KR20230081608A - Method of manufacturing device chip - Google Patents

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유키 오가와
고지 와타나베
가즈키 하시모토
지카시 아오야기
마사카즈 고바야시
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

Provided is a method of manufacturing a device chip capable of suppressing the hardening of a resin layer compared to an existing method. The method of manufacturing a device chip, which manufactures a device chip including a device by dividing an object to be processed with a division expectation line on a plate formed with the device at a region of a surface partitioned by the division expectation line, comprises: a resin layer formation step of forming a resin layer including a resin in a non-hardened or half-hardened resin on a surface of the object to be processed; and an object-to-be-processed cutting step of cutting the object to be processed along the division expectation line from a side surface of the object to be processed, in which the resin layer is formed on the surface thereof, after the resin layer formation step.

Description

디바이스 칩의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING DEVICE CHIP}Manufacturing method of device chip {METHOD OF MANUFACTURING DEVICE CHIP}

본 발명은 표면측에 디바이스가 형성되어 있는 판상의 피가공물을 분할하여 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법에 관한 것이다. [0001] The present invention relates to a device chip manufacturing method for manufacturing a device chip by dividing a plate-shaped workpiece in which devices are formed on the surface side.

휴대 전화기나 퍼스널 컴퓨터로 대표되는 전자 기기에서는, 전자 회로 등을 포함하는 디바이스를 구비한 디바이스 칩이 필수 구성 요소가 되어 있다. 디바이스 칩은, 예를 들어, 실리콘 (Si) 등의 반도체로 이루어지는 웨이퍼의 표면측을 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인으로 복수의 영역으로 구획하고, 각 영역에 디바이스를 형성한 후, 이 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 분할함으로써 얻어진다.BACKGROUND OF THE INVENTION [0002] In electronic devices represented by mobile phones and personal computers, device chips equipped with devices including electronic circuits and the like are essential components. In a device chip, for example, the surface side of a wafer made of a semiconductor such as silicon (Si) is divided into a plurality of regions with scheduled division lines called streets, and devices are formed in each region. It is obtained by dividing the wafer according to

웨이퍼를 디바이스 칩으로 분할할 때에는, 대표적으로는, 절삭 블레이드라고 불리는 환상 (環狀) 의 공구를 스핀들에 장착한 절삭 장치가 사용된다. 절삭 블레이드를 고속으로 회전시켜, 순수 등의 액체를 공급하면서 분할 예정 라인을 따라 표면측으로부터 웨이퍼에 절입시킴으로써, 웨이퍼가 절삭 가공되고, 복수의 디바이스 칩으로 분할된다. When dividing a wafer into device chips, typically, a cutting device in which an annular tool called a cutting blade is attached to a spindle is used. The wafer is cut and divided into a plurality of device chips by rotating the cutting blade at high speed and incising the wafer from the surface side along the division line while supplying liquid such as pure water.

웨이퍼에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 생성할 수 있는 레이저 발진기를 구비한 레이저 가공 장치에 의해, 웨이퍼가 디바이스 칩으로 분할되는 경우도 있다. 그 경우에는, 레이저 발진기로 생성된 레이저 빔을 웨이퍼의 표면측으로부터 분할 예정 라인에 조사함으로써, 웨이퍼가 어블레이션 가공되고, 복수의 디바이스 칩으로 분할된다. In some cases, a wafer is divided into device chips by a laser processing apparatus equipped with a laser oscillator capable of generating a laser beam having a wavelength absorbed by the wafer. In that case, the wafer is ablated and divided into a plurality of device chips by irradiating a laser beam generated by a laser oscillator to the division line from the surface side of the wafer.

그런데, 상기 서술한 바와 같은 방법으로 얻어지는 디바이스 칩을 다른 디바이스 칩이나 기판에 고정시키기 위해서, 논 컨덕티브 필름 (NCF : Non Conductive Film) 이나 다이 어태치 필름 (DAF : Die Attach Film) 등으로 불리는 접착용의 수지층이, 각 디바이스 칩의 표면측에 형성되는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). However, in order to fix the device chip obtained by the above-described method to another device chip or substrate, adhesion called non-conductive film (NCF) or die attach film (DAF: Die Attach Film) A dragon resin layer may be formed on the surface side of each device chip (see Patent Literature 1, for example).

이 경우에는, 예를 들어, 웨이퍼를 복수의 디바이스 칩으로 분할하기 전에, 웨이퍼의 표면 전체를 덮을 수 있는 크기의 수지층이 웨이퍼의 표면측에 형성된다. 그 후, 웨이퍼와 함께 수지층을 분할함으로써, 표면측에 접착용 수지층을 구비한 복수의 디바이스 칩이 얻어진다. In this case, for example, before dividing the wafer into a plurality of device chips, a resin layer having a size capable of covering the entire surface of the wafer is formed on the surface side of the wafer. After that, by dividing the resin layer together with the wafer, a plurality of device chips having a resin layer for bonding on the surface side are obtained.

일본 공개특허공보 2016-92188호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-92188

상기 서술한 접착용 수지층은, 디바이스 칩을 대상으로 고정시킬 때에 가해지는 압력에 의해 적절히 변형되도록, 완전하게는 경화되어 있지 않은 상태 (미경화 또는 반경화의 상태) 로 웨이퍼에 형성된다. 그러나, 지금까지 방법으로 웨이퍼를 가공하여 디바이스 칩으로 분할하면, 이 가공 시에 발생하는 열로 수지층이 경화하여, 대상에 대하여 디바이스 칩을 적절히 고정할 수 없게 되는 경우가 있었다. The adhesive resin layer described above is formed on the wafer in a completely uncured state (uncured or semi-cured state) so that it is appropriately deformed by the pressure applied when fixing the device chip to the object. However, when wafers are processed and divided into device chips by conventional methods, the resin layer hardens due to the heat generated during this processing, and the device chips cannot be properly fixed to the target in some cases.

따라서, 본 발명의 목적은, 종래의 방법에 비해 수지층의 경화를 억제할 수 있는 디바이스 칩의 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a device chip capable of suppressing curing of a resin layer compared to conventional methods.

본 발명의 일 측면에 의하면, 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 영역에 디바이스가 형성되어 있는 판상의 피가공물을 그 분할 예정 라인으로 분할함으로써 그 디바이스를 포함하는 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법으로서, 그 피가공물의 그 표면측에 미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하는 수지층을 형성하는 수지층 형성 스텝과, 그 수지층 형성 스텝 후에, 그 수지층이 그 표면측에 형성되어 있는 그 피가공물의 이면측으로부터 그 피가공물을 그 분할 예정 라인을 따라 절단함으로써 그 디바이스 칩을 제조하는 피가공물 절단 스텝을 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법이 제공된다. According to one aspect of the present invention, a device chip for manufacturing a device chip including the device by dividing a plate-like workpiece in which devices are formed in a surface-side region partitioned by a division line, by the division line. A manufacturing method comprising: a resin layer forming step of forming a resin layer containing uncured or semi-cured resin on the surface side of the workpiece; and, after the resin layer forming step, the resin layer is formed on the surface side. There is provided a device chip manufacturing method including a workpiece cutting step of manufacturing the device chip by cutting the workpiece from the back side of the workpiece along the dividing line.

바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝 후에, 그 수지층에 외력을 부여함으로써 그 수지층을 그 디바이스 칩에 맞추어 분할하는 수지층 분할 스텝을 추가로 포함한다. 예를 들어, 그 수지층 형성 스텝 후, 그 수지층 분할 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면측에 익스팬드성을 갖는 테이프를 첩부 (貼付) 하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고, 그 수지층 분할 스텝에서는, 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층에 외력을 부여하여 그 수지층을 분할한다. 또는, 그 피가공물 절단 스텝 후, 그 수지층 분할 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측에 익스팬드성을 갖는 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고, 그 수지층 분할 스텝에서는, 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층에 외력을 부여하여 그 수지층을 분할한다. Preferably, after the work piece cutting step, a resin layer dividing step of dividing the resin layer according to the device chip by applying an external force to the resin layer is further included. For example, after the resin layer forming step and before the resin layer dividing step, a tape attaching step of attaching a tape having an expandability to the surface side of the workpiece is further included, and the resin layer In the dividing step, the resin layer is divided by applying an external force to the resin layer by expanding the tape. Or, after the cutting step of the workpiece and before the step of dividing the resin layer, a tape attaching step of attaching a tape having an expandability to the back side of the workpiece is further included, and in the step of dividing the resin layer, By expanding the tape, an external force is applied to the resin layer to divide the resin layer.

또, 바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측에 보호막을 형성하는 보호막 형성 스텝을 추가로 포함한다.Further, preferably, a protective film formation step of forming a protective film on the back side of the workpiece is further included before the workpiece cutting step.

또, 바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝에서는, 그 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 조사함으로써 그 피가공물을 절단한다. 또, 바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝 후에, 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 디바이스 칩에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거하는 플라즈마 에칭 스텝을 추가로 포함한다. Further, preferably, in the cutting of the workpiece, the workpiece is cut by irradiating the workpiece with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece along the division plan line. Further, preferably, after the cutting step of the workpiece, a plasma etching step of removing processing strain or debris remaining on the device chip by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece is further included. do.

또, 바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝은, 그 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 조사함으로써 그 피가공물의 그 이면에 개구된 홈을 형성하는 홈 형성 스텝과, 그 홈 형성 스텝 후에, 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 피가공물의 그 표면과 그 홈의 바닥의 사이의 부분을 제거하여 그 피가공물을 절단하는 플라즈마 에칭 스텝을 포함한다. Further, preferably, in the step of cutting the workpiece, the workpiece is irradiated with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece along the line along which the workpiece is to be divided, thereby forming a groove opened on the back surface of the workpiece. After the formation step and the groove formation step, cutting the workpiece by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece to remove a portion between the surface of the workpiece and the bottom of the groove. It includes a plasma etching step.

또, 바람직하게는, 그 피가공물 절단 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측의 그 디바이스에 대응하는 영역을 덮는 마스크층을 그 피가공물에 형성하는 마스크층 형성 스텝을 추가로 포함하고, 그 피가공물 절단 스텝에서는, 그 마스크층이 형성되어 있는 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 피가공물의 그 마스크층으로부터 노출되어 있는 부분을 제거하여 그 피가공물을 절단한다. Further, preferably, before the cutting step of the workpiece, a mask layer forming step of forming a mask layer covering a region corresponding to the device on the back side of the workpiece is included on the workpiece, In the workpiece cutting step, a portion exposed from the mask layer of the workpiece is removed by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece on which the mask layer is formed, and the workpiece is cut.

본 발명의 일 측면에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 피가공물의 표면측에 미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하는 수지층을 형성한 후에, 피가공물의 이면측으로부터 피가공물을 분할 예정 라인을 따라 절단하므로, 피가공물을 표면측으로부터 절단하는 경우에 비해, 표면측에 형성되어 있는 수지층에 열이 잘 전달되지 않는다. 따라서, 본 발명의 일 측면에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에 의하면, 종래의 방법에 비해 수지층의 경화를 억제할 수 있다.In the device chip manufacturing method according to one aspect of the present invention, after forming a resin layer containing uncured or semi-cured resin on the surface side of the workpiece, the workpiece is to be divided from the back side of the workpiece. Since it is cut along the surface, heat is not easily transferred to the resin layer formed on the surface side, compared to the case where the workpiece is cut from the surface side. Therefore, according to the device chip manufacturing method according to one aspect of the present invention, curing of the resin layer can be suppressed compared to conventional methods.

도 1 은, 피가공물을 나타내는 사시도이다.
도 2 는, 익스팬드성을 갖는 테이프가 첩부된 피가공물을 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 피가공물의 이면측에 보호막의 원료가 도포되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 4 는, 이면측에 보호막이 형성된 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 5 는, 피가공물에 레이저 빔이 조사되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 6 은, 절단된 후의 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 7 은, 피가공물에 플라즈마 상태의 에칭 가스가 공급되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 8 은, 테이프가 확장되는 모습을 나타내는 단면도이다.
도 9 는, 수지층이 분할된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10 은, 홈이 형성된 후의 피가공물을 나타내는 단면도이다.
도 11 은, 플라즈마 처리 장치를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 12 는, 마스크층이 형성된 후의 피가공물을 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view showing a workpiece.
Fig. 2 is a perspective view showing a workpiece to which a tape having expandability is attached.
Fig. 3 is a cross-sectional view showing how a raw material for a protective film is applied to the back side of a workpiece.
Fig. 4 is a cross-sectional view showing a workpiece having a protective film formed on the back side.
5 is a cross-sectional view showing how a laser beam is irradiated to a workpiece.
Fig. 6 is a cross-sectional view showing the workpiece after being cut.
7 is a cross-sectional view schematically showing how an etching gas in a plasma state is supplied to a workpiece.
8 is a cross-sectional view showing how the tape expands.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the resin layer is divided.
Fig. 10 is a cross-sectional view showing a workpiece after grooves are formed.
11 is a schematic cross-sectional view of a plasma processing device.
12 is a cross-sectional view showing a workpiece after a mask layer is formed.

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing.

(제 1 실시형태) (1st Embodiment)

도 1 은, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서 사용되는 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다. 피가공물 (11) 은, 예를 들어, 실리콘 등의 반도체 재료로 구성되는 원반상의 웨이퍼이다. 이 피가공물 (11) 은, 원형상의 표면 (11a) 과, 표면 (11a) 과는 반대측의 원형상의 이면 (11b) 을 갖고 있다. 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측은, 서로 교차하는 복수의 스트리트 (분할 예정 라인) (13) 로 복수의 소영역으로 구획되어 있고, 각 소영역에는, 집적 회로 (IC : Integrated Circuit) 등을 포함하는 디바이스 (15) 가 형성되어 있다.Fig. 1 is a perspective view showing a workpiece 11 used in the device chip manufacturing method according to the present embodiment. The workpiece 11 is, for example, a disk-shaped wafer made of a semiconductor material such as silicon. This workpiece 11 has a circular front surface 11a and a circular rear surface 11b opposite to the front surface 11a. The surface 11a side of the workpiece 11 is divided into a plurality of small regions by a plurality of streets (scheduled division lines) 13 intersecting each other, and in each small region, an integrated circuit (IC) or the like A device 15 including is formed.

또한, 본 실시형태에서는, 실리콘 등의 반도체 재료로 구성되는 원반상의 웨이퍼를 피가공물 (11) 로 하고 있지만, 피가공물 (11) 의 재질, 형상, 구조, 크기 등에 제한은 없다. 예를 들어, 다른 반도체, 세라믹스, 수지, 금속 등의 재료로 구성되는 기판 등을 피가공물 (11) 로서 사용할 수도 있다. 마찬가지로, 디바이스 (15) 의 종류, 수량, 형상, 구조, 크기, 배치 등에도 제한은 없다.Further, in the present embodiment, a disc-shaped wafer made of a semiconductor material such as silicon is used as the workpiece 11, but the workpiece 11 is not limited in material, shape, structure, or size. For example, a substrate made of materials such as other semiconductors, ceramics, resins, and metals can also be used as the workpiece 11. Similarly, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, or the like of the devices 15 .

본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 먼저, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층 (21) 을 형성한다 (수지층 형성 스텝). 수지층 (21) 은, 대표적으로는, 논 컨덕티브 필름 (NCF : Non Conductive Film) 이나 다이 어태치 필름 (DAF : Die Attach Film) 등이며, 미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하고 있다. 이 수지층 (21) 은, 소정의 접착력을 가지며, 피가공물 (11) 을 분할하여 얻어지는 디바이스 칩을 다른 기판 등으로 실장할 때의 언더필재로서 사용된다. In the manufacturing method of the device chip concerning this embodiment, first, the resin layer 21 is formed on the surface 11a side of the to-be-processed object 11 (resin layer formation step). The resin layer 21 is typically a nonconductive film (NCF) or a die attach film (DAF: Die Attach Film), and contains an uncured or semi-cured resin. This resin layer 21 has a predetermined adhesive strength, and is used as an underfill material when mounting a device chip obtained by dividing the workpiece 11 onto another substrate or the like.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 수지층 (21) 은, 피가공물 (11) 과 대체로 동일한 직경을 갖는 원반상의 필름이며, 표면 (11a) 의 대체로 전체를 덮도록 피가공물 (11) 에 첩부된다. 단, 수지층 (21) 의 종류 등에 제한은 없다. 예를 들어, 논 컨덕티브 페이스트 (NCP : Non Conductive Paste) 등을 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 도포함으로써, 수지층 (21) 을 형성해도 된다.As shown in Fig. 1, the resin layer 21 is a disk-shaped film having substantially the same diameter as the workpiece 11, and is adhered to the workpiece 11 so as to cover substantially the entire surface 11a. However, there is no restriction on the kind of resin layer 21 or the like. For example, you may form the resin layer 21 by apply|coating non-conductive paste (NCP: Non-conductive paste) etc. to the surface 11a side of the to-be-processed object 11.

또한, 수지층 (21) 을 구성하는 재료 등에도 제한은 없다. 수지층 (21) 에는, 예를 들어, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드계 수지 등을 주성분으로 하는 수지가 사용된다. 또한, 수지층 (21) 에는, 산화제, 필러 등이 첨가되어 있어도 된다.In addition, there is no restriction|limiting on the material which comprises the resin layer 21, etc. For the resin layer 21, a resin containing, for example, an epoxy-based resin, an acrylic-based resin, a urethane-based resin, a silicone-based resin, or a polyimide-based resin as a main component is used. Moreover, an oxidizing agent, a filler, etc. may be added to the resin layer 21.

미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하는 수지층 (21) 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 형성된 후에는, 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에, 익스팬드성을 갖는 테이프를 첩부한다 (테이프 첩부 스텝). 도 2 는, 익스팬드성을 갖는 테이프 (23) 가 첩부된 피가공물 (11) 을 나타내는 사시도이다.After the resin layer 21 containing uncured or semi-cured resin is formed on the surface 11a side of the workpiece 11, it has expandability on the surface 11a side of the workpiece 11. A tape having is attached (tape attaching step). Fig. 2 is a perspective view showing a workpiece 11 to which a tape 23 having expandability is attached.

테이프 (23) 는, 예를 들어, 피가공물 (11) 보다 직경이 큰 원형상의 베이스 필름 (기재) 과, 베이스 필름에 형성된 점착층 (풀층) 을 포함하고 있다. 베이스 필름은, 대표적으로는, 폴리올레핀, 폴리염화비닐 등의 수지로 구성되고, 익스팬드성을 갖는다. The tape 23 includes, for example, a circular base film (base material) having a larger diameter than the workpiece 11 and an adhesive layer (glue layer) formed on the base film. The base film is typically made of a resin such as polyolefin or polyvinyl chloride, and has expandability.

점착층은, 대표적으로는, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드계 수지, 고무계 수지 등을 주성분으로 하는 수지로 구성되고, 피가공물 (11) 에 대한 점착성을 갖는다. 또한, 점착층은, 자외선의 조사에 의해 경화하는 자외선 경화형의 수지 등으로 구성되어도 된다.The adhesive layer is typically composed of a resin containing epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, silicone resin, polyimide resin, rubber resin or the like as a main component, and has adhesiveness to the workpiece 11. Further, the adhesive layer may be formed of an ultraviolet curable resin or the like that is cured by irradiation with ultraviolet rays.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 테이프 (23) 는, 예를 들어, 피가공물 (11) 과, 피가공물 (11) 을 둘러싸도록 배치되는 환상의 프레임 (25), 의 쌍방에 첩부된다. 프레임 (25) 은, 스테인리스강이나 알루미늄 등의 금속으로 환상으로 구성되고, 피가공물 (11) 보다 직경이 큰 원형상의 개구부 (25a) 를 중앙에 갖고 있다.As shown in FIG. 2 , the tape 23 is affixed to, for example, both the workpiece 11 and the annular frame 25 arranged so as to surround the workpiece 11 . The frame 25 is made of a metal such as stainless steel or aluminum in an annular shape, and has a circular opening 25a having a larger diameter than the workpiece 11 at the center.

이 프레임 (25) 의 개구부 (25a) 의 내측에 피가공물 (11) 이 배치된 상태에서, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (수지층 (21)) 과, 프레임 (25) 에 테이프 (23) 가 첩부된다. 이에 따라, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측이, 수지층 (21) 과 테이프 (23) 를 개재하여 프레임 (25) 에 지지되고, 피가공물 (11) 의 취급 용이함이 높아진다. In a state where the workpiece 11 is disposed inside the opening 25a of the frame 25, the front surface 11a side of the workpiece 11 (resin layer 21) and the frame 25 are tape (23) is affixed. Thereby, the surface 11a side of the to-be-processed object 11 is supported by the frame 25 via the resin layer 21 and the tape 23, and the ease of handling of the to-be-processed object 11 increases.

테이프 (23) 가 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 첩부된 후에는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막을 형성한다 (보호막 형성 스텝). 도 3 은, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막의 원료 (27) 가 도포되는 모습을 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 도 3 에 나타내는 스핀 코터 (2) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 보호막의 원료 (27) 가 도포된다. After the tape 23 is attached to the front surface 11a side of the workpiece 11, a protective film is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11 (protective film formation step). Fig. 3 is a cross-sectional view showing how the raw material 27 for the protective film is applied to the back surface 11b side of the workpiece 11. In this embodiment, for example, the raw material 27 for the protective film is applied to the workpiece 11 using the spin coater 2 shown in FIG. 3 .

스핀 코터 (2) 는, 피가공물 (11) 을 유지할 수 있도록 구성된 스피너 테이블 (4) 을 구비하고 있다. 스피너 테이블 (4) 의 상면 (유지면) (4a) 은, 대체로 평탄하게 구성되고, 예를 들어, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 가 접촉한다. 이 상면 (4a) 은, 스피너 테이블 (4) 의 내부에 형성되어 있는 유로 (4b) 나, 밸브 (도시하지 않음) 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시하지 않음) 에 접속되어 있다. The spin coater 2 includes a spinner table 4 configured to hold a workpiece 11 thereon. The upper surface (holding surface) 4a of the spinner table 4 is constituted substantially flat, and, for example, the tape 23 affixed to the resin layer 21 contacts it. This upper surface 4a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path 4b formed inside the spinner table 4, a valve (not shown), or the like.

스피너 테이블 (4) 의 하부에는, 상면 (4a) 의 중앙을 통과하여 연직 방향 (상하 방향) 에 대하여 대체로 평행한 회전축의 둘레에 스피너 테이블 (4) 을 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 이 연결되어 있다. 또, 스피너 테이블 (4) 의 주위에는, 프레임 (25) 을 파지하여 고정시킬 수 있는 복수의 클램프 (6) 가 형성되어 있다. 상면 (4a) 중앙의 상방에는, 보호막의 원료 (27) 를 적하할 수 있는 노즐 (8) 이 배치되어 있다.In the lower part of the spinner table 4, a rotational drive source (not shown) such as a motor for rotating the spinner table 4 around a rotational shaft that passes through the center of the upper surface 4a and is substantially parallel to the vertical direction (upper and lower direction). ) are connected. Further, around the spinner table 4, a plurality of clamps 6 capable of gripping and fixing the frame 25 are formed. Above the center of the upper surface 4a, a nozzle 8 capable of dripping the raw material 27 for the protective film is disposed.

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막을 형성할 때에는, 먼저, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 를 상면 (4a) 에 접촉시키도록, 요컨대, 이면 (11b) 측을 상방으로 향하도록, 피가공물 (11) 이 스피너 테이블 (4) 에 실린다. 이 상태에서, 흡인원에 의해 발생시킨 부압 (흡인력) 을 상면 (4a) 에 작용시키면, 테이프 (23) 가 상면 (4a) 에 흡착되고, 피가공물 (11) 은, 테이프 (23) 를 개재하여 스피너 테이블 (4) 에 유지된다. 또한, 프레임 (25) 은, 복수의 클램프 (6) 에 의해 고정된다. When forming a protective film on the back surface 11b side of the workpiece 11, first, the tape 23 attached to the resin layer 21 is brought into contact with the upper surface 4a, that is, the back surface 11b side The workpiece 11 is placed on the spinner table 4 so that the workpiece 11 is directed upward. In this state, when negative pressure (suction force) generated by the suction source is applied to the upper surface 4a, the tape 23 is adsorbed to the upper surface 4a, and the workpiece 11 passes through the tape 23. It is maintained in the spinner table (4). Further, the frame 25 is fixed by a plurality of clamps 6 .

다음으로, 노즐 (8) 로부터 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 의 중앙을 향해서 보호막의 원료 (27) 를 적하하고, 스피너 테이블 (4) 을 회전시킨다. 이에 따라, 보호막의 원료 (27) 가 이면 (11b) 의 중앙에서 외측을 향하여 퍼지고, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 전체에 도포된다. 보호막의 원료 (27) 로는, 예를 들어, 폴리비닐알코올 (PVA), 폴리에틸렌글리콜 (PEG), 산화폴리에틸렌 (PEO), 폴리비닐피롤리돈 (PVP) 등으로 대표되는 수용성 수지가 사용된다. Next, the raw material 27 of the protective film is dropped from the nozzle 8 toward the center of the back surface 11b of the workpiece 11, and the spinner table 4 is rotated. As a result, the raw material 27 of the protective film spreads outward from the center of the back surface 11b and is applied to the entire back surface 11b of the workpiece 11 . As the raw material 27 of the protective film, for example, a water-soluble resin typified by polyvinyl alcohol (PVA), polyethylene glycol (PEG), polyethylene oxide (PEO), and polyvinylpyrrolidone (PVP) is used.

그 후, 피가공물 (11) 에 도포된 보호막의 원료 (27) 를 건조 등 시킴으로써, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 전체를 덮는 수용성의 보호막이 형성된다. 도 4 는, 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 이 형성된 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. 또한, 이 보호막 (29) 을 형성하는 방법에 구체적인 제한은 없다. 예를 들어, 수지 등으로 구성된 테이프를 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 첩부하고, 이것을 보호막 (29) 으로서 사용할 수도 있다.After that, the raw material 27 for the protective film applied to the workpiece 11 is dried or the like to form a water-soluble protective film covering the entire back surface 11b of the workpiece 11 . 4 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 in which the protective film 29 is formed on the back surface 11b side. In addition, there is no specific limitation on the method of forming this protective film 29. For example, a tape made of resin or the like may be affixed to the back surface 11b side of the workpiece 11 and used as the protective film 29 .

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성한 후에는, 이 이면 (11b) 측으로부터 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 을 절단함으로써, 각각이 디바이스 (15) 를 갖는 복수의 디바이스 칩을 제조한다 (피가공물 절단 스텝). 본 실시형태에서는, 피가공물 (11) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 에 조사함으로써, 피가공물 (11) 을 절단한다.After forming the protective film 29 on the back surface 11b side of the workpiece 11, by cutting the workpiece 11 along the street 13 from the backside 11b side, each device 15 A plurality of device chips having are manufactured (work piece cutting step). In this embodiment, the workpiece 11 is cut by irradiating the workpiece 11 along the street 13 with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece 11 .

도 5 는, 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 이 조사되는 모습을 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 도 5 에 나타내는 레이저 가공 장치 (12) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 이 조사된다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 X 축 방향 (가공 이송 방향), Y 축 방향 (산출 이송 방향), 및 Z 축 방향 (연직 방향) 은, 서로 수직인 방향이다.5 is a cross-sectional view showing how the workpiece 11 is irradiated with the laser beam 31 . In this embodiment, the laser beam 31 is irradiated to the to-be-processed object 11 using the laser processing apparatus 12 shown in FIG. 5, for example. In addition, the X-axis direction (machining feed direction), Y-axis direction (calculation feed direction), and Z-axis direction (vertical direction) used in the following description are directions perpendicular to each other.

도 5 에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치 (12) 는, 피가공물 (11) 을 유지할 수 있도록 구성된 척 테이블 (14) 을 구비하고 있다. 척 테이블 (14) 의 상면 (유지면) (14a) 은, X 축 방향 및 Y 축 방향에 대하여 대체로 평행 또한 대체로 평탄하게 구성되고, 예를 들어, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 가 접촉한다. 이 상면 (14a) 은, 척 테이블 (14) 의 내부에 형성되어 있는 유로 (14b) 나, 밸브 (도시하지 않음) 등을 개재하여, 이젝터 등의 흡인원 (도시하지 않음) 에 접속되어 있다. As shown in FIG. 5 , the laser processing device 12 includes a chuck table 14 configured to hold the workpiece 11 . The upper surface (holding surface) 14a of the chuck table 14 is configured to be substantially parallel and substantially flat with respect to the X-axis direction and the Y-axis direction, for example, a tape 23 attached to the resin layer 21 ) is contacted. This upper surface 14a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path 14b formed inside the chuck table 14, a valve (not shown), or the like.

척 테이블 (14) 의 하부에는, 상면 (14a) 의 중앙을 통과하고 Z 축 방향에 대하여 대체로 평행한 회전축의 둘레에 척 테이블 (14) 을 회전시키는 모터 등의 회전 구동원 (도시하지 않음) 이 연결되어 있다. 또, 척 테이블 (14) 의 주위에는, 프레임 (25) 을 파지하여 고정시킬 수 있는 복수의 클램프 (16) 가 형성되어 있다. 척 테이블 (14), 회전 구동원, 및 클램프 (16) 는, 볼 나사식 이동 기구 (도시하지 않음) 에 지지되어 있고, 이 이동 기구에 의해, X 축 방향 및 Y 축 방향을 따라 이동한다. A rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the chuck table 14 around a rotation shaft that passes through the center of the upper surface 14a and is substantially parallel to the Z-axis direction is coupled to the lower portion of the chuck table 14. has been Further, around the chuck table 14, a plurality of clamps 16 capable of gripping and fixing the frame 25 are formed. The chuck table 14, the rotation drive source, and the clamp 16 are supported by a ball screw type moving mechanism (not shown), and are moved along the X-axis direction and the Y-axis direction by this moving mechanism.

척 테이블 (14) 의 상방에는, 레이저 발진기 (도시하지 않음) 로 생성된 레이저 빔 (31) 을, 척 테이블 (14) 에 의해 유지된 피가공물 (11) 로 유도하는 레이저 가공 헤드 (18) 가 배치되어 있다. 레이저 발진기는, 예를 들어, 레이저 발진에 적합한 Nd : YAG 등의 레이저 매질을 구비하고 있고, 피가공물 (11) 에 흡수되는 파장을 갖는 펄스상의 레이저 빔 (31) 을 소정의 반복 주파수로 생성한다.Above the chuck table 14, there is a laser processing head 18 that guides a laser beam 31 generated by a laser oscillator (not shown) to the workpiece 11 held by the chuck table 14. are placed The laser oscillator is equipped with, for example, a laser medium such as Nd:YAG suitable for laser oscillation, and generates a pulsed laser beam 31 having a wavelength absorbed by the workpiece 11 at a predetermined repetition frequency. .

레이저 가공 헤드 (18) 는, 레이저 발진기로부터 방사된 펄스상의 레이저 빔 (31) 을 피가공물 (11) 로 유도하는 미러나 렌즈 등의 광학계를 구비하고 있으며, 예를 들어, 척 테이블 (14) 의 상방의 소정의 위치에 레이저 빔 (31) 을 집광시킨다. 레이저 가공 헤드 (18) 로부터 피가공물 (11) 에 조사되는 레이저 빔 (31) 에 의해, 피가공물 (11) 은, 레이저 어블레이션 가공된다.The laser processing head 18 is provided with an optical system such as a mirror or a lens for guiding the pulsed laser beam 31 emitted from the laser oscillator to the workpiece 11, and, for example, of the chuck table 14 A laser beam 31 is condensed at a predetermined position above. By the laser beam 31 irradiated to the to-be-processed object 11 from the laser processing head 18, the to-be-processed object 11 is subjected to laser ablation processing.

피가공물 (11) 을 레이저 빔 (31) 으로 절단할 때에는, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 를 상면 (14a) 에 접촉시키도록, 요컨대, 이면 (11b) 측을 상방으로 향하도록, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (14) 에 실린다. 이 상태에서, 흡인원에 의해 발생시킨 부압 (흡인력) 을 상면 (14a) 에 작용시키면, 테이프 (23) 가 상면 (14a) 에 흡인되고, 피가공물 (11) 은, 테이프 (23) 를 개재하여 척 테이블 (14) 에 유지된다. 또한, 프레임 (25) 은, 복수의 클램프 (16) 에 의해 고정된다. When cutting the workpiece 11 with the laser beam 31, the tape 23 attached to the resin layer 21 is brought into contact with the upper surface 14a, that is, the rear surface 11b side faces upward. To do so, the workpiece 11 is loaded on the chuck table 14. In this state, when negative pressure (suction force) generated by the suction source is applied to the upper surface 14a, the tape 23 is attracted to the upper surface 14a, and the workpiece 11 passes through the tape 23. It is held on the chuck table 14. Further, the frame 25 is fixed by a plurality of clamps 16 .

다음으로, 가공의 대상이 되는 스트리트 (13) 의 길이 방향을 X 축 방향에 맞추도록, 척 테이블 (14) 의 회전축 둘레의 방향이 조정된다. 그리고, 스트리트 (13) 의 연장선의 상방 (스트리트 (13) 의 폭 방향의 중앙을 통과하는 직선의 상방) 에 레이저 가공 헤드 (18) 를 위치부여하도록, 척 테이블 (14) 의 Y 축 방향의 위치가 조정된다. 또, 피가공물 (11) 의 가공에 적합한 Z 축 방향의 위치에 레이저 빔 (31) 을 집광시키도록, 레이저 가공 헤드 (18) 의 광학계 등이 조정된다. Next, the direction around the axis of rotation of the chuck table 14 is adjusted so that the longitudinal direction of the street 13 to be processed is aligned with the X-axis direction. Then, the position of the chuck table 14 in the Y-axis direction so as to position the laser processing head 18 above the extension of the street 13 (above the straight line passing through the center of the street 13 in the width direction) is adjusted In addition, the optical system of the laser processing head 18 and the like are adjusted so as to focus the laser beam 31 on a position in the Z-axis direction suitable for processing the workpiece 11 .

그 후, 레이저 가공 헤드 (18) 로부터 레이저 빔 (31) 을 조사시키면서, X 축 방향을 따라 소정의 속도 (가공 이송 속도) 로 척 테이블 (14) 을 이동시킨다. 요컨대, 척 테이블 (14) 에 유지된 피가공물 (11) 과, 레이저 빔 (31) 의 집광점을, X 축 방향을 따라 상대적으로 이동시킨다. 그 결과, 레이저 빔 (31) 이 이면 (11b) 측으로부터 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 에 조사된다.Thereafter, the chuck table 14 is moved at a predetermined speed (processing feed speed) along the X-axis direction while irradiating the laser beam 31 from the laser processing head 18 . In short, the workpiece 11 held on the chuck table 14 and the light-converging point of the laser beam 31 are moved relative to each other along the X-axis direction. As a result, the laser beam 31 is irradiated to the workpiece 11 along the street 13 from the side of the back surface 11b.

또한, 레이저 빔 (31) 을 조사할 때의 조건은, 피가공물 (11) 을 가공 (레이저 어블레이션 가공) 할 수 있는 범위에서 조정된다. 예를 들어, 레이저 빔 (31) 의 파장은, 266 ㎚ ∼ 1064 ㎚, 대표적으로는, 355 ㎚ 로 설정되고, 반복 주파수는, 10 kHz ∼ 1000 kHz, 대표적으로는 200 kHz 로 설정되고, 평균 출력은, 1 W ∼ 20 W, 대표적으로는 2 W 로 설정되고, 가공 이송 속도는, 10 ㎜/s ∼ 1000 ㎜/s, 대표적으로는 400 ㎜/s 로 설정된다. 단, 레이저 빔 (31) 을 조사할 때의 구체적인 조건에 제한은 없다. In addition, conditions at the time of irradiating the laser beam 31 are adjusted within the range in which the workpiece 11 can be processed (laser ablation processing). For example, the wavelength of the laser beam 31 is set to 266 nm to 1064 nm, typically 355 nm, the repetition frequency is set to 10 kHz to 1000 kHz, typically 200 kHz, and the average output is set to 1 W to 20 W, typically 2 W, and the processing feed rate is set to 10 mm/s to 1000 mm/s, typically 400 mm/s. However, there are no restrictions on the specific conditions at the time of irradiating the laser beam 31 .

스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 이 조사되면, 피가공물 (11) 의 레이저 빔 (31) 이 조사된 부분이 레이저 어블레이션에 의해 제거되어, 스트리트 (13) 를 따른 홈 (11c) 이 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 형성된다. 대상의 스트리트 (13) 에 홈 (11c) 이 형성된 후에는, 동일한 순서로, 모든 스트리트 (13) 에 대하여 홈 (11c) 이 형성된다.When the laser beam 31 is irradiated to the workpiece 11 along the street 13, the portion of the workpiece 11 irradiated with the laser beam 31 is removed by laser ablation, thereby removing the street 13. Along the groove 11c is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11. After grooves 11c are formed in the target street 13, grooves 11c are formed in all streets 13 in the same order.

모든 스트리트 (13) 에 대하여 홈 (11c) 이 형성된 후에는, 각 홈 (11c) 을 깊게 하도록, 레이저 빔 (31) 의 조사가 반복된다. 그리고, 최종적으로 피가공물 (11) 이 절단되고, 복수의 디바이스 칩이 얻어진다. 또한, 각 스트리트 (13) 에 대하여 레이저 빔 (31) 을 조사하는 횟수 (패스수) 는, 예를 들어, 피가공물 (11) 의 두께가 20 ㎛ ∼ 100 ㎛ 정도인 경우에, 5 회 ∼ 20 회 (5 패스 ∼ 20 패스) 정도가 된다. After the grooves 11c are formed in all the streets 13, irradiation with the laser beam 31 is repeated so as to deepen each groove 11c. And finally, the workpiece 11 is cut, and a plurality of device chips are obtained. In addition, the number of times the laser beam 31 is irradiated to each street 13 (the number of passes) is, for example, 5 to 20 when the thickness of the workpiece 11 is about 20 μm to 100 μm. It becomes about times (5 passes - 20 passes).

단, 각 스트리트 (13) 에 대하여 레이저 빔 (31) 을 조사하는 횟수 (패스수) 에 제한은 없다. 피가공물 (11) 이 충분히 얇은 경우나, 레이저 빔 (31) 의 평균 출력이 충분히 높은 경우 등에는, 1 회의 조사로 피가공물 (11) 이 절단되는 경우도 있다. 도 6 은, 디바이스 칩 (33) 으로 분할된 후의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. However, the number of times the laser beam 31 is irradiated to each street 13 (number of passes) is not limited. When the workpiece 11 is sufficiently thin or when the average power of the laser beam 31 is sufficiently high, the workpiece 11 may be cut with one irradiation. 6 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 after being divided into device chips 33. As shown in FIG.

상기 서술한 바와 같은 레이저 어블레이션에 의해 피가공물 (11) 이 가공되면, 피가공물 (11) 의 용융물 등이 주위에 비산하여, 데브리로서 이면 (11b) 에 고착될 가능성이 있다. 그러나, 본 실시형태에서는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 이 형성되어 있으므로, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 등에 데브리가 고착되기 어렵고, 피가공물 (11) 및 디바이스 칩 (33) 의 오염이 방지된다. When the to-be-processed object 11 is processed by the above-mentioned laser ablation, the molten substance of the to-be-processed object 11 scatters around, and there is a possibility that it adheres to the back surface 11b as debris. However, in the present embodiment, since the protective film 29 is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11, it is difficult for debris to adhere to the backside 11b of the workpiece 11, and the workpiece 11 and contamination of the device chip 33 is prevented.

피가공물 (11) 을 절단하여 복수의 디바이스 칩 (33) 을 제조한 후에는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하여, 각 디바이스 칩 (33) 에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거한다 (플라즈마 에칭 스텝). 도 7 은, 피가공물 (11) 에 플라즈마 상태의 에칭 가스가 공급되는 모습을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 도 7 에 나타내는 플라즈마 처리 장치 (22) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스가 공급된다. After the workpiece 11 is cut to produce a plurality of device chips 33, an etching gas in a plasma state is supplied from the back surface 11b side of the workpiece 11 so that each device chip 33 remains. Remove any processing deformations or debris that may occur (plasma etch step). 7 is a cross-sectional view schematically showing how an etching gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 . In the present embodiment, the etching gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 from the back surface 11b side using, for example, the plasma processing apparatus 22 shown in FIG. 7 .

플라즈마 처리 장치 (22) 는, 챔버 (24) 를 구비하고 있다. 챔버 (24) 의 내부에는, 피가공물 (11) 에 대한 플라즈마 처리가 실시되는 처리 공간이 형성되어 있다. 챔버 (24) 의 측벽 (24a) 에는, 피가공물 (11) 의 반입 및 반출 시에 피가공물 (11) 이나 프레임 (25) 이 통과하는 개구부 (24b) 가 형성되어 있다.The plasma processing device 22 includes a chamber 24 . Inside the chamber 24, a processing space in which the plasma processing of the workpiece 11 is performed is formed. The side wall 24a of the chamber 24 is formed with an opening 24b through which the workpiece 11 and the frame 25 pass when the workpiece 11 is carried in and out.

측벽 (24a) 의 외측에는, 개구부 (24b) 를 닫는 커버 (26) 가 배치되어 있다. 또, 커버 (26) 에는, 에어 실린더 등의 개폐 기구 (28) 가 연결되어 있다. 개폐 기구 (28) 로 커버 (26) 를 하방으로 이동시켜 개구부 (24b) 를 노출시킴으로써, 피가공물 (11) 의 처리 공간으로의 반입, 및, 피가공물 (11) 의 처리 공간으로부터의 반출이 가능해진다. 또, 개폐 기구 (28) 로 커버 (26) 를 상방으로 이동시켜 개구부 (24b) 를 닫음으로써, 처리 공간이 밀폐된다. Outside the side wall 24a, a cover 26 that closes the opening 24b is disposed. Moreover, an opening/closing mechanism 28 such as an air cylinder is connected to the cover 26 . By moving the cover 26 downward with the opening/closing mechanism 28 to expose the opening 24b, the workpiece 11 can be carried into and taken out of the processing space. It happens. Further, the processing space is sealed by moving the cover 26 upward with the opening/closing mechanism 28 to close the opening 24b.

챔버 (24) 의 바닥벽 (24c) 에는, 배관 (30) 을 개재하여 진공 펌프 등의 감압 유닛 (32) 이 접속되어 있다. 그 때문에, 예를 들어, 커버 (26) 로 개구부 (24b) 를 닫고, 처리 공간이 밀폐된 상태에서 감압 유닛 (32) 을 작동시키면, 챔버 (24) 의 처리 공간이 배기되어, 이 처리 공간이 감압된다. A decompression unit 32 such as a vacuum pump is connected to the bottom wall 24c of the chamber 24 via a pipe 30 . Therefore, for example, when the opening 24b is closed with the cover 26 and the depressurization unit 32 is operated in a state where the processing space is sealed, the processing space of the chamber 24 is exhausted, and this processing space depressurized

챔버 (24) 의 내부에는, 테이블 베이스 (34) 가 형성되어 있다. 테이블 베이스 (34) 는, 원반상의 유지부 (36) 와, 유지부 (36) 를 하방으로부터 지지하는 원기둥 모양의 지지부 (38) 를 구비한다. 지지부 (38) 의 폭 (직경) 은, 예를 들어, 유지부 (36) 의 폭 (직경) 보다 작고, 지지부 (38) 의 상단은, 유지부 (36) 의 하단에 연결되어 있다. Inside the chamber 24, a table base 34 is formed. The table base 34 includes a disk-shaped holding portion 36 and a columnar supporting portion 38 supporting the holding portion 36 from below. The width (diameter) of the support part 38 is smaller than the width (diameter) of the holding part 36, for example, and the upper end of the support part 38 is connected to the lower end of the holding part 36.

유지부 (36) 의 상면에는, 피가공물 (11) 을 유지할 수 있는 척 테이블 (40) 이 배치되어 있다. 척 테이블 (40) 은, 절연체로 이루어지는 원반상의 절연부 (42) 와, 절연부 (42) 의 내부에 매립된 복수의 전극 (44) 을 구비한다. 복수의 전극 (44) 은, 각각, 전극 (44) 에 소정의 직류 전압 (예를 들어, 5 ㎸ 정도의 높은 직류 전압) 을 인가할 수 있는 DC 전원 (46) 에 접속되어 있다.On the upper surface of the holding part 36, a chuck table 40 capable of holding the workpiece 11 is disposed. The chuck table 40 includes a disc-shaped insulating portion 42 made of an insulator, and a plurality of electrodes 44 embedded in the insulating portion 42 . The plurality of electrodes 44 are connected to a DC power supply 46 capable of applying a predetermined direct current voltage (for example, a high direct current voltage of about 5 kV) to the electrodes 44 .

또, 척 테이블 (40) 의 절연부 (42) 에는, 이 절연부 (42) 의 상면 (요컨대, 척 테이블 (40) 의 상면) 에 개구하는 복수의 흡인로 (42a) 가 형성되어 있다. 흡인로 (42a) 는, 테이블 베이스 (34) 의 내부에 형성된 흡인로 (34a) 등을 개재하여 흡인 펌프 (48) 에 접속되어 있다. Further, in the insulating portion 42 of the chuck table 40, a plurality of suction passages 42a opening to the upper surface of the insulating portion 42 (that is, the upper surface of the chuck table 40) are formed. The suction path 42a is connected to the suction pump 48 via a suction path 34a or the like formed inside the table base 34 .

예를 들어, 척 테이블 (40) 위에 피가공물 (11) 등을 싣고, 흡인 펌프 (48) 를 작동시키면, 피가공물 (11) 등은, 흡인 펌프 (48) 의 흡인력에 의해 척 테이블 (40) 의 상면에 흡인된다. 또한, DC 전원 (46) 에 의해 전극 (44) 에 직류 전압을 인가하여 전극 (44) 간에 전위차를 발생시키면, 피가공물 (11) 등은, 전극 (44) 과 피가공물 (11) 의 사이에 작용하는 전기적인 힘에 의해 척 테이블 (40) 에 흡착된다. 따라서, 챔버 (24) 의 내부가 감압되어도, 피가공물 (11) 을 척 테이블 (40) 에 의해 유지할 수 있다. For example, when the workpiece 11 or the like is placed on the chuck table 40 and the suction pump 48 is operated, the workpiece 11 or the like moves away from the chuck table 40 by the suction force of the suction pump 48. is sucked into the upper surface of In addition, when a DC voltage is applied to the electrode 44 by the DC power supply 46 to generate a potential difference between the electrodes 44, the workpiece 11 and the like are separated between the electrode 44 and the workpiece 11. It is attracted to the chuck table 40 by the applied electrical force. Therefore, even if the inside of the chamber 24 is depressurized, the workpiece 11 can be held by the chuck table 40 .

테이블 베이스 (34) 의 내부에는, 유로 (34b) 가 형성되어 있다. 유로 (34b) 의 양단은, 물 등의 냉매를 순환시키는 순환 유닛 (50) 에 접속되어 있다. 순환 유닛 (50) 을 작동시키면, 냉매가 유로 (34b) 의 일단으로부터 타단을 향하여 흐르고, 테이블 베이스 (34) 가 냉각된다.Inside the table base 34, a flow path 34b is formed. Both ends of the flow path 34b are connected to a circulation unit 50 that circulates a refrigerant such as water. When the circulation unit 50 is operated, the refrigerant flows from one end toward the other end of the passage 34b, and the table base 34 is cooled.

챔버 (24) 의 상부에는, 에칭 가스를 공급하는 가스 공급 유닛 (52) 이 접속되어 있다. 가스 공급 유닛 (52) 은, 챔버 (24) 의 외부에서 에칭 가스를 플라즈마화시키고, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 챔버 (24) 의 처리 공간에 공급할 수 있도록 구성된다. 구체적으로는, 가스 공급 유닛 (52) 은, 챔버 (24) 에 공급되는 에칭 가스가 흐르는 공급관 (54) 을 구비하고 있다. A gas supply unit 52 for supplying an etching gas is connected to the upper part of the chamber 24 . The gas supply unit 52 is configured to turn the etching gas into plasma outside the chamber 24 and to supply the etching gas in a plasma state to the processing space of the chamber 24 . Specifically, the gas supply unit 52 includes a supply pipe 54 through which an etching gas supplied to the chamber 24 flows.

공급관 (54) 의 일단측 (하류측) 은, 챔버 (24) 상벽 (24d) 을 개재하여 내부의 처리 공간에 접속되어 있다. 또, 공급관 (54) 의 타단측 (상류측) 은, 밸브 (56a), 유량 컨트롤러 (58a), 밸브 (60a) 를 개재하여 가스 공급원 (62a) 에 접속되고, 밸브 (56b), 유량 컨트롤러 (58b), 밸브 (60b) 를 개재하여 가스 공급원 (62b) 에 접속되고, 밸브 (56c), 유량 컨트롤러 (58c), 밸브 (60c) 를 개재하여 가스 공급원 (62c) 에 접속되어 있다. One end side (downstream side) of the supply pipe 54 is connected to an internal processing space via an upper wall 24d of the chamber 24 . Further, the other end (upstream side) of the supply pipe 54 is connected to the gas supply source 62a via a valve 56a, a flow controller 58a, and a valve 60a, and a valve 56b, a flow controller ( It is connected to the gas supply source 62b through 58b) and the valve 60b, and is connected to the gas supply source 62c through the valve 56c, the flow controller 58c, and the valve 60c.

가스 공급원 (62a, 62b, 62c) 으로부터, 각각, 소정의 가스가 소정의 유량으로 공급되면, 이들 가스가 공급관 (54) 에서 혼합되어, 에칭에 사용되는 에칭 가스가 된다. 예를 들어, 가스 공급원 (62a) 은 SF6 등의 불소계 가스를 공급하고, 가스 공급원 (62b) 은 산소 가스 (O2 가스) 를 공급하고, 가스 공급원 (62c) 은 He 등의 불활성 가스를 공급한다. 단, 가스 공급원 (62a, 62b, 62c) 으로부터 공급되는 가스의 성분이나, 유량비 등은, 가공 대상의 재질이나, 요구되는 가공의 품질 등에 따라 임의로 변경될 수 있다. When a predetermined gas is supplied from the gas supply sources 62a, 62b, and 62c at a predetermined flow rate, these gases are mixed in the supply pipe 54 to become an etching gas used for etching. For example, the gas supply source 62a supplies a fluorine-based gas such as SF 6 , the gas supply source 62b supplies an oxygen gas (O 2 gas), and the gas supply source 62c supplies an inert gas such as He. do. However, the components of the gas supplied from the gas supply sources 62a, 62b, and 62c, the flow rate ratio, and the like can be arbitrarily changed depending on the material of the object to be processed, the quality of the processing required, and the like.

가스 공급 유닛 (52) 은, 공급관 (54) 내의 에칭 가스에 고주파 전압을 인가하는 전극 (64) 을 구비한다. 전극 (64) 은, 공급관 (54) 의 중류부를 둘러싸도록 형성되고, 고주파 전원 (66) 에 접속되어 있다. 고주파 전원 (66) 은, 예를 들어, Vpp (Voltage peak to peak) 가 0.5 ㎸ 이상 5 ㎸ 이하, 주파수가 450 kHz 이상 2.45 GHz 이하의 고주파 전압을 전극 (64) 에 인가한다.The gas supply unit 52 includes an electrode 64 that applies a high frequency voltage to the etching gas in the supply pipe 54 . The electrode 64 is formed so as to surround the midstream portion of the supply pipe 54 and is connected to the high frequency power supply 66 . The high frequency power supply 66 applies, for example, a high frequency voltage with a Vpp (Voltage peak to peak) of 0.5 kV or more and 5 kV or less, and a frequency of 450 kHz or more and 2.45 GHz or less to the electrode 64 .

전극 (64) 및 고주파 전원 (66) 을 사용하여 공급관 (54) 을 흐르는 에칭 가스에 고주파 전압을 인가하면, 에칭 가스의 일부의 분자가 이온 및 라디칼에 변화한다. 그리고, 이 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태의 에칭 가스가, 공급관 (54) 의 하류단에서 개구하는 공급구 (54a) 로부터 챔버 (24) 의 내부의 처리 공간에 공급된다. 이와 같이 하여, 챔버 (24) 의 외부에서 플라즈마화 한 에칭 가스가 챔버 (24) 의 내부의 처리 공간에 공급된다.When a high-frequency voltage is applied to the etching gas flowing through the supply pipe 54 using the electrode 64 and the high-frequency power supply 66, some molecules of the etching gas change into ions and radicals. Then, the etching gas in a plasma state containing ions and radicals is supplied to the process space inside the chamber 24 from the supply port 54a opened at the downstream end of the supply pipe 54 . In this way, the etching gas converted into plasma outside the chamber 24 is supplied to the processing space inside the chamber 24 .

챔버 (24) 상벽 (24d) 의 내측의 표면에는, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 분산 (확산) 시키는 분산 부재 (68) 가 공급구 (54a) 를 덮도록 장착되어 있다. 공급관 (54) 으로부터 챔버 (24) 의 내부에 유입한 플라즈마 상태의 에칭 가스는, 이 분산 부재 (68) 에 의해, 척 테이블 (40) 의 상방에서 분산된다. On the inner surface of the upper wall 24d of the chamber 24, a dispersing member 68 for dispersing (diffusing) the etching gas in a plasma state is attached so as to cover the supply port 54a. The etching gas in a plasma state flowing into the inside of the chamber 24 from the supply pipe 54 is dispersed above the chuck table 40 by the dispersion member 68 .

챔버 (24) 의 측벽 (24a) 에는, 배관 (70) 이 접속되어 있고, 배관 (70) 에는, 불활성 가스를 공급하는 가스 공급원 (도시하지 않음) 이 접속되어 있다. 이 가스 공급원으로부터 배관 (70) 을 통해서 챔버 (24) 에 불활성 가스가 공급되면, 챔버 (24) 의 처리 공간이 불활성 가스 (이너 가스) 로 채워진다. 또한, 배관 (70) 은, 밸브 (도시하지 않음), 유량 컨트롤러 (도시하지 않음) 등을 개재하여 가스 공급원 (62c) 에 접속되어도 된다. 이 경우에는, 가스 공급원 (62c) 으로부터 배관 (70) 을 통해서 챔버 (24) 에 불활성 가스가 공급된다.A pipe 70 is connected to the side wall 24a of the chamber 24, and a gas supply source (not shown) for supplying an inert gas is connected to the pipe 70. When an inert gas is supplied from this gas supply source to the chamber 24 through the pipe 70, the processing space of the chamber 24 is filled with the inert gas (inner gas). In addition, the pipe 70 may be connected to the gas supply source 62c via a valve (not shown), a flow controller (not shown), or the like. In this case, an inert gas is supplied to the chamber 24 from the gas supply source 62c through the pipe 70.

가스 공급 유닛 (52) 으로부터 공급되고, 공급관 (54) 내에서 플라즈마화 된 에칭 가스는, 공급구 (54a) 의 하방에 형성된 분산 부재 (68) 로 분산 (확산) 되고, 척 테이블 (40) 에 의해 유지된 피가공물 (11) 의 전체에 상방으로부터 공급된다. 그 결과, 플라즈마 상태의 에칭 가스가 피가공물 (11) 에 작용하고, 피가공물 (11) 은, 이 에칭 가스에 의해 가공된다 (플라즈마 에칭).The etching gas supplied from the gas supply unit 52 and converted into plasma in the supply pipe 54 is dispersed (diffused) by the dispersing member 68 formed below the supply port 54a, and is deposited on the chuck table 40. supplied from above to the entire workpiece 11 held by the As a result, the etching gas in a plasma state acts on the workpiece 11, and the workpiece 11 is processed by this etching gas (plasma etching).

피가공물 (11) (디바이스 칩 (33)) 에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거할 때에는, 먼저, 개구부 (24b) 를 통해서 피가공물 (11) 을 챔버 (24) 의 처리 공간에 반입하고, 척 테이블 (40) 에 싣는다. 여기서는, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 를 척 테이블 (40) 의 상면에 접촉시키도록, 요컨대, 이면 (11b) 측을 상방으로 향하도록, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (40) 에 실린다.When removing processing strain or debris remaining in the workpiece 11 (device chip 33), first, the workpiece 11 is brought into the processing space of the chamber 24 through the opening 24b, It is put on the chuck table 40. Here, the workpiece 11 is placed on the chuck table ( 40) is published.

다음으로, 흡인 펌프 (48) 를 작동시킨다. 이에 따라, 피가공물 (11) 등은, 흡인 펌프 (48) 의 흡인력에 의해 척 테이블 (40) 의 상면에 흡인된다. 또한, DC 전원 (46) 에 의해, 전극 (44) 에 직류 전압을 인가한다. 이에 따라, 피가공물 (11) 등은, 전극 (44) 과 피가공물 (11) 의 사이에 작용하는 전기적인 힘에 의해 척 테이블 (40) 에 흡착된다. Next, the suction pump 48 is operated. As a result, the workpiece 11 or the like is attracted to the upper surface of the chuck table 40 by the suction force of the suction pump 48 . Further, a DC voltage is applied to the electrode 44 by the DC power supply 46 . Accordingly, the workpiece 11 and the like are attracted to the chuck table 40 by the electric force acting between the electrode 44 and the workpiece 11 .

피가공물 (11) 이 척 테이블 (40) 에 유지된 후에는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 피가공물 (11) 에 공급한다. 구체적으로는, 먼저, 개폐 기구 (28) 로 커버 (26) 를 상방으로 이동시켜 개구부 (24b) 를 닫는다. 이에 따라, 챔버 (24) 의 처리 공간이 밀폐된다.After the workpiece 11 is held on the chuck table 40 , an etching gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 from the back surface 11b side of the workpiece 11 . Specifically, first, the cover 26 is moved upward by the opening/closing mechanism 28 to close the opening 24b. Accordingly, the processing space of the chamber 24 is sealed.

또, 감압 유닛 (32) 을 작동시켜, 챔버 (24) 의 처리 공간을 감압한다. 또한, 배관 (70) 을 통해서 적당량의 불활성 가스를 챔버 (24) 의 처리 공간에 공급해도 된다. 이 상태에서, 공급관 (54) 에 에칭 가스를 흘림과 함께, 전극 (64) 및 고주파 전원 (66) 을 사용하여 에칭 가스에 고주파 전압을 인가한다.Further, the decompression unit 32 is operated to depressurize the processing space of the chamber 24 . In addition, an appropriate amount of inert gas may be supplied to the processing space of the chamber 24 through the pipe 70 . In this state, a high-frequency voltage is applied to the etching gas using the electrode 64 and the high-frequency power supply 66 while flowing the etching gas through the supply pipe 54 .

이에 따라, 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태의 에칭 가스가, 공급구 (54a) 로부터 하방의 피가공물 (11) 에 공급된다. 또한, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에는, 보호막 (29) 이 형성되어 있으므로, 이 보호막 (29) 이 마스크층이 되어, 플라즈마 상태의 에칭 가스는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에 거의 작용하지 않고, 주로, 디바이스 칩 (33) 의 측면 (홈 (11c) 이었던 부분) 에 작용한다. Accordingly, the etching gas in a plasma state containing ions and radicals is supplied from the supply port 54a to the workpiece 11 below. In addition, since the protective film 29 is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11, this protective film 29 serves as a mask layer, and the etching gas in a plasma state is applied to the back surface 11b of the workpiece 11. ), and mainly acts on the side surface of the device chip 33 (the part that was the groove 11c).

디바이스 칩 (33) 의 측면에 플라즈마 상태의 에칭 가스가 작용하면, 예를 들어, 레이저 빔 (31) 의 조사 등에 의해 디바이스 칩 (33) 의 측면 및 그 주변에 발생한 가공 변형이 제거된다. 또, 예를 들어, 레이저 빔 (31) 의 조사 등에 의해 디바이스 칩 (33) 의 측면 및 그 주변에 부착된 데브리 (이물질) 가 제거된다. 이에 따라, 디바이스 칩 (33) 의 항절 강도의 저하나 품질의 저하가 억제된다. When the etching gas in a plasma state acts on the side surface of the device chip 33, processing deformation generated on the side surface of the device chip 33 and its surroundings by irradiation of the laser beam 31, for example, is removed. Also, debris (foreign matter) adhering to the side surface of the device chip 33 and its periphery is removed, for example, by irradiation of the laser beam 31 or the like. In this way, a decrease in transverse strength and a decrease in quality of the device chip 33 are suppressed.

본 실시형태에서는, 에칭 가스가 챔버 (24) 의 외부에서 플라즈마화 되므로, 에칭 가스가 챔버 (24) 의 내부에서 플라즈마화 되는 경우에 비해, 피가공물 (11) 에 닿는 에칭 가스 중의 이온의 비율이 낮아진다. 그 때문에, 이온에 기인하여 진행되기 쉬운 이면 (11b) 측의 에칭에 수반하는 디바이스 칩 (33) 의 변형을 억제하면서, 디바이스 칩 (33) 의 측면 전체에서 가공 변형 또는 데브리를 제거할 수 있다. In this embodiment, since the etching gas is converted into plasma outside the chamber 24, the ratio of ions in the etching gas that touches the workpiece 11 is higher than when the etching gas is converted into plasma inside the chamber 24. It gets lower. Therefore, deformation of the device chip 33 accompanying etching on the back surface 11b side, which tends to proceed due to ions, can be suppressed, while processing deformation or debris can be removed from the entire side surface of the device chip 33. .

또한, 가공 변형이나 데브리가 발생하기 어려운 조건으로 피가공물 (11) 이 절단된 경우나, 후의 세정 처리로 데브리가 확실하게 제거되는 경우, 가공 변형이나 데브리가 잔존해도 디바이스 (15) 의 동작이나 디바이스 칩 (33) 의 품질에 지장이 없는 경우 등에는, 상기 서술한 플라즈마 상태의 에칭 가스의 공급이 생략되어도 된다. In addition, when the workpiece 11 is cut under conditions in which machining deformation or debris does not occur, or when debris is reliably removed by a subsequent cleaning process, operation of the device 15 and device 15 even if machining deformation or debris remain In the case where the quality of the chip 33 is not adversely affected, the above-described supply of the plasma etching gas may be omitted.

플라즈마 상태의 에칭 가스에 의해 각 디바이스 칩 (33) 에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리가 제거된 후에는, 수지층 (21) 에 외력을 부여하여, 이 수지층 (21) 을 디바이스 칩 (33) 에 맞추어 분할한다 (수지층 분할 스텝). 본 실시형태에서는, 테이프 (23) 를 확장함으로써 수지층 (21) 에 외력을 부여하여, 수지층 (21) 을 분할한다. 또한, 피가공물 (11) 에 잔류하고 있는 보호막 (29) 은, 수지층 (21) 에 외력을 부여하기 전에, 세정 등의 방법으로 제거해 두면 된다.After processing strain or debris remaining in each device chip 33 is removed by the etching gas in a plasma state, an external force is applied to the resin layer 21 to inject the resin layer 21 into the device chip 33. It is divided according to (resin layer division step). In this embodiment, an external force is applied to the resin layer 21 by extending the tape 23, and the resin layer 21 is divided. In addition, the protective film 29 remaining on the workpiece 11 may be removed by a method such as washing before applying an external force to the resin layer 21 .

도 8 은, 테이프 (23) 가 확장되는 모습을 나타내는 단면도이고, 도 9 는, 수지층 (21) 이 분할된 상태를 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 도 8 및 도 9 에 나타내는 확장 장치 (72) 를 사용하여 테이프 (23) 가 확장된다. 도 8 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 확장 장치 (72) 는, 피가공물 (11) 의 직경보다 큰 원형상의 개구부를 상단에 갖는 원통상의 드럼 (74) 을 갖고 있다. 8 is a cross-sectional view showing how the tape 23 is expanded, and FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where the resin layer 21 is divided. In this embodiment, the tape 23 is expanded using the expansion device 72 shown in FIGS. 8 and 9, for example. As shown in FIGS. 8 and 9 , the expansion device 72 has a cylindrical drum 74 having a circular opening larger than the diameter of the workpiece 11 at its upper end.

드럼 (74) 의 상단부에는, 복수의 롤러 (76) 가 드럼 (74) 의 둘레 방향을 따라 배열되어 있다. 또, 드럼 (74) 의 외측에는, 복수의 기둥 모양의 지지 부재 (78) 가 배치되어 있다. 지지 부재 (78) 의 하단부에는, 각각, 지지 부재 (78) 를 연직 방향을 따라 이동 (승강) 시키는 에어 실린더 (도시하지 않음) 가 연결되어 있다. At the upper end of the drum 74, a plurality of rollers 76 are arranged along the circumferential direction of the drum 74. Further, outside the drum 74, a plurality of columnar supporting members 78 are arranged. Air cylinders (not shown) that move (elevate) the support member 78 along the vertical direction are connected to the lower end of the support member 78, respectively.

각 지지 부재 (78) 의 상단부는, 중앙에 원형상의 개구부를 갖는 환상의 테이블 (80) 의 하면에 고정되어 있다. 테이블 (80) 의 개구부의 직경은, 드럼 (74) 의 직경 (외경) 보다 크고, 테이블 (80) 의 개구부에는, 드럼 (74) 의 상부가 삽입된다. 테이블 (80) 의 상방에는, 예를 들어, 테이블 (80) 의 상면과의 사이에서 프레임 (25) 을 끼워 넣어 고정시키는 환상의 고정 부재 (82) 가 배치된다.The upper end of each supporting member 78 is fixed to the lower surface of an annular table 80 having a circular opening in the center. The diameter of the opening of the table 80 is larger than the diameter (outer diameter) of the drum 74, and the upper part of the drum 74 is inserted into the opening of the table 80. Above the table 80, for example, an annular fixing member 82 for inserting and fixing the frame 25 between the upper surface of the table 80 and the fixing member 82 is disposed.

테이프 (23) 를 확장하여 수지층 (21) 을 분할할 때에는, 먼저, 에어 실린더 (도시하지 않음) 로 지지 부재 (78) 를 이동시키고, 롤러 (76) 의 상단과 테이블 (80) 의 상면을 대체로 동일한 높이에 배치한다. 그리고, 테이블 (80) 의 상면에 프레임 (25) 을 배치하여, 환상의 고정 부재 (82) 로 프레임 (25) 을 테이블 (80) 에 고정시킨다 (도 8). 이 때, 피가공물 (11) 은, 드럼 (74) 의 상단의 개구부와 겹치도록 배치된다. When dividing the resin layer 21 by expanding the tape 23, first, the support member 78 is moved by an air cylinder (not shown), and the upper end of the roller 76 and the upper surface of the table 80 are removed. They are usually placed at the same height. And the frame 25 is arrange|positioned on the upper surface of the table 80, and the frame 25 is fixed to the table 80 by the annular fixing member 82 (FIG. 8). At this time, the workpiece 11 is arranged so as to overlap the opening of the upper end of the drum 74 .

다음으로, 에어 실린더 (도시하지 않음) 에 의해 지지 부재 (78) 를 하강시켜, 테이블 (80) 을 끌어내린다. 테이프 (23) 의 일부는, 드럼 (74) 및 롤러 (76) 에 의해 지지되어 있고, 그 높이가 유지된다. 따라서, 테이블 (80) 과 함께 프레임 (25) 이 끌어내려지면, 테이프 (23) 는, 프레임 (25) 에 의해 반경 방향의 외측을 향하여 잡아당겨져, 방사상으로 확장된다.Next, the support member 78 is lowered by an air cylinder (not shown), and the table 80 is pulled down. A part of the tape 23 is supported by the drum 74 and the roller 76, and its height is maintained. Therefore, when the frame 25 is pulled down together with the table 80, the tape 23 is pulled outward in the radial direction by the frame 25, and expands radially.

테이프 (23) 가 확장되면, 이 테이프 (23) 가 첩부되어 있는 수지층 (21) 에도, 반경 방향의 외측을 향하는 외력이 부여되게 된다. 그 결과, 수지층 (21) 은, 인접하는 디바이스 칩 (33) 의 간극에 있어서 파단된다. 요컨대, 디바이스 칩 (33) 에 맞추어 수지층 (21) 이 소편 (21a) 으로 분할되고, 이 수지층 (21) 의 소편 (21a) 이 디바이스 칩 (33) 의 표면 (11a) 측에 형성된 상태가 된다 (도 9). 그 후, 디바이스 칩 (33) 은, 소편 (21a) 과 함께 테이프 (23) 로부터 픽업되어, 임의의 기판 등에 실장된다. When the tape 23 expands, an external force directed outward in the radial direction is applied also to the resin layer 21 to which the tape 23 is attached. As a result, the resin layer 21 is broken in the gap between adjacent device chips 33 . In short, the resin layer 21 is divided into small pieces 21a according to the device chips 33, and the small pieces 21a of the resin layer 21 are formed on the surface 11a side of the device chips 33. becomes (FIG. 9). After that, the device chip 33 is picked up from the tape 23 together with the small piece 21a, and is mounted on an arbitrary substrate or the like.

이상과 같이, 본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하는 수지층 (21) 을 형성한 후에, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 피가공물 (11) 을 스트리트 (분할 예정 라인) (13) 를 따라 절단하므로, 피가공물 (11) 을 표면 (11a) 측으로부터 절단하는 경우에 비해, 표면 (11a) 측에 형성되어 있는 수지층 (21) 에 열이 잘 전달되지 않는다. 따라서, 종래의 방법에 비해 수지층 (21) 의 경화를 억제할 수 있다. As described above, in the device chip manufacturing method according to the present embodiment, after forming the resin layer 21 containing uncured or semi-cured resin on the surface 11a side of the workpiece 11, Since the workpiece 11 is cut along the street (scheduled division line) 13 from the back surface 11b side of the workpiece 11, compared to the case where the workpiece 11 is cut from the front surface 11a side, the front surface Heat is not easily transmitted to the resin layer 21 formed on the (11a) side. Therefore, compared with the conventional method, hardening of the resin layer 21 can be suppressed.

또한, 본 실시형태에서는, 동일한 테이프 (23) 가 교체되는 일 없이 사용되고 있지만, 테이프 (23) 는, 필요에 따라 교체되어도 된다. 예를 들어, 테이프 (23) 에 플라즈마 상태의 에칭 가스가 접촉하면, 이 테이프 (23) 가 열화 할 가능성이 있다. 그래서, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급한 후에는, 테이프 (23) 가 교체되어도 된다. In addition, in this embodiment, the same tape 23 is used without being replaced, but the tape 23 may be replaced as needed. For example, if the etching gas in a plasma state contacts the tape 23, the tape 23 may deteriorate. Therefore, after supplying the etching gas in a plasma state, the tape 23 may be replaced.

또한, 테이프가 교체되는 경우에는, 교체된 후의 테이프가 익스팬드성을 갖고 있으면 된다. 요컨대, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측으로의 익스팬드성을 갖는 테이프 (23) 의 첩부는, 피가공물 (11) 에 수지층 (21) 을 형성한 후, 수지층 (21) 을 분할하기 전의 임의의 타이밍에서 실시된다.In addition, when the tape is replaced, it is only necessary that the tape after replacement has expandability. In short, the sticking of the tape 23 having expandability to the surface 11a side of the workpiece 11 forms the resin layer 21 on the workpiece 11, and then divides the resin layer 21. It is carried out at an arbitrary timing before the following.

또, 테이프가 교체되는 경우에는, 반드시 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 익스팬드성을 갖는 테이프 (23) 가 첩부되지는 않아도 된다. 예를 들어, 피가공물 (11) 을 복수의 디바이스 칩 (33) 으로 절단한 후, 수지층 (21) 을 분할하기 전의 임의의 타이밍에서, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 익스팬드성을 갖는 테이프 (23) 를 첩부할 수도 있다. 이 경우에도, 동일한 방법으로 테이프 (23) 를 확장하여, 수지층 (21) 을 분할하면 된다. In addition, when the tape is replaced, the tape 23 having expandability does not necessarily need to be affixed to the surface 11a side of the workpiece 11 . For example, at an arbitrary timing after cutting the workpiece 11 into a plurality of device chips 33 and before dividing the resin layer 21, the workpiece 11 is expanded to the back surface 11b side. The tape 23 which has a toughness can also be affixed. Also in this case, the tape 23 may be expanded in the same way to divide the resin layer 21.

또한, 본 실시형태에서는, 복수의 스트리트 (13) 에 대하여 차례대로 레이저 빔 (31) 을 조사하여 홈 (11c) 을 형성하고 (1 패스째), 그 후, 각 홈 (11c) 을 깊게 하도록 레이저 빔 (31) 을 조사함으로써 피가공물 (11) 을 절단하고 있지만 (2 패스째 이후), 어떤 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 을 절단하고 나서, 다른 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 을 절단할 수도 있다. Further, in the present embodiment, a plurality of streets 13 are sequentially irradiated with laser beams 31 to form grooves 11c (first pass), and then laser beams are applied to deepen each groove 11c. The workpiece 11 is cut by irradiating the beam 31 (second pass onwards), but after cutting the workpiece 11 along a certain street 13, the workpiece 11 along another street 13 ( 11) can be cut.

또한, 피가공물 (11) 에 조사되는 레이저 빔 (31) 은, 그 피조사 영역의 형상 (빔 프로파일) 이 선형상 또는 직사각형상이 되도록 정형되어도 된다. 이 경우에는, 예를 들어, 피조사 영역의 길이 방향을 스트리트 (13) 의 폭 방향에 맞춤으로써, 폭 넓은 홈 (11c) 이 형성된다. 또, 각 스트리트 (13) 에 대하여, 서로 평행한 복수의 홈 (11c) 을 형성해도 된다.In addition, the laser beam 31 irradiated to the workpiece 11 may be shaped so that the shape (beam profile) of the area to be irradiated is linear or rectangular. In this case, the wide groove 11c is formed by aligning the longitudinal direction of the area to be irradiated with the width direction of the street 13, for example. Moreover, you may form a some mutually parallel groove|channel 11c with respect to each street 13.

또한, 본 실시형태에서는, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 피가공물 (11) 에 작용시킬 때의 마스크층으로서 보호막 (29) 이 사용되고 있지만, 이 보호막 (29) 대신에, 포토리소그래피 등에 의해 형성되는 감광성 수지로 이루어지는 마스크층 등을 사용할 수도 있다. 플라즈마 상태의 에칭 가스를 피가공물 (11) 에 작용시키는 시간이 충분히 짧은 경우와 같이, 피가공물 (11) 에 대한 에칭 가스의 영향이 작은 경우에는, 마스크층을 사용하지 않고 플라즈마 상태의 에칭 가스를 피가공물 (11) 에 작용시켜도 된다. In the present embodiment, the protective film 29 is used as a mask layer when the etching gas in a plasma state acts on the workpiece 11, but instead of the protective film 29, a photosensitive resin formed by photolithography or the like is used. A mask layer made of may be used. When the effect of the etching gas on the workpiece 11 is small, such as when the time for allowing the etching gas in a plasma state to act on the workpiece 11 is sufficiently short, the etching gas in a plasma state is applied without using a mask layer. You may make it act on the to-be-processed object 11.

(제 2 실시형태) (Second Embodiment)

본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 레이저 빔 (31) 의 조사와, 플라즈마 상태의 에칭 가스의 공급을 조합하여 피가공물 (11) 을 절단한다. 또한, 피가공물 (11) 을 절단하기 전에는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 마찬가지로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층 (21) 을 형성한다 (수지층 형성 스텝). 또, 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (수지층 (21)) 에 테이프 (23) 를 첩부하고 (테이프 첩부 스텝), 또한, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성한다 (보호막 형성 스텝). In the device chip manufacturing method according to the present embodiment, the workpiece 11 is cut by combining irradiation of the laser beam 31 and supply of an etching gas in a plasma state. In addition, before cutting the to-be-processed object 11, similarly to the 1st embodiment mentioned above, the resin layer 21 is formed on the surface 11a side of the to-be-processed object 11 (resin layer formation step). Further, the tape 23 is affixed to the front surface 11a side (resin layer 21) of the workpiece 11 (tape sticking step), and a protective film is further applied to the backside 11b side of the workpiece 11. (29) is formed (protective film forming step).

예를 들어, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성한 후에는, 이 이면 (11b) 측으로부터 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 을 절단함으로써, 각각이 디바이스 (15) 를 갖는 복수의 디바이스 칩 (33) 을 제조한다 (피가공물 절단 스텝). 보다 구체적으로는, 먼저, 피가공물 (11) 에 흡수되는 파장의 레이저 빔 (31) 을 스트리트 (13) 를 따라 피가공물 (11) 에 조사함으로써, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에 개구된 홈 (11c) 을 형성한다 (홈 형성 스텝).For example, after forming the protective film 29 on the back surface 11b side of the workpiece 11, by cutting the workpiece 11 along the street 13 from the backside 11b side, each A plurality of device chips 33 having devices 15 are manufactured (workpiece cutting step). More specifically, first, by irradiating the workpiece 11 with a laser beam 31 of a wavelength absorbed by the workpiece 11 along the street 13, an opening is formed in the back surface 11b of the workpiece 11. formed grooves 11c (groove formation step).

본 실시형태에서도, 상기 서술한 레이저 가공 장치 (12) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 이 조사된다 (도 5). 구체적인 순서 등은, 상기 서술한 제 1 실시형태에서 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 을 조사하는 경우와 동일하다. 단, 레이저 빔 (31) 의 평균 출력이나, 각 스트리트 (13) 에 레이저 빔 (31) 을 조사하는 횟수 (패스수) 등은, 피가공물 (11) 이 절단되지 않는 범위에서 조정된다. 도 10 은, 홈 (11c) 이 형성된 후의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다. Also in this embodiment, the workpiece 11 is irradiated with the laser beam 31 using the laser processing device 12 described above (FIG. 5). The specific procedure and the like are the same as those in the case of irradiating the workpiece 11 with the laser beam 31 in the first embodiment described above. However, the average power of the laser beam 31 and the number of times the laser beam 31 is irradiated to each street 13 (the number of passes) are adjusted within a range in which the workpiece 11 is not cut. Fig. 10 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 after the grooves 11c are formed.

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에 개구하는 홈 (11c) 을 형성한 후에는, 이 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 과 홈 (11c) 의 바닥의 사이의 부분을 제거하여 피가공물 (11) 을 절단한다 (플라즈마 에칭 스텝). After forming the groove 11c opening to the back surface 11b of the workpiece 11, by supplying an etching gas in a plasma state from the backside 11b side, the surface 11a of the workpiece 11 and The workpiece 11 is cut by removing the portion between the bottoms of the grooves 11c (plasma etching step).

도 11 은, 상기 서술한 제 1 실시형태의 플라즈마 처리 장치 (22) 와는 상이한 플라즈마 처리 장치 (92) 를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 도 11 에 나타내는 플라즈마 처리 장치 (92) 를 사용하여 피가공물 (11) 에 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스가 공급된다. 단, 제 1 실시형태의 플라즈마 처리 장치 (22) 가 사용되어도 된다.11 is a cross-sectional view schematically showing a plasma processing device 92 different from the above-described plasma processing device 22 of the first embodiment. In this embodiment, an etching gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 from the back surface 11b side using, for example, the plasma processing apparatus 92 shown in FIG. 11 . However, the plasma processing device 22 of the first embodiment may be used.

도 11 에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 처리 장치 (92) 는, 내부에 처리 공간이 형성된 챔버 (94) 를 구비하고 있다. 챔버 (94) 의 측벽에는, 피가공물 (11) 이나 프레임 (25) 이 통과하는 크기의 개구부 (94a) 가 형성되어 있다. 개구부 (94a) 의 외부에는, 이 개구부 (94a) 를 덮을 수 있는 크기의 커버 (96) 가 형성되어 있다. As shown in FIG. 11 , the plasma processing apparatus 92 includes a chamber 94 in which a processing space is formed. An opening 94a of a size through which the workpiece 11 or the frame 25 passes is formed on the side wall of the chamber 94 . Outside the opening 94a, a cover 96 having a size capable of covering the opening 94a is formed.

커버 (96) 에는, 개폐 기구 (도시하지 않음) 가 연결되어 있고, 이 개폐 기구에 의해 커버 (96) 가 이동한다. 예를 들어, 커버 (96) 를 하방으로 이동시켜 개구부 (94a) 를 노출시킴으로써, 이 개구부 (94a) 를 통해서 피가공물 (11) 을 챔버 (94) 의 내부의 처리 공간에 반입하거나, 또는, 피가공물 (11) 을 챔버 (94) 의 내부의 처리 공간으로부터 반출할 수 있다.An opening/closing mechanism (not shown) is connected to the cover 96, and the cover 96 moves by the opening/closing mechanism. For example, by moving the cover 96 downward to expose the opening 94a, the workpiece 11 is carried into the processing space inside the chamber 94 through the opening 94a, or The workpiece 11 can be taken out of the processing space inside the chamber 94 .

챔버 (94) 의 바닥벽에는, 배기구 (94b) 가 형성되어 있다. 이 배기구 (94b) 는, 진공 펌프 등의 배기 유닛 (98) 에 접속되어 있다. 챔버 (94) 의 공간 내에는, 하부 전극 (100) 이 배치되어 있다. 하부 전극 (100) 은, 도전성 재료를 사용하여 원반상으로 형성되어 있고, 챔버 (94) 의 외부에서 고주파 전원 (102) 에 접속되어 있다. An exhaust port 94b is formed on the bottom wall of the chamber 94 . This exhaust port 94b is connected to an exhaust unit 98 such as a vacuum pump. Within the space of the chamber 94, the lower electrode 100 is disposed. The lower electrode 100 is formed in a disk shape using a conductive material, and is connected to the high frequency power supply 102 from the outside of the chamber 94 .

하부 전극 (100) 의 상면에는, 척 테이블 (104) 이 배치되어 있다. 척 테이블 (104) 은, 예를 들어, 판상의 절연부에 전극 (106a) 및 전극 (106b) 이 매립된 구조를 가지며, 전극 (106a) 및 전극 (106b) 과 피가공물 (11) 의 사이에 작용하는 전기적인 힘에 의해 피가공물 (11) 을 흡착한다. On the upper surface of the lower electrode 100, a chuck table 104 is disposed. The chuck table 104 has, for example, a structure in which electrodes 106a and 106b are embedded in a plate-shaped insulating portion, and between the electrodes 106a and 106b and the workpiece 11 The workpiece 11 is adsorbed by the applied electrical force.

예를 들어, 전극 (106a) 에는, DC 전원 (108a) 의 정극을 접속할 수 있도록 구성되고, 전극 (106b) 에는, DC 전원 (108b) 의 부극을 접속할 수 있도록 구성된다. 또한, DC 전원 (108a) 과 DC 전원 (108b) 은, 동일한 1 개의 DC 전원이어도 된다. 또, 척 테이블 (104) 의 상면에는, 흡인 펌프 등의 흡인력을 전달하는 흡인로의 단부 (端部) 가 개구되어 있어도 된다.For example, it is comprised so that the positive electrode of DC power supply 108a can be connected to electrode 106a, and it is comprised so that the negative electrode of DC power supply 108b can be connected to electrode 106b. In addition, DC power supply 108a and DC power supply 108b may be the same single DC power supply. Further, on the upper surface of the chuck table 104, an end portion of a suction path that transmits a suction force of a suction pump or the like may be opened.

챔버 (94) 의 상벽에는, 도전성 재료를 사용하여 원반상으로 형성된 상부 전극 (110) 이 절연 부재 (112) 를 개재하여 장착되어 있다. 상부 전극 (110) 의 하면측에는, 복수의 가스 분출공 (110a) 이 형성되어 있다. 가스 분출공 (110a) 은, 상부 전극 (110) 의 상면측에 형성된 가스 공급공 (110b) 등을 개재하여 가스 공급원 (114) 에 접속되어 있다. 이에 따라, 가스 공급원 (114) 으로부터 에칭 가스를 챔버 (94) 의 처리 공간에 공급할 수 있다. 이 상부 전극 (110) 도, 챔버 (94) 의 외부에서 고주파 전원 (116) 에 접속되어 있다.An upper electrode 110 formed in a disc shape using a conductive material is attached to the upper wall of the chamber 94 with an insulating member 112 interposed therebetween. On the lower surface side of the upper electrode 110, a plurality of gas ejection holes 110a are formed. The gas ejection hole 110a is connected to the gas supply source 114 via a gas supply hole 110b or the like formed on the upper surface side of the upper electrode 110 . Accordingly, the etching gas can be supplied from the gas supply source 114 to the processing space of the chamber 94 . This upper electrode 110 is also connected to the high frequency power supply 116 from the outside of the chamber 94 .

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급할 때에는, 개구부 (94a) 를 통해서 피가공물 (11) 을 챔버 (94) 의 처리 공간에 반입하고, 척 테이블 (104) 에 싣는다. 여기서는, 수지층 (21) 에 첩부되어 있는 테이프 (23) 를 척 테이블 (104) 의 상면에 접촉시키도록, 요컨대, 이면 (11b) 측을 상방으로 향하도록, 피가공물 (11) 이 척 테이블 (104) 에 실린다.When supplying an etching gas in a plasma state to the back surface 11b side of the workpiece 11, the workpiece 11 is carried into the processing space of the chamber 94 through the opening 94a, and placed on the chuck table 104. load Here, the workpiece 11 is placed on the chuck table ( 104) is published.

다음으로, DC 전원 (108a) 과 DC 전원 (108b) 에 의해, 전극 (106a) 및 전극 (106b) 에 직류 전압을 인가한다. 이에 따라, 피가공물 (11) 등은, 전극 (106a) 및 전극 (106b) 과 피가공물 (11) 의 사이에 작용하는 전기적인 힘에 의해 척 테이블 (104) 에 흡착된다. Next, DC voltage is applied to the electrode 106a and the electrode 106b by the DC power supply 108a and the DC power supply 108b. Accordingly, the workpiece 11 and the like are attracted to the chuck table 104 by the electrode 106a and the electrical force acting between the electrode 106b and the workpiece 11 .

피가공물 (11) 이 척 테이블 (104) 에 흡착된 후에는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 피가공물 (11) 에 공급한다. 구체적으로는, 먼저, 개폐 기구로 커버 (96) 를 이동시켜 개구부 (94a) 를 닫는다. 이에 따라, 챔버 (94) 의 처리 공간이 밀폐된다. 또, 배기 유닛 (98) 을 작동시켜, 챔버 (94) 의 처리 공간을 감압한다. 또한, 적당량의 불활성 가스를 처리 공간에 공급해도 된다. After the workpiece 11 is adsorbed to the chuck table 104, an etching gas in a plasma state is supplied to the workpiece 11 from the back surface 11b side of the workpiece 11. Specifically, first, the cover 96 is moved by an opening/closing mechanism to close the opening 94a. Accordingly, the processing space of the chamber 94 is sealed. Further, the exhaust unit 98 is operated to depressurize the processing space of the chamber 94 . In addition, an appropriate amount of inert gas may be supplied to the processing space.

이 상태에서, 가스 공급원 (114) 으로부터 에칭 가스를 소정의 유량으로 공급하면서, 고주파 전원 (102) 및 고주파 전원 (116) 으로 하부 전극 (100) 및 상부 전극 (110) 에 적절한 고주파 전력을 공급하면, 하부 전극 (100) 과 상부 전극 (110) 의 사이에 존재하는 에칭 가스의 일부의 분자가 이온 및 라디칼로 변화한다.In this state, when appropriate high frequency power is supplied to the lower electrode 100 and the upper electrode 110 by the high frequency power supply 102 and the high frequency power supply 116 while supplying the etching gas from the gas supply source 114 at a predetermined flow rate. , some molecules of the etching gas existing between the lower electrode 100 and the upper electrode 110 are changed into ions and radicals.

그 결과, 척 테이블 (104) 로 유지되고 있는 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에, 이온 및 라디칼을 포함하는 플라즈마 상태의 에칭 가스가 공급된다. 또한, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에는, 보호막 (29) 이 형성되어 있으므로, 이 보호막 (29) 이 마스크층이 되어, 플라즈마 상태의 에칭 가스는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에 거의 작용하지 않고, 주로, 홈 (11c) 에 작용한다.As a result, an etching gas in a plasma state containing ions and radicals is supplied to the back surface 11b side of the workpiece 11 held by the chuck table 104 . In addition, since the protective film 29 is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11, this protective film 29 serves as a mask layer, and the etching gas in a plasma state is applied to the back surface 11b of the workpiece 11. ), and mainly acts on the grooves 11c.

피가공물 (11) 의 표면 (11a) 과 홈 (11c) 의 바닥의 사이의 부분이 어느 정도로 두꺼운 경우에는, 이 부분을 적절히 제거하기 위해서, 막 형성, 부분적 막 제거, 홈 가공, 의 3 개의 스텝을 반복하면 된다. 예를 들어, 실리콘을 사용하여 형성된 웨이퍼를 피가공물 (11) 로 하는 경우에는, 다음과 같이 된다.When the part between the surface 11a of the workpiece 11 and the bottom of the groove 11c is thick to some extent, in order to appropriately remove this part, three steps of film formation, partial film removal, and groove processing Repeat. For example, when a wafer formed using silicon is used as the workpiece 11, it is as follows.

막 형성 스텝에서는, 예를 들어, 챔버 (94) 의 내부 공간의 압력을 유지하면서, 가스 공급원 (114) 으로부터 C4F8 을 소정의 유량으로 공급하고, 하부 전극 (100) 및 상부 전극 (110) 에 소정의 고주파 전력을 공급한다. 이에 따라, 상기 서술한 홈 (11c) 의 내측에 불소계 재료를 퇴적시켜, 홈 (11c) 의 내면을 덮는 얇은 막을 형성할 수 있다. 이 불소계 재료로 이루어지는 막은, SF6 을 원료로 하여 생성되는 이온 및 라디칼에 대하여 소정의 내성을 갖고 있다.In the film forming step, for example, C 4 F 8 is supplied from the gas supply source 114 at a predetermined flow rate while maintaining the pressure in the inner space of the chamber 94 , and the lower electrode 100 and the upper electrode 110 ) is supplied with a predetermined high-frequency power. In this way, the fluorine-based material can be deposited inside the groove 11c described above to form a thin film covering the inner surface of the groove 11c. A film made of this fluorine-based material has a certain resistance to ions and radicals generated from SF 6 as a raw material.

부분적 막 제거의 스텝에서는, 예를 들어, 챔버 (94) 의 내부 공간의 압력을 일정하게 유지하면서, 가스 공급원 (114) 으로부터 SF6 을 소정의 유량으로 공급하고, 하부 전극 (100) 및 상부 전극 (110) 에 소정의 고주파 전력을 공급한다. 이에 따라, SF6 을 원료로 하는 이온 및 라디칼을 발생시킬 수 있다. 또한, 이 부분적 막 제거의 스텝에서는, 하부 전극 (100) 에 공급되는 전력을, 다음의 홈 가공의 스텝에 비해 크게 한다. In the step of partial film removal, for example, SF 6 is supplied from the gas supply source 114 at a predetermined flow rate while the pressure in the internal space of the chamber 94 is kept constant, and the lower electrode 100 and the upper electrode A predetermined high-frequency power is supplied to 110. Accordingly, ions and radicals using SF 6 as a raw material can be generated. In addition, in this partial film removal step, the power supplied to the lower electrode 100 is increased compared to the next groove processing step.

하부 전극 (100) 에 공급되는 전력을 크게 하면, 에칭의 이방성이 높아진다. 구체적으로는, 홈 (11c) 을 덮는 막의 하부 전극 (100) 측 (즉, 홈 (11c) 의 바닥측) 의 부분이 우선적으로 가공된다. 요컨대, SF6 을 원료로 하여 생성되는 이온 및 라디칼에 의해, 홈 (11c) 을 덮는 막의 홈 (11c) 의 바닥을 덮는 부분만을 제거할 수 있다. When the power supplied to the lower electrode 100 is increased, the anisotropy of etching is increased. Specifically, the part on the lower electrode 100 side of the film covering the groove 11c (ie, the bottom side of the groove 11c) is preferentially processed. In short, only the part covering the bottom of the groove 11c of the film covering the groove 11c can be removed by ions and radicals generated using SF 6 as a raw material.

홈 가공의 스텝에서는, 예를 들어, 챔버 (94) 의 처리 공간의 압력을 유지하면서, 가스 공급원 (114) 으로부터 SF6 을 소정의 유량으로 공급하고, 하부 전극 (100) 및 상부 전극 (110) 에 소정의 고주파 전력을 공급한다. 이에 따라, SF6 을 원료로 하는 이온 및 라디칼을 발생시켜, 막으로 덮여 있지 않은 홈 (11c) 의 바닥을 가공할 수 있다. In the groove machining step, for example, while maintaining the pressure in the processing space of the chamber 94, SF 6 is supplied from the gas supply source 114 at a predetermined flow rate, and the lower electrode 100 and the upper electrode 110 to supply a predetermined high-frequency power. This generates ions and radicals using SF 6 as a raw material, so that the bottom of the groove 11c not covered with a film can be processed.

상기 서술한 바와 같은 막 형성, 부분적 막 제거, 홈 가공의 3 개의 스텝을 반복 실시함으로써, 홈 (11c) 을 서서히 깊게 하여, 최종적으로는, 피가공물 (11) 을 스트리트 (13) 를 따라 절단할 수 있다. 피가공물 (11) 을 절단하여 복수의 디바이스 칩 (33) 을 얻은 후에는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 마찬가지로 수지층 (21) 에 외력을 부여하고, 이 수지층 (21) 을 디바이스 칩 (33) 에 맞추어 분할하면 된다 (수지층 분할 스텝). By repeatedly performing the three steps of film formation, partial film removal, and groove processing as described above, the groove 11c is gradually deepened, and finally, the workpiece 11 is cut along the street 13. can After cutting the workpiece 11 to obtain a plurality of device chips 33, an external force is applied to the resin layer 21 in the same manner as in the first embodiment described above, and the resin layer 21 is cut into device chips ( 33) (resin layer division step).

본 실시형태에서는, 이면 (11b) 측으로부터 레이저 빔 (31) 을 조사하여 홈 (11c) 을 형성하고, 그 후, 플라즈마 상태의 에칭 가스를 이면 (11b) 측으로부터 공급하여 피가공물 (11) 을 절단하므로, 레이저 빔 (31) 만으로 피가공물 (11) 을 절단하는 경우에 비해, 표면 (11a) 측의 수지층 (21) 에 열이 잘 전달되지 않는다. 따라서, 수지층 (21) 의 경화를 보다 적절히 억제할 수 있다. 또한, 상기 서술한 제 1 실시형태 및 그 변형예에 관련된 방법 등은, 본 실시형태의 방법 등에 대하여 임의로 조합된다. In this embodiment, a laser beam 31 is irradiated from the back surface 11b side to form a groove 11c, and then an etching gas in a plasma state is supplied from the back surface 11b side to form the workpiece 11. Since it is cut, compared with the case where the workpiece 11 is cut only with the laser beam 31, heat is not easily transmitted to the resin layer 21 on the surface 11a side. Therefore, hardening of the resin layer 21 can be suppressed more appropriately. In addition, the methods and the like related to the above-described first embodiment and its modified examples are arbitrarily combined with the method and the like of the present embodiment.

(제 3 실시형태) (Third Embodiment)

본 실시형태에 관련된 디바이스 칩의 제조 방법에서는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써, 피가공물 (11) 을 절단한다. 또한, 피가공물 (11) 을 절단하기 전에는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 마찬가지로, 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측에 수지층 (21) 을 형성한다 (수지층 형성 스텝). 또, 이 피가공물 (11) 의 표면 (11a) 측 (수지층 (21)) 에 테이프 (23) 를 첩부하고 (테이프 첩부 스텝), 또한, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성한다 (보호막 형성 스텝).In the device chip manufacturing method according to the present embodiment, the workpiece 11 is cut by supplying an etching gas in a plasma state from the back surface 11b side of the workpiece 11 . In addition, before cutting the to-be-processed object 11, similarly to the 1st embodiment mentioned above, the resin layer 21 is formed on the surface 11a side of the to-be-processed object 11 (resin layer formation step). Further, the tape 23 is affixed to the front surface 11a side (resin layer 21) of the workpiece 11 (tape sticking step), and a protective film is further applied to the backside 11b side of the workpiece 11. (29) is formed (protective film forming step).

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측에 보호막 (29) 을 형성한 후에는, 이 보호막 (29) 을 가공하여, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측의 디바이스 (15) 에 대응하는 영역을 덮는 마스크층을 형성한다 (마스크층 형성 스텝). 도 12 는, 마스크층 (35) 이 형성된 후의 피가공물 (11) 을 나타내는 단면도이다.After the protective film 29 is formed on the back surface 11b side of the workpiece 11, the protective film 29 is processed to provide a device 15 on the back surface 11b side of the workpiece 11. A mask layer covering the region is formed (mask layer forming step). 12 is a cross-sectional view showing the workpiece 11 after the mask layer 35 is formed.

본 실시형태의 마스크층 (35) 은, 예를 들어, 상기 서술한 레이저 가공 장치 (12) 를 사용하여, 제 1 실시형태나 제 2 실시형태에서 홈 (11c) 을 형성할 때의 순서와 동일한 순서에 의해 형성된다. 요컨대, 마스크층 (35) 은, 보호막 (29) 을 레이저 빔 (31) 으로 가공함으로써 형성된다. The mask layer 35 of the present embodiment is the same as the procedure for forming the grooves 11c in the first embodiment or the second embodiment using, for example, the laser processing apparatus 12 described above. formed by sequence. In short, the mask layer 35 is formed by processing the protective film 29 with the laser beam 31 .

구체적인 순서 등은, 상기 서술한 제 1 실시형태에서 피가공물 (11) 에 레이저 빔 (31) 을 조사하는 경우와 동일하다. 단, 레이저 빔 (31) 의 평균 출력이나, 레이저 빔 (31) 을 조사하는 횟수 (패스수) 등은, 피가공물 (11) 이 거의 가공되지 않는 범위에서 조정된다. 또한, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측은, 약간 가공되어도 된다. The specific procedure and the like are the same as those in the case of irradiating the workpiece 11 with the laser beam 31 in the first embodiment described above. However, the average power of the laser beam 31 and the number of times the laser beam 31 is irradiated (number of passes) are adjusted within a range in which the workpiece 11 is hardly processed. In addition, the back surface 11b side of the to-be-processed object 11 may be slightly processed.

이에 따라, 스트리트 (13) 를 따라 보호막 (29) 을 절단하고, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측의 디바이스 (15) 에 대응하는 영역을 덮는 마스크층 (35) 을 형성할 수 있다. 또한, 본 실시형태에서는, 보호막 (29) 을 마스크층 (35) 으로 가공하고 있지만, 감광성 수지를 포토리소그래피 등으로 가공함으로써 마스크층 (35) 을 형성해도 된다. In this way, the protective film 29 is cut along the street 13, and the mask layer 35 covering the region corresponding to the device 15 on the back surface 11b side of the workpiece 11 can be formed. In this embodiment, the protective film 29 is processed into the mask layer 35, but the mask layer 35 may be formed by processing the photosensitive resin by photolithography or the like.

피가공물 (11) 의 이면 (11b) 에 마스크층 (35) 을 형성한 후에는, 이 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써, 피가공물 (11) 의 마스크층 (35) 으로부터 노출되어 있는 부분을 제거하여 피가공물 (11) 을 절단한다 (피가공물 절단 스텝). 사용되는 장치나 순서 등은, 상기 서술한 제 2 실시형태에서 피가공물 (11) 에 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하는 경우와 동일하다.After forming the mask layer 35 on the back surface 11b of the workpiece 11, by supplying an etching gas in a plasma state from the backside 11b side, the mask layer 35 of the workpiece 11 The exposed portion is removed to cut the workpiece 11 (workpiece cutting step). The apparatus used, the procedure, and the like are the same as those in the case of supplying the etching gas in a plasma state to the workpiece 11 in the above-described second embodiment.

피가공물 (11) 을 절단하여 복수의 디바이스 칩 (33) 을 얻은 후에는, 상기 서술한 제 1 실시형태와 마찬가지로 수지층 (21) 에 외력을 부여하고, 이 수지층 (21) 을 디바이스 칩 (33) 에 맞추어 분할하면 된다 (수지층 분할 스텝).After cutting the workpiece 11 to obtain a plurality of device chips 33, an external force is applied to the resin layer 21 in the same manner as in the first embodiment described above, and the resin layer 21 is cut into device chips ( 33) (resin layer division step).

본 실시형태에서는, 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측의 디바이스 (15) 에 대응하는 영역을 덮는 마스크층 (35) 을 형성하고, 그 후, 마스크층 (35) 이 형성되어 있는 피가공물 (11) 의 이면 (11b) 측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급하여 피가공물 (11) 을 절단하므로, 레이저 빔 (31) 을 사용하여 피가공물 (11) 을 절단하는 경우에 비해, 표면 (11a) 측의 수지층 (21) 에 열이 잘 전달되지 않는다. 따라서, 수지층 (21) 의 경화를 보다 적절히 억제할 수 있다. 또한, 상기 서술한 제 1 실시형태, 제 2 실시형태, 및 이들의 변형예에 관련된 방법 등은, 본 실시형태의 방법 등에 대하여 임의로 조합된다.In the present embodiment, the mask layer 35 covering the region corresponding to the device 15 on the back surface 11b side of the workpiece 11 is formed, and then the workpiece on which the mask layer 35 is formed. Since the etching gas in a plasma state is supplied from the back surface 11b side of the 11 to cut the workpiece 11, compared to the case where the workpiece 11 is cut using the laser beam 31, the surface 11a ) side of the resin layer 21 does not transfer heat well. Therefore, hardening of the resin layer 21 can be suppressed more appropriately. In addition, the method etc. related to the above-mentioned 1st embodiment, 2nd embodiment, and their modified example are combined arbitrarily with respect to the method of this embodiment, etc.

또한, 본 발명은, 상기 서술한 각 실시형태 및 각 변형예의 기재에 제한되지 않고 여러 가지로 변경하여 실시될 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 레이저 빔 또는 플라즈마 상태의 에칭 가스를 사용하여 피가공물 (11) 을 이면 (11b) 측으로부터 절단하고 있지만, 피가공물 (11) 은, 다른 방법으로 이면 (11b) 측으로부터 절단되어도 된다. 구체적으로는, 수지 등으로 이루어지는 결합재에 지립이 분산된 환상의 절삭 블레이드를 사용하여, 피가공물 (11) 을 이면 (11b) 측으로부터 절단할 수도 있다. In addition, this invention can be implemented with various changes without being limited to description of each embodiment and each modified example mentioned above. For example, in each embodiment described above, the workpiece 11 is cut from the back surface 11b side using a laser beam or a plasma etching gas, but the workpiece 11 is cut from the backside by another method. It may be cut from the (11b) side. Specifically, the workpiece 11 can be cut from the back surface 11b side using an annular cutting blade in which abrasive grains are dispersed in a binder made of resin or the like.

그 밖에, 상기 서술한 각 실시형태 및 각 변형예에 관련된 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적의 범위를 일탈하지 않는 한에 있어서 변경하여 실시될 수 있다.In addition, the structures, methods, etc. related to each embodiment and each modification described above can be modified and implemented without departing from the scope of the object of the present invention.

11 : 피가공물
11a : 표면
11b : 이면
11c : 홈
13 : 스트리트 (분할 예정 라인)
15 : 디바이스
21 : 수지층
21a : 소편
23 : 테이프
25 : 프레임
25a : 개구부
27 : 원료
29 : 보호막
31 : 레이저 빔
33 : 디바이스 칩
35 : 마스크층
2 : 스핀 코터
4 : 스피너 테이블
4a : 상면 (유지면)
4b : 유로
6 : 클램프
8 : 노즐
12 : 레이저 가공 장치
14 : 척 테이블
14a : 상면 (유지면)
14b : 유로
16 : 클램프
18 : 레이저 가공 헤드
22 : 플라즈마 처리 장치
24 : 챔버
24a : 측벽
24b : 개구부
24c : 바닥벽
24d : 상벽
26 : 커버
28 : 개폐 기구
30 : 배관
32 : 감압 유닛
34 : 테이블 베이스
34a : 흡인로
34b : 유로
36 : 유지부
38 : 지지부
40 : 척 테이블
42 : 절연부
42a : 흡인로
44 : 전극
46 : DC 전원
48 : 흡인 펌프
50 : 순환 유닛
52 : 가스 공급 유닛
54 : 공급관
54a : 공급구
56a : 밸브
56b : 밸브
56c : 밸브
58a : 유량 컨트롤러
58b : 유량 컨트롤러
58c : 유량 컨트롤러
60a : 밸브
60b : 밸브
60c : 밸브
62a : 가스 공급원
62b : 가스 공급원
62c : 가스 공급원
64 : 전극
66 : 고주파 전원
68 : 분산 부재
70 : 배관
72 : 확장 장치
74 : 드럼
76 : 롤러
78 : 지지 부재
80 : 테이블
82 : 고정 부재
92 : 플라즈마 처리 장치
94 : 챔버
94a : 개구부
94b : 배기구
96 : 커버
98 : 배기 유닛
100 : 하부 전극
102 : 고주파 전원
104 : 척 테이블
106a : 전극
106b : 전극
108a : DC 전원
108b : DC 전원
110 : 상부 전극
110a : 가스 분출공
110b : 가스 공급공
112 : 절연 부재
114 : 가스 공급원
116 : 고주파 전원 11: Workpiece
11a: surface
11b: back side
11c: Home
13: Street (line to be divided)
15: device
21: resin layer
21a: small piece
23: tape
25: frame
25a: opening
27: raw material
29: Shield
31: laser beam
33: device chip
35: mask layer
2: spin coater
4 : Spinner table
4a: top surface (retaining surface)
4b: Euro
6 : clamp
8 : Nozzle
12: laser processing device
14: chuck table
14a: upper surface (retaining surface)
14b: Euro
16 : clamp
18: laser processing head
22: plasma processing device
24: chamber
24a: side wall
24b: opening
24c: bottom wall
24d: upper wall
26 : cover
28: opening and closing mechanism
30: piping
32: decompression unit
34: table base
34a: suction furnace
34b: Euro
36: holding part
38: support
40: chuck table
42: insulation
42a: suction furnace
44: electrode
46: DC power
48: suction pump
50: circulation unit
52: gas supply unit
54: supply pipe
54a: supply port
56a: valve
56b: valve
56c: valve
58a: flow controller
58b: flow controller
58c: flow controller
60a: valve
60b: valve
60c: valve
62a: gas source
62b: gas source
62c: gas source
64: electrode
66: high frequency power supply
68: dispersion member
70: piping
72: extension device
74: drum
76: roller
78: support member
80: table
82: fixed member
92: plasma processing device
94: chamber
94a: opening
94b: exhaust port
96: cover
98: exhaust unit
100: lower electrode
102: high frequency power supply
104: chuck table
106a: electrode
106b: electrode
108a: DC power
108b: DC power
110: upper electrode
110a: gas blow hole
110b: gas supply hole
112: insulation member
114: gas source
116: high frequency power supply

Claims (9)

분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 영역에 디바이스가 형성되어 있는 판상의 피가공물을 그 분할 예정 라인으로 분할함으로써 그 디바이스를 포함하는 디바이스 칩을 제조하는 디바이스 칩의 제조 방법으로서,
그 피가공물의 그 표면측에 미경화 또는 반경화 상태의 수지를 포함하는 수지층을 형성하는 수지층 형성 스텝과,
그 수지층 형성 스텝 후에, 그 수지층이 그 표면측에 형성되어 있는 그 피가공물의 이면측으로부터 그 피가공물을 그 분할 예정 라인을 따라 절단함으로써 그 디바이스 칩을 제조하는 피가공물 절단 스텝을 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법. A device chip manufacturing method for manufacturing a device chip including the device by dividing a plate-shaped workpiece in which devices are formed in a surface side region partitioned by division lines by the division division lines, the method comprising the steps of:
A resin layer forming step of forming a resin layer containing an uncured or semi-cured resin on the surface side of the workpiece;
After the resin layer forming step, a workpiece cutting step of manufacturing the device chip by cutting the workpiece along the line along which the workpiece is to be divided from the back side of the workpiece on which the resin layer is formed on the front side. A method of manufacturing a device chip. 제 1 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝 후에, 그 수지층에 외력을 부여함으로써 그 수지층을 그 디바이스 칩에 맞추어 분할하는 수지층 분할 스텝을 추가로 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법. According to claim 1,
A device chip manufacturing method further comprising, after the workpiece cutting step, a resin layer dividing step of dividing the resin layer to conform to the device chip by applying an external force to the resin layer. 제 2 항에 있어서,
그 수지층 형성 스텝 후, 그 수지층 분할 스텝 전에, 그 피가공물의 그 표면측에 익스팬드성을 갖는 테이프를 첩부 (貼付) 하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고,
그 수지층 분할 스텝에서는, 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층에 외력을 부여하여 그 수지층을 분할하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 2,
After the resin layer forming step and before the resin layer dividing step, a tape attaching step of attaching a tape having an expandability to the surface side of the workpiece is further included,
In the resin layer dividing step, an external force is applied to the resin layer by expanding the tape to divide the resin layer. 제 2 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝 후, 그 수지층 분할 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측에 익스팬드성을 갖는 테이프를 첩부하는 테이프 첩부 스텝을 추가로 포함하고,
그 수지층 분할 스텝에서는, 그 테이프를 확장함으로써 그 수지층에 외력을 부여하여 그 수지층을 분할하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 2,
After the cutting step of the workpiece and before the step of dividing the resin layer, a tape attaching step of attaching a tape having an expandability to the back side of the workpiece is further included,
In the resin layer dividing step, an external force is applied to the resin layer by expanding the tape to divide the resin layer. 제 1 항에 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측에 보호막을 형성하는 보호막 형성 스텝을 추가로 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 4,
A device chip manufacturing method further comprising a protective film forming step of forming a protective film on the back side of the workpiece before the workpiece cutting step. 제 1 항에 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝에서는, 그 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 조사함으로써 그 피가공물을 절단하는 디바이스 칩의 제조 방법. According to any one of claims 1 to 5,
In the workpiece cutting step, the workpiece is cut by irradiating the workpiece with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece along the dividing line. 제 6 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝 후에, 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 디바이스 칩에 잔존하는 가공 변형 또는 데브리를 제거하는 플라즈마 에칭 스텝을 추가로 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법.According to claim 6,
A device chip manufacturing method further comprising, after the workpiece cutting step, a plasma etching step of removing processing strain or debris remaining on the device chip by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece. . 제 1 항에 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝은,
그 피가공물에 흡수되는 파장의 레이저 빔을 그 분할 예정 라인을 따라 그 피가공물에 조사함으로써 그 피가공물의 그 이면에 개구된 홈을 형성하는 홈 형성 스텝과,
그 홈 형성 스텝 후에, 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 피가공물의 그 표면과 그 홈의 바닥의 사이의 부분을 제거하여 그 피가공물을 절단하는 플라즈마 에칭 스텝을 포함하는 디바이스 칩의 제조 방법. According to any one of claims 1 to 5,
The work piece cutting step,
a groove forming step of forming an open groove on the back surface of the workpiece by irradiating the workpiece with a laser beam having a wavelength absorbed by the workpiece along the line along which the workpiece is to be divided;
After the groove forming step, a plasma etching step of cutting the workpiece by removing a portion between the surface of the workpiece and the bottom of the groove by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece. A method of manufacturing a device chip comprising: 제 1 항에 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
그 피가공물 절단 스텝 전에, 그 피가공물의 그 이면측의 그 디바이스에 대응하는 영역을 덮는 마스크층을 그 피가공물에 형성하는 마스크층 형성 스텝을 추가로 포함하고,
그 피가공물 절단 스텝에서는, 그 마스크층이 형성되어 있는 그 피가공물의 그 이면측으로부터 플라즈마 상태의 에칭 가스를 공급함으로써 그 피가공물의 그 마스크층으로부터 노출되어 있는 부분을 제거하여 그 피가공물을 절단하는 디바이스 칩의 제조 방법. According to any one of claims 1 to 5,
before the workpiece cutting step, further comprising a mask layer forming step of forming on the workpiece a mask layer covering a region corresponding to the device on the back surface side of the workpiece;
In the cutting step of the workpiece, a portion exposed from the mask layer of the workpiece is removed by supplying an etching gas in a plasma state from the back side of the workpiece on which the mask layer is formed, and the workpiece is cut. A method for manufacturing a device chip.
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