KR20230133068A - Substrate processing apparatus - Google Patents
Substrate processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230133068A KR20230133068A KR1020220030145A KR20220030145A KR20230133068A KR 20230133068 A KR20230133068 A KR 20230133068A KR 1020220030145 A KR1020220030145 A KR 1020220030145A KR 20220030145 A KR20220030145 A KR 20220030145A KR 20230133068 A KR20230133068 A KR 20230133068A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- substrate
- gas injection
- unit
- substrate processing
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측에 타측방향으로 연장되도록 설치되며, 외부로부터 공급되는 공정가스를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 가스공급부(300)와; 상기 가스공급부(300)로부터 연장되어 상기 공정챔버(100) 타측에 설치되며, 상기 공정가스를 흡입하여 외부로 배출하는 가스배기부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus capable of processing large-area substrates.
The present invention includes a process chamber (100) forming a processing space (S) in which a substrate (1) is processed; a substrate support portion 200 installed in the processing space S to support the substrate 1; a gas supply unit 300 installed on one side of the process chamber 100 to extend in the other direction and spraying process gas supplied from the outside toward the substrate 1; Disclosed is a substrate processing apparatus including a gas exhaust unit 400 that extends from the gas supply unit 300 and is installed on the other side of the process chamber 100, and sucks in the process gas and discharges it to the outside.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more specifically, to a substrate processing apparatus capable of processing large-area substrates.
기판처리장치에서 기판이 처리되는 처리공간 내부에는 기판 상에 박막을 형성하거나, 기판 상의 박막에 패턴을 형성하거나, 처리공간 내부 분위기를 환기하는 등의 목적으로 많은 양의 가스가 공급 및 배출될 수 있다.Inside the processing space where substrates are processed in the substrate processing equipment, a large amount of gas may be supplied and discharged for purposes such as forming a thin film on the substrate, forming a pattern on the thin film on the substrate, or ventilating the atmosphere inside the processing space. there is.
특히, 대면적 기판에 열처리를 수행하기 위한 기판처리장치로서, 처리공간 내부에 공정 중 발생하는 파티클을 배기하기 위한 퍼지가스의 공급이 필수적이다.In particular, as a substrate processing device for performing heat treatment on large-area substrates, it is essential to supply purge gas to exhaust particles generated during the process inside the processing space.
이와 같은 처리공간 내부의 원활한 분위기 환기 및 기류 형성을 위하여, 종래 기판처리장치는, 처리공간을 기준으로 일측면에서 공급노즐을 통해 가스를 공급하고 타측면에서 배기포트를 통해 가스를 배기하여 수평방향의 기류를 형성하였다.In order to smoothly ventilate the atmosphere and form airflow inside the processing space, the conventional substrate processing device supplies gas through a supply nozzle on one side of the processing space and exhausts the gas through an exhaust port on the other side in a horizontal direction. An air current was formed.
그러나, 종래와 같은 기판처리장치는, 공급되는 가스에 대한 하강기류가 필연적으로 발생하여, 공급노즐에서 배기포트를 향한 수평방향 기류가 원활하게 형성되지 못하는 문제점이 있다.However, conventional substrate processing devices have a problem in that a downward airflow inevitably occurs with respect to the supplied gas, preventing a horizontal airflow from the supply nozzle to the exhaust port from being formed smoothly.
특히, 상온으로 공급되는 가스가 상대적으로 고온상태인 처리공간 내에 공급 시, 온도가 낮아 하강기류가 강력하게 발생하고, 이와 같은 하강기류에 따른 처리공간 내부 와류 형성으로 인해 원활한 수평방향 기류가 형성되지 못하는 문제점있으며, 이로인해, 처리공간 내부 및 기판 상에 파티클이 잔류하는 문제점이 있다.In particular, when gas supplied at room temperature is supplied into a processing space at a relatively high temperature, a strong downward airflow occurs due to the low temperature, and the formation of vortices inside the processing space due to this downward airflow prevents a smooth horizontal airflow from being formed. There is a problem that this cannot be done, and because of this, there is a problem that particles remain inside the processing space and on the substrate.
또한, 기판을 기준으로 일측면 측에서 가스가 공급되는 바, 기판 평면을 기준으로 가스 분사량 조절이 불가능하여 기판처리에 대한 균일도가 낮은 문제점이 있다.In addition, since gas is supplied from one side of the substrate, it is impossible to control the gas injection amount based on the plane of the substrate, resulting in low uniformity in substrate processing.
또한, 처리공간을 기준으로 공급노즐에 대향되는 타측면에 배치된 배기포트를 통해서 배기가 수행되는 바, 단일홀의 제한된 면적 내에서 배기가 수행됨에 따른 배기효율이 낮은 문제점이 있다. In addition, since exhaust is performed through an exhaust port disposed on the other side of the processing space opposite to the supply nozzle, there is a problem of low exhaust efficiency as exhaust is performed within a limited area of a single hole.
본 발명은, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 기판에 대한 균일한 처리가 가능하도록 가스를 공급 및 배기하는 기판처리장치를 제공하는데 있다.The present invention was created to solve the above problems, and its object is to provide a substrate processing device that supplies and exhausts gas to enable uniform processing of substrates.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측에 타측방향으로 연장되도록 설치되며, 외부로부터 공급되는 공정가스를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 가스공급부(300)와; 상기 가스공급부(300)와 마주보도록 상기 공정챔버(100) 타측에 설치되어 상기 가스공급부(300)와 연결되며, 상기 공정가스를 흡입하여 외부로 배출하는 가스배기부(400)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다. The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention includes a process chamber (100) forming a processing space (S) in which a substrate (1) is processed; a
상기 가스공급부(300)는, 상기 기판(1) 상측에 배치될 수 있다. The
상기 가스공급부(300)는, 상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 외부로부터 상기 공정가스를 공급받는 가스공급배관(310)과, 상기 가스공급배관(310)과 상기 가스배기부(400) 사이에 구비되어 상기 기판(1)을 향해 상기 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(320)를 포함할 수 있다. The
상기 가스분사부(320)는, 상기 가스공급배관(310)과 연통하도록 설치되는 가스분사배관(321)과, 상기 기판(1)을 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 가스분사배관(321)에 형성되는 다수의 가스분사홀(322)을 포함할 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)은, 상기 가스분사배관(321) 외주면 중 하측에 형성될 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)은, 상기 가스분사배관(321) 하측 외주면 중 상기 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L) 상에 형성될 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)은, 내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 수직으로 형성될 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)은, 내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 경사지도록 형성될 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)은, 상기 공정가스가 상기 공정가스 이동방향 측으로 순행하여 분사되도록 내주면이 경사질 수 있다. The
상기 가스분사홀(322)들은, 상기 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 내경이 단계적 또는 점진적으로 작아질 수 있다. The inner diameters of the
상기 가스분사홀(322)은, 상기 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 단위면적 당 개수가 단계적 또는 점진적으로 작아질 수 있다. The number of
상기 가스공급부(300)는, 상기 가스공급배관(310)과 상기 가스분사부(320) 및 복수의 상기 가스분사부(320)들 사이를 연통되도록 연결하는 제1연결부재(330)를 추가로 포함할 수 있다. The
상기 제1연결부재(330)는, 상기 가스분사부(320)를 통한 상기 공정가스 분사방향 정렬을 위하여, 상기 가스분사부(320)와 정위치에서 결합하도록 키홈 또는 제1연결부재핀홀(332)이 형성될 수 있다.The first connecting
상기 가스배기부(400)는, 상기 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되어 상기 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관(410)과, 상기 공정가스를 상기 가스배기배관(410)으로 흡입하도록 상기 가스배기배관(410) 외주면에 형성되는 다수의 가스배기홀(420)을 포함할 수 있다. The
상기 가스배기부(400)는, 일단이 상기 가스배기배관(410)에 결합하고 타단이 상기 가스공급부(300)에 결합하여 상기 가스배기배관(410)과 상기 가스공급부(300)를 연결하는 제2연결부재(430)를 추가로 포함할 수 있다. The
상기 가스배기부(400)는, 상기 가스공급부(300)와 서로 차단되어 연결될 수 있다. The
상기 기판지지부(200), 가스공급부(300) 및 가스배기부(400)는, 복수의 기판(1)들이 수직방향으로 서로 이격되어 배치되도록 상기 기판(1)들에 대응되어 복수개로 구비되며, 상측에 배치되는 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류가 하측에 배치되는 상기 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류보다 강할 수 있다. The substrate support
상측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 공정가스를 분사하기 위한 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 클 수 있다.The number or size per unit area of the
상측에 배치되는 상기 가스배기부(400)의 상기 공정가스를 배기하기 위한 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스배기부(400)의 상기 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 클 수 있다 The number or size per unit area of the gas
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판 상부에서 기판을 향해 직접 가스를 분사하는 구성인 바, 기판 상의 파티클 제거가 효과적인 이점이 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is configured to spray gas directly from the top of the substrate toward the substrate, so it has the advantage of effectively removing particles on the substrate.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스가 분사되는 기판위치 및 처리공간의 기류를 고려하여, 특정 위치에서의 가스분사량 조절이 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to control the gas injection amount at a specific location by considering the position of the substrate where the gas is sprayed and the airflow in the processing space.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스공급부와 가스배기부를 일체형 또는 서로 연결되도록 구성함으로써, 제한된 처리공간 내에 효과적으로 가스공급부와 가스배기부를 배치 및 지지할 수 있는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of being able to effectively arrange and support the gas supply and gas exhaust within a limited processing space by configuring the gas supply and gas exhaust to be integrated or connected to each other.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 분사되는 가스의 기판 내 위치를 고려하여 가스분사량을 조절함으로써, 기판 상면에 고르고 균일하게 가스를 분사할 수 있으며, 이로써 기판 온도에 대한 균일도를 담보할 수 있는 이점이 있다. In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention can spray gas evenly and uniformly on the upper surface of the substrate by adjusting the gas injection amount in consideration of the position of the gas being sprayed within the substrate, thereby ensuring uniformity in substrate temperature. There is an advantage.
또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 가스배기부 다수의 타공을 통해 배기되는 가스를 흡입하는 구조로서, 파티클 배출 효율이 증가되는 이점이 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention has a structure that sucks exhaust gas through a plurality of gas exhaust holes, and has the advantage of increasing particle emission efficiency.
특히, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 종래 하나의 가스배출구가 형성되는 배기포트에 비해 다수의 타공을 합산한 배기면적이 넓어짐으로써, 배기효율 및 배기량이 증가하여 원활한 파티클 배출이 가능한 이점이 있다.In particular, the substrate processing apparatus according to the present invention has the advantage of enabling smooth particle discharge by increasing exhaust efficiency and exhaust volume by increasing the exhaust area of multiple perforations compared to conventional exhaust ports in which a single gas exhaust port is formed. .
도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 내부 모습을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 가스공급부 및 가스배기부의 모습을 보여주는 측면도이다.
도 3은, 도 2에 따른 기판처리장치 중 가스공급부 제1연결부재를 보여주는 A부분 확대단면도이다.
도 4는, 도 2에 따른 기판처리장치 중 가스공급부와 가스배기부의 제2연결부재를 보여주는 B부분 확대단면도이다.
도 5는, 도 1에 따른 기판처리장치 중 가스분사홀의 일 실시예를 보여주는 확대도이다.
도 6은, 종래 기술에 따른 기판처리장치와 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 4에 따른 기판처리장치의 파티클 배출 비율을 비교한 그래프이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing the interior of a substrate processing apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a side view showing a gas supply unit and a gas exhaust unit of the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of part A showing the first connection member of the gas supply unit in the substrate processing apparatus according to FIG. 2.
FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of portion B showing the second connection member of the gas supply unit and the gas exhaust unit of the substrate processing apparatus according to FIG. 2.
FIG. 5 is an enlarged view showing an embodiment of a gas injection hole in the substrate processing apparatus according to FIG. 1.
Figure 6 is a graph comparing the particle emission ratio of the substrate processing apparatus according to the prior art and the substrate processing apparatus according to Examples 1 to 4 of the present invention.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(200)와; 상기 공정챔버(100) 일측에 타측방향으로 연장되도록 설치되며, 외부로부터 공급되는 공정가스를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 가스공급부(300)와; 상기 가스공급부(300)로부터 연장되어 상기 공정챔버(100) 타측에 설치되며, 상기 공정가스를 흡입하여 외부로 배출하는 가스배기부(400)를 포함한다.A substrate processing apparatus according to the present invention includes a
여기서 본 발명에 따른 공정가스는, 기판처리를 위한 공정에서 사용되는 가스를 총칭한다.Here, the process gas according to the present invention is a general term for gases used in the process for substrate processing.
예를 들어, 공정 과정 중 발생할 수 있는 각종 흄(fume) 및 흄을 통해 생산되는 유기물을 배출하기 위한 퍼지가스를 지칭할 수 있다.For example, it may refer to a purge gas for discharging various fumes that may be generated during the process and organic substances produced through the fumes.
본 발명에 따른 처리대상인 기판(1)은, LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등의 모든 기판을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히, 플렉서블 표시장치에 사용되는 플렉서블 기판을 의미할 수 있다. The
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치의 기판처리공정은 증착공정, 식각공정, 열처리공정 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있으며, 특히 논플렉서블 기판 상에 플렉서블 기판 형성, 플렉서블 기판 상에 패턴 형성, 플렉서블 기판 분리 등의 공정, 플렉서블 기판을 열처리하여 건조하는 공정 등을 포함할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing process of the substrate processing apparatus according to the present invention can be understood to include a deposition process, an etching process, a heat treatment process, etc., and in particular, forming a flexible substrate on a non-flexible substrate, forming a pattern on a flexible substrate, It may include processes such as separating the flexible substrate, heat treating and drying the flexible substrate, etc.
상기 기판(1)은, 이하에서 복수의 기판지지부(200)에 복수의 기판(1)들이 수직방향으로 서로 이격되어 적층된 상태에서, 동시에 공정이 수행되는 구성일 수 있으며, 다른 예로서, 단일의 기판(1)이 도입되어 기판처리가 수행되는 구성일 수 있음은 또한 물론이다.The
상기 공정챔버(100)는, 기판(1)이 처리되는 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 공정챔버(100)는, 내부에 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 대략 육면체 형상의 챔버본체와, 챔버본체의 외측면 상에 설치되어 챔버본체를 보강하는 보강리브를 포함할 수 있다. For example, the
상기 챔버본체는, 석영, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 그라파이트, 실리콘 카바이드 또는 산화 알루미늄 중 적어도 어느 하나로 제작될 수 있다. The chamber body may be made of at least one of quartz, stainless steel, aluminum, graphite, silicon carbide, or aluminum oxide.
한편, 상기 챔버본체는, 육면체로서, 전면에 기판(1)이 반입 및 반출되는 출입구(미도시)가 형성될 수 있으며, 출입구에 이웃하는 측면에 서로 대향되는 측벽이 형성되고, 출입구의 대향면에 후면이 형성될 수 있다.Meanwhile, the chamber main body is a hexahedron, and an entrance (not shown) through which the
또한, 상기 공정챔버(100)는, 상기 출입구(미도시)를 개폐하기 위한 도어(미도시)가 설치될 수 있으며, 도어는 출입구(미도시)가 형성되는 전면 외측에 전후, 좌우 또는 상하방향으로 슬라이딩 가능하게 설치되어 출입구를 개폐할 수 있다.In addition, the
또한, 상기 챔버본체는, 측벽에 복수의 관통홀이 형성되어, 후술하는 가스공급부(300) 중 가스공급배관(310) 및 가스배기부(400) 중 가스배기배관(410)이 관통하여 처리공간(S) 내부에 설치되도록 할 수 있다. In addition, the chamber main body has a plurality of through holes formed in the side wall, so that the
이때, 관통홀 주변에는 기판처리를 위한 공정가스의 누설을 막고 처리공간(S)을 밀폐공간으로 형성하기 위한 실링수단이 추가로 구비될 수 있다.At this time, a sealing means may be additionally provided around the through hole to prevent leakage of process gas for substrate processing and to form the processing space (S) into a sealed space.
상기 보강리브는, 챔버본체의 외측면 상에 설치되어 챔버본체를 보강하는 구성일 수 있다.The reinforcing rib may be installed on the outer surface of the chamber body to reinforce the chamber body.
예를 들면, 상기 보강리브는, 챔버본체가 공정 중에 내부에서 강한 압력 또는 고온의 영향을 받아 파손되거나 변형이 발생할 가능성을 대비하여 챔버본체의 외측면, 보다 구체적으로는 상하면 및 측벽의 외측에 설치되어 내구성을 향상할 수 있다.For example, the reinforcing ribs are installed on the outer surface of the chamber body, more specifically, on the outer side of the upper and lower surfaces and side walls, to prepare for the possibility of damage or deformation due to strong internal pressure or high temperature during the process. This can improve durability.
상기 기판지지부(200)는, 처리공간(S)에 설치되어 기판(1)을 지지하는 구성일 수 있다.The
예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리공간(S)에 수직방향으로 복수개 배치되어 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되도록 지지하는 구성일 수 있다.For example, as shown in FIG. 1, a plurality of substrate supports 200 are arranged in a vertical direction in the processing space S to support a plurality of
특히, 상기 기판지지부(200)는, 복수의 기판(1)이 수직방향을 따라 상호 이격 배치되도록 지지하기 위해서, 상하방향으로 일정간격을 가지고 기판(1)을 지지하도록 처리공간(S)에 설치될 수 있다. In particular, the
예를 들면, 상기 기판지지부(200)는, 공정챔버(100)의 전면과 후면에 각각 인접한 위치에서 서로 대향되는 측벽을 가로질러 설치되는 지지바와; 상기 지지바를 가로지르는 방향으로 상기 지지바에 지지되어 설치되며, 상부에 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 기판안착부를 포함할 수 있다.For example, the
상기 지지바는, 공정챔버(100)의 전면과 후면에 각각 인접한 위치에서 서로 대향되는 측벽을 가로질러 설치되는 구성일 수 있다.The support bar may be installed across opposing side walls at positions adjacent to the front and rear of the
이때, 상기 지지바는, 공정챔버(100)의 전면과 후면에 각각 인접한 위치에서 수직방향으로 일정간격으로 서로 이격되어 복수개 설치될 수 있으며, 이로써 기판안착부의 양단을 각각 지지할 수 있다.At this time, a plurality of support bars may be installed at positions adjacent to the front and rear of the
상기 가스공급부(300)는, 공정챔버(100) 일측에 타측방향으로 연장되도록 설치되며, 외부로부터 공급되는 공정가스를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 구성일 수 있다.The
이때, 상기 가스공급부(300)는, 기판(1) 상측에 배치되어, 하방을 향해 공정가스를 분사함으로써 기판(1) 상면에 공정가스를 분사할 수 있다.At this time, the
보다 구체적으로, 상기 가스공급부(300)는, 기판(1) 상면에 가스분사부(320)가 배치됨으로써 기판(1) 상면을 향해 직접적으로 공정가스를 분사할 수 있다.More specifically, the
예를 들면, 상기 가스공급부(300)는, 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 외부로부터 공정가스를 공급받는 가스공급배관(310)과, 가스공급배관(310)과, 가스배기부(400) 사이에 구비되어 기판(1)을 향해 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(320)를 포함할 수 있다.For example, the
또한, 상기 가스공급부(300)는, 가스공급배관(310)과 가스분사부(320) 및 복수의 가스분사부(320)들 사이를 연결하는 제1연결부재(330)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the
상기 가스공급배관(310)은, 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 외부로부터 공정가스를 공급받아 가스분사부(320)에 전달하는 구성일 수 있다.The
이때, 상기 가스공급배관(310)은, 전술한 챔버본체에 형성되는 관통홀을 관통하여 설치될 수 있으며, 외부 가스공급원(10)과 연결되어 공정가스를 전달받을 수 있다.At this time, the
한편, 상기 가스공급배관(310)은, 내부에 공정가스가 흐르는 유로가 형성되는 배관일 수 있으며, 필요에 따라 공정가스 유량을 조절하는 조절밸브 및 압력센서 등이 추가로 구비될 수 있다.Meanwhile, the
상기 가스분사부(320)는, 가스공급배관(310)과 가스배기부(400) 사이에 구비되어 기판(1)을 향해 공정가스를 분사하는 구성으로서, 적어도 하나 이상 구비될 수 있다.The
보다 바람직하게는 상기 가스분사부(320)는, 공정챔버(100) 일측으로부터 타측방향으로 가로질러 설치되는 구성으로서, 복수개가 구비되어 서로 연통하도록 결합하여 설치될 수 있다.More preferably, the
이때, 상기 가스분사부(320)는, 가스공급배관(310)과 연통하도록 결합할 수 있으며, 복수의 가스분사부(320)들이 순차적으로 서로 연통하여 결합되고 끝단에서 가스배기부(400)에 결합할 수 있다.At this time, the
한편, 전술한 바와 같이 가스공급부(300)가 조립 방식으로 설치될 수 있으며, 다른 예로서, 일체형으로 가스공급배관(310)과 가스분사부(320)가 서로 연통하도록 구비될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as described above, the
상기 가스분사부(320)는, 가스공급부(300)로부터 전달받은 공정가스를 기판(1) 상면을 향해 분사하는 구성으로서, 이를 위해서 기판(1) 상측 대응되는 위치에 배치될 수 있다.The
예를 들면, 상기 가스분사부(320)는, 가스공급배관(310)과 연통하도록 설치되는 가스분사배관(321)과, 기판(1)을 향해 공정가스를 분사하도록 가스분사배관(321)에 형성되는 다수의 가스분사홀(322)을 포함할 수 있다.For example, the
즉, 상기 가스분사부(320)는, 가스공급배관(310)과 후술하는 제1연결부재(330)를 통해 서로 연통하도록 결합하는 가스분사배관(321)을 통해 공정가스가 공급되며, 외주면에 가스분사홀(322)이 형성되어 공정가스를 기판(1)을 향해 분사할 수 있다.That is, the
한편, 상기 가스분사배관(321)은, 복수개로서, 제1연결부재(330)를 통해 서로 연결되어 가스공급배관(310)으로부터 가스배기부(400) 사이에 처리공간(S)을 가로질러 설치될 수 있다.Meanwhile, the
이때, 다수의 가스분사배관(321) 각각은, 서로 동일한 단면적을 가지는 구성일 수 있으며, 다른 예로서 서로 다른 단면적을 가지는 구성일 수 있다.At this time, each of the plurality of
이 경우, 기판(1) 가장자리와 중심부의 분사되는 공정가스 유량을 고려하여 서로 다른 단면적이 결정될 수 있으며, 가스공급배관(310) 측에서 가스배기부(400) 측으로 갈수록 점진적 또는 단계적으로 커지거나 작아질 수 있고 점차 작아지다가 기판(1) 중심을 지나면서 커지는 구성일 수도 있다.In this case, different cross-sectional areas can be determined considering the flow rate of the process gas sprayed at the edge and center of the
전술한 가스분사배관(321)의 다면적은, 배관의 횡단면적을 의미하는 것으로 보다 상세하게는 공정가스의 분사방향에 대하여 수직인 평면으로 가스분사배관(321)을 절단한 단면적을 의미하고, 이에 따라 이동하는 공정가스와 분사되는 공정가스의 유량을 결정하는 요소일 수 있다. The multi-faceted area of the
결과적으로, 가스분사배관(321)이 서로 다른 단면적인 경우, 이동하는 공정가스와 분사되는 공정가스의 유량이 달라질 수 있는 바, 사용자가 필요에 따라 적절한 단면적을 가지는 가스분사배관(321)을 최적의 위치에 설치할 수 있다.As a result, when the
상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 외주면에 다수개 구비되어, 기판(1)을 향해 공정가스를 분사하기 위한 구성일 수 있다.The gas injection holes 322 may be provided in plural numbers on the outer peripheral surface of the
예를 들면, 상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 하측 외주면 중 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L) 상에 형성될 수 있다.For example, the
보다 구체적으로, 상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 중심을 지나는 수평면을 기준으로 하측 외주면에 형성될 수 있으며, 기판(1) 상면에 직하하여 공정가스를 분사하도록 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L) 상에 가스분사배관(321) 길이방향을 따라서 복수개 형성될 수 있다.More specifically, the
또한, 다른 예로서, 상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 하측 외주면 중 상기 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L) 상을 기준으로 적어도 일측에 형성될 수 있다.Additionally, as another example, the
보다 구체적으로, 상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 중심을 지나는 수평면을 기준으로 하측 외주면에 형성될 수 있으며, 기판(1) 상면에 경사를 가지고 공정가스를 분사하도록 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L)을 기준으로 적어도 일측에 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 가상의 수직선(L)을 기준으로 서로 대칭되는 위치에 각각 형성될 수 있다.More specifically, the
즉, 상기 가스분사홀(322)은, 가스분사배관(321) 하측 외주면에 형성되며, 하측 외주면 중 최하부분을 기준으로 좌우 측 중 적어도 일측, 보다 바람직하게는 최하부분을 기준으로 대칭되어 각각 형성될 수 있다.That is, the
한편, 상기 가스분사홀(322)은, 내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 수직으로 형성될 수 있으며, 보다 구체적으로는 가스분사배관(321) 외주면에서 수직의 반경방향으로 홀이 형성될 수 있다.Meanwhile, the inner peripheral surface of the
또한, 다른 예로서, 상기 가스분사홀(322)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 경사지도록 형성되어, 공정가스 분사 시 기판(1) 상면에 대하여 경사지도록 공정가스 분사를 유도할 수 있다.In addition, as another example, the
이때, 상기 가스분사홀(322)은, 내주면이 기판(1) 중심측을 향하도록 경사를 가질 수 있으며, 전술한 수직의 내주면과 함께 조합하여 형성될 수도 있다.At this time, the
이때, 상기 가스분사홀(322)은, 공정가스가 기판(1)을 향하여 공정가스 이동방향 측으로 순행하여 분사되도록 내주면이 경사질 수 있으며, 보다 구체적으로는 가스분사배관(321)이 기판(1) 상측에 위치할 때 가스분사홀(322)은 내주면이 하측으로 갈수록 공정가스 이동방향을 향하도록 경사져 형성될 수 있다.At this time, the inner circumferential surface of the
한편, 다른 예로서, 이때, 상기 가스분사홀(322)은, 공정가스가 기판(1)을 향하여 공정가스 이동방향 측을 역행하여 분사되도록 내주면이 경사질 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, as another example, at this time, it goes without saying that the inner peripheral surface of the
또한, 가스공급배관(310)으로부터 가스분사부(320) 측으로 공정가스가 수평이동을 통해 분사되는 점을 고려할 때, 기판(1) 상면에 대한 균일한 가스분사를 유도하기 위해서는 가스분사홀(322)들의 크기, 개수가 조절될 수 있다.In addition, considering that the process gas is injected through horizontal movement from the
예를 들면, 상기 가스분사홀(322)들은, 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 내경이 단계적 또는 점진적으로 작아질 수 있다.For example, the inner diameters of the gas injection holes 322 may gradually or gradually become smaller from one side of the
또한, 다른 예로서, 상기 가스분사홀(322)은, 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 단위면적 당 개수가 단계적 또는 점진적으로 작아질 수 있다.Additionally, as another example, the number of gas injection holes 322 per unit area may gradually or gradually decrease from one side of the
즉, 이웃하는 가스분사홀(322)과의 사이거리가 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 멀어짐으로써 단위면적 당 개수가 작아질 수 있다.That is, as the distance between neighboring gas injection holes 322 increases from one side of the
이를 통해, 공정가스가 공급배관(310)을 통해 공급된 상태에서 상대적으로 공정챔버(100) 일측에 위치하는 가스분사부(320)를 통해 대다수의 공정가스가 분사되는 것을 방지하고, 공정가스가 공정챔버(100) 타측에 위치하는 가스분사부(320)까지 충분히 전달되도록 유도할 수 있다.Through this, when the process gas is supplied through the
상기 제1연결부재(330)는, 가스공급배관(310)과 가스분사부(320) 및 복수의 가스분사부(320)들 사이를 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 제1연결부재(330)는, 일단이 가스공급배관(310) 또는 가스분사부(320)에 결합하고, 타단이 가스분사부(320)에 결합하여 이들 사이를 연통하여 연결하는 구성일 수 있다.For example, the
이때 상기 제1연결부재(330)는, 내부에 유로가 형성되는 제1연결본체(331)와, 가스공급배관(310) 끝단 또는 가스분사부(320) 끝단에 형성되는 나사산에 대응되어 제1연결본체(331) 내주면에 형성되는 나사산(333)을 포함할 수 있으며, 이로써 가스공급배관(310) 및 가스분사부(320)와 나사결합을 통해 결합할 수 있다.At this time, the
또한, 상기 제1연결부재(330)는, 연결되는 가스분사부(320)들 및 가스공급배관(310)과 공정가스가 흐르는 유로가 연통하도록, 내부에 유로가 형성될 수 있다.In addition, the first connecting
한편, 상기 제1연결부재(330)는, 가스분사부(320)의 공정가스 분사방향 정렬을 위하여 가스분사부(320)가 정위치에서 결합하도록 키홈 또는 제1연결부재핀홀(332)이 추가로 형성될 수 있다.Meanwhile, the first connecting
즉, 상기 제1연결부재(330)는, 제1연결본체(331)의 미리 설정된 위치에 제1연결부재핀홀(332)이 형성된 상태에서, 가스분사부(320)의 가스공급홀(322)의 분사방향을 고려한 정위치에서 결합하도록 제1연결부재핀홀(332)에 대응되어 형성되는 가스분사배관(321)에 형성되는 정렬홀(323)을 정렬시켜 결합할 수 있다.That is, the
이때, 상기 제1연결본체(331)는, 공정가스가 이동가능하도록 내부에 유로가 형성되는 구성으로서, 일단이 가스공급배관(310)과 결합하고 타단이 가스분사부(320)와 결합하여 이들 사이를 연결하는 구성일 수 있다.At this time, the
또한, 제1연결부재핀홀(332) 및 정렬홀(323)을 관통하여 정렬핀(미도시)이 체결될 수 있으며, 전술한 바와 달리 제1연결부재핀홀(332) 및 정렬홀(323)에 볼트체결을 통해 정렬과 가스분사부(320) 및 제1연결부재(330) 사이의 결합을 수행할 수 있음은 또한 물론이다.In addition, an alignment pin (not shown) may be fastened through the first connection
상기 가스배기부(400)는, 가스공급부(300)로부터 연장되어 공정챔버(100) 타측에 설치되며, 공정가스를 흡입하여 외부로 배출하는 구성일 수 있다.The
예를 들면, 상기 가스배기부(400)는, 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되어 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관(410)과, 공정가스를 가스배기배관(410)으로 흡입하도록 가스배기배관(410) 외주면에 형성되는 다수의 가스배기홀(420)을 포함할 수 있다.For example, the
또한, 상기 가스배기부(400)는, 일단이 가스배기배관(410)에 결합하고 타단이 가스공급부(300)에 결합하여 가스배기배관(410)과 가스공급부(300)를 연결하는 제2연결부재(430)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the
상기 가스배기배관(410)은, 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되어 처리공간(S)을 배기하는 구성일 수 있다.The
즉, 상기 가스배기배관(410)은, 가스공급배관(310)에 대응되어 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 외부펌프(20)와 연결되도록 설치되며, 펌핑을 통해 처리공간(S)의 배기되는 공정가스를 흡인하여 배출할 수 있다. That is, the
이때, 상기 가스배기배관(410)은, 전술한 챔버본체의 관통홀을 관통하여 타측벽에 설치될 수 있으며, 적어도 일부가 처리공간(S) 내 가스분사부(320)와 연결될 수 있다.At this time, the
이 경우, 상기 가스배기배관(410)은, 후술하는 제2연결부재(430)를 통해 가스분사부(320)와 연결될 수 있으며, 가스분사부(320)와는 서로 차단되어 연결될 수 있다.In this case, the
보다 구체적으로, 상기 가스배기배관(410)은, 내부에 유로가 형성되며 외주면에 가스배기홀(420)이 형성되는 배기배관(411)과, 배기배관(411) 끝단에 연통되도록 형성되어 후술하는 제2연결부재(430)와 결합하기 위한 배기결합부(412)를 포함할 수 있다.More specifically, the
이때, 배기결합부(412)는, 배기배관(411)과 단차를 가지고 연장되며 내주면에 후술하는 나사산(433)에 대응되는 나사산이 형성되어 나사결합을 통해 결합될 수 있다.At this time, the
상기 가스배기홀(420)은, 가스배기배관(410)으로 배기되는 공정가스를 흡입하도록 외주면에 형성되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The
예를 들면, 상기 가스배기홀(420)은, 가스배기배관(410) 중 처리공간(S) 측 외주면에 다수개 형성되어 배기되는 공정가스를 흡인할 수 있으며, 외주면 특정위치에 국한되지 않고 다양한 위치에 다수개 형성될 수 있다.For example, a plurality of the gas exhaust holes 420 are formed on the outer circumferential surface of the
한편, 다수의 가스배기홀(420)이 형성됨으로써, 종래 배기포트를 통해 배기되는 점에 비해 배기되는 면적이 증가하고, 다양한 위치에서 흡입이 발생하여 배기효율이 개선되는 이점이 있다.On the other hand, by forming a plurality of gas exhaust holes 420, the area to be exhausted is increased compared to the point where the gas is exhausted through a conventional exhaust port, and there is an advantage in that suction occurs at various locations, thereby improving exhaust efficiency.
상기 제2연결부재(430)는, 일단이 상기 가스배기배관(410)에 결합하고 타단이 상기 가스공급부(300)에 결합하여 상기 가스배기배관(410)과 상기 가스공급부(300)를 연결하는 구성일 수 있다.The second connecting
예를 들면, 상기 제2연결부재(430)는, 일단이 가스배기배관(410)에 결합하고 타단이 가스공급부(300)에 결합하며, 이들 사이를 차단하는 제2연결본체(431)와, 제2연결본체(431) 가스배기배관(410) 측 외주면에 형성되는 나사산(433)을 통해 가스배기배관(410)과 나사결합할 수 있다.For example, the
한편, 상기 제2연결부재(430)는, 전술한 제1연결부재핀홀(332)과 같이 제2연결부재핀홀(432)이 형성되어, 가스분사부(320)에 형성되는 정렬홀(323)에 대응되어 가스분사부(320)를 정렬하여 결합할 수 있다.Meanwhile, the second connecting
이때, 상기 제2연결부재(430) 또한 키홈 또는 체결핀, 볼트를 통해 가스분사부(320)와 정위치에서 결합할 수 있음은 또한 물론이다. At this time, it goes without saying that the
한편, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 다수의 기판(1)을 수직방향으로 서로 이격배치하여 공정을 수행하는 구성으로서, 이를 위하여 기판지지부(200), 가스공급부(300) 및 가스배기부(400)가 기판(1)들에 대응되어 복수개로 구비될 수 있다.On the other hand, the substrate processing apparatus according to the present invention is configured to perform a process by arranging a plurality of substrates (1) vertically spaced apart from each other, and for this purpose, a
이 경우, 상측에 배치되는 기판(1)에 대한 공정가스 기류가 하측에 배치되는 기판(1)에 대한 공정가스 기류보다 강하게 형성될 수 있다.In this case, the process gas airflow for the
즉, 상측에 배치되는 기판(1)에 공급되는 공정가스는 자연 하강기류 형성으로 인해, 하측에 배치되는 기판(1) 보다 분사되는 공정가스 유량이 상대적으로 작을 수 있는 바, 상측에 배치되는 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류가 하측에 배치되는 상기 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류보다 강하게 형성될 필요가 있다.That is, the process gas supplied to the
이를 위하여, 상측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 공정가스를 분사하기 위한 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 크게 형성될 수 있다.For this purpose, the number or size per unit area of the gas injection holes 322 for spraying the process gas of the
보다 구체적으로, 상측에 배치되는 가스공급부(300) 공정가스를 분사하기 위한 가스분사홀(322)은 단위면적 당 다수개가 구비되거나, 내경의 크기가 더 크게 형성될 수 있다.More specifically, the gas injection holes 322 for spraying the process gas of the
또한, 상하부에서의 기류 차이를 위하여, 상측에 배치되는 가스배기부(400)의 공정가스를 배기하기 위한 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스배기부(400)의 상기 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 크게 형성될 수 있다.In addition, for the difference in airflow between the upper and lower parts, the number or size per unit area of the gas exhaust holes 420 for exhausting the process gas of the
즉, 상측에 배치되는 가스배기부(400)의 공정가스를 배기하기 위한 가스가스배기홀(420)은, 배기를 강하게 유도하도록 단위면적 당 개수가 더 많거나, 홀의 크기가 더 크게 형성될 수 있다.That is, the gas exhaust holes 420 for exhausting the process gas of the
이하 본 발명에 따른 다양한 실시예에 대하여 도 6을 참조하여, 파티클 배출 효과를 설명한다.Hereinafter, the particle emission effect will be described with reference to FIG. 6 for various embodiments according to the present invention.
파티클 배출 효과를 설명하기 위한 실시예들의 구성에 대하여 이하 설명하며, 이하에서 생략된 구성에 대하여는 전술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.The configuration of the embodiments for explaining the particle emission effect will be described below, and the above-described content may be equally applied to the configuration omitted below.
실시예 1에 따른 기판처리장치는, 가스분사배관(321)의 지름이 12mm이고 가스분사배관(321)에 형성되는 다수의 가스분사홀(322) 지름이 3mm 또는 2mm이며, 가스배기배관(410)의 지름이 24mm이고 가스배기배관(410)에 형성되는 가스배기홀(420) 지름이 6mm를 가진다.In the substrate processing device according to Example 1, the diameter of the
이때, 실시예 1에 따른 기판처리장치는, 가스분사홀(322)의 개수가 길이방향으로 25개가 나열되어 형성되며, 지름이 3mm인 가스분사홀(322)과 지름이 2mm인 가스분사홀(322)이 혼합된다.At this time, the substrate processing device according to Example 1 is formed with 25 gas injection holes 322 arranged in the longitudinal direction, and includes a
실시예 2에 따른 기판처리장치는, 실시예 1에 따른 기판처리장치와 동일한 상태에서 가스분사홀(322)의 개수가 길이방향으로 12개가 나열되어 형성될 수 있다.The substrate processing apparatus according to Example 2 may be formed in the same state as the substrate processing apparatus according to Example 1, with 12 gas injection holes 322 arranged in the longitudinal direction.
실시예 3에 따른 기판처리장치는, 실시예 1의 구성에서 최상단에 구비되는 가스공급배관(310)과 나머지 가스공급배관(310)들 사이에 서로 다른 공정가스 공급 유량을 제공하는 것으로서, 보다 상세하게는 최상단 가스공급배관(310)에 나머지 가스공급배관(310) 각각에 공급되는 공정가스유량 보다 많은 유량을 공급할 수 있다.The substrate processing apparatus according to Example 3 provides different process gas supply flow rates between the
일예로, 실시예 3은, 실시예 1의 최상단 가스공급배관(310)에 공급되는 공정가스보다 5배 많은 유량을 공급할 수 있다.For example, Example 3 can supply a flow rate that is 5 times greater than the process gas supplied to the uppermost
끝으로, 실시예 4에 따른 기판처리장치는, 실시예 1의 구성에서 최상단 가스분사배관(321)의 지름의 길이를 16mm로 변경하여 구성하였다. Finally, the substrate processing apparatus according to Example 4 was configured by changing the diameter of the uppermost
이에 종래기술과 각각의 실시예 1 내지 4의 전체 발생되는 파티클 중 출구로 배출되는 파티클의 양에 대한 비율인 출구에서의 파티클 배출 비율을 분석한 결과, 종래기술은 약 5%, 실시예 1은 약 28%, 실시예 2는 약 34%, 실시예 3은 약 30%, 실시예 4는 약 27%로 모든 실시예에서 파티클 배출 비율이 종래기술에 비해 월등하게 우수한 것을 확인하였다.Accordingly, as a result of analyzing the particle emission ratio at the outlet, which is the ratio of the amount of particles discharged to the outlet among the total particles generated in the prior art and each of Examples 1 to 4, the prior art was about 5%, and Example 1 was about 5%. It was confirmed that the particle emission rate in all examples was significantly superior to that of the prior art, at about 28%, Example 2 was about 34%, Example 3 was about 30%, and Example 4 was about 27%.
한편, 종래기술에 따른 기판처리장치는, 상온으로 공급되는 가스가 상대적으로 고온상태인 처리공간 내에 공급 시, 온도가 낮아 하강기류가 강력하게 발생하고, 이와 같은 하강기류에 따른 처리공간 내부 와류 형성으로 인해 원활한 수평방향 기류가 형성되지 못하며, 이로 인해 최상단 기판에 대한 파티클 배출이 원활하지 못한 문제점이 있다.On the other hand, in the substrate processing apparatus according to the prior art, when gas supplied at room temperature is supplied into a processing space at a relatively high temperature, a strong downward air current is generated due to the low temperature, and a vortex is formed inside the processing space due to this downward air flow. As a result, a smooth horizontal airflow cannot be formed, and as a result, there is a problem in which particles are not discharged smoothly to the uppermost substrate.
이에, 10개의 가스배기배관(410)이 수직방향으로 설치되는 기판처리장치에서, 총 유출되는 파티클 양 중 최상단 가스배기부(400)로 배출되는 파티클 양의 비율을 의미하는 최상단 파티클 배출비율을 살펴보면, 종래 기술은 약 6% 인데 반해, 실시예 1은 7.3% 수준으로 1.2배 증가하는 것을 확인하였다.Accordingly, in a substrate processing device in which 10
따라서, 최상단 파티클 배출비율이 증가하는 것으로 확인되어 최상단 기판에 대한 파티클 배출이 개선되는 효과가 있다.Accordingly, it was confirmed that the top particle emission rate increases, which has the effect of improving particle emission to the topmost substrate.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명한 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the technical aspects of the present invention described above should not be construed. It will be said that all ideas and technical ideas that share their roots are included in the scope of the present invention.
1: 기판
100: 공정챔버
200: 기판지지부
300: 가스공급부
400: 가스배기부1: Substrate 100: Process chamber
200: substrate support part 300: gas supply part
400: gas exhaust unit
Claims (19)
상기 처리공간(S)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(200)와;
상기 공정챔버(100) 일측에 타측방향으로 연장되도록 설치되며, 외부로부터 공급되는 공정가스를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 가스공급부(300)와;
상기 가스공급부(300)와 마주보도록 상기 공정챔버(100) 타측에 설치되어 상기 가스공급부(300)와 연결되며, 상기 공정가스를 흡입하여 외부로 배출하는 가스배기부(400)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.a process chamber 100 forming a processing space (S) in which the substrate 1 is processed;
a substrate support portion 200 installed in the processing space S to support the substrate 1;
a gas supply unit 300 installed on one side of the process chamber 100 to extend in the other direction and spraying process gas supplied from the outside toward the substrate 1;
It is installed on the other side of the process chamber 100 to face the gas supply unit 300, is connected to the gas supply unit 300, and includes a gas exhaust unit 400 that sucks in the process gas and discharges it to the outside. A substrate processing device.
상기 가스공급부(300)는,
상기 기판(1) 상측에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The gas supply unit 300,
A substrate processing device, characterized in that it is disposed on the upper side of the substrate (1).
상기 가스공급부(300)는,
상기 공정챔버(100) 일측벽을 관통하여 설치되어 외부로부터 상기 공정가스를 공급받는 가스공급배관(310)과, 상기 가스공급배관(310)과 상기 가스배기부(400) 사이에 구비되어 상기 기판(1)을 향해 상기 공정가스를 분사하는 적어도 하나의 가스분사부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 1,
The gas supply unit 300,
A gas supply pipe 310 is installed through one side wall of the process chamber 100 to receive the process gas from the outside, and is provided between the gas supply pipe 310 and the gas exhaust unit 400 to discharge the substrate. A substrate processing apparatus comprising at least one gas injection unit 320 that sprays the process gas toward (1).
상기 가스분사부(320)는,
상기 가스공급배관(310)과 연통하도록 설치되는 가스분사배관(321)과, 상기 기판(1)을 향해 상기 공정가스를 분사하도록 상기 가스분사배관(321)에 형성되는 다수의 가스분사홀(322)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 3,
The gas injection unit 320,
A gas injection pipe 321 installed to communicate with the gas supply pipe 310, and a plurality of gas injection holes 322 formed in the gas injection pipe 321 to spray the process gas toward the substrate 1. ) A substrate processing device comprising:
상기 가스분사홀(322)은,
상기 가스분사배관(321) 외주면 중 하측에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing device, characterized in that it is formed on the lower side of the outer peripheral surface of the gas injection pipe 321.
상기 가스분사홀(322)은,
상기 가스분사배관(321) 하측 외주면 중 상기 기판(1) 상면에 대한 가상의 수직선(L) 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing device, characterized in that it is formed on a virtual vertical line (L) with respect to the upper surface of the substrate (1) on the lower outer peripheral surface of the gas injection pipe (321).
상기 가스분사홀(322)은,
내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 수직으로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing device, characterized in that the inner peripheral surface is formed perpendicular to the upper surface of the substrate (1).
상기 가스분사홀(322)은,
내주면이 상기 기판(1) 상면에 대하여 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing device, characterized in that the inner peripheral surface is formed to be inclined with respect to the upper surface of the substrate (1).
상기 가스분사홀(322)은,
상기 공정가스가 상기 공정가스 이동방향 측으로 순행하여 분사되도록 내주면이 경사진 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing device characterized in that the inner peripheral surface is inclined so that the process gas travels toward the direction of movement of the process gas and is injected.
상기 가스분사홀(322)들은,
상기 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 내경이 단계적 또는 점진적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 4,
The gas injection holes 322 are,
A substrate processing device, wherein the inner diameter gradually or gradually becomes smaller from one side of the process chamber 100 to the other side.
상기 가스분사홀(322)은,
상기 공정챔버(100) 일측으로부터 타측으로 갈수록 단위면적 당 개수가 단계적 또는 점진적으로 작아지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 4,
The gas injection hole 322 is,
A substrate processing apparatus, characterized in that the number per unit area gradually or gradually decreases from one side of the process chamber 100 to the other side.
상기 가스공급부(300)는,
상기 가스공급배관(310)과 상기 가스분사부(320) 및 복수의 상기 가스분사부(320)들 사이를 연통되도록 연결하는 제1연결부재(330)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 3,
The gas supply unit 300,
Substrate processing, characterized in that it further comprises a first connection member 330 connecting the gas supply pipe 310 and the gas injection unit 320 and the plurality of gas injection units 320 to communicate with each other. Device.
상기 제1연결부재(330)는,
상기 가스분사부(320)를 통한 상기 공정가스 분사방향 정렬을 위하여, 상기 가스분사부(320)와 정위치에서 결합하도록 키홈 또는 제1연결부재핀홀(332)이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 12,
The first connection member 330 is,
In order to align the process gas injection direction through the gas injection unit 320, a key groove or a first connecting member pin hole 332 is formed to engage the gas injection unit 320 in the correct position. Device.
상기 가스배기부(400)는,
상기 공정챔버(100) 타측벽을 관통하여 설치되어 상기 처리공간(S)을 배기하는 가스배기배관(410)과, 상기 공정가스를 상기 가스배기배관(410)으로 흡입하도록 상기 가스배기배관(410) 외주면에 형성되는 다수의 가스배기홀(420)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The gas exhaust unit 400,
A gas exhaust pipe 410 installed through the other side wall of the process chamber 100 to exhaust the processing space S, and a gas exhaust pipe 410 to suck the process gas into the gas exhaust pipe 410. ) A substrate processing device comprising a plurality of gas exhaust holes 420 formed on the outer peripheral surface.
상기 가스배기부(400)는,
일단이 상기 가스배기배관(410)에 결합하고 타단이 상기 가스공급부(300)에 결합하여 상기 가스배기배관(410)과 상기 가스공급부(300)를 연결하는 제2연결부재(430)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 14,
The gas exhaust unit 400,
A second connection member 430 is additionally connected to the gas exhaust pipe 410 and the gas supply unit 300 by having one end coupled to the gas exhaust pipe 410 and the other end coupled to the gas supply unit 300. A substrate processing device comprising:
상기 가스배기부(400)는,
상기 가스공급부(300)와 서로 차단되어 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 14,
The gas exhaust unit 400,
A substrate processing device characterized in that it is connected to the gas supply unit 300 in an isolated manner.
상기 기판지지부(200), 가스공급부(300) 및 가스배기부(400)는,
복수의 기판(1)들이 수직방향으로 서로 이격되어 배치되도록 상기 기판(1)들에 대응되어 복수개로 구비되며,
상측에 배치되는 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류가 하측에 배치되는 상기 기판(1)에 대한 상기 공정가스 기류보다 강한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 1,
The substrate support part 200, the gas supply part 300, and the gas exhaust part 400,
A plurality of substrates 1 are provided in plural numbers to correspond to the substrates 1 so that they are spaced apart from each other in the vertical direction,
A substrate processing apparatus, wherein the process gas airflow for the substrate (1) disposed on the upper side is stronger than the process gas airflow for the substrate (1) disposed on the lower side.
상측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 공정가스를 분사하기 위한 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스공급부(300)의 상기 가스분사홀(322)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 17,
The number or size per unit area of the gas injection holes 322 for spraying the process gas of the gas supply unit 300 disposed on the upper side is greater than that of the gas injection holes 322 of the gas supply portion 300 disposed on the lower side. ) A substrate processing device characterized in that it is larger than the number or size per unit area.
상측에 배치되는 상기 가스배기부(400)의 상기 공정가스를 배기하기 위한 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기가 하측에 배치되는 상기 가스배기부(400)의 상기 가스가스배기홀(420)에 대한 단위면적 당 개수 또는 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 기판처리장치. In claim 17,
The number or size per unit area of the gas gas exhaust holes 420 for exhausting the process gas of the gas exhaust unit 400 disposed on the upper side is the gas of the gas exhaust portion 400 disposed on the lower side. A substrate processing device characterized in that the number or size per unit area of the exhaust holes 420 is larger.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220030145A KR20230133068A (en) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020220030145A KR20230133068A (en) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | Substrate processing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20230133068A true KR20230133068A (en) | 2023-09-19 |
Family
ID=88196849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020220030145A KR20230133068A (en) | 2022-03-10 | 2022-03-10 | Substrate processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR20230133068A (en) |
-
2022
- 2022-03-10 KR KR1020220030145A patent/KR20230133068A/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101690047B1 (en) | Tools and methods for processing microelectronic workpices using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation | |
US10770269B2 (en) | Apparatus and methods for reducing particles in semiconductor process chambers | |
KR100747735B1 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR20110041445A (en) | Fume elimination apparatus and to use andsemiconductor manufacturing apparatus | |
KR101538372B1 (en) | atomic layer deposition apparatus | |
TWI634598B (en) | Process chamber and semiconductor processing device | |
KR20190122040A (en) | Wafer purge apparatus for buffer chamber | |
KR101541155B1 (en) | atomic layer deposition apparatus | |
KR20230133068A (en) | Substrate processing apparatus | |
KR102671335B1 (en) | Apparatus for processing wafer | |
KR102089464B1 (en) | Side storage purge apparatus | |
KR20090051984A (en) | Apparatus for treating a substrate | |
KR20240004704A (en) | vacuum processing device | |
KR20180065667A (en) | Substrate treating apparatus | |
JP2007280885A (en) | Plasma treatment device | |
TWI583821B (en) | Fast remote plasma atomic layer deposition apparatus | |
KR101935881B1 (en) | Treatment apparatus for large area substrate, Gas supplying apparatus for large area substrate and Showerhead support unit | |
KR101729756B1 (en) | Exhaust duct of apparatus for removing fume and apparatus for removing fume using the same | |
KR20070069122A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus | |
KR100702831B1 (en) | Apparatus for processing substrate with plasma | |
KR100734775B1 (en) | Showerhead | |
KR20220089438A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP7195778B2 (en) | Deposition apparatus, cleaning gas nozzle, cleaning method | |
KR102621695B1 (en) | Vacuum curtain and its system | |
KR20230163175A (en) | Substrate processing apparatus |