KR20230096343A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 66
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910002060 Fe-Cr-Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
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Abstract
본 발명은 복수의 기판을 일괄적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 이 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다. 상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예는 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스와, 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관과, 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지와, 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트와, 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터와, 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로, 상기 보트를 상기 반응관 내에 로딩하는 보트 로딩 단계; 상기 메인 히터와 상기 서브 히터에 전력을 인가하여 상기 반응관 내부를 가열하는 가열 단계; 상기 보트에 배치된 기판을 처리하는 기판 처리 단계; 상기 반응관 내부의 온도를 하강시키는 감온 단계; 및 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 보트 언로딩 단계;를 포함하며, 상기 보트 언로딩 단계는 상기 반응관 하부의 온도를 상기 감온 단계 종료시의 온도와 같거나 높게 유지하는 서브 히터 온도 제어 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 기판을 일괄적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 이 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정에 이용되는 기판 처리 장치는 하나의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 수행할 수 있는 매엽식 기판 처리 장치와 복수의 기판에 대하여 기판 처리 공정을 동시에 수행할 수 있는 배치식 기판 처리 장치가 있다. 매엽식 기판 처리 장치는 설비의 구성이 간단한 이점이 있으나, 대량 생산을 위해서는 배치식 기판 처리 장치가 더 적합하다.
일반적인 배치식 기판 처리 장치는 반응관 하부의 개구를 통해 복수 개의 기판을 적재하는 보트(Boat)가 수용되고, 반응관 주위를 둘러싸고 있는 히터에 의해 기판이 가열된 후 기판 처리 공정이 수행된다.
그러나 이러한 배치식 기판 처리 장치는 보트 하부에서 열 손실이 발생되는데, 특히 보트를 반응관으로부터 언로딩(Unloading)할 때, 반응관 하부 부분의 온도가 감소하게 되어 반응관 하부 부분의 내측면에서의 열 응력(Thermal Stress) 변화에 의해 반응관 하부 부분에 증착되어 있는 막이 리프팅(Lifting)되는 현상이 발생하게 된다. 이와 같이 리프팅된 막에 의해 낙성 파티클이 생성되어 기판에 안착되면 결함이 발생될 가능성이 증가하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 보트를 반응관으로부터 언로딩할 때, 반응관 하부 부분의 온도를 유지 또는 상승시켜 낙성 파티클이 생성되는 것을 감소시키는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예는 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스와, 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관과, 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지와, 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트와, 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터와, 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로, 상기 보트를 상기 반응관 내에 로딩하는 보트 로딩 단계; 상기 메인 히터와 상기 서브 히터에 전력을 인가하여 상기 반응관 내부를 가열하는 가열 단계; 상기 보트에 배치된 기판을 처리하는 기판 처리 단계; 상기 반응관 내부의 온도를 하강시키는 감온 단계; 및 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 보트 언로딩 단계;를 포함하며, 상기 보트 언로딩 단계는 상기 반응관 하부의 온도를 상기 감온 단계 종료시의 온도와 같거나 높게 유지하는 서브 히터 온도 제어 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터 온도 제어 단계는, 상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값을 상기 감온 단계 종료시의 목표 온도 셋팅값보다 높게 설정한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터 온도 제어 단계는, 상기 서브 히터에 인가되는 전력이 상기 감온 단계 종료시 상기 서브 히터에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터 온도 제어 단계는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩을 시작함과 동시에 수행한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터 온도 제어 단계는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩을 시작한 이후에 수행한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는 상기 서브 히터의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 포함하고, 상기 서브 히터 온도 제어 단계는, 상기 서브 히터 온도 센서로부터 측정되는 온도 측정값을 기초로, 상기 반응관 하부의 온도를 상기 감온 단계 종료시의 온도와 같거나 높게 유지한다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예는 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스; 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관; 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지; 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트; 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터; 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터; 및 상기 반응관 내부에 로딩된 보트에 배치된 기판을 처리함에 있어, 상기 반응관 내부를 가열하여 기판 처리를 수행하고 기판 처리 수행 이후 상기 반응관 내부가 감온되도록 상기 메인 히터와 상기 서브 히터를 제어하되, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어하는 온도 제어부;를 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 온도 제어부는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값이, 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값보다 높게 되도록 설정한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 온도 제어부는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 서브 히터에 인가되는 전력이, 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 상기 서브 히터에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 온도 제어부는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정을 시작함과 동시에 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 온도 제어부는, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정을 시작한 이후에 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어한다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일부 실시예들에 있어서, 상기 서브 히터는 상기 서브 히터의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 포함하고, 상기 온도 제어부는, 상기 서브 히터 온도 센서로부터 측정되는 온도 측정값을 기초로, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어한다.
본 발명에 따르면, 보트를 반응관으로부터 언로딩할 때, 메인 히터 하부에 별도로 설치된 서브 히터를 이용하여 반응관 하부의 온도가 유지 또는 상승시킴으로써, 반응관 하부 열손실을 보상함에 따라 보트를 언로딩할 때 열 응력 변화에 의한 낙성 파티클이 생성되는 것을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 이용되는 기판 처리 장치에 대한 일 실시예의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 이용되는 기판 처리 장치의 서브 히터를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b은 도 2a의 서브 히터의 발열체 부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 4는 보트를 로딩하고 기판 처리를 수행한 이후 보트를 언로딩할 때까지의 메인 히터와 서브 히터의 온도 셋팅값의 변화를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 기판 처리 수행 이후 보트를 언로딩할 때의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면으로, 도 5a는 종래의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이고, 도 5b는 본 실시예의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 이용되는 기판 처리 장치의 서브 히터를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b은 도 2a의 서브 히터의 발열체 부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 흐름도이다.
도 4는 보트를 로딩하고 기판 처리를 수행한 이후 보트를 언로딩할 때까지의 메인 히터와 서브 히터의 온도 셋팅값의 변화를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 기판 처리 수행 이후 보트를 언로딩할 때의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면으로, 도 5a는 종래의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이고, 도 5b는 본 실시예의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 대한 일 실시예의 단면을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 서브 히터를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 2b은 도 2a의 서브 히터의 발열체 부분을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 상하 방향으로 적재된 복수의 기판을 처리하는 장치로, 예컨대 기판 상에 실리콘 박막을 증착하는 장치일 수 있다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예(100)는 반응관(110, 120), 캡 플랜지(150), 보트(140), 매니폴드(160), 히터 베이스(135), 메인 히터(130), 서브 히터(170) 및 온도 제어부(미도시)를 구비한다.
반응관(110, 120)은 이너 튜브(120)와 아우터 튜브(110)로 구성되며, 석영 등의 내열성 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 아우터 튜브(110)는 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 내부에 수용부가 형성된다. 이너 튜브(120)는 아우터 튜브(110)의 내부 수용부에 배치되며, 상단과 하단이 개구된 원통 형상으로 형성되어 내부에 보트(140)가 수용 가능하게 구성된다. 아우터 튜브(110)의 하부 측면에는 아우터 튜브(110) 내부를 배기하는 배기포트(111)가 형성되어 있으며, 배기포트(111)는 펌핑 능력이 구비된 펌프(미도시)와 연결된다.
아우터 튜브(110)는 매니폴드(160)의 상면에 위치하며, 아우터 튜브(110)의 하단 외주측에 돌출된 아우터 튜브 돌출부(113)가 아우터 튜브 고정 플랜지(115)에 의해 고정되는 방식으로, 아우터 튜브(110)가 매니폴드(160) 상면에 고정된다.
매니폴드(160)에는 이너 튜브 베이스 고정 플랜지(162)가 설치된다. 그리고 이너 튜브 베이스 고정 플랜지(162)에 고정된 이너 튜브 베이스(122)의 상면에는 이너 튜브(120)의 하단 외주측에 돌출된 이너 튜브 돌출부(125)가 위치하고 고정부재(미도시)에 의해 이너 튜브(120)가 고정된다.
매니폴드(160)에는 이너 튜브(120)에 가스를 공급하기 위한 가스 공급 배관들(미도시)이 설치된다. 가스 공급 배관들은 이너 튜브(120) 내부에서 상부로 연장되는 가스 노즐(미도시)과 결합된다.
반응관(110, 120)의 하방에는 반응관(110, 120)의 하부 개구를 개폐할 수 있는 원판 형상의 캡 플랜지(150)가 배치된다. 캡 플랜지(150)는 승강수단(미도시)에 연결되어 승강된다. 반응관(110, 120)의 하방에 배치된 캡 플랜지(150)가 상승하여, 반응관(110, 120) 하부에 배치되어 있는 매니폴드(160)와 밀폐됨으로써, 반응관(110, 120)의 하부 개구가 밀폐된다. 그리고 캡 플랜지(150)가 하강하여, 매니폴드(160)와 캡 플랜지(150)가 이격됨으로써, 반응관(110, 120)의 하부 개구가 개방된다. 캡 플랜지(150)의 상면에는 실링 부재(미도시)가 배치된다. 캡 플랜지(150)가 상승하여 매니폴드(160)와의 사이에서 밀폐될 때, 실링 부재는 캡 플랜지(150)와 매니폴드(160)와의 사이에 개재됨으로써 캡 플랜지(150)와 매니폴드(160)와의 사이를 밀폐한다.
보트(140)는 캡 플랜지(150) 상에 배치되며, 보트(140)와 캡 플랜지(150) 사이에는 보트 지지부(145)가 개재된다. 보트 지지부(145)는 보트(140)를 지지하게 되며, 메인 히터(130)로부터의 반응관(110, 120) 내부로 전달된 열이 캡 플랜지(150) 측에 전달되기 어렵게 하는 구성 및 재료를 가진다.
보트(140)는 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치될 수 있도록 구성된다. 보트(140)는 복수의 기판을 지지하는 것이 가능하도록 복수의 슬롯들이 수직으로 나란히 형성된 구조의 상하 방향으로 긴 막대 형상의 지주(141)를 복수 개 구비하고 있다. 지주(141)는 예컨대 3개 구비될 수 있으며, 기판을 안정적으로 지지하기 위해 3개의 지주(141)외에 보조 지주(미도시)가 추가로 더 구비될 수 있다.
보트 지지부(145)는 캡 플랜지(150)를 관통하여 설치된 회전축(155)에 의해 회전되며, 이에 따라 보트 지지부(145) 상에 위치하는 보트(140)가 회전하게 된다. 그리고 보트(140)가 회전함에 따라 보트(140)에 배치되는 기판도 회전하게 된다.
히터 베이스(135)는 판상의 구조로 상하를 관통하는 관통공이 형성된다. 히터 베이스(135)의 관통공에는 반응관(110, 120)이 삽입된다. 반응관(110, 120)은 히터 베이스(135)의 하부로부터 삽입되며, 반응관(110, 120) 삽입 후에 히터 베이스(135)는 반응관(110, 120)의 하부에 위치하되, 배기포트(111)의 상방에 위치한다.
메인 히터(130)는 히터 베이스(135) 상에 설치되어 지지되며, 아우터 튜브(110)를 둘러싸도록 설치되어, 보트(140)에 배치되는 기판을 가열한다. 메인 히터(130)는 단열 벽체와 단열 벽체의 내주면에 위치한 열선(미도시)으로 구성되며, 메인 히터(130)의 단열 벽체 내부에는 원통형의 공간을 갖는 냉각 유로(미도시)가 형성된다. 이 냉각 유로에는 급속 냉각을 위한 기체가 공급된다. 그리고 냉각 유로의 내측에 배치되는 단열 벽체와 냉각 유로의 외측에 배치되는 단열 벽체는 서로 다른 재질의 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 메인 히터(130)의 상부 즉, 반응관(110, 120)의 상방에 배치된 메인 히터(130) 부분에 천정 단열부와 천정 단열부 내에 배치되는 열선이 구비될 수 있다. 메인 히터(130)의 천정 단열부는 메인 히터(130)의 단열 벽체와 일체로 구성될 수도 있고, 아니면 판상 형태의 별도의 부재로 구성될 수도 있다.
메인 히터(130)는 복수의 히터 유닛(130a 내지 130d)으로 구분되어, 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에는 각각 별도의 전력이 공급된다. 본 실시예에서는 메인 히터(130)가 4개의 히터 유닛(130a 내지 130d)을 구비하는 것으로 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 필요에 따라 메인 히터(130)는 3개, 5개, 6개 또는 그 이상 개수의 히터 유닛을 구비할 수 있다.
각 히터 유닛(130a 내지 130d) 내부에는 각각 히터 유닛(130a 내지 130d) 내부의 온도를 검출하는 모니터링 온도 센서(131a 내지 131d)가 설치되어 있다. 또한, 이너 튜브(120) 내부에는 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 대응되는 위치의 기판에 근접한 온도를 검출하기 위한 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)가 설치될 수 있다. 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)는 이너 튜브(120)와 보트(140)의 사이에 각각 설치된다. 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)는 매니폴드(160)에 삽입되어 이너 튜브(120) 내부에 수직 방향으로 연장된 보호관 내부에 배치된다.
각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에는 각각의 히터 유닛 제어부(미도시)가 전기적으로 접속되어 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)은 개별적으로 제어된다. 본 실시예의 경우, 히터 유닛(130a 내지 130d)이 4개 배치되어 있으므로, 히터 유닛 제어부도 4개 구비된다.
히터 유닛 제어부는 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 설치된 모니터링 온도 센서(131a 내지 131d)나 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 대응되는 위치에 설치된 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d) 중 적어도 하나에서 측정된 온도값을 기초로 각각의 히터 유닛(130a 내지 130d)에 공급되는 전력을 제어한다. 이때 히터 유닛 제어부는 PID 제어(Proportional-Integral-Differential control)를 수행할 수 있다.
서브 히터(170)는 메인 히터(130) 아래에 설치되어 히터 베이스(135)에 의해 지지되며, 아우터 튜브(110)의 하부를 둘러싸도록 설치된다. 즉, 서브 히터(170)는 상하 방향으로 볼 때 메인 히터(130)와 반응관(110, 120)의 개구 사이에 설치되어, 반응관(110, 120)의 하부를 가열함으로써, 보트(140) 하부에서 발생하는 열손실을 감소시킨다.
서브 히터(170)의 상부 외주부는 히터 베이스(135)의 내주부보다 내측에 위치한다. 즉, 서브 히터(170)의 상부가 히터 베이스(135)와 아우터 튜브(110) 사이에 배치된다. 그리고 서브 히터(170)의 외주면에는 복수의 체결부(186)가 설치되고, 복수의 체결부(186)가 히터 베이스(135)와 결합됨으로써 서브 히터(170)가 히터 베이스(135)에 의해 지지된다.
또한, 서브 히터(170)에는 서브 히터(170)의 측면을 관통하는 배기용 관통구(179)가 형성되어 있고, 아우터 튜브(110)의 배기 포트(111)가 서브 히터(170)의 배기용 관통구(179)에 위치하게 되어, 서브 히터(170)는 배기 포트(111)이 형성되어 있는 위치에 설치될 수 있다. 배기용 관통구(179)는 도 2a에 도시된 바와 같이 하측이 개구된 반원 형상으로 형성되어 배기 포트(111)의 일부가 배기용 관통구(179)에 위치될 수 있다. 그러나 배기용 관통구(179)의 형상이 이에 한정되지는 않으며, 배기 포트(111)의 형상, 크기 및 서브 히터(170)의 설치 위치에 따라 다양한 형태로 형성될 수 있다.
서브 히터(170)는 제1 단열부재(171), 제2 단열부재(174) 및 발열체(172)를 구비한다.
제1 단열부재(171)는 상부와 하부가 개구된 원통 형태로 내측으로부터 발열체 고정부(175)와 단열 바디(176)로 구성된다. 발열체 고정부(175)는 내주측의 둘레 방향을 따라 발열체 고정 홈(177)이 형성되도록 홈부(175a)와 돌출부(175b)가 상하 방향을 따라 교대로 형성된다. 상술한 바와 같이 서브 히터(170)의 측면에는 배기용 관통구(179)가 형성되어 있어, 홈부(175a)와 돌출부(175b)가 배기용 관통구(177)에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성되며, 이에 따라 발열체 고정 홈(177)도 배기용 관통구(179)에 의해 일부가 끊긴 형상으로 형성된다.
발열체 고정부(175)에는 상하 방향을 따라 복수 개의 발열체 고정 홈(177)이 형성된다. 본 실시예에서는 발열체 고정 홈(177)이 4개 형성된 경우에 대해 도시하고 설명하였으나 이에 한정되지 않으며, 발열체 고정 홈(177)은 3개, 5개, 6개 또는 그 이상 형성될 수 있다. 본 실시예서는 4개의 홈부(175a)와 5개의 돌출부(175b)가 상하 방향으로 교대로 형성됨으로써, 4개의 발열체 고정 홈(177)이 형성된다.
단열 바디(176)는 제1 단열부재(171)의 몸체를 이루는 것으로, 발열체 고정부(175)와 일체로 형성되어 발열체 고정부(175)의 외주측을 둘러싸도록 형성된다.
제1 단열부재(171)는 단열과 발열체를 고정하기 위한 것으로, 제1 단열부재(171)는 500℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 물질로 이루어지며, Al2O3와 SiO2의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 단열부재(171)를 이루는 Al2O3와 SiO2 혼합물은 Al2O3는 30~40%, SiO2 60~70% 정도의 비중으로 혼합된 물질이 이용될 수 있다.
발열체(172)는 제1 단열부재(171)의 발열체 고정 홈(177)에 설치되며, 발열체 고정핀(178)에 의해 고정된다. 발열체(172)는 전류가 흐를 때 열을 발산하는 것으로, 형상이나 재질이 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 발열체(172)는 직선형, 사형(蛇形), 'ㄷ'자형, 'ㄹ'자형 등의 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 발열체(172)는 Fe-Cr-Al계 저항 발열체가 이용될 수 있다. 발열체(172)를 이루는 Fe-Cr-Al계 저항 발열체는 20~23%의 Cr, 5~6%의 Al, 70~74%의 Fe 및 1% 내외의 기타 첨가물로 이루어질 수 있다.
메인 히터(130)는 서브 히터(170)의 발열체(172)와 동일한 물질로 발열체가 구성될 수 있으며, 메인 히터(130)의 발열체를 고정하는 단열부재도 서브 히터(170)의 제1 단열부재(171)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나 상술한 바와 같이 메인 히터(130)의 경우 메인 히터(130)의 단열 벽체 내에 냉각 유로가 형성되어 있는 반면, 서브 히터(170)의 내부에는 별도의 냉각 유로가 형성되지 않는 차이점이 있다.
발열체(172)에서 발산하는 열은 복사 방식으로 아우터 튜브(110)에 열 전달될 수 있도록, 아우터 튜브(110)의 외주면에 발열체(172)가 노출된다. 즉, 아우터 튜브(110)의 외주면과 발열체(172) 사이에는 별도의 부재가 개재되지 않으며, 발열체(172)와 아우트 튜브(110)는 소정의 간격으로 이격되어 설치된다.
본 실시예의 경우, 발열체 고정부(175)에는 4개의 발열체 고정 홈(177)이 형성되고, 4개의 발열체 고정 홈(177) 각각에 발열체(172a 내지 172d)가 설치된다. 4개의 발열체(172a 내지 172d)는 연결 단자(182)에 의해 전기적으로 연결되어 일방향으로 전류가 흐를 수 있도록 구성되며, 전력 공급 단자(183)가 양 끝단에 설치됨으로써 발열체(172)는 전력을 공급받는다.
연결 단자(182)는 상하 방향을 따라 인접한 2개의 발열체를 전기적으로 연결하는 것으로, 예컨대, 최상단에 위치한 제1 발열체(172a)의 일단과 제1 발열체(172a)의 바로 아래에 위치한 제2 발열체(172b)의 일단이 제1 연결 단자(182a)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 제2 발열체(172b)의 타단과 제2 발열체(172b)의 바로 아래에 위치한 제3 발열체(172c)의 일단이 제2 연결 단자(182b)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 제3 발열체(172c)의 타단과 제3 발열체(172c)의 바로 아래에 위치한 제4 발열체(172d)의 일단이 제3 연결 단자(182c)에 의해 전기적으로 연결된다. 이때 연결 단자(182a 내지 182c)는 도 2b에 도시된 바와 같이, 발열체 고정부(175)의 내주 방향에 따라 배기용 관통구(179)를 사이에 두고 교대로 배치된다. 즉, 제1 연결 단자(182a)가 배기용 관통구(179)의 좌측에 배치된다면, 제2 연결 단자(182b)는 배기용 관통구(179)의 우측에 배치되고, 제3 연결 단자(182c)는 배기용 관통구(179)의 좌측에 배치된다. 그리고 4개의 발열체(172a 내지 172d) 중 최상단에 위치한 제1 발열체(172a)의 타단과 최하단에 위치한 제4 발열체(172d)의 타단에는 전력 공급 단자(183)가 설치되어 발열체(172)에 전력이 공급된다.
제2 단열부재(174)는 제1 단열부재(171)의 외주측 중 적어도 일부를 둘러싸도록 설치되어, 서브 히터(170)의 단열 기능을 보강한다. 제2 단열부재(174)는 500℃ 이상의 온도에서 내열성을 갖는 플렉서블(flexible) 단열재로, Al2O3와 SiO2의 혼합물 또는 SiO2와 CaO의 혼합물을 포함하여 이루어질 수 있다.
서브 히터(170)의 외측에는 케이스(187)가 설치된다. 케이스(187)는 스테인레스 스틸(stainless steel)과 같은 재질로 이루어지며, 서브 히터(170)의 외주면과 단열 바디(176)의 상면 및 하면을 감싸도록 설치된다. 케이스(187)는 발열체 고정부(175)의 상면에는 설치되지 않는다.
서브 히터(170)의 상부에는 제3 단열부재(191)가 설치된다. 제3 단열부재(191)는 보온천 형태로 메인 히터(130)와 서브 히터(170)의 단열 바디(176) 사이에 배치된다.
서브 히터(170)에는 서브 히터(170)의 내부의 온도를 검출하는 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)가 설치된다. 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)를 설치하기 위해, 제1 단열부재(171), 제2 단열부재(174) 및 케이스(187)를 관통하는 온도 센서 포트(188)가 매립되며, 온도 센서 포트(188) 내부에 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)가 위치한다. 이때 온도 센서 포트(188)는 서브 히터(170)의 상하 방향의 중앙 부분에 설치되며, 예컨대 복수의 돌출부(175b) 중 상하 방향에서 가운데에 위치한 돌출부(175b)에 온도 센서 포트(188)의 일단이 배치될 수 있다. 그리고 서브 히터(170)의 위치에 대응되는 이너 튜브(120) 내의 온도를 검출하는 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)가 이너 튜브(120)와 보트 지지부(145) 사이에 설치된다. 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)는 매니폴드(160)에 삽입되어 이너 튜브(120) 내부에 수직 방향으로 연장된 보호관(193) 내부에 배치된다. 이 보호관(193)은 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)가 배치되는 보호관(193)과 동일할 수 있다.
서브 히터(170)는 서브 히터(170)의 전력 공급 단자(183)를 통해 메인 히터(130)와 별도로 전력이 공급되며, 서브 히터(170)와 연결된 서브 히터 제어부(미도시)를 통해 서브 히터(170)에 공급되는 전력을 제어한다. 즉, 서브 히터(170)는 메인 히터(130)와 별도로 전력이 공급되어 제어된다.
온도 제어부(미도시)는 반응관(110, 120) 내부에 로딩된 보트(140)에 배치된 기판을 처리함에 있어, 반응관(110, 120) 내부가 가열, 감열되거나 온도가 유지되도록 메인 히터(130)와 서브 히터(170)를 제어한다. 예컨대, 온도 제어부는 반응관(110, 120) 내부에 보트(140)가 로딩된 이후에 반응관(110, 120) 내부가 기판 처리 온도에 도달하도록 메인 히터(130)와 서브 히터(170)를 제어하여 반응관(110, 120) 내부를 가열하고, 기판 처리 수행 중에는 기판 처리 온도가 유지되도록 메인 히터(130)와 서브 히터(170)를 제어한다. 또한, 기판 처리가 완료되면, 반응관(110, 120) 내부를 기판 처리 온도로부터 감온되도록 메인 히터(130)와 서브 히터(170)를 제어한다.
본 실시예의 온도 제어부는 반응관(110, 120) 내부가 감온된 이후에 반응관(110, 120) 내부로부터 보트(140)를 언로딩하는 과정에서 반응관(110, 120) 하부의 온도가 반응관(110, 120) 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 서브 히터(170)를 제어한다. 이를 위해, 온도 제어부는 보트(140)를 반응관(110, 120) 내부로부터 언로딩하는 과정에서 서브 히터(170)의 목표 온도 셋팅값이 반응관(110, 120) 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 서브 히터(170)의 목표 온도 셋팅값보다 높은 온도가 되도록 설정할 수 있다. 다른 방법으로, 온도 제어부는 보트(140)를 반응관(110, 120) 내부로부터 언로딩하는 과정에서 서브 히터(170)에 인가되는 전력이 반응관(110, 120) 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 서브 히터(170)에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정할 수 있다. 이와 같은 온도 제어부의 온도 제어는 보트(140)를 반응관(110, 120) 내부로부터 언로딩하는 과정을 시작함과 동시에 진행할 수도 있고, 보트(140)를 반응관(110, 120) 내부로부터 언로딩하는 과정 중에, 즉 언로딩이 진행되는 과정 중에 상기와 같은 온도 제어부의 온도 제어가 진행될 수도 있다.
이와 같이 보트(140)를 언로딩하는 과정에서 반응관(110, 120) 하부의 온도가 반응관(110, 120) 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 서브 히터(170)를 제어하는 것은 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)나 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)와 같이 서브 히터(170)의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 기초로 수행될 수 있다.
이하, 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 이용하여 본 발명에 따른 기판 처리 방법에 대해 설명하나, 도 1에 도시된 기판 처리 장치는 반응관 하부의 개구를 통해 복수 개의 기판을 적재하는 보트가 로딩되는 배치식 기판 처리 장치의 일 예이고 이에 한정되지 않는다.
도 3은 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 흐름도이고, 도 4는 보트를 로딩하고 기판 처리를 수행한 이후 보트를 언로딩할 때까지의 메인 히터와 서브 히터의 온도 셋팅값의 변화를 나타낸 도면이다. 도 4에서 도면부호 410으로 표시된 그래프는 메인 히터의 온도 셋팅값의 변화를 나타낸 그래프이고, 도면부호 420으로 표시된 그래프는 서브 히터의 온도 셋팅값의 변화를 나타낸 그래프이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 방법의 일 실시예는 우선, 반응관(110, 120) 내부로 보트(140)를 로딩한다(S310).
다음으로, 반응관(110, 120) 내부를 가열한다(S320). 메인 히터(130)와 서브 히터(170)에 전력을 인가하여 도 4에 도시된 온도 셋팅값에 도달하도록 반응관(110, 120) 내부를 가열한다. S320 단계의 경우, 상술한 바와 같이, 메인 히터(130)는 프로파일 온도 센서(181a 내지 181d)에서 측정된 온도값을 기초로 메인 히터(130)에 인가되는 전력을 제어할 수 있으며, 서브 히터(170)는 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)에서 측정된 온도값을 기초로 서브 히터(170)에 인가되는 전력을 제어할 수 있다.
다음으로, 반응관(110, 120) 내부의 온도가 안정화되면, 기판 처리 공정을 수행한다(S330). 도 4에 도시된 바와 같이, 반응관(110, 120) 내부를 가열한 이후, 일정 시간이 경과하여 반응관(110, 120) 내부의 온도가 안정화되면, 기판 처리 공정을 수행한다. 기판 처리 공정은 박막 증착 공정, 식각 공정, 세정 공정 등이 있으며, 예컨대 실리콘(Si) 박막을 증착하기 위한 공정이 수행될 수 있다.
다음으로, 기판 처리 공정이 완료되면, 반응관(110, 120) 내부를 감온시킨다(S340). S330 단계를 통해 기판 처리 공정이 완료되면, 보트(140)를 언로딩하기 위해 반응관(110, 120) 내부의 온도를 하강시킨다. 이를 위해, 기판 처리 공정(S330)에 비해 작은 전력이 메인 히터(130)와 서브 히터(170)에 인가된다.
다음으로, 반응관(110, 120)으로부터 보트(140)를 언로딩한다(S350). 도 4에 도시된 바와 같이, S340 단계를 통해 보트(140)를 언로딩하기에 적절한 온도로 감온되면, 보트(140)를 언로딩한다. 본 실시예의 보트 언로딩 단계(S350)는 보트(140)를 반응관(110, 120)으로부터 언로딩할 때, 반응관(110, 120) 하부 열손실을 보상하여 열 응력 변화에 의한 낙성 파티클이 생성되는 것을 감소시키기 위한 서브 히터 온도 제어 단계를 포함한다.
서브 히터 온도 제어 단계는 보트 언로딩 단계(S350)시의 반응관(110, 120) 하부의 온도를 감온 단계(S340) 종료시의 온도와 같거나 높게 유지하도록 하는 단계이다. 이를 위해, 서브 히터 온도 제어 단계에서의 서브 히터(170)의 목표 온도 셋팅값을 감온 단계(S340) 종료시의 세브 히터(170)의 목표 온도 셋팅값보다 높게 설정한다. 또는 서브 히터 온도 제어 단계에서 서브 히터(170)에 인가되는 전력이 감온 단계(S340) 종료시 서브 히터(170)에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정한다. 예컨대, 도 4에 도시된 바와 같이, 서브 히터 온도 제어 단계에서 메인 히터(130)는 S340 단계와 동일한 감온 속도를 갖도록 전력이 인가되는 반면, 서브 히터 온도 제어 단계에서 서브 히터(170)는 S340 단계보다 큰 전력을 인가하여, 셋팅 온도값이 증가되도록 한다. 즉, S350 단계에서 메인 히터(130)는 계속 감온 상태에 있도록 하는 반면, 서브 히터(170)는 감온 상태에서 가열 상태로 변경시키게 된다. 이에 따라 보트(140)가 언로딩됨에 따라 반응관(110, 120) 하부의 개구부가 개방되어 외부에 노출되더라도 반응관(110, 120) 하부의 온도가 유지 또는 상승되도록 한다.
도 5a 및 도 5b는 기판 처리 수행 이후 보트를 언로딩할 때의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면으로, 도 5a는 종래의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이고, 도 5b는 본 실시예의 방법으로 온도를 제어한 경우의 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 도면이다. 도 5a에서 도면부호 510으로 표시된 그래프와 도 5b에서 도면부호 530으로 표시된 그래프는 메인 히터와 대응되는 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 그래프이고, 도 5a에서 도면부호 520으로 표시된 그래프와 도 5b에서 도면부호 540으로 표시된 그래프는 서인 히터와 대응되는 반응관 내부의 온도 변화를 나타낸 그래프이다.
보트 언로딩 과정 중에도 지속적으로 감온되는 종래의 경우에는 도 5a에 도시된 바와 같이 보트 언로딩 과정 중에서 온도가 지속적으로 하강하게 되나, 보트 언로딩 과정 중에 본 실시예와 같이 서브 히터 온도 제어 단계가 포함된 경우에는 도 5b에 도시된 바와 같이, 보트가 언로딩된 이후에 오히려 반응관(110, 120) 내부의 온도가 상승하며 특히 반응관(110, 120) 하부의 온도가 많이 상승하는 것을 알 수 있다.
즉, 본 실시예와 같이 보트 언로딩 단계(S350)에서 서브 히터 온도 제어 단계를 수행하게 되면, 반응관(110, 120) 하부의 열손실을 보상할 수 있게 되어 열 응력 변화에 의한 낙성 파티클을 감소시킬 수 있게 된다. 이와 같은 방법을 통해 종래에 비해 10배 이상 낙성 파티클이 감소될 수 있어 결함률이 현저히 감소될 것으로 기대된다.
또한, 서브 히터 온도 제어 단계는 보트 언로딩 단계(S350)가 시작됨과 동시에 수행될 수도 있고, 보트 언로딩 단계(S350) 시작 이후 즉, 보트(140)의 언로딩이 진행되는 과정 중에 수행될 수도 있다. 또한, 서브 히터 온도 제어 단계는 서브 히터 모니터링 온도 센서(189)나 서브 히터 프로파일 온도 센서(185)와 같이 서브 히터(170)의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 기초로 수행될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
Claims (12)
- 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스와, 상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관과, 상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지와, 상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트와, 상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터와, 상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터를 포함하는 기판 처리 장치의 기판 처리 방법으로,
상기 보트를 상기 반응관 내에 로딩하는 보트 로딩 단계;
상기 메인 히터와 상기 서브 히터에 전력을 인가하여 상기 반응관 내부를 가열하는 가열 단계;
상기 보트에 배치된 기판을 처리하는 기판 처리 단계;
상기 반응관 내부의 온도를 하강시키는 감온 단계; 및
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 보트 언로딩 단계;를 포함하며,
상기 보트 언로딩 단계는 상기 반응관 하부의 온도를 상기 감온 단계 종료시의 온도와 같거나 높게 유지하는 서브 히터 온도 제어 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 서브 히터 온도 제어 단계는,
상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값을 상기 감온 단계 종료시의 목표 온도 셋팅값보다 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 서브 히터 온도 제어 단계는,
상기 서브 히터에 인가되는 전력이 상기 감온 단계 종료시 상기 서브 히터에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 서브 히터 온도 제어 단계는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩을 시작함과 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 서브 히터 온도 제어 단계는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩을 시작한 이후에 수행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 제1항에 있어서,
상기 서브 히터는 상기 서브 히터의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 포함하고,
상기 서브 히터 온도 제어 단계는,
상기 서브 히터 온도 센서로부터 측정되는 온도 측정값을 기초로, 상기 반응관 하부의 온도를 상기 감온 단계 종료시의 온도와 같거나 높게 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법. - 판상이며 상하를 관통하는 관통공이 형성되어 있는 히터 베이스;
상기 히터 베이스의 관통공에 삽입되며 하부에 개구를 갖는 반응관;
상기 반응관의 개구를 개폐하는 캡 플랜지;
상기 캡 플랜지 상에 보트 지지부를 개재하여 지지되며 상하 방향으로 간격을 두고 복수의 기판이 배치 가능한 보트;
상기 히터 베이스 상에 설치되어 지지되며, 상기 반응관을 둘러싸는 메인 히터;
상기 메인 히터 아래에 설치되어 상기 히터 베이스에 의해 지지되며, 상기 반응관의 하부를 둘러싸는 서브 히터; 및
상기 반응관 내부에 로딩된 보트에 배치된 기판을 처리함에 있어, 상기 반응관 내부를 가열하여 기판 처리를 수행하고 기판 처리 수행 이후 상기 반응관 내부가 감온되도록 상기 메인 히터와 상기 서브 히터를 제어하되, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어하는 온도 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 온도 제어부는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값이, 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 상기 서브 히터의 목표 온도 셋팅값보다 높게 되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 온도 제어부는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 서브 히터에 인가되는 전력이, 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 상기 서브 히터에 인가되는 전력보다 높게 인가되도록 설정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 온도 제어부는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정을 시작함과 동시에 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 온도 제어부는,
상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정을 시작한 이후에 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제7항에 있어서,
상기 서브 히터는 상기 서브 히터의 온도를 측정하는 서브 히터 온도 센서를 포함하고,
상기 온도 제어부는,
상기 서브 히터 온도 센서로부터 측정되는 온도 측정값을 기초로, 상기 보트를 상기 반응관 내부로부터 언로딩하는 과정에서 상기 반응관 하부의 온도가 상기 반응관 내부를 감온하는 것을 종료하는 시점에서의 온도와 같거나 높게 유지되도록 상기 서브 히터를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020210185737A KR20230096343A (ko) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (1)
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Family
ID=86959739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210185737A KR20230096343A (ko) | 2021-12-23 | 2021-12-23 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR20230096343A (ko) |
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