KR100745153B1 - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 제전용 전원으로 구성되어 있다.The present invention relates to a plasma processing apparatus and method, wherein the plasma processing apparatus comprises a chamber, an upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber, and a lower conductor in an electrostatic chuck provided in the lower electrode portion. It is composed of a dedicated power supply.

상기와 같은 발명은 정전척 표면에 남아 있는 잔류 전하를 제거함으로서, 기판 반송시 기판과 정전척 사이의 정전 흡착 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.The invention as described above has the effect of solving the problem of electrostatic adsorption between the substrate and the electrostatic chuck when removing the residual charge remaining on the surface of the electrostatic chuck.

플라즈마, 챔버, 가스, 정전척, 기판 Plasma, chamber, gas, electrostatic chuck, substrate

Description

플라즈마 처리 장치 및 방법{PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD}Plasma processing apparatus and method {PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD}

도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a general plasma processing apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a first embodiment according to the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.3 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a second embodiment according to the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.5 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 제 3 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a third embodiment according to the present invention.

도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.7 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 제 4 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a fourth embodiment according to the present invention.

도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.9 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >              <Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

10, 100: 반응 챔버 12, 112: 상부 전극부10, 100: reaction chamber 12, 112: upper electrode portion

14, 114: 기판 16, 116: 하부 전극부14, 114: substrate 16, 116: lower electrode portion

18, 118: 상부 고주파 전원 20, 120: 하부 전극18, 118: upper high frequency power supply 20, 120: lower electrode

22, 122: 정전척 203: 제 2 방전용 전극22, 122: electrostatic chuck 203: second discharge electrode

210: 제 3 제어기 212: 제 2 제전용 전원210: third controller 212: power supply for the second antistatic

214: 제 2 전환기 215: 제 1 제어기214: second diverter 215: first controller

216: 제 1 전환기 217: 제 2 제어기216: first diverter 217: second controller

218: 제 1 제전용 전원 220: 제 2 가스 공급원218: power source for first antistatic 220: second gas supply source

222: 제 3 제전용 전원 224: 제 1 방전용 전극222: power source for third static elimination 224: electrode for first discharge

본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판과 정전척 사이의 이상 방전을 방지하기 위한 플라즈마 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus and method for preventing abnormal discharge between a substrate and an electrostatic chuck.

반도체 및 디스플레이 산업이 발전함에 따라 웨이퍼, 유리 등의 기판 가공도 한정된 면적에 원하는 패턴을 극미세화하고 고집적화하는 방향으로 진행되고 있다.As the semiconductor and display industries develop, processing of substrates such as wafers and glass is also progressing toward minimizing and integrating desired patterns in a limited area.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼와 같은 반도체 기판의 표면에 절연막 또는 금속막 등을 형성시킨 후, 이 막에 반도체 소자의 특성에 따른 패턴을 형성시킴으로써 제조된다. Generally, a semiconductor device is manufactured by forming an insulating film or a metal film on the surface of a semiconductor substrate such as a wafer, and then forming a pattern according to the characteristics of the semiconductor device on the film.

이때, 기판 표면에 형성시킬 수 있는 패턴은 기판 상에 형성시킨 막을 완전히 제거하거나 또는 선택적으로 제거함으로써 형성할 수 있으며, 이는 주로 식각 공정에서 수행된다.At this time, the pattern that can be formed on the surface of the substrate can be formed by completely removing or selectively removing the film formed on the substrate, which is mainly performed in the etching process.

반도체 초기의 식각 공정은 일반적으로 화학 용액을 이용한 습식 식각(Wet etching)으로 진행되어 왔으나, 회로의 집적도가 높아짐에 따라 습식 식각의 등방성 식각으로는 한계에 이르고 이를 대체하는 기술로 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정이 적용되고 있다.In general, the initial etching process of semiconductors has been performed by wet etching using chemical solutions.However, as the degree of integration of circuits increases, the isotropic etching of wet etching reaches a limit, and dry etching using plasma is a technique to replace the etching process. The process is being applied.

습식 식각에 이용되는 용액은 산(ACID)이 주류를 이루며 활성화된 산이 식각할 필름과 화학적으로 반응하여 기체화되어 제거하는 것으로서 전자적인 손상을 주지 않는다. 이는 표면을 세정하는 효과도 크지만 등방성 식각이라는 특성에 의해 그 역할을 세정 공정에 제한하면서, 식각 공정은 플라즈마를 이용한 건식 식각(Dry etching) 공정으로 대체되고 있다. 더욱이, 최근에는 플라즈마의 효율을 더욱 향상시킨 반응성 이온 식각(Reactive ion etching) 공정으로 발전해 가고 있다.The solution used for wet etching is mainly acid (ACID) and the activated acid chemically reacts with the film to be etched to vaporize and remove it. Although the effect of cleaning the surface is great, the role of the isotropic etching is limited to the cleaning process, while the etching process is being replaced by dry etching (dry etching) process using plasma. In addition, recently, it has been developed into a reactive ion etching process that further improves the efficiency of plasma.

도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a general plasma processing apparatus.

도면을 참조하면, 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버(10)와, 상기 반응 챔버(10) 내에 위치한 상부 전극부(12)와, 상기 상부 전극부(12)와 대향 위치하고 피처리체인 반도체 기판(14)이 안착되는 하부 전극부(16)로 구성되어 있다.Referring to the drawings, the plasma processing apparatus includes a reaction chamber 10, an upper electrode portion 12 located in the reaction chamber 10, and a semiconductor substrate 14 disposed opposite to the upper electrode portion 12. The lower electrode portion 16 is mounted.

상부 전극부(12)는 고주파 전원(18)으로부터 고주파 전력을 인가받아, 상부 전극부(12)로 인입된 반응 가스를 플라즈마 처리하여 상부 전극부(12)와 대향 위치하고 있는 하부 전극부(16)로 분사하는 역할을 한다.The upper electrode part 12 receives the high frequency power from the high frequency power source 18, and plasma-processes the reaction gas introduced into the upper electrode part 12 to lower electrode part 16 positioned opposite to the upper electrode part 12. Serves to spray.

상기 상부 전극부(12)와 대향 위치하는 하부 전극부(16)는 플라즈마를 발생시키기 위한 하부 전극(20)과 기판(14)이 안착되는 정전척(22)을 포함한다. 하부 전극부(16)는 안전하게 기판(14)을 안착시키고, 상부 전극부(12)와의 사이에 형성된 고밀도 플라즈마에 의해 안정적으로 기판(14)을 처리할 수 있도록 도와주는 역할을 한다.The lower electrode part 16 facing the upper electrode part 12 includes a lower electrode 20 for generating a plasma and an electrostatic chuck 22 on which the substrate 14 is seated. The lower electrode part 16 serves to safely seat the substrate 14 and to stably process the substrate 14 by the high-density plasma formed between the upper electrode part 12 and the upper electrode part 12.

정전척(22) 내에는 기판 승강기(21)가 마련되어 있어, 기판(14)이 반응 챔버(10) 내에 인입되면, 기판(14)을 정전척(22)에 이동시키고, 공정이 끝나면 기판(14)을 정전척(22)으로부터 분리시키는 역할을 한다.The substrate lift 21 is provided in the electrostatic chuck 22. When the substrate 14 is drawn into the reaction chamber 10, the substrate 14 is moved to the electrostatic chuck 22. ) Is separated from the electrostatic chuck 22.

또한, 정전척(22)에는 고압 직류 전원(24)이 연결되어 있다. 기판(14)이 정전척(22)에 정전 흡착되기 위해 직류 전압이 인가되고, 기판(14)을 정전척(22)으로부터 분리시키기 위해 직류 전압의 공급은 정지되어 진다.In addition, the high voltage direct current power supply 24 is connected to the electrostatic chuck 22. The direct current voltage is applied to the substrate 14 to be electrostatically attracted to the electrostatic chuck 22, and the supply of the direct current voltage is stopped to separate the substrate 14 from the electrostatic chuck 22.

하지만, 정전척(22)은 도전성 판 위에 절연성 판이 위치하고, 그 상부에서 기판(14)이 흡착되어 있기 때문에 공정이 종료된 후, 고압 직류 전원(24)을 끊어져도 정전척(22) 표면에는 잔류 전하가 남아 있다.However, since the insulating plate is located on the conductive plate and the substrate 14 is adsorbed on the conductive plate, the electrostatic chuck 22 has a residual charge on the surface of the electrostatic chuck 22 even if the high-voltage DC power supply 24 is cut off after the process is completed. Remains.

따라서, 기판(14)이 정전척(22)에서 분리되기가 어렵게 되고, 기판(14)을 정전척(22)으로부터 분리시키기 위해 이동 승강기(21)가 상승하면, 상기의 잔류 전하는 전도성 이동 승강기(21)가 기판(14)을 향해 상승할 때 생기는 작은 간격으로 전하가 하부 전극(20)으로 이동하게 된다. 이는 기판(14)의 하부면과 전극 사이에 아 크를 발생시키는 원인이 된다. 즉, 기판(14)과 정전척(22) 사이에는 이상 방전이 발생하여 기판(14)의 표면에 형성된 회로에 심각한 영향을 끼치게 된다.Therefore, it becomes difficult to separate the substrate 14 from the electrostatic chuck 22, and when the moving elevator 21 rises to separate the substrate 14 from the electrostatic chuck 22, the above-mentioned residual charge is increased. At small intervals generated when 21 is raised toward the substrate 14, the charge is transferred to the lower electrode 20. This causes the arc to be generated between the lower surface of the substrate 14 and the electrode. That is, abnormal discharge occurs between the substrate 14 and the electrostatic chuck 22, which seriously affects the circuit formed on the surface of the substrate 14.

또한, 차후 새로운 공정을 진행할 시, 정전척(22) 표면에는 잔류 전하가 남아 있기 때문에, 기판(14)을 정전척(22)에 정전 흡착하는데도 문제가 발생한다.In addition, since a residual charge remains on the surface of the electrostatic chuck 22 when a new process is performed later, a problem arises in the electrostatic adsorption of the substrate 14 on the electrostatic chuck 22.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 도출된 것으로서, 기판과 정전척 표면의 잔류 전하를 제거할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus and method capable of removing residual charges on a surface of a substrate and an electrostatic chuck, which are derived to solve the above problems.

또한, 본 발명은 기판과 정전척의 정전 흡착을 용이하게 하기 위한 플라즈마 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is also an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus and method for facilitating electrostatic adsorption of a substrate and an electrostatic chuck.

상술한 목적을 달성하기 위해서 본 발명은 챔버와, 상기 상버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 제전용 전원으로 구성되어 있다. 상기 하부 도전체를 상기 제전용 전원과 직류 고압 전압 중 어느 하나를 선택적으로 접속시키는 전환기가 더 구비되어 있다.In order to achieve the above object, the present invention comprises a chamber, an upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the upper chamber, and a power supply for static elimination connected to a lower conductor in an electrostatic chuck provided in the lower electrode portion. . A switching device for selectively connecting any one of the antistatic power supply and the DC high voltage is further provided.

또한, 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부의 하부 전극에 연결된 제전용 전원으로 구성될 수 있다. 상기 하부 전극을 상기 제전용 전원과 접지 중 어느 하나에 선택적으로 접속시키는 전환기가 더 구비되어 있다.In addition, the present invention may be composed of a chamber, an upper electrode portion and a lower electrode portion opposed to each other in the chamber, and a power supply for static elimination connected to the lower electrode of the lower electrode portion. A switch is further provided for selectively connecting the lower electrode to any one of the power supply and the ground for the static elimination.

또한, 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 하부 전극부의 가스 공급 관로에 연결되고 내부에 방전용 전극이 구비된 플라즈마 형성실과, 상기 플라즈마 형성실에 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 방전용 전극에 전력을 인가할 수 있는 제전용 전원으로 구성되어 있다.In addition, the present invention provides a chamber, an upper electrode portion and a lower electrode portion opposed to each other in the chamber, a plasma forming chamber connected to a gas supply line of the lower electrode portion and having discharge electrodes therein, and the plasma forming chamber. And a gas supply source for supplying gas, and a power supply for static elimination that can apply electric power to the discharge electrode.

또한, 본 발명은 챔버와, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와, 상기 상부 전극부의 가스 공급 관로에 연결되고 내부에 방전용 전극이 구비된 플라즈마 형성실과, 상기 플라즈마 형성실에 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 방전용 전극에 전력을 인가할 수 있는 제전용 전원으로 구성되어 있다.In addition, the present invention provides a chamber, an upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber, a plasma forming chamber connected to a gas supply line of the upper electrode portion, and having a discharge electrode therein, and the plasma forming chamber. And a gas supply source for supplying gas, and a power supply for static elimination that can apply electric power to the discharge electrode.

상기 가스 공급관로에는 필터와 개폐 수단이 더 구비되며, 상기 가스 공급원에서 공급되는 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 제전용 전원은 정현파 또는 구형파를 발생시킨다.The gas supply line is further provided with a filter and opening and closing means, characterized in that the gas supplied from the gas supply source is an inert gas. In addition, the antistatic power supply generates a sine wave or a square wave.

공정 종료 후, 기판을 디처킹 하는 방법은 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 상기 가스를 배기 장치에 의해 배기하는 단계를 포함하고, 상기 압력을 유지하는 단계 전, 후 또는 동시에 하부 전극부에 제전용 전력을 인가하여 정전척 표면의 잔류 전하를 제전하는 단계를 포함하여 구성된다.After the end of the process, the method of dechucking the substrate includes introducing a gas into the chamber, maintaining a pressure in the chamber, and evacuating the gas by means of an evacuation device, before and after maintaining the pressure. Or simultaneously applying an antistatic power to the lower electrode portion to discharge the remaining charge on the surface of the electrostatic chuck.

상기 제전용 전력은 정현파 또는 구형파이고, 상기 하부 전극부 내의 하부 전극에 일정 시간 접지하는 단계를 더 포함할 수 있다.The antistatic power may be a sine wave or a square wave, and the method may further include grounding the lower electrode in the lower electrode part for a predetermined time.

공정 종료 후, 기판을 디처킹 하는 또 다른 방법은 가스를 챔버 내로 인입하 고, 챔버 외부에 위치하는 플라즈마 형성실에서 플라즈마를 생성하는 단계와, 상기 플라즈마에 의해 이온화된 가스로 정전척 표면의 잔류 전하를 제거하는 단계와, 상기 가스를 배기 장치에 의해 배기하는 단계로 구성되어 있다.After the end of the process, another method of dechucking the substrate is to introduce a gas into the chamber, generate a plasma in a plasma formation chamber located outside the chamber, and retain the surface of the electrostatic chuck with the gas ionized by the plasma. Removing electric charges and evacuating the gas by means of an exhaust device.

상기 압력은 100mTorr 내지 3Torr의 범위인 것을 특징으로 한다.The pressure is characterized in that the range of 100mTorr to 3Torr.

도 2는 본 발명에 따른 제 1 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a first embodiment according to the present invention.

도면을 참조하면, 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버(100)와, 상기 반응 챔버(100) 내의 상부에 위치한 상부 전극부(112)와, 상기 상부 전극부(112)와 대향 위치하는 하부 전극부(116)로 구성되어 있다.Referring to the drawings, the plasma processing apparatus includes a reaction chamber 100, an upper electrode portion 112 disposed above the reaction chamber 100, and a lower electrode portion 116 facing the upper electrode portion 112. It consists of).

반응 챔버(100)는 그 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄으로 이루어진 원통형 형상이고, 상기 반응 챔버(100)는 보안 접지(Safety-grounded) 되어 있다. 물론, 반응 챔버(100)의 형상은 원통형 형상으로 한정된 것이 아니며, 여러 형상이 가능하며 예컨데 입방체 형상이라도 무방하다.The reaction chamber 100 has a cylindrical shape whose surface is made of anodized aluminum, and the reaction chamber 100 is safety-grounded. Of course, the shape of the reaction chamber 100 is not limited to a cylindrical shape, various shapes are possible, for example, may be a cube shape.

반응 챔버(100)의 하부면에는 배기 장치(130)가 접속되어 있고, 반응 챔버(100)의 하부면과 배기 장치(130) 사이에는 압력 제어 밸브(132)가 접속되어 있다. 배기 장치(130)로는 터보 분자 펌프(Turbo-molecular Pump) 등의 진공 펌프가 사용되고, 이에 따라 반응 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1 mTorr 이하의 소정의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성되어 있다.An exhaust device 130 is connected to the lower surface of the reaction chamber 100, and a pressure control valve 132 is connected between the lower surface of the reaction chamber 100 and the exhaust device 130. As the exhaust device 130, a vacuum pump such as a turbo-molecular pump is used. Accordingly, the inside of the reaction chamber 100 can be vacuum suctioned to a predetermined pressure, for example, to a predetermined pressure of 0.1 mTorr or less. It is configured to be.

또한, 반응 챔버(100) 측벽에는 게이트 밸브(Gate valve, 134)가 설치되어 있고, 이 게이트 밸브(134)를 연 상태에서 기판(114)이 인접하는 로드록실(136)과 의 사이에서 반송되도록 되어 있다.In addition, a gate valve 134 is provided on the side wall of the reaction chamber 100, and the substrate 114 is transported between the adjacent load lock chambers 136 while the gate valve 134 is opened. It is.

반응 챔버(100) 내의 상부에 위치한 상부 전극부(112)는 절연재를 통해 반응 챔버(100)의 상부에 지지되어 있고, 하부 전극부(116)와 대향 위치한다. 상부 전극부(112) 하부에는 다수의 토출 구멍(138)을 가지며, 예를 들면 알루미늄으로 이루어지는 상부 도전판(140)과, 이 상부 도전판(140)을 지지하고, 표면이 알루마이트 처리된 알루미늄과 같은 도전성 재료로 이루어지는 전극 지지체(142)를 구비하고 있다.The upper electrode portion 112 positioned above the reaction chamber 100 is supported on the upper portion of the reaction chamber 100 through an insulating material, and is disposed to face the lower electrode portion 116. The upper electrode portion 112 has a plurality of discharge holes 138 in the lower portion, for example, the upper conductive plate 140 made of aluminum, the upper conductive plate 140 is supported, the surface is anodized aluminum and An electrode support 142 made of the same conductive material is provided.

상부 전극부(112)에는 제 1 가스 공급원(144)이 접속되어 있다. 상기 제 1 가스 공급원(144)에는 밸브(146) 및 질량 흐름 제어기(Mass flow controller, 148)가 설치되어 있고, 이는 제 1 가스 공급원(144)으로 접속되어 있다. 제 1 가스 공급원(144)으로부터 플라즈마 처리하기 위한 반응 가스가 공급된다. 반응 가스로는 CHF3, Ar, O2 등의 가스를 사용한다.The first gas supply source 144 is connected to the upper electrode portion 112. The first gas source 144 is provided with a valve 146 and a mass flow controller 148, which is connected to the first gas source 144. Reaction gas for plasma processing is supplied from the first gas source 144. As the reaction gas, gases such as CHF 3 , Ar, and O 2 are used.

상부 전극부(112)에는 상부 정합기(150)를 거쳐 상부 고주파 전원(118)이 연결되어 있다. 상부 고주파 전원(118)의 고주파 전력은 상부 전극부(112)로 인입된 반응 가스를 해리시켜 플라즈마를 형성시킨다.The upper high frequency power source 118 is connected to the upper electrode unit 112 via the upper matching unit 150. The high frequency power of the upper high frequency power source 118 dissociates the reaction gas introduced into the upper electrode part 112 to form a plasma.

반응 챔버(100)의 하부에는 상부 전극부(112)와 대향하는 하부 전극부(116)가 위치해 있다. 하부 전극부(116)는 반응 챔버(100) 바닥부에 위치한 절연 지지 부재(152)와, 상기 절연 지지 부재(152)의 상부 면에 하부 전극(120)과, 기판(114)을 정전 흡착하기 위한 정전척(122)으로 구성되어 있다.The lower electrode portion 116 facing the upper electrode portion 112 is positioned below the reaction chamber 100. The lower electrode part 116 electrostatically adsorbs the insulating support member 152 positioned at the bottom of the reaction chamber 100, the lower electrode 120 and the substrate 114 on the upper surface of the insulating support member 152. It consists of an electrostatic chuck 122.

반응 챔버(100) 하부에는 하부 고주파 전원(154)이 접속되어 있고, 하부 고주파 전원(154)과 하부 전극(120) 사이에는 하부 정합기(156)가 설치되어 있다.A lower high frequency power source 154 is connected to the lower portion of the reaction chamber 100, and a lower matcher 156 is provided between the lower high frequency power source 154 and the lower electrode 120.

또한, 정전척(122) 내부에 위치한 하부 도전판(158)에는 고압 직류 전원(160)과 제 2 제어기(217)가 연결되어 있으며, 고압 직류 전원(160)과 하부 전극부(116) 사이에는 제 1 전환기(216)가 위치해 있다. 또한, 제 1 전환기(216)의 다른 분기점에는 제 1 제전용 전원(218)과 제 1 제어기(215)가 연결되어 있다. 따라서, 고압 직류 전원(160) 또는 제 1 제전용 전원(218)을 선택적으로 사용할 수 있다. 제 1 및 제 2 제어기(215, 217)는 제 1 제전용 전원(218)과 고압 직류 전원(160)에서 공급되는 전력을 제어하는 역할을 한다.In addition, the lower conductive plate 158 located inside the electrostatic chuck 122 is connected to the high voltage DC power supply 160 and the second controller 217, and is connected between the high voltage DC power supply 160 and the lower electrode part 116. The first diverter 216 is located. In addition, a first branch power supply 218 and a first controller 215 are connected to another branch point of the first switch 216. Therefore, the high voltage DC power supply 160 or the first static elimination power supply 218 can be selectively used. The first and second controllers 215 and 217 control the power supplied from the first static elimination power source 218 and the high voltage direct current power source 160.

하부 전극(120)의 상부면에는 기판(114)과 대략 동일한 형상의 정전척(122)이 설치되며, 제 1 고압 직류 전원(160)으로부터 직류 전압이 인가된다. 이때, 정전척(122)은 정전력 외에 기계적 힘에 의해 기판(114)을 유지할 수도 있다.An electrostatic chuck 122 having a shape substantially the same as that of the substrate 114 is installed on the upper surface of the lower electrode 120, and a DC voltage is applied from the first high voltage DC power supply 160. In this case, the electrostatic chuck 122 may maintain the substrate 114 by a mechanical force in addition to the electrostatic force.

또한, 정전척(122) 내에는 기판 승강기(164)가 구비되어 있어, 기판 승강기(164)는 기판(114)을 상부 전극부(112) 방향으로 승하강 시키는 역할을 한다.In addition, the substrate lift 164 is provided in the electrostatic chuck 122, so that the substrate lift 164 lifts and lowers the substrate 114 toward the upper electrode portion 112.

정전척(122)과 기판(114) 사이의 미소 공간에는 기판(114)의 온도 제어를 용이하게 하기 위하여 제 1 가스 공급 라인(166)이 연결되어 있고, 제 1 가스 공급 라인(166)이 연결된 하부 전극부 내에는 방전 부재(167)가 설치되어 있다. 따라서, 이상 방전이 발생하는 것을 방지한다. 제 1 가스 공급원(220)으로부터 공급되는 가스로는 예컨데 헬륨 가스가 공급된다.In the micro space between the electrostatic chuck 122 and the substrate 114, a first gas supply line 166 is connected to facilitate temperature control of the substrate 114, and a first gas supply line 166 is connected thereto. The discharge member 167 is provided in the lower electrode portion. Therefore, abnormal discharge is prevented from occurring. As the gas supplied from the first gas source 220, for example, helium gas is supplied.

다음은 플라즈마 처리 장치의 동작 방법에 대해 살펴본다.Next, a method of operating the plasma processing apparatus will be described.

선행 공정을 마친 기판(114)은 이송 로봇(176)에 의해 게이트 밸브(134)를 통하여, 반응 챔버(100) 내로 반입된다. 기판(114)은 정전척(122) 상부면에 위치하게 되고, 즉 기판 승강기(164)가 상승하여 기판(114)을 받아서 정전척(122) 위에 위치시킨다.The substrate 114 having completed the preceding process is carried into the reaction chamber 100 through the gate valve 134 by the transfer robot 176. The substrate 114 is positioned on the top surface of the electrostatic chuck 122, that is, the substrate lift 164 is raised to receive the substrate 114 and positioned on the electrostatic chuck 122.

이후, 반응 챔버(100) 하부면에 위치한 진공 펌프에 의해 진공은 압력 제어 밸브(132)의 제어를 받아 감압 분위기로 만든다. 이어서, 가스 공급원(144)으로부터 상부 전극부(112)로 반응 가스가 인입되고, 상부 도전판(158)의 분사 홀(138)을 통해 기판(114)을 향해 분사된다.Thereafter, the vacuum is controlled by the pressure control valve 132 by the vacuum pump located on the lower surface of the reaction chamber 100 to make a reduced pressure atmosphere. Subsequently, a reaction gas is introduced from the gas supply source 144 into the upper electrode portion 112, and is injected toward the substrate 114 through the injection hole 138 of the upper conductive plate 158.

이후, 상부 고주파 전원(118)으로부터 상부 정합기(150)를 통해 상부 전극부(112)에 고주파 전력이 인가되고 동시에 하부 고주파 전원(154)으로부터 하부 정합기(156)를 통해 하부 전극부(116)에 고주파 전력이 인가된다.Thereafter, high frequency power is applied from the upper high frequency power source 118 to the upper electrode unit 112 through the upper matching unit 150 and at the same time, the lower electrode unit 116 through the lower matching unit 156 from the lower high frequency power source 154. Is applied to the high frequency power.

이에 따라, 플라즈마가 발생되고 이 플라즈마를 통해 기판(114)이 균일하게 처리되고, 이후 기판 처리 동작이 종료된다.As a result, plasma is generated and the substrate 114 is uniformly processed through the plasma, and then the substrate processing operation is terminated.

다음 기판 처리 동작이 종료된 후, 기판을 디처킹 하는 방법을 다양한 실시예들을 통해 알아본다.After the next substrate processing operation is finished, a method of dechucking a substrate will be described with reference to various embodiments.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.3 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 챔버(100) 내에서 기판(114)을 플라즈마 처리 한 후, 정전척(122)의 표면 잔류 전하를 제거하여 기판(114)을 정전척(122)과 분리시키기 위해, 상기와 같이 기판 처리를 완료 후 반응 챔버(100) 내부에는 불활성 가스가 도 입이 되고, 반응 챔버(100) 하부에 위치한 배기 장치(130)로 압력을 유지한다. 이때, 압력은 100mTorr 내지 3Torr 로 한다. 또한, 불활성 가스로는 아르곤(Ar), 질소(N), 헬륨(He) 등을 사용할 수 있다.Referring to FIG. 3, after plasma treatment of the substrate 114 in the chamber 100, the surface 114 of the electrostatic chuck 122 is removed to separate the substrate 114 from the electrostatic chuck 122. As described above, after completion of the substrate treatment, an inert gas is introduced into the reaction chamber 100, and the pressure is maintained by the exhaust device 130 positioned below the reaction chamber 100. At this time, the pressure is 100mTorr to 3Torr. In addition, argon (Ar), nitrogen (N), helium (He), or the like may be used as the inert gas.

이후, 제 1 전환기(216)를 제 1 제전용 전원(218)에 연결한 후, 교류 펄스 방식의 제전용 전력을 인가한다. 따라서, 제전용 전력에 의해 정전척(122) 표면의 잔류 전하를 제전시킨다. 이때, 교류 펄스 방식의 제전용 전력을 인가하는 단계는 압력을 유지하는 단계 전 또는 동시에 이루어질 수 있다.Thereafter, the first switch 216 is connected to the first static elimination power supply 218, and then an AC pulse type eliminating power is applied. Therefore, the remaining charge on the surface of the electrostatic chuck 122 is discharged by the antistatic power. At this time, the step of applying the de-static power of the AC pulse method may be performed before or at the same time to maintain the pressure.

이후, 챔버(100) 내부의 압력을 배기 장치(130)를 통해 챔버(100) 내의 가스를 배기하여, 잔류 전하를 완전 소멸한다.Thereafter, the pressure in the chamber 100 is exhausted from the gas in the chamber 100 through the exhaust device 130 to completely dissipate the residual charge.

교류 펄스 방식의 제전용 전력은 특성상 플러스와 마이너스가 번갈아 가면서 인가되면서 구형파 또는 정현파가 발생된다. 이 구형파 또는 정현파는 제 1 제어기(215)를 통해 인가되는 비율을 조절할 수 있다. 즉, 흡착용 직류 고압 전원을 플러스 극성으로 인가하였을 경우 제전용 전력은 마이너스의 인가 비율이 많도록 설정하고, 흡착용 직류 고압 전원을 마이너스 극성으로 인가하였을 경우에는 제전용 전력은 플러스 극성의 인가 비율이 많도록 인가한다.AC pulse type antistatic power is applied by alternating plus and minus, so that square or sine wave is generated. This square wave or sinusoidal wave may adjust the ratio applied through the first controller 215. That is, when the DC high voltage power supply for adsorption is applied with a positive polarity, the antistatic power is set to have a large negative application rate. When the DC high pressure power supply for adsorption is applied with a negative polarity, the antistatic power is applied with a positive polarity Approve this much.

이와 같이, 불활성 가스를 인가함과 동시에 압력을 유지하여, 정전척(122) 표면의 잔류 전하의 일정량을 제거하고, 제전용 전력을 인가하여 제전시킨 후, 배기 장치(130)를 통해 가스를 배기하면 정전척(122) 표면의 잔류 전하는 완전 소멸하게 된다. 이로 인해 기판(114)은 정전척(122)으로부터 안전하게 분리되고, 불활성 가스로 인해 챔버(100) 내부의 파티클도 제거할 수 있는 효과가 있다.As described above, the inert gas is applied and the pressure is maintained to remove the predetermined amount of the residual charge on the surface of the electrostatic chuck 122, and the static electricity is applied by the antistatic power, and then the gas is exhausted through the exhaust device 130. The remaining charge on the surface of the electrostatic chuck 122 completely disappears. As a result, the substrate 114 may be safely separated from the electrostatic chuck 122, and the particles inside the chamber 100 may be removed due to the inert gas.

도 4는 본 발명에 따른 제 2 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.4 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a second embodiment according to the present invention.

도면을 참조하면, 하부 고주파 전원(154)에서 분기되어, 제 3 제어기(210)와 제 2 제전용 전원(212)이 연결되어 있고, 분기된 선과 제 2 제전용 전원(212) 사이에는 제 2 전환기(214)가 설치되어 있다. 제 2 전환기(214)의 다른 선은 접지되어 있어, 제 2 제전용 전원(212) 또는 접지 중 하나를 선택할 수 있다.Referring to the drawings, branched from the lower high frequency power supply 154, the third controller 210 and the second antistatic power supply 212 is connected, and between the branched line and the second antistatic power supply 212 The diverter 214 is provided. The other line of the second diverter 214 is grounded, so one can select either the second power supply 212 or ground.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.5 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 챔버(100) 내에서 기판(114)을 플라즈마 처리한 후, 정전척(122)의 표면 잔류 전하를 제거하여 기판(114)을 정전척(122)과 분리시키기 위해, 기판 처리를 완료 후 반응 챔버(100) 내부에는 불활성 가스가 도입이 되고, 반응 챔버(100) 하부 위치한 배기 장치(130)로 압력을 유지한다. 이때, 압력은 100mTorr 내지 3Torr 로 한다.Referring to FIG. 5, after plasma treatment of the substrate 114 in the chamber 100, the substrate 114 is separated from the electrostatic chuck 122 by removing the surface residual charge of the electrostatic chuck 122. After the treatment is completed, an inert gas is introduced into the reaction chamber 100, and the pressure is maintained by the exhaust device 130 positioned below the reaction chamber 100. At this time, the pressure is 100mTorr to 3Torr.

불활성 가스가 도입되고 압력을 유지하기 전에, 하부 고주파 전원(154)의 또 다른 분기점에 연결된 제 2 전환기(214)를 통해, 하부 전극(120)을 일정 시간 접지를 실시할 수 있다. 이로 인해, 정전척(122) 표면의 전위는 접지 전위 근처로 떨어지게 된다. 이후, 제 2 전환기(214)를 제 2 제전용 전원(212)에 연결한 후, 교류 펄스 방식의 제전용 전력을 인가하여 정전척(122) 표면의 잔류 전하를 제전시킨다. 또한, 교류 펄스 방식의 제전용 전력을 인가하는 단계는 불활성 가스가 도입되고 압력을 유지하기 전 또는 동시에 수행될 수 있다. Before the inert gas is introduced and maintains pressure, the lower electrode 120 may be grounded for a period of time through the second switch 214 connected to another branch point of the lower high frequency power source 154. As a result, the potential of the surface of the electrostatic chuck 122 falls near the ground potential. Thereafter, the second converter 214 is connected to the second antistatic power supply 212, and then the electric charge of the AC pulse type static eliminator is applied to discharge the electric charge remaining on the surface of the electrostatic chuck 122. In addition, the applying of the alternating pulse type antistatic power may be performed before or at the same time as the inert gas is introduced and maintains the pressure.

이후, 배기 장치(130)에 의해 가스를 배기시킴으로써 공정을 마치게 된다.Thereafter, the process is completed by exhausting the gas by the exhaust device 130.

교류 펄스 전압의 인가 시간은 반응 챔버(100) 내부의 상황에 따라 달라지며, 이는 챔버(100) 내부를 확인하면서 기판(114)이 안착될 때 미끄러짐 없는 조건을 만족해야 한다. 이는 경험적인 요소로 설정 가능하다.The application time of the AC pulse voltage depends on the situation inside the reaction chamber 100, which should satisfy the slip-free condition when the substrate 114 is seated while checking the inside of the chamber 100. This can be set as an empirical factor.

도 6은 본 발명에 따른 제 3 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.6 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a third embodiment according to the present invention.

열전달 가스 공급 라인(166)과 분기하여 제 3 제전용 전원(222)과 제 1 방전용 전극(224)이 구비된 제 1 플라즈마 형성실(225)과, 제 1 필터(226)와 제 1 개폐 밸브(228)가 차례대로 연결되어 있다. 제 1 플라즈마 형성실(225)에는 제 3 가스 공급원(230)이 연결되어 있어, 제전용 전원에 의해 플라즈마를 생성시킨다.The first plasma forming chamber 225, the first filter 226, and the first opening / closing provided with the third antistatic power supply 222 and the first discharge electrode 224 branching off from the heat transfer gas supply line 166. The valve 228 is connected in order. The third gas supply source 230 is connected to the first plasma formation chamber 225 to generate plasma by the power supply for static elimination.

도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.7 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 정전척(122)의 표면 잔류 전하를 제거하여 기판(114)을 정전척(122)과 분리시키기 위해, 기판 처리를 완료 후 반응 챔버(100) 내부에는 불활성 가스가 상부 전극부(112)로부터 도입이 되고, 반응 챔버(100) 하부 위치한 배기 장치(130)로 압력을 유지한다. 이때, 압력은 100mTorr 내지 3Torr 로 한다.Referring to FIG. 7, in order to remove the surface residual charge of the electrostatic chuck 122 and separate the substrate 114 from the electrostatic chuck 122, an inert gas is formed inside the reaction chamber 100 after the substrate processing is completed. It is introduced from the unit 112 and maintains the pressure in the exhaust device 130 located below the reaction chamber 100. At this time, the pressure is 100mTorr to 3Torr.

이후, 제 3 가스 공급원(230)으로부터 불활성 가스가 플라즈마 형성실(225)에 인입되고, 이 가스는 제 3 제전용 전원(222)의 전력에 의해 플라즈마화 된다. 플라즈마에 의해 이온화된 가스는 가스 공급 관로(166)를 통해 정전척에 남아 있는 전하를 제전시킨다. 이때, 제 1 필터(226)는 이물질의 유입을 방지하게 되고, 플라 즈마 형성실(225)로부터 방전 부재(167)까지는 절연을 하여 플라즈마에 의해 이온화된 가스가 가스 공급 관로(166)에서 소멸되는 것을 방지한다.Thereafter, an inert gas is introduced into the plasma formation chamber 225 from the third gas supply source 230, and the gas is converted into plasma by the power of the third static elimination power source 222. The gas ionized by the plasma discharges the charge remaining in the electrostatic chuck through the gas supply line 166. At this time, the first filter 226 prevents the inflow of foreign substances, insulates the plasma forming chamber 225 from the discharge member 167, and the gas ionized by the plasma disappears from the gas supply line 166. To prevent them.

이후 플라즈마는 정전척 표면의 잔류 전하를 제전시키게 되고, 배기 장치(130)에 의해 가스를 배기시킴으로써 공정을 마치게 된다.The plasma then discharges the residual charge on the surface of the electrostatic chuck and finishes the process by exhausting the gas by the exhaust device 130.

도 8은 본 발명에 따른 제 4 실시예를 나타낸 플라즈마 처리 장치를 나타낸 개략 단면도이다.8 is a schematic cross-sectional view showing a plasma processing apparatus showing a fourth embodiment according to the present invention.

도면을 참조하면, 가스 공급원과 분기되어 제 4 제전용 전원(200)이 연결되어 있고, 제 4 제전용 전원(200)과 상부 전극부(112)는 제 1 가스 공급 가스 관로(207)에 의해 연결되고 상기 제 1 가스 공급 관로(207) 상에는 제 2 방전용 전극(202)이 구비된 제 2 플라즈마 형성실(203)과, 제 2 필터(204)와 제 2 개폐 수단(206)이 연결되어 있다. 제 2 플라즈마 형성실(203)에는 제 2 가스 공급원(208)이 연결되어 있다.Referring to the drawings, the fourth power supply 200 is connected to the fourth antistatic power source 200 is branched from the gas supply source, and the fourth electrode power supply 112 and the upper electrode portion 112 are connected by the first gas supply gas pipe 207. The second plasma forming chamber 203, the second filter 204, and the second opening / closing means 206 are connected to the first gas supply line 207. have. The second gas source 208 is connected to the second plasma formation chamber 203.

제 4 제전용 전원(200)으로부터 교류 펄스 전력이 제 2 플라즈마 형성실(203)에 인가되면, 제 2 가스 공급원(208)으로부터 인입된 가스를 플라즈마 상태로 만들어 상기 플라즈마에 의해 이온화된 가스를 상부 도전판(140)의 분사 홀(138)을 통해 챔버(100) 내부로 분사된다.When AC pulse power is applied to the second plasma formation chamber 203 from the fourth static elimination power source 200, the gas introduced from the second gas source 208 is brought into a plasma state, and the gas ionized by the plasma is moved upward. It is injected into the chamber 100 through the injection hole 138 of the conductive plate 140.

도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치의 처리 동작 즉 기판 디처킹 방법을 나타낸 타이밍 차트이다.9 is a timing chart illustrating a processing operation, that is, a substrate dechucking method, of the plasma processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 챔버(100) 내에서 기판(114)을 플라즈마 처리한 후, 정전척(122)의 표면 잔류 전하를 제거하여 기판(114)을 정전척(122)과 분리시키기 위 해, 기판 처리를 완료 후 반응 챔버(100) 내부에는 불활성 가스가 상부 전극부(112)로부터 도입이 되고, 반응 챔버(100) 하부 위치한 배기 장치(130)로 압력을 유지한다. 이때, 압력은 100mTorr 내지 3Torr 로 한다.9, in order to separate the substrate 114 from the electrostatic chuck 122 by performing plasma treatment on the substrate 114 in the chamber 100, and removing surface residual charge of the electrostatic chuck 122. After the substrate processing is completed, an inert gas is introduced into the reaction chamber 100 from the upper electrode part 112, and the pressure is maintained by the exhaust device 130 positioned below the reaction chamber 100. At this time, the pressure is 100mTorr to 3Torr.

이후, 제 4 제전용 전원(200)과 제 2 방전용 전극(202)에 의해 플라즈마를 발생시킨 후, 정전척(122) 표면의 잔류 전하를 제전시킬 수 있다. 이때, 제 2 필터(204)는 이물질의 유입을 방지하게 된다.Thereafter, after the plasma is generated by the fourth antistatic power supply 200 and the second discharge electrode 202, residual charges on the surface of the electrostatic chuck 122 may be discharged. At this time, the second filter 204 prevents the inflow of foreign substances.

제 2 가스 공급원(208)으로부터 불활성 가스가 인입되고, 예컨데 질소를 공급한다. 상기 가스는 제 4 제전용 전원(200)의 전력이 제 2 플라즈마 형성실(203)에 인가되어 플라즈마화 되고, 상기 플라즈마는 상부 도전판(140)의 분사 홀(138)을 통해 정전척(122)에 남아 있는 전하를 제전시키게 된다. 이후, 배기 장치(130)에 의해 가스를 배기시킴으로써 공정을 종료하게 된다.An inert gas is drawn in from the second gas source 208, for example to supply nitrogen. The gas is plasma-formed by applying the power of the fourth antistatic power supply 200 to the second plasma formation chamber 203, and the plasma is electrostatic chuck 122 through the injection hole 138 of the upper conductive plate 140. To charge the remaining charge. Thereafter, the gas is exhausted by the exhaust device 130 to terminate the process.

이와 같이, 본 발명의 각각의 실시예에서는 챔버(100) 내로 인입된 가스가 배기됨으로서 챔버 내부에 존재하는 파티클을 제거할 수 있다.As described above, in each embodiment of the present invention, the gas introduced into the chamber 100 is exhausted to remove particles existing in the chamber.

상기에서는 각각의 실시예를 설명하였으나, 각 실시예가 조합되어 사용될 수도 있다.In the above, each embodiment has been described, but each embodiment may be used in combination.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치 및 방법은 정전척 표면에 남아 있는 잔류 전하를 효율적으로 제거할 수 있다.As described above, the plasma processing apparatus and method according to the present invention can efficiently remove residual charge remaining on the surface of the electrostatic chuck.

그러므로, 본 발명은 기판 반송시 기판과 정전척 사이의 정전 흡착 문제를 해결할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of solving the problem of electrostatic adsorption between the substrate and the electrostatic chuck during substrate transfer.

또한, 본 발명은 반응 챔버 내의 파티클을 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of removing the particles in the reaction chamber.

Claims (14)

챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와,An upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber; 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 고압 직류 전원 및 제전용 전원과,A high voltage direct current power supply and an antistatic power supply connected to a lower conductor in an electrostatic chuck provided in the lower electrode part; 상기 고압 직류 전원과 상기 제전용 전원중 어느 하나를 상기 하부 도전체에 선택적으로 접속시키는 전환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a converter for selectively connecting any one of the high voltage direct current power supply and the antistatic power supply to the lower conductor. 챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와,An upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber; 상기 하부 전극부의 하부 전극에 연결된 제전용 전원과,An antistatic power supply connected to the lower electrode of the lower electrode portion; 상기 제전용 전원과 접지중 어느 하나를 상기 하부 전극에 선택적으로 접속시키는 전환기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And a switch for selectively connecting any one of the power supply and ground to the antistatic agent to the lower electrode. 삭제delete 삭제delete 챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와,An upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber; 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 고압 직류 전원과,A high voltage direct current power source connected to a lower conductor in an electrostatic chuck provided in the lower electrode unit; 상기 하부 전극부의 가스 공급 관로에 연결되고 내부에 방전용 전극이 구비된 플라즈마 형성실과,A plasma formation chamber connected to the gas supply line of the lower electrode unit and having a discharge electrode therein; 상기 플라즈마 형성실에 가스를 공급하는 가스 공급원과,A gas supply source supplying gas to the plasma formation chamber; 상기 방전용 전극에 전력을 인가하여 플라즈마를 생성시키기 위한 제전용 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And an antistatic power supply for generating plasma by applying electric power to the discharge electrode. 챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 서로 대향 위치한 상부 전극부 및 하부 전극부와,An upper electrode portion and a lower electrode portion located opposite to each other in the chamber; 상기 하부 전극부에 구비된 정전척 내의 하부 도전체에 연결된 고압 직류 전원과,A high voltage direct current power source connected to a lower conductor in an electrostatic chuck provided in the lower electrode unit; 상기 상부 전극부의 가스 공급 관로에 연결되고 내부에 방전용 전극이 구비된 플라즈마 형성실과,A plasma formation chamber connected to the gas supply line of the upper electrode unit and having a discharge electrode therein; 상기 플라즈마 형성실에 가스를 공급하는 가스 공급원과,A gas supply source supplying gas to the plasma formation chamber; 상기 방전용 전극에 전력을 인가하여 플라즈마를 생성시키기 위한 제전용 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And an antistatic power supply for generating plasma by applying electric power to the discharge electrode. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서, 상기 가스 공급 관로에는 필터와 개폐 수단이 더 구비된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 5 or 6, wherein the gas supply line further includes a filter and an opening / closing means. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서, 상기 가스 공급원에서 공급되는 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 5 or 6, wherein the gas supplied from the gas supply source is an inert gas. 청구항 1, 청구항 2, 청구항 5 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제전용 전원은 정현파 또는 구형파를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus according to any one of claims 1, 2, 5, and 6, wherein the antistatic power supply generates a sine wave or a square wave. 공정이 완료 후, 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와, 상기 가스를 배기 장치에 의해 배기하는 단계를 포함하고,After the process is completed, introducing a gas into the chamber, maintaining a pressure in the chamber, and evacuating the gas by means of an exhaust device, 상기 압력을 유지하는 단계 전, 후 또는 동시에 하부 전극부에 고압 직류 전원의 공급을 중지하는 동시에 제전용 전원을 인가하여 정전척 표면의 잔류 전하를 제전하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.Stopping the supply of the high voltage direct current power supply to the lower electrode part before, after, or simultaneously with maintaining the pressure, and simultaneously applying a static electricity supply to discharge the residual charge on the surface of the electrostatic chuck. Way. 공정이 완료 후, 가스를 챔버 내로 인입하고, 챔버 내의 압력을 유지하는 단계와,After the process is completed, introducing a gas into the chamber, maintaining the pressure in the chamber, 상기 챔버 외부에 위치하는 플라즈마 형성실에서 플라즈마를 생성하는 단계와,Generating a plasma in a plasma formation chamber located outside the chamber; 상기 플라즈마에 의해 이온화된 가스로 정전척 표면의 잔류 전하를 제거하는 단계와,Removing residual charge on the surface of the electrostatic chuck with the gas ionized by the plasma; 상기 가스를 배기 장치에 의해 배기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.And evacuating the gas by means of an exhaust device. 청구항 10에 있어서, 상기 제전용 전력은 정현파 또는 구형파인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method of claim 10, wherein the antistatic power is a sine wave or a square wave. 청구항 10에 있어서, 상기 하부 전극부 내의 하부 전극에 일정 시간 접지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.The plasma processing method of claim 10, further comprising: grounding the lower electrode in the lower electrode portion for a predetermined time. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서, 상기 압력은 100mTorr 내지 3Torr의 범위인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법. The plasma processing method of claim 10, wherein the pressure is in a range of 100 mTorr to 3 Torr.
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