KR20230090012A - 열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품 - Google Patents

열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품 Download PDF

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 베이스 강판; 및 상기 베이스 강판 상에 배치되며, 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 스트론튬(Sr), 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 도금층을 구비하고, 상기 도금층은 상기 베이스 강판으로부터 순차적으로 적층된 합금화 저지층, 중간 합금층 및 내식성 강화층을 포함하고, 상기 내식성 강화층은 스트론튬(Sr)을 포함하는 표면 산화층을 구비하는, 핫 스탬핑 부품을 개시한다.

Description

열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품{Steel sheet for hot press and Hot stamping component manufactured using the same}
본 발명의 실시예들은 열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품에 관한 것이다.
근래 자동차 산업에서의 환경 규제와 안전기준이 강화됨에 따라, 자동차의 경량화 및 안정성을 위한 고강도강의 적용이 늘어나는 추세이다. 한편, 고강도강은 중량 대비 고강도 특성을 확보할 수 있으나, 가공 중 소재의 파단이 발생하거나, 스프링 백 현상이 발생하여 복잡하고 정밀한 형상의 제품의 성형에 어려움이 있다. 따라서, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 열간 프레스 성형의 적용이 확대되고 있다.
열간 프레스 성형(핫 스탬핑)은 고온에서 강판을 가열하여 프레스 가공하므로 강재의 성형이 용이하며, 금형을 통해 급랭을 실시하므로 성형품의 강도를 확보할 수 있다. 그러나, 열간 프레스 성형을 위해 강판을 고온으로 가열하므로, 강판의 표면이 산화되는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 미국 등록특허 제6,296,805호 발명은 알루미늄 도금을 실시한 강판을 열간 프레스 성형하는 방법을 제안하고 있다. 미국 등록특허 제6,296,805호 발명에 의하면 알루미늄 도금층이 강판 표면에 존재하므로 강판의 가열에 의해 강판의 표면이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 알루미늄 도금층으로서, Al-Si계 도금이 핫 스탬핑에 적용되고 있다. 그러나 Al-Si계 도금은 내고온산화성은 우수하지만, 핫 스탬핑후 높은 경도의 도금층과 도금표면에 존재하는 기공으로 인하여 가공 시 도금층 크랙 및 탈락을 유발하여 성형 작업성 감소 및 도금층 손실에 의한 내식성을 감소시키는 단점을 가지고 있다. 뿐만 아니라 기존의 Al-Si계 핫스탬핑 도금재는 핫스탬핑 후 도금층이 가지는 내식성의 기능이 단순히 보호막으로만 작용하는 기능을 가지고 있어, 성형 시 마찰에 의해 손실된 도금층이 부식환경에 노출되었을때 쉽게 적청이 발생하게 된다.
이러한 문제를 개선하기 위해서 도금층의 금속물이 희생방식성을 가지는 Zn계 핫스탬핑 도금기술이 개발되었나 Zn이 가지는 고온의 핫스탬핑 공정에서 고휘발성과 고산화성 문제점과 고온 성형이 발생하는 액체 금속 취화 현상(LME, liquid metal embrittlement)으로 인해 상용화하는데 제약이 많은 실정이다.
US 6,296,805
본 발명의 실시예들은, 알루미늄계 도금층을 형성함에 있어서 Si, Zn, Mg 및 Sr를 적정 비율 첨가하여 희생방식성을 가지며 동시에 가공성이 우수한 열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품을 제공한다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 베이스 강판; 및 상기 베이스 강판 상에 배치되며, 아연(Zn): 20 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg): 0.2 wt% 내지 3 wt%, 실리콘(Si): 1 wt% 내지 5 wt%, 스트론튬(Sr): 0.01wt% 내지 0.5wt%, 잔부의 알루미늄(Al) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 도금층을 구비하는, 열간 프레스용 강판을 제공한다..
본 실시예에 따르면, 상기 도금층은 표면에 Sr계 산화막을 구비할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 Sr계 산화막의 평균 두께는 10nm 이상 5㎛이하일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 도금층 표층의 마그네슘(Mg)은 Mg계 금속간 화합물로 분포되고, 상기 Mg계 금속간 화합물의 80% 이상은 상기 도금층 표층에 위치한 아연 농화 영역(Zn rich)에 분포될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 Mg계 금속간 화합물은 Mg2Si상을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 도금층 표면에 분포된 상기 Mg2Si상은 2% 내지 10%의 상분율을 가질 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 베이스 강판; 및 상기 베이스 강판 상에 배치되며, 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 스트론튬(Sr), 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 도금층을 구비하고, 상기 도금층은 상기 베이스 강판으로부터 순차적으로 적층된 합금화 저지층, 중간 합금층 및 내식성 강화층을 포함하고, 상기 내식성 강화층은 스트론튬(Sr)을 포함하는 표면 산화층을 구비하는, 핫 스탬핑 부품을 제공한다.
본 실시예에 따르면, 상기 표면 산화층의 평균 두께는 10㎛ 미만일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 표면 산화층은 아연(Zn) 30wt% 이상 70wt% 이하, 산소(O) 5wt% 이상 20wt% 이하, 철(Fe) 3wt% 이상 20wt% 이하, 마그네슘(Mg) 0.5wt% 이상 10wt% 이하, 알루미늄(Al) 0.5wt% 이상 20wt%이하, 실리콘(Si) 0이상 5wt% 이하 및 스트론튬(Sr) 0이상 1wt% 이하를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 내식성 강화층은 아연(Zn)이 농화된 제1 농화부 및 마그네슘(Mg)이 농화된 제2 농화부를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 합금화 저지층은 철(Fe): 70 wt% 내지 90 wt%, 알루미늄(Al): 5 wt% 내지 15 wt% 및 실리콘(Si): 0.5 wt% 내지 4 wt%을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 중간 합금층은 철(Fe): 35 wt% 내지 45 wt%, 알루미늄(Al): 30 wt% 내지 45 wt%, 실리콘(Si): 0.5 wt% 내지 5 wt% 및 아연(Zn): 5 wt% 내지 20 wt%을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 내식성 강화층은 철(Fe): 20 wt% 내지 45 wt% 및 알루미늄(Al): 10 wt% 내지 35 wt%을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 제1 농화부는 1㎛ 이상 10㎛ 이하의 평균 두께를 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 도금층의 평균 두께는 15㎛ 내지 40㎛일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 알루미늄계 도금층을 형성함에 있어서 Si, Zn, Mg 및 Sr을 적정 비율 첨가하여 희생방식성을 가지며 동시에 가공성이 우수한 열간 프레스용 강판 및 이를 이용하여 제조된 핫 스탬핑 부품을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 도금층 표면에서 특정 원소를 맵핑한 이미지들이다.
도 4는 도 1의 열간 프레스용 강판의 제조 방법을 개략적으로 도시한 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 단면 이미지이다.
도 6은 도 5의 핫 스탬핑 부품의 도금층 표면을 나타낸 이미지이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 핫 스탬핑 부품의 표면 이미지들이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 도금층의 표면에서부터 깊이 방향을 따라 각 원소의 함량을 분석한 결과를 나타낸 그래프들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 스트론튬(Sr) 분포를 SIMS로 측정한 2D 이미지이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 스트론튬(Sr) 분포를 SIMS로 측정한 3D 이미지이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 도금층의 단면을 기준으로 아연(Zn) 성분을 맵핑한 이미지이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도금층의 단면을 기준으로 마그네슘(Mg) 성분을 맵핑한 이미지이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
본 명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서에서 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
본 명세서에서 x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에서 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 단면을 도시한 단면도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 도금층 표면에서 특정 원소를 맵핑한 이미지들이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판(10)은 베이스 강판(100) 및 상기 베이스 강판(100)의 상에 위치한 도금층(200)을 포함할 수 있다.
베이스 강판(100)은 소정의 합금 원소를 소정 함량 포함하도록 주조된 강 슬라브에 대해 열연 공정 및 냉연 공정을 진행하여 제조된 강판일 수 있다. 일 예로, 베이스 강판(100)은 제1 합금 조성을 포함할 수 있다. 제1 합금 조성은 탄소(C) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 실리콘(Si) 0.01wt% 이상 3.0wt% 이하, 망간(Mn) 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하, 인(P) 0 초과 0.1wt% 이하, 황(S) 0 초과 0.1wt% 이하, 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.
또한, 제1 합금 조성은 보론(B), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상의 성분을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 합금 조성은 보론(B) 0.0001wt% 이상 0.005wt% 이하, 티타늄(Ti) 0.01wt% 이상 0.1wt% 이하, 니오븀(Nb) 0.01wt% 이상 0.1wt% 이하, 크롬(Cr) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 몰리브덴(Mo) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 및 니켈(Ni) 0.01wt% 이상 1.0wt% 이하 중 하나 이상의 성분을 더 포함할 수 있다.
탄소(C)는 베이스 강판(100)의 강도 및 경도를 결정하는 주요 원소이며, 열간 프레스 공정 이후, 베이스 강판(100)의 인장강도를 확보하고, 소입성 특성을 확보하기 위한 목적으로 첨가된다. 이러한 탄소는 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt%로 포함될 수 있다. 탄소의 함량이 0.01wt% 미만인 경우, 베이스 강판(100)의 기계적 강도를 확보하기 어려우며, 반면에 탄소의 함량이 0.5wt%를 초과하면, 베이스 강판(100)의 인성 저하 또는 취성 제어 문제가 야기될 수 있다.
실리콘(Si)은 베이스 강판(100) 내 페라이트 안정화 원소로 작용한다. 실리콘(Si)은 고용 강화 원소로서 베이스 강판(100)의 연성을 향상시키며, 저온역 탄화물의 형성을 억제함으로써 오스테나이트 내 탄소 농화도를 향상시킬 수 있다. 또한, 실리콘(Si)은 열연, 냉연, 열간 프레스 조직 균질화(펄라이트, 망간 편석대 제어) 및 페라이트 미세 분산의 핵심 원소이다. 이러한 실리콘은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 3.0wt% 포함될 수 있다. 실리콘이 0.01wt% 미만으로 포함되는 경우, 상술한 효과를 얻기 어려우며, 반대로 실리콘의 함량이 3.0wt%를 초과하면, 열연, 냉연 부하가 증가하며 열연 붉은형 스케일이 과다해지고 베이스 강판(100)의 도금 특성이 저하될 수 있다.
망간(Mn)은 열처리시 소입성 및 강도 증가 목적으로 첨가된다. 망간은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하 포함될 수 있다. 망간의 함량이 0.3wt% 미만이면, 결정립 미세화 효과가 충분하지 못하여, 열간 프레스 후 성형품 내의 경질상 분율이 미달될 수 있다. 반면에, 망간의 함량이 5.0wt%를 초과하면, 망간 편석 또는 펄라이트 밴드에 의한 연성 및 인성이 저하될 수 있으며, 굽힘 성능 저하의 원인이 되고 불균질 미세조직이 발생할 수 있다.
인(P)은, 베이스 강판(100)의 인성 저하를 방지하기 위해, 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0 초과 0.1wt% 이하로 포함될 수 있다. 인이 0.1wt%를 초과하여 베이스 강판(100) 포함되면, 인화철 화합물이 형성되어 인성이 저하되고, 제조 공정 중 베이스 강판(100)에 크랙이 유발될 수 있다.
황(S)은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0 초과 0.1wt% 이하 포함될 수 있다. 황의 함량이 0.1wt%를 초과하면 열간 가공성이 저하되고, 거대 개재물 생성에 의해 크랙 등 표면 결함이 발생할 수 있다.
보론(B)은 마르텐사이트 조직을 확보함으로써, 베이스 강판(100)의 소입성 및 강도를 확보하는 목적으로 첨가되며, 오스테나이트 결정립 성장 온도 증가로 결정립 미세화 효과를 가진다. 보론은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.0001wt% 내지 0.005wt%로 포함될 수 있다. 보론이 상기 범위로 포함 시 경질상 입계 취성 발생을 방지하며, 고인성과 굽힘성을 확보할 수 있다.
티타늄(Ti)은 열간 프레스 열처리 후 석출물 형성에 의한 소입성 강화 및 재질 상향 목적으로 첨가될 수 있다. 또한, 고온에서 Ti(C,N) 등의 석출상을 형성하여, 오스테나이트 결정립 미세화에 효과적으로 기여한다. 티타늄은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.1wt% 포함될 수 있다. 티타늄이 상기 함량범위로 포함되면, 연주 불량 및 석출물 조대화를 방지하고, 강재의 물성을 용이하게 확보할 수 있으며, 강재 표면에 크랙 발생 등의 결함을 방지할 수 있다.
니오븀(Nb)은 마르텐사이트(Martensite) 패캣 크기(Packet size) 감소에 따른 강도 및 인성 증가를 목적으로 첨가된다. 니오븀은 베이스 강판(100) 전체 중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.1wt 포함될 수 있다. 니오븀이 상기 범위로 포함시 열간압연 및 냉간 압연 공정에서 강재의 결정립 미세화 효과가 우수하고, 제강/연주시 슬라브의 크랙 발생과, 제품의 취성 파단 발생을 방지하며, 제강성 조대 석출물 생성을 최소화할 수 있다.
크롬(Cr)은 베이스 강판(100)의 소입성 및 강도를 향상시키는 목적으로 첨가된다. 크롬은 베이스 강판(100) 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt% 포함될 수 있다. 크롬이 상기 범위로 포함시 베이스 강판(100)의 소입성 및 강도를 향상시키며, 생산비 증가와 강재의 인성 저하를 방지할 수 있다.
몰리브덴(Mo)은 열간압연 및 열간 프레스 중 석출물의 조대화 억제 및 소입성 증대를 통해 베이스 강판(100)의 강도 향상에 기여할 수 있다. 이와 같은 몰리브덴(Mo)은 베이스 강판(100) 전체 중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt% 로 포함될 수 있다.
도금층(200)은 베이스 강판(100)의 적어도 일면에 20~200g/㎡의 부착량으로 형성될 수 있다. 여기서 도금층(200)의 부착량에 따라 도금층(200)의 두께가 결정될 수 있다. 도금층(200)의 부착량이 50/㎡ 미만인 경우 내식성이 저하되며, 도금층(200)의 부착량이 200g/㎡를 초과하면 열간 프레스용 강판(10)의 생산성이 저하되고, 열간 프레스 공정 중 롤러 또는 금형에 도금층(200)이 부착되어 베이스 강판(100)으로부터 도금층(200)이 박리될 수 있다.
일 실시예(제1 실시예)로, 도금층(200)은 실리콘(Si), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 잔부의 알루미늄(Al) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.
실리콘(Si)은 도금 시 합금층의 성장을 감소시킴으로써 도금층(200)의 가공성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 실리콘(Si)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 1wt% 이상 5wt% 이하 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1wt% 내지 4wt%로 포함될 수 있다. 실리콘(Si)의 함량이 1wt% 미만인 경우에는 도금층(200)의 핫 스탬핑 열처리 공정에서 합금층 성장을 제어하는데 불충분하여 가공 시 도금층(200)의 가공성이 감소할 수 있다. 또한, 실리콘(Si)의 함량이 5wt%를 초과하는 경우 냉연 공정 도금 시 실리콘(Si)이 조대한 단상 형태로 석출되어 가공성 및 내식성이 저하될 수 있다. 이처럼 실리콘(Si)이 과도하게 포함된 경우 열간 프레스용 강판(10)은 일반 건재용이나 가전용으로 사용하기에 물성이 불충분할 수 있다. 또한, 실리콘(Si)이 과도하게 포함된 경우 열간 프레스용 강판(10)을 핫 스탬핑한 후 후술할 중간 합금층(220)에 실리콘(Si) 함량이 높은 상이 증가하게 되고, 실리콘(Si) 함량이 높은 상의 분율이 증가할 수록 핫 스탬핑 후 도금층(200)의 내식성은 저하될 수 있다.
아연(Zn)은 희생 방식 능력을 향상시키기 위한 목적으로 첨가될 수 있다. 아연(Zn)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 20wt% 내지 45wt% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 25wt% 내지 40wt%로 포함될 수 있다. 아연(Zn)의 함량이 20wt% 미만인 경우 도금층(200)에 포함된 아연(Zn)의 함량이 부족하여 희생 방식성을 통한 내식성을 발현하기에 부족할 수 있다. 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 냉연 도금 공정에서 아연(Zn)성분이 도금욕에서 비산되어 Zn Ash(ZnO) 결함을 발생시킬 수 있는 확률이 높아지기 때문에 도금 품질이 저하될 수 있다. 또한, 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 핫 스탬핑 열처리 후 고온 가공 시 가공부에 액체금속 취화 현상이 일어날 확률이 높아질 수 있다.
한편, 다른 실시예(제2 실시예)로, 아연(Zn)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 30wt% 내지 45wt% 포함될 수도 있다. 이와 같이 아연(Zn)의 함량을 30wt% 이상으로 제어함으로써 도 5를 참조하여 후술하는 바와 같이 핫 스탬핑 부품(20) 도금층(200')의 중간 합금층(220)에 아연 농화상(Zn rich phase)이 충분히 형성될 수 있다.
마그네슘(Mg)은 내식성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 마그네슘(Mg)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 0.2wt% 내지 3wt% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.2wt% 내지 2.5wt%로 포함될 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 0.2wt%미만인 경우 내식성 개선 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 3wt%를 초과하는 경우 과도한 마그네슘(Mg) 산화에 의해서 도금 시 표면 품질이 저해될 수 있다.
한편, 도금층(200) 표층에는 알루미늄 농화 영역(Al-rich) 및 아연 농화 영역(Zn-rich)이 존재할 수 있다. 알루미늄 농화 영역(Al-rich)은 알루미늄(Al)이 고비율로 집중된 영역을 의미하고, 아연 농화 영역(Zn-rich)은 아연(Zn)이 고비율로 집중된 영역을 의미할 수 있다. 또한, 도금층(200)의 표층에는 마그네슘(Mg)의 화합물 및/또는 마그네슘(Mg)의 합금상을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3은 도금층(200) 표층에서 특정 원소를 맵핑한 이미지들로서, 도 2는 알루미늄(Al)을 맵핑한 이미지이고, 도 3은 마그네슘(Mg)을 맵핑한 이미지이다. 도 2에서 유색(예, 녹색)으로 표현된 부분은 알루미늄(Al)이 집중된 영역이고, 검은색으로 표현된 부분에는 주로 마그네슘(Mg)이 분포될 수 있다. 또한, 도 3에서 유색(예, 적색)으로 표현된 부분은 마그네슘(Mg)이 집중된 영역일 수 있다.
일 실시예로, 도금층(200)의 표층에 존재하는 마그네슘(Mg)은 마그네슘(Mg)을 포함하는 Mg계 금속간 화합물로 분포될 수 있다. 도금층(200)의 표면에 존재하는 Mg계 금속간 화합물의 면적 분율은 약 2% 이상 20% 이하 일 수 있다. 보다 구체적으로, 도금층(200)의 표면에 존재하는 Mg계 금속간 화합물은 주로 아연 농화 영역(Zn-rich)에 분포될 수 있다. 일 예로, 도금층(200)의 표면에 존재하는 Mg계 금속간 화합물의 80% 이상이 아연 농화 영역(Zn-rich)에 분포될 수 있다. Mg계 금속간 화합물은 견고한 내식성을 가지고 있는 알루미늄 농화 영역(Al-Rich)의 Al2O3 산화막을 붕괴시킬 수 있으므로, 분율이 2% 내지 20%인 것이 바람직하며, 그 중 80% 이상이 아연 농화 영역(Zn-Rich)에 분포되어 있는 것이 바람직하다.
Mg계 금속간 화합물은 일 예로, Mg2Si상을 포함할 수 있다. Mg2Si상은 도금층(200)에 포함된 실리콘(Si)과 마그네슘(Mg)이 반응하여 형성되는 것으로, Mg2Si상은 내식성을 향상시키는 석출상일 수 있다. Mg2Si상은 도금층(200)의 표면 및 내부에 모두 분포될 수 있다. 따라서, 도금층(200)의 표면에는 Mg2Si상이 분포된다고 함은, 도금층(200)의 표면을 통해 Mg2Si상의 일부가 노출되는 것을 의미할 수 있다. 일 실시예로, 도금층(200)의 표면에 분포된 Mg2Si상의 분율은 약 2% 내지 10% 일 수 있다. 이러한 Mg2Si상은 부식환경에서 아연 농화 영역(Zn-rich)으로 빠르게 관통되어 베이스 강판(100)을 향해 내려가는 부식 속도를 감소시킬 수 있을 뿐만 아니라, Mg2Si상으로부터 용출되어 나오는 마그네슘(Mg)은 아연 산화물 중 내식성을 향상시키는 시몬콜라이트의 생성을 안정화시키는 역할을 하게 되어 도금층(200)의 내식성을 한층 더 강화할 수 있다.
한편, 마그네슘(Mg)과 실리콘(Si)의 함량이 상술한 범위를 초과하는 경우 도금층(200) 표면에 다량의 망상형 Mg2Si상을 형성하게 되는데, 이는 부식환경에서 도금층(200) 표면의 알카리도를 상승시키는 동시에 갈바닉 부식의 생성처를 만들 수 있다. 이러한 현상은 알루미늄 산화막(Al2O3)에 의해서 견고한 내식성을 가지고 있는 알루미늄 농화 영역(Al-rich)을 산화막을 붕괴시킬 뿐만 아니라 공식을 발생시켜 내식성을 감소시킬 수 있다. 이러한 현상을 최소화하기 위해, 상술한 것과 같이 도금층(200) 표면에 분포된 Mg2Si상의 분율의 범위는 2% 내지 10%일 수 있다. 도금층(200) 표면에 분포된 Mg2Si상의 분율이 2% 미만으로 생성될 경우 아연 농화 영역(Zn-rich)의 부식 관통 제어가 부족하며, 도금층(200) 표면을 통해 노출된 Mg2Si상의 분율이 10%을 초과하여 생성될 경우 부식환경에서 공식을 발생시킬 확률이 급격히 높아질 수 있다.
한편, 이러한 Mg2Si상은 열간 프레스용 강판(10)을 핫 스탬핑한 후에는 잔존하지 않을 수 있다.
다른 실시예(제3 실시예)로, 도금층(200)은 실리콘(Si), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 잔부의 알루미늄(Al) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하고, 추가적으로 스트론튬(Sr)을 더 포함할 수 있다.
실리콘(Si)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 1wt% 이상 5wt% 이하 포함될 수 있으며, 바람직하게는 1wt% 내지 4wt%로 포함될 수 있고, 더욱 바람직하게는 1wt% 내지 3.5wt%로 포함될 수 있다. 아연(Zn)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 20wt% 내지 45wt% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 25wt% 내지 40wt%로 포함될 수 있고, 더욱 바람직하게는 30wt% 내지 45wt% 포함 될 수 있다. 마그네슘(Mg)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 0.2wt% 내지 3wt% 포함될 수 있으며, 바람직하게는 0.2wt% 내지 2.5wt%로 포함될 수 있고, 더욱 바람직하게는 0.2wt% 내지 2wt%로 포함될 수 있다. 실리콘(Si), 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)에 대한 설명은 전술한 실시예와 동일하다.
스트론튬(Sr)은 희생 방식 능력 및 용접성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 스트론튬(Sr)은 도금욕 온도에 의해 도금층(200) 표면으로 빠르게 확산되어 도금층(200) 표면에 견고하고 얇은 Sr계 산화막을 형성할 수 있다. 이러한 Sr계 산화막은 도금층(200) 내에서 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg) 등을 포함하는 금속 산화물을 최소화시키는 역할을 할 수 있다.
본 실시예에서 도금층(200)은 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 알루미늄 농화 영역(Al-rich) 및 아연 농화 영역(Zn-rich)을 포함할 수 있다. Sr계 산화막은 알루미늄 농화 영역(Al-rich) 및 아연 농화 영역(Zn-rich)의 상부에 형성될 수 있다. 즉, Sr계 산화막은 알루미늄 농화 영역(Al-rich) 및 아연 농화 영역(Zn-rich)이 존재하는 도금층(200) 표층의 표면에 위치할 수 있다. 일 실시예로, 도금층(200) 표면에 형성되는 Sr계 산화막의 평균 두께는 5㎛이하, 보다 구체적으로는 10nm 내지 5㎛일 수 있다. Sr계 산화막은 도금층(200) 표면에서 연속적 또는 불연속적으로 형성될 수 있다.
스트론튬(Sr)은 도금층(200) 전체 중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt% 포함될 수 있다. 스트론튬(Sr)의 함량이 0.01wt%미만인 경우 스트론튬(Sr) 첨가에 따른 산화 감소 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있고, 스트론튬(Sr)의 함량이 0.5wt%를 초과하는 경우 과도한 스트론튬(Sr) 산화물 생성으로 인해 도금 시 일부 영역이 미도금되거나 도금층(200)의 외관이 저해될 수 있다.
도 4는 도 1의 열간 프레스용 강판의 제조 방법을 개략적으로 도시한 순서도이다. 이하에서는 도 1 및 도 4를 함께 참조하여 열간 프레스용 강판의 제조 방법을 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 열간 프레스용 강판의 제조 방법은 강 슬라브의 열간 압연 단계(S310), 냉각/권취 단계(S320), 냉간 압연 단계(S330), 소둔 열처리 단계(S340), 및 용융 도금 단계(S350)를 포함할 수 있다.
먼저, 도금강판을 형성하는 공정의 대상이 되는 반제품 상태의 강 슬라브를 준비한다. 상기 강 슬라브는 탄소(C) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 실리콘(Si) 0.01wt% 이상 3.0wt% 이하, 망간(Mn) 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하, 인(P) 0 초과 0.1wt% 이하, 황(S) 0 초과 0.1wt% 이하, 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.
열간 압연을 위해 상기 강 슬라브의 재가열 단계가 진행된다. 상기 강 슬라브 재가열 단계에서는 연속 주조 공정을 통해 확보한 강 슬라브를 소정의 온도로 재가열하는 것을 통하여, 주조 시 편석된 성분을 재고용하게 된다. 일 실시예에서, 슬라브 재가열 온도(slab reheating temperature, SRT)는 1200
Figure pat00001
내지 1400
Figure pat00002
일 수 있다. 슬라브 재가열 온도(SRT)가 1200
Figure pat00003
보다 낮은 경우에는 주조 시 편석된 성분이 충분히 재고용되지 못해 합금 원소의 균질화 효과를 크게 보기 어렵고, 티타늄(Ti)의 고용 효과를 크게 보기 어렵다는 문제점이 있다. 슬라브 재가열 온도(SRT)는 고온일수록 균질화에 유리하나 1400
Figure pat00004
를 초과할 경우에는 오스테나이트 결정 입도가 증가하여 강도 확보가 어려울 뿐만 아니라 과도한 가열 공정으로 인하여 강판의 제조 비용만 상승할 수 있다.
열간 압연 단계(S310)에서는 재가열된 강 슬라브를 소정의 마무리 압연 온도에서 열간 압연한다. 일 실시 예에서, 마무리 압연 온도(Finishing Delivery Temperature: FDT)는 880
Figure pat00005
내지 950
Figure pat00006
일 수 있다. 이때, 마무리 압연 온도(FDT)가 880
Figure pat00007
보다 낮으면, 이상영역 압연에 의한 혼립 조직이 발생으로 강판의 가공성 확보가 어렵고, 미세조직 불균일에 따라 가공성이 저하되는 문제가 있을 뿐만 아니라 급격한 상 변화에 의해 열간압연중 통판성의 문제가 발생한다. 마무리 압연 온도(FDT)가 950
Figure pat00008
를 초과할 경우에는 오스테나이트 결정립이 조대화된다. 또한, TiC 석출물이 조대화되어 최종 부품 성능이 저하될 위험이 있다.
냉각/권취 단계(S320)에서는 열간 압연된 강판을 소정의 권취 온도(Coiling Temperature: CT)까지 냉각하여 권취한다. 일 실시 예에 있어서, 상기 권취 온도는 550
Figure pat00009
내지 800
Figure pat00010
일 수 있다. 상기 권취 온도는 탄소(C)의 재분배에 영향을 미치며, 권취 온도가 550
Figure pat00011
미만일 경우에는 과냉으로 인한 저온상 분율이 높아져 강도 증가 및 냉간압연 시 압연부하가 심화될 우려가 있으며, 연성이 급격히 저하되는 문제점이 있다. 반대로, 권취 온도가 800
Figure pat00012
를 초과할 경우에는 이상 결정입자 성장이나 과도한 결정입자 성장으로 성형성 및 강도 열화가 발생하는 문제가 있다.
냉간 압연 단계(S330)에서는 권취된 강판을 언코일링(uncoiling)하여 산세 처리한 후, 냉간 압연한다. 이때, 산세는 권취된 강판, 즉 상기의 열연과정을 통하여 제조된 열연 코일의 스케일을 제거하기 위한 목적으로 실시하게 된다.
소둔 열처리 단계(S340)는 상기 냉연 강판을 700
Figure pat00013
이상의 온도에서 소둔 열처리하는 단계이다. 일 구체예에서 소둔 열처리 온도는 700
Figure pat00014
내지 850
Figure pat00015
일 수 있다. 소둔은 수소 10 ~ 30%, 질소 70 ~ 90%로 구성된 환원 분위기에서 실시할 수 있다. 소둔 열처리는 냉연 판재를 가열하고, 가열된 냉연 판재를 소정의 냉각속도로 냉각하는 단계를 포함할 수 있다.
용융 도금 단계(S350)는 소둔 열처리된 강판에 대해 도금층을 형성하는 단계이다. 용융 도금 단계(S350)에서, 상기 소둔 열처리된 강판, 즉, 베이스 강판(100) 상에 도금층(200)을 형성할 수 있다.
구체적으로, 용융 도금 단계(S350)는 베이스 강판(100)을 500
Figure pat00016
내지 660
Figure pat00017
, 더욱 바람직하게는 550
Figure pat00018
내지 660
Figure pat00019
의 온도를 가지는 도금욕에 침지시켜 베이스 강판(100)의 표면에 용융도금층을 형성하는 단계와 상기 용융도금층이 형성된 상기 베이스 강판(100)을 냉각시켜 도금층(200)을 형성하는 냉각 단계를 포함할 수 있다.
도금층(200)은 베이스 강판(100)의 적어도 일면 상에 20g/m2 내지 300g/m2의 부착량으로 형성될 수 있다. 도금층(200)의 두께는 용융도금층이 형성된 베이스 강판(100)을 냉각하기 전에, 공기 또는 가스를 베이스 강판(100) 상에 분사하여 용융 도금층을 와이핑함으로써, 용융도금층의 두께를 조절할 수 있다.
일 실시예(제1 실시예)로, 도금욕은 실리콘(Si) 1 wt% 내지 5 wt%, 아연(Zn) 20 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 3 wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 도금층(200)은 Al-Si-Zn-Mg계 도금층일 수 있다.
도금욕에 포함된 실리콘(Si)은 도금 시 합금층의 성장을 감소시킴으로써 도금층(200)의 가공성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 실리콘(Si)의 함량이 1wt% 미만인 경우에는 도금층(200)의 핫 스탬핑 열처리 공정에서 합금층 성장을 제어하는데 불충분하여 가공 시 도금층(200)의 가공성이 감소할 수 있다. 또한, 실리콘(Si)의 함량이 5wt%를 초과하는 경우 냉연 공정 도금 시 실리콘(Si)이 조대한 단상 형태로 석출되어 가공성 및 내식성이 저하될 수 있다.
도금욕에 포함된 아연(Zn)은 희생 방식 능력을 향상시키기 위한 목적으로 첨가될 수 있다. 아연(Zn)의 함량이 20wt% 미만인 경우 도금층(200)에 포함된 아연(Zn)의 함량이 부족하여 희생 방식성을 통한 내식성을 발현하기에 부족할 수 있다. 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 냉연 도금 공정에서 아연(Zn)성분이 도금욕에서 비산되어 Zn Ash(ZnO) 결함을 발생시킬 수 있는 확률이 높아지기 때문에 도금 품질이 저하될 수 있다. 또한, 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 핫 스태핑 열처리 후 고온 가공 시 가공부에 액체금속 취화 현상이 일어날 확률이 높아질 수 있다.
도금욕에 포함된 마그네슘(Mg)은 내식성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 0.2wt%미만인 경우 내식성 개선 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 3wt%를 초과하는 경우 과도한 마그네슘(Mg) 산화에 의해서 도금 시 표면 품질이 저해될 수 있다.
다른 실시예(제2 실시예)로, 도금욕은 실리콘(Si) 1 wt% 내지 5 wt%, 아연(Zn) 30 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 3 wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 상술한 공정을 거쳐 형성된 도금층(200)은 Al-Si-Zn-Mg계 도금층일 수 있다. 실리콘(Si) 및 마그네슘(Mg)의 함량은 전술한 실시예와 동일하다.
도금욕에 포함된 아연(Zn)은 희생 방식 능력을 향상시키기 위한 목적으로 첨가될 수 있다. 아연(Zn)의 함량이 30wt% 미만인 경우 도 5 등을 참조하여 후술할 핫 스탬핑 부품(20)의 도금층(200')에 포함된 아연(Zn)의 함량이 부족하여 도금층(200') 내에 후술할 아연 농화상(Zn rich phase)이 적정 범위 내로 형성되지 않을 수 있다. 상기 아연 농화상(Zn rich phase)을 통해 도금층(200')의 희생 방식성을 통한 내식성을 더욱 향상시킬 수 있다. 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 냉연 도금 공정에서 아연(Zn)성분이 도금욕에서 비산되어 Zn Ash(ZnO) 결함을 발생시킬 수 있는 확률이 높아지기 때문에 도금 품질이 저하될 수 있다. 또한, 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 핫 스탬핑 열처리 후 고온 가공 시 가공부에 액상금속취화 현상이 일어날 수 있다.
다른 실시예(제3 실시예)로, 도금욕은 실리콘(Si) 1 wt% 내지 5 wt%, 아연(Zn) 20 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 3 wt%, 스트론튬(Sr) 0.01wt% 내지 0.5wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 바람직하게, 도금욕은 아연(Zn) 25 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 2.5 wt%, 실리콘(Si) 1 wt% 내지 4 wt%, 스트론튬(Sr) 0.01wt% 내지 0.5wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게, 도금욕은 아연(Zn) 30 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 2 wt%, 실리콘(Si) 1 wt% 내지 3.5 wt%, 스트론튬(Sr) 0.01wt% 내지 0.5wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
도금욕에 포함된 실리콘(Si)은 도금 시 합금층의 성장을 감소시킴으로써 도금층(200)의 가공성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 실리콘(Si)의 함량이 1wt% 미만인 경우에는 도금층(200)의 핫 스탬핑 열처리 공정에서 합금층 성장을 제어하는데 불충분하여 가공 시 도금층(200)의 가공성이 감소할 수 있다. 또한, 실리콘(Si)의 함량이 5wt%를 초과하는 경우 냉연 공정 도금 시 실리콘(Si)이 조대한 단상 형태로 석출되어 가공성 및 내식성이 저하될 수 있다.
도금욕에 포함된 아연(Zn)은 희생 방식 능력을 향상시키기 위한 목적으로 첨가될 수 있다. 아연(Zn)의 함량이 20wt% 미만인 경우 도금층(200)에 포함된 아연(Zn)의 함량이 부족하여 희생 방식성을 통한 내식성을 발현하기에 부족할 수 있다. 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 냉연 도금 공정에서 아연(Zn)성분이 도금욕에서 비산되어 Zn Ash(ZnO) 결함을 발생시킬 수 있는 확률이 높아지기 때문에 도금 품질이 저하될 수 있다. 또한, 아연(Zn)의 ?t량이 45wt%를 초과하는 경우 핫 스태핑 열처리 후 고온 가공 시 가공부에 액체금속 취화 현상이 일어날 확률이 높아질 수 있다.
도금욕에 포함된 마그네슘(Mg)은 내식성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 0.2wt%미만인 경우 내식성 개선 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있다. 마그네슘(Mg)의 함량이 3wt%를 초과하는 경우 과도한 마그네슘(Mg) 산화에 의해서 도금 시 표면 품질이 저해될 수 있다.
도금욕에 포함된 스트론튬(Sr)은 희생 방식 능력 및 용접성을 향상시키는 목적으로 첨가될 수 있다. 스트론튬(Sr)의 함량이 0.01wt%미만인 경우 스트론튬(Sr) 첨가에 따른 산화 감소 효과가 충분히 발현되지 않을 수 있고, 스트론튬(Sr)의 함량이 0.5wt%를 초과하는 경우 과도한 스트론튬(Sr) 산화물 생성으로 인해 도금 시 일부 영역이 미도금되거나 도금층(200)의 외관이 저해될 수 있다.
용융도금층이 형성된 상기 베이스 강판(100)을 냉각시키는 냉각 단계는, 베이스 강판(100)을 도금욕의 온도에서 상온까지 평균냉각속도로 냉각하는 냉각단계를 거칠 수 있는데, 이때 도금욕의 온도에서 상온까지 냉각하는 전체 평균냉각속도는 5
Figure pat00020
/s 내지 30
Figure pat00021
/s일 수 있다.
상술한 공정을 거쳐 형성된 도금층(200)은 Al-Si-Zn-Mg-Sr계 도금층일 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 단면 이미지이고, 도 6은 도 5의 핫 스탬핑 부품의 도금층 표면을 나타낸 이미지이다. 도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품의 표면 이미지이고, 도 7b는 본 발명의 비교예에 따른 핫 스탬핑 부품의 표면 이미지이다.
도 5 및 도 6을 함께 참조하면, 핫 스탬핑 부품(20)은 베이스 강판(100') 및 베이스 강판(100') 상에 부착된 도금층(200')을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품(20)은 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 열간 프레스용 강판(10)에 핫 스탬핑 공정을 적용함으로써 제조될 수 있다.
베이스 강판(100')은 소정의 합금 원소를 소정 함량 포함하도록 주조된 슬래브에 대해 열연 공정 및/또는 냉연 공정을 진행하여 제조된 강판일 수 있다. 일 실시예로, 베이스 강판(100')은 제1 합금 조성을 포함할 수 있다. 제1 합금 조성은 탄소(C) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 실리콘(Si) 0.01wt% 이상 3.0wt% 이하, 망간(Mn) 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하, 인(P) 0 초과 0.1wt% 이하, 황(S) 0 초과 0.1wt% 이하, 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다.
또한, 제1 합금 조성은 보론(B), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상의 성분을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 제1 합금 조성은 보론(B) 0.0001wt% 이상 0.005wt% 이하, 티타늄(Ti) 0.01wt% 이상 0.1wt% 이하, 니오븀(Nb) 0.01wt% 이상 0.1wt% 이하, 크롬(Cr) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 몰리브덴(Mo) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 및 니켈(Ni) 0.01wt% 이상 1.0wt% 이하 중 하나 이상의 성분을 더 포함할 수 있다.
탄소(C)는 베이스 강판(100') 내 오스테나이트 안정화 원소로 작용한다. 탄소는 베이스 강판(100')의 강도 및 경도를 결정하는 주요 원소이며, 핫 스탬핑 공정 이후, 베이스 강판(100')의 인장강도를 확보하고, 소입성 특성을 확보하기 위한 목적으로 첨가된다. 탄소는 베이스 강판(100') 전체 중량에 대하여 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하로 포함될 수 있다. 탄소의 함량이 0.01wt% 미만인 경우, 경질상(마르텐사이트 등) 확보가 어려워 베이스 강판(100')의 기계적 강도를 만족시키기 어렵다. 이와 반대로 탄소의 함량이 0.5wt%를 초과하는 경우, 베이스 강판(100')의 취성 발생 또는 굽힘 성능 저감 문제가 야기될 수 있다.
실리콘(Si)은 베이스 강판(100') 내 페라이트 안정화 원소로 작용한다. 실리콘(Si)은 고용 강화 원소로서 베이스 강판(100')의 강도를 향상시키며, 저온역 탄화물의 형성을 억제함으로써 오스테나이트 내 탄소 농화도를 향상시킨다. 또한, 실리콘은 열연, 냉연, 열간 프레스 조직 균질화(펄라이트, 망간 편석대 제어) 및 페라이트 미세 분산의 핵심 원소이다. 실리콘은 마르텐사이트 강도 불균질 제어 원소로 작용하여 충돌성능을 향상시키는 역할을 한다. 이러한 실리콘은 베이스 강판(100') 전체중량에 대하여 0.01wt% 이상 3.0wt% 이하 포함될 수 있다. 실리콘의 함량이 0.01wt% 미만인 경우, 상술한 효과를 얻기 어려우며 최종 핫 스탬핑 마르텐사이트 조직에서 세멘타이트 형성 및 조대화 발생할 수 있고, 베이스 강판의 균일화 효과가 미미하고 V-벤딩각을 확보할 수 없게 된다. 이와 반대로 실리콘의 함량이 0.3wt%를 초과하는 경우, 열연, 냉연 부하가 증가하며 열연 붉은형 스케일이 과다해지고 베이스 강판(100')의 도금 특성이 저하될 수 있다.
망간(Mn)은 베이스 강판(100') 내 오스테나이트 안정화 원소로 작용한다. 망간은 열처리시 소입성 및 강도 증가 목적으로 첨가된다. 이러한 망간은 베이스 강판(100') 전체중량에 대하여 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하 포함될 수 있다. 망간의 함량이 0.3wt% 미만인 경우, 경화능 효과가 충분하지 못하여, 소입성 미달로 핫스탬핑 후 성형품 내의 경질상 분율이 미달될 수 있다. 반면에, 망간의 함량이 5.0wt%를 초과하는 경우, 망간 편석 또는 펄라이트 밴드에 의한 연성 및 인성이 저하될 수 있으며, 굽힘 성능 저하의 원인이 되고 불균질 미세조직이 발생할 수 있다.
인(P)은, 베이스 강판(100')의 인성 저하를 방지하기 위해, 베이스 강판 전체중량에 대하여 0 초과 0.1wt% 이하로 포함될 수 있다. 인의 함량이 0.1wt%를 초과하는 경우, 인화철 화합물이 형성되어 인성 및 용접성이 저하되고, 핫 스탬핑 공정 중 베이스 강판에 크랙이 유발될 수 있다.
황(S)은 베이스 강판(100') 전체 중량에 대하여 0 초과 0.1wt% 이하 포함될 수 있다. 황의 함량이 0.1wt%를 초과하면 핫 스탬핑 이후 열간 가공성, 용접성 및 충격특성이 저하되고, 거대 개재물 생성에 의해 크랙 등 표면 결함이 발생할 수 있다.
보론(B)은 페라이트, 펄라이트 및 베이나이트 변태를 억제하여 마르텐사이트 조직을 확보함으로써, 베이스 강판(100')의 소입성 및 강도를 확보하는 목적으로 첨가되며, 오스테나이트 결정립 성장 온도 증가로 결정립 미세화 효과를 가진다. 보론은 베이스 강판(100') 전체중량에 대하여 0.0001wt% 내지 0.005wt%로 포함될 수 있다. 보론이 상기 범위로 포함시 경질상 입계 취성 발생을 방지하며, 고인성과 굽힘성을 확보할 수 있다.
티타늄(Ti)은 핫 스탬핑 공정 후 석출물 형성에 의한 소입성 강화 및 재질 상향 목적으로 첨가될 수 있다. 또한, 고온에서 Ti(C,N) 등의 석출상을 형성하여, 오스테나이트 결정립 미세화에 효과적으로 기여한다. 티타늄은 베이스 강판(100') 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.1wt% 포함될 수 있다. 티타늄이 상기 함량범위로 포함되면, 연주 불량 및 석출물 조대화를 방지하고, 강재의 물성을 용이하게 확보할 수 있으며, 강재 표면에 크랙 발생 등의 결함을 방지할 수 있다.
니오븀(Nb)은 마르텐사이트(Martensite) 패캣 크기(Packet size) 감소에 따른 강도 및 인성 증가를 목적으로 첨가된다. 니오븀은 베이스 강판(100') 전체 중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.1wt 포함될 수 있다. 니오븀이 상기 범위로 포함시 열간압연 및 냉간 압연 공정에서 강재의 결정립 미세화 효과가 우수하고, 제강/연주시 슬라브의 크랙 발생과, 제품의 취성 파단 발생을 방지하며, 제강성 조대 석출물 생성을 최소화할 수 있다.
크롬(Cr)은 베이스 강판(100')의 소입성 및 강도를 향상시키는 목적으로 첨가된다. 크롬은 베이스 강판(100') 전체중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt% 포함될 수 있다. 크롬이 상기 범위로 포함 시 베이스 강판(100')의 소입성 및 강도를 향상시키며, 생산비 증가와 강재의 인성 저하를 방지할 수 있다.
몰리브덴(Mo)은 열간압연 및 열간 프레스 중 석출물의 조대화 억제 및 소입성 증대를 통해 베이스 강판(100')의 강도 향상에 기여할 수 있다. 이와 같은 몰리브덴(Mo)은 베이스 강판(100') 전체 중량에 대하여 0.01wt% 내지 0.5wt% 로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 부품(20)은 베이스 강판(100') 상에 부착된 도금층(200')을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 핫 스탬핑 공정 후 도금층(200')의 두께는 10㎛ 내지 60㎛일 수 있다. 이때, 도금층(200')의 두께는 도금층(200')의 평균 두께를 의미할 수 있다. 도금층(200')의 두께가 10㎛ 미만인 경우 도금층(200')로서의 내식성을 발휘하기 충분치 않고, 도금층(200')의 두께가 60㎛를 초과하는 경우 핫 스탬핑 공정 중 도금층(200')이 박리될 우려가 있을 수 있다.
일 실시예로, 도금층(200')은 실리콘(Si), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 스트론튬(Sr), 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다. 본 실시예의 도금층(200')을 포함하는 핫 스탬핑 부품(20)은 전술한 제3 실시예에 따른 열간 프레스 강판(10)을 핫 스탬핑하여 형성한 것일 수 있다.
도금층(200')은 베이스 강판(100') 상에 순차적으로 적층된 합금화 저지층(210), 중간 합금층(220) 및 내식성 강화층(230)을 포함할 수 있다.
합금화 저지층(210)은 베이스 강판(100')과 최인접하게 배치된 층으로서, 도금층(200') 내에서 철(Fe) 성분의 함량이 가능 높은 층일 수 있다. 합금화 저지층(210)은 베이스 강판(100') 내의 철(Fe) 성분과 도금층(200') 내의 알루미늄(Al) 성분의 상호 확산에 의해 생성되는 층으로, Fe-Al 및/또는 Fe-Al-Si 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 합금화 저지층(210)은 내식성 강화층(230)에 비해 높은 융점을 가지므로 핫 스탬핑 공정 시 내식성 강화층(230)이 용융되어 알루미늄(Al)이 베이스 강판(100')의 조직 내로 침투하게 되는 액체 금속 취화 현상(Liquid Metal Embrittlement)이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
합금화 저지층(210)의 두께는 20㎛이하, 보다 바람직하게 15㎛이하로 구비될 수 있다. 합금화 저지층(210)의 두께가 20㎛를 초과하여 형성되는 경우, 핫 스탬핑 공정 시 가공 부위의 도금층(200')이 탈락되는 문제가 발생할 수 있다. 합금화 저지층(210)의 두께는 실리콘(Si)의 함량이나 열처리 조건에 의해 제어될 수 있다. 일 실시예로, 합금화 저지층(210)은 철(Fe) 70wt% 이상 90wt% 이하, 알루미늄(Al) 5wt% 이상 15wt% 이하 및 실리콘(Si) 0.5wt% 이상 4wt% 이하를 포함할 수 있다.
중간 합금층(220)은 도금층(200') 전체의 내식성을 형성하는데 주된 역할을 하는 층으로서, 합금화 저지층(210)에 비해 상대적으로 아연(Zn)을 다량 함유할 수 있다. 중간 합금층(220)에 포함된 다량의 아연(Zn)을 통해 도금층(200')의 내식성을 향상 수 있다. 일 실시예로, 중간 합금층(220)은 철(Fe) 35wt% 이상 45wt% 이하, 알루미늄(Al) 30wt% 이상 45wt% 이하, 실리콘(Si) 0.5wt% 이상 5wt% 이하, 및 아연(Zn) 5wt% 이상 20wt% 이하를 포함할 수 있다.
내식성 강화층(230)은 실질적으로 도금층(200')의 표층부에 구비되어 선결적으로 내식성을 담당하는 층으로서, 표면에 산소 침투를 억제하는 치밀한 조직을 형성함으로써 초기 부식 반응에서의 희생 방식 능력을 향상시킬 수 있다. 일 실시예로, 내식성 강화층(230)은 철(Fe) 15wt% 이상 50wt% 이하 및 알루미늄(Al) 10wt% 이상 35wt%이하를 포함하고, 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 스트론튬(Sr)을 포함할 수 있다.
내식성 강화층(230)의 표면에는 스트론튬(Sr)이 산화되어 생성된 표면 산화층이 구비될 수 있다. 일 실시예로, 표면 산화층의 평균 두께는 10㎛ 미만, 보다 구체적으로는 100nm 내지 10㎛일 수 있다. 이러한 표면 산화층은 치밀한 조직으로 형성되어 외부로부터 유입되는 산소를 차단함으로써, 도금층(200') 표층부로의 산소 침투를 억제하고 표면 산화층 자체의 두께가 두꺼워지는 현상을 방지할 수 있다. 일 실시예로, 표면 산화층은 아연(Zn) 30wt% 이상 70wt% 이하, 산소(O) 5wt% 이상 20wt% 이하, 철(Fe) 3wt% 이상 20wt% 이하, 마그네슘(Mg) 0.5wt% 이상 10wt% 이하, 알루미늄(Al) 0.5wt% 이상 20wt%이하, 실리콘(Si) 0이상 5wt% 이하 및 스트론튬(Sr) 0이상 1wt% 이하를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 도 7a은 본 발명의 일 실시예에 따라 스트론튬(Sr)이 첨가된 도금층(200')의 산소(O) 성분을 맵핑한 이미지이고, 도 7b는 비교예로서 스트론튬(Sr)이 첨가되지 않은 도금층의 산소(O) 성분을 맵핑한 이미지이다. 도 7a 및 도 7b에서 나타난 바와 같이, 스트론튬(Sr)이 첨가된 도 7a에서 산소(O)가 분포된 영역의 두께는 스트론튬(Sr)이 첨가되지 않은 도 7b에서 산소(O)가 분포된 영역의 두께보다 현저하게 얇아졌음을 확인할 수 있다. 이와 같이, 얇은 두께로 형성된 표면 산화층은 도금층(200') 표층부로의 산소 침투를 억제하여 산소가 아연(Zn) 및/또는 마그네슘(Mg)과 결합하는 것을 방지할 수 있고, 이를 통해 희생 방식을 할 수 있는 금속 상태의 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)의 함량을 보존함으로써 내식성 측면에서 초기 부식 반응 시 희생 방식 능력을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 이와 같이 도금층(200')의 표면에서 금속 산화물의 두께가 얇아짐에 따라 도금층(200')의 표면 저항을 감소시킴으로써 용접성을 향상시킬 수 있다.
이러한 현상은 도 8a 및 도 8b의 각 원소 별 성분 분석 그래프를 통해서도 확인할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에 따른 도금층의 표면에서부터 깊이 방향을 따라 각 원소의 함량을 분석한 결과를 나타낸 그래프들이다. 도 8a는 전술한 본 발명의 일 실시예인 도 7a에 대응되는 것으로서 스트론튬(Sr)을 포함하는 도금층(200')이고, 도 8b는 전술한 비교예인 도 7b에 대응되는 것으로서 스트론튬(Sr)을 포함하지 않는 도금층이다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 약 10wt% 이상의 산소(O) 함량을 갖는 영역을 고농도 산소층이라 할 때, 도 8a의 도금층(200')에서는 고농도 산소층이 약 1㎛ 두께를 갖는 반면, 도 8b의 도금층에서는 고농도 산소층이 약 5㎛ 두께를 가져 상대적으로 매우 두껍게 형성된 것을 알 수 있다.
보다 구체적으로, 도 8a의 도금층(200')에서 산소(O)의 농도는 표면에서부터 약 1㎛ 이하의 깊이까지 매우 높고, 약 1㎛ 두께를 초과하는 깊이부터 10wt% 이하로 급격히 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 이는 전술한 바와 같이 스트론튬(Sr)이 도금층(200')의 표면에서 산소(O)와 결합하여 표면 산화층을 형성함으로써, 산소(O)가 도금층(200') 내부로 침투하는 것을 방지하는 것을 의미할 수 있다.
반면, 도 8b의 도금층에서 산소(O)의 농도가 표면에서부터 약 5㎛ 이하의 깊이까지 약 10wt% 내지 50wt%로 높고, 약 5㎛ 두께를 초과하는 깊이부터 10wt% 이하로 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 즉, 비교예의 도금층에서는 스트론튬(Sr)을 포함하지 않기에, 도금층의 표면에서 산소(O)의 침투를 충분히 억제시키지 못해 고농도 산소층의 두께가 두꺼워지고, 이는 도금층에 포함된 금속 원소들이 산소(O)와 결합하여 결과적으로 표면 산화층이 두꺼워지는 것을 의미할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 전, 열간 프레스용 강판의 도금층 표면에서 스트론튬(Sr) 분포를 SIMS로 측정한 2D 이미지이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 핫 스탬핑 후, 핫 스탬핑 부품의 도금층 표층부에서 스트론튬(Sr) 분포를 SIMS로 측정한 3D 이미지이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 도금층 내에 포함된 스트론튬(Sr)은 매우 소량이나, 도 9 및 도 10과 같은 SIMS분석을 통해 도금층의 표층부에서 존재하는 스트론튬(Sr)의 분포를 확인할 수 있다.
도 9를 참조하면, 우측 스케일바에 따라 스트론튬(Sr)의 함량을 색으로 표기하였다. 즉, 도 9에서는 상대적으로 밝은 색을 나타낼수록 스트론튬(Sr)의 함량이 많은 것을 의미한다. 도 9에 나타난 것과 같이 SIMS 분석을 통해 도금층의 표면에 스트론튬(Sr)이 집중적으로 분포하고 있음을 확인할 수 있다.
또한, 도 10을 참조하면, 핫 스탬핑 부품의 도금층의 표층부에서 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a)이 나타난다. SIMS분석을 통해 나타난 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a)은 상대적으로 밝은 영역으로 표시되었다. 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a)은 도금층의 표층부 중에서도 극표층에 존재할 수 있으며, 이는 전술한 것과 같이 표면 산화층(233)을 형성할 수 있다. 이와 같이 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a)은 박막의 표면 산화층(233)을 형성하여 도금층 표층부에서 산소 침투를 억제하고, 이를 통해 희생 방식을 할 수 있는 금속 상태의 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)의 함량을 보존함으로써 내식성 측면에서 초기 부식 반응 시 희생 방식 능력을 향상시킬 수 있다.
한편, 내식성 강화층(230)은 도 11 및 도 12를 참조하여 후술하는 아연(Zn)이 농화된 영역과 마그네슘(Mg)이 농화된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어, 아연(Zn)이 농화된 영역(이하, 제1 농화부) 및 마그네슘(Mg)이 농화된 영역(이하, 제2 농화부)은 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a), 즉 표면 산화층(233)의 하부에 위치할 수 있다. 또는, 제1 농화부 및 제2 농화부의 적어도 일부는 스트론튬(Sr)이 농화된 영역(233a)과 혼재할 수도 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 도금층의 단면을 기준으로 아연(Zn) 성분 및 마그네슘(Mg) 성분을 각각 맵핑한 이미지들이다.
일 실시예로, 도금층(200')은 실리콘(Si), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함할 수 있다. 본 실시예의 도금층(200')을 포함하는 핫 스탬핑 부품(20)은 전술한 제1 실시예 또는 제2 실시예에 따른 열간 프레스 강판(10)을 핫 스탬핑하여 형성한 것일 수 있다.
도금층(200')은 베이스 강판(100') 상에 순차적으로 적층된 합금화 저지층(210), 중간 합금층(220) 및 내식성 강화층(230)을 포함할 수 있다. 합금화 저지층(210)은 전술한 실시예와 동일한 바, 이하에서는 중간 합금층(220)과 내식성 강화층(230)의 차이점에 대해 설명한다.
중간 합금층(220)은 도금층(200') 전체의 내식성을 형성하는데 주된 역할을 하는 층으로서, 합금화 저지층(210)에 비해 상대적으로 아연(Zn)을 다량 함유할 수 있다. 중간 합금층(220)에 포함된 다량의 아연(Zn)을 통해 도금층(200')의 내식성을 향상 수 있다.
일 실시예로, 도 1을 참조하여 설명한 핫 스탬핑 전 열간 프레스용 강판(10)의 도금층(200) 내에 아연 함량이 30wt% 내지 45wt% 포함되는 경우, 중간 합금층(220)은 아연이 집중적으로 석출된 아연 농화상(Zn rich phase)을 포함할 수 있다. 도금층(200) 내에 아연 함량이 30wt% 미만으로 포함되는 경우 아연 농화상이 충분히 형성되지 않을 수 있다. 아연 농화상은 중간 합금층(220) 내에서 랜덤하게 석출될 수 있다.
일 실시예로, 중간 합금층(220) 내에서 아연 농화상은 면적분율로 약 3% 이상 10% 이하로 포함될 수 있다. 예컨대, 아연 농화상이 중간 합금층(220) 내에서 3% 미만으로 포함될 경우 희생방식성을 통한 내식성을 발현하기 부족하고, 10% 초과로 포함될 경우 핫 스탬핑 열처리 후 가공 시 또는 용접 시 LME 현상이 발생할 확률이 높아질 수 있다. 따라서, 아연 농화상이 중간 합금층(220) 내에서 약 3% 이상 10% 이하로 포함될 경우 도금층(200)의 내식성을 강화시키고, 아연의 낮은 녹는점으로 인한 LME 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
아연 농화상이 형성되기 위해서는 핫 스탬핑 시 온도를 약 900
Figure pat00022
이상 950
Figure pat00023
이하로 제어하여야 한다. 900
Figure pat00024
이상 내지 950
Figure pat00025
이하의 온도에서 핫 스탬핑을 할 경우 도금층(200) 내의 알루미늄 상에 분포되어 있던 아연이 빠져나와 중간 합금층(220) 내에서 석출될 수 있다. 예컨대, 핫 스탬핑 시 온도가 900
Figure pat00026
미만인 경우 아연의 확산이 비교적 약하게 일어나 중간 합금층(220) 내에 아연 농화상이 형성되지 않고, 핫 스탬핑 시 온도가 950
Figure pat00027
를 초과하는 경우 과도한 Zn Ash(ZnO) 결함을 발생시켜 도금층(200)의 표면 외관 및 도금 품질이 저해될 수 있다.
중간 합금층(220)에 포함된 아연 농화상을 통해 도금층(200)의 내식성을 향상 수 있다. 일 실시예로, 아연 농화상은 아연(Zn) 50wt% 이상 99wt% 이하, 철(Fe) 5wt% 이상 20wt% 이하, 알루미늄(Al) 0wt% 이상 5wt% 이하, 실리콘(Si) 0wt% 이상 1wt% 이하, 및 마그네슘(Mg) 0wt% 이상 5wt% 이하를 포함할 수 있다.
내식성 강화층(230)은 실질적으로 도금층(200)의 표층부에 구비되어 선결적으로 내식성을 담당하는 층으로서, 아연(Zn)이 농화된 영역(이하, 제1 농화부)과 마그네슘(Mg)이 농화된 영역(이하, 제2 농화부)을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 내식성 강화층(230)은 철(Fe) 20wt% 이상 45wt% 이하 및 알루미늄(Al) 10wt% 이상 35wt%이하와, 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)을 포함할 수 있다. 이하, 도 11 및 도 12를 참조하여 제1 농화부 및 제2 농화부에 대해 자세히 설명한다.
도 11 및 도 12를 함께 참조하면, 내식성 강화층(230)은 아연(Zn)이 농화된 제1 농화부(231, 도 11 참조) 및 마그네슘(Mg)이 농화된 제2 농화부(232, 도 12 참조)를 포함할 수 있다. 제1 농화부(231) 및 제2 농화부(232)는 부식 환경에서 화학적 반응에 관여하여 생성된 부식생성물에 의해 내식성을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
이러한 제1 농화부(231) 및 제2 농화부(232)는 핫 스탬핑 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 제1 농화부(231) 및 제2 농화부(232)는 핫 스탬핑 공정 전 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 열간 프레스 강판(10)의 도금층(200)에는 존재하지 않는 것일 수 있다. 열간 프레스 강판(10)의 도금층(200) 내에 분포되어 있던 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg) 성분은 핫 스탬핑 공정을 거치는 과정에서 도금층(200)의 표층부로 이동하게 되고, 핫 스탬핑 부품(20)의 내식성 강화층(230)에 제1 농화부(231) 및 제2 농화부(232)로서 분포될 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 것과 같이, 제1 농화부(231) 및 제2 농화부(232)는 각각이 별개의 층상 구조로 형성될 수 있다. 또는, 일부 영역에서 제1 농화부(231)와 제2 농화부(232)는 서로 혼재되어 구비될 수도 있다. 다시 말해, 일부 영역에서 제1 농화부(231) 상에 제2 농화부(232)가 배치된 구조일 수도 있고, 다른 일부 영역에서 제2 농화부(232) 상에 제1 농화부(231)가 배치된 구조일 수도 있으며, 제1 농화부(231)가 대략 층상 구조로 배치되고 제2 농화부(232)는 제1 농화부(231)를 관통하여 제1 농화부(231)의 상부 또는 하부에 배치된 구조일 수도 있다.
아연(Zn)이 농화된 제1 농화부(231)가 도금층(200')에서 충분한 내식성을 발휘하기 위해서는, 제1 농화부(231)의 평균 두께는 1㎛ 이상 10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상 5㎛ 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 일 실시예로, 제1 농화부(231)는 철(Fe) 2wt% 이상 12wt% 이하, 알루미늄(Al) 0wt% 이상 10wt% 이하, 실리콘(Si) 0wt% 이상 2wt% 이하, 아연(Zn) 40wt% 이상 80wt% 이하 및 마그네슘(Mg) 1wt% 이상 10wt% 이하를 포함할 수 있다.
마그네슘(Mg)이 농화된 제2 농화부(232)는 도금층(200')에서 충분한 내식성을 발휘하기 위해서는, 제2 농화부(232)의 평균 두께는 1㎛ 이상 10㎛ 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 일 실시예로, 제2 농화부(232)는 철(Fe) 10wt% 이상 20wt% 이하, 알루미늄(Al) 1wt% 이상 20wt% 이하, 실리콘(Si) 0wt% 이상 2wt% 이하, 아연(Zn) 5wt% 이상 20wt% 이하 및 마그네슘(Mg) 10wt% 이상 40wt% 이하를 포함할 수 있다.
이하에서는, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
<평가 방법>
실시예로 사용된 강판은 탄소(C) 0.01wt% 이상 0.5wt% 이하, 실리콘(Si) 0.01wt% 이상 3.0wt% 이하, 망간(Mn) 0.3wt% 이상 5.0wt% 이하, 인(P) 0 초과 0.1wt% 이하, 황(S) 0 초과 0.1wt% 이하, 보론(B), 티타늄(Ti), 니오븀(Nb), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 및 니켈(Ni) 중 하나 이상의 성분, 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함한다.
두께 1.0mm의 냉연강판을 50℃ 알칼리 용액에 30분동안 침지시킨 후, 물로 세척하여 표면의 이물질과 기름을 제거한 시편을 준비한다. 이 시편을 소둔처리한 후 도금한다.
소둔은 수소 약 10% 내지 30%, 질소 약 70% 내지 90%로 구성된 환원 분위기에서 실시하며, 소둔 열처리 온도는 700℃ 내지 850℃이다.
도금은 소둔 열처리한 시편을 도금욕 온도로 냉각한 후, 도금욕에 2초간 침적시킨 후 끌어올려 질소 와이핑으로 도금두께를 25㎛ 내외로 조절하고, 5℃/sec 내지 30℃/sec의 냉각속도로 상온까지 냉각하여 응고시킨다. 이때 도금욕 온도는 500℃ 내지 660℃로 한다. 도금욕은 실리콘(Si) 1 wt% 내지 5 wt%, 아연(Zn) 20 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg) 0.2 wt% 내지 3 wt%, 스트론튬(Sr) 0.01wt% 내지 0.5wt%, 및 잔부의 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다.
이상의 조건으로 도금강판을 제조한 후에 핫 스탬핑을 위해 850℃ 내지 960℃로 3분 내지 10분 가열한 후에 상기 가열된 도금강판을 플레스 금형으로 핫 스탬핑 성형을 실시한다. 이때, 핫 스탬핑 성형과 동시에 25℃/초의 냉각속도로 냉각하여 Al-Si-Zn-Mg-Sr계 도금층을 포함한 시편(이하, 핫 스탬핑 부품)을 제작하였다.
<내식성 평가>
전기화학시험(동전위 평가)을 통해 부식 전위를 측정하는 방식으로 내식성을 평가하였다. 본 평가에서는 부식 전위 값이 낮을수록 희생 방식 능력이 우수한 경향을 나타낸다. 따라서, 핫 스탬핑 부품에 대한 비교예(이하, 비교예1)로서 핫 스탬핑 용융아연도금강판(예, Al-10wt%Si 도금강판)의 내식성 X(열위)를 기준으로, 비교예1 대비 부식 전위가 낮을수록 부식 전위 크기에 따라 ◎, ○, △로 평가하였다.
<용접성 평가>
시간에 따른 동저항 변화를 측정하여 측정된 초기 저항 값에 대하여 상대적인 용접성을 평가하였다. 핫 스탬핑 부품에 대한 비교예(이하, 비교예1)로서 핫 스탬핑 용융아연도금강판(예, Al-10wt%Si 도금강판) 대비 동등 이상의 경우는 ◎, 열위한 경우는 △로 평가하였다.
구분 Al(%) Zn(%) Si(%) Mg(%) Sr(%) 표면 산화층 두께(㎛) 용접성 내식성 도금
외관
비교예1 잔부 10 >10 ◎ X ◎
비교예2 잔부 25 3 0.8 0 10~15 △ △ ◎
비교예3 잔부 30 3 0.8 0 15~20 △ ○ ◎
비교예4 잔부 35 3 0.8 0 15~20 △ ○ ◎
비교예5 잔부 40 3 0.8 0 15~25 △ ○ ◎
비교예6 잔부 35 3 0.8 0.005 17 △ ○ ◎
비교예7 잔부 35 3 0.8 0.7 >10 ◎ ◎ △
실시예1 잔부 25 3 0.8 0.02 <10 ◎ ◎ ◎
실시예2 잔부 30 2 0.8 0.05 <10 ◎ ◎ ◎
실시예3 잔부 35 3 0.8 0.2 <10 ◎ ◎ ◎
실시예4 잔부 40 3 1 0.5 <10 ◎ ◎ ○
상기 [표 1]에서 알 수 있는 바와 같이, Al-10wt%Si 도금강판인 비교예1의 경우 희생 방식 능력을 가지고 있는 금속을 도금층에 포함하고 있지 않기 때문에 내식성 평가에서 가장 열위한 결과를 나타내고 있다. 반면, 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)을 포함하는 도금강판인 비교예2 내지 비교예6의 경우 비교예1 보다는 우수한 내식성을 나타내었으나, 스트론튬(Sr)이 첨가된 본 발명의 실시예1 내지 실시예4 보다는 열위한 결과를 나타냄을 확인할 수 있다.
이러한 평가 결과는 표면 산화층의 두께와 관련이 있는데, 비교예2 내지 비교예6의 경우 표면 산화층의 두께가 10㎛ 내지 25㎛ 수준으로 형성된 반면, 실시예1 내지 실시예4의 경우 표면 산화층의 두께가 10㎛ 미만으로 형성되어 상대적으로 더 얇게 형성되었음을 알 수 있다. 이러한 평가 결과는 비교예2 내지 비교예6의 경우 표면에 존재하는 산화물의 양이 많아 초기 희생 방식 능력이 충분히 발현되기 어려운 반면, 실시예1 내지 실시예4의 경우 초기 부식환경에서 선결적인 역할을 담당하는 아연(Zn) 및 마그네슘(Mg)이 산화되지 않고 원소 상태로 활성화되어 있는 비율이 상대적으로 많기 때문에 우수한 내식성 결과를 나타낸다.
또한, 용접성의 경우 스트론튬(Sr)이 미첨가된 비교예2 내지 비교예5 및 스트론튬(Sr)이 기준치 이하로 첨가된 비교예6과, 스트론튬(Sr)이 첨가된 실시예1 내지 실시예4를 비교하면, 스트론튬(Sr)이 첨가된 실시예1 내지 실시예4의 경우 표면 산화층의 두께가 10㎛ 미만으로 형성되어 용접 시 초기 저항값이 감소하게 되어 비교예2 내지 비교예6 대비 용접성이 우수한 결과를 나타낸다. 한편 비교예7의 경우 용접성에서는 실시예1 내지 실시예4와 동등한 수준으로 우수한 결과를 나타내었으나, 기준치 이상 과도하게 첨가된 스트론튬(Sr)으로 인해 미도금된 영역에 발생하므로써 도금 외관이 열위한 결과를 나타냄을 확인할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100, 100': 베이스 강판
200, 200': 도금층
210: 합금화 저지층
220: 중간 합금층
230: 내식성 강화층
231: 제1 농화부
232: 제2 농화부
233: 표면 산화층

Claims (15)

  1. 베이스 강판; 및
    상기 베이스 강판 상에 배치되며, 아연(Zn): 20 wt% 내지 45 wt%, 마그네슘(Mg): 0.2 wt% 내지 3 wt%, 실리콘(Si): 1 wt% 내지 5 wt%, 스트론튬(Sr): 0.01wt% 내지 0.5wt%, 잔부의 알루미늄(Al) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 도금층;
    을 구비하는, 열간 프레스용 강판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도금층은 표면에 Sr계 산화막을 구비하는, 열간 프레스용 강판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 Sr계 산화막의 평균 두께는 10nm 이상 5㎛이하인, 열간 프레스용 강판.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도금층 표층의 마그네슘(Mg)은 Mg계 금속간 화합물로 분포되고,
    상기 Mg계 금속간 화합물의 80% 이상은 상기 도금층 표층에 위치한 아연 농화 영역(Zn rich)에 분포되는, 열간 프레스용 강판.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 Mg계 금속간 화합물은 Mg2Si상을 포함하는, 열간 프레스용 강판.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 도금층 표면에 분포된 상기 Mg2Si상은 2% 내지 10%의 상분율을 갖는, 열간 프레스용 강판.
  7. 베이스 강판; 및
    상기 베이스 강판 상에 배치되며, 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 스트론튬(Sr), 잔부의 철(Fe) 및 기타 불가피한 불순물을 포함하는 도금층;
    을 구비하고,
    상기 도금층은 상기 베이스 강판으로부터 순차적으로 적층된 합금화 저지층, 중간 합금층 및 내식성 강화층을 포함하고,
    상기 내식성 강화층은 스트론튬(Sr)을 포함하는 표면 산화층을 구비하는, 핫 스탬핑 부품.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 표면 산화층의 평균 두께는 10㎛ 미만인, 핫 스탬핑 부품.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 표면 산화층은 아연(Zn) 30wt% 이상 70wt% 이하, 산소(O) 5wt% 이상 20wt% 이하, 철(Fe) 3wt% 이상 20wt% 이하, 마그네슘(Mg) 0.5wt% 이상 10wt% 이하, 알루미늄(Al) 0.5wt% 이상 20wt%이하, 실리콘(Si) 0이상 5wt% 이하 및 스트론튬(Sr) 0이상 1wt% 이하를 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 내식성 강화층은 아연(Zn)이 농화된 제1 농화부 및 마그네슘(Mg)이 농화된 제2 농화부를 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 합금화 저지층은 철(Fe): 70 wt% 내지 90 wt%, 알루미늄(Al): 5 wt% 내지 15 wt% 및 실리콘(Si): 0.5 wt% 내지 4 wt%을 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 중간 합금층은 철(Fe): 35 wt% 내지 45 wt%, 알루미늄(Al): 30 wt% 내지 45 wt%, 실리콘(Si): 0.5 wt% 내지 5 wt% 및 아연(Zn): 5 wt% 내지 20 wt%을 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 내식성 강화층은 철(Fe): 20 wt% 내지 45 wt% 및 알루미늄(Al): 10 wt% 내지 35 wt%을 포함하는, 핫 스탬핑 부품.
  14. 제7항에 있어서,
    상기 제1 농화부는 1㎛ 이상 10㎛ 이하의 평균 두께를 갖는, 핫 스탬핑 부품.
  15. 제7항에 있어서,
    상기 도금층의 평균 두께는 15㎛ 내지 40㎛인, 핫 스탬핑 부품.
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