KR20230100540A - Apparatus for treating a substrate and electrostatic monitoring method of treatment liquid - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 노즐; 상기 노즐이 대기하는 홈 포트; 및 상기 홈 포트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하는 대전 측정 부재를 포함할 수 있다. The present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus includes a substrate support unit supporting a substrate; a nozzle supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit; a home port where the nozzle waits; and a charge measurement member for measuring the amount of charge of the liquid dispensed from the nozzle in the home port.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 처리액 대전 모니터링 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method for monitoring charge of a treatment liquid.
반도체 제조 공정에 이용되는 매엽식의 액 처리 장치는, 예를 들면 스핀 척에 유지되어 있는 기판의 표면에 노즐로부터 처리액을 토출하도록 구성되어 있다.A single-wafer type liquid processing device used in a semiconductor manufacturing process is configured to discharge a processing liquid from a nozzle onto the surface of a substrate held by a spin chuck, for example.
액 처리로서는, 레지스트 패턴을 형성하기 위하여 레지스트액을 기판에 도포하는 처리, 노광 후의 기판에 현상액을 공급하는 처리, 혹은 린스액을 기판에 공급하여 세정하는 처리 등을 들 수 있다. 이러한 처리액은, 도중에 밸브, 필터, 펌프 등의 기기를 마련한 배관을 거쳐 노즐로 공급 된다.Examples of the liquid processing include a process of applying a resist liquid to a substrate to form a resist pattern, a process of supplying a developing solution to the exposed substrate, and a process of supplying a rinse liquid to the substrate to clean it. This treatment liquid is supplied to the nozzle through a pipe provided with equipment such as a valve, filter, pump, etc. on the way.
배관 또는 기기를 포함하는 유로는, 청정도 또는 내약품성의 관점으로부터 불소 수지 등의 절연성 재료에 의해 구성되어 있다. 처리액이 그 유로(예를 들면, 배관 등)를 통과하면, 처리액과 유로의 내표면과의 사이의 마찰에 의해 정전기가 발생하고, 처리액이 대전한다. 처리액의 대전량은 처리액의 종류 또는 프로세스 조건에 따라서 증가될 수 있고, 유로를 구성하는 부재의 정전 파괴에 따른 파손, 또는 처리 프로세스의 성능 저하가 염려된다. 특히, 대전량이 큰 처리액이 기판에 공급되면 처리 대상이 되는 기판이 처리액에 의해 대전하거나 처리액이 방전해 기판에 손상을 줄 수 있다. A flow path including piping or equipment is made of an insulating material such as fluororesin from the viewpoint of cleanliness or chemical resistance. When the treatment liquid passes through the passage (eg, a pipe), static electricity is generated due to friction between the treatment liquid and the inner surface of the passage, and the treatment liquid is charged. The amount of charge of the treatment liquid may increase depending on the type of treatment liquid or process conditions, and there is a concern about damage to members constituting the flow path due to electrostatic destruction or degradation of treatment process performance. In particular, if a treatment liquid having a large amount of charge is supplied to the substrate, the substrate to be treated may be charged by the treatment liquid or the treatment liquid may be discharged, causing damage to the substrate.
또한, 대전량의 큰 처리액이 또한 기판 처리 장치 내의 유로를 순환하면, 유로에 설치된 여러 가지의 센서(예를 들면, 온도 센서 또는 압력센서 등)가 오동작하거나 고장나거나 하는 경우가 있다. 이들의 센서는 예를 들면 기판의 처리 조건의 관리 및 유지를 위해서 이용된다. 따라서, 센서의 오동작 및 고장은 기판의 처리 불량을 일으킨다.In addition, when a processing liquid having a large amount of charge circulates through a flow path in the substrate processing apparatus, various sensors (eg, temperature sensors or pressure sensors) installed in the flow path may malfunction or fail. These sensors are used, for example, for managing and maintaining substrate processing conditions. Therefore, malfunctions and failures of the sensor cause processing defects of the substrate.
따라서, 기판 처리 공정 중에 발생하는 정전기 문제를 해결하기 위해서는 처리액의 대전량을 모니터링할 필요가 있다. Therefore, in order to solve the problem of static electricity generated during the substrate processing process, it is necessary to monitor the amount of charge of the processing liquid.
본 발명은 기판으로 공급되는 처리액의 대전량을 모니터링할 수 있는 기판 처리 장치 및 처리액 대전 모니터링 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of monitoring the amount of charge of a processing liquid supplied to a substrate and a method for monitoring the charge of a processing liquid.
본 발명은 처리액의 대전량을 측정하면서도 기판으로 공급되는 처리액의 오염을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 처리액 대전 모니터링 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a method for monitoring charge of a processing liquid capable of preventing contamination of a processing liquid supplied to a substrate while measuring the amount of charge of the processing liquid.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다. The problem to be solved by the present invention is not limited thereto, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛; 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 노즐; 상기 노즐이 대기하는 홈 포트; 및 상기 홈 포트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하는 대전 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to one aspect of the present invention, a substrate support unit for supporting a substrate; a nozzle supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit; a home port where the nozzle waits; and a charge measuring member configured to measure the amount of charge of the liquid dispensed from the nozzle in the home port.
또한, 상기 대전 측정 부재는 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접촉하도록 상기 홈 포트에 제공되는 제1측정 전극을 포함할 수 있다.In addition, the charge measurement member may include a first measurement electrode provided in the home port to contact the liquid dispensed from the nozzle.
또한, 상기 노즐에 액을 공급하기 위한 액 공급 장치를 더 포함하고, 상기 액 공급 장치는 액이 벤트되는 벤트부를 포함하며; 상기 대전 측정 부재는 상기 벤트부를 통해 벤트되는 액과 접촉하도록 제공되는 제2측정 전극를 더 포함할 수 있다.In addition, it further includes a liquid supply device for supplying liquid to the nozzle, wherein the liquid supply device includes a vent unit through which the liquid is vented; The charge measurement member may further include a second measurement electrode provided to contact the liquid vented through the vent unit.
또한, 상기 대전 측정 부재는 상기 제1측정 전극과 상기 제2측정 전극 간의 전위차를 측정하는 전압계를 더 포함할 수 있다.In addition, the charge measuring member may further include a voltmeter for measuring a potential difference between the first measuring electrode and the second measuring electrode.
또한, 상기 액 공급 장치는 액이 유동하는 유로상에 개폐 밸브가 제공되고, 상기 전압계는, 상기 개폐 밸브의 오픈 전과 오픈 후의 전압 변화를 측정할 수 있다.In addition, the liquid supply device may include an opening/closing valve provided on a flow path through which the liquid flows, and the voltmeter may measure a voltage change before and after opening of the opening/closing valve.
또한, 상기 액 공급 장치는 상기 노즐로 공급되기 전에 액이 일시 저장되는 탱크; 상기 탱크에 저장된 액을 상기 노즐로 공급하는 펌프를 포함하며, 상기 벤트부는 상기 탱크로부터 액이 벤트되는 제1벤트라인; 및 상기 펌프로부터 액이 벤트되는 제2벤트라인을 포함할 수 있다.In addition, the liquid supply device includes a tank in which liquid is temporarily stored before being supplied to the nozzle; A pump supplying the liquid stored in the tank to the nozzle, and the vent unit includes a first vent line through which the liquid is vented from the tank; and a second vent line through which liquid is vented from the pump.
또한, 상기 제2측정 전극은 상기 제1벤트라인과 상기 제2벤트라인에 각각 제공될 수 있다.In addition, the second measuring electrode may be provided on the first vent line and the second vent line, respectively.
또한, 상기 제1벤트라인과 상기 제2벤트라인은 피팅부를 포함하고, 상기 제2측정 전극은 상기 피팅부의 액과 접하는 표면에 제공되는 전극막을 포함할 수 있다.In addition, the first vent line and the second vent line may include a fitting part, and the second measuring electrode may include an electrode film provided on a surface of the fitting part in contact with a liquid.
또한, 상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 다공성 소재로 제공될 수 있다.In addition, the first measuring electrode and the second measuring electrode may be provided as a porous material.
또한, 상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 액과의 접촉 면적을 넓히기 위해 요철 또는 패턴을 갖는 접촉면을 가질 수 있다.In addition, the first measuring electrode and the second measuring electrode may have a contact surface having a concavo-convex or patterned surface to increase a contact area with the liquid.
또한, 상기 제1측정 전극은 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접하는 상기 홈 포트의 몸체 표면에 이온주입처리 또는 코팅처리된 전극막을 포함할 수 있다.In addition, the first measuring electrode may include an electrode film treated with ion implantation or coating on a surface of the body of the home port in contact with the liquid dispensed from the nozzle.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 액을 토출하는 노즐이 대기하는 홈 포트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하여 실시간으로 액 대전량 변화를 체크할 수 있는 액 대전량 모니터링 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a liquid charge amount monitoring method capable of checking a change in liquid charge amount in real time by measuring the charge amount of liquid dispensed from a nozzle at a home port where a nozzle discharging the liquid is waiting. can
또한, 상기 노즐로 액을 공급하는 액 공급 유로 상에 제공되는 모듈로부터 벤트되는 액의 대전량을 측정하여 실시간으로 액 대전량 변화를 체크할 수 있다.In addition, a change in liquid charge amount may be checked in real time by measuring the charge amount of liquid vented from a module provided on a liquid supply passage for supplying liquid to the nozzle.
또한, 상기 홈 호트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 상기 모듈로부터 벤트되는 액의 전위차를 측정할 수 있다.In addition, a potential difference between the liquid dispensed from the nozzle and the liquid vented from the module may be measured in the home port.
또한, 상기 모듈은 펌프 및 탱크를 포함할 수 있다.Also, the module may include a pump and a tank.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판의 액 처리가 이루어지는 처리 유닛; 상기 처리 유닛의 외측에 제공되는 홈 포트; 상기 처리 유닛에 위치된 기판으로 처리액을 토출하고, 상기 처리 유닛에서 기판에 대해 액 처리를 수행하는 공정 위치와 상기 홈 포트에서 대기하는 대기 위치 간에 이동 가능하게 제공되는 노즐을 가지는 노즐 유닛; 상기 노즐로 처리액을 공급하는 그리고 탱크와 펌프를 갖는 처리액 공급 장치; 및 상기 홈 포트에서 대기중인 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하는 대전 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, a processing unit in which liquid processing of a substrate is performed; a home port provided outside the processing unit; a nozzle unit having a nozzle provided to discharge a processing liquid to a substrate located in the processing unit and to be movable between a processing position in which liquid processing is performed on the substrate in the processing unit and a standby position in the home port; a treatment liquid supply device supplying a treatment liquid to the nozzle and having a tank and a pump; and a charge measurement member measuring the amount of charge of the liquid dispensed from the nozzle waiting in the home port.
또한, 상기 대전 측정 부재는 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접촉하도록 상기 홈 포트에 제공되는 제1측정 전극; 상기 탱크와 상기 펌프에 각각 설치된 벤트라인 중 적어도 하나에 설치되어 상기 벤트라인으로부터 벤트되는 액과 접촉하도록 제공되는 제2측정 전극을 포함할 수 있다.In addition, the charge measuring member may include a first measuring electrode provided in the home port to contact the liquid dispensed from the nozzle; A second measuring electrode installed on at least one of the vent lines respectively installed in the tank and the pump may be provided to contact a liquid vented from the vent line.
또한, 상기 대전 측정 부재는 상기 제1측정 전극과 상기 제2측정 전극 간의 전위차를 측정하는 전압계를 더 포함할 수 있다.In addition, the charge measuring member may further include a voltmeter for measuring a potential difference between the first measuring electrode and the second measuring electrode.
또한, 상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 다공성 소재로 제공될 수 있다.In addition, the first measuring electrode and the second measuring electrode may be provided as a porous material.
또한, 상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 액과의 접촉 면적을 넓히기 위해 요철 또는 패턴을 갖는 접촉면을 가질 수 있다. In addition, the first measuring electrode and the second measuring electrode may have a contact surface having a concavo-convex or patterned surface to increase a contact area with the liquid.
본 발명의 일 실시 예에 의하면,기판으로 공급되는 처리액의 대전량을 모니터링할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the amount of charge of the treatment liquid supplied to the substrate may be monitored.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 처리액의 대전량을 측정하면서도 기판으로 공급되는 처리액의 오염을 방지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, it is possible to prevent contamination of the treatment liquid supplied to the substrate while measuring the amount of charge of the treatment liquid.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7에 도시된 액 공급 유닛과 홈 포트 그리고 대전 측정 부재를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 측정 전극의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 10은 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 11은 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 13은 펌프 유닛의 벤트라인에 설치되는 제2측정 전극의 다른 예를 보여주는 도면이다. 1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus showing an application block or a developing block of FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 4 is a diagram showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 .
FIG. 5 is a schematic cross-sectional plan view of an embodiment of the heat treatment chamber of FIG. 3 .
6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5;
FIG. 7 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing chamber of FIG. 3 .
FIG. 8 is a view for explaining the liquid supply unit, home port, and charge measuring member shown in FIG. 7 .
FIG. 9 is a view showing an example of the measuring electrode shown in FIG. 8 .
10 is a view showing another example of a first measuring electrode installed in a home port.
11 is a view showing still another example of a first measuring electrode installed in a home port.
12 is a view showing still another example of a first measuring electrode installed in a home port.
13 is a view showing another example of a second measuring electrode installed in a vent line of a pump unit.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and actions.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.'Including' a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated. Specifically, terms such as "comprise" or "having" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features or It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms may be used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, the second element may also be termed a first element, without departing from the scope of the present invention.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when a component is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another component, it should be understood that no other component exists in the middle. Other expressions describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "adjacent to" and "directly adjacent to", etc., should be interpreted similarly.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this application, they are not interpreted in an ideal or excessively formal meaning. .
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.1 is a perspective view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view of the substrate processing apparatus showing a coating block or a developing block of FIG. 1, and FIG. 3 is a substrate processing apparatus of FIG. 1 is a plan view of
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. The
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다. As the
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.An
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.The
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액 처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다. Referring to FIG. 3 , the
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다. A plurality of
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다. The front
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.FIG. 4 is a diagram showing an example of a hand of the conveying unit of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the hand A has a
다시 도 2를 참고하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 유닛(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 유닛(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다. Referring back to FIG. 2 , a plurality of buffer chambers 3800 are provided. Some of the buffer chambers 3800 are disposed between the
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.The developing
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다. The
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.A fan filter unit forming a descending airflow therein may be provided at an upper end of the
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.The
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.According to an example, the additional process chamber 4200 may be disposed on one side of the
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.The conveying
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. The
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열 처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열 처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열 처리 챔버(3200)들은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.Referring back to FIGS. 2 and 3 , a plurality of
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 실시 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. FIG. 5 is a plan view schematically illustrating an embodiment of the heat treatment chamber of FIG. 3 , and FIG. 6 is a front cross-sectional view of the heat treatment chamber of FIG. 5 .
도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 처리 용기(하우징)(3201), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230)을 포함한다.Referring to FIGS. 5 and 6 , a
처리 용기(3201)는 내부 공간(3202)을 가진다. 처리 용기(3201)는 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 처리 용기(3201)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(미도시)가 형성된다. 또한, 반입구를 개폐하도록 도어(미도시)가 제공될 수 있다. 반입구는 선택적으로 개방된 상태로 유지될 수 있다. 반입구는 냉각 유닛(3220)과 인접한 영역에 형성될 수 있다. The
냉각 유닛(3220)과 가열 유닛(3230)은 처리 용기(3201)의 내부 공간(3202) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. A
처리 용기(3201)에는 배기 라인(3210)이 연결될 수 있다. 배기 라인(3210)은 팬 유닛(3250)이 공급하는 가스를 처리 용기(3201)의 외부로 배기할 수 있다. 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 하부에 연결될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 라인(3210)은 처리 용기(3201)의 측부 등에 연결될 수 있다.An
냉각 유닛(3220)은 냉각 플레이트(3222)를 가진다. 냉각 플레이트(3222)에는 기판(W)이 안착될 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형에 가까운 형상을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)에는 냉각 부재(미도시)가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각 플레이트(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 이에 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 플레이트(3222)는 기판(W)과 대응하는 직경을 가질 수 있다. 냉각 플레이트(3222)의 가장 자리에는 노치가 형성될 수 있다. 노치는 상술한 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치는 핸드(A)에 형성된 지지 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 지지 돌기(3429)에 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 냉각 플레이트(3222) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 냉각 플레이트(3222)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3224)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)의 끝단에서 냉각 플레이트(3222)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3224)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3224)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3224)은 냉각 플레이트(3222)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 냉각 플레이트(3222)와 리프트 핀(3236)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.The
냉각 플레이트(3222)는 가이드 레일(3229)에 장착되는 구동기(3226)에 의해 Y축 방향(14)을 따라 이동할 수 있다. The
가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. The
도 7은 도 3의 액 처리 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. FIG. 7 is a diagram schematically illustrating an example of the liquid processing unit of FIG. 3 .
도 3 및 도 7을 참조하면, 각각의 기판 처리 유닛(3602)은 기판(W) 상에 감광액과 같은 처리액을 도포하는 도포 공정을 수행한다. 기판 처리 유닛들은 제1방향(12)을 따라 순차적으로 배열될 수 있다. 예컨대, 하우징(3610) 내에는 3 개의 기판 처리 유닛들이 위치될 수 있다. Referring to FIGS. 3 and 7 , each
각각의 기판 처리 유닛(3602)은 기판 지지 유닛(3640), 처리 용기(3620), 액 공급 유닛(700) 그리고 대전 측정 부재(800) 그리고 홈 포트(900)를 포함한다.Each
기판 지지 유닛(3640)은 하우징(3610)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(3640)은 스핀척(3642), 회전축(3644), 그리고 구동기(3646)를 포함한다. 스핀척(3642)은 기판을 지지하는 기판 지지 부재(3642)로 제공된다. 스핀척(3642)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(3642)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. The
회전축(3644) 및 구동기(3646)는 스핀척(3642)을 회전시키는 회전 구동 부재(3644,3646)로 제공된다. 회전축(3644)은 스핀척(3642)의 아래에서 스핀척(3642)을 지지한다. 회전축(3644)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(3644)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(3646)는 회전축(3644)이 회전되도록 구동력을 제공한다. The
처리 용기(3620)는 하우징(3610)의 내부 공간에 위치된다. 처리 용기(3620)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(3620)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(3620)는 기판 지지 유닛(3640)의 둘레를 감싸도록 제공된다. 즉, 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간에 위치된다. 처리 용기(3620)는 외측컵(3622) 및 내측컵(3624)을 포함한다. 외측컵(3622)은 기판 지지 유닛(3640)의 둘레를 감싸도록 제공되고, 내측컵(3624)은 외측컵(3622)의 내측에 위치된다. 외측컵(3622) 및 내측컵(3624) 각각은 환형의 링 형상으로 제공된다. 외측컵(3622)과 내측컵(3624)의 사이 공간은 액이 회수되는 회수 경로로 기능한다. The
노즐 유닛(3660)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 노즐 유닛(3660)은 아암(3662) 및 처리 노즐(3664)을 포함한다. 아암(3662)의 저면에는 처리 노즐(3664)이 설치된다. 선택적으로 아암(3662)은 복수 개로 제공될 수 있으며, 아암들(3662) 각각에는 처리 노즐(3664)이 설치될 수 있다. 또한 아암(3662)은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축(미도시됨)에 결합되어 회전될 수 있다. The
회전축의 회전에 의해 처리 노즐(3664)은 공정 위치와 대기 위치 간에 이동된다. 공정 위치에서 처리 노즐(3664)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판으로 처리액을 토출하여 기판에 대해 액 처리를 수행한다. 기판에 대해 액 처리가 이루어지지 않는 동안에 처리 노즐(4366)은 대기 위치에서 대기한다. The
처리 노즐(3664)은 대기 위치인 홈 포트(900)에 위치하는 동안 오토 디스펜스(auto-dispense) 동작, 프리 디스펜스(pre-dispense) 동작 그리고 노즐 세정 동작이 이루어질 수 있다. 오토 디스펜스 동작은 처리 노즐(3664)이 장 시간동안 대기위치에 대기할 때 일정 시간 간격으로 처리액을 토출하는 동작이다. 오토 디스펜스 동작에 의해 노즐 유닛(3660) 내에서 처리액이 고화되는 것을 방지한다. 프리 디스펜스 동작은 처리 노즐(3664)로부터 기판으로 처리액을 토출하기 전에 대기 위치에서 처리액을 미리 토출하는 동작이다. 프리 디스펜스 동작에 의해 기판으로 처리액을 토출시 처리액이 원활하게 이루어진다. An auto-dispense operation, a pre-dispense operation, and a nozzle cleaning operation may be performed while the
홈 포트(900)는 컵(3620)의 외측에 배치된다. 상부에서 바라볼 때, 처리 노즐(3664)의 대기 위치는 홈 포트(900)와 중첩된다.
액 공급 유닛(700)은 처리 노즐(3664)로 처리액을 공급한다. 본 실시예에서 액 공급 유닛(700)은 도포 공정에 사용되는 레지스트액을 공급하는 것으로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 처리액을 이용하여 기판 표면을 처리하는 액처리 장치에 모두 적용 가능하다. The
도 8은 도 7에 도시된 액 공급 유닛과 홈 포트 그리고 대전 측정 부재를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a view for explaining the liquid supply unit, home port, and charge measuring member shown in FIG. 7 .
홈 포트(900)는 몸체의 상부가 개방되고, 내부에 처리 노즐(3664)의 노즐팁이 수용가능한 원통형상의 수용공간(912)과, 처리 노즐(3664)로부터 처리액이 디스펜스되는 토출 공간(914)을 제공한다. The
액 공급 유닛(700)은 보틀(710), 트랩 탱크(720), 펌프 유닛(730) 그리고 공급 유로(904)를 포함할 수 있다. The
보틀(710)에는 처리액이 채워져 있으며, 불활성가스 공급라인(미도시됨)과 제1공급라인(701)이 연결되어 있다. 보틀(710)에는 불활성가스 공급라인을 통해 밀폐된 보틀(710) 내부를 불활성기체의 분위기로 만들기 위해 불활성가스(헬륨가스 또는 질소 가스)가 레귤레이터를 통해 공급되며, 상대적인 압력으로 내부의 처리액이 제1공급라인(701)을 통해 트랩 탱크(720)로 이동된다. The
트랩 탱크(720)에서는 처리액 내의 용존가스가 분리 제거될 수 있다. 트랩 탱크(720)에는 제2공급라인(702)이 연결된다. 제2공급라인(702)은 펌프 유닛(730)에 연결된다. 트랩 탱크(920)에는 제1벤트 라인(728)에 연결된다. 트랩 탱크(920)에 저장된 처리액의 일부는 제1벤트 라인(728)을 통해 배출될 수 있다. In the
펌프 유닛(730)는 흡입 및 배출 동작에 의해 발생되는 유동압에 의해 트랩 탱크(720)에 저장되어 있는 처리액을 처리 노즐(3664)로 공급할 수 있다. 펌프 유닛(730)에는 제3공급라인(703)들이 연결된다. 제3공급라인(703)은 액처리 장치들 각각의 처리 노즐(3664)과 연결될 수 있다. 제3공급라인(703)에는 개폐 밸브*708)가 제공될 수 있다. 펌프 유닛(730)에는 제2벤트 라인(738)이 제공될 수 있다. 펌프 유닛(730)에서 펌핑되는 처리액 중 일부는 제2벤트 라인(738)을 통해 배출될 수 있다. The
공급 유로(704)는 제1공급라인(701)과 제2공급라인(702) 그리고 제3공급라인(703)을 포함할 수 있다. The
대전 측정 부재(800)는 액 공급 유닛(700)에서 유동하는 처리액의 대전량을 측정한다. 대전 측정 부재(800)는 홈 포트(900)에서 처리 노즐(3664)로부터 디스펜스되어 버려지는 처리액의 대전량을 측정할 수 있다. 또한, 대전 측정 부재(800)는 제2벤트 라인(728) 및 제2벤트 라인(738)을 통해 배출되는 처리액의 대전량을 측정할 수 있다. 또한, 대전 측정 부재(800)는 홈 포트(900)에서 디스펜스되는 처리액과 벤트 라인(728,738)을 통해 배출되는 처리액 간의 전위차를 측정할 수 있다. The
일 실시예에 따르면, 대전 측정 부재(800)는 제1측정 전극(810)과 제2측정 전극(820,830)들 그리고 전압계(802,804)들을 포함할 수 있다. 제1,2측정 전극(810,820,830)은 도전성 재료를 포함할 수 있다. 상기 전극(810,820,830)들은 액 공급 유닛(700)으로부터 버려지는 처리액과 접촉함으로 전극과 처리액의 접촉에 의한 오염을 걱정하지 않아도 된다. According to an embodiment, the
제1측정 전극(810)은 홈 포트(900)에 제공될 수 있다. 제1측정 전극(810)은 처리 노즐(3664)로부터 디스펜스되는 처리액과 접촉할 수 있는 위치에 제공될 수 있다. 일 예로, 제1측정 전극(810)은 홈 포트(900)의 토출 공간(914)과 접하는 측벽에 제공될 수 있다. The first measurement electrode 810 may be provided in the
제2측정 전극(820,830)들은 처리액이 벤트되는 제1벤트라인(728)과 제2벤트라인(738)에 제공될 수 있다. 제2측정 전극(820,830)은 벤트라인(728,738)을 통해 배출되는 처리액과 접촉할 수 있는 위치에 제공될 수 있다. The
전압계(802)는 제1측정 전극(810)과 제2측정 전극(820)간의 전위차를 측정할 수 있다. 또 다른 전압계(804)는 제1측정 전극(810)과 제2측정 전극(830)간의 전위차를 측정할 수 있다. 전압계(802,804)는 개폐 밸브(708)의 오픈 전과 오픈 후의 전압 변화를 측정할 수 있다. 대전 측정 부재(800)에서 측정된 값은 작업자에게 제공될 수 있다. The
한편, 전압계(802)는 펌프 유닛(730) 내의 처리액이 지나가는 유로가 하나로 이어지면 제1측정 전극(810)과 제2측정 전극(820,830) 간의 전압 변화를 측정할 수 있다. Meanwhile, the
대전 측정 부재(800)는 제1측정 전극(810) 및 제2측정 전극(820,830)에서 측정된 대전량이 적정 범위를 초과하는 경우 알람이 출력하도록 제공될 수 있다. The
제1측정 전극(810) 및 제2측정 전극(820,830)은 기판으로 제공되는 처리액의 유로상에 제공되는 것이 아니기 때문에, 제1측정 전극(810) 및 제2측정 전극(820,830)은 기판으로 토출되는 처리액에 노출되지 않는다. 따라서, 측정 전극으로부터 용출되는 이물질이 처리액과 함께 기판으로 토출되어 기판이 오염되는 문제가 유발되지 않는다. Since the first measuring electrode 810 and the
도 9는 도 8에 도시된 측정 전극의 일 예를 보여주는 도면이다.FIG. 9 is a view showing an example of the measuring electrode shown in FIG. 8 .
도 9에 도시된 바와 같이, 제1,2측정 전극(810,820,830)은 다공성 소재로 제공될 수 있다. As shown in FIG. 9 , the first and
도 10은 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 다른 예를 보여주는 도면이다.10 is a view showing another example of a first measuring electrode installed in a home port.
도 10에서와 같이, 제1측정 전극(810a)은 처리액과의 접촉면적을 넓게 하기 위해 표면에 요철(912)이나 패턴을 갖는 접촉면을 포함할 수 있다. As shown in FIG. 10 , the
도 11은 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.11 is a view showing still another example of a first measuring electrode installed in a home port.
도 11에서와 같이, 제1측정 전극(810b)은 도전성을 갖는 전극막 형태로 제공될 수 있다. 전극막은 처리 노즐(3664)로부터 디스펜스되는 처리액과 접하는 홈 포트(900)의 몸체 표면에 이온주입처리 또는 코팅처리를 통해 제공될 수 있다. As shown in FIG. 11 , the
도 12는 홈 포트에 설치되는 제1측정 전극의 또 다른 예를 보여주는 도면이다.12 is a view showing still another example of a first measuring electrode installed in a home port.
도 12에서와 같이, 제1측정 전극(810c)은 표면이 이온주입된 피팅관 형태로 제공될 수 있으며, 이러한 제1측정 전극(810c)은 홈 포트(900)의 몸체에 삽입된 상태에서 처리액의 도전량을 측정할 수 있다.As shown in FIG. 12, the
도 13은 펌프 유닛의 벤트라인에 설치되는 제2측정 전극의 다른 예를 보여주는 도면이다. 13 is a view showing another example of a second measuring electrode installed in a vent line of a pump unit.
도 13에서와 같이, 제2측정 전극(820)은 제2벤트라인(738)의 피팅부(739)에 제공될 수 있다. 제2측정 전극(820)은 피팅부(739)를 이온주입 처리 또는 코팅 처리해서 전극화하여 사용할 수 있다. As shown in FIG. 13 , the
이러한 피팅부(739)는 처리액이 펌프 유닛(700)으로 역류하는 과정에서 제2측정 전극(820)으로부터 용출된 성분(이온)이 펌프 유닛(700)으로 유입되는 것을 방지하기 위해 펌프 유닛(700)과 충분하게 이격된 벤트라인(738) 상에 제공될 수 있다. 이러한 피팅부(739)에 제공되는 제2측정 전극은 트랩 탱크의 벤트라인에도 동일하게 적용할 수 있다. This
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.
900 : 홈 포트
710 : 보틀
720 : 트랩탱크
704 : 공급 유로
730 : 펌프 유닛
800 : 대전 측정 부재
810 : 제1측정 전극
820 : 제2측정 전극
802 : 전압계 900: home port 710: bottle
720: trap tank 704: supply flow path
730: pump unit 800: electrification measurement member
810: first measuring electrode 820: second measuring electrode
802: voltmeter
Claims (20)
기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판으로 액을 공급하는 노즐;
상기 노즐이 대기하는 홈 포트; 및
상기 홈 포트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하는 대전 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.In the device for processing the substrate,
a substrate support unit that supports the substrate;
a nozzle supplying a liquid to the substrate supported by the substrate support unit;
a home port where the nozzle waits; and
and a charge measuring member for measuring the amount of charge of the liquid dispensed from the nozzle in the home port.
상기 대전 측정 부재는
상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접촉하도록 상기 홈 포트에 제공되는 제1측정 전극을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The charge measurement member
and a first measuring electrode provided in the groove port to contact the liquid dispensed from the nozzle.
상기 노즐에 액을 공급하기 위한 액 공급 장치를 더 포함하고,
상기 액 공급 장치는
액이 벤트되는 벤트부를 포함하며;
상기 대전 측정 부재는
상기 벤트부를 통해 벤트되는 액과 접촉하도록 제공되는 제2측정 전극를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 2,
Further comprising a liquid supply device for supplying liquid to the nozzle,
The liquid supply device
Includes a vent portion through which the liquid is vented;
The charge measurement member
A substrate processing apparatus further comprising a second measuring electrode provided to contact the liquid vented through the vent unit.
상기 대전 측정 부재는
상기 제1측정 전극과 상기 제2측정 전극 간의 전위차를 측정하는 전압계를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 3,
The charge measurement member
A substrate processing apparatus further comprising a voltmeter for measuring a potential difference between the first measuring electrode and the second measuring electrode.
상기 액 공급 장치는
액이 유동하는 유로상에 개폐 밸브가 제공되고,
상기 전압계는, 상기 개폐 밸브의 오픈 전과 오픈 후의 전압 변화를 측정하는 기판 처리 장치. According to claim 4,
The liquid supply device
An on-off valve is provided on the flow path through which the liquid flows,
The voltmeter measures a voltage change before and after opening of the on-off valve.
상기 액 공급 장치는
상기 노즐로 공급되기 전에 액이 일시 저장되는 탱크;
상기 탱크에 저장된 액을 상기 노즐로 공급하는 펌프를 포함하며,
상기 벤트부는
상기 탱크로부터 액이 벤트되는 제1벤트라인; 및
상기 펌프로부터 액이 벤트되는 제2벤트라인을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 3,
The liquid supply device
a tank in which liquid is temporarily stored before being supplied to the nozzle;
And a pump for supplying the liquid stored in the tank to the nozzle,
The vent part
a first vent line through which liquid is vented from the tank; and
A substrate processing apparatus comprising a second vent line through which the liquid is vented from the pump.
상기 제2측정 전극은
상기 제1벤트라인과 상기 제2벤트라인에 각각 제공되는 기판 처리 장치.According to claim 6,
The second measuring electrode is
A substrate processing apparatus provided on the first vent line and the second vent line, respectively.
상기 제1벤트라인과 상기 제2벤트라인은 피팅부를 포함하고,
상기 제2측정 전극은
상기 피팅부의 액과 접하는 표면에 제공되는 전극막을 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 6,
The first vent line and the second vent line include a fitting portion,
The second measuring electrode is
A substrate processing apparatus comprising an electrode film provided on a surface of the fitting portion in contact with the liquid.
상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 다공성 소재로 제공되는 기판 처리 장치. According to claim 3,
The first measuring electrode and the second measuring electrode are provided with a porous material.
상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 액과의 접촉 면적을 넓히기 위해 요철 또는 패턴을 갖는 접촉면을 갖는 기판 처리 장치. According to claim 3,
The first measuring electrode and the second measuring electrode have a contact surface having a concavo-convex or pattern to increase a contact area with the liquid.
상기 제1측정 전극은
상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접하는 상기 홈 포트의 몸체 표면에 이온주입처리 또는 코팅처리된 전극막을 포함하는 기판 처리 장치. According to claim 2,
The first measuring electrode is
A substrate processing apparatus comprising an electrode film coated or ion implanted on a surface of the body of the home port in contact with the liquid dispensed from the nozzle.
액을 토출하는 노즐이 대기하는 홈 포트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하여 실시간으로 액 대전량 변화를 체크할 수 있는 액 대전량 모니터링 방법.In the liquid charge amount monitoring method in a substrate processing apparatus using liquid:
A liquid charge amount monitoring method capable of checking a change in liquid charge amount in real time by measuring the charge amount of liquid dispensed from a nozzle at a home port where a nozzle discharging the liquid is waiting.
상기 노즐로 액을 공급하는 액 공급 유로 상에 제공되는 모듈로부터 벤트되는 액의 대전량을 측정하여 실시간으로 액 대전량 변화를 체크할 수 있는 액 대전량 모니터링 방법.According to claim 12,
A liquid charge amount monitoring method capable of checking a change in liquid charge amount in real time by measuring the charge amount of liquid vented from a module provided on a liquid supply passage for supplying liquid to the nozzle.
상기 홈 호트에서 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 상기 모듈로부터 벤트되는 액의 전위차를 측정하는 액 대전량 모니터링 방법.According to claim 13,
A liquid charge amount monitoring method for measuring a potential difference between the liquid dispensed from the nozzle and the liquid vented from the module in the home hot pot.
상기 모듈은
펌프 및 탱크를 포함하는 액 대전량 모니터링 방법.According to claim 13,
The module
Liquid charge amount monitoring method including pump and tank.
기판의 액 처리가 이루어지는 처리 유닛;
상기 처리 유닛의 외측에 제공되는 홈 포트;
상기 처리 유닛에 위치된 기판으로 처리액을 토출하고, 상기 처리 유닛에서 기판에 대해 액 처리를 수행하는 공정 위치와 상기 홈 포트에서 대기하는 대기 위치 간에 이동 가능하게 제공되는 노즐을 가지는 노즐 유닛;
상기 노즐로 처리액을 공급하는 그리고 탱크와 펌프를 갖는 처리액 공급 장치; 및
상기 홈 포트에서 대기중인 상기 노즐로부터 디스펜스되는 액의 대전량을 측정하는 대전 측정 부재를 포함하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a processing unit in which liquid processing of the substrate is performed;
a home port provided outside the processing unit;
a nozzle unit having a nozzle provided to discharge a processing liquid to a substrate located in the processing unit and to be movable between a processing position in which liquid processing is performed on the substrate in the processing unit and a standby position in the home port;
a treatment liquid supply device supplying a treatment liquid to the nozzle and having a tank and a pump; and
and a charge measurement member measuring charge amount of liquid dispensed from the nozzle waiting in the home port.
상기 대전 측정 부재는
상기 노즐로부터 디스펜스되는 액과 접촉하도록 상기 홈 포트에 제공되는 제1측정 전극;
상기 탱크와 상기 펌프에 각각 설치된 벤트라인 중 적어도 하나에 설치되어 상기 벤트라인으로부터 벤트되는 액과 접촉하도록 제공되는 제2측정 전극을 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 16,
The charge measurement member
a first measuring electrode provided in the groove port to contact the liquid dispensed from the nozzle;
and a second measuring electrode installed on at least one of the vent lines installed in the tank and the pump and provided to contact a liquid vented from the vent line.
상기 대전 측정 부재는
상기 제1측정 전극과 상기 제2측정 전극 간의 전위차를 측정하는 전압계를 더 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 17,
The charge measurement member
A substrate processing apparatus further comprising a voltmeter for measuring a potential difference between the first measuring electrode and the second measuring electrode.
상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 다공성 소재로 제공되는 기판 처리 장치. According to claim 17,
The first measuring electrode and the second measuring electrode are provided with a porous material.
상기 제1측정 전극 및 상기 제2측정 전극은 액과의 접촉 면적을 넓히기 위해 요철 또는 패턴을 갖는 접촉면을 갖는 기판 처리 장치.
According to claim 17,
The first measuring electrode and the second measuring electrode have a contact surface having a concavo-convex or pattern to increase a contact area with the liquid.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal |