KR20230099100A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230099100A
KR20230099100A KR1020210188191A KR20210188191A KR20230099100A KR 20230099100 A KR20230099100 A KR 20230099100A KR 1020210188191 A KR1020210188191 A KR 1020210188191A KR 20210188191 A KR20210188191 A KR 20210188191A KR 20230099100 A KR20230099100 A KR 20230099100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
reflection layer
disposed
insulating film
display device
Prior art date
Application number
KR1020210188191A
Other languages
English (en)
Inventor
조광남
최원열
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210188191A priority Critical patent/KR20230099100A/ko
Priority to CN202210907356.8A priority patent/CN116406187A/zh
Priority to US18/060,871 priority patent/US20230209869A1/en
Publication of KR20230099100A publication Critical patent/KR20230099100A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 제1 기판; 제1 기판 상의 표시부; 표시부를 커버하는 봉지부; 및 적어도 2층 이상의 무기물 함유층을 포함하며, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 제1 광흡수층, 제1 반사 방지(anti reflection)층 및 제1 반사 방지층 상에 배치되고 제1 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제2 반사 방지층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 표시 장치 내에 적어도 2층 이상의 무기물 함유층을 배치함으로써 외부광에 의한 반사를 방지할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표시 장치의 내부로 입사되는 외부 광에 의한 시인성 저하 문제를 해결할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하는 표시 장치에 대한 요구가 증가하고 있으며, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등과 같은 다양한 유형의 표시 장치가 활용된다.
다양한 표시 장치들 중 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원을 필요로 하지 않는다. 따라서 경량 박형으로 제조가 가능하고, 공정상의 이점이 있으며 저전압 구동에 의해 소비전력이 낮은 이점이 있다. 무엇보다도 유기 발광 표시 장치는 자체 발광 소자를 포함하고, 각각의 층을 얇은 유기 박막으로 형성할 수 있어 다른 표시 장치 대비 유연성 및 탄성이 우수하고, 이로 인해 플렉서블 표시 장치로 구현되기에 보다 유리한 이점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 외부에서 표시 장치의 내부로 입사되는 외부 광에 의한 시인성 저하 문제를 해결할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 수분 투습 방지가 우수한 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 터치 감도가 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판; 제1 기판 상의 표시부; 표시부를 커버하는 봉지부; 및 적어도 2층 이상의 무기물 함유 층을 포함하며, 적어도 2층 이상의 무기물 함유 층은 제1 광흡수층, 제1 반사 방지(anti reflection)층 및 제1 반사 방지층 상에 배치되고 제1 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제2 반사 방지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 표시 장치 내 배치된 적어도 2층 이상의 무기물 함유층에 의해 외부에서 표시 장치 내부로 입사되는 외부 광에 의한 반사를 방지할 수 있다.
본 발명은 적어도 2층 이상의 무기물 함유층의 위치를 다양하게 형성하여 외부 광에 의한 표시 장치의 시인성 저하 및 화질 저하 문제를 최소화할 수 있다.
본 발명은 표시 장치에 수분이 침투되는 것을 방지하여 표시 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 적어도 2층 이상의 무기물 함유층에 의해 터치 전극의 유전율을 향상시켜 터치 감도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 발명 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 제한되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형상으로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 면적, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 제한되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
소자 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
또한 제 1, 제 2 등이 다양한 구성 요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성 요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성 요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성 요소일 수도 있다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 면적 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 면적 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 유리 또는 플라스틱을 이용한 기판 및 기판 상에 교차 배치된 복수의 게이트 라인과 복수의 데이터 라인을 포함한다. 기판은 제1 기판으로 지칭될 수도 있다.
복수의 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 지점에 복수의 화소(PX)가 정의된다. 영상을 구현하는 복수의 화소(PX)가 배치되는 영역을 표시 영역(AA)으로 표현할 수 있고, 표시 영역(AA)의 외곽에 배치되고 복수의 화소(PX)가 배치되지 않는 영역을 비표시 영역(NA)으로 표현할 수 있다.
표시 영역(AA)에는 영상을 표시하기 위한 표시부 및 표시부를 구동하기 위한 회로부가 형성될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 경우, 표시부는 발광 소자를 포함할 수 있다. 즉, 표시부는 애노드, 애노드 상의 유기 발광층 및 유기 발광층 상의 캐소드를 포함할 수 있다. 유기 발광층은, 예를 들어, 정공 수송층, 정공 주입층, 유기 발광층, 전자 주입층 및 전자 수송층으로 구성될 수 있다. 다만, 표시 장치(100)가 액정 표시 장치인 경우, 표시부는 액정층을 포함하도록 구성될 수도 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(100)가 유기 발광 표시 장치인 것을 가정하여 설명하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
회로부는 발광 소자를 구동하기 위한 다양한 트랜지스터, 커패시터 및 배선을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로부는 구동 트랜지스터, 스위칭 트랜지스터, 스토리지 커패시터, 게이트 배선 및 데이터 배선 등과 같은 다양한 구성 요소로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
비표시 영역(NA)은 화상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(AA)에 배치된 표시부를 구동하기 위한 다양한 배선, 회로 등이 배치되는 영역이다.
비표시 영역(NA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시 영역(AA)을 둘러싸는 영역으로 정의될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)에서 연장된 영역으로 정의될 수 있다. 또한, 비표시 영역(NA)은 표시 영역(AA)의 복수의 변으로부터 연장하는 것으로 정의될 수도 있다.
비표시 영역(NA)에는 게이트 드라이버 IC, 데이터 드라이버 IC와 같은 다양한 IC 및 구동 회로들이 배치되는 COF, FPCB 등이 배치될 수도 있다. 또한, 비표시 영역(NA)에는 GIP(Gate in Panel)로 지칭되는 구동 회로 등이 배치될 수 있다.
또한, 표시 장치(100)는 가요성(flexibility)을 가질 수 있다. 이에 따라, 표시 장치(100)는 표시 품질을 유지하면서도 휘거나, 폴딩(folding), 벤딩(bending), 롤링(rolling) 등 다양한 형상으로 변형이 가능할 수 있다.
이하에서는, 표시 장치(100)의 표시 영역(AA)의 단면 구조에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2를 함께 참조한다.
도 2는 도 1의 II-II'에 따른 개략적인 단면도이다. 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)의 표시 영역(AA)의 하나의 화소(PX)를 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(101)은 표시 장치(100)의 다양한 구성요소들을 지지한다. 제1 기판(101)은 투명한 절연 물질, 예를 들어 유리, 플라스틱 등과 같은 절연 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(101)은 유리 또는 플라스틱을 이용한 기판을 포함한다. 예를 들어, 제1 기판(101)이 폴리이미드(polyimide), 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 및 폴리카보네이트(polycarbonate) 중에서 선택된 절연성의 플라스틱 기판을 포함할 경우, 제1 기판(101)은 가요성(flexibility)을 가질 수 있다.
제1 기판(101)의 표시 영역(AA)에는 트랜지스터(110) 및 발광 소자(140)를 포함하는 표시부가 배치된다.
트랜지스터(110)는 각 화소(PX)를 구동하며, 액티브층(111), 게이트 전극(112), 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)을 포함한다.
액티브층(111)은 제1 기판(101) 상에 배치된다. 액티브층(111)은 폴리 실리콘(p-Si), 아몰포스 실리콘(a-Si), 또는 산화물 반도체로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
게이트 절연층(115)은 제1 기판(101) 및 액티브층(111) 상에 배치된다. 게이트 절연층(115)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복층으로 이루어질 수 있다.
게이트 전극(112)은 게이트 절연층(115) 상에 배치된다. 게이트 전극(112)은 게이트 절연층(115) 상에서 액티브층(111)과 중첩하도록 배치된다. 게이트 전극(112)은 다양한 도전성 물질, 예를 들어, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
층간 절연층(120)은 게이트 절연층(115) 및 게이트 전극(112) 상에 배치된다. 층간 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복층으로 이루어질 수 있다.
소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)이 층간 절연층(120) 상에 배치된다. 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)은 게이트 절연층(115) 및 층간 절연층(120)에 형성된 컨택홀을 통해 액티브층(111)과 전기적으로 연결된다. 소스 전극(113) 및 드레인 전극(114)은 다양한 도전성 물질, 예를 들어, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 금(Au) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도시하지는 않았지만, 제1 기판(101)과 트랜지스터(110)의 사이, 구체적으로 제1 기판(101)과 액티브층(111)의 사이에는 버퍼층이 위치할 수도 있다. 버퍼층은 제1 기판(101) 또는 하부의 층들에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 트랜지스터(110)를 보호하기 위한 층이다. 버퍼층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복층으로 이루어질 수 있다.
트랜지스터(110) 상에는 평탄화층(130)이 배치된다. 평탄화층(130)은 트랜지스터(110)를 보호하고 그 상부를 평탄화한다. 평탄화층(130)은, 예를 들어, BCB(Benzocyclobutene) 또는 아크릴(Acryl) 등과 같은 유기 절연막으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
평탄화층(130) 상에 발광 소자(140)가 배치된다. 발광 소자(140)는 애노드(141), 유기 발광층(142) 및 캐소드(143)를 포함한다.
애노드(141)는 평탄화층(130) 상에 각 화소의 발광 영역에 대응하도록 형성된다. 애노드(141)는 평탄화층(130)의 컨택홀을 통해 트랜지스터(110)의 드레인 전극(114)과 전기적으로 연결될 수 있다. 애노드(141)는 일함수가 낮은 금속성 물질로 형성된다. 표시 장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 애노드(141)는 투명 도전층 및 투명 도전층 상의 반사층을 더 포함할 수 있다. 투명 도전층은, 예를 들어, ITO, IZO 등과 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있고, 반사층은, 예를 들어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다.
뱅크층(150)은 발광 영역을 제외한 나머지 영역에 형성된다. 이에, 뱅크층(150)은 발광 영역과 대응되는 애노드(141)를 노출시킬 수 있다. 뱅크층(150)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx)와 같은 무기 절연 물질 또는 벤조사이클로부텐(BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지와 같은 유기 절연 물질로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도시하지는 않았지만, 뱅크층(150) 상에는 스페이서가 더 형성될 수 있다. 스페이서는 뱅크(150)와 동일한 물질로 형성될 수 있다. 스페이서는 유기 발광층(142)을 패터닝할 때 사용되는 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM)에 의해 발생될 수 있는 발광 소자(140)의 손상을 보호하는 기능을 수행할 수 있다.
뱅크(150)에 의해 노출된 애노드(141) 상에 유기 발광층(142)이 배치된다. 유기 발광층(142)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함할 수 있다. 유기 발광층(142)은, 하나의 빛을 발광하는 단일 발광층 구조로 구성될 수도 있고, 복수 개의 발광층으로 구성되어 백색 광을 발광하는 구조로 구성될 수도 있다.
유기 발광층(142) 상에 캐소드(143)가 배치된다. 표시 장치(100)가 상부 발광(top emission) 방식인 경우, 캐소드(143)는 얇은 두께의 일함수가 높은 금속 물질로 이루어질 수 있다.
발광 소자(140)의 캐소드(143) 상에 봉지부(160)가 배치된다. 봉지부(160)는, 발광 소자(140)를 수분 및 산소로부터 보호할 수 있다. 발광 소자(140)가 수분이나 산소에 노출되면, 발광 소자(140)가 축소되는 화소 수축(pixel shrinkage) 현상이 나타나거나, 발광 영역 내 흑점(dark spot)이 발생할 수 있다.
예를 들어, 봉지부(160)는 제1 무기 절연막(161), 유기 절연막(162) 및 제2 무기 절연막(163)을 포함할 수 있다. 제1 무기 절연막(161) 및 제2 무기 절연막(163)은 질화 실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화 질화 실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연막(162)은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다. 이때, 제1 무기 절연막(161) 및 제2 무기 절연막(163)은 수분이나 산소의 침투를 차단하는 역할을 하고, 유기 절연막(162)은 제1 무기 절연막(161)의 상부를 평탄화하는 역할을 한다. 다만, 봉지부(160)의 구성은 이에 제한되지 않는다.
종래의 표시 장치는 외부에서 표시 장치 내부로 입사되는 외부 광에 의한 시인성, 콘트라스트비 등의 저하를 방지하기 위해 봉지부 상에 편광판을 배치하였다. 그러나, 종래 편광판이 배치된 표시 장치의 경우, 극한 곡률의 폴더블(foldable) 또는 롤러블(rollable) 구현 시, 편광판의 두꺼운 두께로 인하여 편광판에 크랙이 발생하거나 또는 편광판이 벤딩된 형상이 사용자에게 인지되는 문제점이 있었다. 또한, 고가의 편광판에 의해 표시 장치의 제조 단가가 올라가는 문제점도 있었다.
이에, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)는 종래 사용되던 편광판을 대체하기 위하여 표시 장치(100) 내에 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)을 포함한다. 이에 따라, 저비용으로 외부 광에 의한 시인성 문제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 종래에 사용되던 편광판 대비 그 두께를 저감할 수 있어 폴더블 또는 롤러블의 구현이 가능해질 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은 트랜지스터(110) 및 발광 소자(140)를 포함하는 표시부 상, 바람직하게는 표시부 상에 배치되는 봉지부(160)의 제1 무기 절연막(161)과 유기 절연막(162) 사이에 배치될 수 있다.
적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은 제1 반사 방지(anti reflection)층(171), 제1 반사 방지층(171) 상에 배치되고 제1 반사 방지층(171) 보다 굴절률이 작은 제2 반사 방지층(172) 및 제2 반사 방지층(172) 상의 제1 광흡수층(173)을 포함할 수 있다.
적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은 표시부 상에 배치되어, 외부에서 입사된 외부 광이 표시부에서 반사되는 문제를 방지할 수 있다. 구체적으로, 표시 장치(100)에서 외부 광의 반사가 주로 일어나는 금속층(예를 들어, 캐소드(143))에서 반사된 외부 광은 서로 상이한 굴절률을 가지는 제1 반사 방지층(171) 및 제2 반사 방지층(172)의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사된 광 사이의 간섭으로 인하여 입사하는 외부 광이 소멸될 수 있다.
제1 반사 방지층(171)은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 반사 방지층(171)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 갈륨 옥사이드(Ga2O3), 마그네슘 옥사이드(MgO), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 텅스텐 옥사이드(WO3), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 반사 방지층(172)은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하, 예를 들어, 1.0 내지 1.5일 수 있다. 예를 들어, 제2 반사 방지층(172)은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 반사 방지층(171) 및 제2 반사 방지층(172)의 계면에서의 굴절 및 반사된 광의 간섭으로 인하여 대부분의 외부 광은 소멸되나, 소멸되지 않은 일부의 외부 광이 존재할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 반사 방지층(172) 상에 제1 광흡수층(173)이 배치되어, 제1 반사 방지층(171) 및 제2 반사 방지층(172)의 계면에서 소멸되지 않은 일부의 외부 광을 흡수할 수 있다.
제1 광흡수층(173)은 높은 광 흡수율을 가지는 금속을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있다.
또한, 제1 광흡수층(173)의 표면 거칠기(roughness)는 2nm 초과 5nm 이하, 예를 들어 3nm 내지 5nm일 수 있다. 이때, 표면 거칠기(roughness)는 특정 표면의 거친 정도를 나타내는 물리량으로서, 이상적으로 평평한 기준 평면을 기준으로 실제 제1 광흡수층(173)의 굴곡진 표면의 높이 값들의 RMS(root mean square) 값으로 정의될 수 있다. 여기서 기준 평면은 제1 광흡수층(173)의 표면이 이상적으로 평평한 경우, 그 평면과 동일한 평면을 의미하며, 높이를 측정하는 기준점이다. 예를 들어, 표면 거칠기 값이 낮을수록 그 표면은 평평한 것을 의미한다.
상술한 바와 같이 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은 봉지부(160)의 제1 무기 절연막(161)과 유기 절연막(162) 사이에 배치된다. 이때, 제1 광흡수층(173) 상에 유기 절연막(162)이 배치된다.
이때, 제1 광흡수층(173) 상에 배치되는 유기 절연막(162)은 액상의 재질을 가지는 유기 절연 물질을 제1 광흡수층(173)의 전면에 도포함으로써, 제1 광흡수층(173) 상에 유기 절연막(162)을 배치할 수 있다. 이때, 제1 광흡수층(173)의 표면 거칠기가 2nm 초과 5 nm 이하일 경우, 제1 광흡수층(173)의 상부에 배치되는 유기 절연막(162)의 퍼짐성을 개선하여, 유기 절연막(162)이 제1 광흡수층(173)을 모두 덮도록 제1 광흡수층(173) 상에 도포될 수 있다. 유기 절연막(162)은 제1 광흡수층(173) 상에 도포되어 그 상부를 평탄화할 수 있다.
유기 절연막(162)에 의해 상부가 평탄화될 경우, 유기 절연막(162) 상에 배치되는 제2 무기 절연막(163) 또한 평탄한 표면에 배치됨에 따라 제2 무기 절연막(163)에 크랙(crack) 발생 등의 문제가 미연에 방지될 수 있다. 이에 따라, 제2 무기 절연막(162)은 외부의 수분 또는 산소가 하단에 배치되는 제1 무기 절연막(161) 및 유기 절연막(162)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단하여, 봉지부(160) 하부에 배치되는 표시부에 수분이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은, 각각 무기물질을 함유하는 층으로 이루어짐에 따라 증착 공정에 의해 형성할 수 있다. 이에 따라 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(170)은 적층 자유도를 가질 수 있어, 표시 장치(100) 내 원하는 위치에 배치할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 3에 도시된 표시 장치(200)는 도 1 및 도 2에 도시된 표시 장치(100)와 비교하여 터치 패널(280)을 더 포함하고, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)이 터치 패널(280) 상에 배치되는 것을 제외하면 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
표시 장치(200)는 봉지부(160) 상의 터치 패널(280)을 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 터치 패널(280)은 봉지부(160) 상에 직접 형성되거나, 또는 접착층(ADH)에 의해 봉지부(160) 상에 접착되어 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위해 터치 패널(280)이 접착층(ADH)에 의해 봉지부(160) 상에 접착된 경우를 예로 들어 설명하나, 이에 제한되지 않는다.
접착층(ADH)은 봉지부(160)와 터치 패널(TP)을 접착시키기 위한 접착 물질로 구성된다. 접착층(ADH)은 발광 소자(140)를 밀봉하여, 표시 장치(200) 외부로부터의 수분 또는 산소의 침투로부터 발광 소자(140)를 보호하는 기능을 수행할 수도 있다. 접착층(ADH)으로는 다양한 물질이 사용될 수 있고, 예를 들어, OCA(Optical Clear Adhesive) 또는 OCR(Optical Clear Resin) 등과 같은 다양한 접착 물질이 사용될 수 있다.
봉지부(160) 상에 배치되는 터치 패널(TP)은, 복수의 터치 절연층(280) 및 터치 전극(TE)을 포함한다.
복수의 터치 절연층(280)은 터치 보호층(281), 터치 보호층(281) 상의 터치 층간 절연층(282), 터치 층간 절연층(282) 상의 배리어층(283) 및 배리어층(283) 상의 터치 평탄화층(284)을 포함할 수 있다.
터치 보호층(281)은, 터치 패널(TP)을 접착층(ADH)에 의해 봉지부(160)에 접착할 때, 접착층(ADH)과 맞닿는 부분이다. 터치 보호층(281)은 무기 절연 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복층으로 이루어질 수 있다. 터치 보호층(281)은 터치 보호층(281) 상에 배치되는 터치 전극(TE) 및 연결 전극(CE)을 보호할 수 있다.
터치 보호층(281) 상에는 연결 전극(CE)이 배치된다. 연결 전극(CE)은 서로 다른 방향으로 배열된 터치 전극(TE)이 교차하는 지점에 배치되어 어느 한 방향으로 배열된 터치 전극(TE)의 연결에 사용된다. 연결 전극(CE)은 투명 도전층으로 이루어질 수 있고, 예를 들어, ITO, IZO 등과 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.
연결 전극(CE) 및 터치 보호층(281) 상에 터치 층간 절연층(282)이 배치될 수 있다. 터치 층간 절연층(282)은 연결 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이를 절연할 수 있다. 터치 층간 절연층(282)은 유기 절연 재질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산 계열의 재질로 형성될 수 있다.
터치 전극(TE)을 덮도록 배리어층(283)이 배치될 수 있다. 배리어층(283)은 무기막으로 이루어질 수 있고, 예를 들어, 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 또는 이들의 복층으로 이루어질 수 있다. 배리어층(283)은 외부의 수분으로부터 터치 전극(TE)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
배리어층(283) 상에는 터치 평탄화층(284)이 배치된다. 터치 평탄화층(284)은 배리어층(283)이 외부로 노출되지 않도록 배치되어, 실질적으로 기판과 유사한 기능을 수행할 수 있다. 터치 평탄화층(284)은 유기 절연 재질로 형성될 수 있고, 예를 들어, 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산 계열의 재질로 형성될 수 있다.
터치 패널(280) 상에는 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)이 배치될 수 있다.
이때, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)은 제1 광흡수층(273), 제1 광흡수층(273) 상의 제1 반사 방지(anti reflection)층(271), 제1 반사 방지층(271) 상의 제2 반사 방지층(272)을 포함한다.
적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)은 터치 패널(280) 상에 배치되어 외부에서 입사된 외부 광이 트랜지스터(110) 및 발광 소자(140)를 포함하는 표시부 또는 터치 패널(280)에서 반사되는 문제를 방지할 수 있다. 외부 광이 표시부에서 반사되는 문제에 대해서는 전술하였으므로, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 외부 광이 터치 패널(280)에서 반사되는 경우를 예로 들어 설명하나, 이에 제한되지 않는다.
터치 패널(280)에서 외부 광의 반사가 주로 일어나는 금속층(예를 들어, 터치 전극(TE) 또는 연결 전극(CE))에서 반사된 외부 광은 제1 광흡수층(273)에 흡수될 수 있다. 이때, 제1 광흡수층(273)은 높은 광 흡수율을 가지는 금속을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있다.
또한, 제1 광흡수층(273)이 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 금속으로 이루어짐에 따라, 제1 광흡수층(273)이 고유전율 특성을 나타내게 되며, 고유전율로 인하여 표시 장치(200)의 터치 감도가 향상될 수 있다.
한편, 제1 광흡수층(273)이 흡수하지 못한 잔여 외부 광은, 제1 광흡수층(273) 상에 배치된 제1 반사 방지층(271) 및 제2 반사 방지층(272)의 계면에서의 굴절 및 반사된 광의 간섭으로 인하여 모두 소멸될 수 있다.
제1 반사 방지층(271)은 굴절률(refractive index)이 1.9 초과, 바람직하게는 1.9 초과 2.7 이하일 수 있고, 예를 들어, 제1 반사 방지층(271)은 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 옥사이드(In2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 틴 옥사이드(SnOx), 세륨 옥사이드(CeO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제2 반사 방지층(272)은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하, 바람직하게는 1.0 내지 1.5일 수 있다. 예를 들어, 제2 반사 방지층(272)은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다. 도 4에 도시된 표시 장치(300)는 도 3에 도시된 표시 장치(200)와 비교하여 적어도 2층 이상의 무기물 함유층이 표시부 상에 배치되는 제2 광흡수층(373), 제3 반사 방지(anti reflection)층(371) 및 제4 반사 방지층(372)을 더 포함하는 것을 제외하면 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다.
전술한 바와 같이, 터치 패널(280) 상에 배치되는 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)은, 외부에서 입사된 외부 광이 트랜지스터(110) 및 발광 소자(140)를 포함하는 표시부 또는 터치 패널(280)에서 반사되는 문제를 방지할 수 있다.
이때, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(300)는 터치 패널(280) 상에 배치되는 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270) 외에, 표시부 상, 바람직하게는 제1 무기 절연막(161)과 유기 절연막(162) 사이에 배치된 제3 반사 방지층(371), 제3 반사 방지층(371) 상의 제4 반사 방지층(372) 및 제4 반사 방지층(372) 상의 제2 광흡수층(373)을 더 포함할 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여, 터치 패널(280) 상에 배치되는 제1 광흡수층(273), 제1 광흡수층(273) 상의 제1 반사 방지(anti reflection)층(271), 제1 반사 방지층(271) 상의 제2 반사 방지층(272)을 포함하는 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(270)을 복수의 제1 무기물 함유층(270)으로 지칭하여 설명하고, 표시부 상에 배치되는 제3 반사 방지층(371), 제3 반사 방지층(371) 상의 제4 반사 방지층(372) 및 제4 반사 방지층(372) 상의 제2 광흡수층(373)을 포함하는 적어도 2층 이상의 무기물 함유층(370)을 복수의 제2 무기물 함유층(370)으로 지칭하여 설명한다.
표시장치(300)가 표시부 상에 배치되는 복수의 제2 무기물 함유층 (370)을 더 포함할 경우, 복수의 제2 무기물 함유층(370)은 외부에서 입사된 외부 광이 표시부에서 반사되는 문제를 방지할 수 있다. 구체적으로, 표시 장치(300)에서 외부 광의 반사가 주로 일어나는 금속층에서 반사된 외부 광은 서로 상이한 굴절률을 가지는 제3 반사 방지층(371) 및 제4 반사 방지층(372)의 계면에서 굴절 및 반사된 광 사이의 간섭으로 인해 입사하는 외부 광이 소멸될 수 있다.
또한, 제3 반사 방지층(371) 및 제4 반사 방지층(372)의 계면에서의 굴절 및 반사된 광의 간섭으로 인해 소멸되지 않은 일부의 외부 광이 존재할 경우, 상술한 외부 광은 제4 반사 방지층(372) 상의 제2 광흡수층(373)에 의해 모두 흡수될 수 있다.
이에, 표시장치(300)가 터치 패널(280) 상의 복수의 제1 무기물 함유층(270) 및 표시부 상의 복수의 제2 무기물 함유층(370)을 모두 포함할 경우, 표시 장치(300)의 내부로 입사되는 외부 광에 의한 시인성 저하 문제의 해결이 더 유리해질 수 있다.
이때, 제3 반사 방지층(371)은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하일 수 있다. 예를 들어, 제3 반사 방지층(371)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 갈륨 옥사이드(Ga2O3), 마그네슘 옥사이드(MgO), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 텅스텐 옥사이드(WO3), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제4 반사 방지층(372)은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하, 바람직하게는 1.0 내지 1.5일 수 있다. 예를 들어, 제4 반사 방지층(372)은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 제2 광흡수층(373)은 높은 광 흡수율을 가지는 금속을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 티타늄(Ti), 텅스텐(W) 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있다.
또한, 제2 광흡수층(373)은 2nm 초과 5nm 이하의 RMS 값을 가지는 표면 거칠기를 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 광흡수층(373)의 상부에 배치되는 유기 절연막(162)의 퍼짐성을 개선하여, 유기 절연막(162)이 제2 광흡수층(373)을 모두 덮도록 제2 광흡수층(273) 상에 배치되어, 그 상부를 평탄화할 수 있다.
유기 절연막(162)에 의해 상부가 평탄화될 경우, 유기 절연막(162) 상에 배치되는 제2 무기 절연막(163) 또한 평탄한 표면에 배치됨에 따라 제2 무기 절연막(163)에 크랙(crack) 발생 등의 문제가 미연에 방지될 수 있다. 이에 따라, 제2 무기 절연막(162)은 외부의 수분 또는 산소가 하단에 배치되는 제1 무기 절연막(161) 및 유기 절연막(162)으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단하여, 봉지부(160) 하부에 배치되는 표시부에 수분이 침투하는 것을 차단할 수 있다.
상술한 바와 같이, 표시장치(300)가 터치 패널(280) 상의 복수의 제1 무기물 함유층(270) 및 표시부 상의 복수의 제2 무기물 함유층(370)을 모두 포함할 경우, 표시 장치(300)의 내부로 입사되는 외부 광에 의한 시인성 저하 문제의 해결이 더 유리해질 수 있을 뿐만 아니라, 표시장치(300)의 표시부에 수분이 침투하는 것을 용이하게 방지하여, 표시장치(300)의 신뢰성을 개선할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 따른 표시 장치는 다음과 같이 설명될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판; 제1 기판 상의 표시부; 표시부를 커버하는 봉지부; 및 적어도 2층 이상의 무기물 함유층을 포함하며, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 제1 광흡수층, 제1 반사 방지(anti reflection)층 및 제1 반사 방지층 상에 배치되고 제1 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제2 반사 방지층을 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 표시부 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 봉지부는 제1 무기 절연막, 제1 무기 절연막 상의 유기 절연막, 유기 절연막 상의 제2 무기 절연막을 포함하고, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 제1 무기 절연막과 유기 절연막 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 광흡수층은 제2 반사 방지층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 광흡수층의 표면 거칠기(roughness)는 2nm 초과 5nm 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하이고, 제2 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 반사 방지층은, 실리콘 나이트라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 갈륨 옥사이드(Ga2O3), 마그네슘 옥사이드(MgO), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 텅스텐 옥사이드(WO3), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 제2 반사 방지층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 봉지부 상의 터치 패널을 더 포함하고, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 터치 패널 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 광흡수층은 제1 반사 방지층 아래에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.9 초과일 수 있고, 제2 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제1 반사 방지층은 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 옥사이드(In2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 틴 옥사이드(SnOx), 세륨 옥사이드(CeO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, 제2 반사 방지층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 표시부 상에 배치되는 제2 광흡수층, 제3 반사 방지(anti reflection)층 및 제3 반사 방지층 상에 배치되고 제3 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제4 반사 방지층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 봉지부는 제1 무기 절연막, 제1 무기 절연막 상의 유기 절연막, 유기 절연막 상의 제2 무기 절연막을 포함하고, 제2 광흡수층, 제3 반사 방지층 및 제4 반사 방지층은 제1 무기 절연막과 유기 절연막 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제2 광흡수층의 표면 거칠기(roughness)는 2nm 초과 5nm 이하일 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제3 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하일 수 있고, 제4 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하일 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 제한하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 제한되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 제한적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 표시 장치
110: 트랜지스터
115: 게이트 절연층
120: 층간 절연층
130: 평탄화층
140: 발광 소자
141: 애노드
142: 유기 발광층
143: 캐소드
150: 뱅크층
160: 봉지부
161: 제1 무기 절연막
162: 유기 절연막
163: 제2 무기 절연막
170, 270, 370: 적어도 2층 이상의 무기물 함유층
171, 271: 제1 반사 방지층
172, 272: 제2 반사 방지층
173, 273: 제1 광흡수층
280: 터치 패널
281: 터치 보호층
282 :터치 층간 절연층
283: 배리어층
284: 터치 평탄화층
371: 제3 반사 방지층
372: 제4 반사 방지층
373: 제2 광흡수층
ADH: 접착층
AA: 표시 영역
NA: 비표시 영역
PX: 화소
TE: 터치 전극
TE1: 제1 터치 전극
TE2: 제2 터치 전극
CE: 연결 전극

Claims (15)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상의 표시부;
    상기 표시부를 커버하는 봉지부; 및
    적어도 2층 이상의 무기물 함유층을 포함하며,
    적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 제1 광흡수층, 제1 반사 방지(anti reflection)층 및 상기 제1 반사 방지층 상에 배치되고 상기 제1 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제2 반사 방지층을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 상기 표시부 상에 배치되는, 표시 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 봉지부는 제1 무기 절연막, 상기 제1 무기 절연막 상의 유기 절연막, 상기 유기 절연막 상의 제2 무기 절연막을 포함하고,
    상기 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 상기 제1 무기 절연막과 상기 유기 절연막 사이에 배치되는, 표시 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 광흡수층은 상기 제2 반사 방지층 상에 배치되는, 표시 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 광흡수층의 표면 거칠기(roughness)는 2nm 초과 5nm 이하인, 표시 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하이고,
    상기 제2 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하인, 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은, 실리콘 나이트라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 갈륨 옥사이드(Ga2O3), 마그네슘 옥사이드(MgO), 실리콘 옥시 나이트라이드(SiON), 스트론튬 티타네이트(SrTiO3), 텅스텐 옥사이드(WO3), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 제2 반사 방지층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 봉지부 상의 터치 패널을 더 포함하고,
    상기 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 상기 터치 패널 상에 배치되는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 광흡수층은 상기 제1 반사 방지층 아래에 배치되는, 표시 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.9 초과이고,
    상기 제2 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하인, 표시 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 반사 방지층은 징크 옥사이드(ZnO), 인듐 옥사이드(In2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2), 틴 옥사이드(SnOx), 세륨 옥사이드(CeO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 제2 반사 방지층은 실리콘 옥사이드(SiO2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 지르콘(ZrO2SiO2), 또는 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 적어도 2층 이상의 무기물 함유층은 상기 표시부 상에 배치되는 제2 광흡수층, 제3 반사 방지(anti reflection)층 및 상기 제3 반사 방지층 상에 배치되고 상기 제3 반사 방지층보다 굴절률이 작은 제4 반사 방지층을 더 포함하는, 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 봉지부는 제1 무기 절연막, 상기 제1 무기 절연막 상의 유기 절연막, 상기 유기 절연막 상의 제2 무기 절연막을 포함하고,
    상기 제2 광흡수층, 상기 제3 반사 방지층 및 상기 제4 반사 방지층은 상기 제1 무기 절연막과 상기 유기 절연막 사이에 배치되는, 표시 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 광흡수층의 표면 거칠기(roughness)는 2nm 초과 5nm 이하인, 표시 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제3 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 초과 1.9 이하이고,
    상기 제4 반사 방지층은 굴절률(refractive index)이 1.5 이하인, 표시 장치.
KR1020210188191A 2021-12-27 2021-12-27 표시 장치 KR20230099100A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210188191A KR20230099100A (ko) 2021-12-27 2021-12-27 표시 장치
CN202210907356.8A CN116406187A (zh) 2021-12-27 2022-07-29 显示装置
US18/060,871 US20230209869A1 (en) 2021-12-27 2022-12-01 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210188191A KR20230099100A (ko) 2021-12-27 2021-12-27 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230099100A true KR20230099100A (ko) 2023-07-04

Family

ID=86896561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210188191A KR20230099100A (ko) 2021-12-27 2021-12-27 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230209869A1 (ko)
KR (1) KR20230099100A (ko)
CN (1) CN116406187A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230209869A1 (en) 2023-06-29
CN116406187A (zh) 2023-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10319792B2 (en) Display device
KR102390478B1 (ko) 터치 센서를 가지는 표시 장치
CN108022949B (zh) 有机发光显示装置
US9625761B2 (en) Polarizer and liquid crystal display including the same
KR101981291B1 (ko) 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
KR20210070516A (ko) 터치 디스플레이 장치
US11209946B2 (en) Touch sensor and image display device including the same
KR102638950B1 (ko) 전계 발광 표시 장치
KR102436562B1 (ko) 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치
US11545650B2 (en) Display device
KR102522537B1 (ko) 표시 장치
KR20230099100A (ko) 표시 장치
CN111477762A (zh) 显示面板及其制备方法、电致发光显示装置
KR102254058B1 (ko) 터치스크린 구현 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR20200079977A (ko) 커버 윈도우 및 이를 포함한 플렉서블 표시 장치
CN220545415U (zh) 显示设备
CN220755385U (zh) 显示面板和显示装置
US20230275188A1 (en) Display device, method of manufacturing the same and tiled display device including the same
US20220246891A1 (en) Display device
KR102183607B1 (ko) 표시 장치
KR20230096218A (ko) 윈도우, 이를 포함하는 표시 패널, 및 전자 기기
KR20210018585A (ko) 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 전자 장치