KR20230102638A - 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230102638A
KR20230102638A KR1020210192926A KR20210192926A KR20230102638A KR 20230102638 A KR20230102638 A KR 20230102638A KR 1020210192926 A KR1020210192926 A KR 1020210192926A KR 20210192926 A KR20210192926 A KR 20210192926A KR 20230102638 A KR20230102638 A KR 20230102638A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
nozzles
semiconductor device
manufacturing
tube
Prior art date
Application number
KR1020210192926A
Other languages
English (en)
Inventor
박정민
김수환
임한진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210192926A priority Critical patent/KR20230102638A/ko
Priority to US18/060,861 priority patent/US20230212749A1/en
Publication of KR20230102638A publication Critical patent/KR20230102638A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45546—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus specially adapted for a substrate stack in the ALD reactor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

반도체 장치의 제조 장치가 제공된다. 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치는 제1 방향으로 연장되고, 내부에 복수 개의 기판을 수용하는 보트가 배치된 반응 공간이 형성된 튜브, 및 튜브 내에서 제1 방향으로 각각 연장되고, 제1 방향과 수직하고 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치되는 제1 및 제2 노즐을 포함하되, 제1 및 제2 노즐은 반응 공간의 중심을 향하여 서로 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제1 및 제2 분사구를 포함하고, 제1 방향을 기준으로, 복수 개의 제1 분사구 사이의 영역에 제2 분사구가 배치된다.

Description

반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법{Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same}
본 발명은 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 장치가 고집적화됨에 따라 디자인룰이 감소되고 있다. 따라서 반도체 장치에서 단위 셀이 차지하는 영역이 축소되고 패턴의 선폭이 감소하고 있다. 이에 따라 박막의 두께는 점점 얇아지고 있으며, 기판 상에 스텝 커버리지(step coverage)를 갖도록 기판을 형성하는 것이 매우 어려워지고 있다.
한편, 원자층 두께로 박막을 형성하는 원자층 증착 장치(ALD, Atomic Layer Deposition)가 개발되고 있다. 원자층 증착 장치는 기판 상에 반응 가스 또는 전구체(precursor)를 주입시켜, 박막을 성장시킨다. 원자층 증착 장치를 이용하여 서로 다른 종류의 박막을 형성하고자 하는 경우, 각각의 박막을 형성하기 위한 화학 반응이 원활하게 이루어지는 것이 중요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 원자층 증착 장치 내의 반응 공간을 분할하여 다종의 박막을 증착할 수 있는 반도체 장치의 제조 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 원자층 증착 장치 내의 반응 공간을 분할하여 다종의 박막을 증착할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 장치는, 제1 방향으로 연장되고, 내부에 복수 개의 기판을 수용하는 보트가 배치된 반응 공간이 형성된 튜브, 및 튜브 내에서 제1 방향으로 각각 연장되고, 제1 방향과 수직하고 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치되는 제1 및 제2 노즐을 포함하되, 제1 및 제2 노즐은 반응 공간의 중심을 향하여 서로 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제1 및 제2 분사구를 포함하고, 제1 방향을 기준으로, 복수 개의 제1 분사구 사이의 영역에 제2 분사구가 배치된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 제1 방향으로 연장되고, 내부에 복수 개의 기판을 수용하는 보트가 배치된 반응 공간이 형성된 튜브, 및 튜브 내에서 제1 방향으로 각각 연장되고, 제1 방향과 수직하고 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치된 제1 및 제2 노즐을 포함하는 반도체 장치의 제조 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로, 제1 노즐의 복수의 제1 분사구에 의해 제1 방향을 기준으로 반응 공간을 복수의 영역으로 구분하도록 복수의 제1 가스층이 분사되고, 제2 노즐의 제2 분사구에 의해 복수의 제1 가스층 사이의 영역에 제2 가스층이 분사된다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 기판이 적재되고 상기 기판의 상면에 수직한 제1 방향으로 연장된 제1 튜브, 제1 튜브 내에 배치되고, 내부에 복수 개의 기판을 지지하는 보트를 수용하는 반응 공간이 형성된 제2 튜브, 및 제2 튜브 내에서 제1 방향을 따라 각각 연장되고, 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치된 제1 내지 제3 노즐을 포함하는 반도체 장치의 제조 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로, 제1 노즐은 제1 방향으로 복수 개의 영역을 정의하도록 제1 가스층을 분사하고, 제2 및 제3 노즐은 복수 개의 영역 중 서로 다른 영역에 제2 및 제3 가스층을 분사한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 튜브를 나타낸 도면이다.
도 3은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제2 튜브를 나타낸 도면이다.
도 4는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제2 튜브를 나타낸 도면이다.
도 5는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 노즐 유닛과 온도 제어 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 노즐 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 7(a)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 측부에서 바라본 도면이다.
도 7(b)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 측부에서 바라본 도면이다.
도 7(c)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 정면부에서 바라본 도면이다.
도 8은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 9는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 1은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 튜브를 나타낸 도면이다. 도 3은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제2 튜브를 나타낸 도면이다. 도 5는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 노즐 유닛과 온도 제어 유닛을 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참고하면, 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 제1 튜브(100), 제2 튜브(200), 노즐 유닛(300) 및 배기부(500)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 웨이퍼와 같은 기판(W) 상에 공정 가스를 공급하여 반도체 장치를 제조하는 공정을 수행하는 장비일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 예를 들어, 원자층 증착 장치(ALD, Atomic Layer Deposition)일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 반응 가스 또는 전구체(precursor)를 이용하여 기판(W) 상에 박막을 증착하는 다양한 증착 장치일 수 있다. 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 이에 한정되는 것은 아니며, 공정 가스를 이용한 식각, 증착, 애싱(ashing), 및/또는 어닐(anneal) 공정에 이용될 수 있다. 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 복수의 기판(W)에 대해 동시에 증착 공정이 수행되는 배치 타입(batch type) 장비일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 방향(DR1)은 수직 방향, 제2 방향(DR2)은 기판(W)의 상면과 나란하고 제1 방향(DR1)과 수직한 방향을 의미할 수 있다. 또한 제3 방향(DR3)은 기판(W)의 상면과 나란하고 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각과 교차하는 방향을 의미할 수 있다.
제1 튜브(100)는 기판(W) 상에 반도체 장치의 제조 공정을 수행하는 내부 공간을 제공할 수 있다. 제1 튜브(100)는 고온에서도 견딜 수 있는 재질, 예를 들어 석영(quartz) 또는 탄화규소(SiC)로 이루어질 수 있다. 구체적으로 도시되지는 않았지만, 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 제1 튜브(100)를 감싸고, 제1 튜브(100)를 가열하기 위한 가열부를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 튜브(100)의 하단부는 개방 단부이고, 제1 튜브(100)의 상단부는 폐쇄 단부일 수 있다. 제1 튜브(100)의 하단부는 외측 방향으로 돌출하는 플랜지(112)를 가질 수 있고, 플랜지(112)는 지지부(130)에 장착될 수 있다. 예를 들어, 제1 튜브(100)의 플랜지(112)는 O-링과 같은 밀봉 부재에 의해 지지부(130)에 연결되어 제1 튜브(100)를 밀폐시킬 수 있다. 이에, 제1 튜브(100)는 지지부(130)로부터 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 반도체 장치의 제조 장치(1000)는 수직형 배치 반응로(batch reactor)를 포함할 수 있다. 제2 튜브(200)는 제1 튜브(100) 내에 배치되며, 제1 방향(DR1)으로 연장되는 반응 공간(101)을 정의할 수 있다.
제2 튜브(200)는 제1 튜브(100) 내에 배치되는 내측 튜브일 수 있다. 제2 튜브(200)의 하단부는 개방 단부이고, 제2 튜브(200)의 상단부는 폐쇄 단부일 수 있다. 다만 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 아니하며, 제2 튜브(200)는 상단부와 하단부가 개방된 실린더 형상일 수도 있다.
도 3을 참조하면, 제2 튜브(200)의 배기 슬릿(200S)은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형태로 형성될 수 있다. 다만 후술하는 바와 같이, 몇몇 실시예의 배기 슬릿(200S)의 형상은 다양한 형태로 형성될 수 있다. 즉, 배기 슬릿(200S)의 형상은, 반응 공간(101) 내부의 가스를 원활하게 배기하고 제1 노즐(310)에서 제1 가스층(G1)이 원활하게 분사되기 위한 형태라면, 도 3에 도시된 형태에 제한되지 않을 수 있다.
반응 공간(101)은 기판(W)을 수용하는 보트(154)가 배치되는 공간일 수 있다. 보트(154)는 제2 튜브(200) 내에 배치될 수 있다. 보트(154)는 제1 방향(DR1)으로 이격된 복수 개의 기판(W)을 수용할 수 있다. 보트(154)는 도어 플레이트(150) 상에 지지된 스테이지(152) 상에 배치될 수 있다.
노즐 유닛(300)은 제1 튜브(100) 및 제2 튜브(200) 내에 배치될 수 있다. 노즐 유닛(300)은 제2 튜브(200) 내에서 제1 방향(DR1)으로 각각 연장되고, 기판(W)의 상면과 나란한 제2 방향(DR2) 또는 제3 방향(DR3)으로 서로 이격 배치된 제1 내지 제5 노즐(310, 320, 330, 340, 350)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 노즐 유닛(300)에 포함된 노즐의 개수는 5개인 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다. 즉 노즐의 개수는 증착 공정에 따라 5개 이외의 복수 개로 형성될 수 있다.
제1 및 제2 노즐(310, 320)은 반응 공간(101)의 중심을 향하여 서로 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제1 및 제2 분사구(311, 321)를 각각 포함할 수 있다.
제1 분사구(311)는 제1 방향(DR1)을 기준으로 반응 공간(101)을 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)으로 구분할 수 있다. 구체적으로, 제1 분사구(311)는, 제1 방향(DR1)을 기준으로 반응 공간(101)을 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)으로 정의하도록 제1 가스층(G1)을 분사할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 반응 공간(101)을 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)은 기판(W) 상에 증착 공정에 수행될 수 있는 영역을 의미할 수 있다.
도 5에서는 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)이 4개의 영역인 것으로 도시하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다. 즉, 반응 공간(101)을 구획하는 영역은 4개 이외의 복수 개의 영역으로 구획될 수 있다. 또한, 반응 공간(101)을 구획하는 영역들의 제1 방향(DR1)을 따른 높이 또한 각각 상이할 수 있다.
제1 분사구(311)는, 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되는 제1_1 분사구(311_1) 및 제1_2 분사구(311_2)를 포함할 수 있다. 제1_1 분사구(311_1) 및 제1_2 분사구(311_2)는 제1 영역(R1)을 정의하는 제1_1 가스층(G1_1) 및 제1_2 가스층(G1_2)을 각각 형성할 수 있다.
제1 분사구(311)는, 제1_2 분사구(311_2)와 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제2 영역(R2)을 정의하는 제1_3 가스층(G1_3)을 형성하는 제1_3 분사구(311_3)를 더 포함할 수 있다. 제1 분사구(311)는, 제1_3 분사구(311_3)와 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제3 영역(R3)을 정의하는 제1_4 가스층(G1_4)을 형성하는 제1_4 분사구(311_4)를 더 포함할 수 있다. 제1 분사구(311)는, 제1_4 분사구(311_4)와 제1 방향(DR1)으로 이격되고, 제4 영역(R4)을 정의하는 제1_5 가스층(G1_5)을 형성하는 제1_5 분사구(311_5)를 더 포함할 수 있다.
제1 가스층(G1)은 불활성 가스를 포함할 수 있다. 제1 가스층(G1)은 예를 들어, Ar, N2, Xe, He 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 분사구(321)에 의해 제1 영역(R1)에 제2 가스층(G2)이 분사될 수 있다. 제2 분사구(321)는, 제1 영역(R1) 내에 제2 가스층(G2)을 각각 형성하는 제2_1 내지 제2_5 분사구(321_1, 321_2, 321_3, 321_3, 321_4, 321_5)를 포함할 수 있다.
제1 방향(DR1)을 기준으로, 복수 개의 제1 분사구(311) 사이의 영역에 제2 분사구(321)가 배치될 수 있다. 이 경우, 제1_1 분사구(311_1)와 제1_2 분사구(311_2) 간의 간격은 제2_1 및 제2_2 분사구(321_1, 321_2) 간의 간격보다 클 수 있다.
노즐 유닛(300)은, 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 제1 및 제2 노즐(310, 320)과 이격 배치된 제3 노즐(330)을 더 포함할 수 있다. 제3 노즐(330)은 반응 공간(101)의 중심을 향하여 제1 노즐(310)과 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제3 분사구(331)를 포함할 수 있다.
제3 분사구(331)에 의해 제2 영역(R2)에 제3 가스층(G3)이 분사될 수 있다. 제3 분사구(331)는, 제1 영역(R1)과 제1 방향(DR1)으로 이격된 제2 영역(R2)을 정의하도록 제3 가스층(G3)을 각각 형성하는 제3_1 내지 제3_5 분사구(331_1, 331_2, 331_3, 331_3, 331_4, 331_5)를 포함할 수 있다.
제1 방향(DR1)을 기준으로, 복수 개의 제1 분사구(311) 사이의 영역에 제3 분사구(331)가 배치될 수 있다. 이 경우, 제1_2 분사구(311_2)와 제1_3 분사구(311_3) 간의 간격은 제3_1 및 제3_2 분사구(331_1, 331_2) 간의 간격보다 클 수 있다.
노즐 유닛(300)은, 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 기판(W)의 상면과 나란한 제2 방향(DR2) 또는 제3 방향(DR3)으로 제1 내지 제3 노즐(310, 320, 330)과 이격 배치된 제4 노즐(340)을 더 포함할 수 있다. 제4 노즐(340)의 제4 분사구(341_1)에 의해 제3 영역(R3)에 제4 가스층(G4)이 분사될 수 있다.
노즐 유닛(300)은, 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 기판(W)의 상면과 나란한 제2 방향(DR2) 또는 제3 방향(DR3)으로 제1 내지 제4 노즐(310, 320, 330, 340)과 이격 배치된 제5 노즐(350)을 더 포함할 수 있다. 제5 노즐(350)의 제5 분사구(351_1)에 의해 제4 영역(R4)에 제5 가스층(G5)이 분사될 수 있다.
제4 및 제5 노즐(340, 350)에 관하여서는 전술한 제2 및 제3 노즐(320, 330)에 관한 설명이 마찬가지로 적용될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)의 분사구의 개수는 각각 5개인 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않는다. 즉 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)의 각각의 분사구의 개수는 증착 공정에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제3 노즐(330)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는, 제2 노즐(320)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 제4 노즐(340)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는, 제3 노즐(330)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이보다 짧을 수 있다. 또한, 제5 노즐(350)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는, 제4 노즐(340)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이보다 짧을 수 있다.
다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)의 제1 방향(DR1)을 따른 길이는 도 5에 도시된 바와 같이 순차적으로 감소하는 형상이 아닐 수도 있다. 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)의 제1 방향(DR1)을 따른 길이는, 목적하는 증착 공정이 원활하게 수행되기 위한 것이라면, 특별히 제한되지 않을 수 있다.
제2 내지 제5 가스층(G2, G3, G4, G5)은 산화막 또는 질화막을 형성하기 위한 반응 가스 또는 전구체를 포함할 수 있다. 제2 내지 제5 가스층(G2, G3, G4, G5)에 포함된 물질은 기판(W) 상에 이종(異種)의 박막을 증착하기 위한 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 내지 제4 영역(R1, R2, R3, R4) 각각에는 서로 다른 물질을 포함하는 제2 내지 제5 가스층(G2, G3, G4, G5)이 분사될 수 있다.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 아니한다. 예를 들어, 제1 및 제3 영역(R1, R3) 각각에는 서로 동일한 물질을 포함하는 제2 및 제4 가스층(G2, G4)이 분사되고, 제2 및 제4 영역(R2, R4) 각각에는 제2 및 제4 가스층(G2, G4)과 다른 물질을 포함하는 제3 및 제5 가스층(G3, G5)이 분사될 수도 있다. 즉, 제2 내지 제5 가스층(G2, G3, G4, G5)의 물질의 종류는 증착 공정에 따라 다양하게 사용될 수 있다.
몇몇 실시예에 따르면, 제1 가스층(G1)은 반응 가스 또는 전구체 가스를 포함하는 제2 내지 제5 가스층(G2, G3, G4, G5)들을 커튼 효과에 의하여 서로 차단할 수 있다. 즉, 증착 장치 내의 반응 공간을 불활성 가스를 포함하는 제1 가스층(G1)으로 확실하게 분할함으로써, 서로 다른 물질을 증착하기 위한 화학 반응을 보다 원활하게 수행할 수 있다.
도 4는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제2 튜브를 나타낸 도면이다. 설명의 편의상 도 1 내지 도 3을 이용하여 설명한 내용과 동일하거나 중복되는 내용에 대해서는 설명을 생략하거나 간략히 할 수 있다.
제2 튜브(200)의 배기 슬릿(200S)은 서로 이격된 복수 개로 형성될 수 있다. 이 경우에도, 후술하는 바와 같이, 배기 슬릿(200S)과 제1 노즐(310)은 서로 대응되지 않도록 형성될 수 있다. 다만, 배기 슬릿(200S)의 형상은, 반응 공간(101) 내부의 가스를 원활하게 배기하고 제1 노즐(310)에서 제1 가스층(G1)이 원활하게 분사되기 위한 형태라면, 도 4에 도시된 형태에 제한되지 않을 수 있다.
도 6은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 노즐 유닛을 설명하기 위한 도면이다. 설명의 편의상 도 1 내지 도 5를 이용하여 설명한 내용과 동일하거나 중복되는 내용에 대해서는 설명을 생략하거나 간략히 할 수 있다.
도 6을 참조하면, 제3 노즐(330)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는, 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이와 동일할 수 있다. 또한, 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는 서로 동일할 수 있다.
이 경우, 각각의 제2 내지 제5 노즐(320, 330, 340, 350)의 높이는 동일하지만, 분사구의 위치가 제1 방향(DR1)을 기준으로 서로 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3 노즐(330)의 복수의 제3 분사구(331)의 위치는 제2 노즐(320)의 복수의 제2 분사구(321)의 위치보다 제1 방향(DR1)으로 하부에 배치될 수 있다. 즉, 노즐의 높이는 동일하게 배치하면서도, 분사구의 높이를 노즐마다 상이하게 함으로써 반응 공간(101) 내의 영역을 분할할 수 있다.
온도 감지 유닛(400)은 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)의 온도를 각각 감지하는 복수의 온도 감지부(411, 412, 413, 414), 및 복수의 영역(R1, R2, R3, R4)의 온도를 제어하는 온도 제어부(420)를 포함할 수 있다. 온도 제어부(420)는 각각의 영역(R1, R2, R3, R4)들의 온도를 독립적으로 제어할 수 있다.
배기부(500)는 반응 공간(101) 내의 가스를 제2 튜브(200)에 형성된 배기 슬릿(200S)으로부터 외부로 배출시킬 수 있다. 배기부(500)는 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 반응 공간(101) 내의 가스는 배기부(500)를 통해 반응 공간(101) 외부로 배출될 수 있다.
도 7(a)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 측부에서 바라본 도면이다. 도 7(b)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 측부에서 바라본 도면이다. 도 7(c)는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치의 제1 노즐을 정면부에서 바라본 도면이다.
도 7(a) 내지 도 7(c)를 참조하면, 제1 노즐(310)의 제1_1 분사구(311_1)는 복수 개로 형성될 수 있다.
도 7(a)를 참조하면, 제1_1 분사구(311_1)는 제2 방향(DR2)으로 돌출된 제1_a 돌출 분사구(311_1a) 및 제1_b 돌출 분사구(311_1b)를 포함할 수 있다.
마찬가지로, 도 5의 제1_2 내지 제 제1_5 분사구(311_2, 311_3, 311_3, 311_4, 311_5)도 돌출된 형태로 형성될 수 있다.
이 경우, 제1 노즐(310)에서 분사되는 제1 가스층(G1)을 기판(W)의 상면에 나란한 방향(DR2, DR3)로 보다 높은 밀도로 형성할 수 있다. 따라서, 반응 공간(101) 내의 영역을 보다 확실하게 분할할 수 있다.
또는, 도 7(b)를 참조하면, 제1 분사구(311)는 제2 방향(DR2)으로 오목하게 만입된 형태일 수도 있다. 즉, 제1 가스층(G1)을 분사하는 제1 분사구(311)는 홀 형태일 수 있다.
마찬가지로, 도 5의 제1_2 내지 제 제1_5 분사구(311_2, 311_3, 311_3, 311_4, 311_5)도 홀 형태로 형성될 수 있다.
도 7(c)를 참조하면, 제1_a 돌출 분사구(311_1a)의 지름(D1)은 0.5㎜ 내지 1.2㎜일 수 있다. 또한, 복수 개의 제1_1 분사구(311_1) 간의 간격(D2)은 5㎜ 내지 10㎜일 수 있다.
구체적으로 도시되지는 않았으나, 복수 개의 제1 분사구(311)의 각각의 지름의 크기는 제2 분사구(321)의 지름의 크기보다 작을 수 있다. 이 경우, 제1 노즐(310)에서 분사되는 제1 가스층(G1)을 기판(W)의 상면에 나란한 방향(DR2, DR3)로 보다 높은 밀도로 형성할 수 있다. 따라서, 반응 공간(101) 내의 영역을 보다 확실하게 분할할 수 있다.
도 5의 제1_2 내지 제 제1_5 분사구(311_2, 311_3, 311_3, 311_4, 311_5)에 관하여서도 마찬가지의 설명이 적용될 수 있다.
도 8은 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 상부에서 바라본 도면이다. 도 9는 몇몇 실시예들에 따른 반도체 장치의 제조 장치를 상부에서 바라본 도면이다.
도 8을 참조하면, 제1 노즐(310)은 복수 개 배치되고, 제1 노즐(310) 사이에 제2 및 제3 노즐(320, 330)이 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 노즐(310)은 기판(W)의 상면에 나란한 평면 상에서 제2 방향(DR2) 또는 제3 방향(DR3)으로 이격된 복수 개의 제1_1 노즐(310_1), 제1_2 노즐(310_2) 및 제1_3 노즐(310_3)을 포함할 수 있다. 또한, 복수 개의 제1_1 노즐(310_1), 제1_2 노즐(310_2) 및 제1_3 노즐(310_3) 사이에 제2 노즐(320) 및 제3 노즐(330)이 배치될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 노즐(310)의 개수는 3개인 것으로 도시되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 제한되지 않고, 제1 노즐(310)의 개수는 1개 내지 5개 등의 복수 개로 형성될 수 있다. 즉, 제1 노즐(310)의 개수는 증착 공정에 따라 다양하게 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 배기 슬릿(200S)과 제1 노즐(310)의 제1 분사구(311)는 서로 대응되지 않을 수 있다. 이로써 제1 분사구(311)의 불활성 가스가 배기 슬릿(200S)에 의해 쉽게 빠져나가는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 제1 노즐(310)은 기판(W)의 상면에 나란한 평면 상에서 제2 방향(DR2) 또는 제3 방향(DR3)으로 이격된 복수 개의 제1_1 노즐(310_1), 제1_2 노즐(310_2), 제1_3 노즐(310_3) 및 제1_4 노즐(310_4)을 포함할 수 있다.
배기 슬릿(200S)의 위치를 기준으로 제2 튜브(200)의 중심(C)을 지나는 직선 상에서, 제1_1 노즐(310_1)은 시계 방향으로 제1 각도(θ1) 회전한 위치에 배치되고, 제1_2 노즐(310_2)은 시계 방향으로 제2 각도(θ2) 회전한 위치에 배치되고, 제1_3 노즐(310_3)은 반시계 방향으로 제3 각도(θ3) 회전한 위치에 배치되고, 제1_4 노즐(310_4)은 반시계 방향으로 제4 각도(θ4) 회전한 위치에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 각도(θ1)는 60도이고, 제2 각도(θ2)는 120도이고, 제3 각도(θ3)는 150도이고, 제4 각도(θ4)는 60도일 수 있다. 다만, 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니다. 배기 슬릿(200S)과 복수의 제1 노즐(310)의 위치 관계는, 반응 공간(101) 내부의 가스를 원활하게 배기하고 제1 노즐(310)에서 제1 가스층(G1)이 원활하게 분사되기 위한 형태라면, 도 9에 도시된 형태에 제한되지 않을 수 있다.
다만 본 발명의 기술적 사상이 이에 제한되는 것은 아니며, 배기 슬릿(200S)과 제1 분사구(311)가 대응되지 않는 범위에서 제1 분사구(311)는 다양한 위치에 배치될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 제1 튜브 200: 제2 튜브
200S: 배기 슬릿 300: 노즐 유닛
310: 제1 노즐 311: 제1 분사구
320: 제2 노즐 321: 제2 분사구
330: 제3 노즐 331: 제3 분사구
400: 온도 감지 유닛 410: 온도 감지부
420: 온도 제어부 500: 배기부
W:기판

Claims (10)

  1. 제1 방향으로 연장되고, 내부에 복수 개의 기판을 수용하는 보트가 배치된 반응 공간이 형성된 튜브; 및
    상기 튜브 내에서 상기 제1 방향으로 각각 연장되고, 상기 제1 방향과 수직하고 상기 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치되는 제1 및 제2 노즐을 포함하되,
    상기 제1 및 제2 노즐은 상기 반응 공간의 중심을 향하여 서로 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제1 및 제2 분사구를 포함하고,
    상기 제1 방향을 기준으로, 상기 복수 개의 제1 분사구 사이의 영역에 제2 분사구가 배치되는 반도체 장치의 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 분사구는 상기 반응 공간 내의 제1 영역을 형성하도록 상기 제1 방향으로 서로 이격된 제1_1 분사구 및 제1_2 분사구를 포함하고,
    상기 제2 분사구는 상기 제1_1 분사구 및 제1_2 분사구 사이에 상기 제1 방향으로 서로 이격된 제2_1 분사구 및 제2_2 분사구를 포함하는 반도체 장치의 제조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 분사구 간의 간격은 상기 복수 개의 제2 분사구 간의 간격보다 큰 반도체 장치의 제조 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 분사구의 각각의 지름의 크기는 상기 제2 분사구의 지름의 크기보다 작은 반도체 장치의 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1 분사구는 상기 기판의 상면과 나란한 방향으로 돌출된 반도체 장치의 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향과 수직하고 상기 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 상기 제1 및 제2 노즐과 이격 배치된 제3 노즐을 더 포함하고,
    상기 제3 노즐은 상기 반응 공간의 중심을 향하여 상기 제1 노즐과 다른 가스를 분사하는 복수 개의 제3 분사구를 포함하는 반도체 장치의 제조 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 노즐이 상기 제1 방향으로 연장된 길이는, 상기 제2 노즐이 상기 제1 방향으로 연장된 길이와 다른 반도체 장치의 제조 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분사구에 의해 불활성 가스가 분사되고,
    상기 제2 분사구에 의해 반응 가스가 분사되는 반도체 장치의 제조 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 반응 공간 내의 가스를 상기 튜브에 형성된 배기 슬릿으로부터 외부로 배출시키는 배기부를 더 포함하고,
    상기 배기 슬릿과 상기 복수 개의 제1 분사구는 서로 대응되지 않는 반도체 장치의 제조 장치.
  10. 제1 방향으로 연장되고, 내부에 복수 개의 기판을 수용하는 보트가 배치된 반응 공간이 형성된 튜브; 및
    상기 튜브 내에서 상기 제1 방향으로 각각 연장되고, 상기 제1 방향과 수직하고 상기 기판의 상면과 나란한 평면 상에서 서로 이격 배치된 제1 및 제2 노즐을 포함하는 반도체 장치의 제조 장치를 이용한 반도체 장치의 제조 방법으로,
    상기 제1 노즐의 복수의 제1 분사구에 의해 상기 제1 방향을 기준으로 상기 반응 공간을 복수의 영역으로 구분하도록 복수의 제1 가스층이 분사되고, 상기 제2 노즐의 제2 분사구에 의해 상기 복수의 제1 가스층 사이의 영역에 제2 가스층이 분사되는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020210192926A 2021-12-30 2021-12-30 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 KR20230102638A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210192926A KR20230102638A (ko) 2021-12-30 2021-12-30 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US18/060,861 US20230212749A1 (en) 2021-12-30 2022-12-01 Device for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210192926A KR20230102638A (ko) 2021-12-30 2021-12-30 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230102638A true KR20230102638A (ko) 2023-07-07

Family

ID=86992434

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210192926A KR20230102638A (ko) 2021-12-30 2021-12-30 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230212749A1 (ko)
KR (1) KR20230102638A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230212749A1 (en) 2023-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI736840B (zh) 基底處理方法
US6444262B1 (en) Thermal processing unit and thermal processing method
US20100272895A1 (en) Film deposition apparatus, film deposition method, storage medium, and gas supply apparatus
KR101132262B1 (ko) 가스 분사 조립체 및 이를 이용한 박막증착장치
KR20060006219A (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치
KR102483547B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치
KR102487805B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102474847B1 (ko) 가스 인젝터 및 웨이퍼 처리 장치
KR20230102638A (ko) 반도체 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR20210043810A (ko) 반도체 제조 장비
KR20100077439A (ko) 원자층 증착장치
KR101668868B1 (ko) 원자층 증착장치
KR102193667B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101173085B1 (ko) 박막 증착장치
KR20060100961A (ko) 샤워헤드 및 이를 구비한 원자층 증착설비
KR100444753B1 (ko) 반도체 소자 제조에 사용되는 증착 장치
KR102388357B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 상기 제조 장치를 이용한 기판 처리 방법
KR20230137714A (ko) 증착장치 및 증착장치를 이용한 증착방법
KR102179754B1 (ko) Ald 박막 증착 장치
KR102184005B1 (ko) Ald 박막 증착 방법
KR102208609B1 (ko) 화학 기상 증착용 샤워 헤드 및 이를 구비한 증착 장치
KR102349006B1 (ko) 박막 증착 장치
KR20220082228A (ko) 기판처리장치
JP2024003741A (ja) 基板処理装置
KR20040024062A (ko) 개선된 샤워헤드 구조를 가지는 박막 제조용 화학기상증착장치