KR20230074323A - 잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법 - Google Patents

잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 상기 잠열 저장용 조성물은 상변화 물질, 및 흄드 실리카만으로 이루어지되, 상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%일 수 있다.

Description

잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법{Latent heat storage composition, latent heat storage pack including the same, and method for manufacturing latent heat storage pack including the same}
본 발명은 잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 상변화 물질을 포함하는 잠열 저장용 조성물, 이를 포함하는 잠열 저장 팩, 및 이를 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법에 관한 것이다.
잠열(Latent heat)이란 물질이 고상에서 액상으로 또는 액상에서 고상으로 상변화될 때 흡수하거나 방출하는 열을 의미한다. 상변화 물질(Phase Change Material)은 위와 같은 잠열을 이용하여 열을 흡수 및/또는 방출하는 물질을 의미한다.
상변화 물질은 단위 부피 및 단위 질량당 열에너지의 저장용량이 커서 현열(Sensible heat) 장치보다 부피나 무게를 크게 줄일 수 있는 장점이 있다. 상변화 물질은 온도성층(thermocline) 현상이 심하지 않으므로, 사용 온도에 알맞은 범위에서 거의 일정한 온도로 축열 및 방열을 할 수 있는 장점이 있다.
상변화 물질은 그의 녹는점 이상의 온도에서는 액상이므로, 모양이 변화되지 않는 플라스틱 케이스 내에 상변화 물질을 넣어 패키지화하여 사용되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 흐르지 않는 고체 상태의 잠열 저장용 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 팩 내부에서 균일하게 고체 상태가 될 수 있는 잠열 저장용 조성물을 포함하는 잠열 저장 팩을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 팩 내부에서 균일하게 고체 상태가 될 수 있는 잠열 저장용 조성물을 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 개념에 따른, 잠열 저장용 조성물은 상변화 물질, 및 흄드 실리카만으로 이루어지되, 상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%일 수 있다.
본 발명의 다른 개념에 따른, 잠열 저장 팩은 잠열 저장용 조성물, 및 상기 잠열 저장용 조성물을 밀봉하는 용기를 포함하되, 상기 용기는 주입부 및 몸체부를 포함하고, 상기 잠열 저장용 조성물은, 상변화 물질, 및 흄드 실리카만으로 이루어지되, 상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%일 수 있다.
본 발명의 또 다른 개념에 따른, 잠열 저장 팩의 제조 방법은 상변화 물질 및 흄드 실리카를 혼합하여 잠열 저장용 조성물을 제조하는 것, 및 상기 잠열 저장용 조성물을 용기에 투입하여 밀봉하는 것을 포함하되, 상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%일 수 있다.
본 발명에 따른 잠열 저장용 조성물은, 그를 구성하는 상변화 물질의 녹는점 및 잠열과 같은 물성은 그대로 유지한 채 잠열 저장용 조성물(HSC)를 고형화시키는 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면, 빠른 시간 내에 잠열 저장 팩들 내의 잠열 저장용 조성물이 균일하게 고형화될 수 있다.
도 1은 본 발명에 실시예들에 따른 잠열 저장 팩을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 잠열 저장용 조성물의 구성 물질을 나타낸 확대도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 복수의 잠열 저장 팩들이 인접하게 배치되어 정렬된 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩의 고체 상태를 평가한 결과이다.
도 5는 실시예 2 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩의 고체 상태를 평가한 결과이다.
도 6은 실시예 1 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩의 고체 상태를 평가한 결과이다.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명에 실시예들에 따른 잠열 저장 팩을 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 잠열 저장용 조성물의 구성 물질을 나타낸 확대도이다. 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 복수의 잠열 저장 팩들이 인접하게 배치되어 정렬된 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3을 참조하면, 잠열 저장 팩(PAC)은 잠열 저장용 조성물(HSC) 및 잠열 저장용 조성물(HSC)을 밀봉하는 용기(CS)를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 잠열 저장용 조성물(HSC)은 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(Fumed Silica, FS)를 포함할 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 비정질의 이산화규소를 포함할 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 단독으로 존재할 때 하얀색의 분말 형태일 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 친수성을 가질 수 있다. 따라서, 흄드 실리카는 수용액 내의 다른 화합물에 대해 혼화성을 지닐 수 있다.
흄드 실리카(FS)는 복수의 1차 입자들(PP)이 연결되어 형성된 응집체(AG, aggregate)를 포함할 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 염화실란이 산소와 수소로 형성된 1,000 ℃ 이상의 불꽃 내에서 가수분해되어 형성될 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 불꽃 내에서 만들어진 1차 입자들(PP)간의 충돌로 인해 서로 연결되어, 응집체(AG)가 형성될 수 있다. 이에 따라, 응집체(AG)는 가지를 포함하는 3차원의 입체 구조를 가질 수 있다. 흄드 실리카(FS)의 1차 입자(PP)의 평균 직경은 예를 들어, 2 nm 내지 50 nm일 수 있다. 1차 입자들(PP)의 비표면적은 예를 들어, 50 m2/g 내지 600 m2/g일 수 있다. 응집체(AG)의 크기는 예를 들어, 1 μm 내지 500 μm일 수 있다.
본 발명에 따르면, 3차원 입체 구조를 갖는 흄드 실리카(FS)를 잠열 저장용 조성물(HSC)로 사용함으로써, 응집체(AG) 간의 수소결합(Hydrogen bond) 및/또는 반데르발스 힘(Van der Waals force)으로 형성된 3차원 가지 구조의 프레임워크(Framewrok)에 상변화 물질(PCM)이 가둬질 수 있다. 즉, 흄드 실리카(FS)의 응집체(AG)는 담지체일 수 있고, 상변화 물질(PCM)이 응집체(AG)를 둘러쌀 수 있다. 이에 따라, 잠열 저장용 조성물(HSC)이 얼게 될 때, 즉, 고형화되기 쉬운 상태로 만들 수 있다. 또한, 열전도율 측면에서, 3차원 입체 구조에 의해 응집체(AG) 간의 계면에 의해 열 전달이 원활하게 되지 못하여, 기존 온도를 유지하는데 효과적일 수 있다.
잠열 저장용 조성물(HSC)의 총 중량 기준으로, 흄드 실리카(FS)의 중량비는 예를 들어, 0.5wt% 내지 1.5wt%일 수 있다. 만약 흄드 실리카(FS)의 중량비가 0.5wt%보다 작다면, 그 양이 너무 적어서 잠열 저장용 조성물이 고형화되는 데에 이바지할 수 없어 본 발명의 효과를 누릴 수 없다. 만약 흄드 실리카(FS)의 중량비가 1.5wt% 보다 크다면, 잠열 저장용 조성물(HSC) 내에서 균일하게 섞이지 못한 실리카 분말들이 잔류할 수 있고, 잠열 저장용 조성물(HSC)의 단위 질량 당 저장할 수 있는 에너지가 감소할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 상변화 물질(Phase Change Material, PCM)은 -30℃ 내지 140℃ 사이의 범위에서 녹는점 또는 어는점을 갖는 물질일 수 있다. 상변화 물질(PCM)은 녹는점에서 고체에서 액체로 상변화하면서 열을 흡수할 수 있다. 상변화 물질(PCM)은 어는점에서 액체에서 고체로 상변화하면서 열을 방출할 수 있다. 상변화 물질(PCM)이 녹는점 또는 어는점에서 상변화하는 동안, 상변화 물질(PCM)의 온도는 일정하게 유지될 수 있다. 상변화 물질(PCM)은 상대적으로 높은 잠열을 갖는 물질일 수 있다.
잠열 저장용 조성물(HSC)의 녹는점과 상변화 물질(PCM)의 녹는점의 차이는 0.01℃ 내지 0.5℃일 수 있다. 다시 말하면, 상변화 물질(PCM)에 흄드 실리카(FS)가 혼합될지라도, 상변화 물질(PCM)의 물성(예를 들어, 녹는점 및 잠열)은 실질적으로 변화되지 않을 수 있다.
상변화 물질(PCM)의 녹는점보다 높은 온도에서, 상변화 물질(PCM)은 액체 상태일 수 있다. 만약 잠열 저장용 조성물(HSC)이 상변화 물질(PCM)만으로 이루어질 경우, 상변화 물질(PCM)의 녹는점보다 높은 온도에서 잠열 저장용 조성물(HSC)은 액체 상태일 수 있다. 본 발명에 따르면, 흄드 실리카(FS)의 응집체들(AG)을 중심으로 상변화 물질(PCM)이 포획됨으로써, 잠열 저장용 조성물(HSC)을 보다 쉽게 고체 상태로 만들 수 있다. 상기 녹는점보다 낮은 온도에서 잠열 저장용 조성물(HSC)은 고체 상태일 수 있다. 본 명세서에서, "고체 상태"는 물질이 흐르지 않고 그 형태를 유지할 수 있는 상태를 의미할 수 있다. 상기 고체 상태는 겔(gel)과 같은 상태일 수 있다.
일 예로, 잠열 저장용 조성물(HSC)은 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(FS)만으로 이루어질 수 있다. 잠열 저장용 조성물(HSC)은 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(FS)를 제외한 추가적인 물질을 포함하지 않을 수 있다. 만약 잠열 저장용 조성물(HSC)이 추가적인 물질을 포함할 경우, 추가적인 물질이 상변화 물질(PCM) 고유의 물성(예를 들어, 녹는점 및 잠열)에 영향을 줄 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 잠열 저장용 조성물(HSC)은 친수성의 상변화 물질 및 흄드 실리카(FS)를 포함할 수 있다. 흄드 실리카(FS)가 친수성을 가지기 때문에, 상변화 물질(PCM)과 흄드 실리카(FS)가 혼합되기 위해서는 상변화 물질(PCM)이 친수성 상변화 물질인 것이 바람직할 수 있다.
친수성 상변화 물질은 지방산 및 그의 에스터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 친수성 상변화 물질은 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 프로피온아미드, 나프탈렌, 아세트아미드, 스테아르산, 폴리글리콜, 왁스, 팔미트산, 미리스트산, 스테아르산, 리그노세레이트, 캄펜, 3-헵타네카논, 테트라데칸, 시안아미드, 라우르산, 카르폴론, 트리미리스트린, 헥사데카논, 카프르산, 및 카프릴산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 잠열 저장용 조성물(HSC)은 소수성의 상변화 물질 및 표면 처리되어 소수성을 가지는 흄드 실리카(FS)를 포함할 수 있다. 흄드 실리카(FS)는 표면 처리됨으로써, 적어도 부분적으로 소수성을 가질 수 있다. 이 경우, 흄드 실리카(FS)는 표면 처리되어 소수성을 가지기 때문에, 상변화 물질(PCM)이 소수성 상변화 물질인 것이 바람직할 수 있다.
일 예로, 흄드 실리카(FS)를 표면 처리하는 것은, 알킬기 또는 알켄기와 같은 탄화수소 기능기로 치환되어 있는 실란(예를 들어, dimethyldichlorosilane)을 흄드 실리카(FS) 상에 제공하는 것 및 열처리하는 것을 포함할 수 있다. 다른 예로, 흄드 실리카(FS)를 표면 처리하는 것은, 폴리실록산을 포함하는 실리콘(silicone)을 흄드 실리카(FS) 상에 제공하는 것 및 열처리하는 것을 포함할 수 있다.
소수성 상변화 물질은 직쇄형의 알케인을 포함할 수 있다. 소수성 상변화 물질은 CnH2n+2을 포함할 수 있다. n은 10 내지 30의 정수일 수 있다. n의 값에 따라 상변화 물질(PCM)의 녹는점이 변화될 수 있다. 다시 말하면, 잠열 저장용 조성물(HSC)의 원하는 녹는점에 따라 상기 n 값을 선택하여, 잠열 저장용 조성물(HSC)의 녹는점을 조절할 수 있다. 예를 들어, 소수성 상변화 물질은 지방족 파라핀(Paraffin)을 포함할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 잠열 저장용 조성물(HSC)은 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(FS)를 포함할 수 있다. 상기 상변화 물질(PCM)은 제1 상변화 물질과 제2 상변화 물질의 공융 혼합물(eutectic mixture)을 포함할 수 있다. 제1 상변화 물질 및 제2 상변화 물질은 각각 지방산 및 그의 에스터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상변화 물질(PCM)은 지방산 및 그의 에스터로 이루어진 화합물 군에서 선택되기 때문에, 친수성을 가질 수 있다. 흄드 실리카(FS) 역시 친수성을 가지기 때문에, 공융 혼합물(eutectic mixture)과 흄드 실리카(FS)가 잘 혼합될 수 있다
제1 상변화 물질은 CXH2X+1COOR1의 화합물을 포함하고, 제2 상변화 물질은 CYH2Y+1COOR1의 화합물을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 X 및 상기 Y는 서로 다른 정수이고, 상기 X 및 상기 Y 각각은 11 내지 17의 정수이며, 상기 R1은 C1-C4 알킬이다. 제1 상변화 물질의 기능기(R1)와 제2 상변화 물질의 기능기(R1)가 서로 동일할 경우, 제1 상변화 물질과 제2 상변화 물질은 균일하게 혼합되어 공융 혼합물(eutectic mixture)을 형성할 수 있다. 제1 상변화 물질 및 제2 상변화 물질은 각각 독립적으로, 라우릭산 또는 그의 에스터, 미리스틱산 또는 그의 에스터, 팔미트산 또는 그의 에스터 및 스테아르산 또는 그의 에스터로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 공융 혼합물(eutectic mixture)은 예를 들어, 메틸 팔미테이트(Methyl palmitate), 메틸 라우레이트(Methyl laurate), 메틸 미리스테이트(Methyl myristate), 부틸 스테아레이트(Butyl stearate), 및 부틸 라우레이트(Butyl laurate)로 이루어진 군에서 선택된 2종 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 상변화 물질의 녹는점이 제1 온도이고 제2 상변화 물질의 녹는점이 제2 온도일 경우, 이들의 혼합물은 제1 온도 및 제2 온도의 두 개의 녹는점을 갖는 것이 아니라 제3 온도의 하나의 녹는점을 가질 수 있다. 다시 말하면, 제1 상변화 물질 및 제2 상변화 물질의 혼합물은 하나의 녹는점(또는 하나의 어는점)을 가질 수 있다. 제3 온도는 제1 온도와 제2 온도 사이의 값일 수 있다. 제3 온도는 제1 온도 및/또는 제2 온도보다 더 낮을 수 있다. 제3 온도는 제1 온도 및/또는 제2 온도보다 더 높을 수 있다.
혼합물 내에서 제1 상변화 물질의 농도가 증가할수록, 혼합물의 녹는점은 제1 상변화 물질의 녹는점인 제1 온도에 가까워질 수 있다. 혼합물 내에서 제2 상변화 물질의 농도가 증가할수록, 혼합물의 녹는점은 제2 상변화 물질의 녹는점인 제2 온도에 가까워질 수 있다. 결과적으로, 제1 상변화 물질 및 제2 상변화 물질의 조성비를 조절하여, 잠열 저장용 조성물(HSC)이 목적하는 녹는점 또는 어는점을 갖도록 조절할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 용기(CS)는 주입부(IJ) 및 몸체부(BD)를 포함할 수 있다. 주입부(IJ)를 통해, 잠열 저장용 조성물(HSC)이 용기(CS) 내로 투입될 수 있고, 몸체부(BD) 내에 밀봉될 수 있다. 용기(CS)는 예를 들어, HDPE(High Density PolyEthylene), PP(PolyPropylene), PET(PolyEthylene Terephthalate), PVC(PolyVinyl Chloride), PS(PolyStyrene), 및 PC(PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 용기(CS)는 비교적 단단한 특성을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 잠열 저장 팩(PAC)의 제조 방법은, 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(FS)를 혼합하여 잠열 저장용 조성물(HSC)을 제조하는 것, 및 잠열 저장용 조성물(HSC)을 용기(CS)에 투입하여 밀봉하는 것을 포함할 수 있다. 상세하게는, 상변화 물질(PCM)의 녹는점보다 높은 온도에서 상변화 물질(PCM)과 흄드 실리카(FS)가 서로 균일하게 혼합되어, 잠열 저장용 조성물(HSC)이 형성될 수 있다. 잠열 저장용 조성물(HSC)이 용기(CS) 내에 투입된 후, 전처리 공정(pre-conditioning)을 수행하여 잠열 저장용 조성물(HSC)을 고체화하는 것을 더 포함할 수 있다. 전처리 공정(pre-conditioning)은 예를 들어, 저온에서의 고형화 공정을 포함할 수 있다.
상변화 물질(PCM)은 친수성 상변화 물질, 소수성 상변화 물질, 및 이들의 조합 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상변화 물질(PCM) 및 흄드 실리카(FS)에 관한 구체적 설명은 앞서 제1 내지 제3 실시예에서 설명한 것과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 복수의 잠열 저장 팩들(PAC)이 인접하게 배치되어 정렬될 수 있다. 잠열 저장 팩들(PAC)에 각각 투입된 잠열 저장용 조성물(HSC)에 동시에 전처리 공정(pre-conditioning)이 수행될 수 있다. 만약 잠열 저장용 조성물(HSC)이 상변화 물질(PCM)만으로 이루어질 경우, 잠열 저장 팩들(PAC)간의 간격이 좁아 공기의 흐름이 원활하지 않고, 냉각 온도의 편차로 인해 불완전하게 어는 현상이 발생할 수 있다. 이 경우, 잠열 저장 팩들(PAC) 내의 잠열 저장용 조성물(HSC)이 균일하게 고형화되지 않을 수 있어, 잠열 특성이 저하될 수 있다. 반면에, 본 발명에 따르면, 0.5 wt% 내지 1.5 wt%의 중량비의 흄드 실리카(FS)를 포함함에 따라, 빠른 시간 내에 잠열 저장 팩들(PAC) 내의 잠열 저장용 조성물(HSC)이 균일하게 고형화될 수 있다. 즉, 흄드 실리카(FS)가 적당량 포함됨으로써 잠열 저장용 조성물의 고형화를 촉진하게 된다.
<실시예 1, 실시예 2, 및 비교예 1>
실시예 1
파라핀계 상변화 물질(CnH2n+2)과 소수성으로 표면 처리된, 1wt%의 흄드 실리카(OCI사 주식회사)를 혼합하여, 잠열 저장용 조성물을 제조하였다. 제조된 잠열 저장용 조성물을 용기에 투입하여 실시예 1에 따른 잠열 저장 팩을 제조하였다.
실시예 2
파라핀계 상변화 물질(CnH2n+2)과 소수성으로 표면 처리된, 0.5wt%의 흄드 실리카(OCI사 주식회사)를 혼합하여, 잠열 저장용 조성물을 제조하였다. 제조된 잠열 저장용 조성물을 용기에 투입하여 실시예 2에 따른 잠열 저장 팩을 제조하였다.
비교예 1
파라핀계 상변화 물질(CnH2n+2)만으로 잠열 저장용 조성물을 제조하였다. 제조된 잠열 저장용 조성물을 용기에 투입하여 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩을 제조하였다.
<실험예>
고체 상태 평가-1
실시예 1 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩을 각각 3 ℃에서 전처리 공정(pre-conditioning)을 수행하여, 24시간 후와 48시간 후에 고형화된 정도를 확인하였고, 그 결과를 도 4에 나타내었다. 도 4를 통해 알 수 있듯이, 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩들은 거의 대부분이 액체 상태로 남아있는 것을 확인할 수 있다. 반면에, 실시예 1에 따른 잠열 저장 팩들은 모두 고체 상태 상태로 변한 것을 확인할 수 있다.
고체 상태 평가-2
실시예 2 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩을 각각 3.5 ℃에서 전처리 공정(pre-conditioning)을 수행하여, 72시간 후에 고형화된 정도를 확인하였고, 그 결과를 도 5에 나타내었다. 도 5를 통해 알 수 있듯이, 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩들의 일부는 여전히 액체 상태로 남아있는 것을 확인할 수 있다. 반면에, 실시예 2에 따른 잠열 저장 팩들은 모두 고체 상태로 변한 것을 확인할 수 있다.
고체 상태 평가-3
실시예 1 및 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩을 각각 3.5 ℃에서 전처리 공정(pre-conditioning)을 수행하여, 24시간, 48시간, 72시간, 및 144시간 후에 고형화된 정도를 확인하였고, 그 결과를 도 6에 나타내었다. 도 6을 통해 알 수 있듯이, 비교예 1에 따른 잠열 저장 팩들의 일부는 여전히 액체 상태로 남아있는 것을 확인할 수 있다. 반면에, 72시간 이후에, 실시예 1에 따른 잠열 저장 팩들은 모두 고체 상태로 변한 것을 확인할 수 있다.
DSC 평가
실시예 2 및 비교예 1의 조성물에 DSC(Differential scanning calorimetry; 시차 주사 열량 측정법) 분석을 수행하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
DSC 측정결과 Melting Freezing
Onset(℃)
(액체화 시작)
End(℃)
(액체화 완료)
잠열(J/g) Onset(℃)
(고체화 시작)
End(℃)
(고체화 완료)
잠열(J/g)
Paraffin 4.66 13.14 205.7 1.35 -4.55 209.9
Paraffin + 소수성 FS 0.5wt% 4.85 11.95 208.0 2.08 -2.99 210.2
상기 표 1을 통해 알 수 있듯이, 소수성 흄드 실리카를 0.5wt% 첨가하더라도 잠열 값에 큰 영향이 없음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. 상변화 물질; 및
    흄드 실리카만으로 이루어지되,
    상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%인 잠열 저장용 조성물.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 표면 처리되어 적어도 부분적으로 소수성을 갖고,
    상기 상변화 물질은 소수성 상변화 물질이고,
    상기 소수성 상변화 물질은 직쇄형의 알케인(CnH2n+2)을 포함하며,
    상기 n은 10 내지 30의 정수인 잠열 저장용 조성물.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 실란 또는 실리콘(silicone)으로 표면 처리된 잠열 저장용 조성물.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 상변화 물질은 파라핀(Paraffin)을 포함하는 잠열 저장용 조성물.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 상변화 물질은 친수성 상변화 물질이고,
    상기 친수성 상변화 물질은 폴리에틸렌글리콜, 프로피온아미드, 나프탈렌, 아세트아미드, 스테아르산, 폴리글리콜, 왁스, 팔미트산, 미리스트산, 스테아르산, 리그노세레이트, 캄펜, 3-헵타네카논, 테트라데칸, 시안아미드, 라우르산, 카르폴론, 트리미리스트린, 헥사데카논, 카프르산, 및 카프릴산으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 잠열 저장용 조성물.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 상변화 물질은 제1 상변화 물질과 제2 상변화 물질의 공융 혼합물(eutectic mixture)을 포함하되,
    상기 제1 상변화 물질은 CXH2X+1COOR1의 화합물을 포함하고,
    상기 제2 상변화 물질은 CYH2Y+1COOR1의 화합물을 포함하고,
    상기 X 및 상기 Y는 서로 다른 정수이고, 상기 X 및 상기 Y 각각은 11 내지 17의 정수이며, 상기 R1은 C1-C4 알킬인 잠열 저장용 조성물.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 공융 혼합물(eutectic mixture)은 메틸 팔미테이트(Methyl palmitate), 메틸 라우레이트(Methyl laurate), 메틸 미리스테이트(Methyl myristate), 부틸 스테아레이트(Butyl stearate), 및 부틸 라우레이트(Butyl laurate)로 이루어진 군에서 선택된 2종 이상을 포함하는 잠열 저장용 조성물.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 1차 입자들이 연결되어 형성된 응집체를 포함하고,
    상기 응집체는 3차원의 가지 구조를 가지고,
    상기 상변화 물질은 상기 응집체의 상기 3차원의 가지 구조 내에 가둬지는 잠열 저장용 조성물.
  9. 잠열 저장용 조성물; 및
    상기 잠열 저장용 조성물을 밀봉하는 용기를 포함하되,
    상기 용기는 주입부 및 몸체부를 포함하고,
    상기 잠열 저장용 조성물은:
    상변화 물질; 및
    흄드 실리카만으로 이루어지되,
    상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%인 잠열 저장 팩.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 용기는 HDPE(High Density PolyEthylene), PP(PolyPropylene), PET(PolyEthylene Terephthalate), PVC(PolyVinyl Chloride), PS(PolyStyrene), 및 PC(PolyCarbonate)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 잠열 저장 팩.
  11. 제9 항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 표면 처리되어 적어도 부분적으로 소수성을 갖고,
    상기 상변화 물질은 소수성 상변화 물질이고,
    상기 소수성 상변화 물질은 직쇄형의 알케인(CnH2n+2)을 포함하며,
    상기 n은 10 내지 30의 정수인 잠열 저장 팩.
  12. 상변화 물질 및 흄드 실리카를 혼합하여 잠열 저장용 조성물을 제조하는 것; 및
    상기 잠열 저장용 조성물을 용기에 투입하여 밀봉하는 것을 포함하되,
    상기 흄드 실리카의 중량비는 0.5 wt% 내지 1.5 wt%인 잠열 저장 팩의 제조 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 잠열 저장용 조성물이 상기 용기 내에 투입된 후, 전처리 공정(pre-conditioning)을 수행하여 상기 잠열 저장용 조성물을 고체화하는 것을 더 포함하는 잠열 저장 팩의 제조 방법.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 흄드 실리카는 표면 처리되어 적어도 부분적으로 소수성을 갖고,
    상기 상변화 물질은 소수성 상변화 물질이고,
    상기 소수성 상변화 물질은 직쇄형의 알케인(CnH2n+2)을 포함하며,
    상기 n은 10 내지 30의 정수인 잠열 저장 팩의 제조 방법.
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