ; 알루미늄킬레이트 등의 킬레이트계 가교제 ; 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 응집력을 높여 점착력을 보다 향상시킨다는 관점 및 입수 용이성의 관점에서, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; Chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate; etc. can be mentioned. Among these, an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoint of increasing cohesion and further improving adhesive strength and ease of availability.

점착제 조성물이 가교제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 가교 반응을 적당히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 4 질량부이다.When the adhesive composition contains a crosslinking agent, the content is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin, from the viewpoint of appropriately advancing the crosslinking reaction. Parts by mass, more preferably 0.05 to 4 parts by mass.

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

점착제가 에너지선 경화성 점착제인 경우, 점착제 조성물은, 추가로 광중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 점착제가 광중합 개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선이라도, 에너지선 경화성 점착제의 경화 반응이 충분히 진행되는 경향이 있다.When the adhesive is an energy-ray curable adhesive, it is preferable that the adhesive composition further contains a photopolymerization initiator. When the energy ray curable adhesive contains a photopolymerization initiator, the curing reaction of the energy ray curable adhesive tends to proceed sufficiently even with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays.

광중합 개시제는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The photopolymerization initiator may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

광중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물, 나아가서는, 아민, 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예를 들어, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, 8-클로로안트라퀴논, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있다.Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and further photosensitizers such as amines and quinones. Can be, more specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethyl Benzoyl) phenylphosphine oxide, etc. are mentioned.

에너지선 경화성 점착제가 광중합 개시제를 함유하는 경우, 그 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에너지선 경화 반응을 균질하면서 또한 충분히 진행시킨다는 관점에서, 점착성 수지 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 7 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 5 질량부이다.When the energy ray curable adhesive contains a photopolymerization initiator, the content is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the adhesive resin from the viewpoint of advancing the energy ray curing reaction homogeneously and sufficiently. , More preferably 0.03 to 7 parts by mass, Still more preferably 0.05 to 5 parts by mass.

(그 밖의 첨가제)(Other additives)

점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. 그 밖의 첨가제로는, 예를 들어, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제, 충전제, 녹 방지제, 안료, 염료 등을 들 수 있다.The adhesive composition may contain other additives as long as they do not impair the effects of the present invention. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners, fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc.

점착제 조성물 중의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 각각에 대해, 점착제 조성물의 유효 성분의 전체량 (100 질량%) 에 대하여, 바람직하게는 0 ∼ 6 질량%, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 5 질량%, 더욱 바람직하게는 0.1 ∼ 3 질량% 이다.The content of other additives in the adhesive composition is not particularly limited, but is preferably 0 to 6% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the active ingredients of the adhesive composition. % by mass, more preferably 0.1 to 3% by mass.

또한, 본 실시형태에 있어서, 점착제 조성물의 유효 성분이란, 점착제 조성물 중에 함유되는 성분으로부터, 점착제층을 형성하는 과정에서 제거되는 유기 용매 등의 성분을 제외한 성분을 의미한다.In addition, in this embodiment, the active ingredient of the adhesive composition means the component contained in the adhesive composition excluding components such as organic solvents removed in the process of forming the adhesive layer.

(유기 용매)(organic solvent)

점착제 조성물은, 기재, 박리 시트 등에 대한 도포성을 보다 향상시킨다는 관점에서, 유기 용매로 희석하여, 용액의 형태로 해도 된다.From the viewpoint of further improving applicability to substrates, release sheets, etc., the adhesive composition may be diluted with an organic solvent and may be in the form of a solution.

유기 용매로는, 예를 들어, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라하이드로푸란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다.Examples of organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol, etc.

유기 용매는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.Organic solvents may be used individually or in combination of two or more types.

유기 용매는, 점착성 수지의 합성시에 사용된 유기 용매를 그대로 사용해도 되고, 합성시에 사용된 유기 용매 이외의 1 종 이상의 유기 용매를 추가해도 된다.As the organic solvent, the organic solvent used during synthesis of the adhesive resin may be used as is, or one or more organic solvents other than the organic solvent used during synthesis may be added.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.05 ∼ 0.5 ㎫, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 0.4 ㎫, 더욱 바람직하게는 0.12 ∼ 0.3 ㎫ 이다.The storage modulus G' of the adhesive layer at 23°C is not particularly limited, but is preferably 0.05 to 0.5 MPa, more preferably 0.1 to 0.4 MPa, and still more preferably 0.12 to 0.3 MPa.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 상기 범위이면, 워크의 표면에 요철이 있는 경우에도, 요철 형상에 대한 추종성이 우수한 점착제층이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다.If the storage modulus G' of the adhesive layer at 23°C is in the above range, even when the surface of the work has irregularities, an adhesive layer with excellent followability to the uneven shape can be obtained, and the surface of the work can be maintained more favorably during processing. There is a tendency to protect.

또한, 점착제층의 저장 탄성률 G' 는, 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선 조사에 의한 경화 전의 저장 탄성률 G' 를 의미한다.In addition, the storage elastic modulus G' of the adhesive layer means the storage elastic modulus G' before curing by energy ray irradiation when the adhesive layer is formed of an energy ray curable adhesive.

점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 두께 3 mm 의 점착제층을 직경 8 mm 의 원형으로 잘라낸 것을 시험편으로 하여, 점탄성 측정 장치를 사용한 비틀림 전단법에 의해, 주파수 1 Hz, 측정 온도 23 ℃ 의 조건에서 측정할 수 있다.The storage elastic modulus G' of the adhesive layer at 23°C was measured by a torsional shear method using a viscoelasticity measuring device using a test piece cut from a 3 mm thick adhesive layer into a circle with a diameter of 8 mm, at a frequency of 1 Hz and at a measurement temperature. It can be measured under conditions of 23°C.

점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 80 ㎛, 더욱 바람직하게는 15 ∼ 60 ㎛ 이다.The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 80 μm, and still more preferably 15 to 60 μm.

점착제층의 두께가 상기 하한값 이상이면, 우수한 점착성이 얻어져, 가공시에 워크의 표면을 보다 양호하게 보호할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착제층의 두께가 상기 상한값 이하이면, 점착 시트의 절단시에 있어서의 테이프 부스러기의 발생이 억제되어, 워크의 파손을 보다 양호하게 방지할 수 있는 경향이 있다.If the thickness of the adhesive layer is more than the above lower limit, excellent adhesiveness is obtained and the surface of the workpiece tends to be better protected during processing. In addition, if the thickness of the adhesive layer is below the above upper limit, the generation of tape scraps when cutting the adhesive sheet is suppressed, and damage to the workpiece tends to be better prevented.

<기재><Description>

기재로는, 예를 들어, 각종 수지 필름을 들 수 있다. 수지 필름을 구성하는 수지로는, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE), 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 등의 폴리에틸렌 ; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 에틸렌-노르보르넨 공중합체, 노르보르넨 수지 등의 폴리올레핀 ; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체 ; 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 폴리염화비닐 ; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르 ; 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 불소 수지, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리술폰, 폴리에테르케톤, 아크릴계 중합체 ; 등을 들 수 있다.Examples of the base material include various resin films. Resins constituting the resin film include, for example, polyethylene such as low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), and high-density polyethylene (HDPE); Polyolefins such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, ethylene-norbornene copolymer, and norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, and ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer; Polyvinyl chloride, such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer; Polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and wholly aromatic polyester; Polyurethane, polyimide, polyamide, polycarbonate, fluororesin, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, acrylic polymer; etc. can be mentioned.

기재는, 이들 수지에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 수지로 이루어지는 수지 필름의 단층 필름이어도 되고, 이들 수지 필름을 2 종 이상 적층한 적층 필름이어도 된다. 또한, 상기 수지의 가교 필름, 아이오노머 필름 등의 변성 필름이어도 된다.The base material may be a single-layer film of a resin film made of one or two or more types of resins selected from these resins, or may be a laminated film in which two or more types of these resin films are laminated. Additionally, it may be a modified film such as a crosslinked film of the above resin or an ionomer film.

이들 수지 필름 중에서도, 기재는, 폴리에스테르 필름, 폴리아미드 필름, 폴리이미드 필름 및 2 축 연신 폴리프로필렌 필름에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하고, 폴리에스테르 필름이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 더욱 바람직하다.Among these resin films, the base material is preferably at least one selected from polyester film, polyamide film, polyimide film and biaxially oriented polypropylene film, more preferably polyester film, and even more preferably polyethylene terephthalate film. desirable.

기재의 영률은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1,000 ㎫ 이상, 보다 바람직하게는 1,800 ∼ 30,000 ㎫, 더욱 바람직하게는 2,500 ∼ 6,000 ㎫ 이다.The Young's modulus of the base material is not particularly limited, but is preferably 1,000 MPa or more, more preferably 1,800 to 30,000 MPa, and even more preferably 2,500 to 6,000 MPa.

기재의 영률이 상기 하한값 이상이면, 워크 가공시에 있어서의 진동 억제 효과가 보다 향상되는 경향이 있다. 또한, 기재의 영률이 상기 상한값 이하이면, 워크에 첩부할 때의 작업성, 및 워크로부터 박리할 때의 작업성이 양호해지는 경향이 있다.If the Young's modulus of the base material is more than the above lower limit, the vibration suppression effect during work processing tends to be further improved. Additionally, if the Young's modulus of the base material is below the above upper limit, workability when affixing to a work and workability when peeling from the work tend to be good.

또한, 기재의 영률은, JIS K 7127:1999 에 준거하여, 시험 속도 200 mm/분의 조건에서 측정할 수 있다.Additionally, the Young's modulus of the substrate can be measured under the conditions of a test speed of 200 mm/min in accordance with JIS K 7127:1999.

기재의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 30 ∼ 70 ㎛ 이다.The thickness of the base material is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 μm, more preferably 25 to 100 μm, and still more preferably 30 to 70 μm.

기재의 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착 시트의 지지체로서 기능하기 위한 충분한 강도가 얻어지는 경향이 있다. 또한, 기재의 두께가 상기 상한값 이하이면, 적당한 가요성이 얻어지고, 취급성이 향상되는 경향이 있다.If the thickness of the base material is equal to or greater than the above lower limit, sufficient strength to function as a support for the adhesive sheet tends to be obtained. Additionally, if the thickness of the base material is below the above upper limit, appropriate flexibility is obtained and handling properties tend to improve.

또한,「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 기재가 복수층으로 이루어지는 기재인 경우에는, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.In addition, “substrate thickness” means the thickness of the entire substrate, and when the substrate is a substrate composed of multiple layers, it means the total thickness of all layers constituting the substrate.

기재는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 가소제, 활제, 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 함유해도 된다.The base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet ray absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., within the range that does not impair the effect of the present invention.

기재는, 투명한 것이어도 되고, 불투명한 것이어도 되며, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 된다.The substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.

기재는, 다른 층과의 접착성을 향상시킨다는 관점에서, 적어도 일방의 면에 대하여, 코로나 처리 등의 표면 처리를 실시한 것이어도 되고, 접착성 향상을 목적으로 하는 코트층을 형성한 것이어도 된다.From the viewpoint of improving adhesion to other layers, the base material may be subjected to surface treatment such as corona treatment on at least one side, or may be formed with a coating layer for the purpose of improving adhesion.

<박리 시트><Release sheet>

본 실시형태의 점착 시트는, 점착제층의 표면 및 표면 코트층의 표면의 적어도 일방에 박리 시트가 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트는, 사용 전의 점착 시트의 표면에 박리 가능하게 첩부됨으로써 그 표면을 보호하고, 점착 시트를 사용할 때에는 박리되어 제거된다.The adhesive sheet of this embodiment may have a release sheet affixed to at least one of the surface of the adhesive layer and the surface of the surface coat layer. The release sheet is peelably attached to the surface of the adhesive sheet before use to protect the surface, and is peeled off and removed when the adhesive sheet is used.

박리 시트는, 편면 박리 처리된 박리 시트여도 되고, 양면 박리 처리된 박리 시트여도 된다.The peeling sheet may be a peeling sheet that has undergone a single-side peeling treatment, or may be a peeling sheet that has undergone a double-sided peeling treatment.

박리 시트로는, 박리 시트용 기재에 박리제를 도포한 박리 시트를 바람직하게 들 수 있다.As a release sheet, a release sheet obtained by applying a release agent to a base material for the release sheet is preferably used.

박리 시트용 기재로는, 수지 필름이 바람직하고, 그 수지 필름으로는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름 ; 폴리프로필렌 필름, 폴리에틸렌 필름 등의 폴리올레핀 필름 ; 등을 들 수 있다.As a base material for a release sheet, a resin film is preferable, and examples of the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, and polyethylene naphthalate film; Polyolefin films such as polypropylene film and polyethylene film; etc. can be mentioned.

박리제로는, 예를 들어, 실리콘계 수지, 올레핀계 수지, 이소프렌계 수지, 부타디엔계 수지 등의 고무계 엘라스토머 ; 장사슬 알킬계 수지, 알키드계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있다.Examples of the release agent include rubber-based elastomers such as silicone-based resin, olefin-based resin, isoprene-based resin, and butadiene-based resin; Long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, fluorine-based resins, etc. can be mentioned.

박리 시트의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 10 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 20 ∼ 50 ㎛ 이다.The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 5 to 200 μm, more preferably 10 to 100 μm, and still more preferably 20 to 50 μm.

본 실시형태의 점착 시트의 총 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 30 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 220 ㎛, 더욱 바람직하게는 45 ∼ 160 ㎛ 이다.The total thickness of the adhesive sheet of this embodiment is not particularly limited, but is preferably 30 to 300 μm, more preferably 40 to 220 μm, and still more preferably 45 to 160 μm.

점착 시트의 총 두께가 상기 하한값 이상이면, 점착제층의 점착 성능, 완충층의 충격 흡수 성능 등이 적절하게 유지되어, 반도체 가공용 점착 시트로서의 기능을 충분히 발휘할 수 있는 경향이 있다. 또한, 점착 시트의 총 두께가 상기 상한값 이하이면, 워크를 점착 시트로부터 박리할 때의 박리력을 작게 할 수 있는 경향이 있다.If the total thickness of the adhesive sheet is more than the above lower limit, the adhesive performance of the adhesive layer, the shock absorption performance of the buffer layer, etc. are maintained appropriately, and the function as an adhesive sheet for semiconductor processing tends to be sufficiently exhibited. Additionally, if the total thickness of the adhesive sheet is below the above upper limit, the peeling force when peeling the work from the adhesive sheet tends to be reduced.

또한, 본 실시형태에 있어서,「점착 시트의 총 두께」란, 점착 시트의 표면 코트층의 표면에서부터 점착제층의 표면까지의 두께를 의미하고, 박리 시트가 형성되는 경우, 박리 시트의 두께는 총 두께에 포함되지 않는다.In addition, in this embodiment, “total thickness of the adhesive sheet” means the thickness from the surface of the surface coat layer of the adhesive sheet to the surface of the adhesive layer, and when a release sheet is formed, the total thickness of the release sheet is Not included in thickness.

<점착 시트의 제조 방법><Manufacturing method of adhesive sheet>

본 실시형태의 점착 시트의 제조 방법으로는, 특별히 제한은 없으며, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다.There is no particular limitation on the manufacturing method of the adhesive sheet of this embodiment, and it can be manufactured by a known method.

본 실시형태의 점착 시트는, 예를 들어, 기재의 일방의 면측에 점착제층을 형성하는 공정 (이하,「점착제층 형성 공정」이라고도 한다), 기재의 타방의 면측에 완충층을 형성하는 공정 (이하,「완충층 형성 공정」이라고도 한다), 완충층의 기재와 반대의 면측에 표면 코트층을 형성하는 공정 (이하,「표면 코트층 형성 공정」이라고도 한다) 을 갖는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, 이들 공정의 순서는 특별히 한정되지 않고, 동시에 실시할 수 있는 경우에는, 동시에 실시해도 된다.The adhesive sheet of the present embodiment includes, for example, a step of forming an adhesive layer on one side of the substrate (hereinafter also referred to as “adhesive layer forming step”), and a step of forming a buffer layer on the other side of the substrate (hereinafter also referred to as “adhesive layer forming step”). , It can be manufactured by a method including a step of forming a surface coat layer on the side opposite to the base of the buffer layer (hereinafter also referred to as a "surface coat layer formation step"). Additionally, the order of these processes is not particularly limited, and if they can be performed simultaneously, they may be performed simultaneously.

점착제층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 점착제층을 기재의 표면에 첩합 (貼合) 하는 방법이어도 되고, 기재의 표면에, 점착제 조성물을 직접 도포함으로써 점착제층을 형성하는 방법이어도 된다.The adhesive layer forming step may be, for example, a method of bonding an adhesive layer formed on a release sheet to the surface of a substrate, or a method of forming the adhesive layer by directly applying an adhesive composition to the surface of the substrate. You can continue.

완충층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 완충층을 기재의 표면에 첩합하는 방법이어도 되고, 기재의 표면에 완충층 형성용 조성물을 직접 도포함으로써 완충층을 형성하는 방법이어도 된다.The buffer layer forming step may be, for example, a method of bonding a buffer layer formed on a release sheet to the surface of a substrate, or may be a method of forming a buffer layer by directly applying a composition for forming a buffer layer to the surface of the substrate.

표면 코트층 형성 공정은, 예를 들어, 박리 시트 상에 형성한 표면 코트층을 기재 상의 완충층의 표면에 첩합하는 방법이어도 되고, 기재 상의 완충층의 표면에, 표면 코트층용 도포액을 직접 도포하여 표면 코트층을 형성하는 방법이어도 된다.The surface coat layer forming step may be, for example, a method of bonding a surface coat layer formed on a release sheet to the surface of a buffer layer on a substrate, or by directly applying a coating liquid for a surface coat layer to the surface of the buffer layer on the substrate to form a surface coat layer. A method of forming a coat layer may be used.

또, 완충층 형성 공정 및 표면 코트층 형성 공정은, 박리 시트 상에 표면 코트층 및 완충층을 이 순서로 형성한 후, 완충층을 기재의 표면에 첩합하는 방법이어도 된다.Additionally, the buffer layer forming step and the surface coat layer forming step may be a method of forming a surface coat layer and a buffer layer in this order on a release sheet and then bonding the buffer layer to the surface of the substrate.

박리 시트 상에 점착제층, 완충층 또는 표면 코트층을 형성하는 방법으로는, 예를 들어, 박리 시트 상에, 점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층용 도포액을 공지된 방법에 의해 도포한 후, 필요에 따라, 에너지선 조사, 가열 건조 등을 실시하는 방법을 들 수 있다.A method of forming an adhesive layer, a buffer layer, or a surface coat layer on a release sheet includes, for example, applying an adhesive composition, a composition for forming a buffer layer, or a coating liquid for a surface coat layer on a release sheet by a known method. , and, if necessary, methods such as energy ray irradiation, heat drying, etc.

점착제 조성물, 완충층 형성용 조성물 또는 표면 코트층용 도포액을 도포하는 방법으로는, 예를 들어, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등을 들 수 있다.Methods for applying the adhesive composition, the composition for forming a buffer layer, or the coating liquid for the surface coat layer include, for example, spin coat method, spray coat method, bar coat method, knife coat method, roll coat method, blade coat method, and die coat method. Examples include the gravure coat method and the like.

완충층 형성용 조성물이 에너지선 중합성 화합물을 함유하는 경우, 에너지선 조사에 의한 경화 처리는, 1 회로 실시해도 되고, 복수 회로 나누어 실시해도 된다.When the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound, the curing treatment by energy ray irradiation may be performed once or may be performed multiple times.

경화 처리를 1 회로 실시하는 경우, 기재 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 에너지선 조사에 의해 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 되고, 박리 시트 상에서 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시키고 나서, 이것을 기재에 첩합해도 된다.When performing the curing treatment once, after forming a coating film of the composition for forming a buffer layer on a substrate, the composition for forming a buffer layer may be completely cured by irradiation with energy rays, or after completely curing the composition for forming a buffer layer on a release sheet. , you may bond this to the substrate.

경화 처리를 복수 회로 나누어 실시하는 경우, 박리 시트 상에 완충층 형성용 조성물의 도포막을 형성한 후, 박리 시트 상에서는 완충층 형성용 조성물을 완전하게는 경화시키지 않고, 반경화의 상태까지 경화시키고 나서 기재에 첩합하고, 그 후, 재차 에너지선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 완전히 경화시켜도 된다.When the curing treatment is carried out in multiple stages, after forming a coating film of the composition for forming a buffer layer on the release sheet, the composition for forming a buffer layer is not completely cured on the release sheet, but is cured to a semi-cured state and then applied to the substrate. After bonding, the composition for forming a buffer layer may be completely cured by irradiating the energy ray again.

또한, 완충층 형성용 조성물의 경화 처리로 조사하는 에너지선으로는, 자외선이 바람직하다.Additionally, ultraviolet rays are preferable as the energy ray irradiated in the curing treatment of the composition for forming a buffer layer.

완충층 형성용 조성물을 경화시킬 때, 완충층 형성용 조성물의 도포막은 외부로 폭로된 상태여도 되지만, 박리 시트 또는 기재로 도포막이 덮여, 도포막이 외부로 폭로되지 않은 상태에서 에너지선을 조사하는 것이 바람직하다.When curing the composition for forming a buffer layer, the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed to the outside, but it is preferable to irradiate the energy ray while the coating film is covered with a release sheet or base material and the coating film is not exposed to the outside. .

<점착 시트의 용도><Use of adhesive sheet>

본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 실시되는 워크의 가공으로는, 예를 들어, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 타방의 면을 연삭하는 백 그라인드 가공, 반도체 장치의 일방의 면에 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 장치를 개편화하는 다이싱 가공, 반도체 장치의 반송, 반도체 칩의 픽업 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 실시형태의 점착 시트는 백 그라인드 가공에 바람직하고, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 본 실시형태의 점착 시트를 첩부한 상태에서 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 백 그라인드 가공에 보다 바람직하다. 특히, 본 실시형태의 점착 시트는, 반도체 웨이퍼를 박형화할 때에 있어서의 크랙의 발생을 억제하는 효과를 갖기 때문에, 선 다이싱법, 스텔스 선 다이싱법 등의 프로세스에 적합하다.Processing of the workpiece performed while the adhesive sheet of the present embodiment is attached includes, for example, back grinding, which involves grinding the other side of a semiconductor device while the adhesive sheet is attached to one side of the semiconductor device. Examples include dicing processing to separate the semiconductor device into individual pieces with an adhesive sheet attached to one side, transportation of the semiconductor device, and pickup of semiconductor chips. Among these, the adhesive sheet of this embodiment is preferable for back grind processing, and is more preferable for back grind processing in which the back surface of a semiconductor wafer is ground while the adhesive sheet of this embodiment is affixed to the circuit formation surface of the semiconductor wafer. In particular, the adhesive sheet of this embodiment has the effect of suppressing the occurrence of cracks when thinning a semiconductor wafer, and is therefore suitable for processes such as the line dicing method and the stealth line dicing method.

[반도체 장치의 제조 방법][Manufacturing method of semiconductor device]

본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment is:

본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,A step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing of this embodiment to the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정,A process of grinding the back side of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device,

을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이다.A method of manufacturing a semiconductor device comprising:

또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은,In addition, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment includes:

반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;

상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,A sheet attaching step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing of the present embodiment to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface after the step a, or before or after the step b;

상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정,With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground and divided into a plurality of semiconductor chips using the groove or modified area as a starting point. , grinding and granulating process,

을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a semiconductor device manufacturing method including.

또한, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터, 본 실시형태의 반도체 가공용 점착 시트를 박리하는, 박리 공정을 포함하고 있어도 된다.Moreover, the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment may include a peeling process of peeling the adhesive sheet for semiconductor processing of this embodiment from a plurality of semiconductor chips after the grinding and segmentation process.

또한, 상기 공정 a 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이고, 상기 공정 b 를 갖는 반도체 장치의 제조 방법은, 스텔스 선 다이싱법에 상당하는 프로세스이다.In addition, the manufacturing method of the semiconductor device having the above-mentioned process a is a process corresponding to the line dicing method, and the manufacturing method of the semiconductor device having the above-described process b is a process corresponding to the stealth line dicing method.

본 실시형태의 제조 방법에서 사용하는 반도체 웨이퍼로는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 웨이퍼, 질화갈륨 웨이퍼, 실리콘카바이드 웨이퍼, 유리 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 실리콘 웨이퍼가 바람직하다.Examples of semiconductor wafers used in the manufacturing method of this embodiment include silicon wafers, gallium arsenide wafers, gallium nitride wafers, silicon carbide wafers, glass wafers, and sapphire wafers. Among these, silicon wafers are preferable.

반도체 웨이퍼의 표면에는, 통상, 배선, 커패시터, 다이오드, 트랜지스터 등의 회로가 형성되어 있다. 이들 회로는, 예를 들어, 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다.Circuits such as wiring, capacitors, diodes, and transistors are usually formed on the surface of a semiconductor wafer. These circuits can be formed by conventionally known methods, such as an etching method or a lift-off method.

반도체 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1,000 ㎛ 이다.The thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually 500 to 1,000 μm.

이하, 본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다.Hereinafter, each step of the semiconductor device manufacturing method of this embodiment will be described in detail.

<분할 예정 라인 형성 공정><Divide line formation process>

분할 예정 라인 형성 공정은, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 이다.The division line formation process is process a of forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or process b of forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer.

공정 a 는 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시된다.Step a is a step of forming a groove on the surface of the semiconductor wafer, and is performed before attaching the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer.

공정 a 에서 반도체 웨이퍼의 표면에 형성하는 홈은, 반도체 웨이퍼의 두께보다 깊이가 얕은 홈이다. 공정 a 의 후에 반도체 웨이퍼는 공정 a 에서 형성한 홈에 도달할 때까지 이면 연삭되어, 복수의 반도체 칩으로 분할된다. 그 때문에, 공정 a 에 있어서 홈은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.The groove formed on the surface of the semiconductor wafer in step a is a groove whose depth is shallower than the thickness of the semiconductor wafer. After step a, the semiconductor wafer is back-ground until it reaches the groove formed in step a, and is divided into a plurality of semiconductor chips. Therefore, in step a, the groove is formed along the dividing line when the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips.

홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 사용한 다이싱에 의해 실시하는 것이 가능하다.The grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like.

공정 b 는, 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정으로, 점착 시트를 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하기 전에 실시해도 되고, 후에 실시해도 된다.Step b is a step of forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back side of the semiconductor wafer, and may be performed before or after attaching the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer.

공정 b 에 있어서 개질 영역은, 반도체 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 형성된다. 그 개질 영역은, 반도체 웨이퍼에 있어서 취질화 (脆質化) 된 부분으로, 이면 연삭에 의해 반도체 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해지거나 함으로써 파괴되어, 반도체 웨이퍼가 반도체 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다. 그 때문에, 개질 영역은, 반도체 웨이퍼가 분할되어 반도체 칩으로 개편화될 때의 분할 라인을 따라 형성된다.In step b, the modified region is formed inside the semiconductor wafer by irradiation of a laser focused on the inside of the semiconductor wafer. The modified area is a part of the semiconductor wafer that has become nitrided, and is destroyed by the semiconductor wafer being thinned by back grinding or applying force by grinding, and the semiconductor wafer is broken into individual semiconductor chips. This is the starting point. Therefore, the modified region is formed along the division line when the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips.

레이저의 조사는, 반도체 웨이퍼의 표면측에서부터 실시해도 되고, 이면측에서부터 실시해도 된다. 공정 b 를, 시트 첩부 공정 후에 실시하는 경우, 점착 시트를 개재하여 반도체 웨이퍼에 레이저를 조사해도 된다.Laser irradiation may be performed from the front side of the semiconductor wafer, or may be performed from the back side. When step b is performed after the sheet sticking step, the semiconductor wafer may be irradiated with a laser through the adhesive sheet.

<시트 첩부 공정><Sheet attaching process>

시트 첩부 공정은, 공정 a 의 후, 또는 공정 b 의 전 혹은 후에, 점착 시트를, 점착제층을 첩부면으로 하여, 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정이다.The sheet sticking process is a process of sticking the adhesive sheet to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as the sticking surface after step a, or before or after step b.

점착 시트를 첩부하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 라미네이터 등을 사용하는, 종래 공지된 방법을 적용할 수 있다.The method of sticking the adhesive sheet is not particularly limited, and for example, a conventionally known method using a laminator or the like can be applied.

<연삭 및 개편화 공정><Grinding and fragmentation process>

연삭 및 개편화 공정은, 반도체 웨이퍼에 첩부된 점착 시트의 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는 공정이다.In the grinding and segmentation process, the back side of the semiconductor wafer is ground while the surface coat layer side of the adhesive sheet attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device, and the groove or modified area is used as a starting point to form a plurality of semiconductor chips. It is a process of reorganization.

점착 시트가 첩부되고, 또한 홈 또는 개질 영역이 형성된 반도체 웨이퍼는, 점착 시트의 표면 코트층측이 지지 장치에 의해 고정된다. 지지 장치로는, 특별히 한정되지 않지만, 척 테이블 등의 고정 대상물을 흡인하여 유지하는 장치가 바람직하다.A semiconductor wafer on which an adhesive sheet is attached and grooves or modified regions are formed is fixed on the surface coat layer side of the adhesive sheet by a support device. The support device is not particularly limited, but is preferably a device that suctions and holds a fixed object such as a chuck table.

이어서, 고정된 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼를 복수의 반도체 칩으로 개편화한다.Next, the back side of the fixed semiconductor wafer is ground, and the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips.

이면 연삭은, 공정 a 에 의해 반도체 웨이퍼에 홈이 형성되어 있는 경우에는, 적어도 연삭면이 홈의 바닥부에 이르는 위치까지 반도체 웨이퍼를 연삭한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은 웨이퍼를 관통하는 절입이 되고, 반도체 웨이퍼는 절입에 의해 분할되어, 개개의 반도체 칩으로 개편화된다.Back grinding grinds the semiconductor wafer to at least a position where the grinding surface reaches the bottom of the groove when a groove is formed in the semiconductor wafer in step a. By this back grinding, the groove becomes an incision that penetrates the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the incision and divided into individual semiconductor chips.

한편, 공정 b 에 의해 반도체 웨이퍼에 개질 영역이 형성되어 있는 경우에는, 연삭면은 개질 영역에 도달해도 되지만, 엄밀하게 개질 영역까지 도달하지 않아도 된다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼가 파괴되어 반도체 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼를 개편화시키지 않고 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭한 후, 반도체 웨이퍼에 픽업 테이프를 첩부하고, 그 픽업 테이프를 연신함으로써 반도체 칩으로 개편화시켜도 된다.On the other hand, when a modified region is formed in the semiconductor wafer by process b, the ground surface may reach the modified region, but does not have to strictly reach the modified region. In other words, starting from the modified area, the semiconductor wafer is broken and broken into semiconductor chips by grinding to a position close to the modified area. For example, after grinding the semiconductor wafer to a position close to the modified area without breaking it into pieces, attaching a pickup tape to the semiconductor wafer, and stretching the pickup tape, the wafer may be broken into pieces into semiconductor chips.

개편화된 반도체 칩의 형상은, 방형 (方形) 이어도 되고, 직사각형 등의 가늘고 긴 형상이어도 된다.The shape of the individualized semiconductor chip may be square, or may be an elongated shape such as a rectangle.

개편화된 반도체 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 보다 바람직하게는 7 ∼ 70 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 ∼ 45 ㎛ 이다.The thickness of the divided semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 μm, more preferably 7 to 70 μm, and still more preferably 10 to 45 μm.

개편화된 반도체 칩의 칩 사이즈는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50 ㎟ 미만, 보다 바람직하게는 30 ㎟ 미만, 더욱 바람직하게는 10 ㎟ 미만이다.The chip size of the discrete semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably less than 50 mm2, more preferably less than 30 mm2, and even more preferably less than 10 mm2.

<박리 공정><Peeling process>

박리 공정은, 연삭 및 개편화 공정 후에, 복수의 반도체 칩으로부터 점착 시트를 박리하는 공정이다.The peeling process is a process of peeling the adhesive sheet from a plurality of semiconductor chips after the grinding and segmentation process.

점착 시트의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제로 형성되는 경우에는, 에너지선을 조사함으로써 점착제를 경화시켜, 점착제층의 박리력을 작게 하고 나서, 점착 시트를 박리한다.When the adhesive layer of the adhesive sheet is formed of an energy ray-curable adhesive, the adhesive is cured by irradiating energy rays to reduce the peeling force of the adhesive layer, and then the adhesive sheet is peeled.

또한, 점착 시트를 박리할 때에는, 픽업 테이프를 사용해도 된다. 픽업 테이프는, 예를 들어, 기재와, 기재의 일방의 면에 형성된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성되는 것이다.Additionally, when peeling off the adhesive sheet, you may use a pickup tape. A pickup tape is comprised, for example, of an adhesive sheet including a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material.

픽업 테이프를 사용하는 경우, 먼저, 개편화된 반도체 웨이퍼의 이면측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 실시한다. 이 때, 반도체 웨이퍼의 외주측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하여, 픽업 테이프의 외주 가장자리부를 링 프레임에 고정시키는 것이 바람직하다. 이어서, 픽업 테이프 상에 고정된 복수의 반도체 칩으로부터 점착 테이프를 박리한다.When using a pickup tape, first, the pickup tape is attached to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are aligned to enable pickup. At this time, it is preferable to also bond the ring frame disposed on the outer peripheral side of the semiconductor wafer to the pickup tape and fix the outer peripheral edge portion of the pickup tape to the ring frame. Next, the adhesive tape is peeled from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.

그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 반도체 칩을 픽업하고 나서, 기판 등의 위에 고정화시켜, 반도체 장치를 제조해도 된다.Thereafter, a plurality of semiconductor chips on a pickup tape may be picked up and then fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.

실시예Example

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 제한되는 것은 아니다. 각종 물성의 측정 방법 및 평가 방법은, 이하와 같다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples. Measurement methods and evaluation methods for various physical properties are as follows.

[질량 평균 분자량 (Mw)][Mass average molecular weight (Mw)]

질량 평균 분자량 (Mw) 은, 겔 침투 크로마토그래프 장치 (토소 주식회사 제조, 제품명「HLC-8220」) 를 사용하여 하기의 조건으로 측정하고, 표준 폴리스티렌 환산으로 구하였다.The mass average molecular weight (Mw) was measured under the following conditions using a gel permeation chromatograph (manufactured by Tosoh Corporation, product name "HLC-8220"), and calculated in standard polystyrene conversion.

(측정 조건)(Measuring conditions)

·칼럼 :「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(모두 토소 주식회사 제조)Column:「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(all manufactured by Tosoh Corporation)

·칼럼 온도 : 40 ℃·Column temperature: 40℃

·전개 용매 : 테트라하이드로푸란·Developing solvent: tetrahydrofuran

·유속 : 1.0 ㎖/min·Flow rate: 1.0 mL/min

[점착 시트 등의 두께 측정][Measurement of thickness of adhesive sheets, etc.]

정압 두께 측정기 (주식회사 테크락 제조, 상품명「PG-02」) 에 의해 점착 시트의 총 두께, 각 층의 두께 및 이들로부터 제조되는 시험편의 두께를 측정하였다. 이 때, 임의의 10 점을 측정하여, 평균값을 산출하였다.The total thickness of the adhesive sheet, the thickness of each layer, and the thickness of the test piece manufactured therefrom were measured using a static pressure thickness meter (product name "PG-02", manufactured by Techlock Co., Ltd.). At this time, 10 random points were measured and the average value was calculated.

또한, 점착 시트의 총 두께는, 박리 시트가 부착된 점착 시트의 두께를 측정하고, 그 두께에서 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.In addition, the total thickness of the adhesive sheet is a value obtained by measuring the thickness of the adhesive sheet with the release sheet attached and subtracting the thickness of the release sheet from the thickness.

또, 완충층의 두께는, 완충층이 형성된 기재의 두께에서, 기재의 두께를 뺀 값이다.Additionally, the thickness of the buffer layer is the value obtained by subtracting the thickness of the base material from the thickness of the base material on which the buffer layer is formed.

또, 표면 코트층의 두께는, 박리 시트가 부착된 표면 코트층의 두께에서, 박리 시트의 두께를 뺀 값이다.In addition, the thickness of the surface coat layer is the value obtained by subtracting the thickness of the release sheet from the thickness of the surface coat layer to which the release sheet is attached.

또한, 점착제층의 두께는, 점착 시트의 총 두께에서 표면 코트층, 완충층 및 기재의 두께를 뺀 값이다.Additionally, the thickness of the adhesive layer is the total thickness of the adhesive sheet minus the thicknesses of the surface coat layer, buffer layer, and base material.

[표면 코트층의 물 접촉각의 측정][Measurement of water contact angle of surface coat layer]

표면 코트층의 물 접촉각은, JIS R 3257:1999 에 준거하여 측정하였다. 구체적으로는, 실시예 및 비교예에서 제조한 점착 시트의 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하고, 노출된 표면 코트층의 노출면에 정제수를 적하했을 때의 정적 접촉각을, 전자동식 접촉각 측정계 (쿄와 계면 과학사 제조, 제품명「DM-701」) 를 사용하여 이하의 조건으로 측정하였다.The water contact angle of the surface coat layer was measured based on JIS R 3257:1999. Specifically, the release sheet on the surface coat layer side of the adhesive sheet manufactured in the examples and comparative examples was peeled off, and the static contact angle was measured when purified water was dropped on the exposed surface of the exposed surface coat layer using a fully automatic contact angle measuring meter (Kyo). and Interface Science Co., Ltd. (product name “DM-701”) was used to measure under the following conditions.

·측정 온도 : 23 ℃·Measuring temperature: 23℃

·정제수의 액적량 : 2 μl·Drop volume of purified water: 2 μl

·측정 시간 : 적하 1 초 후·Measurement time: 1 second after dropping

·화상 해석법: θ/2 법·Image analysis method: θ/2 method

[표면 코트층의 연삭 부스러기 부착량의 평가][Evaluation of the amount of grinding debris adhesion to the surface coat layer]

실시예 및 비교예에서 제조한 점착 시트를 가로세로 5 cm 로 잘라내고, 표면 코트층측의 박리 시트를 박리하여 표면 코트층을 노출시킨 시험편을 준비하였다. 그 시험편의 4 모서리 중 임의의 1 모서리를 고정시켜 매달고, 실리콘 웨이퍼의 연삭 부스러기를 2 질량% 포함하는 연삭수에 1 분간 침지하였다. 연삭수로부터 시험편을 꺼내고, 매단 채로 23 ℃ 에서 24 시간 정치하여 건조시킨 후, 시험편의 표면 코트층을 육안 관찰하여, 이하의 기준으로 연삭 부스러기 부착량을 평가하였다. 또한, 이하의 평가 기준에 있어서,「연삭 부스러기 부착부」란, 표면 코트층 상에 부착된 연삭수의 액적이 건조되어 이루어지는 섬 형상의 연삭 부스러기 부착 지점을 의미한다.The adhesive sheets prepared in Examples and Comparative Examples were cut into 5 cm x 5 cm, and the release sheet on the surface coat layer side was peeled off to prepare a test piece exposing the surface coat layer. One of the four corners of the test piece was fixed and hung, and immersed in grinding water containing 2% by mass of silicon wafer grinding chips for 1 minute. The test piece was taken out from the grinding water, left hanging at 23°C for 24 hours to dry, then the surface coat layer of the test piece was visually observed, and the amount of grinding debris attached was evaluated based on the following criteria. In addition, in the following evaluation criteria, “grinding debris attachment point” means an island-shaped grinding debris attachment point formed by drying droplets of grinding water adhering to the surface coat layer.

A : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 1 군데 있거나, 또는 연삭 부스러기 부착부로 식별할 수 있을 정도로 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.A: There is one place on the surface coat layer where grinding chips adhere, or grinding chips do not adhere to a degree that can be identified as a grinding chip adhered area.

B : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 2 ∼ 5 군데 있다.B: There are 2 to 5 attachment portions of grinding chips on the surface coat layer.

C : 표면 코트층 상에 연삭 부스러기 부착부가 6 군데 이상 있지만, 표면 코트층의 전체면에는 연삭 부스러기가 부착되어 있지 않다.C: There are six or more places where grinding chips adhere to the surface coat layer, but no grinding chips adhere to the entire surface of the surface coat layer.

D : 표면 코트층의 전체면에 연삭 부스러기가 부착되어 있다.D: Grinding debris adheres to the entire surface of the surface coat layer.

[완충층에 사용하는 우레탄아크릴레이트계 올리고머의 조제][Preparation of urethane acrylate-based oligomer used in buffer layer]

제조예 1Manufacturing Example 1

폴리에스테르디올과 이소포론디이소시아네이트를 반응시켜 얻어진 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머에, 2-하이드록시에틸아크릴레이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 5,000 인 2 관능의 우레탄아크릴레이트계 올리고머를 얻었다.The terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting polyester diol and isophorone diisocyanate was reacted with 2-hydroxyethyl acrylate to obtain a bifunctional urethane acrylate-based oligomer with a mass average molecular weight (Mw) of 5,000.

[점착제층에 사용하는 에너지선 경화성의 아크릴계 수지의 조제][Preparation of energy ray-curable acrylic resin used in adhesive layer]

제조예 2Production example 2

n-부틸아크릴레이트 52 질량부, 메틸메타크릴레이트 20 질량부 및 2-하이드록시에틸아크릴레이트 28 질량부를 공중합하여 아크릴계 중합체를 얻었다. 이어서, 그 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 90 몰% 의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜, 질량 평균 분자량 (Mw) 이 50 만인 에너지선 경화성의 아크릴계 수지를 얻었다.An acrylic polymer was obtained by copolymerizing 52 parts by mass of n-butylacrylate, 20 parts by mass of methyl methacrylate, and 28 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate. Next, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was reacted so as to add 90 mol% of hydroxyl groups in the total hydroxyl groups of the acrylic polymer, and an energy ray-curable acrylic resin with a mass average molecular weight (Mw) of 500,000 was obtained.

[점착 시트의 제조][Manufacture of adhesive sheet]

실시예 1 ∼ 3, 비교예 1 ∼ 3Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 to 3

다음으로, 이하에 나타내는 방법에 의해 점착 시트를 제조하였다. 또한, 이하의 설명에 있어서의 각 성분의 배합량은 모두 유효 성분의 배합량을 의미한다.Next, an adhesive sheet was manufactured by the method shown below. In addition, the compounding quantity of each component in the following description all means the compounding quantity of the active ingredient.

(1) 기재의 준비(1) Preparation of materials

기재로서, 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 (영률 : 2500 ㎫) 을 준비하였다.As a base material, a polyethylene terephthalate film (Young's modulus: 2500 MPa) with a thickness of 50 μm was prepared.

(2) 표면 코트층용 도포액의 조제(2) Preparation of coating liquid for surface coat layer

실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 ∼ 2 는, 표 1 에 나타내는 수지를, 유효 성분 농도가 10 질량% 가 되도록 톨루엔에 용해시킨 것을 표면 코트층용 도포액으로 하였다.In Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 2, the resin shown in Table 1 was dissolved in toluene so that the active ingredient concentration was 10% by mass, and was used as a coating liquid for the surface coat layer.

비교예 3 은 표 1 에 나타내는 수지 100 질량부 및 실리카 필러 (닛산 화학 공업사 제조, 상품명「스노우텍스 (등록상표) UP」) 30 질량부를 유효 성분 농도가 5 질량% 가 되도록 톨루엔에 용해 및 분산시킨 것을 표면 코트층용 도포액으로 하였다.Comparative Example 3 was prepared by dissolving and dispersing 100 parts by mass of the resin shown in Table 1 and 30 parts by mass of silica filler (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd., brand name “Snowtex (registered trademark) UP”) in toluene so that the active ingredient concentration was 5% by mass. This was used as a coating liquid for the surface coat layer.

(3) 완충층 형성용 조성물의 조제(3) Preparation of composition for forming buffer layer

제조예 1 에서 얻은 우레탄아크릴레이트계 올리고머 40 질량부, 이소보르닐아크릴레이트 40 질량부, 2-하이드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트 20 질량부, 광중합 개시제로서의 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 2.0 질량부 및 프탈로시아닌계 안료 0.2 질량부를 배합하여, 완충층 형성용 조성물을 조제하였다.40 parts by mass of the urethane acrylate-based oligomer obtained in Production Example 1, 40 parts by mass of isobornyl acrylate, 20 parts by mass of 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone as a photopolymerization initiator. A composition for forming a buffer layer was prepared by mixing 2.0 parts by mass and 0.2 parts by mass of a phthalocyanine-based pigment.

(4) 점착제 조성물의 조제(4) Preparation of adhesive composition

제조예 2 에서 얻은 에너지선 경화성의 아크릴계 수지 100 질량부, 에너지선 경화성 화합물인 다관능 우레탄아크릴레이트 (닛폰 합성 화학 공업 주식회사 제조, 상품명「시코 UT-4332」, 질량 평균 분자량 (Mw) 4,700) 6 질량부, 이소시아네이트계 가교제 (토소 주식회사 제조, 상품명「콜로네이트 L」) 0.375 질량부, 및 광중합 개시제로서의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드 1 질량부를 배합하고, 용제로 희석함으로써 점착제 조성물을 조제하였다.100 parts by mass of energy-ray-curable acrylic resin obtained in Production Example 2, multifunctional urethane acrylate, which is an energy-ray-curable compound (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., brand name “Cicco UT-4332”, mass average molecular weight (Mw) 4,700) 6 0.375 parts by mass of an isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Tosoh Corporation, brand name "Colonate L"), and 1 part by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator were mixed and diluted with a solvent. By doing so, an adhesive composition was prepared.

(5) 점착 시트의 제조(5) Manufacturing of adhesive sheets

먼저 나타낸 기재의 일방의 면에, 상기에서 얻은 완충층 형성용 조성물을 도포한 후, 조도 160 mW/㎠, 조사량 500 mJ/㎠ 의 조건으로 자외선을 조사함으로써 완충층 형성용 조성물을 경화시켜, 기재의 일방의 면에 두께 13 ㎛ 의 완충층을 갖는 완충층이 형성된 기재를 제조하였다.After applying the composition for forming a buffer layer obtained above to one side of the substrate shown above, the composition for forming a buffer layer is cured by irradiating ultraviolet rays under the conditions of an illumination intensity of 160 mW/cm2 and an irradiation amount of 500 mJ/cm2, and then curing the composition for forming a buffer layer on one side of the substrate. A substrate having a buffer layer with a thickness of 13 μm was formed on the surface of the substrate.

또한, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 점착제 조성물을, 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포한 후, 가열 건조시켜, 점착제층이 형성된 박리 시트를 제조하였다. 그 점착제층이 형성된 박리 시트의 점착제층을, 완충층이 형성된 기재의 완충층이 형성되어 있지 않은 면에 첩부함으로써, 완충층, 기재 및 점착제층을 이 순서로 갖는 적층체를 제조하였다.In addition, the adhesive composition obtained above was applied to the peeling surface of a release sheet (manufactured by Lintech Co., Ltd., brand name "SP-PET381031") so that the thickness after drying was 20 μm, and then heated and dried to form a peeling adhesive layer. A sheet was manufactured. The adhesive layer of the release sheet on which the adhesive layer was formed was attached to the side of the base material on which the buffer layer was formed on which the buffer layer was not formed, thereby producing a laminate having the buffer layer, the base material, and the adhesive layer in this order.

또, 박리 시트 (린텍 주식회사 제조, 상품명「SP-PET381031」) 의 박리 처리면에, 상기에서 얻은 표면 코트층용 도포액을, 건조 후의 두께가 2 ㎛ 가 되도록 마이어 바로 도포한 후, 가열 건조시켜, 박리 시트가 부착된 표면 코트층을 제조하였다. 그 박리 시트가 부착된 표면 코트층의 표면 코트층을, 상기 적층체의 완충층의 표면에 첩부하여, 표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을 이 순서로 갖는 점착 시트를 얻었다.In addition, the coating liquid for the surface coat layer obtained above was applied to the peeling treated surface of the release sheet (manufactured by Lintech Co., Ltd., brand name "SP-PET381031") with a Meyer bar so that the thickness after drying was 2 ㎛, and then heated and dried. A surface coat layer to which a release sheet was attached was prepared. The surface coat layer of the surface coat layer to which the release sheet was attached was affixed to the surface of the buffer layer of the laminate to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet having the surface coat layer, buffer layer, base material, and pressure-sensitive adhesive layer in this order.

각 실시예 및 비교예에서 얻어진 점착 시트를 사용하여 실시한 평가 결과를 표 1 에 나타낸다.The evaluation results conducted using the adhesive sheets obtained in each Example and Comparative Example are shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

·무수 말레산 변성 폴리올레핀 수지 : 프로필렌-부텐-무수 말레산 공중합체, 무수 말레산 변성률: 1.5 질량%, 질량 평균 분자량 (Mw) : 75,000, 헤테로 원자 함유량 : 0.735 질량%, 토요보 주식회사 제조, 상품명「토요택 (등록상표) PMA-L」Maleic anhydride modified polyolefin resin: propylene-butene-maleic anhydride copolymer, maleic anhydride modification ratio: 1.5 mass%, mass average molecular weight (Mw): 75,000, hetero atom content: 0.735 mass%, manufactured by Toyobo Co., Ltd., Product name「Toyo Tak (registered trademark) PMA-L」

·에틸렌-고리형 올레핀 공중합체 : 에틸렌-테트라시클로도데센 공중합체, 테트라시클로도데센에서 유래하는 구성 단위의 함유량 : 20 ∼ 32 몰%, 헤테로 원자 함유량 : 5.2 질량%, 미츠이 화학 주식회사 제조, 상품명「아펠 (등록상표) APL6509T」· Ethylene-cyclic olefin copolymer: Ethylene-tetracyclododecene copolymer, content of structural units derived from tetracyclododecene: 20 to 32 mol%, heteroatom content: 5.2 mass%, manufactured by Mitsui Chemicals Co., Ltd., brand name 「Apel (registered trademark) APL6509T」

·에틸렌-아세트산비닐 공중합체 : 아세트산비닐 함유량 : 14 질량%, 헤테로 원자 함유량 : 0 질량%, 토요보 주식회사 제조, 상품명「울트라센 (등록상표) 685」· Ethylene-vinyl acetate copolymer: Vinyl acetate content: 14% by mass, heteroatom content: 0% by mass, manufactured by Toyobo Co., Ltd., brand name “Ultracen (registered trademark) 685”

·폴리에스테르 수지 : 토요보 주식회사 제조, 상품명「바이론 (등록상표) GK-680」・Polyester resin: manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name: “Byron (registered trademark) GK-680”

·폴리에스테르우레탄 수지: 토요보 주식회사 제조, 상품명「바이론 (등록상표) UR-4410」・Polyester urethane resin: manufactured by Toyobo Co., Ltd., product name “Byron (registered trademark) UR-4410”

·에폭시아크릴레이트 수지 : 아르케마사 제조, 상품명「CN104 NS」·Epoxy acrylate resin: manufactured by Arkema, brand name “CN104 NS”

표 1 로부터, 표면 코트층의 물 접촉각이 85°이상인 실시예 1 ∼ 3 의 점착 시트는, 연삭 부스러기 부착량이 충분히 저감되어 있는 것을 알 수 있다. 한편, 표면 코트층의 물 접촉각이 85°미만인 비교예 1 ∼ 3 의 점착 시트는, 연삭 부스러기 부착량의 저감이 충분하지 않았다.From Table 1, it can be seen that the adhesive sheets of Examples 1 to 3 in which the water contact angle of the surface coat layer is 85 degrees or more have sufficiently reduced the amount of grinding debris adhesion. On the other hand, the adhesive sheets of Comparative Examples 1 to 3 in which the water contact angle of the surface coat layer was less than 85° did not sufficiently reduce the amount of grinding debris adhesion.

Claims (11)

표면 코트층, 완충층, 기재 및 점착제층을, 이 순서로 갖고,
상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 85°이상인, 반도체 가공용 점착 시트.
It has a surface coat layer, a buffer layer, a base material, and an adhesive layer in this order,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the static contact angle of water at 23°C with respect to the surface coat layer is 85° or more.
제 1 항에 있어서,
상기 표면 코트층이, 수지 성분을 함유하는 유기층인, 반도체 가공용 점착 시트.
According to claim 1,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the surface coat layer is an organic layer containing a resin component.
제 2 항에 있어서,
상기 수지 성분이, 열가소성 수지인, 반도체 가공용 점착 시트.
According to claim 2,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the resin component is a thermoplastic resin.
제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 수지 성분은, 헤테로 원자의 함유량이 7 질량% 이하인, 반도체 가공용 점착 시트.
According to claim 2 or 3,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the resin component has a heteroatom content of 7% by mass or less.
제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 성분이, 23 ℃ 에 있어서, 톨루엔에 대해 1 질량% 이상 용해되는 것인, 반도체 가공용 점착 시트.
According to any one of claims 2 to 4,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the resin component dissolves 1% by mass or more in toluene at 23°C.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 코트층에 대한, 물의 23 ℃ 에 있어서의 정적 접촉각이, 90°이상인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method according to any one of claims 1 to 5,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the static contact angle of water at 23°C with respect to the surface coat layer is 90° or more.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면 코트층의 두께가 0.05 ∼ 10 ㎛ 인, 반도체 가공용 점착 시트.
The method according to any one of claims 1 to 6,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the surface coat layer has a thickness of 0.05 to 10 μm.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 완충층이, 우레탄(메트)아크릴레이트를 함유하는 완충층 형성용 조성물로 형성되는, 반도체 가공용 점착 시트.
The method according to any one of claims 1 to 7,
An adhesive sheet for semiconductor processing, wherein the buffer layer is formed from a composition for forming a buffer layer containing urethane (meth)acrylate.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 이면 연삭에 사용되는, 반도체 가공용 점착 시트.
The method according to any one of claims 1 to 8,
Adhesive sheet for semiconductor processing, used for back side grinding of semiconductor wafers.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 상기 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
A step of attaching the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 9 on the surface of a semiconductor wafer using the adhesive layer as an attachment surface;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the step of grinding the back surface of the semiconductor wafer while the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer is fixed by a support device.
제 10 항에 있어서,
반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하는 공정 a, 또는 반도체 웨이퍼의 표면 혹은 이면에서부터 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정 b 인, 분할 예정 라인 형성 공정과,
상기 공정 a 의 후, 또는 상기 공정 b 의 전 혹은 후에, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 반도체 가공용 점착 시트를, 상기 점착제층을 첩부면으로 하여 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 첩부하는, 시트 첩부 공정과,
상기 반도체 웨이퍼에 첩부된 반도체 가공용 점착 시트의 상기 표면 코트층측을 지지 장치에 의해 고정시킨 상태로, 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 상기 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여 복수의 반도체 칩으로 개편화하는, 연삭 및 개편화 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
According to claim 10,
A process for forming a line to be divided, which is a process a for forming a groove on the surface of a semiconductor wafer, or a process b for forming a modified area inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer;
After the step a, or before or after the step b, the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of claims 1 to 9 is attached to the surface of the semiconductor wafer using the adhesive layer as a sticking surface. , sheet attaching process,
With the surface coat layer side of the adhesive sheet for semiconductor processing attached to the semiconductor wafer being fixed by a support device, the back side of the semiconductor wafer is ground and divided into a plurality of semiconductor chips using the groove or modified area as a starting point. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a grinding and segmentation process.
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