KR20230135493A - Supercritical processing apparatus - Google Patents

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KR20230135493A
KR20230135493A KR1020220087590A KR20220087590A KR20230135493A KR 20230135493 A KR20230135493 A KR 20230135493A KR 1020220087590 A KR1020220087590 A KR 1020220087590A KR 20220087590 A KR20220087590 A KR 20220087590A KR 20230135493 A KR20230135493 A KR 20230135493A
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KR
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supply
supply port
support plate
processing fluid
supercritical
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KR1020220087590A
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Korean (ko)
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김형철
정유선
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주식회사 케이씨텍
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

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Abstract

A supercritical processing device, according to an embodiment, includes: a chamber providing an internal space where a supercritical processing process for a substrate is performed; a support plate supporting the substrate in the internal space; a supply unit supplying processing fluid to the internal space; and a discharge unit which discharges the processing fluid from the internal space. The supply unit is located lower than the support plate and may include a first supply port located in an inner area of the support plate when looking at the chamber from top to bottom.

Description

초임계 처리 장치{SUPERCRITICAL PROCESSING APPARATUS}SUPERCRITICAL PROCESSING APPARATUS}

아래의 실시 예는 초임계 처리 장치에 관한 것이다.The example below relates to a supercritical processing device.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate that makes up such a semiconductor due to repetitive processes. Contaminants remaining on the substrate reduce the reliability of the semiconductor being manufactured, so a process of cleaning the substrate during the semiconductor manufacturing process is required to improve this.

최근에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이 채용되고 있다. 한편, 초임계 유체의 특성상, 초임계 유체를 챔버에 공급하는 과정에서 파티클이 발생할 수 있다. 이러한 파티클은 기판에 손상을 발생시킬 수 있다. 따라서, 파티클 발생을 완화하여 기판의 손상을 감소시킬 수 있는 초임계 처리 장치가 요구된다.Recently, a process for processing substrates using supercritical fluid has been adopted. Meanwhile, due to the characteristics of the supercritical fluid, particles may be generated during the process of supplying the supercritical fluid to the chamber. These particles can cause damage to the substrate. Therefore, a supercritical processing device that can reduce damage to the substrate by mitigating particle generation is required.

전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-mentioned background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the disclosure of the present application, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the present application.

일 실시 예의 목적은, 초임계 유체 공급 과정에서 발생할 수 있는 파티클의 발생을 감소시킬 수 있는 초임계 처리 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a supercritical processing device that can reduce the generation of particles that may occur during the supercritical fluid supply process.

일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치는, 기판에 대한 초임계 처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 챔버; 상기 내부 공간에서 상기 기판을 지지하는 지지 플레이트; 상기 내부 공간으로 처리 유체를 공급하는 공급부; 및 상기 내부 공간으로부터 처리 유체를 배출하는 배출부를 포함하고, 상기 공급부는, 상기 지지 플레이트보다 하측에 위치되고, 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 내측 영역에 위치되는 제1 공급 포트를 포함할 수 있다.A supercritical processing device according to an embodiment includes a chamber providing an internal space where a supercritical processing process for a substrate is performed; a support plate supporting the substrate in the internal space; a supply unit supplying processing fluid to the internal space; and a discharge unit discharging processing fluid from the internal space, wherein the supply unit is located lower than the support plate and is located in an inner area of the support plate when looking at the chamber from top to bottom. May include a supply port.

상기 공급부는, 상기 지지 플레이트보다 하측에 위치되고, 상기 제1 공급 포트와 상이한 위치에 형성되는 제2 공급 포트를 더 포함하고, 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제2 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치될 수 있다.The supply unit further includes a second supply port located below the support plate and formed at a different position from the first supply port, and when the chamber is viewed from the top to the bottom, the second supply port is It may be located inside the area of the support plate.

상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the second supply port.

상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제1 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 중심부에 위치되고, 상기 제2 공급 포트는 복수 개 형성되고 상기 제1 공급 포트 주변에 방사상으로 배치될 수 있다.When the chamber is viewed from the top to the bottom, the first supply port is located at the center of the support plate , and a plurality of second supply ports may be formed and arranged radially around the first supply port.

상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 중심부를 기준으로 방사상으로 서로 번갈아 배치될 수 있다.The first supply port and the second supply port may be alternately arranged radially with respect to the center of the support plate.

상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트는 상기 챔버의 하부면에 형성되고, 상기 챔버의 하부면을 제외한 나머지 면에는 상기 공급부가 형성되지 않을 수 있다.The first supply port and the second supply port may be formed on the lower surface of the chamber, and the supply portion may not be formed on any surface other than the lower surface of the chamber.

상기 공급부는, 상기 지지 플레이트보다 상측에 위치되는 제2 공급 포트를 더 포함할 수 있다.The supply unit may further include a second supply port located above the support plate.

상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the second supply port.

상기 제1 공급 포트는 상기 챔버의 하부면에 형성되고, 상기 제2 공급 포트는 상기 챔버의 상부면에 형성되고, 상기 제1 공급 포트는 복수 개 형성될 수 있다.The first supply port is formed on the lower surface of the chamber, the second supply port is formed on the upper surface of the chamber, and a plurality of first supply ports may be formed.

상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port.

일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치는, 기판에 대한 초임계 처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 챔버; 상기 내부 공간에서 상기 기판을 지지하는 지지 플레이트; 상기 내부 공간으로 처리 유체를 공급하는 공급부; 및 상기 내부 공간으로부터 처리 유체를 배출하는 배출부를 포함하고, 상기 공급부는, 상기 지지 플레이트의 하측에 위치되는 공급관; 및 상기 공급관에 형성되는 제1 공급 포트를 포함하고, 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제1 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치될 수 있다.A supercritical processing device according to an embodiment includes a chamber providing an internal space where a supercritical processing process for a substrate is performed; a support plate supporting the substrate in the internal space; a supply unit supplying processing fluid to the internal space; and a discharge unit discharging the processing fluid from the internal space, wherein the supply unit includes a supply pipe positioned below the support plate; and a first supply port formed in the supply pipe, wherein when the chamber is viewed from top to bottom, the first supply port may be located inside the area of the support plate.

상기 공급부는, 상기 챔버의 일면에 형성되는 제2 공급 포트를 더 포함할 수 있다.The supply unit may further include a second supply port formed on one side of the chamber.

상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the second supply port.

상기 제2 공급 포트는 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치되도록 상기 챔버의 하부면에 형성될 수 있다.The second supply port may be formed on a lower surface of the chamber to be located inside the area of the support plate when the chamber is viewed from the top to the bottom.

상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the second supply port.

상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the second supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port.

상기 제2 공급 포트는 복수 개 형성되고 상기 지지 플레이트의 중심부를 기준으로 방사상으로 배치될 수 있다.The second supply port may be formed in plural numbers and may be arranged radially with respect to the center of the support plate.

상기 공급부는 상기 챔버의 상부면에 형성되는 제3 공급 포트를 더 포함할 수 있다.The supply unit may further include a third supply port formed on the upper surface of the chamber.

상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제3 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the first supply port and the second supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the third supply port.

상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고, 상기 제1 공급 포트 및 제3 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급할 수 있다.The processing fluid may be primarily supplied through the second supply port, and the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port and the third supply port.

일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치는, 초임계 유체 공급 과정에서 발생되는 파티클을 감소시킴으로써, 기판에 손상이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다.The supercritical processing device according to one embodiment can reduce damage to the substrate by reducing particles generated during the supercritical fluid supply process.

일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the supercritical processing device according to one embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

도 1은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 2a는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 2b는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 2c는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.1 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
FIG. 2A is a schematic plan view illustrating a lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 2b is a schematic plan view showing the lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment.
FIG. 2C is a schematic plan view illustrating the lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 3 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 4 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 5 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 6 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 7 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 8 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 9 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.
Figure 10 is a schematic side view showing the inside of a supercritical processing device according to an embodiment.

본 특허출원은 2022년 03월 16일자 출원된 특허출원 제10-2022-0032826호를 기초로 우선권을 주장한 것이고, 해당 출원의 전체 내용이 본 특허출원에 참조로서 포함된다.This patent application claims priority based on patent application No. 10-2022-0032826 filed on March 16, 2022, and the entire contents of the application are incorporated by reference in this patent application.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the attached drawings. However, various changes can be made to the embodiments, so the scope of the patent application is not limited or limited by these embodiments. It should be understood that all changes, equivalents, or substitutes for the embodiments are included in the scope of rights.

실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안 된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the examples are for descriptive purposes only and should not be construed as limiting. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as generally understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the embodiments belong. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.

또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In addition, when describing with reference to the accompanying drawings, identical components will be assigned the same reference numerals regardless of the reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted. In describing the embodiments, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the embodiments, the detailed descriptions are omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected," "coupled," or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

도 1은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다. 도 2a는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 2b는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다. 도 2c는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 하부면을 투시하여 도시하는 개략적인 평면도이다.1 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment. FIG. 2A is a schematic plan view illustrating a lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment. Figure 2b is a schematic plan view showing the lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment. FIG. 2C is a schematic plan view illustrating the lower surface of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 1 내지 2c를 참조하면, 초임계 처리 장치(1)는 기판에 대한 처리 공정을 수행하는 장치일 수 있다. 초임계 처리 장치(1)는 챔버(11) 내부 공간에 고압을 형성하여 기판을 처리하는 장치일 수 있다. 예를 들어, 초임계 처리 장치(1)는 초임계 유체로 기판을 처리하는 장치일 수 있다. 처리 공정은 기판을 세정하는 공정 및/또는 기판을 건조하는 공정을 포함할 수 있다. 예를 들어, 초임계 유체는 이산화탄소를 포함할 수 있다.In one embodiment, referring to FIGS. 1 to 2C, the supercritical processing device 1 may be a device that performs a processing process on a substrate. The supercritical processing device 1 may be a device that processes a substrate by generating high pressure in the inner space of the chamber 11. For example, the supercritical processing device 1 may be a device that processes a substrate with a supercritical fluid. The treatment process may include a process of cleaning the substrate and/or a process of drying the substrate. For example, the supercritical fluid may contain carbon dioxide.

일 실시 예에서, 초임계 처리 장치(1)는, 챔버(11), 지지 플레이트(12), 공급부(13) 및 배출부(14)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the supercritical processing device 1 may include a chamber 11, a support plate 12, a supply unit 13, and a discharge unit 14.

일 실시 예에서, 챔버(11)는 기판(W)에 대한 초임계 처리 공정이 수행되는 내부 공간(S)을 제공할 수 있다. 챔버(11)에는 내부 공간(S)으로 기판이 출입하기 위한 도어(미도시)가 형성될 수 있다. 챔버(11)는 초임계 유체의 고압을 견딜 수 있도록, 밀봉 가능한 구조로 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(11)는 개구부가 형성된 하우징, 개구부를 폐쇄하는 도어 및 개구부 주변을 실링하는 실링 부재를 포함할 수 있다.In one embodiment, the chamber 11 may provide an internal space (S) in which a supercritical processing process for the substrate (W) is performed. A door (not shown) may be formed in the chamber 11 to allow the substrate to enter and exit the internal space (S). The chamber 11 may be formed in a sealable structure to withstand the high pressure of the supercritical fluid. For example, the chamber 11 may include a housing with an opening, a door that closes the opening, and a sealing member that seals around the opening.

일 실시 예에서, 기판(W)은 반도체 장치(semiconductor) 제조용 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나, 기판(W)의 종류가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 기판(W)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치(flat panel display device, FPD)용 글라스를 포함할 수 있다.In one embodiment, the substrate W may be a silicon wafer for manufacturing semiconductor devices. However, the type of substrate W is not limited to this. For example, the substrate W may include glass for a flat panel display device (FPD) such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP).

일 실시 예에서, 지지 플레이트(12)는 내부 공간(S)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)은 지지 플레이트(12)의 상측에 안착 및 지지될 수 있다. 지지 플레이트(12)에는 기판(W)을 안정적으로 지지 및/또는 고정하기 위한 지지 부재가 구비될 수 있다. 지지 플레이트(12)는 기판(W)의 수평 방향(예: x-y 평면) 면적보다 큰 수평 방향(예: x-y 평면) 면적을 갖도록 형성될 수 있다.In one embodiment, the support plate 12 may support the substrate W in the internal space S. For example, the substrate W may be seated and supported on the upper side of the support plate 12 . The support plate 12 may be provided with a support member for stably supporting and/or fixing the substrate W. The support plate 12 may be formed to have an area in the horizontal direction (eg, x-y plane) that is larger than the horizontal direction (eg, x-y plane) area of the substrate W.

일 실시 예에서, 공급부(13)는 내부 공간(S)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 공급부(13)가 공급하는 처리 유체는, 기체 상태, 액체 상태, 고체 상태, 초임계 유체 상태 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 공급부(13)에 의해 내부 공간(S)에 처리 유체가 공급됨으로써, 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 조성될 수 있다.In one embodiment, the supply unit 13 may supply processing fluid to the internal space (S). The processing fluid supplied by the supply unit 13 may be in a gaseous state, a liquid state, a solid state, a supercritical fluid state, and/or a combination thereof. By supplying the processing fluid to the internal space (S) by the supply unit 13, a supercritical atmosphere can be created in the internal space (S).

일 실시 예에서, 배출부(14)는 내부 공간(S)으로부터 처리 유체를 배출할 수 있다. 배출부(14)는 처리 공정이 완료되었을 때, 내부 공간(S)으로부터 처리 유체를 외부로 배출할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 배출부(14)가 처리 유체를 배출하는 시점이 이에 제한되는 것은 아니다. 배출부(14)는 챔버(11)의 하부면(111)에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 배출부(14)의 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, discharge portion 14 may discharge processing fluid from the interior space (S). When the treatment process is completed, the discharge unit 14 may discharge the treatment fluid from the internal space S to the outside. However, this is an example, and the timing at which the discharge unit 14 discharges the treatment fluid is not limited to this. The discharge portion 14 may be formed on the lower surface 111 of the chamber 11. However, this is an example, and the location of the discharge unit 14 is not limited thereto.

일 실시 예에서, 공급부(13)는 제1 공급 포트(131) 및 제2 공급 포트(132)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the supply unit 13 may include a first supply port 131 and a second supply port 132.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(131)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제1 공급 포트(131)는 지지 플레이트(12)보다 하측(예: -z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(131)는 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(131)는 챔버(11)의 하부면(111)에 형성될 수 있다. 챔버(11)의 하부면(111)에 형성된 제1 공급 포트(131)는 처리 유체를 적어도 상방(예: +z 방향)으로 분사할 수 있다.In one embodiment, the first supply port 131 may be a port that supplies processing fluid. The first supply port 131 may be located lower than the support plate 12 (eg, -z direction). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the first supply port 131 may be located inside the area of the support plate 12. For example, the first supply port 131 may be formed on the lower surface 111 of the chamber 11. The first supply port 131 formed on the lower surface 111 of the chamber 11 may spray the processing fluid at least upward (eg, in the +z direction).

일 실시 예에서, 예를 들어, 도 2a 및 도 2b와 같이, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(131)는 지지 플레이트(12)의 중심부에 위치될 수 있다. 예를 들어, 도 2c와 같이, 제1 공급 포트(131)는 복수 개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 방사상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2c와 같이, 제1 공급 포트(131)는 2개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 양 측에 대칭적으로 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(131)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제1 공급 포트(131)는 비대칭적으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, for example, as shown in FIGS. 2A and 2B, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., in the -z direction), the first supply port 131 is connected to the support plate 12. ) can be located in the center of the For example, as shown in FIG. 2C, a plurality of first supply ports 131 may be provided and may be arranged radially with respect to the center of the support plate 12. For example, as shown in FIG. 2C, two first supply ports 131 are provided and may be arranged symmetrically spaced apart from the center of the support plate 12 on both sides. However, this is an example, and the number and/or location of the first supply ports 131 are not limited thereto. For example, the plurality of first supply ports 131 may be arranged asymmetrically.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(132)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제2 공급 포트(132)는 지지 플레이트(12)보다 하측(예: -z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(132)는 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(132)는 챔버(11)의 하부면(111)에 형성될 수 있다. 챔버(11)의 하부면(111)에 형성된 제2 공급 포트(132)는 처리 유체를 적어도 상방(예: +z 방향)으로 분사할 수 있다. 제2 공급 포트(132)는 적어도 하나 이상 형성될 수 있다.In one embodiment, the second supply port 132 may be a port that supplies processing fluid. The second supply port 132 may be located lower than the support plate 12 (eg, -z direction). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the second supply port 132 may be located inside the area of the support plate 12. For example, the second supply port 132 may be formed on the lower surface 111 of the chamber 11. The second supply port 132 formed on the lower surface 111 of the chamber 11 may spray the processing fluid at least upward (eg, in the +z direction). At least one second supply port 132 may be formed.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(132)는 제1 공급 포트(131)와 상이한 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 2a 및 도 2b와 같이, 제2 공급 포트(132)는 복수 개 형성되고, 제1 공급 포트(131)(예: 지지 플레이트(12)의 중심부) 주변에 방사상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2a와 같이, 제2 공급 포트(132)는 2개 형성되고, 제1 공급 포트(131)(예: 지지 플레이트(12)의 중심부)의 양 측에 대칭적으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2b와 같이, 제2 공급 포트(132)는 4개 형성되고, 제1 공급 포트(131)(예: 지지 플레이트(12)의 중심부)를 중심으로 방사상으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2c와 같이, 제2 공급 포트(132)는 2개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 양 측에 대칭적으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2c와 같이, 제1 공급 포트(131) 및 제2 공급 포트(132)는 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 방사상으로 서로 번갈아 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(132)의 개수 및/또는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제2 공급 포트(132)는 비대칭적으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, the second supply port 132 may be formed in a different location from the first supply port 131. For example, as shown in FIGS. 2A and 2B, a plurality of second supply ports 132 may be formed and arranged radially around the first supply port 131 (e.g., the center of the support plate 12). there is. For example, as shown in Figure 2a, two second supply ports 132 are formed and arranged symmetrically spaced apart on both sides of the first supply port 131 (e.g., the center of the support plate 12). It can be. For example, as shown in Figure 2b, four second supply ports 132 are formed, and may be arranged radially spaced apart from the first supply port 131 (e.g., the center of the support plate 12). there is. For example, as shown in FIG. 2C, two second supply ports 132 may be provided and arranged symmetrically spaced apart from the center of the support plate 12 on both sides. For example, as shown in FIG. 2C, the first supply port 131 and the second supply port 132 may be arranged radially alternately with respect to the center of the support plate 12. However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 132 are not limited thereto. For example, the plurality of second supply ports 132 may be arranged asymmetrically.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(131)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(131)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the first supply port 131. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the first supply port 131 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(131)가 지지 플레이트(12)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제1 공급 포트(131)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(12)는 제1 공급 포트(131)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(131)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(131)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 131 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 12, the first supply port 131 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 12 may block the processing fluid supplied from the first supply port 131 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the first supply port 131 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 131.

일 실시 예에서, 도 2a 및 도 2b와 같이, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(131)가 지지 플레이트(12)의 중심부에 위치됨으로써, 1차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 1차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, when the chamber 11 is viewed from top to bottom (e.g., -z direction), the first supply port 131 is located at the center of the support plate 12. By being positioned, the processing fluid supplied in the first supply step can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the first supply step.

일 실시 예에서, 도 2c와 같이, 제1 공급 포트(131)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(12)의 중심부 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 1차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, as shown in FIG. 2C, a plurality of first supply ports 131 are formed and arranged radially around the center of the support plate 12, thereby forming an airflow in the internal space S in the first supply step. Thus, a supercritical atmosphere can be uniformly formed in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(132)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제2 공급 포트(132)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(132)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, processing fluid may be secondary supplied through the second supply port 132. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the second supply port 132 in the secondary supply step may be in a supercritical state. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the second supply port 132 is not limited to this.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(132)가 지지 플레이트(12)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(132)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(12)는 제2 공급 포트(132)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(132)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(132)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the second supply port 132 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 12, the second supply port 132 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 12 may block the processing fluid supplied from the second supply port 132 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 132 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 132.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(132)가 복수 개 형성되고, 제1 공급 포트(131)(예: 지지 플레이트(12)의 중심부) 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거 효율이 증가될 수 있다.In one embodiment, a plurality of second supply ports 132 are formed and arranged radially around the first supply port 131 (e.g., the center of the support plate 12), thereby creating an internal space in the secondary supply step. An air current can be formed in (S). Accordingly, the replacement and removal efficiency of the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W can be increased.

일 실시 예에서, 도 1과 같이, 챔버(11)의 하부면(111)을 제외한 나머지 면에는 공급부(13)가 형성되지 않을 수 있다. 이와 같이, 챔버(11)의 하부면(111)을 제외한 나머지 면에 공급부(13)를 형성하지 않음으로써, 파티클이 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)에 흡착되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 초임계 유체, 건조 방지용 액체 및 유기물 등의 끼임으로 인해 발생하는 파티클이 기판(W) 상면(예: +z 방향 면)에 흡착되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, as shown in FIG. 1, the supply part 13 may not be formed on the remaining surfaces of the chamber 11 except the lower surface 111. In this way, by not forming the supply part 13 on the remaining surfaces except the lower surface 111 of the chamber 11, it is possible to prevent particles from being adsorbed on the upper surface (e.g., +z direction surface) of the substrate W. You can. For example, it is possible to prevent particles generated by entrapment of supercritical fluid, anti-drying liquid, and organic matter from being adsorbed to the upper surface of the substrate W (e.g., +z direction surface).

한편, 도 1 내지 도 2c에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, in the structure according to FIGS. 1 to 2C, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto.

도 3은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.Figure 3 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 3을 참조하면, 초임계 처리 장치(1)는, 챔버(11), 지지 플레이트(12), 공급부(13) 및 배출부(14)를 포함할 수 있다. 도 3의 챔버(11), 지지 플레이트(12) 및 배출부(14)는 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, referring to FIG. 3, the supercritical processing device 1 may include a chamber 11, a support plate 12, a supply unit 13, and a discharge unit 14. Since the chamber 11, support plate 12, and discharge unit 14 in FIG. 3 are substantially the same as those described in FIGS. 1 to 2C, detailed description thereof will be given in FIGS. 1 to 2C unless otherwise stated. Apply what has been explained through .

일 실시 예에서, 공급부(13)는 제1 공급 포트(133) 및 제2 공급 포트(134)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the supply unit 13 may include a first supply port 133 and a second supply port 134.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(133)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제1 공급 포트(133)는 지지 플레이트(12)보다 하측(예: -z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(133)는 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(133)는 챔버(11)의 하부면(111)에 형성될 수 있다. 챔버(11)의 하부면(111)에 형성된 제1 공급 포트(133)는 처리 유체를 적어도 상방(예: +z 방향)으로 분사할 수 있다.In one embodiment, the first supply port 133 may be a port that supplies processing fluid. The first supply port 133 may be located lower than the support plate 12 (eg, -z direction). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the first supply port 133 may be located inside the area of the support plate 12. For example, the first supply port 133 may be formed on the lower surface 111 of the chamber 11. The first supply port 133 formed on the lower surface 111 of the chamber 11 may spray the processing fluid at least upward (eg, in the +z direction).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(133)는 복수 개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 방사상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(133)는 2개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 양 측에 대칭적으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(133)는 4개 구비되고, 지지 플레이트(12)의 중심부를 기준으로 방사상으로 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(133)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제1 공급 포트(133)는 비대칭적으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 133 are provided and may be arranged radially with respect to the center of the support plate 12. For example, two first supply ports 133 may be provided and arranged symmetrically spaced apart from the center of the support plate 12 on both sides. For example, four first supply ports 133 may be provided and arranged to be radially spaced apart from the center of the support plate 12. However, this is an example, and the number and/or location of the first supply ports 133 are not limited thereto. For example, the plurality of first supply ports 133 may be arranged asymmetrically.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(134)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제2 공급 포트(134)는 지지 플레이트(12)보다 상측(예: +z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(134)는 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(134)는 챔버(11)의 상부면(112)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(134)는 지지 플레이트(12)의 중심부에 위치될 수 있다. 챔버(11)의 상부면(112)에 형성된 제2 공급 포트(134)는 처리 유체를 적어도 하방(예: -z 방향)으로 분사할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(134)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the second supply port 134 may be a port that supplies processing fluid. The second supply port 134 may be located above the support plate 12 (eg, in the +z direction). When looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the second supply port 134 may be located inside the area of the support plate 12. For example, the second supply port 134 may be formed on the upper surface 112 of the chamber 11. For example, when looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the second supply port 134 may be located at the center of the support plate 12. The second supply port 134 formed on the upper surface 112 of the chamber 11 may spray the processing fluid at least downward (eg, in the -z direction). However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 134 are not limited thereto.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(133)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(133)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, processing fluid may be primarily supplied through the first supply port 133. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the first supply port 133 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(133)가 지지 플레이트(12)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제1 공급 포트(133)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(12)는 제1 공급 포트(133)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(133)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(133)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 133 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 12, the first supply port 133 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 12 may block the processing fluid supplied from the first supply port 133 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the first supply port 133 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 133.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(133)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(12)의 중심부 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 1차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 133 are formed and arranged radially around the center of the support plate 12, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the first supply stage to ) can form a supercritical atmosphere uniformly.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(134)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제2 공급 포트(134)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 제2 공급 포트(134)에서 공급되는 처리 유체가 초임계 상태인 경우, 제2 공급 포트(134)가 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)을 향해 처리 유체를 공급하더라도 기판(W)에 손상이 가하지 않으면서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거가 가능할 수 있다.In one embodiment, processing fluid may be secondary supplied through the second supply port 134. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the second supply port 134 in the secondary supply step may be in a supercritical state. When the processing fluid supplied from the second supply port 134 is in a supercritical state, the substrate ( It may be possible to replace and remove the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W without damaging W).

한편, 도 3에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, in the structure according to FIG. 3, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto.

도 4는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.Figure 4 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 4를 참조하면, 초임계 처리 장치(1)는, 챔버(11), 지지 플레이트(12), 공급부(13) 및 배출부(14)를 포함할 수 있다. 도 4의 챔버(11), 지지 플레이트(12) 및 배출부(14)는 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, referring to FIG. 4 , the supercritical processing device 1 may include a chamber 11, a support plate 12, a supply unit 13, and a discharge unit 14. Since the chamber 11, support plate 12, and discharge unit 14 in FIG. 4 are substantially the same as those described in FIGS. 1 to 2C, detailed description thereof is provided in FIGS. 1 to 2C unless otherwise stated. Apply what has been explained through .

일 실시 예에서, 공급부(13)는 제1 공급 포트(135)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the supply unit 13 may include a first supply port 135.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(135)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제1 공급 포트(135)는 지지 플레이트(12)보다 하측(예: -z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(135)는 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 도 2a 및 도 2b와 같이, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(135)는 지지 플레이트(12)의 중심부에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(135)는 챔버(11)의 하부면(111)에 형성될 수 있다. 챔버(11)의 하부면(111)에 형성된 제1 공급 포트(135)는 처리 유체를 적어도 상방(예: +z 방향)으로 분사할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(135)의 개수 및/또는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the first supply port 135 may be a port that supplies processing fluid. The first supply port 135 may be located lower than the support plate 12 (eg, -z direction). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the first supply port 135 may be located inside the area of the support plate 12. For example, as shown in FIGS. 2A and 2B, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the first supply port 135 is located at the center of the support plate 12. It can be. For example, the first supply port 135 may be formed on the lower surface 111 of the chamber 11. The first supply port 135 formed on the lower surface 111 of the chamber 11 may spray the processing fluid at least upward (eg, in the +z direction). However, this is an example, and the number and/or location of the first supply ports 135 are not limited thereto.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(131)를 통해 처리 유체가 1차 공급 및 2차 공급될 수 있다. 즉, 1차 공급 및 2차 공급이 동일한 제1 공급 포트(131)를 통해 수행될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(135)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제1 공급 포트(135)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(135)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, processing fluid may be primary and secondary supplied through the first supply port 131. That is, primary supply and secondary supply can be performed through the same first supply port 131. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the first supply port 135 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S). For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the first supply port 135 in the secondary supply step may be in a supercritical state. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the first supply port 135 is not limited to this.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(135)가 지지 플레이트(12)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제1 공급 포트(135)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(12)는 제1 공급 포트(135)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(135)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(135)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 135 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 12, the first supply port 135 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 12 may block the processing fluid supplied from the first supply port 135 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the first supply port 135 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 135.

일 실시 예에서, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(135)가 지지 플레이트(12)의 중심부에 위치됨으로써, 1차 공급 및/또는 2차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 1차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the first supply port 135 is located at the center of the support plate 12, thereby providing primary supply and/or Alternatively, the processing fluid supplied in the secondary supply step may be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the first supply step.

일 실시 예에서, 챔버(11)의 하부면(111)을 제외한 나머지 면에는 공급부(13)가 형성되지 않을 수 있다. 이와 같이, 챔버(11)의 하부면(111)을 제외한 나머지 면에 공급부(13)를 형성하지 않음으로써, 파티클이 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)에 흡착되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 초임계 유체, 건조 방지용 액체 및 유기물 등의 끼임으로 인해 발생하는 파티클이 기판(W) 상면(예: +z 방향 면)에 흡착되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, the supply part 13 may not be formed on the remaining surfaces of the chamber 11 except the lower surface 111. In this way, by not forming the supply part 13 on the remaining surfaces except the lower surface 111 of the chamber 11, it is possible to prevent particles from being adsorbed on the upper surface (e.g., +z direction surface) of the substrate W. You can. For example, it is possible to prevent particles generated by entrapment of supercritical fluid, anti-drying liquid, and organic matter from being adsorbed to the upper surface of the substrate W (e.g., +z direction surface).

일 실시 예에서, 단일의 제1 공급 포트(135)를 통해 처리 유체를 공급함으로써, 공급부(13)의 유지 관리 편의성이 향상될 수 있다.In one embodiment, the maintenance convenience of the supply unit 13 may be improved by supplying the processing fluid through a single first supply port 135.

한편, 도 4에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, in the structure according to FIG. 4, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto.

도 5는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.Figure 5 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 5를 참조하면, 초임계 처리 장치(2)은, 챔버(21), 지지 플레이트(22), 공급부(23) 및 배출부(24)를 포함할 수 있다. 도 5의 챔버(21), 지지 플레이트(22) 및 배출부(24)는 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, referring to FIG. 5 , the supercritical processing device 2 may include a chamber 21, a support plate 22, a supply unit 23, and a discharge unit 24. The chamber 21, support plate 22, and discharge unit 24 in FIG. 5 are substantially the same as those described in FIGS. 1 to 2C, and therefore, detailed description thereof is provided in FIGS. 1 to 2C unless otherwise stated. Apply what has been explained through .

일 실시 예에서, 공급부(23)는 공급관(230), 제1 공급 포트(231) 및 제2 공급 포트(232)를 포함할 수 있다.In one embodiment, the supply unit 23 may include a supply pipe 230, a first supply port 231, and a second supply port 232.

일 실시 예에서, 공급관(230)은 처리 유체를 공급하는 관일 수 있다. 공급관(230)은 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향)에 위치될 수 있다. 예를 들어, 공급관(230)은 외부(예: 챔버(21)의 외부)로부터 챔버(21)의 내부 공간(S)으로 처리 유체를 공급할 수 있도록, 챔버(21)의 일측을 관통할 수 있다. 예를 들어, 공급관(230)은 챔버(21)의 측면(예: +x 방향 면)을 관통할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 공급관(230)은 챔버(21)의 하부면(예: -z 방향 면) 또는 상부면(예: +z 방향 면)을 관통할 수도 있다. 예를 들어, 공급관(230)은 길이 방향으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 공급관(230)은 지지 플레이트(22)의 중심부를 가로지르도록 배치될 수 있다. 공급관(230)은 적어도 하나 이상 구비될 수 있다. 예를 들어, 복수의 공급관(230)은 지지 플레이트(22)의 중심부를 가로지르도록 교차되어 배치될 수 있다.In one embodiment, the supply pipe 230 may be a pipe that supplies processing fluid. The supply pipe 230 may be located below the support plate 22 (eg, -z direction). For example, the supply pipe 230 may pass through one side of the chamber 21 to supply processing fluid from the outside (e.g., the outside of the chamber 21) to the internal space S of the chamber 21. . For example, the supply pipe 230 may penetrate the side (eg, +x direction side) of the chamber 21. However, this is an example, and the supply pipe 230 may pass through the lower surface (eg, -z direction surface) or upper surface (eg, +z direction surface) of the chamber 21. For example, the supply pipe 230 may be formed in the longitudinal direction. For example, the supply pipe 230 may be arranged to cross the center of the support plate 22. At least one supply pipe 230 may be provided. For example, the plurality of supply pipes 230 may be arranged to cross the center of the support plate 22.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제1 공급 포트(231)는 공급관(230)에 하향(예: -z 방향)으로 형성될 수 있다. 공급관(230)의 하측(예: -z 방향 측)에 형성된 제1 공급 포트(231)는 처리 유체를 적어도 하방(예: -z 방향)으로 분사할 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제1 공급 포트(231)는 지지 플레이트(22)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)는 복수 개 형성되고, 공급관(230)의 길이 방향을 따라 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 5와 같이, 제1 공급 포트(231)는 2개 형성되고, 지지 플레이트(22)의 중심부를 기준으로 대칭적인 위치의 공급관(230)에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(231)의 개수 및/또는 위치가 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the first supply port 231 may be a port that supplies processing fluid. The first supply port 231 may be formed downward (eg, in the -z direction) in the supply pipe 230. The first supply port 231 formed on the lower side (eg, -z direction side) of the supply pipe 230 may spray the processing fluid at least downward (eg, -z direction side). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the first supply port 231 may be located inside the area of the support plate 22. For example, a plurality of first supply ports 231 may be formed and arranged to be spaced apart along the longitudinal direction of the supply pipe 230. For example, as shown in Figure 5, two first supply ports 231 may be formed in the supply pipe 230 at a symmetrical position with respect to the center of the support plate 22. However, this is an example, and the number and/or location of the first supply ports 231 are not limited thereto.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(232)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제2 공급 포트(232)는 챔버(21)의 일면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(232)는 지지 플레이트(22)보다 상측(예: +z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(232)는 지지 플레이트(22)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(232)는 챔버(21)의 상부면(212)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(232)는 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치될 수 있다. 챔버(21)의 상부면(212)에 형성된 제2 공급 포트(232)는 처리 유체를 적어도 하방(예: -z 방향)으로 분사할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(232)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the second supply port 232 may be a port that supplies processing fluid. The second supply port 232 may be formed on one side of the chamber 21. For example, the second supply port 232 may be located above the support plate 22 (eg, in the +z direction). When looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the second supply port 232 may be located inside the area of the support plate 22. For example, the second supply port 232 may be formed on the upper surface 212 of the chamber 21. For example, when looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the second supply port 232 may be located at the center of the support plate 22. The second supply port 232 formed on the upper surface 212 of the chamber 21 may spray the processing fluid at least downward (eg, -z direction). However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 232 are not limited thereto.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the first supply port 231. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the first supply port 231 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 배치됨으로써, 1차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and disposed around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the first supply step and supplying air to the internal space (S). A supercritical atmosphere can be formed uniformly.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(232)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제2 공급 포트(232)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 제2 공급 포트(232)에서 공급되는 처리 유체가 초임계 상태인 경우, 제2 공급 포트(232)가 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)을 향해 처리 유체를 공급하더라도 기판(W)에 손상이 가하지 않으면서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거가 가능할 수 있다.In one embodiment, processing fluid may be secondary supplied through the second supply port 232. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the second supply port 232 in the secondary supply step may be in a supercritical state. When the processing fluid supplied from the second supply port 232 is in a supercritical state, the substrate ( It may be possible to replace and remove the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W without damaging W).

한편, 도 5에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, in the structure according to FIG. 5, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto.

도 6은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다. 도 7은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다. 도 8은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.Figure 6 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment. Figure 7 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment. Figure 8 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 6 내지 도8을 참조하면, 초임계 처리 장치(2)은, 챔버(21), 지지 플레이트(22), 공급부(23) 및 배출부(24)를 포함할 수 있다. 도 6 내지 도 8의 챔버(21), 지지 플레이트(22) 및 배출부(24)는 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, referring to FIGS. 6 to 8 , the supercritical processing device 2 may include a chamber 21, a support plate 22, a supply unit 23, and a discharge unit 24. The chamber 21, the support plate 22, and the discharge unit 24 of FIGS. 6 to 8 are substantially the same as those described in FIGS. 1 to 2C, so detailed description thereof is given in FIG. 1 unless otherwise stated. What has been explained through Figures 2c to 2c shall be applied mutatis mutandis.

일 실시 예에서, 공급부(23)는 공급관(230), 제1 공급 포트(231) 및 제2 공급 포트(233)를 포함할 수 있다. 공급관(230) 및 제1 공급 포트(231)는 도 5를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 5를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, the supply unit 23 may include a supply pipe 230, a first supply port 231, and a second supply port 233. Since the supply pipe 230 and the first supply port 231 are substantially the same as those described with reference to FIG. 5, the detailed description thereof shall apply to that described with reference to FIG. 5 unless otherwise stated.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제2 공급 포트(233)는 챔버(21)의 일면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)는 지지 플레이트(22)보다 하측(예: +z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)는 지지 플레이트(22)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)는 챔버(21)의 하부면(211)에 형성될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(233)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the second supply port 233 may be a port that supplies processing fluid. The second supply port 233 may be formed on one side of the chamber 21. For example, the second supply port 233 may be located lower than the support plate 22 (eg, in the +z direction). When looking at the chamber 11 from top to bottom (eg, -z direction), the second supply port 233 may be located inside the area of the support plate 22. For example, the second supply port 233 may be formed on the lower surface 211 of the chamber 21. However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 233 are not limited thereto.

일 실시 에에서, 예를 들어, 도 6 및 도 7과 같이, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)는 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치될 수 있다. 챔버(21)의 하부면(211)에 형성된 제2 공급 포트(233)는 처리 유체를 적어도 상방(예: +z 방향)으로 분사할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(233)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, for example, as shown in FIGS. 6 and 7, when the chamber 11 is viewed from top to bottom (e.g., in the -z direction), the second supply port 233 is connected to the support plate 22. ) can be located in the center of the The second supply port 233 formed on the lower surface 211 of the chamber 21 may spray the processing fluid at least upward (eg, in the +z direction). However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 233 are not limited thereto.

일 실시 예에서, 예를 들어, 도 8과 같이, 제2 공급 포트(233)는 복수 개 구비되고, 지지 플레이트(22)의 중심부를 기준으로 방사상으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)는 2개 구비되고, 지지 플레이트(22)의 중심부를 기준으로 양 측에 대칭적으로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)는 4개 구비되고, 지지 플레이트(22)의 중심부를 기준으로 방사상으로 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(233)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제2 공급 포트(233)는 비대칭적으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, for example, as shown in FIG. 8, a plurality of second supply ports 233 may be provided and may be arranged radially with respect to the center of the support plate 22. For example, two second supply ports 233 may be provided and arranged symmetrically spaced apart from the center of the support plate 22 on both sides. For example, four second supply ports 233 may be provided and arranged to be radially spaced apart from the center of the support plate 22. However, this is an example, and the number and/or location of the second supply ports 233 are not limited thereto. For example, the plurality of second supply ports 233 may be arranged asymmetrically.

이하에서는, 도 6을 참조하여, 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치(2)의 1차 공급 및 2차 공급에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 6, primary supply and secondary supply of the supercritical processing device 2 according to an embodiment will be described.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the first supply port 231. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the first supply port 231 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 배치됨으로써, 1차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and disposed around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the first supply step and supplying air to the internal space (S). A supercritical atmosphere can be formed uniformly.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, processing fluid may be secondary supplied through the second supply port 233. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the second supply port 233 in the secondary supply step may be in a supercritical state. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the second supply port 233 is not limited to this.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(22)의 영역 내측에 에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(22)는 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(22)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the second supply port 233 is formed inside the area of the support plate 22 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 22, the second supply port 233 The processing fluid supplied from may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 22 may block the processing fluid supplied from the second supply port 233 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 233 hits the support plate 22 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 22) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 233.

일 실시 예에서, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치됨으로써, 2차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 2차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the second supply port 233 is located at the center of the support plate 22, so that in the secondary supply step The supplied processing fluid can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the secondary supply step.

이하에서는, 도 7을 참조하여, 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치(2)의 1차 공급 및 2차 공급에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 7, primary supply and secondary supply of the supercritical processing device 2 according to an embodiment will be described.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the second supply port 233. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the second supply port 233 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(22)는 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the second supply port 233 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 22, the second supply port 233 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 22 may block the processing fluid supplied from the second supply port 233 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 233 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 233.

일 실시 예에서, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치됨으로써, 1차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 1차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the second supply port 233 is located at the center of the support plate 22, so that in the first supply step The supplied processing fluid can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the first supply step.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port 231. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the first supply port 231 in the secondary supply step may be in a supercritical state. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the first supply port 231 is not limited to this.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and disposed around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the secondary supply step. A supercritical atmosphere can be formed uniformly.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고, 제2 공급 포트(233)(예: 지지 플레이트(22)의 중심부) 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거 효율이 증가될 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and arranged radially around the second supply port 233 (e.g., the center of the support plate 22), thereby creating an internal space in the secondary supply step. An air current can be formed in (S). Accordingly, the replacement and removal efficiency of the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W can be increased.

이하에서는, 도 8을 참조하여, 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치(2)의 1차 공급 및 2차 공급에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 8, primary supply and secondary supply of the supercritical processing device 2 according to an embodiment will be described.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the second supply port 233. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the second supply port 233 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(22)는 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the second supply port 233 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 22, the second supply port 233 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 22 may block the processing fluid supplied from the second supply port 233 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 233 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 233.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 1차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of second supply ports 233 are formed and disposed radially around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the first supply stage to form an airflow in the internal space (S). ) can form a supercritical atmosphere uniformly.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(231)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port 231. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the first supply port 231 in the secondary supply step may be in a supercritical state. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the first supply port 231 is not limited to this.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and disposed around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the secondary supply step. A supercritical atmosphere can be formed uniformly.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고, 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거 효율이 증가될 수 있다.In one embodiment, a plurality of first supply ports 231 are formed and arranged radially around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space S in the secondary supply step. Accordingly, the replacement and removal efficiency of the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W can be increased.

한편, 도 6 내지 도 8에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, in the structure according to FIGS. 6 to 8, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto.

도 9는 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다. 도 10은 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치의 내부를 투시하여 도시하는 개략적인 측면도이다.Figure 9 is a schematic side view showing the interior of a supercritical processing device according to an embodiment. Figure 10 is a schematic side view showing the inside of a supercritical processing device according to an embodiment.

일 실시 예에서, 도 9 및 도 10을 참조하면, 초임계 처리 장치(2)은, 챔버(21), 지지 플레이트(22), 공급부(23) 및 배출부(24)를 포함할 수 있다. 도 9 및 도 10의 챔버(21), 지지 플레이트(22) 및 배출부(24)는 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 1 내지 도 2c를 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, referring to FIGS. 9 and 10 , the supercritical processing device 2 may include a chamber 21, a support plate 22, a supply unit 23, and a discharge unit 24. The chamber 21, support plate 22, and discharge portion 24 of FIGS. 9 and 10 are substantially the same as those illustrated in FIGS. 1 to 2C, so detailed description thereof is given in FIG. 1 unless otherwise stated. What has been explained through Figures 2c to 2c shall be applied mutatis mutandis.

일 실시 예에서, 공급부(23)는 공급관(230), 제1 공급 포트(231), 제2 공급 포트(232) 및 제3 공급 포트(234)를 포함할 수 있다. 공급관(230), 제1 공급 포트(231) 및 제2 공급 포트(232)는 도 6 및 도 7을 통해 설명한 것과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 반대되는 기재가 없는 한 도 6 및 도 7을 통해 설명한 것을 준용하도록 한다.In one embodiment, the supply unit 23 may include a supply pipe 230, a first supply port 231, a second supply port 232, and a third supply port 234. Since the supply pipe 230, the first supply port 231, and the second supply port 232 are substantially the same as those described in FIGS. 6 and 7, specific descriptions thereof will be given in FIGS. 6 and 7 unless otherwise stated. Apply what was explained in 7.

일 실시 예에서, 제3 공급 포트(234)는 처리 유체를 공급하는 포트일 수 있다. 제3 공급 포트(234)는 지지 플레이트(22)보다 상측(예: +z 방향)에 위치될 수 있다. 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제3 공급 포트(234)는 지지 플레이트(22)의 영역 내측에 위치될 수 있다. 예를 들어, 제3 공급 포트(234)는 챔버(21)의 상부면(212)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(11)를 하측에서 상측으로(예: +z 방향으로) 바라볼 때, 제3 공급 포트(234)는 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치될 수 있다. 챔버(21)의 상부면(212)에 형성된 제3 공급 포트(234)는 처리 유체를 적어도 하방(예: -z 방향)으로 분사할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제3 공급 포트(234)의 개수 및/또는 위치가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the third supply port 234 may be a port that supplies processing fluid. The third supply port 234 may be located above the support plate 22 (eg, in the +z direction). When looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the third supply port 234 may be located inside the area of the support plate 22. For example, the third supply port 234 may be formed on the upper surface 212 of the chamber 21. For example, when looking at the chamber 11 from bottom to top (eg, in the +z direction), the third supply port 234 may be located at the center of the support plate 22. The third supply port 234 formed on the upper surface 212 of the chamber 21 may spray the processing fluid at least downward (eg, in the -z direction). However, this is an example, and the number and/or location of the third supply ports 234 are not limited thereto.

이하에서는, 도 9를 참조하여, 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치(2)의 1차 공급 및 2차 공급에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 9, primary supply and secondary supply of the supercritical processing device 2 according to an embodiment will be described.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231) 및 제2 공급 포트(233)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231) 및 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, processing fluid may be primarily supplied through the first supply port 231 and the second supply port 233. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, in the primary supply stage, the processing fluid supplied through the first supply port 231 and the second supply port 233 may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. . For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(22)는 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치됨으로써, 1차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 1차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231. In addition, since the second supply port 233 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 22, the processing supplied from the second supply port 233 The fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 22 may block the processing fluid supplied from the second supply port 233 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 233 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 233. When looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the second supply port 233 is located at the center of the support plate 22, so that the processing fluid supplied in the first supply stage It can be supplied uniformly to the entire surface of the substrate (W). Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the first supply step.

일 실시 예에서, 제3 공급 포트(234)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제3 공급 포트(234)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 제3 공급 포트(234)에서 공급되는 처리 유체가 초임계 상태인 경우, 제3 공급 포트(234)가 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)을 향해 처리 유체를 공급하더라도 기판(W)에 손상이 가하지 않으면서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거가 가능할 수 있다.In one embodiment, processing fluid may be secondary supplied through the third supply port 234. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the third supply port 234 in the secondary supply step may be in a supercritical state. When the processing fluid supplied from the third supply port 234 is in a supercritical state, the substrate ( It may be possible to replace and remove the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W without damaging W).

이하에서는, 도 10을 참조하여, 일 실시 예에 따른 초임계 처리 장치(2)의 1차 공급 및 2차 공급에 대하여 설명하도록 한다.Hereinafter, with reference to FIG. 10, primary supply and secondary supply of the supercritical processing device 2 according to an embodiment will be described.

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)를 통해 처리 유체가 1차 공급될 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 형성하기 위한 공급일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급 단계에서 제2 공급 포트(233)를 통해 공급되는 처리 유체는 액체, 기체, 고체, 초임계 유체 및/또는 이들의 조합 상태일 수 있다. 예를 들어, 1차 공급은 내부 공간(S)에 일정 상태(예: 초임계 상태의 압력 및/또는 온도)에 도달할 때까지 수행될 수 있다.In one embodiment, the processing fluid may be primarily supplied through the second supply port 233. For example, the primary supply may be supply to form a supercritical atmosphere in the internal space (S). For example, the processing fluid supplied through the second supply port 233 in the first supply step may be liquid, gas, solid, supercritical fluid, and/or a combination thereof. For example, the primary supply may be performed until a certain state (e.g., pressure and/or temperature in a supercritical state) is reached in the internal space (S).

일 실시 예에서, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 하측(예: -z 방향 측)에서 지지 플레이트(12)의 영역 내측에 형성되기 때문에, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 지지 플레이트(22)는 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제2 공급 포트(233)에서 상방(예: +z 방향)으로 분사된 처리 유체는 지지 플레이트(12)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(12)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제2 공급 포트(233)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, because the second supply port 233 is formed inside the area of the support plate 12 on the lower side (e.g., -z direction side) of the support plate 22, the second supply port 233 The supplied processing fluid may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, the support plate 22 may block the processing fluid supplied from the second supply port 233 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected upward (e.g., +z direction) from the second supply port 233 hits the support plate 12 and then moves in the horizontal direction (e.g., x or y direction) to the support plate ( 12) may be bypassed and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the second supply port 233.

일 실시 예에서, 챔버(11)를 상측에서 하측으로(예: -z 방향으로) 바라볼 때, 제2 공급 포트(233)가 지지 플레이트(22)의 중심부에 위치됨으로써, 1차 공급 단계에서 공급되는 처리 유체를 기판(W) 전면에 균일하게 공급할 수 있다. 따라서, 1차 공급 단계에서 기판(W)의 패턴이 붕괴되는 현상을 방지할 수 있다.In one embodiment, when looking at the chamber 11 from top to bottom (e.g., -z direction), the second supply port 233 is located at the center of the support plate 22, so that in the first supply step The supplied processing fluid can be uniformly supplied to the entire surface of the substrate W. Therefore, it is possible to prevent the pattern of the substrate W from collapsing in the first supply step.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231) 및 제3 공급 포트(234)를 통해 처리 유체가 2차 공급될 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급이 완료된 직후에 수행되거나, 1차 공급이 완료된 후 일정 시간 이후에 수행될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 2차 공급이 시작되는 시점은 1차 공급이 완료되는 시점보다 일정 시간 앞설 수 있다. 예를 들어, 2차 공급은 1차 공급과 일정 시간 동안 동시에 수행될 수도 있을 것이다. 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제1 공급 포트(231) 및 제3 공급 포트(234)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 제1 공급 포트(231) 및 제3 공급 포트(234)를 통해 공급되는 처리 유체의 상태가 이에 제한되는 것은 아니다.In one embodiment, the processing fluid may be secondarily supplied through the first supply port 231 and the third supply port 234. For example, the secondary supply may be performed immediately after the primary supply is completed, or may be performed a certain period of time after the primary supply is completed. However, this is an example, and the time when the secondary supply begins may be a certain amount of time earlier than when the primary supply is completed. For example, secondary supply may be performed simultaneously with primary supply for a certain period of time. When a supercritical atmosphere is formed in the internal space (S) by the primary supply, the processing fluid supplied through the first supply port 231 and the third supply port 234 in the secondary supply stage is in a supercritical state. It can be. However, this is an example, and the state of the processing fluid supplied through the first supply port 231 and the third supply port 234 is not limited thereto.

일 실시 예에서, 제1 공급 포트(231)가 지지 플레이트(22)보다 하측(예: -z 방향 측)에서 하향(예: -z 방향)으로 처리 유체를 공급하기 때문에, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체는 기판(W)에 직접 분사되지 않을 수 있다. 즉, 제1 공급 포트(231)의 위치로 인하여, 지지 플레이트(22)는 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체가 기판(W)에 직접 분사되는 것을 차단할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)에서 하방(예: -z 방향)으로 분사된 처리 유체는 챔버(21)의 하부면(211)에 부딪힌 후 수평 방향(예: x 또는 y 방향)으로 이동하여 지지 플레이트(22)를 우회하여 기판(W)에 제공될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 공급 포트(231)에서 공급되는 처리 유체에 의해 기판(W)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고 지지 플레이트(22)의 중심부 주변에 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성하여 내부 공간(S)에 초임계 분위기를 균일하게 형성할 수 있다. 제1 공급 포트(231)가 복수 개 형성되고, 제2 공급 포트(233)(예: 지지 플레이트(22)의 중심부) 주변에 방사상으로 배치됨으로써, 2차 공급 단계에서 내부 공간(S)에 기류를 형성할 수 있다. 따라서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거 효율이 증가될 수 있다. 또한, 1차 공급에 의해 내부 공간(S)에 초임계 분위기가 형성되어 있는 경우, 2차 공급 단계에서 제3 공급 포트(234)를 통해 공급되는 처리 유체는 초임계 상태일 수 있다. 제3 공급 포트(234)에서 공급되는 처리 유체가 초임계 상태인 경우, 제3 공급 포트(234)가 기판(W)의 상면(예: +z 방향 면)을 향해 처리 유체를 공급하더라도 기판(W)에 손상이 가하지 않으면서, 기판(W) 상에 도포된 액체(예: 건조 방지용 액체)의 치환 및 제거가 가능할 수 있다.In one embodiment, because the first supply port 231 supplies the processing fluid from below (e.g., -z direction side) downward (e.g., -z direction) than the support plate 22, the first supply port ( The processing fluid supplied from 231) may not be sprayed directly onto the substrate W. That is, due to the location of the first supply port 231, the support plate 22 can block the processing fluid supplied from the first supply port 231 from being directly sprayed onto the substrate W. For example, the processing fluid injected downward (eg, -z direction) from the first supply port 231 hits the lower surface 211 of the chamber 21 and then moves in the horizontal direction (eg, x or y direction). It may be moved to bypass the support plate 22 and provided to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being damaged by the processing fluid supplied from the first supply port 231. A plurality of first supply ports 231 are formed and disposed around the center of the support plate 22, thereby forming an airflow in the internal space (S) in the secondary supply stage to create a uniform supercritical atmosphere in the internal space (S). can be formed. A plurality of first supply ports 231 are formed and arranged radially around the second supply port 233 (e.g., the center of the support plate 22), thereby creating an airflow in the internal space (S) in the secondary supply stage. can be formed. Accordingly, the replacement and removal efficiency of the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W can be increased. Additionally, when a supercritical atmosphere is formed in the internal space S by the primary supply, the processing fluid supplied through the third supply port 234 in the secondary supply step may be in a supercritical state. When the processing fluid supplied from the third supply port 234 is in a supercritical state, the substrate ( It may be possible to replace and remove the liquid (eg, anti-drying liquid) applied on the substrate W without damaging W).

한편, 도 9 및 도 10에 따른 구조에서, 상술한 1차 공급 및 2차 공급은 예시적인 것으로, 1차 공급 및 2차 공급의 방법이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 공급 포트(231)로 처리 유체가 1차 공급되고, 제2 공급 포트(233) 및 제3 공급 포트(234)로 처리 유체가 2차 공급될 수도 있을 것이다.Meanwhile, in the structure according to FIGS. 9 and 10, the above-described primary supply and secondary supply are illustrative, and the methods of primary supply and secondary supply are not limited thereto. For example, the processing fluid may be primarily supplied to the first supply port 231 and the processing fluid may be secondarily supplied to the second supply port 233 and the third supply port 234.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 장치, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.Although the embodiments have been described with limited drawings as described above, those skilled in the art can apply various technical modifications and variations based on the above. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or components of the described device, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components are used. Alternatively, appropriate results may be achieved even if substituted or substituted by an equivalent.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims also fall within the scope of the following claims.

1: 초임계 처리 장치
11: 챔버
12: 지지 플레이트
13: 공급부
14: 배출부1: Supercritical processing device
11: Chamber
12: support plate
13: Supply Department
14: discharge part

Claims (20)

기판에 대한 초임계 처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 챔버;
상기 내부 공간에서 상기 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 내부 공간으로 처리 유체를 공급하는 공급부; 및
상기 내부 공간으로부터 처리 유체를 배출하는 배출부를 포함하고,
상기 공급부는,
상기 지지 플레이트보다 하측에 위치되고, 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 내측 영역에 위치되는 제1 공급 포트를 포함하는, 초임계 처리 장치.A chamber providing an internal space where a supercritical processing process for a substrate is performed;
a support plate supporting the substrate in the internal space;
a supply unit supplying processing fluid to the internal space; and
It includes a discharge part that discharges the processing fluid from the internal space,
The supply department,
A supercritical processing device, comprising a first supply port located lower than the support plate and located in an inner area of the support plate when looking at the chamber from top to bottom. 제1항에 있어서,
상기 공급부는,
상기 지지 플레이트보다 하측에 위치되고, 상기 제1 공급 포트와 상이한 위치에 형성되는 제2 공급 포트를 더 포함하고,
상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제2 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치되는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 1,
The supply department,
It is located lower than the support plate and further includes a second supply port formed at a different position from the first supply port,
When looking at the chamber from top to bottom, the second supply port is located inside the area of the support plate. 제2항에 있어서,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 2,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the second supply port. 제2항에 있어서,
상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제1 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 중심부에 위치되고,
상기 제2 공급 포트는 복수 개 형성되고 상기 제1 공급 포트 주변에 방사상으로 배치되는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 2,
When looking at the chamber from top to bottom, the first supply port is located at the center of the support plate ,
A supercritical processing device wherein a plurality of second supply ports are formed and arranged radially around the first supply port. 제2항에 있어서,
상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 중심부를 기준으로 방사상으로 서로 번갈아 배치되는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 2,
The first supply port and the second supply port are alternately arranged radially with respect to the center of the support plate. 제2항에 있어서,
상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트는 상기 챔버의 하부면에 형성되고,
상기 챔버의 하부면을 제외한 나머지 면에는 상기 공급부가 형성되지 않는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 2,
The first supply port and the second supply port are formed on the lower surface of the chamber,
A supercritical processing device in which the supply part is not formed on surfaces other than the lower surface of the chamber. 제1항에 있어서,
상기 공급부는,
상기 지지 플레이트보다 상측에 위치되는 제2 공급 포트를 더 포함하는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 1,
The supply department,
Supercritical processing device further comprising a second supply port located above the support plate. 제7항에 있어서,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.In clause 7,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the second supply port. 제7항에 있어서,
상기 제1 공급 포트는 상기 챔버의 하부면에 형성되고,
상기 제2 공급 포트는 상기 챔버의 상부면에 형성되고,
상기 제1 공급 포트는 복수 개 형성되는, 초임계 처리 장치.In clause 7,
The first supply port is formed on the lower surface of the chamber,
The second supply port is formed on the upper surface of the chamber,
A supercritical processing device in which a plurality of first supply ports are formed. 제1항에 있어서,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.According to paragraph 1,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the first supply port. 기판에 대한 초임계 처리 공정이 수행되는 내부 공간을 제공하는 챔버;
상기 내부 공간에서 상기 기판을 지지하는 지지 플레이트;
상기 내부 공간으로 처리 유체를 공급하는 공급부; 및
상기 내부 공간으로부터 처리 유체를 배출하는 배출부를 포함하고,
상기 공급부는,
상기 지지 플레이트의 하측에 위치되는 공급관; 및
상기 공급관에 형성되는 제1 공급 포트를 포함하고,
상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 제1 공급 포트는 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치되는, 초임계 처리 장치.A chamber providing an internal space where a supercritical processing process for a substrate is performed;
a support plate supporting the substrate in the internal space;
a supply unit supplying processing fluid to the internal space; and
It includes a discharge part that discharges the processing fluid from the internal space,
The supply department,
a supply pipe located below the support plate; and
It includes a first supply port formed in the supply pipe,
When looking at the chamber from top to bottom, the first supply port is located inside the area of the support plate. 제11항에 있어서,
상기 공급부는,
상기 챔버의 일면에 형성되는 제2 공급 포트를 더 포함하는, 초임계 처리 장치.According to clause 11,
The supply department,
A supercritical processing device further comprising a second supply port formed on one surface of the chamber. 제12항에 있어서,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는,
초임계 처리 장치.According to clause 12,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port,
Secondary supplying the processing fluid through the second supply port,
Supercritical processing device. 제12항에 있어서,
상기 제2 공급 포트는 상기 챔버를 상측에서 하측으로 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 영역 내측에 위치되도록 상기 챔버의 하부면에 형성되는, 초임계 처리 장치.According to clause 12,
The second supply port is formed on a lower surface of the chamber to be located inside the area of the support plate when looking at the chamber from top to bottom. 제14항에 있어서,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는,
초임계 처리 장치.According to clause 14,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port,
Secondary supplying the processing fluid through the second supply port,
Supercritical processing device. 제12항 또는 제14항에 있어서,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제1 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.According to claim 12 or 14,
Primary supplying the processing fluid through the second supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the first supply port. 제12항에 있어서,
상기 제2 공급 포트는 복수 개 형성되고 상기 지지 플레이트의 중심부를 기준으로 방사상으로 배치되는, 초임계 처리 장치.According to clause 12,
A supercritical processing device, wherein a plurality of second supply ports are formed and arranged radially with respect to the center of the support plate. 제12항에 있어서,
상기 공급부는 상기 챔버의 상부면에 형성되는 제3 공급 포트를 더 포함하는, 초임계 처리 장치.According to clause 12,
The supply unit further includes a third supply port formed on the upper surface of the chamber. 제18항에 있어서,
상기 제1 공급 포트 및 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제3 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.According to clause 18,
Primary supplying the processing fluid through the first supply port and the second supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the third supply port. 제18항에 있어서,
상기 제2 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 1차 공급하고,
상기 제1 공급 포트 및 제3 공급 포트를 통해 상기 처리 유체를 2차 공급하는, 초임계 처리 장치.According to clause 18,
Primary supplying the processing fluid through the second supply port,
A supercritical processing device that secondary supplies the processing fluid through the first supply port and the third supply port.
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