KR20230125692A - 전자 장치 및 이의 제어 방법 - Google Patents

전자 장치 및 이의 제어 방법 Download PDF

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KR20230125692A
KR20230125692A KR1020220029636A KR20220029636A KR20230125692A KR 20230125692 A KR20230125692 A KR 20230125692A KR 1020220029636 A KR1020220029636 A KR 1020220029636A KR 20220029636 A KR20220029636 A KR 20220029636A KR 20230125692 A KR20230125692 A KR 20230125692A
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정봉재
강민석
이승준
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삼성전자주식회사
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Abstract

메모리,　및 상기 메모리와 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 메모리는,　상기 프로세서에 의해 실행 시에,　상기 전자 장치가, 상기 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하고, 상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면,　상기 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하고, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하고,　및 상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하도록 하는 인스트럭션들(instructions)을 저장하고, 상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함하는 전자 장치가 개시된다.
이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.

Description

전자 장치 및 이의 제어 방법{ELECTRONIC DEVICE AND METHOD CONTROLLING THE SAME}
본 문서에서 개시되는 다양한 실시 예들은 전자 장치 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.
전자 장치에서, 메모리는 데이터를 저장할 수 있다. 프로세서가 메모리에 저장된 데이터의 전송을 요청하면, 메모리는 프로세서의 요청에 따른 데이터를 프로세서에 전송할 수 있다. 설정된 기준 전압의 범위 및 설정된 지연 시간(latency)의 범위에서, 메모리는 프로세서와 데이터 통신을 할 수 있다. 메모리의 기준 전압이 설정된 기준 전압의 범위를 벗어나거나 및/또는 메모리의 지연 시간이 설정된 지연 시간의 범위를 벗어나는 경우, 메모리와 프로세서의 데이터 통신은 실패할 수 있다. 프로세서는 전자 장치의 환경에 기반하여 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 수행되는 기준 전압의 범위 및 지연 시간의 범위를 조정할 수 있다.
사용자가 전자 장치를 사용하기 전, 전자 장치에 포함된 메모리에 대한 메모리 트레이닝은 메모리의 생산 환경에서 수행된다. 메모리의 생산 환경은, 전자 장치의 실사용 환경과 상이할 수 있다. 따라서, 메모리의 생산 환경에서 설정된 기준 전압의 범위 및 지연 시간의 범위는, 실사용 환경에서 데이터 통신에 사용되는 기준 전압의 범위 및 지연 시간의 범위와 상이할 수 있다. 이로 인해, 특정 기준 전압 및 특정 지연 시간에서 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 실패할 수 있다.
본 발명은 실사용 환경에서 전자 장치에 소프트웨어 불량이 발생한 경우, 상기 소프트웨어 불량이 메모리의 기준 전압 및/또는 지연 시간과 관련되어 발생한지 판단하고, 실사용 환경에 기반한 메모리 트레이닝을 수행하여 상기 소프트웨어 불량을 개선할 수 있도록 하고자 한다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치는 메모리,　및 상기 메모리와 연결된 프로세서를 포함하고, 상기 메모리는,　상기 프로세서에 의해 실행 시에,　상기 전자 장치가, 상기 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하고, 상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면,　상기 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하고, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하고,　및 상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하도록 하는 인스트럭션들(instructions)을 저장하고, 상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 일 실시 예에 따른 전자 장치를 제어하는 방법은, 상기 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하는 동작, 상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면, 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하는 동작, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하는 동작,　및 상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하는 동작을 포함하고, 상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 메모리의 생산 환경과 상이한 전자 장치의 실사용 환경에서, 전자 장치는 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 실사용 환경에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함으로써, 전자 장치는 메모리의 생산 단계 이후에도 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 개선할 수 있다.
본 문서에 개시되는 실시 예들에 따르면, 전자 장치는 메모리 트레이닝을 수행함으로써, 메모리의 메모리 마진을 개선할 수 있다. 전자 장치는 메모리 마진을 개선함으로써, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 해소하고, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 하드웨어를 설명하는 블록도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른, 전자 장치의 소프트웨어 계층 및 하드웨어를 설명하는 도면이다.
도 3은 일 실시 예에 따른, 메모리의 메모리 마진을 나타내는 마진 그래프에 대한 도면이다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 전자 장치에 포함된 구성들의 신호 흐름도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른, 전자 장치에 포함된 구성들의 신호 흐름도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른, 취약 장치(weak device)를 식별하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른, 메모리 마진 설정과 관련된 결함(memory margin defect)을 식별하고, 메모리 트레이닝을 수행하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른, 전자 장치를 제어하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 9는 다양한 실시 예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른, 전자 장치(101)의 하드웨어를 설명하는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(101)는 메모리(130) 및 프로세서(120)를 포함할 수 있다. 메모리(130)는 프로세서(120)와 작동적으로 연결될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램)를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리에 저장하고, 휘발성 메모리에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 및/또는 결과 데이터를 비휘발성 메모리에 저장할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어 및 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다.
메모리(130)는 메모리 트레이닝 결과를 저장할 수 있다. 메모리 트레이닝 결과는 메모리 트레이닝 후의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 대한 정보를 포함할 수 있다. 메모리 마진은 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 수행되는 조건(예: 메모리의 기준 전압 및 메모리의 지연 시간)에 대한 정보를 포함할 수 있다. 메모리 마진은 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 성공한 마진 그래프 상의 영역 중, 사용자가 지정한 영역 또는 시스템상 기 설정된 영역에 대응할 수 있다.
마진 그래프에 대한 정보는, 마진 영역(margin area)(예: 도 3의 제1 마진 영역(311), 제2 마진 영역(321), 또는 제3 마진 영역(331)), 여유 마진 영역(spare margin area)(예: 도 3의 제1 여유 마진 영역(315), 제2 여유 마진 영역(325), 또는 제3 여유 마진 영역(335)), 및 결함 마진 영역(defect margin area) (예: 도 3의 제1 결함 마진 영역(313), 제2 결함 마진 영역(323), 또는 제3 결함 마진 영역(333))에 대한 정보를 포함할 수 있다. 마진 그래프에 대한 정보에 대한 구체적인 설명은 도 3에서 후술한다.
메모리(130)는 속성 데이터를 저장할 수 있다. 속성 데이터는 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함할 수 있다. 취약 장치는 메모리(130)에 대한 메모리 마진이 지정된 조건을 충족하지 못하는 전자 장치(101)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 취약 장치는, 여유 마진 영역 내의 임의의 기준 전압 및 여유 마진 영역 내의 임의의 지연 시간에서 메모리(130)와 프로세서(120) 간 데이터 통신이 실패하는 전자 장치(101)에 해당할 수 있다. 메모리(130)는 전자 장치(101)가 취약 장치인지 여부에 따라 참, 또는 거짓 중 어느 하나의 값으로 속성 데이터를 저장할 수 있다. 지정된 조건에 대한 구체적인 설명은, 도 3에서 후술한다.
메모리(130)는 소프트웨어 오류의 발생 이력을 저장할 수 있다. 소프트웨어 오류의 발생 이력은 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)에 저장된 메모리 트레이닝 결과에 기반하여, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는지 여부를 판단할 수 있다. 메모리 트레이닝 결과는, 메모리 트레이닝 후의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 대한 정보를 포함할 수 있다. 마진 그래프에 대한 정보는 마진 영역, 여유 마진 영역, 및/또는 결함 마진 영역을 포함할 수 있다.
예를 들어, 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하고 및 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 프로세서(120)는 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 마진 그래프에 대한 정보에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 프로세서(120)는 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하지 않는 것으로 판단할 수 있다. 또 다른 예로, 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 모두 포함하지 않는 경우, 프로세서(120)는 전자 장치(101)에 포함된 메모리(130)를 불량으로 판단할 수 있다.
프로세서(120)는, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함하는 취약 장치 식별 결과(예: 속성 데이터)를 메모리(130)에 저장할 수 있다. 취약 장치 식별 결과는, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는지 여부에 따라 참 또는 거짓 중 어느 하나의 값과 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 참일 수 있다. 다른 예로, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 거짓일 수 있다.
프로세서(120)는, 메모리(130)에 저장된 취약 장치 식별 결과의 값에 기반하여, 전자 장치(101)가 취약 장치에 해당하는지 판단할 수 있다.
프로세서(120)는 임의의 지연 시간 및 임의의 기준 전압에 대하여, 메모리(130)와 프로세서(120) 사이의 데이터 전송의 성공 여부를 2차원 그래프로 나타낸, 마진 그래프를 생성할 수 있다. 프로세서(120)는 마진 그래프 상에서, 메모리(130)와 프로세서(120) 사이에서 데이터 전송을 성공한 마진 영역을 식별할 수 있다. 마진 영역은, 적어도 하나의 패스 셀(pass cell)을 포함할 수 있다. 패스 셀은 임의의 기준 전압 및 임의의 지연 시간에 대하여, 메모리(130)와 프로세서(120) 사이의 데이터 전송이 성공한 단위 셀(unit cell)에 대응할 수 있다. 단위 셀은 마진 그래프 상의 가로 축인 지연 시간의 최소 단위를 가로 길이로 하고, 마진 그래프 상의 세로 축인 기준 전압의 최소 단위를 세로 길이로 하는 사각 영역에 대응할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서(120)는 메모리 트레이닝을 통해 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 대응하고 및 여유 마진 영역이 최대한 많은 수의 패스 셀을 포함하도록, 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 이동시킴으로써, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서(120)는 이동 후의 결함 마진 영역 및/또는 이동 후의 여유 마진 영역 중 어느 하나에 포함된 패스 셀에 대응하는 기준 전압 및 지연 시간을 사용하여, 메모리(130)와 프로세서(120) 사이의 데이터 통신을 수행할 수 있다. 프로세서(120)는 상기 메모리 트레이닝을 수행하여 메모리(130)와 프로세서(120) 사이의 데이터 통신이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
결함 마진 영역은 프로세서(120)의 특성, 메모리(130)의 특성, 및/또는 프로세서(120)의 특성과 메모리(130)의 특성의 조합에 기반하여 설정될 수 있다. 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 해당하는 경우, 메모리(130)는 정상적으로 동작할 수 있다. 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내에 패스 셀이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 메모리(130)는 불량으로 판단될 수 있다
여유 마진 영역은 결함 마진 영역의 중심점(center point)을 기준으로 결함 마진 영역의 가로 축 방향의 길이를 제1 비율만큼 증가시키고, 결함 마진 영역의 세로 축 방향의 길이를 제2 비율만큼 증가시킨 영역에 대응할 수 있다. 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 해당하는 경우, 전자 장치(101)는 취약 장치에 대응되지 않을 수 있다. 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내에 패스 셀이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 전자 장치(101)는 취약 장치에 대응될 수 있다.
프로세서(120)는 지정된 조건에서 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를, 소프트웨어 오류 발생 이력으로서 메모리(130)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 지정된 조건은 전자 장치(101)에 소프트웨어 오류가 발생하고 및 상기 전자 장치(101)가 취약 장치인 경우에 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함에 있어서, 프로세서(120)는 전자 장치(101)에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조할 수 있다.
프로세서(120)는 전자 장치(101)에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조하기 위해, 메모리(130)에 소프트웨어 오류의 발생 이력을 요청하는 신호를 전송할 수 있다. 프로세서(120)는 메모리(130)로부터 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 수신할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)로부터 수신한 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다.
프로세서(120)는 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)는 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류 횟수에 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류의 횟수인 1을 더하여 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상인지 판단하고, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 임계 횟수는 시스템 상 지정된 횟수, 또는 사용자가 지정한 횟수일 수 있다. 예를 들어, 임계 횟수는 3회일 수 있다.
프로세서(120)는 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류(예: 제1 소프트웨어 오류)에 의해 상기 메모리(130)에 발생한 제1 결함 상태 및 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류(예: 제2 소프트웨어 오류)에 의해 상기 메모리(130)에 발생한 제2 결함 상태에 기반하여, 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다.
제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 동일하고, 제1 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(130)에 저장된 제1 로그와 제2 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(130)에 저장된 제2 로그가 상이한 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.예를 들어, 제1 결함 상태 및 제2 결함 상태가 모두 list corruption 상태이고, 제1 로그의 콜 스택(call stack)과 제2 로그의 콜 스택이 상이한 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 상이한 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 제1 결함 상태가 list corruption이고, 제2 결함 상태가 paging request fail인 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수 및 전자 장치(101)에 발생한 소프트웨어 오류에 의해 야기된 메모리(130)의 오류 상태에 기반하여, 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 여부에 따라, 서로 다른 값(예: 참 또는 거짓)의 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과를 메모리(130)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(120)가 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값을 참으로 저장할 수 있다. 다른 예로, 프로세서(120)가 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 프로세서(120)는 메모리(130)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값을 거짓으로 저장할 수 있다.
프로세서(120)은 메모리(130)의 생산 환경과 다른 환경의 전자 장치(101)의 실사용 환경에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함으로써, 메모리(130)의 생산 단계 이후에도 메모리(130)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 개선할 수 있다.
프로세서(120)는 메모리(130)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서(120)는 메모리 트레이닝을 통해 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 대응하고 및 여유 마진 영역이 최대한 많은 수의 패스 셀을 포함하도록, 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 이동시킴으로써, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서는 이동 후의 결함 마진 영역 및/또는 이동 후의 여유 마진 영역 중 어느 하나에 포함된 패스 셀에 대응하는 기준 전압 및 지연 시간을 사용하여, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 통신을 수행할 수 있다. 프로세서는 상기 메모리 트레이닝을 수행하여 메모리와 프로세서 사이의 데이터 통신이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
도 2는 일 실시 예에 따른, 전자 장치(201)(예: 도 1의 전자 장치(101))의 소프트웨어 계층 및 하드웨어를 설명하는 도면이다.
도 2에 포함된 어느 하나의 모듈(예: 제1 모듈)이 다른 모듈(예: 제2 모듈)로 신호를 전송하는 동작은, 제1 모듈이 제2 모듈로 신호를 직접 전송하거나, 제1 모듈이 프로세서(미도시)(예: 도 1의 프로세서(120))로 신호를 전송하고, 프로세서가 제2 모듈로 신호를 전송하거나, 제1 모듈이 메모리(230)(예: 도 1의 메모리(130))에 신호와 관련된 정보를 저장하고, 제2 모듈이 메모리(230)로부터 신호와 관련된 정보를 독출하여 상기 신호에 대한 동작을 수행하거나, 및/또는 제1 모듈이 메모리(230)에 신호와 관련된 정보를 저장하고, 프로세서가 메모리(230)로부터 신호와 관련된 정보를 독출하여 제2 모듈에 상기 신호에 대한 동작을 명령하는 동작을 포함할 수 있다.
전자 장치(201)는 소프트웨어 계층(software layer) 및 소프트웨어가 실행되는 하드웨어를 포함할 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어 계층은 부트로더 계층(bootloader layer)(210) 및 커널 계층(kernel layer)(220)을 포함할 수 있다. 부트로더 계층(210)은 사용자가 전자 장치(201)를 부팅하는 경우, 전자 장치(201)의 운영 체제가 시동되기 이전에 실행되는 계층에 대응할 수 있다. 부트로더 계층(210)은 커널 계층(220)이 정상적으로 시동되기 위해 필요한 작업을 수행하고 운영 체제를 시동시킬 수 있다. 커널 계층(220)은 전자 장치(201)의 하드웨어와 프로세서를 연결하는 계층에 대응할 수 있다. 커널 계층(220)은 하드웨어의 리소스를 리소스가 필요한 프로세스에 분배하고, 프로세스 및 메모리를 제어하고, 및 프로그램이 운영체제에 요구하는 명령을 수행할 수 있다. 다른 예로, 하드웨어는 메모리(230) 및 프로세서를 포함할 수 있다. 소프트웨어 계층은 전술한 계층에 한정되지 않으며, 부가적인 계층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 소프트웨어 계층은 라이브러리 계층(library layer), 안드로이드 런타임 계층(android runtime layer), 안드로이드 프레임워크 계층(android framework layer), 또는 어플리케이션 계층(application layer) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
부트로더 계층(210)은 취약 장치 식별 모듈(weak device identification module)(211) 및 메모리 트레이닝 모듈(memory training module)(213)을 포함할 수 있다. 전술한 모듈들은 예시를 위한 것으로, 부트로더 계층(210)은 전술한 모듈들에 부가적인 모듈을 포함할 수도 있다.
취약 장치 식별 모듈(211)은 메모리(230)에 저장된 메모리 트레이닝 결과에 기반하여, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는지 여부를 판단할 수 있다. 취약 장치는 메모리(230)에 대한 메모리 마진이 지정된 조건을 충족하지 못하는 전자 장치(201)에 대응할 수 있다. 예를 들어, 취약 장치는, 여유 마진 영역 내의 임의의 기준 전압 및 여유 마진 영역 내의 임의의 지연 시간에서 메모리(230)와 프로세서 간 데이터 통신이 실패하는 전자 장치(201)에 해당할 수 있다. 메모리 트레이닝 결과는, 메모리 트레이닝 후의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 대한 정보를 포함할 수 있다. 마진 그래프에 대한 정보는 마진 영역, 여유 마진 영역, 및/또는 결함 마진 영역을 포함할 수 있다.
예를 들어, 취약 장치 식별 모듈(211)은, 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하고 및 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 취약 장치 식별 모듈(211)은, 마진 그래프에 대한 정보에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하지 않는 것으로 판단할 수 있다. 또 다른 예로, 취약 장치 식별 모듈(211)은, 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 모두 포함하지 않는 경우, 전자 장치(201)에 포함된 메모리(230)를 불량으로 판단할 수 있다.
취약 장치 식별 모듈(211)은, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함하는 취약 장치 식별 결과(예: 속성 데이터)를 프로세서에 반환할 수 있다. 취약 장치 식별 결과는, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는지 여부에 따라 참 또는 거짓 중 어느 하나의 값과 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 참일 수 있다. 다른 예로, 전자 장치(201)가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 거짓일 수 있다.
메모리 트레이닝 모듈(213)은 임의의 지연 시간 및 임의의 기준 전압에 대하여, 메모리(230)와 프로세서 사이의 데이터 전송의 성공 여부를 2차원 그래프로 나타낸, 마진 그래프를 생성할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(213)은 마진 그래프 상에서, 메모리(230)와 프로세서 사이에서 데이터 전송을 성공한 마진 영역(margin area)를 식별할 수 있다. 마진 영역은, 적어도 하나의 패스 셀(pass cell)을 포함할 수 있다. 패스 셀은 임의의 기준 전압 및 임의의 지연 시간에 대하여, 메모리(230)와 프로세서 사이의 데이터 전송이 성공한 단위 셀(unit cell)에 대응할 수 있다. 단위 셀은 마진 그래프 상의 가로 축인 지연 시간의 최소 단위를 가로 길이로 하고, 마진 그래프 상의 세로 축인 기준 전압의 최소 단위를 세로 길이로 하는 사각 영역에 대응할 수 있다.
결함 마진 영역은 프로세서의 특성, 메모리(230)의 특성, 및/또는 프로세서의 특성과 메모리(230)의 특성의 조합에 기반하여 설정될 수 있다. 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 해당하는 경우, 메모리(230)는 정상적으로 동작할 수 있다. 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내에 패스 셀이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 메모리(230)는 불량으로 판단될 수 있다
여유 마진 영역은 결함 마진 영역의 중심점(center point)을 기준으로 결함 마진 영역의 가로 축 방향의 길이를 제1 비율만큼 증가시키고, 결함 마진 영역의 세로 축 방향의 길이를 제2 비율만큼 증가시킨 영역에 대응할 수 있다. 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 해당하는 경우, 전자 장치(201)는 취약 장치에 대응되지 않을 수 있다. 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내에 패스 셀이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 전자 장치(201)는 취약 장치에 대응될 수 있다.
메모리 트레이닝 모듈(213)은 메모리(230)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(213)은 메모리 트레이닝을 통해 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀에 대응하고 및 여유 마진 영역이 최대한 많은 수의 패스 셀을 포함하도록, 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 이동시킴으로써, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(213)은 이동 후의 결함 마진 영역 및/또는 이동 후의 여유 마진 영역 중 어느 하나에 포함된 패스 셀에 대응하는 기준 전압 및 지연 시간을 사용하여, 메모리(230)와 프로세서 사이의 데이터 통신을 수행할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(213)은 상기 메모리 트레이닝을 수행하여 메모리(230)와 프로세서 사이의 데이터 통신이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
커널 계층(220)은 패닉 핸들러(panic handler)(221) 및 마진 결함 식별 모듈(margin defect identification module)(223)을 포함할 수 있다. 전술한 모듈들은 단순히 예시를 위한 것으로, 커널 계층(220)은 전술한 모듈들에 부가적인 모듈을 포함할 수도 있다.
패닉 핸들러(221)는, 지정된 조건에서 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를, 소프트웨어 오류 발생 이력으로서 메모리(230)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 지정된 조건은 전자 장치(201)에 소프트웨어 오류가 발생하고 및 상기 전자 장치(201)가 취약 장치인 경우에 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함에 있어서, 마진 결함 식별 모듈(223)은 전자 장치(201)에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은, 전자 장치(201)에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조하기 위해, 메모리(230)에 소프트웨어 오류의 발생 이력을 요청하는 신호를 전송하여, 메모리(230)로부터 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 수신할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)로부터 수신한 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다. 예를 들어, 마진 결함 식별 모듈(223)은, 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류 횟수에 1을 더하여 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상인지 판단하고, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 임계 횟수는 시스템 상 지정된 횟수, 또는 사용자가 지정한 횟수일 수 있다. 예를 들어, 임계 횟수는 3회일 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은, 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류(예: 제1 소프트웨어 오류)에 의해 야기된 상기 메모리(230)의 제1 결함 상태 및 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류(예: 제2 소프트웨어 오류)에 의해 야기되었던 상기 메모리(230)의 제2 결함 상태에 기반하여, 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다. 제1 결함 상태는 제1 소프트웨어 오류로 인해 메모리(230)에 발생한 오류 현상에 대응하고 및 제2 결함 상태는 제2 소프트웨어 오류로 인해 메모리(230)에 발생한 오류 현상에 대응할 수 있다.
예를 들어, 제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 동일하고, 제1 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(230)에 저장된 제1 로그와 제2 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(230)에 저장된 제2 로그가 상이한 경우, 마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 상이한 경우, 마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수 및 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 의해 야기된 메모리(230)의 오류 상태에 기반하여, 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 여부에 따라, 서로 다른 값(예: 참 또는 거짓)의 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과를 메모리(230)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 마진 결함 식별 모듈(223)이 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값을 참으로 저장할 수 있다. 다른 예로, 마진 결함 식별 모듈(223)이 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값을 거짓으로 저장할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(223)은 메모리(230)의 생산 환경과 다른 환경의 전자 장치(201)의 실사용 환경에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함으로써, 메모리(230)의 생산 단계 이후에도, 메모리 트레이닝 모듈(213)이 메모리(230)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하도록 하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 개선할 수 있다.
메모리(230)는 메모리 트레이닝 결과를 저장할 수 있다. 메모리 트레이닝 결과는 메모리 트레이닝 후의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 대한 정보를 포함할 수 있다. 마진 그래프에 대한 정보는, 마진 영역, 여유 마진 영역, 및 결함 마진 영역에 대한 정보를 포함할 수 있다.
메모리(230)는 속성 데이터를 저장할 수 있다. 메모리(230)는 전자 장치(201)가 취약 장치인지 여부에 따라 참, 또는 거짓 중 어느 하나의 값으로 속성 데이터를 저장할 수 있다.
메모리(230)는 소프트웨어 오류의 발생 이력을 저장할 수 있다. 소프트웨어 오류의 발생 이력은 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를 포함할 수 있다. 전자 장치(201)에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
도 3은 일 실시 예에 따른, 메모리의 메모리 마진을 나타내는 마진 그래프에 대한 도면이다.
마진 그래프는, 메모리(미도시)(예: 도 1의 메모리(130) 또는 도 2의 메모리(230))의 기준 전압 및 메모리의 지연 시간을 변수로 하여, 메모리와 프로세서(미도시)(예: 도 1의 프로세서(120) 또는 도 2의 프로세서) 사이의 데이터 전송의 사이의 데이터 전송의 성공(pass) 여부를 나타내는 2차원 그래프에 대응할 수 있다.
마진 그래프의 가로 축은 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송의 지연 시간을 나타내고, 지연 시간의 단위는 피코 세컨드(ps)일 수 있다. 마진 그래프의 세로 축은 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송의 기준 전압을 나타내고, 기준 전압의 단위는 밀리 볼트(mV)일 수 있다.
마진 그래프의 마진 영역은, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 성공한 영역에 대응할 수 있다. 마진 영역은, 적어도 하나의 패스 셀(pass cell)(301)을 포함할 수 있다. 패스 셀(301)은 임의의 기준 전압 및 임의의 지연 시간에 대하여, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 성공한 단위 셀(unit cell)에 대응할 수 있다. 단위 셀은 마진 그래프 상의 가로 축인 지연 시간의 최소 단위를 가로 길이로 하고, 마진 그래프 상의 세로 축인 기준 전압의 최소 단위를 세로 길이로 하는 사각 영역에 대응할 수 있다.
예를 들어, 제1 기준 전압 및 제1 지연 시간에 대하여, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 성공한 경우, 제1 기준 전압 및 제1 지연 시간이 속한 단위 셀은 패스 셀(301)에 대응할 수 있다. 다른 예로, 제2 기준 전압 및 제2 지연 시간에 대하여, 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 실패한 경우, 제2 기준 전압 및 제2 지연 시간이 속한 단위 셀은 패스 셀(301)에 대응하지 않을 수 있다.
마진 그래프의 결함 마진 영역은, 프로세서의 특성, 메모리의 특성, 및/또는 프로세서의 특성과 메모리의 특성의 조합에 기반하여 설정될 수 있다.
프로세서는 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는지 여부에 따라, 메모리의 불량 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀(301)에 대응하는 경우, 프로세서는 메모리가 정상인 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 결함 마진 영역 내에 패스 셀(301)이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 프로세서는 메모리가 불량인 것으로 판단할 수 있다. 프로세서는 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는 경우, 메모리 마진이 제1 조건을 충족한다고 판단할 수 있다.
마진 그래프의 여유 마진 영역은, 결함 마진 영역의 중심점(center point)을 기준으로 결함 마진 영역의 가로 축 방향의 길이를 제1 비율만큼 증가시키고, 결함 마진 영역의 세로 축 방향의 길이를 제2 비율만큼 증가시킨 영역에 대응할 수 있다. 예를 들어, 결함 마진 영역의 가로 축 방향의 길이가 40ps고, 결함 마진 영역의 세로 축 방향의 길이가 60mV고, 제1 비율이 15%고, 및 제2 비율이 15%인 경우, 여유 마진 영역은, 중심점이 결함 마진 영역의 중심점과 일치하고, 가로 축 방향의 길이는 46ps고, 및 세로 축 방향의 길이는 69mV인 영역에 대응할 수 있다.
프로세서는 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는지 여부에 따라, 전자 장치가 취약 장치인지 판단할 수 있다. 예를 들어, 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내의 모든 단위 셀이 패스 셀(301)에 해당하는 경우, 프로세서는 전자 장치가 취약 장치가 아닌 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 다시 말해, 여유 마진 영역 내에 패스 셀(301)이 아닌 단위 셀이 존재하는 경우, 프로세서는 전자 장치가 취약 장치인 것으로 판단할 수 있다. 프로세서는 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 메모리 마진이 제2 조건을 충족한다고 판단할 수 있다.
마진 그래프는 제1 마진 그래프(310), 제2 마진 그래프(320), 및 제3 마진 그래프(330)를 포함할 수 있다. 제1 마진 그래프(310), 제2 마진 그래프(320), 및 제3 마진 그래프(330)는 서로 다른 시점의 메모리의 메모리 마진에 각각 대응하는 마진 그래프일 수 있다.
제1 마진 그래프(310)는, 메모리의 생산 환경에서 메모리 트레이닝이 수행된 후, 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프일 수 있다. 제1 마진 그래프(310)의 제1 마진 영역(311)은, 메모리의 생산 환경에서 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송이 성공한 패스 셀(301)을 포함할 수 있다.
제1 마진 영역(311)은 제1 결함 마진 영역(313)을 포함하고, 제1 여유 마진 영역(315)을 포함하지 않을 수 있다. 프로세서는 제1 마진 영역(311)이 제1 결함 마진 영역(313)을 포함하는 것에 기반하여, 제1 마진 그래프(310)에 대응하는 메모리 마진이 제1 조건을 충족하고 제2 조건을 충족하지 못한다고 판단할 수 있다. 프로세서는 제1 조건을 충족하고 제2 조건을 충족하지 못하는 메모리 마진을 갖는 전자 장치를, 취약 장치로 판단할 수 있다.
제2 마진 그래프(320)는, 사용자가 전자 장치를 실제로 사용하는 환경(이하에서 “실사용 환경”으로 참조한다.)에서의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프일 수 있다. 전자 장치의 실사용 환경과 메모리의 생산 환경은 서로 다른 환경 조건을 가질 수 있다. 예를 들어, 환경 조건은, 주변 온도, 주변 습도, 또는 전자 장치의 사용 시간을 포함할 수 있다.
메모리의 생산 환경과 전자 장치의 실사용 환경이 서로 달라 메모리의 물리적 특성이 변함으로써, 어느 하나의 단위 셀에서의 메모리와 프로세서 사이의 데이터 전송의 성공 여부가 달라질 수 있다. 다시 말해, 메모리 생산 환경에서의 마진 그래프 상의 패스 셀과 전자 장치의 실사용 환경에서의 마진 그래프 상의 패스 셀이 상이하여, 메모리 생산 환경에서의 마진 영역(예: 제1 마진 영역(311))과 전자 장치의 실사용 환경에서의 마진 영역(예: 제2 마진 영역(321))이 상이할 수 있다.
제2 마진 영역(321)은 제2 결함 마진 영역(323)을 포함하지 않을 수 있다. 다시 말해, 제2 결함 마진 영역(323) 내 패스 셀(301)이 아닌 단위 셀이 존재할 수 있다. 프로세서는, 제2 마진 그래프(320)에 대응하는 메모리 마진이 제1 조건을 충족하지 못하는 것으로 판단할 수 있다. 제2 마진 영역(321)이 제2 결함 마진 영역(323)을 포함하지 못함에 따라, 전자 장치에 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류가 발생할 수 있다.
제3 마진 그래프(330)는, 전자 장치의 실사용 환경에서 메모리 트레이닝이 수행된 후, 개선된 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프일 수 있다. 프로세서는 메모리 트레이닝을 통해, 메모리 마진을 개선할 수 있다. 제3 마진 영역(331)은 제2 마진 영역(321)에 대응할 수 있다.
예를 들어, 프로세서는 제2 마진 그래프(320)의 제2 결함 마진 영역(323)이, 제3 마진 그래프(330)의 제3 결함 마진 영역(333)에 대응하도록 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다. 다른 예로, 프로세서는 제2 마진 그래프(320)의 제2 여유 마진 영역(325)이, 제3 마진 그래프(330)의 제3 여유 마진 영역(335)에 대응하도록 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다.
메모리 트레이닝을 통해, 프로세서는 메모리의 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진을 개선함으로써, 메모리와 프로세서 사이의 데이터의 데이터 전송이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 전자 장치에 포함된 구성들의 신호 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 전자 장치(미도시)(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(201), 또는 도 3의 전자 장치(미도시))가 메모리(430)(예: 도 1의 메모리(130), 도 2의 메모리(230) 또는 도 3의 메모리(미도시))에 속성 데이터를 저장하기 위한 일련의 동작들이 설명될 수 있다. 전자 장치는, 전자 장치가 취약 장치(예: 도 3의 취약 장치)인지 여부에 따라 속성 데이터의 값을 참, 또는 거짓으로 메모리(430)에 저장할 수 있다.
프로세서(420)(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(미도시), 또는 도 3의 프로세서(미도시))는 메모리 트레이닝 모듈(413)(예: 도 2의 메모리 트레이닝 모듈(213))에 메모리(430)에 대한 메모리 트레이닝을 요청하는 신호를 전송할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(413)은, 프로세서(420)로부터 메모리 트레이닝을 요청하는 신호를 수신하여, 메모리(430)에 대한 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(413)은, 수행한 메모리 트레이닝에 따른 메모리 트레이닝 결과를 프로세서(420)에 반환할 수 있다. 메모리 트레이닝 결과는 메모리 트레이닝 후의 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 대한 정보를 포함할 수 있다. 마진 그래프에 대한 정보는, 마진 영역, 여유 마진 영역, 및 결함 마진 영역에 대한 정보를 포함할 수 있다.
프로세서(420)는 메모리 트레이닝 모듈(413)로부터 수신한 메모리 트레이닝 결과에 기반하여, 전자 장치의 취약 장치 여부를 식별하도록 하는 신호를 취약 장치 식별 모듈(411)(예: 취약 장치 식별 모듈(211))에 전송할 수 있다. 프로세서(420)는 취약 장치 여부를 식별하도록 하는 신호와, 메모리 트레이닝 모듈(413)로부터 수신한 마진 그래프에 대한 정보를 함께 취약 장치 식별 모듈(411)로 전송할 수 있다.
취약 장치 식별 모듈(411)은, 프로세서(420)로부터 수신한 전자 장치의 취약 장치 여부를 식별하도록 하는 신호에 기반하여, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지 여부를 판단할 수 있다. 취약 장치 식별 모듈(411)은 프로세서(420)로부터 수신한 마진 그래프에 대한 정보에 기반하여, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지 여부를 판단할 수 있다.
예를 들어, 취약 장치 식별 모듈(411)은, 마진 그래프에 대한 정보에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하고 및 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하지 않는 경우, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 취약 장치 식별 모듈(411)은, 마진 그래프에 대한 정보에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 전자 장치가 취약 장치에 해당하지 않는 것으로 판단할 수 있다. 또 다른 예로, 취약 장치 식별 모듈(411)은, 마진 그래프에 대한 정보에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역 및 여유 마진 영역을 모두 포함하지 않는 경우, 전자 장치에 포함된 메모리(430)를 불량으로 판단할 수 있다.
취약 장치 식별 모듈(411)은, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함하는 취약 장치 식별 결과를 프로세서(420)에 반환할 수 있다. 취약 장치 식별 결과는, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지 여부에 따라 참 또는 거짓 중 어느 하나의 값과 대응할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 참일 수 있다. 다른 예로, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값은 거짓일 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위하여, 전자 장치가 취약 장치에 해당하는 경우, 취약 장치 식별 결과의 값을 참으로 가정한다.
프로세서(420)는 취약 장치 식별 모듈(411)로부터 수신한 취약 장치 식별 결과가 참이면, 메모리(430)에 속성 데이터를 참으로 저장할 수 있다. 속성 데이터는 전자 장치가 취약 장치인지 여부에 따라 참, 또는 거짓으로 메모리(430)에 저장될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치가 취약 장치인 경우, 프로세서(420)는 메모리(430)에 속성 데이터를 참으로 저장할 수 있다. 다른 예로, 전자 장치가 취약 장치인 경우, 프로세서(420)는 메모리(430)에 속성 데이터를 거짓으로 저장할 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해, 전자 장치가 취약 장치인 경우, 프로세서(420)는 메모리(430)에 속성 데이터를 참으로 저장한다고 가정한다.
도 5는 일 실시 예에 따른, 전자 장치에 포함된 구성들의 신호 흐름도이다.
도 5를 참조하면, 전자 장치(미도시)(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(201), 도 3의 전자 장치(미도시), 또는 도 4의 전자 장치(미도시))에 소프트웨어 오류가 발생한 경우, 전자 장치가 상기 소프트웨어 오류가 메모리 마진과 관련된 오류인지 판단하고, 상기 소프트웨어 오류가 메모리 마진과 관련된 오류이면 메모리 트레이닝을 수행하여 메모리 마진을 개선하기 위한 일련의 동작들이 설명될 수 있다.
프로세서(520)(예: 도 1의 프로세서(120), 도 2의 프로세서(미도시), 도 3의 프로세서(미도시), 또는 도 4의 프로세서(420))는 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류를 식별할 수 있다. 소프트웨어 오류는 메모리 마진과 관련하여 발생한 오류 및/또는 메모리 마진과 무관하게 발생한 오류를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 마진과 관련하여 발생한 오류는, list corruption, paging request fail, 및/또는 zram decompression fail을 포함할 수 있다.
프로세서(520)는 소프트웨어 오류가 메모리 마진과 관련하여 발생한지 판단하기 위한 전제로서, 전자 장치가 취약 장치인지 판단하기 위해 메모리(530)(예: 도 1의 메모리(130), 도 2의 메모리(230), 도 3의 메모리(미도시), 또는 도 4의 메모리(430))에 속성 데이터를 요청하는 신호를 전송할 수 있다. 메모리(530)는 프로세서(520)로부터 수신한 속성 데이터를 요청하는 신호에 기반하여, 프로세서(520)에 속성 데이터를 반환할 수 있다.
프로세서(520)는 속성 데이터의 값에 기반하여, 전자 장치가 취약 장치인지 판단할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(520)는 속성 데이터의 값이 참인 경우, 전자 장치가 취약 장치인 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 프로세서(520)는 속성 데이터의 값이 거짓인 경우, 전자 장치가 취약 장치인 것으로 판단할 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해, 속성 데이터의 값이 참인 경우, 프로세서(520)는 전자 장치가 취약 장치인 것으로 판단한다고 가정한다.
프로세서(520)가 전자 장치를 취약 장치인 것으로 판단한 경우, 프로세서(520)는 마진 결함 식별 모듈(523)(예: 도 2의 마진 결함 식별 모듈(223))에 메모리 마진 설정과 관련된 결함의 식별을 요청하는 신호를 전송할 수 있다.
프로세서(520)가 전자 장치를 취약 장치인 것으로 판단한 경우, 패닉 핸들러(미도시)(예: 도 2의 패닉 핸들러(221))는 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를, 소프트웨어 오류 발생 이력으로서 메모리(530)에 저장할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 프로세서(520)로부터 마진의 결함 여부에 대한 식별을 요청하는 신호를 수신하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 마진 결함 식별 모듈(523)은 전자 장치에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은, 전자 장치에 발생했던 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 이력을 참조하기 위해, 메모리(530)에 소프트웨어 오류의 발생 이력을 요청하는 신호를 전송할 수 있다. 메모리(530)는 마진 결함 식별 모듈(523)로부터 수신한 소프트웨어 오류의 발생 이력을 요청하는 신호에 기반하여, 마진 결함 식별 모듈(523)로 소프트웨어 오류의 발생 이력을 반환할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 메모리(530)로부터 수신한 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다. 예를 들어, 마진 결함 식별 모듈(523)은, 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류 횟수에 1을 더하여 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상인지 판단하고, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 임계 횟수는 시스템 상 지정된 횟수, 또는 사용자가 지정한 횟수일 수 있다. 예를 들어, 임계 횟수는 3회일 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은, 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류(예: 제1 소프트웨어 오류)에 의해 야기된 상기 메모리(530)의 제1 결함 상태 및 소프트웨어 오류의 발생 이력에 포함된 소프트웨어 오류(예: 제2 소프트웨어 오류)에 의해 야기되었던 상기 메모리(530)의 제2 결함 상태에 기반하여, 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다. 제1 결함 상태는 제1 소프트웨어 오류로 인해 메모리(530)에 발생한 오류 현상에 대응하고 및 제2 결함 상태는 제2 소프트웨어 오류로 인해 메모리(530)에 발생한 오류 현상에 대응할 수 있다.
예를 들어, 제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 동일하고, 제1 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(530)에 저장된 제1 로그와 제2 소프트웨어 오류의 발생 이력에 관하여 메모리(530)에 저장된 제2 로그가 상이한 경우, 마진 결함 식별 모듈(523)은 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다. 다른 예로, 제1 결함 상태와 제2 결함 상태가 상이한 경우, 마진 결함 식별 모듈(523)은 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 것으로 판단할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은, 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수 및 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 의해 야기된 메모리(530)의 오류 상태에 기반하여, 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 프로세서(520)로 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과를 반환할 수 있다. 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과는, 마진 결함 식별 모듈(523)이 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 참 또는 거짓 중 어느 하나의 값에 대응할 수 있다. 예를 들어, 마진 결함 식별 모듈(523)이 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값은 참에 대응할 수 있다. 다른 예로, 마진 결함 식별 모듈(523)이 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값은 거짓에 대응할 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 마진 결함 식별 모듈(523)이 메모리(530)에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하였다고 판단한 경우, 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값이 참에 대응하는 것으로 가정한다.
마진 결함 식별 모듈(523)은 메모리(530)의 생산 환경과 다른 환경의 전자 장치의 실사용 환경에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함으로써, 메모리(530)의 생산 단계 이후에도, 메모리 트레이닝 모듈(513)이 메모리(530)에 대한 메모리 트레이닝을 수행하도록 하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 개선할 수 있다.
프로세서(520)는 마진 결함 식별 모듈(523)로부터 수신한 메모리 마진 설정과 관련된 결함 식별 결과의 값이 참인 경우, 메모리 트레이닝 모듈(513)(예: 도 2의 메모리 트레이닝 모듈(213), 또는 도 4의 메모리 트레이닝 모듈(413))에 메모리 트레이닝을 요청하는 신호를 전송할 수 있다.
메모리 트레이닝 모듈(513)은 프로세서(520)로부터 메모리 트레이닝을 요청하는 신호를 수신하여, 메모리(530)에 대한 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(513)은, 메모리 트레이닝을 수행함으로써, 메모리(530)의 메모리 마진을 개선할 수 있다. 메모리 트레이닝 모듈(513)은, 메모리 마진을 개선함으로써, 메모리(530)와 프로세서(520) 사이의 데이터의 데이터 전송이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
도 6은 일 실시 예에 따른, 취약 장치(weak device)를 식별하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
프로세서는 동작 610에서, 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다. 프로세서는 메모리 트레이닝을 수행함으로써, 메모리의 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진을 개선함으로써, 메모리와 프로세서 사이의 데이터의 데이터 전송이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다.
프로세서는 동작 620에서, 메모리의 메모리 마진을 식별할 수 있다. 메모리 마진은 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 수행되는 조건(예: 메모리의 기준 전압 및 메모리의 지연 시간)에 대한 정보를 포함할 수 있다. 메모리 마진은 메모리와 프로세서의 데이터 통신이 성공한 마진 그래프 상의 영역 중, 사용자가 지정한 영역 또는 시스템상 기 설정된 영역에 대응할 수 있다.
프로세서는 동작 630에서, 메모리의 메모리 마진이 제1 조건을 충족하는지 판단할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 포함된 마진 영역이 결함 마진 영역을 포함하는 경우, 메모리 마진이 제1 조건을 충족한다고 판단할 수 있다. 예를 들어, 결함 마진 영역 내의 모든 단위 셀(예: 도 3의 단위 셀)이 패스 셀(예: 도 3의 패스 셀)에 해당하는 경우, 프로세서는 메모리 마진이 제1 조건을 충족한다고 판단할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진이 제1 조건을 충족하지 않는 경우(동작 630 - N), 동작 640에서, 메모리를 불량으로 판단할 수 있다.
프로세서는 메모리 마진이 제1 조건을 충족하는 경우(동작 630 - Y), 동작 650에서, 메모리 마진이 제2 조건을 충족하는지 판단할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진에 대응하는 마진 그래프에 포함된 마진 영역이 여유 마진 영역을 포함하는 경우, 메모리 마진이 제2 조건을 충족한다고 판단할 수 있다. 예를 들어, 여유 마진 영역 내의 모든 단위 셀(예: 도 3의 단위 셀)이 패스 셀(예: 도 3의 패스 셀)에 해당하는 경우, 프로세서는 메모리 마진이 제2 조건을 충족한다고 판단할 수 있다.
프로세서는 메모리 마진이 제2 조건을 충족하지 않는 경우(동작 650 - N), 동작 660에서 메모리에 속성 데이터를 저장할 수 있다. 속성 데이터는 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함할 수 있다. 프로세서는 전자 장치가 취약 장치인지 여부에 따라 참, 또는 거짓 중 어느 하나의 값으로 메모리에 속성 데이터를 저장할 수 있다. 프로세서는 동작 660을 수행한 후 또는 메모리 마진이 제2 조건을 충족하는 경우(동작 650 - Y), 동작 670에서 전자 장치를 부팅할 수 있다.
도 7은 일 실시 예에 따른, 메모리 마진 설정과 관련된 결함(memory margin defect)을 식별하고, 메모리 트레이닝을 수행하는 과정을 나타내는 흐름도이다.
프로세서는 동작 710에서, 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류를 식별할 수 있다. 소프트웨어 오류는 메모리 마진과 관련하여 발생한 오류, 및/또는 메모리 마진과 무관하게 발생한 오류를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 마진과 관련하여 발생한 오류는, list corruption, paging request fail, 및/또는 zram decompression fail을 포함할 수 있다.
프로세서는 동작 720에서, 동작 710의 소프트웨어 오류가 메모리 마진 설정과 관련된 결함과 관련하여 발생한지 여부를 확인하기 위해, 메모리에 저장된 속성 데이터를 독출(read)할 수 있다. 속성 데이터는 전자 장치가 취약 장치에 해당하는지에 대한 정보를 포함할 수 있다. 프로세서는 전자 장치가 취약 장치인지 여부에 따라 참, 또는 거짓 중 어느 하나의 값으로 메모리에 속성 데이터를 저장할 수 있다. 설명의 편의를 위하여, 이하에서는 전자 장치가 취약 장치인 경우, 속성 데이터의 값은 참에 대응하는 것으로 가정한다.
프로세서는 동작 730에서, 독출한 속성 데이터의 값이 참인지 판단할 수 있다. 프로세서는 속성 데이터의 값이 거짓인 경우(동작 730 - N), 동작 770에서 전자 장치를 부팅할 수 있다.
프로세서는 속성 데이터의 값이 참인 경우(동작 730 - Y), 동작 740에서 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 독출할 수 있다. 소프트웨어 오류의 발생 이력은 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보를 포함할 수 있다. 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 대한 정보는 레지스터 정보, 스냅샷(snapshot), 및/또는 로그(log)를 포함할 수 있다.
프로세서는 동작 750에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다. 프로세서는 메모리로부터 수신한 소프트웨어 오류의 발생 이력 및 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 기반하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진과 관련된 소프트웨어 오류의 발생 횟수 및 전자 장치에 발생한 소프트웨어 오류에 의해 야기된 메모리의 오류 상태에 기반하여, 메모리에 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단할 수 있다. 프로세서가 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한지 판단하는 구체적인 방법에 대한 설명은, 도 2의 프로세서의 동작 및 도 4의 마진 결함 식별 모듈의 동작으로 대체한다.
프로세서는 메모리의 생산 환경과 다른 환경의 전자 장치의 실사용 환경에서 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 식별함으로써, 메모리의 생산 단계 이후에도, 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행하여, 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 개선할 수 있다.
프로세서는 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생한 경우(동작 750 - Y), 동작 760에서 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행할 수 있다. 프로세서는 메모리 트레이닝을 수행함으로써, 메모리의 메모리 마진을 개선할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진을 개선함으로써, 메모리와 프로세서 사이의 데이터의 데이터 전송이 안정적으로 수행되도록 할 수 있다. 프로세서는 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 발생하지 않은 경우(동작 750 - Y), 동작 770에서 전자 장치를 부팅할 수 있다.
도 8은 일 실시 예에 따른, 전자 장치를 제어하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
프로세서는 동작 810에서, 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별할 수 있다. 프로세서는 동작 820에서, 속성 데이터가 지정된 값에 대응하면, 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별할 수 있다. 프로세서는 동작 830에서, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여, 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별할 수 있다. 프로세서는 동작 840에서, 결함의 식별에 기반하여,　메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 메모리 마진 설정을 변경할 수 있다.
도 9는, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(900) 내의 전자 장치(901)(예: 도 1의 전자 장치(101), 도 2의 전자 장치(201), 도 3의 전자 장치(미도시), 도 4의 전자 장치(미도시), 도 5의 전자 장치(미도시), 도 6의 전자 장치(미도시), 도 7의 전자 장치(미도시), 또는 도 8의 전자 장치(미도시))의 블록도이다. 도 9를 참조하면, 네트워크 환경(900)에서 전자 장치(901)는 제 1 네트워크(998)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(902)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(999)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(904) 또는 서버(908) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(901)는 서버(908)를 통하여 전자 장치(904)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(901)는 프로세서(920), 메모리(930)(예: 도 1의 메모리(130), 도 2의 메모리(230), 도 3의 메모리(미도시), 도 4의 메모리(430), 도 5의 메모리(530), 도 6의 메모리(미도시), 도 7의 메모리(미도시), 또는 도 8의 메모리(미도시)), 입력 모듈(950), 음향 출력 모듈(955), 디스플레이 모듈(960), 오디오 모듈(970), 센서 모듈(976), 인터페이스(977), 연결 단자(978), 햅틱 모듈(979), 카메라 모듈(980), 전력 관리 모듈(988), 배터리(989), 통신 모듈(990), 가입자 식별 모듈(996), 또는 안테나 모듈(997)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(901)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(978))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(976), 카메라 모듈(980), 또는 안테나 모듈(997))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(960))로 통합될 수 있다.
프로세서(920)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(940))를 실행하여 프로세서(920)에 연결된 전자 장치(901)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(920)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(976) 또는 통신 모듈(990))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(932)에 저장하고, 휘발성 메모리(932)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(934)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(920)는 메인 프로세서(921)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(923)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(901)가 메인 프로세서(921) 및 보조 프로세서(923)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(923)는 메인 프로세서(921)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(923)는 메인 프로세서(921)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(923)는, 예를 들면, 메인 프로세서(921)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(921)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(921)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(921)와 함께, 전자 장치(901)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(960), 센서 모듈(976), 또는 통신 모듈(990))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(923)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(980) 또는 통신 모듈(990))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(923)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(901) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(908))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(930)는, 전자 장치(901)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(920) 또는 센서 모듈(976))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(940)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(930)는, 휘발성 메모리(932) 또는 비휘발성 메모리(934)를 포함할 수 있다.
프로그램(940)은 메모리(930)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(942), 미들 웨어(944) 또는 어플리케이션(946)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(950)은, 전자 장치(901)의 구성요소(예: 프로세서(920))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(901)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(950)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(955)은 음향 신호를 전자 장치(901)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(955)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(960)은 전자 장치(901)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(960)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(960)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(970)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(970)은, 입력 모듈(950)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(955), 또는 전자 장치(901)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(902))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(976)은 전자 장치(901)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(976)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(977)는 전자 장치(901)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(902))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(977)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(978)는, 그를 통해서 전자 장치(901)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(902))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(978)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(979)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(979)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(980)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(980)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(988)은 전자 장치(901)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(988)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(989)는 전자 장치(901)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(989)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(990)은 전자 장치(901)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(902), 전자 장치(904), 또는 서버(908)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(990)은 프로세서(920)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(990)은 무선 통신 모듈(992)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(994)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(998)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(999)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(904)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(992)은 가입자 식별 모듈(996)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(998) 또는 제 2 네트워크(999)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(901)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(992)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(992)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(992)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(992)은 전자 장치(901), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(904)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(999))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(992)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(997)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(997)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(997)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(998) 또는 제 2 네트워크(999)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(990)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(990)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(997)의 일부로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(997)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(999)에 연결된 서버(908)를 통해서 전자 장치(901)와 외부의 전자 장치(904)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(902, 또는 904) 각각은 전자 장치(901)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(901)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(902, 904, 또는 908) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(901)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(901)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(901)로 전달할 수 있다. 전자 장치(901)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(901)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(904)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(908)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(904) 또는 서버(908)는 제 2 네트워크(999) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(901)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 메모리(예: 도 1의 메모리(130)), 및 상기 메모리(130)와 연결된 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))를 포함하고, 상기 메모리(130)는,　상기 프로세서(120)에 의해 실행 시에,　상기 전자 장치(101)가, 상기 전자 장치(101)에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치(101)의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하고,상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면,　상기 메모리(130)에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하고, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리(130)에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하고,　및 상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리(130)에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하도록 하는 인스트럭션들(instructions)을 저장하고,　상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여, 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별하고, 및 상기 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하도록 할 수 있다.
상기 발생한 소프트웨어 오류는 제1 소프트웨어 오류에 대응하고, 및
상기 소프트웨어 오류 발생 이력은 제2 소프트웨어 오류가 발생한 이력을 포함할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 동일하고, 및 상기 제1 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리(130)에 저장된 제1 로그와 상기 제2 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리(130)에 저장된 제2 로그가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하도록 할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하도록 할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 메모리 마진 설정을 변경함으로써, 상기 메모리(130)에 발생한 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 해소하도록 할 수 있다.
상기 메모리 마진 설정은, 상기 구동 전압의 설정 또는 상기 지연 시간의 설정 중 적어도 하나의 설정을 포함할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 메모리(130)의 생산 단계에서 측정된, 상기 구동 전압 및 상기 지연 시간에 기반하여 수행된 상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하고, 및 상기 판단에 기반하여, 상기 속성 데이터를 상기 지정된 값에 대응하게 저장하도록 할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 지정된 제1 범위에 포함된 임의의 구동 전압 및 지정된 제2 범위에 포함된 임의의 지연 시간에서 수행된 상기 데이터 전송 중 적어도 하나가 실패하는 경우, 상기 데이터 전송이 상기 지정된 조건을 충족하는 것으로 판단하도록 할 수 있다.
상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치(101)가, 상기 소프트웨어 오류가 발생하면, 상기 메모리(130)에 소프트웨어 오류 발생 이력을 저장하도록 할 수 있다.
전자 장치(101)를 제어하는 방법은 상기 전자 장치(101)에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치(101)의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하는 동작, 상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면, 메모리(130)에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하는 동작, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리(130)에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하는 동작,　및 상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리(130)에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하는 동작을 포함하고, 상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함할 수 있다.
상기 결함을 식별하는 동작은, 상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여, 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별하는 동작, 및 상기 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 발생한 소프트웨어 오류는 제1 소프트웨어 오류에 대응하고, 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력은 제2 소프트웨어 오류가 발생한 이력을 포함할 수 있다.
상기 결함을 식별하는 동작은, 상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 동일하고, 및 상기 제1 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리(130)에 저장된 제1 로그와 상기 제2 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리(130)에 저장된 제2 로그가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 결함을 식별하는 동작은, 상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리(130)에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리(130)에 발생한 것으로 판단하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 메모리 마진 설정을 변경하는 동작은, 상기 메모리(130)에 발생한 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 해소하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 메모리 마진 설정은, 상기 구동 전압의 설정 또는 상기 지연 시간의 설정 중 적어도 하나의 설정을 포함할 수 있다.
상기 전자 장치(101)를 제어하는 방법은, 상기 메모리(130)의 생산 단계에서 측정된, 상기 구동 전압 및 상기 지연 시간에 기반하여 수행된 상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하는 동작, 및 상기 판단에 기반하여, 상기 속성 데이터를 상기 지정된 값에 대응하게 저장하는 동작을 더 포함할 수 있다.
상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하는 동작은, 지정된 제1 범위에 포함된 임의의 구동 전압 및 지정된 제2 범위에 포함된 임의의 지연 시간에서 수행된 상기 데이터 전송 중 적어도 하나가 실패하는 경우, 상기 데이터 전송이 상기 지정된 조건을 충족하는 것으로 판단하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 전자 장치(101)를 제어하는 방법은, 상기 소프트웨어 오류가 발생하면, 상기 메모리(130)에 소프트웨어 오류 발생 이력을 저장하는 동작을 더 포함할 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어™)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    메모리;　및
    상기 메모리와 연결된 프로세서;　를 포함하고,
    상기 메모리는,　상기 프로세서에 의해 실행 시에,　상기 전자 장치가,
    상기 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하고,
    상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면,　상기 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하고,
    상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하고,　및
    상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하도록 하는 인스트럭션들(instructions)을 저장하고,　
    상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함하는 전자 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여, 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별하고, 및
    상기 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하도록 하는 전자 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 발생한 소프트웨어 오류는 제1 소프트웨어 오류에 대응하고, 및
    상기 소프트웨어 오류 발생 이력은 제2 소프트웨어 오류가 발생한 이력을 포함하는 전자 장치.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 동일하고, 및
    상기 제1 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리에 저장된 제1 로그와 상기 제2 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리에 저장된 제2 로그가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하도록 하는 전자 장치.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하도록 하는 전자 장치.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 메모리 마진 설정을 변경함으로써, 상기 메모리에 발생한 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 해소하도록 하는 전자 장치.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 메모리 마진 설정은,
    상기 구동 전압의 설정 또는 상기 지연 시간의 설정 중 적어도 하나의 설정을 포함하는 전자 장치.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 메모리의 생산 단계에서 측정된, 상기 구동 전압 및 상기 지연 시간에 기반하여 수행된 상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하고, 및
    상기 판단에 기반하여, 상기 속성 데이터를 상기 지정된 값에 대응하게 저장하도록 하는 전자 장치.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    지정된 제1 범위에 포함된 임의의 구동 전압 및 지정된 제2 범위에 포함된 임의의 지연 시간에서 수행된 상기 데이터 전송 중 적어도 하나가 실패하는 경우, 상기 데이터 전송이 상기 지정된 조건을 충족하는 것으로 판단하도록 하는 전자 장치.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 인스트럭션들은, 상기 전자 장치가,
    상기 소프트웨어 오류가 발생하면, 상기 메모리에 소프트웨어 오류 발생 이력을 저장하도록 하는 전자 장치.
  11. 전자 장치를 제어하는 방법에 있어서,
    상기 전자 장치에 소프트웨어 오류(error)가 발생하면,　상기 전자 장치의 메모리 마진과 관련하여 설정된 속성 데이터가 지정된 값에 대응하는지 식별하는 동작;
    상기 속성 데이터가 상기 지정된 값에 대응하면, 메모리에 저장된 소프트웨어 오류 발생 이력을 식별하는 동작;
    상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여,　상기 메모리에 대하여 설정된 메모리 마진 설정(configuration)과 관련된 결함을 식별하는 동작;　및
    상기 결함의 식별에 기반하여,　상기 메모리에 대한 메모리 트레이닝을 수행함으로써 상기 메모리 마진 설정을 변경하는 동작; 을 포함하고,
    상기 메모리 마진은, 구동 전압에 대한 정보 및 데이터 전송과 관련된 지연 시간(latency)에 대한 정보를 포함하는 방법.
  12. 청구항 11에 있어서, 상기 결함을 식별하는 동작은,
    상기 발생한 소프트웨어 오류 및 상기 소프트웨어 오류 발생 이력에 기반하여, 소프트웨어 오류의 발생 횟수를 식별하는 동작; 및
    상기 발생 횟수가 임계 횟수 이상이면, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하는 동작; 을 포함하는 방법.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 발생한 소프트웨어 오류는 제1 소프트웨어 오류에 대응하고, 및
    상기 소프트웨어 오류 발생 이력은 제2 소프트웨어 오류가 발생한 이력을 포함하는 방법.
  14. 청구항 13에 있어서, 상기 결함을 식별하는 동작은,
    상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 동일하고, 및
    상기 제1 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리에 저장된 제1 로그와 상기 제2 소프트웨어 오류의 발생에 따라 상기 메모리에 저장된 제2 로그가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하는 동작; 을 포함하는 방법.
  15. 청구항 13에 있어서, 상기 결함을 식별하는 동작은,
    상기 제1 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제1 결함 상태 및 상기 제2 소프트웨어 오류에 의해 상기 메모리에 발생한, 상기 메모리 마진 설정과 관련된 제2 결함 상태가 상이하면, 상기 메모리 마진과 관련된 결함이 상기 메모리에 발생한 것으로 판단하는 동작; 을 포함하는 방법.
  16. 청구항 11에 있어서, 상기 메모리 마진 설정을 변경하는 동작은,
    상기 메모리에 발생한 상기 메모리 마진 설정과 관련된 결함을 해소하는 동작; 을 포함하는 방법.
  17. 청구항 11에 있어서, 상기 메모리 마진 설정은,
    상기 구동 전압의 설정 또는 상기 지연 시간의 설정 중 적어도 하나의 설정을 포함하는 방법.
  18. 청구항 11에 있어서,
    상기 메모리의 생산 단계에서 측정된, 상기 구동 전압 및 상기 지연 시간에 기반하여 수행된 상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하는 동작; 및
    상기 판단에 기반하여, 상기 속성 데이터를 상기 지정된 값에 대응하게 저장하는 동작; 을 더 포함하는 방법.
  19. 청구항 18에 있어서, 상기 데이터 전송이 지정된 조건을 충족하는지 판단하는 동작은,
    지정된 제1 범위에 포함된 임의의 구동 전압 및 지정된 제2 범위에 포함된 임의의 지연 시간에서 수행된 상기 데이터 전송 중 적어도 하나가 실패하는 경우, 상기 데이터 전송이 상기 지정된 조건을 충족하는 것으로 판단하는 동작; 을 포함하는 방법.
  20. 청구항 11에 있어서,
    상기 소프트웨어 오류가 발생하면, 상기 메모리에 소프트웨어 오류 발생 이력을 저장하는 동작; 을 더 포함하는 방법.


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