KR20230094144A - 검출 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

검출 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법 Download PDF

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KR20230094144A
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도시키 이와이
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 회절 격자 패턴을 포함하는 검출 대상의 위치를 검출하는 검출 장치를 제공하며, 이 검출 장치는 복수의 파장을 포함하는 조명광으로 검출 대상을 조명하도록 구성된 조명기; 검출 대상으로부터의 회절광이 입사하는 입사면을 포함하고, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하도록 구성된 파장 선택기; 및 파장 선택기에 의해 선택된 특정 파장의 광을 수광하고 검출 대상의 위치를 검출하도록 구성된 검출기를 포함하며, 여기서 조명광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들이 입사하는 입사면 상의 위치는 서로 상이하고, 파장 선택기는 입사면 상의 위치에 따라 복수의 요소 각각을 제어한다.

Description

검출 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법{DETECTION APPARATUS, LITHOGRAPHY APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 검출 장치, 리소그래피 장치, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위해서는, 투영 노광 장치 또는 임프린트 장치 등의 리소그래피 장치가 사용된다. 투영 노광 장치에서는, 기판의 샷 영역과 원판(레티클)이 서로 정렬되고, 원판의 패턴이 투영 광학계를 통해 기판의 샷 영역에 투영됨으로써, 기판에 도포된 포토레지스트 상에 잠상 패턴을 형성한다. 잠상 패턴을 현상함으로써, 기판 상에 물리적인 패턴이 형성된다. 임프린트 장치에서는, 기판의 샷 영역 상에 임프린트재를 배치하고, 임프린트재와 원판(몰드)을 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써, 기판 상에 임프린트재의 경화물로 이루어지는 패턴을 형성한다.
기판의 샷 영역을 원판과 정렬할 때, 샷 영역과 원판 간의 상대 위치가 검출된다. 이 검출은 샷 영역에 제공된 마크와 원판에 제공된 마크 간의 상대 위치를 검출함으로써 행해질 수 있다. 투영 노광 장치에서는, 예를 들어, 박스-인-박스(box-in-box)가 기판 측의 마크와 원판 측의 마크에 의해 형성될 수 있다. 임프린트 장치에서는, 예를 들어, 기판 측의 마크와 원판 측의 마크에 의해 무아레 무늬가 형성될 수 있다. 일본 특허 공개 제2012-59853호에는 마크 검출계로부터 도출된 검출 오차를 평가하고, 그 평가 결과에 기초하여 조명 조건(예를 들어, 조명 개구수 등의 조명 방법 또는 조명 파장)을 최적화하는 것이 기재되어 있다.
여기서, 마크 등의 검출 대상이 제조 오차(프로세스 오차)로 인해 비대칭 형상을 갖는 경우, 마크의 위치 정보의 검출 결과에 오차가 발생할 수 있다. 이 오차는 WIS(wafer induced shift)라고 불린다. 일본 특허 공개 제2019-4143호에는, WIS를 감소시키기 위해서, 검출 대상을 조명하는 광의 파장과 검출기의 검출 오차 사이의 관계를 나타내는 파장 특성에 기초하여, 검출기의 검출 오차가 감소되도록, 조명광에서의 복수의 파장의 광 성분들 각각의 강도를 조정하는 것이 기재되어 있다. 일본 특허 공개 제2019-4143호에서는, 서로 다른 파장의 광 성분들을 출사하는 복수의 광원(반도체 레이저) 각각의 출력을 조정함으로써, 조명광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들 각각의 강도를 조정한다.
검출기의 검출 오차는 마크 등의 검출 대상이 제공되는 기판 상의 위치에 따라 변할 수 있다. 따라서, 검출 대상의 위치를 검출하기 위해 사용되는 광의 파장은 검출 대상이 제공되는 기판 상의 위치에 따라 검출 오차가 감소되도록 변경하는 것이 바람직하다. 그러나, 일본 특허 공개 제2019-4143호에 기재된 방법에서와 같이, 복수의 광원(반도체 레이저) 각각의 출력을 조정하는 경우, 각 광원의 출력이 안정화될 때까지 상당한 시간이 걸려서, 처리량(생산성)의 관점에서 불리해진다.
본 발명은, 예를 들어, 검출 대상의 위치를 검출할 때 검출 정밀도 및 처리량의 양쪽을 구현하는데 유리한 기술을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 회절 격자 패턴을 포함하는 검출 대상의 위치를 검출하는 검출 장치가 제공되며, 이 검출 장치는: 복수의 파장을 포함하는 조명광으로 검출 대상을 조명하도록 구성된 조명기; 조명기에 의해 조명된 검출 대상으로부터의 회절광이 입사하는 입사면을 포함하고, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하도록 구성된 파장 선택기; 및 파장 선택기에 의해 선택된 특정 파장의 광을 수광하고 검출 대상의 위치를 검출하도록 구성된 검출기를 포함하며, 여기서 파장 선택기의 입사면에는, 검출기로의 회절광의 광 유도/비유도를 각각 전환하는 복수의 요소가 2차원으로 배열되고, 검출 대상 상의 조명광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들의 회절 방향은 서로 상이하고, 회절광으로서 광 성분들이 입사하는 파장 선택기의 입사면 상의 위치는 서로 상이하고, 파장 선택기는, 특정 파장의 광이 입사하는 입사면 상의 위치에 따라 복수의 요소 각각을 제어함으로써, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여 광을 검출기에 유도한다.
이하에서 첨부 도면들을 참조하여 예시적인 실시예들을 설명함으로써 본 발명의 추가적인 특징들을 명확히 파악할 수 있을 것이다.
도 1은 임프린트 장치의 구성예를 나타내는 도면이고;
도 2는 위치 검출기의 구성예를 나타내는 도면이고;
도 3은 위치 검출기의 구성예를 나타내는 도면이고;
도 4a 및 도 4b는 회절광을 설명하기 위한 도면들이고;
도 5는 회절광을 설명하기 위한 도면이고;
도 6a 및 도 6b는 파장 선택기(액정 필터)에 의한 파장 선택을 설명하기 위한 도면들이고;
도 7은 조명 광학계의 동공 강도 분포와 검출 광학계의 개구수 NAo 사이의 관계를 나타내는 도면이고;
도 8a 내지 도 8d는 마크로서 기능하는 회절 격자의 구성예를 나타내는 도면들이고;
도 9a 내지 도 9d는 마크로서 기능하는 회절 격자의 구성예를 나타내는 도면들이고;
도 10a 및 도 10b는 무아레 무늬의 검출 원리를 설명하기 위한 도면들이고;
도 11a 및 도 11b는 무아레 무늬의 검출 원리를 설명하기 위한 도면들이고;
도 12a 및 도 12b는 마크(검출 대상)의 단면 구조를 설명하기 위한 도면들이고;
도 13a 및 도 13b는 조명광의 파장과 검출 오차 간의 관계를 설명하기 위한 도면들이고;
도 14는 특정 파장 결정 방법을 나타내는 흐름도이고;
도 15는 액정 필터의 입사면에 입사하는 광의 파장 분포(색 분포)를 나타내는 도면이고;
도 16a 및 도 16b는 파장 선택기(DMD)에 의한 파장 선택을 설명하기 위한 도면들이고;
도 17a 내지 도 17f는 물품 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
이하, 첨부 도면들을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명할 것이다. 이하의 실시예들은 청구된 발명의 범위를 한정하려는 것이 아니라는 점에 유의한다. 실시예들에서는 다수의 특징이 설명되지만, 이러한 모든 특징이 필요한 발명으로 한정되지 않으며, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면들에서는, 동일하거나 또는 마찬가지의 구성들에 동일한 참조 번호들을 부여하고, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.
이하의 실시예들에서는, 본 발명에 따른 검출 장치를 적용한 리소그래피 장치로서, 원판으로서 기능하는 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치에 대해서 예시적으로 설명할 것이다. 그러나, 본 발명에 따른 검출 장치는, 예를 들어, 원판으로서 기능하는 레티클(마스크)의 패턴을 투영 광학계를 통해 기판에 투영함으로써 기판을 노광하는 투영 노광 장치 등의 다른 리소그래피 장치에도 적용될 수 있다.
<제1 실시예>
본 발명에 따른 제1 실시예에 대해서 설명할 것이다. 도 1은 본 실시예에 따른 임프린트 장치(1)의 구성예를 나타낸다. 임프린트 장치(1)는 기판(8) 위에 공급된 임프린트재(9)를 몰드(7)(패턴 영역(7a))와 접촉시키고, 임프린트재(9)에 경화용 에너지를 부여함으로써, 몰드(7)의 볼록 및 오목 부분을 갖는 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 더 구체적으로는, 임프린트 장치(1)는, 기판(8) 상에 복수의 액적으로서 임프린트재(9)를 배치하고, 기판(8) 상의 임프린트재(9)에 볼록 및 오목 부분을 갖는 패턴을 갖는 몰드(7)(패턴 영역(7a))가 접촉된 상태에서, 임프린트재(9)를 광 조사 등에 의해 경화시킨다. 그 후, 임프린트 장치(1)가 몰드(7)와 기판(8) 사이의 간격을 증가시켜 경화된 임프린트재(9)로부터 몰드(7)를 분리할 때, 기판 상의 임프린트재(9)에 몰드(7)의 패턴이 전사되고, 기판 상에 임프린트재(9)의 경화물로 이루어지는 패턴이 형성될 수 있다. 이러한 일련의 프로세스들은 "임프린트 처리"라고 불리며, 기판 상의 복수의 샷 영역의 각각에 대해서 행하여진다.
몰드(7)는 임프린트재(9)를 경화시키기 위한 광(예를 들어, 자외선)을 투과하는 재료, 예를 들어, 석영으로 이루어지고, 기판(8) 상의 임프린트재(9)에 전사되어야 할 볼록 및 오목 부분을 갖는 패턴이 기판 측의 표면 상의 일부 영역(패턴 영역(7a))에 형성된다. 패턴 영역(7a)은, 예를 들어, 수십 ㎛ 정도의 단차로 이루어진 메사 형상을 갖는다. 또한, 기판(8)의 재료로서는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판(8)의 표면에는 기판의 재료와 상이한 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 본 실시예에서, 기판(8)은 예를 들어, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 석영 유리이다.
임프린트재로서는, 경화용 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 지칭됨)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파 또는 열이 사용될 수 있다. 전자파는, 예를 들어, 10nm(경계값 포함) 내지 1mm(경계값 포함)의 파장 범위로부터 선택된 광, 예를 들어, 적외선, 가시광선, 또는 자외선일 수 있다. 경화성 조성물은, 광 조사에 의해, 또는 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 중, 광 조사에 의해 경화하는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다. 임프린트재는 액적의 형태 또는 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 또는 막의 형태로 기판 상에 배치될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어, 1mPa·s(경계값 포함) 내지 100mPa·s(경계값 포함)일 수 있다.
본 명세서 및 첨부 도면들에서, 기판(8)의 표면에 평행한 방향들이 X-Y 평면으로서 정의되는 XYZ 좌표계에서 방향들이 표시될 것이다. XYZ 좌표계의 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향들은 각각 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향이다. X축 둘레의 회전, Y축 둘레의 회전, 및 Z축 둘레의 회전은 각각 θX, θY, 및 θZ이다. X축, Y축, 및 Z축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 방향, Y축에 평행한 방향, 및 Z축에 평행한 방향에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, θX축, θY축, 및 θZ축에 관한 제어 또는 구동은, 각각 X축에 평행한 축 둘레의 회전, Y축에 평행한 축 둘레의 회전, 및 Z축에 평행한 축 둘레의 회전에 관한 제어 또는 구동을 의미한다. 또한, 위치는 X축, Y축, 및 Z축의 좌표에 기초해서 특정될 수 있는 정보이며, 자세는 θX축, θY축, 및 θZ축의 값에 의해 특정될 수 있는 정보이다. 위치 결정은 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 의미한다. 정렬(alignment)은 기판(8)과 몰드(7) 중 적어도 하나의 위치 및/또는 자세를 제어하는 것을 포함할 수 있다.
[임프린트 장치의 구성]
이하, 임프린트 장치(1)의 구성에 대해서 예시적으로 설명할 것이다. 임프린트 장치(1)는 경화 유닛(2), 위치 검출기(3), 몰드 구동 기구(4), 기판 구동 기구(5), 디스펜서(임프린트재 공급 유닛)(6), 및 제어기(15)를 포함할 수 있다. 제어기(15)는 CPU 등의 프로세서와 메모리를 포함하는 컴퓨터에 의해 형성되고, 경화 유닛(2), 위치 검출기(3), 몰드 구동 기구(4), 기판 구동 기구(5), 및 디스펜서(6)를 제어함으로써, 임프린트 처리를 제어한다. 제어기(15)는, 예를 들어, FPGA(field programmable gate array) 등의 PLD(programmable logic device), ASIC(application specific integrated circuit), 프로그램이 내장된 범용 컴퓨터, 또는 이들의 일부 또는 전부의 조합에 의해 형성될 수 있다.
기판(8) 상의 임프린트재(9)를 몰드(7)와 접촉시키는 접촉 단계 후에, 경화 유닛(2)은 임프린트재를 경화용 에너지를 임프린트재(9)에 조사함으로써, 임프린트재(9)를 경화시킨다. 경화 유닛(2)은, 예를 들어, 임프린트재(9)를 경화시키기 위한 광을 생성하는 광원을 포함할 수 있다. 광원은, 예를 들어, 고압 수은 램프, 각종 엑시머 램프, 엑시머 레이저, 또는 발광 다이오드일 수 있다. 몰드(7)는, 상술한 바와 같이, 패턴 영역(7a)을 포함하고, 패턴 영역(7a)에는 오목부에 의해 패턴이 형성된다. 기판(8) 상의 임프린트재(9)와 몰드(7)의 패턴 영역(7a)이 접촉한 상태에서, 패턴 영역(7a)의 오목부는 임프린트재(9)로 충전될 수 있다.
기판 구동 기구(5)는 기판(8)을 보유지지하고 기판(8)을 복수의 축(예를 들어, X축, Y축, θZ축의 3개의 축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6개의 축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 몰드 구동 기구(4)는 몰드(7)를 보유지지하고 몰드(7)를 복수의 축(예를 들어, Z축, θX축, 및 θY축의 3개의 축, 바람직하게는 X축, Y축, Z축, θX축, θY축, 및 θZ축의 6개의 축)에 대해서 구동하도록 구성될 수 있다. 기판 구동 기구(5)와 몰드 구동 기구(4)는 기판(8)과 몰드(7) 사이의 상대 위치가 조정되도록 기판(8)과 몰드(7) 중 적어도 하나를 구동하는 구동 기구를 형성한다. 구동 기구에 의한 상대 위치 조정은, 기판(8) 상의 임프린트재(9)에 몰드(7)를 접촉시키고, 경화된 임프린트재(9)(경화물의 패턴)로부터 몰드(7)를 분리하기 위한 구동을 포함한다.
몰드(7)와 기판(8)의 샷 영역 간의 상대 위치를 검출하기 위해서, 위치 검출기(3)(검출 장치)는 샷 영역에 제공된 마크(11)(제2 마크)와 몰드(7)에 제공된 마크(10)(제1 마크) 간의 상대 위치를 위치 정보로서 검출한다. 여기서, 마크(11) 및 마크(10)는 각각 위치 정보 검출 대상을 형성한다. 마크(11) 및 마크(10)는 각각, 예를 들어, 무아레 무늬를 형성하는 마크일 수 있다. 이 경우, 무아레 무늬에 기초하여, 마크(11)와 마크(10) 사이의 상대 위치가 검출 대상의 위치 정보로서 위치 검출기(3)에 의해 검출될 수 있다. 대안적으로, 마크(11) 및 마크(10)는 박스-인-박스 마크를 형성할 수 있다. 이 경우, 마크(11)의 위치 및 마크(10)의 위치는 검출 대상의 위치 정보로서 위치 검출기(3)에 의해 검출될 수 있다.
위치 검출기(3)는 마크를 관찰하도록 구성된 광학계를 포함하고, 광학계의 광축은 기판(8)의 표면에 수직하게 배치될 수 있다. 위치 검출기(3)는 검출 대상의 마크의 위치에 따라 X 및 Y 방향에 관하여 위치 검출기(3)를 위치 결정하도록 구성된 구동 기구에 의해 구동될 수 있다. 또한, 위치 검출기(3)는 초점 조정을 위해 Z 방향에 관하여 구동될 수 있거나, 또는 초점 조정을 위한 광학계를 포함할 수 있다.
위치 검출기(3)에 의해 검출된 위치 정보에 기초하여, 제어기(15)는 몰드(7)와 기판(8)의 샷 영역이 정렬되도록 기판 구동 기구(5)와 몰드 구동 기구(4) 중 적어도 하나를 제어한다. 임프린트 장치(1)는 기판(8)의 샷 영역의 형상과 몰드(7)의 패턴 영역(7a)의 형상을 매칭시키기 위해 몰드(7)를 변형시키는 변형 기구를 포함할 수 있다. 이 경우, 제어기(15)는, 위치 검출기(3)에 의해 검출된 위치 정보에 기초하여, 샷 영역과 패턴 영역(7a) 사이의 형상 차를 검출하고, 형상 차에 기초하여 변형 기구를 제어할 수 있다.
디스펜서(6)는 기판(8)의 샷 영역 상에 임프린트재(9)를 복수의 액적으로서 배치한다. 디스펜서(6)는, 기판(8)이 기판 구동 기구(5)에 의해 구동된 상태에서, 드롭 레시피(drop recipe)에 따른 타이밍에서 임프린트재(9)를 복수의 액적으로서 토출하도록 구성될 수 있다. 드롭 레시피는 샷 영역 상의 임프린트재(9)의 복수의 액적의 배치를 나타내는 정보(맵)이다. 디스펜서(6)는 임프린트 장치(1)의 외부에 제공될 수 있다. 이 경우, 기판(8)은 디스펜서(6)에 의해 기판(8) 상에 임프린트재(9)가 배치된 상태에서 임프린트 장치(1)에 제공될 수 있다.
[임프린트 처리]
이하, 임프린트 장치(1)에 의한 임프린트 처리에 대해서 설명할 것이다. 우선, 기판(8)은 기판 반송 기구(도시되지 않음)에 의해 기판 구동 기구(5)의 기판 보유지지부(substrate holder)(도시되지 않음)에 반송되고, 기판 보유지지부에 의해 보유지지된다. 다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 기판(8)은 패턴 형성 대상(임프린트 대상) 샷 영역(이하, 간단히 "샷 영역"이라고 지칭함)이 디스펜서(6) 아래에 배치되도록 기판 구동 기구(5)에 의해 구동된다. 기판(8)이 기판 구동 기구(5)에 의해 구동되는 동안, 디스펜서(6)에 의해 샷 영역 상에 임프린트재(9)가 배치된다.
다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 샷 영역이 몰드(7) 아래에 배치되도록 기판 구동 기구(5)에 의해 기판(8)이 구동된다. 다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 샷 영역 상의 임프린트재(9)와 몰드(7)의 패턴 영역(7a)이 접촉하도록, 몰드 구동 기구(4)와 기판 구동 기구(5) 중 적어도 하나를 동작시킨다.
다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 기판(8)의 샷 영역과 몰드(7)의 패턴 영역(7a) 사이의 위치 정보(상대 위치)가 위치 검출기(3)에 의해 검출되고, 샷 영역과 패턴 영역(7a) 사이의 정렬이 위치 정보에 기초하여 수행된다. 샷 영역과 패턴 영역(7a) 사이의 정렬은 기판 구동 기구(5)와 몰드 구동 기구(4) 중 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다. 이때, 몰드(7)는 샷 영역과 패턴 영역(7a) 사이의 형상 차에 기초하여 변형 기구에 의해 변형될 수 있다.
다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 경화 유닛(2)은, 몰드(7)를 통해, 임프린트재(9)에 경화용 에너지를 조사하고, 임프린트재(9)를 경화시킨다. 다음으로, 제어기(15)의 제어 하에, 샷 영역 상의 임프린트재(9)의 경화물과 몰드(7)의 패턴 영역(7a)이 분리되도록, 몰드 구동 기구(4)와 기판 구동 기구(5) 중 적어도 하나를 동작시킨다. 따라서, 임프린트재(9)의 경화물로 이루어지는 패턴이 샷 영역 상에 형성된다.
[검출기의 구성예]
이하, 위치 검출기(3)(검출 장치)의 구성에 대해서 예시적으로 설명할 것이다. 도 2는 위치 검출기(3)의 구성예를 나타낸다. 위치 검출기(3)는 조명 광학계(31), 검출 광학계(32), 및 검출기(33)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 조명 광학계(31)와 검출 광학계(32)는 일부 구성 요소들을 공유하도록 구성될 수 있다.
조명 광학계(31)는 복수의 파장(파장 대역)을 포함하는 조명광을 출사하도록 구성된 광원 유닛(31a)을 포함하고, 광원 유닛(31a)으로부터의 조명광으로 검출 대상을 조명하는 조명기이다. 본 실시예에 따른 조명 광학계(31)는 광원 유닛(31a)으로부터의 조명광을 프리즘(34) 등의 광학 디바이스에 의해 검출 광학계(32)와 동일한 광축 상으로 유도하고, 검출 대상인 마크(10) 및 마크(11)를 비스듬히 조명한다. 광원 유닛(31a)은 복수의 파장을 포함하는 조명광을 출사하는 1개의 광원에 의해 형성될 수 있거나, 또는 서로 다른 파장의 광 성분들을 출사하는 복수의 광원에 의해 형성될 수 있다. 광원 유닛(31a)에 포함되는 광원으로서는, 예를 들어, 슈퍼 컨티늄 광원(super continuum light source), 할로겐 램프, LED, 반도체 레이저(LD), 플라즈마 광원, 고압 수은 램프, 및 금속 할라이드 램프 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 조명광으로서는, 임프린트재(9)를 경화시키지 않는 파장을 갖는 광이 사용될 수 있다. 또한, 검출 대상인 마크(10) 및 마크(11)는 각각 회절 격자에 의해 형성될 수 있다(즉, 회절 격자 패턴을 포함할 수 있다).
검출 광학계(32)는 조명 광학계(31)(조명기)에 의해 조명된 검출 대상(마크(10) 및 마크(11)) 상의 회절광의 적어도 일부 성분을 검출기(33)에 유도한다. 검출기(33)는 검출 광학계(32)에 의해 유도되는 회절광의 적어도 일부 성분을 수광하고, 검출 대상의 위치를 검출한다. 이 실시예에서, 검출기(33)는 CCD 또는 CMOS 이미지 센서와 같은 촬상 디바이스를 포함할 수 있다. 검출 광학계(32)는, 촬상 디바이스(검출기(33))의 촬상면에, 조명 광학계(31)에 의해 조명되는 마크(10) 및 마크(11)로부터의 회절광의 간섭에 의해 생성되는 무아레 무늬(간섭 무늬)를 형성한다. 무아레 무늬는 몰드(7)의 마크(10)로부터의 회절광과 기판(8)의 마크(11)로부터의 회절광에 의해 형성되기 때문에, 무아레 무늬의 광량은 몰드(7) 및 기판(8)의 회절 효율에 의존할 수 있다. 특히, 회절 효율은 파장에 의존하여 변하기 때문에, 무아레 무늬를 효율적으로 검출할 수 있는 파장과 무아레 무늬를 검출하기 어려운 파장이 존재한다. 무아레 무늬를 검출하기 어려운 파장의 광은 노이즈일 수 있다.
여기서, 검출기(33)는 촬상 디바이스에 의해 촬상된 무아레 무늬의 화상에 기초하여 검출 대상의 위치(즉, 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치)를 획득하는 처리 유닛(프로세서)을 갖는 것으로 이해될 수 있다. 처리 유닛은 제어기(15)의 일부를 형성하는 것으로 이해될 수 있다. 또한, 몰드(7)의 위치와 기판(8)의 위치를 개별적으로 계측할 때, 위치 검출기(3)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(8)의 마크(11)만을 검출하도록 구성될 수 있거나, 또는 몰드(7)의 마크(10)만을 검출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 기판(8)의 마크(11)의 위치가 위치 검출기(3)에 의해 검출되면, 기판(8)의 위치가 계측될 수 있다.
프리즘(34)은 조명 광학계(31) 및 검출 광학계(32)에 공통인 동공면 상에 또는 그 근방에 배치될 수 있다. 프리즘(34)은 접합면을 포함하고, 접합면에는 조명 광학계(31)의 동공면의 주변부의 광을 반사하도록 구성된 반사막(34a)이 제공될 수 있다. 반사막(34a)은 검출 광학계(32)의 동공의 크기(또는 검출 NA: NAo)를 정의하는 개구 조리개로서도 기능한다. 프리즘(34)은 접합면 상에 반투명막을 갖는 하프 프리즘일 수 있다. 프리즘 대신에 표면에 반사막이 형성된 판 형상의 광학 디바이스를 사용할 수 있다. 대안적으로, 도 2에서의 프리즘(34)의 주변부에 투명부가 형성될 수 있고, 중심부에 반사부가 형성될 수 있고, 광원 유닛(31a)의 위치와 검출기(33)(촬상 디바이스)의 위치가 교환될 수 있다.
조명 광학계(31) 및 검출 광학계(32)는 동공면 상에 개별 개구 조리개들(35, 36)을 포함한다. 검출 광학계(32)(검출측)의 개구 조리개(36)의 위치는 조명 광학계(31)(조명측)의 개구 조리개(35)의 위치와 공액 관계를 갖는다. 또한, 검출 광학계(32)의 개구 조리개(36)의 위치에는, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택해서 검출기(33)(촬상 디바이스)에 이를 유도하는 파장 선택기(80)가 제공된다. 파장 선택기(80)는 조명 광학계(31)에 의해 조명된 검출 대상(마크(10) 및 마크(11))으로부터의 회절광이 입사하는 입사면(80a)을 포함한다. 입사면(80a)에는, 검출기(33)로의 회절광의 광 유도/비유도를 전환하기 위한 복수의 요소가 2차원으로 배열된다. 상술한 바와 같이, 복수의 파장을 포함하는 조명광으로 조명된 검출 대상으로부터의 회절광은 무아레 무늬를 효율적으로 검출할 수 있는 파장의 광과 무아레 무늬를 검출하기 어려운 파장의 광(즉, 노이즈일 수 있는 광)을 포함한다. 파장 선택기(80)는 회절광으로부터 무아레 무늬를 효율적으로 검출할 수 있는 특정 파장의 광을 선택하여 이를 검출기(33)로 유도하도록 구성된다. 본 실시예(도 2에 나타낸 예)에서는, 파장 선택기(80)로서, 회절광의 투과/비투과를 전환하기 위한 복수의 요소(화소)를 입사면(80a)에 2차원으로 배열하여 형성된 광학 디바이스를 사용하는 예에 대해서 설명할 것이다. 광학 디바이스로서, 액정 필터(81)가 사용될 수 있다.
도 4a, 도 4b, 및 도 5는 몰드(7)의 마크(10)와 기판(8)의 마크(11)를 조명했을 때에 생성되는 회절광을 설명하기 위한 도면들이다. 마크(10) 및 마크(11)의 회절 격자 패턴들이 복수의 파장(파장 대역)을 포함하는 조명광으로 조명되면, 마크(10) 및 마크(11)에 의해 회절광이 생성된다. 도 4a는 1차로 회절된 광을 나타낸다. 조명광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들의 회절 방향(회절각)은 파장들에 따라 서로 상이하기 때문에, 파장들이 분할될 수 있다. 보다 구체적으로, 파장이 길수록, 회절광의 각도가 커진다. 도 4a에 나타낸 바와 같이, 적색광은 0차 반사광에 대해 자색광보다 큰 각도로 반사(회절)된다. 따라서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 복수의 파장을 포함하는 조명광으로 검출 대상(마크(10) 및 마크(11))을 비스듬히 조명하면, 조명광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들이 회절광으로서 서로 다른 위치에 파장 선택기(80)의 입사면(80a)에 입사한다. 이로 인해, 파장 선택기(80)는 입사면(80a)에 특정 파장의 광이 입사하는 위치에 따라 복수의 요소 각각을 제어함으로써, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여 이를 검출기(33)에 유도한다. 렌즈(37)는 파장 선택기(80)와 검출 대상 사이의 광로 상에 배치되고, 파장 선택기(80)의 입사면(80a)에, 검출 대상에 의해 회절된 복수의 파장의 광 성분들을 서로 다른 위치에 입사시키도록 구성될 수 있다. 검출 대상의 경사 조명은 조명광이 검출 대상에 비스듬히 입사하도록 조명을 수행하는 것을 의미한다는 점에 유의한다. 특정 파장의 광은, 예를 들어, 상술한 바와 같이, 무아레 무늬를 효율적으로 검출할 수 있는 파장의 광이다.
파장 선택기(80)의 입사면(80a) 상의 각 파장의 광의 입사 위치는 위치 검출기(3)의 구성에 의해 결정된다. 따라서, 조명광에 포함되는 복수의 파장 각각과 입사면(80a) 상의 광의 입사 위치 사이의 관계를 나타내는 정보(이하, 제1 정보라고 지칭하는 경우가 있음)는 시뮬레이션 또는 실험에 의해 미리 취득될 수 있다. 따라서, 제1 정보에 기초하여, 파장 선택기(80)는 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여 이를 검출기(33)로 유도하도록 복수의 요소 각각을 제어할 수 있다.
여기서, 도 4b에 나타낸 바와 같이, 검출 대상이 기판(8)의 마크(11)만인 경우에도, 마크(11)로부터의 1차 회절광의 파장은 마크(11)의 회절 격자 패턴의 피치를 선택함으로써 분할될 수 있다. 또한, 검출 대상이 몰드(7)의 마크(10)만인 경우에도, 마크(10)로부터의 1차 회절광의 파장은 마크(10)의 회절 격자 패턴의 피치를 선택함으로써 분할될 수 있다. 본 실시예에서는, 1차 회절광에 대해 설명되었다. 이것은 2차, 3차, 또는 그 이상의 차수의 회절광이 사용되는 경우에도 적용된다.
다음으로, 도 2를 참조하여 검출 대상을 비스듬히 조명해서 검출하는 구성예에 대해서 설명할 것이다. 도 2는 개구 조리개(35)를 사용하여 검출 대상(마크(10) 및 마크(11))을 비스듬히 조명하는 예를 나타낸다. 도 2의 마크(10) 및 마크(11)는 몰드(7)와 기판(8) 사이의 Y 방향의 상대 위치를 계측하기 위해 사용되는 마크들이다. 비계측 방향(X 방향)으로부터 마크(10) 및 마크(11)를 조명할 때, Y 방향의 무아레 무늬를 검출할 수 있다. 검출 대상에 의해 파장 분할된 조명광의 1차 회절광은, 도 2에 나타낸 바와 같이, 파장 선택기(80)로서 기능하는 액정 필터(81)(입사면(80a))에 입사한다.
액정 필터(81)는, 상술한 바와 같이, 복수의 요소(화소)에 의해 형성되고, 각 화소에서, 광 빔(회절광)을 투과시킬지의 여부를 선택할 수 있다. 액정 필터(81)로서는, 예를 들어, 640x480 화소를 포함하는 액정 디바이스를 사용할 수 있다. 제어기(15)의 제어 하에, 파장 선택기(80)(액정 필터(81))는, 각 화소마다, 입사광을 투과시켜 이를 검출기(33)에 유도할지를 선택한다. 즉, 도 6a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 입사면(80a)에 특정 파장의 광이 입사하는 위치에 따라, 파장 선택기(80)(액정 필터(81))는 특정 파장의 광이 투과되도록 각 화소의 투과/비투과를 제어(전환)한다. 따라서, 특정 파장의 광은 1차 회절광으로부터 선택되어 검출기(33)로 유도될 수 있다.
도 7은 위치 검출기(3)의 조명 광학계(31)의 동공 강도 분포(IL1 및 IL2)와 검출 광학계(32)의 개구수 NAo 간의 관계를 나타낸다. 조명 광학계(31)의 동공 강도 분포는 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2를 포함할 수 있다. 몰드(7)와 기판(8) 사이의 상대 위치가 무아레 무늬 검출 방법에 의해 계측되면, 제1 극 IL1은 X 마크용 조명이고, 제2 극 IL2는 Y 마크용 조명이다. 무아레 무늬가 아니라 라인-앤드-스페이스(line-and-space) 패턴을 갖는 회절 격자 패턴만을 계측할 때, 라인-앤드-스페이스 패턴을 갖는 회절 격자 패턴으로부터의 회절광은 계측 방향으로 회절된다. 따라서, 제1 극 IL1은 Y 마크용 조명이고, 제2 극 IL2는 X 마크용 조명이다.
도 7에 나타낸 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2는 각각 Y 방향의 양(positive)의 측 및 X 방향의 양의 측에 배치된다. 그러나, 양자는 음(negative)의 측에 배치될 수 있다. 제1 극 IL1 또는 제2 극 IL2만이 사용되는 경우도 고려될 수 있다. 개구 조리개(35)는 금속판 또는 유리 상에 Cr 막을 형성함으로써 만들어지고, 조명 광학계(31)의 동공면 상에 배치된다. 이에 의해, 광원 유닛(31a)으로부터의 광 빔들에 의해 복수의 극(즉, 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2)을 형성하고, 검출 대상을 비스듬히 조명하기 위한 광 빔(광속)을 생성할 수 있다. 즉, 광원 유닛(31a)으로부터의 광 빔 중, 계측에 사용되지 않는 광 빔들(즉, 노이즈일 수 있는 광 빔)이 차단될 수 있다. 또한, 개구 조리개(35)의 개구수가 변경될 때, 단극, 쌍극, 또는 4극이 형성될 수 있다. 본 실시예에서는, 마크(10)와 마크(11)에 의해 파장 분할된 광의 간섭을 피하기 위해서, 예를 들어, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 극 IL1 및 제2 극 IL2와 같이, X 및 Y 방향 각각에 단일 극이 형성되는 것이 바람직하다. 조명 광학계(31)로부터의 광 빔은 개구 조리개(35)를 통과하고 프리즘(34)의 반사막(34a)에 의해 반사되어, 마크들(10 및 11)을 비스듬히 조명한다.
[무아레 무늬의 검출]
마크(10) 및 마크(11)로부터의 회절광에 의한 무아레 무늬의 생성 원리와, 무아레 무늬를 사용한 마크(10)(몰드(7))와 마크(11)(기판(8) 상의 샷 영역) 사이의 상대 위치의 검출이 도 8a 및 도 8b를 참조하여 후술될 것이다. 도 8a에 나타낸 회절 격자(41)는 몰드(7) 상에 마크(10)로서 제공될 수 있고, 도 8b에 나타낸 회절 격자(42)는 기판(8) 상에 마크(11)로서 제공될 수 있다. 회절 격자(41) 및 회절 격자(42)는 마크(10)(몰드(7))와 마크(11)(기판(8)) 사이의 X 방향의 상대 위치를 검출하기 위해 사용되는 마크들이며, 검출 방향인 X 방향의 패턴들(격자들)의 주기는 약간 상이하다. 격자 주기들이 서로 다른 2개의 회절 격자들(41 및 42)이 중첩될 때, 2개의 회절 격자로부터의 회절광의 간섭에 의해, 회절 격자들 간의 주기 차를 반영한 주기를 갖는 패턴인 무아레 무늬가 나타난다. 무아레 무늬의 위상은 회절 격자들 사이의 상대 위치에 따라 변하기 때문에, 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치, 즉 몰드(7)와 기판(8)(의 샷 영역) 사이의 상대 위치는 무아레 무늬를 검출함으로써 획득될 수 있다.
보다 구체적으로는, 주기들이 약간 다른 회절 격자(41)와 회절 격자(42)가 중첩될 때, 회절 격자들(41 및 42)로부터의 회절광 성분들이 중첩되고, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 주기 차를 반영한 주기를 갖는 무아레 무늬가 생성된다. 무아레 무늬의 명/암 위치(위상)는 회절 격자(41)와 회절 격자(42) 사이의 상대 위치에 따라 변화한다. 예를 들어, 회절 격자들(41 및 42) 중 하나가 X 방향으로 시프트되면, 도 8c에 나타낸 무아레 무늬는 도 8d에 나타낸 바와 같이 변할 수 있다. 무아레 무늬는 회절 격자(41)와 회절 격자(42) 사이의 위치 편차량을 증가시키는 큰 주기의 무늬로서 생성된다. 이로 인해, 검출 광학계(32)(검출기(33))의 해상도가 낮아도, 회절 격자(41)와 회절 격자(42) 간의 상대 위치를 정확하게 검출할 수 있다. 여기서, 무아레 무늬를 정확하게 검출하기 위해, 시스템은 회절 격자들(41 및 42)이 경사 입사에 의해 조명되고(즉, 비스듬히 조명되고), 회절 격자들(41 및 42)에 의해 수직 방향으로 회절된 회절광이 검출기(33)에 의해 검출되고, 0차 광이 검출되지 않는 암시야 구성을 갖는 것이 바람직하다.
주기들이 약간 다른 회절 격자에 의해 X 방향으로 회절된 광은, X 방향의 상대 위치 정보를 유지하면서 검출 광학계(32)의 동공 상의 검출 영역(NAo)에 입사하고, 검출기(33)(촬상 디바이스)에 의해 검출된다. 이것을 사용하여, 2개의 회절 격자 간의 상대 위치를 획득할 수 있다. 또한, 검출기(33)(촬상 디바이스)는 수광된 광으로부터 화상을 형성하고, 화상의 원점 위치와 마크의 편차 간의 상대 위치를 획득할 수 있다.
또한, 회절 격자들(41 및 42) 중 하나는 도 9a에 도시된 바와 같은 체커보드 패턴을 갖는 회절 격자일 수 있고, 다른 회절 격자는 도 9b에 나타낸 바와 같은 회절 격자일 수 있다. 도 9a에 나타낸 회절 격자는 검출 방향으로 주기적으로 배열된 패턴과 검출 방향에 직교하는 방향으로 주기적으로 배열된 패턴을 포함한다. 도 9a 및 도 9b에 나타낸 구성에서, 제1 극 IL1로부터의 광은 회절 격자들에 입사하고, 체커보드 패턴의 회절 격자에 의해 Y 방향으로 회절되는 동시에 X 방향으로 회절된다. 도 9a 및 도 9b는 검출 방향이 X 방향인 마크들(회절 격자들)을 나타낸다는 점에 유의한다. 검출 방향이 Y 방향인 마크들(회절 격자들)도 마찬가지로 구성될 수 있다. 도 9c 및 도 9d는 검출 방향이 Y 방향인 마크들(회절 격자들)을 나타낸다. 도 9a 또는 도 9c에 나타낸 체커보드 패턴을 갖는 회절 격자는 몰드(7)와 기판(8) 중 하나에 제공되고, 도 9b 또는 도 9d에 나타낸 라인-앤-스페이스 패턴을 갖는 회절 격자는 몰드(7)와 기판(8) 중 다른 하나에 제공된다.
여기서, 도 7에 나타낸 동공 강도 분포에서의 제2 극 IL2로부터의 광은, 도 9a 및 도 9b에 나타낸 회절 격자들 간의 상대 위치를 검출하기 위해 사용되지 않는다. 그러나, 도 9c 및 도 9d에 나타낸 회절 격자들 간의 상대 위치를 검출할 때, 제2 극 IL2로부터의 광은 회절 격자들 간의 상대 위치를 검출하기 위해 사용되고, 제1 극 IL1으로부터의 광은 회절 격자들 간의 상대 위치를 검출하기 위해 사용되지 않는다. 또한, 도 9a 및 도 9b에 나타낸 회절 격자들의 세트와 도 9c 및 도 9d에 나타낸 회절 격자들의 세트를 검출 광학계(32)(검출기(33))의 동일한 시야에 배치하고, 2개의 방향에서의 상대 위치를 동시에 검출할 때, 도 7에 나타낸 동공 강도 분포가 유리하다.
다음으로, 2개의 마크, 즉 마크(10)(체커보드 패턴을 갖는 회절 격자)와 마크(11)(라인-앤드-스페이스 패턴을 갖는 회절 격자)가 중첩된 상태에서 검출기(33)에 의해 무아레 무늬를 검출하는 원리가 도 10a 및 도 10b와 도 11a 및 도 11b를 참조하여 설명될 것이다.
도 10a는 체커보드 패턴을 갖는 마크의 피치를 도시하고, 도 10b는 라인-앤드-스페이스 패턴을 갖는 회절 격자의 피치를 나타낸다. 도 10a에 나타낸 체커보드 패턴을 갖는 마크는 X 방향의 피치 Pmm 및 Y 방향의 피치 Pmn을 갖는다. 도 10b에 나타낸 라인-앤드-스페이스 패턴을 갖는 마크는 X 방향의 피치 Pw를 갖는다. X 방향 및 Y 방향에서의 마크(10)의 주기들은 동일할 수 있거나, 또는 X 방향 및 Y 방향에서의 마크(10)의 주기들은 상이할 수 있다는 점에 유의한다.
도 11a는 검출 방향이 X 방향인 마크(10) 및 마크(11)를 X 방향으로부터 본 도면이고, 도 11b는 마크(10) 및 마크(11)를 Y 방향으로부터 본 도면이다. X 방향에 관한 상대 위치를 검출하기 위해 사용되는 무아레 무늬는 도 7에 나타낸 조명 동공면 상의 Y축 상에 배치된 제1 극 IL1로부터의 광에 의해 생성된다. 여기서, 광의 파장을 λ라고 하고, 회절 차수를 n이라고 하면, 회절 격자들에 의한 회절각 φmn, φmm, 및 φw는 다음과 같이 표현된다.
sinφmn=nλ/Pmm ...(1)
따라서, 마크(10) 및 마크(11)에 의한 회절각들을 각각 φm 및 φw로 하면, 수학식 (2) 및 (3)이 획득된다.
sinφmm=nλ/Pm ...(2)
sinφw=nλ/Pw ...(3)
도 11a 및 도 11b는 n=1인 경우를 나타낸다. 도 11a는 Y-Z 평면을 나타내는 도면이다. 도 11a는 제1 극 IL1로부터의 입사광(이하, 입사광 IL1이라고 지칭하는 경우가 있음), 입사광 IL1의 정반사광 D0, 및 체커보드 패턴을 갖는 회절 격자를 포함하는 마크(10)로부터의 회절광 D1을 나타낸다. 회절광 D1은 몰드(7)의 마크(10)에 의해 반사(회절)된 광 빔이 아니라, 기판(8)의 마크(11)에 의해 반사(회절)된 광 빔이다. 회절광 D1은 검출기(33)에 의해 검출된다.
여기서, 수학식 (1)에 나타낸 바와 같이, 회절광의 출사각은 파장에 따라 변화한다. 각 파장마다 분할된 광은 렌즈(37) 등을 사용하여 푸리에 변환되고, 각 파장마다 상이한 위치에서 푸리에 변환면에 입사한다. 즉, 회절광의 출사각의 정보는 푸리에 변환면 상의 위치 정보로 변환될 수 있다. 본 실시예에서, 파장 선택기(80)(액정 필터(81))는 푸리에 변환면 상에 배치된다. 따라서, 도 5를 참조하여 상술한 바와 같이, 회절광에 포함되는 복수의 파장의 광 성분들을 파장 선택기(80)의 입사면(80a)에 서로 다른 위치에서 입사시키고, 파장 선택기(80)에 의해 회절광으로부터 특정 파장의 광만을 선택할 수 있다.
도 11b는 X-Z 평면을 나타내는 도면이며, 입사광 IL1의 1차 회절광의 광 빔을 나타낸다. 회절광 성분들 D2 및 D2'는 각각 마크(10)에 의해 회절된 ±1차 광 성분들을 나타내고, 회절광 성분들 D4 및 D4'는 각각 마크(11)에 의해서만 회절된 ±1차 광 성분들을 나타낸다. 회절광 성분들 D3 및 D3'은 각각 마크(10)에 의해 1회 회절된 광 및 마크(11)에 의해 1회 회절된 광을 나타내고, 도 11a의 회절광 D1에 대응한다. 마크(10)와 마크(11)의 X 방향(검출 방향)의 피치는 약간 상이하다. 이로 인해, 도 11b에서 φ△로 나타낸 바와 같이, 마크(10) 상의 +1차 광과 마크(11) 상의 -1차 광에 의해 생성된 회절광 D3과, 마크(10) 상의 -1차 광과 마크(11) 상의 +1차 광에 의해 생성된 회절광 D3' 간에는 X-Y 평면 상의 각도가 약간 상이하다. 약간의 각도 차(φ△) 때문에, 비트 신호(beat signal)(무아레 무늬)가 생성된다. 예를 들어, 회절 격자 패턴들의 피치들이 Pmn=4㎛, Pm=1㎛, 및 Pw=1.04㎛로 표현되는 경우, 무아레 무늬의 주기는 PmxPw/(Pw-Pm)/2=13㎛로 된다. 회절 격자 패턴들의 피치들은 상술한 값들에 한정되지 않고, 각 마크의 크기를 고려하여 결정될 수 있다는 점에 유의한다.
[검출기에서의 검출 오차]
다음으로, 위치 검출기(3)(검출기(33))의 검출 오차가 설명될 것이다. 도 12a 및 도 12b는 마크(검출 대상)의 단면 구조를 예시적으로 설명하기 위한 도면들이다. 도 12a 및 도 12b에 나타낸 예에서, 마크는 3개의 층으로 형성된 구조를 갖는다. 이들 층은 단차가 있기 때문에, 광 조사 시의 단차에 의해 광의 회절이 발생한다. 따라서, 구조는 마크로서 인식될 수 있다. 도 12a에 나타낸 마크(11c)는 형상 오차(제조 오차)가 없는 마크이다. 도 12b에 나타낸 마크(11d)는 비대칭 형상 오차(제조 오차)를 갖는 마크이다. 마크(11c)는 대칭 구조를 갖기 때문에, 회절광은 이상적인 회절각을 갖는다. 이로 인해, 검출된 마크의 위치에 오차가 발생하지 않는다. 한편, 마크(11d)는 비대칭 형상 오차를 갖기 때문에, 회절광의 회절각은 이상적인 상태로부터 비대칭성에 대응하는 양만큼 벗어난다. 따라서, 검출된 마크의 위치는 실제 위치에 대한 오차를 가질 수 있다. 즉, 위치 검출기(3)(검출기(33))에서는, 마크의 위치의 검출 오차가 발생할 수 있다. 오차가 크면, 기판의 층들 사이의 중첩 정밀도가 낮아져서 제조 불량이 발생할 수 있다.
도 13a 및 도 13b를 참조하여, 위치 검출기(3)의 조명광의 파장과 위치 검출기(3)의 검출 오차 사이의 관계를 예시적으로 설명한다. 여기서, 위치 검출기(3)의 검출 오차는 마크(11)가 비대칭 형상(제조 오차)을 갖기 때문에 발생하는 검출 오차이다. 도 13a는 몰드(7)(패턴 영역(7a))와 기판(8)(샷 영역)을 임프린트재(9)를 통해 접촉시켰을 때의 기판(8)의 마크(11) 및 몰드(7)의 마크(10)의 단면 형상들을 나타낸다. 도 13b는 도 13a에 나타낸 단면 형상들에 대해 시뮬레이션을 행한 결과(위치 검출기(3)의 조명광에 포함되는 복수의 파장 각각과 위치 검출기(3)의 검출 오차 간의 관계를 나타내는 파장 특성(제2 정보))를 나타낸다.
시뮬레이션에서, 마크(11)는 체커보드 패턴을 갖는 회절 격자 패턴에 의해 형성되고, 회절 격자 패턴의 단차(52)는 200nm이고, 피치(51)는 1,000nm이고, 형상의 오차량(53)은 40nm이다. 기판(8)의 기재(base material)는 실리콘 기판에 의해 형성되고, 마크(11)는 SiO2로 이루어진다. 몰드(7)는 임프린트재(9)를 개재하면서 마크(11) 상에 배치된다.
도 13b는 시뮬레이션 결과(파장 특성)를 나타낸다. 도 13b의 횡축은 마크를 검출하기 위해 사용되는 광의 파장을 나타내고, 종축은 검출 오차를 나타낸다. 종축을 따라 표시된 검출 오차는 마크(11)의 비대칭 형상에 의해 야기되는 위치 검출기(3)의 검출 오차(마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치의 검출 오차)이다. 도 13b에 나타낸 바와 같이, 광의 파장에 따라 위치 검출기(3)의 검출 오차가 변화하고, 590 내지 600nm의 파장 범위에서는 마크가 검출될 수 없다. 이러한 이유로, 이 파장 대역은 사용되지 않아야 한다. 또한, 파장 540nm 및 파장 650nm는 검출 오차가 작아지는 파장들이며, 마크 형상이 작은 오차를 포함하더라도, 파장 근방에서는 마크를 안정적으로 검출할 수 있다. 즉, 위치 검출기(3)의 검출 오차를 저감할 수 있다. 따라서, 이 파장(540nm 또는 650nm 부근)의 광을 상술한 특정 파장의 광으로서 적극적으로 이용함으로써 마크를 검출하는 것이 바람직하다.
[특정 파장 결정 방법]
이하, 도 14를 참조하여, 위치 검출기(3)의 파장 선택기(80)(액정 필터(81))에 의해 선택될 특정 파장을 결정하는 방법을 예시적으로 설명할 것이다. 도 14는 특정 파장 결정 방법을 나타내는 흐름도이다. 도 14의 흐름도에서의 각 단계는 제어기(15)에 의해 제어될 수 있다. 도 14에서, 단계 S101 내지 S103은 테스트 샘플을 형성하는 단계들이다. 단계 S104는 검출될 파장을 테스트 샘플을 사용하여 변경하면서 위치 검출기(3)에 의해 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치를 검출함으로써, 테스트 샘플에 관한 파장 특성을 획득하는 단계이다. 파장 특성은 조명광에 포함되는 복수의 파장 각각과 위치 검출기(3)(검출기(33))의 검출 오차 간의 관계를 나타내는 정보(제2 정보)이다. 단계 S105는 단계 S104에서 획득된 파장 특성에 기초하여, 파장 선택기(80)에 의해 선택되어 검출기(33)에 유도될 특정 파장을 결정하는 단계이다. 단계 S106은 단계 S105에서 결정된 특정 파장의 정보를 저장하는 단계이다. 이하, 단계 S101 내지 S106에 대해서 상세하게 설명할 것이다.
단계 S101에서는, 물품 제조용 기판과 동일한 구조를 갖는 기판(8)을 기판 구동 기구(5)의 기판 보유지지부에 반송하고, 기판 보유지지부에 의해 보유지지한다. 또한, 단계 S101에서는, 물품 제조용 몰드(7)를 몰드 구동 기구(4)의 몰드 보유지지부에 반송하고, 몰드 보유지지부에 의해 보유지지한다. 단계 S102에서는, 기판(8) 상의 테스트 샘플 형성 대상으로서의 샷 영역과 몰드(7)의 패턴 영역(7a)을 사전정렬한다. 사전정렬은, 예를 들어, 기판(8)과 몰드(7)가 이격된 상태에서, 위치 검출기(3)에 의해, 기판(8)의 하나 이상의 샷 영역의 마크(11)와 몰드(7)의 마크(10) 사이의 상대 위치를 검출함으로써 행해질 수 있다.
단계 S103에서는, 디스펜서(6)에 의해, 기판(8) 상의 테스트 샘플 형성 대상으로서의 샷 영역에 임프린트재(9)가 배치된다. 다음으로, 단계 S103에서는, 임프린트재(9)와 몰드(7)의 패턴 영역(7a)이 서로 접촉하도록 몰드 구동 기구(4)와 기판 구동 기구(5) 중 적어도 하나를 구동한다. 다음으로, 단계 S103에서는, 위치 검출기(3)에 의해, 테스트 샘플 형성 대상인 샷 영역 상의 마크(11)와 몰드(7)의 마크(10) 간의 상대 위치를 검출하면서, 샷 영역과 몰드(7)의 패턴 영역(7a)을 정렬한다. 여기서, 위치 검출기(3)에 의한 검출 결과는, 기판(8)의 마크(11)의 비대칭 형상에 의해 기인하는 검출 오차를 포함할 수 있다. 다음으로, 단계 S103에서는, 경화 유닛(2)에 의해 임프린트재(9)가 경화된다. 따라서, 임프린트재(9)의 경화물로 이루어지는 패턴을 갖는 구조가 테스트 샘플로서 샷 영역에 형성된다.
단계 S102에서의 사전정렬에 사용되는 파장은 단계 S103에서의 임프린트 시의 정렬에 사용되는 파장과 동일할 수 있거나, 또는 상이할 수 있다. 사전정렬 시에 기판(8)과 몰드(7) 사이에 공기층이 형성되기 때문에, 검출을 위한 최적 파장은 임프린트 시의 것과 상이할 수 있다. 이 경우, 사전정렬과 임프린트 사이의 파장 조건을 변경함으로써, 정렬을 정확하게 수행할 수 있다.
단계 S104에서는, 임프린트재(9)의 경화물로 이루어지는 패턴과 몰드(7)의 패턴 영역(7a)을 접촉시킨 상태에서, 단계 S103에서 형성된 테스트 샘플의 파장 특성을 위치 검출기(3)를 사용하여 취득한다. 보다 구체적으로는, 파장 선택기(80)(제어기(15))는, 광원 유닛(31a)으로부터의 조명광에 포함되는 복수의 파장(파장 대역)의 광 성분들 각각이 테스트 광으로서 검출기(33)에 의해 수광(검출)되도록, 입사면(80a)에 배열된 복수의 요소 각각을 제어함으로써 파장 선택을 행한다. 그 후, 검출기(33)는 복수의 파장의 광 성분들 각각에 대한 테스트 샘플의 위치를 검출하게 된다. 예를 들어, 조명광에 포함되는 복수의 파장 중에서, 파장 선택기(80)에 의해 제1 파장의 광이 선택되어 검출기(33)에 유도되고, 검출기(33)가 테스트 샘플의 위치를 검출하게 된다. 다음으로, 조명광에 포함되는 복수의 파장 중에서, 제1 파장과는 다른 제2 파장의 광을 파장 선택기(80)에 의해 선택하여, 검출기(33)에 유도하고, 검출기(33)에 의해 테스트 샘플의 위치를 검출한다. 이러한 방식으로, 파장 선택기(80)에 의해 선택되어 검출기(33)에 유도될 광의 파장을 변경하면서, 검출기(33)는 각각의 파장에 대한 테스트 샘플의 위치를 검출하게 된다. 따라서, 도 13b에 나타낸 바와 같은 파장 특성이 획득될 수 있다. 이러한 파장 특성은 기판 상의 복수의 위치 각각(예를 들어, 기판 상의 복수의 샷 영역 각각)에 대해 취득되는 것이 바람직하다. 이 경우, 파장 선택기는, 복수의 샷 영역마다 취득된 파장 특성에 기초하여, 복수의 샷 영역 사이(복수의 영역 사이)의 특정 파장을 변경하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 단계 S101 내지 S103에서 테스트 샘플을 형성하고, 단계 S104에서 테스트 샘플을 사용하여 파장 특성을 획득한다는 점에 유의한다. 도 13b에 나타낸 바와 같은 파장 특성은 또한 전술한 바와 같은 시뮬레이션에 의해 획득될 수 있다.
단계 S105에서는, 단계 S104에서 획득된 파장 특성에 기초하여, 몰드(7)를 사용하여 물품을 제조할 때에 위치 검출기(3)의 파장 선택기(80)에 의해 선택될 특정 파장(파장 선택 조건)이 결정된다. 특정 파장은, 전술한 바와 같이, 무아레 무늬를 효율적으로 검출하기 위해 검출기(33)가 수광해야 하는 광의 파장이다. 특정 파장은 제조 오차로 인한 마크(11)의 비대칭 형상에 의해 기인하는 검출기(33)의 검출 오차를 감소시킬 수 있는 파장으로서 이해될 수 있다. 특정 파장은 하나의 파장에 한정되지 않고, 어느 정도 대역폭을 갖는 파장 대역일 수 있다. 특정 파장으로서 선택된 파장 대역은 하나의 연속 파장 대역일 수 있거나, 또는 서로 이격된 복수의 파장 대역을 포함할 수 있다.
단계 S106에서는, 단계 S105에서 결정된 특정 파장의 정보가 저장된다. 특정 파장의 정보의 저장처로서, 제어기(15)의 저장 유닛(메모리)이 사용될 수 있다. 그러나, 임프린트 장치(1)의 외부에 제공된 디바이스가 사용될 수 있다. 따라서, 몰드(7)를 사용하여 물품을 제조할 때, 파장 선택기(80)(제어기(15))는, 정보에 기초하여, 검출 대상(마크(10) 및 마크(11)) 상의 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여, 이를 검출기(33)에 유도할 수 있다. 즉, 제조 오차에 의한 마크(11)의 비대칭 형상에 의해 기인하는 검출기(33)의 검출 오차를 감소시키면서, 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치(위치 정보)를 정확하게 검출할 수 있다.
단계 S104에 관하여 추가 설명이 이루어질 것이다. 검출기(33)에 의해 검출될 광의 파장을 테스트 광으로서 선택하는 것은, 상술한 제1 정보에 기초하여 파장 선택기(80)의 복수의 요소(화소) 각각의 광 유도/비유도를 제어함으로써 행해질 수 있다. 파장 특성(제2 정보)을 생성할 때, 파장 선택기(80)에 의해 선택되어 검출기(33)에 의해 수광되는 테스트 광의 파장은 단파장 또는 장파장 측으로부터 순차적으로 변경되는 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼의 제조 변동에 관계없이 안정적으로 광을 계측하기 위해, 광학 시뮬레이션 결과 또는 외부 계측 디바이스와의 비교 결과에 기초하여, 어느 정도 유효한 것으로 간주되는 복수의 연속 파장 대역이 특정 파장으로서 선택될 수 있다.
안정된 발진까지의 상승 시간을 제거하기 위해, 광원 유닛(31a)(광원)은 안정적으로 발진할 수 있는 상태를 유지할 수 있거나, 또는 안정화까지의 시간을 고려하여 단계 S104 전의 단계의 타이밍에서 시작될 수 있다. 또한, 광원 유닛(31a)으로부터의 조명광의 파장 대역이 넓기 때문에, 파장 선택기(80)에 회절광으로서 광이 입사하기 전에 파장 컷 필터(wavelength cut filter)를 사용하여 파장 대역을 좁힐 수 있다. 예를 들어, 단파장 컷 필터와 장파장 컷 필터의 조합을 변경함으로써 원하는 파장 대역을 갖는 테스트 광이 생성될 수 있다. 또한, 파장 선택기(80)에 입사되는 광의 파장은 광의 입사 위치에 따라 투과 대역이 연속적으로 변화하는 파장 컷 필터를 사용하여 미세하게 제어될 수 있다.
복수의 파장을 혼합한 반도체 레이저의 특정 파장의 광원 자체의 강도를 변경하여 조명광의 파장의 비율을 변경하는 종래의 방법에서는, 광원의 안정화를 대기한 후에 검출을 시작할 필요가 있기 때문에, 상당한 시간이 필요하다. 임프린트재(9)가 경화된 상태에서 장시간 대기하는 것은 사실상 어렵기 때문에, 임프린트를 여러 번 수행함으로써 검출 대상의 위치를 검출할 필요가 있다. 그러나, 파장 선택기(80)에 의해 파장을 선택하는 방법에서는, 본 실시예에서와 같이, 수십 ms 내에서 파장을 전환함으로써 검출 대상의 위치가 검출될 수 있기 때문에, 데이터(예를 들어, 파장 특성)는 임프린트 후의 시간을 사용하여 효율적으로 취득될 수 있다.
또한, 기판(8)의 표면에서의 위치들 간(예를 들어, 샷 영역들 간)에 마크 형상의 비대칭성이 변화하는 경우가 있다. 따라서, 검출 대상으로서의 마크의 위치를 검출하기 위해 사용되는 광의 파장(즉, 특정 파장)은 기판(8)의 표면 내의 위치들 사이에서 전환되는 것이 바람직하다. 광원 유닛(31a)에 포함되는 복수의 광원(반도체 레이저) 각각의 출력을 조정하는 종래의 방법에서는, 각각의 광원의 출력을 조정한 후 출력이 안정화될 때까지 상당한 시간이 필요하다. 따라서, 마크의 위치를 검출하기 위해 사용되는 광의 파장을 신속하게 전환하는 것이 어렵고, 처리량(생산성)의 관점에서 불리할 수 있다. 한편, 본 실시예에 따른 위치 검출기(3)에서는, 마크의 위치를 검출하기 위해 사용되는 광의 파장이 파장 선택기(80)(액정 필터(81))에 의해 신속하게 전환될 수 있기 때문에, 처리량의 관점에서 유리할 수 있다. 또한, 파장 특성(제2 정보)을 생성할 때에도, 파장 선택기(80)에 의해 테스트 광의 파장이 신속하게 전환될 수 있기 때문에, 파장 특성을 생성하는데 필요한 시간이 크게 단축될 수 있다. 파장 특성을 생성하는데 필요한 시간이 단축되면, 더 많은 마크의 위치가 동일한 검출 시간에 검출될 수 있다. 따라서, 기판(8)의 표면 내의 각 위치마다 파장 특성을 생성하는 시간을 단축할 수 있다. 즉, 기판(8)의 표면 내의 각 위치마다 특정 파장을 결정하는 시간을 단축할 수 있다.
파장 특성 생성 시간을 단축하는 다른 방법으로서, 보간에 의해 필요한 정보의 일부를 획득하는 방법이 사용될 수 있다. 보간 방법으로서는, 테스트 샘플과 동일한 구조를 갖는 모델에 기초한 시뮬레이션에 의해 획득된 결과를 사용하여 피팅을 행하는 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 도 13b에 나타낸 바와 같은 시뮬레이션 결과가 획득되면, 도 13b를 근사화하기 위한 함수가 계산된다. 이 함수를 피팅 함수의 초기 함수로서, 실제 계측에 의해 획득된 데이터를 사용하여 계수가 피팅될 수 있다. 따라서, 시뮬레이션 결과와 동일한 경향을 갖는 그래프가 그려질 수 있다. 실제로 계측되지 않은 파장의 검출 오차는 그래프로부터 계산된다. 또한, 시뮬레이션 결과를 사용하지 않고, 과거의 유사한 프로세스 조건 하에서의 실제 계측 결과에 기초하여 피팅 초기 함수를 결정함으로써 피팅을 수행하는 방법이 효과적이다. 이는 계측점들의 수가 감소되더라도 계측값에 대한 오차를 감소시킬 수 있다.
파장 특성은 또한 도 13a 및 도 13b를 참조하여 설명된 시뮬레이션에 의해 획득될 수 있다. 시뮬레이션은 제어기(15)에 의해 실행될 수 있거나 또는 제어기(15)에 접속된 컴퓨터를 사용하여 실행될 수 있다. 시뮬레이션에서는, 마크의 비대칭 형상이 변화하면, 시뮬레이션에 의해 획득된 파장 특성과 실제 파장 특성 사이에 편차가 발생한다는 사실을 고려할 필요가 있다. 이러한 편차는 파장 특성에 기초하여 결정되는 파장 선택 조건(특정 파장)을 사용하여 검출되는 위치 정보의 오차를 야기할 수 있다.
이러한 이유로 인해 발생하는 오차를 감소시키는 방법이 설명될 것이다. 먼저, 복수의 모델에 대해 파장 특성이 획득된다. 복수의 모델은 비대칭 형상들(제조 오차들에 의해 야기되는 형상 오차들)이 서로 상이한 복수의 모델이고, 예를 들어, 적층된 층들의 두께 또는 기울기가 서로 상이한 복수의 모델일 수 있다. 다음으로, 복수의 모델 각각에 대한 시뮬레이션 결과에 기초하여, 각 파장에 대해 형상 오차에 대한 검출 오차의 민감도를 획득한다. 다음으로, 복수의 모델에 대해 획득된 민감도를 추가하고, 형상 오차에 대한 민감도가 낮은 복수의 파장을 검출용 파장으로서 선택한다.
도 13b에 나타낸 예는 마크(10) 및 마크(11)가 정렬 오차를 갖지 않는 상태(마크(10)의 위치 및 마크(11)의 위치가 매칭되는 상태)를 가정하여 시뮬레이션을 수행한 결과이다. 따라서, 검출 오차=0nm은 정렬 오차=0이다. 단계 S103에서 테스트 샘플을 형성할 때, 마크(11)의 비대칭 형상 때문에, 위치 검출기(3)에 의해 검출된 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치에 검출 오차가 존재할 수 있다. 따라서, 위치 검출기(3)에 의해 검출된 마크(10)와 마크(11) 사이의 상대 위치에 기초하여 정렬되는 기판(8)의 샷 영역과 몰드(7) 사이에 정렬 오차가 존재할 수도 있다. 정렬 오차가 존재하고, 그 상태에서 복수의 파장을 사용하여 마크(10)와 마크(11) 간의 상대 위치를 검출하면, 정렬 오차에 대응하는 오프셋량을 도 13b에 나타낸 그래프에 추가한 결과가 획득된다.
위치 검출기(3)에 의해 검출된 결과로부터 오프셋량을 획득하기 위해서는, 마크(11)와 마크(10) 간의 정확한 상대 위치(정렬 오차)를 알 필요가 있다. 이를 위해, 테스트 샘플에서의 정렬 오차는 중첩 검사 장치와 같은 평가 장치를 사용하여 평가될 수 있다. 제어기(15)는 상술한 방법에 의해 획득된 파장 특성과 평가 장치를 사용하여 획득된 평가 결과에 기초하여, 오프셋량이 보정된 파장 특성을 획득한다. 도 13b에 나타낸 시뮬레이션 결과가 정확하면, 보정된 파장 특성은 시뮬레이션 결과와 유사할 수 있다.
예를 들어, 테스트 샘플을 생성할 때 기판(8)의 마크(11)와 몰드(7)의 마크(10) 사이의 정렬 오차가 100nm인 경우, 도 13b의 검출 오차=0nm의 위치는 100nm의 오프셋을 갖는 위치로서 실제로 계측된다. 테스트 샘플을 중첩 검사 장치 등의 평가 장치에 의해 평가하면, 중첩 오차(정렬 오차)를 100nm로 평가한다.
상술한 구성의 위치 검출기(3)를 포함하는 임프린트 장치(1)에서는, 도 14의 흐름도의 단계들 S101 내지 S106에 의해 테스트 샘플의 파장 특성을 획득할 수 있다. 여기서, 테스트 샘플의 위치 정보를 위치 검출기(3)에 의해 검출함으로써 획득되는 파장 특성에 대해서는, 중첩 검사 장치 등의 평가 장치를 사용하여 획득되는 평가 결과에 기초하여 오프셋 값을 보정할 수 있다.
단계 S105에 관하여 추가 설명이 이루어질 것이다. 도 13b에 나타낸 파장 특성과 같이, 검출기(33)에 의해 수광된 광의 파장에 따라 검출 오차가 변화한다. 제어기(15)는 위치 검출기(3)의 검출 오차(위치 검출기(3)에 의해 검출된 위치 정보의 오차)가 감소되도록 파장 선택기(80)에 의한 파장 선택 조건, 더 구체적으로는, 파장 선택기(80)에 의해 선택될 특정 파장(파장 대역)을 결정한다.
이하, 파장 선택기(80)로서 기능하는 액정 필터(81)에 의해, 광원 유닛(31a)을 형성하는 백색광 레이저 광원(슈퍼 컨티늄 광원)에 의해 생성된 조명광으로부터 파장을 선택하는 제어예에 대해서 설명할 것이다. 파장 선택기(80)로서 기능하는 액정 필터(81)는 회절광이 입사하는 입사면(80a) 상에 2차원으로 배열된 복수의 화소(예를 들어, 640x480 화소)에 의해 형성되고, 화소들을 개별적으로 턴온 또는 턴오프할 수 있다. 즉, 액정 필터(81)의 입사면(80a)에서는, 특정 파장의 광이 입사하는 위치에 배치된 화소는 광 빔이 투과하지만, 나머지 위치에 배치된 화소는 투과하지 않도록 화소들이 온/오프 제어된다.
상술한 바와 같이, 마크(10) 및 마크(11)의 위치들에 대하여 액정 필터(81)(파장 선택기(80))가 푸리에 변환면 상에 배치되기 때문에, 입사면(80a)에서의 위치에 따라 상이한 파장의 광이 도달한다. 도 15는 액정 필터(81)의 입사면(80a)에 입사하는 광의 파장 분포(색 분포)를, X-Y 평면 상에 개략적으로 나타낸다. 액정 필터(81)의 입사면(80a)에 도달하는 광은, 파장 λ의 값에 따라 입사면(80a) 상의 다른 위치에 입사한다. 이로 인해, 액정 필터(81)의 입사면(80a) 상의 각 위치마다 광을 투과 또는 차단할지를 선택함으로써, 액정 필터(81)를 투과하여 검출기(33)에 유도될 광의 파장을 선택할 수 있다. 또한, 액정 필터(81)에서는, 도 6a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 광을 투과시키는 영역을 계속 분리할지를 설정함으로써, 검출기(33)에 유도될 파장 대역을 이산적으로 또는 연속적으로 선택할 수 있다. 도 6a는 하나의 연속 파장 대역의 광이 선택되는 예를 나타내고, 도 6b는 서로 이격된 복수의(2개의) 파장 대역이 선택되는 예를 나타낸다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에 따른 위치 검출기(3)는, 검출기(33)로의 회절광의 광 유도/비유도를 전환하기 위한 복수의 요소가 2차원으로 배열된 입사면(80a)을 갖는 파장 선택기(80)를 포함한다. 파장 선택기(80)는 입사면(80a)에 특정 파장이 입사하는 위치에 따라 파장 선택기(80) 내의 복수의 요소 각각을 제어함으로써, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여 이를 검출기(33)로 유도한다. 파장 선택기(80)를 포함하는 위치 검출기(3)는 검출 대상이 제공되는 기판 상의 위치에 따라 신속하게 파장을 전환할 수 있다. 이는 광원 유닛(31a)의 출력을 변경함으로써 파장이 선택되는 종래의 구성에 비해 처리량(생산성)의 관점에서 유리할 수 있다.
<제2 실시예>
본 발명에 따른 제2 실시예에 대해서 설명할 것이다. 제1 실시예에서는, 파장 선택기(80)로서 액정 필터(81)를 사용하는 예를 설명했다. 제2 실시예에서는, 회절광의 반사/비반사를 전환하는 복수의 요소(화소)가 입사면(80a)에 2차원으로 배열된 광학 디바이스를 파장 선택기(80)로서 사용하는 예에 대해서 설명할 것이다. 광학 디바이스로서, 디지털 미러 디바이스(DMD)(82)가 사용될 수 있다. 제2 실시예는 기본적으로 제1 실시예를 이어받고, 후술하는 사항을 제외하고는 제1 실시예에서 설명된 것과 동일하다는 점에 유의한다.
본 실시예에 따른 위치 검출기(3)에서는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 검출 광학계(32)의 개구 조리개(36) 대신에 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD)(82)가 사용되고, DMD(82)는 파장 선택기(80)로서 기능할 수 있다. DMD(82)는, 예를 들어, 640x480개의 복수의 요소(디바이스 또는 미러)에 의해 형성되고, 각 요소에서 회절광의 반사 및 비반사가 전환될 수 있다. 이는 DMD(82)의 각 요소마다 광 빔을 검출기(33)로 유도할지를 선택할 수 있게 한다. 파장 선택기(80)로서 DMD(82)를 사용하면, 액정 필터(81)를 사용하는 경우에 비해 회절 효율이 높아진다. 도 3에 나타낸 구성에서, DMD(82)는 기판(8)의 표면에 대하여 푸리에 변환면 상에 배치되고, DMD(82)에 의해 반사된 광은 검출기(33)(촬상 디바이스)에 유도된다.
여기에서는, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 조명광의 파장 분할에 대해서 설명할 것이다. 제1 실시예와 마찬가지로, 마크(10) 및 마크(11)에 의해 회절/파장 분할된 조명광의 1차 광은, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 바와 같이, DMD(82)에 입사한다. DMD(82)는 푸리에 변환면 상에 배치되기 때문에, DMD(82)에 입사하는 광 성분들은 파장에 따라 입사면(80a) 상에서 서로 다른 위치에 입사한다. 따라서, 도 16a 및 도 16b에 나타낸 바와 같이, DMD(82)의 각 요소의 상태를 제어할 때, 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하여 검출기(33)에 유도할 수 있다. 제어기(15)의 제어 하에, DMD(82)는 DMD(82)의 각 요소(미러)마다 검출기(33)에 입사광을 유도할지를 선택한다.
DMD(82)는 요소로서의 미러의 방향을 변경함으로써 반사광의 광로를 변경할 수 있다. 이로 인해, 파장 선택기(80)로서 기능하는 DMD(82)에서는, 도 16a 및 도 16b에 나타낸 바와 같이, 특정 파장으로서 검출기(33)에 유도될 파장 대역이, 광을 반사하여 이를 검출기(33)에 유도하기 위해 영역을 계속 분리할지를 설정함으로써 이산적으로 또는 연속적으로 선택될 수 있다. 도 16a는 하나의 연속 파장 대역의 광이 선택되어 검출기(33)에 유도되는 예를 나타내고, 도 16b는 서로 이격된 복수의(2개의) 파장 대역이 선택되어 검출기(33)에 유도되는 예를 나타낸다.
상술한 바와 같이, 본 실시예에서는, 파장 선택기(80)로서 DMD(82)를 사용한다. 제1 실시예와 마찬가지로, 본 실시예에 따라서도, 검출 대상이 제공되는 기판 상의 위치에 따라 파장 전환을 신속하게 행할 수 있다. 이는 광원 유닛(31a)의 출력을 변경함으로써 파장이 선택되는 종래의 구성에 비해 처리량(생산성)의 관점에서 유리할 수 있다.
<물품 제조 방법의 실시예>
본 발명의 실시예에 따른 물품 제조 방법은 물품, 예를 들어, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스 또는 미세 구조를 갖는 디바이스를 제조하기에 적합하다. 본 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 기판 상에 제공된 마크를 검출 대상으로서 사용하여, 상술한 위치 검출기(3)를 사용하여 마크의 위치를 검출하는 검출 단계와, 검출 단계에서의 검출 결과에 기초하여 기판을 위치 결정하는 위치 결정 단계를 포함한다. 또한, 본 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 위치 결정 단계에서 위치 결정된 기판을 처리하는 처리 단계와, 처리 단계에서 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 제조 단계를 포함한다. 처리 단계는 상술한 리소그래피 장치(임프린트 장치(1))에 의해 기판 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 또한, 본 제조 방법은 다른 주지의 단계들(예를 들어, 산화, 퇴적, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 및 패키징 등)을 포함한다. 본 실시예에 따른 물품 제조 방법은 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 종래의 방법에 비해 우수하다.
임프린트 장치가 리소그래피 장치로서 사용되는 경우, 임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로 사용된다. 물품은, 전기 회로 디바이스, 광학 디바이스, MEMS, 기록 디바이스, 센서, 혹은, 몰드 등이다. 전기 회로 디바이스의 예들은, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리들과, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 디바이스들이다. 몰드의 예들은 임프린트용 몰드들이다.
경화물의 패턴은 상술한 물품들의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 처리 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
다음으로, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명할 것이다. 도 17a에 나타낸 바와 같이, 표면에 절연체 등의 피처리재(2z)가 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 다음으로, 잉크젯법 등에 의해 피처리재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적으로서 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 상태를 나타내고 있다.
도 17b에 나타낸 바와 같이, 볼록 및 오목 부분을 갖는 패턴이 형성된 임프린트용 몰드(4z)의 측을 기판 상의 임프린트재(3z)에 대향시킨다. 도 17c에 나타낸 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드(4z)와 피처리재(2z) 사이의 간극을 임프린트재(3z)로 충전한다. 이 상태에서, 임프린트재(3z)에 몰드(4z)를 통해 경화용 에너지를 조사하면, 임프린트재(3z)가 경화된다.
도 17d에 나타낸 바와 같이, 임프린트재(3z)가 경화된 후, 몰드(4z)가 기판(1z)으로부터 분리된다. 그 후, 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 기판(1z) 상에 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 몰드(4z)의 볼록 및 오목 부분을 갖는 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 17e에 나타낸 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행함으로써, 피처리재(2z)의 표면 중 경화물이 없거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈(5z)을 형성한다. 도 17f에 나타낸 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거함으로써, 피처리재(2z)의 표면에 홈들(5z)이 형성된 물품을 획득할 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴이 제거된다. 그러나, 처리 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신에, 이것을 예를 들어, 반도체 디바이스 등에 포함되는 충간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 사용할 수 있다.
<다른 실시예들>
본 발명의 실시예(들)는 또한 저장 매체(이는 더 완전하게는 '비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체'로서 지칭될 수도 있음)에 기록된 컴퓨터 실행가능 명령어(예를 들어, 하나 이상의 프로그램)를 판독하고 실행하여, 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하고, 및/또는 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위한 하나 이상의 회로(예를 들어, 주문형 집적 회로(ASIC))를 포함하는 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해, 그리고 예를 들어, 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위해 저장 매체로부터 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독하고 실행함으로써 및/또는 하나 이상의 상기 실시예(들)의 기능을 수행하기 위해 하나 이상의 회로를 제어함으로써 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 의해 수행된 방법에 의해 실현될 수도 있다. 컴퓨터는 하나 이상의 프로세서(예를 들어, 중앙 처리 장치(CPU), 마이크로 처리 장치(MPU))를 포함할 수 있으며, 컴퓨터 실행가능 명령어를 판독하고 실행하기 위해 개별 컴퓨터 또는 개별 프로세서의 네트워크를 포함할 수 있다. 컴퓨터 실행가능 명령어들은 예를 들어, 네트워크 또는 저장 매체로부터 컴퓨터에 제공될 수 있다. 저장 매체는 예를 들어, 하드 디스크, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 리드 온리 메모리(ROM), 분산형 컴퓨팅 시스템의 스토리지, 광디스크(예를 들어, 콤팩트 디스크(CD), 디지털 다기능 디스크(DVD) 또는 블루레이 디스크(BD)TM)과 같은) 광학 디스크, 플래시 메모리 디바이스, 메모리 카드 등 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
(기타의 실시예)
본 발명은, 상기의 실시형태의 1개 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 개입하여 시스템 혹은 장치에 공급하고, 그 시스템 혹은 장치의 컴퓨터에 있어서 1개 이상의 프로세서가 프로그램을 읽어 실행하는 처리에서도 실현가능하다.
또한, 1개 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실행가능하다.
본 발명은 예시적인 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예들에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (11)

  1. 회절 격자 패턴을 포함하는 검출 대상의 위치를 검출하는 검출 장치로서,
    복수의 파장을 포함하는 조명광으로 상기 검출 대상을 조명하도록 구성된 조명기;
    상기 조명기에 의해 조명된 상기 검출 대상으로부터의 회절광이 입사하는 입사면을 포함하고, 상기 회절광으로부터 특정 파장의 광을 선택하도록 구성된 파장 선택기; 및
    상기 파장 선택기에 의해 선택된 상기 특정 파장의 광을 수광하고 상기 검출 대상의 위치를 검출하도록 구성된 검출기를 포함하고,
    상기 파장 선택기의 입사면에는, 상기 검출기로의 상기 회절광의 광 유도/비유도를 각각 전환하는 복수의 요소가 2차원으로 배열되고,
    상기 검출 대상 상의 상기 조명광에 포함되는 상기 복수의 파장의 광 성분들의 회절 방향들은 서로 상이하고, 상기 회절광으로서 상기 광 성분들이 입사하는 상기 파장 선택기의 입사면 상의 위치들은 서로 상이하고,
    상기 파장 선택기는, 상기 특정 파장의 광이 입사하는 상기 입사면 상의 위치에 따라 상기 복수의 요소 각각을 제어함으로써, 상기 회절광으로부터 상기 특정 파장의 광을 선택하여 상기 광을 상기 검출기에 유도하는 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검출 대상에 의해 회절된 상기 복수의 파장의 광 성분들을 상기 입사면 상의 서로 다른 위치에 입사시키고, 상기 파장 선택기와 상기 검출 대상 사이에 제공되도록 구성된 렌즈를 추가로 포함하는 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택기는 상기 복수의 요소 각각에서 상기 회절광의 투과/비투과를 전환하도록 구성된 광학 디바이스를 포함하는 검출 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택기는 상기 복수의 요소 각각에서 상기 회절광의 반사/비반사를 전환하도록 구성된 광학 디바이스를 포함하는 검출 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조명기는 상기 조명광으로 상기 검출 대상을 비스듬히 조명하는 검출 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택기는, 상기 복수의 파장 각각과 상기 입사면 상의 입사 위치 간의 관계를 나타내는 제1 정보에 기초하여, 상기 특정 파장의 광이 상기 회절광으로부터 선택되어 상기 검출기에 유도되도록 상기 복수의 요소 각각을 제어하는 검출 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 파장 선택기는 상기 복수의 파장 각각과 상기 검출기에서의 검출 오차 간의 관계를 나타내는 제2 정보에 기초하여, 상기 검출 오차가 감소되도록 상기 특정 파장을 결정하는 검출 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 파장 선택기는 상기 복수의 파장으로부터 선택된 파장을 변경하면서 상기 검출기의 검출 오차를 획득함으로써 상기 제2 정보를 생성하는 검출 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 검출 대상은 상기 검출 장치에 의해 위치가 검출되는 복수의 영역을 포함하고,
    상기 파장 선택기는 상기 복수의 영역 사이에서 상기 특정 파장을 변경하는 검출 장치.
  10. 기판 상에 패턴을 형성하는 리소그래피 장치로서,
    기판 상에 제공된 마크를 검출 대상으로서 사용하여, 상기 마크의 위치를 검출하도록 구성되는, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 정의된 검출 장치; 및
    상기 검출 장치의 검출 결과에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하도록 구성된 기구를 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 물품 제조 방법으로서,
    기판 상에 제공된 마크를 검출 대상으로서 사용하여, 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 정의된 검출 장치에 의해 상기 마크의 위치를 검출하는 단계;
    상기 검출하는 단계에서의 검출 결과에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하는 단계;
    상기 위치 결정하는 단계에서 위치 결정된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    상기 처리하는 단계에서 처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하는 물품 제조 방법.
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NL2016864A (en) * 2015-06-12 2016-12-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus, patterning device and manufacturing method
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