KR20230121580A - 폴리오가노실록산 - Google Patents

폴리오가노실록산 Download PDF

Info

Publication number
KR20230121580A
KR20230121580A KR1020230018228A KR20230018228A KR20230121580A KR 20230121580 A KR20230121580 A KR 20230121580A KR 1020230018228 A KR1020230018228 A KR 1020230018228A KR 20230018228 A KR20230018228 A KR 20230018228A KR 20230121580 A KR20230121580 A KR 20230121580A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
group
mol
polyorganosiloxane
release
Prior art date
Application number
KR1020230018228A
Other languages
English (en)
Inventor
박준형
김현철
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Publication of KR20230121580A publication Critical patent/KR20230121580A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • C08K5/5419—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond containing at least one Si—C bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/544—Silicon-containing compounds containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/56—Organo-metallic compounds, i.e. organic compounds containing a metal-to-carbon bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/63—Additives non-macromolecular organic

Abstract

본 출원은 기재 필름과 이형층 사이의 결합력을 극대화함으로써 내용매성을 확보할 수 있는 이형층을 형성할 수 있는 폴리오가노실록산 및 이형 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 본 출원은 상온과 고온 조건에서도 적절한 박리력을 가지고, 고온 및 자외선이 조사되는 조건에서도 박리력의 변화가 적으며, 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있는 이형층을 형성할 수 있는 폴리오가노실록산 및 이형 조성물을 제공할 수 있다. 또한, 본 출원은 상기 폴리오가노실록산 및 이형 조성물의 응용으로써 이형층 및 상기 이형층을 포함하는 이형 필름 및 점착 필름을 제공할 수 있다.

Description

폴리오가노실록산{Polyorganosiloxane}
본 출원은 2022년 2월 11일자로 제출된 대한민국 특허출원 제 10-2022-0017903호에 기초하여 우선권을 주장하며, 해당 대한민국 특허출원 문헌에 개시된 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.
본 출원은, 폴리오가노실록산, 이형 조성물, 이형층, 이형 필름 및 점착 필름에 관한 것이다.
이형층은, 점착제 또는 접착제에 대해서 낮은 박리력을 나타내는 층이다. 이러한 이형층 또는 그를 포함하는 이형 필름은, 점착제층의 보호용 필름, 수지 시트의 제작용 공정 필름, 세라믹 그린 시트 성막용 공정 필름 및 합성 피혁의 제조용 공정 필름 등의 다양한 용도에 사용되고 있다.
이형 필름은, 일반적으로 종이, 유리 또는 고분자 필름 등의 기재 필름에 이형 조성물을 도포하고, 경화시켜서 이형층을 형성하여 제조한다.
특허문헌 1은, 폴리올레핀, 이소시아네이트 화합물 및 폴리올레핀 폴리올을 적어도 함유하는 박리제 조성물(이형 조성물)로 형성된 박리층(이형층)을 가지는 박리 시트를 개시한다.
이형층에는, 기본적으로 점착제 또는 접착제에 대해서 낮은 박리력을 나타낼 것이 요구되는데, 추가적으로 내용매성이 확보될 필요성도 존재한다. 이형 필름을 형성하는 과정 및/또는 상기 이형층상에 점착제나 접착제를 형성하는 과정에서 유기 용매가 자주 사용되기 때문에, 상기 이형층에는 내용매성이 요구된다.
또한, 이형층이 열이나 자외선에 노출된 후에 이형층의 점착제 또는 접착제에 대한 박리력이 변화되는 것은 적절하지 않기 때문에 상기 이형층에는 적절한 내열성 및 내자외선성이 확보되는 것이 중요하다.
일본 공개특허공보 제 2011-52207호
본 출원은, 폴리오가노실록산, 이형 조성물, 이형층, 이형 필름 및 점착 필름을 제공한다. 본 출원에서는 점착제 또는 접착제에 대해서 적절하게 낮은 박리력을 나타내는 이형층을 형성할 수 있는 폴리오가노실록산, 그를 포함하는 이형 조성물, 이형층, 이형 필름 및 점착 필름을 제공할 수 있다.
또한, 본 출원에서는 상기 이형층이 경시적으로 상기 점착제 또는 접착제에 대한 낮은 박리력을 안정적으로 유지하도록 하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 출원은 이형 필름 형성을 위해서 기재 필름상에 형성되었을 때에 상기 기재 필름과 우수한 밀착성을 나타내며, 내열성, 내용매성 및 내자외선성이 우수하고, 잔류 접착률도 높게 유지되는 이형층을 형성하는 것을 목적으로 한다.
본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 온도가 해당 물성에 영향을 미치는 경우, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 해당 물성은 상온에서 측정한 물성이다.
용어 상온은 인위적으로 가열 및 냉각되지 않은 자연 그대로의 온도이고, 예를 들면, 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도, 또는 약 15℃ 이상, 약 18℃ 이상, 약 20℃ 이상 또는 약 23℃ 이상이면서, 약 27℃ 이하인 온도 또는 약 25℃ 정도의 온도를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 특별히 달리 언급하지 않는 한, 온도의 단위는 섭씨(℃)이다.
본 출원에서 언급하는 물성 중에서 측정 압력이 해당 물성에 영향을 미치는 경우, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 해당 물성은 상압에서 측정한 물성이다.
용어 상압은 인위적으로 가압 및 감압되지 않은 자연 그대로의 압력이고, 예를 들면, 0.9 atm 내지 1.2 atm의 범위 내의 어느 한 압력 또는 약 740 mmHg 내지 780 mmHg의 범위 내의 어느 한 압력을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 용어 중량평균분자량(Mw) 및 수평균분자량(Mn)은 GPC(Gel permeation chromatography)를 사용하여 측정한 물성이고, 용어 다분산지수(PDI, polydisersity index)는, 상기 중량평균분자량(Mw)을 상기 수평균분자량(Mn)으로 나눈 값(Mw/Mn)이다. 본 명세서에서 언급하는 중량평균분자량(Mw) 및 수평균분자량(Mn)의 단위는 g/mol이다.
본 명세서에서 상기 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)은 20 mL 바이알(vial)에 시료를 넣고, 약 20 mg/mL의 농도가 되도록 THF(tetrahydrofuran)로 희석한 후, Calibration용 표준 시료와 분석 대상 시료를 syringe filter(pore size: 0.2 μm)로 여과시킨 후 측정할 수 있다. 분석 프로그램으로는, Agilent technologies사의 ChemStation을 사용할 수 있고, 시료의 elution time을 calibration curve와 비교하여 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)을 구할 수 있다.
<GPC 측정 조건>
기기: Agilent technologies사의 1200 series
컬럼: Agilent technologies사의 TL Mix. A & B 사용
용매: THF
컬럼온도: 40℃
샘플 농도: 20 mg/mL, 10 ㎕ 주입
표준 시료로 MP: 364000, 91450, 17970, 4910, 1300 사용
본 명세서에서 용어 알킬기는, 다른 기재가 없는 한, 탄소수 1 내지 20, 또는 탄소수 1 내지 16, 또는 탄소수 1 내지 12, 또는 탄소수 1 내지 8, 또는 탄소수 1 내지 6 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기를 의미하거나, 또는 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형 알킬기를 의미할 수 있다.
본 명세서에서 용어 알콕시기는, 다른 기재가 없는 한, 탄소수 1 내지 20, 또는 탄소수 1 내지 16, 또는 탄소수 1 내지 12, 또는 탄소수 1 내지 8, 또는 탄소수 1 내지 6 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기를 의미하거나, 또는 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형 알콕시기를 의미할 수 있다.
본 명세서에서 용어 알킬리덴기 및 알킬렌기는 모두 알칸에서 2개의 수소 원자가 이탈하여 형성된 2가 잔기를 의미한다. 다만, 알킬리덴기는, 알칸의 하나의 탄소 원자에서 2개의 수소 원자가 이탈한 2가 잔기를 의미하고, 알킬렌기는, 알칸의 서로 다른 2개의 탄소 원자에서 각각 1개씩 수소 원자가 이탈하여 형성한 2가 잔기를 의미한다.
본 명세서에서 용어 알킬리덴기는, 다른 기재가 없는 한, 탄소수 1 내지 20, 또는 탄소수 1 내지 16, 또는 탄소수 1 내지 12, 또는 탄소수 1 내지 8, 또는 탄소수 1 내지 6 또는 탄소수 1 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬리덴기를 의미하거나, 또는 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형 알킬리덴기를 의미할 수 있다.
본 명세서에서 용어 알킬렌기는, 다른 기재가 없는 한, 탄소수 2 내지 20, 또는 탄소수 2 내지 16, 또는 탄소수 2 내지 12, 또는 탄소수 2 내지 8, 또는 탄소수 2 내지 6 또는 탄소수 2 내지 4의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬렌기를 의미하거나, 또는 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형 알킬렌기를 의미할 수 있다.
본 명세서에서 용어 알케닐기 또는 알케닐렌기는 다른 기재가 없는 한 탄소수 2 내지 20, 또는 탄소수 2 내지 16, 또는 탄소수 2 내지 12, 또는 탄소수 2 내지 8, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알케닐기 또는 알케닐렌기; 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형 알케닐기 또는 알케닐렌기일 수 있다.
본 명세서에서 용어 알키닐기 또는 알키닐렌기는 다른 기재가 없는 한 탄소수 2 내지 20, 또는 탄소수 2 내지 16, 또는 탄소수 2 내지 12, 또는 탄소수 2 내지 8, 또는 탄소수 2 내지 6의 직쇄 또는 분지쇄의 알키닐기 또는 알키닐렌기이거나, 탄소수 3 내지 20, 또는 탄소수 3 내지 16, 또는 탄소수 3 내지 12, 또는 탄소수 3 내지 8, 또는 탄소수 3 내지 6의 고리형의 알키닐기 또는 알키닐렌기일 수 있다.
본 명세서에서 용어 아릴기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 방향족 화합물로부터 유래된 1가 잔기를 의미하고, 용어 아릴렌기는 방향족 화합물로부터 유래된 2가 잔기를 의미한다. 상기에서 방향족 화합물은, 벤젠 또는 2개 이상의 벤젠이 서로 연결되어 있거나, 하나 또는 2개 이상의 탄소 원자를 공유하면서 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체일 수 있다. 예를 들어, 본 명세서에서 용어 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되는 관능기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 상기 아릴기 또는 아릴렌기를 형성하는 상기 방향족 화합물은, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 방향족 화합물 또는 벤젠일 수 있다.
본 명세서에서 용어 1가 탄화수소기는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소와 수소로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 예를 들면, 1가 탄화수소기는, 1개 내지 25개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소기로는, 예를 들면, 상기 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있다.
상기 알킬기, 알콕시기, 알킬리덴기, 알킬렌기, 알케닐기, 알케닐렌기, 알키닐기, 알키닐렌기, 아릴기, 아릴렌기 또는 1가 탄화수소기는 임의로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수도 있다. 이러한 경우에 치환기로는, 할로겐(염소(Cl), 요오드(I), 브롬(Br) 또는 불소(F)), 에폭시기, 글리시딜기, 글리시딜옥시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 시아노기, 카르복실기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 카르보닐기 및 히드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 명세서에서 용어 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자(이종 원자)를 1개 이상 고리 구조에 포함하는 방향족 고리 치환기로서, 상기 이종 원자로는 질소(N), 산소(O), 황(S), 셀레늄(Se) 및 텔레늄(Te)으로 이루어진 군에서 선택되는 1개 이상이 예시될 수 있다. 본 명세서에서 헤테로아릴기의 고리 구조를 구성하는 원자를 고리 원자라고 부를 수 있다. 상기 헤테로아릴기는 단환식 고리 구조 또는 다환식 고리 구조를 포함할 수 있다. 상기 헤테로아릴기는, 예를 들면, 탄소수 2 내지 30, 또는 탄소수 2 내지 26, 또는 탄소수 2 내지 22, 또는 탄소수 2 내지 20, 또는 탄소수 2 내지 18, 또는 탄소수 2 내지 15의 헤테로아릴기일 수 있다. 상기 헤테로아릴기는 고리 원자수를 특별히 한정하지 않으나, 상기 고리 원자의 수는, 5 내지 30, 5 내지 25, 5 내지 20, 5 내지 15, 5 내지 10 또는 5 내지 8 정도일 수 있다. 헤테로아릴기로는, 예를 들면, 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸릴기, 티아졸릴기, 옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 트리아졸릴기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아지닐기, 아크리딜기, 피리다지닐기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도피리미디닐기, 피리도피라지닐기, 피라지노피라지닐기, 이소퀴놀리닐기, 인돌기, 카바졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조티아졸릴기, 벤조카바졸릴기, 디벤조카바졸릴기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 디벤조퓨란기, 벤조실롤기, 디벤조실롤기, 페난트롤리닐기(phenanthrolinyl group), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기, 페녹사진기 및 이들의 축합 구조 등으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상이 예시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 용어 헤테로아릴렌기는 상기 헤테로아릴기에서 수소 원자가 추가로 하나 더 이탈하여 형성된 2가 잔기를 의미한다.
상기 헤테로아릴기 또는 헤테로아릴렌기는 임의로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수도 있다. 이러한 경우에 치환기로는, 할로겐(염소(Cl), 요오드(I), 브롬(Br) 또는 불소(F)), 에폭시기, 글리시딜기, 글리시딜옥시기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알콕시기, 시아노기, 카르복실기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 아크릴로일옥시기, 메타크릴로일옥시기, 카르보닐기 및 히드록시기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원은 폴리오가노실록산에 대한 것이다. 용어 폴리오가노실록산은, 공지된 바와 같이 실록산 결합(Si-O-Si)으로 형성되는 사슬을 포함하는 고분자를 의미한다.
폴리오가노실록산은, 통상 소위 M 단위, D 단위, T 단위 및 Q 단위로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 실록산 단위를 포함하여 형성된다.
본 명세서에서 M 단위는, 통상 (R3SiO1/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 일관능성 실록산 단위(즉, 규소 원자가 하나의 산소 원자에 연결되어 있는 구조의 실록산 단위)이고, D 단위는 통상 (R2SiO2/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 이관능성 실록산 단위(즉, 규소 원자가 2개의 산소 원자에 연결되어 있는 구조의 실록산 단위)이며, T 단위는 통상 (RSiO3/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 삼관능성 실록산 단위(즉, 규소 원자가 3개의 산소 원자에 연결되어 있는 구조의 실록산 단위)이고, Q 단위는, 통상 (SiO4/2)로 표시되는 경우가 있는 소위 사관능성 실록산 단위(즉, 규소 원자가 4개의 산소 원자에 연결되어 있는 구조의 실록산 단위)이다.
본 출원의 폴리오가노실록산은, 특정한 실록산 단위를 포함하며, 그에 따라서 본 출원에서 목적으로 하는 이형층을 형성할 수 있다.
상기 폴리오가노실록산은 1분자의 폴리오가노실록산이거나, 혹은 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물일 수 있다. 예를 들면, 상기 1분자의 폴리오가노실록산 또는2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물은 후술하는 평균 단위(화학식 5의 평균 단위)를 가질 수 있다.
상기 폴리오가노실록산은, 하기 화학식 1의 실록산 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 1]
(R1 mR2 nSiO(4-m-n)/2)
화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 상기 실록산 단위의 규소 원자에 결합하고 있는 치환기이다. 화학식 1에서 R1은 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기일 수 있고, R2는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다. 화학식 1에서 m은 1 이상의 수이고, n은 0 이상의 수이며, m+n은 1 내지 3의 범위 내의 수일 수 있다.
화학식 1에서 m+n이 1, 2 및 3인 경우는 각각 상기 화학식 1의 실록산 단위가 T 단위, D 단위 및 M 단위인 경우를 의미한다. 화학식 1의 실록산 단위는 상기 T 단위, D 단위 또는 M 단위일 수 있다.
화학식 1에서 R1은 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기이고, 하나의 예시에서 상기 관능기는 알케닐기를 포함하는 관능기 또는 (메타)아크릴로일기를 포함하는 관능기일 수 있다.
본 명세서에서 용어 (메타)아크릴은 아크릴과 메타크릴을 함께 지칭한다.
하나의 예시에서 상기 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기는 하기 화학식 3의 관능기일 수 있다.
[화학식 3]
화학식 3에서 L1은, 단일 결합, 알킬리덴기 또는 알킬렌기일 수 있고, L2는 알킬리덴기 또는 알킬렌기일 수 있으며, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소, 알킬기 또는 아릴기일 수 있다.
상기에서 단일 결합은, L1이 존재하지 않는 경우를 의미한다. 따라서, 예를 들어, L1이 단일 결합이라면, 화학식 3의 질소 원자가 직접 화학식 1의 실록산 단위의 규소 원자에 연결된다.
적절한 예시에서 화학식 1의 L1 및 L2는 각각 독립적으로 알킬리덴기 또는 알킬렌기일 수 있다.
화학식 3에서 알킬기, 알킬리덴기, 알킬렌기 및 아릴기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
화학식 3의 L1 또는 질소 원자(L1이 단일 결합인 경우)가 화학식 1의 실록산 단위의 규소 원자에 연결될 수 있다.
화학식 1에서 R2는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다. 상기에서 1가 탄화수소기는 전술한 바와 같이 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기일 수 있으며, 적절한 예시에서는 알킬기일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 알콕시기, 1가 탄화수소기, 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
화학식 1에서 m의 하한은, 1, 2 또는 3일 수 있고, 그 상한은 3, 2 또는 1일 수 있다. 상기 m은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 m은 1일 수 있다.
화학식 1에서 n의 하한은, 0, 1 또는 2일 수 있고, 그 상한은 2, 1 또는 0일 수 있다. 상기 n은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 n은 1 또는 2일 수 있다.
상기 폴리오가노실록산이 포함하는 전체 실록산 단위의 합계 몰수(M, D, T 및 Q 단위의 합계 몰수) 대비 상기 화학식 1의 실록산 단위의 몰%의 하한은, 0.5몰%, 1몰%, 2몰%, 3몰%, 4몰%, 5몰%, 10몰%, 15몰%, 20몰%, 25몰% 또는 30몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 100몰%, 95몰%, 90몰%, 85몰%, 80몰%, 75몰%, 70몰%, 65몰%, 60몰%, 55몰%, 50몰%, 45몰%, 40몰%, 35몰%, 30몰%, 25몰%, 20몰%, 15몰%, 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰% 또는 3몰% 정도일 수 있다. 상기 몰%는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
또한, 상기 폴리오가노실록산이 포함하는 전체 규소 원자 결합 유기기의 합계 몰수 대비 상기 화학식 1의 실록산 단위에 포함되는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기의 몰%의 하한은, 0.5몰%, 1몰%, 2몰%, 3몰%, 4몰%, 5몰% 또는 10몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 50몰%, 45몰%, 40몰%, 35몰%, 30몰%, 25몰%, 20몰%, 15몰%, 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰% 또는 2몰% 정도일 수 있다. 상기 몰%는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 폴리오가노실록산은, 또한 하기 화학식 2의 실록산 단위를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
(R3 pR4 qSiO(4-p-q)/2)
화학식 2에서 R3 및 R4는 각각 상기 실록산 단위의 규소 원자에 결합하고 있는 치환기이다. 화학식 2에서 R3는 케톤기 함유 관능기일 수 있고, R4는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다. 화학식 2에서 p는 1 이상의 수이고, q는 0 이상의 수이며, p+q는 1 내지 3의 범위 내의 수일 수 있다.
화학식 2에서 p+q이 1, 2 및 3인 경우는 각각 상기 화학식 2의 실록산 단위가 T 단위, D 단위 및 M 단위인 경우를 의미한다. 화학식 2의 실록산 단위는 상기 T 단위, D 단위 또는 M 단위일 수 있다.
화학식 2에서 R3는 케톤기 함유 관능기일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 케톤기 함유 관능기는 하기 화학식 4의 관능기일 수 있다.
[화학식 4]
화학식 4에서 L3는, 단일 결합, 알킬리덴기 또는 알킬렌기일 수 있고, L4는 아릴렌기일 수 있으며, R7은, 수소 또는 알킬기일 수 있고, R8은 아릴기일 수 있다.
상기에서 단일 결합은, L3가 존재하지 않는 경우를 의미한다. 따라서, 예를 들어, L3가 단일 결합이라면, 화학식 4의 질소 원자가 직접 화학식 2의 실록산 단위의 규소 원자에 연결된다.
적절한 예시에서 화학식 2의 L3는 알킬리덴기 또는 알킬렌기일 수 있다.
화학식 4에서 알킬기, 알킬리덴기, 알킬렌기, 아릴기 및 아릴렌기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
화학식 4의 L3 또는 질소 원자(L3가 단일 결합인 경우)가 화학식 2의 실록산 단위의 규소 원자에 연결될 수 있다.
화학식 2에서 R4는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다. 상기 1가 탄화수소기는 전술한 바와 같이 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기일 수 있으며, 적절한 예시에서는 알킬기일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 알콕시기, 1가 탄화수소기, 알킬기, 알케닐기 또는 알키닐기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
화학식 2에서 p의 하한은, 1, 2 또는 3일 수 있고, 그 상한은 3, 2 또는 1일 수 있다. 상기 p은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 p은 1일 수 있다.
화학식 2에서 q의 하한은, 0, 1 또는 2일 수 있고, 그 상한은 2, 1 또는 0일 수 있다. 상기 q은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 q은 1 또는 2일 수 있다.
상기 폴리오가노실록산이 포함하는 전체 실록산 단위의 합계 몰수(M, D, T 및 Q 단위의 합계 몰수) 대비 상기 화학식 2의 실록산 단위의 몰%의 하한은, 0.5몰%, 1몰%, 2몰%, 3몰%, 4몰%, 5몰%, 10몰%, 15몰%, 20몰%, 25몰% 또는 30몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 100몰%, 95몰%, 90몰%, 85몰%, 80몰%, 75몰%, 70몰%, 65몰%, 60몰%, 55몰%, 50몰%, 45몰%, 40몰%, 35몰%, 30몰%, 25몰%, 20몰%, 15몰%, 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰% 또는 3몰% 정도일 수 있다. 상기 몰%는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
또한, 상기 폴리오가노실록산이 포함하는 전체 규소 원자 결합 유기기의 합계 몰수 대비 상기 화학식 2의 실록산 단위에 포함되는 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기의 몰%의 하한은, 0.5몰%, 1몰%, 2몰%, 3몰%, 4몰%, 5몰% 또는 10몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 50몰%, 45몰%, 40몰%, 35몰%, 30몰%, 25몰%, 20몰%, 15몰%, 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰% 또는 2몰% 정도일 수 있다. 상기 몰%는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 폴리오가노실록산에서 상기 화학식 1의 실록산 단위의 몰수 대비 상기 화학식 2의 실록산 단위의 몰수의 비율의 하한은, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7 또는 0.9 정도일 수 있고, 그 상한은, 2, 1.8, 1.6, 1.4, 1.2 또는 1.1 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기와 같은 폴리오가노실록산은 특정한 평균 단위를 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 폴리오가노실록산의 평균 단위는 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 규소 원자를 1로 환산하였을 때에 다른 원자 또는 관능기의 비율을 표시한 단위를 의미한다. 이러한 평균 단위는 1분자의 폴리오가노실록산에 대한 것이거나, 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것일 수도 있다. 평균 단위가 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것인 경우에는 상기 혼합물에 포함되는 모든 규소 원자의 수를 1로 가정하여 다른 관능기 내지 원자의 비율을 계산한다. 폴리오가노실록산을 제조하는 과정에서 실질적으로는 1분자의 폴리오가노실록산만이 생성되는 경우는 많지 않고, 통상 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물이 생성된다.
상기 폴리오가노실록산은 하기 화학식 5의 평균 단위를 가질 수 있다.
[화학식 5]
R1 aR3 bR5 cSiO(4-a-b-c)/2
화학식 5에서 R1은 화학식 1의 R1과 같고, R3는 화학식 2의 R3와 같으며, R5는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이다. 상기 1가 탄화수소기는 전술한 바와 같이 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기일 수 있으며, 적절한 예시에서는 알킬기일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
화학식 5에서 a, b 및 c는 임의의 수이다.
하나의 예시에서 상기 a의 하한은, 0.001, 0.005, 0.01, 0.015, 0.02, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25 또는 0.3일 수 있고, 그 상한은, 1, 0.9, 0.8, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2, 0.1, 0.09, 0.08, 0.07, 0.06, 0.05, 0.04 또는 0.03 정도일 수 있다. 상기 a는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 b의 하한은, 0.001, 0.005, 0.01, 0.015, 0.02, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25 또는 0.3일 수 있고, 그 상한은, 1, 0.9, 0.8, 0.7, 0.6, 0.5, 0.4, 0.3, 0.2, 0.1, 0.09, 0.08, 0.07, 0.06, 0.05, 0.04 또는 0.03 정도일 수 있다. 상기 b는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 c의 하한은, 0.1, 0.5, 1, 1.5 또는 2 정도일 수 있고, 그 상한은, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4, 3, 2.5 또는 2 정도일 수 있다. 상기 c는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기와 같은 평균 단위의 폴리오가노실록산에 포함되는 규소 원자의 수의 하한은, 2, 3, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35 또는 40 정도일 수 있고, 그 상한은 100, 95, 90, 85, 80, 75, 70, 65, 60, 55, 50, 45, 40, 35, 30, 25, 20, 15, 10 또는 5 정도일 수 있다. 상기 규소 원자의 수는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기와 같은 폴리오가노실록산은, 실질적으로 선형의 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우에 상기 폴리오가노실록산은, 실질적으로 M 단위 및 D 단위만으로 구성되거나, M 단위와 D 단위와 함께 T 및/또는 Q 단위를 포함하되, 상기 T 및/또는 Q 단위의 비율이 일정 수준 이하인 구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 상기 폴리오가노실록산에서, 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 실록산 단위의 몰수 대비 상기 T 및 Q 단위의 합계 몰수의 비율(100×(T 단위 몰수+Q 단위 몰수)/전체 실록산 단위 몰수)의 상한은 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰%, 2몰%, 1몰% 또는 0.5몰% 정도일 수 있고, 그 하한은 0몰%일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 폴리오가노실록산의 중량평균분자량의 하한은, 500, 1,000, 1,500, 2,000, 2,500, 3,000 또는 3,500 정도일 수 있고, 그 상한은, 10,000, 9,500, 9,000, 8,500, 8,000, 7,500, 7,000, 6,500, 6,000, 5,500, 5,000, 4,500 또는 4,000 정도일 수 있다. 상기 중량평균분자량은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
본 출원은 또한 이형 조성물에 대한 것이다. 용어 이형 조성물은, 이형층을 형성할 수 있는 조성물을 의미한다.
상기 이형 조성물은, 실리콘 수지 성분을 포함할 수 있다. 용어 실리콘 수지 성분은, 1종의 폴리오가노실록산으로 이루어지거나, 혹은 2종 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물로 이루어지는 성분을 의미한다.
상기 실리콘 수지 성분은, 경화성 실리콘 수지 성분일 수 있고, 이러한 경우에 상기 이형 조성물은 경화성 조성물일 수 있다.
본 명세서에서 용어 경화성 조성물은 경화 반응이나 중합 반응을 거쳐서 수지로 전환될 수 있는 성분은 물론 일반적으로 수지로서 알려진 성분을 포함할 수 있다.
상기 이형 조성물은, 상기 실리콘 수지 성분과 함께 전술한 화학식 1 및/또는 2의 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 상기 이형 조성물에 포함되는 상기 화학식 1 및/또는 2의 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산은, 상기 실리콘 수지 성분에 포함되는 폴리오가노실록산과 구별을 위해서 첨가 폴리오가노실록산으로 불릴 수 있다.
일 예시에서 상기 실리콘 수지 성분은, 상기 첨가 폴리오가노실록산 대비 큰 중량평균분자량을 가질 수 있다.
상기 이형 조성물은, 용매형, 수계 또는 무용매형 이형 조성물일 수 있다.
상기 이형 조성물이 경화성인 경우에 상기 조성물은, 활성 에너지선(예를 들면, 자외선) 경화형, 습기 경화형, 열경화형 또는 상온 경화형일 수 있으며, 경우에 따라서는 상기 중 2종 이상이 복합된 하이브리드 형태일 수도 있다. 이형 조성물이 활성 에너지선 경화형인 경우, 상기 이형 조성물의 경화는 자외선 등의 활성 에너지선 조사에 의해 수행되며, 습기 경화형인 경우, 상기 이형 조성물의 경화는 적절한 습기 하에서 유지하는 방식에 의해 수행되고, 열 경화형인 경우, 상기 이형 조성물의 경화는, 적절한 열을 인가하는 방식에 의해 수행되며, 또는 상온 경화형인 경우, 상기 이형 조성물의 경화는, 상온에서 이형 조성물을 유지하는 방식에 의해 수행될 수 있다.
본 출원의 이형 조성물에서 상기 실리콘 수지 성분의 비율의 하한은, 10 중량%, 11 중량%, 12 중량%, 14 중량%, 16 중량% 또는 18 중량% 정도일 수 있고, 그 상한은, 40 중량%, 39 중량%, 38 중량%, 36 중량%, 34 중량%, 32 중량%, 30 중량%, 28 중량%, 26 중량%, 24 중량%, 22 중량% 또는 20 중량% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 이형 박리력과 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있는 이형 조성물이 제공될 수 있다.
다른 예시에서, 본 출원의 이형 조성물에서 상기 실리콘 수지 성분의 비율의 하한은, 60 중량%, 65 중량%, 70 중량%, 75 중량%, 80 중량%, 85 중량% 또는 90 중량%, 정도일 수 있고, 그 상한은 중량%, 100 중량%, 99 중량%, 98 중량%, 96 중량%, 95 중량%, 94 중량%, 93 중량%, 92 중량%, 91 중량%, 90 중량%, 89 중량% 또는 88 중량% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 상기 범위에서 적절한 이형 박리력과 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있는 이형 조성물이 제공될 수 있다. 상기 비율은 고형분에 기초한 비율이고, 따라서 상기 이형 조성물이 용매를 포함하는 경우에 해당 용매의 중량을 제외한 이형 조성물의 전체 중량에 대한 비율이다.
하나의 예시에서 상기 이형 조성물의 실리콘 수지 성분은 소위 부가 경화형 성분일 수 있다. 이러한 수지 성분은, 예를 들면, 규소 원자에 결합된 알케닐기를 가지는 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산(이하, 제 1 폴리오가노실록산 또는 제 1 폴리오가노실록산 성분으로 불릴 수 있다.)을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물에서 경화성 실리콘 수지 성분의 전체 중량을 기준으로 한 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분의 비율의 하한은, 90 중량%, 91 중량%, 92 중량%, 93 중량%, 94 중량%, 95 중량%, 96 중량%, 97 중량% 또는 98 중량% 정도일 수 있고, 그 상한은 100 중량%, 99.9 중량% 또는 99 중량% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 경화성 실리콘 수지 성분이 제 1 폴리오가노실록산 성분을 상기 범위 내로 포함하는 경우에는, 적절한 이형 박리력을 확보할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은, 하기 화학식 6의 평균 단위를 가질 수 있다. 이러한 평균 단위는 1분자의 폴리오가노실록산에 대한 것이거나, 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것일 수도 있다. 평균 단위가 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것인 경우에는 상기 혼합물에 포함되는 모든 규소 원자의 수를 1로 가정하여 다른 관능기 내지 원자의 비율을 계산한다.
[화학식 6]
PaQbSiO(4-a-b)/2
화학식 6에서 P는 알케닐기이고, Q는 알콕시기, 히드록시기 또는 1가 탄화수소기일 수 있다.
화학식 6에서 알케닐기, 알콕시기 및 1가 탄화수소기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
화학식 6에서 a 및 b는 임의의 수이다.
하나의 예시에서 상기 a의 하한은, 0.0001, 0.0005, 0.001, 0.002, 0.005 또는 0.01 정도일 수 있고, 그 상한은, 0.1, 0.09, 0.08, 0.07, 0.06, 0.05, 0.04, 0.03, 0.02, 0.01, 0.009, 0.008, 0.007, 0.006, 0.005, 0.004 또는 0.003 정도일 수 있다. 상기 a는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 b의 하한은, 0.5, 1, 1.5, 1.7 또는 1.9 정도일 수 있고, 그 상한은, 4, 3.5, 3, 2.5 또는 2 정도일 수 있다. 상기 b는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 화학식 6의 평균 단위에 포함되는 전체 규소 원자 결합 유기기의 몰수를 기준으로 한 상기 화학식 6의 평균 단위에 포함되는 전체 알케닐기의 몰수의 비율의 하한은, 0.01몰%, 0.05몰%, 0.1몰%, 0.15몰%, 0.2몰%, 0.25몰%, 0.3몰%, 0.35몰%, 0.4몰%, 0.45몰% 또는 0.5몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 5몰%, 4몰%, 3몰%, 2몰%, 1몰%, 0.9몰%, 0.8몰%, 0.7몰% 또는 0.6몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 이러한 비율 하에서 적절한 경화성을 확보하고, 목적하는 이형 특성을 가지는 이형층을 형성할 수 있다.
이러한 알케닐기는, 예를 들면, 하기 화학식 8의 실록산 단위 및/또는 하기 화학식 9의 실록산 단위에 존재할 수 있다.
[화학식 8]
ViR6 2SiO1/2
[화학식 9]
ViR6SiO2/2
화학식 8 및 9에서 Vi는 알케닐기이고, R6는 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이다. 상기에서 알케닐기, 알콕시기 및 1가 탄화수소기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
제 1 폴리오가노실록산 성분 내의 전체 실록산 단위를 기준으로 한 상기 화학식 8의 실록산 단위의 비율의 하한은, 0.001몰%, 0.005몰%, 0.01몰%, 0.02몰%, 0.03몰%, 0.04몰%, 0.05몰%, 0.06몰%, 0.07몰%, 0.08몰%, 0.09몰% 또는 0.095몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 0.5몰%, 0.4몰%, 0.3몰%, 0.2몰%, 0.1몰%, 0.09몰%, 0.08몰% 또는 0.07몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
제 1 폴리오가노실록산 성분 내의 전체 실록산 단위를 기준으로 한 상기 화학식 9의 실록산 단위의 비율의 하한은, 0.01몰%, 0.05몰%, 0.1몰%, 0.15몰%, 0.2몰%, 0.3몰%, 0.4몰%, 0.5몰%, 0.6몰%, 0.7몰%, 0.8몰% 또는 0.9몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰%, 2몰% 또는 1몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
제 1 폴리오가노실록산 성분은 상기 화학식 8 및 9의 실록산 단위를 모두 포함할 수 있다. 이러한 경우에 상기 화학식 8의 실록산 단위 대비 상기 화학식 9의 실록산 단위의 몰비의 하한은, 0.1, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 또는 9.5 정도일 수 있고, 그 상한은, 20, 18, 16, 14, 12, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5, 4 또는 3 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분에 포함되는 규소 원자의 수의 하한은, 500, 1,500, 2,000, 2,500 또는 3,000 정도일 수 있고, 그 상한은 10,000, 5,000, 4,000, 3,500, 3,000, 2,500 또는 2,100 정도일 수 있다. 상기 규소 원자의 수는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은, 실질적으로 선형의 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우에 상기 폴리오가노실록산은, 실질적으로 M 단위 및 D 단위만으로 구성되거나, M 단위와 D 단위와 함께 T 및/또는 Q 단위를 포함하되, 상기 T 및/또는 Q 단위의 비율이 일정 수준 이하인 구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분에서, 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 실록산 단위의 몰수 대비 상기 T 및 Q 단위의 합계 몰수의 비율(100×(T 단위 몰수+Q 단위 몰수)/전체 실록산 단위 몰수)의 상한은 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰%, 2몰%, 1몰% 또는 0.5몰% 정도일 수 있고, 그 하한은 0몰%일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분의 중량평균분자량의 하한은, 100,000, 150,000, 200,000, 250,000, 300,000 또는 350,000 정도일 수 있고, 그 상한은, 1,000,000, 950,000, 900,000, 850,000, 800,000, 750,000, 700,000, 650,000, 600,000, 550,000, 500,000, 450,000 또는 400,000 정도일 수 있다. 상기 중량평균분자량은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은 다분산지수(PDI)의 하한은, 1, 1.25 또는 1.5 정도일 수 있고, 그 상한은, 5, 3.5 또는 2.5 정도일 수 있다. 상기 다분산 지수는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
하나의 예시에서 상기와 같은 제 1 폴리오가노실록산 성분은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 A]
화학식 A에서, Ra, Rb 및 R21은 각각 독립적으로 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8, 탄소수 2 내지 4 또는 탄소수 2 또는 3의 알케닐기일 수 있다.
화학식 A에서, R16, R17, R18, R19, R20, R22 및 R23은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8, 탄소수 1 내지 4, 탄소수 1 내지 3 또는 탄소수 1 또는 2의 알킬기일 수 있다.
화학식 A에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 10,000, 1 내지 8,000, 1 내지 6,000, 1 내지 4,000, 1 내지 3,000, 1 내지 2,000 또는 1 내지 1,000의 범위 내의 수일 수 있다. 또한, 구체적으로, 화학식 1에서, m은 1 내지 5,000, 10 내지 4,500, 50 내지 5,000, 100 내지 4,500, 500 내지 4,000 또는 1,000 내지 3,000의 범위 내일 수 있다. 또한, 화학식 1에서 n은 1 내지 100, 2 내지 75, 3 내지 50 또는 4 내지 25의 범위 내일 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은 화학식 A로 표시되는 화합물을 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분의 전체 중량 대비 100 중량%로 포함할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분의 전체 중량 대비 90 중량% 이상, 92.5 중량% 이상, 95 중량% 이상, 97.5 중량% 이상 또는 99 중량% 이상으로 포함할 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분은 화학식 A로 표시되는 화합물 제외한 다른 말단에 알케닐기를 함유하고 디알킬실록산 반복 단위를 포함하는 화합물을 추가로 포함할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 이형 조성물의 실리콘 수지 성분은 규소 원자에 결합된 수소 원자를 가지는 폴리오가노실록산 성분을 추가로 포함할 수 있다. 이러한 성분은 제 2 폴리오가노실록산 성분으로 불릴 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분은, 제 1 폴리오가노실록산 성분과 가교 구조를 형성할 수 있다.
하나의 예시에서 상기 제 2 폴리오가노실록산 성분은, 하기 화학식 7의 평균 단위를 가질 수 있다. 이러한 평균 단위는 1분자의 폴리오가노실록산에 대한 것이거나, 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것일 수도 있다. 평균 단위가 2분자 이상의 폴리오가노실록산의 혼합물에 대한 것인 경우에는 상기 혼합물에 포함되는 모든 규소 원자의 수를 1로 가정하여 다른 관능기 내지 원자의 비율을 계산한다.
[화학식 7]
HcQdSiO(4-c-d)/2
화학식 7에서 Q는 화학식 6에서의 Q와 같다.
화학식 7에서 c 및 d는 임의의 수이다.
하나의 예시에서 상기 c의 하한은, 0.01, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25, 0.3, 0.35, 0.4, 0.45, 0.5, 0.55 또는 0.6 정도일 수 있고, 그 상한은, 2, 1.5, 1, 0.9, 0.8, 0.7 또는 0.65 정도일 수 있다. 상기 c는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
하나의 예시에서 상기 d의 하한은, 0.5, 1 또는 1.5 정도일 수 있고, 그 상한은, 4, 3.5, 3, 2.5, 2 또는 1.5 정도일 수 있다. 상기 d는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
화학식 7의 평균 단위에 포함되는 전체 규소 원자 결합 유기기의 몰수를 기준으로 한 상기 화학식 7의 평균 단위에 포함되는 전체 규소 원자 결합 수소 원자의 몰수의 비율의 하한은, 1몰%, 5몰%, 10몰%, 15몰%, 20몰%, 25몰% 또는 30몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 85몰%, 80몰%, 75몰%, 70몰%, 65몰%, 60몰%, 55몰%, 50몰%, 45몰%, 40몰%, 35몰%, 30몰%, 25몰% 또는 20몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 이러한 비율 하에서 적절한 경화성을 확보하고, 목적하는 이형 특성을 가지는 이형층을 형성할 수 있다.
상기 규소 원자 결합 수소 원자는, 예를 들면, 하기 화학식 10의 실록산 단위에 적어도 존재할 수 있다.
[화학식 10]
HR6SiO2/2
화학식 10에서 R6는 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이다. 상기에서 알케닐기, 알콕시기 및 1가 탄화수소기의 구체적인 종류는 본 명세서의 서두에서 기술한 바와 같다.
제 2 폴리오가노실록산 성분에 포함되는 전체 실록산 단위 중에서 규소 원자 결합 수소 원자를 포함하는 실록산 단위의 전체 몰수를 기준으로 한 상기 화학식 10의 실록산 단위의 몰수의 비율의 하한은, 85몰%, 90몰%, 95몰%, 96몰%, 97몰%, 98몰%, 99몰% 또는 99.5몰% 정도일 수 있고, 그 상한은 100몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
제 2 폴리오가노실록산 성분 내의 전체 실록산 단위를 기준으로 한 상기 화학식 10의 실록산 단위의 비율의 하한은, 10몰%, 15몰%, 20몰%, 25몰%, 30몰%, 35몰%, 40몰%, 45몰%, 50몰%, 55몰% 또는 60몰% 정도일 수 있고, 그 상한은, 85몰%, 80몰%, 75몰%, 70몰%, 65몰%, 60몰%, 55몰% 또는 50몰% 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분에 포함되는 규소 원자의 수의 하한은, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85 또는 90 정도일 수 있고, 그 상한은 1,000, 950, 900, 850, 800, 750, 700, 650, 600, 550, 500, 450, 400, 350, 300, 250, 200, 150, 100, 95, 90, 85, 80, 75, 70, 65, 60, 55 또는 50 정도일 수 있다. 상기 규소 원자의 수는, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분은, 실질적으로 선형의 구조를 가질 수 있다. 이러한 경우에 상기 폴리오가노실록산은, 실질적으로 M 단위 및 D 단위만으로 구성되거나, M 단위와 D 단위와 함께 T 및/또는 Q 단위를 포함하되, 상기 T 및/또는 Q 단위의 비율이 일정 수준 이하인 구조를 가질 수 있다.
예를 들면, 상기 제 2 폴리오가노실록산 성분에서, 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 실록산 단위의 몰수 대비 상기 T 및 Q 단위의 합계 몰수의 비율(100×(T 단위 몰수+Q 단위 몰수)/전체 실록산 단위 몰수)의 상한은 10몰%, 9몰%, 8몰%, 7몰%, 6몰%, 5몰%, 4몰%, 3몰%, 2몰%, 1몰% 또는 0.5몰% 정도일 수 있고, 그 하한은 0몰%일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분의 중량평균분자량의 하한은, 1,000, 2,000, 3,000, 4,000, 5,000, 6,000, 7,000, 8,000, 9,000 또는 9,500 정도일 수 있고, 그 상한은, 100,000, 90,000, 80,000, 70,000, 60,000, 50,000, 45,000, 40,000, 30,000, 20,000 또는 15,000 정도일 수 있다. 상기 중량평균분자량은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분의 다분산지수(PDI)의 하한은, 1, 1.25 또는 1.5 정도일 수 있고, 그 상한은, 5, 3.5 또는 2.5 정도일 수 있다. 상기 다분산 지수는, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
상기 제 2 폴리오가노실록산 성분은 하기 화학식 B로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 B]
화학식 B에서, R24, R25, R26, R27, R28, R29, R30, R31 및 R32는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8, 탄소수 1 내지 4, 탄소수 1 내지 3 또는 탄소수 1 또는 2의 알킬기일 수 있다.
화학식 B에서, a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 10,000, 1 내지 8,000, 1 내지 6,000, 1 내지 4,000, 1 내지 3,000, 1 내지 2,000 또는 1 내지 1,000의 범위 내의 수일 수 있다. 또한, 구체적으로, 화학식 B에서, a 및 b는 각각 독립적으로 2 내지 500, 5 내지 250, 10 내지 200, 15 내지 150, 20 내지 100 또는 25 내지 50의 범위 내일 수 있다.
상기 실리콘 수지 성분에서 상기 제 1 폴리오가노실록산 성분 100 중량부 대비 상기 제 2 폴리오가노실록산 성분의 중량 비율의 하한은, 0.1 중량부, 0.25 중량부, 0.5 중량부, 0.75 중량부, 1 중량부, 1.25 중량부, 1.5 중량부, 1.75 중량부 또는 2 중량부 정도일 수 있고, 그 상한은, 10 중량부, 8 중량부, 6 중량부, 4 중량부 또는 3.5 중량부, 3 중량부 또는 2.5 중량부 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 상기 제 2 폴리오가노실록산 성분을 상기 범위 내로 포함하는 경우에는 적절한 가교 밀도를 향상시켜 우수한 내구성을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 상기 실리콘 수지 성분과 함께 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 상기 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물은 전술한 첨가 폴리오가노실록산일 수 있다.
상기 첨가 폴리오가노실록산에 대한 구체적인 내용은 전술한 바와 같다.
하나의 예시에서 상기 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물은 하기 화학식 C로 표시되는 화합물일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 이형 조성물의 실리콘 화합물은 하기 화학식 C로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다.
하기 화학식 C의 화합물은 상기 첨가 폴리오가노실록산의 하나의 예시이다.
[화학식 C]
화학식 C에 있어서, A는 케톤기를 가지는 작용기일 수 있다. 상기 A는 케톤기를 가지는 중합 개시제에서 유래될 수 있다.
본 출원의 다른 예시에서, 화학식 C에 있어서, A는 하기 화학식 D로 표시 될 수 있다.
[화학식 D]
화학식 D에서, R15는 탄소수 5 내지 30, 탄소수 5 내지 25, 탄소수 5 내지 20, 탄소수 5 내지 15, 탄소수 5 내지 10, 탄소수 5 내지 8 또는 탄소수 5 또는 6의 아릴기; 또는 환원자수 5 내지 30, 환원자수 5 내지 25, 환원자수 5 내지 20, 환원자수 5 내지 15, 환원자수 5 내지 10, 환원자수 5 내지 8 또는 환원자수 5 또는 6의 헤테로아릴기일 수 있다.
화학식 D에서, L1은 탄소수 5 내지 30, 탄소수 5 내지 25, 탄소수 5 내지 20, 탄소수 5 내지 15, 탄소수 5 내지 10, 탄소수 5 내지 8 또는 탄소수 5 또는 6의 아릴렌기 또는 환원자수 5 내지 30, 환원자수 5 내지 25, 환원자수 5 내지 20, 환원자수 5 내지 15, 환원자수 5 내지 10, 환원자수 5 내지 8 또는 환원자수 5 또는 6의 헤테로아릴렌기이며, *는 화학식 C의 Q와 결합되는 부위를 의미한다.
화학식 C에서, Q는 CR5R6 또는 NR7일 수 있다. 상기 Q는 케톤기를 가지는 중합 개시제가 함유한 치환기에서 유래될 수 있다.
상기 A 및 Q를 형성할 수 있는 케톤기를 가지는 중합 개시제는 예를 들면, 아세토페논, 디메틸아미노아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르포리노프로판-1-온, 4-(2-히드록시에톡시)페닐-2-(히드록시-2-프로필)케톤, 벤조페논, p-페닐벤조페논, 4-아미노벤조페논, 4,4'-디에틸아미노벤조페논, 디클로로벤조페논, 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아미노안트라퀴논, 2-메틸티오잔톤, 2-에틸티오잔톤, 2-클로로티오잔톤, 2,4-디메틸티오잔톤, 2,4-디에틸티오잔톤, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디메틸케탈 또는 올리고[2-히드록시-2-메틸-1[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논]을 사용할 수 있고, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다.
상기 A와 Q를 형성할 수 있는 케톤기를 가지는 중합 개시제는 하기 화학식 E의 구조를 가진 화합물일 수 있다. 즉, 상기 A와 Q는 하기 화학식 E의 구조를 가진 화합물로부터 유래될 수 있다.
[화학식 E]
화학식 E에서, Rp1은 탄소수 5 내지 30, 탄소수 5 내지 25, 탄소수 5 내지 20, 탄소수 5 내지 15, 탄소수 5 내지 10, 탄소수 5 내지 8 또는 탄소수 5 또는 6의 아릴기; 또는 환원자수 5 내지 30, 환원자수 5 내지 25, 환원자수 5 내지 20, 환원자수 5 내지 15, 환원자수 5 내지 10, 환원자수 5 내지 8 또는 환원자수 5 또는 6의 헤테로아릴기일 수 있다.
화학식 E에서, Rp2는 아민기 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기를 가지는 탄소수 5 내지 30, 탄소수 5 내지 25, 탄소수 5 내지 20, 탄소수 5 내지 15, 탄소수 5 내지 10, 탄소수 5 내지 8 또는 탄소수 5 또는 6의 아릴기; 또는 아민기 및 탄소수 1 내지 4의 알킬기로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기를 가지는 환원자수 5 내지 30, 환원자수 5 내지 25, 환원자수 5 내지 20, 환원자수 5 내지 15, 환원자수 5 내지 10, 환원자수 5 내지 8 또는 환원자수 5 또는 6의 헤테로아릴기;일 수 있다. 상기 Rp2에서 아릴기 및 헤테로아릴기는 치환기로 히드록시기를 추가로 가질 수 있다.
화학식 E의 구조를 가진 화합물에서 Rp1은 화학식 D에서 R15가 될 수 있다. 또한, 상기 화학식 E의 구조를 가진 화합물에서 Rp2의 치환기(다수인 경우, 그 중 하나의 치환기)는 화학식 C에서 Q가 될 수 있고, 치환기를 제외한 Rp2는 화학식 D에서 L1이 될 수 있다.
화학식 C로 표시되는 화합물이 케톤기를 가지는 중합 개시제로부터 유래됨으로써 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물이 별도의 중합 개시제를 포함하지 않고도 상기 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물을 포함함으로써 중합을 개시할 수 있다. .
*화학식 C에서, R1 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원소 또는 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8, 탄소수 1 내지 4, 탄소수 1 내지 3 또는 탄소수 1 또는 2의 알킬기일 수 있다. 또한, 화학식 C에서, R14는 수소 원소 또는 메틸기일 수 있다.
화학식 C에서, Hp는 펩타이드 결합일 수 있다. 화학식 C로 표시되는 화합물이 펩타이드 결합을 가짐으로써 수소 결합에 의한 강한 응집력과 친수성(hydrophilic) 특성을 부여할 수 있다.
화학식 C에서, a, b, c, p 및 q는 각각 독립적으로 1 내지 100, 1 내지 80, 1 내지 60, 1 내지 40, 1 내지 20, 1 내지 10, 1 내지 5 또는 1 내지 3의 범위 내의 수이다.
본 출원의 일 예에 따른 화학식 C로 표시되는 화합물 또는 상기 기술한 첨가 폴리오가노실록산은 실록산 단위를 가짐으로써 소프트(soft)하고 플렉서블(fiexible)한 특성을 확보하면서 동시에 소수성(hydrophobic) 특성을 부여할 수 있고, 말단에 (메타)아크릴기를 가짐으로써 자외선에 의해 경화 반응을 유도할 수 있다.
상기 화학식 C의 화합물 또는 첨가 폴리오가노실록산을 적절한 함량으로 사용함으로써, 수소 결합에 의한 강한 응집력과 소프트하고 플렉서블한 특성을 확보하고, 동시에 친수성 및 소수성 특성을 모두 가지고 있으므로, 상온과 고온 조건에서도 적절한 박리력을 가지고, 고온 및 자외선이 조사되는 조건에서도 박리력의 변화가 적으며, 우수한 잔류 접착률 가지는 경화물을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 화학식 C로 표시되는 화합물은 중량평균분자량(Mw)이 1,000 g/mol 이상, 1,250 g/mol 이상, 1,500 g/mol 이상, 1,750 g/mol 이상, 2,000 g/mol 이상, 2,250 g/mol 이상, 2,500 g/mol 이상, 2,750 g/mol 이상, 3,000 g/mol 이상, 3,250 g/mol 이상, 3,500 g/mol 이상 또는 3,750 g/mol 이상이거나, 10,000 g/mol 이하, 9,000 g/mol 이하, 8,000 g/mol 이하, 7,000 g/mol 이하, 6,000 g/mol 이하, 5,000 g/mol 이하 또는 4,000 g/mol 이하일 수 있다. 상기 화학식 C로 표시되는 화합물이 상기 범위 내의 중량평균분자량을 가지는 경우에는 도포에 적절한 점도가 확보되어 우수한 코팅성을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 화학식 C로 표시되는 화합물은 다분산지수(PDI)가 1 이상, 1.2 이상, 1.4 이상, 1.6 이상 또는 1.8 이상이거나 3 이하, 2.8 이하, 2.6 이하, 2.4 이하, 2.2 이하 또는 2 이하일 수 있다. 상기 화학식 C로 표시되는 화합물이 상기 범위 내의 다분산지수를 가지는 경우에는 도포에 적절한 점도가 확보되어 우수한 코팅성을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 화학식 C로 표시되는 화합물 또는 첨가 폴리오가노실록산은 말단에 히드록시기를 함유하는 실록산 수지와 (메타)아크릴레이트기를 함유하는 이소시아네이트 화합물을 촉매 하에서 반응시키고, 반응물에 케톤기를 가지는 중합 개시제를 추가로 첨가하여 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 구체적인 제조 과정은 하기 실시예 파트를 참조할 수 있다.
상기 이형 조성물에서 상기 실리콘 수지 성분 100 중량부 대비 상기 첨가 폴리오가노실록산의 중량 비율의 상한은, 20 중량부, 19 중량부, 18 중량부, 17 중량부, 16 중량부, 15 중량부, 14 중량부, 13 중량부, 12 중량부, 11 중량부 또는 10 중량부 정도일 수 있고, 그 하한은, 0.01 중량부, 0.05 중량부, 0.1 중량부, 0.5 중량부 또는 1 중량부 정도일 수 있다. 상기 비율은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
첨가 폴리오가노실록산을 상기 중량 비율로 포함하는 경우에는, 상온과 고온 조건에서도 적절한 박리력을 가지고, 고온 및 자외선이 조사되는 조건에서도 박리력의 변화가 적으며, 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 경화 반응을 위한 촉매, 예를 들면, 금속 촉매를 추가로 포함할 수 있다. 상기 금속 촉매는 알루미늄, 비스무트, 납, 수은, 주석, 아연, 백금, 은 및 지르코늄으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 중심 금속 원소로 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속 촉매는 상기 중심 금속 원소에 실록산기, 에스테르기, 에테르기 또는 카르복시기가 결합되어 있을 수도 있다. 상기 금속 촉매는 예를 들면 Bis[1,3-bis(2-ethenyl)-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane]platinum(CAS No. 81032-58-8), 디부틸틴 디라우레이트 또는 디메틸틴 디아세테이트 등이 있으나 이에 특별히 제한되는 것은 아니고, 당업계에서 일반적으로 사용할 수 있는 것이라면 제한없이 사용할 수 있다.
상기 금속 촉매는 이형 조성물에 포함하는 성분을 고려하면 중심 금속 원소로 백금(Pt)을 포함하는 백금 촉매일 수 있다. 또한, 상기 이형 조성물은 백금 촉매를 경화성 실리콘 수지 성분 100 중량부 대비 0.1 중량부 이상, 0.5 중량부 이상, 1 중량부 이상, 1.5 중량부 이상, 2 중량부 이상, 2.5 중량부 이상, 3 중량부 이상, 3.5 중량부 이상, 4 중량부 이상 또는 4.5 중량부 이상이거나, 10 중량부 이하, 9 중량부 이하, 8 중량부 이하, 7 중량부 이하, 6 중량부 이하 또는 5 중량부 이하로 포함될 수 있다. 또한, 상기 백금 촉매의 함량 비율이 상기 범위를 만족하는 경우에는 부반응을 감소시키면서 경화물 형성 반응을 진척을 효과적으로 진행시킬 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 유기 용매를 추가로 포함할 수 있다. 즉, 상기 이형 조성물은 유기 용매에 의해 분산되어 있을 수 있다. 본 출원에서 사용하는 용어인 분산은 용매에 의해 용질이 용해된 상태를 의미할 수 있고, 용매에 용질이 용해되지 않더라도 고르게 퍼져있는 상태를 의미할 수 있다.
상기 유기 용매는 당업계에서 일반적으로 사용하는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니고, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 톨루엔 및 헵탄 등이나 이들을 적절한 중량 비율로 혼합한 유기 용매를 사용할 수 있다.
상기 유기 용매는 이형 조성물을 충분히 분산시킬 정도로 사용할 수 있다. 구체적으로, 특별히 제한되는 것은 아니지만 상기 이형 조성물은 유기 용매를 경화성 실리콘 수지 성분 100 중량부 대비 200 중량부 이상, 250 중량부 이상, 300 중량부 이상, 350 중량부 이상 또는 400 중량부 이상을 포함할 수 있고, 상한은 공정상 적절한 점도를 고려하여 정해지면 족하고 특별히 제한되는 것은 아니나 상기 이형 조성물은 유기 용매를 경화성 실리콘 수지 성분 100 중량부 대비 2,000 중량부 이하, 1,500 중량부 이하 또는 1,000 중량부 이하로 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 추가 물성을 확보하기 위해서 하기에 예시된 1종 또는 2종 이상의 첨가제들을 추가로 포함할 수 있다. 다만, 상기 첨가제는 당업계에서 일반적으로 사용할 수 있는 것이라면 족하고, 반드시 하기예 예시된 첨가제로 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 분산제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 분산제는 예를 들면, 폴리아마이드아민과 그 염, 폴리카복실산과 그 염, 변성 폴리유레테인, 변성 폴리에스테르, 변성 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴계 공중합체, 나프탈렌설폰산 포말린 축합물, 폴리옥시에틸렌알킬인산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민 및 안료 유도체 등을 사용할 수 있으나, 당업계에 공지된 분산제면 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 상기 Disperbyk-1799(BYK社) 등을 사용할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 가소제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 가소제의 종류는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 프탈산 화합물, 인산 화합물, 아디프산 화합물, 세바신산 화합물, 시트르산 화합물, 글리콜산 화합물, 트리멜리트산 화합물, 폴리에스테르 화합물, 에폭시화 대두유, 염소화 파라핀, 염소화 지방산 에스테르, 지방산 화합물 및 식물유 중에서 하나 이상을 선택하여 사용할 수 있다.
상기 프탈산 화합물은 디메틸 프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디부틸 프탈레이트, 디헥실 프탈레이트, 디-n-옥틸 프탈레이트, 디-2-에틸헥실 프탈레이트, 디이소옥틸 프탈레이트, 디카프릴 프탈레이트, 디노닐 프탈레이트, 디이소노닐 프탈레이트, 디데실 프탈레이트, 디운데실 프탈레이트, 디라우릴 프탈레이트, 디트리데실 프탈레이트, 디벤질 프탈레이트, 디사이클로헥실 프탈레이트, 부틸 벤질 프탈레이트, 옥틸 데실 프탈레이트, 부틸 옥틸 프탈레이트, 옥틸 벤질 프탈레이트, n-헥실 n-데실 프탈레이트, n-옥틸 프탈레이트 및 n-데실 프탈레이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 인산 화합물은 트리크레실 포스페이트, 트리옥틸 포스페이트, 트리페닐 포스페이트, 옥틸 디페닐 포스페이트, 크레실 디페닐 포스페이트 및 트리클로로에틸 포스페이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 아디프산 화합물은 디부톡시에톡시에틸 아디페이트(DBEEA), 디옥틸 아디페이트, 디이소옥틸 아디페이트, 디-n-옥틸 아디페이트, 디데실 아디페이트, 디이소노닐 아디페이트(DINA), 디이소데실 아디페이트(DIDP), n-옥틸 n-데실 아디페이트, n-헵틸 아디페이트 및 n-노닐 아디페이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 세바신산 화합물은 디부틸 세바케이트, 디옥틸 세바케이트, 디이소옥틸 세바케이트 및 부틸 벤질 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 시트르산 화합물은 트리에틸 시트레이트, 아세틸 트리에틸 시트레이트, 트리부틸 시트레이트, 아세틸 트리부틸 시트레이트 및 아세틸 트리옥틸시트레이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 글리콜산 화합물은 메틸 프탈릴 에틸 글리콜레이트, 에틸 프탈릴 에틸 글리콜레이트 및 부틸 프탈릴 에틸 글리콜레이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 트리멜리트산 화합물은 트리옥틸 트리멜리테이트 및 트리-n-옥틸 n-데실 트리멜리테이트 중 하나 이상을 사용할 수 있다. 상기 폴리에스테르 화합물은 부탄 디올, 에틸렌 글리콜, 프로판 1,2-디올, 프로판 1,3 디올, 폴리에틸렌 글리콜, 글리세롤, 이산(diacid)(아디핀산, 숙신산, 무수숙신산 중에서 선택됨) 및 히드록시산(예컨대, 히드록시스테아린산) 중에서 선택된 디올의 반응 생성물일 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 필요하다면 반응 촉진제를 추가로 포함할 수 있다. 상기 반응 촉진제는 상기 이형 조성물의 경화 반응을 촉진시키는 기능을 수행할 수 있다. 상기 반응 촉진제의 종류는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면 디메틸-피-톨루이딘(N,N-Dimethyl-p-toluidine; DMPT) 등을 사용할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 필요하다면 점도의 조절, 예를 들면 점도를 높이거나 혹은 낮추기 위해 또는 전단력에 따른 점도 조절을 위하여 점도 조절제, 예를 들면, 요변성 부여제, 희석제, 표면 처리제, 분산 안정제 또는 반응 제어제 등을 추가로 포함할 수 있다. 요변성 부여제는 이형 조성물의 전단력에 따른 점도를 조절할 수 있다. 사용할 수 있는 요변성 부여제로는, 퓸드(fumed) 실리카 등이 예시될 수 있다. 희석제는 통상 이형 조성물의 점도를 낮추기 위해 사용되는 것으로 상기와 같은 작용을 나타낼 수 있는 것이라면 업계에서 공지된 다양한 종류의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 표면 처리제는 이형 조성물의 경화물에 도입되어 있는 필러 조성물의 표면 처리를 위한 것이고, 상기와 같은 작용을 나타낼 수 있는 것이라면 업계에서 공지된 다양한 종류의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 분산 안정제는 이형 조성물 내 구성성분 간의 분산성을 안정하기 위해서 사용될 수 있고, 상기와 같은 작용을 나타낼 수 있는 것이라면 업계에서 공지된 다양한 종류의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 반응 제어제는 이형 조성물의 경화 등 화학 반응을 제어하기 위해서 사용될 수 있고, 상기와 같은 작용을 나타낼 수 있는 것이라면 업계에서 공지된 다양한 종류의 것을 제한 없이 사용할 수 있다. 또한, 상기와 같은 작용을 나타낼 수 있는 것이라면 업계에서 공지된 다양한 종류의 것을 제한 없이 사용할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물은 실란 커플링제 및/또는 가교제를 실질적으로 포함하고 있지 않을 수 있다. 상기 이형 조성물은 실란 커플링제 및/또는 가교제를 포함하고 있지 않더라도 전술한 경화성 실리콘 수지 성분 및 실리콘 화합물의 조합으로 인해 후술할 기재 필름과의 밀착성을 확보하여 내용매성을 극대화시킬 수 있다.
본 출원에서 사용하는 용어인 실질적으로 포함하지 않는다는 의미는 인위적으로 해당 물질을 첨가하지 않은 것으로서 자연적으로 존재하는 경우 대상의 전체 중량 대비 1 중량% 이하, 0.1 중량% 이하 또는 1 중량% 이하로 포함되어 있는 경우를 의미할 수 있다.
상기 실란 커플링제는 당업계에서 일반적으로 사용하는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니고, 상기 커플링제의 예로는, 감마-글리시독시프로필 트리에톡시 실란, 감마-글리시독시프로필 트리메톡시 실란, 감마-글리시독시프로필 메틸디에톡시 실란, 감마-글리시독시프로필 트리에톡시 실란, 3-머캅토프로필 트리메톡시 실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시 실란, 감마-메타크릴록시프로필 트리메톡시 실란, 감마-메타크릴록시 프로필 트리에톡시 실란, 감마-아미노프로필 트리메톡시 실란, 감마-아미노프로필 트리에톡시 실란, 3-이소시아네이토 프로필 트리에톡시 실란, 감마-아세토아세테이트프로필 트리메톡시실란, 감마-아세토아세테이트프로필 트리에톡시 실란, 베타-시아노아세틸 트리메톡시 실란, 베타-시아노아세틸 트리에톡시 실란, 아세톡시아세토 트리메톡시 실란을 들 수 있다.
상기 가교제는 당업계에서 일반적으로 사용하는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니고, 상기 가교제의 예로는, 에틸렌글리콜 디글리시딜에테르, 트리글리시딜에테르, 트리메틸올프로판 트리글리시딜에테르, N,N,N',N'-테트라글리시딜 에틸렌디아민 또는 글리세린 디글리시딜에테르 등과 같은 에폭시 가교제; N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복사미드), N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복사미드), 트리에틸렌 멜라민, 비스이소프로탈로일-1-(2-메틸아지리딘) 또는 트리-1-아지리디닐포스핀옥시드 등과 같은 아지리딘 가교제 또는 알루미늄, 철, 아연, 주석, 티탄, 안티몬, 마그네슘 및/또는 바나듐과 같은 다가 금속이 아세틸 아세톤 또는 아세토초산 에틸 등에 배위하고 있는 화합물인 금속 킬레이트 가교제, 이소보론 디이소시아네이트(isophorone diisocyanate), 메틸렌 디사이클로헥실 디이소시아네이트(methylene dicyclohexyl diisocyanate) 또는 사이클로헥산 디이소시아네이트(cyclohexane diisocyanate) 등과 같은 이소시아네이트 화합물이나, 그의 다이머(dimer) 또는 트리머(trimer) 등과 같은 유도체 또는 상기 중 어느 하나와 폴리올(ex. 트리메틸롤프로판)과의 반응물, 헥사메틸렌 디이소시아네이트(HMDI) 등과 같은 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12 또는 탄소수 1 내지 8의 알킬렌 디이소시아네이트 화합물이나, 그의 다이머(dimer) 또는 트리머(trimer) 등과 같은 유도체 또는 상기 중 어느 하나와 폴리올(ex. 트리메틸롤프로판)과의 반응물 등을 들 수 있다.
본 출원은 또한 이형층에 대한 것이다. 상기 이형층은 상기 이형 조성물 또는 그 경화물을 포함할 수 있다.
따라서, 상기 이형층은, 상기 실리콘 수지 성분 및 상기 실리콘 화합물 또는 첨가 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 또한, 상기 이형층은 전술한 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물을 경화시켜 형성될 수 있다. 상기 경화는 전술한 바와 같이 다양한 방식에 따라 적절히 수행될 수 있다. 또한, 이형층은 전술한 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물을 경화시킨 후 잔류한 성분을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층은 실리콘 수지 성분을 전체 중량 대비 80 중량% 내지 95 중량%의 범위 내로 포함할 수 있다. 다른 예시에서, 상기 이형층은 실리콘 수지 성분을 전체 중량 대비 81 중량% 이상, 82 중량% 이상, 83 중량% 이상, 84 중량% 이상 또는 85 중량% 이상이거나 94 중량% 이하, 93 중량% 이하, 92 중량% 이하, 91 중량% 이하 또는 90 중량% 이하로 포함할 수 있다. 상기 이형층이 실리콘 수지 성분을 상기 범위 내로 포함하는 경우에는, 적절한 이형 박리력은 물론 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층의 경화성 실리콘 수지 성분은 말단에 알케닐기를 함유하고 디알킬실록산 반복 단위를 포함하는 제 1 폴리오가노실록산 성분을 포함할 수 있고, 디알킬실록산 반복 단위 및 모노알킬실록산 반복 단위를 포함하는 제 2 폴리오가노실록산 성분을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제 1 폴리오가노실록산 성분 및 제 2 폴리오가노실록산 성분은 전술한 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물에서 기재된 바와 동일하므로 구체적인 내용은 생략하도록 한다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층의 실리콘 화합물은 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물 또는 첨가 폴리오가노실록산을 포함할 수 있다. 상기 (메타)아크릴레이트 변성 실리콘 화합물은 전술한 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물에서 기재된 바와 동일하므로 구체적인 내용은 생략하도록 한다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층은 하기 식 1에 따른 박리력의 변화율(△P1)의 절대값이 소정 범위 내일 수 있다. 예를 들면, 상기 변화율의 절대값의 상한은, 30%, 29%, 28%, 27%, 26%, 25%, 24%, 23%, 22%, 21%, 20%, 19%, 18%, 17%, 16%, 15%, 14% 또는 13% 정도일 수 있고, 그 하한은, 0.001%, 0.01% 또는 0.1% 정도일 수 있다. 상기 절대값은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다. 상기 △P1은 음수 또는 양수일 수 있다.
[식 1]
ΔP1 = 100Х(P2-P1)/P1
식 1에서 P1은, 상기 이형층을 점착제층과 부착한 상태로 25℃에서 24 시간 유지한 후에 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 이형 박리력이고, P2는, 상기 이형층을 점착제층과 부착한 상태로 자외선을 조사하고, 60℃에서 24 시간 유지한 후에 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 이형 박리력이다.
상기 식 1의 박리력 P1 및 P2를 측정하는 방법은 본 명세서의 실시예 항목에 기재되어 있다. 예를 들면, 상기 박리력 P1은, 실시예 항목의 박리력 ART(1d)이고, 박리력 P2는, 실시예 항목의 박리력 A21 또는 A22이다.
식 1의 박리력 P2를 측정하기 위한 자외선 조사 및 60℃에서의 유지의 선후는 제한되지 않는다. 즉, 자외선 조사 후에 60℃에서의 유지가 이루어질 수 있고, 반대로 60℃에서의 유지 후 자외선의 조사가 이루어질 수 있다.
식 1의 확인을 위해서 이형층에 자외선을 가하는 경우에는, 상기 자외선은, 약 1 J/m2 내지 3 J/m2 정도의 에너지를 가지고 약 300 내지 400 nm 정도의 파장을 가진 광을 이용하여 약 15초 내지 90초간 조사할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층은 하기 식 2에 따른 잔류 접착률(Ad)이 소정 범위일 수 있다. 예를 들면, 상기 잔류 접착률의 하한은, 80%, 82%, 84%, 86%, 88%, 90%, 92%, 94%, 96% 또는 97% 정도일 수 있다. 하기 식 2에 따른 잔류 접착률(Ad)이 100%에 가까울수록 우수한 성능을 나타내는 것이기 때문에, 상기 잔류 접착률(Ad)의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만 예를 들면, 100%, 99.9% 또는 99% 정도일 수 있다. 상기 잔류 접착률은, 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이거나, 또는 상기 기술한 하한 중 임의의 어느 한 하한 이상 또는 초과이면서, 상기 기술한 상한 중 임의의 어느 한 상한 이하 또는 미만인 범위 내일 수 있다.
[식 2]
잔류 접착률(Ad) = 100ХAf/Ai
식 2에서 Ai는, 상기 이형층에 점착 테이프를 부착하고, 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상기 점착 테이프를 박리하면서 측정한 이형 박리력이고, Af는, 상기 박리력 Ai를 측정한 이형층에 상기 박리력 Ai를 측정한 때와 동일하게 점착 테이프를 부착하고, 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상기 점착 테이프를 박리하면서 측정한 이형 박리력이다.
상기 식 2에 따른 잔류 접착률(Ad)은 구체적으로 실시예 항목에 따라 측정할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층에서 상기 식 1의 박리력 P1은 10 gf/inch 내지 30 gf/inch의 범위 내일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 이형 박리력 P1은 11 gf/inch 이상, 12 gf/inch 이상, 13 gf/inch 이상, 14 gf/inch 이상, 15 gf/inch 이상, 16 gf/inch 이상 또는 17 gf/inch 이상이거나 29 gf/inch 이하, 28 gf/inch 이하, 27 gf/inch 이하, 26 gf/inch 이하, 25 gf/inch 이하, 24 gf/inch 이하, 23 gf/inch 이하, 22 gf/inch 이하, 21 gf/inch 이하, 20 gf/inch 이하 또는 19 gf/inch 이하일 수 있다.
상기 이형층의 박리력 P1이 상기 범위를 만족하는 경우에는 피착제에 부착되었을 때 공정 진행 시 쉽게 박리되지 않으면서도 피착제로부터 박리시킬 상황에서는 손쉽게 박리되는 정도의 적절한 박리력을 가진 것이라 볼 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형층은 상기 이형층을 점착제층과 부착한 상태로 60℃에서 24 시간 유지한 후에 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 측정한 이형 박리력이 10 gf/inch 내지 45 gf/inch의 범위 내일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 이형 박리력이 11 gf/inch 이상, 12 gf/inch 이상, 13 gf/inch 이상, 14 gf/inch 이상, 15 gf/inch 이상, 16 gf/inch 이상 또는 17 gf/inch 이상이거나 44 gf/inch 이하, 42 gf/inch 이하, 40 gf/inch 이하, 38 gf/inch 이하, 36 gf/inch 이하, 34 gf/inch 이하, 32 gf/inch 이하, 30 gf/inch 이하, 28 gf/inch 이하, 26 gf/inch 이하, 24 gf/inch 이하, 22 gf/inch 이하, 20 gf/inch 이하일 수 있다. 상기 이형 박리력을 측정하는 방법은 본 명세서의 실시예 항목에 기재되어 있다. 상기 박리력은 본 명세서의 실시예에서 측정한 박리력 A60(1d)에 해당한다.
상기 이형층이 상기 박리력을 만족하는 경우에는 고온 공정에서도 피착제에 부착되었을 때 공정 진행 시 쉽게 박리되지 않으면서도 피착제로부터 박리시킬 상황에서는 손쉽게 박리되는 정도의 적절한 박리력을 가진 것이라 볼 수 있다.
본 출원은 또한, 상기 이형층을 포함하는 이형 필름 또는 점착 필름에 대한 것이다. 상기 이형 필름은, 기재 필름 및 상기 기재 필름의 일면 또는 양면에 부착된 상기 이형층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 점착 필름은, 상기 이형층; 및 상기 이형층에 부착된 점착제층을 포함할 수 있다.
상기 이형 필름과 점착 필름에서 적용되는 기재 필름과 점착제층의 종류에는 특별한 제한은 없으며, 공지의 이형 필름의 기재 필름 또는 점착 필름의 점착제층이 적용될 수 있다.
예를 들면 상기 기재 필름으로는, 상질지, 클레이 코트지, 캐스트 코트지 및 크라프트지 등의 종이류; 이들 종이류에 폴리에틸렌 수지 등의 열가소성 수지를 라미네이트한 라미네이트지; 합성지 등의 지재(紙材) 시트; 유리 시트; 폴리에틸렌 수지 및 폴리프로필렌 수지 등의 폴리올레핀 수지; 폴리부틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지 및 폴리에틸렌나프탈레이트 수지 등의 폴리에스테르 수지; 폴리에테르이미드 수지; 아세테이트 수지; 폴리스티렌 수지; 또는 염화비닐 수지 등이 예시될 수 있고, 점착제층으로는 공지의 아크릴계, 우레탄계 또는 실리콘계 점착제층이 예시될 수 있다.
상기 이형층, 기재 필름 및 점착제층의 두께는 용도에 따라 적절히 선택되는 것으로 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 기재 필름은, 통상적으로 5 μm 내지 500 μm 또는 10 μm 내지 100 μm의 두께로 형성할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 필름의 이형층은 전술한 본 출원의 일 예에 따른 이형층과 동일하므로 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
상기 이형층의 두께는 용도에 따라 적절히 선택되는 것으로 특별히 한정되지 않으며, 통상적으로 30 nm 내지 5 μm의 두께로 형성할 수 있다.
본 출원의 일 예에 따른 이형 필름은 기재 필름의 일 면에 본 출원의 일 예에 따른 이형 조성물을 도포한 후, 상기 이형 조성물을 경화시켜 이형층을 형성함으로써 제조할 수 있다.
상기 이형 조성물을 도포하는 방법은 당업계에서 사용되는 것이라면 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들면 메이어바 코팅, 나이프 코팅, 리버스 롤 코팅, 롤 코팅, 캘린더 코팅, 커튼 코팅, 캐스트 코팅 또는 침지 코팅 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 경화는 전술한 바와 같이 다양한 방식에 따라 적절히 수행될 수 있고, 여기서 경화는 열경화가 적절할 수 있다. 상기 열경화는 이형층이 포함하고 있는 성분과 그들의 함량 비율 및 두께 등을 고려하여 적절하게 수행될 수 있고, 예를 들면 100℃이상, 110℃이상, 120℃이상, 130℃이상, 140℃이상 또는 150℃이상에서 15 초 내지 60분의 범위 내에서 수행될 수 있다. 필요한 경우에 상기 경화를 위해서 전술한 박리력 P2를 측정하기 위하여 수행되는 것과 같은 자외선의 조사가 진행될 수도 있다.
본 출원은 기재 필름과 이형층 사이의 결합력을 극대화함으로써 내용매성을 확보할 수 있는 이형층을 형성할 수 있는 폴리오가노실록산 및 이형 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 본 출원은 상온과 고온 조건에서도 적절한 박리력을 가지고, 고온 및 자외선이 조사되는 조건에서도 박리력의 변화가 적으며, 우수한 잔류 접착률을 확보할 수 있는 이형층을 형성할 수 있는 폴리오가노실록산 및 이형 조성물을 제공할 수 있다.
또한, 본 출원은 상기 폴리오가노실록산 및 이형 조성물의 응용으로써 이형층 및 상기 이형층을 포함하는 이형 필름 및 점착 필름을 제공할 수 있다.
도 1은, 제조예에서 제조된 폴리오가노실록산의 1H NMR 측정 데이터이다.
이하, 실시예 및 비교예를 통해 본 출원을 설명하나, 본 출원의 범위가 하기 제시된 내용으로 한정되는 것은 아니다.
1. 이형 박리력 평가
실시예 또는 비교예의 이형 필름의 이형층상에 이형력 측정용 점착 테이프(TESA7475 PV2, TESA)의 점착제층을 합지하여 시편을 제조하였다. 상기 부착은, 상기 점착 테이프를 상기 이형층상에 위치시킨 후에 2.5 kg 하중의 롤러를 3회 왕복하여 수행하였다. 이어서 물성 측정 장치(AR-1000, Cheminstruments)를 이용하여 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상온(약 25℃)에서 상기 점착 테이프(TESA7475)를 박리하면서 이형 박리력을 측정하였다.
2. 잔류 접착률(Ad) 평가
잔류 접착률 Ad는 하기 식 A에 따라 확인하였다.
[식 A]
Ad = 100ХAf/Ai
식 A에서, Ai는, 상기 이형 박리력 평가 방법에서 기술하는 내용에 따라 제조한 시편을 상온(약 25℃)에서 약 24 시간 동안 유지한 후에 측정한 이형 박리력이다.
식 A에서 Af는 상기 박리력 Ai를 측정한 후의 이형 필름의 이형층에 박리력 Ai를 측정하는 것과 동일한 방식으로 표준 테이프(TESA7475, TESA)를 다시 부착하여 시편을 제조한 후에 그 시편을 상온(약 25℃)에서 약 24 시간 동안 유지한 후에 측정한 이형 박리력이다.
상기 이형 박리력 Ai 및 Af는, 이형 박리력 측정 방법에서와 동일하게 물성 측정 장치(AR-1000, Cheminstruments)를 이용하여 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상온(약 25℃)에서 점착 테이프(TESA7475)를 박리하면서 측정하였다.
3. 내용매성 평가
톨루엔(toluene)으로 적신 천으로 실시예 또는 비교예의 이형 필름의 이형층을 상기 이형층의 일부라도 박리될 때까지 문질러서 내용매성을 평가하였다. 상기 천으로 문지르는 것은, No.542-AB 장비(Yasauda)를 이용하여 수행하였다.
내용매성의 평가 기준은 하기와 같다.
<내용매성 평가 기준>
P: 이형층의 일부라도 박리될 때까지 문지름의 횟수가 8회 이상
N: 이형층의 일부라도 박리될 때까지 문지름의 횟수가 8회 미만
제조예 1. 실리콘 화합물(A)의 제조
하기 화학식 K1의 폴리오가노실록산(KF-6001, Shinetsu Silicone)을 준비하였다.
[화학식 K1]
화학식 K1에서 a는 약 30 정도이고, 중량평균분자량(Weight Average Molecular Weight)은 약 2,000 g/mol 정도였다.
화학식 K1의 폴리오가노실록산, MOI(Methacryloyloxyethyl isocyanate) 및 THF(Tetrahydrofuran)를 10:0.39:10(K1:MOI:THF)의 중량 비율로 혼합하여 혼합물을 제조하였다. 상기 혼합 비율은, 상기 화학식 K1의 폴리오가노실록산에 존재하는 전체 히드록시기 중 대략 절반의 히드록시기가 상기 MOI와 반응할 수 있도록 당량비를 조절한 것이다. 이어서 폴리오가노실록산 100 중량부 대비 0.14 중량부의 DBTDL(dibutyltin dilaurate)을 첨가하고, 60℃에서 반응시켰다. 상기 반응을 통해서 상기 화학식 K2의 폴리오가노실록산의 히드록시기와 상기 MOI의 이소시아네이트가 반응하여 상기 폴리오가노실록산의 말단에 메타크릴로일옥시에틸기가 펩타이드(우레탄) 결합에 의해 연결된 하기 화학식 K2의 구조의 폴리오가노실록산이 형성된다.
[화학식 K2]
화학식 K2에서 a는 화학식 K1에서와 같고, R1 및 R2는 각각 독립적으로 히드록시기 또는 하기 화학식 K2-1의 관능기이다.
[화학식 K2-1]
화학식 K2-1에서 가장 좌측의 질소 원자가 화학식 K2의 가장 우측 또는 좌측의 탄소 원자에 연결된다.
실질적인 반응을 고려하면, 상기 반응 후의 결과물은, 상기 화학식 K2의 구조에서 R1 및 R2가 모두 히드록시기인 폴리오가노실록산, R1 및 R2가 모두 화학식 K2-1의 관능기인 폴리오가노실록산 및/또는 R1 및 R2 중 어느 하나는 히드록시기이고, 다른 하나는 화학식 K2-1의 관능기인 폴리오가노실록산의 혼합물일 수 있다.
상기 반응의 결과물(화학식 K2의 폴리오가노실록산을 포함)과 4-ABP(4-aminobenzophenone)를 100:4.2의 중량 비율(결과물:4-ABP)로 혼합하여 혼합물을 제조하고, 약 60℃에서 반응시켰다. 상기 혼합 비율은, 상기 반응의 결과물에 존재하는 히드록시기가 대부분 상기 4-ABP와 반응할 수 있도록 당량비를 조절한 것이다. 상기 반응을 통해서 상기 4-ABP의 아미노기와 상기 결과물 내에 존재하는 히드록시기의 반응하고, 그에 의해서 대략 하기 화학식 1A의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산(중량평균분자량: 약 3,800 g/mol)을 얻을 수 있다. 하기 평균 단위는 상기 폴리오가노실록산에 포함되는 전체 실록산 단위의 몰수의 합계를 1로 한 때에 각 실록산 단위의 비율을 정리한 것이다.
[화학식 1A]
(RaMe2SiO1/2)0.03(RbMe2SiO1/2)0.03(Me2SiO2/2)0.94
화학식 1A에서 Ra는 상기 화학식 K2-2의 관능기이고, Rb는 하기 화학식 K2-1의 관능기이며, Me는 메틸기이다.
[화학식 K2-2]
[화학식 1A-1]
상기 화학식 K2-2에서 가장 좌측의 탄소 원자가 상기 화학식 1A의 실록산 단위의 규소 원자에 연결되고, 화학식 1A-1의 가장 좌측의 탄소 원자가 화학식 1A의 실록산 단위의 규소 원자에 연결된다.
도 1은 상기 화학식 1A의 폴리오가노실록산의 1H NMR 측정 결과이다. 상기 1H NMR 분석은, 공지의 측정 기기(Avance Neo, Bruker)로 수행하였으며, RC(Reference Compound)로는 TMS(dilute tetramethylsilane in CDCl3)를 사용하여 화학적 천이(shift)를 표현하였다.
실시예 1
하기 화학식 2A의 폴리오가노실록산(KS-847H, Shinetsu Silicone)(중량평균분자량 약 350,000 g/mol), 하기 화학식 3A의 폴리오가노실록산(X-92-122, Shinetsu Silicone)(중량평균분자량 약 10,000 g/mol), 상기 제조예 1의 화학식 1A의 평균 단위의 폴리오가노실록산, 백금 촉매(PL-50L, Shinetsu Silicone) 및 용매(S)를 하기 표 1에 나타난 중량 비율로 배합하여 경화성 조성물을 제조하였다. 상기 용매(S)로는, THF(Tetrahydrofuran), MEK(Methylethyl Ketone), 톨루엔(Toluene, T) 및 n-헵탄(n-Heptane, H)을 30:20:30:20(THF:MEK:T:H)의 중량 비율로 혼합한 것을 사용하였다.
[화학식 2A]
화학식 2A에서 m은 약 1,500 정도의 수이고, n은 약 12 내지 13 정도의 수이다.
[화학식 3A]
화학식 3A에서 a 및 b는 각각 약 34 내지 36 정도의 수이다.
상기 경화성 조성물을 두께가 약 50 μm 정도의 기재 필름(PET(polyethylene terephthalate) 필름(SG00, SKC))의 일면에 메이어바로 코팅하고, 약 150℃의 오븐에서 3분 정도 경화시켜 이형층이 형성된 이형 필름을 제조하였다.
실시예 2 및 3 및 비교예 1 내지 3
배합 시에 중량 비율을 하기 표 1과 같이 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 경화성 조성물, 이형층 및 이형 필름을 제조하였다.
하기 표 1에서의 비율은 중량 비율이다.
화학식 2A 화학식 3A 백금 촉매(Ptc) 용매 화학식 1A
실시예 1 5 0.1 0.25 20 0.5
실시예 2 5 0.1 0.25 20 0.05
실시예 3 5 0.1 0.25 20 0.25
비교예 1 5 0.1 0.25 20 -
실시예 및 비교예의 이형 필름에 대한 물성 평가 결과는 하기 표 2에 정리하였다. 하기 표 2에서 이형 박리력들의 단위는 모두 gf/inch이다.
실시예1 실시예2 실시예3 비교예1
ART(1d) 18.8 18.3 17.1 16.1
A60(1d) 19.5 18.6 17.8 17.4
A21 19.9 19.7 18.1 17.8
△A1 5.85 7.65 5.85 10.56
A22 20.3 19.3 19.3 17.4
△A2 7.98 5.46 12.87 8.07
Ad 97.9 97.5 98.8 98.1
내용매성 P P P N
내용매성 횟수 40 10 20 7
표 2에서 ART(1d), A60(1d), A21 및 A22는 모두 상기 이형 박리력 평가 방법에 따라 측정한 이형 박리력이고, 그 단위는 gf/inch이다.
표 2에서 ART(1d)는, 이형 박리력 평가 방법에서 기술된 내용에 따라 제조된 시편을 상온(약 25℃)에서 약 24시간 유지한 후에 측정한 이형 박리력이고, A60(1d)는, 이형 박리력 평가 방법에서 기술된 내용에 따라 제조된 시편을 60℃에서 약 24 시간 동안 유지한 후 측정한 이형 박리력이다.
표 2에서 A21는, 이형 박리력 평가 방법에서 기술된 내용에 따라 제조된 시편에 자외선을 조사하고, 60℃에서 24 시간 동안 유지한 후에 측정한 이형 박리력이고, A22는, 이형 박리력 평가 방법에서 기술된 내용에 따라 제조된 시편을 60℃에서 24 시간 동안 유지한 후에 자외선을 조사한 후에 측정한 이형 박리력이다. 상기 자외선의 조사는, 메탈 할라이드 램프를 이용하여 파장이 약 300 nm 내지 400 nm의 범위 내인 자외선을 약 3 J/m2의 광량으로 조사하여 수행하였다.
표 2에서 △A1은, 상기 박리력 ART(1d) 및 A21을 식 100Х(A21-ART(1d))/ART(1d)에 대입하여 구한 값이고, △A2는, 상기 박리력 ART(1d) 및 A22를 식 100Х(A22-ART(1d))/ART(1d)에 대입하여 구한 값이다.
표 2에서 Ad는, 상기 식 A로 구한 잔류 접착률 Ad이다.
표 2에서 내용매성은 상기 내용매성 평가 방법의 기준에 따라 정리한 것이고, 내용매성 횟수는, 상기 내용매성 평가에서 이형층의 일부라도 박리될 때까지의 문지름의 횟수이다.

Claims (18)

  1. 하기 화학식 1의 실록산 단위 및 하기 화학식 2의 실록산 단위를 포함하는 폴리오가노실록산:
    [화학식 1]
    (R1 mR2 nSiO(4-m-n)/2)
    화학식 1에서 R1 및 R2는 각각 규소 원자에 결합하고 있는 치환기로서, R1은 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기이고, R2는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이며, m은 1 이상의 수이고, n은 0 이상의 수이며, m+n은 1 내지 3의 범위 내의 수이다:
    [화학식 2]
    (R3 pR4 qSiO(4-p-q)/2)
    화학식 2에서 R3 및 R4는 각각 규소 원자에 결합하고 있는 치환기로서, R3는 케톤기 함유 관능기이고, R3는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이며, p는 1 이상의 수이고, q는 0 이상의 수이며, p+q는 1 내지 3의 범위 내의 수이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 관능기가 하기 화학식 3으로 표시되는 폴리오가노실록산:
    [화학식 3]

    화학식 3에서 L1은 단일 결합, 알킬리덴기 또는 알킬렌기이고, L2는 알킬리덴기 또는 알킬렌기이며, R5 및 R6는 각각 독립적으로 수소 또는 알킬기이고, 상기 화학식 3의 L1 또는 질소 원자가 화학식 3의 실록산 단위의 규소 원자에 연결된다.
  3. 제 1 항에 있어서, 케톤기 함유 관능기가 하기 화학식 4로 표시되는 폴리오가노실록산:
    [화학식 4]

    화학식 4에서 L3는 단일 결합, 알킬리덴기 또는 알킬렌기이고, L4는 아릴렌기이며, R7은, 수소 또는 알킬기이고, R8은 아릴기이고, 상기 화학식 4의 L3가 실록산 단위의 규소 원자에 연결된다.
  4. 제 1 항에 있어서, 하기 화학식 5의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산:
    [화학식 5]
    R1 aR3 bR5 cSiO(4-a-b-c)/2
    화학식 5에서 R1은 화학식 1의 R1과 같고, R3는 화학식 2의 R3와 같으며, R5는, 수소, 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이며, a는 0.001 내지 1의 범위 내의 수이고, b는 0.001 내지 1의 범위 내의 수이며, c는 0.1 내지 10의 범위 내의 수이다.
  5. 제 1 항에 있어서, 중량평균분자량이 500 g/mol 내지 10,000 g/mol의 범위 내에 있는 폴리오가노실록산.
  6. 경화성 실리콘 수지 성분; 및
    제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 폴리오가노실록산을 포함하는 이형 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 경화성 실리콘 수지 성분은, 부가 경화형 실리콘 수지 성분인 이형 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서, 경화성 실리콘 수지 성분은 하기 화학식 6의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산 및 하기 화학식 7의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산을 포함하는 이형 조성물:
    [화학식 6]
    PaQbSiO(4-a-b)/2
    화학식 6에서 P는 알케닐기이고, Q는 알콕시기, 히드록시기 또는 1가 탄화수소기이며, a는 0.0001 내지 0.1의 범위 내의 수이고, b는 1 내지 4의 범위 내의 수이다:
    [화학식 7]
    HcQdSiO(4-c-d)/2
    화학식 7에서 알콕시기, 히드록시기 또는 1가 탄화수소기이며, c는 0.01 내지 0.9의 범위 내의 수이고, d는 1 내지 4의 범위 내의 수이다.
  9. 제 8 항에 있어서, 화학식 6의 폴리오가노실록산은, 하기 화학식 8의 실록산 단위 및 하기 화학식 9의 실록산 단위로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 실록산 단위를 포함하는 이형 조성물:
    [화학식 8]
    ViR6 2SiO1/2
    [화학식 9]
    ViR6SiO2/2
    화학식 8 및 9에서 Vi는 알케닐기이고, R6는 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이다.
  10. 제 8 항에 있어서, 화학식 7의 폴리오가노실록산은, 하기 화학식 10의 실록산 단위를 포함하는 이형 조성물:
    [화학식 10]
    HR6SiO2/2
    화학식 10에서 R6는 히드록시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이다.
  11. 제 6 항에 있어서, 경화성 실리콘 수지 성분 100 중량부 대비 19 중량부 이하의 폴리오가노실록산을 포함하는 이형 조성물:
  12. 제 8 항에 있어서, 화학식 6의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산은 중량평균분자량이 100,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol의 범위 내인 이형 조성물.
  13. 제 8 항에 있어서, 화학식 7의 평균 단위를 가지는 폴리오가노실록산은 중량평균분자량이 1,000 g/mol 내지 50,000 g/mol의 범위 내인 이형 조성물.
  14. 제 7 항의 이형 조성물 또는 그 경화물을 포함하는 이형층.
  15. 제 14 항에 있어서, 하기 식 1에 따른 박리력 변화율 △P1의 절대값이 30% 이하인 이형층:
    [식 1]
    △P1 = 100Х(P2-P1)/P1
    식 1에서 P1은, 상기 이형층을 점착제층과 부착한 상태로 25℃에서 24 시간 유지한 후에 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 이형 박리력이고, P2는, 상기 이형층을 점착제층과 부착한 상태로 자외선을 조사하고, 60℃에서 24 시간 유지한 후에 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 이형 박리력이다.
  16. 제 14 항에 있어서, 하기 식 2에 따른 잔류 접착률 Ad가 80% 이상인 이형층:
    [식 2]
    Ad = 100ХAf/Ai
    식 2에서 Ai는, 상기 이형층에 점착 테이프를 부착하고, 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상기 점착 테이프를 박리하면서 측정한 이형 박리력이고, Af는, 상기 박리력 Ai를 측정한 이형층에 상기 박리력 Ai를 측정한 때와 동일하게 점착 테이프를 부착하고, 25℃에서 180도의 박리 각도 및 0.3 m/min의 박리 속도로 상기 점착 테이프를 박리하면서 측정한 이형 박리력이다.
  17. 기재 필름 및 상기 기재 필름의 일면 또는 양면에 부착된 제 14 항의 이형층을 포함하는 이형 필름.
  18. 제 14 항의 이형층; 및 상기 이형층에 부착된 점착제층을 포함하는 점착 필름.
KR1020230018228A 2022-02-11 2023-02-10 폴리오가노실록산 KR20230121580A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20220017903 2022-02-11
KR1020220017903 2022-02-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230121580A true KR20230121580A (ko) 2023-08-18

Family

ID=87564771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230018228A KR20230121580A (ko) 2022-02-11 2023-02-10 폴리오가노실록산

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20230121580A (ko)
WO (1) WO2023153871A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052207A (ja) 2009-08-07 2011-03-17 Nitto Denko Corp 剥離剤、離型材および粘着テープ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101259887B1 (ko) * 2009-08-04 2013-05-02 한국과학기술원 광학용 투명 실록산 수지 조성물
KR101251553B1 (ko) * 2010-01-18 2013-04-08 한국과학기술원 엘이디 봉지재용 실록산 수지 조성물
JP5860622B2 (ja) * 2011-07-19 2016-02-16 株式会社ブリヂストン 光硬化性樹脂組成物、並びに、それを用いた水周り部材及び機能性パネル
TW201434882A (zh) * 2013-03-13 2014-09-16 Momentive Performance Mat Inc 可濕氣固化之有機聚矽氧烷組成物
US9976028B2 (en) * 2015-02-23 2018-05-22 King Industries Curable coating compositions of silane functional polymers

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052207A (ja) 2009-08-07 2011-03-17 Nitto Denko Corp 剥離剤、離型材および粘着テープ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023153871A1 (ko) 2023-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4684538A (en) Polysiloxane urethane compounds and adhesive compositions, and method of making and using the same
KR101656897B1 (ko) 전자빔 경화된, 비작용화된 실리콘 감압 접착제
EP0464706B1 (en) Ultraviolet-curable silicone composition
JP4939221B2 (ja) カルビノール官能性シリコーン樹脂を含有するウレタン形成組成物またはウレタン組成物
EP0063863B1 (en) Latently curable organosilicone compositions
US8901269B2 (en) Cross-linkable silicone composition for the production of non-stick coatings for flexible substrates and an attachment-promoting additive contained in said composition
KR20140108639A (ko) 포토크로믹 조성물
JP2007238766A (ja) 接着剤及びその製造方法、接着剤硬化物、並びにこれを用いた積層体
KR102661103B1 (ko) 실리콘계 코팅 조성물 및 이를 포함하는 실리콘계 이형필름
KR101995725B1 (ko) 경화성 조성물
EP2310441B1 (de) Verfahren zur herstellung von siliconbasierten schäumen
CN112708349B (zh) 一种爽滑且富有弹性的有机硅离型剂的制备方法
WO2020175220A1 (ja) ウレタンプレポリマー、粘着剤、貼付材、粘着テープ、ウェアラブルデバイス及びウェアラブルデバイスキット
US4906721A (en) Organopolysiloxanes and curable organopolysiloxane preparation containing them
EP0271876B1 (en) Coating composition and coated product
KR20230121580A (ko) 폴리오가노실록산
KR102638958B1 (ko) 광경화성 조성물 및 그 경화물
US5166294A (en) Curable silicone composition
KR102455218B1 (ko) 2k 폴리우레탄 접착제를 위한 플라스틱 접착 촉진
TW201925328A (zh) 包含嵌段共聚物之調配物及其用途
JPH0427247B2 (ko)
KR102639205B1 (ko) 광경화성 조성물 및 그 경화물
KR100965469B1 (ko) 무용매형 습기 경화성 핫 멜트 우레탄 수지 조성물
KR20230131794A (ko) 화합물
EP3763795A1 (de) Feuchtigkeitsvernetzbare, dimensionsstabile polymermasse