KR20230129014A - 프로세스 조건 감지 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 86
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 40
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 42
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41805—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by assembly
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/0091—Housing specially adapted for small components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/0217—Mechanical details of casings
- H05K5/0226—Hinges
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K5/00—Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
- H05K5/02—Details
- H05K5/03—Covers
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37216—Inpect component placement
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
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- Casings For Electric Apparatus (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 인클로저 어셈블리가 개시된다. 인클로저 어셈블리는 상단 부분을 포함한다. 인클로저 어셈블리는 하단 부분을 더 포함한다. 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하다. 상단 부분은 또한 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링될 수 있다. 인클로저 어셈블리 내에 하나 이상의 전자 컴포넌트가 배치된다.
Description
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 발명가로서 Farhat Quli를 지명하고 발명의 명칭이 PROCESS CONDITION SENSING APPARATUS인 2021년 1월 8일자로 출원된 미국 가출원 일련 번호 63/135,012의 35 U.S.C § 119(e) 하의 이익을 주장하며, 여기에 그 전체가 참조로 통합된다.
기술 분야
본 발명은 일반적으로 프로세스 조건 감지 장치에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 프로세스 조건 감지 장치의 실행가능한 동작 조건을 확장하는 것에 관한 것이다.
개선된 프로세스 모니터링 시스템에 대한 요구가 계속 증가함에 따라 반도체 디바이스 프로세싱 환경의 프로세스 조건에 대한 허용 오차는 계속해서 감소한다. 프로세싱 시스템 내의 열 균일성은 그러한 하나의 조건이다. 온도를 측정하기 위한 디바이스에서, 전자 장치 및/또는 배터리는 열 질량(thermal mass)으로 절연되도록 설계되어 특정 온도 이상에 도달하지 않는다. 전자 장치 또는 배터리가 특정 온도를 초과하는 온도에 노출되면, 일부 전자 장치 및/또는 배터리는 영구적으로 손상되고 작동하지 않는 반면, 다른 전자 장치는 이 온도 이상에서 계속 작동할 수 있다. 따라서, 이 온도에 도달하기 전에 전자 장치 및/또는 배터리가 영구적으로 손상되거나 작동하지 않는 것을 방지하기 위해 시스템이 열 환경으로부터 제거되어야 한다. 그러나, 전자 장치 및/또는 배터리가 열질량으로 절연되더라도 전자 장치 및/또는 배터리는 결국 너무 뜨거워진다. 일부 경우에, 특정 온도에 도달한 후 전자 장치 및/또는 배터리의 성능이 급격히 저하되어 높은 전류 소모, 측정 충실도 손실 등이 발생한다. 이러한 현재 방법은 연관 챔버를 오염시키지 않고 현재 프로세싱 기술에 필요한 극한 조건(예를 들어, 고온)에서 온도를 모니터링할 수 없다. 또한, 현재 방법은 모든 잠재적 사용 사례에 대한 값을 제공하기 위한 온도에서 충분한 시간을 달성하지 못한다.
따라서, 상기 식별된 이전 접근 방식의 단점을 해결하는 장치 및 방법을 제공하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 프로세스 조건 감지 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 장치는 기판을 포함한다. 다른 실시예에서, 장치는 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 전자 어셈블리를 포함한다. 다른 실시예에서, 장치는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하는 인클로저 어셈블리를 포함하고, 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 하단 부분에 분리가능하게(detachably) 연결가능하고, 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 하단 부분에 가역적으로(reversibly) 전기적으로 커플링가능하고, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 인클로저 어셈블리 내에 배치된다. 다른 실시예에서, 장치는 전자 어셈블리에 통신가능하게 커플링된 센서 어셈블리를 포함하고, 센서 어셈블리는 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 포함하고, 하나 이상의 센서는 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 인클로저 어셈블리가 개시된다. 일 실시예에서, 인클로저 어셈블리는 상단 부분을 포함한다. 또다른 실시예에서, 인클로저 어셈블리는 하단 부분을 포함하고, 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능하고, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 인클로저 어셈블리 내에 배치된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 프로세스 조건 감지 장치가 개시된다. 일 실시예에서, 장치는 기판을 포함한다. 다른 실시예에서, 장치는 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 전자 어셈블리를 포함하고, 하나 이상의 전자 컴포넌트는, 하나 이상의 프로세서, 통신 회로부, 메모리 및 전력원을 포함한다. 다른 실시예에서, 장치는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하는 인클로저 어셈블리를 포함하고, 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능하고, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 인클로저 어셈블리 내에 배치된다. 또다른 실시예에서, 장치는 전자 어셈블리에 통신가능하게 커플링된 센서 어셈블리를 포함하고, 센서 어셈블리는 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 포함하고, 하나 이상의 센서는 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성되고, 하나 이상의 프로세서는 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성되고, 하나 이상의 프로세서는 결정된 시간에 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하도록 구성된다.
본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 사용하여 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하는 단계를 포함한다. 또다른 실시예에서, 방법은 인클로저 어셈블리 내의 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 사용하여 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 단계를 포함하고, 인클로저 어셈블리는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하고, 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능하다. 또다른 실시예에서, 방법은 결정된 시간에 하나 이상의 제어 신호를 생성하여 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트의 동작 조건을 스위칭하는 단계를 포함하고, 결정된 시간 이후에 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단한다.
상기 전반적인 설명과 다음의 상세한 설명은 모두 예시적이고 단지 설명을 위한 것이며 청구된 발명을 반드시 제한하는 것은 아님을 이해해야 한다. 본 명세서에 통합되어 명세서의 일부를 구성하는 첨부 도면은 본 발명의 실시예를 설명하고 일반적인 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하는 역할을 한다.
본 개시의 많은 이점은 첨부된 도면을 참조하여 당업자에 의해 더 잘 이해될 수 있다:
도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 2a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 닫힌 상태에 있는 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 2b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 2c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 3a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 닫힌 상태에 있는 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 3b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 3c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 4a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세싱 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 배면도를 예시한다.
도 4b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세싱 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 측면도를 예시한다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 인클로저 어셈블리 내에 포함된 전자 어셈블리의 간략화된 평면도를 예시한다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 데이터 수집을 예시하는 시간-온도 그래프이다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 동작 파라미터를 확장하기 위한 방법을 서술하는 흐름도를 예시한다.
도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 2a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 닫힌 상태에 있는 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 2b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 2c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 3a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 닫힌 상태에 있는 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 단면도를 예시한다.
도 3b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 3c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 분해 단면도를 예시한다.
도 4a는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세싱 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 배면도를 예시한다.
도 4b는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세싱 조건 감지 장치의 인클로저 어셈블리의 간략화된 측면도를 예시한다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 인클로저 어셈블리 내에 포함된 전자 어셈블리의 간략화된 평면도를 예시한다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트의 간략화된 블록도를 예시한다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 데이터 수집을 예시하는 시간-온도 그래프이다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 동작 파라미터를 확장하기 위한 방법을 서술하는 흐름도를 예시한다.
본 개시는 특정 실시예 및 그의 특정 피처에 대해 구체적으로 도시되고 설명되었다. 본 명세서에 설명된 실시예는 제한적이기보다는 예시적인 것으로 간주된다. 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 형태 및 세부사항에 있어서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.
이제 첨부된 도면에 예시된, 개시된 주제에 대해 상세히 참조가 이루어질 것이다.
일반적으로 도 1 내지 도 8을 참조하면, 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른 프로세스 조건 감지 장치 및 방법이 설명된다.
본 개시의 실시예는 고온 프로세스 애플리케이션에 사용하기 위한 제거가능한 전자 어셈블리를 포함하는 프로세스 조건 감지 장치에 관한 것이다. 예를 들어, 프로세스 조건 감지 장치는, 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상된 경우 인클로저 어셈블리 내의 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴토넌트가 제거 및/또는 대체될 수 있도록, 하단 부분에 분리가능하게 연결하도록 구성되고, 또한 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링되도록 구성된 상단 부분을 포함하는 인클로저 어셈블리를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트는, 하나 이상의 전자 컴포넌트 중의 전자 컴포넌트(예를 들어, 배터리, 프로세서, 메모리 등)가 너무 높은 온도에 직면하면 쉽게 대체될 수 있고, 이에 따라 프로세스 조건 감지 장치의 동작 파라미터(예를 들어, 시간 및/또는 온도)를 확장할 수 있다. 또한, 본 개시의 실시예는 프로세스 조건 감지 장치의 동작 모드를 스위칭하는 방법에 관한 것이다. 예를 들어, 프로세스 조건 감지 장치는 결정된 시간에 센서 어셈블리로부터 측정 데이터를 수신하는 것을 중단하거나 다른 기능을 중단하도록 구성되고, 이에 따라 프로세스 조건 감지 장치의 동작 파라미터를 확장할 수 있다.
프로세스 조건 감지 장치는 프로세싱 챔버 내의 프로세싱 조건을 측정하기 위해 계장화된(instrumented) 기판을 사용할 수 있다. 이러한 장치는 기판의 열전도율이 프로세싱될 실제 반도체 디바이스와 동일하기 때문에 챔버의 조건을 가장 정확하게 측정할 수 있다. 프로세스 조건 감지 장치는 일반적으로 Renken 등에게 2011년 10월 11일에 허여된 미국 특허 제8,033,190호; Sun 등에게 2013년 12월 10일에 허여된 미국 특허 제8,604,361호; Sharratt 등에 2017년 8월 1일에 허여된 미국 특허 제9,719,867호; Sun 등에 2017년 11월 21일에 허여된 미국 특허 제9,823,121호; Sun 등에게 2019년 10월 29일에 허여된 미국 특허 제10,460,966호; 2017년 8월 3일에 공개된 미국 특허 공개 번호 제2017/0219437호; 및 2019년 12월 5일에 공개된 미국 특허 공개 제2019/0368944호에 전반적으로 설명되고, 이들은 각각 그 전체가 참조에 의해 통합된다.
도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치(100)의 간략화된 단면도를 예시한다. 일 실시예에서, 장치(100)는 기판(102), 센서 어셈블리(104), 인클로저 어셈블리(106) 및 전자 어셈블리(108)를 포함한다.
기판(102)은 반도체 프로세싱 분야에서 알려진 임의의 기판을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(102)은 웨이퍼이다. 예를 들어, 기판(102)은 반도체 웨이퍼(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 기판(102)은 실리콘, 유리, 세라믹, 갈륨 비화물, 카바이드, 질화물, 석영 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 당업계에 공지된 임의의 재료로 형성될 수 있다. 본 명세서에서 기판(102)은 반도체 디바이스 프로세싱 시스템에 의해 프로세싱되는 표준 기판과 동일한 크기 및 형상일 수 있다는 것이 주목된다. 또한, 본 명세서에서 비록 도 1은 하나 이상의 층이 없는 기판(102)을 예시하지만, 장치(100)는, 하나 이상의 센서(110)가 기판(102)의 하나 이상의 층 내에 배치될 수 있도록 적층된 기판(예를 들어, 적어도 상단 층 및 하단 층을 갖는 기판)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 논의는 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 한다.
일 실시예에서, 기판(102)은 반도체 제조 장비, 프로세싱 장비 등의 프로세싱 조건을 측정하기 위해 사용된다. 예를 들어, 기판(102)은 프로세싱 동안 샘플(예를 들어, 웨이퍼)이 겪는 프로세싱 조건을 측정하기 위해 사용될 수 있다. 또다른 실시예에서, 센서 어셈블리(104)는 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 기판(102) 상에 배치된 하나 이상의 센서(110)를 포함한다. 또다른 실시예에서, 하나 이상의 센서(110)는 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성된다. 센서 어셈블리(104)는 센서의 임의의 구성(예를 들어, 개수, 위치 등)을 포함할 수 있고, 그에 따라 도 1에 도시된 구성은 본 개시의 범위를 제한하는 것으로 해석되지 않아야 함을 주목한다.
하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 온도 센서, 하나 이상의 압력 센서, 하나 이상의 방사선 센서, 하나 이상의 화학 센서 등 또는 이들의 조합을 포함하거나 이에 제한되지 않는 당업계에 공지된 임의의 측정 디바이스를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 센서(110)는 온도를 나타내는 하나 이상의 파라미터를 획득하도록 구성된 하나 이상의 온도 센서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 온도 센서는 하나 이상의 열전쌍(thermocouple; TC) 디바이스(예를 들어, 열전기 접합), 하나 이상의 저항 온도 디바이스(resistance temperature device; RTD)(예를 들어, 박막 RTD) 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 압력 측정의 경우, 하나 이상의 센서(110)는 압전 센서, 정전식 센서, 광학 센서, 전위차 센서 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 방사선 측정의 경우에, 하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 광 검출기(예를 들어, 광전지, 포토레지스터 등) 또는 다른 방사선 검출기(예를 들어, 고체 상태 검출기)를 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 화학적 측정의 경우에, 하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 화학 저항기, 가스 센서, pH 센서 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
도 2a 내지 도 3c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른 인클로저 어셈블리(106)의 간략화된 단면도를 예시한다. 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 하나 이상의 패스너(112)(예를 들어, 하나 이상의 나사)를 갖는 인클로저 어셈블리(106)를 예시한다. 도 3a 내지 도 3c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 스냅핏 어셈블리(112)를 갖는 인클로저 어셈블리(106)를 예시한다. 도 2b 내지 도 2c 및 도 3b 내지 도 3c는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 인클로저 어셈블리(106) 및 전자 어셈블리(108)의 분해 단면도를 예시한다. 도 4a 내지 도 4b는 본 발명의 하나 이상의 실시예에 따른, 힌지 어셈블리(112)를 갖는 인클로저 어셈블리(106)의 간략화된 배면도 및 측면도를 각각 예시한다.
일 실시예에서, 인클로저 어셈블리(106)는 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)을 포함한다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 하단 부분(106b)에 분리가능하게 연결되도록 구성된 상단 부분(106a)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는, 상단 부분(106a)과 하단 부분(106b)이 기계적으로 커플링되도록 상단 부분(106a)과 하단 부분(106b)을 분리가능하게 연결하도록 구성된 하나 이상의 커플링 디바이스(112)를 포함할 수 있다. 본 개시의 목적을 위해, "분리가능하게 연결가능한"이라는 용어는, 도 2b 내지 도 2c 및 도 3b 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)이 인클로저 어셈블리(106)를 형성하기 위해 커플링 디바이스(112)를 통해 함께 커플링되도록 구성되는 별도의 부분일 수 있도록 해석될 수 있다.
본 명세서에서 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 당업계에 공지된 임의의 커플링 디바이스를 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 예를 들어, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 하나 이상의 패스너를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 하나 이상의 나사, 하나 이상의 볼트 등을 포함할 수 있지만 반드시 포함할 필요는 없다. 이와 관련하여, 도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)은 하나 이상의 패스너의 일부를 수용하도록 구성된 하나 이상의 구멍을 포함할 수 있다. 또다른 예로서, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 스냅핏 어셈블리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 돌출부를 포함하는 스냅핏 어셈블리 및 오목부를 갖는 정합 부품을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 상단 부분(106a)과 하단 부분(106b)이 기계적으로 커플링되도록 돌출부는 하단 부분(106b) 상의 정합 부분의 오목부를 캐치(catch)하도록 구성될 수 있다. 또다른 예로서, 도 4a 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 힌지 어셈블리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)는 하나 이상의 리프(예를 들어, 상단 부분에 대한 리프 및 하단 부분에 대한 리프), 하나 이상의 핀, 하나 이상의 너클, 하나 이상의 패스너 구멍 및 하나 이상의 패스너를 포함하지만 이에 제한되지 않는 힌지 어셈블리를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)은, 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)이 기계적으로 커플링되도록, 하나 이상의 패스너를 통해 상부 리프 및 하부 리프에 각각 기계적으로 커플링될 수 있다.
또다른 실시예에서, 상단 부분(106a)은 하단 부분(106b)에 전기적으로 커플링되도록 구성된다. 예를 들어, 도 2b 내지 도 2c 및 도 3b 내지 도 3c에 도시된 바와 같이, 상단 부분(106a)은 하나 이상의 전기 접촉부(114)를 통해 하단 부분(106b)에 가역적으로 전기적으로 커플링될 수 있다. 예를 들어, 상단 부분(106a)은 하나 이상의 포고 핀(pogo pin)(예를 들어, 스프링 장착 포고 핀)을 통해 하단 부분(106b)에 가역적으로 전기적으로 커플링될 수 있다. 이와 관련하여, 상단 부분(106a)은 포고 핀(116)을 포함할 수 있고 하단 부분(106b)은 포고 핀 커넥터(118)를 포함할 수 있어, 포고 핀 커넥터(118)가 포고 핀(116)을 수용하도록 구성될 수 있다. 상단 부분(106a)은 당업계에 공지된 임의의 전기 커플링 메커니즘을 통해 하단 부분(106b)에 가역적으로 전기적으로 커플링될 수 있음이 주목된다. 따라서, 상기 논의는 본 개시의 범위를 한정하는 것으로 해석되어야 한다. 본 개시의 목적을 위해 "가역적으로 전기적으로 커플링된"이라는 용어는, 상단 부분(106a)이 하나 이상의 커플링 디바이스(112)를 통해 하단 부분(106b)에 기계적으로 부착될 때, 하나 이상의 전자 접촉부(114)가 상단 부분(106a)과 하단 부분(106b)을 전기적으로 커플링하여, 상단 부분(106a)과 하단 부분(106b) 사이에 전기적 연결이 확립되게 하는 것을 의미하도록 해석될 수 있다.
장치(100)의 커플링 디바이스(112) 및/또는 전자 접촉부(114)는, 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되는 경우(예를 들어, 너무 높은 온도에 노출됨) 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 쉽게 대체될 수 있도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b) 중 적어도 하나는 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되면 대체될 수 있다. 일 예에서, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 하나 이상의 패스너(예를 들어, 나사)를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 하나 이상의 패스너를 풀림(un-fastening)(예를 들어, 나사 풀림)함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 분리된 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)이 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 전자 컴포넌트(예를 들어, 대체 전자 장치)을 포함하는 대체 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)은 하나 이상의 패스너를 통해 각각 하단 부분(106b) 또는 상단 부분(106a)에 기계적으로 커플링될 수 있고 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있다. 또다른 예에서, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 스냅핏 어셈블리를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 정합 부분의 오목부로부터 돌출부를 해제함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 분리된 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)은 제거 및 대체될 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 전자 컴포넌트(예를 들어, 대체 전자 장치)를 포함하는 대체 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)은 스냅핏 어셈블리를 통해 각각 하단 부분(106b) 또는 상단 부분(106a)에 기계적으로 커플링될 수 있고 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있다. 추가의 예에서, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 힌지 어셈블리를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 상단 부분(106a)/하단 부분(106b)의 적어도 하나의 리프를 풀거나 하나 이상의 너클 내의 핀을 제거함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 분리된 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)이 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 전자 컴포넌트(예를 들어, 대체 전자 장치)를 포함하는 대체 상단 부분(106a) 또는 하단 부분(106b)은 힌지 어셈블리를 통해 각각 하단 부분(106b) 또는 상단 부분(106a)에 기계적으로 커플링될 수 있고 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있다. 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 상단 부분(106a)을 대체할 때 커플링 디바이스(112)의 하나 이상의 컴포넌트가 또한 대체될 수 있다는 것이 여기에서 주목된다.
다른 예로서, 도 2c 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되면 (상단 부분(106a)을 대체하지 않고) 하나 이상의 전자 컴포넌트가 대체될 수 있다. 일 예에서, 하나 이상의 커플링 장치(112)가 하나 이상의 패스너(예를 들어, 나사)를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 하나 이상의 패스너를 풀림(예를 들어, 나사 풀림)함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 대체 전자 컴포넌트는 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있고 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)은 하나 이상의 패스너를 통해 기계적으로 커플링될 수 있다. 또다른 예에서, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 스냅핏 어셈블리를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 정합 부분의 오목부로부터 돌출부를 해제함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 대체 전자 컴포넌트는 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있고 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)은 스냅핏 어셈블리를 통해 기계적으로 커플링될 수 있다. 추가 예에서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 힌지 어셈블리를 포함할 때, 힌지 어셈블리의 하나 이상의 너클 및 하나 이상의 핀은 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)이 선택 거리를 분리하게 구성될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 대체 전자 컴포넌트는 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있고, 힌지 어셈블리의 하나 이상의 너클 및 하나 이상의 핀은 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)이 플러시(flush)되게 하도록(예를 들어, 선택 거리를 닫게 하도록) 구성될 수 있다. 추가 예에서, 하나 이상의 커플링 디바이스(112)가 힌지 어셈블리를 포함할 때, 상단 부분(106a)은 적어도 상단 부분(106a)의 상부 리프를 풀거나 하나 이상의 너클 내의 핀을 제거함으로써 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 제거 및 대체되게 할 수 있다. 이와 관련하여, 하나 이상의 대체 전자 컴포넌트가 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 전기적으로 커플링될 수 있고 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)이 힌지 어셈블리를 통해 기계적으로 커플링될 수 있다.
또한, 장치의 하나 이상의 컴포넌트는 하나 이상의 전자 컴포넌트를 대체함으로써 하나 이상의 전자 접촉부 중 하나 이상이 너무 높은 온도에 직면함에도 불구하고 재사용될 수 있고, 이로써 장치의 동작 파라미터(예를 들어, 시간 및/또는 온도)를 확장시킬 수 있다. 예를 들어, 전력원 및/또는 하나 이상의 프로세서는 대체될 수 있지만 메모리는 대체되지 않을 수 있으며, 그 반대도 가능한다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서 및/또는 메모리를 손상시키는 온도에 노출되는 경우 메모리가 손상되지 않을 수 있도록 메모리는 전력원 및/또는 하나 이상의 프로세서보다 높은 온도를 견딜 수 있고, 그 반대도 가능하다.
여기서 인클로저 어셈블리(106)는 당업계에 공지된 임의의 재료로 형성될 수 있다는 것이 주목된다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 세라믹, 합성물, 유리 등을 포함하지만 이에 제한되지 않는 하나 이상의 재료로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 인클로저 어셈블리(106)는 무시할 수 있는 오염을 일으키는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 실리콘, 실리콘 카바이드, 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는 하나 이상의 낮은 오염 재료로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 인클로저 어셈블리(106) 내에 배치된다. 예를 들어, 상단 부분(106a)은 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 적어도 부분적으로 내장할 수 있다. 예를 들어, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상단 부분(106a)은 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 적어도 부분적으로 내장할 수 있다. 이와 관련하여, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 인클로저 어셈블리(106)의 상단 부분(106a)에 용접, 본딩 등 될 수 있다. 또한, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상된 경우, 전자 컴포넌트를 포함하는 상단 부분(106a)은 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되는(예를 들어, 고온에 노출되는) 경우 쉽게 대체될 수 있다. 다른 예로서, 바닥부(106b)는 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 적어도 부분적으로 내장할 수 있다. 예를 들어, 하단 부분(106b)은 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 적어도 부분적으로 내장할 수 있다. 이와 관련하여, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 인클로저 어셈블리(106)의 하단 부분(106b)에 용접, 본딩 등 될 수 있다. 또한, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되면, 전자 컴포넌트를 포함하는 하단 부분(106b)은 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되는(예를 들어, 고온에 노출되는) 경우 쉽게 대체될 수 있다.
또다른 예로서, 도 2c 및 도 3c에 도시된 바와 같이, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상단 부분(106a) 및 하단 부분(106b)으로부터 분리될 수 있다. 예를 들어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상단 부분(106a) 및/또는 하단 부분(106b)에 분리가능하게 연결가능하여, 하나 이상의 전자 컴포넌트가 손상되는 경우(예를 들어, 너무 높은 온도에 노출되는 경우) 쉽게 대체될 수 있다. 이와 관련하여, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상단 부분(106a)의 캐비티(cavity)(138) 내에 피팅될 수 있다. 다른 점에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 하단 부분(106b)의 캐비티 내에 피팅될 수 있다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 인클로저 어셈블리(106) 내에 포함된 전자 어셈블리(108)의 간략화된 평면도를 예시한다. 도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트의 간략화된 블록도를 예시한다.
일 실시예에서, 전자 어셈블리(108)는 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함한다. 다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 전력원(120)을 포함한다. 전자 어셈블리(108)는 당업계에 공지된 임의의 유형의 전력원을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 어셈블리(108)는 하나 이상의 배터리를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 어셈블리(108)는 하나 이상의 코인 셀 배터리를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 전력원(120)은 하우징에 하우징될 수 있다. 예를 들어, 전력원(120)은 인클로저 어셈블리(106) 내의 금속 하우징에 하우징될 수 있다.
또다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 하나 이상의 프로세서(122)를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(122)는 센서 어셈블리(104)의 하나 이상의 센서(110)로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 통신 회로부(124)를 포함한다. 다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 하나 이상의 프로세서(122)에 대한 프로그램 명령어들 및/또는 하나 이상의 센서(110)로부터 수신된 측정 파라미터를 저장하기 위한 메모리 매체(126)(예를 들어, 메모리)를 포함한다.
본 명세서에서 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 아날로그-디지털 변환기를 포함하지만 이에 제한되지 않는 당업계에 공지된 임의의 전자 컴포넌트를 포함할 수 있다는 것이 주목된다.
다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)는 원격 데이터 시스템(130)에 통신가능하게 커플링된다. 또다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)는 복수의 측정 파라미터를 원격 데이터 시스템(130)으로 전송한다.
하나 이상의 프로세서(122)는 당업계에 공지된 임의의 프로세서 또는 프로세싱 요소를 포함할 수 있다. 본 발명의 목적을 위해, "프로세서" 또는 "프로세싱 요소"라는 용어는 하나 이상의 프로세싱 또는 논리 요소를 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 이러한 의미에서, 하나 이상의 프로세서(122)는 알고리즘 및/또는 명령어들(예를 들어, 메모리에 저장된 프로그램 명령어들)을 실행하도록 구성된 임의의 디바이스를 포함할 수 있다. 본 명세서 전체에 걸쳐 설명된 단계는 단일 프로세서 또는 대안적으로 다중 프로세서에 의해 수행될 수 있음을 인지해야 한다.
메모리 매체(126)는 연관된 하나 이상의 프로세서(122)에 의해 실행가능한 프로그램 명령어들을 저장하기에 적합한 당업계에 알려진 임의의 저장 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 매체(126)는 비일시적 메모리 매체를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 메모리 매체(126)는 판독 전용 메모리(read-only memory; ROM), 랜덤 액세스 메모리(random-access memory; RAM), 고체 상태 드라이브 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 메모리 매체(126)는 하나 이상의 프로세서(122)와 함께 공통 제어기 하우징에 하우징될 수 있다는 것이 추가로 주목된다. 일 실시예에서, 메모리 매체(126)는 하나 이상의 프로세서(122)의 물리적 위치에 대해 원격으로 위치될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(122)는 네트워크(예를 들어, 인터넷, 인트라넷 등)를 통해 액세스가능한 원격 메모리(예를 들어, 서버)에 액세스할 수 있다.
일 실시예에서, 센서 어셈블리(104)는 전자 어셈블리(108)에 통신가능하게 커플링된다. 예를 들어, 센서 어셈블리(104)는 하나 이상의 유선 연결(예를 들어, 와이어, 상호연결부 등)을 통해 전자 어셈블리(108)에 커플링될 수 있다. 또다른 실시예에서, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 센서 어셈블리(104)로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 프로세서(122)는 센서 어셈블리(104)의 하나 이상의 센서(110)로부터의 하나 이상의 측정 파라미터를 획득할 수 있다. 하나 이상의 측정 파라미터는 기판(102) 상의 하나 이상의 위치에 위치된 하나 이상의 센서(110)로부터의 값을 나타내는, 온도 센서(예를 들어, 열전쌍)로부터의 전압(또는 다른 신호), 압력 센서로부터의 전압(또는 다른 신호), 방사선 센서로부터의 전압(또는 다른 신호), 화학 센서로부터의 전압(또는 다른 신호) 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되지 않는다.
또다른 실시예에서, 장치(100)는 기판(102) 상의 인클로저 어셈블리(106)(전자 어셈블리(108)를 포함함)를 지지하도록 구성된 하나 이상의 지지 구조체(132)를 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 지지 구조체(132)는 하나 이상의 다리(예를 들어, 단일 지지 다리 또는 다중 지지 다리)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 하나 이상의 지지 구조체(132)는 인클로저 어셈블리(106)와 기판(102) 사이의 열 전달을 제한하기 위해 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 지지 구조체(132)는 세라믹, 합성물, 결정질 재료, 유리 등과 같은, 그러나 이에 제한되지는 않는 낮은 열 전도성 재료로부터 형성될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 지지 구조체(132)는 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등과 같은, 그러나 이에 제한되지 않는 낮은 열 전도성 재료로 형성될 수 있다.
또다른 실시예에서, 인클로저 어셈블리(106) 및 기판(102)은 하나 이상의 패스너를 통해 함께 커플링될 수 있다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 기판(102)의 일부분에 직접 고정(예를 들어, 나사 고정 또는 볼트 고정)될 수 있다. 다른 예로서, 인클로저 어셈블리(106)는 하나 이상의 접착제를 통해 기판(102)에 커플링될 수 있다. 또다른 실시예에서, 인클로저 어셈블리(106)는 기판(102) 내에 통합된다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 기판(102) 내에 부분적으로 내장될 수 있다. 예를 들어, 인클로저 어셈블리(106)는 열 전달을 방지하기 위해 열 코팅으로 코팅될 수 있다(예를 들어, 낮은 열 전도 계수를 갖는 재료).
또다른 실시예에서, 인클로저 어셈블리(106)는 인클로저 어셈블리(106)와 전자 어셈블리(108) 사이의 캐비티(136) 내에 절연 매체(134)를 포함한다. 인클로저 어셈블리(106)와 전자 어셈블리(108) 사이의 절연 매체(134)의 구현은 인클로저 어셈블리(106) 외부의 고온 환경(예를 들어, 반도체 프로세싱 챔버)으로부터 전자 어셈블리(108)로의 열 전달을 감소시키기 위해 제공된다. 또다른 실시예에서, 절연 매체(134)는 다공성 고체 재료를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 절연 매체(134)는 하나 이상의 에어로겔 재료(예를 들어, 실리카 에어로겔 재료)일 수 있다. 예를 들어, 에어로겔 재료는 대략 98.5%만큼 높은 공극률(porosity)을 갖도록 형성될 수 있다. 다른 예로서, 절연 매체(134)는 세라믹 재료(예를 들어, 다공성 세라믹 재료)일 수 있다. 세라믹 기반 절연 매체의 소결 동안 기공 형성제를 사용하여 공극률이 제어될 수 있음이 여기에서 주목된다. 세라믹 재료의 공극률은 50 내지 99%의 공극률 범위로 제조될 수 있음이 본 명세서에서 추가로 언급된다. 예를 들어, 세라믹 재료의 공극률은 95 내지 99%의 공극률 범위를 갖도록 제조될 수 있다.
또다른 실시예에서, 절연 매체(134)는 불투명하다. 예를 들어, 절연 매체(134)는 인클로저 어셈블리(106)와 전자 어셈블리(108) 사이의 체적을 횡단하는 방사선을 흡수하는 재료를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 절연 매체(134)는 탄소 도핑된 에어로젤 재료를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예에서, 절연 매체(134)는 저압 가스(즉, 진공 압력으로 유지되는 가스)이며, 이에 의해 가스는 주변 압력(즉, 프로세스 챔버의 압력)보다 낮은 압력으로 유지된다. 이와 관련하여, 인클로저 어셈블리(106)와 전자 어셈블리(108) 사이의 체적은 진공 압력으로 유지되어 인클로저 어셈블리(106)와 전자 어셈블리(108)로부터의 열 전도를 최소화하도록 할 수 있다. 또다른 실시예에서, 절연 매체(134)는 주변 압력과 거의 같지만 대기압보다 낮은 압력으로 유지되는 가스이다. 또다른 실시예에서, 절연 매체(134)는 주변 압력보다 높지만 대기압보다 낮은 압력으로 유지되는 가스이다. 본 발명의 목적을 위해, "진공 압력"은 주변 압력보다 낮은 임의의 압력을 의미하는 것으로 해석된다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따른, 프로세스 조건 감지 장치의 데이터 수집을 예시하는 시간-온도 플롯(700)이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 중요한 데이터 수집은 기판이 가열원으로부터 제거되는 시간인 시간(t1)까지만 발생한다. 이 지점(t1)에서 전자 장치는 온도(T1)에 있다. 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트는 온도(T2)까지(시간 t2에서) 계속해서 가열된다. 시간(t1)과 시간(t2) 사이에, 데이터 수집은 중요하지 않다. 일 실시예에서, 데이터 수집 또는 다른 기능은 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 장치에 대한 손상을 최소화하기 위해 t1에서 종료된다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예에 따라 프로세스 조건 감지 장치(예를 들어, 프로세스 조건 감지 장치(100))의 동작 파라미터를 확장하기 위한 방법(800)의 흐름도를 예시한다. 방법(800)의 단계들은 장치(100)에 의해 전부 또는 부분적으로 구현될 수 있다는 것이 여기에서 주목된다. 그러나, 방법(800)은 추가적인 또는 대안적인 장치 레벨 실시예가 방법(800)의 단계들 모두 또는 부분을 수행할 수 있는 장치(100)에 제한되지 않는다는 것이 또한 인지된다.
단계(802)에서, 센서 어셈블리의 하나 이상의 센서를 사용하여 하나 이상의 측정 파라미터가 획득된다. 예를 들어, 기판(102)은 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 기판(102) 상에 배치된 센서 어셈블리(104)의 하나 이상의 센서(110)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치에 배치된 하나 이상의 센서(110)는 기판(102)에 걸쳐 하나 이상의 위치로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 온도 센서, 하나 이상의 압력 센서, 하나 이상의 방사선 센서, 하나 이상의 화학 센서 등을 포함하지만, 이에 제한되지 않는 당업계에 공지된 임의의 측정 디바이스를 포함할 수 있다는 것이 주목된다. 예를 들어, 하나 이상의 온도 센서는 하나 이상의 열전쌍(TC) 디바이스(예를 들어, 열전기 접합), 하나 이상의 저항 온도 디바이스(RTD)(예를 들어, 박막 RTD), 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 압력 측정의 경우, 하나 이상의 센서(110)는 압전 센서, 정전식 센서, 광학 센서, 전위차 센서 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 방사선 측정의 경우에, 하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 광 검출기(예를 들어, 광전지, 포토레지스터 등) 또는 다른 방사선 검출기(예를 들어, 고체 상태 검출기)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또다른 예에서, 화학적 측정의 경우에, 하나 이상의 센서(110)는 하나 이상의 화학 저항기, 가스 센서, pH 센서 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
단계(804)에서, 하나 이상의 센서로부터의 하나 이상의 측정 파라미터는 인클로저 어셈블리 내의 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트에 의해 수신된다. 예를 들어, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 프로세서(122)는 기판(102) 상에 배치된 하나 이상의 센서(110)로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(122)는 기판(104)에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 센서(110)로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성될 수 있다. 하나 이상의 측정 파라미터는 기판(102) 상의 하나 이상의 위치에 위치된 하나 이상의 센서(110)로부터의 값을 나타내는, 열전쌍으로부터의 전압, 저항 온도 디바이스로부터의 저항, 압력 센서로부터의 전압(또는 다른 신호), 방사선 센서로부터의 전압(또는 다른 신호), 화학 센서로부터의 전압(또는 다른 신호) 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
단계(806)에서, 결정된 시간에 하나 이상의 제어 신호가 생성되어 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트의 동작 조건을 스위칭한다. 예를 들어, 결정된 시간에, 하나 이상의 전자 컴포넌트는 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(102)이 가열원으로부터 제거될 때 하나 이상의 제어 신호가 생성될 수 있다. 또다른 예에서, 하나 이상의 제어 신호는 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 임계 온도에 도달할 때 생성될 수 있다. 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나의 임계 온도는 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 손상되게 하는 온도일 수 있다. 이와 관련하여, 도 7에 도시된 바와 같이, 전자 어셈블리(108)의 하나 이상의 프로세서(122)는 t1에서(예를 들어, 데이터 수집이 중요하지 않을 때) 또는 임계 온도에 도달을 때 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하도록 구성될 수 있다. t1에서 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하지 않음으로써 장치의 동작 파라미터가 확장될 수 있다는 것이 주목된다.
당업자는 본 명세서에서 설명한 컴포넌트, 디바이스, 객체, 및 이에 수반되는 설명이 개념적 명확성을 위해 예시로서 사용되고 다양한 구성 수정이 고려된다는 것을 인식할 것이다. 결과적으로, 본원에서 사용한 특정 예의 설명 및 첨부 논의는 이들 예의 보다 일반적인 클래스를 나타내도록 의도된 것이다. 일반적으로, 임의의 특정 예시의 사용은 그 클래스를 나타내는 것으로 의도되고, 특정 컴포넌트, 디바이스, 및 객체를 포함하지 않는 것이 제한으로서 간주되어서는 안 된다.
당업자는, 본 명세서에서 설명하는 프로세스 및/또는 시스템 및/또는 다른 기술(예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어)이 실행될 수 있음과, 프로세스 및/또는 시스템 및/또는 다른 기술이 전개되는 상황에 따라 바람직한 수단이 변할 것임을 알 것이다. 예를 들어, 구현예에 있어서, 속도와 정확도가 가장 중요하다고 결정하면, 구현예는 주로 하드웨어 및/또는 펌웨어 수단을 선택할 수 있고, 이와 다르게, 유연성이 가장 중요한 경우 구현예는 주로 소프트웨어 구현을 선택할 수 있으며, 또 다른 경우로, 구현자는 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 일부 조합을 선택할 수도 있다. 따라서, 본 명세서에서 설명하는 프로세스 및/또는 디바이스 및/또는 다른 기술이 실행될 수 있는 여러 가능한 수단이 존재하며, 사용되는 임의의 수단이 그 수단이 배치될 상황에 따라 선택사항이라는 점에서 그 중 어떤 것도 다른 것보다 본질적으로 우수하지 않으며, 구현예의 특정 관심사(예를 들어, 속도, 유연성 또는 예측 가능성) 중 임의의 것은 변할 수 있다.
상기 설명은 당업자가 특정 애플리케이션 및 그 요건의 맥락에서 제공되는 바와 같이 본 발명을 만들고 사용할 수 있도록 하기 위해 제시된다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "상단", "하단", "위", "아래", "상부", "상향", "하부", "하부", 및 "하향"과 같은 방향성 용어들은 설명의 목적을 위해 상대적인 위치들을 제공하기 위한 것이며, 절대 참조 프레임을 지정하도록 의도되지 않는다. 설명된 실시예들에 대한 다양한 수정들은 당업자에게 명백할 것이며, 본원에서 정의된 일반적인 원리들은 다른 실시예들에 적용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 도시되고 설명된 특정 실시예들로 제한되도록 의도된 것이 아니라, 본 명세서에서 개시된 원리들 및 새로운 특징들에 부합하는 가장 넓은 범위를 부여해야 한다.
본원에서 실질적으로 임의의 복수의 및/또는 단수의 용어들의 사용과 관련하여, 당업자는 문맥 및/또는 응용에 적합한 바와 같이 복수로부터 단수로 및/또는 단수로부터 복수로 번역할 수 있다. 다양한 단수/복수 순열은 명확성을 위해 본 명세서에서 명시적으로 설명되지 않는다.
본 명세서에 설명하는 방법들은 그 발명의 실시예의 하나 이상의 단계들의 결과를 메모리에 저장하는 것을 포함할 수 있다. 그 결과는 본 명세서에서 설명한 결과들 중 임의의 것을 포함할 수 있고 해당 기술 분야에 알려진 임의의 방법으로 저장될 수 있다. 메모리는 본 명세서에서 설명한 임의의 메모리 또는 당업계에 공지된 기타 적절한 저장 매체를 포함할 수 있다. 결과가 저장된 후에, 그 결과는 메모리에서 액세스되고, 본 명세서에서 설명한 방법 또는 시스템 중 임의의 것에 의해 이용되고, 사용자에 표시하기 위해 포맷팅되고, 다른 소프트웨어 모듈, 방법 또는 시스템 등에 의해 사용될 수 있다. 또한, 결과는 "영구적으로", "반영구적으로", 일시적으로", 또는 일정 기간 동안 저장될 수 있다. 예를 들어, 메모리는 랜덤 액세스 메모리(RAM)일 수 있고, 그 결과는 반드시 메모리 매체에 무기한 유지될 필요는 없다.
또한, 전술한 방법의 실시예 각각은 본 명세서에서 설명하는 기타 방법의 다른 임의의 단계를 포함할 수 있는 것도 고려된다. 또, 전술한 방법의 실시예 각각은 본 명세서에서 설명하는 임의의 시스템에 의해 수행될 수도 있다.
여기에 기술한 주제는 때로는 다른 컴포넌트 내에 포함되거나, 이들 컴포넌트에 접속되는 상이한 컴포넌트를 설명한다. 이러한 도시된 아키텍처는 예시적인 것일 뿐이며, 실제로 동일한 기능을 달성하는 수많은 다른 아키텍처가 구현될 수 있음이 이해되어야 한다. 개념적 의미에서, 동일한 기능을 달성하기 위한 컴포넌트들의 임의의 배열은 원하는 기능을 달성하기 위해 효과적으로 "연관"되는 것이다. 따라서, 특정 기능을 달성하기 위해 조합되는 여기에 설명한 임의의 2개의 컴포넌트는 아키텍처 또는 중간 컴포넌트와 관계없이 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 "연관"되는 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로, 이렇게 연관되는 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하기 위해, 서로 "접속" 또는 "결합된" 것으로 간주될 수 있으며, 이렇게 연관될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트는 원하는 기능을 달성하기 위해 서로 또한 "결합될 수 있는" 것으로서 간주될 수도 있다. 커플링가능한 특정 예들은 물리적으로 커플링가능한 그리고/또는 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트 및/또는 무선으로 상호작용 가능한 그리고/또는 무선으로 상호작용하는 컴포넌트, 및/또는 논리적으로 상호작용하는 그리고/또는 논리적으로 상호작용 가능한 컴포넌트를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다.
또한, 본 발명은 첨부하는 청구범위에 의해 한정되는 것임을 이해되어야 한다. 일반적으로, 당업자라면, 본 명세서에서 사용하는 용어, 및 특히 첨부하는 청구범위(예를 들어, 첨부하는 청구범위의 본문)는 일반적으로 "오픈(open)" 용어로서 의도되는 것을 이해할 것이다(예를 들어, "포함하는"이라는 용어는 "~를 포함하지만 ~에 한정되지 않는"인 것으로서 해석되어야 하고, "구비하는"이라는 용어는 "~를 구비하지만 ~에 한정되지 않는"인 것으로서 해석되어야 하며, "포함한다"는 용어는 "~를 포함하지만 ~에 한정되지 않는다"는 것으로 해석되어야 하는 등등이다). 특정 수의 도입 청구항의 기재(recitation)가 의도된다면, 그러한 의도는 청구항에서 명시적으로 언급될 것이고, 그러한 기재가 없을 경우, 그러한 의도는 존재하지 않는다는 것이 당업자에 의해 더 잘 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위해, 다음의 첨부하는 청구범위는 "적어도 하나" 및 "하나 이상"이라는 도입 문구의 사용을 포함하여 청구항 기재를 소개할 수 있다. 그러나, 이러한 어구의 사용은, 동일한 청구항이 "하나 이상" 또는 "적어도 하나"라는 소개 문구와 "a" 또는 "an" 등의 부정 관사를 포함하더라도, 부정 관사 "a" 또는 "an"에 의한 청구항 기재의 도입이 그러한 도입 청구항 기재를 포함하는 임의의 특정 청구항을 한정하는 것을 암시하도록 해석되어서는 안 되며(예컨대, "a" 및/또는 "an"이 통상 "적어도 하나" 또는 "하나 이상"을 의미도록 해석되어야 한다), 동일한 것이 청구항 기재를 도입하는데 사용되는 정관사의 사용에 대해서도 마찬가지로 적용된다. 또한, 특정 번호의 도입된 청구항의 기재가 명시적으로 언급 되더라도, 당업자는 그러한 기재가 통상 적어도 기재된 수를 의미하는 것으로 해석되어야 하는 것을 인식할 것이다(예를 들어, 다른 수식어가 없다면 "2개의 기재"의 사실 그대로의 기재는 통상 적어도 2개의 기재물, 또는 2개 이상의 기재를 의미한다). 또한, "A, B 및 C 등등 중 적어도 하나"와 유사한 협약이 사용되는 경우, 일반적으로 그러한 구성은 당업자가 그 협약을 이해할 것이라는 의도로 의도된다(예를 들어, "A, B 및 C 중 적어도 하나를 구비한 시스템"은 A 단독, B 단독, C 단독, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 그리고/또는 A, B, 및 C를 함께, 등등). 또한, "A, B 또는 C 등등 중 적어도 하나"와 유사한 협약이 사용되는 경우, 일반적으로 그러한 구성은 당업자가 그 협약을 이해할 것이라는 의도로 의도된다(예를 들어, "A, B, 또는 C 중 적어도 하나를 구비한 시스템"은 A 단독, B 단독, C 단독, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 그리고/또는 A, B, 및 C를 함께, 등등). 당업자라면, 또한 명세서, 청구범위 또는 도면에 있어서, 2개 이상의 대안적인 용어를 제시하는 사실상 임의의 선언적인 단어 및/또는 어구가 그 용어 중 하나, 그 용어 중 어느 한쪽, 또는 양쪽 용어를 포함하는 가능성을 고려하도록 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, "A 또는 B"라는 문구는 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
본 개시내용 및 다수의 수반되는 장점들은 전술한 설명에 의해 이해될 것으로 간주되며, 개시하는 청구 대상으로부터 벗어나는 일 없이 또는 그것의 중요한 장점들 전부를 희생하는 일 없이 구성요소의 형태, 구성 및 배열에서 다양한 변화가 이루어질 수 있음이 명백할 것이다. 기술하는 형태는 설명을 위한 것이며, 이러한 변화를 망라하고 포함하는 것이 다음의 청구범위의 의도이다. 또한, 본 발명은 첨부하는 청구범위에 의해 한정되는 것임을 이해되어야 한다.
Claims (48)
- 프로세스 조건 감지 장치에 있어서,
기판;
하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하는 전자 어셈블리;
인클로저 어셈블리 - 상기 인클로저 어셈블리는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 상기 하단 부분에 분리가능하게(detachably) 연결가능하고, 상기 상단 부분 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 상기 하단 부분에 가역적으로(reversibly) 전기적으로 커플링가능하고, 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트가 상기 인클로저 어셈블리 내에 배치됨 - ; 및
상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 커플링된 센서 어셈블리 - 상기 센서 어셈블리는 상기 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 상기 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 포함하고, 상기 하나 이상의 센서는 상기 기판에 걸쳐 상기 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성됨 -
를 포함하는, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 상단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장(embedded)되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 하단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 상단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 하단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 접촉부는 하나 이상의 포고 핀(pogo pin)을 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는,
하나 이상의 프로세서 - 상기 하나 이상의 프로세서는 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성됨 - ;
통신 회로부;
메모리; 및
전력원
을 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제7항에 있어서,
상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 프로세서는 결정된 시간에 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제8항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 기판이 가열원으로부터 제거되는 시간인 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제8항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 임계 온도에 도달하는 시간인 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 하나 이상의 패스너를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제11항에 있어서,
상기 하나 이상의 패스너는 나사 또는 볼트 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 스냅핏(snap fit) 어셈블리를 포함하고, 상기 스냅핏 어셈블리는 돌출부 및 오목부를 포함하는 정합 부품(mating part)을 포함하고, 상기 돌출부는 상기 정합 부품의 상기 오목부를 캐치(catch)하도록 구성되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 힌지(hinge) 어셈블리를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 인클로저 어셈블리와 상기 전자 어셈블리 사이의 캐비티 내에 배치된 절연 매체
를 더 포함하는, 프로세스 조건 감지 장치. - 제1항에 있어서,
상기 기판 상의 상기 전자 어셈블리를 지지하기 위한 하나 이상의 지지 구조체
를 더 포함하는, 프로세스 조건 감지 장치. - 인클로저 어셈블리에 있어서,
상단 부분; 및
하단 부분
을 포함하고,
상기 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 상기 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 상기 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능하며, 하나 이상의 전자 컴포넌트가 상기 인클로저 어셈블리 내에 배치되는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 상단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장되는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 하단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장되는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 상단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 하단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 접촉부는 하나 이상의 포고 핀을 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 하나 이상의 패스너를 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제23항에 있어서,
상기 하나 이상의 패스너는 나사 또는 볼트 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 스냅핏 어셈블리를 포함하고, 상기 스냅핏 어셈블리는 돌출부 및 오목부를 포함하는 정합 부품을 포함하고, 상기 돌출부는 상기 정합 부품의 오목부를 캐치하도록 구성되는 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 힌지 어셈블리를 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는,
하나 이상의 프로세서 - 상기 하나 이상의 프로세서는 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 상기 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서로부터 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성되고, 상기 하나 이상의 센서는 상기 기판에 걸쳐 상기 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성됨 - ;
통신 회로부;
메모리; 및
전력원
을 포함하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제27항에 있어서,
상기 하나 이상의 프로세서는 결정된 시간에 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하는 것인, 인클로저 어셈블리. - 제28항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 기판이 가열원으로부터 제거되는 시간인 것인, 인클로저 어셈블리. - 제28항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 임계 온도에 도달하는 시간인 것인, 인클로저 어셈블리. - 제17항에 있어서,
상기 인클로저 어셈블리와 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트 사이의 캐비티 내에 배치된 절연 매체
를 더 포함하는, 인클로저 어셈블리. - 프로세스 조건 감지 장치에 있어서,
기판;
전자 어셈블리 - 상기 전자 어셈블리는 하나 이상의 전자 컴포넌트를 포함하고, 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는,
하나 이상의 프로세서,
통신 회로부,
메모리, 및
전력원
을 포함함 - ;
인클로저 어셈블리 - 상기 인클로저 어셈블리는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 상기 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 상기 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능하고, 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리 내에 배치됨 -; 및
상기 전자 어셈블리에 통신가능하게 커플링된 센서 어셈블리 - 상기 센서 어셈블리는 상기 기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 상기 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 포함하고, 상기 하나 이상의 센서는 상기 기판에 걸쳐 상기 하나 이상의 위치에서 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하도록 구성되고, 상기 하나 이상의 프로세서는 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하도록 구성되고, 상기 하나 이상의 프로세서는 결정된 시간에 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단하도록 구성됨 -
를 포함하는, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 상단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 하단 부분 내에 적어도 부분적으로 내장되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 상단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 인클로저 어셈블리의 하단 부분에 분리가능하게 연결가능한 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 접촉부는 하나 이상의 포고 핀을 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 기판이 가열원으로부터 제거되는 시간인 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 임계 온도에 도달하는 시간인 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 하나 이상의 패스너를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제40항에 있어서,
상기 하나 이상의 패스너는 나사 또는 볼트 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 스냅핏 어셈블리를 포함하고, 상기 스냅핏 어셈블리는 돌출부 및 오목부를 포함하는 정합 부품을 포함하고, 상기 돌출부는 상기 정합 부품의 오목부를 캐치하도록 구성되는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 제32항에 있어서,
상기 하나 이상의 커플링 디바이스는 힌지 어셈블리를 포함하는 것인, 프로세스 조건 감지 장치. - 방법에 있어서,
기판에 걸쳐 하나 이상의 위치에서 상기 기판 상에 배치된 하나 이상의 센서를 사용하여 하나 이상의 측정 파라미터를 획득하는 단계;
인클로저 어셈블리 내의 전자 어셈블리의 하나 이상의 전자 컴포넌트를 사용하여 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 단계 - 상기 인클로저 어셈블리는 상단 부분 및 하단 부분을 포함하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 커플링 디바이스를 통해 상기 하단 부분에 분리가능하게 연결가능하고, 상기 상단 부분은 하나 이상의 전자 접촉부를 통해 상기 하단 부분에 가역적으로 전기적으로 커플링가능함 - ;
결정된 시간에 하나 이상의 제어 신호를 생성하여 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트의 동작 조건을 스위칭하는 단계 - 상기 결정된 시간 이후에 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는 상기 하나 이상의 센서로부터 상기 하나 이상의 측정 파라미터를 수신하는 것을 중단함 -
를 포함하는, 방법. - 제44항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 접촉부는 하나 이상의 포고 핀을 포함하는 것인, 방법. - 제44항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 기판이 가열원으로부터 제거되는 시간인 것인, 방법. - 제44항에 있어서,
상기 하나 이상의 전자 컴포넌트는,
하나 이상의 프로세서;
통신 회로부;
메모리; 및
전력원
을 포함하는 것인, 방법. - 제47항에 있어서,
상기 결정된 시간은 상기 전자 어셈블리의 상기 하나 이상의 전자 컴포넌트 중 적어도 하나가 임계 온도에 도달하는 시간인 것인, 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202163135012P | 2021-01-08 | 2021-01-08 | |
| US63/135,012 | 2021-01-08 | ||
| US17/147,171 US20220223441A1 (en) | 2021-01-08 | 2021-01-12 | Process condition sensing apparatus |
| US17/147,171 | 2021-01-12 | ||
| PCT/US2021/065163 WO2022150204A1 (en) | 2021-01-08 | 2021-12-24 | Process condition sensing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230129014A true KR20230129014A (ko) | 2023-09-05 |
Family
ID=82323250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237021755A KR20230129014A (ko) | 2021-01-08 | 2021-12-24 | 프로세스 조건 감지 장치 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220223441A1 (ko) |
| JP (1) | JP2024503371A (ko) |
| KR (1) | KR20230129014A (ko) |
| CN (1) | CN116783458A (ko) |
| TW (1) | TW202232621A (ko) |
| WO (1) | WO2022150204A1 (ko) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7609512B2 (en) * | 2001-11-19 | 2009-10-27 | Otter Products, Llc | Protective enclosure for electronic device |
| US7042240B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-05-09 | Wells-Cti, Llc | Burn-in testing apparatus and method |
| US20110228506A1 (en) * | 2006-02-10 | 2011-09-22 | Kong-Chen Chen | Electronic assembly with detachable components |
| JP2012163525A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 温度測定器、成膜装置、及び成膜基板製造方法 |
| US10327343B2 (en) * | 2015-12-09 | 2019-06-18 | International Business Machines Corporation | Applying pressure to adhesive using CTE mismatch between components |
| US11150140B2 (en) * | 2016-02-02 | 2021-10-19 | Kla Corporation | Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
| US10460966B2 (en) * | 2016-06-15 | 2019-10-29 | Kla-Tencor Corporation | Encapsulated instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications |
| KR101984868B1 (ko) * | 2017-06-20 | 2019-06-11 | (주)이노페이스 | 고온 공정 진단용 웨이퍼 |
| US10359812B2 (en) * | 2017-12-12 | 2019-07-23 | Motorola Mobility Llc | Device component exposure protection |
| KR102136466B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2020-07-22 | 주식회사 이큐셀 | 고온 공정 진단이 가능한 웨이퍼 센서 |
-
2021
- 2021-01-12 US US17/147,171 patent/US20220223441A1/en active Pending
- 2021-12-24 KR KR1020237021755A patent/KR20230129014A/ko unknown
- 2021-12-24 JP JP2023541530A patent/JP2024503371A/ja active Pending
- 2021-12-24 CN CN202180086785.7A patent/CN116783458A/zh active Pending
- 2021-12-24 WO PCT/US2021/065163 patent/WO2022150204A1/en active Application Filing
-
2022
- 2022-01-07 TW TW111100652A patent/TW202232621A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024503371A (ja) | 2024-01-25 |
| TW202232621A (zh) | 2022-08-16 |
| WO2022150204A1 (en) | 2022-07-14 |
| US20220223441A1 (en) | 2022-07-14 |
| CN116783458A (zh) | 2023-09-19 |
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