KR20230109170A - 솔더 범프 복구 - Google Patents

솔더 범프 복구 Download PDF

Info

Publication number
KR20230109170A
KR20230109170A KR1020237020609A KR20237020609A KR20230109170A KR 20230109170 A KR20230109170 A KR 20230109170A KR 1020237020609 A KR1020237020609 A KR 1020237020609A KR 20237020609 A KR20237020609 A KR 20237020609A KR 20230109170 A KR20230109170 A KR 20230109170A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solder
identified
bump
laser beam
solder bump
Prior art date
Application number
KR1020237020609A
Other languages
English (en)
Inventor
즈비 코틀러
오페르 포겔
샤로나 코헨
토커 길 번스타인
니브 고로데스키
Original Assignee
오르보테크 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오르보테크 엘티디. filed Critical 오르보테크 엘티디.
Publication of KR20230109170A publication Critical patent/KR20230109170A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/046—Surface mounting
    • H05K13/0465—Surface mounting by soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
    • H05K13/083—Quality monitoring using results from monitoring devices, e.g. feedback loops
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1131—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
    • H01L2224/11318—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form by dispensing droplets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1183—Reworking, e.g. shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/11848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H01L2224/11849—Reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/119—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/119—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps
    • H01L2224/11901—Methods of manufacturing bump connectors involving a specific sequence of method steps with repetition of the same manufacturing step
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/1401—Structure
    • H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/38—Effects and problems related to the device integration
    • H01L2924/384—Bump effects
    • H01L2924/3841—Solder bridging

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Operations Research (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

회로 제조 방법은 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 솔더 범프를 식별하는 단계를 포함한다. 식별된 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거하도록 식별된 솔더 범프 측으로 제1 레이저 빔이 유도된다. 대안적으로 또는 추가로, 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 추가의 솔더 범프가 식별되고, 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적이 추가의 솔더 범프에 퇴적된다. 솔더 재료를 제거한 후, 식별된 솔더 범프의 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 식별된 솔더 범프 측으로 제2 레이저 빔이 유도된다.

Description

솔더 범프 복구
본 발명은 개괄적으로 전자 장치의 제조에 관한 것으로, 특히 솔더링 방법 및 시스템에 관한 것이다.
솔더 범프는 전기 전도성 접촉 요소로, 예를 들어, 반도체 칩을 회로 기판에 플립-칩 본딩하는 데 사용된다. 이를 위해, 솔더 범프는 예를 들어, 포토리소그래피 기술을 이용하여 회로 기판 상에 조밀하고 좁은 간격의 어레이로 형성된다. 솔더 범프 기술은 크기가 작고 연결 길이가 짧아 패키지의 높은 연결 밀도, 낮은 생산 비용 및 높은 기능성을 구현할 수 있다는 장점을 가진다.
그러나, 하나의 결함 솔더 범프도 칩을 기판에 연결할 때 개방 회로 또는 단락이 발생할 수 있으므로 솔더 범프의 생산은 신중하게 제어되어야 한다. 이러한 이유로, 솔더 범프 어레이에서의 결함을 복구(repair)하기 위한 여러 가지 방법이 제안되었다. 예를 들어, 일본 특허 출원 공개 JP 2010109325A에는 솔더 범프의 수율을 개선하는 방법이 설명되어 있다. 일 실시예에서, 솔더 범프 수율 개선 방법은 레이저 헤드에 의한 레이저 커팅으로 접속 상태의 솔더 범프들(즉, 솔더 브릿지들)을 분할한다. 다른 실시예에서, 레이저에 의해 솔더 범프의 스킵 프린트 위치로 리플로우(reflow)가 수행된다.
솔더 범프 복구를 위한 일부 방법은 결함이 있는 솔더 볼의 교체를 포함한다. 예를 들어, 미국 특허 제6,911,388호는 진공 흡입으로 선택적으로 보강된 가열 가능한 모세관 픽업 헤드를 갖춘 단일-볼 추출기/플레이서(extractor/placer) 장치를 사용하여 솔더 볼의 볼 그리드 어레이(BGA)를 재작업하는 방법을 기술하고 있다. 결함이 있는 솔더 볼은 식별되어 픽업 헤드로 추출된 후 폐기된다. 결함이 없는 솔더 볼은 픽업 헤드에 의해 픽업되어 비워진 부착 위치에 배치되고 공작물에 대한 부착을 위해 열적으로 연화된다.
다른 예로, 한국 특허 출원 공개 KR 20170095593A는 레이저 솔더링 복구 공정을 기술하고 있다. 기판의 복구 영역에 복구 레이저 빔을 조사하는 것에 의해 레이저 제거 공정이 수행된다. 솔더 볼이 기판의 제거된 복구 영역에 제공된 후 솔더링 레이저 빔으로 가열되어 복구 영역에 부착된다.
레이저 직접 조사(Laser Direct-Write: LDW) 기술에서는 레이저 빔을 사용하여 제어된 물질 제거 또는 퇴적을 통해 공간적으로 분해된 3차원 구조로 패턴화된 표면을 형성한다. 레이저 유도 순방향 트랜스퍼(Laser-Induced Forward Transfer: LIFT)는 표면에 마이크로 패턴을 퇴적하는 데 적용될 수 있는 LDW 기술이다.
LIFT에서 레이저 광자는 도너 필름으로부터 수용체 기판(acceptor substrate) 측으로 소량의 물질을 발사할 수 있는 구동력을 제공한다. 일반적으로, 레이저 빔은 비흡수 캐리어 기판에 코팅된 도너 필름의 내측면과 상호 작용한다. 즉, 입사된 레이저 빔은 광자가 필름의 내부 표면에 흡수되기 전에 투명 캐리어 기판을 통해 전파된다. 특정 에너지 임계값을 초과하면 물질이 도너 필름으로부터 수용체 기판 표면으로 방출된다. 도너 필름과 레이저 빔 펄스 파라미터를 적절히 선택하면 레이저 펄스에 의해 도너 물질의 용융 액적이 필름으로부터 방출된 후 수용체 기판에 안착되어 경화된다.
LIFT 시스템은 전자 회로 제조를 위해 전도성 금속 액적 및 트레이스를 인쇄하는 데 특히 유용하다(배타적인 것은 아님). 이러한 종류의 LIFT 시스템은 예를 들어, 미국 특허 제9,925,797호에 기술되어 있으며, 그 개시 내용은 여기에 참조로 포함된다. 이 특허는 도너 공급 어셈블리를 포함하는 인쇄 장치를 기술하고 있으며, 이 어셈블리는 마주하는 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투명 도너 기판 및 수용체 기판의 목표 영역에 근접하게 배치하도록 제2 표면에 형성된 도너 필름을 제공하도록 구성된다. 광학 어셈블리는 미리 규정된 공간 패턴으로 다수의 레이저 출력 빔을 동시에 도너 기판의 제1 표면을 통과하여 도너 필름에 충돌하도록 유도하여 도너 필름으로부터 수용체 기판으로 물질의 방출을 유도함으로써 수용체 기판의 목표 영역에 미리 규정된 패턴을 기록하도록 구성된다.
이하에서 설명되는 본 발명의 실시예는 전기 회로 및 장치의 제조를 위한 개선된 방법 및 시스템을 제공한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따라, 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 솔더 범프를 식별하는 단계를 포함하는 회로 제조 방법이 제공된다. 식별된 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거하도록 상기 식별된 솔더 범프 측으로 제1 레이저 빔이 유도된다. 솔더 재료를 제거한 후, 상기 식별된 솔더 범프에 잔류하는 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 식별된 솔더 범프 측으로 제2 레이저 빔이 유도된다.
일부 실시예에서, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 유도하는 단계를 포함한다. 개시된 실시예에서, 각각의 펄스는 50ns 미만, 또는 심지어 10ns 미만의 펄스 지속 시간을 가진다. 추가로 또는 대안적으로, 상기 어레이의 검사 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프로부터 제거될 솔더 재료의 양을 추정하는 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 펄스의 유도 단계는 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 적용할 펄스의 수를 선택하는 단계를 포함한다.
추가로 또는 대안적으로, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는 상기 솔더 재료의 제거에 의해 상기 식별된 솔더 범프의 중앙 영역에 공동이 생성되도록 상기 제1 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 포커싱하는 단계를 포함한다. 개시된 실시예에서, 상기 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되어 상기 공동을 충전하도록 한다.
일 실시예에서, 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 솔더 범프의 높이가 상기 미리 규정된 최대치 미만으로 떨어질 때까지 상기 솔더 재료를 제거하도록 상기 제1 레이저 빔을 유도하는 단계와 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 상기 제2 레이저 빔을 유도하는 단계를 여러 번 반복하는 것을 포함한다.
추가로 또는 대안적으로, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는, 상기 식별된 솔더 범프의 제거로 인해 방출되는 파편이 커버에 부착되도록, 상기 식별된 솔더 범프에 근접하게 상기 기판 위에 투명 커버를 배치하는 단계와 상기 식별된 솔더 범프를 상기 투명 커버를 통해 조사하도록 상기 제1 레이저 빔을 유도하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 유도하는 단계를 포함한다. 일반적으로, 각각의 펄스는 100㎲ 미만의 펄스 지속 시간을 가진다. 추가로 또는 대안적으로, 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 사용하여 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔을 모두 발생시키는 단계를 포함한다. 추가로 또는 대안적으로, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 포커싱하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 전체 용적을 용융시키도록 상기 제2 레이저 빔을 사용하여 상기 식별된 솔더 범프에 충분한 에너지를 가하는 단계를 포함한다. 대안적으로, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 제2 레이저 빔을 사용하여 상기 식별된 솔더 범프의 일부만을 용융시키도록 선택된 양의 에너지를 상기 식별된 솔더 범프에 가하는 단계를 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 솔더 범프들의 어레이를 검사하는 단계는 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소값보다 작은 추가의 솔더 범프를 식별하는 단계를 포함하며, 상기 방법은 상기 추가의 솔더 범프에 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키는 단계와 상기 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 추가의 솔더 범프로 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 제2 레이저 빔을 상기 추가의 솔더 범프 측으로 유도하는 단계를 포함한다. 이러한 실시예에서, 상기 하나 이상의 용융 액적을 방출하는 단계는 상기 용융 액적의 방출을 유도하기 위해 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 도너 기판을 통해 유도하도록 상기 제1 레이저 빔을 가하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따라, 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 솔더 범프를 식별하는 단계를 포함하는 회로 제조 방법이 제공된다. 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적이 상기 식별된 솔더 범프에 퇴적되어 해당 액적이 상기 식별된 솔더 범프에 부착되고 경화된다. 솔더 재료의 퇴적 후, 해당 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 식별된 솔더 범프에 리플로우되게 하도록 충분한 에너지로 상기 식별된 솔더 범프 측으로 레이저 빔이 유도된다.
일부 실시예에서, 상기 하나 이상의 용융 액적의 퇴적 단계는 레이저 유도 순방향 트랜스퍼(LIFT) 공정에 의해 상기 식별된 솔더 범프에 근접하게 도너 기판으로부터 하나 이상의 용융 액적을 방출하는 단계를 포함한다. 전형적으로, 상기 도너 기판은 투명하고, 대향하는 제1 표면과 제2 표면 및 도너 필름 - 해당 도너 필름은 상기 식별된 솔더 범프에 근접하도록 해당 제2 표면에 솔더 재료를 포함함 - 을 가지며, 상기 하나 이상의 용융 액적의 방출 단계는 하나 이상의 레이저 방사 펄스를 상기 도너 기판의 상기 제1 표면을 통과하고 상기 도너 필름에 충돌하도록 유도하여 상기 도너 필름으로부터 상기 식별된 솔더 범프로 상기 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적의 방출을 유도하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, LIFT 공정에서 상기 하나 이상의 레이저 방사 펄스를 유도하고 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 용융 액적을 배출하고 상기 퇴적된 솔더 재료를 용융 및 리플로우되도록 하기 위해 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 사용하는 것을 포함한다.
추가로 또는 대안적으로, 상기 어레이를 검사하는 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 추가될 상기 솔더 재료의 양을 추정하는 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 용융 액적을 퇴적시키는 단계는 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 퇴적할 액적의 수를 선택하는 단계를 포함한다.
개시된 실시예에서, 상기 하나 이상의 용융 액적을 퇴적시키고 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 솔더 범프의 높이가 상기 미리 규정된 최소치보다 높게 상승할 때까지 상기 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키고 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 상기 레이저 빔을 유도하는 단계를 여러 번 반복하는 것을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이와 관련하여 이미지 데이터를 포착하도록 구성된 검사 모듈을 포함하는 회로 제조용 장치가 추가로 제공된다. 상기 솔더 범프로부터 솔더 재료를 제거하도록 구성된 제1 레이저 빔과 상기 솔더 범프의 상기 솔더 재료를 용융 및 리플로우하도록 구성된 제2 레이저 빔을 출력하도록 구성된 레이저 모듈이 제공된다. 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 상기 어레이 내의 솔더 범프를 식별하도록 상기 이미지 데이터를 처리하고, 상기 식별된 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거하도록 상기 제1 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하고, 상기 솔더 재료를 제거한 후, 상기 식별된 솔더 범프에 잔류하는 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하도록 상기 레이저 모듈을 제어하도록 구성된 제어 회로부가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따라, 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이와 관련하여 이미지 데이터를 포착하도록 구성된 검사 모듈을 포함하는 회로 제조 장치가 더 제공된다. 솔더 재료의 용융 액적을 방출하도록 퇴적 모듈이 제공된다. 상기 솔더 범프의 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되게 하도록 된 레이저 빔을 출력하도록 구성된 레이저 모듈이 제공된다. 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 상기 어레이 내의 솔더 범프를 식별하도록 이미지 데이터를 처리하도록 구성되고, 솔더 재료 용융 액적 중 하나 이상을 식별된 솔더 범프 상에 퇴적시켜 액적이 식별된 솔더 범프에 부착되어 경화되도록 상기 퇴적 모듈을 제어하고, 상기 솔더 재료를 제거한 후, 상기 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 식별된 솔더 범프로 리플로우되게 하도록 충분한 에너지로 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하도록 상기 레이저 모듈을 제어하도록 구성된 제어 회로부가 제공된다.
본 발명은 도면과 함께 취한 본 발명의 실시예에 대한 다음의 상세한 설명으로부터 더 완전하게 이해될 것이고, 도면에서:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 솔더 범프 복구용 시스템의 개략적인 측면도이고;
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 솔더 범프 복구 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이고;
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 제거 전후의 솔더 범프의 개략적인 단면도이고;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 제거 후의 솔더 범프의 개략적인 단면도이고;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 재료를 제거하기 위해 적용된 레이저 펄스 수의 함수로서 솔더 범프로부터 제거된 재료의 용적을 개략적으로 나타낸 도식이고;
도 6a, 6b, 6c 및 6d는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 제거 및 리플로우의 연속적인 단계에서의 솔더 범프의 개략적인 단면도이고;
도 7a, 7b 및 7c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 제거 및 리플로우의 연속적인 단계에서의 솔더 범프의 개략적인 단면도이고;
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파편의 포획 기술을 예시하는 제거(ablation) 공정 중의 솔더 범프의 개략적인 단면이고;
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따라 솔더 범프의 용적을 증가시키기 위한 솔더 액적의 퇴적을 보여주는 현미경 사진이고;
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따라 도 9a의 퇴적 단계에 후속하는 리플로우 단계 이후의 도 9a의 솔더 범프를 예시하는 현미경 사진이고;
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 범프에 첨가된 솔더 액적의 용적의 함수로서 솔더 범프의 높이의 증가를 개략적으로 설명하는 도식이다.
기판에 솔더 범프들의 어레이를 생성할 때는 모든 범프가 존재하고 전기적으로 서로 분리되어야 할 뿐만 아니라 모든 솔더 범프가 대략 동일한 크기를 가지는 것이 중요하다. 예를 들어, 플립-칩 실장에 사용되는 솔더 범프 어레이에서 솔더 범프의 용적이 너무 작으면 기판 위로의 높이가 인접 범프보다 낮아서 칩을 어레이 상에 실장할 때 개방 회로가 생길 수 있다. 반면에, 솔더 범프의 용적이 너무 커서 범프 높이가 함께 증가하면 칩 실장 후 리플로우 단계에서 과잉의 솔더 재료가 용융되면서 확산되어 다른 솔더 범프 및 회로 패드와 단락을 일으킬 수 있다. 너무 작거나 너무 큰 결함이 있는 솔더 범프 하나만 있어도 전체 회로의 기능이 저하될 수 있다.
이러한 종류의 솔더 범프 결함으로 인한 수율 손실을 방지하기 위해, 회로 기판의 솔더 범프를 검사하고 검사 중에 확인된 결함이 있는 솔더 범프를 복구할 필요가 있다. 복구 단계는 너무 큰 범프로부터의 과잉의 솔더 재료의 제거와 너무 작은 범프에 대한 솔더 재료의 추가를 모두 포함하는 것이 바람직하다. 본 발명의 일부 실시예에서, 이들 단계는 모두 동일한 복구 스테이션에서 수행된다. 대안적으로, 과대 크기의 범프로부터 솔더 재료를 제거하는 단계와 과소 크기의 범프에 솔더 재료를 추가하는 단계는 서로 독립적으로 개별적으로 수행될 수 있다. 본 명세서에 설명된 본 발명의 실시예들은 과대 및 과소 크기의 솔더 범프 모두를 복구하기 위한 해법을 제공한다.
일부 실시예에서, 검사 모듈은 회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 솔더 범프를 식별한다. 이러한 솔더 범프의 식별시, 레이저 모듈이 레이저 빔을 솔더 범프 측으로 유도하여 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거한다. 이러한 제거는 일반적으로 어레이의 인접 솔더 범프에 대해 솔더 범프의 크기뿐만 아니라 형상도 변경한다. 따라서, 솔더 재료의 제거 후, 레이저 모듈은 식별된 솔더 범프에 잔류하는 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 다른 레이저 빔을 솔더 범프 측으로 유도하여 어레이의 다른 솔더 범프와 동일한 라운드형 형상을 갖도록 한다. 이 제거 기술은 높이가 과도하지 않더라도 원하는 라운드형 형상을 갖지 않은 솔더 범프로부터 과잉의 솔더 재료를 제거하는 데에도 적용될 수 있다.
일반적으로, 제거 및 리플로우 단계 모두에 사용되는 레이저 빔은 펄스형 빔이지만 펄스 지속 시간 및 가능하게는 다른 빔 파라미터에 차이가 있을 수 있다. 이들 단계는 동일한 레이저 또는 적절한 특성을 가진 다른 레이저에 의해 생성될 수 있다. 제거 단계는 솔더 범프의 초기 높이, 즉 제거될 재료의 양에 따라 펄스 수가 조정되는 상태로 다수의 연속 펄스를 사용할 수 있다. 경우에 따라, 솔더 범프의 높이가 사전 정의된 최대치 미만으로 떨어질 때까지 제거 및 리플로우 단계가 여러 주기에 걸쳐 반복적으로 적용된다.
추가로 또는 대안적으로, 검사 모듈은 기판 위의 높이가 사전 정의된 최소치보다 낮은 솔더 범프를 식별한다. 이 경우, 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적이 각각의 과소 크기의 솔더 범프에 퇴적되어 액적이 솔더 범프에 부착되고 경화된다. 솔더 재료의 퇴적 후, 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 식별된 솔더 범프에 리플로우될 수 있도록 충분한 에너지로 레이저 빔을 솔더 범프 측으로 유도한다. 각 솔더 범프에 퇴적되는 액적의 수는 범프의 높이에 따라 다르다. 액적 퇴적 및 리플로우 단계는 솔더 범프의 높이가 사전 정의된 최소치보다 크게 올라갈 때까지 여러 주기에 걸쳐 반복적으로 적용될 수 있다. 어레이로부터 완전히 누락된 솔더 범프를 채우기 위해 동일한 기술을 적용할 수 있다.
아래에 설명된 실시예에서는, 액적 방출을 위한 다른 수단이 대안적으로 적용될 수도 있지만, 과소 크기의 솔더 범프에 액적을 퇴적하기 위해 LIFT 공정이 적용된다. LIFT 공정에서, 레이저 방사 펄스는 솔더 범프에 근접한 도너 기판의 표면에 형성되는 솔더 재료의 도너 필름에 집중되어 솔더 재료의 용융 액적이 도너 필름으로부터 솔더 범프에 방출되도록 한다. 전술한 바와 같이 레이저 빔 초점 및 기타 파라미터를 적절히 조정하여 과대 크기의 솔더 범프의 제거에 사용되는 것과 동일한 레이저를 LIFT 방출에 사용할 수 있다. 추가로 또는 대안적으로, LIFT 공정에 사용된 레이저를 리플로우 단계에도 사용할 수 있다. 대안적으로, 다른 공정 단계에 다른 레이저를 사용할 수 있다.
따라서, 본 실시예는 솔더 범프 결함의 문제에 대한 포괄적인 해법을 제공한다. 솔더 재료의 제거 및 퇴적에 레이저 기술을 적용하기 때문에, 본 명세서에 설명된 기술은 직경이 20㎛ 이하인 매우 작은 솔더 범프는 물론 직경이 150㎛ 이상인 대형의 솔더 범프의 고밀도 어레이를 포함하여 모든 종류의 솔더 범프 어레이에 적용될 수 있다. 이러한 기술은 주석계 솔더와 같은 기존의 저온 솔더와 은 합금과 같은 고온 솔더에 동일하게 적용 가능하다.
시스템 설명
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 솔더 범프 복구를 위한 시스템(20)의 개략적인 측면도이다. 도시된 실시예에서, 시스템(20)은 당업계에 공지된 바와 같이 반도체, 유전체 또는 세라믹 기판과 같은 회로 기판(24) 상의 솔더 범프들(22)의 어레이를 검사 및 복구하기 위해 적용된다. 과대 크기의 범프(26)는 나머지 범프(22)보다 큰 높이로 기판(24) 위로 돌출되는 반면, 과소 크기의 범프(28)는 나머지 범프보다 낮은 높이를 갖는다. 복구 공정 중에, 기판(24)은 적절한 마운트, 일반적으로 병진 스테이지(58)와 같은 조정 가능한 마운트에 유지된다.
검사 모듈(30)은 솔더 범프들(22)의 어레이와 관련하여 이미지 데이터를 포착한다. 검사 모듈(30)은 일반적으로 당업계에 알려진 바와 같이 깊이 감지 기능을 갖는 하나 이상의 광학 센서를 포함한다. 예를 들어, 검사 모듈은 입체 이미징에 적절한 광학 장치를 갖춘 한 쌍의 이미지 센서를 포함할 수 있거나, 기판(24)에 구조화된 광을 투사하는 패턴 프로젝터와 삼각 측량을 위해 패턴의 이미지를 포착하는 이미지 센서를 포함할 수 있다. 대안적으로, 검사 모듈은 각각의 치수를 측정하기 위해 솔더 범프(22)를 스캔하는 간섭계 또는 비행 시간 센서를 포함할 수 있다. 본 설명 부분과 청구범위의 문맥에서 사용되는 "이미지 데이터"라는 용어는 기판(24) 상의 특징부의 3차원(3D) 프로파일을 재구성하는 데 사용될 수 있는 임의의 종류의 데이터를 포함하는 것으로 폭넓게 이해되어야 한다.
제어 회로부(32)는 솔더 범프(22)의 높이를 측정하고, 높이가 미리 규정된 최대 높이보다 크거나 미리 규정된 최소 높이보다 작은 범프(예를 들어, 26 및 28)를 식별하기 위해 검사 모듈(30)에 의해 출력된 이미지 데이터를 처리한다. 제어 회로부(32)는 일반적으로 시스템(20)의 다른 구성요소와 통신하고 이를 제어하기 위한 적절한 인터페이스와 함께, 본 명세서에 설명된 기능을 수행하도록 소프트웨어로 프로그램된 범용 컴퓨터 프로세서를 포함한다. 대안적으로 또는 추가로, 제어 회로부(32)의 기능 중 적어도 일부는 고정 배선되거나 프로그램될 수 있는 디지털 신호 프로세서(DSP) 또는 하드웨어 로직 컴포넌트에 의해 수행될 수 있다.
솔더 범프 복구를 위해, 시스템(20)은 하나 이상의 레이저 및 적절한 레이저 빔을 기판(24) 측으로 유도하기 위한 적절한 광학 장치를 포함하는 레이저 모듈(33)을 포함한다. 도시된 실시예에서, 레이저 모듈(33)은 아래에서 설명하는 바와 같이 퇴적 모듈(37)의 일부로서도 작용하는 EIFT 레이저(36)뿐만 아니라, 제거 레이저(34; ablation laser) 및 리플로우 레이저(38)를 모두 포함한다. 단순화를 위해, 여기서는 이러한 레이저의 기능과 특성을 레이저가 모두 개별 장치인 것처럼 설명한다(이는 레이저 모듈(33)의 하나의 가능한 구현예이다). 대안적으로, 짧은 고에너지 펄스를 방출하는 단일 레이저가 제거 레이저(34) 및 LIFT 레이저(36) 모두의 기능을 수행할 수 있다. 동일한 레이저가 리플로우 레이저(38) 역할을 하도록 구성될 수도 있다. 레이저(34, 36 및 38)는 아래 설명에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 본 명세서에 기술된 기능을 수행하기 위해 적절한 파장 및 적절한 시간 펄스 길이 및 초점 품질로 가시광선, 자외선 및/또는 적외선 범위에서 광 방사선을 방출한다.
제거 레이저(34)는 일반적으로 짧은 펄스(예를 들어, 50 ns 정도의 펄스 길이)와 높은 플루언스(fluence)(예를 들어, 5-15 J/cm2 범위의 높은 플루언스)를 방출한다. 레이저(34)는 가시광선, 자외선 또는 적외선 범위에서 솔더 범프(22)에 의해 흡수되는 임의의 파장으로 작동할 수 있다. 대안적으로, 더 짧은 레이저 펄스, 예를 들어, 10ns 미만 또는 1ns 범위의 레이저 펄스가 사용될 수 있다. 빔 스캐너(40)는 레이저(34)로부터 하나 이상의 펄스를 유도하여 솔더 범프(예, 범프(26))에 충돌하도록 하며, 이 솔더 범프로부터 솔더 재료가 제거될 수 있다. 각 펄스는 범프로부터 일정량의 솔더 재료를 제거한다. 따라서, 제어 회로부(32)는 범프의 높이로 표시된 바와 같이 제거될 재료의 총량에 따라 범프(26)로 유도되는 펄스 수를 선택할 수 있다. 포커싱 광학 장치(46)는 일반적으로 솔더 범프 직경보다 작은 스폿 직경(예, 약 10㎛ 이하의 스폿 직경)으로 빔을 범프(26)에 포커싱한다.
과소 크기의 솔더 범프에 솔더 재료를 추가하는 것은 퇴적 모듈(37)을 사용하여 수행되며, 이 모듈은 본 실시예에서 LIFT 도너 기판(52)을 포함한다. LIFT 레이저(36)는 제어 회로부(32)의 제어 하에 도너 기판(52) 측으로 펄스 지속 시간이 일반적으로 1ns 정도인 짧은 펄스를 방출한다. 도너 기판(52)은 일반적으로 얇고 유연한 투명 재료의 시트를 포함하며, 이 시트는 회로 기판(24)에 근접한 측면에 특정 솔더 재료(들)를 포함하는 도너 필름(54)으로 코팅되어 있다. 대안적으로, 도너 기판(52)은 경질 또는 반경질 재료를 포함할 수 있다. 빔 디플렉터(42) 및 포커싱 광학 장치(48)는 제어 회로부(32)에 의해 결정된 공간 패턴에 따라 LIFT 레이저(36)로부터의 방사 펄스를 도너 기판(52)의 상부 표면을 통과하여 도너 필름(54)의 하부 표면에 충돌하도록 유도한다.
각 레이저 펄스는 도너 필름(54)으로부터 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적(56)을 도시된 예의 솔더 범프(28)와 같이 과소 크기인 것으로 식별된 솔더 범프로 방출하도록 유도한다. 액적(56)은 타겟 솔더 범프에 부착되고 경화된다. 각 액적은 범프에 일정량의 솔더 재료를 추가한다. 따라서, 제어 회로부(32)는 범프의 높이로 표시된 바와 같이 추가될 재료의 총량에 따라 범프(28)에 퇴적할 액적의 수를 선택할 수 있다.
과잉의 솔더 재료를 제거하기 위한 제거 또는 주어진 타겟 솔더 범프에 솔더 재료를 추가하기 위한 액적의 퇴적 후에, 리플로우 레이저(38)가 솔더 범프에 충분한 에너지를 조사하여 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 하여 솔더 범프를 원하는 라운드형 형상 및 인접한 솔더 범프(28)의 정상 높이로 복귀시킨다. 빔 디플렉터(44) 및 포커싱 광학 장치(50)는 리플로우 레이저(38)로부터의 조사선을 타겟 솔더 범프에 충돌하도록 유도한다. 리플로우 레이저(38)의 빔 에너지 및 다른 파라미터는 기판(24)에 대한 열 손상을 최소화하면서 솔더 범프를 용융하도록 선택된다. 빔은 솔더 범프의 전체 용적을 용융시키거나 솔더 범프의 일부만 용융시키기에(예를 들어, 이전의 제거 또는 퇴적 단계가 솔더 범프의 상부에만 영향을 미쳐서 전체 솔더 범프의 리플로우가 필요하지 않은 경우) 충분한 에너지를 가질 수 있다.
솔더 범프 리플로우의 열적 효과가 기판(24) 및 주변 솔더 범프에 미치는 영향을 최소화하면서 양호하게 국소화되도록 하기 위해, 본 발명의 일부 실시예에서 리플로우 레이저(38)는 연속파(CW) 빔보다는 레이저 에너지 펄스를 방출한다. 광학 장치(50)는 인접한 범프를 용융시키지 않을 만큼 충분히 작은 빔 직경으로 타겟 솔더 범프에 충돌하도록 빔을 포커싱하고, 빔 직경은 범프 직경보다 작을 수 있다. 그러나, 빔 직경은 제거되거나 용융 액적으로 덮인 전체 영역을 용융시키도록 충분히 크다. 예를 들어, 리플로우 단계에서 사용되는 빔 직경은 범프 직경의 대략 절반 내지 2/3 일 수 있다. 직경이 100㎛ 미만인 솔더 범프의 경우, 펄스 지속 시간은 100㎲ 미만인 것이 바람직하며, 직경이 예컨대 40㎛ 미만인 매우 작은 솔더 범프의 경우, 펄스는 예컨대 10㎲ 정도로 더 짧을 수 있다. 이러한 짧고 강한 레이저 펄스는 리플로우 공정 중 솔더 재료의 산화를 감소시키는 데에도 유용하여 리플로우 공정이 대기 조건에서 수행될 수 있도록 한다. 짧은 레이저 펄스를 사용하면 레이저 빔의 작은 오정렬과 솔더 범프의 열 발산 특성에 대한 공정의 민감도를 줄이는 데에도 유리한다.
다양한 솔더 범프 크기 및 용융 깊이에 대해 펄스 지속 시간을 조정할 수 있도록 하기 위해, 리플로우 레이저(38)는 예를 들어, 적절한 광섬유 레이저 또는 고출력 다이오드 레이저를 포함할 수 있다. 레이저가 나노초 범위까지 펄스 지속 시간을 충분히 광범위하게 감소 조정할 수 있는 경우, 레이저는 또한 제거 레이저(34) 및 LIFT 레이저(36)로 작용할 수 있다.
솔더 범프 복구 방법
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 솔더 범프 복구 방법을 개략적으로 설명하는 흐름도이다. 이 방법은 편의와 명확성을 위해, 도 1에 도시된 바와 같이, 시스템(20)의 요소들을 참조로 설명한다. 그러나, 대안적으로, 본 방법의 원리는 전체가 본 발명의 범위 내에 있는 것으로 간주되는 다른 시스템 구성으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 과도 크기의 솔더 범프의 제거와 과소 크기의 솔더 범프에 재료를 추가하기 위해 별도의 하위 시스템을 사용할 수 있다.
방법은 검사 단계(60)로 시작하여 검사 모듈(30)에 의해 솔더 범프(SB)(22, 26, 28,...)의 어레이와 관련하여 이미지 데이터가 포착된다. 앞서 언급한 바와 같이, 여기서 "이미지 데이터"라는 용어는 기판(24)의 평면에서의 2차원 이미지뿐만 아니라 기판에 대한 법선 방향의 깊이 데이터를 의미한다. 제어 회로부(32)는 솔더 범프(Bi)의 각 높이(Hi)를 결정하기 위해 이미지 데이터를 처리한다. 제어 회로부(32)는 범프 분류 단계(62)에서 측정된 범프 높이를 기준 설계 높이(Ho)와 비교한다. 각 솔더 범프에 대해 제어 회로부(32)는 높이 편차(ΔHi = Hi - Ho)를 계산한다. 상대 편차가 특정 임계값 δ를 초과하는 범프(즉, |ΔHi|/Ho > δ)는 결함이 있는 것으로 분류되고 임계값 미만의 편차는 무시된다. 즉, δ의 값은 해당 범프가 결함이 있는 것으로 식별되는 특정 최대 및 최소 높이를 정의한다.
제어 회로부(32)는 범프 선택 단계(64)에서 수리를 위해 이러한 결함 범프(Bi) 중 하나를 선택한다. 범프의 높이 편차(ΔHi)가 음수인 경우, 범프의 솔더 재료 용적(Vi)도 마찬가지로 설계 용적보다 작은 것으로 간주된다(즉, ΔVi도 음수). 예를 들어, 도 1의 범프(28)는 이 기준을 충족한다. 이 경우, 제어 회로부(32)는 범프를 솔더 퇴적 브랜치(branch)(66)로 라우팅한다. 반면에, 범프(26)에서와 같이 범프의 높이 편차(ΔHi)(따라서 ΔVi)가 양수인 경우, 제어 회로부(32)는 범프를 솔더 제거 브랜치(74)로 라우팅한다.
솔더 퇴적 브랜치(66)에서, 제어 회로부(32)는 퇴적 용적 추정 단계(68)에서 솔더 범프(Bi)에 추가될 솔더 재료의 용적(ΔV+i)을 결정한다. 용적(ΔV+i)은 솔더 범프의 측정된 높이 및 직경을 설계 높이와 비교하는 것으로 추정될 수 있다. 이 용적 및 범프의 직경 및 솔더 재료의 유형과 같은 다른 특성을 기초로, 제어 회로부(32)는 또한 솔더 범프를 복구하는 데 적용할 레시피를 선택한다. 예를 들어, 레시피는 솔더 범프에 퇴적될 액적의 수 및 범프 영역 내에서 각 액적이 퇴적될 위치뿐만 아니라, 액적이 한 번에 모두 퇴적될지 또는 각 단계 후에 퇴적된 액적의 리플로우와 함께 2개 이상의 단계로 퇴적될지 여부를 나타낼 수 있다.
선택된 레시피에 기초하여, 제어 회로부(32)는 도너 기판(52)을 솔더 범프(예, 28)에 근접한 적절한 위치에 배치한 다음, LIFT 단계(70)에서 LIFT 레이저(36)를 한 번 이상 발사하여 액적(56)을 솔더 범프로 방출한다. 액적의 수는 도너 필름(54)에서 범프(28)로 방출되는 솔더 재료의 용적이 누적적으로 68 단계에서 설정된 용적에 도달하도록 선택된다. 즉, 각 액적의 용적이 δV인 경우, 레이저 펄스의 수(N)는 N x δV가 ΔV+i와 거의 같도록 선택된다. 선택된 수의 액적들이 솔더 범프(28)에 퇴적된 후, 제어 회로부(32)는 국부적 레이저 리플로우 단계(72)에서 리플로우 레이저(38)의 빔을 범프에 조사하도록 유도한다.
솔더 제거 브랜치(74)에서는 솔더 범프가 과잉의 솔더 재료를 포함하고 있기 때문이 아니라 하나 이상의 기포를 포함하고 있기 때문에 솔더 범프가 너무 높은 경우가 종종 발생할 수 있다. 이 경우, 범프를 제거한 후 리플로우를 행하면, 범프의 높이가 원하는 최소치 아래로 떨어질 수 있다. 이러한 유형의 상황을 피하기 위해, 예비 리플로우 단계(75)에서 범프를 용융시키고 임의의 포획 공기를 방출하기 위해 선택적으로 리플로우 레이저(38)를 과대 크기의 솔더 범프에 조사할 수 있다. 그런 다음, 이 예비 리플로우 단계 이후에도 범프 높이가 여전히 원하는 최대치를 초과하는 경우에만 솔더 재료를 제거하기 위해 제거 레이저(34)가 적용된다. 대안적으로 또는 추가로, 솔더 범프의 높이가 제거 후 너무 낮아진 것으로 확인되는 경우, 범프는 이후에 퇴적 브랜치(66)로 복귀될 수 있다.
예비 리플로우 단계(75)가 구현되는지 여부에 관계없이, 제어 회로부(32)는 이어서 제거 용적 추정 단계(76)에서 솔더 범프(Bi)(예, 26)로부터 제거될 솔더 재료의 용적(ΔV-i)을 결정한다. 이 경우에도 용적은 솔더 범프의 측정된 높이 및 직경을 기준 설계 높이와 비교하는 것으로 추정될 수 있다. 솔더 퇴적 브랜치에서와 마찬가지로, 제어 회로부(32)는 용적(ΔV-i) 및 솔더 범프의 다른 특성에 따라 솔더 범프를 복구할 때 적용할 레시피를 선택한다. 이 경우 레시피는 솔더 범프에 적용할 제거 펄스의 수와 가능하게는 펄스 지속 시간 및 강도, 그리고 제거 패턴(예를 들어, 범프 직경의 대략 절반과 동일한 직경을 갖는 원)을 표시할 수 있다. 레시피는 또한 과잉의 솔더 재료를 한 번에 모두 제거할 찌 또는 각 단계 후에 잔류하는 솔더 재료의 리플로우와 함께 2개 이상의 단계로 제거할 지 여부를 나타낼 수 있다.
선택된 레시피에 기초하여, 제어 회로부(32)는 제거 단계(78)에서 솔더 범프(26)로부터 재료를 제거하기 위해 제거 레이저(34)를 한 번 이상 발사한다. 솔더 범프로부터 제거된 솔더 재료의 용적이 76 단계에서 설정된 용적(ΔV-i)에 누적적으로 도달하도록 펄스의 수가 선택된다. 선택된 제거 펄스의 수 이후에 제어 회로부(32)는 국부적 레이저 리플로우 단계(72)에서 범프를 조사하도록 리플로우 레이저(38)의 빔을 유도한다.
72 단계에 이어, 검사 모듈(30)이 다시 작동되어 검증 단계(80)에서 복구된 솔더 범프의 높이를 측정한다. (대안적으로, 제어 회로부(32)는 다수의 범프가 복구될 때까지 80 단계를 지연시킨 다음, 60 단계에서와 같이 이러한 모든 범프를 함께 검사할 수 있다). 이 시점에서 범프의 높이 편차(ΔHi)는 복구 공정 이전의 높이에 비해 감소되어야 한다. 상대 편차가 이제 임계값(δ) 아래로 떨어지면(즉, |ΔHi|/Ho < δ), 복구 완료 단계(82)에서 솔더 범프가 만족스러운 상태인 것으로 간주된다. 제어 회로부(32)는 이제 64 단계로 복귀하여 기판(24)에 더 이상 결함이 있는 솔더 범프가 남지 않을 때까지 복구를 위한 다음 솔더 범프를 선택한다.
대안적으로, 80 단계에서 측정된 상대 편차가 여전히 임계값보다 큰 경우, 즉, |ΔHi|/Ho > δ, 결함 범프 감지 단계(84)에서 솔더 범프가 여전히 결함이 있는 것으로 간주된다. 이 경우, 제어 회로부(32)는 이 범프를 적절하게 솔더 퇴적 브랜치(66) 또는 솔더 제거 브랜치(74)로 복귀시킨다. LIFT 퇴적(70) 또는 제거(78) 단계에 이어 리플로우 단계(72)가 |ΔHi|/Ho < δ 될 때까지 필요에 따라 한 번 이상 추가로 반복된다.
솔더 범프 제거 기술
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 제거 전후의 솔더 범프(26)의 개략적인 단면도이다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 솔더 범프(26)는 공칭 값(Ho)보다 큰 초기 높이(Hi)를 갖는다. 솔더 범프(26)의 반경은 공칭 반경(R)보다 큰 반경(Ri)이다. 베이스(패드) 직경(D)이 알려져 있으므로 솔더 범프(26)의 초기 용적은 반구 방정식에 의해 주어진다:
솔더 범프(26)의 용적을 줄이기 위해, 제어 회로부(32)는 제거해야 할 과잉의 용적을 추정한다: ΔV=Vi-Vo. 이어지는 도면을 참조로 설명되는 바와 같이, 일부 경우, 여러 단계 및/또는 다른 제거 패턴으로 과잉의 용적을 제거하는 것이 유리할 수 있다. 그러나, 해당 예에서, 솔더 범프(26)의 높이는 도 3b에 도시된 바와 같이, 캡(cap)(90)의 제거에 의해 단순히 소정 양(h)만큼 감소되어 직경(d)을 갖는 평탄한 원형 표면의 솔더 범프(92)를 형성한다.
캡 파라미터는 솔더 범프(26)의 측정된 높이(Hi)와 베이스 직경(D)에 따라 결정된다. 범프 반경은 다음과 같이 주어진다:
제거할 캡 용적은 다음과 같다:
그러면 캡(90)의 높이와 직경을 다음 관계로부터 추출할 수 있다:
위의 공식에 기초하여, 제어 회로부(32)는 솔더 범프(92)를 얻기 위해 제거 레이저(34)에 의해 솔더 범프(26) 측으로 유도될 제거 펄스(또는 펄스들)의 파라미터를 계산한다. 제거 후, 리플로우 레이저(38)가 발사되어 솔더 범프(92)를 용융시켜 높이가 대략 Ho이고 반경이 대략 R인 라운드형 솔더 범프를 얻는다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 제거 후의 솔더 범프(96)의 개략적인 단면도이다. 이 경우, 광학 장치(48)는 제거 레이저(34)의 빔을 과대 크기의 솔더 범프에 더 예리하게 포커싱하여 빔이 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 솔더 범프에 충돌하도록 한다. 따라서, 솔더 재료의 제거는 식별된 솔더 범프의 중앙 영역에 직경(d) 및 깊이(L)의 공동(94)을 생성한다. 직경(d) 및 높이(h)의 캡(도 3b의 제거된 캡보다 작음)도 제거된다. 리플로우 레이저(38)에 의한 후속 용융은 솔더 재료가 리플로우되어 공동(94)을 채우도록 하여 솔더 범프가 원하는 라운드형 형상으로 복귀하도록 한다.
이전의 실시예에서와 같이, 제거 레이저 빔의 에너지 및 직경은 제어 회로부(32)에 의해 계산된 캡 및 공동의 치수에 해당하는 양의 솔더 재료를 제거하도록 선택된다. 도 4에 예시된 접근법은 특히, 제거 중에 솔더 범프 영역 주위에 흩어지는 파편의 양을 줄이는 데 유리한다. 파편은 전도성이 있기 때문에, 제거하지 않으면 단락을 일으킬 수 있다. 이 경우, 공동(94)의 깊이에 따라, 파편의 상당 부분이 공동 내부에 갇혀 있다가 리플로우 레이저(38)에 의해 용융될 때 솔더 범프 내로 리플로우될 것이다. 레이저 펄스 파라미터와 공동(94)의 깊이 및 종횡비는 파편의 흩어짐을 최소화하면서 원하는 제거 용적을 달성하기 위해 최적화될 수 있으며, 심지어 공동을 하부의 패드까지 확장할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 재료를 제거하기 위해 적용된 레이저 펄스 수의 함수로서 솔더 범프에서 제거되는 재료의 양을 개략적으로 보여주는 도면이다. 이 도식은 솔더 범프에서 제거되는 솔더 재료의 양이 적용된 레이저 펄스 수에 따라 대략 선형적인 방식으로 증가함을 보여준다. 따라서, 레이저 펄스당 제거되는 솔더 재료의 양을 보정할 수 있으며, 제거할 솔더 재료의 양에 따라 주어진 솔더 범프에 적용할 제거 펄스의 수를 선택할 수 있다.
도 4를 다시 참조하면, 제거 중에 흩어지는 파편의 범위를 감소시키기 위해서는 솔더 범프에서 제거되는 공동을 가능한 한 좁게 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 공동의 종횡비가 너무 높으면, 리플로우 후 솔더 범프에 기포가 잔류할 수 있다. 또한, 종횡비가 높으면, 제거되는 공동의 용적이 과대 크기의 솔더 범프에서 제거해야 하는 솔더 재료의 실제 용적보다 작을 수 있다. 제거된 공동의 직경을 가능한 한 작게 유지하면서 이러한 문제를 완화하기 위해, 일부 실시예에서 제어 회로부(32)는 솔더 범프의 높이 및 용적이 원하는 한계 내로 감소될 때까지 제거 및 리플로우 단계를 두 번 이상 반복한다. 이 반복적인 접근 방식은 각 단계에서 제거된 용적을 충분히 작게 유지하여 범프 중심을 너무 깊게 제거하지 않고도 국부적으로 제거할 수 있도록 한다. 이어지는 국부적인 리플로우 단계에서는 다음 제거가 수행되기 전에 솔더 범프가 구형 형상으로 재개된다.
도 6a-d는 본 발명의 일 실시예에 따라 이러한 종류의 레이저 제거 및 리플로우의 반복 공정의 연속 단계에 있는 솔더 범프(102)의 개략적인 단면도이다. 도 6a에서, 솔더 범프(102)에서 작은 공동(100)가 제거된다. 리플로우 레이저(38)가 솔더 범프를 용융시키도록 적용되어, 도 6b에 도시된 바와 같이 높이와 용적이 감소된 솔더 범프(104)를 생성한다. 제거 레이저(34)는 도 6c에 도시된 바와 같이 솔더 범프(104)에서 추가 공동(106)을 제거한다. 마지막으로, 도 6d에 도시된 바와 같이, 리플로우 레이저(38)는 다시 솔더 재료를 용융시켜 리풀로우함으로써 원하는 높이와 용적의 라운드형 솔더 범프(108)를 형성한다.
도 7a-c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레이저 제거 및 리플로우의 연속적인 단계에서의 솔더 범프(26)의 개략적인 단면도이다. 리플로우 레이저(38)가 각 단계의 제거 후 솔더 범프의 전체 용적을 용융시키기에 충분한 에너지를 가하는 선행 실시예에 비해, 본 경우에는 에너지가 감소되어 솔더 범프의 일부(이 실시예에서는 상부)만 용융되어 리플로우된다. 이 접근 방식은 기판(24) 및 주변 솔더 범프에 대한 방열을 감소시키는 데 유리하다. 또한, 솔더 범프의 내부 구조의 변화 및 그에 따라 전체 용융량 및 온도에 영향을 줄 수 있는 열 전도성의 관련 변화에 덜 민감하다.
도 7a는 높이(Hi)의 과대 크기의 솔더 범프(26)를 보여주며, 이 범프를 공칭 용적 및 높이(Ho)로 줄이기 위해 특정 용적(DV)이 제거되어야 한다. 단순화를 위해 이 예에서는 제거 레이저(34)를 작동하여 클린 컷 캡(90)을 제거하여 도 7b에 도시된 바와 같이 평탄한 범프(92)를 남긴다. 캡(90)의 높이(h)는 직경(d1)을 기준으로 선택되어 캡 용적이 과잉의 용적(ΔV = Vi-Vo)과 정확히 같아지도록 한다. 레이저 펄스 지속 시간과 에너지에 따라 솔더가 깊이(L)까지만 용융되는 고속 레이저 리플로우가 이어진다. 용융된 상 깊이(L)가 제거 후의 범프 높이(Hi-h)보다 작기 때문에, 범프 용적의 상부(110)에 대해서만 리플로우가 발생한다. 하부(112)는 고체 상태로 유지된다. 도 7c에 도시된 바와 같이, 직경(d2)을 갖는 최종 솔더 범프(114)의 복구된 형상은 공칭 범프 형상과 정확히 일치하지 않을 것이며, 따라서 범프 높이(H2)는 공칭 높이보다 작을 것이다(H2 < Ho); 그러나, 범프 용적은 공칭 용적(Vo)과 거의 같을 것이다.
전술한 바와 같이, 금속을 레이저로 제거하면 일반적으로 금속 가스 및 플라즈마뿐만 아니라 금속 액적 및 다른 활성 파편이 흩어진다. 흩어진 파편은 주변 영역을 오염시킬 수 있으며, 파편이 솔더 범프에 다시 떨어지면 제거 공정의 부정확성을 초래할 수도 있다. 파편의 산화는 솔더 범프의 전기적 특성에도 영향을 줄 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 파편 포획 기술을 예시하는 제거 공정 중의 솔더 범프(120)의 개략적인 단면도이다. 이 실시예에서, 투명 커버(124), 예를 들어, 적절한 유리 슬라이드가 솔더 범프(120)에 근접하여 회로 기판 상에 배치된다. 빔(122)이 제거 레이저(34)(도 1)에 의해 투명 커버(124)를 통해 솔더 범프(120)를 조사하고, 따라서 투명 커버 아래의 깊이(L)까지 공동(126)를 제거하도록 유도된다. 제거로 인해 배출되는 파편(128)은 커버(124)에 부착되어 파편을 가두어 솔더 범프 및 주변 기판에 다시 퇴적되는 것을 방지한다. 커버(124)는 수거 용량을 최대화하고 주변 공기와의 상호 작용에 의해 냉각되기 전에 제거된 잔류물을 수거하기 위해 솔더 범프(120)에 근접하게 배치된다.
이러한 종류의 투명 커버를 사용하여 파편을 포획하면 솔더 범프의 제거뿐만 아니라 다른 레이저 미세가공 응용 분야, 특히 금속을 제거할 때에도 유리하다.
솔더 퇴적 기술
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따라 솔더 범프(130)의 용적을 증가시키기 위한 솔더 액적(132)의 퇴적을 보여주는 현미경 사진이다. 이 도면에서 볼 수 있듯이, 도너 필름(54)(도 1)에서 방출된 액적은 솔더 범프에 부착되어 있다. 액적 용적과 퇴적될 액적의 수는 솔더 범프에 추가될 솔더 재료의 총 용적을 구성하도록 선택된다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따라 도 9a의 퇴적 단계에 이은 리플로우 단계 이후의 솔더 범프(134)를 보여주는 현미경 사진이다. 액적(132)이 퇴적된 후, 리플로우 레이저(38)가 작동되어 액적을 솔더 범프(130) 자체의 용적의 일부 또는 전체와 함께 용융시켜 솔더 범프가 적절한 라운드형 형상으로 리플로우되도록 한다. 이러한 액적 퇴적 및 리플로우 사이클은 필요한 총 솔더 범프 용적에 도달하기 위해 여러 번 반복될 수 있다. 도 7a-c에 도시된 예에서와 같이, 리플로우 단계에서 가해지는 에너지는 용융 깊이가 제한되도록 한정될 수 있으며, 즉, 솔더 범프(130)의 상부만 액적(132)과 함께 용융된다.
솔더 재료의 LIFT는 안정적인 분사 방식을 제공하도록 미세 조정될 수 있으므로, LIFT 레이저(36)의 각 펄스가 선택된 용적의 단일 액적을 발생시키도록 할 수 있다. 예를 들어, 300-800 nm 범위의 두께를 갖는 솔더 재료를 포함하는 도너 필름(54), 펄스 지속 시간이 약 1ns 내지 20ns이고 펄스 에너지가 1~5μJ 범위인 레이저 펄스 및 도너 필름의 레이저 스폿 직경이 30~50 ㎛ 범위인 도너 기판(52)을 사용하면 약 50-300fL 범위에서 액적 용적을 조절할 수 있다. 이러한 조건에서 액적 방출 방향은 도너 기판(52)을 회로 기판(24)으로부터 0.3-0.5mm 멀리 배치하면서도 도 9에 도시된 것과 같은 종류의 정밀한 퇴적을 달성할 수 있도록 충분히 양호하게 조절된다. 대안적으로, 도너 구조 및 레이저 파라미터가 적절하게 조정되는 경우 더 작거나 더 큰 솔더 액적을 퇴적할 수 있다(제트 품질이 저하될 수 있으므로 도너 기판을 회로 기판에 더 가깝게 배치하는 것이 바람직할 수 있음).
제팅(jetting) 방식을 신중하게 선택하면 퇴적 부위 주변에 흩어져 있는 금속 파편의 양을 최소화하고 LIFT 퇴적 후 주변 기판의 청소를 용이하게 하는 데에도 유용한다. 리플로우 단계 이후, 회로 기판은 예컨대, 수중에서 초음파 처리를 통해 클리닝될 수 있다. 따라서, 리플로우 단계 중에 용융되지 않은 파편은 클리닝 공정 중에 기판으로부터 분리된다. 대안적으로 또는 추가로, 정확하고 섬세한 레이저 제거 공정을 사용하여 리플로우 전에 회로 기판에서 파편을 제거할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따라 범프에 추가된 솔더 액적의 용적에 따른 솔더 범프의 높이 증가를 개략적으로 설명하는 도식이다. 이 도식은 직경이 70㎛인 실제 범프에서 측정한 결과를 보여준다. 연속된 바아(bar)와 박스는 추가된 용적, 즉 퇴적된 액적 수의 함수로서 측정된 평균 높이와 표준 편차를 보여준다. 평균값을 통해 작성된 곡선은 높이가 초기 용적의 약 170%까지 용적에 따라 선형적으로 증가한다는 것을 보여준다. 따라서, LIFT-기반 솔더 퇴적은 과소 크기의 솔더 범프를 정확하게 복구하는 데 적용될 수 있다.
주어진 위치에 퇴적된 솔더의 총 용적을 측정하는 다른 방법은 각 액적(56)의 방출 후 도너 필름(54)(도 1)에 남은 구멍의 직경을 인라인 이미징하는 것을 기초로 한다. 액적 용적은 이미지에 표시된 구멍 직경과 알려진 도너 필름의 두께를 기초로 계산될 수 있다. 예를 들어, 구멍 주변의 테두리 두께를 고려하는 등 필요한 임의의 보정 계수를 찾기 위해 실험 측정을 수행할 수 있다.
적절한 도너 필름 및 솔더 재료의 특징, 솔더 액적의 분사 및 솔더 범프의 리플로우를 위한 레이저 펄스 파라미터와 같은 솔더 재료의 정밀한 LIFT 프린팅에 관한 추가의 세부 상세가 여기에 참조로 포함된, 2020년 6월 4일자 출원된 미국 가특허 출원 제63/034,422호에 기술되어 있다.
전술한 실시예들은 예시적으로 인용된 것이며, 본 발명은 상기 특별히 도시되고 설명된 것에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 오히려, 본 발명의 범위는 전술한 설명을 읽었을 때 당업자가 안출할 수 있고 종래 기술에 개시되지 않은 다양한 특징의 조합 및 하위 조합뿐만 아니라 이들의 변화 및 변형을 모두 포함한다.

Claims (37)

  1. 회로 제조 방법으로서:
    회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 솔더 범프를 식별하는 단계;
    상기 식별된 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거하도록 제1 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계; 및
    상기 솔더 재료의 제거 후, 상기 식별된 솔더 범프에 잔류하는 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계
    를 포함하는, 회로 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 유도하는 단계를 포함하며, 상기 펄스 각각은 50ns 미만의 펄스 지속 시간(pulse duration)을 가지는, 회로 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 어레이의 검사 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프로부터 제거될 상기 솔더 재료의 양을 추정하는 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 펄스의 유도 단계는 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 적용할 펄스의 수를 선택하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는 상기 솔더 재료의 제거에 의해 상기 식별된 솔더 범프의 중앙 영역에 공동이 생성되도록 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 제1 레이저 빔을 포커싱하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 레이저 빔 및 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 솔더 범프의 높이가 상기 미리 규정된 최대치 미만으로 떨어질 때까지 상기 솔더 재료를 제거하도록 상기 제1 레이저 빔을 유도하는 단계와 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 상기 제2 레이저 빔을 유도하는 단계를 여러 번 반복하는 것을 포함하는, 회로 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 레이저 빔의 유도 단계는, 상기 식별된 솔더 범프에 근접하게 상기 기판 위에 투명 커버를 배치하는 단계와 상기 식별된 솔더 범프를 상기 투명 커버를 통해 조사하도록 상기 제1 레이저 빔을 유도하는 단계를 포함하여, 상기 식별된 솔더 범프의 제거로 인해 방출되는 파편이 커버에 부착되는, 회로 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 유도하는 단계를 포함하고, 상기 펄스 각각은 100㎲ 미만의 펄스 지속 시간을 가지는, 회로 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 사용하여 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔을 모두 발생시키는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 제2 레이저 빔을 포커싱하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 전체 용적을 용융시키도록 상기 제2 레이저 빔을 사용하여 상기 식별된 솔더 범프에 충분한 에너지를 가하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2 레이저 빔의 유도 단계는 상기 제2 레이저 빔을 사용하여 상기 식별된 솔더 범프의 일부만을 용융시키도록 선택된 양의 에너지를 상기 식별된 솔더 범프에 가하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 솔더 범프들의 어레이를 검사하는 단계는 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 추가의 솔더 범프(further solder bump)를 식별하는 단계를 포함하며,
    상기 방법은 상기 추가의 솔더 범프 상에 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키는 단계와 상기 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 추가의 솔더 범프로 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 제2 레이저 빔을 상기 추가의 솔더 범프 측으로 유도하는 단계를 포함하며,
    상기 하나 이상의 용융 액적의 퇴적 단계는 레이저-유도 순방향 트랜스퍼(Laser-Induced Forward Transfer:LIFT) 공정에 의해 상기 추가의 솔더 범프에 근접한 도너 기판(donor substrate)으로부터 상기 하나 이상의 용융 액적을 방출하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 하나 이상의 용융 액적의 방출 단계는 상기 용융 액적의 방출을 유도하기 위해 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 도너 기판을 통해 유도하도록 상기 제1 레이저 빔을 가하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  14. 회로 제조 방법으로서:
    회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이를 검사하여 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 솔더 범프를 식별하는 단계;
    하나 이상의 솔더 재료 용융 액적을 상기 식별된 솔더 범프 상에 퇴적시켜 해당 액적이 상기 식별된 솔더 범프에 부착되고 경화되도록 하는 단계; 및
    상기 솔더 재료의 퇴적 후, 해당 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 식별된 솔더 범프에 리플로우되게 하도록 충분한 에너지로 상기 식별된 솔더 범프 측으로 레이저 빔을 유도하는 단계
    를 포함하는, 회로 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 하나 이상의 용융 액적의 퇴적 단계는 레이저 유도 순방향 트랜스퍼(LIFT) 공정에 의해 상기 식별된 솔더 범프에 근접한 도너 기판으로부터 하나 이상의 용융 액적을 방출하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 도너 기판은 투명하고, 대향하는 제1 표면과 제2 표면, 및 도너 필름 - 해당 도너 필름은 상기 식별된 솔더 범프에 근접하도록 해당 제2 표면 상에 솔더 재료를 포함함 - 을 가지며,
    상기 하나 이상의 용융 액적의 방출 단계는 하나 이상의 레이저 방사 펄스를 상기 도너 기판의 상기 제1 표면을 통과하고 상기 도너 필름에 충돌하도록 유도하여 상기 도너 필름으로부터 상기 식별된 솔더 범프로 상기 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적의 방출을 유도하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 LIFT 공정에서 상기 하나 이상의 레이저 방사 펄스를 유도하고 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 용융 액적을 배출하고 상기 퇴적된 솔더 재료를 용융 및 리플로우되도록 하기 위해 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 사용하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 어레이를 검사하는 단계는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 추가될 상기 솔더 재료의 양을 추정하는 단계를 포함하고, 상기 하나 이상의 용융 액적을 퇴적시키는 단계는 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 퇴적할 액적의 수를 선택하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 하나 이상의 용융 액적을 퇴적시키고 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하는 단계는 상기 솔더 범프의 높이가 상기 미리 규정된 최소치보다 높게 상승할 때까지 상기 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키고 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 상기 레이저 빔을 유도하는 단계를 여러 번 반복하는 것을 포함하는, 회로 제조 방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 레이저 빔의 유도 단계는 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 레이저 빔을 포커싱하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  21. 제14항에 있어서, 상기 레이저 빔의 유도 단계는 상기 레이저 빔을 사용하여 상기 퇴적된 솔더 재료를 포함하는 상기 식별된 솔더 범프의 전체 용적을 용융시키기에 충분한 에너지를 상기 식별된 솔더 범프에 가하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  22. 제14항에 있어서, 상기 레이저 빔의 유도 단계는 상기 레이저 빔을 사용하여 상기 퇴적된 솔더 재료에 더하여 상기 식별된 솔더 범프의 일부만을 용융시키도록 선택된 양의 에너지를 상기 식별된 솔더 범프에 가하는 단계를 포함하는, 회로 제조 방법.
  23. 제14항에 있어서, 상기 레이저 빔의 유도 단계는 하나 이상의 레이저 에너지 펄스를 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 유도하는 단계를 포함하며, 상기 펄스 각각은 100㎲ 미만의 펄스 지속 시간을 가지는, 회로 제조 방법.
  24. 회로 제조 장치로서:
    회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이와 관련하여 이미지 데이터를 포착하도록 구성된 검사 모듈;
    상기 솔더 범프로부터 솔더 재료를 제거하도록 구성된 제1 레이저 빔과 상기 솔더 범프의 상기 솔더 재료를 용융 및 리플로우하도록 구성된 제2 레이저 빔을 출력하도록 구성된 레이저 모듈; 및
    상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최대치보다 큰 상기 어레이 내의 솔더 범프를 식별하도록 상기 이미지 데이터를 처리하도록 구성되고, 상기 식별된 솔더 범프로부터 선택된 양의 솔더 재료를 제거하도록 상기 제1 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하고, 상기 솔더 재료를 제거한 후, 상기 식별된 솔더 범프에 잔류하는 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 제2 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하도록 상기 레이저 모듈을 제어하도록 구성된 제어 회로부
    를 포함하는, 회로 제조 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제어 회로부는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프로부터 제거될 상기 솔더 재료의 양을 추정하고 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 적용할 펄스의 수를 선택하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 레이저 모듈은 상기 솔더 재료의 제거에 의해 상기 식별된 솔더 범프의 중앙 영역에 공동이 생성되도록 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 제1 레이저 빔을 포커싱하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  27. 제24항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프에 근접하게 상기 기판 위에 배치된 투명 커버를 포함하고,
    상기 레이저 모듈은 상기 식별된 솔더 범프를 상기 투명 커버를 통해 조사하도록 상기 제1 레이저 빔을 유도하도록 구성되어, 상기 식별된 솔더 범프의 제거로 인해 방출되는 파편이 커버에 부착되는, 회로 제조 장치.
  28. 제24항에 있어서, 상기 레이저 모듈은 상기 제1 레이저 빔 및 상기 제2 레이저 빔 모두를 발생시키기 위해 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 포함하는, 회로 제조 장치.
  29. 제24항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 레이저 모듈은 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 제2 레이저 빔을 포커싱하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  30. 제24항에 있어서, 상기 제어 회로부는 상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 추가의 솔더 범프를 식별하도록 구성되며,
    상기 장치는 상기 추가의 솔더 범프 상에 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키도록 구성된 퇴적 모듈을 포함하며,
    상기 레이저 모듈은 상기 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 추가의 솔더 범프로 리플로우되도록 충분한 에너지로 상기 제2 레이저 빔을 상기 추가의 솔더 범프 측으로 유도하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  31. 회로 제조 장치로서:
    회로 기판 상의 솔더 범프들의 어레이와 관련하여 이미지 데이터를 포착하도록 구성된 검사 모듈;
    솔더 재료의 용융 액적을 방출하도록 구성된 퇴적 모듈;
    상기 솔더 범프의 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되게 하도록 구성된 레이저 빔을 출력하도록 구성된 레이저 모듈; 및
    상기 기판 위의 높이가 미리 규정된 최소치보다 작은 상기 어레이 내의 솔더 범프를 식별하도록 상기 이미지 데이터를 처리하도록 구성되고, 상기 솔더 재료 용융 액적 중 하나 이상을 상기 식별된 솔더 범프 상에 퇴적시켜 상기 액적이 상기 식별된 솔더 범프에 부착되어 경화되도록 상기 퇴적 모듈을 제어하고, 상기 솔더 재료를 제거한 후, 상기 퇴적된 솔더 재료가 용융되어 상기 식별된 솔더 범프로 리플로우되게 하도록 충분한 에너지로 상기 레이저 빔을 상기 식별된 솔더 범프 측으로 유도하도록 상기 레이저 모듈을 제어하도록 구성된 제어 회로부
    를 포함하는, 회로 제조 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 퇴적 모듈은 레이저 유도 순방향 트랜스퍼(LIFT) 공정에 의해 상기 식별된 솔더 범프에 근접한 도너 기판으로부터 하나 이상의 용융 액적을 방출하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 도너 기판은 투명하고, 대향하는 제1 표면과 제2 표면, 및 도너 필름 - 상기 도너 필름은, 상기 도너 필름이 상기 식별된 솔더 범프에 근접하도록 상기 제2 표면 상에 솔더 재료를 포함함 - 을 가지며,
    상기 레이저 모듈은 하나 이상의 레이저 방사 펄스를 상기 도너 기판의 상기 제1 표면을 통과하고 상기 도너 필름에 충돌하도록 유도하여 상기 도너 필름으로부터 상기 식별된 솔더 범프로 상기 하나 이상의 솔더 재료 용융 액적의 방출을 유도하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 레이저 모듈은 상기 용융 액적을 배출하고 상기 퇴적된 솔더 재료를 용융 및 리플로우되도록 하기 위해 가변 펄스 지속 시간을 갖는 단일 레이저를 포함하는, 회로 제조 장치.
  35. 제31항에 있어서, 상기 제어 회로부는 상기 식별된 솔더 범프의 높이에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 추가될 상기 솔더 재료의 양을 추정하고 상기 추정된 양에 따라 상기 식별된 솔더 범프에 퇴적할 액적의 수를 선택하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  36. 제31항에 있어서, 상기 제어 회로부는, 상기 솔더 범프의 높이가 상기 미리 규정된 최소치보다 높게 상승할 때까지, 상기 퇴적 모듈과 상기 레이저 모듈이 상기 솔더 재료 용융 액적을 퇴적시키는 단계와 상기 솔더 재료가 용융 및 리플로우되도록 상기 레이저 빔을 유도하는 단계를 여러 번 반복하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
  37. 제31항에 있어서, 상기 식별된 솔더 범프는 범프 직경을 가지며, 상기 레이저 모듈은 상기 범프 직경보다 작은 빔 직경으로 상기 식별된 솔더 범프에 충돌하도록 상기 레이저 빔을 포커싱하도록 구성되는, 회로 제조 장치.
KR1020237020609A 2020-11-23 2021-07-19 솔더 범프 복구 KR20230109170A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063116924P 2020-11-23 2020-11-23
US63/116,924 2020-11-23
PCT/IB2021/056490 WO2022106914A1 (en) 2020-11-23 2021-07-19 Repair of solder bumps

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230109170A true KR20230109170A (ko) 2023-07-19

Family

ID=81708450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237020609A KR20230109170A (ko) 2020-11-23 2021-07-19 솔더 범프 복구

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2023550161A (ko)
KR (1) KR20230109170A (ko)
CN (1) CN116250381A (ko)
TW (1) TW202236558A (ko)
WO (1) WO2022106914A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240009171A (ko) * 2022-07-13 2024-01-22 성균관대학교산학협력단 솔더 범프의 형성 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6267650B1 (en) * 1999-08-09 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for substantial planarization of solder bumps
JP4793187B2 (ja) * 2006-09-11 2011-10-12 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法
US8796132B2 (en) * 2012-06-29 2014-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for forming uniform rigid interconnect structures
JP6619335B2 (ja) * 2013-10-14 2019-12-11 オルボテック リミテッド 複数組成材料構造体のｌｉｆｔ印刷

Also Published As

Publication number Publication date
TW202236558A (zh) 2022-09-16
WO2022106914A1 (en) 2022-05-27
CN116250381A (zh) 2023-06-09
JP2023550161A (ja) 2023-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7544588B2 (en) Laser processing method for wafer
TWI651992B (zh) 印刷電路軌跡線之修復
WO2010018680A1 (ja) 光ビームを用いた表面実装機
JP2014007375A (ja) 回路個片化システム及び方法
US20090223942A1 (en) Lead Frame Isolation Using Laser Technology
US6333483B1 (en) Method of manufacturing circuit modules
US20180166282A1 (en) Wafer processing method
JP2010044030A (ja) レーザクリーニング装置およびレーザクリーニング方法
US6576867B1 (en) Method and apparatus for removal of mold flash
KR20140087049A (ko) 전자 부품의 제조 장치, 전자 부품의 제조 방법, 및 led 조명의 제조 방법
KR20230109170A (ko) 솔더 범프 복구
US20080053971A1 (en) Via hole machining method
TWI665456B (zh) 用於放置和接觸測試觸點的方法
CN114799534A (zh) 发光器件修补方法及修补设备
JP3435247B2 (ja) レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法
Piqué et al. Applications of laser direct-write for embedding microelectronics
US20230422402A1 (en) Lift Printing of Fine Metal Lines
Piqué et al. Assembly and integration of thin bare die using laser direct-write
JP7411829B2 (ja) 高分解能ソルダリング
TWI825955B (zh) 修整微型電子元件的方法與裝置
KR102668012B1 (ko) 고해상도 솔더링
KR102467613B1 (ko) 정밀 솔더링 방법
JP7447387B2 (ja) 回路基板に電子部品をはんだ付けするための方法及び装置、コンピュータプログラム製品、並びにコンピュータ可読媒体
Glynn et al. Reflow soldering of fine-pitch devices using a Nd: YAG laser
JP4788604B2 (ja) 電子部品外し・リペア装置