KR20230110484A - Electronic device manufacturing method and glass plate group - Google Patents

Electronic device manufacturing method and glass plate group Download PDF

Info

Publication number
KR20230110484A
KR20230110484A KR1020237008892A KR20237008892A KR20230110484A KR 20230110484 A KR20230110484 A KR 20230110484A KR 1020237008892 A KR1020237008892 A KR 1020237008892A KR 20237008892 A KR20237008892 A KR 20237008892A KR 20230110484 A KR20230110484 A KR 20230110484A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
glass plate
glass
electronic device
manufacturing
resin layer
Prior art date
Application number
KR1020237008892A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
히로시 사와사토
Original Assignee
니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 filed Critical 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
Publication of KR20230110484A publication Critical patent/KR20230110484A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/28—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material
    • C03C17/32—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with organic material with synthetic or natural resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/0085—Compositions for glass with special properties for UV-transmitting glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

전자 디바이스의 제조 방법은 복수의 유리판(Gs)을 포함하는 유리판군(Gg)을 준비하는 준비 공정(S1)과, 전자 디바이스(D)를 유리판(Gs)에 형성하는 디바이스 형성 공정(S2)과, 유리판(Gs)을 전자 디바이스(D)의 수지층(6)으로부터 박리시키는 박리 공정(S3)을 구비한다. 복수의 유리판(Gs)에 있어서의 파장 308∼355nm의 투과율의 표준 편차는 3.0 이하이다.The manufacturing method of an electronic device includes a preparatory step (S1) for preparing a glass plate group (Gg) containing a plurality of glass plates (Gs), a device formation step (S2) for forming an electronic device (D) on a glass plate (Gs), and a peeling step (S3) for separating the glass plate (Gs) from the resin layer (6) of the electronic device (D). The standard deviation of the transmittance|permeability of wavelength 308-355nm in some glass plate Gs is 3.0 or less.

Description

전자 디바이스의 제조 방법 및 유리판군Electronic device manufacturing method and glass plate group

본 발명은 유기 EL 디스플레이 등의 전자 디바이스를 제조하는 방법, 및 이 제조 방법에 사용되는 유리판군에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electronic device such as an organic EL display, and a group of glass plates used in the manufacturing method.

플렉시블 디스플레이 등에 사용되는 유기 EL 디바이스는, 폴리이미드등의 수지층을 기판으로 하고, 그 상에 TFT층, 유기 EL 층 등을 형성함으로써 제조된다. 수지층은 유리판(캐리어 유리라고도 불린다) 상에 바니시형상 조성물을 도포 하고, 수지 성분의 열분해 온도 이하에서 일정 시간 열처리를 실시함으로써 형성된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).An organic EL device used for a flexible display or the like is manufactured by using a resin layer such as polyimide as a substrate and forming a TFT layer, an organic EL layer, or the like thereon. The resin layer is formed by applying a varnish-like composition on a glass plate (also called carrier glass) and subjecting it to heat treatment for a certain period of time at or below the thermal decomposition temperature of the resin component (see Patent Document 1, for example).

유기 EL 디바이스가 수지층 상에 형성되면, 유기 EL 디바이스(수지층)와 유리판을 박리시키는 박리 공정이 실행된다. 이 박리 공정에서는, 유기 EL 디바이스가 형성되는 유리판의 일방의 면과는 반대측으로부터 레이저를 조사해서 유리판과 수지층의 계면을 가열한다. 사용되는 레이저에는, XeCl 엑시머 레이저(파장 308nm), Nd-YAG 고체 레이저(파장 355nm), Yb-YAG 고체 레이저(파장 343nm) 등이 있다.When the organic EL device is formed on the resin layer, a peeling step of peeling the organic EL device (resin layer) and the glass plate is performed. In this peeling process, a laser is irradiated from the side opposite to one surface of the glass plate on which the organic EL device is formed, and the interface of a glass plate and a resin layer is heated. Lasers used include XeCl excimer laser (wavelength 308 nm), Nd-YAG solid-state laser (wavelength 355 nm), Yb-YAG solid-state laser (wavelength 343 nm), and the like.

상기와 같은 공정을 거쳐서 제조되는 유기 EL 디바이스는, 플렉시블하고, 양호한 디바이스 특성을 갖는다. 그 때문에 특히, 디스플레이나 터치 패널, 태양 전지 등의 플렉시블한 전자 디바이스의 제조에 사용되고 있다.An organic EL device manufactured through the above steps is flexible and has good device characteristics. Therefore, in particular, it is used for manufacturing flexible electronic devices such as displays, touch panels, and solar cells.

국제공개 제2014/073591호International Publication No. 2014/073591

전자 디바이스의 제조 공정에서는, 복수의 유리판을 포함하는 유리판군을 준비해 두고, 각 유리판에 대하여 유기 EL 디바이스를 순차 형성한다. 종래의 제조 공정에서는, 박리 공정에 있어서, 유리판으로부터의 수지층의 박리가 불충분하게 되는 유기 EL 디바이스가 포함되는 경우가 있었다. 구체적으로는, 유기 EL 디바이스에 있어서의 수지층의 일부가 유리판으로부터 박리되지 않고, 유리판 상에 잔존하는 경우가 있었다.In the manufacturing process of an electronic device, the glass plate group containing a some glass plate is prepared, and organic electroluminescent device is formed one by one with respect to each glass plate. In a conventional manufacturing process, in the peeling process, there was a case where an organic EL device in which the peeling of the resin layer from the glass plate was insufficient was included. Specifically, there was a case where a part of the resin layer in the organic EL device did not peel off from the glass plate and remained on the glass plate.

이 문제를 해결하는 방법으로서, 레이저의 조사 강도를 상승시키는 방법이 있다. 그러나, 이 방법에서는 수지층에 과잉한 열응력이 가해져, 유리판으로부터 수지층을 박리한 후에 수지층(수지 기판)과 TFT층 사이의 잔류 응력이 원인이 되어서 수지 기판에 주름(국소적인 막의 박리)이 발생할 우려가 있었다.As a method of solving this problem, there is a method of increasing the irradiation intensity of the laser. However, in this method, excessive thermal stress is applied to the resin layer, and after peeling the resin layer from the glass plate, residual stress between the resin layer (resin substrate) and the TFT layer causes wrinkles (local peeling of the film) in the resin substrate.

수지 기판에 주름이 발생하면, 유기 EL 디바이스의 동작 불량의 원인이 된다. 이것 때문에, 유기 EL 디바이스의 제조는 제품 수율이 낮아지고, 생산 비용이 증대할 우려가 있었다.When wrinkles are generated in the resin substrate, it becomes a cause of poor operation of the organic EL device. For this reason, in the manufacture of organic EL devices, there is a possibility that the product yield will be low and the production cost will increase.

본 발명은 전자 디바이스로부터 유리판을 박리할 때에, 전자 디바이스의 수지층에 주름이 발생하기 어려워지도록 하는 것을 기술적 과제로 한다.When peeling a glass plate from an electronic device, this invention makes it a technical subject to make it difficult for wrinkles to generate|occur|produce in the resin layer of an electronic device.

본 발명자는 다양한 검토를 행한 결과, 유리판과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 UV 레이저를 조사하는 공정에 있어서, 유리판군의 각 유리판에 대해서, 파장 308∼355nm의 투과율의 편차를 임의의 일정한 값 이하로 함으로써, 유리판과 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하기 쉬워져, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명으로서 제안하는 것이다.As a result of various investigations, the inventors of the present invention have found that, in the step of irradiating the interface between a glass plate and a resin layer of an electronic device with a UV laser, the variation in transmittance at a wavelength of 308 to 355 nm for each glass plate in a group of glass plates is set to a certain value or less to make it easier to uniformize the heating state at the interface between the glass plate and the resin layer, and to solve the above problems, and propose as the present invention.

즉, 본 발명은 복수의 유리판을 포함하는 유리판군을 준비하는 준비 공정과, 수지층을 포함하는 전자 디바이스를 상기 유리판에 형성하는 디바이스 형성 공정과, 상기 전자 디바이스의 상기 수지층과 상기 유리판의 계면을 가열함으로써, 상기 유리판을 상기 전자 디바이스의 상기 수지층으로부터 박리시키는 박리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서, 상기 복수의 상기 유리판은 상기 수지층이 형성되는 제 1 주면과, 상기 제 1 주면과는 반대측에 위치하는 제 2 주면을 갖고, 상기 복수의 유리판에 있어서의 파장 308nm∼355nm의 투과율의 표준 편차는, 3.0 이하인 것을 특징으로 한다.That is, the present invention is a manufacturing method of an electronic device comprising a preparation step of preparing a glass plate group including a plurality of glass plates, a device formation step of forming an electronic device including a resin layer on the glass plate, and a peeling step of peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device by heating an interface between the resin layer and the glass plate of the electronic device, wherein the plurality of the glass plates have a first main surface on which the resin layer is formed, and a second main surface located on the opposite side from the first main surface. It has a principal surface, and the standard deviation of the transmittance|permeability of wavelength 308nm - 355nm in the said some glass plate is 3.0 or less, It is characterized by the above-mentioned.

상기한 바와 같이, 복수의 유리판에 있어서의 파장 308nm∼355nm의 투과율에 따른 표준 편차를 3.0 이하로 함으로써, 박리 공정에 있어서, 유리판과 수지층의 계면의 가열 상태를 균일하게 하기 쉬워진다. 이것에 의해, 유리판을 수지층으로부터 박리시킬 때에, 유리판 상에 수지층이 잔존하기 어렵게 될 수 있다. 이것에 의해, 박리 공정에 있어서, 수지층에 주름이 발생하기 어려워진다. 또한, 파장 308nm∼355nm의 투과율에 따른 표준 편차를 3.0 이하로 한다란, 308nm∼355nm의 범위 내로부터 선택된 특정한 파장(예를 들면, 파장 308nm, 343nm 또는 355nm)에 있어서 투과율에 따른 표준 편차가 3.0 이하인 것을 의미하고, 308nm∼355nm의 범위 내의 모든 파장에 있어서 투과율에 따른 표준 편차가 3.0 이하인 것을 요구하지 않는다.As described above, by setting the standard deviation according to the transmittance of wavelengths of 308 nm to 355 nm in a plurality of glass plates to 3.0 or less, it is easy to make the heating state of the interface between the glass plate and the resin layer uniform in the peeling step. Thereby, when peeling a glass plate from a resin layer, it can become difficult for a resin layer to remain|survive on a glass plate. This makes it difficult for wrinkles to occur in the resin layer in the peeling step. In addition, the standard deviation according to the transmittance of a wavelength of 308 nm to 355 nm is 3.0 or less means that the standard deviation according to the transmittance is 3.0 or less at a specific wavelength selected from the range of 308 nm to 355 nm (for example, the wavelength of 308 nm, 343 nm or 355 nm), and the standard deviation according to the transmittance is required to be 3.0 or less for all wavelengths within the range of 308 nm to 355 nm. don't

상기 복수의 상기 유리판에 따른 판두께의 표준 편차(Δt)는 50㎛ 이하인 것이 바람직하다.It is preferable that the standard deviation (Δt) of the plate thickness according to the plurality of the glass plates is 50 µm or less.

유리판군의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차에 영향을 미치는 인자 중 하나가, 유리판군을 구성하는 각 유리판의 판두께의 변화이다. 본 발명에서는, 유리판의 판두께의 표준 편차(Δt)를 50㎛ 이하로 함으로써, 유리판군의 파장 308∼355nm에 있어서의 투과율의 편차를 작게 하는 것이 가능하다.One of the factors affecting the variation in transmittance in the wavelength range of 308 nm to 355 nm of the glass plate group is a change in the plate thickness of each glass plate constituting the glass plate group. In this invention, it is possible to make the variation of the transmittance in the wavelength range of 308-355 nm of a glass plate group small by making the standard deviation ((DELTA)t) of the plate|board thickness of a glass plate into 50 micrometers or less.

본 발명에서는, 상기 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량은 산화물 환산의 질량%로, 0.001∼0.05%인 것이 바람직하다.In the present invention, the content of Fe 2 O 3 in the glass plate is preferably 0.001 to 0.05% in terms of oxide mass.

유리판군의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 불균일에 영향을 미치는 다른 하나의 인자가, 유리판군을 구성하는 각 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량의 변화이다. Fe는 유리 중에 도입되면, 430nm 이하의 파장의 광, 및 1080nm를 중심으로 한 브로드한 파장 영역의 광을 흡수하는 성분이다. 따라서, 유리판군의 Fe2O3의 함유량이 변화되면 308nm∼355nm의 파장에 있어서의 투과율이 변화된다. 본 발명의 유리판군은 Fe2O3의 함유량을 0.001∼0.05%의 범위로 컨트롤함으로써, 유리판군의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차를 작게 하는 것이 가능하다.Another factor affecting the unevenness of the transmittance in the wavelength range of 308 nm to 355 nm of the glass plate group is a change in the content of Fe 2 O 3 in each glass plate constituting the glass plate group. Fe is a component that, when introduced into glass, absorbs light with a wavelength of 430 nm or less and light in a broad wavelength range centered on 1080 nm. Therefore, when the content of Fe 2 O 3 in the glass plate group is changed, the transmittance in the wavelength of 308 nm to 355 nm is changed. In the glass plate group of the present invention, the variation in transmittance in the wavelength range of 308 nm to 355 nm can be reduced by controlling the Fe 2 O 3 content in the range of 0.001 to 0.05%.

본 발명에서는, 상기 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량의 표준 편차는 산화물 환산의 질량%로, 0.0009% 이하인 것이 바람직하다. 이와 같이, 복수의 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량의 표준 편차를 0.0009% 이하로 컨트롤함으로써 유리판군의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차를 작게 하는 것이 가능해진다.In this invention , it is preferable that the standard deviation of content of Fe2O3 in the said glass plate is 0.0009 % or less in terms of oxide mass%. Thus, by controlling the standard deviation of the content of Fe 2 O 3 in a plurality of glass plates to 0.0009% or less, it becomes possible to reduce the variation in transmittance in the wavelength range of 308 nm to 355 nm of the glass plate group.

상기 유리판의 판두께는 2.0mm 이하인 것이 바람직하다. 유리판군의 판두께가 지나치게 두꺼우면, 박리 공정에 있어서 수지층의 박리에 사용하는 UV 레이저의 에너지가 유리판에 흡수되기 쉬워지고, 수지층이 박리되기 어려워져버린다. 본 발명에서는, 유리판의 판두께를 2.0mm 이하로 함으로써, 유리판을 전자 디바이스의 수지층으로부터 박리시키기 쉽게 한다.It is preferable that the plate|board thickness of the said glass plate is 2.0 mm or less. When the plate thickness of the glass plate group is too thick, the energy of the UV laser used for peeling the resin layer in the peeling step is easily absorbed by the glass plate, and the resin layer becomes difficult to peel. In this invention, it is made easy to peel a glass plate from the resin layer of an electronic device by making the plate|board thickness of a glass plate into 2.0 mm or less.

상기 준비 공정에서는, 판당김 방향을 따른 제 1 변과, 상기 판당김 방향과 직교하는 방향을 따른 제 2 변을 갖는 직사각형의 평가 영역이 상기 유리판에 대하여 설정되고, 상기 평가 영역의 표리 휘어짐 차는, -0.8∼0.8mm인 것이 바람직하다.In the preparation step, a rectangular evaluation area having a first side along the sheet pulling direction and a second side along a direction orthogonal to the sheet pulling direction is set for the glass plate, and the front-back warp difference of the evaluation area is preferably -0.8 to 0.8 mm.

유리판군의 표리 휘어짐 차가 지나치게 크면, 유리판의 형상이 요철이 큰 형상이 되고, 박리 공정에 있어서 UV 레이저로 유리판과 수지층의 계면을 가열해서 박리할 때에, 레이저의 초점 어긋남이 발생하기 쉽다. 그 결과, 유리판과 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태가 불균일해지기 쉽고, 수지층의 박리성이 저하한다. 본 발명에서는 표리 휘어짐 차의 상기의 수치 범위로 함으로써, 유리판을 수지층으로부터 바람직하게 박리시킬 수 있다.If the difference between the front and back curvature of the glass plate group is too large, the shape of the glass plate becomes a shape with large irregularities, and when peeling by heating the interface between the glass plate and the resin layer with a UV laser in the peeling step, the laser defocus is likely to occur. As a result, the heating state at the interface between the glass plate and the resin layer tends to become non-uniform, and the peelability of the resin layer decreases. In this invention, a glass plate can be preferably peeled from a resin layer by setting it as said numerical range of front-back warp difference.

또한, 상기 유리판은 200mm 이상의 변을 갖는 사각형인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 전자 디바이스를 효율 좋게 제조할 수 있다.In addition, the glass plate is preferably a rectangle having a side of 200 mm or more. Thereby, an electronic device can be efficiently manufactured.

상기 복수의 상기 유리판의 30∼380℃에 있어서의 선열팽창계수는, 30×10-7/℃∼50×10-7/℃인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 전자 디바이스의 제조할 때의 토탈 피치 어긋남의 발생을 방지함과 아울러, 유리판에 형성되는 수지층의 균열을 방지할 수 있다.It is preferable that the linear thermal expansion coefficient in 30-380 degreeC of the said some said glass plate is 30x10 -7 / degreeC - 50x10 -7 /degreeC. While preventing generation|occurrence|production of total pitch deviation at the time of manufacturing an electronic device by this, cracking of the resin layer formed in the glass plate can be prevented.

또한, 유리판의 열수축률은 30ppm 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 특히 저온 폴리실리콘(LTPS)을 사용한 유기 EL 디바이스를 제작할 때에, 토탈 피치 어긋남(TFT 패턴의 어긋남)을 최소한으로 억제할 수 있다.Moreover, it is preferable that the thermal contraction rate of a glass plate is 30 ppm or less. This makes it possible to minimize the total pitch deviation (displacement of the TFT pattern) when manufacturing an organic EL device using low-temperature polysilicon (LTPS) in particular.

상기 유리판의 파장 308nm에 있어서의 투과율은 60%∼85%인 것이 바람직하다. 상기 구성을 채용하면, XeCl 엑시머 레이저를 사용한 박리 공정에 있어서, 유리판을 전자 디바이스의 수지층으로부터 박리시킬 때에, 레이저의 출력을 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.It is preferable that the transmittance|permeability in the wavelength of 308 nm of the said glass plate is 60 % - 85 %. Adoption of the above configuration makes it possible to minimize the output of the laser when peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the XeCl excimer laser.

상기 유리판의 파장 343nm에 있어서의 투과율은 83%∼92%인 것이 바람직하다. 상기 구성을 채용하면, Yb-YAG 고체 레이저를 사용한 박리 공정에 있어서, 유리판을 전자 디바이스의 수지층으로부터 박리시킬 때에, 레이저의 출력을 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.It is preferable that the transmittance|permeability in the wavelength of 343 nm of the said glass plate is 83 % - 92 %. Adoption of the above structure makes it possible to minimize the output of the laser when peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the Yb-YAG solid-state laser.

상기 유리판의 파장 355nm에 있어서의 투과율은 87%∼92%인 것이 바람직하다. 상기 구성을 채용하면, Nd-YAG 고체 레이저를 사용한 박리 공정에 있어서, 유리판을 전자 디바이스의 수지층으로부터 박리시킬 때에, 레이저의 출력을 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.It is preferable that the transmittance|permeability in the wavelength of 355 nm of the said glass plate is 87 % - 92 %. Adoption of the above configuration makes it possible to minimize the output of the laser when peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device in the peeling step using the Nd-YAG solid-state laser.

본 발명에 있어서는, 유리판군을 구성하는 유리판이 산화물 환산의 질량%로, SiO2 50∼70%, Al2O3 10∼25%, B2O3 0.1∼5%, MgO+CaO+SrO+BaO 10∼30%를 함유하는 유리로 이루어지는 것이 바람직하다.In the present invention, the glass plates constituting the glass plate group are preferably made of glass containing 50 to 70% of SiO 2 , 10 to 25% of Al 2 O 3 , 0.1 to 5% of B 2 O 3 , and 10 to 30% of MgO + CaO + SrO + BaO in terms of mass% in terms of oxide.

디바이스 형성 공정에 있어서 유리판에 형성되는 상기 수지층은 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유해도 된다. 상기 구성을 채용하면, 플렉시블하고, 양호한 디바이스 특성을 갖는 유기 EL 디바이스를 제작할 수 있다.In the device forming step, the resin layer formed on the glass plate may contain at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polyetherimide, and polyesterimide. Adoption of the above configuration makes it possible to fabricate a flexible organic EL device having good device characteristics.

본 발명에 의하면, 전자 디바이스로부터 유리판을 박리할 때에, 전자 디바이스의 수지층에 주름이 발생하기 어려워지도록 하는 것이 가능해진다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, when peeling a glass plate from an electronic device, it becomes possible to make it difficult for wrinkles to generate|occur|produce in the resin layer of an electronic device.

도 1은 전자 디바이스의 제조 방법을 나타내는 플로우 차트이다.
도 2는 유리판이 세로방향 자세로 적재된 팰릿을 나타내는 측면도이다.
도 3은 유리판이 가로방향 자세로 적재된 팰릿을 나타내는 측면도이다.
도 4는 유리판의 사시도이다.
도 5는 성형 로의 정면 단면도이다.
도 6은 도 5의 VI-VI화살표 시선에 따른 성형 로의 단면도이다.
도 7은 평가 영역이 설정된 유리판의 평면도이다.
도 8은 유리판의 휘어짐 차를 설명하기 위한 개념도이다.
도 9a는 디바이스 형성 공정을 나타내는 측면도이다.
도 9b는 디바이스 형성 공정을 나타내는 측면도이다.
도 9c는 디바이스 형성 공정을 나타내는 측면도이다.
도 10a는 박리 공정을 나타내는 측면도이다.
도 10b는 박리 공정을 나타내는 측면도이다.
도 10c는 박리 공정을 나타내는 측면도이다.
도 10d는 박리 공정을 나타내는 측면도이다.
도 11a는 열수축률의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 11b는 열수축률의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
도 11c는 열수축률의 측정 방법을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a flow chart showing a manufacturing method of an electronic device.
Fig. 2 is a side view showing a pallet on which glass plates are stacked in a vertical orientation.
Fig. 3 is a side view showing a pallet on which glass plates are stacked in a horizontal orientation;
4 is a perspective view of a glass plate.
5 is a front sectional view of a forming furnace.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the molding furnace taken along the line of arrow VI-VI in FIG. 5;
7 is a plan view of a glass plate in which evaluation regions are set.
8 is a conceptual diagram for explaining a warp difference of a glass plate.
9A is a side view illustrating a device forming process.
9B is a side view illustrating a device forming process.
9C is a side view illustrating a device forming process.
10A is a side view showing a peeling process.
10B is a side view showing a peeling process.
10C is a side view showing a peeling process.
10D is a side view showing a peeling process.
11A is a plan view for explaining a method for measuring thermal contraction rate.
11B is a plan view for explaining a method for measuring thermal contraction rate.
11C is a plan view for explaining a method for measuring thermal contraction rate.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1 내지 도 10은 본 발명에 따른 전자 디바이스의 제조 방법, 및 이 방법에 사용되는 유리판군의 일실시형태를 나타낸다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated, referring drawings. 1 to 10 show an embodiment of a method for manufacturing an electronic device according to the present invention and a group of glass plates used in the method.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 방법은 복수의 유리판을 포함하는 유리판군을 준비하는 준비 공정(S1)과, 수지층(수지 기판)을 포함하는 전자 디바이스를 캐리어 유리로서의 유리판에 형성하는 디바이스 형성 공정(S2)과, 전자 디바이스의 수지층과 유리판의 계면을 가열하고, 유리판을 수지층으로부터 박리시키는 박리 공정(S3)을 구비한다. 이하, 전자 디바이스로서 유기 EL 디바이스(유기 EL 디스플레이)를 제조하는 경우를 예로서 설명한다.As shown in Fig. 1, the method includes a preparation step (S1) of preparing a glass plate group comprising a plurality of glass plates, a device formation step (S2) of forming an electronic device including a resin layer (resin substrate) on a glass plate as a carrier glass, and a peeling step (S3) of heating the interface between the resin layer of the electronic device and the glass plate to separate the glass plate from the resin layer. Hereinafter, a case where an organic EL device (organic EL display) is manufactured as an electronic device will be described as an example.

도 2 및 도 3은 준비 공정(S1)에 있어서 준비되는 유리판군의 예를 나타낸다.2 and 3 shows an example of a glass plate group prepared in a preparatory step (S1).

도 2에 나타내는 바와 같이, 유리판군(Gg)은 하나의 세로방향 팰릿(1) 상에 세로자세(수평방향에 대하여 45°∼80°의 경사자세가 바람직하고, 60°∼75°가 보다 바람직하다)로 적재된 복수의 유리판(Gs)을 포함한다. 팰릿(1)은 세로자세의 유리판(Gs)의 적층체로 이루어지는 유리판군(Gg)의 저면을 지지하는 저면 지지부(1a)와, 유리판군(Gg)의 배면을 지지하는 배면 지지부(1b)를 구비하고 있다.As shown in Fig. 2, the glass plate group Gg includes a plurality of glass plates Gs stacked on one vertical pallet 1 in a vertical position (preferably inclined at 45 ° to 80 ° relative to the horizontal direction, and more preferably at 60 ° to 75 °). The pallet 1 is equipped with a bottom support part 1a supporting the bottom surface of the glass plate group Gg which consists of a laminated body of glass plate Gs in a vertical position, and a back support part 1b for supporting the back surface of the glass plate group Gg.

도 3에 나타내는 바와 같이, 유리판군(Gg)은 하나의 가로방향 팰릿(2) 상에 가로자세(0°（수평자세)∼30°가 바람직하고, 0°∼15°가 보다 바람직하다)로 적층된 복수의 유리판(Gs)을 포함해도 된다. 팰릿(2)은 가로자세의 유리판(Gs)의 적층체로 이루어지는 유리판군(Gg)의 저면을 지지하는 저면 지지부(2a)를 구비하고 있다.As shown in Fig. 3, the glass plate group Gg may include a plurality of glass plates Gs stacked on one horizontal pallet 2 in a horizontal position (preferably 0 ° (horizontal position) to 30 °, and more preferably 0 ° to 15 °). The pallet 2 is equipped with the bottom surface support part 2a which supports the bottom surface of the glass plate group Gg which consists of a laminated body of glass plate Gs in a horizontal position.

상기의 유리판군(Gg)에 있어서, 유리판(Gs)의 각 상호 간에, 종이(합지)나 발포 수지 시트 등의 보호 시트를 끼우는 것이 바람직하다. 유리판군(Gg)에 포함되는 유리판(Gs)의 매수는, 예를 들면 50매∼500매로 할 수 있다.In the above glass plate group Gg, it is preferable to sandwich a protective sheet such as paper (laminated paper) or a foamed resin sheet between each of the glass plates Gs. The number of sheets of glass plate Gs contained in glass plate group Gg can be 50 - 500 sheets, for example.

여기에서, 유리판군(Gg)의 투과율 및 그 표준 편차를 측정하는 방법에 대해서 설명한다. 유리판군(Gg)으로부터 랜덤으로 추출된 20매의 유리판(Gs)에 대해서, 50mm×50mm 사이즈로 절단 가공한 샘플을 제작하고, 각 샘플에 대하여 투과율을 측정한다.Here, the method of measuring the transmittance|permeability of glass plate group Gg and its standard deviation is demonstrated. About 20 glass plates Gs randomly extracted from the glass plate group Gg, samples cut into 50 mm × 50 mm in size are prepared, and the transmittance of each sample is measured.

투과율의 측정에서는, 샘플을 분석 광도계에 설치하고, 파장 308nm, 343nm, 355nm의 투과율의 정점 측정을 행한다. 이 정점 측정에서는, 샘플의 정점에 대하여 300회의 투과율의 측정을 행하고, 그 평균값을 상기 샘플의 투과율로 한다. 20매의 샘플의 투과율의 평균값을, 유리판군(Gg)의 투과율로 하고, 20매의 샘플의 투과율의 표준 편차를, 유리판군(Gg)의 투과율의 표준 편차로 한다.In the measurement of transmittance, a sample is installed in an analysis photometer, and transmittance peak measurements are performed at wavelengths of 308 nm, 343 nm, and 355 nm. In this vertex measurement, transmittance is measured 300 times with respect to the vertices of the sample, and the average value thereof is taken as the transmittance of the sample. Let the average value of the transmittance of 20 samples be the transmittance of the glass plate group Gg, and let the standard deviation of the transmittance of the 20 samples be the standard deviation of the transmittance of the glass plate group Gg.

유리판군(Gg)의 파장 308∼355nm에 있어서의 투과율의 표준 편차는 3.0 이하, 2.5 이하, 2.2 이하, 1.8 이하, 1.5 이하, 1.3 이하, 1.1 이하, 1.0 이하, 0.9 이하, 0.8 이하, 0.7 이하, 특히 0.4 이하인 것이 바람직하다.The standard deviation of the transmittance of the glass plate group Gg at a wavelength of 308 to 355 nm is 3.0 or less, 2.5 or less, 2.2 or less, 1.8 or less, 1.5 or less, 1.3 or less, 1.1 or less, 1.0 or less, 0.9 or less, 0.8 or less, 0.7 or less, particularly preferably 0.4 or less.

표준 편차가 지나치게 크면, 박리 공정(S3)에 있어서 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하는 것이 곤란하고, 유리판(Gs)으로부터 수지층이 깨끗하게 박리되지 않고, 유리판(Gs)으로부터 박리 후의 수지층에 주름이 발생할 우려가 있다. 한편, 표준 편차가 지나치게 작은 경우, 유리 원료 중의 Fe2O3 혼입을 한정없이 제로로 할 필요가 있다. 그 때문에 극단적으로 순도가 높은 유리 원료를 사용할 필요가 있고, 제조 비용이 대폭 상승한다. 게다가, 판두께의 표준 편차(Δt)를 작게 하기 위해서, 오버플로우 다운드로우법으로 유리판(Gs)을 성형할 때의 판당김 스피드가 극단적으로 저하하고, 생산성이 대폭 악화한다. 상술한 제조 비용, 생산성의 관점에서, 유리판군(Gg)의 파장 308∼355nm에 있어서의 투과율의 표준 편차는, 0.01 이상으로 하는 것이 바람직하다.If the standard deviation is too large, it is difficult to make the heating state at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device uniform in the peeling step (S3), and the resin layer is not peeled cleanly from the glass plate Gs. There is a fear that wrinkles may occur in the resin layer after peeling from the glass plate Gs. On the other hand, when the standard deviation is too small, it is necessary to make the Fe 2 O 3 mixing in the glass raw material zero without limitation. Therefore, it is necessary to use glass raw materials with extremely high purity, and the manufacturing cost increases significantly. In addition, in order to reduce the standard deviation (Δt) of the plate thickness, the plate pulling speed at the time of forming the glass plate Gs by the overflow down-draw method is extremely reduced, and productivity is greatly deteriorated. It is preferable that the standard deviation of the transmittance|permeability in the wavelength range of 308-355 nm of the glass plate group Gg is 0.01 or more from a viewpoint of the above-mentioned manufacturing cost and productivity.

계속해서, 유리판군(Gg)의 판두께(t)의 표준 편차(Δt)를 측정하는 방법에 대해서 설명한다. 유리판군(Gg)으로부터 랜덤으로 추출된 20매의 유리판(Gs)에 대해서, 판두께(t)의 측정을 행한다. 판두께(t)의 측정에서는, 마이크로미터 등에 의해 판두께(t)를 20mm 피치로 판당김 방향과 직교하는 방향을 따라 측정한다.Then, the method of measuring the standard deviation (DELTA)t of the plate|board thickness t of the glass plate group Gg is demonstrated. About the glass plate Gs of 20 sheets extracted at random from the glass plate group Gg, the plate|board thickness t is measured. In the measurement of the plate thickness t, the plate thickness t is measured along a direction orthogonal to the plate pulling direction at a pitch of 20 mm with a micrometer or the like.

그 후, 얻어진 측정 결과로부터 판두께(t)의 평균값을 산출해서 상기 유리판(Gs)의 판두께(t)로 한다. 20매의 유리판(Gs)의 판두께(t)의 평균값을 유리판군(Gg)의 유리판(Gs)의 판두께(t)로 하고, 20매의 유리판(Gs)의 판두께(t)의 표준 편차를, 유리판군(Gg)의 판두께의 표준 편차로 한다. 판두께(t)는 2.0mm 이하, 1.5mm 이하, 1.0mm 이하, 0.7mm 이하, 특히 0.6mm 이하인 것이 바람직하다.Then, the average value of the plate thickness t is calculated from the obtained measurement result, and it is set as the plate thickness t of the said glass plate Gs. The average value of the plate thickness t of the 20 glass plates Gs is taken as the plate thickness t of the glass plate Gs of the glass plate group Gs, and the standard deviation of the plate thickness t of the 20 glass plates Gs is taken as the standard deviation of the plate thickness of the glass plate group Gg. The plate thickness t is preferably 2.0 mm or less, 1.5 mm or less, 1.0 mm or less, 0.7 mm or less, particularly 0.6 mm or less.

판두께(t)가 지나치게 두꺼우면, 박리 공정(S3)에 있어서 사용되는 UV 레이저의 에너지가 유리판(Gs)에 흡수되기 쉬워지고, 전자 디바이스의 수지층이 유리판으로부터 박리되기 어렵게 되어버린다. 한편, 유리판의 휘어짐을 방지하는 관점에서, 판두께(t)는 0.1mm 이상으로 하는 것이 바람직하다.When the plate thickness t is too thick, the energy of the UV laser used in the peeling step S3 is easily absorbed by the glass plate Gs, and the resin layer of the electronic device becomes difficult to peel from the glass plate. On the other hand, from the viewpoint of preventing warping of the glass plate, the plate thickness t is preferably 0.1 mm or more.

또한, 유리판군(Gg)의 판두께의 표준 편차(Δt)는, 50㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 27㎛ 이하, 25㎛ 이하, 특히 20㎛ 이하인 것이 바람직하다.The standard deviation (Δt) of the plate thickness of the glass plate group Gg is preferably 50 µm or less, 40 µm or less, 35 µm or less, 30 µm or less, 27 µm or less, 25 µm or less, particularly 20 µm or less.

판두께의 표준 편차(Δt)가 지나치게 크면, 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차가 커지고, 박리 공정(S3)에 있어서 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하는 것이 곤란하게 된다. 한편, 생산성의 관점에서, 판두께의 표준 편차(Δt)는 1㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.If the standard deviation (Δt) of the plate thickness is too large, the variation in transmittance in the wavelength range of 308 nm to 355 nm becomes large, and it is difficult to uniform the heating state at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device in the peeling step (S3). On the other hand, from the viewpoint of productivity, the standard deviation (Δt) of the sheet thickness is preferably 1 µm or more.

계속해서, 유리판군(Gg)의 Fe2O3 함유량의 표준 편차를 측정하는 방법에 대해서 설명한다. 유리판군(Gg)으로부터 랜덤으로 추출된 20매의 유리판(Gs)에 대해서, 화학 분석법에 의해 Fe2O3 함유량을 측정한다. 상술하면 유리 시료를 분쇄, 건조 후, 산용액을 사용해서 시료를 용액화하고, ICP-OES를 사용해서 용액 중의 Fe 농도를 측정한다. 이것을 유리 중의 함유량으로 환산하고, Fe2O3 함유량을 구한다. 20매의 유리판(Gs)의 Fe2O3 함유량으로부터 표준 편차를 산출해서 유리판군(Gg)의 Fe2O3함유량의 표준 편차로 한다. 유리판군(Gg)의 Fe2O3 함유량의 표준 편차가, 산화물 환산의 질량%로, 0.0009% 이하, 0.0008% 이하, 특히 0.0007% 이하인 것이 바람직하다.Then, the method of measuring the standard deviation of the Fe2O3 content of the glass plate group Gg is demonstrated . About 20 glass plates (Gs) randomly extracted from the glass plate group (Gg), the Fe 2 O 3 content is measured by a chemical analysis method. In detail, after crushing and drying the glass sample, the sample is made into a solution using an acid solution, and the Fe concentration in the solution is measured using ICP-OES. This is converted into the content in the glass to determine the Fe 2 O 3 content. A standard deviation is calculated from the Fe 2 O 3 content of the glass plate Gs of 20 sheets, and it is set as the standard deviation of the Fe 2 O 3 content of the glass plate group Gg. It is preferable that the standard deviation of the Fe 2 O 3 content of the glass plate group (Gg) is 0.0009% or less, 0.0008% or less, particularly 0.0007% or less in terms of mass% in terms of oxide.

Fe2O3의 함유량의 표준 편차가 지나치게 크면, 유리판군(Gg)의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차가 커지고, 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하는 것이 곤란하게 된다. 한편, 제조 비용의 관점에서, Fe2O3의 함유량의 표준 편차(Δt)는 0.0001% 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 유리판(Gs)에 따른 성분의 상세에 대해서는 후술한다.If the standard deviation of the content of Fe 2 O 3 is too large, the variation in transmittance of the glass plate group Gg in the wavelength range of 308 nm to 355 nm becomes large, and it becomes difficult to make the heating state uniform at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device. On the other hand, from the viewpoint of manufacturing cost, the standard deviation (Δt) of the Fe 2 O 3 content is preferably 0.0001% or more. In addition, the detail of the component according to glass plate Gs is mentioned later.

도 4에 나타내는 바와 같이, 상기한 바와 같이 해서 제조된 유리판(Gs)은 제 1 변(Ga) 및 제 2 변(Gb)을 갖는 사각형상으로 구성된다. 각 변(Ga, Gb)은 200mm 이상, 500mm 이상, 800mm 이상, 특히 1000mm 이상인 것이 바람직하다.As shown in FIG. 4, the glass plate Gs manufactured by doing it above is comprised in the quadrangular shape which has a 1st side Ga and a 2nd side Gb. It is preferable that each side (Ga, Gb) is 200 mm or more, 500 mm or more, 800 mm or more, especially 1000 mm or more.

유리판(Gs)의 변(Ga, Gb)의 길이 치수가 지나치게 작으면, 전자 디바이스의 생산량을 늘리기 위해서 극단적으로 많은 유리판(Gs)이 필요하게 되고, 생산성이 악화한다. 또한, 사각형 이외의 형상의 유리판(Gs)을 사용한 경우, 제품 형상으로 잘라 낼 때의 로스가 늘어나서 생산성이 악화한다. 한편, 각 변(Ga, Gb)의 길이의 상한은 예를 들면, 3000mm로 할 수 있다.When the length dimension of the sides Ga and Gb of the glass plate Gs is too small, in order to increase the amount of production of electronic devices, extremely many glass plates Gs will be required, and productivity will deteriorate. Moreover, when glass plate Gs of shapes other than a rectangle is used, loss at the time of cutting out into a product shape increases and productivity deteriorates. On the other hand, the upper limit of the length of each side Ga, Gb can be 3000 mm, for example.

유리판(Gs)은 전자 디바이스가 형성되는 제 1 주면(GS1)과, 제 1 주면(GS1)의 반대측에 위치하는 제 2 주면(GS2)을 갖는다.The glass plate Gs has a first main surface GS1 on which electronic devices are formed, and a second main surface GS2 located on the opposite side of the first main surface GS1.

이하, 유리판(Gs)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 유리판(Gs)은 소망의 유리 조성이 되도록 조합한 유리 원료를 연속 용융 로에 투입하고, 유리 원료를 가열 용융하고, 탈포한 후, 성형 로에 공급한 후에 용융 유리를 판형상으로 성형하고, 서랭 등함으로써 제조할 수 있다.Hereinafter, the manufacturing method of glass plate Gs is demonstrated. The glass sheet Gs can be produced by introducing glass raw materials prepared into a desired glass composition into a continuous melting furnace, heating and melting the glass raw materials, defoaming them, supplying them to a forming furnace, forming the molten glass into a plate shape, and slowly cooling the glass.

유리판(Gs)은 요구되는 양호한 성형 품위의 유리판(Gs)을 제조하는 관점에서, 오버플로우 다운드로우법을 사용해서 성형되는 것이 바람직하다. 도 5 및 도 6은 오버플로우 다운드로우법을 실시하는 것이 가능한 성형 로를 나타낸다.It is preferable that the glass plate Gs is molded using the overflow down-draw method from the viewpoint of manufacturing the glass plate Gs of required good molding quality. 5 and 6 show a molding furnace capable of carrying out the overflow down-draw method.

도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 성형 로(3)는 성형체(4)와, 성형체(4)를 덮는 노 벽부(5a∼5f)를 갖는다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 성형체(4)는 용융 유리(Gm)를 넘쳐 흘리는 오버 플로우 홈(4a)과, 용융 유리(Gm)를 하방으로 안내하는 측벽부(4b, 4c)와, 용융 유리(Gm)를 융합시키는 하단부(4d)를 갖는다.As shown in FIGS. 5 and 6 , the molding furnace 3 has a molded object 4 and furnace wall portions 5a to 5f covering the molded object 4 . As shown in Fig. 6, the molded body 4 has an overflow groove 4a that overflows the molten glass Gm, side wall portions 4b and 4c that guide the molten glass Gm downward, and a lower end portion 4d that fuses the molten glass Gm.

노 벽부(5a∼5f)는, 각각이 단일 부재의 내화물을 절삭 가공해서 제작되는 것이 바람직하다. 접합 부재(작은 내화물 블록을 모르타르 등으로 접합해서 제작된 부재)의 내화물로 노 벽부(5a∼5f)를 제작하는 방법도 있지만, 접합 부재 자체의 접합 개소에 크랙이 발생한다고 하는 문제가 있다.It is preferable that each of the furnace wall portions 5a to 5f is produced by cutting a refractory material of a single member. There is also a method of fabricating the furnace wall portions 5a to 5f with refractories of joint members (members produced by joining small refractory blocks with mortar or the like), but there is a problem that cracks occur at the joints of the joining members themselves.

노 벽부(5a∼5f)에 크랙이 생기면, 크랙을 통해서 외기가 성형 로(3) 내에 침입하고, 국소적인 용융 유리(Gm)의 온도 저하를 일으킨다. 그 결과, 용융 유리(Gm)의 온도 저하가 발생된 부위에서 유리 리본(Gr)의 판두께에 변화가 발생하고, 이것에 의한 유리판(Gs)의 판두께(t)의 편차가 커진다.When cracks occur in the furnace wall portions 5a to 5f, outside air enters the molding furnace 3 through the cracks, causing a local temperature drop of the molten glass Gm. As a result, a change occurs in the plate thickness of the glass ribbon Gr at the site where the temperature drop of the molten glass Gm has occurred, and thereby the variation in the plate thickness t of the glass plate Gs increases.

또한, 성형체(4)에 의해 성형된 용융 유리(Gm)는 판두께(t)의 변화에 의해 휘어진 형상이 되기 쉽고, 결과적으로 유리판(Gs)의 표리 휘어짐 차가 커진다. 본 실시형태에서는, 성형 로(3)의 노 벽부(5a∼5f)에 단일 부재의 내화물을 사용함으로써, 판두께(t)의 편차가 작고, 표리 휘어짐 차가 작은 유리판(Gs)을 제작할 수 있다.Moreover, the molten glass Gm molded by the molded object 4 tends to become a curved shape by the change of plate thickness t, and as a result, the front-back warp difference of glass plate Gs becomes large. In this embodiment, by using a single refractory material for the furnace wall portions 5a to 5f of the molding furnace 3, it is possible to produce a glass plate Gs with a small variation in the plate thickness t and a small front-back warp difference.

오버플로우 다운드로우법에서는 우선, 용융 유리(Gm)를 성형체(4)의 오버플로우 홈(4a)의 양측으로부터 넘쳐 흘린다. 또한, 측벽부(4b, 4c)를 따라서 유하하는 용융 유리(Gm)를 성형체(4)의 하단부(4d)에서 융합 일체화한다. 이것에 의해, 용융 유리(Gm)는 판형상의 유리 리본(Gr)으로서 성형된다.In the overflow down-draw method, first, molten glass Gm is overflowed from both sides of the overflow groove 4a of the molded body 4 . Further, the molten glass Gm flowing down along the side wall portions 4b and 4c is fused and integrated at the lower end portion 4d of the molded body 4 . Thereby, molten glass Gm is shape|molded as plate-shaped glass ribbon Gr.

그 후, 유리 리본(Gr)을 롤러로 끼워서 폭 방향으로 잡아 늘리면서, 하방으로 연신 성형(판당김)함으로써, 유리 리본(Gr)의 폭 및 두께를 소망의 치수로 한다. 또한, 도 5 및 도 6에 있어서, 유리 리본(Gr)의 판당김 방향을 부호 X로 나타낸다.After that, the width and thickness of the glass ribbon Gr are made into desired dimensions by stretching the glass ribbon Gr downward with a roller and stretching it in the width direction (pulling). In addition, in FIG. 5 and FIG. 6, the board pulling direction of glass ribbon Gr is shown by the symbol X.

그 후, 서랭 공정, 냉각 공정, 절단 공정을 거쳐서, 유리 리본(Gr)으로부터 사각형상의 유리판(Gs)이 제조된다.Then, the rectangular glass plate Gs is manufactured from the glass ribbon Gr through a slow cooling process, a cooling process, and a cutting process.

상기의 오버플로우 다운드로우법의 경우, 유리판(Gs)의 표면이 되어야 할 용융 유리(Gm)의 외표면은 성형체(4)에 접촉하지 않고, 자유 표면의 상태로 성형된다. 이것에 의해, 오버플로우 다운드로우법에 의해 제조되는 유리판(Gs)은 다른 성형 방법인 플로트법, 슬롯다운 드로우법, 리드로우법 등에 비해서 표면 품위가 양호한 것이 된다.In the case of the overflow down-draw method described above, the outer surface of the molten glass Gm to be the surface of the glass plate Gs is formed in a free surface state without contacting the molded object 4. Thereby, the surface quality of the glass plate Gs manufactured by the overflow down-draw method is higher than that of the float method, the slot down-draw method, the re-draw method, etc., which are other molding methods.

상기한 바와 같이 해서 제조된 유리판(Gs)의 표리 휘어짐 차는, -0.8∼0.8mm, -0.7∼0.7mm, -0.6∼0.6mm, 특히 -0.5∼0.5mm인 것이 바람직하다. 유리판(Gs)의 표리 휘어짐 차는, 이하와 같이 해서 측정된다.It is preferable that the front-back warpage difference of the glass plate Gs manufactured by performing it above is -0.8-0.8 mm, -0.7-0.7 mm, -0.6-0.6 mm, especially -0.5-0.5 mm. The front and back warp difference of glass plate Gs is measured as follows.

우선, 도 7에 나타내는 바와 같이, 유리판(Gs)으로부터 판당김 방향 X를 따른 제 1 변(EAa)과, 상기 판당김 방향과 직교하는 방향 Y를 따른 제 2 변(EAb)을 갖는 직사각형의 평가 영역(EA)을 유리판(Gs)으로부터 잘라낸다. 직사각형의 평가 영역(EA)의 각 변(EAa, EAb)은 250∼500mm로 하는 것으로 한다.First, as shown in FIG. 7 , a rectangular evaluation area EA having a first side EAa along the sheet pulling direction X and a second side EAb along the direction Y orthogonal to the sheet pulling direction is cut out from the glass plate Gs. Each side EAa, EAb of the rectangular evaluation area|region EA shall be 250-500 mm.

다음에, 도 8에 나타내는 바와 같이, 평가 영역(EA)을 잘라냄으로써 형성된 유리판편(Gp)의 제 1 주면(GS1)을 상측으로 하고, 판당김 방향과 직교하는 방향 Y를 따른 제 2 변(EAb)의 양단부를 지지한 경우에 발생하는 유리판편(Gp)의 만곡량(W1)과, 이 유리판편(Gp)의 제 2 주면(GS2)을 상측으로 해서 동일한 방법으로 발생하는 유리판편(Gp)의 만곡량(W2)를 측정하고, 그 차(W1-W2)를 표리 휘어짐 차로서 산출한다. 그 때, 지지 간격(L)은 제 2 변(EAb)의 길이로부터 20mm를 뺀 값으로 한다. 표리 휘어짐 차는, 지지 간격(L)이 350mm가 되도록 (W1-W2)×(350/L)로 환산하는 것으로 한다. 표리 휘어짐 차는, 각 평가 영역(EA)에 대해서 측정한다. 표리 휘어짐 차가 -0.8∼0.8mm이면, 전부의 평가 영역(EA)의 표리 휘어짐 차가 -0.8∼0.8mm인 것을 의미한다.Next, as shown in FIG. 8, the first main surface GS1 of the glass plate piece Gp formed by cutting the evaluation area EA is turned upward, and both ends of the second side EAb along the direction Y orthogonal to the plate pulling direction are supported. The amount of curvature W1 of the glass plate piece Gp generated when the second main surface GS2 of the glass plate piece Gp is turned upward, and the glass plate piece generated in the same way The amount of curvature (W2) of Gp) is measured, and the difference (W1 - W2) is calculated as the difference in front and back curvature. At that time, the support interval L is a value obtained by subtracting 20 mm from the length of the second side EAb. The difference in front and back warping shall be converted into (W1-W2) x (350/L) so that the support interval L is 350 mm. The front-back warp difference is measured for each evaluation area EA. If the front-back warp difference is -0.8 to 0.8 mm, it means that the front and back warp difference of all evaluation areas EA is -0.8 to 0.8 mm.

표리 휘어짐 차가 지나치게 크면, 유리판(Gs)의 형상이 요철이 큰 형상이 되고, 박리 공정(S3)에 있어서 UV 레이저로 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면을 가열해서 박리할 때에, 레이저의 초점 어긋남이 발생하기 쉽다. 그 결과, 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태가 불균일해지기 쉽고, 전자 디바이스의 수지층의 박리성이 저하한다.If the front and back warp difference is too large, the shape of the glass plate Gs becomes a shape with large irregularities, and in the peeling step (S3), when heating and peeling the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device with a UV laser, laser defocusing is likely to occur. As a result, the heating state in the interface of the glass plate Gs and the resin layer of an electronic device becomes nonuniform easily, and the peelability of the resin layer of an electronic device falls.

유리판(Gs)의 30∼380℃에 있어서의 선열팽창계수는, 30×10-7/℃∼50×10-7/℃, 33×10-7/℃∼47×10-7/℃, 특히 35×10-7/℃∼45×10-7/℃인 것이 바람직하다.The linear thermal expansion coefficient of the glass plate Gs at 30 to 380°C is preferably 30×10 -7 /°C to 50×10 -7 /°C, 33×10 -7 /°C to 47×10 -7 /°C, particularly 35×10 -7 /°C to 45×10 -7 /°C.

열팽창계수가 지나치게 크면, 특히 저온 폴리실리콘(LTPS)을 사용한 유기 EL 디바이스를 제작할 때에, 토탈 피치 어긋남(TFT 패턴의 어긋남)이 발생하기 쉬워진다. 한편, 열팽창계수가 지나치게 작으면, 수지층과의 열팽창계수의 차가 커지고, 수지층에 균열이 발생하기 쉬워진다.If the coefficient of thermal expansion is too large, total pitch shift (TFT pattern shift) tends to occur, especially when manufacturing an organic EL device using low-temperature polysilicon (LTPS). On the other hand, when the coefficient of thermal expansion is too small, the difference in coefficient of thermal expansion with the resin layer becomes large, and cracks tend to occur in the resin layer.

유리판(Gs)은 파장 308nm에 있어서의 판두께 방향의 투과율이 60% 이상, 63% 이상, 67% 이상, 특히 70% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판(Gs)은 파장 343nm에 있어서의 판두께 방향의 투과율이 83% 이상, 84% 이상, 85% 이상, 특히 87% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판(Gs)은 파장 355nm에 있어서의 판두께 방향의 투과율이 87% 이상, 88% 이상, 특히 89% 이상인 것이 바람직하다. 투과율이 지나치게 작으면 수지층의 박리에 사용하는 UV 레이저의 에너지가 유리판(Gs)에 흡수되기 쉬워지고, 수지층이 박리되기 어려워져버린다.The transmittance of the glass plate Gs in the plate thickness direction at a wavelength of 308 nm is preferably 60% or more, 63% or more, 67% or more, particularly 70% or more. Moreover, it is preferable that the transmittance|permeability of the plate|board thickness direction in wavelength 343nm of glass plate Gs is 83 % or more, 84 % or more, 85 % or more, especially 87 % or more. Moreover, it is preferable that the transmittance|permeability of the plate|board thickness direction in wavelength 355nm of glass plate Gs is 87 % or more, 88 % or more, especially 89 % or more. When the transmittance is too small, the energy of the UV laser used for peeling the resin layer is easily absorbed by the glass plate Gs, and the resin layer becomes difficult to peel.

유리판(Gs)은 유리 구성 성분으로서 산화물 환산의 질량%로, SiO2 50∼70%, Al2O3 10∼25%, B2O3 0.1∼5%, MgO+CaO+SrO+BaO 15∼30%, Fe2O3 0.001∼0.05을 함유하는 것이 바람직하다.The glass plate (Gs) preferably contains 50 to 70% of SiO 2 , 10 to 25% of Al 2 O 3 , 0.1 to 5% of B 2 O 3 , 15 to 30% of MgO+CaO+SrO+BaO, and 0.001 to 0.05 of Fe 2 O 3 in terms of mass% in terms of oxide as glass constituents.

상기한 바와 같이 각 성분의 함유량을 한정한 이유를 이하에 나타낸다.The reason for limiting the content of each component as described above is shown below.

SiO2는 유리 골격 구조를 형성하는 주요 성분이다. SiO2의 함유량은 50∼70%이고, 52∼68%, 55∼65%, 특히 57∼63%이다. SiO2의 함유량이 지나치게 많으면, 용융성이 저하해서 제조 비용이 상승한다. 한편, SiO2의 함유량이 지나치게 적으면, 화학적 내구성이 저하해서 수지층의 소성 시에 유리 성분이 수지 중에 용출해버린다.SiO 2 is a major component forming the glass framework structure. The content of SiO 2 is 50 to 70%, 52 to 68%, 55 to 65%, particularly 57 to 63%. When there is too much content of SiO2 , meltability will fall and manufacturing cost will rise. On the other hand, when there is too little content of SiO2 , chemical durability will fall and a glass component will elute in resin at the time of baking a resin layer.

Al2O3는 유리 골격 구조를 형성하는 주요 성분이고, 유리의 안정성을 높이는 성분이기도 한다. Al2O3의 함유량은 10∼25%이고, 12∼23%, 특히 15∼22%이다. Al2O3의 함유량이 지나치게 많으면, 용융성이 저하해서 제조 비용이 상승한다. 한편, Al2O3의 함유량이 지나치게 적으면, 유리의 안정성이 저하하고, 뮬라이트나 아노타이트 등의 실투 결정이 석출하기 쉬워져, 유리 중의 결함이 증가한다.Al 2 O 3 is a major component that forms the glass skeleton structure and is also a component that enhances the stability of glass. The content of Al 2 O 3 is 10 to 25%, 12 to 23%, particularly 15 to 22%. When the content of Al 2 O 3 is too large, the meltability decreases and the manufacturing cost increases. On the other hand, when the content of Al 2 O 3 is too small, the stability of the glass deteriorates, devitrification crystals such as mullite and annotite tend to precipitate, and defects in the glass increase.

B2O3은 SiO2와 마찬가지로 유리 그물코 구조에 있어서, 그 골격을 이루는 성분이지만, SiO2와 같이 유리의 용융 온도를 높게 할 일은 없고, 오히려 용융 온도를 저하시키는 기능이 있다. B2O3의 함유량은 0.1∼5%이고, 0.2∼3%, 0.4∼2%, 특히 0.5∼1%인 것이 바람직하다. B2O3의 함유량이 지나치게 많으면, 유리의 영률이 저하해서 표리 휘어짐 차가 커져버린다. 한편, B2O3의 함유량이 지나치게 적으면, 용융성이 저하해서 제조 비용이 상승한다.B 2 O 3 is a component constituting the skeleton of the glass network structure like SiO 2 , but does not increase the melting temperature of glass like SiO 2 does, but rather has a function of lowering the melting temperature. The content of B 2 O 3 is 0.1 to 5%, preferably 0.2 to 3%, 0.4 to 2%, particularly 0.5 to 1%. When the content of B 2 O 3 is too large, the Young's modulus of the glass will decrease and the front-back warpage difference will increase. On the other hand, when there is too little content of B2O3 , meltability will fall and manufacturing cost will rise.

MgO, CaO, SrO, BaO는, 유리의 용융성을 향상시키는 성분이다. MgO+CaO+SrO+BaO의 함유량은 10∼30%이며, 13∼28%, 15∼25%, 특히 17∼22%인 것이 바람직하다. MgO+CaO+SrO+BaO의 함유량이 지나치게 많으면, 유리의 화학적 내구성이 극단적으로 악화하고, 디바이스 형성 공정(S2)에 있어서의 전자 디바이스의 수지층의 소성 시에 유리 성분이 수지층에 용출하고, 수지층의 특성이 크게 변화되어버린다. 한편, MgO+CaO+SrO+BaO의 함유량이 지나치게 적으면, 용융성이 저하해서 제조 비용이 상승한다.MgO, CaO, SrO, and BaO are components that improve the meltability of glass. The content of MgO+CaO+SrO+BaO is 10 to 30%, preferably 13 to 28%, 15 to 25%, particularly 17 to 22%. If the content of MgO + CaO + SrO + BaO is too large, the chemical durability of the glass is extremely deteriorated, and when the resin layer of the electronic device is fired in the device formation step (S2), the glass component is eluted into the resin layer, and the properties of the resin layer are greatly changed. On the other hand, when there is too little content of MgO+CaO+SrO+BaO, meltability will fall and manufacturing cost will rise.

Fe2O3는 청징제로서 작용하는 성분이다. Fe2O3의 함유량은 0.001∼0.05%, 0.003∼0.04%, 0.005∼0.03%, 특히 0.007∼0.02%인 것이 바람직하다. Fe2O3의 함유량이 지나치게 높으면, 유리판군(Gg)의 파장 308nm∼355nm에 있어서의 투과율의 편차가 커지고, 박리 공정(S3)에 있어서 유리판(Gs)과 전자 디바이스의 수지층의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하는 것이 곤란하게 된다. 한편, Fe는 의도적으로 첨가될 일은 없고, 제조 과정에서 유리판의 제조로 사용되는 유리 원료나 유리 컬리트(glass cullet), 설비 등으로부터 불순물로서 불가피하게 혼입한다. 여기에서, 유리 컬리트란 유리 제조 공정에서 발생한 불량 유리나, 가전 제품 등으로부터 회수한 리사이클 유리를 나타낸다.Fe 2 O 3 is a component that acts as a refining agent. The content of Fe 2 O 3 is preferably 0.001 to 0.05%, 0.003 to 0.04%, 0.005 to 0.03%, particularly 0.007 to 0.02%. If the content of Fe 2 O 3 is too high, variation in the transmittance of the glass plate group Gg in the wavelength range of 308 nm to 355 nm becomes large, and it becomes difficult to make the heating state uniform at the interface between the glass plate Gs and the resin layer of the electronic device in the peeling step (S3). On the other hand, Fe is not intentionally added, and is inevitably mixed as an impurity from glass raw materials, glass cullet, equipment, etc. used in the production of glass sheets in the manufacturing process. Here, glass cullet refers to defective glass generated in the glass manufacturing process or recycled glass recovered from home appliances and the like.

Fe2O3의 함유량의 표준 편차를 0.0009% 이하로 하는 방법으로서, 예를 들면, 유리 컬리트의 사용량을 저감하는 것 또는 유리 컬리트를 사용하지 않는 것을 채용할 수 있다. 또한, 불순물이 적은 고순도의 유리 원료를 사용하는 것을 채용해도 된다.As a method of reducing the standard deviation of the Fe 2 O 3 content to 0.0009% or less, for example, reducing the amount of glass cullet used or not using glass cullet can be employed. Moreover, you may employ|adopt what uses the high-purity glass raw material with few impurities.

상기한 바와 같이 해서 제조된 소정수의 유리판(Gs)을 팰릿(1, 2)에 적재함으로서 디바이스 형성 공정(S2)에 사용되는 유리판군(Gg)이 준비된다.The glass plate group Gg used for device formation process S2 is prepared by loading the glass plate Gs of predetermined number manufactured as mentioned above on the pallets 1 and 2.

다음에, 디바이스 형성 공정(S2)에 대해서, 도 9를 참조하면서 설명한다.Next, the device formation process (S2) will be described with reference to FIG. 9 .

도 9a에 나타내는 바와 같이, 디바이스 형성 공정(S2)에서는, 우선, 유리판(Gs)의 제 1 주면(GS1)에 유기 EL 소자의 기판이 되는 수지층(6)이 형성된다(수지층 형성 공정).As shown in FIG. 9A, in device formation process S2, first, the resin layer 6 used as the board|substrate of organic electroluminescent element is formed in 1st main surface GS1 of glass plate Gs (resin layer formation process).

수지층(6)은 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 이것들의 성분을 함유함으로써, 양호한 디바이스 특성을 갖는 유기 EL 디바이스를 제작할 수 있다.The resin layer 6 preferably contains at least one selected from the group consisting of polyimide, polyamideimide, polyetherimide, and polyesterimide. By containing these components, an organic EL device having good device characteristics can be produced.

본 실시형태에 있어서의 수지층(6)의 성분을 폴리이미드층으로 하는 경우, 폴리이미드의 전구체인 폴리이미드 용액(폴리이미드를 용융 또는 유기용매에 용해한 용액)을 유리판(Gs)에 도포하고, 가열 건조시킴으로서, 수지층(6)을 형성하는 것이 가능하다. 도포 방법으로서는, 예를 들면 스핀코터를 사용하는 것이 가능하지만, 이 방법에 한정되지 않는다. 도포된 용액은, 예를 들면 진공 건조 등에 의해 건조 처리된다. 또한, 폴리이미드층은 폴리아미드산의 열이미드화에 의해서도 형성할 수 있다. 이렇게 하여 형성한 폴리이미드층의 두께는, 예를 들면 5∼50㎛이다.When the component of the resin layer 6 in the present embodiment is a polyimide layer, it is possible to form the resin layer 6 by applying a polyimide solution (a solution obtained by melting or dissolving polyimide in an organic solvent) as a precursor of polyimide to the glass plate Gs and heating and drying. As a coating method, it is possible to use, for example, a spin coater, but it is not limited to this method. The applied solution is dried by, for example, vacuum drying or the like. In addition, the polyimide layer can also be formed by thermal imidation of polyamic acid. The thickness of the polyimide layer thus formed is, for example, 5 to 50 µm.

다음에, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 수지층(6) 상에 TFT층(7)(TFT: Thin Film Transistor)이 형성된다(TFT층 형성 공정).Next, as shown in FIG. 9B, the TFT layer 7 (TFT: Thin Film Transistor) is formed on the resin layer 6 (TFT layer formation process).

TFT층(7)은 액티브 매트릭스를 실현하는 TFT 어레이 회로를 포함한다. TFT 소자를 구성하는 반도체층의 재료는, 예를 들면 결정성의 실리콘, 비정질의 실리콘, 산화물 반도체, 저온 폴리실리콘(LTPS)을 포함한다. TFT층(7)의 두께는 예를 들면, 4㎛이지만, 이 치수에 한정되지 않는다.The TFT layer 7 includes a TFT array circuit realizing an active matrix. The material of the semiconductor layer constituting the TFT element includes, for example, crystalline silicon, amorphous silicon, oxide semiconductor, and low-temperature polysilicon (LTPS). The thickness of the TFT layer 7 is, for example, 4 μm, but is not limited to this dimension.

그 후, 도 9c에 나타내는 바와 같이, TFT층(7) 상에 절연층(8)이 형성된다 (절연층 형성 공정). 절연층(8)은 TFT층(7)의 상면의 단차를 평탄화하기 위한 것이다. 절연층(8)은 수지층(6)과 마찬가지로, 폴리이미드 등의 수지층에 의해 구성된다.Then, as shown in FIG. 9C, the insulating layer 8 is formed on the TFT layer 7 (insulating layer forming process). The insulating layer 8 is for flattening the step on the upper surface of the TFT layer 7. Like the resin layer 6, the insulating layer 8 is constituted by a resin layer such as polyimide.

그 후, 절연층(8) 상에 유기 EL 층(9)이 형성된다 (유기 EL 층 형성 공정). 유기 EL 층(9)은 각각이 독립해서 구동될 수 있는 OLED 소자의 어레이를 포함한다. 또한, 유기 EL 층(9)은 유기 발광층 외, 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 주입층, 전자 주입층 등이 적층된 공지의 구조를 갖는다. 유기 EL 층(9)의 두께는 예를 들면, 1㎛이지만, 이 치수에 한정되지 않는다.After that, the organic EL layer 9 is formed on the insulating layer 8 (organic EL layer forming process). The organic EL layer 9 contains an array of OLED elements, each of which can be independently driven. In addition, the organic EL layer 9 has a known structure in which a hole transporting layer, an electron transporting layer, a hole injection layer, an electron injection layer, and the like are laminated in addition to the organic light emitting layer. The thickness of the organic EL layer 9 is, for example, 1 μm, but is not limited to this dimension.

디바이스 형성 공정(S2)에서는, TFT층(7), 절연층(8) 및 유기 EL 층(9) 외, 전극층, 봉지층 등의 공지의 구성 요소가 적층된다. 이 디바이스 형성 공정(S2)에 의해, 전자 디바이스로서의 유기 EL 디바이스(D)와, 유리판(Gs)이 적층되어서 이루어지는 적층체(LM)가 형성된다.In the device formation step (S2), well-known constituent elements such as the TFT layer 7, the insulating layer 8 and the organic EL layer 9, as well as an electrode layer and an encapsulation layer, are laminated. By this device formation process (S2), the laminated body LM formed by laminating the organic EL device D as an electronic device and the glass plate Gs is formed.

다음에, 박리 공정(S3)에 대해서, 도 10a∼도 10d를 참조하면서 설명한다.Next, the peeling step (S3) will be described with reference to Figs. 10A to 10D.

도 10a에 나타내는 바와 같이, 박리 공정(S3)에서는, 우선, 유기 EL 디바이스(D)에 대하여 보호 시트(10)를 부착한다. 보호 시트(10)는 점착성이나 가스 배리어성을 갖고 있어도 된다. 보호 시트(10)의 두께는, 예를 들면 50∼300㎛이다.As shown in Fig. 10A, in the peeling step (S3), first, the protective sheet 10 is affixed to the organic EL device (D). The protective sheet 10 may have adhesive properties or gas barrier properties. The thickness of the protective sheet 10 is, for example, 50 to 300 μm.

다음에, 도 10b에 나타내는 바와 같이, 적층체(LM)를 반전시켜서 정반(11)에 적재한다. 이 경우에 있어서, 적층체(LM)는 적층체(LM)와 정반(11) 간에 보호 시트(10)가 개재하도록 정반(11)에 적재된다. 이것에 의해, 적층체(LM)는 상부에 유리판(Gs)이 위치하도록 정반(11)에 적재되는 것이 된다.Next, as shown in FIG. 10B , the stacked body LM is inverted and placed on the surface plate 11 . In this case, the laminated body LM is placed on the surface plate 11 so that the protective sheet 10 is interposed between the laminated body LM and the surface plate 11 . Thereby, laminated body LM is placed on surface plate 11 so that glass plate Gs is located on the upper part.

그 후, 도 10c에 나타내는 레이저 조사 장치(12)에 의해, 유리판(Gs)에 대하여 UV 레이저 등으로 이루어지는 레이저(LS)를 조사한다. 레이저(LS)는, 예를 들면 라인 형상으로 구성되어 있고, 수지층(6)과 유리판(Gs)의 제 1 주면(GS1)의 계면에 대하여 조사된 상태에서 소정의 방향으로 주사된다. 레이저(LS)의 파장은 가능한 한, 유리에 흡수되지 않고, 수지층(6)에 흡수, 분해되도록 선택된다. 레이저(LS)의 파장은 예를 들면, 308nm, 355nm, 343nm이다. 도 10d에 나타내는 바와 같이, 레이저(LS)에 의해 계면이 가열됨으로써 유리판(Gs)은 유기 EL 디바이스(D)의 수지층(6)으로부터 박리되고, 유기 EL 디바이스(D)로부터 분리된다.Then, with the laser irradiation device 12 shown in FIG. 10C, the laser LS which consists of a UV laser etc. is irradiated with respect to glass plate Gs. The laser LS is configured in a line shape, for example, and is scanned in a predetermined direction in a state in which the interface between the resin layer 6 and the first main surface GS1 of the glass plate Gs is irradiated. The wavelength of the laser LS is selected so that it is absorbed and decomposed by the resin layer 6 as much as possible without being absorbed by the glass. The wavelengths of the laser LS are 308 nm, 355 nm, and 343 nm, for example. As shown in FIG. 10D, when the interface is heated by the laser LS, the glass plate Gs is separated from the resin layer 6 of the organic EL device D, and is separated from the organic EL device D.

이상 설명한 본 실시형태에 따른 전자 디바이스(유기 EL 디바이스(D))의 제조 방법에 의하면, 유리판군(Gg)에 포함되는 복수의 유리판(Gs)에 있어서의 파장 308nm∼355nm의 투과율에 따른 표준 편차를 3.0 이하로 함으로써, 박리 공정(S3)에 있어서, 유리판(Gs)의 제 1 주면(GS1)과, 전자 디바이스에 따른 수지층(6)의 계면에 있어서의 가열 상태를 균일하게 하기 쉬워진다. 이것에 의해, 박리 공정(S3)에서는, 유리판(Gs) 상에 수지층(6)이 남을 일이 없고, 유리판(Gs)을 전자 디바이스로부터 바람직하게 박리시킬 수 있다. 이것에 의해, 박리 공정(S3)에 있어서, 수지층(6)에 주름이 발생하기 어려워진다.According to the manufacturing method of the electronic device (organic electroluminescent device D) concerning this embodiment described above, by making the standard deviation according to the transmittance|permeability of wavelength 308nm - 355nm in some glass plate Gs contained in glass plate group Gg into 3.0 or less, in the peeling process S3, it is easy to make the heating state at the interface of the 1st main surface GS1 of glass plate Gs and the resin layer 6 concerning an electronic device uniform. lose Thereby, in peeling process S3, the resin layer 6 does not remain on glass plate Gs, and glass plate Gs can be peeled favorably from an electronic device. Thereby, in peeling process (S3), it becomes difficult to generate|occur|produce wrinkles in the resin layer 6.

또한, 본 발명은 상기 실시형태의 구성에 한정되는 것이 아니고, 상기한 작용 효과에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.In addition, this invention is not limited to the structure of the said embodiment, but is not limited to the above-mentioned effect. Various changes can be made to the present invention within a range not departing from the gist of the present invention.

실시예Example

이하, 실시예에 근거하여 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

(1) 유리의 조성, 특성(1) Composition and characteristics of glass

하기의 표 1은 본 발명에서 사용하는 유리판군을 구성하는 유리의 조성예(시료 No.1)와 특성(열팽창계수, 투과율)의 측정 결과를 나타내고 있다.Table 1 below shows the measurement results of the composition example (sample No. 1) and characteristics (thermal expansion coefficient, transmittance) of the glass constituting the glass plate group used in the present invention.

우선, 표 1의 유리 조성이 되도록 천연 원료, 화성 원료 등의 각종 유리 원료를 칭량, 혼합하고, 유리 배치를 제작했다. 다음에, 이 유리 배치를 백금 로듐 합금제 도가니에 투입한 후, 간접 가열 전기로 내에서 1600℃에서 24시간 용융하고, 그 후, 용융한 유리를 카본판 상에 흘리고, 판형상으로 성형했다. 이 유리 시료를 사용해서 열팽창계수를 측정했다.First, various glass raw materials such as natural raw materials and chemical raw materials were weighed and mixed so as to have the glass composition shown in Table 1, and a glass batch was produced. Next, this glass batch was put into a crucible made of a platinum rhodium alloy, and then melted at 1600° C. for 24 hours in an indirect heating electric furnace, and then the molten glass was poured onto a carbon plate and molded into a plate shape. The thermal expansion coefficient was measured using this glass sample.

열팽창계수에 대해서는, JIS R3102에 근거하여 딜라토미터를 사용해서 30∼380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 열팽창계수를 측정했다.About the thermal expansion coefficient, the average thermal expansion coefficient in the temperature range of 30-380 degreeC was measured using the dilatometer based on JISR3102.

(2) 유리판의 제작 및 각종 측정(2) Production of glass plate and various measurements

실시예 1∼11에 대해서는 시료 No.1의 조성이 되도록 저철 원료만을 조합한 배치를 유리 용융 로에서 용융하고, 단일 부재의 내화물로 만들어진 성형 로를 사용해서 오버플로우 다운드로우법으로 유리 리본을 성형하고, 절단 가공해서 1500mm×1850mm 사이즈의 사각형의 유리판을 얻었다.For Examples 1 to 11, a batch in which only the low iron raw materials were combined was melted in a glass melting furnace so as to have the composition of Sample No. 1, and a glass ribbon was formed by the overflow down-draw method using a forming furnace made of a single refractory material, and cut and processed to obtain a rectangular glass plate having a size of 1500 mm × 1850 mm.

이 때, 유리판의 단변(1500mm)이 판당김 방향, 유리판의 장변(1850mm)이 판당김 방향과 직교하는 폭방향이 되도록 절단 채취했다. 유리의 제조 조건을 고정한 후에, 유리판을 200매 채취하고, 이것을 세로방향 팰릿 상에 세로자세로 적재하여 실시예 1의 유리판군을 제작했다.At this time, the short side (1500 mm) of the glass plate was cut and collected so that the long side (1850 mm) of the glass plate was in the width direction orthogonal to the plate pulling direction. After fixing the manufacturing conditions of glass, 200 glass plates were sampled, and this was stacked vertically on a vertical pallet to prepare a glass plate group of Example 1.

또한, 오버플로우 다운드로우법에 의한 성형에 있어서, 인장 롤러의 속도, 냉각 롤러의 속도, 가열 장치의 온도 분포, 용융 유리의 온도, 유리의 유량, 판당김 속도, 교반 스터러의 회전수 등을 변화시키고, 유리판의 판두께(t), 표리 휘어짐 차, 열수축률을 조정하여 실시예 2∼11의 유리판군을 제작했다.Further, in the molding by the overflow down-draw method, the speed of the tension roller, the speed of the cooling roller, the temperature distribution of the heating device, the temperature of the molten glass, the flow rate of the glass, the sheet pulling speed, the number of rotations of the stirring stirrer, etc. were changed, and the sheet thickness (t) of the glass sheet, the difference in warpage between the front and back sides, and the thermal shrinkage rate were adjusted to prepare the glass sheet groups of Examples 2 to 11.

계속해서 비교예 1은 시료 No.1의 조성이 되도록 Fe를 불순물로서 포함하는 원료와 유리 컬리트를 조합한 배치를 유리 용융 로에서 용융하고, 접합 부재의 내화물로 만들어진 성형 로를 사용해서 실시예 1과 동일한 방법으로 비교예 1의 유리판군을 제작했다.Subsequently, in Comparative Example 1, a batch of a combination of a raw material containing Fe as an impurity and a glass collite was melted in a glass melting furnace so as to have the composition of Sample No. 1, and a glass plate group of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 using a molding furnace made of a refractory material for joining members.

여기서, 실시예 및 비교예의 판두께(t), 표리 휘어짐 차, 열수축은 유리 기판 군으로부터 1매의 유리 기판을 빼내어 측정한 결과를 사용했다.Here, as for the plate thickness (t), difference in front and back warpage, and heat shrinkage in Examples and Comparative Examples, the results obtained by removing and measuring one glass substrate from the glass substrate group were used.

각 예에 있어서의 유리판의 판두께(t)는, 1매의 유리판으로부터 판당김 방향의 길이가 50mm, 판당김 방향과 직교하는 폭방향의 길이가 1850mm의 유리 시료를 잘라내고, 임의로 추출된 판두께 방향의 단면에 있어서, 판두께(t)를 20mm 피치로 93개소 측정하고, 그 평균값을 산출했다.For the thickness t of the glass plate in each case, a glass sample having a length of 50 mm in the pulling direction and a length of 1850 mm in the width direction orthogonal to the pulling direction was cut out from one glass plate, and randomly extracted. In the cross section in the thickness direction, the plate thickness t was measured at 93 locations at a pitch of 20 mm, and the average value was calculated.

표리 휘어짐 차의 측정에서는, 1매의 유리판에 4개의 평가 영역을 설정했다. 각 평가 영역은 판당김 방향과 직교하는 폭방향의 길이가 370mm, 판당김 방향의 길이가 470mm의 크기의 직사각형으로 했다. 이것들의 평가 영역을 절단 가공해서 얻은 유리편을 사용해서 표리 휘어짐 차를 측정했다.In the measurement of the front-back warping difference, four evaluation regions were set on one glass plate. Each evaluation area was made into a rectangle with a length of 370 mm in the width direction orthogonal to the board pulling direction and a length of 470 mm in the board pulling direction. The front-back warpage difference was measured using the glass pieces obtained by cutting these evaluation regions.

열수축률에 대해서는, 유리판으로부터 30mm×160mm의 시료를 잘라내고, 하기의 요령에서 측정을 행했다. 즉, 도 11a에 나타내는 바와 같이, 유리판의 시료(Gp)의 소정 부위에, 직선 형상의 마크(M1, M2)를 소정 간격으로 2개소 기입하고, 도11b에 나타내는 바와 같이, 마크(M1, M2)와 수직한 방향으로 시료(Gp)를 분단함으로써 2개의 유리판편(Gpa, Gpb)을 얻었다.About thermal contraction rate, the sample of 30 mm x 160 mm was cut out from the glass plate, and it measured in the following way. That is, as shown in FIG. 11A, two linear marks M1 and M2 were written at predetermined intervals on a predetermined portion of the sample Gp of the glass plate, and as shown in FIG. 11B, the sample Gp was divided in a direction perpendicular to the marks M1 and M2, thereby obtaining two glass plate pieces Gpa and Gpb.

그리고, 일방의 유리판편(Gpa)만을, 상온으로부터 10℃/분의 속도로 500℃까지 승온하고, 500℃에서 1시간 유지한 후, 10℃/분의 속도로 상온까지 냉각했다.Then, only one glass plate piece (Gpa) was heated from room temperature to 500°C at a rate of 10°C/min, held at 500°C for 1 hour, and then cooled to room temperature at a rate of 10°C/min.

그 후, 도 11c에 나타내는 바와 같이, 열처리를 실시한 유리판편(Gpa)과, 열처리를 실시하지 않고 있는 유리판편(Gpb)을 나열하여 접착 테이프(T)로 고정한 상태에서, 유리판편(Gpa)의 마크(M1, M2)의 어긋남량을 측정하고, 하기의 식(1)에 근거해서 열수축률 C를 계산했다.Then, as shown in FIG. 11C, the glass plate piece Gpa subjected to heat treatment and the glass plate piece Gpb not subjected to heat treatment were aligned and fixed with an adhesive tape T. The amount of deviation of the marks M1 and M2 of the glass plate piece Gpa was measured, and the thermal contraction rate C was calculated based on the following formula (1).

C(ppm)=(ΔI1(㎛)+ΔI2(㎛))/I0(m) … (1)C(ppm)=(ΔI 1 (μm)+ΔI 2 (μm))/I 0 (m) . (One)

상기의 식(1)에 있어서, I0은 유리판(Gp)에 있어서의 마크(M1, M2) 간의 거리, ΔIt는, 유리판편(Gpa)의 마크(M1)과 유리판편(Gpb)의 마크(M1) 간의 거리, ΔI2는 유리판편(Gpa)의 마크(M2)와 유리판편(Gpb)의 마크(M2) 간의 거리이다.In the above formula (1), I 0 is the distance between the marks M1 and M2 on the glass plate Gp, ΔI t is the distance between the mark M1 of the glass plate piece Gpa and the mark M1 of the glass plate piece Gpb, and ΔI 2 is the distance between the mark M2 of the glass plate piece Gpa and the mark M2 of the glass plate piece Gpb.

투과율은 유리판을 50mm×50mm 사이즈로 절단 가공해서 샘플을 제작하고, 50mm×50mm의 면을 측정면으로서 분석 광도계(Shimadzu Corporation 제작 UV-3100PC)에 설치하고, 파장 308nm, 343nm, 355nm에 있어서의 투과율을 측정했다.For transmittance, a sample was prepared by cutting a glass plate into a size of 50 mm × 50 mm, and a 50 mm × 50 mm surface was installed in an analysis photometer (UV-3100PC manufactured by Shimadzu Corporation) as a measurement surface, and the transmittance at wavelengths of 308 nm, 343 nm, and 355 nm was measured.

(3) 유기 EL 디바이스의 제작 및 평가(3) Fabrication and evaluation of organic EL devices

실시예 1∼11 및 비교예 1의 유리판 군으로부터 20매의 유리판을 랜덤하게 추출하고, 추출한 유리판을 절반 사이즈 1500mm×925mm로 절단해서 시료용의 유리판을 채취했다. 이 시료용 유리판을 사용해서 유기 EL 디바이스를 제작했다.Twenty glass plates were randomly extracted from the glass plate groups of Examples 1 to 11 and Comparative Example 1, and the extracted glass plates were cut into half sizes of 1500 mm x 925 mm to obtain glass plates for samples. An organic EL device was produced using this sample glass plate.

유기 EL 소자의 제작 방법은 이하와 같다. 우선, 시료용 유리판의 일방의 면상에 폴리이미드 용액(폴리이미드를 용융 또는 유기용매에 용해한 용액)을 도포하고, 450℃에서 가열 건조 처리를 실시해서 무색 투명한 폴리이미드층을 수지층으로서 형성했다. 계속해서, 폴리이미드층 상에 TFT층, 유기 EL 층을 형성했다. 또한, 유기 EL 층 상에 폴리에틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 보호 시트를 부착했다.The manufacturing method of organic EL element is as follows. First, a polyimide solution (a solution in which polyimide was melted or dissolved in an organic solvent) was applied onto one surface of a glass plate for a sample, and a heat-drying treatment was performed at 450° C. to form a colorless and transparent polyimide layer as a resin layer. Subsequently, a TFT layer and an organic EL layer were formed on the polyimide layer. Further, a protective sheet made of polyethylene terephthalate was affixed on the organic EL layer.

다음에, 이 유기 EL 디바이스를 유리판마다 상하 반전시켜, 정반 상에 설치했다. 그 후, 유리판에 라인 형상 UV 레이저(파장 308nm, 343nm, 355nm)를 조사하고, 유리판과 폴리이미드층을 박리했다. 유리판을 리프트오프하고, 육안으로 유리판 상의 폴리이미드의 잔존을 확인함과 아울러 폴리이미드층의 주름의 유무를 확인해서 평가했다.Next, this organic EL device was inverted upside down for each glass plate and installed on a platen. Then, the glass plate was irradiated with a line-shaped UV laser (wavelength: 308 nm, 343 nm, 355 nm), and the glass plate and the polyimide layer were peeled off. The glass plate was lifted off, and the presence or absence of wrinkles on the polyimide layer was confirmed and evaluated while visually confirming the remaining polyimide on the glass plate.

표 2 및 표 3에 나타내는 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존과 폴리이미드층의 주름의 평가의 의미는, 하기한 바와 같다.The meaning of survival of the polyimide layer on the glass substrate shown in Table 2 and Table 3 and evaluation of wrinkles of the polyimide layer is as follows.

◎: 20매의 유기 EL 디바이스 중 전부에서 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존과 폴리이미드층의 주름이 발생하지 않아 우량한 것을 나타낸다.(double-circle): In all of the 20 organic EL devices, the polyimide layer on the glass substrate does not remain and the polyimide layer does not wrinkle, indicating that it is excellent.

○: 20매의 유기 EL 디바이스 중 수점에서만, 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존 폴리이미드층의 주름이 발생해서 양호한 것을 나타낸다.○: Wrinkles occurred in the polyimide layer remaining in the polyimide layer on the glass substrate at only a few points among 20 organic EL devices, indicating that it was good.

×: 20매의 유기 EL 디바이스 중 다수에서 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존이나 폴리이미드층의 주름이 발생하여 불가한 것을 나타낸다.×: In many of the 20 organic EL devices, the polyimide layer on the glass substrate remains or wrinkles of the polyimide layer occur, indicating that it is impossible.

실시예 1∼11 및 비교예 1의 유리판군에 따른 측정의 결과 및 평가의 결과를 하기의 표 2 및 표 3에 나타낸다.The results of measurement and evaluation according to the glass plate groups of Examples 1 to 11 and Comparative Example 1 are shown in Tables 2 and 3 below.

표 2, 3의 결과로부터 명확한 바와 같이, 비교예에서는 투과율의 표준 편차가 3.0을 초과하고, 그 결과, 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존이나 폴리이미드층의 주름이 다발하여 평가가 ×가 되었다. 실시예 1∼11에서는, 투과율의 표준 편차가 3.0 이하가 되고, 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존 등이 저감하고, 평가가 ◎ 또는 ○이 되었다. 또한, 실시예 1, 2, 4, 7, 11에서는, 투과율의 표준 편차가 0.4 이하이면서, 또한 표리 휘어짐 차가 -0.5∼0.5mm가 되고, 유리 기판 상의 폴리이미드층의 잔존 등이 발생하지 않아서 평가가 ◎가 되었다.As is clear from the results of Tables 2 and 3, in the comparative example, the standard deviation of the transmittance exceeded 3.0, and as a result, the polyimide layer remaining on the glass substrate and wrinkles of the polyimide layer occurred frequently, and the evaluation was x. In Examples 1 to 11, the standard deviation of the transmittance was 3.0 or less, the remaining polyimide layer on the glass substrate, etc. were reduced, and the evaluation was ◎ or ○. Further, in Examples 1, 2, 4, 7, and 11, the standard deviation of the transmittance was 0.4 or less, and the front and back warp difference was -0.5 to 0.5 mm, and the polyimide layer on the glass substrate remained.

6 수지층
D 전자 디바이스
EA 평가 영역
Ga 유리판의 제 1 변
Gb 유리판의 제 2 변
Gg 유리판군
Gs 유리판
GS1 유리판의 제 1 주면
GS2 유리판의 제 2 주면
S1 준비 공정
S2 디바이스 형성 공정
S3 박리 공정6 resin layer
D electronic device
EA evaluation area
1st side of Ga glass plate
2nd side of Gb glass plate
Gg glass plate group
Gs glass plate
1st main surface of GS1 glass plate
Second main surface of GS2 glass plate
S1 preparation process
S2 device formation process
S3 peeling process

Claims (15)

복수의 유리판을 포함하는 유리판군을 준비하는 준비 공정과,
수지층을 포함하는 전자 디바이스를 상기 유리판에 형성하는 디바이스 형성 공정과,
상기 전자 디바이스의 상기 수지층과 상기 유리판의 계면을 가열함으로써, 상기 유리판을 상기 전자 디바이스의 상기 수지층으로부터 박리시키는 박리 공정을 구비하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
상기 복수의 상기 유리판은 상기 수지층이 형성되는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측에 위치하는 제 2 주면을 갖고,
상기 복수의 유리판에 있어서의 파장 308∼355nm의 투과율의 표준 편차는 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.A preparation step of preparing a glass plate group containing a plurality of glass plates;
a device forming step of forming an electronic device including a resin layer on the glass plate;
As a manufacturing method of an electronic device comprising a peeling step of peeling the glass plate from the resin layer of the electronic device by heating an interface between the resin layer of the electronic device and the glass plate,
The plurality of glass plates have a first main surface on which the resin layer is formed and a second main surface located on the opposite side of the first main surface,
A method for manufacturing an electronic device characterized in that the standard deviation of the transmittance at a wavelength of 308 to 355 nm in the plurality of glass plates is 3.0 or less. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 상기 유리판에 따른 판두께의 표준 편차(Δt)는 50㎛ 이하인 전자 디바이스의 제조 방법.According to claim 1,
The standard deviation (Δt) of the plate thickness according to the plurality of the glass plates is a method of manufacturing an electronic device of 50 μm or less. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량은 산화물 환산의 질량%로, 0.001∼0.05%인 전자 디바이스의 제조 방법.According to claim 1 or 2,
The manufacturing method of the electronic device whose content of Fe2O3 in the said glass plate is 0.001 to 0.05% in mass % in conversion of an oxide. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 상기 유리판에 있어서의 Fe2O3의 함유량의 표준 편차는 산화물 환산의 질량%로, 0.0009% 이하인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 3,
The standard deviation of the content of Fe 2 O 3 in the plurality of the glass plates is 0.0009% or less in terms of mass% in terms of oxide. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판의 판두께(t)는 2.0mm 이하인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 4,
The plate thickness (t) of the glass plate is a method of manufacturing an electronic device of 2.0 mm or less. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 준비 공정에서는 판당김 방향을 따른 제 1 변과 상기 판당김 방향과 직교하는 방향을 따른 제 2 변을 갖는 직사각형의 평가 영역이 상기 유리판에 대하여 설정되고,
상기 평가 영역의 표리 휘어짐 차는 -0.8∼0.8mm인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 5,
In the preparation step, a rectangular evaluation region having a first side along a sheet pulling direction and a second side along a direction orthogonal to the sheet pulling direction is set for the glass sheet;
The method of manufacturing an electronic device in which the front and back warp difference of the evaluation region is -0.8 to 0.8 mm. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판은 200mm 이상의 변을 갖는 사각형인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 6,
The method of manufacturing an electronic device in which the glass plate is a rectangle having a side of 200 mm or more. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판의 30∼380℃에 있어서의 선열팽창계수는 30×10-7/℃∼50×10-7/℃인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 7,
The manufacturing method of the electronic device whose linear thermal expansion coefficient in 30-380 degreeC of the said glass plate is 30x10 -7 / degreeC - 50x10 -7 /degreeC. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판의 열수축률은 30ppm 이하인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 8,
The method of manufacturing an electronic device in which the heat shrinkage rate of the glass plate is 30 ppm or less. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판에 있어서의 파장 308nm의 투과율은 60∼85%인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 9,
The manufacturing method of the electronic device whose transmittance|permeability of the wavelength 308nm in the said glass plate is 60-85%. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판에 있어서의 파장 343nm의 투과율은 83∼92%인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 10,
The manufacturing method of the electronic device whose transmittance|permeability of the wavelength 343nm in the said glass plate is 83 to 92%. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판에 있어서의 파장 355nm의 투과율은 87∼92%인 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 10,
The manufacturing method of the electronic device whose transmittance|permeability of the wavelength 355nm in the said glass plate is 87 to 92%. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 유리판은 산화물 환산의 질량%로, SiO2 50∼70%, Al2O3 10∼25%, B2O3 0.1∼5%, MgO+CaO+SrO+BaO 10∼30%를 함유하는 유리로 이루어지는 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 12,
The glass plate is made of glass containing 50 to 70% of SiO 2 , 10 to 25% of Al 2 O 3 , 0.1 to 5% of B 2 O 3 , and 10 to 30% of MgO + CaO + SrO + BaO in terms of mass% in terms of oxide. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지층은 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 전자 디바이스의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 13,
The manufacturing method of the electronic device in which the said resin layer contains at least 1 sort(s) selected from the group which consists of polyimide, polyamideimide, polyetherimide, and polyesterimide. 복수의 유리판을 포함하는 유리판군으로서,
상기 유리판은 전자 디바이스의 수지층이 형성되는 제 1 주면과 상기 제 1 주면과는 반대측에 위치하는 제 2 주면을 갖고,
상기 복수의 상기 유리판에 있어서의 파장 308∼355nm의 투과율의 표준 편차는 3.0 이하인 것을 특징으로 하는 유리판군.As a glass plate group containing a plurality of glass plates,
The glass plate has a first main surface on which a resin layer of an electronic device is formed and a second main surface located on the opposite side of the first main surface,
The standard deviation of the transmittance|permeability of wavelength 308-355nm in the said some said glass plate is 3.0 or less, The glass plate group characterized by the above-mentioned.
KR1020237008892A 2020-11-20 2021-10-26 Electronic device manufacturing method and glass plate group KR20230110484A (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2020-193312 2020-11-20
JP2020193312 2020-11-20
PCT/JP2021/039510 WO2022107559A1 (en) 2020-11-20 2021-10-26 Electronic device manufacturing method and glass plate group

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230110484A true KR20230110484A (en) 2023-07-24

Family

ID=81708978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237008892A KR20230110484A (en) 2020-11-20 2021-10-26 Electronic device manufacturing method and glass plate group

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2022107559A1 (en)
KR (1) KR20230110484A (en)
CN (1) CN116529217A (en)
TW (1) TW202220837A (en)
WO (1) WO2022107559A1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024117002A1 (en) * 2022-12-01 2024-06-06 日本電気硝子株式会社 Glass sheet, production method for glass sheet, and production device for glass sheet

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014073591A1 (en) 2012-11-08 2014-05-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Substrate for flexible device, flexible device and method for producing same, laminate and method for producing same, and resin composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107342305B (en) * 2017-06-13 2020-04-28 上海和辉光电有限公司 Flexible substrate structure and preparation method thereof
JP6902210B2 (en) * 2018-02-13 2021-07-14 日本電気硝子株式会社 Glass substrate group and its manufacturing method
KR20210005601A (en) * 2018-04-27 2021-01-14 에이지씨 가부시키가이샤 Alkali free glass
CN109211920B (en) * 2018-09-04 2021-09-21 东旭光电科技股份有限公司 Ultraviolet transmittance testing device and equipment for carrier plate glass
JP7116926B2 (en) * 2019-04-23 2022-08-12 日本電気硝子株式会社 Glass plate manufacturing method, glass plate, and glass plate assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014073591A1 (en) 2012-11-08 2014-05-15 旭化成イーマテリアルズ株式会社 Substrate for flexible device, flexible device and method for producing same, laminate and method for producing same, and resin composition

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2022107559A1 (en) 2022-05-27
CN116529217A (en) 2023-08-01
WO2022107559A1 (en) 2022-05-27
TW202220837A (en) 2022-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101465423B1 (en) Process for production of glass substrates and glass substrates
JP5582446B2 (en) Film glass manufacturing method and manufacturing apparatus
JP5402184B2 (en) Glass film and method for producing the same
EP2551245B1 (en) Glass substrate manufacturing method
JP5428288B2 (en) Glass plate manufacturing method and manufacturing equipment
JP5428287B2 (en) Glass plate manufacturing method and manufacturing equipment
KR20230110484A (en) Electronic device manufacturing method and glass plate group
KR20180025859A (en) Carrier substrate, laminate, manufacturing method of electronic device
TW201446667A (en) Glass substrate and gradual cooling method thereof
JP6847620B2 (en) Glass substrate manufacturing method and glass substrate manufacturing equipment
JP6379678B2 (en) Manufacturing method of glass substrate
JP6041004B2 (en) Glass substrate
KR20230029583A (en) Low-alkali glass plate manufacturing method and low-alkali glass plate
KR101769670B1 (en) Method of making glass substrate and glass substrate
TWI679174B (en) Heat treatment method of glass substrate and manufacturing method of glass substrate
WO2024117002A1 (en) Glass sheet, production method for glass sheet, and production device for glass sheet
WO2016068069A1 (en) Glass base plate heat processing method and glass base plate production method
US20240132399A1 (en) Glass sheet for chemical strengthening, manufacturing method of strengthened glass sheet, and glass sheet
CN112020482B (en) Method for producing glass film
TWI580650B (en) Glass substrate manufacturing method and glass substrate
JP2016011237A (en) Manufacturing method of glass substrate
WO2009081741A1 (en) Process and apparatus for producing glass plate
JP2016011233A (en) Manufacturing method of glass substrate
CN114644446A (en) Float glass manufacturing device, float glass manufacturing method, and float glass
JP2016011231A (en) Manufacturing method of glass substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination