KR101853367B1 - Exhaust baffle, Apparatus and Method for treating substrate with the baffle - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간을 가지는 챔버, 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 내부 공간을 처리 영역과 배기 영역으로 구획하고, 상하 방향으로 관통된 배기홀들이 형성된 배기 배플, 상기 처리 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 배기 영역과 연결되는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 배플에서 상기 배기 영역과 마주보는 제1면은 상기 처리 영역과 마주보는 제2면보다 더 거칠게 제공된다. 이로 인해 가스 및 공정 부산물은 역류되는 중에 제1면에 부착될 수 있다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for gas treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having an inner space, a substrate support unit for supporting the substrate in the inner space, an exhaust baffle configured to partition the inner space into a processing region and an exhaust region and having exhaust holes penetrating in the vertical direction, Wherein the first surface facing the exhaust zone in the exhaust baffle is provided with a rougher surface than the second surface facing the process zone in a gas delivery unit for supplying a process gas to the exhaust zone and an exhaust unit connected to the exhaust zone . This allows the gas and process by-products to adhere to the first side while being countercurrent.

Description

배기 배플, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법{Exhaust baffle, Apparatus and Method for treating substrate with the baffle}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust baffle,

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가스 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an apparatus and a method for processing a substrate, and more particularly to an apparatus and a method for treating a substrate.

반도체 소자를 제조하는 공정에 있어서 사진, 식각, 박막 증착, 이온주입, 그리고 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정들 중 식각, 박막 증착, 그리고 세정 공정에는 공정 가스를 이용한 기판 처리 장치가 사용된다.In the process of manufacturing a semiconductor device, various processes such as photolithography, etching, thin film deposition, ion implantation, and cleaning are performed. Among these processes, a substrate processing apparatus using a process gas is used for etching, thin film deposition, and cleaning processes.

일반적으로 가스 처리 공정은 챔버 내에 공정 가스를 공급하고, 기판 처리에 사용된 공정 가스 및 공정 부산물을 챔버로부터 배기시킨다. 이러한 챔버의 내부 공간은 배기 유닛에 의해 배기되어 진공 분위기를 유지한다. Generally, the gas treatment process supplies the process gas into the chamber, and exhausts the process gas and process by-products used in the substrate process from the chamber. The inner space of this chamber is exhausted by the exhaust unit to maintain a vacuum atmosphere.

그러나 챔버의 내부 공간은 기판을 반출입하거나 메인터넌스를 할 경우에 그 내부 압력을 높힌다. 이로 인해 배기 유닛으로 배기되는 가스 및 공정 부산물의 일부는 챔버의 내부 공간으로 역류되는 현상이 발생된다. However, the internal space of the chamber raises the internal pressure of the substrate when the substrate is taken in or out or is being maintained. This causes a phenomenon that the gas exhausted to the exhaust unit and a part of the process by-products flow back into the internal space of the chamber.

역류된 가스 및 공정 부산물은 챔버의 내부 공간 및 이에 위치되는 장비 부품들을 오염시킨다. 역류된 가스 및 공정 부산물은 진공 분위기에서 배출되나, 이는 챔버 내에 위치되는 기판을 오염시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 잔류된 역류 가스는 다음에 반입될 기판을 오염시킬 수 있으며, 이는 기판 처리 공정에 악영향을 끼친다.The refluxed gases and process byproducts contaminate the interior space of the chamber and the equipment components located therein. The refluxed gas and process by-products are discharged in a vacuum atmosphere, but this can contaminate the substrate located in the chamber. In addition, the residual backwash gas can contaminate the substrate to be loaded next, which adversely affects the substrate processing process.

본 발명은 챔버 및 이의 내부에 위치되는 장비들이 오염되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention seeks to provide an apparatus and method that can prevent contamination of the chamber and the equipment located therein.

또한 본 발명은 배기되는 가스 및 공정 부산물이 챔버의 내부 공간으로 역류되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.It is another object of the present invention to provide an apparatus and a method capable of preventing backflow of exhaust gas and process by-products into the inner space of a chamber.

본 발명의 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 내부 공간을 가지는 챔버, 상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 내부 공간을 처리 영역과 배기 영역으로 구획하고, 상하 방향으로 관통된 배기홀들이 형성된 배기 배플, 상기 처리 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 그리고 상기 배기 영역과 연결되는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 배플에서 상기 배기 영역과 마주보는 제1면은 상기 처리 영역과 마주보는 제2면보다 더 거칠게 제공된다. Embodiments of the present invention provide an apparatus and method for gas treating a substrate. The substrate processing apparatus includes a chamber having an inner space, a substrate support unit for supporting the substrate in the inner space, an exhaust baffle configured to partition the inner space into a processing region and an exhaust region and having exhaust holes penetrating in the vertical direction, Wherein the first surface facing the exhaust zone in the exhaust baffle is provided with a rougher surface than the second surface facing the process zone in a gas delivery unit for supplying a process gas to the exhaust zone and an exhaust unit connected to the exhaust zone .

상기 배기 배플은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되고, 상기 처리 영역은 상기 배기 영역보다 상부에 제공될 수 있다. 상기 제1면 및 상기 제2면은 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다. 상기 제1면은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다, The exhaust baffle may be provided in a ring shape surrounding the substrate support unit, and the processing area may be provided above the exhaust area. The first surface and the second surface may be provided with materials different from each other. The first side may be provided with a material containing alumina (Al 2 O 3 )

외부로부터 밀폐된 공간을 제1영역과 제2영역으로 구획하는 배기 배플은, 상기 제1영역에 마주보는 제1면은 상기 제2영역에 마주보는 제2면보다 더 높은 표면 거칠기 값을 가진다. The exhaust baffle that divides the space sealed from the outside into the first region and the second region has a higher surface roughness value than the second surface facing the second region.

상기 배기 배플에는 상기 제1영역 및 상기 제2영역이 서로 통하도록 제공되는 배기홀이 형성될 수 있다. 상기 제2영역은 공정 가스가 공급되는 영역이고, 상기 제1영역은 상기 공정 가스가 배기되는 영역으로 제공될 수 있다. The exhaust baffle may include an exhaust hole provided so that the first region and the second region communicate with each other. The second region is a region to which a process gas is supplied, and the first region may be provided in a region where the process gas is exhausted.

또한 기판을 가스 처리하는 방법은 챔버의 내부 공간에는 기판이 위치되고, 상기 내부 공간은 배기홀들이 형성된 배기 배플에 의해 처리 영역과 배기 영역으로 구획되며, 상기 배기 영역에 노출되는 제1면은 상기 처리 영역에 노출되는 제2면보다 더 거칠게 제공되되, 상기 처리 영역으로 공정 가스를 공급하고, 상기 배기 영역으로 상기 공정 가스를 배기하여 상기 기판을 처리한다. The method of gas-treating a substrate is characterized in that a substrate is located in an inner space of the chamber, and the inner space is divided into a processing region and an exhaust region by an exhaust baffle in which exhaust holes are formed, Is provided rougher than the second side exposed to the processing region, and the processing gas is supplied to the processing region and the substrate is processed by discharging the processing gas to the exhaust region.

상기 제1면 및 상기 제2면은 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다. 상기 제1면은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The first surface and the second surface may be provided with materials different from each other. The first surface may be provided with a material containing alumina (Al 2 O 3 ).

본 발명의 실시예에 의하면, 배기 영역과 마주하는 배기 배플의 제1면은 처리 영역과 마주보는 제2면보다 더 거칠게 제공된다. 이로 인해 가스 및 공정 부산물은 역류되는 중에 제1면에 부착될 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the first surface of the exhaust baffle facing the exhaust area is provided more rough than the second surface facing the processing area. This allows the gas and process by-products to adhere to the first side while being countercurrent.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 가스 및 공정 부산물은 역류되는 중에 제1면에 부착되므로, 가스 및 공정 부산물이 처리 영역으로 역류되는 것을 방지할 수 있다.Also according to an embodiment of the present invention, the gas and process by-products are attached to the first side during backflow, thereby preventing gas and process by-products from flowing back into the process area.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 배기 배플을 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 배기 배플을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 배기 배플에서 공정 부산물에 대한 흡착도를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 1의 배기 유닛의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a schematic view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view of the process unit of Figure 1;
Figure 3 is a top view showing the exhaust baffle of Figure 1;
Figure 4 is a cross-sectional view of the exhaust baffle of Figure 3;
5 is a cross-sectional view showing the degree of adsorption to the process by-products in the exhaust baffle of FIG.
6 is a cross-sectional view showing another embodiment of the exhaust unit of FIG.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. The present embodiments are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention. Accordingly, the shapes of the components and the like in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer description.

본 실시예에서는 챔버 내에서 플라즈마를 이용하여 기판을 식각 처리하는 기판 처리 장치를 일 예로 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 공정 가스를 이용하여 기판을 처리하는 장치라면 다양한 공정에 적용 가능하다. In this embodiment, a substrate processing apparatus for etching a substrate by using a plasma in a chamber will be described as an example. However, the present invention is not limited to this and can be applied to various processes as long as it is an apparatus for processing a substrate using a process gas.

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 6. Fig.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 공정 유닛(10), 배기 유닛(20), 그리고 압력 조절 유닛(30)을 포함한다. 공정 유닛(10)은 기판(W)을 플라즈마 처리한다. 배기 유닛(20)은 공정 유닛(10)의 내부를 감압한다. 공정 유닛(10)의 내부는 배기 유닛(20)에 의해 진공 분위기가 형성된다. 압력 조절 유닛(30)은 배기 유닛(20)의 감압력을 조절한다.1 is a schematic view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus includes a processing unit 10, an exhaust unit 20, and a pressure regulating unit 30. The processing unit 10 processes the substrate W by plasma. The exhaust unit 20 decompresses the interior of the processing unit 10. A vacuum atmosphere is formed inside the processing unit 10 by the exhaust unit 20. The pressure regulating unit (30) regulates the depressurizing pressure of the exhaust unit (20).

다음은 공정 유닛(10)에 대해 보다 상세히 설명한다. 도 2는 도 1의 공정 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 공정 유닛(10)은 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 플라즈마 소스(400), 그리고 배기 배플(500)을 포함한다.The following describes the process unit 10 in more detail. Figure 2 is a cross-sectional view of the process unit of Figure 1; 2, the processing unit 10 includes a chamber 100, a substrate support unit 200, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and an exhaust baffle 500.

챔버(100)은 기판(W)이 처리되는 내부 공간(106)을 가진다. 챔버(100)는 원형의 통 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 금속 재질로 제공된다. 예컨대, 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 일측벽에는 개구가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구는 도어(120)에 의해 개폐된다. 챔버(100)의 바닥면에는 하부홀(150)이 형성된다. 하부홀(150)에는 배기 유닛(20)에 연결된다. 챔버(100)의 내부 공간(106)은 배기 유닛(20)에 의해 배기되며, 진공 분위기가 형성될 수 있다.The chamber 100 has an internal space 106 in which the substrate W is processed. The chamber 100 is provided in a circular cylindrical shape. The housing 100 is made of a metal material. For example, the chamber 100 may be provided with an aluminum material. An opening is formed in one side wall of the chamber 100. The opening serves as an inlet through which the substrate W is carried in and out. The opening is opened and closed by the door 120. On the bottom surface of the chamber 100, a lower hole 150 is formed. The lower hole 150 is connected to the exhaust unit 20. The inner space 106 of the chamber 100 is exhausted by the exhaust unit 20, and a vacuum atmosphere can be formed.

기판 지지 유닛(200)은 내부 공간(106)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척(200)으로 제공될 수 있다. 선택적으로 기판 지지 유닛(200)은 기계적 클램핑과 같은 다양한 방식으로 기판(W)을 지지할 수 있다.The substrate support unit 200 supports the substrate W in the inner space 106. The substrate support unit 200 may be provided with an electrostatic chuck 200 that supports the substrate W using electrostatic force. Optionally, the substrate support unit 200 can support the substrate W in a variety of ways, such as mechanical clamping.

정전척(200)은 유전판(210), 베이스(230), 그리고 포커스링(250)를 포함한다. 유전판(210)은 유전체 재질을 포함하는 유전판(210)으로 제공된다. 유전판(210)의 상면에는 기판(W)이 직접 놓인다. 유전판(210)은 원판 형상으로 제공된다. 유전판(210)은 기판(W)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 유전판(210)의 내부에는 내부 전극(212)이 설치된다. 내부 전극(212)에는 전원(미도시)이 연결되고, 전원(미도시)으로부터 전력을 인가받는다. 내부 전극(212)은 인가된 전력(미도시)으로부터 기판(W)이 유전판(210)에 흡착되도록 정전기력을 제공한다. 유전판(210)의 내부에는 기판(W)을 가열하는 히터(214)가 설치된다. 히터(214)는 내부 전극(212)의 아래에 위치될 수 있다. 히터(214)는 나선 형상의 코일로 제공될 수 있다. The electrostatic chuck 200 includes a dielectric plate 210, a base 230, and a focus ring 250. The dielectric plate 210 is provided with a dielectric plate 210 containing a dielectric material. The substrate W is directly placed on the upper surface of the dielectric plate 210. The dielectric plate 210 is provided in a disc shape. The dielectric plate 210 may have a smaller radius than the substrate W. [ An internal electrode 212 is provided inside the dielectric plate 210. A power source (not shown) is connected to the internal electrode 212, and receives power from a power source (not shown). The internal electrode 212 provides an electrostatic force such that the substrate W is attracted to the dielectric plate 210 from the applied electric power (not shown). Inside the dielectric plate 210, a heater 214 for heating the substrate W is provided. The heater 214 may be located under the internal electrode 212. The heater 214 may be provided as a helical coil.

베이스(230)는 유전판(210)을 지지한다. 베이스(230)는 유전판(210)의 아래에 위치되며, 유전판(210)과 고정결합된다. 베이스(230)의 상면은 그 중앙영역이 가장자리영역에 비해 높도록 단차진 형상을 가진다. 베이스(230)는 그 상면의 중앙영역이 유전판(210)의 저면에 대응하는 면적을 가진다. 베이스(230)의 내부에는 냉각 유로(232)가 형성된다. 냉각유로(232)는 냉각유체가 순환하는 통로로 제공된다. 냉각 유로(232)는 베이스(230)의 내부에서 나선 형상으로 제공될 수 있다. 베이스에는 외부에 위치된 고주파 전원(234)과 연결된다. 고주파 전원(234)은 베이스(230)에 전력을 인가한다. 베이스(230)에 인가된 전력은 챔버(100) 내에 발생된 플라즈마가 베이스(230)를 향해 이동되도록 안내한다. 베이스(230)는 금속 재질로 제공될 수 있다.The base 230 supports the dielectric plate 210. The base 230 is positioned below the dielectric plate 210 and is fixedly coupled to the dielectric plate 210. The upper surface of the base 230 has a stepped shape such that its central region is higher than the edge region. The central portion of the upper surface of the base 230 has an area corresponding to the bottom surface of the dielectric plate 210. A cooling passage 232 is formed in the base 230. The cooling channel 232 is provided as a passage through which the cooling fluid circulates. The cooling channel 232 may be provided in a spiral shape inside the base 230. And is connected to a high-frequency power supply 234 located outside the base. The high frequency power supply 234 applies power to the base 230. The power applied to the base 230 guides the plasma generated in the chamber 100 to be moved toward the base 230. The base 230 may be made of a metal material.

포커스링(250)은 플라즈마를 기판(W)으로 집중시킨다. 포커스링(250)은 내측링(252) 및 외측링(254)을 포함한다. 내측링(252)은 유전판(210)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내측링(252)을 베이스(230)의 가장자리영역에 위치된다. 내측링(252)의 상면은 유전판(210)의 상면과 동일한 높이를 가지도록 제공된다. 내측링(252)의 상면 내측부는 기판(W)의 저면 가장자리영역을 지지한다. 예컨대, 내측링(252)은 도전성 재질로 제공될 수 있다. 외측링(254)은 내측링(252)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측링(254)은 베이스(230)의 가장자리영역에서 내측링(252)과 인접하게 위치된다. 외측링(254)은 내측링(252)에 비해 그 높은 상단을 가진다. 외측링(254)은 절연 물질로 제공될 수 있다.The focus ring 250 focuses the plasma onto the substrate W. [ The focus ring 250 includes an inner ring 252 and an outer ring 254. The inner ring 252 is provided in an annular ring shape surrounding the dielectric plate 210. The inner ring 252 is located in the edge region of the base 230. [ The upper surface of the inner ring 252 is provided so as to have the same height as the upper surface of the dielectric plate 210. The inner surface of the upper surface of the inner ring 252 supports the bottom edge region of the substrate W. [ For example, the inner ring 252 may be provided with a conductive material. The outer ring 254 is provided in an annular ring shape surrounding the inner ring 252. The outer ring 254 is positioned adjacent to the inner ring 252 in the edge region of the base 230. The outer ring 254 has a higher upper end than the inner ring 252. The outer ring 254 may be provided with an insulating material.

가스 공급 유닛(300)은 기판 지지 유닛(200)에 지지된 기판(W) 상으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(350), 가스 공급 라인(330), 그리고 가스 유입 포트(310)를 포함한다. 가스 공급 라인(330)은 가스 저장부(350) 및 가스 유입 포트(310)를 연결한다. 가스 저장부(350)에 저장된 공정 가스는 가스 공급 라인(330)을 통해 가스 유입 포트(310)으로 공급한다. 가스 유입 포트(310)는 챔버(100)의 상부벽에 설치된다. 가스 유입 포트(310)는 기판 지지 유닛(200)과 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 가스 유입 포트(310)는 챔버(100) 상부벽의 중심에 설치될 수 있다. 가스 공급 라인(330)에는 밸브가 설치되어 그 내부 통로를 개폐하거나, 그 내부 통로에 흐르는 가스의 유량을 조절할 수 있다. 예컨대, 공정 가스는 식각 가스일 수 있다.The gas supply unit 300 supplies the process gas onto the substrate W supported by the substrate support unit 200. The gas supply unit 300 includes a gas reservoir 350, a gas supply line 330, and a gas inlet port 310. The gas supply line 330 connects the gas reservoir 350 and the gas inlet port 310. The process gas stored in the gas storage unit 350 is supplied to the gas inlet port 310 through the gas supply line 330. The gas inlet port 310 is installed in the upper wall of the chamber 100. The gas inlet port 310 is positioned opposite the substrate support unit 200. According to one example, the gas inlet port 310 may be installed at the center of the upper wall of the chamber 100. A valve is provided in the gas supply line 330 to open or close the internal passage, or to control the flow rate of the gas flowing in the internal passage. For example, the process gas may be an etch gas.

플라즈마 소스(400)는 챔버(100) 내에 공정가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다. 플라즈마 소스(400)로는 유도 결합형 플라즈마(ICP: inductively coupled plasma) 소스가 사용될 수 있다. 플라즈마 소스(400)는 안테나(410) 및 외부전원(430)을 포함한다. 안테나(410)는 챔버(100)의 외측 상부에 배치된다. 안테나(410)는 복수 회 감기는 나선 형상으로 제공되고, 외부전원(430)과 연결된다. 안테나(410)는 외부전원(430)으로부터 전력을 인가받는다. 전력이 인가된 안테나(410)는 챔버(100)의 내부 공간에 방전 공간을 형성한다. 방전 공간 내에 머무르는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.The plasma source 400 excites the process gas into the plasma state within the chamber 100. As the plasma source 400, an inductively coupled plasma (ICP) source may be used. The plasma source 400 includes an antenna 410 and an external power source 430. An antenna 410 is disposed on the outer side of the chamber 100. The antenna 410 is provided in a spiral shape in multiple turns and is connected to an external power supply 430. The antenna 410 receives power from the external power supply 430. The power-applied antenna 410 forms a discharge space in the inner space of the chamber 100. The process gas staying in the discharge space can be excited into a plasma state.

압력 조절 유닛(30)은 배기 라인(22)의 개구율을 조절한다. 압력 조절 유닛(30)은 차단 위치 및 대기 위치로 이동 가능한 셔터(미도시)를 포함한다. 셔터는 배기 라인의 길이 방향에 대해 수직한 방향으로 직선 이동이 가능하다.The pressure regulating unit (30) regulates the opening ratio of the exhaust line (22). The pressure regulating unit 30 includes a shutter (not shown) that is movable to a shutoff position and a standby position. The shutter can be linearly moved in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the exhaust line.

배기 배플(500)은 내부 공간(106)에서 플라즈마를 영역 별로 균일하게 배기시킨다. 도 3은 도 2의 배기 배플을 보여주는 평면도이다. 도 3을 참조하면, 배기 배플(500)은 환형의 링 형상을 가진다. 배기 배플(500)은 내부 공간(106)에서 챔버(100)의 내측벽과 기판 지지 유닛(200)의 사이에 위치된다. 이에 따라 내부 공간(106)은 배기 배플(500)에 의해 처리 영역(106b)과 배기 영역(106a)으로 구획된다. 처리 영역(106b)은 배기 영역(106a)보다 상부에 위치될 수 있다. 배기 배플(500)에는 복수의 배기홀들(502)이 형성된다. 배기홀들(502)은 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기홀들(502)은 배기 배플(500)의 상단에서 하단까지 연장되는 홀들로 제공된다. 배기홀들(502)은 배기 배플(500)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 각각의 배기홀(502)은 슬릿 형상을 가지며, 반경 방향을 향하는 길이 방향을 가진다. The exhaust baffle 500 uniformly evacuates the plasma in the inner space 106 from region to region. 3 is a top view showing the exhaust baffle of Fig. Referring to FIG. 3, the exhaust baffle 500 has an annular ring shape. The exhaust baffle 500 is positioned between the inner wall of the chamber 100 and the substrate support unit 200 in the inner space 106. The internal space 106 is partitioned into the processing region 106b and the exhaust region 106a by the exhaust baffle 500. [ The processing region 106b may be located above the exhaust region 106a. A plurality of exhaust holes 502 are formed in the exhaust baffle 500. The exhaust holes 502 are provided so as to face up and down. Exhaust holes 502 are provided in the holes extending from the upper end to the lower end of the exhaust baffle 500. The exhaust holes 502 are arranged apart from each other along the circumferential direction of the exhaust baffle 500. Each exhaust hole 502 has a slit shape and a radial direction lengthwise direction.

배기 배플(500)은 제1면(510) 및 제2면(520)을 포함한다. 제1면(510)은 배기 영역(106a)과 마주보는 일면이고, 제2면(520)은 처리 영역(106b)과 마주보는 타면이다. 제1면(510) 및 제2면(520)은 서로 상이한 표면 거칠기 값을 가진다. 제1면(510)은 제2면(520)에 비해 더 거칠게 제공된다. 즉 제1면(510)은 제2면(520)에 비해 넓은 면적을 가진다. 일 예에 의하면, 제1면(510)은 배기 배플(500)의 저면이고, 제2면(520)은 배기 배플(500)의 상면으로 제공될 수 있다. 제1면(510) 및 제2면(520)은 서로 상이한 재질로 제공될 수 있다. 제1면(510) 및 제2면(520) 각각은 세라믹을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 제1면(510)은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공될 수 있다. The exhaust baffle 500 includes a first side 510 and a second side 520. The first surface 510 is a surface facing the exhaust area 106a and the second surface 520 is a surface facing the processing area 106b. The first surface 510 and the second surface 520 have different surface roughness values. The first side 510 is provided more rough than the second side 520. That is, the first surface 510 has a larger area than the second surface 520. According to one example, the first surface 510 may be the bottom surface of the exhaust baffle 500 and the second surface 520 may be provided on the top surface of the exhaust baffle 500. The first surface 510 and the second surface 520 may be provided in different materials. Each of the first surface 510 and the second surface 520 may be provided with a material containing ceramics. The first surface 510 may be provided with a material containing alumina (Al 2 O 3 ).

제1면(510)의 표면 거칠기 값을 높이기 위해 표면을 개질하는 방법으로는 제1면(510)에 파우더를 고속 분사 코팅할 수 있다. 또한, 제1면(510)에 물리적 충격을 가하는 비드 블라스트 방법을 이용하여 표면을 개질 할 수 있다. 또한 제1면(510)와 샌드 페이퍼를 마찰시켜 제1면(510)의 표면을 개질할 수 있다.As a method of modifying the surface to increase the surface roughness value of the first surface 510, the powder may be coated on the first surface 510 at high speed. In addition, the surface can be modified using a bead blasting method that applies a physical impact to the first surface 510. Also, the surface of the first surface 510 can be modified by friction between the first surface 510 and the sandpaper.

이에 따라 제1면(510)은 제2면(520)에 비해 높은 표면 거칠기 값을 가지며, 파티클이 배기 영역(106a)에서 처리 영역(106b)으로 역류되는 것을 방지할 수 있다. 도 5와 같이, 배기 영역(106a)의 파티클은 제1면(510)에 부착되어 처리 영역(106b)으로 역류되는 것을 방지할 수 있다. 이와달리, 처리 영역(106b)의 파티클은 제2면(520)에 미부착될 수 있다. 처리 영역(106b)의 파티클은 배기홀을 통해 배기 영역(106a)으로 배기될 수 있다.Accordingly, the first surface 510 has a higher surface roughness value than the second surface 520, and can prevent the particles from flowing backward from the exhaust area 106a to the processing area 106b. As shown in Fig. 5, the particles in the exhaust area 106a can be prevented from adhering to the first surface 510 and flowing back to the processing area 106b. Alternatively, the particles of the treatment region 106b may not be attached to the second surface 520. [ Particles in the treatment region 106b can be exhausted to the exhaust region 106a through the exhaust hole.

배기 유닛(20)은 내부 공간(106)의 분위기를 배기한다. 배기 유닛(20)은 내부 공간(106)을 진공 분위기로 형성할 수 있다. 배기 유닛(20)은 배기 영역(106a)을 감압한다. 처리 영역(106b)에 제공되는 공정 부산물 및 플라즈마는 배기 유닛(20)의 감압력에 의해 배기 영역(106a)으로 배기된다. 공정 부산물 및 플라즈마는 배기 유닛(20)을 통해 외부로 배출된다. 배기 유닛(20)은 배기 라인(22) 및 감압 부재(24)를 포함한다. 배기 라인(22)은 챔버(100)의 바닥벽에 형성된 하부홀(150)에 연결된다. 배기 라인(22)은 관 형상을 가진다. 감압 부재(24)는 배기 라인(22)에 설치되며, 배기 라인(22)을 감압한다.The exhaust unit 20 exhausts the atmosphere of the internal space 106. The exhaust unit 20 can form the internal space 106 in a vacuum atmosphere. The exhaust unit 20 reduces the exhaust area 106a. The process byproducts and plasma provided in the process area 106b are exhausted to the exhaust area 106a by depressurization of the exhaust unit 20. [ The process by-products and the plasma are discharged to the outside through the exhaust unit 20. The exhaust unit 20 includes an exhaust line 22 and a pressure-reducing member 24. The exhaust line 22 is connected to the lower hole 150 formed in the bottom wall of the chamber 100. The exhaust line 22 has a tubular shape. The pressure-reducing member 24 is installed in the exhaust line 22, and depressurizes the exhaust line 22.

다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.Next, a method of processing the substrate W by using the above-described substrate processing apparatus will be described.

기판(W) 처리 공정이 진행되면, 챔버(100)의 내부 공간(106)을 대기 분위기에서 진공 분위기로 감압한다. 여기서 대기 분위기는 기판(W)을 미처리하는 상태이고, 진공 분위기는 기판(W)을 처리하는 상태일 수 있다. 대기 분위기는 진공 분위기에 비해 높은 압력으로 제공될 수 있다. 챔버(100)의 처리 영역(106b)에는 공정 가스가 공급되고, 공정 가스는 플라즈마 소스에 의해 플라즈마로 여기된다. 기판(W)은 플라즈마에 의해 처리된다. 처리 영역(106b)에서 기판(W)을 처리하는 중에 발생된 공정 부산물 및 플라즈마는 배기 유닛(20)에 의해 배기 영역(106a)으로 배기된다. 기판(W) 처리 공정이 완료되면, 챔버(100)의 내부 공간을 진공 분위기에서 대기 분위기로 전환시킨다.When the substrate W treatment process proceeds, the inner space 106 of the chamber 100 is decompressed in a vacuum atmosphere in an atmospheric environment. Here, the atmospheric atmosphere may be a state where the substrate W is not treated, and the vacuum atmosphere may be a state where the substrate W is treated. The atmospheric atmosphere can be provided at a higher pressure than the vacuum atmosphere. A processing gas is supplied to the processing region 106b of the chamber 100, and the processing gas is excited into the plasma by the plasma source. The substrate W is processed by plasma. By-products and plasma generated during the processing of the substrate W in the processing region 106b are exhausted to the exhaust region 106a by the exhaust unit 20. When the substrate W processing process is completed, the internal space of the chamber 100 is converted into an atmosphere atmosphere in a vacuum atmosphere.

기판(W)을 처리하는 과정 중, 또는 챔버(100)의 내부 공간(106)을 진공 분위기에서 대기 분위기로 전환하는 중에는 배기 유닛(20)에 머무르는 가스 및 공정 부산물이 역류될 수 있다. 이때 배기 배플(500)의 제1면(510)에는 역류되는 가스 및 공정 부산물가 부착될 수 있고, 처리 영역(106b)에 가스 및 공정 부산물가 역류되는 것을 방지할 수 있다.During the process of processing the substrate W or during the conversion of the internal space 106 of the chamber 100 into the atmosphere in a vacuum atmosphere, the gas and process by-products that remain in the exhaust unit 20 may flow backward. At this time, reverse flow gas and process by-pass water can be attached to the first side 510 of the exhaust baffle 500 and the gas and process by-product can be prevented from flowing back into the process area 106b.

상술한 실시예에는 배기 배플(500)의 제1면(510) 및 제2면(520)이 서로 상이한 표면 거칠기를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 기판 처리 장치는 각 장비의 일면이 서로 상이한 표면 거칠기 값을 가질 수 있다. 기판 처리 장치는 처리 노출면과 배기 노출면이 서로 상이한 표면 거칠기 값을 가질 수 있다. 배기 노출면은 처리 노출면보다 더 거칠게 제공될 수 있다. 여기서 처리 노출면은 처리 영역(106b)에 노출되는 면이고, 배기 노출면은 배기 영역(106a)에 노출되는 면으로 정의한다. 처리 노출면은 배기 배플(500)의 상면, 유전판(210), 도어(120)의 내측면, 포커스링(250), 그리고 배기 배플(500)의 상부에 해당되는 챔버(100)의 내측면을 포함할 수 있다. 배기 노출면은 배기 배플(500)의 저면, 배기 라인(22)의 내측면, 그리고 배기 배플(500)의 하부에 해당되는 챔버(100)의 내측면을 포함할 수 있다. In the above-described embodiment, the first surface 510 and the second surface 520 of the exhaust baffle 500 have different surface roughnesses. However, the substrate processing apparatuses may have surface roughness values that are different from each other on one side of each apparatus. The substrate processing apparatus may have a surface roughness value that is different from the treated exposed surface and the exhaust exposed surface. The exhaust exposure surface may be provided more rough than the treated exposure surface. Here, the treatment exposed surface is a surface exposed to the treatment area 106b, and the exhaust exposure surface is defined as a surface exposed to the exhaust area 106a. The treatment exposed surface is the inner surface of the chamber 100 corresponding to the upper surface of the exhaust baffle 500, the dielectric plate 210, the inner surface of the door 120, the focus ring 250, and the upper portion of the exhaust baffle 500. [ . ≪ / RTI > The exhaust exposure surface may include an inner surface of the chamber 100 corresponding to a bottom surface of the exhaust baffle 500, an inner surface of the exhaust line 22, and a lower portion of the exhaust baffle 500.

20: 배기 유닛 100: 챔버
106a: 배기 영역 106b: 처리 영역
106: 내부 공간 200: 기판 지지 유닛
300: 가스 공급 유닛 500: 배기 배플
510: 제1면 520: 제2면20: exhaust unit 100: chamber
106a: exhaust area 106b: processing area
106: inner space 200: substrate support unit
300: gas supply unit 500: exhaust baffle
510: first side 520: second side

Claims (10)

내부 공간을 가지는 챔버와;
상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 내부 공간을 처리 영역과 배기 영역으로 구획하고, 상하 방향으로 관통된 배기홀들이 형성된 배기 배플과;
상기 처리 영역으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
상기 챔버의 바닥면에 형성된 배기홀에 형성되고 상기 배기 영역과 연결되는 배기 라인을 구비하는 배기 유닛을 포함하되,
상기 배기 배플에서 상기 배기 영역에 노출되는 제1면은 상기 처리 영역에 노출되는 제2면보다 더 거칠게 제공되고,
상기 배기 라인의 내측면은 상기 제2면보다 더 거칠게 제공되는 기판 처리 장치.A chamber having an inner space;
A substrate supporting unit for supporting the substrate in the internal space;
An exhaust baffle that divides the internal space into a process region and an exhaust region and has exhaust holes penetrating in the vertical direction;
A gas supply unit for supplying the process gas to the process region;
And an exhaust line formed in an exhaust hole formed in a bottom surface of the chamber and connected to the exhaust area,
Wherein a first surface exposed to the exhaust area in the exhaust baffle is provided rougher than a second surface exposed to the treatment area,
Wherein an inner surface of the exhaust line is provided rougher than the second surface. 제1항에 있어서,
상기 배기 배플은 상기 기판 지지 유닛을 감싸는 링 형상으로 제공되고,
상기 처리 영역은 상기 배기 영역보다 상부에 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the exhaust baffle is provided in a ring shape surrounding the substrate support unit,
Wherein the processing region is provided above the exhaust region. 제1항 또는 제2항에 잇어서,
상기 제1면 및 상기 제2면은 서로 상이한 재질로 제공되는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the first surface and the second surface are provided in mutually different materials. 제3항에 있어서,
상기 제1면은 알루미나(Al2O3)를 포함하는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.


The method of claim 3,
Wherein the first surface is provided with a material containing alumina (Al 2 O 3 ).


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