KR20230128982A - 성형 방법, 성형 장치 및 물품 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 방법을 제공하며, 몰드는 접촉면 및 캐비티를 갖고, 방법은, 캐비티 내의 압력을 증가시켜 접촉면을 기판을 향한 볼록 형상으로 변형시키도록 캐비티 내에 기체를 공급하는 기체 공급 단계; 기판에 대하여 몰드를 상대적으로 기울이는 단계; 기체 공급 단계에서 접촉면이 변형되었고 상대적으로 기울이는 단계에서 몰드가 기울여진 상태에서, 접촉면과 기판 상의 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 단계; 및 접촉 단계에서 접촉면과 조성물이 서로 접촉하기 시작한 후, 접촉면의 변형량을 증가시키도록 캐비티 내에 기체를 더 공급하는 단계를 포함한다.

Description

성형 방법, 성형 장치 및 물품 제조 방법{FORMING METHOD, FORMING APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 방법, 성형 장치, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.

기판 상에 배치된 조성물과 몰드를 서로 접촉시킴으로써 기판 상의 당해 조성물을 성형하는 성형 기술이 알려져 있다. 이러한 성형 기술은 임프린트 기술 및 평탄화 기술에 적용될 수 있다. 임프린트 기술은, 오목부 및 볼록부를 구비한 패턴을 포함하는 접촉면을 갖는 몰드를 사용하고, 기판 상의 조성물과 접촉면이 서로 접촉하는 상태에서 조성물을 경화시킴으로써 기판 상의 조성물에 몰드의 패턴을 전사할 수 있다. 평탄화 기술은 평탄한 접촉면을 갖는 몰드를 사용하고, 기판 상의 조성물과 접촉면이 서로 접촉하는 상태에서 조성물을 경화시킴으로써 평탄한 상면을 갖는 조성물의 막을 기판 상에 형성할 수 있다.

임프린트 기술 및 평탄화 기술에서는, 기판 상의 조성물과 몰드를 서로 접촉시킬 때, 기판과 몰드 사이(즉, 기판 상의 조성물)에 기포가 잔존할 수 있다. 기포가 조성물에 혼입된 상태에서 조성물을 경화시키는 경우, 기포가 존재하는 위치에 결함(미충전 결함)이 발생할 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 몰드에 압력을 인가함으로써 몰드의 접촉면을 기판을 향한 볼록 형상으로 변형시킨 상태에서 기판 상의 조성물과 접촉면을 서로 접촉시킨다. 이에 의해, 몰드의 접촉면의 일부로부터 외측을 향해서 기판 상의 조성물과 접촉면을 서로 서서히 접촉시켜, 몰드와 기판 사이의 기체를 외측으로 압출할 수 있다. 따라서, 몰드와 기판 사이에 잔존하는 기포를 감소시킬 수 있다.

또한, 기판으로부터 얻어지는 제품 칩의 수율을 향상시키기 위해서, 기판의 주연부에 배치되고 접촉면의 일부하고만 접촉하는 샷 영역(불완전 샷 영역이라고 지칭되기도 함)에 대해서도 임프린트 기술 및 평탄화 기술을 행하는 것이 요망된다. 그러나, 상술한 바와 같은 불완전 샷 영역에 대해서는, 몰드의 접촉면이 볼록 형상으로 변형된 상태에서 기판 상의 조성물과 몰드의 접촉면을 서로 접촉시킬 경우, 몰드가 기판의 에지에 접촉(충돌)하고, 몰드 및/또는 기판이 손상될 수 있다. 이러한 기판의 에지와 몰드 사이의 접촉을 회피하는 방법의 일 예는 몰드가 볼록 형상으로 변형되고 기판에 대하여 기울여진 상태에서 기판 상의 조성물과 몰드의 접촉면을 서로 접촉시키는 방법이다. 일본 특허 제6423641호는 몰드가 볼록 형상으로 변형되고 기판에 대해 똑바로 대향하는 자세로부터 기판에 대해 기울여진 자세로 기울여진 상태에서 몰드를 기판 상의 임프린트재에 접촉시키는 방법을 기재하고 있다.

기판 상의 목표 위치에서 몰드의 접촉면과 기판 상의 조성물 사이의 접촉을 개시할 때, 볼록 형상으로의 접촉면의 변형량이 증가하면, 그에 따라 기판에 대한 몰드의 기울기량도 증가되어야 하고, 기판과 몰드가 서로 접촉할 수 있다. 즉, 몰드가 기판에 대하여 기울여진 상태에서 기판 상의 조성물과 몰드의 접촉면 사이의 접촉을 개시할 때, 접촉면의 변형량이 제한될 수 있다. 그 결과, 기판 상의 조성물과 몰드를 서로 접촉시킬 때, 기판과 몰드 사이에 잔존하는 기포가 불충분하게 감소될 수 있다.

본 발명은, 예를 들어 기판 상의 조성물을 정밀하게 성형하는데 유리한 기술을 제공한다.

본 발명의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 방법이 제공되며, 상기 몰드는 상기 기판 상의 조성물에 접촉되는 접촉면 및 상기 접촉면의 반대측의 표면에 제공되는 캐비티를 갖고, 상기 방법은, 상기 캐비티 내의 압력을 증가시켜서 상기 접촉면을 상기 기판을 향한 볼록 형상으로 변형시키도록 상기 캐비티 내에 기체를 공급하는 기체 공급 단계; 상기 기판에 대하여 상기 몰드를 상대적으로 기울이는 기울기 변경 단계; 상기 기체 공급 단계에서 상기 접촉면이 변형되었고 상기 상대적으로 기울이는 단계에서 상기 몰드가 기울여진 상태에서, 상기 접촉면과 상기 기판 상의 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 단계; 및 상기 접촉 단계에서 상기 접촉면과 상기 조성물이 서로 접촉하기 시작한 후, 상기 접촉면의 변형량을 증가시키도록 상기 캐비티 내에 상기 기체를 더 공급하는 단계를 포함한다.

본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.

도 1은 일 실시형태에 따른 임프린트 장치의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 2는 몰드 구동부의 구성예를 도시하는 개략도이다.
도 3은 기판 상의 복수의 샷 영역의 배열 예를 도시하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4d는 종래 기술에 따른 풀 샷 영역(full shot region)에 대한 접촉 처리를 도시하는 도면이다.
도 5a 내지 도 5d는 종래 기술에 따른 불완전 샷 영역에 대한 접촉 처리를 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 다른 종래 기술에 따른 접촉 처리를 도시하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7c는 공극 발생 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8c는 공극 발생 메커니즘을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명에 따른 불완전 샷 영역에 대한 접촉 처리의 예 1을 도시하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명에 따른 불완전 샷 영역에 대한 접촉 처리의 변형예를 각각 도시하는 도면이다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명에 따른 불완전 샷 영역에 대한 접촉 처리의 예 2를 도시하는 도면이다.
도 12a 내지 도 12f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 13a 내지 도 13d는 평탄화 처리를 설명하기 위한 도면이다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 한정하는 것으로 의도되지 않는 다는 것에 유의한다. 실시형태에는 다수의 특징이 설명되어 있지만, 이러한 모든 특징이 필요한 발명으로 제한되지 않으며, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부된 도면에서는, 동일하거나 유사한 구성에는 동일한 참조 번호가 부여되며, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.

본 명세서 및 첨부 도면에서는, 기판의 표면에 평행한 방향을 X-Y 평면으로 규정하는 XYZ 좌표계에서 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계의 X축, Y축 및 Z축에 평행한 방향이 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향이다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전 및 Z축 둘레의 회전이 각각 θX, θY 및 θZ이다. X축, Y축, 및 Z축에 관한 제어 또는 구동(이동)은 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, 및 Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동(이동)을 의미한다. 또한, θX축, θY축, 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 축 둘레의 회전, Y축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다.

도 1은 본 발명에 따른 일 실시형태의 임프린트 장치(IMP)의 구성예를 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(IMP)는 반도체 디바이스, 자기 저장 매체, 액정 표시 소자 등의 제조 단계인 리소그래피 단계에 채용되고, 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(IMP)는, 몰드를 사용해서 기판 상의 경화성 조성물(조성물)을 성형하는 성형 처리를 행하기 위해 사용되는 성형 장치로서 기능하고, 성형 처리로서, 경화성 조성물인 임프린트재를 성형하는 임프린트 처리를 행한다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치(IMP)는, 기판 상에 공급(배치)된 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써, 몰드의 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다. 몰드는 템플릿 또는 원판이라 칭해지는 경우가 있다는 것에 유의한다.

도 1을 참조하여 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(IMP)의 구성에 대해서 설명하면서, 임프린트 장치(IMP)에 의해 행해지는 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 임프린트 처리는 제어부(1)에 의해 제어된다. 제어부(1)는, 예를 들어 CPU 등의 프로세서 및 메모리 등의 저장 유닛을 포함하는 컴퓨터에 의해 형성되며, 임프린트 장치(IMP)의 각각의 유닛을 제어함으로써 임프린트 처리를 제어한다.

임프린트 장치(IMP)에는, 임프린트 처리의 대상으로서의 기판(11)이 기판 보유지지부(12)(기판 척) 상에 배치된다. 그리고, 임프린트 장치(IMP)는, 기판(11) 상의 복수의 샷 영역 중 임프린트 처리가 행해지는 대상 샷 영역을 공급부(3)의 하방에 배치하도록 기판 보유지지부(12)를 지지하는 기판 구동부(13)가 기판(11)을 X 및 Y 방향으로 구동하게 한다. 공급부(3)(디스펜서)는, 임프린트재(경화성 조성물)를 기판(11)을 향해서 토출함으로써 기판 상에 임프린트재를 공급(토출)하는 기구이다. 임프린트 장치(IMP)는, 공급부(3)의 하방에서 기판 구동부(13)가 기판(11)을 이동시키게 하면서 공급부(3)가 임프린트재를 토출하게 함으로써 기판 상에 임프린트재를 공급할 수 있다. X 및 Y 방향에서의 기판 구동부(13)(기판(11))의 위치는, 계측 유닛(4)에 의해 계측되며, 계측 유닛(4)의 계측 결과에 기초하여 제어부(1)에 의해 제어된다.

기판(11)의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 필요에 따라, 기판의 표면에, 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 기판(11)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 실리카 유리이다.

임프린트재로서는, 경화 에너지를 받는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 지칭됨)이 사용된다. 경화성 조성물은 광 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이들 중, 광 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 재료이다. 점성 재료의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1 mPa·s(포함) 내지 100 mPa·s(포함)이다.

여기서, 본 실시형태에서는, 임프린트재 공급 처리는 대상 샷 영역에 대해서만 행해질 수 있지만, 기판(11) 상의 복수의 샷 영역 중 2개 이상의 샷 영역에 대하여 한번에(일괄적으로) 행해질 수 있다. 임프린트재 공급 처리를 행하는 공급부(3)는, 임프린트 장치(IMP)의 구성요소로서 제공될 수 있지만, 임프린트 장치(IMP)의 외부 기구로서 제공될 수 있다. 이 경우, 임프린트재의 공급 처리는, 임프린트 장치(IMP)에 기판(11)을 반입하기 전에 기판(11)의 전체면에 대하여 사전에 행해질 수 있다.

임프린트재 공급 처리 후, 기판 구동부(13)는 기판(11)을 구동함으로써, 기판(11) 상의 대상 샷 영역의 일부 또는 대상 샷 영역 전체를 몰드(10)(접촉면(16))의 하방에 배치한다. 몰드(10)는, 몰드 보유지지부(9)(몰드 척)에 의해 보유지지되고, 몰드 구동부(8)에 의해 Z 방향으로 구동될 수 있다. 몰드(10)를 기판(11) 측(-Z 방향)으로 구동함으로써, 몰드(10)와 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작할 수 있다. 기판 구동부(13)에 의해 기판(11)을 몰드(10)의 하방에 배치하고 나서 몰드 구동부(8)에 의해 몰드(10)와 기판(11) 사이의 접촉을 개시할 때까지의 처리를 총칭하여 본 실시형태에서는 "접촉 개시 처리"라 지칭하는 경우가 있다. 또한, 접촉 개시 처리는 액체 접촉 처리라고 지칭되는 경우가 있다.

몰드(10)는, 예를 들어 직사각형 외형을 갖고, 통상, 석영 등 자외선을 투과할 수 있는 재료로 이루어질 수 있다. 몰드(10)의 기판 측에는, 예를 들어 약 몇십 μm의 단차를 갖는 메사 형상으로 형성된 메사부가 제공되고, 메사부의 기판 측의 표면은 기판 상의 임프린트재에 접촉되는 접촉면(16)으로서 기능한다. 본 실시형태에 따른 임프린트 장치(IMP)에서 사용되는 몰드(10)에서는, 접촉면(16)은 기판 상의 임프린트재에 전사해야 할 오목부 및 볼록부(디바이스 패턴 또는 회로 패턴)를 갖는 패턴이 형성된 패턴면으로서 형성된다. 평탄화 장치에 사용되는 몰드에서는, 접촉면(16)은 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 형성되어 있지 않은 평탄면으로서 형성된다는 것에 유의한다.

또한, 몰드(10)의 접촉면(16)의 반대측의 표면에는, 접촉면(16) 및 주변 부분의 두께를 감소시키도록, 캐비티(15)(오목부)가 형성된다. 캐비티(15)는, 몰드 보유지지부(9)에 의해 몰드(10)가 보유지지될 때 거의 밀폐된 공간(기체 챔버)이 된다. 캐비티(15)는 배관을 통해서 몰드 변형 유닛(14)에 연결되어 있다.

접촉 개시 처리에서는, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 몰드(10)의 캐비티(15)(기체 챔버) 내로의 기체의 공급량을 제어함으로써 캐비티 내의 압력을 제어하고, 이에 의해 몰드(10)의 접촉면(16)을 기판(11)을 향해서 휜 볼록 형상으로 변형시킨다. 몰드 변형 유닛(14)은, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키도록 캐비티(15) 내에 기체를 공급하는 기체 공급부로서 이해될 수 있다. 예를 들어, 몰드 변형 유닛(14)은 접촉 개시 처리에서 캐비티(15) 내로 압축 기체를 공급함으로써, 캐비티(15) 내의 압력을 캐비티(15) 외부의 압력보다 높게 한다. 이에 의해, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시켜, 몰드(10)와 기판 상의 임프린트재를 접촉면(16)의 일부(예를 들어, 중앙부)로부터 외측을 향해서 서로 서서히 접촉시킬 수 있다. 그 결과, 몰드(10)와 기판(11) 사이(즉, 기판 상의 임프린트재)에 잔존하는 기포를 감소시킬 수 있고, 기판 상의 임프린트재에 형성되는 패턴의 결함을 감소시킬 수 있다. 이러한 기포 감소 효과는, 몰드(10)의 볼록 형상으로의 변형량이 증가할수록 높아진다.

접촉 개시 처리에서 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후, 그 사이의 접촉면을 증가시키기 위해서, 몰드 구동부(8)는 몰드(10)를 기판(11) 측(-Z 방향)으로 더 구동한다. 이 구동은, 기판(11) 상의 임프린트재로부터 몰드(10)가 받은 힘(반력)에 기초하는 힘 제어에 의해 행해질 수 있지만, 몰드(10)와 기판(11) 사이의 Z 방향 거리에 기초하는 위치 제어에 의해 행해질 수 있다. 그리고, 기판(11) 상의 임프린트재가 몰드(10)의 접촉면(16)의 전체 영역에 걸쳐 퍼질 때까지, 캐비티(15)의 압력 제어와 몰드 구동부(8)의 제어를 병행해서 행한다. 이렇게 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후부터 몰드(10)의 접촉면(16)의 전체 영역에 걸쳐 임프린트재가 퍼질 때까지 행해지는 처리를 총칭하여 본 실시형태에서는 "가압 처리"라 지칭하는 경우가 있다. 또한, 접촉 개시 처리와 가압 처리를 일괄하여 "접촉 처리"라 지칭하는 경우가 있다. 접촉 처리에서는, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 대상 샷 영역 사이의 X 및 Y 방향의 정렬(중첩)이 행해질 수 있다.

여기서, 접촉 처리는, 몰드 구동부(8)에 의해 몰드(10)를 기판(11) 측(-Z 방향)으로 구동하는 것에 한하지 않고, 기판 구동부(13)에 의해 기판(11)을 몰드(10) 측(+Z 방향)으로 구동함으로써 행해질 수 있다. 대안적으로, 접촉 처리는 몰드 구동부(8) 및 기판 구동부(13)에 의해 몰드(10)와 기판(11)을 상대적으로 구동함으로써 행해질 수 있다. 본 실시형태의 접촉 처리에서는, 몰드 구동부(8)를 사용하는 방법에 대해서 설명한다. 그러나, 본 발명은 기판 구동부(13)를 사용하는 방법 또는 몰드 구동부(8) 및 기판 구동부(13)의 양쪽 모두를 사용하는 방법에도 마찬가지로 적용될 수 있다.

기판 구동부(13) 및 몰드 구동부(8)는, 기판(11)과 접촉면(16) 사이의 상대 위치를 조정하도록 기판(11) 및 몰드(10) 중 적어도 하나를 구동하는 구동 기구를 형성한다. 구동 기구에 의한 상대 위치의 조정은, 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)의 접촉면(16)을 접촉시키고, 기판 상의 임프린트재의 경화물로부터의 접촉면(16)을 분리하기 위한 구동을 포함한다. 기판 구동부(13)는, 기판(11)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, 및 θZ축을 포함하는 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축을 포함하는 6축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동부(8)는, 몰드(10)를 복수의 축(예를 들어, Z축, θX축, 및 θY축을 포함하는 3축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축을 포함하는 6축)에 대해서 구동하도록 구성된다.

몰드 구동부(8)는, 도 2에 예시되는 바와 같이, 몰드 보유지지부(9)(몰드(10))를 Z 방향으로 구동하는 3개의 구동 시스템(Z1, Z2, Z3)을 포함할 수 있다. 도 2에서는, 구동 시스템(Z1, Z2, Z3)이 배치되는 좌표의 예가 괄호 내에 나타내져 있다. 구동 시스템(Z1, Z2, Z3) 각각은, 예를 들어 Z 방향에서의 위치 및/또는 Z 방향으로 작용하는 힘을 검출하는 센서를 포함한다. 이들 센서로부터 출력에 기초하여, 몰드(10)의 위치 및 자세(기울기) 그리고 몰드(10)에 가해지는 힘을 제어할 수 있다. 예를 들어, 구동 시스템(Z1, Z2)이 몰드(10)를 기판(11) 측(-Z 방향)으로 구동하고 구동 시스템(Z3)이 몰드(10)를 기판(11)의 반대측(+Z 방향)으로 구동할 때, 몰드(10)는 θY 방향(Y축과 평행한 축 둘레의 회전 방향)으로 기울여질 수 있다. 이에 의해, 기판(11)에 대한 몰드(10)(접촉면(16))의 기울기 및/또는 면 내 형상에 따른 몰드(10)의 자세를 제어하는 것이 가능해진다. 즉, 몰드 구동부(8)는 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기를 변경하는 기울기 변경부로서 기능한다.

임프린트재가 몰드(10)의 접촉면(16)의 전체 영역에 걸쳐 퍼진 후, 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하고 있는 상태에서 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써 임프린트재를 경화시킨다. 경화 에너지로서는, 전자기파 또는 열이 사용된다. 전자기파는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 또는 자외선이다. 본 실시형태에서는, 경화 에너지는 광(예를 들어, 자외선)이다. 경화 에너지는 광원(5)으로부터 방출되어, 빔 스플리터(6), 릴레이 광학 시스템(7), 및 몰드(10)를 통해서 기판(11) 상의 임프린트재에 부여된다. 임프린트재가 몰드(10)의 접촉면(16)의 전체 영역에 걸쳐 퍼진 후에 임프린트재를 경화시키는 처리를 총칭하여 본 실시형태에서는 "경화 처리(노광 처리)"라고 지칭하는 경우가 있다.

임프린트재를 경화시킨 후, 몰드 구동부(8)를 기판(11)의 반대측(+Z 방향)으로 구동함으로써, 경화된 임프린트재로부터 몰드(10)의 접촉면(16)을 분리한다. 따라서, 기판(11) 상의 대상 샷 영역 상에 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성할 수 있다. 임프린트재가 경화된 후에 몰드(10)의 접촉면(16)을 임프린트재로부터 분리하는 처리를 총칭하여 본 실시형태에서는 "몰드 분리 처리"라고 지칭하는 경우가 있다.

전술한 임프린트 처리(접촉 처리(접촉 개시 처리 및 가압 처리), 경화 처리, 및 몰드 분리 처리)는 기판(11) 상의 복수의 샷 영역의 각각에 대하여 행해질 수 있다. 예를 들어, 임프린트 처리를 행해야 할 다른 샷 영역이 동일한 기판(11) 내에 존재하고 당해 다른 샷 영역 위로 임프린트재가 공급되어 있지 않은 경우, 다른 샷 영역에 대하여 임프린트재 공급 처리를 행한다. 그리고, 당해 다른 샷 영역을 몰드(10)(접촉면(16))의 하방에 배치하도록 기판 구동부(13)에 의해 기판(11)을 구동한 후, 대상 샷 영역으로서의 당해 다른 샷 영역에 대해 임프린트 처리(접촉 처리, 경화 처리, 및 몰드 분리 처리)를 행한다. 한편, 임프린트 처리를 행해야 할 다른 샷 영역이 동일한 기판(11) 내에 존재하지 않는 경우, 기판(11)은 기판 보유지지부(12)로부터 반출된다.

여기서, 기판(11)으로부터 얻어지는 제품 칩의 수율을 향상시키기 위해서, 임프린트 처리를 풀 샷 영역뿐만 아니라 불완전 샷 영역에 대해서도 행해지는 것이 요망된다. 풀 샷 영역은, 기판(11)의 중앙부에 배치되고 몰드(10)의 접촉면(16) 전체와 접촉하는 샷 영역이다. 풀 샷 영역은 전체 샷 영역 또는 완전 샷 영역이라고 지칭되는 경우가 있다. 불완전 샷 영역은 기판(11)의 주변부에 배치되며 몰드(10)의 접촉면(16)의 일부하고만 접촉하는 샷 영역이다. 불완전 샷 영역은 부분 샷 영역이라고 지칭되는 경우가 있다. 도 3은 기판(11)에서의 복수의 샷 영역(SH)의 배열 예를 나타내고 있다. 도 3에서, 샷 영역(21)은 풀 샷 영역의 일 예를 나타내고, 샷 영역(22)은 불완전 샷 영역의 일 예를 나타낸다.

접촉 처리에서, 전술한 불완전 샷 영역(22)에 대해서는, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 볼록 형상으로 변형된 몰드(10)의 접촉면(16)의 중심부(즉, 최하점이 되는 부분)가 기판(11)의 외측에 위치될 수 있다. 이 경우, 접촉 처리에서, 기판(11)의 에지에 몰드(10)의 접촉면(16)이 접촉(충돌)하고, 몰드 및/또는 기판이 손상될 수 있다. 즉, 이는 풀 샷 영역(21)에 대한 임프린트 처리와 불완전 샷 영역(22)에 대한 임프린트 처리 사이의 차이를 야기하는 요인이 될 수 있다.

도 4a 내지 도 4d는, 종래 기술을 나타내고, 풀 샷 영역(21)에 대하여 접촉 처리(접촉 개시 처리 및 가압 처리)를 행하는 경우에서의 몰드(10)의 자세(기울기) 및 캐비티(15) 내의 압력의 변화를 개략도 및 그래프를 사용해서 설명한다. 이하의 설명에서, 캐비티(15) 내의 압력은, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키기 위해서 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내에 공급되는 기체의 양(공급량)으로서 이해될 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 각각의 도면에서는, 도시의 간략화를 위해, 기판 상의 임프린트재는 도시하지 않는다.

도 4a는, 접촉 개시 처리(즉, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11)이 서로 접촉하기 시작하기 전)의 상태를 나타내고 있다. 도 4a에서는, 몰드(10)는, 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세를 갖는다. 즉, 몰드(10)와 기판(11)이 서로 평행해지도록 몰드(10)와 기판(11) 사이의 상대적 기울기가 조정된다. 또한, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키도록, 캐비티(15)에는, 외부로부터 기체(공기)가 들어가는 것으로 인해 몰드(10)가 몰드 보유지지부(9)로부터 떨어지지 않는 정도의 최대 압력에서 몰드 변형 유닛(14)에 의해 기체가 공급된다. 즉, 몰드(10)의 접촉면(16)의 변형량은 임프린트 장치(IMP)의 구성으로 인해 최대가 된다. 이에 의해, 몰드(10)와 기판(11) 사이에 잔존하는 기포를 감소시키는 효과를 최대화할 수 있다.

도 4b 내지 도 4d는, 가압 처리를 시간 순서로 전반, 중반, 및 후반으로 나누어서 나타낸다. 도 4b 및 도 4c에서는, 캐비티(15) 내의 압력은 높게 유지되고 몰드 구동부(8)에 의한 몰드(10)의 가압이 제어됨으로써, 몰드(10)의 접촉면(16) 상에서 임프린트재를 퍼뜨린다. 이러한 처리 동안, 몰드(10)의 자세는 외란으로 인해 도 4a의 자세로부터 약간 변화되지만, 목표 자세로서 기판(11)과 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과 중첩하도록 조정된 자세로 제어된다.

도 4d에서는, 몰드(10)의 접촉면(16) 전체에 걸쳐 임프린트재를 퍼뜨리기 위해서, 볼록 형상으로 변형된 몰드(10)의 접촉면(16)이 기판(11)과 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 형상이 되도록 캐비티(15) 내의 압력을 감소시킨다. 즉, 몰드(10)의 접촉면(16)의 변형량을 감소시키고 접촉면(16)과 기판(11)의 상면이 서로 평행해지도록, 캐비티(15) 내의 기체를 감소시킨다. 이러한 처리 동안에도, 도 4b 및 도 4c에서와 같이, 몰드(10)의 자세는, 외란으로 인해 도 4a 내지 도 4c의 자세로부터 약간은 변화하지만, 목표 자세로서 기판(11)과 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세로 제어된다.

도 5a 내지 도 5d는, 종래 기술을 나타내며, 불완전 샷 영역(22)에 대하여 접촉 처리(접촉 개시 처리 및 가압 처리)를 행하는 경우에서의 몰드(10)의 자세(기울기) 및 캐비티(15) 내의 압력의 변화를, 개략도 및 그래프를 사용해서 설명한 것이다. 불완전 샷 영역(22)에 대한 접촉 처리에서는, 불완전 샷 영역(22)의 목표 위치에서 몰드(10)의 접촉면(16)과 불완전 샷 영역(22) 상의 임프린트재 사이의 접촉을 개시하기 위해서, 몰드 구동부(8)에 의해 몰드(10)가 기판(11)에 대하여 상대적으로 기울여진다.

도 5a는, 접촉 개시 처리(즉, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11)이 서로 접촉하기 시작하기 전)의 상태를 나타낸다. 몰드(10)는, 접촉면(16)이 기판(11)으로부터 외측을 향하도록, 몰드 구동부(8)에 의해 기판(11)에 대하여 상대적으로 기울여진다. 기판(11)에 대한 몰드(10)의 상대적 기울기량은, 예를 들어 기판(11)의 상면과 평행한 기준면(S1)에 대하여 몰드 보유지지부(9)에 의해 보유지지되는 몰드(10)의 표면(S2)(피보유지지면)을 기울이는 양(α)으로서 정의될 수 있다. 또한, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키도록, 기체가 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내에 공급된다. 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 간단히 변형시키는 것만으로, 접촉면(16)의 최하점이 기판(11)의 외측에 위치된다. 따라서, 접촉면(16)의 최하점을 기판(11)의 내측(목표 위치)으로 어긋나게 하기 위해서, 몰드(10)는 기판(11)에 대하여 기울여진다. 이 상태에서, 몰드(10)를 기판(11)을 향해서 구동하면, 불완전 샷 영역(22)의 목표 위치에서 접촉면(16)은 기판 상의 임프린트재와 최초에 접촉할 수 있다.

여기서, 불완전 샷 영역(22)에 대한 접촉 개시 처리에서는, 풀 샷 영역(21)의 접촉 개시 처리와 비교해서 캐비티(15) 내의 압력이 낮은 값으로 설정된다. 이것은, 불완전 샷 영역(22)의 목표 위치에서 접촉면(16)과 임프린트재 사이의 접촉을 개시할 경우, 접촉면(16)의 변형량을 증가시키면, 그에 따라 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기량도 크게 증가해야 하기 때문이다. 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기량이 증가되면, 몰드(10)(예를 들어, 몰드(10) 자체의 에지)와 기판(11)이 서로 접촉할 가능성이 높아진다.

도 5b에서는, 풀 샷 영역(21)의 경우와 마찬가지로, 캐비티(15) 내의 압력을 유지하면서 몰드 구동부(8)에 의한 몰드(10)의 가압을 제어하고, 이에 의해 몰드(10)의 접촉면(16) 상에 임프린트재를 퍼뜨린다. 이때, 불완전 샷 영역(22)에 대한 접촉 개시 처리에서는, 풀 샷 영역(21)의 경우와 비교해서 캐비티(15) 내의 압력이 낮다(즉, 접촉면(16)의 변형량이 작다). 따라서, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 기포가 들어가기 쉬워진다. 즉, 공극(미충전 결함)이 발생하기 쉬워진다.

그 후, 도 5c에서는, 몰드 구동부(8)에 의한 몰드(10)의 가압을 제어함으로써 임프린트재를 퍼뜨리면서, 몰드(10)의 자세를 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세로 복귀시킨다. 즉, 도 5c에서는, 몰드(10)와 기판(11)이 서로 평행해지도록, 예를 들어 몰드(10)의 피보유지지면(S2)을 기준면(S1)에 일치시키도록, 도 5a에서 변경된 몰드(10)의 기울기량(자세)을 복귀시킨다. 또한, 도 5d에서는, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11)(상면)이 서로 평행해지도록, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내의 기체(즉, 캐비티(15) 내의 압력)을 감소시킴으로써 접촉면(16)의 변형량을 감소시킨다.

이러한 방식으로, 불완전 샷 영역(22)에 대한 접촉 개시 처리에서는, 기판(11)에 대하여 몰드(10)를 기울이기 때문에, 그에 따라 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키는 변형량이 제한된다. 그 결과, 몰드(10)의 접촉면(16) 상에 임프린트재를 퍼뜨릴 때에 몰드(10)와 기판(11) 사이에 기포가 들어가기 쉽고, 공극(미충전 결함)이 발생할 가능성이 높아질 수 있다.

도 6a 내지 도 6d는, 다른 종래 기술을 나타내며, 몰드(10)의 자세(기울기) 및 캐비티(15) 내의 압력의 변화를, 개략도 및 그래프를 사용해서 설명한다. 도 6a 내지 도 6d는, 종래 기술의 과제의 설명의 간략화을 위해서, 몰드(10)가 불완전 샷 영역(22)의 경우와 유사한 양으로 기울여진 풀 샷 영역(21)의 경우를 개략적으로 도시한다.

도 6a는 접촉 개시 처리의 상태를 나타낸다. 도 6a에서는, 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기량(자세)은 도 5a에 도시된 예와 동일하며, 캐비티(15) 내의 압력은 도 4a에 도시된 예와 유사하다.

도 6b 내지 도 6c에서는, 몰드(10)의 기울기량(자세)을 유지시키면서 몰드 구동부(8)에 의한 몰드(10)의 가압을 제어하고, 이에 의해 몰드(10)의 접촉면(16) 상에 임프린트재를 퍼뜨린다. 이 예에서는, 도 5b에 도시된 예와는 달리, 캐비티(15) 내의 압력이 도 4b에 도시된 예와 마찬가지로 높게 유지된다. 따라서, 접촉 개시 처리 동안에, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 들어가는 기포가 감소된다.

여기서, 몰드(10)의 접촉면(16) 전체에 걸쳐 임프린트재를 퍼뜨리기 위해서는, 어떤 타이밍에서 몰드(10)의 자세를 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세로 복귀시켜야 한다. 즉, 몰드(10)와 기판(11)이 서로 평행해지도록, 즉 몰드(10)의 피보유지지면(S2)을 기준면(S1)에 일치시키도록, 도 6a에서 변경된 몰드(10)의 기울기량(자세)을 복귀시켜야 한다. 따라서, 도 6d에서는, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내의 기체(즉, 캐비티(15) 내의 압력)를 감소시킴으로써 접촉면(16)의 변형량을 감소시키면서 몰드(10)의 자세를 복귀시킨다. 그러나, 도 6d에 도시된 바와 같이 접촉면(16)의 변형량을 감소시키면서 몰드(10)의 자세를 복귀시키면, 도 5b에서와 같이 공극이 발생할 수 있다.

이하, 도 6c 및 도 6d에서 공극이 발생하는 메커니즘에 대해서, 도 7a 내지 도 7c 및 도 8a 내지 도 8c를 참고해서 설명한다. 도 7a 내지 도 7c 각각은 도 6a 내지 도 6d에 도시된 예에서의 접촉면(16) 부근의 확대도를 나타낸다. 도 7a는 도 6c에 대응하며, 도 7c는 도 6d에 대응한다. 도 7b는 도 7a와 도 7c 사이의 상태를 나타낸다. 도 8a 내지 도 8c 각각은 도 7a 내지 도 7c와의 비교를 위해서 도 4a 내지 도 4d에 도시된 예에서의 접촉면(16) 부근의 확대도를 나타낸다. 도 8a는 도 4c에 대응하며, 도 8c는 도 4d에 대응한다. 도 8b는 도 8a와 도 8c 사이의 상태를 나타낸다.

도 7a는, 캐비티(15) 내의 압력을 증가시킴으로써 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시킨 상태에서 몰드(10)를 기울이면서 몰드(10)의 접촉면(16) 상에서 임프린트재를 퍼뜨리는 상태를 나타낸다. 이때, 접촉면(16)의 하나의 에지로부터 기판(11)까지의 거리(d1)와 접촉면(16)의 다른 에지로부터 기판(11)까지의 거리(d2) 사이에 차이가 발생한다. 접촉 처리에서, 접촉면(16)과 기판(11) 사이의 거리를 빠르게 감소시키는 것은, 공극을 야기할 수 있는 기포를 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 가두는 위험을 증가시킬 수 있다.

이어서, 도 7b는 캐비티(15) 내의 압력을 감소시키면서 몰드(10)의 기울기를 복귀시키는 상태를 나타낸다. 이러한 방식으로 캐비티(15) 내의 압력 및 몰드(10)의 기울기를 제어함으로써, 거리(d1)와 거리(d2)를 서로 유사하게 할 수 있다. 그러나, 거리(d1)의 변화에 대해서 착안하면, 도 8a 내지 도 8c에 도시된 예(몰드(10)를 기울이지 않고 접촉 처리를 행하는 예)와 비교하여, 몰드(10)의 기울기량만큼 거리(d1)의 변화량이 커진다. 그 결과, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 기포가 갇힐 가능성이 높고, 공극이 발생하기 쉽다.

이상, 불완전 샷 영역(22)에 대한 종래 기술에서의 과제를 설명했다. 이 설명에 따르면, 풀 샷 영역(21)에서 필요한 것과 유사한 처리 시간(시퀀스 시간)으로 그리고 감소된 공극 발생으로 불완전 샷 영역(22)에서 기판(11) 상에 임프린트재를 형성하기 위해서는, 이하의 2개의 요건이 필요하다.

(1) 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 직후에 접촉면(16)의 변형량(볼록 형상)을 증가시킨다.

(2) 접촉면(16)의 변형량(볼록 형상)이 큰 상태에서 몰드(10)의 자세를 복귀시킨다.

따라서, 본 실시형태에 따른 임프린트 처리(접촉 처리)에서는, 몰드(10)의 접촉면(16)이 볼록 형상으로 변형되고 몰드(10)가 기판(11)에 대하여 기울여진 상태에서, 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 그리고, 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후, 접촉면(16)의 변형량을 증가시키도록 캐비티(15) 내에 기체를 더 공급하는 기체 증가 단계를 실행한다. 이에 의해, 도 5b에 도시된 예에서 설명한 바와 같이 발생하는 공극을 감소시킬 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 임프린트 처리에서는, 접촉면(16)의 변형량을 감소시키도록 캐비티(15) 내의 기체를 감소시키는 기체 감소 단계와, 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기를 감소시키는(즉, 몰드(10)의 기울기를 복귀시키는) 기울기 감소 단계가 행해진다. 기체 감소 단계는 기체 증가 단계 후에 행해진다. 기울기 감소 단계는 기체 증가 단계를 개시하고 나서 기체 감소 단계를 개시할 때까지의 기간에 행해진다. 이에 의해, 도 6d에 도시된 예에서 설명한 바와 같이 발생하는 공극을 감소시킬 수 있다.

[예 1]

이하, 본 발명에 따른 예 1에 대해서 설명한다. 도 9a 내지 도 9d는, 본 실시형태에 따른 예 1을 나타내고, 불완전 샷 영역(22)에 대하여 접촉 처리(접촉 개시 처리 및 가압 처리)를 행하는 경우에서의 몰드(10)의 자세(기울기) 및 캐비티(15) 내의 압력의 변화를, 개략도 및 그래프를 사용해서 설명한다. 전술한 바와 같이, 캐비티(15) 내의 압력은, 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형시키기 위해서 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내에 공급되는 기체의 양(공급량)으로서 이해될 수 있다. 또한, 이하에 설명되는 각각의 도면에서는, 도시의 간략화를 위해, 기판 상의 임프린트재는 도시하지 않는다.

도 9a는 접촉 개시 처리의 상태를 나타내고 있다. 몰드(10)는, 접촉면(16)이 기판(11)으로부터 외측을 향하도록, 몰드 구동부(8)에 의해 기판(11)에 대하여 상대적으로 기울여진다(기울기 변경 단계(S31)). 또한, 캐비티(15) 내의 압력을 증가시켜서 몰드(10)의 접촉면(16)을 볼록 형상으로 변형하도록, 몰드 변형 유닛(14)이 캐비티(15) 내에 기체를 공급한다(기체 공급 단계(S32)). 이 상태에서, 몰드(10)와 기판(11) 사이의 간극을 좁히도록 몰드 구동부(8)가 몰드(10)를 -Z 방향으로 구동함으로써, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨다. 여기서, 캐비티(15) 내의 압력은, 전술한 도 5a에 도시된 예와 마찬가지로, 풀 샷 영역(21)의 경우와 비교해서 낮은 값으로 설정된다. 그 이유는 도 5a를 참고하여 설명한 바와 같다.

도 9b는 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 직후의 상태를 나타낸다. 접촉면(16)과 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후, 캐비티(15) 내의 압력을 증가시키고 접촉면(16)의 변형량을 증가시키도록, 캐비티(15) 내에 기체가 더 공급된다(기체 증가 단계(S33)). 이러한 방식으로 캐비티(15) 내의 기체를 증가시켜 접촉면(16)의 볼록 형상(변형량)을 증가시킴으로써, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 기포가 갇히는 것을 방지하면서 임프린트재를 퍼뜨릴 수 있다.

도 9c는, 전 단계의 도 9b에서 캐비티(15) 내의 압력을 증가시킴으로써 볼록 형상이 증가한 접촉면(16)에 의해 몰드 구동부(8)에 의한 가압을 제어하고, 이에 의해 임프린트재를 접촉면(16) 상에서 퍼뜨리는 상태를 나타낸다. 또한, 이 처리 동안, 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기를 감소시킴으로써 몰드(10)의 자세가 복귀된다(기울기 감소 단계(S34)). 즉, 몰드(10)의 자세는, 기판(11)으로부터 외측으로 기울여진 자세로부터 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세로 복귀된다. 이 단계에 의해, 몰드(10)의 자세(기울기) 및 접촉면(16)의 볼록 형상은 공극의 발생이 비교적 적은 풀 샷 영역(21)의 예를 나타내는 도 4c와 유사해진다고 말할 수 있다. 이러한 방식으로, 전 단계의 도 9b에서 접촉면(16)의 볼록 형상을 증가시키고 이 상태에서 몰드(10)의 자세를 복귀시키면, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 사이에 갇힌 기포에 의해 야기되는 공극 발생을 감소(방지)할 수 있다.

도 9d에서는, 몰드(10)의 접촉면(16) 전체면에 걸쳐 임프린트재를 퍼뜨리기 위해서, 볼록 형상으로 변형된 접촉면(16)을 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 형상으로 하도록 캐비티(15) 내의 압력을 감소시킨다. 즉, 접촉면(16)과 기판(11)이 서로 평행해지도록, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내의 기체를 감소시킴으로써, 캐비티(15) 내의 압력을 감소시키고 몰드(10)의 접촉면(16)의 변형량을 감소시킨다(기체 감소 단계(S35)). 이 처리 동안, 도 4b 및 도 4c에서와 같이, 몰드(10)의 자세는 외란으로 인해 약간 변화하지만, 목표 자세로서 기판(11)과 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 자세로 제어된다.

도 9a 내지 도 9d를 참고해서 설명한 예 1의 임프린트 처리(접촉 처리)는, 전술한 2개의 요건((1) 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 직후에 접촉면(16)의 변형량(볼록 형상)이 증가한다 및 (2) 접촉면(16)의 변형량(볼록 형상)이 큰 상태에서 몰드(10)의 자세를 복귀시킨다)을 충족한다. 따라서, 예 1의 임프린트 처리(접촉 처리)에 의해, 풀 샷 영역(21)에 대해 필요한 것과 유사한 처리 시간으로 그리고 감소된 공극 발생으로 불완전 샷 영역(22)에서 기판(11) 상의 임프린트재를 성형할 수 있다.

여기서, 도 9a 내지 9d에서는, "캐비티(15) 내의 압력 증가 개시" → "캐비티(15) 내의 압력 증가 종료" → "몰드(10)의 자세 복귀 개시" → "몰드(10)의 자세 복귀 종료"의 순서로 처리를 행하는 예를 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 요구되는 처리 시간(시퀀스 시간), 허용되는 공극의 크기, 및 허용되는 공극의 수에 따라서, 캐비티(15)의 압력 제어와 몰드(10)의 자세 제어의 순서 및 타이밍을 변경할 수 있다. 그러나, 기울기 감소 단계(S34)를 기체 증가 단계(S33)의 개시로부터 기체 감소 단계(S35)의 개시까지의 기간에 행하는 것이 요건이다. 도 10a 내지 도 10d 각각은, 도 9a 내지 도 9d로 나타낸 순서와는 상이한 순서로 행해지는 불완전 샷 영역(22)에 대한 임프린트 처리(접촉 처리), 즉 불완전 샷 영역(22)에 대한 임프린트 처리(접촉 처리)의 변형예를 나타낸다.

도 10a는, 처리가 "캐비티(15) 내의 압력 증가 개시" → "몰드(10)의 자세 복귀 개시" → "캐비티(15) 내의 압력 증가 종료" → "몰드(10)의 자세 복귀 종료"의 순서로 행해지는 예를 나타낸다. 도 10a에 도시된 예에서의 기울기 감소 단계(S34)는, 기체 증가 단계(S33)가 개시된 후에 개시되고, 기체 증가 단계(S33)가 종료된 후 및 기체 감소 단계(S35)가 개시되기 전에 종료된다.

도 10b는, 처리가 "캐비티(15) 내의 압력의 증가 개시" → "몰드(10)의 자세 복귀 개시" → "캐비티(15) 내의 압력 증가 및 몰드(10)의 자세 복귀의 동시 종료"의 순서로 행해지는 예를 나타낸다. 도 10b에 도시된 예에서의 기울기 감소 단계(S34)는, 기체 증가 단계(S33)가 개시된 후에 개시되고, 기체 증가 단계(S33)의 종료와 동시에 종료된다. 기울기 감소 단계(S34)는 기체 증가 단계(S33)가 개시된 후에 개시되고 기체 증가 단계(S33)가 종료되기 전에 종료될 수 있다는 것에 유의한다.

도 10c는, 처리가 "캐비티(15) 내의 압력 증가 및 몰드(10)의 자세 복귀의 동시 개시" → "캐비티(15) 내의 압력 증가 종료" → "몰드(10)의 자세 복귀 종료"의 순서로 행해지는 예를 나타낸다. 도 10c에 도시된 예에서의 기울기 감소 단계(S34)는, 기체 증가 단계(S33)의 개시와 동시에 개시되고, 기체 증가 단계(S33)가 종료된 후 및 기체 감소 단계(S35)가 개시되기 전에 종료된다.

도 10d는, 처리가 "캐비티(15) 내의 압력 증가 및 몰드(10)의 자세 복귀의 동시 개시" → "캐비티(15) 내의 압력 증가 및 몰드(10)의 자세 복귀의 동시 종료"의 순서로 행해지는 예를 나타낸다. 도 10d에 도시된 예에서의 기울기 감소 단계(S34)는, 기체 증가 단계(S33)의 개시와 동시에 개시되고, 기체 증가 단계(S33)의 종료와 동시에 종료된다. 기울기 감소 단계(S34)는 기체 증가 단계(S33)가 개시된 후에 개시될 수 있다는 것에 유의한다. 또한, 기울기 감소 단계(S34)는 기체 증가 단계(S33)가 종료되기 전에 종료될 수 있다.

이상, 도 9a 내지 도 9d 및 도 10a 내지 도 10d를 참고해서 본 발명에 따른 임프린트 처리(접촉 처리)의 5개의 예를 설명했다. 5개의 예 모두는, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후에 접촉면(16)의 변형량이 증가되고, 접촉면(16)의 변형량이 증가된 상태에서 몰드(10)의 자세가 복귀된다는 점에서 공통된다. 어느 예에서도, 몰드(10)의 자세 복귀의 개시(즉, 기울기 감소 단계(S34)의 개시)가 캐비티(15) 내의 압력 증가의 개시(즉, 기체 증가 단계(S33)의 개시)보다 선행하는 일은 없다. 또한, 몰드(10)의 자세 복귀의 종료(즉, 기울기 감소 단계(S34)의 종료)가 캐비티(15) 내의 압력 감소의 개시(즉, 기체 감소 단계(S35)의 개시)보다 후행하는 일은 없다.

위에서 캐비티(15) 내의 압력 증가의 개시 및 종료와 몰드(10)의 자세 복귀의 개시 및 종료에 대해서 설명했다. 이들 단계를 접촉 처리(접촉 개시 처리 및 가압 처리)에서 행하는 구체적인 타이밍을 결정하는 몇 가지 방법이 있을 수 있다. 예를 들어, 접촉면(16) 상에 퍼지는 임프린트재를 실시간으로 촬영하는 촬상 소자(도시되지 않음)에 의해 획득되는, 각각의 경과 시간에 접촉면(16) 상에서 퍼지는 임프린트재를 나타내는 화상을 사용해서 타이밍을 결정할 수 있다. 임프린트재의 성형 후의 기판(11) 상의 공극 발생 위치와 각각의 경과 시간에 접촉면(16) 상에서 퍼지는 임프린트재를 나타내는 화상을 비교함으로써, 캐비티(15) 내의 압력 증가의 개시 시간 및 종료 시간과 몰드(10)의 자세 복귀의 개시 시간 및 종료 시간을 조정할 수 있다.

상술한 바와 같이, 예 1의 임프린트 처리(접촉 처리)에서는, 접촉면(16)의 변형량을 증가시키기 위해 캐비티(15) 내로 기체를 더 공급하는 기체 증가 단계는 접촉면(16)과 기판(11) 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후에 행해진다. 또한, 예 1의 임프린트 처리(접촉 처리)에서는, 기판(11)에 대한 몰드(10)의 기울기를 감소시키는 기울기 감소 단계는 기체 증가 단계의 개시로부터 기체 감소 단계의 개시까지의 기간에 행해질 수 있다. 기체 감소 단계는 접촉면(16)의 변형량을 감소시키도록 캐비티(15) 내의 기체를 감소시키는 단계이다. 이에 의해, 예를 들어, 불완전 샷 영역(22)에 대한 임프린트 처리(접촉 처리)에서, 공극 발생을 감소시키고 기판 상의 임프린트재를 정확하게 성형할 수 있다.

[예 2]

이하, 본 발명에 따른 예 2에 대해서 설명한다. 예 2에서는, 기판(11)의 에지부가 패턴 형성면보다 높은 경우의 몰드(10)의 자세 제어에 대해서 도 11a 내지 도 11d를 참고해서 설명한다. 기판(11)의 패턴 형성면은, 임프린트재가 배치되고 몰드(10)의 패턴이 전사(형성)되는 표면이다. 기판(11)의 에지부는 패턴 형성면을 둘러싸는 부분이다. 도 11a 내지 도 11d에 나타내는 기판(11)에서는, 프로세스 제조 과정을 통해 기판(11)의 패턴 형성면보다 에지부가 높아진다. 예 2는 이러한 기판(11)의 불완전 샷 영역(22)에 대하여 임프린트 처리(접촉 처리)를 행하는 경우에 유효한 방법이다. 예 2는 예 1을 기본적으로 이어받으며, 이하에서 설명하는 사항 이외에는 예 1에서 설명한 것과 동일하다는 것에 유의한다.

패턴 형성면보다 에지부가 높은 기판(11)에 대해서는, 전술한 예 1에서와 같이 기판(11)과 똑바로 대향하는 자세로 몰드(10)를 복귀시키면, 기판(11)과 몰드(10)의 접촉면(16)이 임프린트재를 개재하지 않고 서로 접촉할 수 있다. 이 상황에서는, 기판 구동부(13)가 기판(11)을 구동해서 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판(11) 상의 샷 영역 사이의 정렬(중첩)을 행할 때에, 접촉면(16)을 변형시키는 큰 힘이 X 및 Y 방향에서 발생하고, 이는 정렬 정밀도(중첩 정밀도)를 저하시킬 수 있다. 예 2에 따르면, 이러한 과제를 회피할 수 있다.

도 11a 및 11b에서는, 예 1에서 설명한 도 9a 및 도 9b에서와 같이, 캐비티(15) 내의 압력 및 몰드(10)의 자세(기울기)를 제어하고, 임프린트재를 퍼뜨리기를 개시한다. 이어서, 도 11c에서는, 몰드(10)의 접촉면(16)과 기판 상의 임프린트재가 서로 접촉하기 시작한 후에, 접촉면(16) 상의 임프린트재를 퍼뜨리는 과정 동안 기울기 증가 단계(S36)가 행해진다. 기울기 증가 단계(S36)는 접촉면(16)이 기판(11)의 에지부에 접촉하지 않도록 몰드(10)를 기판(11)에 대하여 더 기울이는 단계이다.

도 11d에서는, 접촉면(16) 전체에 걸쳐 임프린트재를 퍼뜨리기 위해서, 볼록 형상으로 변형된 접촉면(16)을 기판(11)에 대해 똑바로 대향하거나 또는 기판(11)과의 중첩을 위해 조정된 형상으로 하도록 캐비티(15) 내의 압력을 감소시킨다. 즉, 접촉면(16)과 기판(11)이 서로 평행해지도록, 몰드 변형 유닛(14)에 의해 캐비티(15) 내의 기체를 감소시킴으로써, 캐비티(15) 내의 압력을 감소시키고 몰드(10)의 접촉면(16)의 변형량을 감소시킨다(기체 감소 단계(S35)). 몰드(10)의 기울기에 대해서는, 도 11c에 도시된 기울기 증가 단계(S36)에서 몰드(10)가 더 기울여진 상태로 기판 상의 임프린트재를 경화시키고, 몰드(10)의 기울기를 감소시키는 기울기 감소 단계는 행해지지 않는다.

<물품 제조 방법의 실시형태>

본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 물품, 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 또는 미세 구조를 갖는 디바이스를 제조하는데 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 상술한 성형 방법(임프린트 방법)을 사용해서 기판 상의 조성물(임프린트재)을 성형하는 성형 단계, 및 성형 단계에서 성형된 조성물을 갖는 기판을 가공하는 가공 단계를 포함한다. 제조 방법은, 다른 주지의 단계(산화, 성막, 퇴적, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 제거, 다이싱, 본딩, 패키징 등)를 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은 종래의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 종래의 방법에 비해 더 유리하다.

전술한 성형 방법(임프린트 방법)을 사용해서 성형한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는 DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드 등이다.

경화물의 패턴은 전술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.

이어서, 성형 방법으로서 임프린트 방법을 사용하여 물품을 제조하는 구체적인 방법에 대해서 설명한다. 도 12a에 나타내는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로서 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.

도 12b에 나타내는 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)의, 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)에 대향하도록 지향시킨다. 도 12c에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화용의 에너지를 몰드(4z)를 통해서 임프린트재(3z)에 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.

도 12d에 나타내는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후, 몰드(4z)를 기판(1z)으로부터 분리한다. 그 후, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)의 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 전사되게 된다.

도 12e에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용해서 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 12f에 나타내는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴은 제거된다. 그러나, 가공 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.

<평탄화 처리의 실시형태>

전술한 실시형태에서는, 몰드로서 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 형성된 회로 패턴 전사 몰드를 설명했다. 그러나, 몰드는 오목부 및 볼록부를 갖는 패턴이 형성되어 있지 않은 평탄면을 접촉면으로서 갖는 몰드(평면 템플릿)일 수 있다. 평면 템플릿은 평탄면에 의해 기판 상의 조성물이 평탄화되도록 성형을 행하는 평탄화 처리(성형 처리)를 행하는 평탄화 장치(성형 장치)에 사용된다. 평탄화 처리는, 기판 상에 공급된 경화성 조성물에 평면 템플릿의 평탄면(접촉면)을 접촉시킨 상태에서, 광 조사 또는 가열에 의해 경화성 조성물을 경화시키는 경화 단계를 포함한다. 전술한 바와 같이, 본 실시형태는 평면 템플릿을 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하도록 구성되는 성형 장치에 적용될 수 있다.

기판 상의 하부 패턴은 전 단계에서 형성된 패턴에 기인하는 요철 프로파일을 갖는다. 특히, 최근의 메모리 소자의 다층 구조화에 수반하여, 기판(프로세스 웨이퍼)은 약 100 nm의 단차를 가질 수 있다. 기판 전체의 완만한 파상에 기인하는 단차는, 포토리소그래피 단계에서 사용되는 노광 장치(스캐너)의 포커스 추종 기능에 의해 보정될 수 있다. 단, 노광 장치의 노광 슬릿 면적 내에 수렴되는 작은 피치를 갖는 요철은 그대로 노광 장치의 초점 심도(DOF)(Depth Of Focus)를 소비한다. 기판의 하부 패턴을 평탄화하는 종래 기술로서, SOC(Spin On Carbon) 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 등의 평탄화층을 형성하는 기술이 사용된다. 그러나, 종래 기술에서는, 도 13a에 나타내는 바와 같이, 고립 패턴 영역(A)과 반복적인 조밀(라인& 스페이스 패턴의 밀집) 패턴 영역(B) 사이의 경계 부분에서 40% 내지 70%의 요철 억제율만이 얻어지며, 충분한 평탄화 성능을 얻을 수 없다. 금후 다층화된 구조에 의해 야기되는 하부 패턴의 요철 차는 더 증가하는 경향이 있다.

이 문제에 대한 해결책으로서, 미국 특허 제9,415,418호는, 잉크젯 디스펜서에 의한 평탄화층으로서의 레지스트의 도포와 평면 템플릿에 의한 가압에 의해 연속막을 형성하는 기술을 제안하고 있다. 또한, 미국 특허 제8,394,282호에는, 기판 측의 토포그래피 계측 결과를 잉크젯 디스펜서에 의한 도포를 지시하는 각각의 위치마다의 밀도 정보에 반영하는 기술을 제안한다. 임프린트 장치(IMP)는, 특히, 미리 도포된 미경화 레지스트에 대하여 몰드로서의 평면 템플릿을 가압해서 기판 표면 내의 국소 평탄화를 행하는 평탄화 가공(평탄화) 장치로서 적용될 수 있다.

도 13a는 평탄화 가공 전의 기판을 나타낸다. 고립 패턴 영역(A)에는, 패턴 볼록부의 면적이 작다. 반복적인 조밀 패턴 영역(B)에서, 패턴 볼록부의 면적 대 패턴 오목부의 면적의 비는 1:1이다. 고립 패턴 영역(A)과 반복적인 조밀 패턴 영역(B)의 평균 높이는 패턴 볼록부의 비에 따라 변한다.

도 13b는 평탄화층을 형성하는 레지스트를 기판에 도포한 상태를 나타낸다. 도 13b는 미국 특허 제9,415,418호에 제안된 기술에 기초하여 잉크젯 디스펜서에 의해 레지스트를 도포한 상태를 나타낸다. 그러나, 레지스트의 도포에는 스핀 코터를 사용할 수 있다. 바꾸어 말하면, 미리 도포된 미경화 레지스트에 대하여 평면 템플릿을 가압해서 레지스트를 평탄화하는 단계가 포함되는 경우, 임프린트 장치(IMP)가 적용될 수 있다.

도 13c에 나타내는 바와 같이, 평면 템플릿은 자외선을 통과시키는 유리 또는 석영으로 구성되며, 레지스트는 광원으로부터의 자외선의 조사에 의해 경화된다. 평면 템플릿은, 기판 전체의 완만한 요철에 대하여는, 기판 표면의 프로파일을 따른다. 레지스트가 경화된 후, 도 13d에 나타내는 바와 같이 레지스트로부터 평면 템플릿을 분리한다.

<다른 실시형태>

본 발명의 실시형태(들)는, 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체(더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'라 칭할 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독 및 실행하고 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하는 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행함으로써 그리고/또는 전술한 실시형태(들) 중 하나 이상의 기능을 실행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 상기 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 실행되는 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 유닛(CPU), 마이크로 처리 유닛(MPU))를 포함할 수 있고 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독 및 실행하기 위한 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어는 예를 들어 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는, 예를 들어 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 읽기 전용 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광학 디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)™), 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.

(기타의 실시예)

본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.

또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.

본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (15)

1. 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 방법이며, 상기 몰드는 상기 기판 상의 상기 조성물에 접촉되는 접촉면 및 상기 접촉면의 반대측의 표면에 제공되는 캐비티를 갖고, 상기 방법은,
   상기 캐비티 내의 압력을 증가시켜 상기 접촉면을 상기 기판을 향한 볼록 형상으로 변형시키도록 상기 캐비티 내에 기체를 공급하는 단계;
   상기 기판에 대하여 상기 몰드를 상대적으로 기울이는 단계;
   상기 기체를 공급하는 단계에서 상기 접촉면이 변형되었고 상기 상대적으로 기울이는 단계에서 상기 몰드가 기울여진 상태에서, 상기 접촉면과 상기 기판 상의 상기 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 단계; 및
   상기 접촉 단계에서 상기 접촉면과 상기 조성물이 서로 접촉하기 시작한 후, 상기 접촉면의 변형량을 증가시키도록 상기 캐비티 내에 상기 기체를 더 공급하는 단계를 포함하는, 성형 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 기체를 더 공급하는 단계 후에, 상기 접촉면의 상기 변형량을 감소시키도록 상기 캐비티 내의 상기 기체를 감소시키는 단계; 및
   상기 기판에 대한 상기 몰드의 기울기를 감소시키는 단계를 더 포함하며,
   상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 기체를 더 공급하는 단계의 개시로부터 상기 기체를 감소시키는 단계의 개시까지의 기간에 행해지는, 성형 방법.
3. 제2항에 있어서,
   상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 기체를 더 공급하는 단계가 종료된 후에 종료되도록 행해지는, 성형 방법.
4. 제3항에 있어서,
   상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 기체를 더 공급하는 단계가 종료된 후에 개시되도록 행해지는, 성형 방법.
5. 제3항에 있어서,
   상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 기체를 더 공급하는 단계의 종료와 동시에 또는 상기 기체를 더 공급하는 단계의 종료 전에 개시되도록 행해지는, 성형 방법.
6. 제2항에 있어서,
   상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 기체를 더 공급하는 단계의 종료와 동시에 또는 상기 기체를 더 공급하는 단계의 종료 전에 종료되도록 행해지는, 성형 방법.
7. 제2항에 있어서,
   상기 기체를 감소시키는 단계 및 상기 기울기를 감소시키는 단계는 상기 접촉면 전체가 상기 조성물과 접촉하도록 행해지는, 성형 방법.
8. 제1항에 있어서,
   상기 기체를 더 공급하는 단계 후에, 상기 기판에 대한 상기 몰드의 상대적 기울기를 증가시키는 단계를 더 포함하는, 성형 방법.
9. 제8항에 있어서,
   상기 상대적 기울기를 증가시키는 단계 후에, 상기 접촉면의 상기 변형량을 감소시키도록 상기 캐비티 내의 기체를 감소시키는 단계; 및
   상기 기체를 감소시키는 단계 후에, 상기 접촉면과 상기 조성물이 서로 접촉하고 있는 상태에서 상기 조성물을 경화시키는 경화 단계를 더 포함하며,
   상기 경화 단계는, 상기 상대적 기울기를 증가시키는 단계에서 상기 기판에 대한 상기 몰드의 상기 상대적 기울기가 증가된 상태를 유지하면서 행해지는, 성형 방법.
10. 제1항에 있어서,
    상기 기체를 더 공급하는 단계는, 상기 접촉 단계 동안, 상기 접촉면의 일부와 상기 조성물이 서로 접촉하고 있는 상태에서 행해지는, 성형 방법.
11. 제1항에 있어서,
    상기 기체를 공급하는 단계 및 상기 몰드를 상대적으로 기울이는 단계는, 상기 접촉 단계에서 상기 기판 상의 목표 위치에서 상기 접촉이 개시되도록 행해지는, 성형 방법.
12. 물품 제조 방법이며,
    제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에서 규정된 성형 방법을 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 단계;
    상기 성형 단계에서 상기 조성물이 성형된 상기 기판을 가공하는 가공 단계; 및
    가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
13. 몰드를 사용해서 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치이며, 상기 몰드는 상기 기판 상의 조성물에 접촉되는 접촉면 및 상기 접촉면의 반대측의 표면에 제공된 캐비티를 갖고, 상기 장치는,
    상기 캐비티 내의 압력을 증가시켜 상기 접촉면을 상기 기판을 향한 볼록 형상으로 변형시키도록 상기 캐비티 내에 기체를 공급하도록 구성되는 기체 공급부;
    상기 기판에 대하여 상기 몰드를 상대적으로 기울이도록 구성되는 기울기 변경부; 및
    상기 접촉면과 상기 기판 상의 상기 조성물 사이의 접촉을 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 기체 공급부에 의해 상기 접촉면이 변형되고 상기 기울기 변경부에 의해 상기 몰드가 기울여진 상태에서, 상기 접촉면과 상기 기판 상의 상기 조성물을 서로 접촉시키며,
    상기 접촉면과 상기 조성물이 서로 접촉하기 시작한 후 상기 접촉면의 변형량을 증가시키도록 상기 기체 공급부에 의해 상기 캐비티 내에 상기 기체를 더 공급하도록 구성되는, 성형 장치.
14. 제13항에 있어서,
    상기 접촉면은 상기 기판 상의 상기 조성물에 전사될 패턴을 포함하며,
    상기 성형 장치는 상기 접촉면을 상기 기판 상의 상기 조성물에 접촉시킴으로써 상기 기판 상의 상기 조성물에 패턴을 형성하는, 성형 장치.
15. 제13항에 있어서,
    상기 접촉면은 평탄면이며,
    상기 성형 장치는 상기 접촉면을 상기 기판 상의 상기 조성물에 접촉시킴으로써 상기 기판 상의 상기 조성물을 평탄화하는, 성형 장치.

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