KR20230094634A - Led 장치 제작 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 장치 제작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 타겟기판으로 마이크로 LED 칩을 전사하기 전에 불량이 발생한 마이크로 LED 칩을 선별하여 제거하고, 양품의 마이크로 LED 칩으로 교체함으로써 최종적으로 리페어해야 하는 마이크로 LED 칩의 수를 최소화함으로써 최종단계에서 리페어에 소요되는 비용을 절감시킬 수 있는 LED 장치 제작 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법은 감광성 고분자를 이용하여 최종기판으로 마이크로 LED 칩을 전사하기 이전에 중간단계에서 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 모두 제거하고, 제거한 위치에 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 교체하여 불량 마이크로 LED를 리페어함으로써 최종기판 상에서 불량 마이크로 LED 칩을 리페어하는 방식보다 비용이 저렴할 뿐만 아니라 간편하게 리페어 가능하다.
또한, 본 발명은 중간기판에 마이크로 LED 칩을 가접착시키고 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 선별하여 레이저 또는 식각을 통해 중간기판으로부터 분리 및 제거 가능하며, 주변의 양품의 마이크로 LED 칩에 간섭을 발생시키지 않고 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 개별적으로 분리 및 제거할 수 있는 장점이 있다.

Description

LED 장치 제작 방법{LED device manufacturing method}
본 발명은 LED 장치 제작 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 타겟기판으로 마이크로 LED 칩을 전사하기 전에 불량이 발생한 마이크로 LED 칩을 선별하여 제거하고, 양품의 마이크로 LED 칩으로 교체함으로써 최종적으로 리페어해야 하는 마이크로 LED 칩의 수를 최소화함으로써 최종단계에서 리페어에 소요되는 비용을 절감시킬 수 있는 LED 장치 제작 방법에 관한 것이다.
현재 디스플레이 시장은 OLED가 LCD를 빠르게 대체하며 주류로 부상하고 있는 상황이다. 디스플레이 업체들의 OLED 시장 참여가 러시를 이루고 있는 상황에서 최근 Micro LED(이하, '마이크로 LED') 디스플레이가 또 하나의 차세대 디스플레이로 부상하고 있다.
LCD와 OLED의 핵심소재가 각각 액정(Liquid Crystal), 유기재료인데 반해 마이크로 LED 디스플레이는 1~100마이크로미터(㎛) 단위의 LED 칩 자체를 발광소자로 사용하는 디스플레이다.
마이크로 LED를 사용한 디스플레이는 복수의 마이크로 LED 소자를 회로 기판에 접속하여 제조될 수 있다. 제조된 전자 부품은 성능 확인을 위한 과정에서 불량 여부를 확인하게 된다. 성능 확인 과정에서 불량으로 판별된 소자는 인쇄회로기판으로부터 제거되어 양품으로 교체되는 리페어 공정을 거치게 된다.
이러한 불량 소자 리페어 공정에 대한 특허로는 국내 등록특허 제10-1918106호의 불량 소자의 리페어방법 및 이를 위한 리페어 장치(이하, 특허문헌 1) 등이 공지되어 있다.
상기의 특허문헌 1은 제1점착필름, 가압부 및 제2점착필름을 포함하는 리페어 장치를 이용하여 기판에 존재하는 불량소자만 선택적으로 교체할 수 있다.
상기의 특허 문헌 1은 제1점착필름을 가압하여 불량 소자와 밀착시키는 가압단계, 제1점착필름과 점착된 불량 소자를 기판에서 떼어내는 불량 소자 제거 단계, 불량 소자가 제거된 기판의 제거 위치에 대체 소자를 접합시키는 대체 소자 접합단계를 수행하여 기판의 불량 소자를 대체 소자로 리페어할 수 있다.
그러나 기판에 배열된 미소 소자 중 불량 소자 각각에 대해 리페어 공정을 수행해야 하며, 미소 소자의 경우, 그 크기가 매우 작기 때문에 불량 소자를 일일이 제거하여 대체 소자로 교체하는 것이 번거롭다.
또한, 교체된 대체 소자가 불량일 경우, 리페어 과정을 반복해야 하며, 불량 소자 하나에 대해 리페어 공정을 수행하면서 불량 소자 주변의 정상 소자까지 간섭 받는 문제를 발생시킬 수 있다.
대한민국 등록특허 10-1918106 대한민국 등록특허 10-1890934 대한민국 공개특허 10-2019-0075869
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 최종기판으로 마이크로 LED 칩을 전사하기 이전에 중간단계에서 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 모두 제거하고, 제거한 위치에 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 교체하여 불량 마이크로 LED를 리페어함으로써 최종기판 상에서 불량 마이크로 LED 칩을 리페어하는 방식보다 비용이 저렴할 뿐만 아니라 간편하게 리페어 가능한 LED 장치 제작 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법은 일 면에 마이크로 LED 칩이 접속되는 접속전극 및 상기 접속전극을 연결하는 전극패턴이 형성된 기판을 준비하는 준비단계와; 상기 기판 상에 마이크로 LED 칩을 가접착시킬 수 있게 접착성을 갖고, 광에 노출될 시 경화될 수 있게 감광성을 가지며, 전기를 전달할 수 있게 전도성을 갖는 고분자를 포함하는 본딩소재를 상기 마이크로 LED 칩이 각각 전사될 타겟영역 상에 각각 인쇄하여 제1차 본딩층을 형성하는 제1차 인쇄단계와; 상기 제1차 본딩층으로 상기 마이크로 LED 칩을 전사하여 상기 마이크로 LED 칩을 상기 제1차 본딩층에 가접착시키는 제1차 전사단계와; 상기 제1차 본딩층에 가접착된 상기 마이크로 LED 칩의 불량여부를 검사하는 검사단계와; 상기 검사단계에서 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 제외한 나머지 양품의 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층에 광을 조사하여 양품의 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 경화시키는 제1차 경화단계와; 식각액 또는 레이저를 이용하여 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 상기 기판으로부터 분리 및 제거하는 제거단계와; 상기 제거단계에서 제1차 본딩층이 제거된 타겟영역 상에 상기 본딩소재를 각각 인쇄하여 제2차 본딩층을 형성하는 제2차 인쇄단계와; 상기 제2차 본딩층으로 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 전사하여 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 상기 제2차 본딩층에 가접착시키는 제2차 전사단계와; 상기 제2차 본딩층에 광을 조사하여 상기 제2차 본딩층을 경화시키는 제2차 경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 ACF 또는 ACP 또는 ACA를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1차 인쇄단계 및 상기 제2차 인쇄단계에서 형성되는 상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 각각 상기 마이크로 LED 칩의 양전극과 음전극이 각각 접속되는 양접속전극과 음접속전극을 감싸도록 덮을 수 있게 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제1차 인쇄단계 및 상기 제2차 인쇄단계에서 형성되는 상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 상기 마이크로 LED 칩의 양전극과 음전극이 각각 접속되는 양접속전극과 음접속전극 사이에 형성되고, 상기 양접속전극 및 음접속전극과 이격되게 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제1차 경화단계 또는 상기 제2차 경화단계는 각각 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩 또는 양품으로 교체된 신규 마이크로 LED 칩을 가열하면서 상기 기판의 전극을 향해 일정 압력으로 압착하여 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩 또는 양품으로 교체된 신규 마이크로 LED 칩의 전극을 상기 기판의 접속전극에 접속시키는 가열압착단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법은 감광성 고분자를 이용하여 최종기판으로 마이크로 LED 칩을 전사하기 이전에 중간단계에서 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 모두 제거하고, 제거한 위치에 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 교체하여 불량 마이크로 LED를 리페어함으로써 최종기판 상에서 불량 마이크로 LED 칩을 리페어하는 방식보다 비용이 저렴할 뿐만 아니라 간편하게 리페어 가능하다.
또한, 본 발명은 중간기판에 마이크로 LED 칩을 가접착시키고 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 선별하여 레이저 또는 식각을 통해 중간기판으로부터 분리 및 제거 가능하며, 주변의 양품의 마이크로 LED 칩에 간섭을 발생시키지 않고 불량이 발생한 마이크로 LED 칩만을 개별적으로 분리 및 제거할 수 있는 장점이 있다.
도 1 내지 도 14는 본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법을 나타난 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 LED 장치 제작 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1 내지 도 14에는 본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법이 도시되어 있다.
도 1 내지 도 14를 참조하면, 본 발명에 따른 LED 장치 제작 방법은 준비단계와, 제1차 인쇄단계와, 제1차 전사단계와, 검사단계와, 제1차 경화단계와, 제거단계와, 제2차 인쇄단계와, 제2차 전사단계와, 제2차 경화단계를 포함하여 구성된다.
준비단계는 일 면에 마이크로 LED 칩(100)이 접속되는 접속전극들(11, 12) 및 접속전극들(11, 12)을 연결하는 전극패턴이 형성된 기판(10)을 준비한다. 기판(10)에 형성된 접속전극들(11, 12)은 플립형 마이크로 LED 칩(100)을 적용할 때와 수평형(lateral type) 마이크로 LED 칩(110)을 적용할 때, 그리고 수직형(vertical type) 마이크로 LED 칩(120)을 적용할 때 서로 다른 형태로 구성된다.
플립형 마이크로 LED 칩(100)을 적용할 때에는 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이 기판(10)의 접속전극(11, 12)은 플립형 마이크로 LED 칩(100)의 전극들 사이의 간격에 대응되는 간격으로 이격되고 인접하게 배치된다.
한편, 수평형 마이크로 LED 칩(110)을 적용할 때에는 도 5에 도시된 바와 같이 기판(10) 상의 접속전극들(11, 12)이 수평형 마이크로 LED 칩(110)의 양전극(111)과 음전극(112) 사이의 간격 또는 수평형 마이크로 LED 칩(110)의 길이나 폭 보다 넓은 간격으로 이격되게 배치된다.
그리고, 수직형 마이크로 LED 칩(120)을 적용할 때에는 도 6에 도시된 바와 같이 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 하부에 구비된 양전극(121)에 접속되는 양접속전극(11)은 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 하부에 구비된 양전극(121)과 대응되는 크기로 형성되고, 나머지 한 쪽의 음접속전극(12)은 그보다 더 작게 형성되며, 양측의 접속전극들(11, 12)이 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 길이 또는 폭에 대응되는 간격으로 이격되게 배치된다.
또한, 수직형 마이크로 LED 칩(120)을 적용할 시 기판(10) 상의 접속전극들(11, 12)은 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 양전극(121)을 양접속전극(11)에 접합 또는 접속시킬 시 다른 한 쪽의 음접속전극(12)이 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 양전극(121)에 간섭 및 접촉이 이루어지지 않을 정도의 간격으로 서로 이격되게 형성된 구조라면 충분하다.
제1차 인쇄단계는 기판(10) 상에 마이크로 LED 칩(100)을 가접착시킬 수 있게 제1차 본딩층(20)을 인쇄한다.
제1차 인쇄단계에서 사용되는 제1차 본딩층(20)은 마이크로 LED 칩(100)이 기판(10) 상에 가접착 및 가고정될 수 있도록 접착성 및 점착성을 갖고, 광에 노출될 시 경화될 수 있게 감광성을 가지며, 전기를 전달할 수 있게 전도성을 갖는 고분자를 포함하는 본딩소재로 구성된다.
본딩소재는 제1차 인쇄단계를 통해 마이크로 LED 칩(100)이 각각 전사될 기판(10) 상의 타겟영역(T) 상에 각각 인쇄되며, 제1차 본딩층(20)을 형성한다. 이때, 타겟영역(T)은 마이크로 LED 칩(100)보다 큰 면적을 차지한다.
제1차 인쇄단계과 후술하는 제2차 인쇄단계를 통해 각각 인쇄되는 제1차 본딩층(20)과 제2차 본딩층(30)은 플립형 마이크로 LED 칩(100)을 적용할 때와 수평형(lateral) 마이크로 LED 칩(110)을 적용할 때 그리고, 수직형 마이크로 LED 칩(120)을 적용할 때 서로 다른 형태로 인쇄된다.
플립형 마이크로 LED 칩(100)을 적용하는 경우에는 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이 제1차 본딩층(20) 및 제2차 본딩층은 각각 마이크로 LED 칩(100)의 저면에 형성된 양전극(101)과 음전극(102)이 각각 접속되는 기판(10) 상의 양접속전극(11) 및 음접속전극(12)과 함께 타겟영역(T)의 기판(10) 표면을 함께 감싸도록 덮을 수 있게 형성된다.
한편, 수평형 마이크로 LED 칩(110)을 적용하는 경우에는 도 5에 도시된 바와 같이 제1차 본딩층(20) 및 제2차 본딩층은 각각 수평형 마이크로 LED 칩(110)의 상면에 형성된 양전극(111)과 음전극(112)이 각각 접속되는 기판(10) 상의 일 측 타겟영역(T) 내의 양접속전극(11)과 음접속전극(12) 사이에서 기판(10) 표면을 감싸도록 형성된다. 그리고, 제1차 본딩층(20) 및 제2차 본딩층(30)은 기판(10) 상의 양접속전극(11) 음접속전극(12)과 일정 간격 이격되게 형성된다.
그리고, 수직형 마이크로 LED 칩(120)을 적용하는 경우에는 도 6에 도시된 바와 같이 제1차 본딩층(20) 및 제2차 본딩층은 각각 수직형 마이크로 LED 칩(120)의 하부에 형성된 양전극(121)에 접합 또는 접속되는 기판상의 양접속전극(11)뿐만 아니라 해당 양접속전극(11) 주변의 기판(10) 상면을 덮을 수 있게 형성되되 인접하는 음접속접극(12)과는 이격되게 형성된다.
제1차 전사단계는 제1차 본딩층(20)으로 마이크로 LED 칩(100)을 전사하여 마이크로 LED 칩(100)을 제1차 본딩층(20)에 가접착시킨다. 이때, 마이크로 LED 칩(100)의 양전극(101)과 음전극(102)이 형성된 하부 일부분만 제1차 본딩층(20) 내부에 매몰되며, 매몰된 부분이 제1차 본딩층(20)에 가접착 및 가고정된 상태로 유지된다. 제1차 전사단계에서 마이크로 LED 칩(100)을 기판(10) 상의 양접속전극(11)과 음접속전극(12)에 접속되게 압착하지 않는 것은 후술하는 검사단계에서 판별된 불량 마이크로 LED 칩(100)을 간편하게 제거하기 위함이다.
검사단계는 제1차 본딩층(20)에 가접착된 마이크로 LED 칩(100)의 불량여부를 검사한다. 검사단계에서는 마이크로 PL 또는 EL 방식의 측정방법을 이용하여 마이크로 LED 칩(100)의 불량 여부를 확인함으로써 마이크로 LED 칩(100)의 불량 여부를 판별할 수 있다.
제1차 경화단계는 검사단계에서 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B)의 제1차 본딩층(20)을 제외한 나머지 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100A) 및 해당 마이크로 LED 칩(100)이 전사된 제1차 본딩층(20)에 광을 조사하여 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100A)의 제1차 본딩층(20)을 경화시킨다.
제1차 경화단계에서는 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100A)을 가열하면서 기판(10)의 전극을 향해 일정 압력으로 압착하여 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100A)의 전극을 기판(10)의 접속전극에 접속시키는 가열압착단계를 더 포함한다.
가열압착단계는 제1차 경화단계 직전에 진행될 수도 있고, 제1차 경화단계 도중에 진행될 수도 있다. 또한, 가열압착단계는 제1차 경화단계에서 진행되지 않고, 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B)이 모두 제거되고 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)으로 모두 교체된 이후 즉, 제2차 경화단계 직전에 진행될 수도 있다.
제거단계는 식각액 또는 레이저를 이용하여 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B)의 제1차 본딩층(20)과 기판(10) 사이의 결합력을 약화시키거나 해제시켜 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B) 및 제1차 본딩층(20)을 기판(10)으로부터 분리 및 제거한다. 제거단계에서 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B) 및 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100B)들이 각각 전사된 제1차 본딩층(20)들이 모두 기판(10)으로부터 제거된다.
제2차 인쇄단계는 제거단계에서 제1차 본딩층(20)들이 제거된 타겟영역(T) 상에 본딩소재를 각각 인쇄하여 제2차 본딩층(30)을 형성한다. 제2차 인쇄단계에서 인쇄되는 제2차 본딩층(30)은 제1차 인쇄단계에서 사용한 본딩소재와 동일한 것을 사용한다.
제2차 전사단계는 제2차 본딩층(30)으로 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)을 전사하여 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)을 제2차 본딩층(30)에 가접착시킨다. 제2차 전사단계 또한 제1차 전사단계와 마찬가지로 신규 마이크로 LED 칩(100)의 양전극(101)과 음전극(102)이 형성된 하부 일부분만 제2차 본딩층(30) 내부에 매몰되며, 매몰된 부분이 제2차 본딩층(30)에 가접착 및 가고정된 상태로 유지된다.
제2차 전사단계에서 마이크로 LED 칩(100)을 기판(10) 상의 양접속전극(11)과 음접속전극(12)에 접속되게 압착하지 않는 것은 제2차 전사단계 이후 추가로 실시되는 제2차 검사단계에서 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)들 중에서 불량품이 발생할 시, 해당 불량 마이크로 LED 칩을 간편하게 제거하기 위함이다.
이와 다르게 제2차 전사단계 이후에는 별도의 추가적인 검사단계가 생략될 수 있음은 물론이다.
또한, 제2차 전사단계 이후에 추가로 불량품이 발생한 경우에는 앞서 설명한 제거단계, 인쇄단계, 전사단계, 검사단계가 반복적으로 진행될 수 있다.
제2차 경화단계는 제2차 본딩층(30)에 광을 조사하여 제2차 본딩층(30)을 경화시킨다. 제2차 경화단계는 앞서 설명한 제1차 경화단계와 같이 제2차 전사단계에서 교체된 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C) 및 해당 마이크로 LED 칩(100C)이 전사된 제2차 본딩층(30)에 광을 조사하여 교체된 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100ㅊ)의 제2차 본딩층(30)을 경화시킨다. 제2차 경화단계에서는 제2차 본딩층(30)에만 광을 조사할 수도 있고, 이와 다르게 앞서 설명한 제1차 경화단계에서 경화된 제1차 본딩층(20)들에도 광을 조사할 수 있음은 물론이다.
그리고, 제2차 경화단계는 교체된 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)을 가열하면서 기판(10)의 전극을 향해 일정 압력으로 압착하여 교체된 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)의 전극을 기판(10)의 접속전극에 접속시키는 가열압착단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 제1차 경화단계에서 가열압착단계가 진행되지 않은 경우, 제2차 경화단계에서는 교체된 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)들뿐만 아니라, 이전의 검사단계에서 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩(100A)들의 전극을 기판(10) 상의 접속전극에 가열 및 압착을 통해 접속시키기 위한 가열압착단계가 진행될 수 있다.
본 발명에 따른 제1차 인쇄단계 및 제2차 인쇄단계를 통해 형성되는 제1차 본딩층(20) 및 제2차 본딩층(30)은 ACF(Anisotropic Conductive Film) 또는 ACP(Anisotropic Conductive Paste) 또는 ACA(Anisotropic Conductive Adhesive) 중 어느 하나일 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 LED장치 제조방법은 타겟기판(10)으로 마이크로 LED 칩(100)을 전사하기 이전에 중간단계에서 불량이 발생한 마이크로 LED 칩(100B)만을 모두 제거하고, 제거한 위치에 양품의 신규 마이크로 LED 칩(100C)을 교체하여 불량 마이크로 LED(100B)들을 리페어함으로써 타겟기판(10) 상에서 불량 마이크로 LED 칩(100B)을 리페어하는 방식보다 비용이 저렴할 뿐만 아니라 더욱 간단한 장점이 있다.
이상에서 설명한 본 발명에 따른 LED장치 제조방법은 첨부된 도면을 참조로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호의 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해서만 정해져야 할 것이다.
10 : 기판
11 : 양접속전극
12 : 음접속전극
20 : 제1차 본딩층
30 : 제2차 본딩층
100 : 마이크로 LED 칩
101 : 양전극
102 : 음전극

Claims (9)

  1. 일 면에 마이크로 LED 칩이 접속되는 접속전극 및 상기 접속전극을 연결하는 전극패턴이 형성된 기판을 준비하는 준비단계와;
    상기 기판 상에 마이크로 LED 칩을 가접착시킬 수 있게 접착성을 갖고, 광에 노출될 시 경화될 수 있게 감광성을 가지며, 전기를 전달할 수 있게 전도성을 갖는 고분자를 포함하는 본딩소재를 상기 마이크로 LED 칩이 각각 전사될 타겟영역 상에 각각 인쇄하여 제1차 본딩층을 형성하는 제1차 인쇄단계와;
    상기 제1차 본딩층으로 상기 마이크로 LED 칩을 전사하여 상기 마이크로 LED 칩을 상기 제1차 본딩층에 가접착시키는 제1차 전사단계와;
    상기 제1차 본딩층에 가접착된 상기 마이크로 LED 칩의 불량여부를 검사하는 검사단계와;
    상기 검사단계에서 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 제외한 나머지 양품의 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층에 광을 조사하여 양품의 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 경화시키는 제1차 경화단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1차 경화단계 이후에 식각액 또는 레이저를 이용하여 불량품으로 선별된 마이크로 LED 칩의 제1차 본딩층을 상기 기판으로부터 분리 및 제거하는 제거단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제거단계에서 제1차 본딩층이 제거된 타겟영역 상에 상기 본딩소재를 각각 인쇄하여 제2차 본딩층을 형성하는 제2차 인쇄단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2차 인쇄단계 이후에,
    상기 제2차 본딩층으로 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 전사하여 양품의 신규 마이크로 LED 칩을 상기 제2차 본딩층에 가접착시키는 제2차 전사단계;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2전사단계 이후에,
    상기 제2차 본딩층에 광을 조사하여 상기 제2차 본딩층을 경화시키는 제2차 경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 ACF 또는 ACP 또는 ACA를 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  7. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1차 인쇄단계 및 상기 제2차 인쇄단계에서 형성되는 상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 각각 상기 마이크로 LED 칩의 양전극과 음전극이 각각 접속되는 양접속전극과 음접속전극을 감싸도록 덮을 수 있게 형성된 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  8. 제1항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1차 인쇄단계 및 상기 제2차 인쇄단계에서 형성되는 상기 제1차 본딩층 및 상기 제2차 본딩층은 상기 마이크로 LED 칩의 양전극과 음전극이 각각 접속되는 양접속전극과 음접속전극 사이에 형성되고, 상기 양접속전극 및 음접속전극과 이격되게 형성된 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
  9. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 제1차 경화단계 또는 상기 제2차 경화단계는 각각 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩 또는 양품으로 교체된 신규 마이크로 LED 칩을 가열하면서 상기 기판의 전극을 향해 일정 압력으로 압착하여 양품으로 선별된 마이크로 LED 칩 또는 양품으로 교체된 신규 마이크로 LED 칩의 전극을 상기 기판의 접속전극에 접속시키는 가열압착단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LED 장치 제작 방법.
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