KR102189151B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의하면, 상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너, 그리고 상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되, 상기 도어어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고, 상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며, 상기 라이너는 상기 처리공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시킨다. 이로 인해 처리공간에 형성된 기류가 개구로 유입되거나, 개구에 형성된 기류가 처리공간으로 유입되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 차단할 수 있다.According to the present invention, a liner installed adjacent to the inner wall of the chamber to prevent process by-products generated in the processing space from adhering to the inner wall, and opening and closing a side portion adjacent to the processing space among both sides of the opening And a door assembly, wherein the door assembly includes an inner door and a cylinder for lifting or lowering the inner door, and the inner door and the cylinder are provided inside the one side wall, and a surface facing the processing space is It is disposed in an open mounting space, and the liner blocks the processing space and the mounting space from each other. As a result, it is possible to prevent an airflow formed in the treatment space from flowing into the opening or from the airflow formed in the opening into the treatment space, thereby preventing uneven airflow from being generated.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}Substrate processing device {Apparatus for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to an apparatus for processing a substrate, and more particularly, to an apparatus for processing a substrate using plasma.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using plasma is used for etching, thin film deposition, and cleaning processes.

도1은 일반적으로 플라즈마 장치를 보여주는 단면도이고, 도2은 도1의 챔버의 개구영역을 보여주는 단면도이다. 도1 및 도2를 참조하면, 챔버(2) 내에는 기판지지유닛에 의해 기판(W)이 지지되고, 챔버(2) 내에는 플라즈마가 공급된다. 챔버(2)의 일측벽에는 기판(W)이 반출입되는 개구(4)가 형성되고, 챔버(2)의 내부에는 라이너가 위치된다. 라이너는 챔버(2)의 내측벽을 감싸 이를 보호하도록 제공된다. 라이너는 배플링(8) 및 외측링(6)을 포함한다. 배플링(8)은 개구(4)와 대향되도록 챔버(2)와 기판지지유닛 사이에 위치된다. 외측링(6)은 배플링(8)의 외측단으로부터 위로 연장되게 제공되며, 개구(4)와 대향되는 영역에 슬릿홀이 형성된다. 이로 인해 챔버(2)의 내부공간은 배플링(8)에 의해 제공되는 공정공간(12)과 이의 아래영역인 배기공간(14)으로 구획된다. 개구(4)에는 셔터(10)가 위치되며, 셔터(10)는 개구(4)에서 승강 또는 하강된다. 승강위치로 위치된 셔터(!0)는 공정공간과 개구(4)를 서로 차단한다. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a plasma device in general, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an opening area of the chamber of FIG. 1. 1 and 2, a substrate W is supported in the chamber 2 by a substrate support unit, and plasma is supplied into the chamber 2. An opening 4 through which the substrate W is carried in and out is formed on one side wall of the chamber 2, and a liner is positioned inside the chamber 2. The liner is provided to surround and protect the inner wall of the chamber 2. The liner includes a baffling (8) and an outer ring (6). The baffling 8 is positioned between the chamber 2 and the substrate supporting unit so as to face the opening 4. The outer ring 6 is provided to extend upward from the outer end of the baffle ring 8, and a slit hole is formed in a region opposite to the opening 4. For this reason, the inner space of the chamber 2 is divided into a process space 12 provided by the baffling 8 and an exhaust space 14 that is an area below it. A shutter 10 is positioned in the opening 4, and the shutter 10 is raised or lowered in the opening 4. The shutter (!0) positioned in the lifting position blocks the process space and the opening 4 from each other.

그러나 셔터(10)가 승강위치에 위치된 상태에서 배기공간(14)과 개구(4)의 하부영역이 서로 통하도록 제공된다. 이로 인해 배기공간(14)에는 와류를 형성하거나 배기기류의 일부가 개구(4)에 정체된다. However, when the shutter 10 is positioned in the lifting position, the exhaust space 14 and the lower region of the opening 4 are provided to communicate with each other. As a result, a vortex is formed in the exhaust space 14 or a part of the exhaust airflow is stagnated in the opening 4.

본 발명은 챔버 내에 발생된 공정부산물이 균일하게 배기되는 장치를 제공하고자 한다.An object of the present invention is to provide an apparatus in which process by-products generated in a chamber are uniformly exhausted.

또한 본 발명은 챔버 내에 배기공간과 기판이 반출입되는 개구가 서로 통하도록 제공되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 방지할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an apparatus capable of preventing uneven airflow by providing an exhaust space in a chamber and an opening through which a substrate is carried in and out of the chamber.

본 발명의 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너, 그리고 상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되, 상기 도어어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고, 상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며, 상기 라이너는 상기 처리공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시킨다.An embodiment of the present invention provides an apparatus for processing a substrate using plasma. The substrate processing apparatus provides a processing space therein, a chamber having an opening in which a substrate can be carried in and out of one side wall, a substrate support unit supporting a substrate in the processing space, a gas supply unit supplying a process gas to the processing space, A liner installed adjacent to the inner wall of the chamber to prevent process byproducts generated in the processing space from adhering to the inner wall, and a door assembly that opens and closes a side portion adjacent to the processing space among both sides of the opening. However, the door assembly includes an inner door and a cylinder for lifting or lowering the inner door, and the inner door and the cylinder are provided inside the one side wall, and a surface facing the processing space is in an open mounting space. Disposed, and the liner blocks the processing space and the mounting space from each other.

상기 라이너는 상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링, 상기 챔버의 내측벽과 대향되는 외측링, 그리고 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링 및 상기 외측링으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하되, 상기 배플링은 상기 외측링의 상단 및 하단 사이에 위치되고, 상기 라이너에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 차단시키는 영역은 상기 외측링 중 상기 배플링보다 아래에 위치되는 영역으로 제공될 수 있다. The liner is provided so as to extend from the inner ring and the outer ring to connect the inner ring and the outer ring to each other, and an inner ring opposite to the outer part of the substrate support unit, an outer ring opposite to the inner wall of the chamber, and , A baffling ring in which a plurality of baffle holes are formed, wherein the baffling is located between an upper end and a lower end of the outer ring, and a region blocking the processing space and the mounting space in the liner is the outer ring. It may be provided as an area located below the baffling.

선택적으로 상기 라이너는 상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링, 상기 챔버의 내측벽과 대향되는 외측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링의 하단 및 상기 외측링의 하단으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하되, 상기 라이너에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 격리시키는 영역은 상기 외측링 중 상기 배플보다 위에 위치되는 영역으로 제공될 수 있다.Optionally, the liner includes an inner ring facing an outer portion of the substrate support unit, an outer ring facing an inner wall of the chamber, a lower end of the inner ring and a lower end of the outer ring to connect the inner ring and the outer ring to each other. A baffling ring is provided extending from and in which a plurality of baffle holes are formed, and a region in the liner separating the processing space and the mounting space may be provided as a region positioned above the baffle among the outer rings. .

상기 개구는 서로 통하도록 제공되는 반출입공간과 상기 장착공간으로 제공되고, 상기 장착공간은 상기 반출입공간의 아래에 위치되며, 상기 외측링에는 상기 반출입공간과 대향되는 위치에 슬릿홀이 형성될 수 있다. 상기 실린더는 상기 내측도어는 개방위치 또는 차단위치로 이동시키되, 상기 개방위치는 상기 내측도어가 상기 장착위치에 배치되는 위치이고, 상기 차단위치는 상기 내측도어가 상기 반출입공간에 배치되는 위치로 제공될 수 있다.The opening is provided as a carry-in/out space and the mounting space provided to communicate with each other, and the mounting space is located under the carry-in/out space, and a slit hole may be formed in the outer ring at a position opposite to the carry-in/out space. . In the cylinder, the inner door is moved to an open position or a blocking position, the open position is a position where the inner door is disposed at the mounting position, and the blocking position is provided at a position where the inner door is disposed in the carry-in/out space. Can be.

또한 기판처리장치는 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버, 상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛, 상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛, 상기 개구를 개폐하는 도어 어셈블리, 그리고 상기 처리공간에서 발생된 공정부산물이 상기 챔버의 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너를 포함하되, 상기 라이너는 상기 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공되며, 상기 개구와 대향되게 위치되는 슬릿홀이 형성되는 외측링을 포함하되, 상기 슬릿홀은 상기 개구보다 작게 제공되고, 상기 외측링은 상기 슬릿홀을 제외한 상기 개구의 영역을 상기 처리공간과 차단하도록 제공된다. In addition, the substrate processing apparatus provides a processing space therein, a chamber having an opening in which a substrate can be carried in and out of one side wall, a substrate support unit supporting a substrate in the processing space, and a gas supply unit supplying a process gas to the processing space. , A door assembly that opens and closes the opening, and a liner that prevents process byproducts generated in the processing space from adhering to the inner wall of the chamber, wherein the liner is provided to surround the inner wall of the chamber, and the And an outer ring having a slit hole positioned opposite the opening, wherein the slit hole is provided smaller than the opening, and the outer ring is provided to block an area of the opening excluding the slit hole from the processing space. .

상기 개구는 상기 슬릿홀과 대향되는 반출입공간과 상기 외측링의 외측면과 대향되는 장착공간을 가지며, 상기 도어 어셈블리는 내측도어 및 상기 내측도어가 상기 반출입공간 또는 상기 장착공간으로 이동되도록 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함할 수 있다. 상기 라이너는 상기 기판지지유닛을 감싸는 내측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 더 포함하되, 상기 배플링은 상기 장착공간과 대향되게 위치될 수 있다. The opening has a carry-in/out space facing the slit hole and a mounting space opposed to an outer surface of the outer ring, and the door assembly includes the inner door so that the inner door and the inner door are moved to the carry-out space or the mounting space It may include a cylinder for lifting or lowering. The liner further includes an inner ring surrounding the substrate support unit, a baffling ring connecting the inner ring and the outer ring to each other, and forming a plurality of baffle holes, wherein the baffling is positioned to face the mounting space. I can.

선택적으로 상기 라이너는 상기 기판지지유닛을 감싸는 내측링, 상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 더 포함하되, 상기 배플링은 상기 장착공간보다 아래에 위치될 수 있다.Optionally, the liner further includes an inner ring surrounding the substrate support unit, a baffling ring connecting the inner ring and the outer ring to each other, and in which a plurality of baffle holes are formed, wherein the baffling is lower than the mounting space. Can be located.

본 발명의 실시예에 의하면, 챔버 내에 제공된 처리공간과 챔버의 일측벽에 형성된 개구는 외측링 내측도어에 의해 서로 차단되므로, 처리공간에 형성된 기류가 개구로 유입되거나, 개구에 형성된 기류가 처리공간으로 유입되어 불균일한 기류가 발생되는 것을 차단할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, since the processing space provided in the chamber and the opening formed on one side wall of the chamber are blocked from each other by the inner door of the outer ring, the airflow formed in the processing space flows into the opening or the airflow formed in the opening is the processing space. It can be prevented from flowing into the air and generating uneven airflow.

도1은 일반적인 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 도1의 챔버의 개구를 확대해 보여주는 단면도이다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도4는 도3의 라이너을 보여주는 사시도이다.
도5는 도3의 도어 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도6은 도5의 내측도어가 차단위치로 이동 시 형성되는 기류를 보여주는 단면도이다.
도7은 도3의 기판처리장치의 라이너의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view showing an enlarged opening of the chamber of FIG. 1.
3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a perspective view showing the liner of Figure 3;
5 is a cross-sectional view showing the door assembly of FIG. 3.
6 is a cross-sectional view showing an air flow formed when the inner door of FIG. 5 moves to a blocking position.
7 is a cross-sectional view showing another embodiment of a liner of the substrate processing apparatus of FIG. 3.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 장치라면 다양하게 적용 가능하다.This embodiment describes a substrate processing apparatus and method for etching a substrate using plasma. However, the present invention is not limited thereto, and any device that performs a process using plasma can be applied in various ways.

이하, 도3 내지 도7을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7.

도3은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도3을 참조하면, 기판처리장치는 챔버(100), 기판지지유닛(200), 가스공급유닛(300), 플라즈마소스(400), 라이너(500), 그리고 도어어셈블리(600)을 포함한다.3 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, a liner 500, and a door assembly 600.

챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리공간(112)을 제공한다. 챔버(100)는 몸체(110) 및 커버(120)를 포함한다. 몸체(110)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공된다. 커버(120)는 몸체(110)의 상부를 개폐하도록 제공된다. 몸체(110)(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 몸체(110)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 몸체(110)의 바닥면에는 배기홀(150)이 형성된다. 배기홀(150)은 배기라인을 통해 감압부재(160)에 연결된다. 감압부재(160)는 배기라인을 통해 배기홀(150)로 진공압을 제공한다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물은 진공압에 의해 챔버(100)의 외부로 배출된다. 몸체(110)의 일측벽에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 수평방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 개구(130)는 챔버(100)의 원주방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 개구(130)가 형성되는 공간은 반출입공간(132) 및 장착공간(134)으로 제공된다. 반출입공간(132)은 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. 장착공간(134)은 반출입공간(132)의 아래에 위치된다. 장착공간(134)은 반출입공간(132)과 통하도록 제공된다. 몸체(110)의 측벽에서 장착공간(134)을 형성하는 바닥면은 단차지도록 제공된다. 바닥면은 처리공간(112)을 향하는 내측부가 이의 외측부보다 낮은 높이를 가진다. 따라서 개구(130)의 양단부 중 처리공간(112)을 향하는 내측부의 개방된 영역은 챔버의 외부를 향하는 외측부의 개방된 영역보다 크게 제공된다.The chamber 100 provides a processing space 112 in which the substrate W is processed. The chamber 100 includes a body 110 and a cover 120. The body 110 is provided in a cylindrical shape with an open top. The cover 120 is provided to open and close the upper portion of the body 110. The bodies 110 and 100 are made of a metal material. For example, the body 110 may be made of an aluminum material. An exhaust hole 150 is formed on the bottom surface of the body 110. The exhaust hole 150 is connected to the pressure reducing member 160 through an exhaust line. The depressurizing member 160 provides vacuum pressure to the exhaust hole 150 through the exhaust line. By-products generated during the process are discharged to the outside of the chamber 100 by vacuum pressure. An opening 130 is formed on one side wall of the body 110. The opening 130 is provided to face the horizontal direction. When viewed from the side, the opening 130 is provided in a slit shape toward the circumferential direction of the chamber 100. The space in which the opening 130 is formed is provided as a carry-in space 132 and a mounting space 134. The carry-in/out space 132 functions as a passage through which the substrate W is carried in or carried out. The mounting space 134 is located under the carry-in space 132. The mounting space 134 is provided to communicate with the carry-in space 132. The bottom surface forming the mounting space 134 on the side wall of the body 110 is provided to be stepped. The bottom surface has an inner portion facing the processing space 112 having a lower height than an outer portion thereof. Accordingly, the open area of the inner portion facing the processing space 112 among both ends of the opening 130 is provided larger than the open area of the outer portion facing the outside of the chamber.

기판지지유닛(200)은 처리공간(112)에서 기판(W)을 지지한다. 기판지지유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판지지유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 200 supports the substrate W in the processing space 112. The substrate support unit 200 may be provided as an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(200)은 유전판(210), 포커스링(250), 그리고 베이스(230)를 포함한다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 일 예에 의하면, 유전판(210)의 상단은 챔버의 개구(130)와 대향되는 높이를 가질 수 있다. 유전판(210)의 상면에는 핀홀들(미도시)이 형성된다. 핀홀들은 복수 개로 제공된다. 예컨대 핀홀들은 3 개로 제공되며, 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다. 핀홀들 각각에는 리프트핀(미도시)이 위치되며, 리프트핀은 승강이동될 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 하부전극(212)이 설치된다. 하부전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 하부전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 하부전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. 예컨대, 유전판(210)은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a focus ring 250, and a base 230. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disk shape. The dielectric plate 210 may have a radius smaller than that of the substrate W. According to an example, the upper end of the dielectric plate 210 may have a height opposite to the opening 130 of the chamber. Pinholes (not shown) are formed on the upper surface of the dielectric plate 210. The pinholes are provided in plural. For example, three pinholes are provided, and may be spaced apart from each other at equal intervals. A lift pin (not shown) is positioned in each of the pinholes, and the lift pin can be moved up and down. A lower electrode 212 is installed inside the dielectric plate 210. Power (not shown) is connected to the lower electrode 212, and power is applied from the power source (not shown). The lower electrode 212 provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 210 from the applied power (not shown). A heater 214 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 210. The heater 214 may be located under the lower electrode 212. The heater 214 may be provided as a spiral coil. For example, the dielectric plate 210 may be made of a ceramic material.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is located under the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 230 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed inside the base 230. The cooling passage 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측포커스링(252) 및 외측포커스링(254)을 포함한다. 내측포커스링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측포커스링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측포커스링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측포커스링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측포커스링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측포커스링(254)은 내측포커스링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측포커스링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측포커스링(252)과 인접하게 위치된다. 외측포커스링(254)의 상면은 내측포커스링(252)의 상면에 비해 그 높이가 높게 제공된다. 일 예에 의하면, 외측포커스링(254)의 상단은 센싱홀(110)보다 낮은 높이를 가질 수 있다. 외측포커스링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 concentrates the plasma onto the substrate W. The focus ring 250 includes an inner focusing ring 252 and an outer focusing ring 254. The inner focusing ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner focusing ring 252 is located in the edge region of the base 230. The upper surface of the inner focusing ring 252 is provided to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner portion of the upper surface of the inner focusing ring 252 supports an edge region of the bottom surface of the substrate W. For example, the inner focusing ring 252 may be made of a conductive material. The outer focusing ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner focusing ring 252. The outer focusing ring 254 is located adjacent to the inner focusing ring 252 in the edge region of the base 230. The upper surface of the outer focusing ring 254 is provided with a height higher than that of the inner focusing ring 252. According to an example, the upper end of the outer focusing ring 254 may have a lower height than the sensing hole 110. The outer focusing ring 254 may be provided with an insulating material.

가스공급유닛(300)은 기판지지유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스를 공급한다. 가스공급유닛(300)은 가스저장부(350), 가스공급라인(330), 그리고 가스유입포트(310)를 포함한다. 가스공급라인(330)은 가스저장부(350)와 가스유입포트(310)를 연결한다. 가스저장부(350)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(330)을 통해 가스유입포트(310)으로 공급한다. 가스공급라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 300 supplies process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas storage unit 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. A valve is installed in the gas supply line 330 to open and close the passage or to control the flow rate of the gas flowing through the passage.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 처리공간(112)에 방전공간을 형성한다. 방전공간 내에 머무르는 공정가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. The antenna 410 is disposed on the outside of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape that is wound a plurality of times, and is connected to an external power supply 430. The antenna 410 receives power from an external power source 430. The antenna 410 to which power is applied forms a discharge space in the processing space 112 of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space may be excited in a plasma state.

라이너(500)는 챔버의 내측벽을 보호한다. 도4는 도3의 라이너를 보여주는 사시도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 라이너(500)는 내측링(510), 외측링(530), 그리고 배플링(550)을 포함한다. 내측링(510)은 기판지지유닛의 외측부를 감싸도록 제공된다. 내측링(510)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 내측링(510)은 유전판(210) 및 베이스의 외측면을 감싸도록 제공된다. The liner 500 protects the inner wall of the chamber. Figure 4 is a perspective view showing the liner of Figure 3; Referring to FIGS. 3 and 4, the liner 500 includes an inner ring 510, an outer ring 530, and a baffling ring 550. The inner ring 510 is provided to surround the outer portion of the substrate support unit. The inner ring 510 is provided to have an annular ring shape. The inner ring 510 is provided to surround the outer surface of the dielectric plate 210 and the base.

외측링(530)은 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공된다. 외측링(530)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 외측링(530)은 내측링(510)에 비해 큰 직경을 가지도록 제공된다. 외측링(530)은 챔버의 내측벽과 인접하게 위치된다. 이는 외측링(530)이 내측링(510)을 감싸는 형상으로 제공된다. 외측링(530)의 외측면 중 이의 상부영역은 외측방향으로 돌출되게 제공된다. 돌출영역은 몸체(110)의 상단에 걸치도록 제공된다. 외측링(530)에는 슬릿홀(532)이 형성된다. 슬릿홀(532)은 개구(130)와 대향되게 위치된다. 슬릿홀(532)은 개구(130)보다 작은 크기를 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 슬릿홀(532)은 개구(130)의 반출입공간(132)과 대향되게 위치될 수 있다. 따라서 측부에서 바라볼 때, 개구(130)의 장착공간(134)은 외측링(530)의 외측벽에 의해 가려지도록 제공된다.The outer ring 530 is provided to surround the inner wall of the chamber. The outer ring 530 is provided to have an annular ring shape. The outer ring 530 is provided to have a larger diameter than the inner ring 510. The outer ring 530 is located adjacent to the inner wall of the chamber. This is provided in a shape in which the outer ring 530 surrounds the inner ring 510. The upper region of the outer surface of the outer ring 530 is provided to protrude outward. The protruding region is provided to span the upper end of the body 110. A slit hole 532 is formed in the outer ring 530. The slit hole 532 is positioned to face the opening 130. The slit hole 532 is provided to have a size smaller than the opening 130. According to an example, the slit hole 532 may be positioned to face the carry-in space 132 of the opening 130. Therefore, when viewed from the side, the mounting space 134 of the opening 130 is provided to be covered by the outer wall of the outer ring 530.

배플링(550)은 내측링(510)과 외측링(530)을 서로 간에 연결한다. 배플링(550)은 외측링(530)의 상단과 하단 사이에 위치된다. 배플링(550)은 내측링(510)과 외측링(530) 각각으로부터 연장되게 제공된다. 배플링(550)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 또한 배플링(550)은 판 형상을 가지도록 제공된다. 배플링(550)에는 복수의 배플홀(552)들이 형성된다. 배플홀(552)들은 배플링(550)의 원주방향을 따라 순차적으로 배열된다. 배플홀(552)들 각각은 배플링(550)의 반경방향을 향하는 슬릿 형상으로 제공된다. 각각의 배플홀(552)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 제공된다. 챔버(100) 내에 제공된 처리공간(112)은 배플링(550)에 의해 공정공간(114) 및 배기공간(116)으로 구획한다. 여기서 공정공간(114)은 배플링(550)을 기준으로 배플링(550)이 상부공간에 해당되는 영역이고, 배기공간(116)은 배플링(550)을 기준으로 배플링(550)의 하부공간에 해당되는 영역으로 정의한다. 일 예에 의하면, 배플링(550)은 개구(130)의 장착공간(134)과 대향되게 위치될 수 있다.The baffling 550 connects the inner ring 510 and the outer ring 530 to each other. The baffling 550 is located between the upper and lower ends of the outer ring 530. The baffling 550 is provided to extend from each of the inner ring 510 and the outer ring 530. The baffling 550 is provided to have an annular ring shape. In addition, the baffling 550 is provided to have a plate shape. A plurality of baffle holes 552 are formed in the baffling 550. The baffle holes 552 are sequentially arranged along the circumferential direction of the baffling 550. Each of the baffle holes 552 is provided in a slit shape in the radial direction of the baffling 550. Each baffle hole 552 is provided to be spaced apart from each other at equal intervals. The processing space 112 provided in the chamber 100 is divided into a process space 114 and an exhaust space 116 by a baffling 550. Here, the process space 114 is an area in which the baffling 550 corresponds to the upper space based on the baffling 550, and the exhaust space 116 is the lower part of the baffling 550 based on the baffling 550. It is defined as an area corresponding to space. According to an example, the baffling 550 may be positioned to face the mounting space 134 of the opening 130.

도어어셈블리(600)는 챔버의 개구(130)를 개폐한다. 도어어셈블리(600)는 챔버의 개구(130)를 2 중 차단한다. 도5는 도3의 도어어셈블리를 보여주는 단면도이다. 도5를 참조하면, 도어어셈블리(600)는 외측개폐부재(610) 및 내측개폐부재(630)를 포함한다. 외측개폐부재(610)는 외측도어(610) 및 구동부재(미도시)를 포함한다. 외측도어(610)는 챔버(100)의 외측면에 인접하게 위치된다. 외측도어(610)는 구동부재(미도시)에 의해 상하방향으로 이동 가능하다. 구동부재(미도시)는 외측도어(610)를 승강위치 또는 하강위치로 이동시킨다. 여기서 승강위치는 개구(130)와 챔버(100)의 외부영역을 서로 차단하는 위치이고, 하강위치는 개구(130)와 그 외부영역이 서로 통하도록 제공되는 위치이다. The door assembly 600 opens and closes the opening 130 of the chamber. The door assembly 600 doubles the opening 130 of the chamber. 5 is a cross-sectional view showing the door assembly of FIG. 3. 5, the door assembly 600 includes an outer opening and closing member 610 and an inner opening and closing member 630. The outer opening and closing member 610 includes an outer door 610 and a driving member (not shown). The outer door 610 is located adjacent to the outer surface of the chamber 100. The outer door 610 can be moved vertically by a driving member (not shown). The driving member (not shown) moves the outer door 610 to an elevated or lowered position. Here, the elevating position is a position that blocks the outer region of the opening 130 and the chamber 100 from each other, and the lowering position is a position provided so that the opening 130 and the outer region thereof communicate with each other.

내측개폐부재(630) 개구(130)를 개폐한다. 내측개폐부재(630)는 개구(130)에 위치된다. 내측개폐부재(630)는 내측도어(632) 및 구동부재(636)를 포함한다. 내측도어(632)는 장착공간(134)에 위치된다. 내측도어(632)는 개구(130)에서 이의 내측부와 인접하게 위치된다. 내측도어(632)는 외측링(530)과 인접하게 위치된다. 내측도어(632)는 수직판(634) 및 수평판(633)을 가진다. 수직판(634)은 개구(130)를 형성하는 바닥면의 단차진 영역에 위치된다. 수평판(633)은 수직판(634)의 상단으로부터 수직하게 연장된다. 수직판(634)은 수평판(633)을 기준으로 처리공간(112)을 향하는 방향과 반대방향을 향하도록 연장된다. 내측도어(632)는 구동부재(636)에 의해 상하방향으로 이동 가능하다. 내측도어(632)는 구동부재(636)에 의해 개방위치 또는 차단위치로 이동 가능하다. 예컨대 구동부재(636)는 실린더일 수 있다. 여기서 개방위치는 내측도어(632)가 반출입공간(132)으로 이동되는 위치이고, 차단위치는 내측도어(632)가 장착공간(134)로 이동되는 위치이다. 차단위치에 위치된 내측도어(632)는 외측링(530)의 슬릿홀(532)을 차단할 수 있다. Opens and closes the opening 130 of the inner opening and closing member 630. The inner opening and closing member 630 is located in the opening 130. The inner opening and closing member 630 includes an inner door 632 and a driving member 636. The inner door 632 is located in the mounting space 134. The inner door 632 is located in the opening 130 adjacent to the inner portion thereof. The inner door 632 is positioned adjacent to the outer ring 530. The inner door 632 has a vertical plate 634 and a horizontal plate 633. The vertical plate 634 is located in a stepped area of the bottom surface forming the opening 130. The horizontal plate 633 extends vertically from the upper end of the vertical plate 634. The vertical plate 634 extends in a direction opposite to the direction toward the processing space 112 based on the horizontal plate 633. The inner door 632 is movable in the vertical direction by the driving member 636. The inner door 632 can be moved to an open position or a blocked position by the driving member 636. For example, the driving member 636 may be a cylinder. Here, the open position is a position where the inner door 632 is moved to the carrying-in/out space 132, and the blocking position is a position where the inner door 632 is moved to the mounting space 134. The inner door 632 positioned at the blocking position may block the slit hole 532 of the outer ring 530.

다음은 상술한 기판처리장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다. Next, a method of processing the substrate W using the substrate processing apparatus described above will be described.

외측도어(610)는 하강위치로 이동되고, 내측도어(632)는 개방위치로 이동되어 개구(130)를 개방한다. 기판은 반출입공간(132)을 통해 처리공간(112)으로 반입되어 유전판(210)에 놓여진다. 내측도어(632)는 차단위치로 이동되고, 외측도어(610)는 승강위치로 이동되어 개구(130)를 닫는다. 가스공급유닛은 처리공간(112)에 공정가스를 공급하고, 그 공정가스는 플라즈마 소스에 의해 플라즈마로 여기된다. 플라즈마는 기판(W)으로 공급되고, 공정공간(114)에 발생된 공정부산물은 배플홀(552)을 통해 배기공간(116)으로 배기된다. 도6은 도5의 내측도어가 차단위치로 이동 시 형성되는 기류를 보여주는 단면도이다. 도6을 참조하면, 배기공간(116)에서 형성된 배기기류는 라이너(500)에 차단되어 개구(130)로 유입되지 않는다. 이로 인해 배기기류는 배기공간(116)에서 균일한 상태로 배기된다. 플라즈마 공정이 완료되면, 내측도어(632)는 개방위치로 이동되고, 외측도어(610)는 하강위치로 이동된다. 기판(W)은 개구(130)를 통해 처리공간(112)으로부터 반출된다.The outer door 610 is moved to the lowered position, and the inner door 632 is moved to the open position to open the opening 130. The substrate is carried into the processing space 112 through the carrying out space 132 and placed on the dielectric plate 210. The inner door 632 is moved to the blocking position, and the outer door 610 is moved to the elevating position to close the opening 130. The gas supply unit supplies a process gas to the processing space 112, and the process gas is excited into plasma by a plasma source. Plasma is supplied to the substrate W, and process byproducts generated in the process space 114 are exhausted to the exhaust space 116 through the baffle hole 552. 6 is a cross-sectional view showing an air flow formed when the inner door of FIG. 5 moves to a blocking position. Referring to FIG. 6, the exhaust airflow formed in the exhaust space 116 is blocked by the liner 500 and does not flow into the opening 130. For this reason, the exhaust airflow is exhausted in a uniform state in the exhaust space 116. When the plasma process is completed, the inner door 632 is moved to the open position, and the outer door 610 is moved to the lowered position. The substrate W is carried out from the processing space 112 through the opening 130.

본 실시예에는 배플링(550)이 외측링(530)의 상단과 하단 사이에 위치되어 개구(130)의 장착공간(134)과 대향되도록 위치되는 것으로 설명하였다. 그러나 배플링(550)은 장착공간(134)보다 아래에 위치될 수 있다. 도7과 같이, 배플링(550)은 외측링(530)의 하단 및 내측링(510)의 하단 각각으로부터 연장되게 제공될 수 있다. 내측링(510), 외측링(530), 그리고 배플링(550)은 서로 조합되어 상부가 개방된 컵 형상으로 제공될 수 있다. 배플링(550)은 개구(130)의 장착공간(134)보다 아래에 위치될 수 있다. In this embodiment, it has been described that the baffle ring 550 is positioned between the upper and lower ends of the outer ring 530 and is positioned to face the mounting space 134 of the opening 130. However, the baffling 550 may be located below the mounting space 134. As shown in FIG. 7, the baffling 550 may be provided to extend from the lower end of the outer ring 530 and the lower end of the inner ring 510, respectively. The inner ring 510, the outer ring 530, and the baffling ring 550 may be combined with each other to be provided in a cup shape with an open top. The baffling 550 may be located below the mounting space 134 of the opening 130.

또한 플라즈마 소스(400)는 용량결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 챔버의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.In addition, the plasma source 400 may be a capacitively coupled plasma (CCP). The capacitively coupled plasma may include a first electrode and a second electrode positioned inside the chamber 100. The first electrode and the second electrode may be disposed above and below the chamber, and each electrode may be disposed vertically in parallel with each other. One of the electrodes may apply high frequency power and the other electrode may be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between the two electrodes, and plasma can be generated from the process gas supplied to the space.

100: 챔버 200: 기판지지유닛
300: 가스공급유닛 400: 플라즈마 소스
500: 라이너 530: 외측링
550: 배플링 600: 도어 어셈블리100: chamber 200: substrate support unit
300: gas supply unit 400: plasma source
500: liner 530: outer ring
550: baffling 600: door assembly

Claims (9)

내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버와;
상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과;
상기 챔버의 내측벽과 인접하게 설치되어 상기 처리공간에서 생성된 공정부산물이 상기 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너와;
상기 개구의 양측부 중 상기 처리공간에 인접한 측부를 개폐하는 도어 어셈블리를 포함하되,
상기 도어어셈블리는,
내측도어와;
상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하고,
상기 내측도어 및 상기 실린더는 상기 일측벽의 내부에 제공되고, 상기 처리공간을 향하는 면이 개방된 장착 공간에 배치되며,
상기 라이너는
상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링과;
상기 챔버의 내측벽과 대향되는 그리고 상기 처리 공간과 상기 장착 공간을 서로 차단시키는 외측링과;
상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링 및 상기 외측링으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하고,
상기 배플링은
상기 외측링의 상단 및 하단 사이에 위치되고, 상기 외측링에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 차단시키는 영역은 상기 배플링 측면에 위치되고, 상기 장착공간의 하단은 상기 배플링 보다 아래에 위치되도록 제공되는 기판 처리 장치.

A chamber providing a processing space therein and having an opening through which a substrate can be carried in and out of one side wall;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the processing space;
A liner installed adjacent to the inner wall of the chamber to prevent process byproducts generated in the processing space from adhering to the inner wall;
A door assembly for opening and closing a side portion adjacent to the processing space among both side portions of the opening,
The door assembly,
With inner door;
It includes a cylinder for lifting or lowering the inner door,
The inner door and the cylinder are provided inside the one side wall, and are disposed in a mounting space having an open surface facing the processing space,
The liner is
An inner ring facing an outer portion of the substrate support unit;
An outer ring facing the inner wall of the chamber and blocking the processing space and the mounting space from each other;
It is provided to extend from the inner ring and the outer ring so as to connect the inner ring and the outer ring to each other, and includes a baffling ring in which a plurality of baffle holes are formed,
The baffling is
It is located between the upper and lower ends of the outer ring, the area blocking the processing space and the mounting space in the outer ring is located on the side of the baffling, and the lower end of the mounting space is positioned below the baffling. Substrate processing apparatus provided.

 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 개구는 서로 통하도록 제공되는 반출입공간과 상기 장착공간으로 제공되고, 상기 장착공간은 상기 반출입공간의 아래에 위치되며,
상기 외측링에는 상기 반출입공간과 대향되는 위치에 슬릿홀이 형성되는 기판처리장치.The method of claim 1,
The opening is provided as a carry-in/out space and the installation space provided to communicate with each other, and the installation space is located under the carry-in/out space,
A substrate processing apparatus in which a slit hole is formed in the outer ring at a position facing the carry-in/out space. 제4항에 있어서,
상기 실린더는 상기 내측도어는 개방위치 또는 차단위치로 이동시키되,
상기 개방위치는 상기 내측도어가 상기 장착공간에 배치되는 위치이고, 상기 차단위치는 상기 내측도어가 상기 반출입공간에 배치되는 위치로 제공되는 기판처리장치.The method of claim 4,
The cylinder moves the inner door to an open position or a blocked position,
The open position is a position in which the inner door is disposed in the mounting space, and the blocking position is a position in which the inner door is disposed in the carry-in/out space. 내부에 처리공간을 제공하며, 일측벽에 기판이 반출입 가능한 개구가 형성되는 챔버와;
상기 처리공간에서 기판을 지지하는 기판지지유닛과;
상기 처리공간에 공정가스를 공급하는 가스공급유닛과;
상기 개구를 개폐하는 내측도어를 갖는 도어 어셈블리와;
상기 처리공간에서 발생된 공정부산물이 상기 챔버의 내측벽에 부착되는 것을 방지하는 라이너를 포함하되,
상기 라이너는,
상기 기판지지유닛의 외측부와 대향되는 내측링과;
상기 챔버의 내측벽을 감싸도록 제공되며, 상기 개구와 대향되게 위치되는 슬릿홀이 형성되는 외측링;
상기 내측링 및 상기 외측링을 서로 연결하도록 상기 내측링 및 상기 외측링으로부터 연장되게 제공되며, 복수의 배플홀들이 형성되는 배플링을 포함하며,
상기 슬릿홀은 상기 개구보다 작게 제공되고,
상기 외측링은 상기 슬릿홀을 제외한 상기 개구의 영역을 상기 처리공간과 차단하도록 제공되며,
상기 개구는 상기 슬릿홀과 대향되는 반출입공간과 상기 외측링에 의해 상기 처리공간과 차단되는 장착공간을 가지며
상기 내측도어는 상기 장착공간에 제공되고,
상기 배플링은 상기 외측링의 상단 및 하단 사이에 위치되고, 상기 외측링에서 상기 처리공간과 상기 장착공간을 차단시키는 영역은 상기 배플링 측면에 위치되고, 상기 장착공간의 하단은 상기 배플링 보다 아래에 위치되도록 제공되는 기판처리장치.A chamber providing a processing space therein and having an opening through which a substrate can be carried in and out of one side wall;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A gas supply unit for supplying a process gas to the processing space;
A door assembly having an inner door for opening and closing the opening;
Including a liner for preventing the process by-products generated in the processing space from adhering to the inner wall of the chamber,
The liner,
An inner ring facing an outer portion of the substrate support unit;
An outer ring provided to surround the inner wall of the chamber and having a slit hole positioned to face the opening;
It is provided extending from the inner ring and the outer ring so as to connect the inner ring and the outer ring to each other, and includes a baffling ring in which a plurality of baffle holes are formed,
The slit hole is provided smaller than the opening,
The outer ring is provided to block an area of the opening excluding the slit hole from the processing space,
The opening has a carry-in/out space facing the slit hole and a mounting space that is blocked from the processing space by the outer ring.
The inner door is provided in the mounting space,
The baffling is located between the upper and lower ends of the outer ring, the area blocking the processing space and the mounting space in the outer ring is located on the side of the baffling, and the lower end of the mounting space is greater than that of the baffling. A substrate processing apparatus provided to be positioned below. 제6항에 있어서,
상기 도어 어셈블리는,
상기 내측도어가 상기 반출입공간 또는 상기 장착공간으로 이동되도록 상기 내측도어를 승강 또는 하강시키는 실린더를 포함하는 기판처리장치.
The method of claim 6,
The door assembly,
And a cylinder for lifting or lowering the inner door so that the inner door is moved to the carrying-in/out space or the mounting space.
 삭제delete 삭제delete
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