KR20230090718A - 상부 플레이트를 포함하는 정전척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

상부 플레이트를 포함하는 정전척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 Download PDF

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KR20230090718A
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Abstract

본 개시에 따른 정전척은 척 베이스; 및 상부 플레이트를 포함한다. 상기 상부 플레이트는 베이스부, 상기 베이스부에서 돌출하는 제1 컨택 패턴, 제2 컨택 패턴 및 외측 댐을 포함한다. 상기 외측 댐은 상기 제1 및 제2 컨택 패턴들을 둘러싼다. 상기 제2 컨택 패턴은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치된다. 상기 제2 컨택 패턴의 상면의 표면 조도는 상기 제1 컨택 패턴의 상면의 표면 조도보다 크다.

Description

상부 플레이트를 포함하는 정전척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 {ELECTROSTATIC CHUCK INCLUDING UPPER PLATE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME}
본 개시는 정전척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 개시는 상부 플레이트를 포함하는 정전척 및 그를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 복수의 단위 공정들을 통해 제조될 수 있다. 단위 공정들은 증착 공정, 포토 공정, 및 식각 공정을 포함할 수 있다. 증착 공정 및 식각 공정은 플라즈마 반응을 이용하여 수행될 수 있다. 플라즈마 반응을 이용하는 기판 처리 장치는 기판을 척킹하는 정전척을 포함할 수 있다. 정전척은 기판을 정전기력으로 척킹할 수 있다.
본 발명은 기판을 효율적으로 디척킹할 수 있는 정전척을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일부 실시예들에 따른 정전척은 척 베이스; 및 상부 플레이트를 포함하고, 상기 상부 플레이트는 베이스부, 상기 베이스부에서 돌출하는 제1 컨택 패턴, 제2 컨택 패턴 및 외측 댐을 포함하고, 상기 외측 댐은 상기 제1 및 제2 컨택 패턴들을 둘러싸고, 상기 제2 컨택 패턴은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고, 상기 제2 컨택 패턴의 상면의 표면 조도는 상기 제1 컨택 패턴의 상면의 표면 조도보다 클 수 있다.
본 개시의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 및 상기 챔버 내의 정전척을 포함하고, 상기 정전척은 상부 플레이트 및 상기 상부 플레이트를 지지하는 척 베이스를 포함하고, 상기 상부 플레이트는 베이스부, 상기 베이스부에서 돌출하는 제1 컨택 패턴, 제2 컨택 패턴 및 외측 댐을 포함하고, 상기 제2 컨택 패턴은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고, 상기 제2 컨택 패턴의 상면의 지름은 상기 제1 컨택 패턴의 상면의 지름보다 작을 수 있다.
본 개시의 일부 실시예들에 따른 정전척은 기판이 척킹될 수 있는 상부 플레이트; 및 상기 상부 플레이트를 지지하는 척 베이스를 포함하고, 상기 상부 플레이트는: 내측 영역 및 상기 내측 영역을 둘러싸는 외측 영역을 포함하는 베이스부; 상기 내측 영역에서 돌출하는 제1 컨택 패턴들; 상기 외측 영역에서 돌출하는 제2 컨택 패턴들; 및 상기 제1 및 제2 컨택 패턴들을 둘러싸는 외측 댐을 포함하고, 상기 제1 및 제2 컨택 패턴들은 원기둥의 형태를 가지고, 상기 제1 컨택 패턴들 중 서로 인접하는 2개의 제1 컨택 패턴들 사이의 거리는 상기 제2 컨택 패턴들 중 서로 인접하는 2개의 제2 컨택 패턴들 사이의 거리보다 작을 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 정전척은 상부 플레이트가 표면 조도, 크기 및 간격이 다른 컨택 패턴들을 포함함에 따라, 정전척의 디척킹 특성이 개선될 수 있다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 도 1에 따른 기판 처리 장치의 정전척을 설명하기 위한 도면이다.
도 3a는 도 2에 따른 정전척의 상부 플레이트의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 E1 영역을 확대한 도면이다.
도 3c는 도 3a의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 4a는 본 개시의 일부 실시예들에 따른 정전척의 상부 플레이트의 평면도이다.
도 4b는 도 4a의 E2 영역을 확대한 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 정전척의 디척킹 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 1은 본 개시의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일부 실시예들에 따른 기판 처리 장치(100)는 반도체 장치 제조를 위한 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하는 장치일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 장치일 수 있다. 일 예로, 기판 처리 장치(100)는 축전 결합 플라즈마(Capacitively Coupled Plasma) 장치, 유도 결합 플라즈마(Inductively Coupled Plasma) 장치, 또는 마이크로파(microwave) 플라즈마 장치일 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 식각 장치 또는 증착 장치일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판(W)은 예를 들어 실리콘 또는 게르마늄을 포함하는 반도체 기판일 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 기판(W)은 SOI(silicon on insulator) 기판일 수 있다.
기판 처리 장치(100)는 챔버(110), 정전척(120), 샤워 헤드(130), 상부 전극(140), 가스 공급부(150), 파워 공급부(160), 및 정전압 공급부(170)를 포함할 수 있다.
챔버(110)는 외부로부터 독립된 빈 공간을 제공할 수 있다. 챔버(110)의 구동에 따라, 챔버(110) 내의 빈 공간이 개방 및 폐쇄될 수 있다. 정전척(120), 샤워 헤드(130) 및 상부 전극(140)은 챔버(110) 내에 제공될 수 있다. 정전척(120) 상에 기판(W)이 척킹(chucking)될 수 있다. 상부 전극(140)은 샤워 헤드(130)에 인접하게 배치될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상부 전극(140) 및 샤워 헤드(130)는 챔버(110)의 상부에 배치될 수 있고, 정전척(120)은 챔버(110)의 하부에 배치될 수 있다.
가스 공급부(150)는 샤워 헤드(130)와 연결될 수 있다. 가스 공급부(150)는 샤워 헤드(130)로 공정 가스를 공급할 수 있다. 샤워 헤드(130)로 공급되는 공정 가스는 샤워 헤드(130)를 통해 챔버(110) 내로 분사될 수 있다. 공정 가스는 기판 처리 장치(100)에서 수행되는 기판 처리 공정에 사용되는 가스일 수 있다.
파워 공급부(160)는 상부 전극(140) 및 정전척(120)에 파워를 공급할 수 있다. 일 예로, 파워 공급부(160)는 상부 전극(140) 및 정전척(120)에 고주파 파워를 공급할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 파워 공급부(160)는 상부 전극(140)에 파워를 공급하는 부분 및 정전척(120)에 파워를 공급하는 부분을 포함할 수 있다. 파워 공급부(160)의 파워 공급에 따라, 샤워 헤드(130)를 통해 챔버(110) 내로 분사된 공정 가스로부터 플라즈마(P)가 생성될 수 있고, 플라즈마(P)가 기판(W)을 향해 집중될 수 있다. 플라즈마(P)는 상부 전극(140) 및 정전척(120) 사이에 생성될 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 생성된 플라즈마(P)를 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 기판 처리 장치(100)는 상부 전극(140)을 포함하지 않을 수 있다. 이 경우, 파워 공급부(160)는 정전척(120)에만 파워를 공급할 수 있다.
정전압 공급부(170)는 정전척(120)에 정전압을 공급할 수 있다. 정전척(120)에 공급되는 정전압을 이용하여 정전척(120)이 기판(W)을 척킹할 수 있다. 일 예로, 기판(W)은 쿨롱 힘 또는 존슨 라벡 힘에 의해 정전척(120)에 척킹될 수 있다.
도 2는 도 1에 따른 기판 처리 장치의 정전척을 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 정전척(120)은 척 베이스(200), 상부 플레이트(300), 접착층(400) 및 에지링(500)을 포함할 수 있다. 척 베이스(200)는 상부 플레이트(300), 접착층(400) 및 에지링(500)을 지지할 수 있다. 척 베이스(200)는 도전 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 척 베이스(200)는 Al를 포함할 수 있다.
척 베이스(200)는 냉각수 홀들(210)을 포함할 수 있다. 냉각수 홀들(210)에 냉각수가 제공되어 정전척(120)을 냉각시킬 수 있다.
상부 플레이트(300)는 척 베이스(200) 위에 배치될 수 있다. 상부 플레이트(300)는 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 상부 플레이트(300)는 AlN을 포함할 수 있다. 정전척(120)에 인가되는 정전압에 의해 상부 플레이트(300) 상에 기판(W)이 척킹될 수 있다.
접착층(400)은 척 베이스(200)와 상부 플레이트(300) 사이에 개재될 수 있다. 접착층(400)은 상부 플레이트(300)를 척 베이스(200)에 접착시킬 수 있다. 접착층(400)은 접착성 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 접착층(400)은 실리콘 접착층일 수 있다.
에지링(500)은 척 베이스(200) 상에 배치될 수 있다. 에지링(500)은 접착층(400) 및 상부 플레이트(300)를 둘러싸는 링의 형태를 가질 수 있다. 기판(W)이 상부 플레이트(300) 상에 척킹되면, 에지링(500)은 기판(W)을 둘러쌀 수 있다. 에지링(500)은 예를 들어 Si 또는 SiC를 포함할 수 있다.
도 3a는 도 2에 따른 정전척의 상부 플레이트의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 E1 영역을 확대한 도면이다. 도 3c는 도 3a의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 3a, 3b 및 3c를 참조하면, 상부 플레이트(300)는 베이스부(310), 베이스부(310)에서 돌출하는 외측 댐(320), 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340), 및 베이스부(310)를 관통하는 가스홀들(350)을 포함할 수 있다. 베이스부(310), 외측 댐(320), 제1 및 제2 컨택 패턴들(330, 340)은 절연 물질을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스부(310), 외측 댐(320), 제1 및 제2 컨택 패턴들(330, 340)은 AlN을 포함할 수 있다.
베이스부(310)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)으로 확장하는 평면을 따라 확장하는 원형 플레이트의 형태를 가질 수 있다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 서로 교차할 수 있다. 일 예로, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 서로 직교하는 수평 방향들일 수 있다.
베이스부(310)는 내측 영역(311) 및 내측 영역(311)을 둘러싸는 외측 영역(312)을 포함할 수 있다. 베이스부(310)의 내측 영역(311)은 및 외측 영역(312)은 평면적으로 구분되는 영역들일 수 있다.
외측 댐(320), 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)은 베이스부(310)에서 제3 방향(D3)으로 돌출할 수 있다. 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 교차할 수 있다. 일 예로, 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 교차하는 수직 방향일 수 있다. 외측 댐(320), 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)은 베이스부(310)의 상면(313)에서 돌출할 수 있다.
외측 댐(320)은 베이스부(310)의 외측 영역(312)에서 돌출할 수 있다. 외측 댐(320)은 베이스부(310)의 내측 영역(311)을 둘러싸는 링의 형태를 가질 수 있다. 외측 댐(320)은 제1 컨택 패턴들(330), 제2 컨택 패턴들(340) 및 가스홀들(350)을 둘러쌀 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 외측 댐(320)의 폭은 1.1mm 내지 1.3mm일 수 있다. 일 예로, 외측 댐(320)의 폭은 1.25mm일 수 있다.
제1 컨택 패턴들(330)은 베이스부(310)의 내측 영역(311)에서 돌출할 수 있다. 제1 컨택 패턴들(330)은 원기둥의 형태를 가질 수 있다. 제2 컨택 패턴들(340)은 베이스부(310)의 외측 영역(312)에서 돌출할 수 있다. 제2 컨택 패턴들(340)은 원기둥의 형태를 가질 수 있다.
기판(W)이 정전척(120) 상에 척킹되면, 외측 댐(320)의 상면(321), 제1 컨택 패턴들(330)의 상면들(331), 및 제2 컨택 패턴들(340)의 상면들(341)은 기판(W)의 하면에 접할 수 있다. 외측 댐(320)에 대한 기판(W)의 컨택비(contact ratio: C/R)는 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)에 대한 기판(W)의 C/R보다 클 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 외측 댐(320)에 대한 기판(W)의 C/R는 1.28% 내지 1.48%일 수 있고, 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)에 대한 기판(W)의 C/R는 0.77% 내지 0.97%일 수 있다. 일 예로, 외측 댐(320)에 대한 기판(W)의 C/R는 1.38%일 수 있고, 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)에 대한 기판(W)의 C/R는 0.87%일 수 있다. 이 경우, 기판(W)의 하면에서 외측 댐(320)에 접하는 면적의 비율은 1.38%일 수 있고, 제1 컨택 패턴들(330) 및 제2 컨택 패턴들(340)에 접하는 면적의 비율은 0.87%일 수 있다. 기판(W)의 C/R이 커질수록, 기판(W)에 작용하는 척킹력이 커질 수 있다. 외측 댐(320)의 상면(321), 제1 컨택 패턴들(330)의 상면들(331), 및 제2 컨택 패턴들(340)의 상면들(341)의 레벨은 동일할 수 있다.
제2 컨택 패턴들(340)은 외측 댐(320)에 인접하게 배치될 수 있다. 제2 컨택 패턴들(340)은 제1 컨택 패턴들(330)보다 외측 댐(320)에 가깝게 배치될 수 있다. 제2 컨택 패턴(340)과 외측 댐(320) 사이의 거리(L1)는 제1 컨택 패턴(330)과 외측 댐(320) 사이의 거리(L2)보다 작을 수 있다.
제1 컨택 패턴(330)의 상면(331)의 표면 조도는 제2 컨택 패턴(340)의 상면(341)의 표면 조도보다 작을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 컨택 패턴(330)의 상면(331)의 표면 조도(Ra)는 0.08㎛ 내지 0.12㎛일 수 있고, 제2 컨택 패턴(340)의 상면(341)의 표면 조도(Ra)는 0.7㎛ 내지 0.9㎛일 수 있다. 일 예로, 제1 컨택 패턴(330)의 상면(331)의 표면 조도(Ra)는 0.1㎛일 수 있고, 제2 컨택 패턴(340)의 상면(341)의 표면 조도(Ra)는 0.8㎛일 수 있다. 외측 댐(320)의 상면(321)의 표면 조도는 제1 컨택 패턴(330)의 상면(331)의 표면 조도 및 제2 컨택 패턴(340)의 상면(341)의 표면 조도와 다를 수 있다.
제2 컨택 패턴들(340)의 상면들(341) 각각의 지름(M1)은 제1 컨택 패턴들(330)의 상면들(331) 각각의 지름(M2)보다 작을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 컨택 패턴들(340)의 상면들(341) 각각의 지름(M1)은 0.4mm 내지 0.6mm일 수 있고, 제1 컨택 패턴들(330)의 상면들(331) 각각의 지름(M2)은 0.9mm 내지 1.1mm일 수 있다. 일 예로, 제2 컨택 패턴들(340)의 상면들(341) 각각의 지름(M1)은 0.5mm일 수 있고, 제1 컨택 패턴들(330)의 상면들(331) 각각의 지름(M2)은 1mm일 수 있다.
제1 컨택 패턴들(330) 사이의 간격은 제2 컨택 패턴들(340) 사이의 간격보다 작을 수 있다. 제1 컨택 패턴들(330) 중 서로 인접하는 2개의 제1 컨택 패턴들(330) 사이의 거리(L3)는 제2 컨택 패턴들(340) 중 서로 인접하는 2개의 제2 컨택 패턴들(340) 사이의 거리(L4)보다 작을 수 있다.
제1 컨택 패턴들(330)의 개수는 제2 컨택 패턴들(340)의 개수보다 많을 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 컨택 패턴들(330)의 개수는 714개 내지 734개일 수 있고, 제2 컨택 패턴들(340)의 개수는 47개 내지 67개일 수 있다. 일 예로, 제1 컨택 패턴들(330)의 개수는 724개일 수 있고, 제2 컨택 패턴들(340)의 개수는 57개일 수 있다.
가스홀들(350)은 외측 영역(312) 또는 외측 영역(312)과 내측 영역(311)의 경계(314)에 배치될 수 있다. 가스홀(350)은 제3 방향(D3)으로 베이스부(310)를 관통할 수 있다. 가스홀(350)은 기판(W)의 하면으로 제공되는 냉매가 통과하는 홀일 수 있다. 상부 플레이트(300) 아래의 냉매는 가스홀(350)을 통해 상부 플레이트(300) 위로 제공될 수 있다. 일 예로, 냉매는 He 가스일 수 있다.
가스홀들(350)은 내측 가스홀들(351) 및 외측 가스홀들(352)을 포함할 수 있다. 내측 가스홀들(351)은 외측 영역(312)과 내측 영역(311)의 경계(314)에 배치될 수 있다. 외측 가스홀들(352)은 외측 영역(312)에 배치될 수 있다. 내측 가스홀들(351)은 제2 컨택 패턴들(340)보다 외측 댐(320)에 멀게 배치될 수 있다. 내측 가스홀들(351)은 제1 컨택 패턴들(330)보다 외측 댐(320)에 가깝게 배치될 수 있다. 외측 가스홀들(352)은 제2 컨택 패턴들(340) 사이에 배치될 수 있다. 외측 가스홀들(352)은 제2 컨택 패턴들(340)의 몇몇보다 외측 댐(320)에 가깝게 배치될 수 있고, 제2 컨택 패턴들(340)의 나머지들보다 외측 댐(320)에 멀게 배치될 수 있다. 제2 컨택 패턴들(340)의 몇몇은 외측 가스홀들(352)과 내측 가스홀들(351) 사이에 배치될 수 있다. 외측 가스홀들(352)은 제1 컨택 패턴들(330)보다 외측 댐(320)에 가깝게 배치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 정전척(120)은 기판(W)을 리프팅(lifting)하기 위한 리프트 핀을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상부 플레이트(300)는 리프트 핀이 통과하는 리프트 핀 홀을 더 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예들에 따른 정전척은 외측 댐(320)에 상대적으로 가깝게 배치되는 제2 컨택 패턴들(340)이 상대적으로 큰 표면 조도를 가지고, 상대적으로 작은 지름을 가지고, 상대적으로 큰 간격을 가질 수 있다. 이에 따라, 제2 컨택 패턴들(340)에 대한 기판(W)의 C/R은 상대적으로 낮을 수 있다.
외측 댐(320)에 대한 C/R이 상대적으로 높지만, 제2 컨택 패턴들(340)을 외측 댐(320)에 상대적으로 가깝게 배치하여 이를 보상할 수 있다. 이에 따라, 외측 댐(320) 주변에 과도한 척킹력이 발생하는 현상이 방지될 수 있어, 디척킹(de-chucking) 공정에서 소요 시간이 개선될 수 있고 척킹력이 감소하는 속도가 균일할 수 있다. 이에 따라, 디척킹 공정에서 기판(W)이 파손되는 현상이 방지될 수 있다.
도 4a는 본 개시의 일부 실시예들에 따른 정전척의 상부 플레이트의 평면도이다. 도 4b는 도 4a의 E2 영역을 확대한 도면이다.
도 4a 및 4b를 참조하면, 상부 플레이트(1300)는 베이스부(1310), 베이스부(1310)에서 돌출하는 외측 댐(1320), 제1 컨택 패턴들(1330), 제2 컨택 패턴들(1340) 및 제3 컨택 패턴들(1360), 및 베이스부(1310)를 관통하는 가스홀들(1350)을 포함할 수 있다.
베이스부(1310)는 내측 영역(1311) 및 내측 영역(1311)을 둘러싸는 외측 영역(1312)을 포함할 수 있다. 외측 영역(1312)은 내측 영역(1311)에 연결되는 제1 부분(1312_1) 및 제1 부분(1312_1)을 둘러싸는 제2 부분(1312_2)을 포함할 수 있다.
제1 컨택 패턴들(1330)은 내측 영역(1311)에서 돌출할 수 있다. 제2 컨택 패턴들(1340)은 외측 영역(1312)의 제1 부분(1312_1)에서 돌출할 수 있다. 제3 컨택 패턴들(1360)은 외측 영역(1312)의 제2 부분(1312_2)에서 돌출할 수 있다. 제3 컨택 패턴들(1360)은 제2 컨택 패턴들(1340)보다 외측 댐(1320)에 가깝게 배치될 수 있다. 제1 내지 3 컨택 패턴들(1330, 1340, 1360)은 원기둥의 형태를 가질 수 있다.
제2 컨택 패턴들(1340)은 제1 및 제3 컨택 패턴들(1330, 1360)보다 지름이 작을 수 있다. 제2 컨택 패턴들(1340)의 상면들의 표면 조도는 제1 및 제3 컨택 패턴들(1330, 1360)의 상면들의 표면 조도보다 클 수 있다. 제2 컨택 패턴들(1340) 사이의 간격은 제1 컨택 패턴들(1330) 사이의 간격 및 제3 컨택 패턴들(1360) 사이의 간격보다 클 수 있다. 제3 컨택 패턴들(1360) 중 서로 인접하는 2개의 제3 컨택 패턴들(1360) 사이의 거리는 제2 컨택 패턴들(1340) 중 서로 인접하는 2개의 제2 컨택 패턴들(1340) 사이의 거리보다 작을 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 제1 컨택 패턴들(1330)의 지름 및 제3 컨택 패턴들(1360)의 지름은 동일할 수 있고, 제1 컨택 패턴들(1330)의 상면들의 표면 조도 및 제3 컨택 패턴들(1360)의 상면들의 표면 조도는 동일할 수 있고, 제1 컨택 패턴들(1330) 사이의 간격 및 제3 컨택 패턴들(1360) 사이의 간격은 동일할 수 있다.
가스홀들(1350)은 내측 가스홀들(1351) 및 외측 가스홀들(1352)을 포함할 수 있다. 내측 가스홀들(1351)은 내측 영역(1311)과 외측 영역(1312)의 제1 부분(1312_1) 사이의 경계(1314)에 배치될 수 있다. 외측 가스홀들(1352)은 외측 영역(1312)의 제1 부분(1312_1)과 제2 부분(1312_2) 사이의 경계(1315)에 배치될 수 있다. 내측 가스홀들(1351) 및 외측 가스홀들(1352) 사이에 제2 컨택 패턴들(1340)이 배치될 수 있다. 제3 컨택 패턴들(1360)은 외측 가스홀들(1352)보다 외측 댐(1320)에 가깝게 배치될 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 정전척의 디척킹 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 정전척(S1)과 비교예에 따른 정전척(S2)의 디척킹 특성이 측정되었다. 본 개시의 일 실시예에 따른 정전척(S1)은 0.1㎛의 표면 조도 및 1mm의 지름을 가지는 제1 컨택 패턴들 및 0.8㎛의 표면 조도 및 0.5mm의 지름을 가지는 제2 컨택 패턴들을 포함하였고, 제2 컨택 패턴들이 외측 댐에 가깝게 배치되었다. 비교예에 따른 정전척(S2)은 0.1㎛의 표면 조도 및 1mm의 지름을 가지는 컨택 패턴들을 포함하였다.
디척킹 공정에서 He 가스의 누출 속도를 측정한 결과, 본 개시의 일 실시예에 따른 정전척(S1)은 디척킹 공정의 소요 시간이 상대적으로 짧은 것이 확인되었고, He 가스의 누출 속도가 상대적으로 균일하게 증가하는 것이 확인되었다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해하여야 한다.
120: 정전척
200: 척 베이스
300: 상부 플레이트
400: 접착층
500: 에지링

Claims (10)

  1. 척 베이스; 및
    상부 플레이트를 포함하고,
    상기 상부 플레이트는 베이스부, 상기 베이스부에서 돌출하는 제1 컨택 패턴, 제2 컨택 패턴 및 외측 댐을 포함하고,
    상기 외측 댐은 상기 제1 및 제2 컨택 패턴들을 둘러싸고,
    상기 제2 컨택 패턴은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고,
    상기 제2 컨택 패턴의 상면의 표면 조도는 상기 제1 컨택 패턴의 상면의 표면 조도보다 큰 정전척.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 컨택 패턴의 상기 상면의 지름은 상기 제1 컨택 패턴의 상기 상면의 지름보다 작은 정전척.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 컨택 패턴의 상기 상면의 지름은 0.4mm 내지 0.6mm이고,
    상기 제1 컨택 패턴의 상기 상면의 지름은 0.9mm 내지 1.1mm인 정전척.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 컨택 패턴의 상기 상면의 표면 조도는 0.7㎛ 내지 0.9㎛이고,
    상기 제1 컨택 패턴의 상기 상면의 표면 조도는 0.08㎛ 내지 0.12㎛인 정전척.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 플레이트는 상기 베이스부에서 돌출하는 제3 컨택 패턴을 더 포함하고,
    상기 제3 컨택 패턴은 상기 제2 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고,
    상기 제3 컨택 패턴의 상면의 표면 조도는 상기 제2 컨택 패턴의 상기 상면의 표면 조도보다 작은 정전척.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 플레이트는 상기 베이스부를 관통하는 내측 가스홀 및 외측 가스홀을 포함하고,
    상기 외측 가스홀은 상기 제2 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고,
    상기 내측 가스홀은 상기 제2 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 멀게 배치되는 정전척.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 내측 가스홀은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되는 정전척.
  8. 챔버; 및
    상기 챔버 내의 정전척을 포함하고,
    상기 정전척은 상부 플레이트 및 상기 상부 플레이트를 지지하는 척 베이스를 포함하고,
    상기 상부 플레이트는 베이스부, 상기 베이스부에서 돌출하는 제1 컨택 패턴, 제2 컨택 패턴 및 외측 댐을 포함하고,
    상기 제2 컨택 패턴은 상기 제1 컨택 패턴보다 상기 외측 댐에 가깝게 배치되고,
    상기 제2 컨택 패턴의 상면의 지름은 상기 제1 컨택 패턴의 상면의 지름보다 작은 기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 컨택 패턴은 서로 인접하는 2개의 제2 컨택 패턴들을 포함하고,
    상기 제1 컨택 패턴은 서로 인접하는 2개의 제1 컨택들을 포함하고,
    상기 2개의 제2 컨택 패턴들 사이의 거리는 상기 2개의 제1 컨택 패턴들 사이의 거리보다 큰 기판 처리 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 컨택 패턴은 복수개의 제1 컨택 패턴들을 포함하고,
    상기 제2 컨택 패턴은 복수개의 제2 컨택 패턴들을 포함하고,
    상기 복수개의 제1 컨택 패턴들의 개수는 상기 복수개의 제2 컨택 패턴들의 개수보다 많은 기판 처리 장치.
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