KR102222460B1 - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛 및 기판 지지 유닛을 감싸도록 배치되는 링 어셈블리를 포함하되, 링 어셈블리는, 링 부재 및 링 부재에 설치되어 링 부재의 수평 상태를 검출하는 수평 검출 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, a gas supply unit supplying a gas into the processing space, and a plasma generating unit and a substrate supporting unit generating plasma from the gas. The ring assembly includes a ring assembly disposed to be wrapped, and the ring assembly includes a ring member and a horizontal detection member installed on the ring member to detect a horizontal state of the ring member.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and substrate processing method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using plasma.

플라스마는 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 이온, 전자, 라디칼등으로 이루어진 가스 상태를 말한다. 반도체 소자 제조 공정은 플라스마를 사용하여 식각 공정을 수행한다. 식각 공정은 플라스마 상태로 여기된 입자들이 기판에 증착된 박막들과 충돌함으로써 수행된다.Plasma is generated by strong electric fields or RF electromagnetic fields, and refers to a gaseous state composed of ions, electrons, and radicals. In the semiconductor device manufacturing process, an etching process is performed using plasma. The etching process is performed when particles excited in a plasma state collide with thin films deposited on a substrate.

이러한 식각 공정에 의해 기판뿐만 아니라 챔버 내의 부품들에도 식각이 진행될 수 있으며, 기판을 감싸는 링 부재가 식각되는 경우 플라즈마 처리 효율이 감소할 수 있다. 따라서, 플라즈마 처리 효율이 감소되는 것을 방지하기 위하여 링 부재의 식각량에 따라 링 부재를 교체하여야 하는데, 링 부재를 자주 교체하는 경우 링 부재의 교체 비용이 증가하는 문제가 있었다. 종래 링 부재를 승강시켜 링 부재의 식각량을 보상하는 방법이 있었으나, 링 부재를 승강할 때 링 부재의 수평 상태를 정확히 검출할 수 없어서, 링 부재의 식각량을 고려한 정밀한 제어가 어려운 문제가 있었다.By this etching process, not only the substrate but also components in the chamber may be etched, and when the ring member surrounding the substrate is etched, plasma processing efficiency may decrease. Accordingly, in order to prevent the plasma treatment efficiency from being reduced, the ring member must be replaced according to the amount of etching of the ring member. However, when the ring member is frequently replaced, there is a problem that the replacement cost of the ring member increases. Conventionally, there was a method of compensating the etch amount of the ring member by raising and lowering the ring member, but there was a problem that precise control considering the etch amount of the ring member was difficult because the horizontal state of the ring member could not be accurately detected when the ring member was raised or lowered. .

본 발명의 목적은 기판을 감싸는 링 부재가 승강될 때 링 부재의 수평 상태를 검출할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of detecting a horizontal state of a ring member when a ring member surrounding a substrate is raised or lowered.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 및 상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛 및 상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 배치되는 링 어셈블리를 포함하되, 상기 링 어셈블리는, 링 부재 및 상기 링 부재에 설치되어 상기 링 부재의 수평 상태를 검출하는 수평 검출 부재를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention for achieving the above object includes a chamber having a processing space therein, a substrate supporting unit supporting a substrate in the processing space, and a gas supplying gas into the processing space. A supply unit and a plasma generating unit generating plasma from the gas, and a ring assembly disposed to surround the substrate support unit, wherein the ring assembly is installed on the ring member and the ring member to maintain a horizontal state of the ring member. And a horizontal detection member to detect.

여기서, 상기 수평 검출 부재는, 상기 링 부재의 서로 다른 영역에 설치되는 적어도 3개의 수평 센서로 제공될 수 있다.Here, the horizontal detection member may be provided with at least three horizontal sensors installed in different regions of the ring member.

여기서, 상기 수평 센서는, 상기 링 부재의 저면에 제공될 수 있다.Here, the horizontal sensor may be provided on the bottom surface of the ring member.

또한, 상기 링 어셈블리는, 상기 링 부재를 승하강시키는 구동 부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the ring assembly may further include a driving member for raising and lowering the ring member.

여기서, 상기 구동 부재는, 상기 링 부재의 서로 다른 영역에 연결되는 복수의 리프트 핀 및 상기 복수 개의 리프트 핀을 각각 구동하는 복수의 구동 모터를 포함할 수 있다.Here, the driving member may include a plurality of lift pins connected to different regions of the ring member and a plurality of driving motors respectively driving the plurality of lift pins.

여기서, 상기 구동 부재는, 상기 링 부재의 수평 상태에 기초하여 상기 복수의 구동 모터를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.Here, the driving member may further include a control unit that controls the plurality of driving motors based on the horizontal state of the ring member.

또한, 상기 링 어셈블리는, 상기 링 부재의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송하는 통신 부재를 더 포함할 수 있다.In addition, the ring assembly may further include a communication member for transmitting information about the horizontal state of the ring member to the outside.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 플라즈마를 이용하여 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 처리하되, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸도록 배치되는 링 부재가 승강될 때 상기 지지 유닛에 제공된 수평 센서를 이용하여 상기 링 부재의 수평 상태를 검출할 수 있다.Meanwhile, in the substrate processing method according to an embodiment of the present invention, in a method of processing a substrate, a substrate supported by a substrate support unit is processed using plasma, and the substrate is disposed to surround the substrate supported by the substrate support unit. The horizontal state of the ring member may be detected by using a horizontal sensor provided in the support unit when the ring member is raised or lowered.

여기서, 상기 링 부재는, 복수의 리프트 핀에 의해 승강되고, 상기 수평 센서의 측정 값에 기초하여 상기 복수의 리프트 핀 각각을 제어할 수 있다.Here, the ring member may be raised and lowered by a plurality of lift pins, and each of the plurality of lift pins may be controlled based on a measured value of the horizontal sensor.

또한, 본 기판 처리 방법은, 상기 링 부재에 설치되는 무선 통신 모듈을 이용하여 상기 링 부재의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송할 수 있다.In addition, in the present substrate processing method, information on the horizontal state of the ring member may be transmitted to the outside by using a wireless communication module installed on the ring member.

이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 기판을 감싸도록 배치되는 링 부재가 승강될 때 링 부재의 수평 상태를 정확하게 검출할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure as described above, the horizontal state of the ring member may be accurately detected when the ring member disposed to surround the substrate is raised or lowered.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 수평 검출 부재를 상세히 나타내는 도면이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 링 부재가 승강되는 경우 링 부재의 수평 상태를 검출하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams illustrating in detail a horizontal detection member according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are views for explaining a method of detecting a horizontal state of a ring member when the ring member is raised or lowered according to an embodiment of the present invention.
6 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Therefore, the shape of the constituent elements in the drawings is exaggerated in order to emphasize a more clear description.

본 발명의 실시예에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치 및 방법에 적용 가능하다.In an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and method for etching a substrate using plasma will be described. However, the present invention is not limited thereto, and can be applied to various types of devices and methods for performing a process using plasma.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리장치(10)는 챔버(100), 가스 공급 유닛(200), 플라즈마 발생 유닛(300), 기판 지지 유닛(400), 그리고 링 어셈블리(500)를 포함한다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a chamber 100, a gas supply unit 200, a plasma generation unit 300, a substrate support unit 400, and a ring assembly 500.

챔버(100)는 공정이 진행되는 처리 공간을 제공한다. 챔버(100)는 원통 형상으로 제공된다. 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(111)이 형성된다. 배기홀(111)은 펌프(113)가 장착된 배기라인(115)과 연결된다. 배기라인(115)을 통해 제공되는 진공압은 챔버(100)의 내부를 감압시킨다. 공정 진행 중에 발생되는 부산물 및 챔버(100) 내에 머무르는 가스는 배기라인(115)을 통해 외부로 배출된다. 챔버(100)의 일측면에는 개구(130)가 형성된다. 개구(130)는 기판(W)이 반입 또는 반출되는 통로로서 기능한다. The chamber 100 provides a processing space in which a process is performed. The chamber 100 is provided in a cylindrical shape. The chamber 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be made of aluminum. An exhaust hole 111 is formed on the bottom surface of the chamber 100. The exhaust hole 111 is connected to the exhaust line 115 on which the pump 113 is mounted. The vacuum pressure provided through the exhaust line 115 depressurizes the interior of the chamber 100. By-products generated during the process and gas remaining in the chamber 100 are discharged to the outside through the exhaust line 115. An opening 130 is formed on one side of the chamber 100. The opening 130 functions as a passage through which the substrate W is carried in or carried out.

챔버(100) 내에는 라이너(150)가 제공된다. 라이너(150)는 상부 및 하부가 개방된 원통형상으로 제공된다. 라이너(150)는 챔버(100)의 내측면과 상응하는 반경을 가진다. 라이너(150)는 챔버(100)의 내측면을 감싸도록 위치된다. 라이너(150)는 챔버(100)의 내측면이 손상되거나 내측면에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지한다.A liner 150 is provided in the chamber 100. The liner 150 is provided in a cylindrical shape with open top and bottom. The liner 150 has a radius corresponding to the inner surface of the chamber 100. The liner 150 is positioned to surround the inner surface of the chamber 100. The liner 150 prevents damage to the inner surface of the chamber 100 or from depositing reaction by-products on the inner surface of the chamber 100.

챔버(100)의 내부에는 배플(170)이 제공된다. 배플(170)은 환형의 링 형상으로 제공된다. 배플(170)은 라이너(150)와 기판 지지 유닛(400)의 사이에 위치된다. 배플(170)에는 복수의 홀들(171)이 형성된다. 배플(170)은 챔버(100)의 내부 전체 영역에서 공정가스의 흐름을 조절한다. 예컨대, 배플(170)은 공정가스가 챔버(100)의 내부에서 균일하게 흐르도록 할 수 있다.A baffle 170 is provided inside the chamber 100. The baffle 170 is provided in an annular ring shape. The baffle 170 is positioned between the liner 150 and the substrate support unit 400. A plurality of holes 171 are formed in the baffle 170. The baffle 170 controls the flow of the process gas in the entire area inside the chamber 100. For example, the baffle 170 may allow the process gas to flow uniformly inside the chamber 100.

가스 공급 유닛(200)은 챔버(100)의 내부에 공정가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(200)은 가스저장부(250), 가스공급라인(230), 그리고 가스유입포트(210)를 포함한다. 가스공급라인(230)은 가스저장부(250)와 가스유입포트(210)를 연결한다. 가스저장부(250)에 저장된 공정가스는 가스공급라인(230)을 통해 가스유입포트(210)로 공급된다. 가스공급라인(230)에는 밸브가 설치되어 그 통로를 개폐하거나, 그 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다.The gas supply unit 200 supplies process gas into the chamber 100. The gas supply unit 200 includes a gas storage unit 250, a gas supply line 230, and a gas inlet port 210. The gas supply line 230 connects the gas storage unit 250 and the gas inlet port 210. The process gas stored in the gas storage unit 250 is supplied to the gas inlet port 210 through the gas supply line 230. A valve is installed in the gas supply line 230 to open or close the passage or to adjust the flow rate of the gas flowing through the passage.

플라즈마 발생 유닛(300)은 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 유도결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 안테나(310) 및 외부전원(330)을 포함한다. 안테나(310)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(310)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(330)과 연결된다. 안테나(310)는 외부전원(330)으로부터 전력을 인가받는다. The plasma generation unit 300 excites the process gas in the chamber 100 into a plasma state. The plasma generating unit 300 may be an inductively coupled plasma (ICP) source. The plasma generating unit 300 includes an antenna 310 and an external power source 330. The antenna 310 is disposed on the outside of the chamber 100. The antenna 310 is provided in a spiral shape that is wound a plurality of times, and is connected to an external power source 330. The antenna 310 receives power from an external power source 330.

기판 지지 유닛(400)은 챔버(100)의 내부에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(400)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(400)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(400)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 400 supports the substrate W in the chamber 100. The substrate support unit 400 may be provided as an electrostatic chuck 400 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 400 may support the substrate W in various ways such as mechanical clamping.

정전척(400)은 유전판(410), 베이스(430), 그리고 절연판(450)을 포함한다. 유전판(410), 베이스(430), 그리고 절연판(450)은 위에서 아래방향을 따라 순차적으로 배치된다. The electrostatic chuck 400 includes a dielectric plate 410, a base 430, and an insulating plate 450. The dielectric plate 410, the base 430, and the insulating plate 450 are sequentially disposed in a top-down direction.

유전판(410)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(410)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(410)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(410)의 내부에는 하부전극(414)이 설치된다. 하부전극(414)에는 하부전원(414)이 연결되고, 하부전원(414)으로부터 전력을 인가받는다. 전력을 인가받은 하부전극(414)은 기판(W)이 유전판(410)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(410)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(416)가 설치된다. 히터(416)는 하부전극(414)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(416)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 410. The dielectric plate 410 is provided in a disk shape. The dielectric plate 410 may have a radius smaller than that of the substrate W. A lower electrode 414 is installed inside the dielectric plate 410. A lower power source 414 is connected to the lower electrode 414, and power is applied from the lower power source 414. The lower electrode 414 to which power is applied provides electrostatic force so that the substrate W is adsorbed to the dielectric plate 410. A heater 416 for heating the substrate W is installed inside the dielectric plate 410. The heater 416 may be located under the lower electrode 414. The heater 416 may be provided as a spiral coil.

베이스(430)는 유전판(410)을 지지한다. 베이스(430)는 유전판(410)의 아래에 위치되며, 유전판(410)과 고정결합된다. 베이스(430)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(430)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(410)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(430)의 내부에는 냉각유로(432)가 형성된다. 냉각유로(432)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각유로(432)는 베이스(430)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. The base 430 supports the dielectric plate 410. The base 430 is located under the dielectric plate 410 and is fixedly coupled to the dielectric plate 410. The upper surface of the base 430 has a stepped shape such that the central region thereof is higher than the edge region. The base 430 has an area in which the central region of the upper surface corresponds to the lower surface of the dielectric plate 410. A cooling passage 432 is formed inside the base 430. The cooling passage 432 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling passage 432 may be provided in a spiral shape inside the base 430.

절연판(450)은 베이스(430)의 아래에 위치된다. 절연판(450)은 베이스(430)에 대응되는 크기로 제공된다. 절연판(450)은 챔버(100)의 바닥면과 베이스(430) 사이에 위치된다. 절연판(450)은 절연재질로 제공되며, 베이스(430)와 챔버(100)를 전기적으로 절연시킨다.The insulating plate 450 is located under the base 430. The insulating plate 450 is provided in a size corresponding to the base 430. The insulating plate 450 is positioned between the bottom surface of the chamber 100 and the base 430. The insulating plate 450 is provided of an insulating material, and electrically insulates the base 430 and the chamber 100.

링 어셈블리(500)는 링 부재(510), 수평 검출 부재(530) 및 측정 부재(550)를 포함한다. 링 부재(510)는 기판 지지 유닛(400)에 지지된 기판을 감싸도록 제공된다. 링 부재(510)는 플라즈마를 기판으로 집중시키는 포커스 링일 수 있다. 링 부재(510)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 링 부재(510)의 상면은 그 외측부가 내측부에 비해 높게 단차진 형상으로 제공될 수 있다. 링 부재(510)의 상면 내측부는 유전판(410)과 동일한 높이를 가지도록 제공될 수 있다. 링 부재(510)의 상면 내측부는 기판의 저면 가장자리 영역을 지지할 수 있고, 링 부재(510)의 외측부는 기판의 측부 영역을 감싸도록 제공될 수 있다. 또한, 도 1에서 링 부재(510)는 하나가 제공되는 것으로 도시되나, 이에 한정되지 않고 링 부재(510)는 복수 개 제공될 수도 있다.The ring assembly 500 includes a ring member 510, a horizontal detection member 530 and a measurement member 550. The ring member 510 is provided to surround a substrate supported by the substrate support unit 400. The ring member 510 may be a focus ring for concentrating plasma onto the substrate. The ring member 510 may be provided in an annular ring shape. The upper surface of the ring member 510 may be provided in a stepped shape with an outer portion higher than that of an inner portion. The inner portion of the upper surface of the ring member 510 may be provided to have the same height as the dielectric plate 410. The inner portion of the upper surface of the ring member 510 may support an edge region of the bottom surface of the substrate, and the outer portion of the ring member 510 may be provided to surround the side region of the substrate. In addition, although it is shown that one ring member 510 is provided in FIG. 1, the present invention is not limited thereto, and a plurality of ring members 510 may be provided.

수평 검출 부재(530)는 링 부재(510)에 설치되어 링 부재(510)의 수평 상태를 검출한다. 도 2를 참조하면, 수평 검출 부재(530)는 링 부재(510)의 서로 다른 영역에 설치되는 적어도 3개의 수평 센서로 제공될 수 있다. 여기서, 수평 센서는 가속도 센서, 각속도 센서, 자이로 센서 등으로 제공될 수 있다. 수평 센서는 링 부재(510)의 저면에 제공되어 처리 공간의 플라즈마로 인해 수평 센서가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 바람직하게는, 수평 검출 부재(530)는 도 3과와 같이, 링 부재(510)의 저면에 90도 간격으로 설치되는 4개의 수평 센서로 제공될 수 있다.The horizontal detection member 530 is installed on the ring member 510 to detect the horizontal state of the ring member 510. Referring to FIG. 2, the horizontal detection member 530 may be provided with at least three horizontal sensors installed in different regions of the ring member 510. Here, the horizontal sensor may be provided as an acceleration sensor, an angular velocity sensor, a gyro sensor, or the like. The horizontal sensor is provided on the bottom of the ring member 510 to prevent damage to the horizontal sensor due to plasma in the processing space. Preferably, the horizontal detection member 530 may be provided with four horizontal sensors installed at 90 degree intervals on the bottom surface of the ring member 510 as shown in FIG. 3.

다시 도 1을 참조하면, 구동 부재(550)는 링 부재(510)의 높이를 조절한다. 구동 부재(550)는 리프트 핀(552), 구동기(554) 및 제어부(556)를 포함한다. 리프트 핀(552)은 복수 개 제공될 수 있다. 구동기(554)는 리프트 핀(552)을 승강 및 하강시킬 수 있으며, 복수의 리프트 핀(552)에 대응되는 복수의 구동 모터(554)로 제공될 수 있다. 제어부(556)는 구동기(554)를 제어하여 리프트 핀(552)의 높이를 조절한다. 제어부(556)는 수평 검출 부재(530)에서 측정된 링 부재(510)의 수평 상태에 기초하여 상기 링 부재(510)의 수평을 조절할 수 있다.Referring back to FIG. 1, the driving member 550 adjusts the height of the ring member 510. The driving member 550 includes a lift pin 552, a driver 554 and a control unit 556. A plurality of lift pins 552 may be provided. The driver 554 may raise and lower the lift pins 552, and may be provided with a plurality of drive motors 554 corresponding to the plurality of lift pins 552. The control unit 556 controls the actuator 554 to adjust the height of the lift pin 552. The controller 556 may adjust the level of the ring member 510 based on the horizontal state of the ring member 510 measured by the horizontal detection member 530.

또한, 링 어셈블리(500)는 통신 부재(미도시)를 더 포함할 수 있다. 통신 부재(미도시)는 수평 검출 부재(530)에서 측정된 링 부재(510)의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송할 수 있다. 통신 부재(미도시)는 와이파이 모듈, 블루투스 모듈 등과 같은 무선 통신 모듈로 제공될 수 있다. 통신 부재(미도시)는 링 부재(510)에 설치될 수 있다. 이 경우, 링 부재(510)에는 통신 부재(미도시)에 전력을 공급하기 위한 배터리가 설치될 수 있다.In addition, the ring assembly 500 may further include a communication member (not shown). The communication member (not shown) may transmit information on the horizontal state of the ring member 510 measured by the horizontal detection member 530 to the outside. The communication member (not shown) may be provided as a wireless communication module such as a Wi-Fi module or a Bluetooth module. The communication member (not shown) may be installed on the ring member 510. In this case, a battery for supplying power to a communication member (not shown) may be installed in the ring member 510.

도 4 및 도 5를 참조하면, 구동 부재(550)가 링 부재(510)의 각 영역을 승강하는 경우 링 부재(510)의 수평이 정확하게 맞지 않을 수 있으며, 이 경우 기판의 비대칭에 의한 생산성 저하가 발생할 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 링 어셈블리(500)는 링 부재(510)에 설치되는 수평 검출 부재(530)를 포함하여, 링 부재(510)가 승강될 때 링 부재(510)의 수평 상태를 정확히 검출할 수 있다. 또한, 링 부재(510)의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송하여 링 부재(510)의 수평을 정확히 조절할 수 있다.4 and 5, when the driving member 550 lifts each region of the ring member 510, the level of the ring member 510 may not be accurately aligned, and in this case, productivity decreases due to asymmetry of the substrate. Can occur. The ring assembly 500 according to an embodiment of the present invention includes a horizontal detection member 530 installed on the ring member 510 to determine the horizontal state of the ring member 510 when the ring member 510 is raised or lowered. It can be accurately detected. In addition, by transmitting information on the horizontal state of the ring member 510 to the outside, it is possible to accurately adjust the horizontal level of the ring member 510.

도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 6을 참조하면, 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸도록 배치되는 링 부재가 승강될 때 지지 유닛에 제공된 수평 센서를 이용하여 링 부재의 수평 상태를 검출한다(S610). 또한, 링 부재는 복수의 리프트 핀에 의해 승강될 수 있으며, 수평 센서에서 측정된 측정 값에 기초하여 복수의 리프트 핀 각각을 제어할 수 있다. 또한, 링 부재에는 무선 통신 모듈이 설치되어, 링 부재의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송할 수 있다.6 is a flowchart illustrating a substrate processing method according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, when a ring member disposed to surround a substrate supported by the substrate support unit is raised and lowered, a horizontal state of the ring member is detected using a horizontal sensor provided in the support unit (S610). In addition, the ring member may be raised and lowered by a plurality of lift pins, and each of the plurality of lift pins may be controlled based on a measured value measured by a horizontal sensor. In addition, a wireless communication module is installed in the ring member, so that information about the horizontal state of the ring member can be transmitted to the outside.

이상과 같은 본 발명의 다양한 실시 예에 따르면 기판을 감싸도록 배치되는 링 부재가 승강될 때 링 부재의 수평 상태를 정확하게 검출할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure as described above, the horizontal state of the ring member may be accurately detected when the ring member disposed to surround the substrate is raised or lowered.

또한, 상술한 실시 예와 달리, 플라즈마 발생 유닛(300)은 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용될 수 있다. 용량 결합형 플라즈마는 챔버(100)의 내부에 위치하는 제1전극 및 제2전극을 포함할 수 있다. 제1전극 및 제2전극은 챔버(100)의 내부에서 상부와 하부에 각각 배치되고, 각각의 전극은 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다. 양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정가스는 여기되어 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.In addition, unlike the above-described embodiment, the plasma generating unit 300 may use a capacitively coupled plasma (CCP). The capacitive-coupled plasma may include a first electrode and a second electrode positioned inside the chamber 100. The first electrode and the second electrode may be disposed above and below the chamber 100, respectively, and each electrode may be disposed vertically in parallel with each other. One of the electrodes may apply high frequency power and the other electrode may be grounded. An electromagnetic field is formed in the space between the two electrodes, and the process gas supplied to the space is excited to be excited in a plasma state.

상술한 실시 예에서 링 부재(510)는 하나의 링으로 제공되어 구동 부재(550)에 의해 승하강되는 것으로 설명하였으나, 링 부재(510)는 복수 개 제공될 수 있으며, 구동 부재(550)는 복수 개의 링 부재(510)를 독립적으로 제어하여 각각의 링 부재(510)의 높이를 상이하게 조절할 수도 있을 것이다.In the above-described embodiment, it has been described that the ring member 510 is provided as a single ring and is raised and lowered by the driving member 550, but a plurality of ring members 510 may be provided, and the driving member 550 A plurality of ring members 510 may be independently controlled to adjust the height of each ring member 510 differently.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will be able to make various modifications and variations without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but to explain the technical idea, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100: 챔버 200: 가스 공급 유닛
300: 플라즈마 발생 유닛 400: 기판 지지 유닛
500: 링 어셈블리 510: 링 부재
530: 수평 검출 부재 550: 구동 부재100: chamber 200: gas supply unit
300: plasma generation unit 400: substrate support unit
500: ring assembly 510: ring member
530: horizontal detection member 550: drive member

Claims (10)

내부에 처리 공간을 가지는 챔버;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 처리 공간 내로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛; 및
상기 기판 지지 유닛을 감싸도록 배치되는 링 어셈블리;를 포함하되,
상기 링 어셈블리는,
링 부재; 및
상기 링 부재에 설치되어 상기 링 부재의 수평 상태를 검출하는 수평 검출 부재;를 포함하는 기판 처리 장치.A chamber having a processing space therein;
A substrate support unit supporting a substrate in the processing space;
A gas supply unit supplying gas into the processing space; And
A plasma generating unit generating plasma from the gas; And
Including; a ring assembly disposed to surround the substrate support unit,
The ring assembly,
Ring member; And
And a horizontal detection member installed on the ring member to detect a horizontal state of the ring member. 제1항에 있어서,
상기 수평 검출 부재는, 상기 링 부재의 서로 다른 영역에 설치되는 적어도 3개의 수평 센서로 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The horizontal detection member is a substrate processing apparatus provided with at least three horizontal sensors installed in different regions of the ring member. 제2항에 있어서,
상기 수평 센서는, 상기 링 부재의 저면에 제공되는 기판 처리 장치.The method of claim 2,
The horizontal sensor is provided on a bottom surface of the ring member. 제1항 내지 제3항 중 어느 하나에 있어서,
상기 링 어셈블리는,
상기 링 부재를 승하강시키는 구동 부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The ring assembly,
A substrate processing apparatus further comprising a driving member for lifting the ring member up and down. 제4항에 있어서,
상기 구동 부재는,
상기 링 부재의 서로 다른 영역에 연결되는 복수의 리프트 핀; 및
상기 복수 개의 리프트 핀을 각각 구동하는 복수의 구동 모터;를 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 4,
The driving member,
A plurality of lift pins connected to different regions of the ring member; And
And a plurality of driving motors respectively driving the plurality of lift pins. 제5항에 있어서,
상기 구동 부재는,
상기 링 부재의 수평 상태에 기초하여 상기 복수의 구동 모터를 제어하는 제어부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 5,
The driving member,
The substrate processing apparatus further comprises a control unit for controlling the plurality of drive motors based on the horizontal state of the ring member. 제1항에 있어서,
상기 링 어셈블리는,
상기 링 부재의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송하는 통신 부재;를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The ring assembly,
The substrate processing apparatus further comprises a communication member for transmitting information about the horizontal state of the ring member to the outside. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
플라즈마를 이용하여 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 처리하되,
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸도록 배치되는 링 부재가 승강될 때 상기 지지 유닛에 제공된 수평 센서를 이용하여 상기 링 부재의 수평 상태를 검출하는 기판 처리 방법.In the method of processing a substrate,
Process the substrate supported on the substrate support unit using plasma,
A substrate processing method of detecting a horizontal state of the ring member using a horizontal sensor provided in the support unit when a ring member disposed to surround a substrate supported by the substrate support unit is raised and lowered. 제8항에 있어서,
상기 링 부재는, 복수의 리프트 핀에 의해 승강되고,
상기 수평 센서의 측정 값에 기초하여 상기 복수의 리프트 핀 각각을 제어하는 기판 처리 방법.The method of claim 8,
The ring member is raised and lowered by a plurality of lift pins,
A substrate processing method for controlling each of the plurality of lift pins based on the measured value of the horizontal sensor. 제8항에 있어서,
상기 링 부재에 설치되는 무선 통신 모듈을 이용하여 상기 링 부재의 수평 상태에 관한 정보를 외부로 전송하는 기판 처리 방법.

The method of claim 8,
A substrate processing method for transmitting information about a horizontal state of the ring member to the outside using a wireless communication module installed on the ring member.
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