KR20230094919A - Die bonding apparatus - Google Patents

Die bonding apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR20230094919A
KR20230094919A KR1020220023105A KR20220023105A KR20230094919A KR 20230094919 A KR20230094919 A KR 20230094919A KR 1020220023105 A KR1020220023105 A KR 1020220023105A KR 20220023105 A KR20220023105 A KR 20220023105A KR 20230094919 A KR20230094919 A KR 20230094919A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
bonding process
bonding
plasma
die bonding
Prior art date
Application number
KR1020220023105A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정용준
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Publication of KR20230094919A publication Critical patent/KR20230094919A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7501—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83022—Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

The present invention is a die bonding apparatus. According to the present invention, the die bonding apparatus includes: a loading unit; a transfer unit; a bonding unit; and a cleaning unit. Therefore, productivity and yield for a die bonding process can be improved by performing a process of removing organic contaminants present in a substrate (PCB) and a chip (Chip) prior to performing the die bonding process.

Description

다이 본딩 장치{Die bonding apparatus}Die bonding apparatus {Die bonding apparatus}

본 발명은 반 다이 본딩 장치로서, 보다 상세하게는 다이 본딩 공정의 수행에 앞서 기판(PCB) 및 칩(Chip)에 존재하는 유기 오염물을 제거하는 공정 수행을 통해 다이 본딩 공정에 대한 생산성과 수율을 향상시킬 수 있는 기술을 개시한다.The present invention is a semi-die bonding device, and more particularly, prior to performing the die bonding process, productivity and yield for the die bonding process are improved through a process of removing organic contaminants present on a board (PCB) and a chip (Chip). Introduce techniques that can be improved.

일반적으로 반도체 소자들은 일련의 제조 공정들을 반복적으로 수행함으로써 반도체 기판으로서 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 형성될 수 있따.In general, semiconductor devices can be formed on a silicon wafer used as a semiconductor substrate by repeatedly performing a series of manufacturing processes.

상기 반도체 소자들이 형성된 웨이퍼는 다이싱 공정을 통해 복수의 다이들로 개별화될 수 있으며, 다이싱 공정을 통해 개별화된 다이들은 다이 본딩 공정을 통해 리드 프레임, 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상에 본딩될 수 있다.The wafer on which the semiconductor devices are formed may be individualized into a plurality of dies through a dicing process, and the dies individualized through the dicing process may be bonded on a substrate such as a lead frame or a printed circuit board through a die bonding process. there is.

다이 본딩 공정을 위해 본딩 유닛으로 이송되는 PCB 기판 및 칩(Chip)에는 다양한 요인으로 인해 오염물이 존재할 수 있는데, 특히 유기 오염물을 제거하지 않은 상태에서 본딩 공정 수행시 불량품이 양산될 수 있다.Contaminants may be present in PCB substrates and chips transferred to the bonding unit for the die bonding process due to various factors. In particular, when the bonding process is performed in a state in which organic contaminants are not removed, defective products may be mass-produced.

본딩 공정이 수행될 PCB 기판 및 칩 상에 존재하는 오염물을 진공 클리너를 통해 제거하고 있으나, 이러한 진공 클리너를 통해서는 유기 오염물이 적절히 제거되지 않는 문제가 있다.Contaminants present on a PCB substrate and a chip on which a bonding process is to be performed are removed using a vacuum cleaner, but there is a problem in that organic contaminants are not properly removed through the vacuum cleaner.

특히 다이 본딩 공정의 수행시 PCB 및 칩(Chip) 위에 존재하는 유기물로 인해 본딩이 적절히 이루어지지 않는 문제가 있는데, PCB 및 칩(Chip) 위에 존재하는 유기물은 접촉각을 높여 본딩 접착액의 접촉 면적을 줄임으로써 불량품을 양산하고 본딩 공정의 수율을 떨어뜨리는 문제가 있다.In particular, during the die bonding process, there is a problem in that bonding is not properly performed due to the organic matter present on the PCB and the chip. The organic matter present on the PCB and the chip increases the contact angle to increase the contact area of the bonding adhesive. By reducing, there is a problem of mass-producing defective products and reducing the yield of the bonding process.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본딩 공정에 앞서 PCB 기판 및 칩(Chip) 위에 존재하는 오염물을 세정할 수 있는 방안을 제시하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide a method for cleaning contaminants present on a PCB substrate and a chip prior to a bonding process.

특히, 종래 기술은 진공 클리너를 통해 본딩 공정이 수행될 PCB 기판 및 칩 상에 존재하는 오염물을 제거하고 있으나 이러한 진공 클리너를 통해 유기 오염물 등이 적절히 제거되지 않는 문제를 해결하고자 한다.In particular, the prior art removes contaminants present on a PCB substrate and a chip on which a bonding process is to be performed through a vacuum cleaner, but attempts to solve the problem that organic contaminants are not properly removed through such a vacuum cleaner.

나아가서 다이 본딩 공정의 수행시 PCB 및 칩(Chip) 위에 존재하는 유기물로 인해 본딩이 적절히 이루어지지 않는 문제를 해결하여, PCB 및 칩(Chip) 위에 존재하는 유기물은 접촉각을 높여 본딩 접착액의 접촉 면적을 줄임으로써 불량품을 양산하고 본딩 공정의 수율을 떨어뜨리는 문제를 해결하고자 한다.Furthermore, when performing the die bonding process, it solves the problem of improper bonding due to the organic matter present on the PCB and the chip, and the organic matter present on the PCB and the chip increases the contact angle to increase the contact area of the bonding adhesive. It is intended to solve the problem of mass-producing defective products and reducing the yield of the bonding process by reducing .

본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다. The object of the present invention is not limited to the above, and other objects and advantages of the present invention not mentioned can be understood by the following description.

본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 일실시예는, 본딩 공정 자재를 공급하는 로딩 유닛; 상기 로딩 유닛으로부터 본딩 공정 자재를 본딩 유닛으로 이송하는 이송 유닛; 상기 이송 유닛을 통해 공급된 본딩 공정 자재로 본딩 공정을 수행하는 본딩 유닛; 및 상기 이송 유닛의 이송 경로 상에 배치되어 본딩 공정 자재에 대한 대기압 플라즈마 세정을 수행하는 세정 유닛을 포함할 수 있다.An embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention includes a loading unit for supplying materials for a bonding process; a transfer unit for transferring the bonding process material from the loading unit to the bonding unit; a bonding unit performing a bonding process with the bonding process material supplied through the transfer unit; and a cleaning unit disposed on the transfer path of the transfer unit to perform atmospheric pressure plasma cleaning on materials for a bonding process.

바람직하게는 상기 세정 유닛은, 상기 이송 유닛의 이송 경로 상부에 배치되어 대기압 플라즈마를 통해 본딩 공정 자재의 유기물을 제거하는 플라즈마 모듈을 포함할 수 있다.Preferably, the cleaning unit may include a plasma module disposed above the transfer path of the transfer unit to remove organic matter from the bonding process material through atmospheric pressure plasma.

나아가서 상기 세정 유닛은, 상기 플라즈마 모듈과 본딩 공정 자재 간의 이격 거리를 조절하는 거리 조절 수단을 더 포함할 수 있다.Furthermore, the cleaning unit may further include a distance adjusting means for adjusting a separation distance between the plasma module and the material for the bonding process.

바람직하게는 상기 세정 유닛은, 대기압 플라즈마를 통해 본딩 공정 자재 표면에 존재하는 유기 오염물을 탄소 가스화시켜 제거할 수 있다.Preferably, the cleaning unit may remove organic contaminants present on the surface of materials for a bonding process by carbon gasifying them through atmospheric plasma.

나아가서 상기 세정 유닛은, 상기 플라즈마 모듈을 본딩 공정 자재의 이송 방향을 따라 이동시키는 플라즈마 모듈 이동부를 더 포함할 수 있다.Furthermore, the cleaning unit may further include a plasma module moving unit for moving the plasma module along the transport direction of the bonding process material.

일례로서, 상기 플라즈마 모듈 이동부는, 상기 이송 유닛의 본딩 공정 자재에 대한 이송 속도와 같거나 더 낮은 속도로 상기 플라즈마 모듈을 이동시킬 수 있다.As an example, the plasma module moving unit may move the plasma module at a speed equal to or lower than a transfer speed of the transfer unit for the bonding process material.

바람직하게는 상기 플라즈마 모듈은, 본딩 공정 자재를 스캔 방식으로 세정할 수 있다.Preferably, the plasma module may clean the bonding process material in a scanning manner.

일례로서, 상기 플라즈마 모듈은, 플라즈마 환경을 조성하기 위한 전극 부재; 상기 전극 부재로 전원을 공급하는 전원부; 및 세정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수 있다.As an example, the plasma module includes an electrode member for creating a plasma environment; a power supply unit supplying power to the electrode member; and a gas supply unit supplying a cleaning gas.

여기서 상기 전극 부재는, 절연성 소재로 형성된 베이스층; 및 상기 베이스층 상에 메쉬 구조로 제공되어 플라즈마를 발생시키는 전극층을 포함할 수 있다.Here, the electrode member, the base layer formed of an insulating material; and an electrode layer provided in a mesh structure on the base layer to generate plasma.

나아가서 상기 이송 유닛, 상기 본딩 유닛 및 상기 세정 유닛은, 다층 구조로 복수개가 구비될 수 있다.Furthermore, a plurality of the transfer unit, the bonding unit, and the cleaning unit may be provided in a multi-layered structure.

이와 같은 본 발명에 의하면, 본딩 공정 설비 내에 플라즈마 모듈을 구비하여 스캔(Scan) 방식으로 본딩 공정을 수행하기 전에 PCB 및 칩(Chip) 등의 본딩 공정 자재 위에 존재하는 유기물을 제거할 수 있다.According to the present invention, it is possible to remove organic matter present on bonding process materials such as PCBs and chips before performing the bonding process by providing a plasma module in the bonding process facility.

특히, 본 발명을 통해 세정 공정 수행 후 본딩 공정을 수행함으로써 본딩 접착력이 향상되어 본딩 시간을 줄일 수 있다.In particular, by performing a bonding process after performing a cleaning process through the present invention, the bonding adhesive strength is improved and the bonding time can be reduced.

아울러 본딩 시간을 줄임으로써 공정 생산성을 향상시키고 유기 오염물을 제거함으로써 본딩 수율을 높일 수 있다. In addition, process productivity can be improved by reducing bonding time, and bonding yield can be increased by removing organic contaminants.

본 발명의 효과는 위에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 일실시예를 도시한다.
도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예를 도시한다.
도 3은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예의 세부 구성을 도시한다.
도 4는 본 발명에 따른 세정 유닛의 전극 부재에 대한 일실시예를 도시한다.
도 5는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예의 동작도를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 다른 실시예를 도시한다.1 shows one embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention.
2 shows an embodiment of the cleaning unit of the die bonding apparatus according to the present invention.
3 shows a detailed configuration of an embodiment of a cleaning unit of a die bonding apparatus according to the present invention.
4 shows an embodiment of an electrode member of a cleaning unit according to the present invention.
5 shows an operation diagram of one embodiment of the cleaning unit of the die bonding apparatus according to the present invention.
6 shows another embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 한정되거나 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 설명하기 위하여 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하고 이를 참조하여 살펴본다.In order to explain the present invention and the operational advantages of the present invention and the objects achieved by the practice of the present invention, the following describes a preferred embodiment of the present invention and references it.

먼저, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니며, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 또한 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.First, the terms used in this application are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention, and singular expressions may include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, in this application, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other It should be understood that the presence or addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.

본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 발명은 다이 본딩 공정의 수행에 앞서 기판(PCB) 및 칩(Chip)에 존재하는 유기 오염물을 제거하는 공정 수행을 통해 다이 본딩 공정에 대한 생산성과 수율을 향상시킬 수 있는 방안을 제시한다.The present invention proposes a method of improving productivity and yield of a die bonding process by performing a process of removing organic contaminants present in a substrate (PCB) and a chip (Chip) prior to performing the die bonding process.

도 1은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 일실시예를 도시하고, 도 2는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예를 도시한다.1 shows an embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2 shows an embodiment of a cleaning unit of the die bonding apparatus according to the present invention.

다이 본딩 장치(10)는 반도체 장치의 제조 공정에서 다이싱 공정에 의해 개별화된 다이를 리드 프레임, 인쇄회로기판 등과 같은 기판 상에 본딩하기 위해 사용될 수 있다.The die bonding device 10 may be used to bond individualized dies on a substrate such as a lead frame or a printed circuit board by a dicing process in a manufacturing process of a semiconductor device.

본 발명에서 다이 본딩 장치(10)는 로딩 유닛(100), 세정 유닛(200), 본딩 유닛(300), 이송 유닛(270) 등을 포함할 수 있다.In the present invention, the die bonding apparatus 10 may include a loading unit 100, a cleaning unit 200, a bonding unit 300, a transfer unit 270, and the like.

세정 유닛(200)은 이송 유닛(270)의 이송 경로 상에 배치될 수 있다. 세정 유닛(200)은 플라즈마 모듈(210)을 포함하며, 플라즈마 모듈(210)은 이송 유닛(270)의 이송 레일 상부에 배치되어 이송 유닛(270)을 통해 이송되는 기판(W) 등의 본딩 공정 자재에 대한 대기압 플라즈마 세정을 수행할 수 있다. The cleaning unit 200 may be disposed on the transfer path of the transfer unit 270 . The cleaning unit 200 includes a plasma module 210, and the plasma module 210 is disposed on the transfer rail of the transfer unit 270 for a bonding process such as a substrate W transferred through the transfer unit 270. Atmospheric pressure plasma cleaning can be performed on the material.

도 3은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예의 동작도를 도시하며, 상기 도 3을 참조하여 세정 유닛에 대하여 좀더 자세히 살펴보기로 한다.3 shows an operation diagram of an embodiment of a cleaning unit of a die bonding apparatus according to the present invention, and the cleaning unit will be described in more detail with reference to FIG. 3 .

플라즈마 유닛(480)은 대기압 플라즈마를 공급하거나 발생시킨다. 플라즈마 모듈(210)은 이송 유닛(270)이 이송 중인 기판(W) 등의 본딩 공정 자재 일부 또는 전부가 플라즈마에 노출되도록 플라즈마를 공급하거나 발생시켜 세정을 수행할 수 있다. 플라즈마 모듈(210)은 대기압에서 플라즈마를 공급하거나 발생시킨다. The plasma unit 480 supplies or generates atmospheric plasma. The plasma module 210 may perform cleaning by supplying or generating plasma so that some or all of the bonding process materials, such as the substrate W being transferred by the transfer unit 270, are exposed to the plasma. The plasma module 210 supplies or generates plasma at atmospheric pressure.

플라즈마 모듈(210)은 가스 공급부, 전극 부재(220), 승강부재(250), 제어부(230) 등을 포함할 수 있다.The plasma module 210 may include a gas supply unit, an electrode member 220, an elevating member 250, a control unit 230, and the like.

가스 공급부는 세정 가스를 공급할 수 있다. 바람직하게는 가스 공급부는 세정 가스로서 대기압 플라즈마 상태에서 기판 등의 본딩 공정 자재에 존재하는 유기 오염물을 탄소 가스화시켜 제거할 수 있도록 산소 활성종을 포함하는 세정 가스를 공급할 수 있다. 일례로서, 가스 공급부는 산소를 포함하는 가스를 공급할 수 있다.The gas supply unit may supply a cleaning gas. Preferably, the gas supply unit may supply a cleaning gas containing active oxygen species to carbon gasify and remove organic contaminants present in a bonding process material such as a substrate in an atmospheric pressure plasma state. As an example, the gas supply unit may supply a gas containing oxygen.

가스 공급부는 세정 가스를 제공하는 세정 가스 공급 라인(212), 세정 가스 공급량을 조정하는 가스 공급 밸브(231) 등을 포함할 수 있다.The gas supply unit may include a cleaning gas supply line 212 for supplying cleaning gas, a gas supply valve 231 for adjusting the supply amount of cleaning gas, and the like.

제어기(230)는 가스 공급 밸브(231)를 개방하여 세정 가스가 대기압 플라즈마 공간으로 공급되도록 하며, 이에 따라 기판 등의 본딩 공정 자재 주변으로 세정 가스 분위기를 형성시킬 수 있다. The controller 230 opens the gas supply valve 231 to supply the cleaning gas to the atmospheric pressure plasma space, thereby forming a cleaning gas atmosphere around a bonding process material such as a substrate.

전극 부재(220)는 이송 유닛(270)에 의해 이송 중인 기판(W) 등의 본딩 공정 자재의 상부에 위치될 수 있다. The electrode member 220 may be positioned on top of a bonding process material such as the substrate W being transferred by the transfer unit 270 .

도 4는 본 발명에 따른 세정 유닛의 전극 부재에 대한 일실시예를 도시하며, 상기 도 4를 함께 참조하여 전극 부재(220)를 설명하도록 한다. FIG. 4 shows an embodiment of an electrode member of the cleaning unit according to the present invention, and the electrode member 220 will be described with reference to FIG. 4 together.

전극 부재는 베이스층(223), 전극층(225), 유전층(221) 등을 포함할 수 있다.The electrode member may include a base layer 223 , an electrode layer 225 , a dielectric layer 221 , and the like.

베이스층(223)은 유리 등의 재질로 제공될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 소재의 유전체 또는 절연체 등 다양한 재질로 제공될 수 있다. 베이스층(223) 상에는 전극층(225)과 유전층(221)이 제공될 수 있다. 일예로 베이스층(223) 상에 전극층(225)은 프린팅되어 제공될 수 있다. 일예로 유전층(221)은 전극층(225)이 형성된 베이스층(223) 상에 도포되어 형성될 수 있다.The base layer 223 may be provided with a material such as glass, but is not limited thereto, and may be provided with various materials such as a dielectric material or an insulator of another material. An electrode layer 225 and a dielectric layer 221 may be provided on the base layer 223 . For example, the electrode layer 225 may be printed and provided on the base layer 223 . For example, the dielectric layer 221 may be applied and formed on the base layer 223 on which the electrode layer 225 is formed.

전극층(225)은 베이스층(223) 상에 형성된다. 일예로, 전극층(225)은 베이스층(223)에 프린팅되어 제공될 수 있다. 일예로 전극층(225)은 상기 도 4에 도시된 바와 같이 메쉬 구조로 제공될 수 있다. 그러나 전극층(225)이 사각형의 메쉬 구조에 한정되는 것은 아니며, 육각형 벌집 형상의 반복적인 메쉬 형태, 다각형이 반복되는 형태 등 다양한 형태로 제공될 수 있다. 전극층(225)은 이송 유닛(270)이 이송 중인 기판(W) 등의 본딩 공정 자재에 대응하는 크기 또는 면적으로 제공될 수 있다. 전극층(225)에는 전극층(225)에 전력을 인가하는 전원(240)이 연결된다. 전극층(4850)에 인가되는 전력에 의해 베이스층(223)의 아래의 마련되는 세정 공간에서 대기압 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 전원(240)은 저주파 전원일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 고주파 전원으로 제공되거나 다양한 주파수의 전원으로 제공될 수도 있다.The electrode layer 225 is formed on the base layer 223 . For example, the electrode layer 225 may be provided by being printed on the base layer 223 . For example, the electrode layer 225 may have a mesh structure as shown in FIG. 4 . However, the electrode layer 225 is not limited to a rectangular mesh structure, and may be provided in various forms, such as a hexagonal honeycomb repetitive mesh shape and a polygonal repeating shape. The electrode layer 225 may be provided in a size or area corresponding to a bonding process material such as the substrate W being transferred by the transfer unit 270 . A power source 240 for applying power to the electrode layer 225 is connected to the electrode layer 225 . Atmospheric pressure plasma may be generated in the cleaning space provided below the base layer 223 by power applied to the electrode layer 4850 . The power source 240 may be a low-frequency power source, but is not limited thereto, and may be provided as a high-frequency power source or as a power source of various frequencies.

유전층(221)은 메쉬 구조의 전극층(225) 위에 형성된다. 유전층(221)은 전극층(225)의 면적에 대응되어 형성될 수 있다.The dielectric layer 221 is formed on the electrode layer 225 of the mesh structure. The dielectric layer 221 may be formed to correspond to the area of the electrode layer 225 .

플라즈마 모듈(210)은 방열 몸체(211)를 포함할 수 있다. 방열 몸체(211)는 전극 부재(220)의 상부에 제공될 수 있으며, 전극 부재(220)와 방열 몸체(211) 사이에는 절연판(212)이 제공되어 전극 부재(220)에 의해 방열 몸체(211) 위에 발생될 수 있는 아킹(Arcing) 현상을 방지할 수 있다.The plasma module 210 may include a heat dissipation body 211 . The heat dissipation body 211 may be provided above the electrode member 220, and an insulating plate 212 is provided between the electrode member 220 and the heat dissipation body 211 so that the heat dissipation body 211 is provided by the electrode member 220. ) can prevent the arcing phenomenon that can occur on top.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 모듈(210)에 있어서, 전극 부재(220), 절연판(212), 방열 몸체(211)는 순차적으로 결합되어 구성될 수 있다. 플라즈마 모듈(210)은 거리 조절 수단(250)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. In the plasma module 210 according to an embodiment of the present invention, the electrode member 220, the insulating plate 212, and the heat dissipation body 211 may be sequentially coupled to each other. The plasma module 210 may be moved vertically by the distance adjusting unit 250 .

도 5는 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛에 대한 일실시예의 동작도를 도시하며, 상기 도 5를 참조하여 플라즈마 모듈(210)을 승강시키는 구동에 대하여 살펴본다.FIG. 5 shows an operation diagram of an embodiment of the cleaning unit of the die bonding apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 5, the driving of moving the plasma module 210 up and down will be described.

이송 유닛(270)이 이송하는 본딩 공정 자재에 대한 대기압 플라즈마 세정을 위해서는 플라즈마 모듈(210)과 본딩 공정 자재 간의 이격 거리가 조절될 필요가 있다.For atmospheric pressure plasma cleaning of the bonding process material transported by the transfer unit 270, the separation distance between the plasma module 210 and the bonding process material needs to be adjusted.

특히, 이송 유닛(270)이 이송하는 기판(W)의 두께와 크기에 따라 적절한 대기압 플라즈마 세정이 수행되기 위해서는 플라즈마 모듈(210)과 본딩 공정 자재 간의 이격 거리가 조절될 필요가 있으며, 또한 다이나 칩 등의 본딩 공정 자재는 각기 그 높이가 상이하므로 각각의 본딩 공정 자재마다 플라즈마 모듈(210) 간의 이격 거리가 조절될 필요가 있다.In particular, in order to perform atmospheric pressure plasma cleaning appropriately according to the thickness and size of the substrate W transferred by the transfer unit 270, it is necessary to adjust the separation distance between the plasma module 210 and the bonding process material, and also the Dyna chip. Since each bonding process material has a different height, it is necessary to adjust the separation distance between the plasma modules 210 for each bonding process material.

거리 조절 수단(250)은 플라즈마 모듈(210)을 상승 또는 하강시킴으로써 이송 유닛(270)이 이송 중인 본딩 공정 자재와 플라즈마 모듈(210) 간에 이격 거리를 조절할 수 있다.The distance adjusting unit 250 may adjust the separation distance between the bonding process material being transferred by the transfer unit 270 and the plasma module 210 by raising or lowering the plasma module 210 .

가령, 상기 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 거리 조절 수단(250)은 플라즈마 모듈(210)과 이송 유닛(270)이 이송 중인 기판 간의 이격 거리를 D1으로 조절할 수도 있고, 또는 상기 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이 거리 조절 수단(250)은 플라즈마 모듈(210)과 이송 유닛(270)이 이송 중인 기판 간의 이격 거리를 D2로 조절할 수도 있다.For example, as shown in (a) of FIG. 5, the distance adjusting unit 250 may adjust the separation distance between the plasma module 210 and the substrate being transferred by the transfer unit 270 to D1, or As shown in (b) of (b), the distance adjusting unit 250 may adjust the separation distance between the plasma module 210 and the substrate being transferred by the transfer unit 270 to D2.

이를 위해 도시되지 않았으나, 거리 조절 수단(250)은 플라즈마 모듈(210)을 지지하는 샤프트와 샤프트를 통해 플라즈마 모듈(210)을 상승 또는 하강시키는 수직 이동 구동부 등을 포함할 수 있다.Although not shown for this purpose, the distance adjusting unit 250 may include a shaft supporting the plasma module 210 and a vertical movement driver that raises or lowers the plasma module 210 through the shaft.

나아가서 이송 유닛(270)이 이송 중인 본딩 공정 자재의 크기에 따라 플라즈마 모듈(210)을 수평 방향으로 이동시키는 플라즈마 모듈 이동부(미도시)를 더 포함할 수도 있다.Furthermore, the transfer unit 270 may further include a plasma module moving unit (not shown) that moves the plasma module 210 in a horizontal direction according to the size of the bonding process material being transferred.

플라즈마 모듈 이동부는 플라즈마 모듈(210)을 지지하는 수평 이동 가이드와 수평 이동 가이드를 따라 플라즈마 모듈(210)을 수평 이동시키는 수평 이동 구동부 등을 포함할 수도 있다.The plasma module movement unit may include a horizontal movement guide that supports the plasma module 210 and a horizontal movement driver that horizontally moves the plasma module 210 along the horizontal movement guide.

바람직하게는 플라즈마 모듈 이동부는 플라즈마 모듈(210)을 이송 유닛(270)이 이송 중인 본딩 공정 자재의 이송 방향을 따라 이동시킬 수 있으며, 나아가서 본딩 공정 자재에 대한 이송 속도와 같거나 더 낮은 속도로 플라즈마 모듈(210)을 이동시킬 수도 있다.Preferably, the plasma module moving unit may move the plasma module 210 along the transport direction of the bonding process material being transported by the transfer unit 270, and furthermore, plasma at a speed equal to or lower than the transfer speed of the bonding process material. The module 210 may be moved.

이러한 거리 조절 수단, 플라즈마 모듈 이동부 등의 구성을 통해 이송 유닛(270)이 본딩 공정 자재를 이송 중인 상황에서 정지하지 않고 스캔 방식으로 본딩 공정 자재에 대한 대기압 플라즈마 세정을 수행할 수 있게 된다.Through the configuration of the distance adjusting unit, the plasma module moving unit, etc., the transfer unit 270 can perform atmospheric pressure plasma cleaning of the bonding process materials in a scanning manner without stopping while transferring the bonding process materials.

이와 같은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 세정 유닛을 통해 대기압 플라즈마 세정을 수행함으로써 본딩 공정에 앞서 PCB 기판 및 칩(Chip) 위에 존재하는 오염물을 세정할 수 있게 된다.By performing atmospheric pressure plasma cleaning through the cleaning unit of the die bonding apparatus according to the present invention, contaminants present on the PCB substrate and chips can be cleaned prior to the bonding process.

본 발명을 통해 본딩 유닛(300)이 PCB 기판 및 칩(Chip) 등의 본딩 공정 자재에 대한 본딩 공정을 수행하기에 앞서 이송 유닛(270)이 본딩 공정 자재를 본딩 유닛(300)으로 이송하는 과정에서 세정 유닛(200)을 통해 대기압 플라즈마 세정을 수행할 수 있다.Through the present invention, the bonding unit 300 transfers the bonding process materials to the bonding unit 300 by the transfer unit 270 prior to performing the bonding process for bonding process materials such as a PCB substrate and a chip. Atmospheric pressure plasma cleaning may be performed through the cleaning unit 200 .

대기압 플라즈마 환경에서 산소 활성종을 본딩 공정 자재의 유기 오염물과 반응시켜 본딩 공정 자재 상에 존재하는 유기 오염물을 탄소 가스화시킴으로써 제거할 수 있게 된다.Active oxygen species react with organic contaminants of the bonding process material in an atmospheric pressure plasma environment, and organic contaminants present on the bonding process material can be removed by carbon gasification.

특히, 본 발명을 통해 대기압 플라즈마 세정을 수행하여 본딩 공정 자재 상에 존재하는 유기 오염물을 제거함으로써 본딩 공정시 보다 양질의 접촉각을 구현할 수 있게 된다.In particular, it is possible to implement a higher quality contact angle during the bonding process by removing organic contaminants present on the bonding process material by performing atmospheric pressure plasma cleaning through the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 다이 본딩 장치의 다른 실시예를 도시한다.6 shows another embodiment of a die bonding apparatus according to the present invention.

앞서 살펴본 상기 도 1의 실시예에서는 단일층 구조로 로딩 유닛(100), 세정 유닛(200), 본딩 유닛(300), 이송 유닛(270)을 포함하는 다이 본딩 장치를 구현하였으나, 상기 도 6의 실시예에서는 세정 유닛(200), 본딩 유닛(300), 이송 유닛(270)을 다층 구조(10a, 10b)로 구성하고 로딩 유닛(100)이 각 층별로 본딩 공정 자재을 공급함으로써 본딩 공정 수행 효율성을 더욱 높일 수 있다.In the embodiment of FIG. 1 described above, the die bonding device including the loading unit 100, the cleaning unit 200, the bonding unit 300, and the transfer unit 270 has been implemented in a single layer structure, but in FIG. In the embodiment, the cleaning unit 200, the bonding unit 300, and the transfer unit 270 are configured in multi-layer structures 10a and 10b, and the loading unit 100 supplies bonding process materials for each layer, thereby increasing the efficiency of the bonding process. can be raised further.

이와 같은 본 발명에 의하면, 본딩 공정 설비 내에 플라즈마 모듈을 구비하여 스캔(Scan) 방식으로 본딩 공정을 수행하기 전에 PCB 및 칩(Chip) 등의 본딩 공정 자재 위에 존재하는 유기물을 제거할 수 있다.According to the present invention, it is possible to remove organic matter present on bonding process materials such as PCBs and chips before performing the bonding process by providing a plasma module in the bonding process facility.

특히, 본 발명을 통해 세정 공정 수행 후 본딩 공정을 수행함으로써 본딩 접착력이 향상되어 본딩 시간을 줄일 수 있다.In particular, by performing a bonding process after performing a cleaning process through the present invention, the bonding adhesive strength is improved and the bonding time can be reduced.

아울러 본딩 시간을 줄임으로써 공정 생산성을 향상시키고 유기 오염물을 제거함으로써 본딩 수율을 높일 수 있다. In addition, process productivity can be improved by reducing bonding time, and bonding yield can be increased by removing organic contaminants.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 기재된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상이 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an example of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations can be made to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments described in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the equivalent range should be construed as being included in the scope of the present invention.

10 : 본딩 공정 장치,
100 : 로딩 유닛,
200 : 세정 유닛,
210 : 플라즈마 모듈,
250 : 거리 조절 수단,
270 : 이송 유닛,
300 : 본딩 유닛.10: bonding process equipment,
100: loading unit,
200: cleaning unit,
210: plasma module,
250: distance adjusting means,
270: transfer unit,
300: bonding unit.

Claims (10)

본딩 공정 자재를 공급하는 로딩 유닛;
상기 로딩 유닛으로부터 본딩 공정 자재를 본딩 유닛으로 이송하는 이송 유닛;
상기 이송 유닛을 통해 공급된 본딩 공정 자재로 본딩 공정을 수행하는 본딩 유닛; 및
상기 이송 유닛의 이송 경로 상에 배치되어 본딩 공정 자재에 대한 대기압 플라즈마 세정을 수행하는 세정 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.a loading unit supplying bonding process materials;
a transfer unit for transferring the bonding process material from the loading unit to the bonding unit;
a bonding unit performing a bonding process with the bonding process material supplied through the transfer unit; and
and a cleaning unit disposed on the transfer path of the transfer unit to perform atmospheric pressure plasma cleaning on the material for the bonding process. 제 1 항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 이송 유닛의 이송 경로 상부에 배치되어 대기압 플라즈마를 통해 본딩 공정 자재의 유기물을 제거하는 플라즈마 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 1,
The washing unit,
and a plasma module disposed above the transfer path of the transfer unit to remove organic matter from the bonding process material through atmospheric pressure plasma. 제 2 항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 플라즈마 모듈과 본딩 공정 자재 간의 이격 거리를 조절하는 거리 조절 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 2,
The washing unit,
The die bonding device further comprising a distance adjusting means for adjusting a separation distance between the plasma module and the bonding process material. 제 2 항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
대기압 플라즈마를 통해 본딩 공정 자재 표면에 존재하는 유기 오염물을 탄소 가스화시켜 제거하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 2,
The washing unit,
A die bonding device characterized in that organic contaminants present on the surface of a bonding process material are removed by carbon gasification through atmospheric plasma. 제 2 항에 있어서,
상기 세정 유닛은,
상기 플라즈마 모듈을 본딩 공정 자재의 이송 방향을 따라 이동시키는 플라즈마 모듈 이동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 2,
The washing unit,
The die bonding apparatus further comprising a plasma module moving unit for moving the plasma module along the transport direction of the bonding process material. 제 5 항에 있어서,
상기 플라즈마 모듈 이동부는,
상기 이송 유닛의 본딩 공정 자재에 대한 이송 속도와 같거나 더 낮은 속도로 상기 플라즈마 모듈을 이동시키는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 5,
The plasma module moving unit,
The die bonding apparatus, characterized in that moving the plasma module at a speed equal to or lower than the transfer speed of the bonding process material of the transfer unit. 제 5 항에 있어서,
상기 플라즈마 모듈은,
본딩 공정 자재를 스캔 방식으로 세정하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 5,
The plasma module,
A die bonding device characterized in that the bonding process material is cleaned by a scanning method. 제 2 항에 있어서,
상기 플라즈마 모듈은,
플라즈마 환경을 조성하기 위한 전극 부재;
상기 전극 부재로 전원을 공급하는 전원부; 및
세정 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 2,
The plasma module,
an electrode member for creating a plasma environment;
a power supply unit supplying power to the electrode member; and
A die bonding device comprising a gas supply unit for supplying a cleaning gas. 제 8 항에 있어서,
상기 전극 부재는,
절연성 소재로 형성된 베이스층; 및
상기 베이스층 상에 메쉬 구조로 제공되어 플라즈마를 발생시키는 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 8,
The electrode member,
A base layer formed of an insulating material; and
A die bonding device comprising an electrode layer provided in a mesh structure on the base layer to generate plasma. 제 1 항에 있어서,
상기 이송 유닛, 상기 본딩 유닛 및 상기 세정 유닛은,
다층 구조로 복수개가 구비된 것을 특징으로 하는 다이 본딩 장치.According to claim 1,
The transfer unit, the bonding unit, and the cleaning unit,
A die bonding device characterized in that a plurality is provided in a multi-layer structure.
KR1020220023105A 2021-12-21 2022-02-22 Die bonding apparatus KR20230094919A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20210183529 2021-12-21
KR1020210183529 2021-12-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230094919A true KR20230094919A (en) 2023-06-28

Family

ID=86994159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220023105A KR20230094919A (en) 2021-12-21 2022-02-22 Die bonding apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230094919A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102391430B1 (en) Die bonding apparatus
KR101970884B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor device
KR101883028B1 (en) Bonding system, substrate processing system, and bonding method
KR101805964B1 (en) Peeling system, peeling method, and computer storage medium
JP3339354B2 (en) Single-sided molding method for chips
KR20190129872A (en) Pick-up Method, Pick-up Device, and Mounting Device
KR20160086277A (en) Bonding apparatus, bonding system, bonding method, and computer storage medium
KR102081703B1 (en) Bonding apparatus and bonding method
KR20230094919A (en) Die bonding apparatus
JP2008251771A (en) Component mounting device
CN111162024B (en) Apparatus for mounting conductive balls
KR20220048018A (en) Bonding apparatus, bonding system and bonding method
KR20200045579A (en) Apparatus and method for bonding die and substrate
KR102150528B1 (en) Columnar member mounting device and columnar member mounting method
KR102176615B1 (en) Apparatus and Method for Transferring Disply Element
JP7368263B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR102023453B1 (en) Apparatus and method for dividing substrate
JP5356962B2 (en) Placement mechanism, wafer transfer method with dicing frame, and wafer transfer program used in this transfer method
KR20230094921A (en) Die bonding apparatus
TW201911511A (en) Columnar member mounting device and method for mounting a columnar member capable of mounting a columnar member at a predetermined position of a substrate without excess or deficiency
CN1310810C (en) Electricity discharge and goods taking, stripping charge suppressing method and device, goods taking and receiving device
US20230290666A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus, carrier jig, and manufacturing method of semiconductor device
KR101519611B1 (en) Apparatus for treating printed circuit board
WO2022190992A1 (en) Laser radiation device, laser radiation method, and manufacturing method for organic el display
JP2012199442A (en) Die bonder and semiconductor manufacturing method