KR20230076589A - Adhesive film - Google Patents

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강누리
김효동
최지훈
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

The present invention relates to an adhesive film which comprises: a first substrate layer; a first adhesive layer stacked on the first substrate layer; a second adhesive layer stacked on the first adhesive layer; and a second substrate layer stacked on the second adhesive layer. The first adhesive layer is a cured product layer of a composition for forming the first adhesive layer which comprises a silicone resin, a first hydride silicone compound represented by chemical formula 2, a second hydride silicone compound represented by chemical formula 3, an acrylate-modified silicone resin, and a light-cured initiator. The second adhesive layer is a cured product layer of a composition for forming the second adhesive layer which comprises a silicone resin, the first hydride silicone compound represented by chemical formula 2, and the second hydride silicone compound represented by chemical formula 3. The composition for forming the first adhesive layer comprises, based on 100 parts by weight of silicone resins: 12-18 parts by weight of the first hydride silicone compound; 4-6 parts by weight of the second hydride silicone compound; and 20-40 parts by weight of the acrylate-modified silicone resin. The composition for the second adhesive layer comprises, based on 100 parts by weight of silicone resins: 7-13 parts by weight of the first hydride silicone compound; and 7-10 parts by weight of the second hydride silicone compound. According to the present invention, a processing process can be simplified, and the yields can be improved.

Description

점착 필름{ADHESIVE FILM}Adhesive film {ADHESIVE FILM}

본 발명은 점착 필름에 관한 것으로, 양면의 점착력을 달리 조절할 수 있는 점착 필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film, and relates to an adhesive film capable of adjusting the adhesive strength of both sides differently.

휴대용 전자기기의 소형화를 위하여, 반도체 칩의 박형화가 요구되고 있다. 반도체 칩의 박형화를 위하여 반도체 웨이퍼에 대한 박막 연삭(grinding) 및 다이싱(dicing) 공정이 필요하고, 연삭 및 다이싱 공정에서 웨이퍼를 보호 및/또는 고정하기 위한 점착필름(adhesive film)이 사용된다. 점착필름은 반도체 웨이퍼 가공 시 웨이퍼 보호를 위하여 웨이퍼에 점착되고, 필요에 따라 웨이퍼로부터 제거되어야 한다. 점착필름을 웨이퍼로부터 제거, 즉 박리하기 위하여 다양한 방법이 사용될 수 있다.For miniaturization of portable electronic devices, thinning of semiconductor chips is required. In order to thin the semiconductor chip, a thin film grinding and dicing process is required for the semiconductor wafer, and an adhesive film is used to protect and/or fix the wafer in the grinding and dicing process. . The adhesive film is adhered to the wafer to protect the wafer during semiconductor wafer processing, and must be removed from the wafer if necessary. Various methods may be used to remove, ie peel, the adhesive film from the wafer.

관련하여, 대한민국 등록특허 제 10-1907010호는 지지체, 가접착층 및 웨이퍼가 순차적으로 적층되어 이루어지는 웨이퍼 가공체를 개시하고 있으나, 상기 가접착층에는 열가소성 수지층이 포함되어 고온에서 변형이 발생할 수 있고, 지지체 및 웨이퍼에 각각 가접착층을 형성한 후 접합하는 공정에 의하므로, 공정이 복잡하고 생산율이 저하되며, 가접착층의 제거 후 잔존물이 남아 이를 제거하는 별도의 공정이 요구되는 등 점착 필름으로서 필요한 성능을 만족시키기 어렵다는 문제점이 있었다.In relation to this, Korean Patent Registration No. 10-1907010 discloses a wafer processing body in which a support, a temporary adhesive layer, and a wafer are sequentially stacked, but the temporary adhesive layer includes a thermoplastic resin layer, so deformation may occur at high temperature Since it is based on the bonding process after forming the temporary adhesive layer on the support and wafer respectively, the process is complicated and the production rate is lowered, and the residue remains after the removal of the temporary adhesive layer, requiring a separate process to remove it. Performance required as an adhesive film was difficult to satisfy.

이에 따라, 고온에서의 웨이퍼 가공시에도 변형이 발생하지 않으며, 양면의 점착력을 달리 조절하여 필요시 웨이퍼로부터 쉽게 제거될 수 있는 점착 필름의 필요성이 대두된다.Accordingly, there is a need for an adhesive film that does not deform even during wafer processing at a high temperature and can be easily removed from the wafer when necessary by adjusting the adhesive strength of both sides differently.

대한민국 등록특허 제 10-1907010호(2018.10.04. 등록)Republic of Korea Patent Registration No. 10-1907010 (2018.10.04. Registration)

본 발명은 반도체 웨이퍼의 가공 공정을 단순화하고 생산율을 향상시키기 위하여 기존의 조성물 형태가 아닌 필름 형태로 제공되는 반도체 웨이퍼 가공용 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an adhesive film for semiconductor wafer processing that is provided in the form of a film rather than the form of a conventional composition in order to simplify the processing process of semiconductor wafers and improve the production rate.

또한, 본 발명은 고온의 공정에서도 변형이 발생하지 않으며, 표면에 범프 등의 요철이 있는 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 이용할 수 있는 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, an object of the present invention is to provide an adhesive film that does not undergo deformation even in a high-temperature process and can be used in a semiconductor wafer processing process having irregularities such as bumps on the surface.

또한, 본 발명은 양 면의 점착력을 달리 조절 가능하여 반도체 웨이퍼에 점착된 점착 필름을 쉽게 제거할 수 있고, 점착층의 제거 후에도 잔존물이 남지 않는 점착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide an adhesive film that can be easily removed by adjusting the adhesive strength of both sides of the adhesive film adhered to a semiconductor wafer and does not leave residue even after removal of the adhesive layer.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 제1 기재층; 상기 제1 기재층 상에 적층되는 제1 점착층; 상기 제1 점착층 상에 적층되는 제2 점착층; 및 상기 제2 점착층 상에 적층되는 제2 기재층을 포함하고, 제1 점착층은 실리콘 수지, 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물, 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물, 아크릴 변성 실리콘 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 제1 점착층 형성용 조성물의 경화물층이고, 제2 점착층은 실리콘 수지, 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 및 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함하는 제2 점착층 형성용 조성물의 경화물층이고, 제1 점착층 형성용 조성물은 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 12 내지 18 중량부, 제2 하이드라이드 실리콘 화합물 4 내지 6 중량부 및 아크릴 변성 실리콘 수지 20 내지 40 중량부를 포함하고, 제2 점착층 형성용 조성물은 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 7 내지 13 중량부 및 제2 하이드라이드 실리콘 화합물 7 내지 10 중량부를 포함하는, 점착필름을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a first base layer; A first adhesive layer laminated on the first substrate layer; a second adhesive layer laminated on the first adhesive layer; and a second substrate layer stacked on the second adhesive layer, wherein the first adhesive layer includes a silicone resin, a first hydride silicone compound represented by Formula 2, a second hydride silicone compound represented by Formula 3, A cured product layer of a composition for forming a first adhesive layer comprising an acrylic modified silicone resin and a photopolymerization initiator, and the second adhesive layer is a silicone resin, a first hydride silicone compound represented by Formula 2 and a second adhesive layer represented by Formula 3 It is a cured layer of a composition for forming a second adhesive layer containing a hydride silicone compound, and the composition for forming the first adhesive layer is based on 100 parts by weight of the silicone resin, 12 to 18 parts by weight of the first hydride silicone compound, the second The composition for forming the second adhesive layer includes 4 to 6 parts by weight of a hydride silicone compound and 20 to 40 parts by weight of an acrylic-modified silicone resin, based on 100 parts by weight of the silicone resin, 7 to 13 parts by weight of the first hydride silicone compound and An adhesive film containing 7 to 10 parts by weight of the second hydride silicone compound is provided.

본 발명의 점착 필름은, 필름 형태로 제공되므로 반도체 웨이퍼 및 지지체 각각에 가접착층을 형성한 후 접합하는 별도의 공정이 요구되지 않으며, 이에 따라 반도체 웨이퍼 가공 공정을 단순화하고 생산율을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다. Since the adhesive film of the present invention is provided in the form of a film, a separate process of bonding after forming a temporary adhesive layer on each of the semiconductor wafer and the support is not required, thereby simplifying the semiconductor wafer processing process and improving the production rate. have

또한, 본 발명의 점착 필름은, 제1 점착층 및 제2 점착층으로 이루어지는 2층의 적층구조를 포함함으로써, 고온의 반도체 웨이퍼 가공 공정에서도 변형이 발생하지 않는 등 내열 특성이 우수하고, 표면에 범프 등의 요철이 있는 반도체 웨이퍼의 가공 공정에 적합하게 이용할 수 있는 효과를 갖는다.In addition, since the adhesive film of the present invention includes a two-layer laminated structure composed of a first adhesive layer and a second adhesive layer, it has excellent heat resistance properties such as no deformation even in a high-temperature semiconductor wafer processing process, and It has an effect that can be used suitably for the processing process of a semiconductor wafer with irregularities such as bumps.

또한, 본 발명의 점착 필름은 소정의 열처리 및 UV 조사를 통해 양 면의 점착력을 달리 조절하여, 웨이퍼에 점착된 면이 더 쉽게 박리되도록 할 수 있으며, 점착층의 제거 후에도 잔존물이 남지 않아 이를 제거하기 위한 별도의 공정이 요구되지 않는 이점이 있다. In addition, the adhesive film of the present invention can adjust the adhesiveness of both sides differently through predetermined heat treatment and UV irradiation, so that the side adhered to the wafer can be more easily peeled off, and no residue remains after the adhesive layer is removed, so it can be removed. There is an advantage that no separate process is required for this.

도 1은 본 발명에 따른 점착필름을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명에 따른 점착필름이 웨이퍼 및 캐리어에 접합된 형태를 나타낸 도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 잔존물 평가 기준을 나타낸 도이다.
1 is a view showing an adhesive film according to the present invention.
2 is a view showing a form in which an adhesive film according to the present invention is bonded to a wafer and a carrier.
3 is a diagram showing a residual evaluation criterion according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 양면의 점착력을 달리 조절할 수 있는 점착 필름에 관한 것으로, 제1 기재층, 상기 제1 기재층 상에 적층되는 제1 점착층, 상기 제1 점착층 상에 적층되는 제2 점착층 및 상기 제2 점착층 상에 적층되는 제2 기재층을 포함한다.The present invention relates to an adhesive film capable of adjusting the adhesive strength of both sides differently, and includes a first substrate layer, a first adhesive layer laminated on the first substrate layer, a second adhesive layer laminated on the first adhesive layer, and It includes a second substrate layer laminated on the second adhesive layer.

이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 명세서 전체에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout this specification, when a member is said to be located “on” another member, this includes not only a case where a member is in contact with another member, but also a case where another member exists between the two members.

본 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.When it is said that a certain part "includes" a certain component throughout this specification, it means that it may further include other components, not excluding other components unless otherwise stated.

<점착 필름><Adhesive film>

본 발명에 따른 점착 필름(100)은 제1 기재(110), 제1 점착층(120), 제2 점착층(130) 및 제2 기재(140)를 포함한다. 이때 제1 점착층(120) 및 제2 점착층(140)은 각각 후술하는 본 발명의 제1 점착층 형성용 조성물 및 제2 점착층 형성용 조성물로 제조되는 것으로, 소정의 공정을 통하여 제1 기재(110), 제1 점착층(120) 제2 점착층(130) 및 제2 기재(140)가 순차적으로 적층될 수 있다. The adhesive film 100 according to the present invention includes a first substrate 110 , a first adhesive layer 120 , a second adhesive layer 130 and a second substrate 140 . At this time, the first adhesive layer 120 and the second adhesive layer 140 are each made of the composition for forming the first adhesive layer and the composition for forming the second adhesive layer of the present invention, which will be described later, through a predetermined process. The substrate 110, the first adhesive layer 120, the second adhesive layer 130, and the second substrate 140 may be sequentially stacked.

제1 기재(110) 및 제2 기재(140)First substrate 110 and second substrate 140

본 발명에 따른 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)는 반도체 웨이퍼를 가공하기 위하여 사용되는 것으로 점착층(120, 130)이 점착될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 PE(Polyethylene; 폴리에틸렌), PP(Polypropylene; 폴리프로필렌), PC(Polycarbonate; 폴리카보네이트), PET(Polyethylene Terephthalate; 폴리에틸렌테트라프탈레이트), TAC(Triacetate Cellulose; 트리아세틸셀룰로오스), PI(Polyimide; 폴리이미드), PEEK(Poly Ether Ether Ketone; 폴리에테르에테르케톤), PVC(Polyvinyl Chloride; 폴리염화비닐) 및 PMMA(Polymethyl methacrylate; 폴리메틸메타아크릴레이트) 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 PE(Polyethylene; 폴리에틸렌)을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.The first substrate 110 and the second substrate 140 according to the present invention are used to process semiconductor wafers and are not particularly limited as long as the adhesive layers 120 and 130 can be adhered to, but, for example, PE ( Polyethylene; PP (Polypropylene; Polypropylene), PC (Polycarbonate; Polycarbonate), PET (Polyethylene Terephthalate; Polyethylene Tetraphthalate), TAC (Triacetate Cellulose; Triacetyl Cellulose), PI (Polyimide; Polyimide), PEEK (Poly Ether Ether Ketone; polyether ether ketone), PVC (Polyvinyl Chloride; polyvinyl chloride) and PMMA (Polymethyl methacrylate; polymethyl methacrylate), etc. can be used, and PE (Polyethylene; polyethylene) is preferred. may, but is not limited thereto.

상기 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)의 두께는 통상의 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 있어서의 기재의 두께일 수 있으며, 통상 20 내지 200㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 내지 80㎛일 수 있다. 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 점착필름을 제작하는 과정에서 충분한 내열성능을 확보할 수 있으며, 점착시트 제작 후 롤형태의 제품을 보관함에 있어서 들뜸 등의 현상을 방지할 수 있다. 기재의 두께가 높을 경우에는 롤형태의 제품으로 보관할 때, 점착층과의 들뜸 등이 발생하여 얼룩이나 이물유입의 문제가 발생할 수 있다.The thickness of the first substrate 110 and the second substrate 140 may be the thickness of the substrate in a conventional adhesive sheet for semiconductor wafer processing, and is preferably 20 to 200 μm, more preferably 35 to 80 μm. μm. When the above thickness range is satisfied, sufficient heat resistance can be secured in the process of manufacturing the adhesive film, and phenomena such as lifting can be prevented when storing roll-shaped products after manufacturing the adhesive sheet. When the thickness of the substrate is high, when stored as a roll-type product, lifting with the adhesive layer may occur, resulting in stains or inflow of foreign substances.

상기 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)는 단일층일 수 있고, 2층 이상의 층이 적층된 복층일 수 있다. 또한, 제1 기재(110)의 제1 점착층(120)이 접하는 면 및 제2 기재(140)의 제2 점착층(130)이 접하는 면에는 밀착성을 향상시키기 위하여, 코로나 처리 및 프라이머 처리 등의 표면 처리를 실시할 수 있다.The first substrate 110 and the second substrate 140 may be a single layer or a multi-layer structure in which two or more layers are stacked. In addition, in order to improve adhesion to the surface of the first substrate 110 in contact with the first adhesive layer 120 and the surface of the second substrate 140 in contact with the second adhesive layer 130, corona treatment, priming, etc. surface treatment can be performed.

상기 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)는 이형필름일 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따른 점착 필름(100)이 반도체 웨이퍼의 가공에 사용되는 경우, 상기 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)가 점착 필름(100)으로부터 제거되고, 제1 점착층(120)은 반도체 웨이퍼의 표면에 점착되고, 제2 점착층(130)은 캐리어의 표면에 점착되어 사용될 수 있다.The first substrate 110 and the second substrate 140 may be release films. For example, when the adhesive film 100 according to the present invention is used for processing a semiconductor wafer, the first substrate 110 and the second substrate 140 are removed from the adhesive film 100, and the first adhesive The layer 120 may be adhered to the surface of the semiconductor wafer, and the second adhesive layer 130 may be adhered to the surface of the carrier.

제1 점착층 (120)First adhesive layer (120)

본 발명에 따른 제1 점착층(120)은 점착 필름(100)를 반도체 웨이퍼 표면에 밀착 또는 점착하기 위한 층으로, 후술하는 본 발명의 제1 점착층 형성용 조성물에 의하여 형성되는 경화물층이며, 상기 제1 기재(110) 상에 마련될 수 있다.The first adhesive layer 120 according to the present invention is a layer for adhering or adhering the adhesive film 100 to the surface of a semiconductor wafer, and is a cured material layer formed by the composition for forming the first adhesive layer of the present invention described later. , It may be provided on the first substrate 110.

상기 제1 점착층(120)의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 85 내지 150㎛일 수 있으며, 바람직하게는 90 내지 120㎛일 수 있다. 제1 점착층(120)이 상기 두께 범위를 만족하는 경우, 점착력, 겔분율, 두께 편차를 조절하기에 유리하고, 범프커버성능을 확보하기 유리하다는 이점이 있다. The thickness of the first adhesive layer 120 is not particularly limited, but may be 85 to 150 μm, preferably 90 to 120 μm. When the first adhesive layer 120 satisfies the above thickness range, it is advantageous to control adhesive strength, gel fraction, and thickness deviation, and to secure bump cover performance.

제2 점착층 (130)Second adhesive layer (130)

본 발명에 따른 제2 점착층(130)은 점착 필름(100)을 캐리어에 밀착 또는 점착하기 위한 층으로, 후술하는 제2 점착층 형성용 조성물에 의하여 형성되는 경화물층이며, 상기 제1 점착층(120) 상에 마련될 수 있다.The second adhesive layer 130 according to the present invention is a layer for adhering or adhering the adhesive film 100 to a carrier, and is a cured material layer formed by a composition for forming a second adhesive layer described later, and the first adhesive layer 130 It may be provided on the layer 120 .

상기 제2 점착층(130)의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 20 내지 90㎛일 수 있으며, 바람직하게는 40 내지 85㎛일 수 있다. 제2 점착층(130)이 상기 두께 범위를 만족하는 경우 점착력, 겔분율, 두께 편차를 조절하기에 유리한 이점이 있다.The thickness of the second adhesive layer 130 is not particularly limited, but may be 20 to 90 μm, preferably 40 to 85 μm. When the second adhesive layer 130 satisfies the above thickness range, there is an advantage in controlling adhesive strength, gel fraction, and thickness deviation.

점착 필름 (100)Adhesive film (100)

본 발명에 따른 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼 가공을 위하여 사용되며, 웨이퍼에 부착되기 위한 소정의 점착력을 가지는 제1 점착층(120) 및 캐리어에 부착되기 위한 소정의 점착력을 가지는 제2 점착층(130)과, 상기 제1 점착층(120) 및 제2 점착층(130)에 각각 점착된 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)를 포함한다.The adhesive film 100 according to the present invention is used for semiconductor wafer processing, and includes a first adhesive layer 120 having a predetermined adhesive force to be attached to the wafer and a second adhesive layer having a predetermined adhesive force to be attached to a carrier. 130, and a first substrate 110 and a second substrate 140 adhered to the first adhesive layer 120 and the second adhesive layer 130, respectively.

반도체 웨이퍼의 가공 시, 반도체 웨이퍼를 보호 및 고정하기 위하여 점착 필름(100)을 사용할 수 있고, 상기 반도체 웨이퍼 가공 과정이 완료되면 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼로부터 박리되어야 한다. 예를 들어 설명하면, 반도체 웨이퍼를 박형화하기 위한 후면 연삭(back grinding; 백 그라인딩) 공정에 있어서, 후면 연삭 과정 중 반도체 웨이퍼를 보호하기 위하여 반도체 웨이퍼에 점착 필름(100)이 밀착 또는 점착되어야 한다. 예를 들어 설명하면, 본 실시예에 따른 점착 필름(100)을 사용하여 웨이퍼를 약 100㎛ 정도의 두께로 연삭할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼의 후면 연삭 과정에 의해 발생되는 진동 내지 열에 의한 변형이 방지될 필요가 있다. 또한, 반도체 웨이퍼에 대한 후면 연삭 과정이 완료되면, 점착 필름(100)은 반도체 웨이퍼로부터 박리되어야 한다. 이와 같이, 점착 필름(100)은 필요에 따라, 반도체 웨이퍼에 효과적으로 밀착 또는 점착되기 위한 점착력을 가지면서도, 점착 필름(100)의 박리시에는 반도체 웨이퍼에 손상을 가하지 않으며 박리되어야 한다.During semiconductor wafer processing, the adhesive film 100 may be used to protect and fix the semiconductor wafer, and when the semiconductor wafer processing process is completed, the adhesive film 100 must be separated from the semiconductor wafer. For example, in a back grinding process for thinning a semiconductor wafer, the adhesive film 100 must adhere or adhere to the semiconductor wafer in order to protect the semiconductor wafer during the back grinding process. For example, a wafer may be ground to a thickness of about 100 μm using the adhesive film 100 according to the present embodiment, but is not limited thereto. The adhesive film 100 needs to be prevented from being deformed by vibration or heat generated by grinding the backside of a semiconductor wafer. In addition, when the back grinding process for the semiconductor wafer is completed, the adhesive film 100 must be separated from the semiconductor wafer. In this way, the adhesive film 100 must be peeled off without damaging the semiconductor wafer when peeling the adhesive film 100 while having adhesive strength to effectively adhere or adhere to the semiconductor wafer, if necessary.

상기 점착 필름(100)은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 250℃중량 변화율이 1% 이하일 수 있다. The weight change rate of the adhesive film 100 at 250° C. calculated through Equation 1 below may be 1% or less.

[수학식 1][Equation 1]

(250℃ 중량 변화율) = 100*[(점착필름의 초기 중량)-(250℃에서 5분간 가열 후 점착필름의 중량)]/(점착필름의 초기 중량)(250 ℃ weight change rate) = 100 * [(initial weight of adhesive film) - (weight of adhesive film after heating at 250 ℃ for 5 minutes)] / (initial weight of adhesive film)

점착 필름(100)의 250℃중량 변화율이 상기 수치범위를 만족하는 경우, 고온에서의 웨이퍼 가공시에도 변형이 발생하지 않으므로 바람직하다.When the weight change rate of the adhesive film 100 at 250° C. satisfies the above numerical range, deformation does not occur even during wafer processing at high temperatures, which is preferable.

상기 점착 필름(100)의 제1 점착층은 초기 점착력이 0.03 내지 0.06 N/25mm 이고, 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 0.03 내지 0.07 N/25mm 일 수 있다. 제1 점착층의 초기 점착력 및 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 상기 수치범위를 만족하는 경우 상기 수치 범위를 만족하는 경우 내열처리에도 일정 수준의 점착력을 유지하므로 공정안정성을 확보함에 있어서 유리하므로 바람직하다. The first adhesive layer of the adhesive film 100 may have an initial adhesive force of 0.03 to 0.06 N/25 mm and an adhesive force of 0.03 to 0.07 N/25 mm after heat treatment at 150° C. for 60 minutes. When the initial adhesive strength of the first adhesive layer and the adhesive strength after heat treatment at 150 ° C. for 60 minutes satisfy the above numerical range, it is preferable because it is advantageous in securing process stability because the adhesive strength is maintained at a certain level even during heat treatment when the above numerical range is satisfied. do.

또한, 상기 점착 필름(100)의 제1 점착층은 365nm 파장의 자외선 조사 후 점착력이 0.01 N/25mm 이하 일 수 있다. 제1 점착층의 자외선 조사 후 점착력이 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 가공공정 완료 후 필요 시점에 자외선조사를 통한 가공부재 박리가 가능하게 할 수 있으며 매우 낮은 박리력을 확보할 수 있어서 부재의 손상이나 점착제 잔여물발생을 억제 할 수 있으므로 바람직하다.In addition, the first adhesive layer of the adhesive film 100 may have an adhesive strength of 0.01 N/25 mm or less after being irradiated with ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm. When the adhesive strength of the first adhesive layer after irradiation with ultraviolet rays satisfies the above numerical range, it is possible to peel the processing member through ultraviolet irradiation at the necessary time after completion of the processing process, and it is possible to secure a very low peeling force, resulting in damage to the member However, it is preferable because it can suppress the generation of adhesive residue.

상기 점착 필름(100)의 제2 점착층은 초기 점착력이 0.03 내지 0.06 N/25mm 이고, 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 0.15 내지 0.2 N/25mm 일 수 있다. 제2 점착층의 초기 점착력 및 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 상기 수치범위를 만족하는 경우 상기 수치 범위를 만족하는 경우 연삭공정 등에서 웨이퍼와 캐리어를 지지해주는 역할을 할 수 있으며, 가공 종료 후 캐리어와 점착층을 같이 박리할 수 있다. 그리고 박리 후 캐리어에서 점착테이프를 박리하는데 유리하며 이로 인해 캐리어 자재를 손상 없이 재사용할 수 있게 하기 때문에 바람직하다.The second adhesive layer of the adhesive film 100 may have an initial adhesive force of 0.03 to 0.06 N/25 mm and an adhesive force of 0.15 to 0.2 N/25 mm after heat treatment at 150° C. for 60 minutes. When the initial adhesive force of the second adhesive layer and the adhesive force after heat treatment at 150 ° C. for 60 minutes satisfy the above numerical range, it can play a role in supporting the wafer and the carrier in the grinding process, etc., and the carrier after processing is completed. and the adhesive layer can be peeled together. And it is advantageous to peel the adhesive tape from the carrier after peeling, which is preferable because it allows the carrier material to be reused without damage.

<제1 점착층 형성용 조성물><Composition for forming the first adhesive layer>

본 발명에 따른 점착 조성물은 실리콘 수지; 제1 하이드라이드 실리콘 화합물; 제2 하이드라이드 실리콘 화합물; 아크릴 변성 실리콘 수지; 및 광중합 개시제를 포함하며, 추가적으로 금속촉매, 억제제, 촉진제 및/또는 용제 등을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Adhesive composition according to the present invention is a silicone resin; a first hydride silicone compound; a second hydride silicone compound; acrylic modified silicone resin; and a photopolymerization initiator, and may further include a metal catalyst, an inhibitor, an accelerator, and/or a solvent, but is not limited thereto.

이하 각 성분을 구체적으로 설명한다.Each component is described in detail below.

실리콘 수지silicone resin

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 실리콘 수지를 포함할 수 있으며, 상기 실리콘 수지는 (i) 내지 (iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 제1 실리콘 수지 및 화학식 1로 표시되는 제2 실리콘 수지를 포함할 수 있다.The composition for forming the first adhesive layer may include a silicone resin, wherein the silicone resin includes a first silicone resin including units represented by (i) to (iii) and a second silicone resin represented by Chemical Formula 1. can include

제1 실리콘 수지First silicone resin

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 하기 (i) 내지 (iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 제1 실리콘 수지를 포함할 수 있다. 상기 제1 실리콘 수지는 환형(망상형)의 실리콘 수지이며, 점착층 형성용 조성물의 메인수지로서 가교 후 점착제층을 이루는 골격역할을 하고 물성 전반에 영향을 준다. The composition for forming the first adhesive layer may include a first silicone resin including units represented by the following (i) to (iii). The first silicone resin is a cyclic (reticulated) silicone resin, and as the main resin of the composition for forming an adhesive layer, serves as a skeleton forming the adhesive layer after crosslinking and affects overall physical properties.

(i) T단위: 45 내지 99몰%(i) T unit: 45 to 99 mol%

Figure pat00001
Figure pat00001

(ii) D단위: 60몰% 미만(ii) D unit: less than 60 mol%

Figure pat00002
Figure pat00002

(iii) M단위: 1 몰% 이상 25몰% 미만(iii) M unit: 1 mol% or more and less than 25 mol%

Figure pat00003
Figure pat00003

(상기 R1 내지 R6는, 각각 독립적으로, 수소원자, 아미노기, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기 또는 탄소수 3 내지 30의 아크릴기이다.)(The above R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an amino group, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or a carbon number 3 to 30 It is an acrylic group.)

상기 제1 실리콘 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 27만 내지 100만 일 수 있으며, 바람직하게는 60만 내지 90만 일 수 있다. 제1 실리콘 수지의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 필름제작 시 충분한 인장강도, 인장신도, CTE등 물성확보에 유리한 이점이 있다. 다만 분자량이 너무 높으면 공정적용시 매우 높은 점도가 발생하여 핸들링에 어려움이 있기 때문에 상기의 범위가 적절하다. The weight average molecular weight (Mw) of the first silicone resin may be 270,000 to 1 million, preferably 600,000 to 900,000. When the weight average molecular weight of the first silicone resin satisfies the above range, there is an advantage in securing physical properties such as sufficient tensile strength, tensile elongation, and CTE during film production. However, if the molecular weight is too high, the above range is appropriate because very high viscosity occurs during process application, which makes handling difficult.

상기 제1 실리콘 수지의 시판품으로는 VPR-0600N, VPR-0500(이상, 바이오젠社), KR-2506, KR-5230, KR-5234, ES-1001N, ES-1023(이상, 신에츠사) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Commercially available products of the first silicone resin include VPR-0600N, VPR-0500 (above, Biogen), KR-2506, KR-5230, KR-5234, ES-1001N, ES-1023 (above, Shin-Etsu), etc. Examples include, but are not limited to.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지는 제1 점착층 형성용 조성물 중 고형분 총 중량에 대하여, 45 내지 85 중량%로 포함될 수 있으며, 바람직하게는 55 내지 65 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위를 만족하는 경우 충분한 필름물성을 확보할 수 있다. 45 중량% 미만일 경우 점착필름의 충분한 가교가 부족할 수 있고, 85 중량%를 초과하는 경우 조성물의 점도가 높아져서 핸들링이 어려울 수 있고, 미반응분이 발생하여 점착필름의 성능을 저하시킬 수 있다.In the composition for forming the first adhesive layer, the first silicone resin may be included in an amount of 45 to 85% by weight, preferably 55 to 65% by weight, based on the total weight of solids in the composition for forming the first adhesive layer. can When the above content range is satisfied, sufficient film properties can be secured. If it is less than 45% by weight, sufficient crosslinking of the adhesive film may be insufficient, and if it exceeds 85% by weight, the viscosity of the composition may increase, making handling difficult, and unreacted components may be generated, which may deteriorate the performance of the adhesive film.

본 발명에서 제1 점착층 형성용 조성물 중 고형분 총 중량이란 제1 점착층 형성용 조성물의 용매를 제외한 나머지 성분의 총 중량을 의미한다.In the present invention, the total weight of the solid content in the composition for forming the first adhesive layer means the total weight of the components other than the solvent in the composition for forming the first adhesive layer.

제2 실리콘 수지Second silicone resin

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 제2 실리콘 수지를 포함한다. 상기 제2 실리콘 수지는 선형의 실리콘 수지로서 가교반응에 참여하면서 낮은 분자량과 점도를 가지므로 전체 조성물의 유동성과 코팅성을 확보하는 역할을 한다.The composition for forming the first adhesive layer includes a second silicone resin represented by Formula 1 below. The second silicone resin is a linear silicone resin and has a low molecular weight and viscosity while participating in a crosslinking reaction, so it serves to secure fluidity and coating properties of the entire composition.

[화학식 1][Formula 1]

Figure pat00004
Figure pat00004

(상기 화학식 1에서, (In Formula 1 above,

R11 내지 R20은, 각각 독립적으로, 아미노기, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 아크릴기이다.R 11 to R 20 are each independently an amino group, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a carbon number 3 to 30 acryl groups.

m은 100 내지 700의 정수이다.m is an integer from 100 to 700;

n은 100 내지 500의 정수이다.)n is an integer from 100 to 500.)

상기 제2 실리콘 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은 500 내지 50,000일 수 있으며, 바람직하게는 1000 내지 30,000일 수 있다. 제2 실리콘 수지의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 충분한 가교반응을 확보하면서 조성물의 코팅성까지 조절할 수 있는 이점이 있으므로 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the second silicone resin may be 500 to 50,000, preferably 1000 to 30,000. When the weight average molecular weight of the second silicone resin satisfies the above range, it is preferable because it has the advantage of being able to control the coating properties of the composition while ensuring sufficient crosslinking reaction.

상기 화학식 1로 표시되는 제2 실리콘 수지의 시판품으로는 RF-VN0100, RF-VN0010(이상, 바이오젠社), KC-89S, KR515, X-40-9246(이상, 신에츠社) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Commercially available products of the second silicone resin represented by Formula 1 include RF-VN0100, RF-VN0010 (above, Biogen), KC-89S, KR515, X-40-9246 (above, Shin-Etsu), etc. , but not limited thereto.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제2 실리콘 수지는 제1 점착층 형성용 조성물 중 고형분 총 중량에 대하여 5 내지 10 중량%로 포함될 수 있다. 상기 함량 범위를 만족하는 경우 물성저하 없이 코팅액의 유동성과 코팅성을 확보할 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the second silicone resin may be included in an amount of 5 to 10% by weight based on the total solid weight of the composition for forming the first adhesive layer. When the above content range is satisfied, it is preferable because it is possible to secure the fluidity and coating properties of the coating solution without deterioration of physical properties.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제1 실리콘 수지 및 제2 실리콘 수지는 80 내지 100: 5 내지 20의 중량비로 포함될 수 있다. 제1 실리콘 수지 및 제2 실리콘 수지가 상기 중량비 범위로 포함되는 경우, 점착 필름 제작 시 필요한 물성을 확보할 수 있고, 코팅액으로 제작할 경우 필요한 유동성과 코팅성을 확보할 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the first silicone resin and the second silicone resin may be included in a weight ratio of 80 to 100:5 to 20. When the first silicone resin and the second silicone resin are included in the above weight ratio range, it is possible to secure necessary physical properties when manufacturing an adhesive film, and when manufacturing a coating solution, it is preferable because necessary fluidity and coating properties can be secured.

제1 하이드라이드 실리콘 화합물First hydride silicone compound

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함한다. 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물은 반복단위 부위에 반응성 하이드라이드를 갖는 실리콘 화합물로서, 선형 분자간에 가교 결합생성을 유도하여 점착층의 강도와 탄성을 증가시키고 변형을 억제하는 역할을 한다.The composition for forming the first adhesive layer includes a first hydride silicone compound represented by Formula 2 below. The first hydride silicone compound is a silicone compound having a reactive hydride at a repeating unit site, and serves to increase strength and elasticity of the adhesive layer and suppress deformation by inducing cross-linking between linear molecules.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00005
Figure pat00005

(상기 화학식 2에서, (In Formula 2 above,

R21 내지 R23 및 R28 내지 R30은, 각각 독립적으로, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다.R 21 to R 23 and R 28 to R 30 are each independently an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an acryl group having 3 to 30 carbon atoms, or It is an epoxy group.

R24 내지 R27는, 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다. 단, R24 내지 R27 중 적어도 하나는 수소원자이다.R 24 to R 27 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group. However, at least one of R 24 to R 27 is a hydrogen atom.

o은 100 내지 700의 정수이다.o is an integer from 100 to 700;

p은 100 내지 500의 정수이다.)p is an integer from 100 to 500.)

상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은 500 내지 50,000 일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 30,000 일 수 있다. 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 충분한 반응성을 확보할 수 있고 조성 혼합 시 적절한 점도를 유도할 수 있다는 이점이 있으므로 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the first hydride silicone compound may be 500 to 50,000, preferably 1,000 to 30,000. When the weight average molecular weight of the first hydride silicone compound satisfies the above range, it is preferable because sufficient reactivity can be secured and an appropriate viscosity can be induced during composition mixing.

상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 시판품으로는 XL-02(바이오젠社), Poly(methylhydrosiloxane)(MERCK社), HF2020, HF2050, HF2060 (이상, PCC社) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Examples of commercially available products of the first hydride silicone compound include XL-02 (Biogen), Poly(methylhydrosiloxane) (MERCK), HF2020, HF2050, HF2060 (above, PCC), but are not limited thereto.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 12 내지 18 중량부로 포함될 수 있다. 제1 하이드라이드 실리콘 화합물이 상기 중량부 범위를 만족하는 경우, 제1 점착층의 강도 및 탄성도를 적절한 범위로 조절할 수 있으며, 충분한 가교반응을 나타낼 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the first hydride silicone compound may be included in an amount of 12 to 18 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone resin. When the first hydride silicone compound satisfies the weight part range, the strength and elasticity of the first adhesive layer can be adjusted within an appropriate range, and a sufficient crosslinking reaction can be exhibited, which is preferable.

제2 하이드라이드 실리콘 화합물Second hydride silicone compound

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 하기 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함한다. 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물은 말단 부위에 반응성 하이드라이드를 갖는 실리콘 화합물로서, 고분자 사슬의 길이를 늘려주는 사슬 연장제의 역할을 하고, 필름의 연성, 인장특성을 높여주는 역할을 한다 을 한다.The composition for forming the first adhesive layer includes a second hydride silicone compound represented by Formula 3 below. The second hydride silicone compound is a silicone compound having a reactive hydride at the terminal portion, and serves as a chain extender that increases the length of the polymer chain and enhances the ductility and tensile properties of the film.

[화학식 3] [Formula 3]

Figure pat00006
Figure pat00006

(상기 화학식 3에서, (In Formula 3,

R31 내지 R33 및 R38 내지 R40은, 각각 독립적으로, 수소원자, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다. 단, R31 내지 R33 및 R38 내지 R40 중 적어도 하나는 수소원자이다.R 31 to R 33 and R 38 to R 40 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, and a carbon atom having 3 to 30 carbon atoms. It is an acrylic group or an epoxy group. However, at least one of R 31 to R 33 and R 38 to R 40 is a hydrogen atom.

R34 내지 R37는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다.R 34 to R 37 are each independently an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group.

s은 100 내지 700의 정수이다.s is an integer from 100 to 700.

t은 100 내지 500의 정수이다.)t is an integer from 100 to 500.)

상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은 500 내지 50,000 일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 30,000 일 수 있다. 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 충분한 반응성을 가지므로 적절량으로 원하는 반응을 유도할 수 있는 이점이 있으므로 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the second hydride silicone compound may be 500 to 50,000, preferably 1,000 to 30,000. When the weight average molecular weight of the second hydride silicone compound satisfies the above range, it is preferable because it has sufficient reactivity and thus has the advantage of inducing a desired reaction in an appropriate amount.

상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 시판품으로는 RF-HD(바이오젠社), MHX-1107 Fluid(다우社), Poly(dimethylsiloxane), hydride terminated (MERCK社), HF2030(PCC社) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. Examples of commercial products of the second hydride silicone compound include RF-HD (Biogen), MHX-1107 Fluid (Dow), Poly (dimethylsiloxane), hydride terminated (MERCK), HF2030 (PCC), etc. , but not limited thereto.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 4 내지 6 중량부로 포함된다. 상기 중량부 범위를 만족하는 경우, 점착필름에 적절한 연성을 부여하여 필름의 범프커버성능을 확보할 수 있고, 탄성성질을 원하는 범위로 만족시킬 수 있어서 공정 중 점착필름 찢어짐 등의 불량을 방지할 수 있기 때문에 하므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the second hydride silicone compound is included in an amount of 4 to 6 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone resin. When the weight part range is satisfied, the bump cover performance of the film can be secured by imparting appropriate ductility to the adhesive film, and the elastic property can be satisfied within a desired range, thereby preventing defects such as tearing of the adhesive film during the process. It is desirable because it exists.

아크릴 변성 실리콘 수지Acrylic modified silicone resin

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 아크릴 변성 실리콘 수지를 포함하며, 특정 파장의 UV 조사시 광중합 개시제와 반응하여 점착층의 점착력을 저하시키는 역할을 한다.The composition for forming the first adhesive layer includes an acrylic-modified silicone resin, and reacts with a photopolymerization initiator when irradiated with UV of a specific wavelength to reduce the adhesive strength of the adhesive layer.

상기 아크릴 변성 실리콘 수지의 구체적 예로는, 1관능, 2관능, 3관능 또는 다관능성의 아크릴산 에스테르 또는 메타아크릴산 에스테르 단량체로부터 선택되는 1종 이상의 라디칼 중합 단량체 화합물 및 상기 아크릴산에스테르 또는 메타아크릴산 에스테르로부터 유도되는 아크릴산 에스테르 잔기 또는 메타아크릴산 에스테르 잔기를 분자 사슬 중에 1개 이상 도입하여 변성시킨 중합성 화합물, 라디칼 부가 반응성을 갖는 1관능 내지 3관능 또는 그 이상의 관능기를 포함하는 실리콘 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Specific examples of the acrylic-modified silicone resin include one or more radically polymerized monomer compounds selected from monofunctional, bifunctional, trifunctional or multifunctional acrylic acid ester or methacrylic acid ester monomers, and derived from the acrylic acid ester or methacrylic acid ester polymerizable compounds modified by introducing one or more acrylic acid ester residues or methacrylic acid ester residues into the molecular chain; silicone compounds containing mono- to tri-functional or higher functional groups having radical addition reactivity; and the like, but are limited thereto. It doesn't work.

상기 아크릴 변성 실리콘 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. The acrylic-modified silicone resin may include a compound represented by Formula 4 below.

[화학식 4][Formula 4]

Figure pat00007
Figure pat00007

(상기 화학식 4에서(In Formula 4 above

R41 내지 R46은 각각 독립적으로, 메틸기, 하기 화학식 5로 표시되는 기 또는 화학식 6으로 표시되는 기이다. R 41 to R 46 are each independently a methyl group, a group represented by the following formula (5), or a group represented by the formula (6).

R47은 메틸기이다.R 47 is a methyl group.

R48은 메틸기 또는 페닐기이다.R 48 is a methyl group or a phenyl group.

u은 100 내지 1000의 정수이다. u is an integer from 100 to 1000;

v은 1 내지 800의 정수이다.)v is an integer from 1 to 800.)

[화학식 5][Formula 5]

Figure pat00008
Figure pat00008

[화학식 6][Formula 6]

Figure pat00009
Figure pat00009

(화학식 5 및 화학식 6에서, *은 규소원자와의 결합손을 나타낸다.)(In Formula 5 and Formula 6, * represents a bond with a silicon atom.)

상기 화학식 4로 표시되는 화합물에 있어서, R41 내지 R46 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되는 기 또는 화학식 6으로 표시되는 기일 수 있다. In the compound represented by Formula 4, at least one of R 41 to R 46 may be a group represented by Formula 5 or a group represented by Formula 6.

또한, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물에 있어서, R41 내지 R43 중 적어도 하나 및 R44 내지 R46 중 적어도 하나는 상기 화학식 5로 표시되는 기 또는 화학식 6으로 표시되는 기일 수 있다.Also, in the compound represented by Formula 4, at least one of R 41 to R 43 and at least one of R 44 to R 46 may be a group represented by Formula 5 or a group represented by Formula 6.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 아크릴 변성 실리콘 수지는 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 20 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 아크릴 변성 실리콘 수지가 상기 함량범위를 만족하는 경우, 특정 파장의 UV 조사를 통해 점착층의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the acrylic-modified silicone resin may be included in an amount of 20 to 40 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone resin. When the acrylic modified silicone resin satisfies the above content range, it is preferable because the adhesive strength of the adhesive layer can be sufficiently reduced through UV irradiation of a specific wavelength.

광중합 개시제photopolymerization initiator

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 광중합 개시제를 포함할 수 있다.The composition for forming the first adhesive layer may include a photopolymerization initiator.

상기 광중합 개시제는 그 종류를 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있다. 특히, 상기 광중합 개시제는 중합특성, 개시효율, 흡수파장, 입수성, 가격 등의 관점에서 아세토페논계 화합물, 벤조페논계 화합물, 트리아진계 화합물, 비이미다졸계 화합물, 옥심계 화합물 및 티오크산톤계 화합물, 및 포스핀 옥사이드 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함 할 수 있다.The type of the photopolymerization initiator may be used without particular limitation. In particular, the photopolymerization initiator is an acetophenone-based compound, a benzophenone-based compound, a triazine-based compound, a biimidazole-based compound, an oxime-based compound, and thiochic acid in terms of polymerization characteristics, initiation efficiency, absorption wavelength, availability, price, etc. It may include one or more compounds selected from the group consisting of tone-based compounds and phosphine oxide compounds.

상기 아세토페논계 화합물로서는, 예를 들면 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 이가큐어 184 (1-히드록시시클로헥실페닐케톤), 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 이가큐어 379 (2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온) 등을 들 수 있다. As said acetophenone type compound, for example, diethoxy acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, Igacure 184 (1-hydroxycyclohexylphenyl ketone), 2-methyl -1-(4-methylthiophenyl)-2-morpholinopropan-1-one, 2-(4-methylbenzyl)-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholinophenyl)butane- 1-one, Igacure 379 (2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one), and the like.

상기 벤조페논계 화합물로서는, 예를 들면 벤조페논, o-벤조일벤조산 메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술피드, 3,3',4,4'-테트라(tert-부틸퍼옥시카르보닐)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등이 있다. 시판품으로는 IGM Resins사의 OMNIRAD 481 등을 들 수 있다.Examples of the benzophenone compound include benzophenone, o-methyl benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl sulfide, 3,3',4,4'-tetra ( tert-butyl peroxycarbonyl) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzophenone, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone. Commercially available products include OMNIRAD 481 from IGM Resins.

상기 트리아진계 화합물로서는, 예를 들면 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등을 들 수 있다. As said triazine type compound, for example, 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (4-methoxyphenyl) -1,3,5-triazine, 2,4-bis (trichloromethyl) - 6-(4-methoxynaphthyl)-1,3,5-triazine, 2,4-bis(trichloromethyl)-6-[2-(3,4-dimethoxyphenyl)ethenyl]-1 ,3,5-triazine etc. are mentioned.

상기 비이미다졸계 화합물로서는, 예를 들면 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2-비스(2,6-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등을 들 수 있다. Examples of the biimidazole-based compound include 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenylbiimidazole and 2,2'-bis(2,3 -Dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2-bis(2,6-dichlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenyl-1, 2'-biimidazole etc. are mentioned.

상기 옥심계 화합물로서는, 예를 들면 o-에톡시카르보닐-α-옥시이미노-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있으며, 시판품으로는 BASF 사의 Irgacure® OXE-01, OXE-02, OXE-03 등을 들 수 있다.Examples of the oxime-based compound include o-ethoxycarbonyl-α-oxyimino-1-phenylpropan-1-one. Commercially available products include BASF's Irgacure® OXE-01 and OXE-02 OXE-03 etc. are mentioned.

상기 티오크산톤계 화합물로서는, 예를 들면 2-이소프로필티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤 등을 들 수 있다.Examples of the thioxanthone-based compounds include 2-isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, and the like. can be heard

상기 포스핀 옥사이드 화합물로서는, 예를 들면 트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 들 수 있으며, 시판품으로 BASF 사의 Darocur TPO, IRGACURE-819 가 대표적이다.Examples of the phosphine oxide compound include trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, and commercially available products include Darocur TPO and IRGACURE-819 from BASF.

본 발명의 점착 조성물에 포함되는 광중합 개시제는 제1 점착층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 2.5 중량%로 포함될 수 있다.The photopolymerization initiator included in the adhesive composition of the present invention may be included in an amount of 0.5 to 2.5% by weight based on the total weight of the composition for forming the first adhesive layer.

금속 촉매metal catalyst

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 실리콘 수지의 중합을 촉진하기 위하여 금속 촉매를 포함할 수 있다.The composition for forming the first adhesive layer may include a metal catalyst to promote polymerization of the silicone resin.

상기 금속 촉매는 실리콘 수지의 중합에 사용될 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 백금, 주석, 티탄, 알루미늄, 아연, 코발트 및 망간으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 비닐기를 지닌 실리콘폴리머와 하이드라이드 실리콘 폴리머를 가교반응시키기 위해서는 백금촉매가 적절하며 분해생성물이 거의 없으며 내열특성 등 물성강화도 가능하다는 면에서 백금 촉매를 포함하는 것이 바람직하다. The metal catalyst is not particularly limited as long as it can be used for polymerization of a silicone resin, but may include one or more selected from the group consisting of platinum, tin, titanium, aluminum, zinc, cobalt, and manganese, and silicon having a vinyl group. In order to crosslink the polymer and the hydride silicone polymer, a platinum catalyst is suitable, and it is preferable to include a platinum catalyst in that there are almost no decomposition products and it is possible to enhance physical properties such as heat resistance.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 금속 촉매는 제1 점착층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 1.0 중량%로 포함될 수 있다. 금속 촉매가 상기 함량범위를 만족하는 경우 충분한 반응성을 유도할 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the metal catalyst may be included in an amount of 0.01 to 1.0% by weight based on the total weight of the composition for forming the first adhesive layer. When the metal catalyst satisfies the above content range, it is preferable because sufficient reactivity can be induced.

억제제inhibitor

상기 제1 점착층 형성용 조성물이 금속 촉매 등을 포함하는 경우 빠른 반응성에 의해 원하는 공정에서의 경화반응을 적절히 조절하기 어려울 수 있으므로, 필요시 억제제를 첨가하여 반응성을 낮추고, 원하는 공정에서 경화반응을 유도할 수 있다.When the composition for forming the first adhesive layer includes a metal catalyst or the like, it may be difficult to properly control the curing reaction in a desired process due to rapid reactivity. Therefore, if necessary, an inhibitor is added to lower the reactivity and the curing reaction in a desired process can be performed. can induce

상기 억제제는 특별히 한정되지 않으나, IHP(4-Hydroxy-TEMPO SFR), IOP(4-Oxo-TEMPO SFR), IBP(2-Sec-butyl-4,6-Dinitrophenol), DNOC(4,6-Dinitro-o-cresol), DNPC(2,6-Dinitro-p-cresol), ISP(p-Nitrosophenol), PTZ(Phenothiazine), MEHQ(Hydroquinone Monomethyl Ether) 및 ECH(1-Ethynylcyclohexanol)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있으며, 특별히 한정되는 것은 아니다. The inhibitor is not particularly limited, but IHP (4-Hydroxy-TEMPO SFR), IOP (4-Oxo-TEMPO SFR), IBP (2-Sec-butyl-4,6-Dinitrophenol), DNOC (4,6-Dinitro -o-cresol), DNPC (2,6-Dinitro-p-cresol), ISP (p-Nitrosophenol), PTZ (Phenothiazine), MEHQ (Hydroquinone Monomethyl Ether) and ECH (1-Ethynylcyclohexanol) It may include one or more, and is not particularly limited.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 억제제는 제1 점착층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.002 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 억제제가 상기 함량범위를 만족하는 경우 반응성을 낮추어 원하는 공정에서 경화반응을 유도할 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the inhibitor may be included in an amount of 0.002 to 0.5% by weight based on the total weight of the composition for forming the first adhesive layer. When the inhibitor satisfies the above content range, it is preferable because the curing reaction can be induced in a desired process by lowering the reactivity.

촉진제accelerant

상기 제1 점착층 형성용 조성물은, 보다 빠른 반응성을 유도하기 위하여 필요시 촉진제를 포함할 수 있다.The composition for forming the first adhesive layer may include an accelerator, if necessary, in order to induce faster reactivity.

상기 촉진제는 특별히 한정되지 않으나, 아민계열의 화합물로 이루어진 촉진제가 주를 이루는데, 악취를 저감하고 더 높은 경화도를 얻기 위해서는 아미노벤조에이트 유도체가 바람직하기 때문에 다로큐어 EHA(2-에틸헥실-4-디메틸아미노벤조에이트)를 포함하는 것이 바람직하다. The accelerator is not particularly limited, but an accelerator composed of an amine-based compound is mainly formed. In order to reduce odor and obtain a higher degree of curing, an aminobenzoate derivative is preferred, so Darocure EHA (2-ethylhexyl-4- dimethylaminobenzoate).

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 촉진제는 제1 점착층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 촉진제가 상기 함량범위를 만족하는 경우 반응성을 높여 원하는 공정에서 경화반응을 유도할 수 있으므로 바람직하다In the composition for forming the first adhesive layer, the accelerator may be included in an amount of 0.01 to 0.5% by weight based on the total weight of the composition for forming the first adhesive layer. When the accelerator satisfies the above content range, it is preferable because it can induce a curing reaction in a desired process by increasing the reactivity.

용제solvent

상기 제1 점착층 형성용 조성물은 상기 각 성분들의 혼합 및 점도 조절을 위하여 용제를 포함할 수 있다.The composition for forming the first adhesive layer may include a solvent for mixing and viscosity control of the respective components.

상기 용제의 구체적인 예로는 에테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 알코올류, 에스테르류 및 아미드류 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함할 수 있고, 구체적으로 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌글리콜 메틸 에테르, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 아세톤, 메틸아밀케톤, 메틸에틸케톤(MEK, Methyl ethyl ketone), 이소부틸케톤, 시클로헥사논, 부탄올, 헥산올, 시클로헥산올 및 3-에톡시프로피온산 에틸, 1,3-부틸렌글라이콜디아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트, 프로필렌 글리콜 디아세테이트, 에틸렌글리콜 모노프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 메톡시부틸 아세테이트, 에틸렌글리콜 및 γ-부티롤락톤, 메틸피롤리돈(NMP) 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 내지 2종 이상일 수 있다.Specific examples of the solvent may include at least one selected from the group consisting of ethers, aromatic hydrocarbons, ketones, alcohols, esters and amides, and specifically, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol Monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol methyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, toluene, xylene, mesitylene, acetone, methyl amyl ketone, methyl ethyl ketone (MEK) , isobutyl ketone, cyclohexanone, butanol, hexanol, cyclohexanol and ethyl 3-ethoxypropionate, 1,3-butylene glycol diacetate, ethyl-3-ethoxypropionate, propylene glycol diacetate, 1 to 2 selected from the group consisting of ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, methoxybutyl acetate, ethylene glycol and γ-butyrolactone, methylpyrrolidone (NMP), etc. There may be more than one species.

제1 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 용제는 제1 점착층 형성용 조성물 총 중량에 대하여 10 내지 80 중량%로 포함될 수 있다. 용제가 상기 함량범위를 만족하는 경우, 다른 성분들을 충분히 용해할 수 있고, 조성물의 점도를 적절히 조절할 수 있으므로 바람직하다.In the composition for forming the first adhesive layer, the solvent may be included in an amount of 10 to 80% by weight based on the total weight of the composition for forming the first adhesive layer. When the solvent satisfies the above content range, it is preferable because other components can be sufficiently dissolved and the viscosity of the composition can be appropriately adjusted.

<제2 점착층 형성용 조성물><Composition for Forming Second Adhesive Layer>

본 발명에 따른 제2 점착층 형성용 조성물은 실리콘 수지; 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물; 및 화학식 3으로 표시되는 제 2하이드라이드 실리콘 화합물을 포함하며, 추가적으로 금속촉매, 억제제 및/또는 용매 등을 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The composition for forming the second adhesive layer according to the present invention is a silicone resin; a first hydride silicone compound represented by Formula 2; and a second hydride silicone compound represented by Formula 3, and may further include a metal catalyst, an inhibitor, and/or a solvent, but is not limited thereto.

상기 실리콘 수지, 금속촉매, 억제제 및 용매에 관하여는, 상기 <제1 점착층 형성용 조성물>에서 기술된 실리콘 수지, 금속촉매, 억제제 및 용제에 관한 내용이 그대로 적용될 수 있다.Regarding the silicone resin, metal catalyst, inhibitor, and solvent, the contents of the silicone resin, metal catalyst, inhibitor, and solvent described in <Composition for Forming First Adhesive Layer> may be applied as they are.

제1 하이드라이드 실리콘 화합물First hydride silicone compound

상기 제2 점착층 형성용 조성물은 하기 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함한다. 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물은 반복단위 부위에 반응성 하이드라이드를 갖는 실리콘 화합물로서, 선형 분자간에 가교 결합생성을 유도하여 점착층의 강도와 탄성을 증가시키고 변형을 억제하는 역할을 한다.The composition for forming the second adhesive layer includes a first hydride silicone compound represented by Formula 2 below. The first hydride silicone compound is a silicone compound having a reactive hydride at a repeating unit site, and serves to increase strength and elasticity of the adhesive layer and suppress deformation by inducing cross-linking between linear molecules.

[화학식 2][Formula 2]

Figure pat00010
Figure pat00010

(상기 화학식 2에서, (In Formula 2 above,

R21 내지 R23 및 R28 내지 R30은, 각각 독립적으로, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다.R 21 to R 23 and R 28 to R 30 are each independently an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an acryl group having 3 to 30 carbon atoms, or It is an epoxy group.

R24 내지 R27는, 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다. 단, R24 내지 R27 중 적어도 하나는 수소원자이다.R 24 to R 27 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group. However, at least one of R 24 to R 27 is a hydrogen atom.

o은 100 내지 700의 정수이다.o is an integer from 100 to 700;

p은 100 내지 500의 정수이다.)p is an integer from 100 to 500.)

상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은 500 내지 50,000 일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 30,000 일 수 있다. 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 충분한 반응성을 확보할 수 있고 조성 혼합 시 적절한 점도를 유도할 수 있다는 이점이 있으므로 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the first hydride silicone compound may be 500 to 50,000, preferably 1,000 to 30,000. When the weight average molecular weight of the first hydride silicone compound satisfies the above range, it is preferable because sufficient reactivity can be secured and an appropriate viscosity can be induced during composition mixing.

상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물의 시판품으로는 XL-02(바이오젠社), Poly(methylhydrosiloxane)(MERCK社), HF2020, HF2050, HF2060 (이상, PCC社) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Examples of commercially available products of the first hydride silicone compound include XL-02 (Biogen), Poly(methylhydrosiloxane) (MERCK), HF2020, HF2050, HF2060 (above, PCC), but are not limited thereto.

제2 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 7 내지 13 중량부로 포함될 수 있다. 제1 하이드라이드 실리콘 화합물이 상기 함량범위를 만족하는 경우, 제1 점착층의 강도 및 탄성도를 적절한 범위로 조절할 수 있으며, 제2 점착층의 강도 및 탄성도를 적절한 범위로 조절할 수 있으며, 7 중량부 미만이면 점착력이 필요 이상으로 높아지고, 내열성능이 약화된다. 13 중량부 이상이면 점착력이 필요 이하로 낮아지고 제1 점착층보다 높은 수준을 유지하기 어렵기 때문에 해당 범위로 조절하는 것이 바람직하다.In the composition for forming the second adhesive layer, the first hydride silicone compound may be included in an amount of 7 to 13 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone resin. When the first hydride silicone compound satisfies the above content range, the strength and elasticity of the first adhesive layer can be adjusted to an appropriate range, and the strength and elasticity of the second adhesive layer can be adjusted to an appropriate range. 7 If it is less than one part by weight, the adhesive force becomes higher than necessary and the heat resistance performance is weakened. If it is 13 parts by weight or more, the adhesive strength is lower than necessary and it is difficult to maintain a level higher than that of the first adhesive layer, so it is preferable to adjust it within the corresponding range.

제2 하이드라이드 실리콘 화합물Second hydride silicone compound

상기 제2 점착층 형성용 조성물은 하기 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함한다. 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물은 말단 부위에 반응성 하이드라이드를 갖는 실리콘 화합물로서, 고분자 사슬의 길이를 늘려주는 사슬 연장제의 역할을 한다.The composition for forming the second adhesive layer includes a second hydride silicone compound represented by Formula 3 below. The second hydride silicone compound is a silicone compound having a reactive hydride at a terminal portion and serves as a chain extender that increases the length of a polymer chain.

[화학식 3] [Formula 3]

Figure pat00011
Figure pat00011

(상기 화학식 3에서, (In Formula 3,

R31 내지 R33 및 R38 내지 R40은, 각각 독립적으로, 수소원자, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다. 단, R31 내지 R33 및 R38 내지 R40 중 적어도 하나는 수소원자이다.R 31 to R 33 and R 38 to R 40 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, and a carbon atom having 3 to 30 carbon atoms. It is an acrylic group or an epoxy group. However, at least one of R 31 to R 33 and R 38 to R 40 is a hydrogen atom.

R34 내지 R37는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다.R 34 to R 37 are each independently an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group.

s은 100 내지 700의 정수이다.s is an integer from 100 to 700.

t은 100 내지 500의 정수이다.)t is an integer from 100 to 500.)

상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량(Mw)은 500 내지 50,000 일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 30,000 일 수 있다. 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 중량 평균 분자량이 상기 범위를 만족하는 경우 충분한 반응성을 가지므로 적절향으로 원하는 반응을 유도할 수 있는 이점이 있으므로 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the second hydride silicone compound may be 500 to 50,000, preferably 1,000 to 30,000. When the weight average molecular weight of the second hydride silicone compound satisfies the above range, it is preferable because it has sufficient reactivity and thus has the advantage of inducing a desired reaction in an appropriate direction.

상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물의 시판품으로는 RF-HD(바이오젠社), MHX-1107 Fluid(다우社), Poly(dimethylsiloxane), hydride terminated(MERCK社), HF2030(PCC社) 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.Commercially available products of the second hydride silicone compound include RF-HD (Biogen), MHX-1107 Fluid (Dow), Poly (dimethylsiloxane), hydride terminated (MERCK), HF2030 (PCC), etc. , but not limited thereto.

제2 점착층 형성용 조성물에 있어서, 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 7 내지 10 중량부로 포함된다. 상기 중량부 범위를 만족하는 경우, 필요한 수준의 점착력을 확보하여 제1점착층과 수준차이를 만들 수 있으면서도 내열성과 물성을 저해하지 않으므로 하므로 바람직하다.In the composition for forming the second adhesive layer, the second hydride silicone compound is included in an amount of 7 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the silicone resin. When the above weight part range is satisfied, it is preferable because it is possible to secure a necessary level of adhesive strength to make a level difference with the first adhesive layer and not impair heat resistance and physical properties.

<점착필름의 제조><Manufacture of adhesive film>

도 1은 본 발명에 따른 점착 필름을 나타낸 도이다. 본 발명에 따른 점착 필름(100)의 제조방법을 예를 들어 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 기재(110)를 준비하고, 건조 후 두께가 85 내지 150㎛가 되도록 제1 점착층 형성용 조성물을 제1 기재(110)의 일면에 도공하고, 150℃에서 4분간 건조하여 용매를 휘발시켜 제1 점착층(120)을 형성한다. 이어서, 상기 제1 점착층(120)의 상면에 건조 후 두께가 20 내지 90㎛가 되도록 제2 점착층 형성용 조성물을 도공하고, 150℃에서 4분간 건조하여 용매를 휘발시켜 제2 점착층(130)을 형성한다. 이후, 제2 점착층(130)의 상면에 제2 기재(140)를 라미네이션하여 접합할 수 있다. 이에 따라, 제1 기재(110), 제1 점착층(120), 제2 점착층(130) 및 제2 기재(140)가 순차적으로 적층된 점착 필름(100)을 제조할 수 있다.1 is a view showing an adhesive film according to the present invention. A method of manufacturing the adhesive film 100 according to the present invention will be described as an example. As shown in FIG. 1, a first substrate 110 is prepared, and the composition for forming the first adhesive layer is coated on one side of the first substrate 110 so that the thickness after drying is 85 to 150 μm, and the temperature is 150° C. dried for 4 minutes to volatilize the solvent to form the first adhesive layer 120 . Subsequently, a composition for forming a second adhesive layer is coated on the upper surface of the first adhesive layer 120 to a thickness of 20 to 90 μm after drying, and dried at 150 ° C. for 4 minutes to volatilize the solvent to form a second adhesive layer ( 130) form. Thereafter, the second substrate 140 may be laminated and bonded to the upper surface of the second adhesive layer 130 . Accordingly, the adhesive film 100 in which the first substrate 110, the first adhesive layer 120, the second adhesive layer 130, and the second substrate 140 are sequentially stacked may be manufactured.

이때, 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)는 38㎛ 실리콘 이형처리 필름일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 상기 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)는 상기 <점착 필름>에서 기술된 기재에 관한 내용이 그대로 적용될 수 있다. In this case, the first substrate 110 and the second substrate 140 may be a 38 μm silicone release treatment film, but are not limited thereto. In addition, the first substrate 110 and the second substrate 140 may be applied as they are to the substrate described in <Adhesive Film>.

도 2는 본 발명에 따른 점착 필름이 웨이퍼 및 캐리어에 접합된 형태를 나타낸 도이다. 본 발명에 따른 점착 필름(100)은 제1 기재(110) 및 제2 기재(140)를 제거한 후, 제1 점착층(120)을 반도체 웨이퍼에, 제2 점착층(130)을 캐리어에 각각 밀착 또는 부착할 수 있고, 웨이퍼 가공 이후, 필요에 따라, 웨이퍼로부터 제1 점착층(120)이 박리될 수 있다.2 is a view showing a form in which an adhesive film according to the present invention is bonded to a wafer and a carrier. In the adhesive film 100 according to the present invention, after removing the first substrate 110 and the second substrate 140, the first adhesive layer 120 is applied to the semiconductor wafer and the second adhesive layer 130 is applied to the carrier. Adhesion or attachment may be performed, and after wafer processing, the first adhesive layer 120 may be peeled from the wafer, if necessary.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, examples will be described in detail to explain the present invention in detail. However, the embodiments according to the present invention can be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

<실시예><Example>

합성예 1: 아크릴 변성 실리콘 수지의 합성Synthesis Example 1: Synthesis of Acrylic Modified Silicone Resin

상기 아크릴 변성 실리콘 수지는 아래의 방법으로 준비한다.The acrylic modified silicone resin is prepared by the following method.

4구플라스크에 질소분위기하에서 에폭시 실리콘오일 (KF-105, 신에츠) 150 중량부, 톨루엔 130 중량부, 테트라메틸구아니딘(시그마알드리치) 0.06 중량부, 하이드로퀴논 0.03 중량부(시그마알드리치)를 교반하면서 아크릴엑시드 20 중량부를 투입하면서 20 시간 동안 반응시켜 아크릴 변성 실리콘 수지를 합성하였다.150 parts by weight of epoxy silicone oil (KF-105, Shin-Etsu), 130 parts by weight of toluene, 0.06 part by weight of tetramethylguanidine (Sigma-Aldrich), and 0.03 part by weight of hydroquinone (Sigma-Aldrich) were stirred in a four-necked flask under a nitrogen atmosphere while stirring the acrylic An acrylic modified silicone resin was synthesized by reacting for 20 hours while adding 20 parts by weight of the acid.

제조예 1-1 내지 1-8: 제1 점착층 형성용 조성물의 제조Preparation Examples 1-1 to 1-8: Preparation of the composition for forming the first adhesive layer

하기 표 1의 조성 및 함량에 따라 제조예 1-1 내지 1-8의 제1 점착층 형성용 조성물을 제조하였다. Compositions for forming the first adhesive layer of Preparation Examples 1-1 to 1-8 were prepared according to the compositions and contents of Table 1 below.

제1
실리콘수지
No. 1
silicone resin
제2
실리콘수지
2nd
silicone resin
제1하이드라이드 실리콘 화합물First hydride silicone compound 제2하이드라이드 실리콘 화합물Second hydride silicone compound 억제제inhibitor 촉매catalyst 아크릴변성
실리콘수지
acrylic denaturation
silicone resin
개시제1Initiator 1 개시제2Initiator 2 촉진제accelerant 용매menstruum
제조예 1-1Preparation Example 1-1 9090 1010 1515 55 0.20.2 1One 30.0030.00 1.501.50 3.003.00 1.001.00 200200 제조예 1-2Preparation Example 1-2 9090 1010 1818 66 0.20.2 1One 30.0030.00 1.501.50 3.003.00 1.001.00 200200 제조예 1-3Preparation Example 1-3 9090 1010 1212 44 0.20.2 1One 30.0030.00 1.501.50 3.003.00 1.001.00 200200 제조예 1-4Preparation Example 1-4 9090 1010 1515 55 0.20.2 1One -- -- -- -- 3030 제조예 1-5Preparation Example 1-5 9090 1010 1515 55 0.20.2 1One 41.0041.00 2.052.05 4.104.10 1.371.37 200200 제조예 1-6Preparation Example 1-6 9090 1010 1515 55 0.20.2 1One 19.0019.00 0.950.95 1.901.90 0.630.63 200200 제조예 1-7Production Example 1-7 9090 1010 77 33 0.20.2 1One 30.0030.00 1.501.50 3.003.00 1.001.00 200200 제조예 1-8Production Example 1-8 9090 1010 2020 88 0.20.2 1One 30.0030.00 1.501.50 3.003.00 1.001.00 200200

제1 실리콘 수지: 환형 바이닐 실리콘 수지 (VPR-0600N, 바이오젠社)1st silicone resin: cyclic vinyl silicone resin (VPR-0600N, Biogen)

제2 실리콘 수지: 체인형 바이닐 실리콘 수지 (RF-VN0100, 바이오젠社)Second silicone resin: chain-type vinyl silicone resin (RF-VN0100, Biogen)

제1 하이드라이드 실리콘 화합물: XL-02 (바이오젠社)First hydride silicone compound: XL-02 (Biogen)

제2 하이드라이드 실리콘 화합물: RF-HD (바이오젠社)Second hydride silicone compound: RF-HD (Biogen)

억제제: ECH(Ethynyl cyclohexanol) (머크社)Inhibitor: ECH (Ethynyl cyclohexanol) (Merck)

촉매: 백금촉매 (CPT-037, 바이오젠社)Catalyst: Platinum catalyst (CPT-037, Biogen)

아크릴 변성 실리콘 수지: 합성예 1에 따른 아크릴 변성 실리콘 수지Acrylic-modified silicone resin: Acrylic-modified silicone resin according to Synthesis Example 1

개시제 1: 이가큐어 379 (2-디메틸아미노-2-(4-메틸벤질)-1-(4-모르폴린-4-일-페닐)-부탄-1-온) (시바 스페셜리티 케미칼즈社)Initiator 1: Igacure 379 (2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl-phenyl)-butan-1-one) (Ciba Specialty Chemicals)

개시제 2: 이가큐어 184 (1-히드록시-시클로헥실-페닐케톤) (시바 스페셜리티 케미칼즈社)Initiator 2: Igacure 184 (1-hydroxy-cyclohexyl-phenylketone) (Ciba Specialty Chemicals)

촉진제: 다로큐어 EHAAccelerator: Darocure EHA

용매: 톨루엔Solvent: Toluene

제조예 2-1 내지 2-5: 제2 점착층 형성용 조성물의 제조Preparation Examples 2-1 to 2-5: Preparation of composition for forming a second adhesive layer

하기 표 2의 조성 및 함량에 따라 제조예 2-1 내지 2-5의 제2 점착층 형성용 조성물을 제조하였다. Compositions for forming a second adhesive layer of Preparation Examples 2-1 to 2-5 were prepared according to the compositions and contents in Table 2 below.

제1실리콘수지No. 1 silicone resin 제2실리콘수지2nd silicone resin 제1하이드라이드 실리콘화합물First hydride silicone compound 제2하이드라이드 실리콘화합물Second hydride silicone compound 억제제inhibitor 촉매catalyst 용매menstruum 제조예 2-1Preparation Example 2-1 9090 1010 99 99 0.20.2 1One 3030 제조예 2-2Preparation Example 2-2 9090 1010 1313 1010 0.20.2 1One 3030 제조예 2-3Preparation Example 2-3 9090 1010 77 77 0.20.2 1One 3030 제조예 2-4Preparation Example 2-4 9090 1010 1818 1212 0.20.2 1One 3030 제조예 2-5Preparation Example 2-5 9090 1010 66 66 0.20.2 1One 3030

제1 실리콘 수지: 환형 바이닐 실리콘 수지 (VPR-0600N, 바이오젠社)1st silicone resin: cyclic vinyl silicone resin (VPR-0600N, Biogen)

제2 실리콘 수지: 체인형 바이닐 실리콘 수지 (RF-VN0100, 바이오젠社)Second silicone resin: chain-type vinyl silicone resin (RF-VN0100, Biogen)

제1 하이드라이드 실리콘 화합물: XL-02 (바이오젠社)First hydride silicone compound: XL-02 (Biogen)

제2 하이드라이드 실리콘 화합물: RF-HD (바이오젠社)Second hydride silicone compound: RF-HD (Biogen)

억제제: ECH(Ethynyl cyclohexanol) (머크社)Inhibitor: ECH (Ethynyl cyclohexanol) (Merck)

촉매: 백금촉매 (CPT-037, 바이오젠社)Catalyst: Platinum catalyst (CPT-037, Biogen)

용매: 톨루엔Solvent: Toluene

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 8: 점착 필름의 제조Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 8: Preparation of adhesive film

기재(비실리콘 이형처리 필름, 50㎛, 율촌사)의 PET면에 제1 점착층 형성용 조성물을 도포하고, 150℃에서 4분간 건조하여 제1 점착층을 형성하였다. 이어서 동일한 방법으로 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 상기 제1 점착층 상에 제2 점착층을 형성하고, 상기 제2 점착층의 상면에 기재를 라미네이션하여 점착 필름을 제조하였다.The composition for forming the first adhesive layer was coated on the PET surface of the base material (non-silicone release-treated film, 50 μm, Yulchon), and dried at 150° C. for 4 minutes to form the first adhesive layer. Subsequently, a second adhesive layer was formed on the first adhesive layer using the composition for forming a second adhesive layer in the same manner, and a substrate was laminated on the upper surface of the second adhesive layer to prepare an adhesive film.

이 때 사용된 제1 점착층 형성용 조성물 및 제2 점착층 형성용 조성물과 및 제1 점착층 및 제2 점착층의 두께는 하기 표 3에 나타내었다.The composition for forming the first adhesive layer and the composition for forming the second adhesive layer used at this time and the thicknesses of the first adhesive layer and the second adhesive layer are shown in Table 3 below.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 비교예 5Comparative Example 5 비교예 6Comparative Example 6 비교예 7Comparative Example 7 비교예 8Comparative Example 8 제1점착층(A)First adhesive layer (A) 제조예1-1Preparation Example 1-1 제조예1-2Production Example 1-2 제조예1-3Production Example 1-3 제조예1-1Preparation Example 1-1 제조예1-1Preparation Example 1-1 제조예1-4Production Example 1-4 제조예1-4Production Example 1-4 제조예1-5Production Example 1-5 제조예1-6Production Example 1-6 제조예1-7Production Example 1-7 제조예1-8Production Example 1-8 제조예1-1Preparation Example 1-1 제조예1-1Preparation Example 1-1 (A)층두께(㎛)(A) Layer thickness (μm) 100100 100100 100100 120120 9090 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100 제2점착층(B)Second adhesive layer (B) 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-2Production Example 2-2 제조예2-3Manufacturing example 2-3 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-1Preparation Example 2-1 -- 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-1Preparation Example 2-1 제조예2-4Manufacturing example 2-4 제조예2-5Production Example 2-5 (B)층두께(㎛)(B) Layer thickness (㎛) 7575 7575 7575 5555 8585 -- 7575 7575 7575 7575 7575 7575 7575

<실험예> <Experimental example>

1. 초기 점착력 평가1. Evaluation of initial adhesion

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착 필름의 제1 점착층 및 제2 점착층 각각의 초기 점착력을 측정하였다. 먼저 점착 필름을 폭 25mm, 길이 150mm으로 절삭하여 샘플을 준비한다. 상기 샘플을 Mirror Wafer에 점착하여 고정한 후, 한쪽 측면을 만능시험기의 로드셀 클램프에 고정시키고, 속도 300mm/min으로 점착시트를 90°박리하며 초기 점착력을 측정하였다. 상기 초기 점착력은 3회 측정하여 평균값을 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다. The initial adhesive strength of each of the first adhesive layer and the second adhesive layer of the adhesive film according to the Examples and Comparative Examples was measured. First, a sample is prepared by cutting the adhesive film into a width of 25 mm and a length of 150 mm. After the sample was adhered and fixed to the Mirror Wafer, one side was fixed to the load cell clamp of the universal testing machine, and the initial adhesive force was measured while peeling the adhesive sheet at 90° at a speed of 300 mm/min. The initial adhesive strength was measured three times and an average value was calculated, and the results are shown in Table 4 below.

2. 열처리 후 점착력 평가2. Evaluation of adhesion after heat treatment

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착 필름의 제1 점착층 및 제2 점착층 각각의 열처리 후 점착력을 각각 측정하였다. 먼저 점착 필름을 폭 25mm, 길이 150mm으로 절삭하여 샘플을 준비한다. 상기 샘플을 Mirror Wafer에 점착한 후, 150℃에서 60분간 열처리하였다. 이후 한쪽 측면을 만능시험기의 로드셀 클램프에 고정시키고, 속도 300mm/min으로 점착시트를 90°박리하며 열처리 후 점착력을 측정하였다. 상기 열처리 후 점착력은 3회 측정하여 평균값을 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.After heat treatment of each of the first adhesive layer and the second adhesive layer of the adhesive film according to Examples and Comparative Examples, adhesive strength was measured. First, a sample is prepared by cutting the adhesive film into a width of 25 mm and a length of 150 mm. After attaching the sample to the Mirror Wafer, heat treatment was performed at 150° C. for 60 minutes. Then, one side was fixed to the load cell clamp of the universal testing machine, and the adhesive sheet was peeled at 90° at a speed of 300 mm/min, and the adhesive force was measured after heat treatment. After the heat treatment, the adhesive force was measured three times and the average value was calculated, and the results are shown in Table 4 below.

3. UV 조사 후 점착력 평가3. Adhesion evaluation after UV irradiation

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착 필름의 제1 점착층 및 제2 점착층 각각의 UV 조사 후 점착력을 각각 측정하였다. 먼저 점착 필름을 폭 25mm, 길이 150mm으로 절삭하여 샘플을 준비한다. 상기 샘플을 UV 컷이 없는 글라스에 점착한 후, 글라스면을 통해 365nm 파장의 UV를 조사하였다. 이후 한쪽 측면을 만능시험기의 로드셀 클램프에 고정시키고, 속도 300mm/min으로 점착시트를 90°박리하며 UV 조사 후 점착력을 측정하였다. 상기 UV 조사 후 점착력은 3회 측정하여 평균값을 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.After UV irradiation of each of the first adhesive layer and the second adhesive layer of the adhesive film according to the Examples and Comparative Examples, the adhesive strength was measured. First, a sample is prepared by cutting the adhesive film into a width of 25 mm and a length of 150 mm. After the sample was adhered to a glass without UV cut, UV of 365 nm wavelength was irradiated through the glass surface. Then, one side was fixed to the load cell clamp of the universal testing machine, and the adhesive sheet was peeled at 90° at a speed of 300 mm/min, and the adhesive force was measured after UV irradiation. After the UV irradiation, the adhesive force was measured three times and the average value was calculated, and the results are shown in Table 4 below.

4. 250℃중량 변화율 평가4. 250 ℃ weight change rate evaluation

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착 필름을 3g 가량 샘플링하여 알루미늄 디쉬에 올려 초기 중량을 측정한다. 이후 상기 알루미늄 디쉬 및 샘플을 전기로(MF-20, JEIOTECH)에 투입하고, 250℃에서 5분간 가열한다. 상기 가열된 샘플을 상온에서 냉각시킨 후 가열 후 감소된 중량을 측정하고, 하기 수학식 1을 통하여 250℃중량 변화율(%)을 계산하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다.About 3g of the adhesive film according to Examples and Comparative Examples was sampled, put on an aluminum dish, and the initial weight was measured. Then, the aluminum dish and the sample were put into an electric furnace (MF-20, JEIOTECH) and heated at 250° C. for 5 minutes. After cooling the heated sample at room temperature, the weight reduced after heating was measured, and the weight change rate (%) at 250 ° C was calculated through Equation 1 below, and the results are shown in Table 4 below.

[수학식 1][Equation 1]

250℃ 중량 변화율(%) = 100*[(점착 필름의 초기 중량)-(250℃에서 5분간 가열 후 점착 필름의 중량)]/(점착 필름의 초기 중량)250 ℃ weight change rate (%) = 100 * [(initial weight of adhesive film) - (weight of adhesive film after heating for 5 minutes at 250 ℃)] / (initial weight of adhesive film)

5. 범프 커버성능 평가5. Evaluation of bump cover performance

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착 필름을 50㎛ 높이의 범프가 부착된 웨이퍼에 라미네이터하여 150℃로 가열하면서 첩부한다. 첩부 직후 정압 두께 측정기(PG-02, 테크로크社)를 이용하여 범프가 존재하는 부분의 두께 A와, 범프가 존재하지 않는 부분의 두께 B를 측정하고, 두꼐 A와 B 사이의 고저차를 산출하였다. 하기 평가 기준에 따라 범프 커버성능을 평가하였으며, 그 결과를 하기 표 4에 나타내었다. 상기 고저차가 작을수록 범프의 높이에서 기인하는 요철이 점착 필름에 의해 매립되고, 완화된 것을 의미한다.The adhesive films according to Examples and Comparative Examples were laminated on a wafer having bumps of 50 μm in height and attached while heating at 150° C. Immediately after attaching, the thickness A of the part with bumps and the thickness B of the part without bumps were measured using a static pressure thickness meter (PG-02, Techlock Co.), and the height difference between thicknesses A and B was calculated. . Bump cover performance was evaluated according to the following evaluation criteria, and the results are shown in Table 4 below. As the height difference is smaller, it means that irregularities caused by the height of the bump are buried and alleviated by the adhesive film.

<범프 커버성능 평가 기준><Bump Cover Performance Evaluation Criteria>

○: 두꼐 A와 B 사이의 고저차가 10㎛ 미만○: The height difference between the thickness A and B is less than 10 μm

×: 두꼐 A와 B 사이의 고저차가 10㎛ 이상×: height difference between thicknesses A and B is 10 μm or more

6. 잔존물 평가6. Residue Assessment

상기 실시예 및 비교예에 따른 점착필름을 10x10(cm) 로 커팅하여 샘플을 준비하고 제1 점착층은 웨이퍼에, 제2 점착층은 Glass에 각각 접합한다. 준비된 샘플을 150℃ 1시간 내열 후 상온방치 30분, 그리고 85℃ 85% 조건에서 24시간 투입한다. 그리고 샘플을 90도 peel 박리한다. 각 웨이퍼, Glass 표면에 잔존물 여부를 확인하여 성능을 평가한다. 해당 평가는 목시로 한다.Samples were prepared by cutting the adhesive films according to Examples and Comparative Examples to 10x10 (cm), and the first adhesive layer was bonded to the wafer and the second adhesive layer was bonded to the glass, respectively. The prepared sample is heat-resistant at 150 ° C for 1 hour, left at room temperature for 30 minutes, and then injected at 85 ° C for 24 hours under 85% conditions. Then, the sample is peeled at 90 degrees. Evaluate the performance by checking whether there is any residue on the surface of each wafer or glass. The evaluation is done visually.

<잔존물 평가 기준><Criteria for evaluation of residues>

○: wafer, Glass 면 모두 Clear (도 3의 '○'참조)○: Clear all wafer and glass surfaces (see '○' in FIG. 3)

×: wafer, Glass 중 1면 이상 잔존물 발생 (도 3의 '×' 참조)×: Residues occur on one or more surfaces of wafer and glass (see 'X' in Fig. 3)

제1 점착층 점착력(N/25mm)Adhesion of the first adhesive layer (N/25mm) 제2 점착층 점착력(N/25mm)Adhesion of the second adhesive layer (N/25mm) 250℃중량 변화율(%)250℃ weight change rate (%) 범프
커버성능
bump
cover performance
잔존물
평가
hangover
evaluation
초기Early 열처리 후after heat treatment UV 조사 후After UV irradiation 초기Early 열처리 후after heat treatment 실시예 1Example 1 0.0400.040 0.0700.070 0.0020.002 0.0500.050 0.1650.165 0.60.6 실시예 2Example 2 0.0380.038 0.0600.060 0.0020.002 0.0400.040 0.1600.160 0.50.5 실시예 3Example 3 0.0600.060 0.0700.070 0.0020.002 0.0600.060 0.1650.165 0.50.5 실시예 4Example 4 0.0600.060 0.0700.070 0.0080.008 0.0400.040 0.1500.150 0.50.5 실시예 5Example 5 0.0350.035 0.0600.060 0.0020.002 0.0600.060 0.1700.170 0.60.6 비교예 1Comparative Example 1 0.0500.050 0.0700.070 0.0500.050 0.0500.050 0.0500.050 0.60.6 비교예 2Comparative Example 2 0.0500.050 0.0700.070 0.0500.050 0.0500.050 0.1650.165 0.60.6 비교예 3Comparative Example 3 0.1200.120 0.1900.190 0.0020.002 0.0600.060 0.1670.167 0.60.6 비교예 4Comparative Example 4 0.0500.050 0.0700.070 0.0600.060 0.0600.060 0.1650.165 0.60.6 비교예 5Comparative Example 5 0.1300.130 0.2100.210 0.0200.020 0.0600.060 0.1650.165 2.42.4 ×× 비교예 6Comparative Example 6 0.0100.010 0.0800.080 0.0200.020 0.0400.040 0.1660.166 0.60.6 ×× 비교예 7Comparative Example 7 0.0500.050 0.0700.070 0.0020.002 0.0100.010 0.0700.070 0.60.6 비교예 8Comparative Example 8 0.0500.050 0.0680.068 0.0020.002 0.1400.140 0.1800.180 2.12.1 ××

상기 표 4를 참조하면, 본원 실시예 1 내지 5에 따른 점착 필름은 범프 커버 성능과 잔존물 평가에서 우수한 효과를 나타내고 있음을 확인할 수 있으며, 제1 점착층의 열처리 후 점착력이 0.060 내지 0.070 N/25mm로 낮게 유지되고, UV 조사 후 점착력이 0.010 N/25mm 이하로 조절되는 반면, 제2 점착층의 열처리 후 점착력은 0.150 내지 0.200 N/25mm로 제1 점착층 대비 높게 유지 되고 있어, 결과적으로 웨이퍼(도 2 참조)에 점착되는 제1 점착층이 캐리어에 점착되는 제2 점착층에 비해 더 쉽게 박리 될 수 있음을 알 수 있다.Referring to Table 4, it can be confirmed that the adhesive films according to Examples 1 to 5 of the present application exhibit excellent effects in bump cover performance and residual evaluation, and the adhesive strength after heat treatment of the first adhesive layer is 0.060 to 0.070 N/25mm , and the adhesive force after UV irradiation is adjusted to 0.010 N / 25 mm or less, while the adhesive force after heat treatment of the second adhesive layer is maintained at 0.150 to 0.200 N / 25 mm, which is higher than that of the first adhesive layer, resulting in a wafer ( 2), it can be seen that the first adhesive layer adhered to the carrier can be more easily peeled off than the second adhesive layer adhered to the carrier.

이에 반하여, 아크릴 변성 실리콘 수지를 포함하지 않는 제조예 1-4의 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 점착층을 포함하는 비교예 1에 따른 점착 필름은 열처리 및 UV 조사 후 점착층 양면의 점착력에 큰 차이가 없어, 특정 일면이 더 쉽게 박리될 수 없음을 알 수 있다.On the other hand, the adhesive film according to Comparative Example 1 including the adhesive layer formed using the composition for forming the first adhesive layer of Preparation Examples 1-4 that does not contain an acrylic-modified silicone resin is heat treated and UV irradiated on both sides of the adhesive layer. It can be seen that there is no significant difference in adhesive strength, indicating that certain surfaces cannot be peeled off more easily.

또한, 제조예 1-5 내지 1-8의 제1 점착층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 제1 점착층을 포함하는 비교예 2 내지 6에 따른 점착 필름은, 제1 점착층의 초기 점착력이 0.06 N/25mm을 초과하거나, 열처리 후 점착력이 0.07 N/25mm을 초과하거나, UV 조사 후 점착력이 0.01 N/25mm을 초과하는 등으로 목적하는 점착력 범위를 만족하지 못하며, 특히 비교예 5 및 6은 각각 범프 커퍼성능 및 잔존물 평가 결과 역시 현저히 저하된 점을 확인할 수 있다.In addition, the adhesive films according to Comparative Examples 2 to 6 including the first adhesive layer formed using the composition for forming the first adhesive layer of Preparation Examples 1-5 to 1-8, the initial adhesive strength of the first adhesive layer is 0.06 It does not satisfy the desired adhesive strength range, such as exceeding N/25 mm, adhesive strength after heat treatment exceeding 0.07 N/25 mm, or adhesive strength after UV irradiation exceeding 0.01 N/25 mm, and in particular, Comparative Examples 5 and 6, respectively It can be seen that the bump capper performance and residue evaluation results also significantly deteriorated.

또한, 제조예 2-4 및 2-5의 제2 점착층 형성용 조성물을 이용하여 형성된 제2 점착층을 포함하는 비교예 7 및 8에 따른 점착 필름은, 제2 점착층의 초기 점착력이 0.06 N/25mm을 초과하거나, 열처리 후 점착력이 0.15 N/25mm 이하이거나, 범프 커버성능이 현저히 저하되는 점을 확인할 수 있다.In addition, the adhesive films according to Comparative Examples 7 and 8 including the second adhesive layer formed using the composition for forming the second adhesive layer of Preparation Examples 2-4 and 2-5, the initial adhesive strength of the second adhesive layer was 0.06 It can be confirmed that N/25 mm is exceeded, the adhesive force after heat treatment is 0.15 N/25 mm or less, or the bump cover performance is significantly deteriorated.

Claims (12)

제1 기재층;
상기 제1 기재층 상에 적층되는 제1 점착층;
상기 제1 점착층 상에 적층되는 제2 점착층; 및
상기 제2 점착층 상에 적층되는 제2 기재층을 포함하고,
상기 제1 점착층은 실리콘 수지, 하기 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물, 하기 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물, 아크릴 변성 실리콘 수지 및 광중합 개시제를 포함하는 제1 점착층 형성용 조성물의 경화물층이고,
상기 제2 점착층은 실리콘 수지, 하기 화학식 2로 표시되는 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 제2 하이드라이드 실리콘 화합물을 포함하는 제2 점착층 형성용 조성물의 경화물층이고,
상기 제1 점착층 형성용 조성물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 12 내지 18 중량부, 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물 4 내지 6 중량부 및 아크릴 변성 실리콘 수지 20 내지 40 중량부를 포함하고,
상기 제2 점착층 형성용 조성물은 상기 실리콘 수지 100 중량부에 대하여, 상기 제1 하이드라이드 실리콘 화합물 7 내지 13 중량부 및 상기 제2 하이드라이드 실리콘 화합물 7 내지 10 중량부를 포함하는, 점착필름.
[화학식 2]
Figure pat00012

(상기 화학식 2에서,
R21 내지 R23 및 R28 내지 R30은, 각각 독립적으로, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다.
R24 내지 R27는, 각각 독립적으로, 수소원자, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다. 단, R24 내지 R27 중 적어도 하나는 수소원자이다.
o은 100 내지 700의 정수이다.
p은 100 내지 500의 정수이다.)
[화학식 3]
Figure pat00013

(상기 화학식 3에서,
R31 내지 R33 및 R38 내지 R40은, 각각 독립적으로, 수소원자, 아미노기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기, 탄소수 3 내지 30의 아크릴기 또는 에폭시기이다. 단, R31 내지 R33 및 R38 내지 R40 중 적어도 하나는 수소원자이다.
R34 내지 R37는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 에폭시기 또는 아미노기이다.
s은 100 내지 700의 정수이다.
t은 100 내지 500의 정수이다.)
A first base layer;
A first adhesive layer laminated on the first substrate layer;
a second adhesive layer laminated on the first adhesive layer; and
And a second substrate layer laminated on the second adhesive layer,
The first adhesive layer is formed of a first adhesive layer comprising a silicone resin, a first hydride silicone compound represented by the following formula (2), a second hydride silicone compound represented by the following formula (3), an acrylic modified silicone resin and a photopolymerization initiator A cured product layer of a composition for
The second adhesive layer is a cured product layer of a composition for forming a second adhesive layer including a silicone resin, a first hydride silicone compound represented by Formula 2 below, and a second hydride silicone compound represented by Formula 3 below,
The composition for forming the first adhesive layer includes 12 to 18 parts by weight of the first hydride silicone compound, 4 to 6 parts by weight of the second hydride silicone compound, and 20 to 6 parts by weight of the acrylic modified silicone resin, based on 100 parts by weight of the silicone resin. 40 parts by weight,
The composition for forming the second adhesive layer includes 7 to 13 parts by weight of the first hydride silicone compound and 7 to 10 parts by weight of the second hydride silicone compound, based on 100 parts by weight of the silicone resin.
[Formula 2]
Figure pat00012

(In Formula 2 above,
R 21 to R 23 and R 28 to R 30 are each independently an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an acryl group having 3 to 30 carbon atoms, or It is an epoxy group.
R 24 to R 27 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group. However, at least one of R 24 to R 27 is a hydrogen atom.
o is an integer from 100 to 700;
p is an integer from 100 to 500.)
[Formula 3]
Figure pat00013

(In Formula 3,
R 31 to R 33 and R 38 to R 40 are each independently a hydrogen atom, an amino group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, and a carbon atom having 3 to 30 carbon atoms. It is an acrylic group or an epoxy group. However, at least one of R 31 to R 33 and R 38 to R 40 is a hydrogen atom.
R 34 to R 37 are each independently an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, an epoxy group or an amino group.
s is an integer from 100 to 700.
t is an integer from 100 to 500.)
청구항 1에 있어서,
상기 실리콘 수지는 하기 (i) 내지 (iii)으로 표시되는 단위를 포함하는 제1 실리콘 수지 및 하기 화학식 1로 표시되는 제2 실리콘 수지를 포함하는, 점착필름.
(i) T단위: 45 내지 99몰%
Figure pat00014

(ii) D단위: 60몰% 미만
Figure pat00015

(iii) M단위: 1 몰% 이상 25몰% 미만
Figure pat00016

(상기 R1 내지 R6는, 각각 독립적으로, 수소원자, 아미노기, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기 또는 탄소수 3 내지 30의 아크릴기이다.)
[화학식 1]
Figure pat00017

(상기 화학식 1에서,
R11 내지 R20은, 각각 독립적으로, 아미노기, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 탄소수 2 내지 30의 알케닐기, 탄소수 6 내지 30의 아릴기 또는 탄소수 3 내지 30의 아크릴기이다.
m은 100 내지 700의 정수이다.
n은 100 내지 500의 정수이다.)
The method of claim 1,
The silicone resin comprises a first silicone resin comprising units represented by (i) to (iii) and a second silicone resin represented by the following formula (1), the adhesive film.
(i) T unit: 45 to 99 mol%
Figure pat00014

(ii) D unit: less than 60 mol%
Figure pat00015

(iii) M unit: 1 mol% or more and less than 25 mol%
Figure pat00016

(The above R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an amino group, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, or a carbon number 3 to 30 It is an acrylic group.)
[Formula 1]
Figure pat00017

(In Formula 1 above,
R 11 to R 20 are each independently an amino group, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 30 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 30 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or a carbon number 3 to 30 acryl groups.
m is an integer from 100 to 700;
n is an integer from 100 to 500.)
청구항 2에 있어서,
상기 제1 실리콘 수지 및 제2 실리콘 수지는 80 내지 100: 5 내지 20의 중량비로 포함되는, 점착필름.
The method of claim 2,
The first silicone resin and the second silicone resin are included in a weight ratio of 80 to 100: 5 to 20, the adhesive film.
청구항 1에 있어서,
상기 아크릴 변성 실리콘 수지는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는, 점착필름.
[화학식 4]
Figure pat00018

(상기 화학식 4에서
R41 내지 R46은 각각 독립적으로, 메틸기, 하기 화학식 5로 표시되는 기 또는 화학식 6으로 표시되는 기이다.
R47은 메틸기이다.
R48은 메틸기 또는 페닐기이다.
u은 100 내지 1000의 정수이다.
v은 1 내지 800의 정수이다.)
[화학식 5]
Figure pat00019

[화학식 6]
Figure pat00020

(화학식 5 및 화학식 6에서, *은 규소원자와의 결합손을 나타낸다.)
The method of claim 1,
The acrylic-modified silicone resin comprises a compound represented by Formula 4 below, an adhesive film.
[Formula 4]
Figure pat00018

(In Formula 4 above
R 41 to R 46 are each independently a methyl group, a group represented by the following formula (5), or a group represented by the formula (6).
R 47 is a methyl group.
R 48 is a methyl group or a phenyl group.
u is an integer from 100 to 1000;
v is an integer from 1 to 800.)
[Formula 5]
Figure pat00019

[Formula 6]
Figure pat00020

(In Formula 5 and Formula 6, * represents a bond with a silicon atom.)
청구항 1에 있어서,
상기 제1 점착층 형성용 조성물은 금속촉매, 억제제, 촉진제 및 용매로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 점착필름.
The method of claim 1,
The composition for forming the first adhesive layer further comprises at least one selected from the group consisting of a metal catalyst, an inhibitor, an accelerator, and a solvent.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 점착층 형성용 조성물은 금속촉매, 억제제 및 용매로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 더 포함하는, 점착필름.
The method of claim 1,
The composition for forming the second adhesive layer further comprises at least one selected from the group consisting of a metal catalyst, an inhibitor, and a solvent.
청구항 1에 있어서,
상기 점착필름은 하기 수학식 1을 통해 계산되는 250℃ 중량 변화율이 1% 이하인, 점착필름.
[수학식 1]
(250℃ 중량 변화율) = 100*[(점착필름의 초기 중량)-(250℃에서 5분간 가열 후 점착필름의 중량)]/(점착필름의 초기 중량)
The method of claim 1,
The adhesive film has a weight change rate of 250 ° C. calculated through Equation 1 below of 1% or less.
[Equation 1]
(250 ℃ weight change rate) = 100 * [(initial weight of adhesive film) - (weight of adhesive film after heating at 250 ℃ for 5 minutes)] / (initial weight of adhesive film)
청구항 1에 있어서,
상기 제1 점착층은 초기 점착력이 0.03 내지 0.06 N/25mm이고, 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 0.03 내지 0.07 N/25mm인, 점착필름.
The method of claim 1,
The first adhesive layer has an initial adhesive force of 0.03 to 0.06 N / 25 mm, and an adhesive force after heat treatment at 150 ° C. for 60 minutes is 0.03 to 0.07 N / 25 mm, an adhesive film.
청구항 7에 있어서,
상기 제1 점착층은 365nm 파장의 자외선 조사 후 점착력이 0.01 N/25mm 이하인, 점착필름.
The method of claim 7,
The first adhesive layer has an adhesive force of 0.01 N / 25 mm or less after irradiation with ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm.
청구항 1에 있어서,
상기 제2 점착층은 초기 점착력이 0.03 내지 0.06 N/25mm이고, 150℃에서 60분간 열처리 후 점착력이 0.15 내지 0.2 N/25mm인, 점착필름.
The method of claim 1,
The second adhesive layer has an initial adhesive strength of 0.03 to 0.06 N / 25 mm, and an adhesive strength of 0.15 to 0.2 N / 25 mm after heat treatment at 150 ° C. for 60 minutes.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 기재층 및 제2 기재층은 이형필름인, 점착필름.
The method of claim 1,
The first base layer and the second base layer is a release film, an adhesive film.
청구항 1에 있어서,
상기 점착시트는 반도체 웨이퍼 가공용인, 점착필름.
The method of claim 1,
The adhesive sheet is for semiconductor wafer processing, adhesive film.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101907010B1 (en) 2012-02-28 2018-10-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 Wafer processing laminate, wafer processing member, temporary bonding arrangement, and thin wafer manufacturing method

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