KR20230135227A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230135227A
KR20230135227A KR1020220032327A KR20220032327A KR20230135227A KR 20230135227 A KR20230135227 A KR 20230135227A KR 1020220032327 A KR1020220032327 A KR 1020220032327A KR 20220032327 A KR20220032327 A KR 20220032327A KR 20230135227 A KR20230135227 A KR 20230135227A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
support member
area
display device
pixel
Prior art date
Application number
KR1020220032327A
Other languages
English (en)
Inventor
김영호
권소라
나홍엽
이정욱
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020220032327A priority Critical patent/KR20230135227A/ko
Priority to US18/056,569 priority patent/US20230301140A1/en
Priority to CN202211672914.3A priority patent/CN116782704A/zh
Publication of KR20230135227A publication Critical patent/KR20230135227A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 개시는 표시 장치에 관한 것으로, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하고, 복수의 화소 개구부를 포함하는 화소 정의층, 상기 각각의 화소 개구부 내에 위치하는 발광층, 상기 발광층 및 상기 화소 정의층 위에 위치하는 제2 전극, 상기 기판의 주변 영역 위에 위치하는 구동부, 및 상기 구동부와 중첩하는 지지 부재를 포함하고, 상기 지지 부재는 상기 화소 정의층과 동일한 층에 위치하고, 반복되는 패턴을 포함하는 지지 부재 패턴층을 포함한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 개시는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 화면을 표시하는 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Diode, OLED) 등이 있다. 이러한 표시 장치는 휴대 전화, 네비게이션, 디지털 사진기, 전자 북, 휴대용 게임기, 또는 각종 단말기 등과 같이 다양한 전자 기기들에 사용되고 있다.
예를 들면, 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성한다. 여기자가 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 변하면서 에너지를 방출하여 발광한다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 자발광 소자인 유기 발광 다이오드를 포함하는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소에는 유기 발광 다이오드를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터(Capacitor)가 형성될 수 있다.
이처럼 표시 장치를 구성하는 소자들을 형성하기 위해 소정의 마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 공정을 진행할 수 있으며, 마스크에 의해 기판이 눌림에 따라 일부 배선이 손상되는 등의 문제점이 발생할 수 있다.
실시예들은 마스크에 의한 기판 눌림을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다. 또한, 이러한 현상을 방지하기 위해 형성하는 부재에 의해 표시 영역에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 위에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하고, 복수의 화소 개구부를 포함하는 화소 정의층, 상기 각각의 화소 개구부 내에 위치하는 발광층, 상기 발광층 및 상기 화소 정의층 위에 위치하는 제2 전극, 상기 기판의 주변 영역 위에 위치하는 구동부, 및 상기 구동부와 중첩하는 지지 부재를 포함하고, 상기 지지 부재는 상기 화소 정의층과 동일한 층에 위치하고, 반복되는 패턴을 포함하는 지지 부재 패턴층을 포함한다.
상기 지지 부재 패턴층은 반복적으로 배치되는 복수의 개구부를 포함할 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층의 복수의 개구부의 밀도는 상기 화소 정의층의 복수의 화소 개구부의 밀도와 동일할 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층의 개구부의 폭은 상기 화소 정의층의 화소 개구부의 폭에 대응할 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층의 폭은 상기 화소 정의층의 폭에 대응할 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층의 복수의 개구부 중 인접한 개구부 사이의 거리는 상기 화소 정의층의 복수의 화소 개구부 중 인접한 화소 개구부 사이의 거리에 대응할 수 있다.
상기 복수의 개구부의 평면 형상은 원형 또는 다각형으로 이루어질 수 있다.
상기 복수의 개구부는 행 방향 및 열 방향으로 따라 배치될 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층은 반복적으로 배치되는 복수의 패턴 조각을 포함할 수 있다.
상기 화소 정의층은 광차단 물질을 포함할 수 있다.
상기 지지 부재는 복수의 유기 절연 물질층을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 유기 절연 물질층은 통판 형태로 이루어지고, 상기 지지 부재 패턴층은 통판 형태로 이루어지지 않을 수 있다.
상기 지지 부재는 제1 유기 물질층, 상기 제1 유기층 위에 위치하는 제2 유기 물질층, 상기 제2 유기층 위에 위치하는 제3 유기 물질층, 및 상기 제3 유기층 위에 위치하는 제4 유기 물질층을 포함하고, 상기 지지 부재 패턴층은 상기 제3 유기 물질층과 상기 제4 유기 물질층 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 트랜지스터 위에 위치하고, 상기 제1 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는는 제1 보호막, 상기 제1 보호막 위에 위치하고, 상기 제2 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 제2 보호막, 상기 제2 보호막 위에 위치하고, 상기 제3 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 제3 보호막, 및 상기 화소 정의층 위에 위치하고, 상기 제4 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 스페이서를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제3 보호막 위에 위치할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막 사이에 위치하는 연결 전극을 더 포함하고, 상기 연결 전극은 상기 트랜지스터와 상기 제1 전극 사이를 연결할 수 있다.
상기 구동부는 구동 회로 칩을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 상기 구동 회로 칩에 연결되어 있고, 데이터 신호를 전달하는 데이터 신호 전달선을 더 포함하고, 상기 지지 부재는 상기 구동 회로 칩 및 상기 데이터 신호 전달선을 덮을 수 있다.
상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 영역, 상기 제1 영역의 일측 가장자리와 이격되도록 위치하는 제2 영역, 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하고, 상기 구동 회로 칩은 상기 제2 영역에 위치할 수 있다.
상기 지지 부재 패턴층은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위치하고, 상기 벤딩 영역에는 위치하지 않을 수 있다.
실시예들에 따르면, 유기 물질로 이루어진 부재를 형성함으로써, 마스크에 의해 기판이 눌리는 것을 방지할 수 있고, 배선이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이러한 유기 물질로 이루어진 부재에 소정의 패턴을 형성함으로써, 표시 영역에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지지 부재 패턴층의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
먼저, 도 1 및 도 2를 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)에 인접하도록 위치하는 주변 영역(PA)을 포함하는 기판(110), 기판(110)의 표시 영역(DA) 위에 위치하는 발광 소자(ED), 및 기판(110)의 주변 영역(PA)에 위치하는 구동부를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블(flexible)하거나, 스트렛쳐블(stretchable)하거나, 폴더블(foldable)하거나, 벤더블(bendable)하거나, 롤러블(rollable)한 재질로 이루어질 수 있다.
표시 영역(DA)은 화면을 표시하는 영역으로서, 대략 사각형으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(DA)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 두 개의 변과 제2 방향(DR2)으로 연장되는 두 개의 변을 포함하는 직사각형으로 이루어질 수 있으며, 코너부는 라운드 형태로 모따기되어 있는 형상으로 이루어질 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 표시 영역(DA)의 형상은 일 실시예에 따른 표시 장치의 용도 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
표시 영역(DA)에는 복수의 발광 소자(ED)가 소정의 형태로 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 발광 소자(ED)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 복수의 발광 소자(ED)의 배치 형태는 다양하게 변경될 수 있다. 각각의 발광 소자(ED)는 복수의 신호선을 통해 소정의 신호를 인가받을 수 있다. 이러한 신호선들과 발광 소자(ED)는 트랜지스터를 통해 연결될 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)에는 발광 소자(ED)에 연결되어 있는 트랜지스터 및 신호들이 위치할 수 있다. 신호선은 스캔선, 데이터선, 구동 전압선, 초기화 전압선, 공통 전압선 등을 포함할 수 있다. 이들 신호선은 일 방향으로 연장되어 복수의 발광 소자(ED)에 연결될 수 있다.
또한, 표시 영역(DA)에는 사용자의 접촉 및/또는 비접촉 터치를 감지하기 위한 터치 센서가 배치될 수 있다.
주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)의 외측에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 둘러싸는 형태로 이루어질 수 있다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 제1 영역(A1), 제1 영역(A1)의 일측 가장자리와 이격되도록 위치하는 제2 영역(A2), 및 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에 위치하는 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 벤딩 영역(BA)은 제1 영역(A1)의 하측 가장자리로부터 연장될 수 있고, 제2 영역(A2)은 벤딩 영역(BA)으로부터 연장될 수 있다. 기판(110)은 벤딩 영역(BA)에서 구부러질 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제1 방향(DR1)을 따라 길게 연장된 형태로 이루어질 수 있다. 벤딩 영역(BA)을 따라 기판(110)이 구부러지면 제2 영역(A2)이 제1 영역(A1)의 후면에 위치하게 될 수 있다. 즉, 기판(110)이 구부러진 상태에서 제2 영역(A2)과 제1 영역(A1)은 서로 중첩하게 된다.
주변 영역(PA)에는 구동 회로 칩(20), 연성 인쇄 회로(30), 스캔 구동부 등과 같이 일 실시예에 따른 표시 장치를 구동하기 위한 신호를 생성 및 전달하는 구동부가 위치할 수 있다. 구동 회로 칩(20) 및 연성 인쇄 회로(30)는 제2 영역(A2)에 위치할 수 있다. 구동 회로 칩(20)은 배선을 통해 표시 영역(DA)에 위치하는 발광 소자(ED)와 연결될 수 있으며, 각종 신호들을 전달할 수 있다. 예를 들면, 구동 회로 칩(20)은 데이터 신호 전달선(DL)과 연결되어 데이터 신호를 전달할 수 있다. 연성 인쇄 회로(30)는 기판(110)의 일측 가장자리에 부착될 수 있다. 예를 들면, 연성 인쇄 회로(30)는 제2 영역(A2)의 단부에 부착될 수 있다. 연성 인쇄 회로(30)는 가요성 재질로 이루어질 수 있으며, 일 실시예에 따른 표시 장치의 구동을 제어하기 위한 회로가 설계될 수 있다. 스캔 구동부는 제1 영역(A1)에 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)의 좌측 가장자리 및/또는 우측 가장자리와 인접한 제1 영역(A1)에 위치할 수 있다. 스캔 구동부는 스캔선을 통해 발광 소자(ED)와 연결될 수 있으며, 스캔 신호를 전달할 수 있다. 각 발광 소자(ED)들은 스캔 신호에 따라 소정 타이밍에 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 주변 영역(PA)에는 각종 제어 신호, 구동 전압, 공통 전압 등을 전달하기 위한 신호선(SL)이 위치할 수 있다. 이러한 신호선(SL)들은 연성 인쇄 회로(30)와 연결될 수 있으며, 연성 인쇄 회로(30)로부터 소정의 신호를 전달받을 수 있다.
각각의 신호선(SL) 및 데이터 신호 전달선(DL)은 제2 영역(A2)에 위치하는 구동 회로 칩(20), 연성 인쇄 회로(30)로부터 연장되어 벤딩 영역(BA)을 지나 제1 영역(A1)에까지 연장될 수 있다. 또한, 데이터 신호 전달선(DL)은 표시 영역(DA)에 위치하는 데이터선과 연결될 수 있고, 데이터선을 통해 각 발광 소자(ED)에 데이터 신호를 전달할 수 있다.
기판(110) 위에는 지지 부재(SM)가 위치할 수 있다. 지지 부재(SM)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있으며, 구동부와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(SM)는 구동 회로 칩(20) 및 구동 회로 칩(20)에 연결되어 있는 데이터 신호 전달선(DL)과 중첩할 수 있다. 지지 부재(SM)는 제2 영역(A2)에 위치할 수 있고, 벤딩 영역(BA) 및 제1 영역(A1)에 위치할 수도 있다. 지지 부재(SM)의 대부분은 제2 영역(A2)에 위치하게 된다. 지지 부재(SM)는 평면 상에서 대략 제1 방향(DR1)을 따라 길게 연장되는 두 개의 변과 제2 방향(DR2)을 따라 길게 연장되는 두 개의 변을 포함하는 사각형으로 이루어질 수 있다. 다만, 지지 부재(SM)의 평면 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 지지 부재(SM)는 복수의 층이 적층된 형태로 이루어질 수 있으며, 여러 층들 중 하나인 지지 부재 패턴층(SMPL)을 포함할 수 있다. 도 2에는 지지 부재 패턴층(SMPL)이 형성되는 개략적인 위치를 나타내고 있으며, 지지 부재 패턴층(SMPL)의 평면 형상을 구체적으로 나타내고 있지는 않다. 지지 부재 패턴층(SMPL)의 평면 형상에 대해서는 이후에 더 설명하도록 한다. 지지 부재 패턴(SMPL)은 대략 지지 부재(SM)가 형성되는 영역 중 일부에 위치할 수 있다. 지지 부재 패턴층(SMPL)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에는 위치할 수 있고, 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다.
이하에서는 도 3을 참조하여, 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면 형상에 대해 설명한다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110)의 표시 영역(DA) 위에 위치하는 트랜지스터(TFT), 트랜지스터(TFT)에 연결되어 있는 발광 소자(ED)를 포함한다. 발광 소자(ED)는 표시 영역(DA)에 위치할 수 있으며, 소정의 색을 발광하여 화면을 표시할 수 있다.
기판(110) 위에는 기판(110)의 표면을 평탄하게 하고 불순 원소의 침투를 차단하기 위한 버퍼층(111)이 더 위치할 수 있다. 버퍼층(111)은 무기 물질을 포함할 수 있으며, 일례로 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(111)은 상기 물질의 단일층 혹은 다층구조일 수 있다. 기판(110) 위에는 베리어층(112)이 더 위치할 수 있다. 베리어층(112)은 기판(110)과 버퍼층(111) 사이에 위치할 수 있다. 베리어층(112)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 베리어층(112)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
버퍼층(111) 위에는 반도체(131)가 위치할 수 있다. 반도체(131)는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 및 산화물 반도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(131)는 저온폴리실리콘(LTPS)을 포함하거나 또는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 일례로, 반도체(131)는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다. 반도체(131)는 불순물 도핑 여부에 따라 구분되는 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 반도체(131)의 채널 영역의 양측에 소스 영역 및 드레인 영역이 각각 위치할 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역은 도전체에 상응하는 도전 특성을 가질 수 있다.
반도체(131) 위에는 제1 게이트 절연막(120)이 위치할 수 있다. 제1 게이트 절연막(120)은 반도체(131) 및 기판(110)을 덮을 수 있다. 제1 게이트 절연막(120)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제1 게이트 절연막(120)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
제1 게이트 절연막(120) 위에는 게이트 전극(124)이 위치할 수 있다. 게이트 전극(124)은 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 게이트 전극(124)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 게이트 전극(124)을 형성한 후 도핑 공정 또는 플라즈마 처리를 진행할 수 있다. 게이트 전극(124)에 의해 가려진 반도체(131)의 부분은 도핑이나 플라즈마 처리가 되지 않고, 게이트 전극(124)에 의해 덮여 있지 않은 반도체(131)의 부분은 도핑되거나 플라즈마 처리가 되어 도전체와 동일한 특성을 가질 수 있다. 반도체(131) 중 평면상 게이트 전극(124)과 중첩하는 영역이 채널 영역이 될 수 있다.
게이트 전극(124) 위에는 제2 게이트 절연막(122) 및 층간 절연막(160)이 위치할 수 있다. 제2 게이트 절연막(122) 및 층간 절연막(160)은 게이트 전극(124) 및 제1 게이트 절연막(120)을 덮을 수 있다. 제2 게이트 절연막(122) 및 층간 절연막(160)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질산화규소(SiOxNy) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 게이트 절연막(122) 및 층간 절연막(160)은 상기 물질의 단일층 또는 다층구조일 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 위치할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연막(160), 제2 게이트 절연막(122) 및 제1 게이트 절연막(120)에 형성된 개구부에 의해 반도체(131)의 소스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따른 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 상부층, 중간층 및 하부층을 포함하는 삼중층으로 구성될 수 있으며, 상부층 및 하부층은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있고, 중간층은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
전술한 반도체(131), 게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 하나의 트랜지스터(TFT)를 구성한다. 실시예에 따라서는 트랜지스터(TFT)가 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 대신 반도체(131)의 소스 영역 및 드레인 영역만을 포함할 수도 있다. 도 3에는 각각의 발광 소자(ED)가 하나의 트랜지스터(TFT)와 연결되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 각각의 발광 소자(ED)는 복수의 트랜지스터(TFT)와 연결될 수 있다. 예를 들면, 하나의 발광 소자(ED)가 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터와 연결될 수 있다. 또는 하나의 발광 소자(ED)가 3개 이상의 트랜지스터와 연결될 수도 있다.
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 제1 보호막(180)이 위치할 수 있다. 제1 보호막(180)은 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 층간 절연막(160)을 덮는다. 제1 보호막(180)은 트랜지스터(TFT)가 구비된 기판(110)의 표면을 평탄화하기 위한 것으로, 유기 절연막일 수 있으며, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제1 보호막(180) 위에는 연결 전극(177)이 위치할 수 있다. 연결 전극(177)은 트랜지스터(TFT)와 발광 소자(ED) 사이를 연결할 수 있다. 연결 전극(177)은 도전성 물질을 포함할 수 있고, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 제1 보호막(180)은 드레인 전극(175)의 적어도 일부를 노출시키는 비아홀을 포함할 수 있다. 연결 전극(177)은 제1 보호막(180)의 비아홀을 통해 드레인 전극(175)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다.
연결 전극(177) 위에는 제2 보호막(182)이 위치할 수 있다. 제2 보호막(182)은 연결 전극(177) 및 제1 보호막(180)을 덮는다. 제2 보호막(182) 위에는 제3 보호막(184)이 위치할 수 있다. 제2 보호막(182) 및 제3 보호막(184)은 유기 절연막일 수 있으며, 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
제3 보호막(184) 위에는 화소 전극(191)이 위치할 수 있다. 화소 전극(191)은 애노드 전극이라고도 하며, 투명 전도성 산화막 또는 금속 물질을 포함하는 단일층 또는 이들을 포함하는 다중층으로 구성될 수 있다. 투명 전도성 산화막은 ITO(Indium Tin Oxide), 폴리(poly)-ITO, IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등을 포함할 수 있다. 금속 물질은 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다.
제2 보호막(182) 및 제3 보호막(184)은 연결 전극(177)의 적어도 일부를 노출시키는 비아홀을 포함할 수 있다. 화소 전극(191)은 제2 보호막(182) 및 제3 보호막(184)의 비아홀을 통해 연결 전극(177)과 물리적, 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 화소 전극(191)은 연결 전극(177) 및 드레인 전극(175)을 통해 발광층(370)으로 전달할 출력 전류를 인가받을 수 있다.
화소 전극(191) 및 제3 보호막(184) 위에는 화소 정의층(350)이 위치할 수 있다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191)의 적어도 일부와 중첩하는 화소 개구부(351)를 포함한다. 이때, 화소 개구부(351)는 화소 전극(191)의 중심부와 중첩할 수 있고, 화소 전극(191)의 가장자리부와는 중첩하지 않을 수 있다. 따라서, 화소 개구부(351)의 크기는 화소 전극(191)의 크기보다 작을 수 있다. 화소 정의층(350)은 화소 전극(191)의 상부면이 노출된 부분 위에 발광층(370)이 위치할 수 있도록, 발광층(370)의 형성 위치를 구획할 수 있다. 화소 정의층(350)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의층(350)은 광차단 물질을 포함할 수 있으며, 검정색으로 이루어질 수 있다. 광차단 물질은 카본 블랙, 탄소나노튜브, 블랙 염료를 포함하는 수지 또는 페이스트, 금속 입자, 예컨대, 니켈, 알루미늄, 몰리브덴, 및 그의 합금, 금속 산화물 입자(예컨대, 크롬 산화물) 또는 금속 질화물 입자(예컨대, 크롬 질화물) 등을 포함할 수 있다. 화소 정의층(350)이 광차단 물질을 포함하는 경우, 화소 정의층(350)의 하부에 배치된 금속 구조물들에 의한 외광 반사를 줄일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 화소 정의층(350)이 광차단 물질을 포함하지 않고, 투광성의 유기 절연 물질을 포함할 수도 있다.
도시는 생략하였으나, 화소 정의층(350) 위에는 스페이서가 더 위치할 수 있다. 스페이서는 화소 정의층(350)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 스페이서가 화소 정의층(350)과 상이한 물질로 이루어질 수도 있다. 스페이서는 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 유기 절연막일 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치할 수 있다. 발광층(370)은 화소 정의층(350)에 의해 구획된 화소 개구부(351) 내에 위치할 수 있다. 발광층(370)은 적색, 녹색, 청색 등의 빛을 방출하는 유기물을 포함할 수 있다. 적색, 녹색, 청색의 빛을 방출하는 발광층(370)은 저분자 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 도 3에서는 발광층(370)을 단일층으로 도시하고 있지만, 실제로는 발광층(370)의 상하에 전자 주입층, 전자 전달층, 정공 전달층, 및 정공 주입층과 같은 보조층도 포함될 수 있다. 이때, 발광층(370)의 하부에 정공 주입층 및 정공 전달층이 위치하고, 발광층(370)의 상부에 전자 전달층 및 전자 주입층이 위치할 수 있다.
화소 정의층(350) 및 발광층(370) 위에는 공통 전극(270)이 위치할 수 있다. 공통 전극(270)은 캐소드 전극이라고도 하며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 등을 포함하는 투명 도전층으로 형성될 수 있다. 또한, 공통 전극(270)은 반투명 특성을 가질 수 있으며, 이 때에는 화소 전극(191)과 함께 마이크로 캐비티를 구성할 수 있다. 마이크로 캐비티 구조에 의하면, 양 전극 사이의 간격 및 특성에 의하여, 특정 파장의 빛이 상부로 방출되도록 하며, 그 결과 적색, 녹색 또는 청색을 표시할 수 있다.
화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 발광 소자(ED)를 구성할 수 있다. 이때 화소 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드 전극이고, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드 전극일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 구동 방법에 따라 애노드 전극과 캐소드 전극이 이와 반대로 이루어질 수도 있다.
화소 전극(191) 및 공통 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
공통 전극(270) 위에는 봉지층(400)이 위치할 수 있다. 봉지층(400)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 봉지층(400)은 제1 무기 봉지층(401), 유기 봉지층(402) 및 제2 무기 봉지층(403)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 봉지층(400)을 구성하는 무기막과 유기막의 수는 다양하게 변경될 수 있다. 제1 무기 봉지층(401), 유기 봉지층(402) 및 제2 무기 봉지층(403)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)의 일부에 위치할 수 있다. 실시예에 따라서 유기 봉지층(402)은 표시 영역(DA)을 중심으로 형성되며, 제1 무기 봉지층(401) 및 제2 무기 봉지층(403)은 주변 영역(PA)까지 형성될 수 있다. 봉지층(400)은 외부로부터 유입될 수 있는 수분이나 산소 등으로부터 발광 소자(ED)를 보호하기 위한 것으로, 제1 무기 봉지층(401) 및 제2 무기 봉지층(403)의 단부는 직접적으로 접촉하도록 형성할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA) 위에는 표시 영역(DA)과 마찬가지로, 베리어층(112), 버퍼층(111), 제1 게이트 절연막(120), 제2 게이트 절연막(122), 층간 절연막(160) 등이 위치할 수 있다. 베리어층(112), 버퍼층(111), 제1 게이트 절연막(120), 제2 게이트 절연막(122), 및 층간 절연막(160)은 주변 영역(PA)의 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에서 대부분에 위치할 수 있다. 베리어층(112), 버퍼층(111), 제1 게이트 절연막(120), 제2 게이트 절연막(122), 및 층간 절연막(160)은 주변 영역(PA)의 벤딩 영역(BA)의 적어도 일부 위에는 위치하지 않을 수 있다. 벤딩 영역(BA)에 위치하는 층의 적어도 일부를 제거함으로써, 기판(110)의 벤딩 영역(BA)의 유연성을 향상시킬 수 있다. 도 3에서는 벤딩 영역(BA)에서 베리어층(112)부터 층간 절연막(160)이 모두 제거되어 있는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않으며, 일부 층이 남아 있을 수도 있다. 예를 들면, 베리어층(112) 및 버퍼층(111)은 벤딩 영역(BA)에 전체적으로 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA) 위에는 각종 신호선 및 구동부가 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA) 위에는 데이터 신호 전달선(179)이 위치할 수 있다. 데이터 신호 전달선(179)은 데이터선을 통해 표시 영역(DA)에 위치하는 각 발광 소자(ED)와 연결될 수 있으며, 데이터 신호를 전달할 수 있다. 도 3에서 데이터 신호 전달선(179)은 주변 영역(PA)의 제1 영역(A1)에 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 실제로 데이터 신호 전달선(179)은 벤딩 영역(BA) 및 제2 영역(A2)에까지 연장되어 있다. 또한, 데이터 신호 전달선(179)은 제2 영역(A2)에 위치하는 구동 회로 칩(도 2의 20)과 연결되어 데이터 신호를 인가받을 수 있다. 데이터 신호 전달선(179)의 적어도 일부는 게이트 전극(124)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 데이터 신호 전달선(179)의 다른 일부는 제2 게이트 절연막(122) 위에 위치할 수 있다. 데이터 신호 전달선(179) 및 제2 게이트 절연막(122) 위에는 층간 절연막(160)이 위치할 수 있다.
층간 절연막(160) 위에는 공통 전압 전달선(271) 및 구동 전압 전달선(277)이 위치할 수 있다. 공통 전압 전달선(271) 및 구동 전압 전달선(277)은 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(270)은 표시 영역(DA)으로부터 연장되어 주변 영역(PA)에까지 이를 수 있으며, 공통 전압 전달선(271)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 보호막(180) 위에는 공통 전압 전달선(271)과 공통 전극(270) 사이를 연결하는 공통 전압 연결선(273)이 위치할 수 있다. 공통 전압 연결선(273)은 연결 전극(177)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 구동 전압 전달선(277)은 구동 전압선을 통해 표시 영역(DA)에 위치하는 각 발광 소자(ED)와 연결될 수 있으며, 구동 전압을 전달할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA) 위에는 댐(410, 420, 430)이 위치할 수 있다. 댐(410, 420, 430)은 주변 영역(PA)의 제1 영역(A1)에 위치할 수 있다. 즉, 댐(410, 420, 430)은 표시 영역(DA)과 벤딩 영역(BA) 사이에 위치할 수 있다. 댐(410, 420, 430)은 층간 절연막(160) 위에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수의 댐(410, 420, 430)을 포함할 수 있으며, 예를 들면 제1 댐(410), 제2 댐(420), 및 제3 댐(430)을 포함할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 댐의 개수는 경우에 따라 적절하게 변경될 수 있다. 제1 댐(410)이 표시 영역(DA)에 가장 가까이 위치할 수 있고, 제3 댐(430)이 표시 영역(DA)으로부터 가장 멀리 위치할 수 있다. 제2 댐(420)은 제1 댐(410)과 제3 댐(430) 사이에 위치할 수 있다.
제1 댐(410)은 제1 층(411) 및 제2 층(412)을 포함할 수 있다. 제1 댐(410)의 제1 층(411) 위에 제2 층(412)이 위치할 수 있다. 제1 댐(410)의 제1 층(411)은 제2 보호막(182)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 댐(410)의 제2 층(412)은 스페이서와 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2 댐(420)은 제1 층(421) 및 제2 층(422)을 포함할 수 있다. 제2 댐(420)의 제1 층(421) 위에 제2 층(422)이 위치할 수 있다. 제2 댐(420)의 제1 층(421)은 제2 보호막(182)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 댐(420)의 제2 층(422)은 스페이서와 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제3 댐(430)은 제1 층(431), 제2 층(432), 및 제3 층(433)을 포함할 수 있다. 제3 댐(430)의 제1 층(431) 위에 제2 층(432)이 위치할 수 있고, 제2 층(432) 위에 제3 층(433)이 위치할 수 있다. 제3 댐(433)의 제1 층(431)은 제1 보호막(180)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 댐(433)의 제2 층(432)은 제2 보호막(182)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 댐(433)의 제3 층(433)은 스페이서와 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기에서 제1 댐(410) 및 제2 댐(420)은 이중층 구조로 이루어지고, 제3 댐(430)은 삼중층 구조로 이루어지는 경우에 대해 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변경될 수 있다. 댐(410, 420, 430)을 구성하는 층의 개수가 더 적을 수도 있고, 더 많을 수도 있다.
봉지층(400)은 표시 영역(DA)으로부터 연장되어 주변 영역(PA)에까지 이를 수 있다. 제1 무기 봉지층(401) 및 제2 무기 봉지층(403)은 표시 영역(DA)에 전체적으로 위치할 수 있고, 주변 영역(PA)의 제1 영역(A1)에도 대부분 위치할 수 있다. 제1 무기 봉지층(401) 및 제2 무기 봉지층(403)의 단부는 제1 영역(A1) 벤딩 영역(BA) 사이의 경계에 위치할 수 있다. 유기 봉지층(402)은 표시 영역(DA)에 전체적으로 위치할 수 있고, 주변 영역(PA)의 제1 영역(A1)의 일부에 위치할 수 있다. 유기 봉지층(402)의 단부는 제2 댐(420)에 이를 수 있다. 유기 봉지층(402)은 제2 댐(420)의 일부와 중첩할 수 있다. 제2 댐(420)은 유기 봉지층(402)을 형성하는 공정에서 유기 봉지층(402) 형성용 물질의 퍼짐을 제어할 수 있다. 유기 봉지층(402)은 표시 영역(DA)의 단부와 제2 댐(420) 사이의 공간을 채우는 형태를 가질 수 있다. 유기 봉지층(402)이 위치하는 부분에서 유기 봉지층(402)은 제1 무기 봉지층(401)과 제2 무기 봉지층(403) 사이에 위치할 수 있다. 유기 봉지층(402)이 위치하지 않은 부분에서 제2 무기 봉지층(403)은 제1 무기 봉지층(401) 바로 위에 위치할 수 있다.
기판(110)의 주변 영역(PA) 위에는 지지 부재(500)가 위치할 수 있다. 지지 부재(500)는 제2 영역(A2) 및 벤딩 영역(BA)에 위치할 수 있다. 지지 부재(500)는 벤딩 영역(BA)과 인접한 제1 영역(A1)의 가장자리에도 위치할 수 있다. 지지 부재(500)는 층간 절연막(160) 위에 위치할 수 있다. 다만, 벤딩 영역(BA)의 적어도 일부에서는 지지 부재(500)가 기판(110) 바로 위에 위치할 수도 있다.
지지 부재(500)는 복수의 유기 절연 물질층들로 이루어질 수 있다. 지지 부재(500)는 제1 유기 물질층(510), 제2 유기 물질층(520), 제3 유기 물질층(530), 지지 부재 패턴층(540), 및 제4 유기 물질층(550)을 포함할 수 있다. 제1 유기 물질층(510) 위에 제2 유기 물질층(520)이 위치할 수 있고, 제2 유기 물질층(520) 위에 제3 유기 물질층(530)이 위치할 수 있다. 제3 유기 물질층(530) 위에 지지 부재 패턴층(540)이 위치할 수 있고, 지지 부재 패턴층(540) 위에 제4 유기 물질층(550)이 위치할 수 있다. 제1 유기 물질층(510)은 제1 보호막(180)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 유기 물질층(520)은 제2 보호막(182)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3 유기 물질층(530)은 제3 보호막(184)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)은 화소 정의층(350)과 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제4 유기 물질층(550)은 스페이서와 동일한 층에 위치할 수 있고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 지지 부재(500)를 구성하는 층의 개수는 다양하게 변경될 수 있다.
제1 유기 물질층(510), 제2 유기 물질층(520), 제3 유기 물질층(530), 및 제4 유기 물질층(550)은 평면 상에서 지지 부재(500)가 위치하는 영역에 대부분 위치할 수 있다. 즉, 제1 유기 물질층(510), 제2 유기 물질층(520), 제3 유기 물질층(530), 및 제4 유기 물질층(550)은 통판 형상으로 이루어질 수 있으며, 서로 유사한 평면 형상을 가질 수 있다.
지지 부재 패턴층(540)은 지지 부재(500)가 위치하는 영역 중 일부에 위치할 수 있고, 다른 일부에는 위치하지 않을 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에는 위치할 수 있고, 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다. 또한, 지지 부재 패턴층(540)은 통판 형상으로 이루어지지 않으며, 내부에 소정의 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들면, 지지 부재 패턴층(540)은 개구부(541)를 포함할 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)의 개구부(541)는 지지 부재 패턴층(540)이 제거되어 있는 내부 패턴을 의미한다. 지지 부재 패턴층(540)의 개구부(541)는 반복적으로 배치될 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)의 복수의 개구부(541)의 밀도는 화소 정의층(350)의 복수의 화소 개구부(351)의 밀도와 유사할 수 있으며, 실질적으로 동일할 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)의 개구부(541)의 폭(Wso)은 화소 개구부(351)의 폭(Wpo)에 대응할 수 있다. 예를 들면, 지지 부재 패턴층(540)의 개구부(541)의 폭(Wso)은 화소 개구부(351)의 폭(Wpo)과 유사할 수 있다. 지지 부재 패턴층(540)의 폭(Ws)은 화소 정의층(350)의 폭(Wp)에 대응할 수 있다. 예를 들면, 지지 부재 패턴층(540)의 폭(Ws)은 화소 정의층(350)의 폭(Wp)과 유사할 수 있다. 즉, 지지 부재 패턴층(540)의 복수의 개구부(541)들 중 인접한 개구부(541) 사이의 거리는 복수의 화소 개구부(351)들 중 인접한 화소 개구부(351) 사이의 거리와 유사할 수 있다.
이하에서는 도 4 내지 도 6을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치의 지지 부재의 지지 부재 패턴층의 다양한 평면 형상에 대해 설명한다.
도 4 내지 도 6은 일 실시예에 따른 표시 장치의 지지 부재 패턴층의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치의 지지 부재 패턴층(540)은 복수의 개구부(541)를 포함할 수 있다. 복수의 개구부(541)는 반복적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 개구부(541)가 행 방향 및 열 방향을 따라 배치될 수 있다. 다만, 복수의 개구부(541)의 배치 형태는 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 복수의 개구부(541)가 지그재그 형태로 배치될 수도 있다. 복수의 개구부(541)는 원형으로 이루어질 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치의 지지 부재 패턴층(540)은 복수의 개구부(541)를 포함할 수 있으며, 복수의 개구부(541)는 사각형으로 이루어질 수 있다. 다만, 복수의 개구부(541)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 복수의 개구부(541)는 육각형, 팔각형 등과 같은 다각형으로 이루어질 수 있다.
도 4 및 도 5에서는 복수의 개구부(541)가 동일한 형상을 가지고, 동일한 크기를 가지는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다. 복수의 개구부(541)가 서로 다른 형상을 가질 수도 있고, 서로 다른 크기를 가질 수도 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소 등과 같이 복수의 화소를 포함할 수 있으며, 적색 화소, 녹색 화소, 및 청색 화소의 화소 개구부의 모양 및/또는 크기가 상이할 수 있다. 이때, 복수의 개구부(541) 중 일부는 적색 화소의 화소 개구부의 모양 및 크기에 대응할 수 있고, 다른 일부는 녹색 화소의 화소 개구부의 모양 및 크기에 대응할 수 있으며, 나머지 일부는 청색 화소의 화소 개구부의 모양 및 크기에 대응할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 지지 부재 패턴층(540)은 서로 분리되어 있는 복수의 패턴 조각들로 이루어질 수 있다. 각각의 지지 부재 패턴층(540)은 원형으로 이루어질 수 있다. 다만, 지지 부재 패턴층(540)의 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 지지 부재 패턴층(540)은 사각형 등과 같은 다각형으로 이루어질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 공정에서 발광층(370), 공통 전극(270), 제1 무기 봉지층(401), 제2 무기 봉지층(402) 등을 형성하는 단계에서 오픈 마스크(open mask)를 이용하여 증착 공정을 진행할 수 있다. 오픈 마스크는 표시 영역(DA)에 대응하는 부분이 개구되어 있을 수 있다. 이러한 오픈 마스크는 기판(110)에 가까이 위치한 상태에서 증착 공정이 진행될 수 있으며, 주변 영역(PA)의 일부에서 오픈 마스크에 의한 눌림 형상이 발생할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치에서는 기판(110)의 주변 영역(PA) 위에 지지 부재(500)가 위치하므로, 오픈 마스크를 지지할 수 있다. 따라서, 오픈 마스크에 의해 기판(110)이 눌리는 것을 방지할 수 있고, 기판(110)의 주변 영역(PA) 위에 위치하는 데이터 신호 전달선(DL) 등과 같은 배선이나 구동부가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 지지 부재(500)는 표시 영역(DA)에 위치하는 다양한 유기막을 적층하여 이루어지며, 이들 유기막에는 화소 정의층(350)과 동일한 층에 위치하는 지지 부재 패턴층(540)도 포함될 수 있다. 화소 정의층(350)은 블랙 염료 등과 같은 광차단 물질을 포함할 수 있으며, 화소 정의층(350)은 각 화소를 정의하는 화소 개구부(351)를 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에서는 화소 정의층(350)에 주기적으로 화소 개구부(351)가 형성되고, 주변 영역(PA)에서는 지지 부재 패턴층(540)이 통판으로 형성될 경우를 비교예로 고려할 수 있다. 비교예에서는 화소 정의층 형성용 물질을 도포하고, 포토 공정을 진행할 경우, 표시 영역(DA)과 주변 영역(PA)에서의 현상액에 의한 현상이 이루어지는 밀도가 상이할 수 있다. 주변 영역(PA)에 위치하는 지지 부재 패턴층(540)이 통판으로 이루어지므로, 현상액에 의해 현상이 이루어지는 부분의 밀도가 상대적으로 낮다. 따라서, 지지 부재 패턴층(540)과 인접한 표시 영역(DA)의 가장자리에서 과현상이 발생할 수 있다. 이에 따라 지지 부재 패턴층(540)과 인접한 표시 영역(DA)의 가장자리에 위치하는 화소 정의층(350)의 두께가 낮아질 수 있고, 이는 외관상 얼룩으로 시인될 수 있다. 화소 정의층(350)의 두께가 낮아진 부분에서는 발광층(370)이 화소 개구부(351)의 내부를 벗어나 다른 화소에까지 이를 수 있고, 해당 화소가 불량이 될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에서는 지지 부재 패턴층(540)이 화소 정의층(350)과 유사한 밀도를 가질 수 있다. 따라서, 화소 정의층(350)과 지지 부재 패턴층(540)을 함께 형성하는 공정에서 현상에 의한 현상 밀도가 상이해지는 것을 방지할 수 있다. 즉, 표시 영역(DA)에서의 현상 밀도가 주변 영역(PA)에서의 현상 밀도와 유사하여 표시 영역(DA)에서 균일한 현상이 이루어질 수 있다. 따라서, 화소 정의층(350)의 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 외관상 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 일 실시예에 따른 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 7에 도시된 실시예에 따른 표시 장치는 도 1 내지 도 6에 도시된 실시예에 따른 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. 본 실시예에서는 지지 부재가 형성되는 영역이 앞선 실시예와 상이하며, 이하에서 설명한다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 영역을 나타낸 평면도이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판(110), 기판(110) 위에 위치하는 지지 부재(SM)를 포함할 수 있다. 지지 부재(SM)는 주변 영역(PA)에 위치할 수 있으며, 구동부와 중첩할 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(SM)는 구동 회로 칩(20) 및 구동 회로 칩(20)에 연결되어 있는 데이터 신호 전달선(DL)과 중첩할 수 있다. 지지 부재(SM)는 제2 영역(A2)에 위치할 수 있고, 벤딩 영역(BA) 및 제1 영역(A1)에 위치할 수도 있다.
앞선 실시예에서 지지 부재(SM)는 구동 회로 칩(20) 및 이에 인접한 데이터 신호 전달선(DL)만을 덮도록 위치할 수 있고, 본 실시예에서 지지 부재(SM)는 제1 방향(DR1)을 따라 더욱 연장되어 데이터 신호 전달선(DL)을 전체적으로 덮도록 위치할 수 있다. 제2 영역(A2)내에서 지지 부재(SM)는 벤딩 영역(BA)에 가까워질수록 점차적으로 넓은 폭을 가질 수 있다. 벤딩 영역(BA)에 인접한 제2 영역(A2)에 위치하는 지지 부재(SM)의 폭은 벤딩 영역(BA) 및 제1 영역(A1)에 위치하는 지지 부재(SM)의 폭과 유사할 수 있다. 다만, 이러한 지지 부재(SM)의 평면 형상은 이에 한정되지 않으며, 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들면, 지지 부재(SM)는 제1 방향(DR1)을 따라 더욱 확장될 수도 있으며, 주변 영역의 좌측 단부로부터 우측 단부에까지 이를 수도 있다.
지지 부재(SM)는 복수의 층이 적층된 형태로 이루어질 수 있으며, 여러 층들 중 하나인 지지 부재 패턴층(SMPL)을 포함할 수 있다. 도 7에서는 지지 부재 패턴층(SMPL)이 형성되는 개략적인 위치를 나타내고 있으며, 지지 부재 패턴층(SMPL)의 평면 형상은 도 4 내지 도 6에 도시된 바와 같이 이루어질 수 있다. 지지 부재 패턴(SMPL)은 대략 지지 부재(SM)가 형성되는 영역 중 일부에 위치할 수 있다. 지지 부재 패턴층(SMPL)은 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)에는 위치할 수 있고, 벤딩 영역(BA)에는 위치하지 않을 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 지지 부재 패턴층(SMPL)은 표시 영역에 위치하는 화소 정의층과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 지지 부재 패턴층(540)이 화소 정의층(350)과 유사한 밀도를 가지도록 함으로써, 표시 영역에서 화소 정의층이 과현상되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 표시 영역에서 화소 정의층이 균일하게 현상되도록 하여 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 외관상 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
20: 구동 회로 칩
110: 기판
TFT: 트랜지스터
191: 화소 전극
270: 공통 전극
350: 화소 정의층
351: 화소 개구부
370: 발광층
SM, 500: 지지 부재
SMPL, 540: 지지 부재 패턴층
541: 개구부

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역의 외측에 위치하는 주변 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판의 표시 영역 위에 위치하는 트랜지스터,
    상기 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 전극,
    상기 제1 전극 위에 위치하고, 복수의 화소 개구부를 포함하는 화소 정의층,
    상기 각각의 화소 개구부 내에 위치하는 발광층,
    상기 발광층 및 상기 화소 정의층 위에 위치하는 제2 전극,
    상기 기판의 주변 영역 위에 위치하는 구동부, 및
    상기 구동부와 중첩하는 지지 부재를 포함하고,
    상기 지지 부재는 상기 화소 정의층과 동일한 층에 위치하고, 반복되는 패턴을 포함하는 지지 부재 패턴층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 지지 부재 패턴층은 반복적으로 배치되는 복수의 개구부를 포함하는 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 지지 부재 패턴층의 복수의 개구부의 밀도는 상기 화소 정의층의 복수의 화소 개구부의 밀도와 동일한 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 지지 부재 패턴층의 개구부의 폭은 상기 화소 정의층의 화소 개구부의 폭에 대응하는 표시 장치.
  5. 제3항에서,
    상기 지지 부재 패턴층의 폭은 상기 화소 정의층의 폭에 대응하는 표시 장치.
  6. 제3항에서,
    상기 지지 부재 패턴층의 복수의 개구부 중 인접한 개구부 사이의 거리는 상기 화소 정의층의 복수의 화소 개구부 중 인접한 화소 개구부 사이의 거리에 대응하는 표시 장치.
  7. 제2항에서,
    상기 복수의 개구부의 평면 형상은 원형 또는 다각형으로 이루어지는 표시 장치
  8. 제2항에서,
    상기 복수의 개구부는 행 방향 및 열 방향으로 따라 배치되어 있는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 지지 부재 패턴층은 반복적으로 배치되는 복수의 패턴 조각을 포함하는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 화소 정의층은 광차단 물질을 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 지지 부재는 복수의 유기 절연 물질층을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 복수의 유기 절연 물질층은 통판 형태로 이루어지고, 상기 지지 부재 패턴층은 통판 형태로 이루어지지 않는 표시 장치.
  13. 제11항에서,
    상기 지지 부재는,
    제1 유기 물질층,
    상기 제1 유기층 위에 위치하는 제2 유기 물질층,
    상기 제2 유기층 위에 위치하는 제3 유기 물질층, 및
    상기 제3 유기층 위에 위치하는 제4 유기 물질층을 포함하고,
    상기 지지 부재 패턴층은 상기 제3 유기 물질층과 상기 제4 유기 물질층 사이에 위치하는 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 트랜지스터 위에 위치하고, 상기 제1 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는는 제1 보호막,
    상기 제1 보호막 위에 위치하고, 상기 제2 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 제2 보호막,
    상기 제2 보호막 위에 위치하고, 상기 제3 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 제3 보호막, 및
    상기 화소 정의층 위에 위치하고, 상기 제4 유기 물질층과 동일한 층에 위치하는 스페이서를 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에서,
    상기 제1 전극은 상기 제3 보호막 위에 위치하는 표시 장치.
  16. 제14항에서,
    상기 제1 보호막과 상기 제2 보호막 사이에 위치하는 연결 전극을 더 포함하고,
    상기 연결 전극은 상기 트랜지스터와 상기 제1 전극 사이를 연결하는 표시 장치.
  17. 제1항에서,
    상기 구동부는 구동 회로 칩을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17항에서,
    상기 구동 회로 칩에 연결되어 있고, 데이터 신호를 전달하는 데이터 신호 전달선을 더 포함하고,
    상기 지지 부재는 상기 구동 회로 칩 및 상기 데이터 신호 전달선을 덮는 표시 장치.
  19. 제18항에서,
    상기 주변 영역은,
    상기 표시 영역을 둘러싸는 제1 영역,
    상기 제1 영역의 일측 가장자리와 이격되도록 위치하는 제2 영역, 및
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 위치하는 벤딩 영역을 포함하고,
    상기 구동 회로 칩은 상기 제2 영역에 위치하는 표시 장치.
  20. 제19항에서,
    상기 지지 부재 패턴층은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위치하고, 상기 벤딩 영역에는 위치하지 않는 표시 장치.

KR1020220032327A 2022-03-15 2022-03-15 표시 장치 KR20230135227A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220032327A KR20230135227A (ko) 2022-03-15 2022-03-15 표시 장치
US18/056,569 US20230301140A1 (en) 2022-03-15 2022-11-17 Display device
CN202211672914.3A CN116782704A (zh) 2022-03-15 2022-12-26 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220032327A KR20230135227A (ko) 2022-03-15 2022-03-15 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230135227A true KR20230135227A (ko) 2023-09-25

Family

ID=88010467

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220032327A KR20230135227A (ko) 2022-03-15 2022-03-15 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230301140A1 (ko)
KR (1) KR20230135227A (ko)
CN (1) CN116782704A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230301140A1 (en) 2023-09-21
CN116782704A (zh) 2023-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100838082B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102652822B1 (ko) 전계 발광 표시 장치
KR101305377B1 (ko) 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법
KR101082174B1 (ko) 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9991462B2 (en) Organic light emitting display device
JP6159946B2 (ja) 表示装置および電子機器
KR102060364B1 (ko) 유기발광 표시장치 제조방법
KR20160088978A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2015053137A (ja) 有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR102523340B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
CN102487075A (zh) 薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有机发光显示设备
CN110752247A (zh) 显示面板及其制备方法
KR20210084766A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI546954B (zh) 電激發光顯示面板之畫素結構及其製作方法
US11889724B2 (en) Display device including a sealing area overlapping transfer wirings
KR102638314B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20150042985A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR20230135227A (ko) 표시 장치
KR20220106264A (ko) 표시 장치 및 포토 마스크
KR20220058757A (ko) 표시 장치
KR102309510B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR20240011289A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220285457A1 (en) Display device
US20240008341A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
KR20230111632A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법