KR20230142563A - 무용매 감압성 접착제 조성물 - Google Patents

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Abstract

(A) 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분을 (B) 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1), 분지형 폴리오가노실록산 (B-2), 또는 (B-1)과 (B-2)의 혼합물과 특정 온도에서 혼합한 다음, 냉각시키는 단계를 포함하는 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정. 본 공정에 의해 제조되는 무용매 감압성 접착제 조성물은 저점도를 갖고, 경화되어 감압성 접착제를 형성할 수 있다. 감압성 접착제는 보호 필름 적용에 적합하다.

Description

무용매 감압성 접착제 조성물
본 발명은 무용매 감압성 접착제 조성물 및 감압성 접착제 조성물의 제조 공정이다.
폴리오가노실리케이트 수지는 실온에서 고체이다. 용매 없이, 폴리오가노실리케이트는 전형적으로 분말 또는 플레이크 형태를 가지며, 이는 실리콘 감압성 접착제(PSA) 조성물을 제조할 때, 다른 성분과 균질하게 배합되는 것을 어렵게 만든다. 무용매 PSA 조성물을 제조하려는 시도는 전형적으로 폴리오가노실리케이트 수지를 용매 중에 가용화하는 단계 또는 폴리오가노실리케이트 수지 및 다른 실리콘 성분을 용매 중에 조합하는 단계 및 이후 용매를 제거하는 단계를 포함한다. 용매 제거 단계(예를 들어, 스트리핑)는 제조 및 장비 비용을 증가시키며, 수득된 조성물은 내재적으로 전형적으로는 1,000 백만부(ppm) 초과의 양으로 잔류 용매를 함유한다. 또한, 상대적으로 낮은 점도, 예를 들어 실온에서 5,000 밀리파스칼-초(mPa·s) 미만의 점도가 보호 필름과 같은 특정 적용에 바람직하다. 그러나, 상업적으로 입수 가능한 무용매 PSA 조성물은 일반적으로 높은 점도를 가져서 이러한 무용매 PSA 조성물을 기재 상에 직접 코팅하는 것을 어렵게 만든다. 이러한 경우, 소비자는 여전히 수령 후 그리고 사용 전에 PSA 조성물을 용매를 사용하여 희석하는 것이 필요하다.
상기 언급된 문제 없이 전자 장치 적용을 위한 보호 필름에 사용하기에 적합한 무용매 PSA 조성물을 제조하기 위한 공정을 발견하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기 언급된 문제가 없는 무용매 감압성 접착제(PSA) 조성물을 발견하여 문제를 해결한다.
본 발명은 실온에서 5,000 밀리파스칼-초(mPa·s) 미만의 점도를 갖는 실리콘 베이스 부분의 제조를 포함하는 무용매 PSA 조성물의 신규 제조 공정을 제공한다. 수득된 본 발명의 무용매 PSA 조성물은 기재에 직접 적용되고, 경화되어 감압성 접착제(PSA)를 형성한다. PSA는 소기의 코팅 외관 및 보호 필름 적용에 특히 적합한 접착 강도, 예를 들어 20 그램/인치(g/in) 이하의 박리 접착력(peel adhesion)을 제공할 수 있다. 점도 및 접착 특성은 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 측정될 수 있다.
제1 양태에서, 본 발명은 무용매 감압성 조성물의 제조 공정을 제공한다. 본 공정은 다음 단계를 포함한다:
(i) 다음을 포함하는 출발 물질 (A) 고체 폴리오가노실리케이트 성분을 제공하는 단계:
(A-1) 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 30 중량% 초과 내지 100 중량%의 단위 화학식 (I-1)의 캡핑된 고체 수지:
(RM 3SiO1/2) a (SiO4/2) b Z c
상기 식에서, 각각의 RM은 독립적으로 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 Z는 독립적으로 알콕시, 하이드록실, 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 가수분해성 기이고; c는 0 내지 캡핑된 수지의 중량을 기준으로 최대 2 중량%의 가수분해성 기 함량을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값이고; a 및 b는 a > 4, b > 0이도록 하는 값을 갖고, (a + b)의 값은 500 내지 8,000 g/mol의 수 평균 분자량을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분함;
(A-2) 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 0 내지 70 중량% 미만의 (I-2)의 단위 화학식의 미캡핑된 고체 수지:
(RM 3SiO1/2) a' (SiO4/2) b' Z c'
상기 식에서, RM 및 Z는 상기 기재된 바와 같고; a' 및 b'는 a' > 4, b' > 0이도록 하는 값을 갖고, (a' + b')의 값은 500 내지 8,000 g/mol의 수 평균 분자량을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분하고; c'는 미캡핑된 수지의 중량을 기준으로 > 2 중량% 내지 10 중량%의 가수분해성 기 함량을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값을 가짐;
(ii) 출발 물질 (A)를 출발 물질 (B) 및 선택적으로 출발 물질 (C)와 100℃ 이상의 온도에서 혼합하는 단계;
출발 물질 (B)는 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1), 분지형 폴리오가노실록산 (B-2), 또는 (B-1)과 (B-2)의 혼합물이고,
지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)은 단위 화학식 (II-1)을 포함하고:
(R1 2R2SiO1/2) x (R1 3SiO1/2) y (R1R2SiO2/2) z (R1 2SiO2/2) w
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 지방족 불포화가 없는 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 R2는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기이고; x, y, z, 및 w는 x > 0, y ≥ 0, (x + y) = 2, z ≥ 0, w ≥ 0, (w + z) > 0이도록 하는 값을 갖고, (x + y + z + w)의 값은 5,000 내지 50,000 g/mol의 수 평균 분자량을 지방족 불포화 폴리디오가노실록산에 제공하기에 충분하고;
분지형 폴리오가노실록산 (B-2)는 단위 화학식 (II-2)를 포함하고:
(R1 3SiO1/2) g (R1 2R2SiO1/2) h (R1 2SiO2/2) i (SiO4/2)
상기 식에서, R1 및 R2는 상기 기재된 바와 같고, g, h, 및 i는 2≥ g ≥0, 4≥ h ≥0, 995≥ i ≥4, (g + h) = 4이도록 하는 값을 갖고, (g + h + i)의 값은 5,000 내지 50,000 g/mol의 수 평균 분자량을 분지형 폴리오가노실록산에 제공하기에 충분하고;
출발 물질 (C)는 단위 화학식 (III)의 폴리디오가노실록산 검이고:
(R1 2RGSiO1/2)2(R1 2SiO2/2) d
상기 식에서, R1은 기재된 바와 같고; 각각의 RG는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기, 하이드록실, 또는 이의 조합이고; d는 300,000 g/mol 이상의 수 평균 분자량을 폴리디오가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고;
출발 물질 (A), (B), 및 (C)는 0.1 내지 1.2의 출발 물질 (B) 및 존재하는 경우, 출발 물질 (C)의 조합된 양에 대한 출발 물질 (A)의 양의 중량비를 제공하는 양으로 존재함;
(iii) 단계 (ii)로부터 수득된 혼합물을 냉각시켜서 실온에서 5,000 mPa·s 미만의 점도를 갖는 실리콘 베이스 부분을 형성하는 단계; 및
(iv) 단계 (iii)으로부터 수득된 실리콘 베이스 부분을 출발 물질 (D) 폴리오가노하이드로겐실록산, 출발 물질 (E) 하이드로실릴화 반응 촉매, 선택적으로 출발 물질 (F) 하이드로실릴화 반응 억제제, 및 선택적으로 출발 물질 (G) 앵커리지 첨가제(anchorage additive)와 혼합하며; 이로 인해 무용매 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계.
제2 양태에서, 본 발명은 제1 양태의 공정에 의해 제조된 무용매 감압성 접착제 조성물을 제공한다.
제3 양태에서, 본 발명은 다음을 포함하는 접착제 물품의 제조 방법을 제공한다:
선택적으로, (1) 기재의 표면을 처리하는 단계,
(2) 기재의 표면 상에 제2 양태의 무용매 감압성 접착제 조성물을 코팅하는 단계, 및
(3) 무용매 감압성 접착제 조성물을 경화시키는 단계.
"고체"는 수지 또는 중합체가 실온(23±2 섭씨 도(℃))에서 고체인 것을 의미한다.
본원에서 "알킬"은 고리형, 분지형, 또는 비분지형 포화 1가 탄화수소기를 의미한다. 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필(예를 들어, 이소-프로필 및/또는 n-프로필), 부틸(예를 들어, 이소부틸, n-부틸, tert-부틸, 및/또는 sec-부틸), 펜틸(예를 들어, 이소펜틸, 네오펜틸, 및/또는 tert-펜틸), 헥실, 헵틸, 옥틸, 노닐, 및 데실, 그리고 6개 이상의 탄소 원자의 분지형 알킬기; 및 고리형 알킬기, 예컨대 사이클로펜틸 및 사이클로헥실을 포함한다.
본원에서 "아릴"은 고리형의 완전 불포화 탄화수소기를 의미한다. 아릴은 사이클로펜타디에닐, 페닐, 안트라세닐, 및 나프틸로 예시되지만, 이로 제한되지는 않는다. 단고리형 아릴기는 5 내지 9개의 탄소 원자, 6 내지 7개의 탄소 원자, 또는 5 내지 6개의 탄소 원자를 가질 수 있다. 다고리형 아릴기는 10 내지 17개의 탄소 원자, 10 내지 14개의 탄소 원자, 또는 12 내지 14개의 탄소 원자를 가질 수 있다.
본원에서 "아르알킬"은 펜던트 및/또는 말단 아릴기를 갖는 알킬기, 또는 펜던트 알킬기를 갖는 아릴기를 의미한다. 예시적 아르알킬기는 톨릴, 자일릴, 벤질, 페닐에틸, 페닐 프로필, 및 페닐 부틸을 포함한다.
본원에서 "알케닐"은 하나 이상의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 분지형 또는 비분지형 1가 탄화수소기를 의미한다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 (i) 출발 물질 (A), 출발 물질 (B), 및 선택적으로 출발 물질 (C)를 제공하는 단계를 포함한다. 본 발명에 유용한 출발 물질 (A)는 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 30 중량% 초과 내지 100 중량%의 (A-1) 캡핑된 고체 수지 및 0 내지 70 중량% 미만의 (A-2) 미캡핑된 고체 수지를 포함하는 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분이다.
본 발명에 유용한 캡핑된 고체 수지 (A-1)은 단위 화학식 (I-1)을 가지며:
(RM 3SiO1/2) a (SiO4/2) b Z c
상기 식에서, 각각의 RM은 독립적으로 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 Z는 독립적으로 알콕시, 하이드록실, 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 가수분해성 기이고; c는 0 내지 캡핑된 수지의 중량을 기준으로 최대 2 중량%의 가수분해성 기 함량을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값이고; a 및 b는 a > 4, b > 0, 바람직하게는 b > 1이도록 하는 값을 갖고, (a + b)의 값은 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 분석에 의해 측정된 500 내지 8,000 그램/몰(g/mol)의 수 평균 분자량(Mn)을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분하다. GPC 분석은 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다.
RM에 대한 탄화수소기는 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아르알킬기, 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택될 수 있다. RM으로 표시되는 알킬기는 전형적으로는 1 내지 20개의 탄소 원자, 1 내지 15개의 탄소 원자, 1 내지 12개의 탄소 원자, 1 내지 10개의 탄소 원자, 1 내지 6개의 탄소 원자, 1 내지 3개의 탄소 원자, 또는 1 내지 2개의 탄소 원자를 갖는다. 적합한 알킬기의 예는 메틸, 에틸, 프로필, 펜틸, 헥실, 및 사이클로헥실을 포함한다. RM으로 표시되는 알케닐기는 전형적으로는 2 내지 20개의 탄소 원자, 2 내지 10개의 탄소 원자, 2 내지 8개의 탄소 원자, 또는 2 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. RM으로 표시되는 적합한 알케닐기의 예는 비닐, 알릴, 부테닐, 및 헥세닐을 포함한다. 바람직하게는, 알킬기는 메틸이고, 알케닐기는 비닐이다. RM으로 표시되는 아릴기는 사이클로펜타디에닐, 페닐, 안트라세닐, 및 나프틸을 포함할 수 있다. 각각의 RM은 독립적으로 메틸, 비닐, 및 페닐로부터 선택될 수 있다. 바람직하게는, RM 기의 적어도 1/3, 대안적으로 적어도 2/3는 알킬기(예를 들어, 메틸기)이다. 예를 들어, 각각의 RM은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬기, 바람직하게는 메틸이다.
화학식 (I-1)에서 (a + b)의 값은 GPC 분석에 의해 결정된 500 g/mol 이상, 1,000 g/mol 이상, 1,500 g/mol 이상, 2,000 g/mol 이상, 2,500 g/mol 이상, 또는 심지어 2,700 g/mol 이상, 그리고 동시에, 8,000 g/mol 이하, 7,000 g/mol 이하, 6,500 g/mol 이하, 6,000 g/mol 이하, 5,500 g/mol 이하, 5,000 g/mol 이하, 또는 심지어 4,700 g/mol 이하의 캡핑된 수지의 Mn을 제공하기에 충분하다. 예를 들어, a의 값은 40 내지 55, 또는 43 내지 50일 수 있다. b의 값은 45 내지 65, 또는 50 내지 57일 수 있다.
화학식 (I-1)에서 c의 값은 0 내지, 0 내지 최대 2%의 가수분해성 기를 캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값이다. 가수분해성 기는 전형적으로는 하이드록실이다. 예를 들어, 캡핑된 고체 수지 (A-1)은 캡핑된 수지의 중량을 기준으로 2 중량% 이하의 규소 결합된 하이드록실(OH) 기("실라놀기"로도 지칭됨), 예를 들어 1.9% 이하, 1.8% 이하, 1.7% 이하, 1.6% 이하, 1.5% 이하, 1.4% 이하, 1.3% 이하, 1.2% 이하, 1.1% 이하, 또는 심지어 1% 이하의 규소 결합된 하이드록실기를 포함한다. 규소 결합된 하이드록실기의 중량 백분율은 핵자기 공명(NMR) 분광법에 의해 결정될 수 있다. NMR 분석은 하기 실시예 섹션에서 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다.
본 발명에 유용한 캡핑된 고체 수지 (A-2)은 (I-2)의 단위 화학식을 가지며:
(RM 3SiO1/2) a' (SiO4/2) b' Z c'
상기 식에서, 각각의 RM 및 Z는 캡핑된 수지 (A-1) 섹션에서 상기 기재된 바와 같고; c'는 캡핑된 수지의 중량을 기준으로 > 2 중량% 내지 10 중량%의 가수분해성 기 함량을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값을 갖고, a' 및 b'는 a' > 4, b' > 0, 바람직하게는 b' > 1이도록 하는 값을 갖고, (a' + b')의 값은 GPC 분석에 의해 측정된 500 내지 8,000 g/mol, 예를 들어 GPC 분석에 의해 결정된 1,000 g/mol 이상, 1,500 g/mol 이상, 2,000 g/mol 이상, 2,500 g/mol 이상, 또는 심지어 2,700 g/mol 이상, 그리고 동시에, 8,000 g/mol 이하, 7,000 g/mol 이하, 6,500 g/mol 이하, 6,000 g/mol 이하, 5,500 g/mol 이하, 5,000 g/mol 이하, 또는 심지어 4,700 g/mol 이하의 Mn을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분하다. 예를 들어, a'의 값은 40 내지 55, 또는 43 내지 50일 수 있다. b'의 값은 45 내지 65, 또는 50 내지 57일 수 있다. 미캡핑된 고체 수지는 > 2%, > 2.5%, 또는 심지어 > 3%의 양으로 규소 결합된 OH 기를 포함할 수 있다. 규소 결합된 OH 기의 중량 백분율은 NMR 분광법에 의해 결정될 수 있다. GPC 및 NMR 분석은 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다.
본 발명에 유용한 고체 폴리오가노실리케이트 수지(예를 들어, 상기 (A-1) 및 (A-2))는 화학식 RM 3SiO1/2의 단작용성 단위("M" 단위) 및 화학식 SiO4/2의 4작용성 실리케이트 단위("Q" 단위)를 포함한다. M 단위는 (Me3SiO1/2), (Me2PhSiO1/2), 또는 (Me2ViSiO1/2)로 예시될 수 있으며, 여기서, Me는 메틸을 나타내고, Ph는 페닐을 나타내고, Vi는 비닐을 나타낸다. 폴리오가노실리케이트 수지는 화학식 (RMSiO)4Si를 갖는 네오펜타머 오가노폴리실록산, 수지 제조에서의 부산물, 예컨대 테트라키스(트리메틸실록시)실란을 함유할 수 있다. 폴리오가노실리케이트 수지 내의 Q 단위에 대한 M 단위의 몰비("M/Q 비")는 전형적으로는 NMR 분석에 의해 결정된 0.5 내지 1.5, 0.65 내지 1.3, 또는 0.8 내지 1.2 범위이다. M/Q 비는 폴리오가노실리케이트 수지 내의 Q 단위의 총 수에 대한 M 단위의 총 수를 나타내며, 존재하는 경우 임의의 네오펜타머로부터의 기여도를 포함한다. 폴리오가노실리케이트 수지는 폴리오가노실리케이트 수지의 규소 결합된 하이드록실 함량을 차지하는 HOSiO3/2 단위(TOH 단위) 및/또는 HORM 2SiO1/2을 함유할 수 있다.
본 발명에 유용한 고체 폴리오가노실리케이트 수지(예를 들어, 상기 (A-1) 및 (A-2))는 상응하는 실란의 공가수분해 또는 실리카 하이드로졸 캡핑 방법과 같은 임의의 적합한 방법에 의해 제조될 수 있다. 고체 폴리오가노실리케이트 수지는 Daudt 외의 미국 특허 제2,676,182호; Rivers-Farrell 외의 미국 특허 제4,611,042호; 및 Butler 외의 미국 특허 제4,774,310호에 개시된 것들과 같은 실리카 하이드로졸 캡핑 공정에 의해 제조될 수 있다. 상기 기재된 Daudt 외의 방법은 산성 조건 하에서 실리카 하이드로졸을 가수분해성 트리오가노실란, 예컨대 트리메틸클로로실란, 실록산, 예컨대 헥사메틸디실록산, 또는 이의 혼합물과 반응시키는 단계 및 단작용성 단위와 4작용성 단위를 갖는 공중합체를 회수하는 단계를 포함한다. 수득되는 공중합체는 일반적으로는 2 내지 5 중량%의 하이드록실기를 함유한다. 폴리오가노실리케이트 수지의 제조 동안 형성된 규소 결합된 하이드록실기는 캡핑으로 지칭되는 공정에서 실리콘 수지를 적절한 말단기를 함유하는 실란, 디실록산, 또는 디실라잔과 반응시킴으로써 트리하이드로카본 실록산기 또는 상이한 가수분해성 기로 전환될 수 있다. 가수분해성 기를 함유하는 실란은 폴리오가노실리케이트 수지 상의 규소 결합된 하이드록실기와 반응하는 데 필요한 양의 과량의 몰로 첨가될 수 있다. 고체 폴리오가노실리케이트 수지는 Berry 외의 미국 특허 제8,017,712호 및 본문에서 인용된 참고문헌, 및 Brown 외의 미국 특허 제10,351,742호 및 본문에서 인용된 참고문헌에 기재된 바와 같이 제조되고, 이어서 탈휘발화될 수 있다. 고체 폴리오가노실리케이트 수지(예를 들어, 플레이크 수지)는 또한 미국 미시간주 미들랜드 소재의 Dow Silicones Corporation; 미국 뉴욕주 올버니 소재의 Momentive Performance Materials, 및 미국 뉴저지주 이스트 브룬스윅 소재의 Bluestar Silicones USA Corp.와 같은 다양한 공급업체로부터 상업적으로 입수 가능하다.
출발 물질 (A)는 구조, Mn, 실록산 단위, 서열, 및/또는 규소 결합된 OH 함량이 상이한 둘 이상의 고체 폴리오가노실리케이트 수지의 혼합물일 수 있다. 예를 들어, 캡핑된 고체 수지 (A-1)는 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 50 중량% 이상, 60 중량% 이상, 70 중량% 이상, 80 중량% 이상, 90 중량% 이상, 95 중량% 이상, 또는 심지어 100% 중량%의 양으로 존재할 수 있다. 예를 들어, 미캡핑된 고체 수지 (A-2)는 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 50 중량% 이하, 40 중량% 이하, 30 중량% 이하, 20 중량% 이하, 10 중량% 이하, 5 중량% 이하, 또는 심지어 0의 양으로 존재할 수 있다. 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분은 상기 캡핑된 고체 수지 (A-1) 및 미캡핑된 고체 수지 (A-2)로 구성될 수 있으며, 즉, (A-1) 및 (A-2)의 총 농도는 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 100 중량%와 동일할 수 있다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 또한 (i) 상기 출발 물질 (A)를 출발 물질 (B) 및 선택적으로 출발 물질 (C)와 혼합하는 단계를 포함한다. 수득되는 혼합물은 추가로 냉각되어 실리콘 베이스 부분을 형성한다(예를 들어, 공정의 단계 (iii)).
본 발명에 유용한 출발 물질 (B)는 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1), 분지형 폴리오가노실록산 (B-2), 또는 (B-1)과 (B-2)의 혼합물이다.
본 발명에 유용한 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)은 단위 화학식 (II-1)을 포함하며:
(R1 2R2SiO1/2) x (R1 3SiO1/2) y (R1R2SiO2/2) z (R1 2SiO2/2) w ,
상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 지방족 불포화가 없는 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 R2는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기이고; x > 0, y ≥ 0, (x + y) = 2, z ≥ 0, w ≥ 0, (w + z) > 0이고, (x + y + z + w)의 값은 GPC 분석에 의해 측정된 5,000 내지 50,000 g/mol의 Mn을 지방족 불포화 폴리디오가노실록산에 제공하기에 충분하다. 예를 들어, 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)의 Mn은 5,200 g/mol 이상, 5,500 g/mol 이상, 5,800 g/mol 이상, 6,000 g/mol 이상, 6,200 g/mol 이상, 6,500 g/mol 이상, 또는 심지어 7,000 g/mol 이상, 그리고 동시에, 48,000 g/mol 이하, 45,000 g/mol 이하, 40,000 g/mol 이하, 35,000 g/mol 이하, 30,000 g/mol 이하, 25,000 g/mol 이하, 20,000 g/mol 이하, 또는 심지어 18,000 g/mol 이하일 수 있다. GPC 분석은 하기 실시예 섹션에서 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다. (w+z)의 값은 50 이상, 100 이상, 150 이상, 200 이상, 또는 심지어 300 이상, 그리고 동시에, 600 이하, 500 이하, 450 이하, 또는 심지어 400 이하일 수 있다.
R1은 전형적으로는 1 내지 20개의 탄소 원자, 1 내지 15개의 탄소 원자, 1 내지 12개의 탄소 원자, 1 내지 10개의 탄소 원자, 1 내지 6개의 탄소 원자, 1 내지 3개의 탄소 원자, 또는 1 내지 2개의 탄소 원자를 갖는다. R1에 적합한 1가 탄화수소기는 상기 기재된 알킬기 및 방향족 기, 예컨대 아릴기 및 아르알킬기로 예시된다. 각각의 R1은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬기일 수 있다. R1로 표시되는 1가 탄화수소기의 적어도 50 mol%, 60 mol% 이상, 70 mol% 이상 또는 심지어 80 mol% 이상은 메틸일 수 있다. 본원에서 메틸의 몰 백분율은 NMR 분석에 의해 결정될 수 있다. 바람직하게는, 각각의 R1은 메틸이다.
R2는 전형적으로는 2 내지 20개의 탄소 원자, 2 내지 10개의 탄소 원자, 2 내지 8개의 탄소 원자, 또는 2 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. R2에 대한 1가 지방족 불포화 탄화수소기는 알케닐기일 수 있다. R2에 적합한 알케닐기의 예는 비닐, 알릴, 프로페닐(예를 들어, 이소프로페닐 및/또는 n-프로페닐); 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 및 헵테닐, 그리고 이의 분지형 및 선형 이성질체; 및 사이클로헥세닐을 포함한다. 바람직하게는, 알케닐기는 비닐이다. 지방족 불포화 폴리디오가노폴리실록산 내의 알케닐기는 말단, 펜던트, 또는 말단과 펜던트 위치 둘 모두에 위치할 수 있다.
적합한 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)의 예는 b1) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, b2) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산), b3) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리메틸비닐실록산, b4) 트리메틸실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산), b5) 트리메틸실록시-종결화된 폴리메틸비닐실록산, b6) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산), b7) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸페닐실록산), b8) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/디페닐실록산), b9) 페닐, 메틸, 비닐-실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, b10) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, b11) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산), b12) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리메틸헥세닐실록산, b13) 트리메틸실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산), b14) 트리메틸실록시-종결화된 폴리메틸헥세닐실록산, b15) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산), b16) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸헥세닐실록산), 또는 이의 조합을 포함한다. 바람직하게는, 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)은 b1) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, b2) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸비닐실록산), 또는 b1)과 b2)의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된다. 지방족 불포화 폴리디오가노실록산은 당업계에 알려져 있으며, 상응하는 오가노할로실란의 가수분해 및 축합 또는 고리형 폴리디오가노실록산의 평형화와 같은 방법에 의해 제조될 수 있다.
본 발명에 유용한 분지형 폴리오가노실록산 (B-2)는 단위 화학식 (II-2)를 포함하며:
(R1 3SiO1/2) g (R1 2R2SiO1/2) h (R1 2SiO2/2) i (SiO4/2)
상기 식에서, R1 및 R2는 상기 기재된 바와 같고, g, h, 및 i는 2≥ g ≥0, 4≥ h ≥0, 995≥ i ≥4, (g + h) = 4이도록 하는 값을 갖고, (g + h + i)의 값은 GPC 분석에 의해 결정된 5,000 내지 50,000 g/mol의 Mn을 분지형 폴리오가노실록산에 제공하기에 충분하다. GPC 분석은 하기 실시예 섹션에서 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다. 예를 들어, 분지형 폴리디오가노실록산 (B-2)의 Mn은 5,200 g/mol 이상, 5,500 g/mol 이상, 5,800 g/mol 이상, 6,000 g/mol 이상, 6,200 g/mol 이상, 6,500 g/mol 이상, 또는 심지어 7,000 g/mol 이상, 그리고 동시에, 48,000 g/mol 이하, 45,000 g/mol 이하, 40,000 g/mol 이하, 35,000 g/mol 이하, 30,000 g/mol 이하, 25,000 g/mol 이하, 20,000 g/mol 이하, 또는 심지어 18,000 g/mol 이하일 수 있다. i의 값은 50 이상, 100 이상, 150 이상, 200 이상, 또는 심지어 250 이상, 그리고 동시에, 600 이하, 500 이하, 400 이하, 또는 심지어 300 이하일 수 있다. 분지형 폴리오가노실록산 (B-2)의 제조 방법 및 적합한 분지형 폴리오가노실록산 (B-2)의 예는 예를 들어 미국 특허 제6,806,339호 및 미국 특허출원공개 US 2007/0289495호에 개시되어 있다.
출발 물질 (B)는 단일 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1), 다음 특성 중 적어도 하나가 상이한 둘 이상의 지방족 불포화 폴리디오가노실록산을 포함하는 혼합물: 구조, Mn, 실록산 단위, 및 서열, 단일 분지형 폴리오가노실록산 (B-2), 다음 특성 중 적어도 하나가 상이한 둘 이상의 분지형 폴리오가노실록산의 혼합물: 구조, Mn, 실록산 단위, 및 서열; 또는 이의 혼합물일 수 있다. (B-1) 및/또는 (B-2)는 회전 점도계에 의해 측정된 실온에서 4,000 mPa·s 이하, 3,500 mPa·s 이하, 3,000 mPa·s 이하, 2,500 mPa·s 이하, 2,000 mPa·s 이하, 또는 심지어 1,500 mPa·s 이하, 그리고 동시에, 200 mPa·s 이상, 300 mPa·s 이상, 400 mPa·s 이상, 또는 심지어500 mPa·s 이상의 점도를 갖는 출발 물질 (B)를 제공하는 양으로 존재할 수 있다. 점도는 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 결정될 수 있다.
본 발명에서 유용한 출발 물질 (B)는 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질의 총 중량을 기준으로 46 중량% 이상, 47 중량% 이상, 48 중량% 이상, 49 중량% 이상, 50 중량% 이상, 51 중량% 이상, 52 중량% 이상, 53 중량% 이상, 54 중량% 이상, 55 중량% 이상, 60 중량% 이상, 62 중량% 이상, 또는 심지어 65 중량% 이상, 그리고 동시에, 90 중량% 이하, 85 중량% 이하, 80 중량% 이하, 75 중량% 이하, 74 중량% 이하, 73 중량% 이하, 또는 심지어 70 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다. 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질의 총 중량은 출발 물질 (A) 내지 (E) 및 존재하는 경우, 하기 기재되는 출발 물질 (F)와 (G)의 조합된 중량일 수 있다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (C)는 단위 화학식 (III)의 폴리디오가노실록산 검이며:
(R1 2RGSiO1/2)2(R1 2SiO2/2) d
상기 식에서, R1은 기재된 바와 같고; 각각의 RG는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기, 하이드록실, 또는 이의 조합이고; d는 GPC 분석에 의해 측정된 300,000 g/mol 이상, 예를 들어, 350,000 g/mol 이상, 400,000 g/mol 이상, 450,000 g/mol 이상, 500,000 g/mol 이상, 그리고 동시에, 1,000,000 g/mol 이하, 900,000 g/mol 이하, 800,000 g/mol 이하, 700,000 g/mol 이하, 또는 심지어 600,000 g/mol 이하의 Mn을 폴리디오가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖는다. GPC 분석은 하기 실시예 섹션에서 기재되는 시험 방법에 따라 수행될 수 있다. 예를 들어, d의 값은 4,000 이상, 4,500 이상, 5,000 이상, 5,500 이상, 또는 심지어 6,000 이상, 그리고 동시에, 10,000 이하, 9,000 이하, 8,000 이하, 또는 심지어 7,000 이하일 수 있다.
R1은 상기 출발 물질 (B)의 섹션에서 상기 기재된 바와 같다. RG로 표시되는 지방족 불포화 탄화수소기는 전형적으로는 2 내지 20개의 탄소 원자, 2 내지 10개의 탄소 원자, 2 내지 8개의 탄소 원자, 또는 2 내지 6개의 탄소 원자를 갖는다. 지방족 불포화 탄화수소기는 알케닐일 수 있다. RG로 표시되는 적합한 알케닐기의 예는 비닐, 알릴, 프로페닐(예를 들어, 이소프로페닐 및/또는 n-프로페닐); 부테닐, 펜테닐, 헥세닐, 및 헵테닐, 그리고 이의 분지형 및 선형 이성질체; 및 사이클로헥세닐을 포함한다. 바람직하게는, 알케닐기는 비닐이다. 폴리디오가노실록산 검 내의 알케닐기 및/또는 하이드록실기는 말단 위치에 위치할 수 있다. 출발 물질 (C)는 둘 이상의 상이한 폴리디오가노실록산 검의 혼합물일 수 있다.
적합한 폴리디오가노실록산 검의 예는 C1) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, C2) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산, C3) 디메틸비닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산, C4) 페닐,메틸,비닐-실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, C5) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, C6) 디메틸헥세닐-실록시 종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산, C7) 디메틸헥세닐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산, C8) 하이드록실-종결화된 폴리디메틸실록산, C9) 하이드록실-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸페닐)실록산, C10) 하이드록실-종결화된 폴리(디메틸실록산/디페닐)실록산, 또는 이의 혼합물을 포함한다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (C)는 무용매 PSA 조성물 중의 모든 출발 물질의 총 중량을 기준으로 0 이상, 0.1 중량% 이상, 0.2 중량% 이상, 0.5 중량% 이상, 0.8 중량% 이상, 1 중량% 이상, 1.5 중량% 이상, 또는 심지어 2 중량% 이상, 그리고 동시에, 6 중량% 이하, 5.5 중량% 이하, 5 중량% 이하, 4 중량% 이하, 2.3 중량% 이하, 2 중량% 이하, 또는 심지어 1.6 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다.
출발 물질 (A), (B), 및 (C)는 0.1 내지 1.2, 0.15 내지 1.1, 0.2 내지 1.0, 0.25 내지 0.9, 또는 0.3 내지 0.8 범위의 (A): [(B)+(C)]의 중량비, 즉, R/P 비로 지칭되는 출발 물질 (B)와 (C)의 조합된 양에 대한 출발 물질 (A)의 양을 제공하는 양으로 존재한다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 또한 (iv) 상기 수득된 실리콘 베이스 부분을 출발 물질 (D) 및 (E), 그리고 선택적으로 출발 물질 (F) 및/또는 (G)를 포함하는 기타 출발 물질과 혼합하여 무용매 PSA 조성물을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (D)는 하나 이상의 폴리오가노하이드로겐실록산이다. 출발 물질 (D)는 무용매 PSA 조성물의 하이드로실릴화 반응에서 가교제로서 작용한다. 폴리오가노하이드로겐실록산은 전형적으로는 분자당 적어도 2개 또는 적어도 3개의 규소 결합된 수소 원자를 갖는다. 폴리오가노하이드로겐실록산은 단위 화학식 (IV)를 포함할 수 있으며:
(R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2) e (HR1 2SiO2/2) f
상기 식에서, R1은 상기 기재된 바와 같고, e ≥ 0, f ≥ 3이고, (e + f)는 4 내지 500이다.
R1은 상기 출발 물질 (B)의 섹션에서 기재된 바와 같다. 바람직하게는, 각각의 R1은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬, 보다 바람직하게는 메틸이다, (e + f)의 값은 4 이상, 5 이상, 7 이상, 10 이상, 20 이상, 30 이상, 40 이상, 또는 심지어 50 이상, 그리고 동시에, 500 이하, 400 이하, 200 이하, 150 이하, 140 이하, 130 이하, 120 이하, 110 이하, 또는 심지어 100 이하일 수 있다.
본 발명에서 유용한 폴리오가노하이드로겐실록산은 폴리오가노하이드로겐실록산의 중량을 기준으로 0.38 중량% 이상, 0.5 중량% 이상, 0.6 중량% 이상, 또는 심지어 0.75 중량% 이상, 그리고 동시에, 2 중량% 이하, 1.9 중량% 이하, 1.8 중량% 이하, 1.75 중량% 이하, 1.7 중량% 이하, 또는 심지어 1.6 중량% 이하의 양으로 규소 결합된 수소 원자를 포함할 수 있다. 규소 결합된 수소 원자의 함량은 NMR 분석에 의해 결정될 수 있다.
오가노하이드리도할로실란의 가수분해 및 축합과 같은 폴리오가노하이드로겐실록산의 제조 방법은 당업계에 잘 알려져 있다. 적합한 폴리오가노하이드로겐실록산의 예는 D1) 트리메틸실록시-종결화된 폴리(디메틸/메틸하이드로겐)실록산, D2) 트리메틸실록시-종결화된 폴리메틸하이드로겐실록산, D3) 디메틸하이드로겐실록시-종결화된 폴리디메틸실록산, D4) 디메틸하이드로겐실록시-종결화된 폴리(디메틸실록산/메틸하이드로겐실록산, D5) 디메틸하이드로겐실록시-종결화된 폴리메틸하이드로겐실록산, 또는 이의 조합을 포함한다.
출발 물질 (B)는 1 내지 10, 1.1 내지 8, 1.2 내지 7, 1.3 내지 6, 1.4 내지 5, 1.5 내지 4의 SiH/Vi 비로 지칭되는 무용매 PSA 조성물 중의 지방족 불포화 탄화수소기를 함유하는 모든 출발 물질 중의 지방족 불포화 탄화수소기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비를 제공하기에 충분한 양으로 존재한다. 전형적으로, 출발 물질 (B)는 무용매 PSA 조성물 중의 지방족 불포화 탄화수소기를 함유하는 출발 물질의 총 중량을 기준으로 0.1 중량% 이상, 1 중량% 이상, 또는 심지어 2 중량% 이상, 그리고 동시에, 5 중량% 이하, 4 중량% 이하, 또는 심지어 3 중량% 이하의 양으로 존재한다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (E)는 하이드로실릴화 반응 촉매이다. 하이드로실릴화 반응 촉매는 출발 물질 (B)와 출발 물질 (D)의 부가 반응을 촉진할 수 있다. 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금족 금속 촉매를 포함할 수 있다. 이러한 하이드로실릴화 반응 촉매는 (E1) 백금, 로듐, 루테늄, 팔라듐, 오스뮴, 및 이리듐, 바람직하게는 백금으로부터 선택되는 금속; (E2) 예를 들어 클로리도트리스(트리페닐포스판)로듐(I)(윌킨슨 촉매(Wilkinson's Catalyst)), 로듐 디포스핀 킬레이트, 예컨대 [1,2-비스(디페닐포스피노)에탄]디클로로디로듐 또는 [1,2-비스(디에틸포스피노)에탄]디클로로디로듐, 클로로백금산(스파이어 촉매(Speier's Catalyst)), 클로로백금산 6수화물 또는 이염화백금을 포함하는 이러한 금속의 화합물, (E3) 백금족 금속 화합물과 저분자량 오가노폴리실록산의 착물, (E4) 매트릭스 또는 코어-쉘형 구조 내에 마이크로캡슐화된 백금족 금속 화합물, 또는 이의 조합, (E5) 수지 매트릭스 내에 마이크로캡슐화된 착물, 또는 이의 조합을 포함할 수 있다. 백금과 저분자량의 오가노폴리실록산의 착물은 백금과의 1,3-디에테닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착물(카르스테트 촉매(Karstedt's Catalyst))을 포함한다. 예시적 하이드로실릴화 반응 촉매는 미국 특허 제3,159,601호 및 제3,220,972호에 기재되어 있다.
하이드로실릴화 반응 촉매의 농도는 무용매 PSA 조성물 중의 규소 결합된 수소 원자와 지방족 불포화 기의 하이드로실릴화 반응을 촉매 작용하기에 충분하다. 전형적으로, 하이드로실릴화 반응 촉매의 농도는 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질의 총 중량을 기준으로 1 백만부(ppm) 이상, 5 ppm 이상, 10 ppm 이상, 20 ppm 이상, 또는 심지어 30 ppm 이상, 동시에, 6,000 ppm 이하, 5,000 ppm 이하, 4,000 ppm 이하, 3,000 ppm 이하, 2,000 ppm 이하, 1,000 ppm 이하, 500 ppm 이하, 100 ppm 이하, 또는 심지어 50 ppm 이하의 백금족 금속을 제공하기에 충분하다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (F)는 동일한 출발 물질이되, 억제제가 제외된 출발 물질의 반응 속도와 비교하여, 무용매 PSA 조성물 중의 규소 결합된 수소 원자와 지방족 불포화 탄화수소기의 반응 속도를 변경시키기 위해 선택적으로 사용될 수 있는 하이드로실릴화 반응 억제제이다. 적합한 하이드로실릴화 반응 억제제의 예는 아세틸렌계 알코올, 예컨대 메틸 부틴올, 에티닐 사이클로헥산올, 디메틸 헥신올, 및 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 1-부틴-3-올, 1-프로핀-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3-페닐-1-부틴-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 및 1-에티닐-1-사이클로헥산올(ETCH), 및 이의 조합; 사이클로알케닐실록산, 예컨대 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산, 및 이의 조합에 의해 예시되는 메틸비닐사이클로실록산; 엔-인(ene-yne) 화합물, 예컨대 3-메틸-3-펜텐-1-인, 3,5-디메틸-3-헥센-1-인, 및 이의 조합; 트리아졸, 예컨대 벤조트리아졸; 포스핀; 메르캅탄; 하이드라진; 아민, 예컨대 테트라메틸 에틸렌디아민, 3-디메틸아미노-1-프로핀, n-메틸프로파르길아민, 프로파르길아민 및 1-에티닐사이클로헥실아민; 디알킬 푸마레이트, 예컨대 디에틸 푸마레이트, 디알케닐 푸마레이트, 예컨대 디알릴 푸마레이트, 디알콕시알킬 푸마레이트, 말레에이트, 예컨대 디알릴 말레에이트 및 디에틸 말레에이트; 니트릴; 에테르; 일산화탄소; 알켄, 예컨대 사이클로옥타디엔, 디비닐테트라메틸디실록산; 알코올, 예컨대 벤질 알코올; 또는 이의 혼합물을 포함한다.
본 발명에서 유용한 하이드로실릴화 반응 억제제는 무용매 PSA 조성물의 출발 물질의 총 중량을 기준으로 0 이상, 0.01 중량% 이상, 0.1 중량% 이상, 0.2 중량% 이상, 0.3 중량% 이상, 또는 심지어 1 중량% 이상, 그리고 동시에, 5 중량% 이하, 4 중량% 이하, 3 중량% 이하, 또는 심지어 2 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다.
본 발명에 유용한 출발 물질 (G)는 앵커리지 첨가제이다. 앵커리지 첨가제는 알콕시실란, 비닐 아세톡시실란과 에폭시-작용성 알콕시실란의 반응 생성물, 알콕시실란과 분자당 적어도 하나의 지방족 불포화 탄화수소기 및 적어도 하나의 가수분해성 기를 갖는 폴리오가노실록산과 에폭시-작용성 알콕시실란의 배합물 및/또는 반응 생성물(예를 들어, 하이드록시-종결화된, 비닐 작용성 폴리디메틸실록산과 글리시독시프로필트리메톡시실란의 배합물 및/또는 반응 생성물), 또는 이의 혼합물을 포함할 수 있다. 알콕시실란은 불포화 또는 에폭시-작용성 알콕시실란, 메틸트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 비스(트리메톡시실릴)프로판, 및 비스(트리메톡시실릴)헥산; 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 메틸페닐디메톡시실란, 메틸페닐디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 또는 이의 혼합물일 수 있다. 적합한 에폭시-작용성 알콕시실란의 예는 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디메톡시실란, (에폭시사이클로헥실)에틸디에톡시실란, 및 이의 혼합물을 포함한다. 적합한 불포화 알콕시실란의 예는 비닐트리메톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란, 헥세닐트리메톡시실란, 운데실레닐트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리에톡시실란, 및 이의 혼합물을 포함한다. 상업적으로 입수 가능한 적합한 앵커리지 첨가제는 예를 들어 미국 미시간주 미들랜드 소재의 Dow Silicones Corporation으로부터 모두 입수 가능한 SYL-OFF™ 297, SYL-OFF™ 397, 및 SYL-OFF™ SL 9250을 포함할 수 있다(SYL-OFF는 Dow Silicones Corporation의 상표명임).
특히, 앵커리지 첨가제의 예는 (G1) 비닐트리아세톡시실란, (G2) 글리시독시프로필트리메톡시실란, (G3) (G1)과 (G2)의 배합물 또는 반응 생성물, 및 (G4) (G3)과 하이드록실기, 메톡시기로 종결화되거나, 하이드록시기와 메톡시기 둘 모두로 종결화된 폴리디메틸실록산의 조합을 포함한다.
본 발명에 유용한 앵커리지 첨가제는 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질을 기준으로 0 이상, 0.01 중량% 이상, 0.05 중량% 이상, 0.1 중량% 이상, 또는 심지어 0.5 중량% 이상, 그리고 동시에, 5 중량% 이하, 4.5 중량% 이하, 4 중량% 이하, 3.5 중량% 이하, 3 중량% 이하, 2.5 중량% 이하, 2 중량% 이하, 1.5 중량% 이하, 또는 심지어 1 중량% 이하의 양으로 존재할 수 있다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 (i) 출발 물질 (A), 출발 물질 (B), 및 선택적으로 상기 기재된 하나 이상의 기타 추가의 출발 물질, 예컨대 출발 물질 (C)를 제공하는 단계 및 (ii) 출발 물질 (A)와 (B), 및 선택적으로 출발 물질 (C)를 100℃ 이상, 예를 들어 110℃ 이상, 120℃ 이상, 130℃ 이상, 140℃ 이상, 또는 심지어 150℃ 이상, 그리고 동시에, 230℃ 이하, 220℃ 이하, 210℃ 이하, 200℃ 이하, 190℃ 이하, 또는 심지어 180℃ 이하의 온도에서 혼합하는 단계를 포함한다. 출발 물질 (A)를 위한 고체 폴리오가노실리케이트 수지(예를 들어, (A-1) 및 (A-2))는 출발 물질 (B) 및 선택적으로 출발 물질 (C)와 혼합될 때, 플레이크 또는 분말로서 존재할 수 있다. 단계 (ii)에서의 혼합 온도는 전형적으로는 육안으로 투명한 균질한 혼합물을 형성하도록 선택될 수 있다. 본원에서 "균질한 혼합물"은 육안으로 관찰되는 상 분리 또는 층상화(layering)를 나타내지 않는 혼합물을 지칭된다. 출발 물질의 혼합은 회분식 또는 연속식 공정에서 밀링, 배합, 압출, 및 교반과 같이 당업계에 알려진 임의의 기술에 의해 달성될 수 있다. 상기 출발 물질을 혼합하기 위한 지속 시간, 예를 들어 10분 내지 4시간, 0.5시간 내지 2시간, 또는 1시간 내지 2시간은 출발 물질 (A)와 (B)의 분자량 및 농도 및/또는 혼합 방법에 좌우될 것이다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 (iii) 단계 (ii)로부터 수득된 결과 혼합물을 냉각시켜서 실리콘 베이스 부분을 형성하는 단계를 추가로 포함한다. 냉각을 위한 온도는 60℃ 이하, 50℃ 이하, 40℃ 이하, 30℃ 이하, 또는 심지어 25℃ 이하일 수 있다. 실리콘 베이스 부분은 실온에서 액체이며, 이는 전형적으로는 균질한 혼합물이다. 실리콘 베이스 부분은 회전 점도계에 의해 측정될 때 실온에서 5,000 mPa·s 미만, 예를 들어 4,950 mPa·s 이하, 4,900 mPa·s 이하, 4,800 mPa·s 이하, 4,500 mPa·s 이하, 4,000 mPa·s 이하, 3,500 mPa·s 이하, 3,000 mPa·s 이하, 2,500 mPa·s 이하, 또는 심지어 2,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는다. 점도는 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 결정될 수 있다.
본 발명의 PSA 조성물의 제조 공정은 (iv) 단계 (iii)으로부터 수득된 실리콘 베이스 부분을 출발 물질 (D) 하이드로실릴화 반응 촉매 및 (E) 폴리오가노하이드로겐실록산, 그리고 선택적으로 하이드로실릴화 반응 억제제 및/또는 앵커리지 첨가제를 포함하는 기타 추가의 출발 물질과 혼합하는 단계를 추가로 포함한다. 존재할 때, 하이드로실릴화 반응 억제제는 예를 들어 무용매 PSA 조성물이 일부분형 조성물로서 제조될 것일 때, 하이드로실릴화 반응 촉매 전에 실리콘 베이스 부분에 첨가될 수 있다. 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 상기 기재된 공정의 단계 (iii)으로부터 수득된 적어도 실리콘 베이스 부분 및 경화제 부분을 포함하는 다부분형 조성물을 제조하기 위해 사용될 수 있다. 적어도 하이드로실릴화 반응 촉매, 폴리오가노하이드로겐실록산, 및 선택적으로 상기 기재된 기타 추가의 출발 물질을 포함하는 출발 물질을 조합함으로써 경화제 부분이 제조될 수 있다. 하이드로실릴화 반응 억제제는 실리콘 베이스 부분, 경화제 부분, 또는 별도의 추가 부분 중 하나 이상에 포함될 수 있다. 앵커리지 첨가제는 실리콘 베이스 부분 및/또는 경화제 부분에 첨가될 수 있거나, 별도의 추가 부분으로서 첨가될 수 있다. 부분들은 무용매 PSA 조성물의 사용 직전에 조합된다. 이부분형 조성물이 사용될 때, 베이스 부분 대 경화제 부분의 양의 중량비는 1:1 내지 10:1 범위일 수 있다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 용매의 실질적 부재 하에 수행될 수 있으며, 즉, 용매는 무용매 PSA 조성물의 제조 동안 의도적으로 첨가되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 공정은 무용매 PSA 조성물 중의 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분과 같은 하나 이상의 출발 물질을 용해시키기 위한 용매의 첨가 및/또는 실리콘 베이스 부분으로의 용매의 첨가가 필요하지 않다. "용매의 실질적 부재"는 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질의 총 중량을 기준으로 중량 기준 100 ppm 이하, 80 ppm 이하, 50 ppm 이하, 또는 심지어 0의 용매를 지칭한다. 용매의 함량은 가스 크로마토그래피(GC)에 의해 측정될 수 있다. 본원에서 "용매"는 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분(출발 물질 (A))을 가용화할 수 있는 임의의 화합물을 지칭하며, 즉, 폴리오가노실리케이트 수지 성분은 용매 중에 가용성이다. 용매는 유기 용매, 예컨대 포화 또는 불포화 지방족 또는 방향족 탄화수소, 예컨대 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 헥산, 헵탄, 옥탄, 이소-파라핀, 8 내지 18개의 탄소 원자 및 분자당 적어도 하나의 지방족 불포화의 탄화수소 화합물, 예컨대 테트라데센; 케톤, 예컨대 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 또는 메틸 이소부틸 케톤; 에스테르 아세테이트, 예컨대 에틸 아세테이트 또는 이소부틸 아세테이트; 에테르, 예컨대 글리콜 에테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디이소프로필 에테르, 또는 1,4-디옥산; 3 내지 10의 평균 중합도를 갖는 고리형 실록산, 예컨대 헥사메틸사이클로트리실록산, 옥타메틸사이클로테트라실록산, 및/또는 데카메틸사이클로펜타실록산; 또는 이의 혼합물일 수 있다.
용매의 실질적 부재로 인해, 무용매 PSA 조성물의 제조 공정은 용매의 제거를 위한 추가의 스트리핑 절차를 포함하지 않는다(즉, 없음). 본 발명의 공정은 상기 기재된 소기의 저점도를 갖는 결과 무용매 PSA 조성물을 여전히 제공하면서, 용매의 도움 없이 무용매 PSA 조성물이 제조될 수 있도록 한다. 본 발명의 공정에 의해 제조된 PSA 조성물은 무용매이다. 무용매 PSA 조성물은 용매를 함유하지 않거나, PSA 조성물 중의 출발 물질의 전달로부터 극미량의 잔류 용매, 예를 들어 무용매 PSA 조성물의 총 중량을 기준으로(예를 들어, 무용매 PSA 조성물 중의 출발 물질의 총 중량 기준) 중량 기준 100 ppm 미만의 용매를 함유할 수 있다. 무용매 PSA 조성물 중의 잔류 용매의 함량은 가스 크로마토그래피(GC)에 의해 측정될 수 있다. 본 발명의 공정에 의해 제조된 무용매 PSA 조성물은 저점도를 제공하여 사용 전에 무용매 PSA 조성물에 용매를 첨가할 필요 없이 무용매 PSA 조성물을 기재 상에 직접 코팅하는 것이 적용 가능하도록 만들 수 있다. 예를 들어, 무용매 PSA 조성물은 전형적으로 회전 점도계에 의해 PSA 조성물의 모든 출발 물질을 함께 혼합하는 0.5시간 내에 측정될 때 실온에서 5,000 mPa·s 미만, 예를 들어 4,950 mPa·s 이하, 4,900 mPa·s 이하, 4,800 mPa·s 이하, 4,500 mPa·s 이하, 4,000 mPa·s 이하, 3,500 mPa·s 이하, 3,000 mPa·s 이하, 2,500 mPa·s 이하, 또는 심지어 2,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는다. 점도는 하기 실시예 섹션에 기재되는 시험 방법에 따라 결정될 수 있다.
본 발명은 또한 무용매 PSA 조성물의 경화된 생성물을 포함하는 감압성 접착제, 즉, 하이드로실릴화 반응을 통해 무용매 PSA 조성물을 경화시키는 것에 의해 형성된 감압성 접착제에 관한 것이다. 접착제 물품, 예컨대 필름 또는 테이프는 무용매 PSA 조성물을 기재 상에 적용함으로써 제조될 수 있다. 본 발명은 무용매 PSA 조성물을 기재에 적용하는 단계 및 무용매 PSA 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는 보호 필름과 같은 접착제 물품의 제조 방법에 관한 것이다. 무용매 PSA 조성물을 기재 상에 적용하는 단계는 예를 들어 디스펜싱(dispensing), 방사, 박막 코팅, 분사, 분무, 주입(pouring), 스크린 프린팅을 포함하는 다양한 수단에 의해, 또는 브러시, 롤러 또는 코팅 바, 예컨대 그라비어 코팅기, 콤마 코팅기(comma coater), 오프셋-그라비어 코팅기, 롤러 코팅기, 역-롤러 코팅기, 에어-나이프 코팅기(air-knife coater), 또는 커튼 코팅기(curtain coater)의 사용에 의해 수행될 수 있다. 기재는 무용매 PSA 조성물을 경화시켜서 기재 상에 PSA를 형성하는 데 사용되는 하기 기재되는 경화 조건을 견딜 수 있는 임의의 물질일 수 있다. 적합한 기재는 예를 들어 중합체성 필름, 예컨대 폴리이미드(PI), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 액정 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드(PAI), 폴리에테르 설파이드(PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 열가소성 폴리우레탄(TPU), 폴리에틸렌(PE), 또는 폴리프로필렌(PP); 글라스 클로스(glass cloth), 알루미늄 포일, 티타늄, 구리 포일, 니켈, 은, 또는 금을 포함할 수 있다. 기재는 PET 또는 PI 필름일 수 있다.
접착제 물품의 제조 방법은 선택적으로 무용매 PSA 조성물을 적용하기 전에 기재를 처리하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 기재를 처리하는 단계는 무용매 PSA 조성물을 기재에 적용하기 전에, 프라이머를 적용하거나, 기재를 코로나-방전 처리, 에칭, 또는 플라즈마 처리를 적용하는 것과 같은 임의의 편리한 수단에 의해 수행될 수 있다.
본 발명의 무용매 PSA 조성물을 제조하기 위한 공정에서의 용매의 부재로 인해, 접착제 물품의 제조 방법은 예를 들어 무용매 PSA 조성물의 경화 전 및/또는 동안 용매를 제거하는 단계를 포함하지 않는다(즉, 없음). 무용매 PSA 조성물을 경화시키는 단계는 최대 200℃, 예를 들어 80 내지 200℃, 100 내지 160℃, 또는 110 내지 150℃의 승온에서 무용매 PSA 조성물을 경화시키기에 충분한 시간, 예를 들어 30초 내지 1시간, 또는 1 내지 5분 동안 수행될 수 있다. 이는 기재 상에 감압성 접착제를 형성한다. 기재에 적용되는 무용매 PSA 조성물의 양은 특정 적용에 좌우되며, 예를 들어, 상기 양은 경화 후 감압성 접착제의 두께가 5 마이크론(μm) 내지 100 μm, 6 μm 내지 50 μm, 대안적으로 8 μm 내지 40 μm, 또는 10 μm 내지 30 μm일 수 있도록 충분할 수 있다.
본 발명의 접착제 물품의 제조 방법은 선택적으로 제거 가능한 이형 라이너를 기재의 반대편의 PSA에 적용하여 PSA 가 기재와 이형 라이너 사이에 존재하도록 하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 이형 라이너는 무용매 PSA 조성물의 경화 전에, 경화 동안, 또는 경화 후에 적용될 수 있다.
상기 기재된 바와 같이 제조된 접착제 물품은 디스플레이 장치와 같은 전자 장치 적용에 유용하다. 본 발명의 무용매 PSA 조성물은 경화되어 20 g/in(7.87 그램/센티미터) 이하, 예를 들어, 0.5 g/in 내지 20 g/in, 1 g/in 내지 15 g/in, 3 g/in 내지 10 g/in의 유리 또는 스테인리스 강 상에 박리 접착력을 갖는 PSA 를 형성할 수 있다. 무용매 PSA 조성물로부터 제조된 PSA의 유리 및 스테인리스 강에 대한 저접착 특성은 스크린과 같은 전자 장치의 표면 보호, 또는 스마트폰 또는 타블렛과 같은 장치의 수송 동안의 기타 표면 보호를 위해, 또는 최종 사용자에서 이러한 장치의 스크린 보호를 위해 사용하기에 적합한 보호 필름을 만든다. 접착제 물품은 디스플레이 장치의 보호에 유용한 보호 필름일 수 있다.
실시예
본 발명의 일부 실시형태는 이제 다음 실시예에 기술될 것이며, 여기서, 모든 부 및 백분율은 달리 명시되지 않는 한, 중량 기준이다.
ETCH(BASF로부터 입수 가능함) 및 테트라데센(BP로부터 입수 가능함)을 제외하고 표 1에 제공된 다음 재료는 모두 Dow Silicones Corporation으로부터 입수 가능하다.
[표 1]
다음의 표준 분석 장비 및 방법을 실시예에서 그리고 본원에 명시된 특성 및 특징을 결정하는 데 사용한다:
NMR 분석
미국 특허 제9,593,209호, 참조예 2, 컬럼 32에 기재된 29Si NMR 기술을 사용하여 규소 결합된 하이드록실기의 중량 백분율, 메틸의 몰 백분율, Q 단위에 대한 M의 양, 규소 결합된 수소 원자의 함량, 및 비닐 함량)을 측정하였다.
겔 투과 크로마토그래피(GPC) 분석
출발 물질 (A)의 수 평균 분자량(Mn)을 다음과 같이 GPC 분석을 사용하여 결정하였다. 샘플을 고성능 액체 크로마토그래피(HPLC) 등급 에틸 아세테이트(약 10 밀리그램/밀리리터(mg/mL)) 중에 희석시키고, 0.45 μm 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 필터를 이용하여 여과하고, GPC에 의해 분석하였다. 샘플에 대한 주입 부피는 100 마이크로리터(μL)였다. 이 분석에 사용된 컬럼은 하나의 PLgel Mixed D, 하나의 PLgel Mixed E, 및 가드 컬럼을 포함하였다. 컬럼 및 모든 검출기를 35℃로 가열하였다. ASTM 공인된 폴리스티렌, 113,500 중량 평균 분자량(Mw)을 기기 보정(100 μL 주입)에 사용하였다. Viscotek TDA-305 삼중 검출기 어레이를 데이터 수집을 위해 Viscotek GPCmax 오토샘플러와 함께 사용하였다. Omni Sec version 4.6을 데이터 획득을 위해 이용하였다.
출발 물질 (B)와 (C)의 Mn을 다음과 같이 GPC 분석을 사용하여 결정하였다. 크로마토그래피 장비는 진공 탈기 장치가 장착된 Waters 2695 분리 모듈과 Waters 2414 굴절률 검출기로 구성되었다. 분리는 Styragel™ 가드 컬럼(30 mm × 4.6 mm) 이후, 3개의 Styragel™ HR 컬럼(300 밀리미터(mm) × 7.8 mm)(100 내지 4,000,000의 분자량 분리 범위)으로 이루어졌으며, Styragel은 Waters Technologies Corporation의 상표명이다. 1.0 밀리리터/분(mL/min)으로 흐르는 공인된 등급의 테트라하이드로푸란(THF)을 용출액으로 사용하여 분석을 수행하였고, 컬럼 및 검출기 둘 모두를 35℃로 가열하였다. 0.050 g을 유리 바이알(8 mL) 내로 칭량하고, 5 mL의 THF로 희석함으로써 1.0% wt./v 샘플을 제조하였다. 0.45 μm의 PTFE 필터를 통해 여과한 후, 샘플 용액을 유리 오토샘플러 바이알로 옮겼다. 100 μL의 주입 부피를 사용하고, 데이터를 37분(min) 동안 수집하였다. 데이터 수집은 Waters Empower GPC 소프트웨어를 사용하여 수행하였다. 데이터 분석은 Agilent Cirrus 소프트웨어를 사용하여 수행하였다. 474 내지 1,270,000의 분자량 범위를 포함하는 폴리스티렌 표준물을 사용하여 생성된 보정 곡선(3차)에 대비하여 분자량 평균을 결정하였다.
접착력 시험
적어도 50 그램의 실리콘 PSA 조성물 샘플을 4개의 버드 바(bird bar)를 사용하여 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 상에 적용하고, 이어서 오븐 내에 140℃에서 2분 동안 경화시켰다. 경화 후, 수득된 PSA의 코팅 두께는 마이크로미터에 의해 측정하고, 표 2에 제공되어 있다. 실리콘 PSA를 갖는 수득된 필름을 냉각시키고, 1인치 너비의 테이프로 절단하였다.
이들 테이프 샘플을 청결한 기재 상에 2 킬로그램(kg)의 롤러를 사용하여 앞뒤로 두 차례 적층시켜서 실리콘 PSA가 기재에 접촉하도록 하고, 이어서 시험 전에 25℃에서 24시간 동안 유지하였다. 기재는 스테인리스 강(SS) 또는 유리였다. 이어서, 각각의 테이프를 TMI 이형 및 접착 시험기 상에서 기재로부터 180도(180°) 각도 및 12 인치/분(0.3 미터/분)의 속도로 박리함으로써 각각의 테이프 샘플을 기재에 대한 접착력에 대해 시험하였다. 기재 상의 접착에 대한 단위는 g/in 단위로 기록한다. 결과는 표 2에 제공되어 있다.
점도
23±2℃의 실온에서 10회전/분(rpm)의 속도로 스핀들 #6을 이용한 회전 점도계(Brookfield RVDV-I+ PRO 점도계)를 사용하여 점도를 결정한다.
가스 크로마토그래피(GC)
GC를 사용하여 잔류 용매를 결정하였다. 샘플(0.05 그램)을 2 mL 바이알 중에 첨가하고, 이어서 1 mL의 헥산으로 처리하여 헥산 용액을 형성하였다(10 μL의 도데칸을 내부 표준물로서 사용하였음). 헥산 용액을 불꽃 이온화 검출을 갖는 GC를 사용하여 분석하였다. 실험적인 상대적 반응 인자(자일렌의 경우, RRF = 0.934)를 계산을 위해 이용하였다. 사용된 GC 기기 조건 및 매개변수는 다음과 같았다.
GC 기기: Agilent 6890N; 오븐: 15℃/분으로 40℃(3분) 내지 310℃(35분); 주입구: 280℃, 18.5 psi, 스플릿(split) 20:1; 컬럼: DB-5 MS UI, 30 미터(m) × 0.25 mm × 0.25 μm; 검출기: FID, 온도: 300℃, H2 흐름: 40.0 mL/분, 공기 흐름: 450.0 mL/분, 보충 흐름(makeup flow): 45 mL/분; 및 주입 부피: 1.0 μL.
실시예(Ex) 1 내지 실시예 8
표 2에 제공된 제형을 기준으로, 고체 수지 및 비닐 중합체(및/또는 존재할 때, 검)을 교반기가 장착된 플라스크 내로 첨가하고, 교반하면서 혼합하였다. 플라스크의 내용물을 교반하면서 가열하고, 150℃에서 2시간 동안 유지하고, 투명한 균질한 혼합물을 수득하였다. 이어서, 플라스크 내의 혼합물을 실온으로 냉각시켜서 균질한 액체 실리콘 베이스 부분을 형성하였다. 실리콘 베이스 부분의 점도를 상기 기재된 시험 방법에 따라 측정하였고, 결과는 표 2에 제공되어 있다.
ETCH 억제제를 이후 베이스 부분 내로 첨가하고, 5분 동안 혼합하였다. 가교제, 촉매, 및 앵커리지 첨가제를 순차적으로 추가로 첨가하고, 각각의 출발 물질을 또 다른 출발 물질을 첨가하기 전에 적어도 1분 동안 혼합하였다. 수득된 실리콘 PSA 조성물을 하기 기재된 접착 시험 방법에 따라 접착 특성에 대해 평가하였다.
표 2에 나타낸 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 8의 무용매 PSA 조성물에 대한 베이스 부분은 모두 5,000 mPa·s 미만의 점도를 나타냈다. 실시예 1의 베이스 부분은 상기 기재된 GC에 의해 측정된 < 0.2 ppm의 잔류 용매를 가졌다. 실시예 1 내지 실시예 8의 무용매 PSA 조성물을 PET 필름에 직접 코팅하고, 경화시켜서 스테인리스 강 또는 유리 상에 ≤ 20 g/in의 접착력을 갖는 PSA를 형성하였고, 이는 보호 필름 적용에 적합하다.
[표 2]
비교예(Comp) A 및 비교예 B
비교예 A 및 비교예 B에서의 베이스 부분을 각각 표 3에 제공된 제형을 기준으로 실시예 1에 기재된 절차에 따라 제조하였다. 이어서, 표 3에 제공된 억제제, 가교제, 촉매, 및 앵커리지 첨가제를 수득된 베이스 부분 내로 순차적으로 첨가하였다. 비교예 A 및 비교예 B에 대해 수득된 혼합물 둘 모두를 겔화시켰다.
[표 3]

Claims (15)

  1. 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정으로서,
    (i) 다음을 포함하는 출발 물질 (A) 고체 폴리오가노실리케이트 수지 성분을 제공하는 단계:
    (A-1) 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 30 중량% 초과 내지 100 중량%의 단위 화학식 (I-1)의 캡핑된 고체 수지:
    (RM 3SiO1/2) a (SiO4/2) b Z c
    상기 식에서, 각각의 RM은 독립적으로 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 Z는 독립적으로 알콕시, 하이드록실, 또는 이의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 가수분해성 기이고; c는 0 내지 캡핑된 수지의 중량을 기준으로 최대 2 중량%의 가수분해성 기 함량을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값이고; a 및 b는 a > 4, b > 0이도록 하는 값을 갖고, (a + b)의 값은 500 내지 8,000 g/mol의 수 평균 분자량을 캡핑된 수지에 제공하기에 충분함;
    (A-2) 출발 물질 (A)의 중량을 기준으로 0 내지 70 중량% 미만의 (I-2)의 단위 화학식의 미캡핑된 고체 수지:
    (RM 3SiO1/2) a' (SiO4/2) b' Z c'
    상기 식에서, RM 및 Z는 상기 기재된 바와 같고; a' 및 b'는 a' > 4, b' > 0이도록 하는 값을 갖고, (a' + b')의 값은 500 내지 8,000 g/mol의 수 평균 분자량을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분하고; c'는 미캡핑된 수지의 중량을 기준으로 > 2 중량% 내지 10 중량%의 가수분해성 기 함량을 미캡핑된 수지에 제공하기에 충분한 값을 가짐;
    (ii) 출발 물질 (A)를 출발 물질 (B) 및 선택적으로 출발 물질 (C)와 100℃ 이상의 온도에서 혼합하는 단계;
    출발 물질 (B)는 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1), 분지형 폴리오가노실록산 (B-2), 또는 (B-1)과 (B-2)의 혼합물이고,
    지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1)은 단위 화학식 (II-1)을 포함하고:
    (R1 2R2SiO1/2) x (R1 3SiO1/2) y (R1R2SiO2/2) z (R1 2SiO2/2) w
    상기 식에서, 각각의 R1은 독립적으로 지방족 불포화가 없는 1 내지 20개의 탄소 원자의 1가 탄화수소기이고, 각각의 R2는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기이고; x, y, z, 및 w는 x > 0, y ≥ 0, (x + y) = 2, z ≥ 0, w ≥ 0, (w + z) > 0이도록 하는 값을 갖고, (x + y + z + w)의 값은 5,000 내지 50,000 g/mol의 수 평균 분자량을 지방족 불포화 폴리디오가노실록산에 제공하기에 충분하고;
    분지형 폴리오가노실록산 (B-2)는 단위 화학식 (II-2)를 포함하고:
    (R1 3SiO1/2) g (R1 2R2SiO1/2) h (R1 2SiO2/2) i (SiO4/2)
    상기 식에서, R1 및 R2는 상기 기재된 바와 같고, g, h, 및 i는 2≥ g ≥0, 4≥ h ≥0, 995≥ i ≥4, (g + h) = 4이도록 하는 값을 갖고, (g + h + i)의 값은 5,000 내지 50,000 g/mol의 수 평균 분자량을 분지형 폴리오가노실록산에 제공하기에 충분하고;
    출발 물질 (C)는 단위 화학식 (III)의 폴리디오가노실록산 검이고:
    (R1 2RGSiO1/2)2(R1 2SiO2/2) d
    상기 식에서, R1은 기재된 바와 같고; 각각의 RG는 독립적으로 2 내지 20개의 탄소 원자의 1가 지방족 불포화 탄화수소기, 하이드록실, 또는 이의 조합이고; d는 300,000 g/mol 이상의 수 평균 분자량을 폴리디오가노실록산 검에 제공하기에 충분한 값을 갖고;
    출발 물질 (A), (B), 및 (C)는 0.1 내지 1.2의 출발 물질 (B) 및 존재하는 경우, 출발 물질 (C)의 조합된 양에 대한 출발 물질 (A)의 양의 중량비를 제공하는 양으로 존재함;
    (iii) 단계 (ii)로부터 수득된 혼합물을 냉각시켜서 실온에서 5,000 mPa·s 미만의 점도를 갖는 실리콘 베이스 부분을 형성하는 단계; 및
    (iv) 단계 (iii)으로부터 수득된 실리콘 베이스 부분을 출발 물질 (D) 폴리오가노하이드로겐실록산, 출발 물질 (E) 하이드로실릴화 반응 촉매, 선택적으로 출발 물질 (F) 하이드로실릴화 반응 억제제, 및 선택적으로 출발 물질 (G) 앵커리지 첨가제(anchorage additive)와 혼합하며; 이로 인해 무용매 감압성 접착제 조성물을 형성하는 단계를 포함하는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 R1은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬기이고, 각각의 R2는 독립적으로 2 내지 6개의 탄소 원자의 알케닐기인, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 지방족 불포화 폴리디오가노실록산 (B-1) 및 분지형 폴리오가노실록산 (B-2)는 각각 독립적으로 5,500 내지 20,000 g/mol의 수 평균 분자량을 갖는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 단계 (ii)의 혼합은 120 내지 230℃의 온도에서 수행되는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 출발 물질 (B)는 실온에서 3,000 mPa·s 이하의 점도를 갖는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 각각의 RM은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소 원자의 알킬기인, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 출발 물질은 1 내지 10의 무용매 감압성 접착제 조성물 중의 지방족 불포화 기에 대한 규소 결합된 수소 원자의 몰비를 제공하는 양으로 존재하는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 출발 물질 (B) 및 존재하는 경우, 출발 물질 (C)의 조합된 양에 대한 출발 물질 (A)의 양의 중량비는 0.3 내지 0.8 범위인, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 무용매 감압성 접착제 조성물은 실온에서 5,000 mPa·s 미만의 점도를 갖는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 하이드로실릴화 반응 촉매는 백금을 포함하는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 출발 물질 (C)는 무용매 감압성 접착제 조성물 중의 출발 물질의 총 중량을 기준으로 0 내지 6 중량%의 양으로 존재하는, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 폴리오가노하이드로겐실록산은 단위 화학식 (IV): (R1 3SiO1/2)2(R1 2SiO2/2) e (HR1 2SiO2/2) f 를 포함하며, 상기 식에서, R1은 상기 기재된 바와 같고, e ≥ 0, f ≥ 3이고, (e + f)는 4 내지 500인, 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 용매의 실질적인 부재 하에 수행되는 무용매 감압성 접착제 조성물의 제조 공정.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 공정에 의해 제조되는 무용매 감압성 접착제 조성물.
  15. 접착제 물품의 제조 방법으로서,
    선택적으로, (1) 기재의 표면을 처리하는 단계,
    (2) 기재의 표면 상에 제14항의 무용매 감압성 접착제 조성물을 코팅하는 단계, 및
    (3) 무용매 감압성 접착제 조성물을 경화시키는 단계를 포함하는, 접착제 물품의 제조 방법.
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