KR20230141341A - Apparatus for treating the substrate and maintenance method of the same - Google Patents

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KR20230141341A
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damage prevention
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황문혁
고홍석
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위영훈
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 장착 및 탈착이 가능한 챔버 손상 방지용 부재; 및 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.The present invention includes a chamber having a processing space therein; A member for preventing damage to the chamber that can be mounted and detached from the chamber; and a substrate support unit supporting the substrate within the processing space. Provides a substrate processing device comprising:

Description

기판 처리 장치 및 이의 유지 보수 방법{Apparatus for treating the substrate and maintenance method of the same}Substrate processing apparatus and maintenance method thereof {Apparatus for treating the substrate and maintenance method of the same}

본 발명은 기판 처리 장치 및 이의 유지 보수 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a maintenance method thereof.

반도체 소자, 디스플레이 소자 등의 전자 장치를 제조하기 위하여 내부에 처리 공간을 가지는 챔버를 구비하는 기판 처리 장치는 일정한 공정 조건을 유지하도록 정기적으로 유지 보수하는 작업이 필요하다. In order to manufacture electronic devices such as semiconductor devices and display devices, a substrate processing device including a chamber with a processing space therein requires regular maintenance to maintain certain process conditions.

관련 선행기술로는 대한민국 공개특허공보 제 KR20170107406A 호가 있다.Related prior art includes Korean Patent Publication No. KR20170107406A.

본 발명은 유지 보수 작업을 작업자가 효율적으로 진행할 수 있는 기판 처리 장치 및 이의 유지 보수 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a substrate processing device and a maintenance method thereof that enable workers to efficiently perform maintenance work.

그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 관점에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 챔버 내에 장착 및 탈착이 가능하며 상기 처리 공간을 한정하는 챔버 손상 방지용 부재; 및 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 을 포함한다. A substrate processing apparatus according to one aspect of the present invention includes a chamber having a processing space therein; a member for preventing damage to the chamber that is attachable and detachable within the chamber and defines the processing space; and a substrate support unit supporting the substrate within the processing space. Includes.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 챔버 손상 방지용 부재는 아노다이징 처리된 챔버 손상 방지용 부재일 수 있다.In the substrate processing apparatus, the chamber damage prevention member may be an anodized chamber damage prevention member.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 챔버는 알루미늄 재질을 포함하고, 상기 챔버 손상 방지용 부재는 알루미늄 아노다이징 처리된 챔버 손상 방지용 부재일 수 있다.In the substrate processing apparatus, the chamber includes an aluminum material, and the chamber damage prevention member may be an aluminum anodized chamber damage prevention member.

상기 기판 처리 장치는 상기 챔버 손상 방지용 부재의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛; 을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus includes a ring-shaped liner unit that protects an inner wall of the chamber damage prevention member; may include.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 챔버 손상 방지용 부재는 하나의 바디부로 일체형으로 이루어질 수 있다.In the substrate processing apparatus, the chamber damage prevention member may be integrated into one body part.

상기 기판 처리 장치에서, 상기 챔버 손상 방지용 부재는 복수의 서브 바디부가 조립되어 이루어질 수 있다.In the substrate processing apparatus, the chamber damage prevention member may be formed by assembling a plurality of sub-body parts.

본 발명의 다른 관점에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법은 상술한 기판 처리 장치의 유지 보수 방법으로서, 상기 기판 지지 유닛을 상기 챔버로부터 반출하는 단계; 상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버로부터 탈착하여 반출하는 단계; 및 반출된 상기 챔버 손상 방지용 부재를 보수하는 단계; 를 포함한다.A maintenance method for a substrate processing apparatus according to another aspect of the present invention includes the steps of carrying out the substrate support unit from the chamber; Removing and removing the chamber damage prevention member from the chamber; and repairing the transported member for preventing damage to the chamber; Includes.

상기 기판 처리 장치의 유지 보수 방법에서, 상기 기판 지지 유닛을 상기 챔버로부터 반출하는 단계; 및 상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버로부터 탈착하여 반출하는 단계; 는 동시에 수행될 수 있다.In the maintenance method of the substrate processing apparatus, the step of carrying out the substrate support unit from the chamber; and removing and carrying out the chamber damage prevention member from the chamber. can be performed simultaneously.

상기 기판 처리 장치의 유지 보수 방법에서, 보수된 상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버 내에 장착하는 단계; 및 상기 챔버 내에 상기 기판 지지 유닛을 장착하는 단계; 를 포함할 수 있다.In the maintenance method of the substrate processing apparatus, the step of mounting the repaired chamber damage prevention member in the chamber; and mounting the substrate support unit within the chamber; may include.

상기 기판 처리 장치의 유지 보수 방법은 상기 챔버 내에 상기 챔버 손상 방지용 부재의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛을 장착하는 단계; 를 더 포함할 수 있다. The maintenance method of the substrate processing apparatus includes mounting a ring-shaped liner unit in the chamber to protect an inner wall of the chamber damage prevention member; It may further include.

상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 유지 보수 작업을 작업자가 효율적으로 진행할 수 있는 기판 처리 장치 및 이의 유지 보수 방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. According to an embodiment of the present invention as described above, a substrate processing apparatus and a maintenance method thereof that enable an operator to efficiently perform maintenance work can be implemented. Of course, the scope of the present invention is not limited by this effect.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the effects described above, and effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도해하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법을 도해하는 순서도이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법의 일부 구성을 도해하는 도면들이다. 1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a maintenance method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 to 5 are diagrams illustrating some configurations of a maintenance method for a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, various preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다.The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art, and the following examples may be modified into various other forms, and the scope of the present invention is as follows. It is not limited to examples. Rather, these embodiments are provided to make the present disclosure more faithful and complete and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Additionally, the thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated for convenience and clarity of explanation.

이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will now be described with reference to drawings that schematically show ideal embodiments of the present invention. In the drawings, variations of the depicted shape may be expected, for example, depending on manufacturing technology and/or tolerances. Accordingly, embodiments of the present invention should not be construed as being limited to the specific shape of the area shown in this specification, but should include, for example, changes in shape resulting from manufacturing.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도해하는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 챔버(100), 챔버 손상 방지용 부재(130) 및 기판 지지 유닛(200)을 포함한다. 나아가, 상기 기판 처리 장치는 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 배플(500) 및 라이너 유닛(600)을 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus includes a chamber 100, a chamber damage prevention member 130, and a substrate support unit 200. Furthermore, the substrate processing apparatus may further include a gas supply unit 300, a plasma source 400, a baffle 500, and a liner unit 600.

챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(102)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110) 및 리드(120)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 리드(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 리드(120)의 일부는 유전체 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. The chamber 100 provides a processing space 102 within which the substrate W is processed. Chamber 100 includes a body 110 and a lid 120. The body 110 is provided in a cylindrical shape with an open top. The lid 120 is provided to open and close the upper part of the body 110. A portion of the lead 120 may be made of a dielectric material. The body 110 is made of metal. For example, the body 110 may be made of aluminum.

몸체(110)가 금속 재질로 구성되는 경우, 처리 공간(102) 내에 형성되는 공정 분위기(예를 들어, 식각 분위기)에 의하여 몸체(110)의 적어도 일부가 물리적 또는 화학적 반응에 의하여 손상될 수 있으므로 몸체(110)의 내면 상에 아노다이징 처리를 하여 상기 손상을 방지할 수 있다. 예컨대, 몸체(110)가 알루미늄 재질로 제공되는 경우 몸체(110)의 내면에 아노다이징 처리를 하여 손상을 방지할 수 있다. When the body 110 is made of a metal material, at least a portion of the body 110 may be damaged by a physical or chemical reaction due to the process atmosphere (for example, an etching atmosphere) formed in the processing space 102. The damage can be prevented by anodizing the inner surface of the body 110. For example, if the body 110 is made of aluminum, damage can be prevented by anodizing the inner surface of the body 110.

아노다이징(Anodizing)은 양극 산화 공정으로 금속에 피막을 형성하는 표면 처리 방법이다. 모재가 알루미늄인 경우 양극 산화해서 산화알루미늄(Al2O3)을 형성하지만, 모재가 마그네슘, 아연 또는 티타늄인 경우에도 양극 산화하여 피막을 형성할 수 있다. Anodizing is a surface treatment method that forms a film on metal through an anodizing process. If the base material is aluminum, it is anodized to form aluminum oxide (Al 2 O 3 ), but even if the base material is magnesium, zinc, or titanium, a film can be formed by anodizing.

몸체(110)에 대하여 아노다이징 처리를 수행하는 경우 형성되는 코팅막은 몸체(110)에 단단하게 접합되므로 몸체(110)와 분리가 되지 않는다. 반복되는 기판 처리 공정 후에 상기 코팅막은 반응가스, 플라즈마 등에 의하여 오염되거나 손상되므로 코팅막을 클리닝하는 유지 보수 작업을 진행해야 한다. 실제 현장에서 작업자가 이러한 유지 보수 작업을 진행하는 경우 처리 공간(102) 내에 구성되는 구성요소를 모두 탈착한 후에 챔버(100)의 몸체(110) 내면을 수작업으로 직접 클리닝해야 하므로 작업 공간이 협소하고 불편하여 작업 효율이 떨어진다.When anodizing treatment is performed on the body 110, the coating film formed is firmly bonded to the body 110 and is therefore not separated from the body 110. After repeated substrate treatment processes, the coating film is contaminated or damaged by reaction gas, plasma, etc., so maintenance work to clean the coating film must be performed. When an operator performs such maintenance work in an actual field, the inner surface of the body 110 of the chamber 100 must be cleaned manually after removing all the components comprised within the processing space 102, so the work space is narrow and It is inconvenient and work efficiency is reduced.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 챔버(100) 내에 장착 및 탈착이 가능하며 상기 처리 공간(102)을 한정하는 챔버 손상 방지용 부재(130)를 포함한다. 이 경우, 챔버(100)의 몸체(110)의 내면에는 상술한 아노다이징 처리를 적용하지 않아도 되는 장점이 있다. The substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention can be mounted and detached from the chamber 100 and includes a chamber damage prevention member 130 that defines the processing space 102. In this case, there is an advantage that the above-described anodizing treatment does not need to be applied to the inner surface of the body 110 of the chamber 100.

챔버 손상 방지용 부재(130)는 챔버(100)를 구성하는 몸체(110)의 내측면과 하부 바닥면과 적어도 일부가 맞닿도록 상부가 개방된 컵 형상의 구조체일 수 있다. 챔버 손상 방지용 부재(130)는 금속 재질의 컵 형상의 구조체에 대하여 내측면을 아노다이징 처리하여 구현할 수 있다. 예를 들어, 챔버 손상 방지용 부재(130)가 알루미늄 재질을 포함하는 경우, 챔버 손상 방지용 부재(130)는 알루미늄 아노다이징 처리된 재질일 수 있다. 한편, 변형된 실시예에서는, 챔버 손상 방지용 부재(130)는 아노다이징 처리로 구현되지 않은 산화알루미늄 재질로 구성될 수도 있다. The chamber damage prevention member 130 may be a cup-shaped structure with an open top so that at least part of the inner surface and lower bottom surface of the body 110 constituting the chamber 100 come into contact with each other. The chamber damage prevention member 130 can be implemented by anodizing the inner surface of a cup-shaped structure made of metal. For example, when the chamber damage prevention member 130 includes an aluminum material, the chamber damage prevention member 130 may be an aluminum anodized material. Meanwhile, in a modified embodiment, the chamber damage prevention member 130 may be made of an aluminum oxide material that has not been anodized.

챔버 손상 방지용 부재(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로인 개구(104)와 대응되는 영역이 개방되도록 구성될 수 있다. 나아가, 하부전극(212), 히터(214)에 전력을 인가하기 위한 전력선(미도시)이 통과할 수 있도록 챔버 손상 방지용 부재(130)는 일부 영역이 개방되도록 구성될 수 있다. 이러한 구성을 가지는 챔버 손상 방지용 부재(130)는 하나의 바디부로 일체형으로 이루어지거나 복수의 서브 바디부가 조립되어 이루어질 수 있다.The chamber damage prevention member 130 may be configured so that an area corresponding to the opening 104, which is a passage through which the substrate W is loaded or unloaded, is open. Furthermore, the chamber damage prevention member 130 may be configured so that a portion of the chamber damage prevention member 130 is open so that a power line (not shown) for applying power to the lower electrode 212 and the heater 214 can pass. The chamber damage prevention member 130 having this configuration may be formed integrally with one body or may be formed by assembling a plurality of sub-body parts.

한편, 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기 라인을 통해 감압 부재(160)에 연결된다. 감압 부재(160)는 배기 라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(104)가 형성된다. 개구(104)는 수평 방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(104)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(104)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로(104)로서 기능한다. 개구(104)는 도어(106)에 의해 차단 또는 개방된다.Meanwhile, an exhaust hole 150 is formed on the bottom surface of the body 110. The exhaust hole 150 is connected to the pressure reducing member 160 through an exhaust line. The pressure reducing member 160 provides vacuum pressure to the exhaust hole 150 through the exhaust line. By-products generated during the process are discharged to the outside of the chamber 100 by vacuum pressure. An opening 104 is formed in one side wall of the body 110. The opening 104 is provided oriented in a horizontal direction. When viewed from the side, the opening 104 is provided in the shape of a slit facing the circumferential direction of the chamber 100. The opening 104 functions as a passage 104 through which the substrate W is loaded or unloaded. The opening 104 is blocked or opened by a door 106.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 200 supports the substrate W in the processing space 102 . The substrate support unit 200 may be provided as an electrostatic chuck that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 may support the substrate W in various ways, such as mechanical clamping.

정전척은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)은 기판(W)을 직접 지지하는 지지판으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버의 개구(104)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀홀들이 형성된다. 핀홀들은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀홀들 각각에는 리프트핀이 위치되며, 리프트핀은 상하 방향으로 승강 이동될 수 있다. 리프트핀은 상단이 핀홀 내에 제공되는 하강 위치 또는 핀홀로부터 돌출되는 승강 위치로 이동될 수 있다. The electrostatic chuck includes a dielectric plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The dielectric plate 210 serves as a support plate that directly supports the substrate (W). The substrate W is placed directly on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disk shape. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. According to one example, the top of the dielectric plate 210 may have a height opposite to the opening 104 of the chamber. Pinholes are formed on the upper surface of the dielectric plate 210. Pinholes are provided in plural numbers. For example, three pinholes are provided and can be spaced apart from each other at equal intervals. A lift pin is located in each of the pinholes, and the lift pin can be moved up and down. The lift pin can be moved to a lowered position where the upper end is provided within the pinhole or a raised position where the upper end protrudes from the pinhole.

유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 상기 전원으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다.A lower electrode 212 is installed inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the lower electrode 212, and power is supplied from the power source. The lower electrode 212 provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 210 from the applied power. A heater 214 is installed inside the dielectric plate 210 to heat the substrate W. The heater 214 may be located below the lower electrode 212. The heater 214 may be provided as a spiral-shaped coil. For example, the dielectric plate 210 may be made of a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정 결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각 유로(232)는 냉각 유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다.The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is located below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape so that the central area is higher than the edge area. The base 230 has a central area of the upper surface corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed inside the base 230. The cooling passage 232 serves as a passage through which cooling fluid circulates. The cooling passage 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)의 상면은 내측링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 focuses the plasma onto the substrate (W). The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located at the edge area of the base 230. The upper surface of the inner ring 252 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The upper inner portion of the inner ring 252 supports the bottom edge area of the substrate (W). For example, the inner ring 252 may be made of a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is located adjacent to the inner ring 252 in the edge area of the base 230. The upper surface of the outer ring 254 is provided at a higher height than the upper surface of the inner ring 252. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350)와 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 300 supplies process gas to the substrate W supported on the substrate support unit 200 . The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas storage unit 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. A valve is installed in the gas supply line 330 to open and close the passage or to adjust the flow rate of gas flowing through the passage.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: Inductively Coupled Plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리 공간(102)에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 여기되어 플라즈마 상태를 유지할 수 있다. 일 예에 의하면, 플라즈마는 기판(W)을 식각 처리할 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. An inductively coupled plasma (ICP) source may be used as the plasma source 400. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. The antenna 410 is disposed on the upper outer side of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape with multiple turns and is connected to an external power source 430. The antenna 410 receives power from an external power source 430. The antenna 410 to which power is applied forms a discharge space in the processing space 102 of the chamber 100. The process gas remaining in the discharge space may be excited and maintain a plasma state. According to one example, plasma may etch the substrate W.

배플(500)은 처리 공간(102)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 배플(500)은 베이스(230)와 챔버 손상 방지용 부재(130) 사이에 위치된다. 배플(500)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플(500)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플(500)에는 복수의 슬릿홀(502)들이 형성된다. 슬릿홀(502)들은 배플(500)의 상면에서 저면까지 연장되는 홀로 제공된다. 슬릿홀(502)들은 배플(500)의 원주 방향을 따라 순차적으로 배열된다. 슬릿홀(502)들 각각은 배플(500)의 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. 각각의 슬릿홀(502)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다.The baffle 500 uniformly exhausts plasma from the processing space 102 by region. The baffle 500 is located between the base 230 and the chamber damage prevention member 130. The baffle 500 is provided to have an annular ring shape. Additionally, the baffle 500 is provided to have a plate shape. A plurality of slit holes 502 are formed in the baffle 500. The slit holes 502 are provided as holes extending from the top to the bottom of the baffle 500. The slit holes 502 are sequentially arranged along the circumferential direction of the baffle 500. Each of the slit holes 502 has a longitudinal direction pointing in the radial direction of the baffle 500. Each slit hole 502 is provided equally spaced apart from each other.

라이너 유닛(600)은 챔버(100) 또는 챔버 손상 방지용 부재(130)의 내벽을 보호한다. 라이너 유닛(600)은 플라즈마에 의해 챔버(100) 또는 챔버 손상 방지용 부재(130)가 손상되는 것을 방지한다. 라이너 유닛(600)은 상부 라이너(620), 하부 라이너(640)를 포함한다. 상부 라이너(620)는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 상부 라이너(620)는 중심축이 상하 방향을 향하는 수직축으로 제공된다. 상부 라이너(620)는 몸체(110)의 개구(104)를 기준으로 개구(104)의 상부 영역에 해당되는 챔버 손상 방지용 부재(130)의 내측벽을 감싸도록 제공될 수 있다. 상부 라이너(620)는 챔버 손상 방지용 부재(130)의 내측벽과 밀착되게 위치된다. 즉, 상부 라이너(620)의 하단은 개구(104)보다 위에 위치될 수 있다. The liner unit 600 protects the inner wall of the chamber 100 or the chamber damage prevention member 130. The liner unit 600 prevents the chamber 100 or the chamber damage prevention member 130 from being damaged by plasma. The liner unit 600 includes an upper liner 620 and a lower liner 640. The upper liner 620 is provided to have an annular ring shape. The upper liner 620 is provided as a vertical axis with its central axis pointing upward and downward. The upper liner 620 may be provided to surround the inner wall of the chamber damage prevention member 130 corresponding to the upper area of the opening 104 of the body 110. The upper liner 620 is positioned in close contact with the inner wall of the chamber damage prevention member 130. That is, the lower end of the upper liner 620 may be positioned above the opening 104.

하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)의 아래에 위치된다. 하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)와 동일한 직경을 가지는 환형의 링 형상을 가진다. 하부 라이너(640)는 상부 라이너(620)와 동일한 중심축을 가지도록 제공된다. 즉, 상부 라이너(620)의 하단과 하부 라이너(640)의 상단은 서로 일치되게 위치된다. 상부 라이너(620)와 하부 라이너(640)가 서로 이격되는 공간은 개구(104)와 대응되는 높이에 제공된다. 배플(500)은 하부 라이너(640)의 하단으로부터 수직하게 연장되는 판으로 제공될 수 있다. 배플(500)은 하부 라이너(640)의 내측에 위치된다. 일 예에 의하면, 처리 공간(102)은 상부 라이너(620), 하부 라이너(640), 기판 지지 유닛(200), 그리고 배플(500) 간 조합에 의해 정의될 수 있다.Lower liner 640 is located below upper liner 620. The lower liner 640 has an annular ring shape with the same diameter as the upper liner 620. The lower liner 640 is provided to have the same central axis as the upper liner 620. That is, the lower end of the upper liner 620 and the upper end of the lower liner 640 are positioned to coincide with each other. The space where the upper liner 620 and the lower liner 640 are spaced apart from each other is provided at a height corresponding to the opening 104. The baffle 500 may be provided as a plate extending vertically from the bottom of the lower liner 640. The baffle 500 is located inside the lower liner 640. According to one example, the processing space 102 may be defined by a combination between the upper liner 620, the lower liner 640, the substrate support unit 200, and the baffle 500.

이하에서는 상술한 본 발명의 기판 처리 장치를 이용한 유지 보수 방법을 설명한다.Below, a maintenance method using the substrate processing apparatus of the present invention described above will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법을 도해하는 순서도이고, 도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 유지 보수 방법의 일부 구성을 도해하는 도면들이다. Figure 2 is a flowchart illustrating a maintenance method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and Figures 3 to 5 illustrate some configurations of a maintenance method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. These are drawings.

도 1에 도시된 기판 처리 장치에서 기판 처리 공정을 다수 반복하여 진행한 경우 챔버 내부가 오염되거나 손상된 부분을 클리닝하거나 교환하는 유지 보수 작업을 진행하여야 한다.If the substrate processing process is repeated multiple times in the substrate processing apparatus shown in FIG. 1, maintenance work must be performed to clean or replace contaminated or damaged parts inside the chamber.

먼저, 챔버(100)를 구성하는 리드(120)를 열어 처리 공간(102)을 외부에 노출한다(도 3 참조). 계속하여, 배플(500) 및 라이너 유닛(600)을 챔버(100)로부터 외부로 반출한다(도 4 참조). First, the lid 120 constituting the chamber 100 is opened to expose the processing space 102 to the outside (see FIG. 3). Subsequently, the baffle 500 and the liner unit 600 are taken out from the chamber 100 (see FIG. 4).

다음으로, 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100)로부터 반출하는 단계(S10); 및 챔버 손상 방지용 부재(130)를 챔버(100)로부터 탈착하여 반출하는 단계(S20);를 수행한다(도 5 참조). Next, carrying out the substrate support unit 200 from the chamber 100 (S10); and a step (S20) of detaching and carrying out the chamber damage prevention member 130 from the chamber 100 (see FIG. 5).

기판 지지 유닛(200)을 챔버(100)로부터 반출하는 단계(S10); 및 챔버 손상 방지용 부재(130)를 챔버(100)로부터 탈착하여 반출하는 단계(S20); 는 순차적으로 수행될 수 있다.Taking out the substrate support unit 200 from the chamber 100 (S10); and removing and removing the chamber damage prevention member 130 from the chamber 100 (S20); can be performed sequentially.

만약, 기판 지지 유닛(200)과 챔버 손상 방지용 부재(130)가 연결 부재에 의하여 결합된 어셈블리 상태를 유지하는 경우, 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100)로부터 반출하는 단계(S10); 및 챔버 손상 방지용 부재(130)를 챔버(100)로부터 탈착하여 반출하는 단계(S20); 는 동시에 수행될 수 있다.If the substrate support unit 200 and the chamber damage prevention member 130 maintain the assembled state in which they are coupled by the connection member, carrying out the substrate support unit 200 from the chamber 100 (S10); and removing and removing the chamber damage prevention member 130 from the chamber 100 (S20); can be performed simultaneously.

계속하여, 챔버 손상 방지용 부재(130)를 클리닝하거나 새로운 부재로 교체함으로써 보수하는 단계(S30)를 수행할 수 있다. 챔버(100) 외부로 챔버 손상 방지용 부재(130)를 반출하였기 때문에 보수하는 단계(S30)를 수행함에 있어서 작업 공간을 확보할 수 있고 작업 시간을 줄일 수 있는바, 챔버 손상 방지용 부재(130)를 클리닝하는 작업의 효율화를 기대할 수 있다. Subsequently, a repair step (S30) may be performed by cleaning the chamber damage prevention member 130 or replacing it with a new member. Since the chamber damage prevention member 130 is taken out of the chamber 100, work space can be secured and work time can be reduced when performing the repair step (S30), and the chamber damage prevention member 130 can be removed. Efficiency in cleaning work can be expected.

또한, 챔버 손상 방지용 부재(130)의 손상이 심한 경우에는 클리닝하지 않고 새로운 챔버 손상 방지용 부재(130)로 교체하여 챔버(100) 내로 장착할 수 있다는 점에서도 기존의 방식보다 작업의 효율화를 기대할 수 있다.In addition, if the chamber damage prevention member 130 is severely damaged, it can be replaced with a new chamber damage prevention member 130 and mounted in the chamber 100 without cleaning, which can be expected to improve work efficiency compared to the existing method. there is.

계속하여, 챔버 손상 방지용 부재(130)를 챔버(100) 내에 장착하는 단계(S40) 및 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내에 장착하는 단계(S50)를 순차적으로 수행할 수 있다.Subsequently, the step of mounting the chamber damage prevention member 130 in the chamber 100 (S40) and the step of mounting the substrate support unit 200 in the chamber 100 (S50) may be sequentially performed.

변형된 실시예에서는, 챔버 손상 방지용 부재(130)와 기판 지지 유닛(200)을 연결 부재에 의하여 결합된 어셈블리 상태를 구현하는 경우, 챔버 손상 방지용 부재(130)를 챔버(100) 내에 장착하는 단계(S40) 및 기판 지지 유닛(200)을 챔버(100) 내에 장착하는 단계(S50)는 동시에 수행될 수 있다.In a modified embodiment, when the assembly state in which the chamber damage prevention member 130 and the substrate support unit 200 are coupled by a connection member is implemented, the step of mounting the chamber damage prevention member 130 in the chamber 100 (S40) and mounting the substrate support unit 200 in the chamber 100 (S50) may be performed simultaneously.

계속하여, 배플(500) 및 라이너 유닛(600)을 챔버(100) 내에 장착하는 단계( S60)를 수행하고, 리드(120)를 이용하여 몸체(110)의 상부를 덮어 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 구현할 수 있다.Subsequently, a step ( S60 ) of mounting the baffle 500 and the liner unit 600 in the chamber 100 is performed, and the top of the body 110 is covered using the lid 120 to form the substrate shown in FIG. 1 A processing unit can be implemented.

지금까지 본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치 및 이의 유지 보수 방법을 설명하였다. 챔버 내부의 아노다이징 코팅막 구성을 상술한 챔버 손상 방지용 부재를 도입하여 탈착 및 장착이 가능하도록 구성하여 유지 보수가 용이해지는 효과를 기대할 수 있다. 또한 설비 조립 및 유지 보수 시 업무 효율화가 상승하는 효과를 기대할 수 있다.So far, the substrate processing device and its maintenance method according to the technical idea of the present invention have been described. The anodizing coating film inside the chamber is configured to be detachable and installable by introducing the above-described chamber damage prevention member, which can be expected to facilitate maintenance. In addition, work efficiency can be expected to increase during facility assembly and maintenance.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings, but these are merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. The true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

100: 챔버
110: 몸체
120: 리드
130: 챔버 손상 방지용 부재
200: 기판 지지 유닛
210: 유전판
230: 베이스
250: 포커스링
252: 내측링
254: 외측링
300: 가스 공급 유닛
400: 플라즈마 소스
500: 배플
600: 라이너 유닛100: chamber
110: body
120: lead
130: Member to prevent chamber damage
200: substrate support unit
210: Genetic plate
230: base
250: Focus ring
252: Inner ring
254: Outer ring
300: gas supply unit
400: plasma source
500: Baffle
600: Liner unit

Claims (10)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 챔버 내에 장착 및 탈착이 가능한 챔버 손상 방지용 부재; 및
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 을 포함하는,
기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A member for preventing damage to the chamber that can be mounted and detached from the chamber; and
a substrate support unit supporting a substrate within the processing space; Including,
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 손상 방지용 부재는 아노다이징 처리된 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
Characterized in that the chamber damage prevention member is anodized,
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는 알루미늄 재질을 포함하고,
상기 챔버 손상 방지용 부재는 알루미늄 아노다이징 처리된 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber includes an aluminum material,
The chamber damage prevention member is characterized in that it is aluminum anodized.
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 손상 방지용 부재의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛; 을 포함하는,
기판 처리 장치.According to claim 1,
a ring-shaped liner unit that protects the inner wall of the chamber damage prevention member; Including,
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 손상 방지용 부재는 하나의 바디부로 일체형으로 이루어진,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber damage prevention member is made integrally with one body part,
Substrate processing equipment. 제 1 항에 있어서,
상기 챔버 손상 방지용 부재는 복수의 서브 바디부가 조립되어 이루어진,
기판 처리 장치.According to claim 1,
The chamber damage prevention member is formed by assembling a plurality of sub-body parts,
Substrate processing equipment. 제 1 항에 따른 상기 기판 처리 장치의 유지 보수 방법으로서,
상기 기판 지지 유닛을 상기 챔버로부터 반출하는 단계;
상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버로부터 탈착하여 반출하는 단계; 및
반출된 상기 챔버 손상 방지용 부재를 보수하는 단계; 를 포함하는,
기판 처리 장치의 유지 보수 방법.A maintenance method for the substrate processing apparatus according to claim 1, comprising:
unloading the substrate support unit from the chamber;
Removing and removing the chamber damage prevention member from the chamber; and
Repairing the removed chamber damage prevention member; Including,
Maintenance method of substrate processing equipment. 제 7 항에 있어서,
상기 기판 지지 유닛을 상기 챔버로부터 반출하는 단계; 및 상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버로부터 탈착하여 반출하는 단계; 는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판 처리 장치의 유지 보수 방법.According to claim 7,
unloading the substrate support unit from the chamber; and removing and carrying out the chamber damage prevention member from the chamber. Characterized in that being performed simultaneously,
Maintenance method of substrate processing equipment. 제 7 항에 있어서,
보수된 상기 챔버 손상 방지용 부재를 상기 챔버 내에 장착하는 단계; 및
상기 챔버 내에 상기 기판 지지 유닛을 장착하는 단계; 를 더 포함하는,
기판 처리 장치의 유지 보수 방법.According to claim 7,
Mounting the repaired chamber damage prevention member into the chamber; and
Mounting the substrate support unit within the chamber; Containing more,
Maintenance method of substrate processing equipment. 제 9 항에 있어서,
상기 챔버 내에 상기 챔버 손상 방지용 부재의 내측벽을 보호하는 링 형상의 라이너 유닛을 장착하는 단계; 를 더 포함하는,
기판 처리 장치의 유지 보수 방법.According to clause 9,
Mounting a ring-shaped liner unit that protects the inner wall of the chamber damage prevention member in the chamber; Containing more,
Maintenance method of substrate processing equipment.
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