KR20230117520A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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다카시 이즈타
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은, 기판 정보를 취득하는 공정과, 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택하는 공정과, 상기 선택하는 공정에 있어서 상기 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하지 않을 때에, 상기 처리조의 상기 처리액의 적어도 일부를 상기 처리조로부터 배출하고, 상기 처리조에 황산 및 과산화수소수를 공급하는 제 1 처리액 조정 공정과, 상기 선택하는 공정에 있어서 상기 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 상기 처리조의 상기 처리액을 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액의 농도를 조정하는 제 2 처리액 조정 공정과, 상기 제 1 처리액 조정 공정 또는 상기 제 2 처리액 조정 공정에 있어서 조정된 상기 처리조의 상기 처리액을 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하는 공정을 포함한다.The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method. A substrate processing method includes a step of acquiring substrate information, a step of selecting any one of a liquid exchange process and a concentration adjustment process, and when the liquid exchange process is selected in the selection process, the treatment liquid in the treatment tank In a first treatment liquid adjustment step of discharging at least a part of the treatment liquid in the treatment tank from the treatment tank and supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank when a predetermined condition is not satisfied, and the selection step a second treatment liquid adjustment step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the treatment tank while circulating the treatment liquid in the treatment tank through a pipe connected to the treatment tank when the concentration adjustment step is selected; and the first treatment and immersing the substrate in the treatment liquid of the treatment tank while circulating the treatment liquid of the treatment tank adjusted in the liquid adjustment step or the second treatment liquid adjustment step through a pipe connected to the treatment tank.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

피처리 기판인 예를 들어 반도체 웨이퍼 (이하, 웨이퍼라고 한다) 의 표면에, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 발생되는 물질이 부착되는 경우가 있다. 이들 물질은, 반도체 장치의 특성을 저하시키는 점에서, 이들 물질을 제거하기 위해서 복수 종류의 약액을 사용하여 웨이퍼 표면의 세정이 행해진다.Substances generated in a manufacturing process of a semiconductor device may adhere to the surface of a substrate to be processed, for example, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). Since these substances deteriorate the characteristics of the semiconductor device, cleaning of the wafer surface is performed using a plurality of types of chemicals in order to remove these substances.

SPM 액은, 웨이퍼 표면의 세정에 사용된다. SPM 액은, 황산과 과산화수소수의 혼합액이다. SPM 액은, 웨이퍼 표면에 잔존하는 레지스트의 박리, 레지스트를 애싱한 기판의 잔류물의 제거에 추가하여, 소자 분리된 기판을 산화 처리하기 위한 약액으로도 사용된다. SPM 액은, 예를 들어 회전 테이블 상에 유지된 웨이퍼를 회전시키면서 그 표면에 약액을 공급하는 매엽식의 처리 장치뿐만 아니라, 약액을 채운 처리조 내에 복수 장의 웨이퍼를 동시에 침지하여 세정을 행하는 배치식의 처리 장치에서도 사용된다.The SPM liquid is used for cleaning the wafer surface. The SPM liquid is a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. The SPM liquid is also used as a chemical liquid for oxidizing a substrate from which devices have been separated, in addition to stripping the resist remaining on the surface of the wafer and removing residue from the substrate after ashing the resist. The SPM liquid is, for example, a single-wafer type processing device that supplies a chemical solution to the surface of a wafer held on a rotary table while rotating it, as well as a batch type processing device that simultaneously immerses a plurality of wafers in a processing tank filled with a chemical solution to perform cleaning. It is also used in the processing unit of

배치식 기판 처리 장치에서 SPM 액을 사용하여 웨이퍼를 처리하는 경우, 일반적으로 100 ℃ ∼ 130 ℃ 로 가열된 SPM 액 내에 예를 들어 수십 장의 웨이퍼를 침지하고, 소정 시간 경과하고 나서 웨이퍼를 꺼낸 후, 다음의 웨이퍼를 침지하는 동작을 반복함으로써, 복수의 웨이퍼를 연속적으로 처리한다. 이러한 연속 처리에 있어서는, 처리조 내의 SPM 액이 웨이퍼 표면에 부착되고, 그 일부가 처리조 외로 빠져 나감으로써 액 레벨이 저하되기 때문에, SPM 액에는 소정의 타이밍으로 황산 및 과산화수소수를 보충한다.When wafers are processed using an SPM liquid in a batch type substrate processing apparatus, for example, several tens of wafers are immersed in an SPM liquid generally heated to 100 ° C. to 130 ° C., and after a predetermined time has elapsed, the wafer is taken out, By repeating the operation of immersing the next wafer, a plurality of wafers are continuously processed. In such a continuous process, since the SPM liquid in the treatment tank adheres to the surface of the wafer and part of it escapes to the outside of the treatment tank, the liquid level is lowered. Therefore, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are replenished to the SPM liquid at a predetermined timing.

또, 과산화수소는, 비교적 불안정한 물질인 것이 알려져 있다. 과산화수소는, 시간의 경과에 수반하여 분해되어 물을 생성하는 점에서, 예를 들어 액 레벨의 저하에 맞추어 황산 및 과산화수소수의 보충을 행해도, SPM 액 중의 황산 농도가 시간 경과적으로 저하되어 버린다. 황산 농도가 저하되면, 오염 물질의 제거능이 저하되기 때문에, 이 처리조를 사용한 웨이퍼의 처리를 정기적으로 정지시켜, 처리조 내의 SPM 액을 전량 교환하는 작업이 발생되어, 처리 효율의 저하 및/또는 약액 소비량의 증대, 이에 수반하는 약액 비용의 상승을 초래하고 있다. 이 때문에, 배치식 기판 처리 장치에 있어서, 오염 물질의 제거능의 저하를 억제하는 것이 검토되고 있다 (특허문헌 1).In addition, it is known that hydrogen peroxide is a relatively unstable substance. Since hydrogen peroxide decomposes over time to produce water, for example, even if sulfuric acid and hydrogen peroxide water are replenished in accordance with a decrease in the liquid level, the sulfuric acid concentration in the SPM liquid decreases over time. . When the sulfuric acid concentration is lowered, the ability to remove contaminants is lowered, so wafer processing using this treatment tank is periodically stopped to replace the entire amount of the SPM liquid in the treatment tank, resulting in a decrease in processing efficiency and/or This causes an increase in the amount of consumption of the chemical solution and an accompanying increase in the cost of the chemical solution. For this reason, in a batch-type substrate processing apparatus, suppression of the deterioration of the removal ability of a contaminant is being studied (patent document 1).

특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 순환 유로에 있어서 히터의 하류측에서 황산을 보충한다. 특허문헌 1 에는, 순환 유로에 있어서 히터의 하류측에서 황산을 보충함으로써, 오염 물질의 제거에 유효하게 기여한다고 생각되는 과산화수소 및 카로산이 직접 가열되어 분해가 진행되는 것이 억제된다고 기재되어 있다.In the substrate processing apparatus of Patent Literature 1, sulfuric acid is replenished on the downstream side of the heater in the circulation passage. Patent Literature 1 describes that by replenishing sulfuric acid on the downstream side of the heater in the circulation passage, direct heating of hydrogen peroxide and carosic acid, which are considered to effectively contribute to the removal of contaminants, and decomposition from proceeding are suppressed.

일본 특허공보 2011-114305호Japanese Patent Publication No. 2011-114305

특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 종류에 관계없이, 처리조의 SPM 농도가 일정하게 조정된다. 그러나, 기판의 종류에 따라서는, 처리조의 SPM 농도를 엄밀하게 조정하지 않아도 기판을 적절히 처리할 수 있는 것도 있고, 특허문헌 1 의 기판 처리 장치에서는, 기판의 처리에 필요한 황산 및 과산화수소수의 양과 비교해서, 황산 및 과산화수소수가 불필요하게 사용되는 경우가 있다.In the substrate processing apparatus of Patent Literature 1, the SPM concentration in the processing tank is constantly adjusted regardless of the type of substrate. However, depending on the type of substrate, some substrates can be appropriately treated without strictly adjusting the SPM concentration in the treatment tank. Therefore, there are cases in which sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are unnecessarily used.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은, 황산 및 과산화수소수의 과잉 사용을 회피 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of avoiding excessive use of sulfuric acid and hydrogen peroxide water.

본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액을 저류한 처리조에 있어서, 상기 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판을 처리한다. 상기 기판 처리 방법은, 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에, 상기 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보를 취득하는 공정과, 상기 기판 정보에 기초하여, 상기 처리액을 조정하는 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택하는 공정과, 상기 선택하는 공정에 있어서 상기 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하지 않을 때에, 상기 처리조의 상기 처리액의 적어도 일부를 상기 처리조로부터 배출하고, 상기 처리조에 황산 및 과산화수소수를 공급하여 상기 처리조의 상기 처리액을 조정하는 제 1 처리액 조정 공정과, 상기 선택하는 공정에 있어서 상기 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 상기 처리조의 상기 처리액을 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액의 농도를 조정하는 제 2 처리액 조정 공정과, 상기 제 1 처리액 조정 공정 또는 상기 제 2 처리액 조정 공정에 있어서 조정된 상기 처리조의 상기 처리액을 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하는 공정을 포함한다.According to one aspect of the present invention, in a substrate processing method, in a processing tank storing a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, the substrate is immersed in the processing liquid to process the substrate. The substrate processing method includes a step of acquiring substrate information indicating information on the substrate before immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank; and adjusting the processing liquid based on the substrate information. A process of selecting any one of a liquid exchange process and a concentration adjustment process as an adjustment process, and when the liquid exchange process is selected in the selection process, when the treatment liquid in the treatment tank does not satisfy a predetermined condition, the A first treatment liquid adjustment step of discharging at least a part of the treatment liquid of the treatment tank from the treatment tank and supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide to the treatment tank to adjust the treatment liquid of the treatment tank; When the concentration adjustment step is selected, a second treatment liquid adjustment step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the treatment tank while circulating the treatment liquid in the treatment tank through a pipe connected to the treatment tank, and the first treatment liquid and immersing the substrate in the treatment liquid of the treatment tank while circulating the treatment liquid of the treatment tank adjusted in the adjustment step or the second treatment solution adjustment step through a pipe connected to the treatment tank.

일 실시형태에서는, 상기 기판 정보를 취득하는 공정에 있어서, 상기 기판 정보가, 상기 기판의 레지스트에 애싱 처리가 행해진 것을 나타내는 경우, 상기 선택하는 공정에 있어서, 상기 액 교환 공정을 선택하고, 상기 기판 정보를 취득하는 공정에 있어서, 상기 기판 정보가, 상기 기판의 레지스트에 이온 주입이 행해진 것, 및, 상기 기판이 소자 분리되어 있는 것 중 어느 것을 나타내는 경우, 상기 선택하는 공정에 있어서, 상기 농도 조정 공정을 선택한다.In one embodiment, in the step of obtaining the substrate information, when the substrate information indicates that an ashing treatment has been performed on the resist of the substrate, in the step of selecting, the liquid exchange step is selected, and the substrate In the process of obtaining information, when the substrate information indicates either that ion implantation has been performed into the resist of the substrate or that the substrate is element-isolated, in the step of selecting, the concentration adjustment choose a process

일 실시형태에서는, 상기 제 1 처리액 조정 공정에 있어서, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하는 경우, 상기 처리조의 상기 처리액을 배출하지 않는다.In one embodiment, in the first treatment liquid adjustment step, when the treatment liquid in the treatment tank satisfies a predetermined condition, the treatment liquid in the treatment tank is not discharged.

일 실시형태에서는, 상기 제 1 처리액 조정 공정은, 상기 기판을 침지하기 전에 상기 처리조의 처리액에 기판을 침지하고 나서 경과된 시간에 기초하여, 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 양을 설정하는 공정을 포함한다.In one embodiment, the first processing liquid adjustment step may include adjusting an amount of the processing liquid discharged from the processing bath based on a time elapsed after immersing the substrate in the processing liquid of the processing bath before immersing the substrate. Including the process of setting

일 실시형태에서는, 상기 제 2 처리액 조정 공정은, 상기 처리조의 상기 처리액의 농도를 측정하는 농도 센서의 측정 결과에 기초하여 상기 처리액의 과산화수소 농도를 조정하는 공정을 포함한다.In one embodiment, the second treatment liquid adjusting step includes a step of adjusting the hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid based on a measurement result of a concentration sensor for measuring the concentration of the treatment liquid in the treatment tank.

일 실시형태에서는, 상기 제 2 처리액 조정 공정은, 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에, 상기 처리조의 상기 처리액의 과산화수소 농도를 증가시키도록 상기 처리조에 과산화수소수를 공급하는 공정과, 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지한 후에, 상기 처리조의 상기 처리액의 과산화수소 농도를 저하시키는 공정을 포함한다.In one embodiment, the second treatment liquid adjustment step includes supplying hydrogen peroxide to the treatment tank to increase the hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid of the treatment tank before immersing the substrate in the treatment liquid of the treatment tank. and a step of lowering the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank after immersing the substrate in the treatment liquid in the treatment tank.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액을 저류하는 처리조와, 상기 처리조의 상기 처리액이 순환하는 배관을 갖는 순환부와, 상기 처리조의 상기 처리액을 배출하는 배액부와, 황산 및 과산화수소수를 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급부와, 기판을 유지하고, 상기 기판을 상기 처리조의 상기 처리액에 침지하는 기판 유지부와, 상기 순환부, 상기 배액부, 상기 처리액 공급부 및 상기 기판 유지부를 제어하는 제어부를 구비한다. 상기 제어부는, 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에 상기 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보에 기초하여, 상기 처리액을 조정하는 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택하여, 상기 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 상기 제어부는, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하지 않을 때에, 상기 처리조의 상기 처리액의 적어도 일부를 상기 처리조로부터 배출하고, 상기 처리액 공급부가 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 상기 처리조에 공급하여 상기 처리조의 상기 처리액을 조정하는 제 1 처리액 조정 공정을 행하도록, 상기 배액부 및 상기 처리액 공급부를 제어하고, 상기 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 상기 제어부는, 상기 순환부의 상기 배관을 개재하여 상기 처리조의 상기 처리액을 순환시키면서 상기 처리액의 농도를 조정하는 제 2 처리액 조정 공정을 행하도록, 상기 순환부 및 상기 처리액 공급부를 제어하고, 상기 제어부는, 상기 제 1 처리액 조정 공정 또는 상기 제 2 처리액 조정 공정에 있어서 조정된 상기 처리조의 상기 처리액을 상기 순환부의 상기 배관을 개재하여 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하도록, 상기 순환부 및 상기 기판 유지부를 제어한다.According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes a treatment tank storing a treatment liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, a circulation unit having a pipe through which the treatment liquid in the treatment tank circulates, and the treatment liquid in the treatment tank. a drainage unit for discharging the liquid; a treatment liquid supply unit for supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide to the treatment tank; a substrate holding unit for holding a substrate and immersing the substrate in the treatment liquid in the treatment tank; A control unit for controlling the processing liquid supply unit and the substrate holding unit. The control unit may adjust the processing liquid based on substrate information representing information about the substrate before immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank, wherein the processing liquid is adjusted according to one of a liquid exchanging process and a concentration adjusting process. When the liquid exchange process is selected, the control unit discharges at least a part of the treatment liquid in the treatment tank from the treatment tank when the treatment liquid in the treatment tank does not satisfy a predetermined condition; The drainage unit and the treatment liquid supply unit are controlled so that the treatment liquid supply unit supplies the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution to the treatment tank to perform a first treatment liquid adjustment step of adjusting the treatment liquid in the treatment tank, and the concentration When the adjustment process is selected, the control unit circulates the treatment liquid in the treatment tank through the pipe of the circulation unit to perform a second treatment liquid adjustment process of adjusting the concentration of the treatment liquid, and Controls the treatment liquid supply unit, wherein the control unit circulates the treatment liquid in the treatment tank adjusted in the first treatment liquid adjustment step or the second treatment liquid adjustment step through the pipe of the circulation unit to perform the treatment process The circulation part and the substrate holding part are controlled so as to immerse the substrate in the treatment liquid of the bath.

본 발명에 의하면, 황산 및 과산화수소수의 과잉 사용을 회피할 수 있다.According to the present invention, excessive use of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be avoided.

도 1 은, (a) 및 (b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 사시도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
도 3 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치의 모식적인 블록도이다.
도 4 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 플로도이다.
도 5 는, (a) ∼ (c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 액 교환 공정을 설명하기 위한 모식도이다.
도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 액 교환 공정시의 처리조 내의 황산 농도 및 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 액 교환 공정이 선택되는 경우의 플로도이다.
도 8 은, (a) ∼ (c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정을 나타내는 모식도이다.
도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 농도 조정시의 처리조 내의 황산 농도 및 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 10 은, (a) 및 (b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 처리조 내의 황산 농도 및 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정이 선택되는 경우의 플로도이다.
도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 플로도이다.
도 13 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템의 모식도이다.
1 : (a) and (b) are schematic perspective views of the substrate processing apparatus of this embodiment.
2 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
3 is a schematic block diagram of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
4 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.
5 : (a) - (c) are schematic diagrams for demonstrating the liquid exchange process in the substrate processing method of this embodiment.
6 is a graph showing changes over time in the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment tank during the liquid exchange step in the substrate processing method of the present embodiment.
7 is a flow chart in the case where a liquid exchanging step in the substrate processing method of the present embodiment is selected.
8 : (a) - (c) are schematic diagrams which show the density adjustment process in the substrate processing method of this embodiment.
9 is a graph showing changes over time in the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment tank during concentration adjustment in the substrate processing method of the present embodiment.
10 (a) and (b) are graphs showing changes over time in the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment tank in the substrate processing method of the present embodiment.
11 is a flow chart in the case where the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment is selected.
12 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.
13 is a schematic diagram of a substrate processing system provided with the substrate processing apparatus of the present embodiment.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시형태를 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙여 설명을 반복하지 않는다. 또한, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 서로 직교하는 X 축, Y 축 및 Z 축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 축 및 Y 축은 수평 방향으로 평행하고, Z 축은 연직 방향으로 평행한다.Hereinafter, embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are attached to the same or equivalent parts in the drawings, and description is not repeated. In addition, in this specification, in order to facilitate understanding of the invention, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are described in some cases. Typically, the X and Y axes are parallel in the horizontal direction, and the Z axis is parallel in the vertical direction.

도 1 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 1(a) 및 도 1(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 사시도이다. 도 1(a) 는, 기판 (W) 을 처리조 (110) 에 투입하기 전의 기판 처리 장치 (100) 를 나타낸다. 도 1(b) 는, 기판 (W) 을 처리조 (110) 에 투입한 후의 기판 처리 장치 (100) 를 나타낸다.Referring to Fig. 1, an embodiment of a substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. 1(a) and 1(b) are schematic perspective views of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. 1( a ) shows the substrate processing apparatus 100 before putting the substrate W into the processing tank 110 . 1( b ) shows the substrate processing apparatus 100 after the substrate W is put into the processing tank 110 .

기판 처리 장치 (100) 는 기판 (W) 을 처리한다. 기판 처리 장치 (100) 는, 기판 (W) 에 대해서, 에칭, 표면 처리, 산화 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중의 적어도 하나를 행하도록 기판 (W) 을 처리한다.The substrate processing apparatus 100 processes a substrate W. The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W to perform at least one of etching, surface treatment, oxidation treatment, characterization, treatment film formation, removal of at least a part of the film, and cleaning of the substrate W. .

기판 (W) 은, 얇은 판상이다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 얇은 대략 원판상이다. 기판 (W) 은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이 (Field Emission Display : FED) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 및 태양 전지용 기판 등을 포함한다.The substrate W has a thin plate shape. Typically, the substrate W has a thin substantially disk shape. The substrate W may be, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a magneto-optical disk. A substrate for a photomask, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, a substrate for a solar cell, and the like.

기판 처리 장치 (100) 는, 배치식의 기판 처리 장치이다. 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 로트 단위로 복수의 기판 (W) 을 처리한다. 예를 들어, 1 로트는, 25 장의 기판 (W) 으로 이루어진다.The substrate processing apparatus 100 is a batch type substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 100 collectively processes a plurality of substrates W. Typically, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W in units of lots. For example, one lot consists of 25 substrates W.

도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 처리조 (110) 와, 기판 유지부 (120) 와, 처리액 공급부 (130) 를 구비한다. 처리조 (110) 는, 기판 (W) 을 처리하기 위한 처리액을 저류한다. 처리액은, 황산 및 과산화수소수를 함유하는 혼합액이다. 처리액 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 예를 들어, 처리액 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 황산 및 과산화수소수를 각각 공급한다. 일례로는, 황산 및 과산화수소수는, 처리조 (110) 에서 혼합되어 처리액이 생성된다. 단, 처리액 공급부 (130) 로부터 공급된 황산 및 과산화수소수는, 처리조 (110) 에 도달하기 전에 혼합되어 처리액이 생성되어도 된다.As shown in FIG. 1(a) , the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 110, a substrate holding unit 120, and a processing liquid supply unit 130. The processing tank 110 stores a processing liquid for processing the substrate W. The treatment liquid is a mixed liquid containing sulfuric acid and aqueous hydrogen peroxide. The treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . For example, the treatment liquid supply unit 130 supplies sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 , respectively. For example, sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed in the treatment tank 110 to produce a treatment liquid. However, the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution supplied from the treatment liquid supply unit 130 may be mixed before reaching the treatment tank 110 to generate the treatment liquid.

기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 에 의해서 유지된 기판 (W) 의 주면의 법선 방향은 Y 방향으로 평행한다. 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라서 일렬로 배열된다. 복수의 기판 (W) 은, 수평 방향으로 대략 평행하게 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각의 법선은, Y 방향으로 연장되어 있고, 복수의 기판 (W) 의 각각은, X 방향 및 Z 방향으로 대략 평행하게 확대된다.The substrate holding part 120 holds the substrate W. The normal direction of the main surface of the substrate W held by the substrate holding portion 120 is parallel to the Y direction. A plurality of substrates W are arranged in a row along the Y direction. The plurality of substrates W are arranged substantially parallel to each other in the horizontal direction. In addition, each normal line of the plurality of substrates W extends in the Y direction, and each of the plurality of substrates W extends substantially parallel to the X and Z directions.

전형적으로는, 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 모아서 유지한다. 여기에서는, 기판 유지부 (120) 는, Y 방향을 따라서 일렬로 늘어선 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 기판 (W) 을 이동시킨다. 예를 들어, 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 방향을 따라서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다.Typically, the substrate holding unit 120 gathers and holds a plurality of substrates W. Here, the substrate holding part 120 holds the substrates W lined up along the Y-direction. The substrate holding part 120 moves the substrate W while holding the substrate W. For example, the substrate holding part 120 moves vertically upward or vertically downward along the vertical direction while holding the substrate W.

구체적으로는, 기판 유지부 (120) 는, 리프터를 포함한다. 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 기판 유지부 (120) 가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 유지부 (120) 에 의해서 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 에 침지된다.Specifically, the substrate holding part 120 includes a lifter. The substrate holder 120 moves vertically upward or vertically downward while holding the plurality of substrates W. As shown in FIG. When the substrate holder 120 moves vertically downward, the plurality of substrates W held by the substrate holder 120 are immersed in the treatment liquid L stored in the treatment tank 110 .

도 1(a) 에서는, 기판 유지부 (120) 는, 처리조 (110) 의 상방에 위치한다. 기판 유지부 (120) 는, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강한다. 이로써, 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 에 투입된다.In FIG. 1( a ) , the substrate holding part 120 is located above the treatment tank 110 . The substrate holder 120 descends vertically downward (Z direction) while holding the plurality of substrates W. In this way, a plurality of substrates W are put into the treatment tank 110 .

도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (120) 가 처리조 (110) 까지 하강하면, 복수의 기판 (W) 은, 처리조 (110) 내의 처리액에 침지한다. 기판 유지부 (120) 는, 처리조 (110) 에 저류된 처리액에, 소정 간격을 두고 정렬된 복수의 기판 (W) 을 침지한다.As shown in FIG. 1( b ) , when the substrate holder 120 descends to the treatment tank 110 , the plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid in the treatment tank 110 . The substrate holding unit 120 immerses the plurality of substrates W aligned at predetermined intervals in the treatment liquid stored in the treatment tank 110 .

처리조 (110) 는, 이중 조 구조를 갖는다. 처리조 (110) 는, 내조 (112) 와, 외조 (114) 를 갖는다. 외조 (114) 는, 내조 (112) 를 둘러싼다. 내조 (112) 및 외조 (114) 는 모두, 상향으로 열린 상부 개구를 갖는다.The treatment tank 110 has a double tank structure. The treatment tank 110 includes an inner tank 112 and an outer tank 114 . The outer shell 114 surrounds the inner shell 112 . Both the inner tub 112 and the outer tub 114 have upper openings that open upward.

내조 (112) 및 외조 (114) 의 각각은, 처리액을 저류한다. 내조 (112) 에 복수의 기판 (W) 이 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (120) 에 유지된 복수의 기판 (W) 이 내조 (112) 에 투입된다. 복수의 기판 (W) 이, 내조 (112) 에 투입됨으로써, 내조 (112) 의 처리액에 침지된다.Each of the inner tank 112 and the outer tank 114 stores the treatment liquid. A plurality of substrates W are put into the inner tub 112 . In detail, a plurality of substrates W held by the substrate holder 120 are put into the inner tub 112 . The plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid of the inner tub 112 by being put into the inner tub 112 .

기판 유지부 (120) 는, 본체판 (122) 과, 유지봉 (124) 을 포함한다. 본체판 (122) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판이다. 유지봉 (124) 은, 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 도 1(a) 및 도 1(b) 에서는, 3 개의 유지봉 (124) 이 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 은, 소정 간격을 두고 정렬된 상태에서, 복수의 유지봉 (124) 에 의해서 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 맞닿아 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.The substrate holding part 120 includes a main body plate 122 and a holding bar 124 . The main body plate 122 is a plate extending in the vertical direction (Z direction). The holding rod 124 extends from one main surface of the body plate 122 in a horizontal direction (Y direction). 1(a) and 1(b), three holding rods 124 extend from one main surface of the body plate 122 in the horizontal direction. In a state where the plurality of substrates W are aligned at predetermined intervals, the lower edges of each substrate W are brought into contact with each other by a plurality of holding rods 124 to hold them in an upright position (upright position).

기판 유지부 (120) 는, 승강 유닛 (126) 을 추가로 포함해도 된다. 승강 유닛 (126) 은, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 내에 위치하는 하방 위치(도 1(b) 에 나타내는 위치) 와, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리조 (110) 의 상방에 위치하는 상방 위치(도 1(a) 에 나타내는 위치) 사이에서 본체판 (122) 을 승강시킨다. 따라서, 승강 유닛 (126) 에 의해서 본체판 (122) 을 하방 위치로 이동시킴으로써, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리액에 침지된다.The substrate holder 120 may further include a lifting unit 126 . The elevating unit 126 has a downward position (a position shown in FIG. 1(b) ) where the plurality of substrates W held by the holding rod 124 are located in the treatment tank 110, and the holding rod 124 The main body plate 122 is moved up and down between an upper position (a position shown in FIG. 1(a) ) where a plurality of substrates W held therein are positioned above the treatment tank 110 . Therefore, by moving the body plate 122 to a lower position by the lifting unit 126, the plurality of substrates W held on the holding rod 124 are immersed in the processing liquid.

복수의 기판 (W) 은, 복수의 유지봉 (124) 에 의해서 유지된다. 상세하게는, 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 복수의 유지봉 (124) 에 맞닿음으로써, 복수의 기판 (W) 이 복수의 유지봉 (124) 에 의해서 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다. 보다 구체적으로는, 기판 유지부 (120) 에 의해서 유지된 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라서 간격을 두고 정렬된다. 이 때문에, 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라서 일렬로 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각은, XZ 평면에 대략 평행한 자세로 기판 유지부 (120) 에 유지된다.A plurality of substrates W are held by a plurality of holding rods 124 . Specifically, the plurality of substrates W are held in an upright position (vertical position) by the plurality of holding rods 124 as the lower edge of each substrate W abuts against the plurality of holding rods 124. . More specifically, the plurality of substrates W held by the substrate holder 120 are aligned along the Y direction at intervals. For this reason, the plurality of substrates W are arranged in a row along the Y direction. Further, each of the plurality of substrates W is held by the substrate holder 120 in a posture substantially parallel to the XZ plane.

승강 유닛 (126) 은, 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 을 승강시킨다. 승강 유닛 (126) 이 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 을 승강시킴으로써, 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 이, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 승강 유닛 (126) 은, 구동원 및 승강 기구를 갖고 있고, 구동원에 의해서 승강 기구를 구동시켜, 본체판 (122) 및 유지봉 (124) 을 상승 및 하강시킨다. 구동원은, 예를 들어, 모터를 포함한다. 승강 기구는, 예를 들어, 락·피니언 기구 또는 볼 나사를 포함한다.The elevating unit 126 elevates the body plate 122 and the holding rod 124 . The elevating unit 126 lifts the main body plate 122 and the holding rod 124 so that the main body plate 122 and the holding rod 124 can move vertically upward or vertically downward while holding the plurality of substrates W. go to The elevating unit 126 has a driving source and an elevating mechanism, and the elevating mechanism is driven by the driving source to raise and lower the body plate 122 and the holding bar 124 . The driving source includes, for example, a motor. The lifting mechanism includes, for example, a lock and pinion mechanism or a ball screw.

보다 구체적으로는, 승강 유닛 (126) 은, 처리 위치(도 1(b) 에 나타내는 위치) 와 퇴피 위치(도 1(a) 에 나타내는 위치) 사이에서 기판 유지부 (120) 를 승강시킨다. 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (120) 가, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강하여 처리 위치까지 이동하면, 복수의 기판 (W) 이 내조 (112) 에 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 내조 (112) 내로 이동한다. 이 결과, 복수의 기판 (W) 이 내조 (112) 내의 처리액에 침지되어, 처리액에 의해서 처리된다. 한편, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (120) 가 퇴피 위치로 이동하면, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 은, 내조 (112) 의 상방으로 이동하여, 처리액으로부터 끌어 올려진다.More specifically, the lifting unit 126 raises and lowers the substrate holder 120 between the treatment position (the position shown in Fig. 1(b)) and the retract position (the position shown in Fig. 1(a)). As shown in FIG. 1( b ), when the substrate holder 120 moves vertically downward (Z direction) to the processing position while holding the plurality of substrates W, the plurality of substrates W It is put into the inner tank 112. Specifically, a plurality of substrates W held by the substrate holding portion 120 are moved into the inner tub 112 . As a result, the plurality of substrates W are immersed in the treatment liquid in the inner tub 112 and treated by the treatment liquid. On the other hand, as shown in FIG. 1(a) , when the substrate holder 120 is moved to the retracted position, the plurality of substrates W held by the substrate holder 120 are moved upward of the inner tub 112. It moves and is pulled up from the treatment liquid.

다음으로, 도 1 및 도 2 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 도 2 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식도이다.Next, referring to Figs. 1 and 2, the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment will be described. 2 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 처리조 (110) 와, 기판 유지부 (120) 와, 처리액 공급부 (130) 와, 순환부 (140) 와, 배액부 (150) 와, 제어 장치 (180) 를 구비한다. 제어 장치 (180) 는, 기판 유지부 (120), 처리액 공급부 (130), 순환부 (140) 및 배액부 (150) 를 제어한다.As shown in FIG. 2 , the substrate processing apparatus 100 includes a treatment tank 110, a substrate holding unit 120, a processing liquid supply unit 130, a circulation unit 140, and a liquid drainage unit 150. and a control device 180. The control device 180 controls the substrate holding unit 120 , the treatment liquid supply unit 130 , the circulation unit 140 and the liquid drainage unit 150 .

처리조 (110) 는, 처리액 (L) 을 저류한다. 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 는, 리프터를 포함한다. 기판 유지부 (120) 에 의해서, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 에 침지할 수 있다.The treatment tank 110 stores the treatment liquid L. The substrate holding part 120 holds the substrate W. The substrate holding part 120 includes a lifter. By means of the substrate holding unit 120 , a plurality of substrates W can be collectively immersed in the processing liquid L stored in the processing tank 110 .

처리액 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부 (130) 는, 황산 공급부 (132) 와, 과산화수소 공급부 (134) 를 갖는다. 황산 공급부 (132) 는, 처리조 (110) 에 황산을 공급한다. 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 과산화수소수를 공급한다.The treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . The processing liquid supply unit 130 includes a sulfuric acid supply unit 132 and a hydrogen peroxide supply unit 134 . The sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 . The hydrogen peroxide supply unit 134 supplies hydrogen peroxide water to the treatment tank 110 .

상기 서술한 바와 같이, 과산화수소는, 시간의 경과에 수반하여 분해되어 물을 생성한다. 이 때문에, 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 일정하게 유지하기 위해서, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 황산 및 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 전형적으로는, 황산 공급부 (132) 로부터 공급되는 단위 시간당 황산의 양은, 과산화수소 공급부 (134) 로부터 공급되는 단위 시간당 과산화수소수의 양보다 많다. 예를 들어, 황산의 공급량 (체적) 과 과산화수소수의 공급량 (체적) 의 비율은, 5 : 1 ∼ 10 : 1 이다.As described above, hydrogen peroxide decomposes over time to produce water. For this reason, in order to keep the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 constant, the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 . Typically, the amount of sulfuric acid per unit time supplied from the sulfuric acid supply unit 132 is greater than the amount of hydrogen peroxide solution per unit time supplied from the hydrogen peroxide supply unit 134 . For example, the ratio of the supply amount (volume) of sulfuric acid and the supply amount (volume) of hydrogen peroxide solution is 5:1 to 10:1.

순환부 (140) 는, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 을 순환시킨다. 순환부 (140) 가 처리조 (110) 의 처리액 (L) 을 순환할 때에, 처리액은, 소정의 온도로 가열된다. 또, 순환부 (140) 가 처리조 (110) 의 처리액 (L) 을 순환할 때에, 처리액을 여과하여 처리액으로부터 불순물을 제거할 수 있다.The circulation unit 140 circulates the treatment liquid L stored in the treatment tank 110 . When the circulation unit 140 circulates the treatment liquid L in the treatment tank 110, the treatment liquid is heated to a predetermined temperature. In addition, when the circulation unit 140 circulates the treatment liquid L in the treatment tank 110, the treatment liquid can be filtered to remove impurities from the treatment liquid.

배액부 (150) 는, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 을 배출한다. 배액부 (150) 에 의해서, 처리조 (110) 의 처리액을 배출할 수 있다. 또, 배액부 (150) 가, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 을 배출함과 함께, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 가 황산 및 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급함으로써, 처리조 (110) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 을 새로운 처리액으로 교환할 수 있다.The drain unit 150 discharges the treatment liquid L stored in the treatment tank 110 . The treatment liquid in the treatment tank 110 can be discharged by the discharge unit 150 . In addition, the drainage unit 150 discharges the treatment liquid L stored in the treatment tank 110, and the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 supply sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the treatment tank 110. ), the treatment liquid L stored in the treatment tank 110 can be exchanged for a new treatment liquid.

상기 서술한 바와 같이, 처리조 (110) 는, 처리액 (L) 을 저류한다. 처리액 (L) 은, 황산 및 과산화수소수의 혼합액이다. 처리액 (L) 에 있어서, 황산의 농도 (질량 농도) 는 80 % 이상 90 % 이하이고, 과산화수소 농도 (질량 농도) 는 0.8 % 이상 2.0 % 이하이다.As described above, the treatment tank 110 stores the treatment liquid L. The treatment liquid L is a mixed liquid of sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. In the treatment liquid L, the sulfuric acid concentration (mass concentration) is 80% or more and 90% or less, and the hydrogen peroxide concentration (mass concentration) is 0.8% or more and 2.0% or less.

여기에서는, 처리조 (110) 는, 이중 조 구조이다. 처리조 (110) 는, 내조 (112) 및 외조 (114) 를 갖는다. 내조 (112) 및 외조 (114) 는 각각 상향으로 열린 상부 개구를 갖는다. 내조 (112) 는, 처리액 (L) 을 저류하고, 복수의 기판 (W) 을 수용 가능하게 구성된다. 외조 (114) 는, 내조 (112) 의 상부 개구의 외측면에 형성된다. 외조 (114) 의 상측 가장자리의 높이는, 내조 (112) 의 상측 가장자리의 높이보다 높다.Here, the treatment tank 110 has a double tank structure. The treatment tank 110 has an inner tank 112 and an outer tank 114 . The inner tub 112 and the outer tub 114 each have an upper opening that opens upward. The inner tank 112 stores the processing liquid L and is configured to accommodate a plurality of substrates W. The outer shell 114 is formed on the outer surface of the upper opening of the inner shell 112 . The height of the upper edge of the outer shell 114 is higher than the height of the upper edge of the inner shell 112 .

처리조 (110) 는, 덮개 (116) 를 추가로 갖는다. 덮개 (116) 는, 내조 (112) 의 상부 개구에 대해서 개폐 가능하다. 덮개 (116) 가 닫힘으로써, 덮개 (116) 는, 내조 (112) 의 상부 개구를 막을 수 있다.The treatment tank 110 further includes a lid 116 . The cover 116 can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tub 112 . When the cover 116 is closed, the cover 116 can block the upper opening of the inner tub 112 .

덮개 (116) 는, 여닫이문부 (116a) 와, 여닫이문부 (116b) 를 갖는다. 여닫이문부 (116a) 는, 내조 (112) 의 상부 개구 중 X 방향의 일방측에 위치한다. 여닫이문부 (116a) 는, 내조 (112) 의 상측 가장자리 근방에 배치되어 있고, 내조 (112) 의 상부 개구에 대해서 개폐 가능하다. 여닫이문부 (116b) 는, 내조 (112) 의 상부 개구 중 X 방향의 타방측에 위치한다. 여닫이문부 (116b) 는, 내조 (112) 의 상측 가장자리 근방에 배치되어 있고, 내조 (112) 의 상부 개구에 대해서 개폐 가능하다. 여닫이문부 (116a) 및 여닫이문부 (116b) 가 닫혀 내조 (112) 의 상부 개구를 덮음으로써, 처리조 (110) 의 내조 (112) 를 막을 수 있다.The cover 116 has a casement door part 116a and a casement door part 116b. The hinged door portion 116a is located on one side of the X-direction of the upper opening of the inner tub 112 . The hinged door portion 116a is disposed near the upper edge of the inner tub 112 and can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tub 112 . The casement door part 116b is located on the other side of the X direction of the upper opening of the inner tub 112. The hinged door portion 116b is disposed near the upper edge of the inner tub 112 and can be opened and closed with respect to the upper opening of the inner tub 112 . The inner tank 112 of the treatment tank 110 can be blocked by closing the hinged door portion 116a and the hinged door portion 116b to cover the upper opening of the inner tub 112 .

기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한다. 기판 유지부 (120) 는, 기판 (W) 을 유지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 기판 유지부 (120) 가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 유지부 (120) 에 의해서 유지되어 있는 기판 (W) 은, 내조 (112) 에 저류되어 있는 처리액 (L) 에 침지된다.The substrate holding part 120 holds the substrate W. The substrate holder 120 moves vertically upward or vertically downward while holding the substrate W. When the substrate holder 120 moves vertically downward, the substrate W held by the substrate holder 120 is immersed in the processing liquid L stored in the inner tub 112 .

기판 유지부 (120) 는, 본체판 (122) 과, 유지봉 (124) 을 포함한다. 본체판 (122) 은, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장되는 판이다. 유지봉 (124) 은, 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 여기에서는, 3 개의 유지봉 (124) 이 본체판 (122) 의 일방의 주면으로부터 Y 방향으로 연장된다. 복수의 기판 (W) 은, 지면의 안쪽 전방향으로 복수의 기판 (W) 을 배열한 상태에서, 복수의 유지봉 (124) 에 의해서 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 맞닿아 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다.The substrate holding part 120 includes a main body plate 122 and a holding bar 124 . The main body plate 122 is a plate extending in the vertical direction (Z direction). The holding rod 124 extends from one main surface of the body plate 122 in a horizontal direction (Y direction). Here, three holding rods 124 extend from one main surface of the body plate 122 in the Y direction. The plurality of substrates W are in a standing position (vertical posture) is maintained.

기판 유지부 (120) 는, 승강 유닛 (126) 을 추가로 포함해도 된다. 승강 유닛 (126) 은, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 기판 (W) 이 내조 (112) 내에 위치하는 처리 위치 (도 2 에 나타내는 위치) 와, 기판 유지부 (120) 에 유지되어 있는 기판 (W) 이 내조 (112) 의 상방에 위치하는 퇴피 위치(도시되지 않은) 사이에서 본체판 (122) 을 승강시킨다. 따라서, 승강 유닛 (126) 에 의해서 본체판 (122) 이 처리 위치로 이동됨으로써, 유지봉 (124) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리액에 침지된다. 이로써, 기판 (W) 에 대한 처리가 실시된다.The substrate holder 120 may further include a lifting unit 126 . The lifting unit 126 has a processing position (a position shown in FIG. 2 ) in which the substrate W held by the substrate holding part 120 is located in the inner tub 112 and a position where the substrate W held by the substrate holding part 120 The body plate 122 is raised and lowered between a retracted position (not shown) where the substrate W is located above the inner tub 112. Therefore, when the body plate 122 is moved to the processing position by the lifting unit 126, the plurality of substrates W held on the holding bar 124 are immersed in the processing liquid. In this way, the processing of the substrate W is performed.

황산 공급부 (132) 는, 배관 (132a) 과, 밸브 (132b) 를 포함한다. 배관 (132a) 의 일단으로부터, 황산이 처리조 (110) 에 토출된다. 배관 (132a) 은, 황산 공급원에 접속된다. 배관 (132a) 에는, 밸브 (132b) 가 배치된다. 밸브 (132b) 에 의해서, 처리조 (110) 에 대한 황산의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해서 밸브 (132b) 를 열면, 배관 (132a) 을 통과한 황산이 처리조 (110) 에 공급된다. 처리조 (110) 에 있어서, 황산은 처리조 (110) 의 처리액과 혼합된다.The sulfuric acid supply unit 132 includes a pipe 132a and a valve 132b. From one end of the pipe 132a, sulfuric acid is discharged into the treatment tank 110. The pipe 132a is connected to a sulfuric acid supply source. A valve 132b is disposed on the pipe 132a. The supply of sulfuric acid to the treatment tank 110 can be controlled by the valve 132b. When the valve 132b is opened under the control of the controller 180, the sulfuric acid passing through the pipe 132a is supplied to the treatment tank 110. In the treatment tank 110, sulfuric acid is mixed with the treatment liquid in the treatment tank 110.

예를 들어, 배관 (132a) 으로부터 토출된 황산은, 내조 (112) 에 공급된다. 내조 (112) 의 상측 가장자리로부터 처리액이 흘러넘치면, 흘러넘친 처리액은, 외조 (114) 에 의해서 받아내어지고, 회수된다. 여기에서는, 황산은 내조 (112) 에 토출된다. 내조 (112) 에는, 황산을 황산 공급부 (132) 로부터 내조 (112) 에 공급하는 배관 (132a) 의 일단이 배치되어도 된다.For example, sulfuric acid discharged from the pipe 132a is supplied to the inner tank 112 . When the processing liquid overflows from the upper edge of the inner tub 112, the overflowing processing liquid is collected by the outer tub 114 and recovered. Here, sulfuric acid is discharged into the inner tank 112 . In the inner tank 112, one end of a pipe 132a for supplying sulfuric acid to the inner tank 112 from the sulfuric acid supply unit 132 may be disposed.

과산화수소 공급부 (134) 는, 배관 (134a) 과, 밸브 (134b) 를 포함한다. 배관 (134a) 의 일단으로부터, 과산화수소수가 처리조 (110) 에 토출된다. 배관 (134a) 은, 과산화수소수 공급원에 접속된다. 배관 (134a) 에는, 밸브 (134b) 가 배치된다. 밸브 (134b) 에 의해서, 처리조 (110) 에 대한 과산화수소수의 공급을 제어할 수 있다. 제어 장치 (180) 의 제어에 의해서 밸브 (134b) 를 열면, 배관 (134a) 을 통과한 과산화수소수가, 처리조 (110) 에 공급된다. 처리조 (110) 에 있어서, 과산화수소수는 처리조 (110) 의 처리액과 혼합된다.The hydrogen peroxide supply unit 134 includes a pipe 134a and a valve 134b. From one end of the pipe 134a, hydrogen peroxide water is discharged to the treatment tank 110. The pipe 134a is connected to a hydrogen peroxide solution supply source. A valve 134b is disposed in the pipe 134a. Supply of the hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 can be controlled by the valve 134b. When the valve 134b is opened under the control of the controller 180, the hydrogen peroxide water that has passed through the pipe 134a is supplied to the treatment tank 110. In the treatment tank 110, the hydrogen peroxide solution is mixed with the treatment liquid in the treatment tank 110.

예를 들어, 배관 (134a) 으로부터 토출된 과산화수소수는, 내조 (112) 에 공급된다. 내조 (112) 의 상측 가장자리로부터 처리액이 흘러넘치면, 흘러넘친 처리액은 외조 (114) 에 의해서 받아내어지고, 회수된다. 여기에서는, 과산화수소수는, 내조 (112) 에 토출된다. 내조 (112) 에는, 과산화수소수를 과산화수소 공급부 (134) 로부터 내조 (112) 에 공급하는 배관 (134a) 의 일단이 배치되어도 된다.For example, hydrogen peroxide water discharged from the pipe 134a is supplied to the inner tank 112 . When the treatment liquid overflows from the upper edge of the inner tank 112, the overflowing treatment liquid is received by the outer tank 114 and recovered. Here, the hydrogen peroxide solution is discharged to the inner tank 112 . In the inner tank 112, one end of a pipe 134a for supplying hydrogen peroxide solution to the inner tank 112 from the hydrogen peroxide supply unit 134 may be disposed.

순환부 (140) 는, 배관 (141) 과, 펌프 (142), 필터 (143), 히터 (144), 조정 밸브 (145), 밸브 (146) 및 순환액 공급관 (148) 을 포함한다. 펌프 (142), 필터 (143), 히터 (144), 조정 밸브 (145) 및 밸브 (146) 는, 이 순번으로 배관 (141) 의 상류로부터 하류를 향하여 배치된다.The circulation section 140 includes a pipe 141 , a pump 142 , a filter 143 , a heater 144 , an adjustment valve 145 , a valve 146 , and a circulating fluid supply pipe 148 . The pump 142, the filter 143, the heater 144, the regulating valve 145, and the valve 146 are arranged from the upstream to the downstream of the pipe 141 in this order.

배관 (141) 은, 처리조 (110) 로부터 배출된 처리액을 다시 처리조 (110) 로 유도한다. 상세하게는, 배관 (141) 의 상류단은, 외조 (114) 에 위치하고, 배관 (141) 의 하류단은, 내조 (112) 에 위치한다. 배관 (141) 의 하류단은, 내조 (112) 에 위치하는 순환액 공급관 (148) 과 접속된다.The pipe 141 guides the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 back to the treatment tank 110 . In detail, the upstream end of the pipe 141 is located in the outer tank 114, and the downstream end of the pipe 141 is located in the inner tank 112. The downstream end of the pipe 141 is connected to the circulating fluid supply pipe 148 located in the inner tank 112 .

펌프 (142) 는, 배관 (141) 으로부터 순환액 공급관 (148) 으로 처리액을 보낸다. 필터 (143) 는, 배관 (141) 을 흐르는 처리액을 여과한다. 필터 (143) 는, 배관 (141) 을 유통하는 처리액 중의 파티클 등의 이물질을 여과하여 제거한다.The pump 142 sends the treatment liquid from the pipe 141 to the circulating fluid supply pipe 148 . The filter 143 filters the processing liquid flowing through the pipe 141 . The filter 143 filters and removes foreign substances such as particles in the treatment liquid flowing through the pipe 141 .

히터 (144) 는, 배관 (141) 을 흐르는 처리액을 가열한다. 히터 (144) 에 의해서, 처리액의 온도가 조정된다. 히터 (144) 는, 배관 (141) 을 유통하는 처리액을 가열하고, 처리 온도 (예를 들어, 약 100 ℃ ∼ 120 ℃) 로 조정한다. 히터 (144) 는, 처리액을 가열함과 함께 처리액의 온도를 측정 가능해도 된다. 이 경우, 히터 (144) 는, 가열부를 가짐과 함께 온도 측정부를 갖는다.The heater 144 heats the processing liquid flowing through the pipe 141 . The temperature of the treatment liquid is adjusted by the heater 144 . The heater 144 heats the treatment liquid flowing through the pipe 141 and adjusts the treatment temperature to a treatment temperature (eg, about 100°C to 120°C). The heater 144 may be capable of measuring the temperature of the processing liquid while heating the processing liquid. In this case, the heater 144 has a temperature measuring part while having a heating part.

조정 밸브 (145) 는, 배관 (141) 의 개도를 조절하여, 순환액 공급관 (148) 에 공급되는 처리액의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (145) 는, 처리액의 유량을 조정한다. 조정 밸브 (145) 는, 밸브 시트가 내부에 형성된 밸브 보디 (도시되지 않은) 와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브체와, 개위치와 폐위치 사이에서 밸브체를 이동시키는 액추에이터 (도시되지 않은) 를 포함한다. 다른 조정 밸브에 대해서도 동일하다. 밸브 (146) 는, 배관 (141) 을 개폐한다. 또한, 조정 밸브 (145) 를 생략해도 된다. 이 경우, 순환액 공급관 (148) 에 공급되는 처리액의 유량은, 펌프 (142) 의 제어에 의해서 조정된다.The control valve 145 adjusts the opening of the pipe 141 to adjust the flow rate of the treatment liquid supplied to the circulating fluid supply pipe 148 . The control valve 145 adjusts the flow rate of the processing liquid. The control valve 145 includes a valve body (not shown) having a valve seat formed therein, a valve body that opens and closes the valve seat, and an actuator (not shown) that moves the valve body between an open position and a closed position. include The same is true for other regulating valves. The valve 146 opens and closes the pipe 141 . In addition, you may omit the regulating valve 145. In this case, the flow rate of the processing liquid supplied to the circulating liquid supply pipe 148 is adjusted by the control of the pump 142 .

순환액 공급관 (148) 은, 내조 (112) 에 배치된다. 여기에서는, 순환액 공급관 (148) 은, 처리조 (110) 의 내조 (112) 의 바닥부에 배치된다. 순환액 공급관 (148) 은, 내조 (112) 에 저류된 처리액 (L) 내에 배치된다. 순환액 공급관 (148) 은, 순환된 처리액을 내조 (112) 에 공급한다.The circulating fluid supply pipe 148 is disposed in the inner tank 112 . Here, the circulating fluid supply pipe 148 is disposed at the bottom of the inner tank 112 of the treatment tank 110 . The circulating fluid supply pipe 148 is disposed within the treatment fluid L stored in the inner tank 112 . The circulating fluid supply pipe 148 supplies the circulated treatment fluid to the inner tank 112 .

배액부 (150) 는, 배액 배관 (151) 과, 밸브 (152) 와, 배액 배관 (153) 과, 밸브 (154) 와, 밸브 (155) 를 갖는다. 배액 배관 (151) 및 밸브 (152) 에 의해서, 내조 (112) 의 처리액을 배출한다. 배액 배관 (153), 밸브 (154) 및 밸브 (155) 에 의해서, 외조 (114) 의 처리액을 배출한다.The drain unit 150 includes a drain pipe 151 , a valve 152 , a drain pipe 153 , a valve 154 , and a valve 155 . The treatment liquid in the inner tub 112 is discharged through the drain pipe 151 and the valve 152 . The treatment liquid in the outer tank 114 is discharged by the drain pipe 153, the valve 154 and the valve 155.

내조 (112) 의 바닥벽에는, 배액 배관 (151) 이 접속된다. 배액 배관 (151) 에는 밸브 (152) 가 배치된다. 밸브 (152) 는, 제어 장치 (180) 에 의해서 개폐된다. 밸브 (152) 가 열림으로써, 내조 (112) 내에 저류되어 있는 처리액은 배액 배관 (151) 을 통과하여 외부로 배출된다. 배출된 처리액은, 배액 처리 장치(도시되지 않은) 로 보내지고, 처리된다.A drain pipe 151 is connected to the bottom wall of the inner tub 112 . A valve 152 is disposed in the drain pipe 151 . The valve 152 is opened and closed by the control device 180 . When the valve 152 is opened, the processing liquid stored in the inner tub 112 passes through the drain pipe 151 and is discharged to the outside. The discharged treatment liquid is sent to a drainage treatment device (not shown) and treated.

배관 (141) 에는, 배액 배관 (153) 이 접속된다. 여기에서는, 배액 배관 (153) 은, 펌프 (142) 보다 하류에 있어서 배관 (141) 과 접속된다. 배관 (141) 에 있어서, 배액 배관 (153) 과의 접속부의 하류에 밸브 (154) 가 배치된다. 배액 배관 (153) 에 밸브 (155) 가 위치한다. 밸브 (154) 를 열고 밸브 (155) 를 닫음으로써, 처리조 (110) 의 처리액은, 배관 (141) 을 통과하여 처리조 (110) 로 되돌릴 수 있고, 처리조 (110) 의 처리액을 순환할 수 있다. 또, 밸브 (154) 를 닫고 밸브 (155) 를 열음으로써, 처리조 (110) 의 처리액은, 배관 (141) 및 배액 배관 (153) 을 통과하여 배출할 수 있다.A drain pipe 153 is connected to the pipe 141 . Here, the drain pipe 153 is connected to the pipe 141 downstream of the pump 142 . In the pipe 141, a valve 154 is disposed downstream of the connection with the drain pipe 153. A valve 155 is located in the drain pipe 153. By opening the valve 154 and closing the valve 155, the treatment liquid in the treatment tank 110 can pass through the pipe 141 and return to the treatment tank 110, and the treatment liquid in the treatment tank 110 can cycle In addition, by closing the valve 154 and opening the valve 155, the treatment liquid in the treatment tank 110 can be discharged through the pipe 141 and the drain pipe 153.

또한, 도 2 에서는, 도면이 과도하게 복잡하게 되는 것을 피하기 위해서, 1 개의 조정 밸브 (145) 및 1 개의 밸브 (146) 를 나타내고 있지만, 조정 밸브 (145) 및 밸브 (146) 중 적어도 일방은 복수 형성되어도 된다.In addition, in FIG. 2, one control valve 145 and one valve 146 are shown in order to avoid drawing being excessively complicated, but at least one of the control valve 145 and the valve 146 is plural. may be formed.

제어 장치 (180) 는, 예를 들어, 마이크로 컴퓨터를 사용하여 구성된다. 제어 장치 (180) 는, 중앙 처리 연산기 (Central Processing Unit : CPU) 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 갖는다. 기억 유닛에는, 연산 유닛의 실행하는 프로그램이 기억되어 있다.Control device 180 is configured using, for example, a microcomputer. The control device 180 has an arithmetic unit such as a central processing unit (CPU), a storage unit such as a fixed memory device, a hard disk drive, and an input/output unit. A program to be executed by the arithmetic unit is stored in the storage unit.

다음으로, 도 1 ∼ 도 3 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 3 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 모식적인 블록도이다.Next, with reference to Figs. 1 to 3, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. 3 is a schematic block diagram of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (180) 는, 제어부 (182) 와, 기억부 (184) 를 구비한다. 제어부 (182) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다.As shown in FIG. 3 , the control device 180 includes a control unit 182 and a storage unit 184 . The control unit 182 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 .

제어부 (182) 는, 프로세서를 포함한다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙 처리 연산기 (Central Processing Unit : CPU) 를 갖는다. 또는, 프로세서는, 범용 연산기를 가져도 된다.The control unit 182 includes a processor. The processor has, for example, a central processing unit (CPU). Alternatively, the processor may have a general-purpose arithmetic unit.

기억부 (184) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 기억부 (184) 는, 주기억 장치와, 보조 기억 장치를 포함한다. 주기억 장치는, 예를 들어 반도체 메모리이다. 보조 기억 장치는, 예를 들어 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브이다. 기억부 (184) 는, 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부 (182) 의 프로세서는, 기억부 (184) 가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 방법을 실행한다.The storage unit 184 stores data and computer programs. The storage unit 184 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The secondary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive. The storage unit 184 may contain removable media. The processor of the control unit 182 executes the computer program stored in the storage unit 184 to execute the substrate processing method.

제어 장치 (180) 는, 미리 정해진 프로그램에 따라서, 기판 유지부 (120), 황산 공급부 (132), 과산화수소 공급부 (134), 순환부 (140) 및 배액부 (150) 를 제어한다. 상세하게는, 제어 장치 (180) 는, 승강 유닛 (126), 펌프 (142), 필터 (143), 히터 (144) 등의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치 (180) 는, 밸브 (132b), 밸브 (134b), 밸브 (146), 밸브 (152), 밸브 (154), 밸브 (155) 의 개폐 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치 (180) 는, 조정 밸브 (145) 의 개도 조정 동작을 제어한다.The control device 180 controls the substrate holding unit 120, the sulfuric acid supply unit 132, the hydrogen peroxide supply unit 134, the circulation unit 140, and the liquid drainage unit 150 according to a predetermined program. In detail, the control device 180 controls operations of the elevating unit 126, the pump 142, the filter 143, the heater 144, and the like. In addition, the control device 180 controls the opening and closing operations of the valve 132b, the valve 134b, the valve 146, the valve 152, the valve 154, and the valve 155. In addition, the control device 180 controls the opening adjustment operation of the adjustment valve 145 .

기판 처리 장치 (100) 는, 농도 센서 (162) 를 갖는다. 농도 센서 (162) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도 및 과산화수소 농도를 측정한다.The substrate processing apparatus 100 has a concentration sensor 162 . The concentration sensor 162 measures the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 .

예를 들어, 농도 센서 (162) 는, 처리조 (110) 에 장착된다. 농도 센서 (162) 는, 처리조 (110) 의 저류된 처리액의 비중을 나타내는 값을 계측한다. 농도 센서 (162) 는, 처리조 (110) 의 배압을 계측한다.For example, the concentration sensor 162 is attached to the treatment tank 110 . The concentration sensor 162 measures a value representing the specific gravity of the treatment liquid stored in the treatment tank 110 . The concentration sensor 162 measures the back pressure of the treatment tank 110 .

예를 들어, 농도 센서 (162) 의 선단은, 처리조 (110) 의 처리 액면으로부터 소정의 깊이의 위치에 배치되어 있다. 농도 센서 (162) 에서는, 농도 센서 (162) 의 선단에 가스를 공급하여 처리조 (110) 의 처리액 내에 기포를 형성한다. 이로써, 처리조 (110) 에 저류되는 처리액의 액압은, 처리조 (110) 의 액면으로부터 소정의 깊이의 위치에 배치된 농도 센서 (162) 의 선단부에 있어서의 가스압으로서 검출된다. 가스로서, 전형적으로는, 질소 가스가 사용된다. 가스압과 처리액의 황산 농도·과산화수소 농도의 관계를 미리 측정해 놓고, 가스압과 처리액의 관계를 나타내는 룩업 테이블을 사전에 작성해 놓음으로써, 가스에 의한 기포의 형성되는 가스압에 따라서 처리액의 비중을 계측할 수 있다.For example, the tip of the concentration sensor 162 is disposed at a predetermined depth from the treatment liquid surface of the treatment tank 110 . In the concentration sensor 162, gas is supplied to the tip of the concentration sensor 162 to form bubbles in the treatment liquid of the treatment tank 110. Thus, the liquid pressure of the processing liquid stored in the processing tank 110 is detected as gas pressure at the front end of the concentration sensor 162 disposed at a position at a predetermined depth from the liquid surface of the processing tank 110 . As the gas, nitrogen gas is typically used. By measuring the relationship between the gas pressure and the concentration of sulfuric acid and hydrogen peroxide in the treatment liquid in advance and creating a look-up table indicating the relationship between the gas pressure and the treatment liquid in advance, the specific gravity of the treatment liquid can be determined according to the gas pressure at which gas bubbles are formed. can be measured.

또, 제어부 (182) 는, 기억부 (184) 에 기억된 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 기판 정보 취득부 (182a) 및 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 로서 기능한다. 이를 위해서, 제어부 (182) 는, 기판 정보 취득부 (182a) 및 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 를 포함한다.In addition, the control unit 182 functions as a substrate information acquisition unit 182a and a processing liquid adjustment process selection unit 182b by executing a computer program stored in the storage unit 184 . To this end, the control unit 182 includes a substrate information acquisition unit 182a and a processing liquid adjustment process selection unit 182b.

기판 정보 취득부 (182a) 는, 기판 처리 장치 (100) 가 기판 (W) 을 처리하기 전에, 기판 (W) 에 대한 정보를 나타내는 기판 정보를 취득한다. 기판 정보는, 기판 (W) 이 기판 처리 장치 (100) 에 반입되기 전에 행해진 처리를 나타내도 된다.The substrate information acquisition unit 182a acquires substrate information representing information on the substrate W before the substrate processing apparatus 100 processes the substrate W. The substrate information may indicate processing performed before the substrate W is carried into the substrate processing apparatus 100 .

처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 처리조 (110) 의 처리액을 조정하는 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 행할지를 선택한다. 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 기판 정보에 기초하여, 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택한다. 액 교환 공정 및 농도 조정 공정에 대해서는 후술한다.The treatment liquid adjustment process selector 182b selects which one of the liquid exchange process and the concentration adjustment process to be performed as the treatment liquid adjustment process for adjusting the treatment liquid in the treatment tank 110 . The treatment liquid adjustment process selector 182b selects either the liquid exchange process or the concentration adjustment process based on the substrate information. The liquid exchange process and the concentration adjustment process will be described later.

또한, 제어부 (182) 는, 기억부 (184) 에 기억된 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 처리액 정보 취득부 (182c) 로서 기능한다. 이 때문에, 제어부 (182) 는, 처리액 정보 취득부 (182c) 를 포함한다. 처리액 정보 취득부 (182c) 는, 처리조 (110) 의 처리액에 대한 정보를 나타내는 처리액 정보를 취득한다. 예를 들어, 처리액 정보 취득부 (182c) 는, 농도 센서 (162) 의 측정 결과에 기초하여 처리액 정보를 취득한다.In addition, the control unit 182 functions as a processing liquid information acquisition unit 182c by executing a computer program stored in the storage unit 184. For this reason, the control unit 182 includes a processing liquid information acquisition unit 182c. The processing liquid information acquisition unit 182c acquires processing liquid information indicating information on the processing liquid of the processing tank 110 . For example, the processing liquid information acquisition unit 182c acquires processing liquid information based on the measurement result of the concentration sensor 162 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 4 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 4 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 플로도이다.Next, with reference to FIGS. 1-4, the substrate processing method of this embodiment is demonstrated. 4 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 처리하는 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보를 취득한다. 예를 들어, 기판 정보 취득부 (182a) 는, 기억부 (184) 로부터 기판 정보를 취득한다.As shown in FIG. 4 , in step S10 , substrate information representing information on a substrate to be processed by the substrate processing apparatus 100 is obtained. For example, the board information acquisition unit 182a acquires board information from the storage unit 184 .

예를 들어, 기판 정보는, 기판 처리 장치 (100) 에 반입되기 전에 기판 (W) 에 대해서 행해진 처리를 나타낸다. 일례로는, 기판 정보는, 기판 (W) 이, 기판 처리 장치 (100) 에 반입되기 전에 레지스트에 애싱 처리가 행해진 것을 나타낸다. 또는, 기판 정보는, 기판 (W) 이, 기판 처리 장치 (100) 에 반입되기 전에 레지스트에 대해서 이온 주입이 행해진 것을 나타낸다. 혹은, 기판 정보는, 기판 (W) 이, 소자 분리가 행해져 산화 처리되기 전의 상태인 것을 나타낸다.For example, the substrate information indicates processing performed on the substrate W before being carried into the substrate processing apparatus 100 . As an example, the substrate information indicates that an ashing treatment was performed on a resist before the substrate W was carried into the substrate processing apparatus 100 . Alternatively, the substrate information indicates that ion implantation has been performed on the resist before the substrate W is carried into the substrate processing apparatus 100 . Alternatively, the substrate information indicates that the substrate W is in a state before element separation and oxidation treatment.

스텝 S20 에 있어서, 처리액 조정 공정을 선택한다. 제어부 (182) 는, 기판 정보에 기초하여, 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택한다. 예를 들어, 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택한다.In step S20, a processing liquid adjustment step is selected. The controller 182 selects either the liquid exchange process or the concentration adjustment process as the treatment liquid adjustment process based on the substrate information. For example, the treatment liquid adjustment process selector 182b selects either the liquid exchange process or the concentration adjustment process.

예를 들어, 기판 (W) 이, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리 대상이 되는 대상 기판을 적절히 처리하기 위해서 필요로 되는 처리액의 농도 범위를 비교적 느슨하게 설정한 경우여도 적절히 처리 가능한 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정을 선택한다. 일례로서, 레지스트에 대해서 애싱 처리된 기판으로부터 잔류물을 제거하기 위해서 기판을 처리하는 경우, 처리액의 농도 범위가 비교적 느슨하게 설정되어도 기판을 적절히 처리할 수 있다. 이 때문에, 기판이 레지스트에 대해서 애싱 처리된 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 액 교환 공정을 선택한다.For example, when the substrate W is a substrate that can be appropriately processed even when the concentration range of the processing liquid required to appropriately treat the target substrate to be processed by the substrate processing apparatus 100 is set relatively loosely. , the control unit 182 selects the liquid exchange process as the treatment liquid adjustment process. As an example, in the case of treating a substrate to remove residues from a substrate that has undergone an ashing treatment for resist, the substrate can be appropriately treated even if the concentration range of the treatment liquid is set relatively loosely. For this reason, when the substrate is a substrate subjected to an ashing treatment for the resist, the controller 182 selects the liquid exchange step.

한편, 기판 (W) 이, 대상 기판을 적절히 처리하기 위해서 필요로 되는 처리액의 농도 범위를 비교적 좁게 설정하지 않으면 적절히 처리할 수 없는 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 처리액 조정 공정으로서 농도 조정 공정을 선택한다. 일례로서, 기판 (W) 이, 이온 주입이 행해진 레지스트를 갖는 경우, 처리액의 농도 범위가 비교적 엄격하게 설정되어 있지 않으면, 레지스트를 적절히 제거·박리할 수 없다. 이 때문에, 기판 (W) 이 이온 주입이 행해진 레지스트를 갖는 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 농도 조정 공정을 선택한다.On the other hand, when the substrate W is a substrate that cannot be appropriately processed unless the concentration range of the processing liquid required to appropriately process the target substrate is set relatively narrow, the control unit 182 determines the concentration as the processing liquid adjustment step. Choose an adjustment process. As an example, when the substrate W has a resist subjected to ion implantation, unless the concentration range of the treatment liquid is set relatively strictly, the resist cannot be properly removed or separated. For this reason, when the substrate W is a substrate having a resist on which ion implantation has been performed, the control unit 182 selects a concentration adjustment step.

혹은, 소자 분리된 기판을 산화 처리하는 경우, 처리액의 농도 범위가 비교적 엄격하게 설정되어 있지 않으면 기판을 적절히 처리할 수 없다. 이 때문에, 기판 (W) 이, 소자 분리 후에 산화 처리되는 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 농도 조정 공정을 선택한다.Alternatively, in the case of oxidizing a substrate separated from elements, the substrate cannot be properly processed unless the concentration range of the treatment liquid is set relatively strictly. For this reason, when the substrate W is a substrate to be oxidized after element separation, the controller 182 selects a concentration adjustment step.

이와 같이, 제어부 (182) 는, 기판 정보에 기초하여, 처리조 (110) 의 처리액에 대해서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 대상 기판이 도달하기 전에, 제어부 (182) 는, 기판 정보에 기초하여 처리액 조정 공정을 선택한다.In this way, the controller 182 selects one of the liquid exchange step and the concentration adjustment step for the treatment liquid in the treatment tank 110 based on the substrate information. Typically, before a target substrate arrives at the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 selects a processing liquid adjustment step based on substrate information.

스텝 S20 에 있어서 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 처리는 스텝 S30 으로 진행된다. 한편, 스텝 S20 에 있어서 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 처리는 스텝 S40 으로 진행된다.When the liquid exchange process is selected in step S20, the process proceeds to step S30. On the other hand, when the concentration adjustment step is selected in step S20, the process proceeds to step S40.

스텝 S30 에 있어서, 액 교환 공정을 행한다. 액 교환 공정에 의해서, 처리조 (110) 의 처리액이 조정된다. 본 명세서에 있어서, 액 교환 공정이 선택되었을 경우의 처리액의 조정을 제 1 처리액 조정 공정으로 기재하는 경우가 있다.In step S30, a liquid exchange process is performed. The treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted by the liquid exchange step. In this specification, the adjustment of the treatment liquid when the liquid exchange step is selected is sometimes referred to as the first treatment liquid adjustment step.

이 경우, 처리조 (110) 의 처리액이 기준을 만족하는지의 여부가 판정된다. 기준은, 처리조 (110) 의 처리액의 황산 농도 및/또는 과산화수소 농도에 기초하여 설정되어도 된다.In this case, it is determined whether or not the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies the standard. The standard may be set based on the sulfuric acid concentration and/or hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 .

혹은, 기준은, 처리조 (110) 의 처리액을 액 교환하고 나서의 시간에 기초하여 설정되어도 된다. 또는, 기준은, 처리조 (110) 의 처리액을 액 교환한 후에 처리된 기판 (W) 의 로트수에 기초하여 설정되어도 된다. 기준은, 처리조 (110) 의 처리액으로 직전의 기판을 침지하고 나서 경과된 시간에 기초하여 설정되어도 된다.Alternatively, the criterion may be set based on the time after liquid exchange of the treatment liquid in the treatment tank 110 . Alternatively, the criterion may be set based on the number of lots of substrates W processed after exchanging the treatment liquid in the treatment tank 110 . The criterion may be set based on the elapsed time since the previous substrate was immersed in the treatment liquid of the treatment tank 110 .

처리조 (110) 의 처리액이 기준을 만족하는 경우, 처리조 (110) 의 처리액은 배출하지 않는다. 단, 이 경우여도, 과산화수소수의 분해에 의한 과산화수소 농도를 유지하기 위해서, 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 과산화수소수를 일정량으로 계속해서 공급해도 된다.When the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies the standard, the treatment liquid in the treatment tank 110 is not discharged. However, even in this case, in order to maintain the hydrogen peroxide concentration due to the decomposition of the hydrogen peroxide solution, the hydrogen peroxide supply unit 134 may continuously supply the hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 in a constant amount.

한편, 처리조 (110) 의 처리액이 기준을 만족하지 않을 경우, 처리조 (110) 의 처리액은 적어도 일부 교환된다. 이 경우, 처리조 (110) 의 처리액의 적어도 일부를 배출하고, 한편으로, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다.Meanwhile, when the treatment liquid in the treatment tank 110 does not satisfy the standard, the treatment liquid in the treatment tank 110 is at least partially exchanged. In this case, at least a part of the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged, and on the other hand, the treatment liquid is supplied to the treatment tank 110 .

처리조 (110) 의 처리액을 배출하는 경우, 일례로는, 외조 (114) 의 처리액을 배출한다. 이 경우, 제어부 (182) 는, 펌프 (142) 를 구동시켜, 밸브 (155) 를 열고 밸브 (154) 를 닫는다. 이로써, 외조 (114) 의 처리액을 배출할 수 있다. 또, 내조 (112) 의 처리액을 배출한다. 예를 들어, 제어부 (182) 는, 밸브 (152) 를 열음으로써, 내조 (112) 의 처리액을 배출한다.When the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged, for example, the treatment liquid in the outer tank 114 is discharged. In this case, the controller 182 drives the pump 142 to open the valve 155 and close the valve 154 . In this way, the treatment liquid in the outer tank 114 can be discharged. Also, the treatment liquid in the inner tank 112 is discharged. For example, the controller 182 discharges the treatment liquid from the inner tub 112 by opening the valve 152 .

또, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 이 경우, 처리액 공급부 (130) 가 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 예를 들어, 황산 공급부 (132) 는, 처리조 (110) 에 황산을 공급한다. 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 과산화수소수를 공급한다. 이로써, 처리조 (110) 의 처리액은 조정된다. 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 있어서 공급된 황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액이 소정의 농도가 되는 비율로 황산 및 과산화수소수를 각각 공급한다. 이 경우, 황산 및 과산화수소수와의 반응에 의해서, 처리액의 온도가 상승한다.In addition, the treatment liquid is supplied to the treatment tank 110 . In this case, the treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . For example, the sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 . The hydrogen peroxide supply unit 134 supplies hydrogen peroxide water to the treatment tank 110 . In this way, the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted. The sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 respectively supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution at a ratio such that the treatment liquid containing the sulfuric acid and hydrogen peroxide solution supplied from the treatment tank 110 has a predetermined concentration. In this case, the reaction between sulfuric acid and hydrogen peroxide increases the temperature of the treatment liquid.

또한, 처리액이 소정의 온도를 유지하도록, 펌프 (142) 및 히터 (144) 가 구동됨으로써, 처리액이 순환되면서 가열되어도 된다. 이 경우, 히터 (144) 는, 필요에 따라서 처리액을 가열한다. 예를 들어, 처리액의 온도가 소정의 온도보다 낮을 경우, 히터 (144) 는, 소정의 온도까지 상승하도록 처리액을 가열한다. 한편으로, 황산 및 과산화수소수와의 반응에 의해서 처리액의 온도가 소정의 온도보다 높게 상승하면, 히터 (144) 는, 처리액의 온도까지 내리도록 처리액의 가열을 정지시킨다. 다음으로, 처리는 스텝 S50A 로 진행된다.Alternatively, the processing liquid may be heated while being circulated by driving the pump 142 and the heater 144 so that the processing liquid maintains a predetermined temperature. In this case, the heater 144 heats the processing liquid as needed. For example, when the temperature of the processing liquid is lower than a predetermined temperature, the heater 144 heats the processing liquid to rise to a predetermined temperature. On the other hand, when the temperature of the treatment liquid rises higher than a predetermined temperature due to the reaction between sulfuric acid and hydrogen peroxide, the heater 144 stops heating the treatment liquid so as to lower the temperature of the treatment liquid. Next, the process proceeds to step S50A.

스텝 S50A 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지한다. 그 후, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 꺼낸다. 이상과 같이 하여, 기판 처리를 종료한다.In step S50A, the substrate W is immersed in the treatment liquid of the treatment bath 110 . After that, the substrate W is taken out of the treatment liquid in the treatment tank 110 . As described above, the substrate processing is finished.

스텝 S40 에 있어서, 농도 조정 공정을 행한다. 농도 조정 공정에 의해서, 처리조 (110) 의 처리액이 조정된다. 본 명세서에 있어서, 농도 조정 공정이 선택되었을 경우의 처리액의 조정을 제 2 처리액 조정 공정으로 기재하는 경우가 있다.In step S40, a concentration adjustment process is performed. The treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted by the concentration adjustment step. In this specification, the adjustment of the treatment liquid when the concentration adjustment step is selected is sometimes referred to as the second treatment solution adjustment step.

이 경우, 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 조정한다. 예를 들어, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도를 조정한다. 일례로는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도를 증가시킨다.In this case, the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted. For example, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid of the treatment tank 110 is adjusted. As an example, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid of the treatment tank 110 is increased.

혹은, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 황산 농도를 조정한다. 일례로는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 황산 농도를 증가시킨다.Alternatively, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid of the treatment tank 110 is adjusted. As an example, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid of the treatment tank 110 is increased.

전형적으로는, 처리액 공급부 (130) 가 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 예를 들어, 황산 공급부 (132) 는, 처리조 (110) 에 황산을 공급한다. 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 과산화수소수를 공급한다. 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 있어서 공급된 황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액이 소정의 농도가 되는 비율로 황산 및 과산화수소수를 각각 공급한다.Typically, the treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . For example, the sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 . The hydrogen peroxide supply unit 134 supplies hydrogen peroxide water to the treatment tank 110 . The sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 respectively supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution at a ratio such that the treatment liquid containing the sulfuric acid and hydrogen peroxide solution supplied from the treatment tank 110 has a predetermined concentration.

예를 들어, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도를 증가시키는 경우, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 과산화수소수의 비율을 크게 하여 처리조 (110) 에 있어서의 과산화수소 농도가 증가하도록, 황산 및 과산화수소수를 공급한다.For example, when the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid of the treatment tank 110 is increased, the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 increase the ratio of hydrogen peroxide water to the treatment tank 110. Sulfuric acid and hydrogen peroxide water are supplied so that the hydrogen peroxide concentration increases.

이 경우, 처리조 (110) 의 처리액은 순환된다. 여기에서도, 처리액이 소정의 온도를 유지하도록, 펌프 (142) 및 히터 (144) 가 구동됨으로써, 처리액이 순환되면서 가열되어도 된다.In this case, the treatment liquid in the treatment tank 110 is circulated. Here, too, the processing liquid may be heated while being circulated by driving the pump 142 and the heater 144 so that the processing liquid maintains a predetermined temperature.

제어부 (182) 는, 농도 센서 (162) 에 있어서 측정된 황산 농도 및/또는 과산화수소 농도가 소정의 농도가 될 때까지 황산 및 과산화수소수를 공급한다. 또, 제어부 (182) 는, 농도 센서 (162) 에 있어서 측정된 황산 농도 및/또는 과산화수소 농도가 소정의 농도를 유지하도록 황산 및 과산화수소수를 공급한다. 이와 같이, 제어부 (182) 는, 농도 센서 (162) 를 이용하여, 황산 농도 및/또는 과산화수소 농도를 피드백 제어에 의해서 조정해도 된다. 또한, 농도 조정은, 기판 (W) 이 처리조 (110) 에 침지되기 직전에 행해지고, 소정 기간에 걸쳐서 기판 (W) 을 처리조 (110) 에 침지하지 않을 경우, 농도 조정을 행하지 않는 것이 바람직하다. 다음으로, 처리는 스텝 S50B 로 진행된다.The control unit 182 supplies sulfuric acid and hydrogen peroxide solution until the concentration of sulfuric acid and/or hydrogen peroxide measured by the concentration sensor 162 reaches a predetermined concentration. In addition, the control unit 182 supplies sulfuric acid and hydrogen peroxide so that the concentration of sulfuric acid and/or hydrogen peroxide measured by the concentration sensor 162 maintains a predetermined concentration. In this way, the control unit 182 may use the concentration sensor 162 to adjust the sulfuric acid concentration and/or the hydrogen peroxide concentration by feedback control. In addition, the concentration adjustment is performed immediately before the substrate W is immersed in the treatment tank 110, and it is preferable not to perform the concentration adjustment when the substrate W is not immersed in the treatment tank 110 for a predetermined period of time. do. Next, the process proceeds to step S50B.

스텝 S50B 에 있어서, 과산화수소 농도의 조정이 행해진 처리액에 기판을 침지한다. 그 후, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 꺼낸다. 이상과 같이 하여, 기판 처리를 종료한다.In step S50B, the substrate is immersed in the processing liquid in which the concentration of hydrogen peroxide has been adjusted. After that, the substrate W is taken out of the treatment liquid in the treatment tank 110 . As described above, the substrate processing is finished.

본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 에 따라서 상이한 양태에서 조정된 처리액으로 기판을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서 처리되는 기판이, 비교적 느슨한 농도 범위로 조정된 처리액으로도 처리할 수 있는 경우, 처리조 (110) 의 처리액은, 액 교환 공정에서 조정한다. 이로써, 처리조 (110) 의 처리액은, 기준을 만족하지 않는 경우에만 액 교환된다. 따라서, 처리조 (110) 의 처리액의 교환 빈도를 억제할 수 있어, 처리액에 드는 비용을 저감할 수 있다. 또, 기판 처리 장치 (100) 에 있어서 처리되는 기판이, 비교적 엄격한 농도 범위로 조정된 처리액으로 처리하는 것이 필요할 경우, 처리조 (110) 의 처리액은, 농도 조정 공정에서 조정한다. 이로써, 기판이 반입되지 않은 경우에, 처리조 (110) 의 처리액을 농도 조정한 상태에서 유지하는 것을 피하면서, 반입된 기판을 적절히 처리할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 에 따라서 황산 및 과산화수소수의 과잉 사용을 회피할 수 있다.According to this embodiment, the substrate is treated with the adjusted treatment liquid in different aspects depending on the substrate W. For example, when a substrate to be processed in the substrate processing apparatus 100 can be treated with a treatment liquid adjusted to a relatively loose concentration range, the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted in a liquid exchange step. . In this way, the treatment liquid in the treatment tank 110 is exchanged only when the criteria are not satisfied. Therefore, the replacement frequency of the treatment liquid in the treatment tank 110 can be suppressed, and the cost required for the treatment liquid can be reduced. In addition, when it is necessary to process the substrate to be processed in the substrate processing apparatus 100 with a processing liquid adjusted to a relatively strict concentration range, the processing liquid in the processing tank 110 is adjusted in the concentration adjustment step. In this way, when the substrate is not carried in, it is possible to appropriately process the loaded substrate while avoiding maintaining the treatment liquid in the treatment tank 110 in a state in which the concentration is adjusted. Therefore, according to the present embodiment, excessive use of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be avoided depending on the substrate W.

다음으로, 도 1 ∼ 도 5 를 참조하여, 본 실시형태에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 액 교환 공정을 설명한다. 도 5(a) ∼ 도 5(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 액 교환 공정을 설명하기 위한 모식도이다.Next, with reference to FIGS. 1 to 5 , a liquid exchanging step of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment will be described. 5(a) to 5(c) are schematic diagrams for explaining a liquid exchange step in the substrate processing method of the present embodiment.

도 5(a) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 에는 처리액이 저류된다. 여기에서는, 내조 (112) 및 외조 (114) 의 각각에 정량의 처리액이 저류되어 있다. 상기 서술한 바와 같이, 내조 (112) 로부터 흘러넘친 처리액은, 외조 (114) 에 유입된다. 내조 (112) 의 정량은, 내조 (112) 의 용기의 최대량으로 설정되어 있다.As shown in Fig. 5(a), the treatment liquid is stored in the treatment tank 110. Here, a fixed amount of treatment liquid is stored in each of the inner tank 112 and the outer tank 114 . As described above, the treatment liquid overflowing from the inner tank 112 flows into the outer tank 114 . The quantity of the inner tank 112 is set to the maximum amount of the container of the inner tank 112.

외조 (114) 의 정량은, 외조 (114) 의 용기의 최대량보다 적은 양으로 설정되어 있다. 외조 (114) 에, 정량보다 많은 처리액이 유입되면, 제어부 (182) 는, 펌프 (142) 를 구동시켜 외조 (114) 의 처리액을 외부로 유출시킨다.The quantity of the outer tank 114 is set to an amount smaller than the maximum amount of the container in the outer tank 114. When more treatment liquid than the prescribed amount flows into the outer tank 114, the control unit 182 drives the pump 142 to discharge the treatment liquid from the outer tank 114 to the outside.

도 5(b) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 의 처리액을 배출한다. 예를 들어, 내조 (112) 의 처리액을 배출하는 경우, 제어부 (182) 는, 밸브 (152) 를 열어 내조 (112) 의 처리액을 배출한다.As shown in Fig. 5(b), the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged. For example, when discharging the treatment liquid from the inner tub 112, the controller 182 opens the valve 152 to discharge the treatment liquid from the inner tub 112.

또, 외조 (114) 의 처리액을 배출하는 경우, 제어부 (182) 는, 펌프 (142) 를 구동시킴과 함께 밸브 (154) 를 닫고 밸브 (155) 를 열음으로써, 외조 (114) 의 처리액을 배출한다.Further, when discharging the treatment liquid in the outer tank 114, the control unit 182 closes the valve 154 and opens the valve 155 while driving the pump 142, thereby discharging the treatment liquid in the outer tank 114. emits

처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양은, 전회 액 교환을 행하고 나서 경과된 시간에 따라서 설정되어도 된다. 예를 들어, 전회 액 교환을 행하고 나서 경과된 시간이 비교적 길 경우, 처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양을 비교적 많이 설정한다. 반대로, 전회 액 교환을 행하고 나서 경과된 시간이 비교적 짧을 경우, 처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양을 비교적 적게 설정한다.The amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 may be set according to the elapsed time since the previous liquid exchange. For example, when the time elapsed since the previous liquid exchange was relatively long, the amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 is set to be relatively large. Conversely, when the time elapsed since the previous liquid exchange is relatively short, the amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 is set to be relatively small.

또는, 처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양은, 전회 기판을 침지하고 나서 경과된 시간에 따라서 설정되어도 된다. 전회 기판을 침지하고 나서 경과된 시간이 비교적 길 경우, 처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양을 비교적 많이 설정한다. 반대로, 전회 기판을 침지하고 나서 경과된 시간이 비교적 짧을 경우, 처리조 (110) 로부터 배출되는 처리액의 양을 비교적 적게 설정한다.Alternatively, the amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 may be set according to the elapsed time since the previous substrate was immersed. When the time elapsed after immersing the former substrate is relatively long, the amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 is set to be relatively large. Conversely, when the time elapsed after immersing the former substrate is relatively short, the amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank 110 is set to be relatively small.

전형적으로는, 처리조 (110) 로부터 처리액을 배출하는 경우, 처리조 (110) 의 처리액은 순환하지 않는다. 단, 처리조 (110) 의 처리액을 순환시키면서, 처리조 (110) 로부터 처리액을 배출해도 된다.Typically, when the treatment liquid is discharged from the treatment tank 110, the treatment liquid in the treatment tank 110 is not circulated. However, the treatment liquid may be discharged from the treatment tank 110 while circulating the treatment liquid in the treatment tank 110 .

도 5(c) 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급부 (130) 가 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는, 처리조 (110) 에 황산을 공급한다. 또, 과산화수소 공급부 (134) 는, 처리조 (110) 에 과산화수소수를 공급한다. 이 경우, 제어부 (182) 는, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 가 처리조 (110) 에 황산 및 과산화수소수를 각각 공급하도록 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다.As shown in FIG. 5( c ), the treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . In detail, the sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 . In addition, the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies hydrogen peroxide water to the treatment tank 110 . In this case, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 so that the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110, respectively.

처리조 (110) 에 처리액을 공급한 후, 처리조 (110) 의 처리액은, 순환부 (140) 를 개재하여 순환한다. 예를 들어, 제어부 (182) 는, 펌프 (142) 를 구동시켜 조정 밸브 (145), 밸브 (146) 를 열음과 함께 밸브 (154) 를 열고 밸브 (155) 를 닫음으로써, 처리조 (110) 의 처리액은, 처리조 (110) 로부터 배관 (141) 을 통과하여 처리조 (110) 까지 순환한다. 또, 제어부 (182) 가 히터 (144) 를 구동시킴으로써, 배관 (141) 을 흐르는 처리액을 가열한다.After the treatment liquid is supplied to the treatment tank 110 , the treatment liquid in the treatment tank 110 circulates through the circulation unit 140 . For example, the control unit 182 drives the pump 142 to open the control valve 145 and the valve 146, and opens the valve 154 and closes the valve 155, so that the treatment tank 110 The treatment liquid of circulates from the treatment tank 110 to the treatment tank 110 through the pipe 141 . In addition, the control unit 182 heats the treatment liquid flowing through the pipe 141 by driving the heater 144 .

이 때, 처리조 (110) 내의 처리액을 유지하기 위해서, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 황산 및 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급해도 된다. 황산 공급부 (132) 로부터 공급되는 황산 및 과산화수소 공급부 (134) 로부터 공급되는 과산화수소수의 양의 비율은 액 교환 전과 동일하다.At this time, in order to maintain the treatment liquid in the treatment tank 110, the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 may supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. The ratio of the amounts of the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide supply unit 134 is the same as before liquid exchange.

이상과 같이 하여, 액 교환에 의해서, 처리조 (110) 의 처리액을 조정할 수 있다. 본 실시형태에 의하면, 처리조 (110) 의 처리액을 부분적으로 배출함과 함께 처리조 (110) 에 처리액을 공급할 수 있다. 이 때문에, 처리조 (110) 의 처리액을 기판 처리에 적절한 처리 조건으로 신속하게 조정할 수 있다. 또, 처리조 (110) 의 처리액을 완전히 파기하지 않기 때문에 기판 처리 비용을 저감할 수 있다.As described above, the treatment liquid in the treatment tank 110 can be adjusted by liquid exchange. According to the present embodiment, the treatment liquid in the treatment tank 110 can be partially discharged and the treatment liquid can be supplied to the treatment tank 110 . For this reason, the processing liquid in the processing bath 110 can be quickly adjusted to processing conditions suitable for substrate processing. In addition, since the treatment liquid in the treatment tank 110 is not completely destroyed, the substrate treatment cost can be reduced.

다음으로, 도 1 ∼ 도 6 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 액 교환 공정을 설명한다. 도 6 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 액 교환 공정시의 처리조 (110) 내의 황산 농도 및 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 도 6 에 있어서, 선 Lsp 는, 황산 농도의 시간 변화를 나타낸다. 선 Lhp 는, 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타낸다.Next, with reference to FIGS. 1 to 6 , a liquid exchanging step in the substrate processing method of the present embodiment will be described. 6 is a graph showing changes over time in the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment tank 110 during the liquid exchange step in the substrate processing method of the present embodiment. In Fig. 6, the line Lsp represents the change in sulfuric acid concentration over time. The line Lhp represents the time change of the hydrogen peroxide concentration.

선 Lsp 에 나타내는 바와 같이, 액 교환 기간 Pp 전에서는, 황산 농도는 대략 일정하다. 단, 엄밀하게는, 황산 농도는, 시간의 경과와 함께 서서히 감소한다. 처리조 (110) 내에 있어서 과산화수소수가 황산과 반응하여 분해되어 물이 생성되기 때문이다.As shown by the line Lsp, before the liquid exchange period Pp, the sulfuric acid concentration is substantially constant. However, strictly speaking, the sulfuric acid concentration gradually decreases with the passage of time. This is because the hydrogen peroxide water reacts with sulfuric acid in the treatment tank 110 to decompose to produce water.

액 교환 기간 Pp 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액은, 적어도 부분적으로 배출된다. 또, 액 교환 기간 Pp 에 있어서 새롭게 황산 및 과산화수소수가 처리조 (110) 에 공급된다. 전형적으로는, 처리조 (110) 내의 처리액의 배출이 개시된 후에, 처리조 (110) 에 새로운 처리액이 공급된다. 단, 처리조 (110) 내의 처리액의 배출 및 공급은, 임의의 타이밍으로 행해져도 된다.During the liquid exchange period Pp, the treatment liquid in the treatment tank 110 is at least partially discharged. Also, in the liquid exchange period Pp, sulfuric acid and hydrogen peroxide water are newly supplied to the treatment tank 110. Typically, after discharge of the treatment liquid in the treatment tank 110 is started, a new treatment liquid is supplied to the treatment tank 110 . However, discharge and supply of the treatment liquid in the treatment tank 110 may be performed at an arbitrary timing.

액 교환 기간 Pp 후, 황산 농도는, 액 교환 기간 Pp 전과 비교해서 증가한다. 그 후, 황산 농도는 시간의 경과와 함께 서서히 감소한다.After the liquid exchange period Pp, the sulfuric acid concentration increases compared to before the liquid exchange period Pp. After that, the sulfuric acid concentration gradually decreases with the passage of time.

선 Lhp 에 나타내는 바와 같이, 액 교환 기간 Pp 전에서는, 과산화수소 농도는 대략 일정하다. 단, 엄밀하게는, 과산화수소 농도는, 시간의 경과와 함께 서서히 감소한다. 처리조 (110) 내에 있어서 과산화수소수가 황산과 반응하여 분해되어 물이 생성되기 때문이다.As shown by the line Lhp, before the liquid exchange period Pp, the hydrogen peroxide concentration is substantially constant. However, strictly speaking, the hydrogen peroxide concentration gradually decreases with the passage of time. This is because the hydrogen peroxide water reacts with sulfuric acid in the treatment tank 110 to decompose to produce water.

액 교환 기간 Pp 의 종료 후, 과산화수소 농도는, 액 교환 기간 Pp 전과 비교해서 증가한다. 그 후, 과산화수소 농도는 시간의 경과와 함께 감소한다.After completion of the liquid exchange period Pp, the hydrogen peroxide concentration increases compared to before the liquid exchange period Pp. After that, the hydrogen peroxide concentration decreases with the passage of time.

또한, 도 6 에 있어서, 액 교환 기간 Pp 전 및 후에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액은, 순환부 (160) 를 개재하여 순환되면서 가열된다. 액 교환 기간 Pp 에 있어서도, 처리조 (110) 의 처리액은, 순환부 (160) 를 개재하여 순환되면서 가열되어도 된다.6 , before and after the liquid exchange period Pp, the treatment liquid in the treatment tank 110 is heated while being circulated through the circulation unit 160 . Also during the liquid exchange period Pp, the treatment liquid in the treatment tank 110 may be heated while being circulated through the circulation unit 160 .

다음으로, 도 1 ∼ 도 7 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 7 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 액 교환 공정이 선택되는 경우의 플로도이다.Next, referring to Figs. 1 to 7, the substrate processing method of the present embodiment will be described. 7 is a flowchart in the case where a liquid exchange step is selected in the substrate processing method of the present embodiment.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S102 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 처리하는 기판 (W) 이 액 교환 공정의 대상 기판인지의 여부를 판정한다. 예를 들어, 기판 (W) 이 레지스트를 애싱 처리한 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 액 교환 공정의 대상 기판이라고 판정한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 기판이 도달하기 전에, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다.As shown in FIG. 7 , in step S102 , it is determined whether or not the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 is a target substrate for the liquid exchange process. For example, when the substrate W is a substrate obtained by ashing resist, the control unit 182 determines that the substrate W is a target substrate for the liquid exchange process. Typically, before a substrate reaches the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 determines whether the substrate W is a target substrate.

기판 (W) 이 대상 기판이 아닐 경우 (스텝 S102 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S102 로 돌아온다. 한편, 기판 (W) 이 대상 기판일 경우 (스텝 S102 에 있어서 예), 처리는 스텝 S104 로 진행된다.When the substrate W is not the target substrate (NO in step S102), the process returns to step S102. On the other hand, if the substrate W is the target substrate (YES in step S102), the process proceeds to step S104.

스텝 S104 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는지의 여부를 판정한다. 소정의 기준은, 처리조 (110) 의 처리액이 조정하지 않고 기판 (W) 을 적절히 처리 가능한 것을 나타내는 지표로서 설정된다. 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는 경우, 처리조 (110) 의 처리액을 배출하지 않는다. 한편, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하지 않는 경우, 처리조 (110) 의 처리액을 배출하여 조정한다.In step S104, it is determined whether or not the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies a predetermined criterion. A predetermined criterion is set as an index indicating that the substrate W can be appropriately treated without adjusting the treatment liquid in the treatment tank 110 . When the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies a predetermined standard, the treatment liquid in the treatment tank 110 is not discharged. On the other hand, when the treatment liquid in the treatment tank 110 does not satisfy a predetermined standard, the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged and adjusted.

소정의 기준은, 처리조 (110) 의 처리액 농도에 기초하여 설정되어도 된다. 예를 들어, 소정의 기준은, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도에 기초하여 설정된다. 일례로는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 소정치 이상인 경우, 제어부 (182) 는, 소정의 기준을 만족한다고 판정한다. 한편으로, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 소정치보다 낮은 경우, 제어부 (182) 는, 소정의 기준을 만족하지 않는다고 판정한다.A predetermined criterion may be set based on the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 . For example, a predetermined criterion is set based on the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid of the treatment tank 110 . For example, when the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 is equal to or greater than a predetermined value, the controller 182 determines that a predetermined standard is satisfied. On the other hand, when the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid of the treatment tank 110 is lower than a predetermined value, the control unit 182 determines that the predetermined standard is not satisfied.

처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는 경우 (스텝 S104 에 있어서 예), 처리는 스텝 S112 로 진행된다. 한편, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하지 않는 경우 (스텝 S104 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S106 으로 진행된다.When the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies the predetermined criteria (YES in step S104), the process proceeds to step S112. On the other hand, when the treatment liquid in the treatment tank 110 does not satisfy the predetermined criterion (NO in step S104), the process proceeds to step S106.

스텝 S106 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액을 배출한다. 처리조 (110) 에 저류된 처리액의 적어도 일부를 배출한다. 제어부 (182) 는, 펌프 (142) 를 구동시켜, 밸브 (154) 를 열고 밸브 (155) 를 닫음으로써, 외조 (114) 의 처리액을 배출한다. 또, 제어부 (182) 는, 밸브 (152) 를 열음으로써, 내조 (112) 의 처리액을 배출한다.In step S106, the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged. At least a part of the treatment liquid accumulated in the treatment tank 110 is discharged. The control unit 182 drives the pump 142 to open the valve 154 and close the valve 155 to discharge the treatment liquid from the outer tank 114 . Further, the controller 182 discharges the treatment liquid from the inner tub 112 by opening the valve 152 .

스텝 S108 에 있어서, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 처리액 공급부 (130) 는, 처리조 (110) 에 처리액을 공급한다. 제어부 (182) 의 제어에 의해서, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 는, 황산 및 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다.In step S108, the treatment liquid is supplied to the treatment tank 110. The treatment liquid supply unit 130 supplies the treatment liquid to the treatment tank 110 . Under the control of the control unit 182, the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110.

스텝 S110 에 있어서, 처리조 (110) 에 대한 처리액의 공급을 정지시킨다. 제어부 (182) 의 제어에 의해서, 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 로부터 처리조 (110) 에 대한 황산 및 과산화수소수의 공급을 정지시킨다.In step S110, the supply of the treatment liquid to the treatment tank 110 is stopped. Under the control of the control unit 182, the supply of sulfuric acid and hydrogen peroxide from the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 to the treatment tank 110 is stopped.

스텝 S112 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액을 순환하면서, 처리액을 가열한다. 제어부 (182) 의 제어에 의해서, 펌프 (142) 를 구동시켜 조정 밸브 (145), 밸브 (146) 를 열음과 함께 밸브 (154) 를 열고 밸브 (155) 를 닫음으로써, 처리조 (110) 의 처리액은, 처리조 (110) 로부터 배관 (141) 을 통과하여 처리조 (110) 까지 순환한다. 또, 제어부 (182) 의 제어에 의해서, 히터 (144) 는, 배관 (141) 을 흐르는 처리액을 가열한다.In step S112, the treatment liquid is heated while circulating the treatment liquid in the treatment tank 110. Under the control of the controller 182, the pump 142 is driven to open the regulating valve 145 and the valve 146, and the valve 154 is opened and the valve 155 is closed, so that the treatment tank 110 The treatment liquid circulates from the treatment tank 110 to the treatment tank 110 through the pipe 141 . In addition, under the control of the controller 182, the heater 144 heats the processing liquid flowing through the pipe 141.

스텝 S114 에 있어서, 처리액의 온도가 소정의 온도인지의 여부를 판정한다. 처리액의 온도가 소정의 온도가 아닐 경우 (스텝 S114 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S112 로 돌아온다. 한편, 처리액의 온도가 소정의 온도인 경우 (스텝 S114 에 있어서 예), 처리는 스텝 S116 으로 진행된다.In step S114, it is determined whether or not the temperature of the processing liquid is a predetermined temperature. When the temperature of the treatment liquid is not the predetermined temperature (NO in step S114), the process returns to step S112. On the other hand, if the temperature of the processing liquid is the predetermined temperature (YES in step S114), the process proceeds to step S116.

스텝 S116 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지한다. 전형적으로는, 기판 유지부 (120) 는 기판 (W) 을 유지한 채로 처리조 (110) 를 향하여 하강하여, 기판 (W) 을 처리조 (110) 의 처리액에 침지한다. 이 때, 처리액 공급부 (130) 는, 황산 및 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급하지 않아도 된다. 혹은, 처리조 (110) 의 처리액에 대해서, 처리액 공급부 (130) 는, 과산화수소수만을 처리조 (110) 에 공급해도 된다. 어느 경우여도, 펌프 (142) 와 함께 히터 (144) 를 구동시킴으로써, 처리조 (110) 의 처리액을 순환시키면서 처리조 (110) 의 처리액을 가열하는 것이 바람직하다.In step S116, the substrate W is immersed in the treatment liquid of the treatment tank 110. Typically, the substrate holding part 120 descends toward the treatment tank 110 while holding the substrate W, and immerses the substrate W in the treatment liquid of the treatment tank 110 . At this time, the treatment liquid supply unit 130 does not need to supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 . Alternatively, with respect to the treatment liquid of the treatment tank 110 , the treatment liquid supply unit 130 may supply only the hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 . In any case, it is preferable to heat the treatment liquid in the treatment tank 110 while circulating the treatment liquid in the treatment tank 110 by driving the heater 144 together with the pump 142 .

그 후, 기판 (W) 은, 처리조 (110) 로부터 끌어 올려진다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 기판 처리 장치 (100) 로부터 반출된다.After that, the substrate W is pulled up from the treatment tank 110 . Typically, the substrate W is carried out of the substrate processing apparatus 100 .

스텝 S118 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 다음으로 처리하는 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 다음의 기판이 도달하기 전에, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다.In step S118, it is determined whether the substrate W to be processed next by the substrate processing apparatus 100 is a target substrate. Typically, before the next substrate arrives at the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 determines whether or not the substrate W is a target substrate.

다음의 기판 (W) 이 대상 기판이 아닐 경우 (스텝 S118 에 있어서 아니오), 처리는 종료한다. 한편, 다음의 기판 (W) 이 대상 기판일 경우 (스텝 S118 에 있어서 예), 처리는 스텝 S120 으로 진행된다.When the next substrate W is not the target substrate (NO in step S118), the process ends. On the other hand, if the next substrate W is the target substrate (YES in step S118), the process proceeds to step S120.

스텝 S120 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는지의 여부를 판정한다. 소정의 기준은, 스텝 S104 와 동일하게 설정된다.In step S120, it is determined whether or not the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies a predetermined criterion. A predetermined criterion is set in the same way as in step S104.

처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하지 않는 경우 (스텝 S120 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S106 으로 돌아온다. 한편, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는 경우 (스텝 S120 에 있어서 예), 처리는 스텝 S116 으로 돌아온다. 이 경우도, 처리조 (110) 의 처리액에 대해서, 처리액 공급부 (130) 는, 황산 및 과산화수소수를 공급하지 않아도 된다. 혹은, 처리조 (110) 의 처리액에 대해서, 처리액 공급부 (130) 는, 과산화수소수만을 공급해도 된다. 어느 경우여도, 펌프 (142) 와 함께 히터 (144) 를 구동시킴으로써, 처리조 (110) 의 처리액을 순환시키면서 처리조 (110) 의 처리액을 가열하는 것이 바람직하다.When the treatment liquid in the treatment tank 110 does not satisfy the predetermined criterion (NO in step S120), the process returns to step S106. On the other hand, when the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies the predetermined criteria (YES in step S120), the process returns to step S116. Also in this case, the treatment liquid supply unit 130 does not need to supply sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the treatment liquid of the treatment tank 110 . Alternatively, the treatment liquid supply unit 130 may supply only the hydrogen peroxide solution to the treatment liquid of the treatment tank 110 . In any case, it is preferable to heat the treatment liquid in the treatment tank 110 while circulating the treatment liquid in the treatment tank 110 by driving the heater 144 together with the pump 142 .

본 실시형태에서는, 이상과 같이 하여, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하는 경우에는 처리액을 배출하지 않고 기판 (W) 을 침지한다. 한편으로, 처리조 (110) 의 처리액이 소정의 기준을 만족하지 않는 경우에는, 처리조 (110) 의 처리액의 적어도 일부를 배출하고, 새롭게 황산 및 과산화수소수를 공급함으로써, 처리조 (110) 의 처리액을 적어도 부분적으로 교환한다. 이로써, 처리액의 액 교환의 횟수를 줄임과 함께, 처리액에 드는 비용의 증가를 억제할 수 있다.In the present embodiment, when the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies a predetermined standard as described above, the substrate W is immersed without discharging the treatment liquid. On the other hand, when the treatment liquid in the treatment tank 110 does not satisfy a predetermined standard, at least a part of the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged, and sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are newly supplied to treat the treatment tank 110 ) at least partially exchange the treatment liquid. In this way, it is possible to reduce the number of liquid exchanges of the treatment liquid and suppress an increase in the cost of the treatment liquid.

상기 서술한 바와 같이, 도 5 ∼ 도 7 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 액 교환 공정 및 액 교환 공정이 선택되었을 경우의 플로를 설명하였다. 또한, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정은, 아래와 같이 행해진다.As described above, with reference to FIGS. 5 to 7 , the liquid exchanging step and the flow when the liquid exchanging step is selected in the substrate processing method of the present embodiment have been described. In addition, the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment is performed as follows.

다음으로, 도 1 ∼ 도 8 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정을 설명한다. 도 8(a) ∼ 도 8(c) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정을 설명하기 위한 모식도이다.Next, with reference to Figs. 1 to 8, the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment will be described. 8(a) to 8(c) are schematic diagrams for explaining the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment.

도 8(a) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 내의 처리액의 상태를 유지한다. 여기에서는, 내조 (112) 및 외조 (114) 의 각각에 정량의 처리액이 저류되어 있다. 예를 들어, 처리조 (110) 내의 처리액은, 순환되면서 가열됨으로써, 일정한 상태로 유지된다.As shown in Fig. 8(a), the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained. Here, a fixed amount of treatment liquid is stored in each of the inner tank 112 and the outer tank 114 . For example, the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained in a constant state by being circulated and heated.

예를 들어, 처리조 (110) 내의 처리액은, 황산 농도 75 % 이상 90 % 이하, 과산화수소 농도 0.8 % 이상 2.0 % 이하, 온도 100 ℃ 이상 140 ℃ 이하의 상태로 유지된다. 일례로는, 처리조 (110) 내에 있어서 유지되는 처리액은, 황산 농도 82 %, 과산화수소 농도 1.0 %, 온도 110 ℃ 이다.For example, the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained at a sulfuric acid concentration of 75% or more and 90% or less, a hydrogen peroxide concentration of 0.8% or more and 2.0% or less, and a temperature of 100°C or more and 140°C or less. As an example, the treatment liquid held in the treatment tank 110 has a sulfuric acid concentration of 82%, a hydrogen peroxide concentration of 1.0%, and a temperature of 110°C.

제어부 (182) 의 제어에 의해서, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도가 유지된다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급하고, 과산화수소 공급부 (134) 는 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 또, 히터 (144) 는, 일정량의 전력으로 처리액을 가열한다.Under the control of the controller 182, the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid are maintained. Specifically, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110, and the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. In addition, the heater 144 heats the processing liquid with a certain amount of electric power.

도 8(b) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 조정한다. 이 때, 황산 공급부 (132) 로부터 공급되는 황산 및 과산화수소 공급부 (134) 로부터 공급되는 과산화수소수의 양의 비율을 변경한다. 예를 들어, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지하기 직전에 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 조정한다.As shown in Fig. 8(b), the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted. At this time, the ratio of the amounts of the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide supply unit 134 is changed. For example, the concentration of the treatment liquid in the treatment bath 110 is adjusted immediately before the substrate W is immersed in the treatment liquid in the treatment bath 110 .

여기에서는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 황산 농도를 유지한 채로 과산화수소 농도를 증가시킨다. 이 경우, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 증가할 때까지 과산화수소수의 공급량을 증가시키도록 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도가 유지될 정도로 황산을 공급하도록 황산 공급부 (132) 를 제어한다.Here, the concentration of hydrogen peroxide is increased while maintaining the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid of the treatment tank 110 . In this case, the control unit 182 controls the hydrogen peroxide supply unit 134 to increase the supply amount of the hydrogen peroxide solution until the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 increases. Also, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 to supply sulfuric acid to such an extent that the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained.

일례로는, 처리조 (110) 내에 있어서 유지되는 처리액은, 황산 농도 82 %, 과산화수소 농도 1.4 %, 온도 110 ℃ 이다.As an example, the treatment liquid held in the treatment tank 110 has a sulfuric acid concentration of 82%, a hydrogen peroxide concentration of 1.4%, and a temperature of 110°C.

그 후, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지시키고, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 끌어 올리기까지 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도를 유지한다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급하고, 과산화수소 공급부 (134) 는 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 또, 히터 (144) 는, 일정량의 전력으로 처리액을 가열한다.Thereafter, the control unit 182 immerses the substrate W in the treatment liquid of the treatment tank 110 and performs processing in the treatment tank 110 until the substrate W is lifted up from the treatment liquid of the treatment tank 110. The temperature of the liquid, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid are maintained. Specifically, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110, and the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. In addition, the heater 144 heats the processing liquid with a certain amount of electric power.

제어부 (182) 는, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 끌어올리고 나서 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도를 변경한다. 전형적으로는, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 을 침지하기 전의 상태로, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도 중 어느 것을 변경한다.After lifting the substrate W from the treatment liquid in the treatment tank 110, the control unit 182 changes the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid. . Typically, the controller 182 changes any one of the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in a state before the substrate W is immersed. .

도 8(c) 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (110) 의 처리액의 상태를 되돌린다. 여기에서는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 황산 농도를 유지한 채로 과산화수소 농도를 저하시킨다. 이 경우, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 저하될 때까지 과산화수소수의 공급량을 감소시키도록 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도가 유지될 정도로 황산을 공급하도록 황산 공급부 (132) 를 제어한다. 이 때, 황산 공급부 (132) 로부터 공급되는 황산 및 과산화수소 공급부 (134) 로부터 공급되는 과산화수소수의 양의 비율을 다시 변경한다.As shown in Fig. 8(c), the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is returned. Here, the concentration of hydrogen peroxide is reduced while maintaining the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid of the treatment tank 110 . In this case, the controller 182 controls the hydrogen peroxide supply unit 134 to decrease the amount of hydrogen peroxide water supplied until the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 decreases. Also, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 to supply sulfuric acid to such an extent that the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained. At this time, the ratio of the amounts of the sulfuric acid supplied from the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide solution supplied from the hydrogen peroxide supply unit 134 is changed again.

일례로는, 처리조 (110) 내에 있어서 유지되는 처리액은, 황산 농도 82 %, 과산화수소 농도 1.0 %, 온도 110 ℃ 이다.As an example, the treatment liquid held in the treatment tank 110 has a sulfuric acid concentration of 82%, a hydrogen peroxide concentration of 1.0%, and a temperature of 110°C.

그 후, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도를 유지한다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급하고, 과산화수소 공급부 (134) 는 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 또, 히터 (144) 는, 일정량의 전력으로 처리액을 가열한다.After that, the controller 182 maintains the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid. Specifically, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110, and the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. In addition, the heater 144 heats the processing liquid with a certain amount of electric power.

다음으로, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정을 설명한다. 도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 농도 조정 공정시의 처리조 (110) 내의 황산 농도 및 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 도 9 에 있어서, 선 Lsc 는, 황산 농도의 시간 변화를 나타낸다. 선 Lhc 는, 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타낸다.Next, with reference to Figs. 1 to 9, the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment will be described. 9 is a graph showing changes over time in the sulfuric acid concentration and the hydrogen peroxide concentration in the treatment tank 110 during the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment. In Fig. 9, the line Lsc represents the change in sulfuric acid concentration over time. The line Lhc represents the time change of the hydrogen peroxide concentration.

선 Lsc 에 나타내는 바와 같이, 농도 조정 기간 Pc 전에서는, 황산 농도는, 목표 농도 Tsb 에 유지된다. 단, 엄밀하게는, 황산 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Tsb 에 대해서 변동된다. 황산 공급부 (132) 는, 농도 센서 (162) 의 측정 결과에 기초하여, 황산을 간헐적으로 처리조 (110) 에 공급하기 때문이다. 여기에서는, 황산 농도가 감소하여 목표 농도 Tsb 에 이르면, 황산 공급부 (132) 가 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급한다. 이 때문에, 황산 농도는, 목표 농도 Tsb 로부터 일시적으로 증가한다.As indicated by the line Lsc, before the concentration adjustment period Pc, the sulfuric acid concentration is maintained at the target concentration Tsb. However, strictly speaking, the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Tsb with the passage of time. This is because the sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 intermittently based on the measurement result of the concentration sensor 162 . Here, when the sulfuric acid concentration decreases to reach the target concentration Tsb, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110 . For this reason, the sulfuric acid concentration temporarily increases from the target concentration Tsb.

농도 조정 기간 Pc 에 있어서 액 교환 기간 Pp 에 있어서 새로운 처리액이 되는 황산 및 과산화수소수가 처리조 (110) 에 공급된다. 전형적으로는, 농도 조정 기간 Pc 는, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 이 침지되기 직전의 기간이다.During the liquid exchange period Pp in the concentration adjustment period Pc, sulfuric acid and hydrogen peroxide water serving as new treatment liquids are supplied to the treatment tank 110. Typically, the concentration adjustment period Pc is a period immediately before the substrate W is immersed in the treatment liquid of the treatment tank 110 .

여기에서는, 황산 농도는, 농도 조정 기간 Pc 후에도, 농도 조정 기간 Pc 전과 비교해서 목표 농도 Tsb 에 유지된다. 이 경우에도, 엄밀하게는, 황산 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Tsb 에 대해서 변동된다.Here, the sulfuric acid concentration is maintained at the target concentration Tsb even after the concentration adjustment period Pc compared to before the concentration adjustment period Pc. Also in this case, strictly speaking, the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Tsb with the passage of time.

한편, 선 Lhc 에 나타내는 바와 같이, 농도 조정 기간 Pc 전에서는, 과산화수소 농도는, 목표 농도 Tob1 에 유지된다. 단, 엄밀하게는, 과산화수소 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Tob1 에 대해서 변동된다. 이것은, 과산화수소 공급부 (134) 가 간헐적으로 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급하기 때문이다. 여기에서도, 과산화수소 농도가 감소하여 목표 농도 Tob1 에 이르면, 과산화수소 공급부 (134) 가 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 이 때문에, 과산화수소 농도는, 목표 농도 Tob1 로부터 일시적으로 증가한다.On the other hand, as indicated by the line Lhc, before the concentration adjustment period Pc, the hydrogen peroxide concentration is maintained at the target concentration Tob1. However, strictly speaking, the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Tob1 with the lapse of time. This is because the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies the hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 intermittently. Also here, when the hydrogen peroxide concentration decreases to reach the target concentration Tob1, the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. For this reason, the hydrogen peroxide concentration temporarily increases from the target concentration Tob1.

과산화수소 농도는, 농도 조정 기간 Pc 후, 농도 조정 기간 Pc 전과 비교해서 증가한다. 이것은, 농도 조정에 의해서, 과산화수소수의 목표 농도가 목표 농도 Tob1 로부터 목표 농도 Tob2 로 변경되었기 때문이다. 단, 엄밀하게는, 과산화수소 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Tob2 에 대해서 변동된다. 상기 서술한 바와 같이, 과산화수소 공급부 (134) 가 간헐적으로 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급하기 때문이다.The hydrogen peroxide concentration increases after the concentration adjustment period Pc compared to before the concentration adjustment period Pc. This is because the target concentration of the hydrogen peroxide solution was changed from the target concentration Tob1 to the target concentration Tob2 by concentration adjustment. However, strictly speaking, the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Tob2 with the lapse of time. As described above, it is because the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies the hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110 intermittently.

그 후, 소정 기간 경과하여, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 이 침지될 예정이 없어지면, 과산화수소 농도의 목표 농도는 목표 농도 Tob2 로부터 목표 농도 Tob1 로 돌아온다.Thereafter, when the plan to immerse the substrate W in the treatment liquid of the treatment tank 110 has elapsed after a predetermined period of time, the target concentration of hydrogen peroxide returns from the target concentration Tob2 to the target concentration Tob1.

다음으로, 도 1 ∼ 도 10 을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 (100) 의 실시형태를 설명한다. 도 10(a) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 처리조 (110) 내의 황산 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이고, 도 10(b) 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서 처리조 (110) 내의 과산화수소 농도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.Next, with reference to Figs. 1 to 10, an embodiment of the substrate processing apparatus 100 according to the present invention will be described. 10(a) is a graph showing a change in sulfuric acid concentration in the treatment tank 110 over time in the substrate processing method of the present embodiment, and FIG. It is a graph showing the time change of hydrogen peroxide concentration in (110).

도 10(a) 에 나타내는 바와 같이, 황산 농도는, 목표 농도 Ts 에 대해서 변동된다. 이것은, 황산 공급부 (132) 가, 농도 센서 (162) 의 측정 결과에 기초하여, 황산을 간헐적으로 처리조 (110) 에 공급하기 때문이다.As shown in Fig. 10 (a), the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Ts. This is because the sulfuric acid supply unit 132 supplies sulfuric acid to the treatment tank 110 intermittently based on the measurement result of the concentration sensor 162 .

상세하게는, 황산 공급부 (132) 가 황산의 공급을 특정 기간 정지시키면, 황산 농도는 시간의 경과와 함께 서서히 저하된다. 황산 농도가 하한 Tsd 에 도달한 것을 농도 센서 (162) 가 측정하면, 제어부 (182) 는, 황산 공급부 (132) 가 처리조 (110) 에 소정량의 황산을 공급하도록 황산 공급부 (132) 를 제어한다. 또한, 황산 공급부 (132) 에 의해서 공급되는 황산의 양은, 농도 센서 (162) 에 의해서 측정되는 황산 농도가 상한 Tsu 를 초과하지 않도록 설정되어 있다. 따라서, 황산 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Ts 에 대해서 변동된다.Specifically, when the sulfuric acid supply unit 132 stops the supply of sulfuric acid for a specific period of time, the sulfuric acid concentration gradually decreases with the passage of time. When the concentration sensor 162 measures that the sulfuric acid concentration has reached the lower limit Tsd, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 so that the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110. do. In addition, the amount of sulfuric acid supplied by the sulfuric acid supply unit 132 is set so that the sulfuric acid concentration measured by the concentration sensor 162 does not exceed the upper limit Tsu. Therefore, the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Ts with the lapse of time.

도 10(b) 에 나타내는 바와 같이, 과산화수소 농도는, 목표 농도 Th에 대해서 변동된다. 이것은, 과산화수소 공급부 (134) 가, 농도 센서 (162) 의 측정 결과에 기초하여, 과산화수소수를 간헐적으로 처리조 (110) 에 공급하기 때문이다.As shown in Fig. 10(b), the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Th. This is because the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies hydrogen peroxide water to the treatment tank 110 intermittently based on the measurement result of the concentration sensor 162 .

상세하게는, 과산화수소 공급부 (134) 가 과산화수소수의 공급을 특정 기간 정지시키면, 과산화수소 농도는 시간의 경과와 함께 서서히 저하된다. 과산화수소 농도가 하한 Thd 에 도달한 것을 농도 센서 (162) 가 측정하면, 제어부 (182) 는, 과산화수소 공급부 (134) 가 처리조 (110) 에 소정량의 과산화수소수를 공급하도록 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또한, 과산화수소 공급부 (134) 에 의해서 공급되는 과산화수소수의 양은, 농도 센서 (162) 에 의해서 측정되는 과산화수소 농도가 상한 Thu 을 초과하지 않도록 설정되어 있다. 따라서, 과산화수소 농도는, 시간의 경과와 함께 목표 농도 Th 에 대해서 변동된다.Specifically, when the hydrogen peroxide supply unit 134 stops supply of hydrogen peroxide water for a specific period of time, the hydrogen peroxide concentration gradually decreases with the lapse of time. When the concentration sensor 162 measures that the hydrogen peroxide concentration has reached the lower limit Thd, the control unit 182 controls the hydrogen peroxide supply unit 134 so that the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. Control. In addition, the amount of hydrogen peroxide water supplied by the hydrogen peroxide supplier 134 is set so that the hydrogen peroxide concentration measured by the concentration sensor 162 does not exceed the upper limit Thu. Therefore, the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Th with the lapse of time.

또한, 도 10(a) 및 도 10(b) 에 나타낸 바와 같이, 황산 농도 및 과산화수소 농도는, 목표 농도에 대해서 피드백 제어되어도 된다. 또한, 피드백 제어는, 농도 조정 공정에 있어서 바람직하게 행해진다. 단, 피드백 제어는, 액 교환 공정에 있어서 행해져도 된다.In addition, as shown in Fig. 10 (a) and Fig. 10 (b), the sulfuric acid concentration and the hydrogen peroxide concentration may be feedback-controlled with respect to the target concentration. Feedback control is preferably performed in the concentration adjustment step. However, feedback control may be performed in the liquid exchange process.

다음으로, 도 1 ∼ 도 11 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정을 설명한다. 도 11 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법에 있어서의 농도 조정 공정이 선택되는 경우의 플로도이다.Next, with reference to Figs. 1 to 11, the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment will be described. 11 is a flow chart in the case where the concentration adjustment step in the substrate processing method of the present embodiment is selected.

도 11 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S202 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액의 상태를 유지한다. 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도 및 과산화수소 농도를 유지한다. 제어부 (182) 는, 농도 센서 (162) 의 결과에 기초하여, 처리액의 황산 농도 및 과산화수소 농도가 각각 소정의 값이 되도록 황산 공급부 (132) 및 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 히터 (144) 에 의해서 측정된 온도에 기초하여, 처리액이 소정의 온도를 유지하도록 히터 (144) 를 제어한다.As shown in FIG. 11 , in step S202, the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained. The control unit 182 maintains the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the sulfuric acid concentration, and the hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid. Based on the result of the concentration sensor 162, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 and the hydrogen peroxide supply unit 134 so that the concentrations of sulfuric acid and hydrogen peroxide in the treatment liquid reach predetermined values, respectively. In addition, the control unit 182 controls the heater 144 so that the processing liquid maintains a predetermined temperature based on the temperature measured by the heater 144 .

스텝 S204 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 처리하는 기판 (W) 이 농도 조정을 행하는 대상 기판인지의 여부를 판정한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 기판이 도달하기 전에, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다.In step S204, it is determined whether or not the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 is a target substrate to be subjected to concentration adjustment. Typically, before a substrate reaches the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 determines whether the substrate W is a target substrate.

예를 들어, 기판 (W) 이 이온 주입이 행해진 레지스트를 갖는 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 농도 조정을 행할 대상 기판이라고 판정한다. 혹은, 기판 (W) 이 소자 분리된 후의 산화 처리가 행해지는 기판일 경우, 제어부 (182) 는, 기판 (W) 이 농도 조정을 행할 대상 기판이라고 판정한다.For example, when the substrate W is a substrate having a resist on which ion implantation has been performed, the controller 182 determines that the substrate W is a target substrate for concentration adjustment. Alternatively, if the substrate W is a substrate to be subjected to oxidation treatment after device separation, the control unit 182 determines that the substrate W is a target substrate for concentration adjustment.

기판 (W) 이 대상 기판이 아닐 경우 (스텝 S204 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S202 로 돌아온다. 한편, 기판 (W) 이 대상 기판일 경우 (스텝 S204 에 있어서 예), 처리는 스텝 S206 으로 진행된다.When the substrate W is not the target substrate (NO in step S204), the process returns to step S202. On the other hand, if the substrate W is the target substrate (YES in step S204), the process proceeds to step S206.

스텝 S206 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도를 증가시킨다. 전형적으로는, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 증가할 때까지 과산화수소수의 공급량을 증가시키도록 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도가 유지될 정도로 황산을 공급하도록 황산 공급부 (132) 를 제어한다.In step S206, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 is increased. Typically, the control unit 182 controls the hydrogen peroxide supply unit 134 to increase the supply amount of the hydrogen peroxide solution until the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 increases. Also, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 to supply sulfuric acid to such an extent that the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained.

스텝 S208 에 있어서, 처리액의 농도 조정이 종료되었는지의 여부를 판정한다. 과산화수소 농도가 증가하여 농도 센서 (162) 가 소정의 값을 나타내면, 처리액의 농도 조정을 종료한다.In step S208, it is determined whether or not the concentration adjustment of the processing liquid has been completed. When the hydrogen peroxide concentration increases and the concentration sensor 162 indicates a predetermined value, the concentration adjustment of the treatment liquid is finished.

처리액의 조정이 종료되어 있지 않은 경우 (스텝 S208 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S206 으로 돌아온다. 한편, 처리액의 조정이 종료되었을 경우 (스텝 S208 에 있어서 예), 처리는 스텝 S210 으로 진행된다.If the adjustment of the processing liquid has not ended (NO in step S208), the process returns to step S206. On the other hand, when the adjustment of the processing liquid is completed (YES in step S208), the process proceeds to step S210.

스텝 S210 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액의 상태를 유지한다. 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도를 유지한다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급하고, 과산화수소 공급부 (134) 는 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 또, 히터 (144) 는, 일정량의 전력으로 처리액을 가열한다.In step S210, the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained. The controller 182 maintains the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid. Specifically, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110, and the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. In addition, the heater 144 heats the processing liquid with a certain amount of electric power.

스텝 S212 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지한다. 전형적으로는, 기판 (W) 은, 기판 처리 장치 (100) 에 반입되고, 처리조 (110) 의 처리액에 침지된다. 그 후, 기판 (W) 은, 기판 처리 장치 (100) 로부터 반입된다. 그 후, 처리는 스텝 S214 로 진행된다.In step S212, the substrate W is immersed in the treatment liquid of the treatment tank 110. Typically, the substrate W is carried into the substrate processing apparatus 100 and is immersed in the processing liquid of the processing tank 110 . After that, the substrate W is carried in from the substrate processing apparatus 100 . After that, the process proceeds to step S214.

스텝 S214 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 다음으로 처리해야 할 기판 (W) 이 있으며, 또한, 그 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다. 전형적으로는, 기판 처리 장치 (100) 에 다음의 기판이 도달하기 전에, 제어부 (182) 는, 다음의 기판 (W) 의 유무 및 다음의 기판 (W) 이 대상 기판인지의 여부를 판정한다.In step S214, the substrate processing apparatus 100 determines whether there is a substrate W to be processed next, and whether the substrate W is a target substrate. Typically, before the next substrate arrives at the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 determines the presence or absence of the next substrate W and whether or not the next substrate W is a target substrate.

다음의 기판 (W) 이 없거나, 또는, 다음의 기판 (W) 이 대상 기판이 아닐 경우 (스텝 S214 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S216 으로 진행된다. 한편, 다음의 기판 (W) 이 있고, 그 기판 (W) 이 대상 기판일 경우 (스텝 S214 에 있어서 예), 처리는 스텝 S210 으로 돌아온다.If there is no next substrate W, or if the next substrate W is not the target substrate (NO in step S214), the process proceeds to step S216. On the other hand, if there is a next substrate W and the substrate W is the target substrate (YES in step S214), the process returns to step S210.

스텝 S216 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액의 과산화수소 농도를 저하시킨다. 전형적으로는, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 과산화수소 농도가 저하될 때까지 과산화수소수의 공급량을 감소하도록 과산화수소 공급부 (134) 를 제어한다. 또, 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도가 유지될 정도로 황산을 공급하도록 황산 공급부 (132) 를 제어한다.In step S216, the hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 is lowered. Typically, the control unit 182 controls the hydrogen peroxide supply unit 134 to decrease the amount of hydrogen peroxide water supplied until the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 decreases. Also, the control unit 182 controls the sulfuric acid supply unit 132 to supply sulfuric acid to such an extent that the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained.

스텝 S218 에 있어서, 처리액의 농도 조정이 종료되었는지의 여부를 판정한다. 과산화수소 농도가 감소하여 농도 센서 (162) 가 소정의 값을 나타내면 처리액의 농도 조정을 종료한다.In step S218, it is determined whether or not the concentration adjustment of the processing liquid has been completed. When the concentration of hydrogen peroxide decreases and the concentration sensor 162 indicates a predetermined value, the concentration adjustment of the treatment liquid ends.

처리액의 조정이 종료되어 있지 않은 경우 (스텝 S218 에 있어서 아니오), 처리는 스텝 S216 으로 돌아온다. 한편, 처리액의 조정이 종료되었을 경우 (스텝 S218 에 있어서 예), 처리는 스텝 S220 으로 진행된다.If the processing liquid adjustment has not ended (NO in step S218), the process returns to step S216. On the other hand, when the adjustment of the processing liquid is completed (YES in step S218), the process proceeds to step S220.

스텝 S220 에 있어서, 처리조 (110) 내의 처리액의 상태를 유지한다. 제어부 (182) 는, 처리조 (110) 내의 처리액의 온도, 처리액의 황산 농도, 및, 처리액 내의 과산화수소 농도를 유지한다. 상세하게는, 황산 공급부 (132) 는 소정량의 황산을 처리조 (110) 에 공급하고, 과산화수소 공급부 (134) 는 소정량의 과산화수소수를 처리조 (110) 에 공급한다. 또, 히터 (144) 는, 일정량의 전력으로 처리액을 가열한다.In step S220, the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is maintained. The controller 182 maintains the temperature of the treatment liquid in the treatment tank 110, the concentration of sulfuric acid in the treatment liquid, and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid. Specifically, the sulfuric acid supply unit 132 supplies a predetermined amount of sulfuric acid to the treatment tank 110, and the hydrogen peroxide supply unit 134 supplies a predetermined amount of hydrogen peroxide solution to the treatment tank 110. In addition, the heater 144 heats the processing liquid with a certain amount of electric power.

본 실시형태에 의하면, 이상과 같이 하여, 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 조정한다. 본 실시형태에 의하면, 처리조 (110) 에 기판 (W) 을 침지하기 직전에, 처리조 (110) 의 처리액을 기판 (W) 의 처리에 적절한 농도로 조정한다. 이 때문에, 농도 조정의 대상이 되는 기판이 아닐 경우에는, 처리조 (110) 의 처리액의 농도를 조정하지 않아도 되어, 과산화수소수의 과잉된 사용을 회피할 수 있다.According to this embodiment, the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted as described above. According to this embodiment, immediately before immersing the substrate W in the treatment tank 110, the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted to a concentration suitable for processing the substrate W. For this reason, when the substrate is not the object of concentration adjustment, it is not necessary to adjust the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110, and excessive use of the hydrogen peroxide solution can be avoided.

또한, 도 9 및 도 11 에서는, 농도 조정의 일례로서, 기판 (W) 이 대상 기판일 경우에, 과산화수소 농도를 증가시켰지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 기판 (W) 이 대상 기판일 경우에, 황산 농도를 증가시켜도 된다.9 and 11, as an example of concentration adjustment, the hydrogen peroxide concentration is increased when the substrate W is the target substrate, but the present embodiment is not limited to this. When the substrate W is a target substrate, the sulfuric acid concentration may be increased.

또한, 도 4 에 나타낸 플로도에서는, 처리액 조정 공정은, 기판 처리 장치 (100) 가 기판을 처리하기 전에 행해진 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보에 기초하여 선택되었지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 처리액 조정 공정은, 기판 정보와 또 다른 정보에 기초하여 선택되어도 된다.In the flowchart shown in Fig. 4, the processing liquid adjustment step is selected based on substrate information representing information about the substrate performed before the substrate processing apparatus 100 processes the substrate, but the present embodiment is not limited to this. don't The processing liquid adjustment step may be selected based on the substrate information and other information.

다음으로, 도 1 ∼ 도 12 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 방법의 플로도이다.Next, referring to Figs. 1 to 12, the substrate processing method of the present embodiment will be described. 12 is a flowchart of the substrate processing method of the present embodiment.

도 12 에 나타내는 바와 같이, 스텝 S10 에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 가 처리하는 기판 (W) 에 대한 기판 정보를 취득한다. 예를 들어, 기판 정보 취득부 (182a) 는, 기억부 (184) 로부터 기판 정보를 취득한다.As shown in FIG. 12 , in step S10 , substrate information about the substrate W to be processed by the substrate processing apparatus 100 is acquired. For example, the board information acquisition unit 182a acquires board information from the storage unit 184 .

스텝 S10A 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액의 상태를 나타내는 처리액 정보를 취득한다. 처리액 정보는, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 황산 농도, 과산화수소 농도 및 온도 중 어느 것을 나타내도 된다. 예를 들어, 농도 센서 (162) 는, 처리조 (110) 내의 처리액에 있어서의 황산 농도 및 과산화수소 농도를 측정한다. 또, 히터 (144) 는, 처리액의 온도를 측정한다. 처리액 정보 취득부 (182c) 는, 농도 센서 (162) 및/또는 히터 (144) 로부터 처리액 정보를 취득한다.In step S10A, treatment liquid information indicating the state of the treatment liquid in the treatment tank 110 is acquired. The treatment liquid information may indicate any one of the concentration of sulfuric acid, the concentration of hydrogen peroxide, and the temperature in the treatment liquid of the treatment tank 110 . For example, the concentration sensor 162 measures the concentration of sulfuric acid and the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank 110 . Also, the heater 144 measures the temperature of the processing liquid. The processing liquid information acquisition unit 182c acquires processing liquid information from the concentration sensor 162 and/or the heater 144 .

스텝 S20 에 있어서, 처리액 조정 공정을 선택한다. 제어부 (182) 는, 기판 정보 및 처리액 정보에 기초하여, 처리조 (110) 의 처리액을 액 교환 공정 또는 농도 조정 공정 중 어느 것으로 조정할지를 선택한다. 전형적으로는, 제어부 (182) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 기판 (W) 이 도달하기 전에, 기판 정보 및 처리액 정보에 기초하여, 처리액 조정 공정을 선택한다.In step S20, a processing liquid adjustment step is selected. Based on the substrate information and the treatment liquid information, the control unit 182 selects whether to adjust the treatment liquid in the treatment tank 110 to a liquid exchange process or a concentration adjustment process. Typically, before the substrate W arrives at the substrate processing apparatus 100, the control unit 182 selects the processing liquid adjustment step based on the substrate information and the processing liquid information.

예를 들어, 기판 정보에 기초하여, 처리조 (110) 의 처리액의 목표치가 설정된다. 일례로는, 기판 처리 장치 (100) 에 반입되기 전에 기판 (W) 에 대해서 행해진 처리에 따라서, 처리조 (110) 의 처리액에 있어서의 목표 황산 농도, 목표 과산화수소 농도 및 목표 온도가 설정된다.For example, based on the substrate information, a target value of the treatment liquid in the treatment tank 110 is set. For example, a target concentration of sulfuric acid, a target concentration of hydrogen peroxide, and a target temperature in the treatment liquid of the treatment bath 110 are set according to the treatment performed on the substrate W before being loaded into the substrate treatment apparatus 100 .

처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 처리액 조정 공정을 선택한다. 예를 들어, 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 기판 정보에 기초하여 설정된 목표 황산 농도, 목표 과산화수소 농도 및 목표 온도와, 처리액 정보로 나타내어진 처리조 (110) 에 있어서의 처리액의 황산 농도, 목표 과산화수소 농도 및 목표 온도의 차분으로부터, 처리액 조정 공정을 선택한다. 예를 들어, 차분이 비교적 큰 경우, 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정을 선택한다. 한편, 차분이 비교적 작은 경우, 처리액 조정 공정 선택부 (182b) 는, 처리액 조정 공정으로서 농도 조정 공정을 선택한다.The treatment liquid adjustment process selector 182b selects a treatment liquid adjustment process. For example, the treatment liquid adjustment process selector 182b selects the target sulfuric acid concentration, the target hydrogen peroxide concentration, and the target temperature set based on the substrate information, and the treatment liquid in the treatment tank 110 indicated by the treatment liquid information. The processing liquid adjustment step is selected from the difference between the sulfuric acid concentration, the target hydrogen peroxide concentration, and the target temperature. For example, when the difference is relatively large, the processing liquid adjustment process selector 182b selects the liquid exchange process as the processing liquid adjustment process. On the other hand, when the difference is relatively small, the treatment liquid adjustment process selector 182b selects the concentration adjustment process as the treatment liquid adjustment process.

스텝 S20 에 있어서 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 처리는 스텝 S30 으로 진행된다. 한편, 스텝 S20 에 있어서 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 처리는 스텝 S40 으로 진행된다.When the liquid exchange process is selected in step S20, the process proceeds to step S30. On the other hand, when the concentration adjustment step is selected in step S20, the process proceeds to step S40.

스텝 S30 에 있어서, 액 교환 공정을 행한다. 액 교환 공정에 의해서, 처리조 (110) 의 처리액이 조정된다. 상기 서술한 바와 같이, 처리조 (110) 의 처리액이 기준을 만족하는지의 여부가 판정된다. 처리액이 기준을 만족하는 경우, 처리조 (110) 의 처리액을 배출하지 않는다. 처리액이 기준을 만족하지 않는 경우, 처리조 (110) 의 처리액을 배출하여 처리조 (110) 에 새롭게 황산 및 과산화수소수를 공급한다. 그 후, 처리는 스텝 S50A 로 진행된다.In step S30, a liquid exchange process is performed. The treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted by the liquid exchange step. As described above, it is determined whether or not the treatment liquid in the treatment tank 110 satisfies the standard. When the treatment liquid satisfies the criteria, the treatment liquid in the treatment tank 110 is not discharged. When the treatment liquid does not satisfy the standard, the treatment liquid in the treatment tank 110 is discharged and sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are newly supplied to the treatment tank 110 . After that, the process proceeds to step S50A.

스텝 S50A 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액에 기판 (W) 을 침지한다. 그 후, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 꺼낸다. 이상과 같이 하여, 기판 처리를 종료한다.In step S50A, the substrate W is immersed in the treatment liquid of the treatment bath 110 . After that, the substrate W is taken out of the treatment liquid in the treatment tank 110 . As described above, the substrate processing is finished.

스텝 S40 에 있어서, 농도 조정 공정을 행한다. 이 경우, 처리조 (110) 의 처리액의 농도가 조정된다. 다음으로, 처리는 스텝 S50B 로 진행된다.In step S40, a concentration adjustment process is performed. In this case, the concentration of the treatment liquid in the treatment tank 110 is adjusted. Next, the process proceeds to step S50B.

스텝 S50B 에 있어서, 처리조 (110) 의 처리액에 기판을 침지한다. 그 후, 처리조 (110) 의 처리액으로부터 기판 (W) 을 꺼낸다. 이상과 같이 하여, 기판 처리를 종료한다.In step S50B, the substrate is immersed in the treatment liquid in the treatment bath 110 . After that, the substrate W is taken out of the treatment liquid in the treatment tank 110 . As described above, the substrate processing is finished.

본 실시형태에 의하면, 기판 정보뿐만 아니라 처리액 정보도 고려하여, 처리액 조정 공정을 선택한다. 이 때문에, 처리액의 조정에 필요로 하는 시간도 고려하여 기판 (W) 을 적절히 처리할 수 있다.According to the present embodiment, the treatment solution adjustment step is selected taking not only the substrate information but also the treatment solution information into consideration. For this reason, the substrate W can be appropriately processed in consideration of the time required for adjusting the processing liquid.

또한, 도 1 ∼ 도 12 를 참조하여 상기 서술한 설명에서는, 발명이 과도하게 복잡해지는 것을 피할 목적에서, 기판 (W) 은, 1 개의 기판 처리 장치 (100) 로 처리되었지만, 본 실시형태는 이에 한정되지 않는다. 기판 (W) 은, 2 이상의 기판 처리 장치 (100) 에서 처리되어도 된다.In addition, in the description above with reference to FIGS. 1 to 12 , the substrate W was processed by one substrate processing apparatus 100 for the purpose of avoiding excessive complexity of the invention, but the present embodiment Not limited. The substrate W may be processed by two or more substrate processing apparatuses 100 .

다음으로, 도 13 을 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 구비한 기판 처리 시스템 (10) 을 설명한다. 도 13 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 구비한 기판 처리 시스템 (10) 의 모식도이다. 도 13 에 나타낸 기판 처리 시스템 (10) 은, 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 를 구비한다.Next, with reference to FIG. 13, the substrate processing system 10 provided with the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is demonstrated. 13 is a schematic diagram of the substrate processing system 10 provided with the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. The substrate processing system 10 shown in FIG. 13 includes a first substrate processing apparatus 100A to a third substrate processing apparatus 100C.

도 13 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템 (10) 은, 투입부 (20) 와, 복수의 수납부 (30) 와, 주고 받음 기구 (40) 와, 불출부 (50) 와, 버퍼 유닛 (BU) 과, 제 1 반송 장치 (CTC) 와, 제 2 반송 장치 (WTR) 와, 복수의 기판 처리 장치 (100) 와, 제어 장치 (180) 를 구비한다.As shown in FIG. 13 , the substrate processing system 10 includes an input unit 20, a plurality of storage units 30, a transfer/receive mechanism 40, a dispensing unit 50, and a buffer unit (BU). ), a first transport device (CTC), a second transport device (WTR), a plurality of substrate processing devices 100, and a control device 180.

복수의 기판 처리 장치 (100) 는, 제 1 기판 처리 장치 (100A) 와, 제 2 기판 처리 장치 (100B) 와, 제 3 기판 처리 장치 (100C) 를 구비한다. 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 는, 일 방향으로 나란히 배치된다. 예를 들어, 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 의 반송 경로에 인접하여, 제 1 반송 장치 (CTC) 의 반송 경로의 근처로부터, 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 순번으로 배치된다.The plurality of substrate processing apparatuses 100 include a first substrate processing apparatus 100A, a second substrate processing apparatus 100B, and a third substrate processing apparatus 100C. The 1st substrate processing apparatus 100A, the 2nd substrate processing apparatus 100B, and the 3rd substrate processing apparatus 100C are arrange|positioned side by side in one direction. For example, the 1st substrate processing apparatus 100A, the 2nd substrate processing apparatus 100B, and the 3rd substrate processing apparatus 100C are adjacent to the conveyance path of the 1st conveyance apparatus CTC, and the 1st conveyance apparatus From the vicinity of the conveyance path of (CTC), the first substrate processing apparatus 100A, the second substrate processing apparatus 100B, and the third substrate processing apparatus 100C are arranged in this order.

여기에서는, 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 는, 황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액을 저류한다. 제 1 기판 처리 장치 (100A) ∼ 제 3 기판 처리 장치 (100C) 의 각각에는, 상이한 처리가 행해진 기판 (W) 이 투입되어도 된다.Here, the first substrate processing apparatus 100A to the third substrate processing apparatus 100C store a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide solution. Substrates W subjected to different treatments may be put into each of the first substrate processing apparatus 100A to the third substrate processing apparatus 100C.

기판 처리 장치 (100) 에서 처리되는 기판 (W) 은, 투입부 (20) 로부터 반입된다. 투입부 (20) 는, 복수의 재치대 (載置臺) (22) 를 포함한다. 기판 처리 장치 (100) 에서 처리된 기판 (W) 은, 불출부 (50) 로부터 반출된다. 불출부 (50) 는, 복수의 재치대 (52) 를 포함한다.The substrate W to be processed in the substrate processing apparatus 100 is carried in from the input unit 20 . The injection unit 20 includes a plurality of placement tables 22 . The substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 is carried out from the delivery unit 50 . The dispensing unit 50 includes a plurality of placement tables 52 .

투입부 (20) 에는, 기판 (W) 을 수용한 수납부 (30) 가 재치된다. 투입부 (20) 에 재치되는 수납부 (30) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 의한 처리가 행해져 있지 않은 기판 (W) 을 수납한다. 여기에서는, 2 개의 수납부 (30) 는, 각각, 2 개의 재치대 (22) 에 재치된다.In the input unit 20, a storage unit 30 accommodating the substrate W is placed. The storage unit 30 placed in the input unit 20 accommodates a substrate W that has not been processed by the substrate processing apparatus 100 . Here, the two accommodating parts 30 are respectively mounted on the two mounting tables 22 .

복수의 수납부 (30) 의 각각은, 복수의 기판 (W) 을 수용한다. 각 기판 (W) 은, 수평 자세로 수납부 (30) 에 수용된다. 수납부 (30) 는, 예를 들어, FOUP (Front Opening Unified Pod) 이다.Each of the plurality of accommodating portions 30 accommodates a plurality of substrates W. Each board|substrate W is accommodated in the accommodating part 30 in a horizontal posture. The storage unit 30 is, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod).

불출부 (50) 에 재치되는 수납부 (30) 는, 기판 처리 장치 (100) 에 의해서 처리된 기판 (W) 을 수납한다. 불출부 (50) 는, 복수의 재치대 (52) 를 포함한다. 2 개의 수납부 (30) 는, 각각, 2 개의 재치대 (52) 에 재치된다. 불출부 (50) 는, 처리 완료된 기판 (W) 을 수납부 (30) 에 수납하여 수납부 (30) 마다 불출한다.The accommodating part 30 placed in the dispensing part 50 accommodates the substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 . The dispensing unit 50 includes a plurality of placement tables 52 . The two accommodating parts 30 are respectively mounted on the two mounting tables 52 . The dispensing unit 50 stores the processed substrates W in the accommodating unit 30 and dispenses the processed substrates W for each accommodating unit 30 .

버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (20) 및 불출부 (50) 에 인접하여 배치된다. 버퍼 유닛 (BU) 은, 투입부 (20) 에 재치된 수납부 (30) 를 기판 (W) 마다 내부로 받아들임과 함께, 선반 (도시 생략) 에 수납부 (30) 를 재치한다. 또, 버퍼 유닛 (BU) 은, 처리 완료된 기판 (W) 을 수취하여 수납부 (30) 에 수납함과 함께, 선반에 수납부 (30) 를 재치한다. 버퍼 유닛 (BU) 내에는, 주고 받음 기구 (40) 가 배치되어 있다.The buffer unit BU is disposed adjacent to the input unit 20 and the dispensing unit 50 . The buffer unit BU receives the housing unit 30 placed in the input unit 20 for each substrate W and places the housing unit 30 on a shelf (not shown). Further, the buffer unit BU receives the processed substrate W and stores it in the storage section 30, and also places the storage section 30 on the shelf. In the buffer unit BU, a transmission/reception mechanism 40 is disposed.

주고 받음 기구 (40) 는, 투입부 (20) 및 불출부 (50) 와 선반 사이에서 수납부 (30) 를 주고 받는다. 또, 주고 받음 기구 (40) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 에 대해서 기판 (W) 만의 주고 받음을 행한다. 요컨대, 주고 받음 기구 (40) 는, 제 1 반송 장치 (CTC) 에 대해서 기판 (W) 의 로트의 주고 받음을 행한다.The transfer/receipt mechanism 40 transfers/receives the storage unit 30 between the input unit 20 and the dispensing unit 50 and the shelf. In addition, the transfer mechanism 40 transfers only the substrate W with respect to the first conveying device CTC. In short, the transfer mechanism 40 transfers lots of substrates W with respect to the first conveying device CTC.

제 1 반송 장치 (CTC) 는, 주고 받음 기구 (40) 로부터 미처리된 복수의 기판 (W) 의 로트를 수취한 후, 복수의 기판 (W) 의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세로 변환하여, 복수의 기판 (W) 을 제 2 반송 장치 (WTR) 에 건네준다. 또, 제 1 반송 장치 (CTC) 는, 제 2 반송 장치 (WTR) 로부터 처리 완료된 복수의 기판 (W) 의 로트를 받은 후, 복수의 기판 (W) 의 자세를 수직 자세로부터 수평 자세로 변환하여, 기판 (W) 의 로트를 주고 받음 기구 (40) 에 건네준다.After receiving a lot of unprocessed substrates W from the transfer/receive mechanism 40, the first conveying device CTC converts the postures of the plurality of substrates W from a horizontal posture to a vertical posture, The board|substrate W of this is passed to the 2nd conveyance apparatus WTR. In addition, after receiving a lot of processed substrates W from the second transfer device WTR, the first conveying device CTC converts the posture of the plurality of substrates W from a vertical posture to a horizontal posture, , the lot of substrates W is passed to the transfer/receive mechanism 40 .

제 2 반송 장치 (WTR) 는, 기판 처리 시스템 (10) 의 길이 방향을 따라서, 제 3 기판 처리 장치 (100C) 로부터 제 2 기판 처리 장치 (100B) 까지 이동 가능하다. 제 2 반송 장치 (WTR) 는, 제 1 기판 처리 장치 (100A), 제 2 기판 처리 장치 (100B) 및 제 3 기판 처리 장치 (100C) 에 기판 (W) 의 로트를 반입 및 반출할 수 있다.The second transfer device WTR is movable from the third substrate processing device 100C to the second substrate processing device 100B along the longitudinal direction of the substrate processing system 10 . The second transfer device WTR can carry in and out lots of substrates W from the first substrate processing device 100A, the second substrate processing device 100B, and the third substrate processing device 100C.

제어 장치 (180) 는, 기판 처리 시스템 (10) 의 각종 동작을 제어한다. 상세하게는, 제어 장치 (180) 는, 주고 받음 기구 (40), 제 1 반송 장치 (CTC), 제 2 반송 장치 (WTR), 및, 기판 처리 장치 (100) 를 제어한다.The control device 180 controls various operations of the substrate processing system 10 . In detail, the control apparatus 180 controls the transfer/receive mechanism 40, the 1st conveyance apparatus CTC, the 2nd conveyance apparatus WTR, and the substrate processing apparatus 100.

제어 장치 (180) 는, 제어부 (182) 및 기억부 (184) 를 포함한다. 제어부 (182) 는, 프로세서를 갖는다. 제어부 (182) 는, 예를 들어, 중앙 처리 연산기를 갖는다. 또는, 제어부 (182) 는, 범용 연산기를 가져도 된다.The control device 180 includes a control unit 182 and a storage unit 184 . Control unit 182 has a processor. The control unit 182 has, for example, a central processing arithmetic unit. Alternatively, the control unit 182 may have a general-purpose arithmetic unit.

기억부 (184) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 레시피 데이터를 포함한다. 레시피 데이터는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피의 각각은, 기판 (W) 의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다.The storage unit 184 stores data and computer programs. Data includes recipe data. Recipe data includes information indicating a plurality of recipes. Each of the plurality of recipes defines the processing content and processing sequence of the substrate W.

기억부 (184) 는, 주기억 장치와 보조 기억 장치를 포함한다. 주기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리이다. 보조 기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리 및/또는 하드 디스크 드라이브이다. 기억부 (184) 는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 기억부 (184) 는, 비일시적 컴퓨터 판독 가능 기억 매체의 일례에 상당한다.The storage unit 184 includes a main storage device and an auxiliary storage device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The secondary storage device is, for example, a semiconductor memory and/or a hard disk drive. The storage unit 184 may contain removable media. The storage unit 184 corresponds to an example of a non-transitory computer-readable storage medium.

기억부 (184) 에는, 미리 순서가 정해진 컴퓨터 프로그램이 기억되어 있다. 기판 처리 장치 (100) 는, 컴퓨터 프로그램에 정해진 수순에 따라서 동작한다. 제어부 (182) 는, 기억부 (184) 가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 기판 처리 동작을 실행한다. 제어부 (182) 의 프로세서는, 기억부 (184) 에 기억된 컴퓨터 프로그램을 실행함으로써, 주고 받음 기구 (40), 제 1 반송 장치 (CTC), 제 2 반송 장치 (WTR), 및, 기판 처리 장치 (100) 를 제어한다.In the storage unit 184, computer programs whose order is determined in advance are stored. The substrate processing apparatus 100 operates according to a procedure determined by a computer program. The control unit 182 executes a computer program stored in the storage unit 184 to perform a substrate processing operation. The processor of the control unit 182 executes the computer program stored in the storage unit 184 to transmit/receive mechanisms 40, the first transfer unit (CTC), the second transfer unit (WTR), and the substrate processing unit. (100) to control.

이상, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시형태를 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기한 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양태에 있어서 실시하는 것이 가능하다. 또, 상기한 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소를 적절히 조합함으로써, 다양한 발명의 형성이 가능하다. 예를 들어, 실시형태에 나타나는 전체 구성 요소로부터 몇몇 구성 요소를 삭제해도 된다. 또한, 상이한 실시형태에 걸치는 구성 요소를 적절히 조합해도 된다. 도면은, 이해하기 쉽게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 사정상 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기한 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 재질, 형상, 치수 등은 일례로서, 특별히 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.As mentioned above, embodiment of this invention was described referring drawings. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist thereof. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiment. For example, some components may be deleted from all components shown in the embodiments. Further, components from different embodiments may be appropriately combined. In the drawings, for ease of understanding, each constituent element is schematically shown as a main body, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each constituent element shown may be different from the actual one for convenience of drawing. In addition, the material, shape, size, etc. of each component shown in the above-described embodiment are examples and are not particularly limited, and various changes are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention.

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 바람직하게 사용된다.The present invention is preferably used for a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

10 : 기판 처리 시스템
100 : 기판 처리 장치
110 : 처리조
112 : 내조
114 : 외조
120 : 기판 유지부
130 : 처리액 공급부
180 : 제어 장치
182 : 제어부
184 : 기억부
W : 기판
10: Substrate handling system
100: substrate processing device
110: treatment tank
112: housekeeper
114: Outlaw
120: substrate holding unit
130: treatment liquid supply unit
180: control device
182: control unit
184: storage unit
W: Substrate

Claims (7)

황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액을 저류한 처리조에 있어서, 상기 처리액에 기판을 침지하여 상기 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에, 상기 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보를 취득하는 공정과,
상기 기판 정보에 기초하여, 상기 처리액을 조정하는 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택하는 공정과,
상기 선택하는 공정에 있어서 상기 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하지 않을 때에, 상기 처리조의 상기 처리액의 적어도 일부를 상기 처리조로부터 배출하고, 상기 처리조에 황산 및 과산화수소수를 공급하여 상기 처리조의 상기 처리액을 조정하는 제 1 처리액 조정 공정과,
상기 선택하는 공정에 있어서 상기 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 상기 처리조의 상기 처리액을 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액의 농도를 조정하는 제 2 처리액 조정 공정과,
상기 제 1 처리액 조정 공정 또는 상기 제 2 처리액 조정 공정에 있어서 조정된 상기 처리조의 상기 처리액을 상기 처리조에 접속된 배관을 개재하여 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하는 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법.
A substrate processing method in which a substrate is treated by immersing a substrate in the processing liquid in a processing tank storing a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, comprising:
acquiring substrate information indicating information on the substrate before immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank;
a process of selecting one of a liquid exchange process and a concentration adjustment process as a treatment liquid adjustment process for adjusting the treatment liquid based on the substrate information;
When the liquid exchange step is selected in the selection process, when the treatment liquid in the treatment tank does not satisfy a predetermined condition, at least a part of the treatment liquid in the treatment tank is discharged from the treatment tank, and the treatment A first treatment liquid adjustment step of adjusting the treatment liquid in the treatment tank by supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide to the tank;
When the concentration adjustment step is selected in the selection step, a second treatment liquid adjustment step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the treatment tank while circulating the treatment liquid in the treatment tank through a pipe connected to the treatment tank class,
a step of immersing the substrate in the treatment liquid of the treatment tank while circulating the treatment liquid of the treatment tank adjusted in the first treatment solution adjustment step or the second treatment solution adjustment step through a pipe connected to the treatment tank;
Including, a substrate processing method.
제 1 항에 있어서,
상기 기판 정보를 취득하는 공정에 있어서, 상기 기판 정보가, 상기 기판의 레지스트에 애싱 처리가 행해진 것을 나타내는 경우, 상기 선택하는 공정에 있어서, 상기 액 교환 공정을 선택하고,
상기 기판 정보를 취득하는 공정에 있어서, 상기 기판 정보가, 상기 기판의 레지스트에 이온 주입이 행해진 것, 및, 상기 기판이 소자 분리되어 있는 것 중 어느 것을 나타내는 경우, 상기 선택하는 공정에 있어서, 상기 농도 조정 공정을 선택하는, 기판 처리 방법.
According to claim 1,
In the step of obtaining the substrate information, when the substrate information indicates that an ashing treatment has been performed on the resist of the substrate, in the step of selecting, the liquid exchange step is selected;
In the step of obtaining the substrate information, when the substrate information indicates either that ion implantation has been performed into the resist of the substrate or that the substrate is decoupled, in the step of selecting, the A substrate processing method for selecting a concentration adjustment step.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 처리액 조정 공정에 있어서, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하는 경우, 상기 처리조의 상기 처리액을 배출하지 않는, 기판 처리 방법.
According to claim 1 or 2,
In the first treatment liquid adjustment step, when the treatment liquid in the treatment tank satisfies a predetermined condition, the treatment liquid in the treatment tank is not discharged.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 처리액 조정 공정은, 상기 기판을 침지하기 전에 상기 처리조의 처리액에 기판을 침지하고 나서 경과된 시간에 기초하여, 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 양을 설정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
According to claim 1 or 2,
The first treatment liquid adjusting step includes a step of setting an amount of the treatment liquid discharged from the treatment tank based on a time elapsed after immersing the substrate in the treatment liquid of the treatment tank before immersing the substrate. To, the substrate processing method.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 처리액 조정 공정은, 상기 처리조의 상기 처리액의 농도를 측정하는 농도 센서의 측정 결과에 기초하여 상기 처리액의 과산화수소 농도를 조정하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
According to claim 1 or 2,
The second treatment liquid adjusting step includes a step of adjusting the hydrogen peroxide concentration of the treatment liquid based on a measurement result of a concentration sensor for measuring the concentration of the treatment liquid in the treatment tank.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 처리액 조정 공정은,
상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에, 상기 처리조의 상기 처리액의 과산화수소 농도를 증가시키도록 상기 처리조에 과산화수소수를 공급하는 공정과,
상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지한 후에, 상기 처리조의 상기 처리액의 과산화수소 농도를 저하시키는 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법.
According to claim 1 or 2,
In the second processing liquid adjustment step,
supplying hydrogen peroxide solution to the treatment tank to increase the hydrogen peroxide concentration of the treatment solution of the treatment tank before immersing the substrate in the treatment solution of the treatment tank;
a step of lowering the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the treatment tank after immersing the substrate in the treatment liquid in the treatment tank;
Including, a substrate processing method.
황산 및 과산화수소수를 함유하는 처리액을 저류하는 처리조와,
상기 처리조의 상기 처리액이 순환하는 배관을 갖는 순환부와,
상기 처리조의 상기 처리액을 배출하는 배액부와,
황산 및 과산화수소수를 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급부와,
기판을 유지하고, 상기 기판을 상기 처리조의 상기 처리액에 침지하는 기판 유지부와,
상기 순환부, 상기 배액부, 상기 처리액 공급부 및 상기 기판 유지부를 제어하는 제어부
를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하기 전에 상기 기판에 대한 정보를 나타내는 기판 정보에 기초하여, 상기 처리액을 조정하는 처리액 조정 공정으로서 액 교환 공정 및 농도 조정 공정 중 어느 것을 선택하고,
상기 액 교환 공정이 선택되었을 경우, 상기 제어부는, 상기 처리조의 상기 처리액이 소정의 조건을 만족하지 않을 때에, 상기 처리조의 상기 처리액의 적어도 일부를 상기 처리조로부터 배출하고, 상기 처리액 공급부가 상기 황산 및 상기 과산화수소수를 상기 처리조에 공급하여 상기 처리조의 상기 처리액을 조정하는 제 1 처리액 조정 공정을 행하도록, 상기 배액부 및 상기 처리액 공급부를 제어하고,
상기 농도 조정 공정이 선택되었을 경우, 상기 제어부는, 상기 순환부의 상기 배관을 개재하여 상기 처리조의 상기 처리액을 순환시키면서 상기 처리액의 농도를 조정하는 제 2 처리액 조정 공정을 행하도록, 상기 순환부 및 상기 처리액 공급부를 제어하고,
상기 제어부는, 상기 제 1 처리액 조정 공정 또는 상기 제 2 처리액 조정 공정에 있어서 조정된 상기 처리조의 상기 처리액을 상기 순환부의 상기 배관을 개재하여 순환시키면서 상기 처리조의 상기 처리액에 상기 기판을 침지하도록, 상기 순환부 및 상기 기판 유지부를 제어하는, 기판 처리 장치.
A treatment tank for storing a treatment liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide;
a circulation unit having a pipe through which the treatment liquid in the treatment tank circulates;
a drainage unit for discharging the treatment liquid from the treatment tank;
A treatment liquid supply unit for supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide to the treatment tank;
a substrate holding portion holding a substrate and immersing the substrate in the treatment liquid in the treatment tank;
A control unit controlling the circulation unit, the drainage unit, the treatment liquid supply unit, and the substrate holding unit.
to provide,
The control unit may adjust the processing liquid based on substrate information representing information about the substrate before immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank, wherein the processing liquid is adjusted according to one of a liquid exchanging process and a concentration adjusting process. choose something,
When the liquid exchanging process is selected, the control unit discharges at least a part of the treatment liquid in the treatment tank from the treatment tank when the treatment liquid in the treatment tank does not satisfy a predetermined condition, and supplies the treatment liquid. controlling the drainage unit and the treatment liquid supply unit to perform a first treatment liquid adjustment step of supplying the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution to the treatment tank to adjust the treatment liquid in the treatment tank;
When the concentration adjustment step is selected, the control unit performs a second treatment liquid adjustment step of adjusting the concentration of the treatment liquid while circulating the treatment liquid in the treatment tank through the pipe of the circulation unit. control the unit and the treatment liquid supply unit;
The control unit circulates the treatment liquid of the treatment tank adjusted in the first treatment liquid adjustment step or the second treatment liquid adjustment step through the pipe of the circulation unit, while circulating the substrate in the treatment liquid of the treatment tank. A substrate processing apparatus that controls the circulation portion and the substrate holding portion so as to be immersed.
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