JP2023111228A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
被処理基板である例えば半導体ウエハ(以下、ウエハという)の表面に、半導体装置の製造工程において発生する物質が付着することがある。これらの物質は、半導体装置の特性を低下させることから、これらの物質を除去するために、複数種類の薬液を用いてウエハ表面の洗浄が行われる。 2. Description of the Related Art Substances generated in a manufacturing process of a semiconductor device sometimes adhere to the surface of a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). Since these substances degrade the characteristics of the semiconductor device, in order to remove these substances, the surface of the wafer is cleaned using a plurality of types of chemical solutions.
SPM液は、ウエハ表面の洗浄に用いられる。SPM液は、硫酸と過酸化水素水との混合液である。SPM液は、ウエハ表面に残存するレジストの剥離、レジストをアッシングした基板の残渣の除去に加えて、素子分離された基板を酸化処理するための薬液としても用いられる。SPM液は、例えば回転テーブル上に保持されたウエハを回転させながらその表面に薬液を供給する枚葉式の処理装置だけでなく、薬液を満たした処理槽内に複数枚のウエハを同時に浸漬して洗浄を行うバッチ式の処理装置でも用いられる。 The SPM liquid is used for cleaning the wafer surface. The SPM liquid is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide. The SPM liquid is used not only for stripping the resist remaining on the wafer surface and removing the residue of the substrate after the resist has been ashed, but also as a chemical liquid for oxidizing the element-isolated substrate. The SPM solution is used not only in a single-wafer processing apparatus in which a chemical solution is supplied to the surface of a wafer held on a rotary table while rotating the wafer, but also in a process tank in which a plurality of wafers are simultaneously immersed in a processing tank filled with a chemical solution. It is also used in batch-type processing equipment in which cleaning is performed by
バッチ式基板処理装置でSPM液を用いてウエハを処理する場合、一般に100℃~130℃に加熱されたSPM液内に例えば数十枚のウエハを浸漬し、所定時間経過後ウエハを取り出した後、次のウエハを浸漬する動作を繰り返すことにより、複数のウエハを連続的に処理する。こうした連続処理においては、処理槽内のSPM液がウエハ表面に付着し、その一部が処理槽外に持ち出されることにより液レベルが低下するので、SPM液には所定のタイミングで硫酸および過酸化水素水を補充する。 When wafers are processed using an SPM liquid in a batch-type substrate processing apparatus, for example, several tens of wafers are generally immersed in the SPM liquid heated to 100° C. to 130° C. After a predetermined time has passed, the wafers are taken out. A plurality of wafers are continuously processed by repeating the operation of immersing the next wafer. In such continuous processing, the SPM liquid in the processing bath adheres to the surface of the wafer and part of it is taken out of the processing bath, causing the liquid level to drop. Add hydrogen water.
また、過酸化水素は、比較的不安定な物質であることが知られている。過酸化水素は、時間の経過に伴って分解して水を生成することから、例えば液レベルの低下に合わせて硫酸および過酸化水素水の補充を行っても、SPM液中の硫酸濃度が経時的に低下してしまう。硫酸濃度が低下すると、汚染物質の除去能が低下するため、この処理槽を用いたウエハの処理を定期的に停止し、処理槽内のSPM液を全量交換する作業が発生しており、処理効率の低下および/または薬液消費量の増大、これに伴う薬液コストの上昇を招いている。このため、バッチ式基板処理装置において、汚染物質の除去能の低下を抑制することが検討されている(特許文献1)。 Also, hydrogen peroxide is known to be a relatively unstable substance. Since hydrogen peroxide decomposes over time to produce water, for example, even if sulfuric acid and hydrogen peroxide are replenished as the liquid level drops, the concentration of sulfuric acid in the SPM liquid will decrease over time. declines substantially. As the concentration of sulfuric acid decreases, the ability to remove contaminants decreases. Therefore, it is necessary to periodically stop the processing of wafers using this processing bath and replace the entire amount of the SPM solution in the processing bath. This results in reduced efficiency and/or increased chemical consumption and associated increased chemical costs. For this reason, in batch-type substrate processing apparatuses, it has been studied to suppress the reduction in the ability to remove contaminants (Patent Document 1).
特許文献1の基板処理装置では、循環流路においてヒータの下流側で硫酸を補充する。特許文献1には、循環流路においてヒータの下流側で硫酸を補充することにより、汚染物質の除去に有効に寄与すると考えられる過酸化水素およびカロ酸が直接加熱されて分解が進行することが抑制されると記載されている。 In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, sulfuric acid is replenished downstream of the heater in the circulation flow path. Patent Document 1 discloses that hydrogen peroxide and Caro's acid, which are considered to effectively contribute to the removal of contaminants, are directly heated and decomposed by replenishing sulfuric acid downstream of the heater in the circulation flow path. stated to be suppressed.
特許文献1の基板処理装置では、基板の種類にかかわらず、処理槽のSPM濃度が一定に調整される。しかしながら、基板の種類によっては、処理槽のSPM濃度を厳密に調整しなくても基板を適切に処理できるものもあり、特許文献1の基板処理装置では、基板の処理に必要な硫酸および過酸化水素水の量と比べて、硫酸および過酸化水素水が無駄に用いられることがある。 In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the SPM concentration in the processing bath is adjusted to be constant regardless of the type of substrate. However, depending on the type of substrate, some substrates can be properly processed without strictly adjusting the SPM concentration in the processing tank. Sulfuric acid and hydrogen peroxide may be wasted compared to the amount of hydrogen water.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、硫酸および過酸化水素水の過剰使用を回避可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of avoiding excessive use of sulfuric acid and hydrogen peroxide.
本発明の一局面によれば、基板処理方法は、硫酸および過酸化水素水を含む処理液を貯留した処理槽において、前記処理液に基板を浸漬して前記基板を処理する。前記基板処理方法は、前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に、前記基板についての情報を示す基板情報を取得する工程と、前記基板情報に基づいて、前記処理液を調整する処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する工程と、前記選択する工程において前記液交換工程が選択された場合、前記処理槽の前記処理液が所定の条件を満たさないときに、前記処理槽の前記処理液の少なくとも一部を前記処理槽から排出し、前記処理槽に硫酸および過酸化水素水を供給して前記処理槽の前記処理液を調整する第1処理液調整工程と、前記選択する工程において前記濃度調整工程が選択された場合、前記処理槽に接続された配管を介して前記処理槽の前記処理液を循環させながら前記処理槽の前記処理液の濃度を調整する第2処理液調整工程と前記第1処理液調整工程または前記第2処理液調整工程において調整された前記処理槽の前記処理液を前記処理槽に接続された配管を介して循環させながら前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する工程とを包含する。 According to one aspect of the present invention, the substrate processing method processes the substrate by immersing the substrate in the processing liquid containing the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution in the processing tank storing the processing liquid. The substrate processing method includes acquiring substrate information indicating information about the substrate before the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank, and adjusting the processing liquid based on the substrate information. a step of selecting either a liquid exchanging step or a concentration adjusting step as the processing liquid adjusting step; and when the liquid exchanging step is selected in the selecting step, the processing liquid in the processing bath does not satisfy a predetermined condition. Sometimes, a first processing liquid for adjusting the processing liquid in the processing tank by discharging at least part of the processing liquid in the processing tank from the processing tank and supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide solution to the processing tank When the concentration adjusting step is selected in the adjusting step and the selecting step, the concentration of the processing liquid in the processing tank is adjusted while circulating the processing liquid in the processing tank through a pipe connected to the processing tank. and circulating the processing liquid in the processing bath adjusted in the first processing liquid adjusting step or the second processing liquid adjusting step through a pipe connected to the processing bath. and immersing the substrate in the processing liquid in the processing tank.
ある実施形態では、前記基板情報を取得する工程において、前記基板情報が、前記基板のレジストにアッシング処理が行われたことを示す場合、前記選択する工程において、前記液交換工程を選択し、前記基板情報を取得する工程において、前記基板情報が、前記基板のレジストにイオン注入が行われたこと、および、前記基板が素子分離されていることのいずれかを示す場合、前記選択する工程において、前記濃度調整工程を選択する。 In one embodiment, in the step of obtaining the substrate information, if the substrate information indicates that the resist of the substrate has been subjected to an ashing process, in the step of selecting, the liquid exchanging step is selected, and In the step of acquiring substrate information, if the substrate information indicates either that ion implantation has been performed in the resist of the substrate or that the substrate is element-isolated, in the step of selecting, Select the density adjustment step.
ある実施形態では、前記第1処理液調整工程において、前記処理槽の前記処理液が所定の条件を満たす場合、前記処理槽の前記処理液を排出しない。 In one embodiment, in the first processing liquid adjusting step, when the processing liquid in the processing tank satisfies a predetermined condition, the processing liquid in the processing tank is not discharged.
ある実施形態では、前記第1処理液調整工程は、前記基板を浸漬する前に前記処理槽の処理液に基板を浸漬してから経過した時間に基づいて、前記処理槽から排出する前記処理液の量を設定する工程を含む。 In one embodiment, the first treatment liquid adjustment step comprises discharging the treatment liquid from the treatment tank based on the elapsed time after the substrate is immersed in the treatment liquid in the treatment tank before the substrate is immersed. setting the amount of
ある実施形態では、前記第2処理液調整工程は、前記処理槽の前記処理液の濃度を測定する濃度センサの測定結果に基づいて前記処理液の過酸化水素濃度を調整する工程を含む。 In one embodiment, the second processing liquid adjusting step includes a step of adjusting the hydrogen peroxide concentration of the processing liquid based on the measurement result of a concentration sensor that measures the concentration of the processing liquid in the processing tank.
ある実施形態では、前記第2処理液調整工程は、前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に、前記処理槽の前記処理液の過酸化水素濃度を増加させるように前記処理槽に過酸化水素水を供給する工程と、前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬した後に、前記処理槽の前記処理液の過酸化水素濃度を低下させる工程とを含む。 In one embodiment, the second processing liquid adjusting step includes adjusting the processing bath so as to increase the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid in the processing bath before the substrate is immersed in the processing liquid in the processing bath. and reducing the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid in the processing tank after the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank.
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、硫酸および過酸化水素水を含む処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽の前記処理液が循環する配管を有する循環部と、前記処理槽の前記処理液を排出する排液部と、硫酸および過酸化水素水を前記処理槽に供給する処理液供給部と、基板を保持し、前記基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、前記循環部、前記排液部、前記処理液供給部および前記基板保持部を制御する制御部とを備える。前記制御部は、前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に前記基板についての情報を示す基板情報に基づいて、前記処理液を調整する処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択し、前記液交換工程が選択された場合、前記制御部は、前記処理槽の前記処理液が所定の条件を満たさないときに、前記処理槽の前記処理液の少なくとも一部を前記処理槽から排出し、前記処理液供給部が前記硫酸および前記過酸化水素水を前記処理槽に供給して前記処理槽の前記処理液を調整する第1処理液調整工程を行うように、前記排液部および前記処理液供給部を制御し、前記濃度調整工程が選択された場合、前記制御部は、前記循環部の前記配管を介して前記処理槽の前記処理液を循環させながら前記処理液の濃度を調整する第2処理液調整工程を行うように、前記循環部および前記処理液供給部を制御し、前記制御部は、前記第1処理液調整工程または前記第2処理液調整工程において調整された前記処理槽の前記処理液を前記循環部の前記配管を介して循環させながら前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬するように、前記循環部および前記基板保持部を制御する。 According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes a processing tank storing a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, a circulation section having a pipe through which the processing liquid in the processing tank circulates, and a drainage unit for discharging the processing liquid from the processing bath; a processing liquid supply unit for supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the processing bath; and a control unit for controlling the circulation unit, the drainage unit, the processing liquid supply unit, and the substrate holding unit. Before the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank, the control unit performs a liquid replacement step and a concentration adjustment step as processing liquid adjustment steps for adjusting the processing liquid based on substrate information indicating information about the substrate. When any one of the processes is selected and the liquid exchange process is selected, the control unit controls at least one of the processing liquids in the processing tank when the processing liquid in the processing tank does not satisfy a predetermined condition. from the processing tank, and the processing liquid supply unit supplies the sulfuric acid and the hydrogen peroxide solution to the processing tank to perform a first processing liquid adjustment step of adjusting the processing liquid in the processing tank. and, when the concentration adjustment step is selected, the control unit controls the drainage unit and the processing liquid supply unit, and circulates the processing liquid in the processing tank through the pipe of the circulation unit. The control unit controls the circulation unit and the processing liquid supply unit so as to perform a second processing liquid adjusting step of adjusting the concentration of the processing liquid while adjusting the concentration of the processing liquid, and the control unit performs the first processing liquid adjusting step or the second processing liquid. The circulation unit and the substrate holding unit are arranged so that the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank while the processing liquid in the processing tank adjusted in the liquid adjustment step is circulated through the piping of the circulation unit. control the department.
本発明によれば、硫酸および過酸化水素水の過剰使用を回避できる。 Excessive use of sulfuric acid and hydrogen peroxide can be avoided according to the present invention.
以下、図面を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法の実施形態を説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。なお、本願明細書では、発明の理解を容易にするため、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を記載することがある。典型的には、X軸およびY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。 Embodiments of a substrate processing apparatus and a substrate processing method according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. In the specification of the present application, the X-axis, Y-axis and Z-axis that are orthogonal to each other are sometimes described in order to facilitate understanding of the invention. Typically, the X and Y axes are horizontally parallel and the Z axis is vertically parallel.
図1を参照して、本発明による基板処理装置100の実施形態を説明する。図1(a)および図1(b)は、本実施形態の基板処理装置100の模式的な斜視図である。図1(a)は、基板Wを処理槽110に投入する前の基板処理装置100を示す。図1(b)は、基板Wを処理槽110に投入した後の基板処理装置100を示す。
An embodiment of a
基板処理装置100は基板Wを処理する。基板処理装置100は、基板Wに対して、エッチング、表面処理、酸化処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去および洗浄のうちの少なくとも1つを行うように基板Wを処理する。
The
基板Wは、薄い板状である。典型的には、基板Wは、薄い略円板状である。基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板などを含む。 The substrate W is a thin plate. Typically, the substrate W is thin and generally disk-shaped. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display device substrate, a plasma display substrate, a field emission display (FED) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, or a photomask. substrates, ceramic substrates and substrates for solar cells.
基板処理装置100は、バッチ式の基板処理装置である。基板処理装置100は、複数の基板Wを一括して処理する。典型的には、基板処理装置100は、ロット単位で複数の基板Wを処理する。例えば、1ロットは、25枚の基板Wからなる。
The
図1(a)に示すように、基板処理装置100は、処理槽110と、基板保持部120と、処理液供給部130とを備える。処理槽110は、基板Wを処理するための処理液を貯留する。処理液は、硫酸および過酸化水素水を含む混合液である。処理液供給部130は、処理槽110に処理液を供給する。例えば、処理液供給部130は、処理槽110に硫酸および過酸化水素水をそれぞれ供給する。一例では、硫酸および過酸化水素水は、処理槽110にて混合されて処理液が生成される。ただし、処理液供給部130から供給された硫酸および過酸化水素水は、処理槽110に到達する前に混合されて処理液が生成されてもよい。
As shown in FIG. 1A, the
基板保持部120は、基板Wを保持する。基板保持部120によって保持された基板Wの主面の法線方向はY方向に平行である。複数の基板Wは、Y方向に沿って一列に配列される。複数の基板Wは、水平方向に略平行に配列される。また、複数の基板Wの各々の法線は、Y方向に延びており、複数の基板Wの各々は、X方向およびZ方向に略平行に広がる。
The
典型的には、基板保持部120は、複数の基板Wをまとめて保持する。ここでは、基板保持部120は、Y方向に沿って一列に並んだ基板Wを保持する。基板保持部120は、基板Wを保持したまま基板Wを移動させる。例えば、基板保持部120は、基板Wを保持したまま鉛直方向に沿って鉛直上方または鉛直下方に移動する。
Typically, the
具体的には、基板保持部120は、リフターを含む。基板保持部120は、複数の基板Wを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。基板保持部120が鉛直下方に移動することにより、基板保持部120によって保持されている複数の基板Wは、処理槽110に貯留されている処理液Lに浸漬される。
Specifically,
図1(a)では、基板保持部120は、処理槽110の上方に位置する。基板保持部120は、複数の基板Wを保持したまま鉛直下方(Z方向)に下降する。これにより、複数の基板Wが処理槽110に投入される。
In FIG. 1A, the
図1(b)に示すように、基板保持部120が処理槽110まで下降すると、複数の基板Wは、処理槽110内の処理液に浸漬する。基板保持部120は、処理槽110に貯留された処理液に、所定間隔をあけて整列した複数の基板Wを浸漬する。
As shown in FIG. 1B, when the
処理槽110は、二重槽構造を有する。処理槽110は、内槽112と、外槽114とを有する。外槽114は、内槽112を囲む。内槽112および外槽114は、いずれも、上向きに開いた上部開口を有する。
The
内槽112および外槽114のそれぞれは、処理液を貯留する。内槽112に複数の基板Wが投入される。詳しくは、基板保持部120に保持された複数の基板Wが内槽112に投入される。複数の基板Wが、内槽112に投入されることにより、内槽112の処理液に浸漬する。
Each of the
基板保持部120は、本体板122と、保持棒124とを含む。本体板122は、鉛直方向(Z方向)に延びる板である。保持棒124は、本体板122の一方の主面から水平方向(Y方向)に延びる。図1(a)および図1(b)では、3つの保持棒124が本体板122の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Wは、所定間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒124によって各基板Wの下縁が当接されて起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。
The
基板保持部120は、昇降ユニット126をさらに含んでもよい。昇降ユニット126は、保持棒124に保持されている複数の基板Wが処理槽110内に位置する下方位置(図1(b)に示す位置)と、保持棒124に保持されている複数の基板Wが処理槽110の上方に位置する上方位置(図1(a)に示す位置)との間で本体板122を昇降させる。従って、昇降ユニット126によって本体板122を下方位置に移動することにより、保持棒124に保持されている複数の基板Wが処理液に浸漬される。
The
複数の基板Wは、複数の保持棒124によって保持される。詳しくは、各基板Wの下縁が複数の保持棒124に当接することにより、複数の基板Wが複数の保持棒124によって起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。より具体的には、基板保持部120によって保持された複数の基板Wは、Y方向に沿って間隔をあけて整列する。このため、複数の基板Wは、Y方向に沿って一列に配列される。また、複数の基板Wの各々は、XZ平面に略平行な姿勢で基板保持部120に保持される。
A plurality of substrates W are held by a plurality of holding
昇降ユニット126は、本体板122および保持棒124を昇降させる。昇降ユニット126が本体板122および保持棒124を昇降させることにより、本体板122および保持棒124が、複数の基板Wを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。昇降ユニット126は、駆動源および昇降機構を有しており、駆動源によって昇降機構を駆動して、本体板122および保持棒124を上昇および下降させる。駆動源は、例えば、モータを含む。昇降機構は、例えば、ラック・ピニオン機構またはボールねじを含む。
The elevating
より具体的には、昇降ユニット126は、処理位置(図1(b)に示す位置)と退避位置(図1(a)に示す位置)との間で基板保持部120を昇降させる。図1(b)に示すように、基板保持部120が、複数の基板Wを保持したまま鉛直下方(Z方向)に下降して処理位置まで移動すると、複数の基板Wが内槽112に投入される。詳しくは、基板保持部120に保持されている複数の基板Wが内槽112内に移動する。この結果、複数の基板Wが内槽112内の処理液に浸漬されて、処理液によって処理される。一方、図1(a)に示すように、基板保持部120が退避位置に移動すると、基板保持部120に保持されている複数の基板Wは、内槽112の上方に移動して、処理液から引き上げられる。
More specifically, the elevating
次に、図1および図2を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図2は、本実施形態の基板処理装置100の模式図である。
Next, the
図2に示すように、基板処理装置100は、処理槽110と、基板保持部120と、処理液供給部130と、循環部140と、排液部150と、制御装置180とを備える。制御装置180は、基板保持部120、処理液供給部130、循環部140および排液部150を制御する。
As shown in FIG. 2 , the
処理槽110は、処理液Lを貯留する。基板保持部120は、基板Wを保持する。基板保持部120は、リフターを含む。基板保持部120により、複数の基板Wを一括して、処理槽110に貯留されている処理液Lに浸漬できる。
The
処理液供給部130は、処理槽110に処理液を供給する。処理液供給部130は、硫酸供給部132と、過酸化水素供給部134とを有する。硫酸供給部132は、処理槽110に硫酸を供給する。過酸化水素供給部134は、処理槽110に過酸化水素水を供給する。
The processing
上述したように、過酸化水素は、時間の経過に伴って分解して水を生成する。このため、処理槽110の処理液の濃度を一定に維持するために、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、硫酸および過酸化水素水を処理槽110に供給する。典型的には、硫酸供給部132から供給される単位時間当たりの硫酸の量は、過酸化水素供給部134から供給される単位時間当たりの過酸化水素水の量よりも多い。例えば、硫酸の供給量(体積)と過酸化水素水の供給量(体積)との比率は、5:1~10:1である。
As noted above, hydrogen peroxide decomposes over time to produce water. Therefore, the sulfuric
循環部140は、処理槽110に貯留されている処理液Lを循環させる。循環部140が処理槽110の処理液Lを循環する際に、処理液は、所定の温度に加熱される。また、循環部140が処理槽110の処理液Lを循環する際に、処理液を濾過して処理液から不純物を除去できる。
The
排液部150は、処理槽110に貯留されている処理液Lを排出する。排液部150により、処理槽110の処理液を排出できる。また、排液部150が、処理槽110に貯留されている処理液Lを排出するとともに、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134が硫酸および過酸化水素水を処理槽110に供給することにより、処理槽110に貯留されている処理液Lを新しい処理液に交換できる。
The
上述したように、処理槽110は、処理液Lを貯留する。処理液Lは、硫酸および過酸化水素水の混合液である。処理液Lにおいて、硫酸の濃度(質量濃度)は80%以上90%以下であり、過酸化水素濃度(質量濃度)は0.8%以上2.0%以下である。
The
ここでは、処理槽110は、二重槽構造である。処理槽110は、内槽112および外槽114を有する。内槽112および外槽114はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽112は、処理液Lを貯留し、複数の基板Wを収容可能に構成される。外槽114は、内槽112の上部開口の外側面に設けられる。外槽114の上縁の高さは、内槽112の上縁の高さよりも高い。
Here, the
処理槽110は、蓋116をさらに有する。蓋116は、内槽112の上部開口に対して開閉可能である。蓋116が閉じることにより、蓋116は、内槽112の上部開口を塞ぐことができる。
The
蓋116は、開戸部116aと、開戸部116bとを有する。開戸部116aは、内槽112の上部開口のうちのX方向の一方側に位置する。開戸部116aは、内槽112の上縁近傍に配置されており、内槽112の上部開口に対して開閉可能である。開戸部116bは、内槽112の上部開口のうちのX方向の他方側に位置する。開戸部116bは、内槽112の上縁近傍に配置されており、内槽112の上部開口に対して開閉可能である。開戸部116aおよび開戸部116bが閉じて内槽112の上部開口を覆うことにより、処理槽110の内槽112を塞ぐことができる。
The
基板保持部120は、基板Wを保持する。基板保持部120は、基板Wを保持した状態で鉛直上方または鉛直下方に移動する。基板保持部120が鉛直下方に移動することにより、基板保持部120によって保持されている基板Wは、内槽112に貯留されている処理液Lに浸漬される。
The
基板保持部120は、本体板122と、保持棒124とを含む。本体板122は、鉛直方向(Z方向)に延びる板である。保持棒124は、本体板122の一方の主面から水平方向(Y方向)に延びる。ここでは、3つの保持棒124が本体板122の一方の主面からY方向に延びる。複数の基板Wは、紙面の奥手前方向に複数の基板Wを配列した状態で、複数の保持棒124によって各基板Wの下縁が当接されて起立姿勢(鉛直姿勢)で保持される。
The
基板保持部120は、昇降ユニット126をさらに含んでもよい。昇降ユニット126は、基板保持部120に保持されている基板Wが内槽112内に位置する処理位置(図2に示す位置)と、基板保持部120に保持されている基板Wが内槽112の上方に位置する退避位置(図示しない)との間で本体板122を昇降させる。したがって、昇降ユニット126によって本体板122が処理位置に移動させられることにより、保持棒124に保持されている複数の基板Wが処理液に浸漬される。これにより、基板Wに対する処理が施される。
The
硫酸供給部132は、配管132aと、バルブ132bとを含む。配管132aの一端から、硫酸が処理槽110に吐出される。配管132aは、硫酸供給源に接続される。配管132aには、バルブ132bが配置される。バルブ132bにより、処理槽110への硫酸の供給を制御できる。制御装置180の制御によってバルブ132bを開くと、配管132aを通過した硫酸が、処理槽110に供給される。処理槽110において、硫酸は、処理槽110の処理液と混合される。
The sulfuric
例えば、配管132aから吐出された硫酸は、内槽112に供給される。内槽112の上縁から処理液が溢れると、溢れた処理液は、外槽114によって受け止められ、回収される。ここでは、硫酸は、内槽112に吐出される。内槽112には、硫酸を硫酸供給部132から内槽112に供給する配管132aの一端が配置されてもよい。
For example, sulfuric acid discharged from the
過酸化水素供給部134は、配管134aと、バルブ134bとを含む。配管134aの一端から、過酸化水素水が処理槽110に吐出される。配管134aは、過酸化水素水供給源に接続される。配管134aには、バルブ134bが配置される。バルブ134bにより、処理槽110への過酸化水素水の供給を制御できる。制御装置180の制御によってバルブ134bを開くと、配管134aを通過した過酸化水素水が、処理槽110に供給される。処理槽110において、過酸化水素水は、処理槽110の処理液と混合される。
The hydrogen
例えば、配管134aから吐出された過酸化水素水は、内槽112に供給される。内槽112の上縁から処理液が溢れると、溢れた処理液は、外槽114によって受け止められ、回収される。ここでは、過酸化水素水は、内槽112に吐出される。内槽112には、過酸化水素水を過酸化水素供給部134から内槽112に供給する配管134aの一端が配置されてもよい。
For example, the hydrogen peroxide solution discharged from the pipe 134 a is supplied to the
循環部140は、配管141と、ポンプ142、フィルタ143、ヒータ144、調整バルブ145、バルブ146および循環液供給管148を含む。ポンプ142、フィルタ143、ヒータ144、調整バルブ145およびバルブ146は、この順番に配管141の上流から下流に向かって配置される。
配管141は、処理槽110から排出された処理液を再び処理槽110に導く。詳細には、配管141の上流端は、外槽114に位置し、配管141の下流端は、内槽112に位置する。配管141の下流端は、内槽112に位置する循環液供給管148と接続される。
The
ポンプ142は、配管141から循環液供給管148に処理液を送る。フィルタ143は、配管141を流れる処理液をろ過する。フィルタ143は、配管141を流通する処理液中のパーティクル等の異物をろ過して除去する。
The
ヒータ144は、配管141を流れる処理液を加熱する。ヒータ144により、処理液の温度が調整される。ヒータ144は、配管141を流通する処理液を加熱し、処理温度(例えば、約100℃~120℃)に調整する。ヒータ144は、処理液を加熱するとともに処理液の温度を測定可能であってもよい。この場合、ヒータ144は、加熱部を有するとともに温度測定部を有する。
The
調整バルブ145は、配管141の開度を調節して、循環液供給管148に供給される処理液の流量を調整する。調整バルブ145は、処理液の流量を調整する。調整バルブ145は、弁座が内部に設けられたバルブボディ(図示しない)と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ(図示しない)とを含む。他の調整バルブについても同様である。バルブ146は、配管141を開閉する。なお、調整バルブ145を省略してもよい。この場合、循環液供給管148に供給される処理液の流量は、ポンプ142の制御よって調整される。
The
循環液供給管148は、内槽112に配置される。ここでは、循環液供給管148は、処理槽110の内槽112の底部に配置される。循環液供給管148は、内槽112に貯留された処理液L内に配置される。循環液供給管148は、循環された処理液を内槽112に供給する。
A circulating
排液部150は、排液配管151と、バルブ152と、排液配管153と、バルブ154と、バルブ155とを有する。排液配管151およびバルブ152により、内槽112の処理液を排出する。排液配管153、バルブ154およびバルブ155により、外槽114の処理液を排出する。
The
内槽112の底壁には、排液配管151が接続される。排液配管151にはバルブ152が配置される。バルブ152は、制御装置180によって開閉する。バルブ152が開くことにより、内槽112内に貯留されている処理液は排液配管151を通って外部に排出される。排出された処理液は、排液処理装置(図示しない)へと送られ、処理される。
A
配管141には、排液配管153が接続される。ここでは、排液配管153は、ポンプ142よりも下流において配管141と接続する。配管141において、排液配管153との接続部の下流にバルブ154が配置される。排液配管153にバルブ155が位置する。バルブ154を開いてバルブ155を閉じることにより、処理槽110の処理液は、配管141を通過して処理槽110に戻すことができ、処理槽110の処理液を循環できる。また、バルブ154を閉じてバルブ155を開くことにより、処理槽110の処理液は、配管141および排液配管153を通過して排出できる。
A
なお、図2では、図面が過度に複雑になることを避けるために、1つの調整バルブ145および1つのバルブ146を示しているが、調整バルブ145およびバルブ146の少なくとも一方は複数設けられてもよい。
In FIG. 2, one adjusting
制御装置180は、例えば、マイクロコンピューターを用いて構成される。制御装置180は、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有する。記憶ユニットには、演算ユニットの実行するプログラムが記憶されている。
The
次に、図1~図3を参照して、本発明による基板処理装置100の実施形態を説明する。図3は、本実施形態の基板処理装置100の模式的なブロック図である。
Next, an embodiment of a
図3に示すように、制御装置180は、制御部182と、記憶部184とを備える。制御部182は、基板処理装置100の各部の動作を制御する。
As shown in FIG. 3 , the
制御部182は、プロセッサーを含む。プロセッサーは、例えば、中央処理演算機(Central Processing Unit:CPU)を有する。または、プロセッサーは、汎用演算機を有してもよい。
記憶部184は、データおよびコンピュータープログラムを記憶する。記憶部184は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリーおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部184は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部182のプロセッサーは、記憶部184の記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理方法を実行する。
制御装置180は、予め定められたプログラムに従って、基板保持部120、硫酸供給部132、過酸化水素供給部134、循環部140および排液部150を制御する。詳細には、制御装置180は、昇降ユニット126、ポンプ142、フィルタ143、ヒータ144等の動作を制御する。また、制御装置180は、バルブ132b、バルブ134b、バルブ146、バルブ152、バルブ154、バルブ155の開閉動作を制御する。さらに、制御装置180は、調整バルブ145の開度調整動作を制御する。
The
基板処理装置100は、濃度センサ162を有する。濃度センサ162は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度および過酸化水素濃度を測定する。
The
例えば、濃度センサ162は、処理槽110に取り付けられる。濃度センサ162は、処理槽110の貯留された処理液の比重を示す値を計測する。濃度センサ162は、処理槽110の背圧を計測する。
For example, concentration sensor 162 is attached to
例えば、濃度センサ162の先端は、処理槽110の処理液面から所定の深さの位置に配置されている。濃度センサ162では、濃度センサ162の先端にガスを供給して処理槽110の処理液内に気泡を形成する。これにより、処理槽110に貯留される処理液の液圧は、処理槽110の液面から所定の深さの位置に配置された濃度センサ162の先端部におけるガス圧として検出される。ガスとして、典型的には、窒素ガスが用いられる。ガス圧と処理液の硫酸濃度・過酸化水素濃度との関係を予め測定しておき、ガス圧と処理液との関係を示すルックアップテーブルを事前に作成しておくことにより、ガスによる気泡の形成されるガス圧に応じて処理液の比重を計測できる。
For example, the tip of the concentration sensor 162 is arranged at a predetermined depth from the surface of the processing liquid in the
また、制御部182は、記憶部184に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、基板情報取得部182aおよび処理液調整工程選択部182bとして機能する。このため、制御部182は、基板情報取得部182aおよび処理液調整工程選択部182bを含む。
Further, the
基板情報取得部182aは、基板処理装置100が基板Wを処理する前に、基板Wについての情報を示す基板情報を取得する。基板情報は、基板Wが基板処理装置100に搬入される前に行われた処理を示してもよい。
The substrate
処理液調整工程選択部182bは、処理槽110の処理液を調整する処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれを行うかを選択する。処理液調整工程選択部182bは、基板情報に基づいて、液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する。液交換工程および濃度調整工程については、後述する。
The processing liquid adjustment
さらに、制御部182は、記憶部184に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、処理液情報取得部182cとして機能する。このため、制御部182は、処理液情報取得部182cを含む。処理液情報取得部182cは、処理槽110の処理液についての情報を示す処理液情報を取得する。例えば、処理液情報取得部182cは、濃度センサ162の測定結果に基づいて処理液情報を取得する。
Furthermore, the
次に、図1~図4を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図4は、本実施形態の基板処理方法のフロー図である。 Next, the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. FIG. 4 is a flowchart of the substrate processing method of this embodiment.
図4に示すように、ステップS10において、基板処理装置100が処理する基板についての情報を示す基板情報を取得する。例えば、基板情報取得部182aは、記憶部184から基板情報を取得する。
As shown in FIG. 4, in step S10, substrate information indicating information about the substrate to be processed by the
例えば、基板情報は、基板処理装置100に搬入される前に基板Wに対して行われた処理を示す。一例では、基板情報は、基板Wが、基板処理装置100に搬入される前にレジストにアッシング処理が行われたことを示す。または、基板情報は、基板Wが、基板処理装置100に搬入される前にレジストに対してイオン注入が行われたことを示す。あるいは、基板情報は、基板Wが、素子分離が行われて酸化処理される前の状態であることを示す。
For example, the substrate information indicates the processing performed on the substrate W before being loaded into the
ステップS20において、処理液調整工程を選択する。制御部182は、基板情報に基づいて、処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する。例えば、処理液調整工程選択部182bは、液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する。
In step S20, a processing liquid adjusting step is selected. The
例えば、基板Wが、基板処理装置100による処理対象となる対象基板を適切に処理するために必要となる処理液の濃度範囲を比較的緩く設定した場合でも適切に処理可能な基板である場合、制御部182は、処理液調整工程として液交換工程を選択する。一例として、レジストに対してアッシング処理された基板から残渣を除去するために基板を処理する場合、処理液の濃度範囲が比較的緩く設定されても基板を適切に処理できる。このため、基板がレジストに対してアッシング処理された基板である場合、制御部182は、液交換工程を選択する。
For example, when the substrate W is a substrate that can be properly processed even when the concentration range of the processing liquid required for appropriately processing the target substrate to be processed by the
一方、基板Wが、対象基板を適切に処理するために必要となる処理液の濃度範囲を比較的狭く設定しなければ適切に処理できない基板である場合、制御部182は、処理液調整工程として濃度調整工程を選択する。一例として、基板Wが、イオン注入の行われたレジストを有する場合、処理液の濃度範囲が比較的厳しく設定されていないと、レジストを適切に除去・剥離できない。このため、基板Wがイオン注入の行われたレジストを有する基板である場合、制御部182は、濃度調整工程を選択する。
On the other hand, if the substrate W is a substrate that cannot be properly processed unless the concentration range of the processing liquid necessary for properly processing the target substrate is set relatively narrow, the
あるいは、素子分離された基板を酸化処理する場合、処理液の濃度範囲が比較的厳しく設定されていないと基板を適切に処理できない。このため、基板Wが、素子分離の後に酸化処理される基板である場合、制御部182は、濃度調整工程を選択する。
Alternatively, when an element-isolated substrate is subjected to oxidation treatment, the substrate cannot be properly treated unless the concentration range of the treatment liquid is set relatively strictly. Therefore, when the substrate W is a substrate to be oxidized after element isolation, the
このように、制御部182は、基板情報に基づいて、処理槽110の処理液を液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する。典型的には、基板処理装置100に対象基板が到達する前に、制御部182は、基板情報に基づいて処理液調整工程を選択する。
In this manner, the
ステップS20において液交換工程が選択された場合、処理は、ステップS30に進む。一方、ステップS20において濃度調整工程が選択された場合、処理は、ステップS40に進む。 If the liquid replacement step is selected in step S20, the process proceeds to step S30. On the other hand, if the density adjustment process is selected in step S20, the process proceeds to step S40.
ステップS30において、液交換工程を行う。液交換工程により、処理槽110の処理液が調整される。本明細書において、液交換工程が選択された場合の処理液の調整を第1処理液調整工程と記載することがある。
In step S30, a liquid exchange step is performed. The processing liquid in the
この場合、処理槽110の処理液が基準を満たすか否か判定される。基準は、処理槽110の処理液の硫酸濃度および/または過酸化水素濃度に基づいて設定されてもよい。
In this case, it is determined whether or not the processing liquid in the
あるいは、基準は、処理槽110の処理液を液交換してからの時間に基づいて設定されてもよい。または、基準は、処理槽110の処理液を液交換した後に処理された基板Wのロット数に基づいて設定されてもよい。基準は、処理槽110の処理液で直前の基板を浸漬してから経過した時間に基づいて設定されてもよい。
Alternatively, the reference may be set based on the time after the processing liquid in the
処理槽110の処理液が基準を満たす場合、処理槽110の処理液は、排出しない。ただし、この場合でも、過酸化水素水の分解による過酸化水素濃度を維持するために、過酸化水素供給部134は、処理槽110に過酸化水素水を一定量で供給し続けてもよい。
If the processing liquid in the
一方、処理槽110の処理液が基準を満たさない場合、処理槽110の処理液は、少なくとも一部を交換される。この場合、処理槽110の処理液の少なくとも一部を排出し、一方で、処理槽110に処理液を供給する。
On the other hand, if the processing liquid in the
処理槽110の処理液を排出する場合、一例では、外槽114の処理液を排出する。この場合、制御部182は、ポンプ142を駆動して、バルブ154を開けてバルブ155を閉める。これにより、外槽114の処理液を排出できる。また、内槽112の処理液を排出する。例えば、制御部182は、バルブ152を開けることにより、内槽112の処理液を排出する。
When the processing liquid in the
また、処理槽110に処理液を供給する。この場合、処理液供給部130が処理槽110に処理液を供給する。例えば、硫酸供給部132は、処理槽110に硫酸を供給する。過酸化水素供給部134は、処理槽110に過酸化水素水を供給する。これにより、処理槽110の処理液は調整される。硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、処理槽110において供給された硫酸および過酸化水素水を含む処理液が所定の濃度になる割合で硫酸および過酸化水素水をそれぞれ供給する。この場合、硫酸および過酸化水素水との反応により、処理液の温度が上昇する。
Also, the processing liquid is supplied to the
なお、処理液が所定の温度を維持するように、ポンプ142およびヒータ144が駆動することにより、処理液が循環されながら加熱されてもよい。この場合、ヒータ144は、必要に応じて処理液を加熱する。例えば、処理液の温度が所定の温度よりも低い場合、ヒータ144は、所定の温度まで上昇するように処理液を加熱する。一方で、硫酸および過酸化水素水との反応によって処理液の温度が所定の温度よりも高く上昇すると、ヒータ144は、処理液の温度まで下がるように処理液の加熱を停止する。次に、処理は、ステップS50Aに進む。
The processing liquid may be heated while being circulated by driving the
ステップS50Aにおいて、処理槽110の処理液に基板Wを浸漬する。その後、処理槽110の処理液から基板Wを取り出す。以上のようにして、基板処理を終了する。
In step S50A, the substrate W is immersed in the processing liquid in the
ステップS40において、濃度調整工程を行う。濃度調整工程により、処理槽110の処理液が調整される。本明細書において、濃度調整工程が選択された場合の処理液の調整を第2処理液調整工程と記載することがある。
In step S40, a density adjustment process is performed. The concentration adjustment step adjusts the processing liquid in the
この場合、処理槽110の処理液の濃度を調整する。例えば、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度を調整する。一例では、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度を増加する。
In this case, the concentration of the processing liquid in the
あるいは、処理槽110の処理液における硫酸濃度を調整する。一例では、処理槽110の処理液における硫酸濃度を増加する。
Alternatively, the concentration of sulfuric acid in the processing liquid in the
典型的には、処理液供給部130が処理槽110に処理液を供給する。例えば、硫酸供給部132は、処理槽110に硫酸を供給する。過酸化水素供給部134は、処理槽110に過酸化水素水を供給する。硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、処理槽110において供給された硫酸および過酸化水素水を含む処理液が所定の濃度になる割合で硫酸および過酸化水素水をそれぞれ供給する。
Typically, the processing
例えば、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度を増加させる場合、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、過酸化水素水の比率を大きくして処理槽110における過酸化水素濃度が増加するように、硫酸および過酸化水素水を供給する。
For example, when increasing the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid in the
この場合、処理槽110の処理液は循環される。ここでも、処理液が所定の温度を維持するように、ポンプ142およびヒータ144が駆動することにより、処理液が循環されながら加熱されてもよい。
In this case, the processing liquid in the
制御部182は、濃度センサ162において測定された硫酸濃度および/または過酸化水素濃度が所定の濃度になるまで硫酸および過酸化水素水を供給する。また、制御部182は、濃度センサ162において測定された硫酸濃度および/または過酸化水素濃度が所定の濃度を維持するように硫酸および過酸化水素水を供給する。このように、制御部182は、濃度センサ162を利用して、硫酸濃度および/または過酸化水素濃度をフィードバック制御によって調整してもよい。なお、濃度調整は、基板Wを処理槽110に浸漬される直前に行われ、所定期間にわたって基板Wを処理槽110に浸漬しない場合、濃度調整を行わないことが好ましい。次に、処理は、ステップS50Bに進む。
The
ステップS50Bにおいて、過酸化水素濃度を調整の行われた処理液に基板を浸漬する。その後、処理槽110の処理液から基板Wを取り出す。以上のようにして、基板処理を終了する。
In step S50B, the substrate is immersed in the treatment liquid in which the hydrogen peroxide concentration has been adjusted. After that, the substrate W is taken out from the processing liquid in the
本実施形態によれば、基板Wに応じて異なる態様で調整された処理液で基板を処理する。例えば、基板処理装置100において処理される基板が、比較的緩い濃度範囲に調整された処理液でも処理できる場合、処理槽110の処理液は、液交換工程で調整する。これにより、処理槽110の処理液は、基準を満たさない場合にのみ液交換される。したがって、処理槽110の処理液の交換頻度を抑制でき、処理液に係るコストを低減できる。また、基板処理装置100において処理される基板が、比較的厳しい濃度範囲に調整された処理液で処理することが必要な場合、処理槽110の処理液は、濃度調整工程で調整する。これにより、基板が搬入されない場合に、処理槽110の処理液を濃度調整した状態で維持することを避けつつ、搬入された基板を適切に処理できる。したがって、本実施形態によれば、基板Wに応じて硫酸および過酸化水素水の過剰使用を回避できる。
According to the present embodiment, the substrate is processed with the processing liquid prepared in a different manner according to the substrate W. FIG. For example, when a substrate to be processed in the
次に、図1~図5を参照して、本実施形態による基板処理装置100の液交換工程を説明する。図5(a)~図5(c)は、本実施形態の基板処理方法における液交換工程を説明するための模式図である。
Next, the liquid exchange process of the
図5(a)に示すように、処理槽110には処理液が貯留される。ここでは、内槽112および外槽114のそれぞれに定量の処理液が貯留されている。上述したように、内槽112から溢れた処理液は、外槽114に流入する。内槽112の定量は、内槽112の容器の最大量に設定されている。
As shown in FIG. 5A, a
外槽114の定量は、外槽114の容器の最大量よりも少ない量に設定されている。外槽114に、定量よりも多くの処理液が流入すると、制御部182は、ポンプ142を駆動して外槽114の処理液を外部に流出させる。
The fixed amount of the
図5(b)に示すように、処理槽110の処理液を排出する。例えば、内槽112の処理液を排出する場合、制御部182は、バルブ152を開けて内槽112の処理液を排出する。
As shown in FIG. 5B, the processing liquid in the
また、外槽114の処理液を排出する場合、制御部182は、ポンプ142を駆動するとともにバルブ154を閉めてバルブ155を開けることにより、外槽114の処理液を排出する。
When the processing liquid in the
処理槽110から排出する処理液の量は、前回液交換を行ってから経過した時間に応じて設定されてもよい。例えば、前回液交換を行ってから経過した時間が比較的長い場合、処理槽110から排出する処理液の量を比較的多く設定する。反対に、前回液交換を行ってから経過した時間が比較的短い場合、処理槽110から排出する処理液の量を比較的少なく設定する。
The amount of the processing liquid discharged from the
または、処理槽110から排出する処理液の量は、前回基板を浸漬してから経過した時間に応じて設定されてもよい。前回基板を浸漬してから経過した時間が比較的長い場合、処理槽110から排出する処理液の量を比較的多く設定する。反対に、前回基板を浸漬してから経過した時間が比較的短い場合、処理槽110から排出する処理液の量を比較的少なく設定する。
Alternatively, the amount of the processing liquid discharged from the
典型的には、処理槽110から処理液を排出する場合、処理槽110の処理液は循環しない。ただし、処理槽110の処理液を循環させながら、処理槽110から処理液を排出してもよい。
Typically, when the processing liquid is discharged from the
図5(c)に示すように、処理液供給部130が処理槽110に処理液を供給する。詳細には、硫酸供給部132は、処理槽110に硫酸を供給する。また、過酸化水素供給部134は、処理槽110に過酸化水素水を供給する。この場合、制御部182は、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134が処理槽110に硫酸および過酸化水素水をそれぞれ供給するように硫酸供給部132および過酸化水素供給部134を制御する。
As shown in FIG. 5C, the processing
処理槽110に処理液を供給した後、処理槽110の処理液は、循環部140を介して循環する。例えば、制御部182は、ポンプ142を駆動して調整バルブ145、バルブ146を開けるとともにバルブ154を開けてバルブ155を閉めることにより、処理槽110の処理液は、処理槽110から配管141を通って処理槽110まで循環する。また、制御部182がヒータ144を駆動することにより、配管141を流れる処理液を加熱する。
After supplying the processing liquid to the
このとき、処理槽110内の処理液を維持するために、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、硫酸および過酸化水素水を処理槽110に供給してもよい。硫酸供給部132から供給される硫酸および過酸化水素供給部134から供給される過酸化水素水の量の比率は液交換前と同じである。
At this time, the sulfuric
以上のようにして、液交換により、処理槽110の処理液を調整できる。本実施形態によれば、処理槽110の処理液を部分的に排出するとともに処理槽110に処理液を供給できる。このため、処理槽110の処理液を基板処理に適した処理条件に速やかに調整できる。また、処理槽110の処理液を完全に破棄したないため基板処理コストを低減できる。
As described above, the processing liquid in the
次に、図1~図6を参照して、本実施形態の基板処理方法における液交換工程を説明する。図6は、本実施形態の基板処理方法において液交換工程の際の処理槽110内の硫酸濃度および過酸化水素濃度の時間変化を示すグラフである。図6において、線Lspは、硫酸濃度の時間変化を示す。線Lhpは、過酸化水素濃度の時間変化を示す。
Next, the liquid exchange step in the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6. FIG. FIG. 6 is a graph showing temporal changes in sulfuric acid concentration and hydrogen peroxide concentration in the
線Lspに示すように、液交換期間Ppの前では、硫酸濃度は、略一定である。ただし、厳密には、硫酸濃度は、時間の経過とともに徐々に減少する。処理槽110内において過酸化水素水が硫酸と反応して分解されて水が生成されるためである。
As indicated by the line Lsp, the sulfuric acid concentration is substantially constant before the liquid exchange period Pp. Strictly speaking, however, the sulfuric acid concentration gradually decreases over time. This is because the hydrogen peroxide solution reacts with sulfuric acid in the
液交換期間Ppにおいて、処理槽110の処理液は、少なくとも部分的に排出される。また、液交換期間Ppにおいて新たに硫酸および過酸化水素水が処理槽110に供給される。典型的には、処理槽110内の処理液の排出が開始した後で、処理槽110に新しい処理液が供給される。ただし、処理槽110内の処理液の排出および供給は、任意のタイミングで行われてもよい。
During the liquid exchange period Pp, the processing liquid in the
液交換期間Ppの後、硫酸濃度は、液交換期間Ppの前と比べて増加する。その後、硫酸濃度は時間の経過とともに徐々に減少する。 After the liquid exchange period Pp, the concentration of sulfuric acid increases compared to before the liquid exchange period Pp. The sulfuric acid concentration then gradually decreases over time.
線Lhpに示すように、液交換期間Ppの前では、過酸化水素濃度は、略一定である。ただし、厳密には、過酸化水素濃度は、時間の経過とともに徐々に減少する。処理槽110内において過酸化水素水が硫酸と反応して分解されて水が生成されるためである。
As indicated by the line Lhp, the hydrogen peroxide concentration is substantially constant before the liquid replacement period Pp. Strictly speaking, however, the hydrogen peroxide concentration gradually decreases over time. This is because the hydrogen peroxide solution reacts with sulfuric acid in the
液交換期間Ppの終了後、過酸化水素濃度は、液交換期間Ppの前と比べて増加する。その後、過酸化水素濃度は時間の経過とともに減少する。 After the end of the liquid replacement period Pp, the hydrogen peroxide concentration increases compared to before the liquid replacement period Pp. The hydrogen peroxide concentration then decreases over time.
なお、図6において、液交換期間Ppの前および後において、処理槽110の処理液は、循環部160を介して循環されながら加熱される。液交換期間Ppにおいても、処理槽110の処理液は、循環部160を介して循環されながら加熱されてもよい。
In FIG. 6, before and after the liquid exchange period Pp, the processing liquid in the
次に、図1~図7を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図7は、本実施形態の基板処理方法において液交換工程が選択される場合のフロー図である。 Next, the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7. FIG. FIG. 7 is a flowchart when the liquid exchange step is selected in the substrate processing method of this embodiment.
図7に示すように、ステップS102において、基板処理装置100が処理する基板Wが液交換工程の対象基板であるか否かを判定する。例えば、基板Wがレジストをアッシング処理した基板である場合、制御部182は、基板Wが液交換工程の対象基板であると判定する。典型的には、基板処理装置100に対象基板が到達する前に、制御部182は、基板Wが対象基板であるか否かを判定する。
As shown in FIG. 7, in step S102, it is determined whether or not the substrate W to be processed by the
基板Wが対象基板でない場合(ステップS102においてNo)、処理は、ステップS102に戻る。一方、基板Wが対象基板である場合(ステップS102においてYes)、処理は、ステップS104に進む。 If the substrate W is not the target substrate (No in step S102), the process returns to step S102. On the other hand, if the substrate W is the target substrate (Yes in step S102), the process proceeds to step S104.
ステップS104において、処理槽110の処理液が所定の基準を満たすか否かを判定する。所定の基準は、処理槽110の処理液が調整せずに基板Wを適切に処理可能であることを示す指標として設定される。処理槽110の処理液が所定の基準を満たす場合、処理槽110の処理液を排出しない。一方、処理槽110の処理液が所定の基準を満たさない場合、処理槽110の処理液を排出して調整する。
In step S104, it is determined whether or not the processing liquid in the
所定の基準は、処理槽110の処理液濃度に基づいて設定されてもよい。例えば、所定の基準は、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度に基づいて設定される。一例では、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度が所定値以上である場合、制御部182は、所定の基準を満たすと判定する。一方で、処理槽110の処理液における過酸化水素濃度が所定値よりも低い場合、制御部182は、所定の基準を満たさないと判定する。
The predetermined standard may be set based on the processing liquid concentration in the
処理槽110の処理液が所定の基準を満たす場合(ステップS104においてYes)、処理は、ステップS112に進む。一方、処理槽110の処理液が所定の基準を満たさない場合(ステップS104においてNo)、処理は、ステップS106に進む。
If the processing liquid in the
ステップS106において、処理槽110の処理液を排出する。処理槽110に貯留された処理液の少なくとも一部を排出する。制御部182は、ポンプ142を駆動して、バルブ154を開けてバルブ155を閉めることにより、外槽114の処理液を排出する。また、制御部182は、バルブ152を開けることにより、内槽112の処理液を排出する。
In step S106, the processing liquid in the
ステップS108において、処理槽110に処理液を供給する。処理液供給部130は、処理槽110に処理液を供給する。制御部182の制御により、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134は、硫酸および過酸化水素水を処理槽110に供給する。
In step S<b>108 , the processing liquid is supplied to the
ステップS110において、処理槽110への処理液の供給を停止する。制御部182の制御により、硫酸供給部132および過酸化水素供給部134から処理槽110への硫酸および過酸化水素水の供給を停止する。
At step S110, the supply of the processing liquid to the
ステップS112において、処理槽110内の処理液を循環しながら、処理液を加熱する。制御部182の制御により、ポンプ142を駆動して調整バルブ145、バルブ146を開けるとともにバルブ154を開けてバルブ155を閉めることにより、処理槽110の処理液は、処理槽110から配管141を通って処理槽110まで循環する。また、制御部182の制御により、ヒータ144は、配管141を流れる処理液を加熱する。
In step S112, the processing liquid in the
ステップS114において、処理液の温度が所定の温度であるか否かを判定する。処理液の温度が所定の温度ではない場合(ステップS114においてNo)、処理は、ステップS112に戻る。一方、処理液の温度が所定の温度である場合(ステップS114においてYes)、処理は、ステップS116に進む。 In step S114, it is determined whether the temperature of the treatment liquid is a predetermined temperature. If the temperature of the treatment liquid is not the predetermined temperature (No in step S114), the process returns to step S112. On the other hand, if the temperature of the treatment liquid is the predetermined temperature (Yes in step S114), the process proceeds to step S116.
ステップS116において、処理槽110の処理液に基板Wを浸漬する。典型的には、基板保持部120は基板Wを保持したまま処理槽110に向かって下降して、基板Wを処理槽110の処理液に浸漬する。このとき、処理液供給部130は、硫酸および過酸化水素水を処理槽110に供給しなくてもよい。あるいは、処理槽110の処理液に対して、処理液供給部130は、過酸化水素水のみを処理槽110に供給してもよい。いずれの場合でも、ポンプ142とともにヒータ144を駆動することにより、処理槽110の処理液を循環させながら処理槽110の処理液を加熱することが好ましい。
In step S<b>116 , the substrate W is immersed in the processing liquid in the
その後、基板Wは、処理槽110から引き上げられる。典型的には、基板Wは、基板処理装置100から搬出される。
After that, the substrate W is pulled up from the
ステップS118において、基板処理装置100が次に処理する基板Wが対象基板であるか否かを判定する。典型的には、基板処理装置100に次の対象基板が到達する前に、制御部182は、基板Wが対象基板であるか否かを判定する。
In step S118, it is determined whether or not the substrate W to be processed next by the
次の基板Wが対象基板ではない場合(ステップS118においてNo)、処理は、終了する。一方、次の基板Wが対象基板である場合(ステップS118においてYes)、処理は、ステップS120に進む。 If the next substrate W is not the target substrate (No in step S118), the process ends. On the other hand, if the next substrate W is the target substrate (Yes in step S118), the process proceeds to step S120.
ステップS120において、処理槽110の処理液が所定の基準を満たすか否かを判定する。所定の基準は、ステップS104と同様に設定される。
In step S120, it is determined whether or not the processing liquid in the
処理槽110の処理液が所定の基準を満たさない場合(ステップS120においてNo)、処理は、ステップS106に戻る。一方、処理槽110の処理液が所定の基準を満たす場合(ステップS120においてYes)、処理は、ステップS116に戻る。この場合も、処理槽110の処理液に対して、処理液供給部130は、硫酸および過酸化水素水を供給しなくてもよい。あるいは、処理槽110の処理液に対して、処理液供給部130は、過酸化水素水のみを供給してもよい。いずれの場合でも、ポンプ142とともにヒータ144を駆動することにより、処理槽110の処理液を循環させながら処理槽110の処理液を加熱することが好ましい。
If the processing liquid in the
本実施形態では、以上のようにして、処理槽110の処理液が所定の基準を満たす場合には処理液を排出することなく基板Wを浸漬する。一方で、処理槽110の処理液が所定の基準を満たさない場合には、処理槽110の処理液を少なくとも一部を排出し、新たに硫酸および過酸化水素水を供給することにより、処理槽110の処理液を少なくとも部分的に交換する。これにより、処理液の液交換の回数を減らすとともに、処理液に係るコストの増加を抑制できる。
In this embodiment, as described above, when the processing liquid in the
上述したように、図5~図7を参照して、本実施形態の基板処理方法における液交換工程および液交換工程が選択された場合のフローを説明した。なお、本実施形態の基板処理方法における濃度調整工程は、以下のように行われる。 As described above, with reference to FIGS. 5 to 7, the liquid exchange process and the flow when the liquid exchange process is selected in the substrate processing method of the present embodiment have been described. The concentration adjustment step in the substrate processing method of this embodiment is performed as follows.
次に、図1~図8を参照して、本実施形態の基板処理方法における濃度調整工程を説明する。図8(a)~図8(c)は、本実施形態の基板処理方法における濃度調整工程を説明するための模式図である。 Next, the concentration adjustment step in the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG. 8A to 8C are schematic diagrams for explaining the concentration adjustment step in the substrate processing method of this embodiment.
図8(a)に示すように、処理槽110内の処理液の状態を維持する。ここでは、内槽112および外槽114のそれぞれに定量の処理液が貯留されている。例えば、処理槽110内の処理液は、循環されながら加熱されることにより、一定の状態に維持される。
As shown in FIG. 8A, the state of the processing solution in the
例えば、処理槽110内の処理液は、硫酸濃度75%以上90%以下、過酸化水素濃度0.8%以上2.0%以下、温度100℃以上140℃以下の状態に維持される。一例では、処理槽110内において維持される処理液は、硫酸濃度82%、過酸化水素濃度1.0%、温度110℃である。
For example, the processing liquid in the
制御部182の制御により、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度が維持される。詳細には、硫酸供給部132は所定量の硫酸を処理槽110に供給し、過酸化水素供給部134は所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。また、ヒータ144は、一定量の電力で処理液を加熱する。
Under the control of the
図8(b)に示すように、処理槽110の処理液の濃度を調整する。このとき、硫酸供給部132から供給される硫酸および過酸化水素供給部134から供給される過酸化水素水の量の比率を変更する。例えば、処理槽110の処理液に基板Wを浸漬する直前に処理槽110の処理液の濃度を調整する。
As shown in FIG. 8B, the concentration of the processing liquid in the
ここでは、処理槽110の処理液における硫酸濃度を維持したまま過酸化水素濃度を増加させる。この場合、制御部182は、処理槽110内の処理液における過酸化水素濃度が増加するまで過酸化水素水の供給量を増加させるように過酸化水素供給部134を制御する。また、制御部182は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度が維持する程度に硫酸を供給するように硫酸供給部132を制御する。
Here, the concentration of hydrogen peroxide is increased while maintaining the concentration of sulfuric acid in the processing liquid in the
一例では、処理槽110内において維持される処理液は、硫酸濃度82%、過酸化水素濃度1.4%、温度110℃である。
In one example, the processing solution maintained in
その後、制御部182は、処理槽110の処理液に基板Wを浸漬させ、処理槽110の処理液から基板Wを引き上げるまで処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度を維持する。詳細には、硫酸供給部132は所定量の硫酸を処理槽110に供給し、過酸化水素供給部134は所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。また、ヒータ144は、一定量の電力で処理液を加熱する。
Thereafter, the
制御部182は、処理槽110の処理液から基板Wを引き上げてから処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度を変更する。典型的には、制御部182は、基板Wを浸漬する前の状態に、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度のいずれかを変更する。
After pulling up the substrate W from the processing liquid in the
図8(c)に示すように、処理槽110の処理液の状態を戻す。ここでは、処理槽110の処理液における硫酸濃度を維持したまま過酸化水素濃度を低下させる。この場合、制御部182は、処理槽110内の処理液における過酸化水素濃度が低下するまで過酸化水素水の供給量を減少させるように過酸化水素供給部134を制御する。また、制御部182は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度が維持する程度に硫酸を供給するように硫酸供給部132を制御する。このとき、硫酸供給部132から供給される硫酸および過酸化水素供給部134から供給される過酸化水素水の量の比率を再び変更する。
As shown in FIG. 8C, the state of the processing liquid in the
一例では、処理槽110内において維持される処理液は、硫酸濃度82%、過酸化水素濃度1.0%、温度110℃である。
In one example, the processing solution maintained in
その後、制御部182は、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度を維持する。詳細には、硫酸供給部132は所定量の硫酸を処理槽110に供給し、過酸化水素供給部134は所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。また、ヒータ144は、一定量の電力で処理液を加熱する。
After that, the
次に、図1~図9を参照して、本実施形態の基板処理方法における濃度調整工程を説明する。図9は、本実施形態の基板処理方法において濃度調整工程の際の処理槽110内の硫酸濃度および過酸化水素濃度の時間変化を示すグラフである。図9において、線Lscは、硫酸濃度の時間変化を示す。線Lhcは、過酸化水素濃度の時間変化を示す。
Next, the concentration adjustment step in the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 9. FIG. FIG. 9 is a graph showing temporal changes in sulfuric acid concentration and hydrogen peroxide concentration in the
線Lscに示すように、濃度調整期間Pcの前では、硫酸濃度は、目標濃度Tsbに維持される。ただし、厳密には、硫酸濃度は、時間の経過とともに目標濃度Tsbに対して変動する。硫酸供給部132は、濃度センサ162の測定結果に基づいて、硫酸を間欠的に処理槽110に供給するためである。ここでは、硫酸濃度が減少して目標濃度Tsbに達すると、硫酸供給部132が所定量の硫酸を処理槽110に供給する。このため、硫酸濃度は、目標濃度Tsbから一時的に増加する。
As indicated by the line Lsc, the sulfuric acid concentration is maintained at the target concentration Tsb before the concentration adjustment period Pc. Strictly speaking, however, the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Tsb over time. This is because the sulfuric
濃度調整期間Pcにおいて液交換期間Ppにおいて新たな処理液となる硫酸および過酸化水素水が処理槽110に供給される。典型的には、濃度調整期間Pcは、処理槽110の処理液に基板Wが浸漬される直前の期間である。
During the concentration adjustment period Pc and the liquid exchange period Pp, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution, which are new processing liquids, are supplied to the
ここでは、硫酸濃度は、濃度調整期間Pcの後も、濃度調整期間Pcの前と比べて目標濃度Tsbに維持される。この場合も、厳密には、硫酸濃度は、時間の経過とともに目標濃度Tsbに対して変動する。 Here, the sulfuric acid concentration is maintained at the target concentration Tsb even after the concentration adjustment period Pc compared to before the concentration adjustment period Pc. Also in this case, strictly speaking, the concentration of sulfuric acid fluctuates with respect to the target concentration Tsb over time.
一方、線Lhcに示すように、濃度調整期間Pcの前では、過酸化水素濃度は、目標濃度Tob1に維持される。ただし、厳密には、過酸化水素濃度は、時間の経過とともに目標濃度Tob1に対して変動する。これは、過酸化水素供給部134が間欠的に過酸化水素水を処理槽110に供給するためである。ここでも、過酸化水素濃度が減少して目標濃度Tob1に達すると、過酸化水素供給部134が所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。このため、過酸化水素濃度は、目標濃度Tob1から一時的に増加する。
On the other hand, as indicated by the line Lhc, the hydrogen peroxide concentration is maintained at the target concentration Tob1 before the concentration adjustment period Pc. Strictly speaking, however, the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Tob1 over time. This is because the hydrogen
過酸化水素濃度は、濃度調整期間Pcの後、濃度調整期間Pcの前と比べて増加する。これは、濃度調整により、過酸化水素水の目標濃度が目標濃度Tob1から目標濃度Tob2に変更されたためである。ただし、厳密には、過酸化水素濃度は、時間の経過とともに目標濃度Tob2に対して変動する。上述したように、過酸化水素供給部134が間欠的に過酸化水素水を処理槽110に供給するためである。
After the concentration adjustment period Pc, the hydrogen peroxide concentration increases compared to before the concentration adjustment period Pc. This is because the concentration adjustment changed the target concentration of the hydrogen peroxide solution from the target concentration Tob1 to the target concentration Tob2. Strictly speaking, however, the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Tob2 over time. This is because the hydrogen
その後、所定期間経過して、処理槽110の処理液に基板Wが浸漬される予定がなくなると、過酸化水素濃度の目標濃度は目標濃度Tob2から目標濃度Tob1に戻る。
Thereafter, after a predetermined period of time has elapsed, when the substrate W is no longer scheduled to be immersed in the processing liquid in the
次に、図1~図10を参照して、本発明による基板処理装置100の実施形態を説明する。図10(a)は、本実施形態の基板処理方法において処理槽110内の硫酸濃度の時間変化を示すグラフであり、図10(b)は、本実施形態の基板処理方法において処理槽110内の過酸化水素濃度の時間変化を示すグラフである。
Next, an embodiment of a
図10(a)に示すように、硫酸濃度は、目標濃度Tsに対して変動する。これは、硫酸供給部132が、濃度センサ162の測定結果に基づいて、硫酸を間欠的に処理槽110に供給するためである。
As shown in FIG. 10(a), the sulfuric acid concentration fluctuates with respect to the target concentration Ts. This is because the sulfuric
詳細には、硫酸供給部132が硫酸の供給を特定期間停止すると、硫酸濃度は時間の経過とともに徐々に低下する。硫酸濃度が下限Tsdに到達したことを濃度センサ162が測定すると、制御部182は、硫酸供給部132が処理槽110に所定量の硫酸を供給するように硫酸供給部132を制御する。なお、硫酸供給部132によって供給される硫酸の量は、濃度センサ162によって測定される硫酸濃度が上限Tsuを超えないように設定されている。したがって、硫酸濃度は、時間の経過とともに目標濃度Tsに対して変動する。
Specifically, when the sulfuric
図10(b)に示すように、過酸化水素濃度は、目標濃度Thに対して変動する。これは、過酸化水素供給部134が、濃度センサ162の測定結果に基づいて、過酸化水素水を間欠的に処理槽110に供給するためである。
As shown in FIG. 10(b), the hydrogen peroxide concentration fluctuates with respect to the target concentration Th. This is because the hydrogen
詳細には、過酸化水素供給部134が過酸化水素水の供給を特定期間停止すると、過酸化水素濃度は時間の経過とともに徐々に低下する。過酸化水素濃度が下限Thdに到達したことを濃度センサ162が測定すると、制御部182は、過酸化水素供給部134が処理槽110に所定量の過酸化水素水を供給するように過酸化水素供給部134を制御する。なお、過酸化水素供給部134によって供給される過酸化水素水の量は、濃度センサ162によって測定される過酸化水素濃度が上限Thuを超えないように設定されている。したがって、過酸化水素濃度は、時間の経過とともに目標濃度Thに対して変動する。
Specifically, when the hydrogen
なお、図10(a)および図10(b)に示したように、硫酸濃度および過酸化水素濃度は、目標濃度に対してフィードバック制御されてもよい。なお、フィードバック制御は、濃度調整工程において好適に行われる。ただし、フィードバック制御は、液交換工程において行われてもよい。 Incidentally, as shown in FIGS. 10(a) and 10(b), the sulfuric acid concentration and the hydrogen peroxide concentration may be feedback-controlled with respect to the target concentration. Feedback control is preferably performed in the density adjustment process. However, feedback control may be performed in the liquid exchange process.
次に、図1~図11を参照して、本実施形態の基板処理方法おける濃度調整工程を説明する。図11は、本実施形態の基板処理方法における濃度調整工程が選択される場合のフロー図である。 Next, with reference to FIGS. 1 to 11, the concentration adjustment step in the substrate processing method of this embodiment will be described. FIG. 11 is a flowchart when the concentration adjustment step is selected in the substrate processing method of this embodiment.
図11に示すように、ステップS202において、処理槽110内の処理液の状態を維持する。制御部182は、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度および過酸化水素濃度を維持する。制御部182は、濃度センサ162の結果に基づいて、処理液の硫酸濃度および過酸化水素濃度がそれぞれ所定の値となるように硫酸供給部132および過酸化水素供給部134を制御する。また、制御部182は、ヒータ144によって測定された温度に基づいて、処理液が所定の温度を維持するようにヒータ144を制御する。
As shown in FIG. 11, in step S202, the state of the processing liquid in the
ステップS204において、基板処理装置100が処理する基板Wが濃度調整を行う対象基板であるか否かを判定する。典型的には、基板処理装置100に対象基板が到達する前に、制御部182は、基板Wが対象基板であるか否かを判定する。
In step S204, it is determined whether or not the substrate W to be processed by the
例えば、基板Wがイオン注入の行われたレジストを有する基板である場合、制御部182は、基板Wが濃度調整を行う対象基板であると判定する。あるいは、基板Wが素子分離された後の酸化処理が行われる基板である場合、制御部182は、基板Wが濃度調整を行う対象基板であると判定する。
For example, when the substrate W is a substrate having a resist into which ions have been implanted, the
基板Wが対象基板ではない場合(ステップS204においてNo)、処理は、ステップS202に戻る。一方、基板Wが対象基板である場合(ステップS204においてYes)、処理は、ステップS206に進む。 If the substrate W is not the target substrate (No in step S204), the process returns to step S202. On the other hand, if the substrate W is the target substrate (Yes in step S204), the process proceeds to step S206.
ステップS206において、処理槽110内の処理液における過酸化水素濃度を増加させる。典型的には、制御部182は、処理槽110内の処理液における過酸化水素濃度が増加するまで過酸化水素水の供給量を増加するように過酸化水素供給部134を制御する。また、制御部182は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度が維持する程度に硫酸を供給するように硫酸供給部132を制御する。
At step S206, the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid in the
ステップS208において、処理液の濃度調整が終了したか否かを判定する。過酸化水素濃度が増加して濃度センサ162が所定の値を示すと、処理液の濃度調整を終了する。 In step S208, it is determined whether or not the adjustment of the concentration of the treatment liquid has been completed. When the concentration of hydrogen peroxide increases and the concentration sensor 162 indicates a predetermined value, the concentration adjustment of the treatment liquid is finished.
処理液の調整が終了していない場合(ステップS208においてNo)、処理は、ステップS208に戻る。一方、処理液の調整が終了した場合(ステップS208においてYes)、処理は、ステップS210に進む。 If the adjustment of the treatment liquid has not ended (No in step S208), the process returns to step S208. On the other hand, if the adjustment of the treatment liquid is completed (Yes in step S208), the process proceeds to step S210.
ステップS210において、処理槽110内の処理液の状態を維持する。制御部182は、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度を維持する。詳細には、硫酸供給部132は所定量の硫酸を処理槽110に供給し、過酸化水素供給部134は所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。また、ヒータ144は、一定量の電力で処理液を加熱する。
At step S210, the state of the processing solution in the
ステップS212において、処理槽110処理液に基板Wを浸漬する。典型的には、基板Wは、基板処理装置100に搬入され、処理槽110の処理液に浸漬される。その後、基板Wは、基板処理装置100から搬入される。その後、処理は、ステップS214に進む。
In step S212, the substrate W is immersed in the
ステップS214において、基板処理装置100が次に処理すべき基板Wがあり、かつ、その基板Wが対象基板であるか否かを判定する。典型的には、基板処理装置100に次の対象基板が到達する前に、制御部182は、次の基板Wの有無および次の基板Wが対象基板であるか否かを判定する。
In step S214, the
次の基板Wがないか、または、次の基板Wが対象基板ではない場合(ステップS214においてNo)、処理は、ステップS216に進む。一方、次の基板Wがあり、その基板Wが対象基板である場合(ステップS214においてYes)、処理は、ステップS210に戻る。 If there is no next substrate W or if the next substrate W is not the target substrate (No in step S214), the process proceeds to step S216. On the other hand, if there is a next substrate W and that substrate W is the target substrate (Yes in step S214), the process returns to step S210.
ステップS216において、処理槽110内の処理液の過酸化水素濃度を低下させる。典型的には、制御部182は、処理槽110内の処理液における過酸化水素濃度が低下するまで過酸化水素水の供給量を減少するように過酸化水素供給部134を制御する。また、制御部182は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度が維持する程度に硫酸を供給するように硫酸供給部132を制御する。
At step S216, the concentration of hydrogen peroxide in the processing liquid in the
ステップS218において、処理液の濃度調整が終了したか否かを判定する。過酸化水素濃度が減少して濃度センサ162が所定の値を示すと、処理液の濃度調整を終了する。 In step S218, it is determined whether or not the adjustment of the concentration of the treatment liquid has been completed. When the concentration of hydrogen peroxide decreases and the concentration sensor 162 indicates a predetermined value, the concentration adjustment of the treatment liquid is completed.
処理液の調整が終了していない場合(ステップS218においてNo)、処理は、ステップS216に戻る。一方、処理液の調整が終了した場合(ステップS218においてYes)、処理は、ステップS220に進む。 If the adjustment of the treatment liquid has not ended (No in step S218), the process returns to step S216. On the other hand, if the adjustment of the treatment liquid is finished (Yes in step S218), the process proceeds to step S220.
ステップS220において、処理槽110内の処理液の状態を維持する。制御部182は、処理槽110内の処理液の温度、処理液の硫酸濃度、および、処理液内の過酸化水素濃度を維持する。詳細には、硫酸供給部132は所定量の硫酸を処理槽110に供給し、過酸化水素供給部134は所定量の過酸化水素水を処理槽110に供給する。また、ヒータ144は、一定量の電力で処理液を加熱する。
At step S220, the state of the processing solution in the
本実施形態によれば、以上のようにして、処理槽110の処理液の濃度を調整する。本実施形態によれば、処理槽110に基板Wを浸漬する直前に、処理槽110の処理液を基板Wの処理に適した濃度に調整する。このため、濃度調整の対象となる基板でない場合には、処理槽110の処理液の濃度を調整しなくてもよく、過酸化水素水の過剰な使用を回避できる。
According to this embodiment, the concentration of the processing liquid in the
なお、図9および図11では、濃度調整の一例として、基板Wが対象基板である場合に、過酸化水素濃度を増加させたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Wが対象基板である場合に、硫酸濃度を増加させてもよい。 In FIGS. 9 and 11, as an example of concentration adjustment, the concentration of hydrogen peroxide is increased when the substrate W is the target substrate, but the present embodiment is not limited to this. If the substrate W is the target substrate, the concentration of sulfuric acid may be increased.
なお、図4に示したフロー図では、処理液調整工程は、基板処理装置100が基板を処理する前に行われた基板についての情報を示す基板情報に基づいて選択されたが、本実施形態はこれに限定されない。処理液調整工程は、基板情報とさらに別の情報に基づいて選択されてもよい。
In the flowchart shown in FIG. 4, the processing liquid adjustment step is selected based on the substrate information indicating the information about the substrate performed before the
次に、図1~図12を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図12は、本実施形態の基板処理方法のフロー図である。 Next, the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 12. FIG. FIG. 12 is a flowchart of the substrate processing method of this embodiment.
図12に示すように、ステップS10において、基板処理装置100が処理する基板Wについての基板情報を取得する。例えば、基板情報取得部182aは、記憶部184から基板情報を取得する。
As shown in FIG. 12, in step S10, substrate information about the substrate W to be processed by the
ステップS10Aにおいて、処理槽110の処理液の状態を示す処理液情報を取得する。処理液情報は、処理槽110の処理液における硫酸濃度、過酸化水素濃度および温度のいずれかを示してもよい。例えば、濃度センサ162は、処理槽110内の処理液における硫酸濃度および過酸化水素濃度を測定する。また、ヒータ144は、処理液の温度を測定する。処理液情報取得部182cは、濃度センサ162および/またはヒータ144から処理液情報を取得する。
In step S10A, processing liquid information indicating the state of the processing liquid in the
ステップS20において、処理液調整工程を選択する。制御部182は、基板情報および処理液情報に基づいて、処理槽110の処理液を液交換工程または濃度調整工程のいずれで調整するかを選択する。典型的には、制御部182は、基板処理装置100に基板Wが到達する前に、基板情報および処理液情報に基づいて、処理液調整工程を選択する。
In step S20, a processing liquid adjusting step is selected. Based on the substrate information and the processing liquid information, the
例えば、基板情報に基づいて、処理槽110の処理液の目標値が設定される。一例では、基板処理装置100に搬入される前に基板Wに対して行われた処理に応じて、処理槽110の処理液における目標硫酸濃度、目標過酸化水素濃度および目標温度が設定される。
For example, the target value of the processing liquid in the
処理液調整工程選択部182bは、処理液調整工程を選択する。例えば、処理液調整工程選択部182bは、基板情報に基づいて設定された目標硫酸濃度、目標過酸化水素濃度および目標温度と、処理液情報に示された処理槽110における処理液の硫酸濃度、目標過酸化水素濃度および目標温度との差分から、処理液調整工程を選択する。例えば、差分が比較的大きい場合、処理液調整工程選択部182bは、処理液調整工程として液交換工程を選択する。一方、差分が比較的小さい場合、処理液調整工程選択部182bは、処理液調整工程として濃度調整工程を選択する。
The treatment liquid adjustment
ステップS20において液交換工程が選択された場合、処理は、ステップS30に進む。一方、ステップS20において濃度調整工程が選択された場合、処理は、ステップS40に進む。 If the liquid replacement step is selected in step S20, the process proceeds to step S30. On the other hand, if the density adjustment process is selected in step S20, the process proceeds to step S40.
ステップS30において、液交換工程を行う。液交換工程により、処理槽110の処理液が調整される。上述したように、処理槽110の処理液が基準を満たすか否か判定される。処理液が基準を満たす場合、処理槽110の処理液を排出しない。処理液が基準を満たさない場合、処理槽110の処理液を排出して処理槽110に新たに硫酸および過酸化水素水を供給する。その後、処理は、ステップS50Aに進む。
In step S30, a liquid exchange step is performed. The processing liquid in the
ステップS50Aにおいて、処理槽110の処理液に基板Wを浸漬する。その後、処理槽110の処理液から基板Wを取り出す。以上のようにして、基板処理を終了する。
In step S50A, the substrate W is immersed in the processing liquid in the
ステップS40において、濃度調整工程を行う。この場合、処理槽110の処理液の濃度が調整される。次に、処理は、ステップS50Bに進む。
In step S40, a density adjustment process is performed. In this case, the concentration of the processing liquid in the
ステップS50Bにおいて、処理槽110の処理液に基板を浸漬する。その後、処理槽110の処理液から基板Wを取り出す。以上のようにして、基板処理を終了する。
In step S<b>50</b>B, the substrate is immersed in the processing liquid in the
本実施形態によれば、基板情報だけでなく処理液情報も考慮して、処理液調整工程を選択する。このため、処理液の調整に要する時間も考慮して基板Wを適切に処理できる。 According to the present embodiment, the processing liquid adjustment process is selected considering not only the substrate information but also the processing liquid information. Therefore, the substrate W can be properly processed in consideration of the time required for adjusting the processing liquid.
なお、図1~図12を参照して上述した説明では、発明が過度に複雑になることを避ける目的で、基板Wは、1つの基板処理装置100で処理されたが、本実施形態はこれに限定されない。基板Wは、2以上の基板処理装置100で処理されてもよい。
1 to 12, the substrate W is processed by one
次に、図13を参照して、本実施形態の基板処理装置100を備えた基板処理システム10を説明する。図13は、本実施形態の基板処理装置100を備えた基板処理システム10の模式図である。図13に示した基板処理システム10は、第1基板処理装置100A~第3基板処理装置100Cを備える。
Next, a
図13に示すように、基板処理システム10は、投入部20と、複数の収納部30と、受け渡し機構40と、払出部50と、バッファユニットBUと、第1搬送装置CTCと、第2搬送装置WTRと、複数の基板処理装置100と、制御装置180とを備える。
As shown in FIG. 13, the
複数の基板処理装置100は、第1基板処理装置100Aと、第2基板処理装置100Bと、第3基板処理装置100Cとを備える。第1基板処理装置100A、第2基板処理装置100Bおよび第3基板処理装置100Cは、一方向に並んで配置される。例えば、第1基板処理装置100A、第2基板処理装置100Bおよび第3基板処理装置100Cは、第1搬送装置CTCの搬送経路に隣接して、第1搬送装置CTCの搬送経路の近くから、第1基板処理装置100A、第2基板処理装置100Bおよび第3基板処理装置100Cの順番に配置される。
The plurality of
ここでは、第1基板処理装置100A~第3基板処理装置100Cは、硫酸および過酸化水素水を含む処理液を貯留する。第1基板処理装置100A~第3基板処理装置100Cのそれぞれには、異なる処理の行われた基板Wが投入されてもよい。
Here, the first
基板処理装置100で処理される基板Wは、投入部20から搬入される。投入部20は、複数の載置台22を含む。基板処理装置100で処理された基板Wは、払出部50から搬出される。払出部50は、複数の載置台52を含む。
A substrate W to be processed by the
投入部20には、基板Wを収容した収納部30が載置される。投入部20に載置される収納部30は、基板処理装置100による処理が行われていない基板Wを収納する。ここでは、2つの収納部30は、それぞれ、2つの載置台22に載置される。
A
複数の収納部30の各々は、複数の基板Wを収容する。各基板Wは、水平姿勢で収納部30に収容される。収納部30は、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)である。
Each of the
払出部50に載置される収納部30は、基板処理装置100によって処理された基板Wを収納する。払出部50は、複数の載置台52を含む。2つの収納部30は、それぞれ、2つの載置台52に載置される。払出部50は、処理済みの基板Wを収納部30に収納して収納部30ごと払い出す。
The
バッファユニットBUは、投入部20および払出部50に隣接して配置される。バッファユニットBUは、投入部20に載置された収納部30を基板Wごと内部に取り込むとともに、棚(不図示)に収納部30を載置する。また、バッファユニットBUは、処理済みの基板Wを受け取って収納部30に収納するとともに、棚に収納部30を載置する。バッファユニットBU内には、受け渡し機構40が配置されている。
The buffer unit BU is arranged adjacent to the
受け渡し機構40は、投入部20および払出部50と棚との間で収納部30を受け渡す。また、受け渡し機構40は、第1搬送装置CTCに対して基板Wのみの受け渡しを行う。つまり、受け渡し機構40は、第1搬送装置CTCに対して基板Wのロットの受け渡しを行う。
The
第1搬送装置CTCは、受け渡し機構40から未処理の複数の基板Wのロットを受け取った後、複数の基板Wの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換して、複数の基板Wを第2搬送装置WTRに渡す。また、第1搬送装置CTCは、第2搬送装置WTRから処理済みの複数の基板Wのロットを受け取った後、複数の基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、基板Wのロットを受け渡し機構40に渡す。
After receiving a lot of unprocessed substrates W from the
第2搬送装置WTRは、基板処理システム10の長手方向に沿って、第3基板処理装置100Cから第2基板処理装置100Bまで移動可能である。第2搬送装置WTRは、第1基板処理装置100A、第2基板処理装置100Bおよび第3基板処理装置100Cに基板Wのロットを搬入および搬出できる。
The second transport apparatus WTR is movable along the longitudinal direction of the
制御装置180は、基板処理システム10の各種動作を制御する。詳細には、制御装置180は、受け渡し機構40、第1搬送装置CTC、第2搬送装置WTR、および、基板処理装置100を制御する。
The
制御装置180は、制御部182および記憶部184を含む。制御部182は、プロセッサーを有する。制御部182は、例えば、中央処理演算機を有する。または、制御部182は、汎用演算機を有してもよい。
記憶部184は、データおよびコンピュータープログラムを記憶する。データは、レシピデータを含む。レシピデータは、複数のレシピを示す情報を含む。複数のレシピの各々は、基板Wの処理内容および処理手順を規定する。
記憶部184は、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーである。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリーおよび/またはハードディスクドライブである。記憶部184はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。記憶部184は、非一時的コンピュータ読取可能記憶媒体の一例に相当する。
記憶部184には、予め手順の定められたコンピュータープログラムが記憶されている。基板処理装置100は、コンピュータープログラムに定められた手順に従って動作する。制御部182は、記憶部184の記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理動作を実行する。制御部182のプロセッサーは、記憶部184に記憶されたコンピュータープログラムを実行することで、受け渡し機構40、第1搬送装置CTC、第2搬送装置WTR、および、基板処理装置100を制御する。
The
以上、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚み、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の材質、形状、寸法等は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the present invention. Also, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be omitted from all components shown in the embodiments. Furthermore, components across different embodiments may be combined as appropriate. In order to make the drawings easier to understand, the drawings mainly show each component schematically. may be different. In addition, the material, shape, dimensions, etc. of each component shown in the above embodiment are examples and are not particularly limited, and various changes are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. be.
本発明は、基板処理装置および基板処理方法に好適に用いられる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is suitably used for a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
10 基板処理システム
100 基板処理装置
110 処理槽
112 内槽
114 外槽
120 基板保持部
130 処理液供給部
180 制御装置
182 制御部
184 記憶部
W 基板
REFERENCE SIGNS
Claims (7)
前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に、前記基板についての情報を示す基板情報を取得する工程と、
前記基板情報に基づいて、前記処理液を調整する処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択する工程と、
前記選択する工程において前記液交換工程が選択された場合、前記処理槽の前記処理液が所定の条件を満たさないときに、前記処理槽の前記処理液の少なくとも一部を前記処理槽から排出し、前記処理槽に硫酸および過酸化水素水を供給して前記処理槽の前記処理液を調整する第1処理液調整工程と、
前記選択する工程において前記濃度調整工程が選択された場合、前記処理槽に接続された配管を介して前記処理槽の前記処理液を循環させながら前記処理槽の前記処理液の濃度を調整する第2処理液調整工程と、
前記第1処理液調整工程または前記第2処理液調整工程において調整された前記処理槽の前記処理液を前記処理槽に接続された配管を介して循環させながら前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する工程と
を包含する、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by immersing the substrate in the processing liquid in a processing tank containing a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, comprising:
acquiring substrate information indicating information about the substrate before the substrate is immersed in the processing liquid in the processing tank;
a step of selecting either a liquid exchanging step or a concentration adjusting step as a processing liquid adjustment step for adjusting the processing liquid based on the substrate information;
When the liquid exchange step is selected in the selecting step, at least part of the processing liquid in the processing tank is discharged from the processing tank when the processing liquid in the processing tank does not satisfy a predetermined condition. a first processing liquid adjustment step of supplying sulfuric acid and hydrogen peroxide water to the processing tank to adjust the processing liquid in the processing tank;
When the concentration adjusting step is selected in the selecting step, the concentration of the processing liquid in the processing tank is adjusted while the processing liquid in the processing tank is circulated through a pipe connected to the processing tank. 2 treatment liquid adjustment step;
The processing liquid in the processing bath adjusted in the first processing liquid adjusting step or the second processing liquid adjusting step is circulated through a pipe connected to the processing bath, and the processing solution is added to the processing bath in the processing bath. and immersing the substrate.
前記基板情報を取得する工程において、前記基板情報が、前記基板のレジストにイオン注入が行われたこと、および、前記基板が素子分離されていることのいずれかを示す場合、前記選択する工程において、前記濃度調整工程を選択する、請求項1に記載の基板処理方法。 in the step of acquiring the substrate information, if the substrate information indicates that the resist of the substrate has been subjected to an ashing process, in the step of selecting, selecting the liquid replacement step;
In the step of acquiring the substrate information, if the substrate information indicates either that the resist of the substrate has been ion-implanted or that the substrate is element-isolated, in the selecting step 2. The substrate processing method according to claim 1, wherein said concentration adjusting step is selected.
前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に、前記処理槽の前記処理液の過酸化水素濃度を増加させるように前記処理槽に過酸化水素水を供給する工程と、
前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬した後に、前記処理槽の前記処理液の過酸化水素濃度を低下させる工程と
を含む、請求項1から5のいずれかに記載の基板処理方法。 The second treatment liquid adjustment step includes:
a step of supplying hydrogen peroxide solution to the processing bath so as to increase the concentration of hydrogen peroxide in the processing solution in the processing bath before the substrate is immersed in the processing solution in the processing bath;
6. The substrate processing method according to claim 1, further comprising reducing the concentration of hydrogen peroxide in said processing liquid in said processing tank after said substrate is immersed in said processing liquid in said processing tank.
前記処理槽の前記処理液が循環する配管を有する循環部と、
前記処理槽の前記処理液を排出する排液部と、
硫酸および過酸化水素水を前記処理槽に供給する処理液供給部と、
基板を保持し、前記基板を前記処理槽の前記処理液に浸漬する基板保持部と、
前記循環部、前記排液部、前記処理液供給部および前記基板保持部を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬する前に前記基板についての情報を示す基板情報に基づいて、前記処理液を調整する処理液調整工程として液交換工程および濃度調整工程のいずれかを選択し、
前記液交換工程が選択された場合、前記制御部は、前記処理槽の前記処理液が所定の条件を満たさないときに、前記処理槽の前記処理液の少なくとも一部を前記処理槽から排出し、前記処理液供給部が前記硫酸および前記過酸化水素水を前記処理槽に供給して前記処理槽の前記処理液を調整する第1処理液調整工程を行うように、前記排液部および前記処理液供給部を制御し、
前記濃度調整工程が選択された場合、前記制御部は、前記循環部の前記配管を介して前記処理槽の前記処理液を循環させながら前記処理液の濃度を調整する第2処理液調整工程を行うように、前記循環部および前記処理液供給部を制御し、
前記制御部は、前記第1処理液調整工程または前記第2処理液調整工程において調整された前記処理槽の前記処理液を前記循環部の前記配管を介して循環させながら前記処理槽の前記処理液に前記基板を浸漬するように、前記循環部および前記基板保持部を制御する、基板処理装置。 a processing tank for storing a processing liquid containing sulfuric acid and hydrogen peroxide;
a circulation unit having a pipe through which the processing liquid in the processing tank circulates;
a drainage unit for discharging the processing liquid from the processing tank;
a processing liquid supply unit that supplies sulfuric acid and hydrogen peroxide to the processing tank;
a substrate holding unit that holds a substrate and immerses the substrate in the processing liquid in the processing tank;
a control unit that controls the circulation unit, the drainage unit, the processing liquid supply unit, and the substrate holding unit;
Before the substrate is immersed in the processing liquid in the processing bath, the control unit performs a liquid replacement step and a concentration adjustment step as processing liquid adjustment steps for adjusting the processing liquid based on substrate information indicating information about the substrate. Select one of the processes,
When the liquid replacement step is selected, the control unit discharges at least part of the processing liquid in the processing tank from the processing tank when the processing liquid in the processing tank does not satisfy a predetermined condition. and the liquid draining section and the controlling the processing liquid supply,
When the concentration adjustment step is selected, the control unit performs a second treatment liquid adjustment step of adjusting the concentration of the treatment liquid while circulating the treatment liquid in the treatment tank through the pipe of the circulation unit. controlling the circulation unit and the processing liquid supply unit so as to perform
The control unit circulates the processing liquid in the processing bath adjusted in the first processing liquid adjusting step or the second processing liquid adjusting step through the piping of the circulation unit, while performing the processing in the processing bath. A substrate processing apparatus that controls the circulation section and the substrate holding section so as to immerse the substrate in a liquid.
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