KR20230073054A - 자석 어레이를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20230073054A
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조규영
박상일
유민우
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조, 상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징, 상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이, 상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재, 및 상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재를 포함하고, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고, 적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성될 수 있다.

Description

자석 어레이를 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE INCLDUING MAGNETIC ARRAY}
본 개시의 다양한 실시예들은 자석 어레이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
정보통신 기술과 반도체 기술 등의 발전으로 인하여 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 특히 최근의 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다. 또한, 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리 및 전자 지갑의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다.
이동통신 서비스가 멀티미디어 서비스 영역까지 확장되면서, 음성 통화나 단문 메시지뿐만 아니라 멀티미디어 서비스를 사용자가 충분히 이용하기 위해서, 전자 장치의 디스플레이의 크기가 커질 수 있다. 이에 따라, 접힘(folding) 가능하도록 분리된 하우징 구조의 전 영역에 접힘(folding) 가능한 디스플레이가 배치될 수 있다.
전자 장치는 전자 장치와 무선 통신을 통하여 연결된 특정한 입력 장치(예: 스타일러스 펜)를 통하여 사용자로부터 다양한 입력을 받을 수 있다. 전자 장치는 상기 입력 장치에 의하여 지정된 전자 장치상의 위치를 확인할 수 있고, 이에 대응하는 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 전자기 유도(electro magnetic resonance, 이하 EMR이라 함) 방식을 이용하여, 상기 입력 장치로부터 발생하는 자기장을 검출할 수 있다.
접힘 가능한 전자 장치를 접을 때, 반발력에 의해 전자 장치의 분리된 하우징 사이에 틈이 형성될 수 있다. 상기 틈을 감소시키기 위하여, 분리된 하우징의 양단에는 자석이 배치될 수 있다. 그러나, 상기 자석에서 발생된 자기장으로 인하여, 전자기 유도 방식을 이용하는 입력 장치에 자기장의 변화가 발생할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 지정된 배열을 가지는 자석 어레이를 이용하여, 입력 장치에 영향을 미치는 자기장의 변화를 감소시킬 수 있는 전자 장치를 제공할 수 있다.
다만, 본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조, 상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징, 상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이, 상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재, 및 상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재를 포함하고, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고, 적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제1 하우징, 상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조, 상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징, 상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이, 상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재, 및 상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재를 포함하고, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고, 적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성되고, 적어도 하나의 상기 수평 자석성분의 길이는 다른 상기 수평 자석성분의 길이의 절반으로 형성될 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 자석 어레이에 포함된 수직 자석성분의 길이를 다르게 형성시켜서, 자석 어레이 위에서의 자기장 세기 변화의 편차를 최소화할 수 있다.
이와 같이, 자기장 세기 변화의 편차를 최소화함에 따라, 전자 장치와 상호작용을 하는 전자 펜 내부의 인덕턴스 변화를 최소화할 수 있다.
전자 펜 내부의 인덕턴스 변화가 최소화됨에 따라, 전자 장치의 오작동 빈도를 최소화할 수 있다.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 펼침 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 접힌 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 펜 구동 회로를 포함하는 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 6은 도 4의 B-B` 면의 단면도이다.
도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 도 4의 B-B` 면의 단면의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 펜 및 디지타이저 모듈의 상호 작용을 나타낸 개략도이다.
도 9는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 공진 주파수의 구간에 따른 전자 펜의 기능을 도시한다.
도 10a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 10b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열로부터 소정의 거리로 이격된 위치에서의 자기장 세기의 변화를 도시하며, 도 10c는 자석 어레이의 배열로부터 소정의 거리로 이격된 위치에서의 전자 펜의 인덕턴스의 변화를 도시하며, 도 10d는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 11a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 11b는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 12a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 12b는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 장치(150), 음향 출력 장치(155), 표시 장치(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 표시 장치(160) 또는 카메라 모듈(180))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들은 하나의 통합된 회로로 구현될 수 있다. 예를 들면, 센서 모듈(176)(예: 지문 센서, 홍채 센서, 또는 조도 센서)은 표시 장치(160)(예: 디스플레이)에 임베디드된 채 구현될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 로드하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 및 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 추가적으로 또는 대체적으로, 보조 프로세서(123)은 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 표시 장치(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 장치(150)는, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 장치(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 장치(155)는 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 장치(155)는, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있고, 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
표시 장치(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 표시 장치(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 표시 장치(160)는 터치를 감지하도록 설정된 터치 회로(touch circuitry), 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 센서 회로(예: 압력 센서)를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 장치(150)를 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 장치(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(388)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi direct 또는 IrDA(infrared data association) 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 셀룰러 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 및 인증할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 하나의 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC)이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 전자 장치(102, 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부 전자 장치들(102, 104) 또는 서버(108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치 (예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나","A 또는 B 중 적어도 하나,""A, B 또는 C," "A, B 및 C 중 적어도 하나,"및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1 ", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 펼침 상태를 도시한 도면이다. 도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 접힌 상태를 도시한 도면이다. 도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시 예에서, 전자 장치(101)는, 폴더블 하우징(300), 상기 폴더블 하우징(300)의 접힘 가능한 부분을 커버하는 힌지 커버(예: 도 3의 힌지 커버(330)), 및 폴더블 하우징(300)에 의해 형성된 공간 내에 배치된 플렉서블(flexible) 또는 폴더블(foldable) 디스플레이(200)(이하, 줄여서, "플렉서블 디스플레이"(200))(예: 도 1의 표시 장치(160))를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)가 배치된 면을 전자 장치(101)의 전면(예: 제1 면(310a) 및 제3 면(320a))으로 정의한다. 그리고, 상기 전면의 반대 면을 전자 장치(101)의 후면(예: 제2 면(310b) 및 제4 면(320b))으로 정의한다. 또한, 전면과 후면 사이의 공간을 둘러싸는 면을 전자 장치(101)의 측면(예: 제1 측면(311a) 및 제2 측면(321a))으로 정의한다.
다양한 실시예들에 따르면, 폴더블 하우징(300)은, 제1 하우징(310), 센서 영역(324)을 포함하는 제2 하우징(320), 제1 후면 커버(380), 제2 후면 커버(390) 및 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(302))를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 폴더블 하우징(300)은 도 2 및 도 3에 도시된 형태 및 결합으로 제한되지 않으며, 다른 형상이나 부품의 조합 및/또는 결합에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 다른 실시 예에서는, 제1 하우징(310)과 제1 후면 커버(380)가 일체로 형성될 수 있고, 제2 하우징(320)과 제2 후면 커버(390)가 일체로 형성될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 제1 하우징(310)은 힌지 구조(302)에 연결되며, 제1 방향을 향하는 제1 면(310a), 및 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 제2 면(310b)을 포함할 수 있다. 제2 하우징(320)은 힌지 구조(302)에 연결되며, 제3 방향을 향하는 제3 면(320a), 및 상기 제3 방향과 반대인 제4 방향을 향하는 제4 면(320b)을 포함하며, 힌지 구조(302)를 중심으로 제1 하우징 (310)에 대해 회전할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(101)는 접힌(folded) 상태 또는 펼쳐진(unfolded) 상태로 가변할 수 있다. 전자 장치(101)는 접힌(folded) 상태에서 제1 면(310a)이 제3 면(320a)에 대면할 수 있으며, 펼쳐진(unfolded) 상태에서 상기 제3 방향이 상기 제1 방향과 동일할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 펼쳐진 상태에서, 제1 방향 및 제3 방향은 +Z 방향이고, 제2 방향 및 제4 방향은 -Z 방향일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 접힌 상태에서, 제1 방향 및 제4 방향은 +Z 방향이고, 제2 방향 및 제3 방향은 -Z 방향일 수 있다. 아래에서는, 별도의 언급이 없는 경우, 전자 장치(101)가 펼쳐진 상태를 기준으로 방향을 설명한다.
다양한 실시예들에 따르면, 제1 하우징 (310)과 제2 하우징(320)은 폴딩 축(A)을 중심으로 양측에 배치되고, 상기 폴딩 축(A)에 대하여 전체적으로 대칭인 형상을 가질 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 하우징 (310) 및 제2 하우징(320)은 전자 장치(101)의 상태가 펼침 상태인지, 접힌 상태인지, 또는 중간 상태인지 여부에 따라 서로 이루는 각도나 거리가 달라질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 하우징(320)은, 제1 하우징(310)과 달리, 다양한 센서들이 배치되는 센서 영역(324)을 추가로 포함하지만, 이외의 영역에서는 상호 대칭적인 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 디지털 펜(예: 도 5의 전자 펜(1000))이 삽입될 수 있는 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)의 제1 하우징(310)의 측면 또는 제2 하우징(320)의 측면에는 디지털 펜(1000)이 삽입될 수 있는 홀(323)이 형성될 수 있다. 디지털 펜(1000)은 홀(323)에 삽입될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 하우징(310)과 제2 하우징(320)은 플렉서블 디스플레이(200)를 수용하는 리세스를 함께 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 영역(324)으로 인해, 상기 리세스는 폴딩 축(A)에 대해 수직한 방향으로 서로 다른 2개 이상의 폭을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 리세스는 제1 하우징(310) 중 폴딩 축(A)에 평행한 제1 부분(310-1)과 제2 하우징(320) 중 센서 영역(324)의 가장자리에 형성되는 제3 부분(320-1) 사이의 제1 폭(w1)을 가질 수 있다, 상기 리세스는, 제1 하우징(310)의 제2 부분(310-2)과 제2 하우징(320) 중 센서 영역(324)에 해당하지 않으면서 폴딩 축 A에 평행한 제4 부분(320-2)에 의해 형성되는 제2 폭(w2)을 가질 수 있다. 이 경우, 제2 폭(w2)은 제1 폭(w1)보다 길게 형성될 수 있다. 또 다른 예로, 상호 비대칭 형상을 갖는 제1 하우징(310)의 제1 부분(310-1)과 제2 하우징(320)의 제3 부분(320-1)은 상기 리세스의 제1 폭(w1)을 형성하고, 상호 대칭 형상을 갖는 제1 하우징(310)의 제2 부분(310-2)과 제2 하우징(320)의 제4 부분(320-2)은 상기 리세스의 제2 폭(w2)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 하우징(320)의 제3 부분(320-1) 및 제4 부분(320-2)은 상기 폴딩 축(A)로부터의 거리가 서로 상이할 수 있다. 상기 리세스의 폭은 도시된 예시로 한정되지 아니한다. 또 다른 실시예에서, 센서 영역(324)의 형태 또는 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)의 비대칭 형상을 갖는 부분에 의해 리세스는 복수 개의 폭을 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)의 적어도 일부는 플렉서블 디스플레이(200)를 지지하기 위해 선택된 크기의 강성을 갖는 금속 재질이나 비금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 금속 재질로 형성된 적어도 일부분은 전자 장치(101)의 그라운드 면(ground plane)을 제공할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 인쇄 회로 기판(360))에 형성된 그라운드 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 센서 영역(324)은 제2 하우징(320)의 일 코너에 인접하여 소정 영역을 가지도록 형성될 수 있다. 다만 센서 영역(324)의 배치, 형상, 및 크기는 도시된 예시에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 다른 실시 예에서 센서 영역(324)은 제2 하우징(320)의 다른 코너 혹은 상단 코너와 하단 코너 사이의 임의의 영역에 제공될 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(101)에 내장된 다양한 기능을 수행하기 위한 부품들(components)이 센서 영역(324)을 통해, 또는 센서 영역(324)에 마련된 하나 이상의 개구(opening)를 통해 전자 장치(101)의 전면에 노출될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 상기 부품들은 다양한 종류의 센서들을 포함할 수 있다. 상기 센서는, 예를 들어, 전면 카메라, 리시버 또는 근접 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 후면 커버(380)는 전자 장치(101)의 후면에 상기 폴딩 축(A)의 일편에 배치되고, 예를 들어, 실질적으로 직사각형인 가장자리(periphery)를 가질 수 있으며, 제1 하우징(310)에 의해 상기 가장자리가 감싸질 수 있다. 유사하게, 제2 후면 커버(390)는 전자 장치(101)의 후면의 상기 폴딩 축(A)의 다른편에 배치되고, 제2 하우징(320)에 의해 그 가장자리가 감싸질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 후면 커버(380) 및 제2 후면 커버(390)는 상기 폴딩 축(A 축)을 중심으로 실질적으로 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다만, 제1 후면 커버(380) 및 제2 후면 커버(390)가 반드시 상호 대칭적인 형상을 가지는 것은 아니며, 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 다양한 형상의 제1 후면 커버(380) 및 제2 후면 커버(390)를 포함할 수 있다. 또 다른 실시 예에서, 제1 후면 커버(380)는 제1 하우징(310)과 일체로 형성될 수 있고, 제2 후면 커버(390)는 제2 하우징(320)과 일체로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 후면 커버(380), 제2 후면 커버(390), 제1 하우징(310), 및 제2 하우징(320)은 전자 장치(101)의 다양한 부품들(예: 인쇄 회로 기판, 또는 배터리)이 배치될 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)의 후면에는 하나 이상의 부품(components)이 배치되거나 시각적으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 후면 커버(380)의 제1 후면 영역(382)을 통해 서브 디스플레이(예: 도 8의 서브 디스플레이(270))의 적어도 일부가 시각적으로 노출될 수 있다. 다른 실시 예에서, 제2 후면 커버(390)의 제2 후면 영역(392)을 통해 하나 이상의 부품 또는 센서가 시각적으로 노출될 수 있다. 다양한 실시 예에서 상기 센서는 근접 센서 및/또는 후면 카메라를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 센서 영역(324)에 마련된 하나 이상의 개구(opening)를 통해 전자 장치(101)의 전면에 노출된 전면 카메라 또는 제2 후면 커버(390)의 제2 후면 영역(392)을 통해 노출된 후면 카메라는 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(313)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.
도 3을 참조하면, 힌지 커버(330)는, 제1 하우징 (310)과 제2 하우징(320) 사이에 배치되어, 내부 부품(예: 도 4의 힌지 구조(302)을 가릴 수 있도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 힌지 커버(330)는, 전자 장치(101)의 상태(펼침 상태(flat state) 또는 접힌 상태(folded state)에 따라, 제1 하우징 (310) 및 제2 하우징(320)의 일부에 의해 가려지거나, 외부로 노출될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 전자 장치(101)가 펼침 상태인 경우, 힌지 커버(330)는 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)에 의해 가려져 노출되지 않을 수 있다. 또 다른 예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 전자 장치(101)가 접힌 상태(예: 완전 접힌 상태(fully folded state))인 경우, 힌지 커버(330)는 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320) 사이에서 외부로 노출될 수 있다. 또 다른 예로, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)이 소정의 각도를 이루는(folded with a certain angle) 중간 상태(intermediate state)인 경우, 힌지 커버(330)는 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)의 사이에서 외부로 일부 노출될 수 있다. 다만 이 경우 노출되는 영역은 완전히 접힌 상태보다 적을 수 있다. 일 실시 예에서, 힌지 커버(330)는 곡면을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는, 폴더블 하우징(300)에 의해 형성된 공간 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이(200)는 폴더블 하우징(300)에 의해 형성되는 리세스(recess) 상에 안착되며, 전자 장치(101)의 전면의 대부분을 구성할 수 있다. 따라서, 전자 장치(101)의 전면은 플렉서블 디스플레이(200) 및 플렉서블 디스플레이(200)에 인접한 제1 하우징(310)의 일부 영역 및 제2 하우징(320)의 일부 영역을 포함할 수 있다. 그리고, 전자 장치(101)의 후면은 제1 후면 커버(380), 제1 후면 커버(380)에 인접한 제1 하우징(310)의 일부 영역, 제2 후면 커버(390) 및 제2 후면 커버(390)에 인접한 제2 하우징(320)의 일부 영역을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는, 적어도 일부 영역이 평면 또는 곡면으로 변형될 수 있는 디스플레이를 의미할 수 있다. 일 실시예예 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는 폴딩 영역(203), 폴딩 영역(203)을 기준으로 일측(예: 도 2에 도시된 폴딩 영역(203)의 좌측)에 배치되는 제1 영역(201) 및 타측(예: 도 2에 도시된 폴딩 영역(203)의 우측)에 배치되는 제2 영역(202)을 포함할 수 있다.
다만, 상기 도 2에 도시된 플렉서블 디스플레이(200)의 영역 구분은 예시적인 것이며, 플렉서블 디스플레이(200)는 구조 또는 기능에 따라 복수 (예를 들어, 4 개 이상 혹은 2 개)의 영역으로 구분될 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 실시 예에서는 y축에 평행하게 연장되는 폴딩 영역(203) 또는 폴딩 축(A축)에 의해 플렉서블 디스플레이(200)의 영역이 구분될 수 있으나, 다른 실시 예에서 플렉서블 디스플레이(200)는 다른 폴딩 영역(예: x 축에 평행한 폴딩 영역) 또는 다른 폴딩 축(예: x 축에 평행한 폴딩 축)을 기준으로 영역이 구분될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하도록 구성된 디지타이저(예: 도 5의 펜 구동 회로(500))와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.
다양한 실시에에 따르면, 전자 장치(101)의 길이 방향은 Y축 방향일 수 있으며, 전자 장치(101)의 폭 방향은 X축 방향일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 영역(201)과 제2 영역(202)은 폴딩 영역(203)을 중심으로 전체적으로 대칭인 형상을 가질 수 있다. 다만, 제2 영역(202)은, 제1 영역(201)과 달리, 센서 영역(324)의 존재에 따라 컷(cut)된 노치(notch)를 포함할 수 있으나, 이외의 영역에서는 제1 영역(201)과 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 제1 영역(201)과 제2 영역(202)은 서로 대칭적인 형상을 갖는 부분과, 서로 비대칭적인 형상을 갖는 부분을 포함할 수 있다.
이하, 전자 장치(101)의 상태(예: 펼침 상태(flat state, 또는 unfolded state) 및 접힌 상태(folded state))에 따른 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)의 동작과 플렉서블 디스플레이(200)의 각 영역을 설명한다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 펼침 상태(flat state)(예: 도 2)인 경우, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)은 180도의 각도를 이루며 동일 방향을 향하도록 배치될 수 있다. 플렉서블 디스플레이(200)의 제1 영역(201)의 표면과 제2 영역(202)의 표면은 서로 180도를 형성하며, 동일한 방향(예: 전자 장치의 전면 방향)을 향할 수 있다. 폴딩 영역(203)은 제1 영역(201) 및 제2 영역(202)과 동일 평면을 형성할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 접힌 상태(folded state)(예: 도 3)인 경우, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)은 서로 마주보게 배치될 수 있다. 플렉서블 디스플레이(200)의 제1 영역(201)의 표면과 제2 영역(202)의 표면은 서로 좁은 각도(예: 0도에서 10도 사이)를 형성하며, 서로 마주볼 수 있다. 폴딩 영역(203)은 적어도 일부가 소정의 곡률을 가지는 곡면으로 이루어질 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 중간 상태(folded state)(예: 도 3)인 경우, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)은 서로 소정의 각도(a certain angle)로 배치될 수 있다. 플렉서블 디스플레이(200)의 제1 영역(201)의 표면과 제2 영역(202)의 표면은 접힌 상태보다 크고 펼침 상태보다 작은 각도를 형성할 수 있다. 폴딩 영역(203)은 적어도 일부가 소정의 곡률을 가지는 곡면으로 이루어질 수 있으며, 이 때의 곡률은 접힌 상태(folded state)인 경우보다 작을 수 있다.
도 4를 참조하면, 전자 장치(101)는 폴더블 하우징(300), 플렉서블 디스플레이(200) 및 기판부(360)를 포함할 수 있다. 폴더블 하우징(300)은, 제1 하우징(310), 제2 하우징(320), 브라켓 어셈블리(350), 제1 후면 커버(380), 제2 후면 커버(390), 및 힌지 구조(302)를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는 디스플레이 패널(270), 디스플레이 패널(280)이 안착되는 적어도 하나의 지지 플레이트(250)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(250)는 디스플레이 패널(280)과 브라켓 어셈블리(350)사이에 배치될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 브라켓 어셈블리(350)는 제1 미드 플레이트(352) 및 제2 미드 플레이트(354)를 포함할 수 있다. 제1 미드 플레이트(352) 및 제2 미드 플레이트(354) 사이에는 힌지 구조(302)가 배치될 수 있다. 힌지 구조(302)를 외부에서 볼 때, 힌지 구조(302)는 힌지 커버(예: 도 3의 힌지 커버(330))에 의하여 커버될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 미드 플레이트(352)와 제2 미드 플레이트(354)를 가로지르는 인쇄 회로 기판(예: 연성 회로 기판(FPCB), flexible printed circuit board)이 브라켓 어셈블리(350)에 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 기판부(360)는, 제1 미드 플레이트(352)에 배치되는 제1 회로 기판(362)과 제2 미드 플레이트(354)에 배치되는 제2 회로 기판(364)을 포함할 수 있다. 제1 회로 기판(362)과 제2 회로 기판(364)은, 브라켓 어셈블리(350), 제1 하우징(310), 제2 하우징(320), 제1 후면 커버(380) 및 제2 후면 커버(390)에 의해 형성되는 공간의 내부에 배치될 수 있다. 제1 회로 기판(362)과 제2 회로 기판(364)에는 전자 장치(101)의 다양한 기능을 구현하기 위한 부품들이 실장될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)은 브라켓 어셈블리(350)에 플렉서블 디스플레이(200)가 결합된 상태에서, 브라켓 어셈블리(350)의 양측으로 결합되도록 서로 조립될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 하우징(310)는 제1 미드 플레이트(352)의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 측면 부재(311)를 포함할 수 있고, 제2 하우징 구조(310)는 제2 미드 플레이트(354)의 측면의 적어도 일부를 둘러싸는 제2 측면 부재(321)를 포함할 수 있다. 제1 하우징(310)는 제1 회전 지지면(312)을 포함할 수 있고, 제2 하우징(320)는 제1 회전 지지면(312)에 대응되는 제2 회전 지지면(322)을 포함할 수 있다. 제1 회전 지지면(312)과 제2 회전 지지면(322)은 힌지 커버(330)에 포함된 곡면과 대응되는 곡면을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 측면 부재(311)는 제1 면(310a) 과 제2 면(310b) 사이의 적어도 일부를 둘러싸고, 제1 방향 또는 제2 방향과 수직한 제1 측면(311a)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 측면 부재(321)는 제3 면(320a)과 제4 면(320b) 사이의 적어도 일부를 둘러싸고, 제3 방향 또는 제4 방향과 수직한 제2 측면을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 회전 지지면(312)과 제2 회전 지지면(322)은, 전자 장치(101)가 펼침 상태(예: 도 2의 전자 장치)인 경우, 힌지 커버(330)를 덮고, 힌지 커버(330)는 전자 장치(101)의 후면으로 노출되지 않거나 최소한으로 노출될 수 있다. 또 다른 예로, 제 1 회전 지지면(312)과 제 2 회전 지지면(322)은, 전자 장치(101)가 접힌 상태(예: 도 3의 전자 장치)인 경우, 힌지 커버(330)에 포함된 곡면을 따라 회전하여 힌지 커버(330)가 전자 장치(101)의 후면으로 최대한 노출될 수 있다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 펜 구동 회로를 포함하는 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 6은 도 4의 B-B`면의 단면도이다.
도 5에 개시된 디스플레이 패널(280), 폴더블 하우징(300), 제1 하우징(310), 및 제2 하우징(320)은 도 1 내지 도 4에 개시된 디스플레이 패널(280), 폴더블 하우징(300), 제1 하우징(310), 및 제2 하우징(320)과 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 전자 장치(101)는 플렉서블 디스플레이(200), 폴더블 하우징(300), 자성부재(400) 및 펜 구동 회로(500)를 포함할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 폴더블 하우징(300)은 윈도우 부재(370)를 포함할 수 있다. 윈도우 부재(370)는 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 윈도우 부재 초박막강화유리(ultra thin glass, UTG) 또는 폴리이미드(polyimide) 필름으로 형성될 수 있다. 디스플레이 패널(280)은 윈도우 부재(370)를 통해 전자 장치(101)의 외부로 노출될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 윈도우 부재(370)는 전자 장치(101)의 외면의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 윈도우 부재(370) 위에 배치된 코팅 층(372)을 포함할 수 있다. 코팅 층(372)은 전자 장치(101)의 외부의 충격으로부터 윈도우 부재(370) 및 플렉서블 디스플레이(200)를 보호할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 플렉서블 디스플레이(200)는 이미지를 전자 장치(101)의 외부로 출력하기 위한 구성들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이(200)는 디스플레이 패널(280), 디스플레이 패널(280)과 윈도우 부재(370) 사이에 배치된 편광 필름(210), 디스플레이 패널(280) 아래에 배치된 쿠션 지지 층(220), 쿠션 지지 층(220) 아래에 배치된 쿠션 층(230), 쿠션 층(230) 아래에 배치된 디지타이저 모듈(240), 디지타이저 모듈(240) 아래에 배치된 지지 플레이트(250) 및 지지 플레이트(250) 아래에 배치된 방열 시트(260) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)는 전자기장 신호를 전송하도록 구성된 펜 구동 회로(500)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)와 무선 통신 모듈(예: 도 1의 무선 통신 모듈(192))을 통해 연결된 전자 펜(1000)의 공진 회로는 전자 장치(101)의 펜 구동 회로(500)로부터 발생되는 전자기장 신호에 기반하여 공진될 수 있으며, 공진에 의하여 전자기 공명 방식(electro-magnetic resonance, EMR) 입력 신호를 방사할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 전자기 공명 방식 입력 신호를 이용하여, 전자 장치(101)상의 전자 펜(1000)의 위치를 확인할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는, 펜 구동 회로(500) 내의 복수 개의 채널들(예: 복수 개의 루프 코일들) 각각에서, 전자기 공명 방식 입력 신호에 의하여 발생되는 유도 기전력(예: 출력 전류)의 크기에 기반하여, 전자 펜(1000)의 위치를 확인할 수 있다. 한편, 상술한 바에서는, 전자 장치(101) 및 전자 펜(1000)이 EMR 방식에 기반하여 동작하는 것과 같이 설명되었지만, 이는 단순히 예시적인 것으로, 전자 장치(101)는 ECR(electrically coupled resonance) 방식에 기반하여 전기장에 기반한 신호를 발생시킬 수도 있다
다양한 실시예들에 따르면, 전자 펜(1000)의 공진 회로는, 전기장에 의하여 공진될 수 있다. 전자 장치(101)는, 전자 펜(1000)에서의 공진에 의한 복수 개의 채널들(예: 전극들)에서의 전위를 확인할 수 있으며, 전위에 기반하여 전자 펜(1000)의 위치를 확인할 수도 있다. 전자 펜(1000)은, AES(active electrostatic) 방식으로 구현될 수도 있으며, 그 구현 종류에는 제한이 없음을 당업자는 이해할 것이다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 터치 패널의 적어도 하나의 전극과 연관된 커패시턴스(셀프 커패시턴스 또는 뮤추얼 커패시턴스)의 변경에 기반하여 전자 펜(1000)을 검출할 수도 있다. 이 경우, 전자 펜(1000)에는 공진 회로가 포함되지 않을 수도 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 펜 구동 회로(500)는 디스플레이 패널(280) 아래에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 펜 구동 회로(500)는 쿠션 층(230)과 디지타이저 모듈(240) 사이에 배치될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 펜 구동 회로(500)는 디지타이저 모듈(240)와 함께 지지 플레이트(250) 사이에 배치될 수 있다. 또 다른 실시예에 따르면, 펜 구동 회로(500)는 디지타이저 모듈(240)와 함께 지지 플레이트(250)와 방열 시트(260) 사이에 배치될 수 있다. 다시 또 다른 실시예에 따르면, 펜 구동 회로(500)는 방열 시트(260) 아래에 배치될 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 자성부재(400)는 전자 장치(101)의 가장자리에 배치될 수 있다. 예를 들어, 자성부재(예: 도 5의 자성부재(400))는 제1 하우징(310)의 테두리 및/또는 제2 하우징(320)의 테두리에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디지타이저 모듈(240)는 펜 구동 회로(500)의 아래(예: -Z 방향)에 배치될 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 자성부재(400)는 전자 장치(101)를 접을 때, 제1 하우징(310)과 제2 하우징(320)에서 발생되는 반발력으로 인하여 형성되는 제1 하우징(310)과 제2 하우징(320)의 틈을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 접힌 상태에서, 자성부재(400)는 제1 하우징(310)에 배치된 자성부재(400)와 제2 하우징(320)에 배치된 자성부재(400)는 실질적으로 동일한 방향을 향하는 자기장을 형성함으로써, 제1 하우징 (310)과 제2 하우징(320)은 인력을 획득할 수 있다.
다양한 실시예들에 따르면, 자성부재(400)는 다양한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 자성부재(400)는 네오디뮴(Nd), 철(Fe) 및 붕소(B)를 포함할 수 있다.
도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 도 4의 B-B` 면의 단면의 일부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7에 개시된 디지타이저 모듈(240), 디스플레이 패널(280), 제1 하우징(310), 제2 하우징(320), 자성부재(400), 및 전자 펜(1000)은 도 2 내지 도 6에 개시된 디지타이저 모듈(240), 디스플레이 패널(280), 제1 하우징(310), 제2 하우징(320), 자성부재(400), 및 전자 펜(1000)과 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 6에 개시된 코팅 층(372), 윈도우 부재(370), 편광 필름(210), 쿠션 지지 층(220), 쿠션 층(230), 지지 플레이트(250), 및 방열 시트(260)는 설명의 편의를 위하여, 도 7에서는 생략될 수 있다.
도 7을 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(1000)은 전자 펜 촉(1001), 페라이트(ferrite, 1002), 및 코일(1003)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜 촉(1001)은 원기둥과 상기 원기둥의 일 단에 형성된 원뿔로 구성될 수 있다. 전자 펜 촉(1001)의 원뿔은 디스플레이 패널(280)과 접촉할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜 촉(1001)의 원기둥의 외주에 페라이트(1002)가 배치될 수 있다. 페라이트(1002)는 전자 펜 촉(1001)의 원기둥의 외주를 둘러싸도록 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 페라이트(1002)의 외주에 코일(1003)이 배치될 수 있다. 페라이트(1002)의 외주에 코일(1003)이 적어도 1회 이상 권선되도록 구성될 수 있다. 코일(1003)이 페라이트(1002)에 권선됨에 따라, 코일(1003) 및 페라이트(1002)는 높은 투자율을 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 코일(1003)이 권선된 페라이트(1002)의 투자율은 약 45μH일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 하우징(310), 및/또는 제2 하우징(310)에 디스플레이 패널(280), 디지타이저 모듈(240), 및 자성부재(400)가 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1 하우징(310), 및/또는 제2 하우징(320)에 리세스(recess)가 형성될 수 있다. 제1 하우징(310) 및/또는 제2 하우징(320)에 형성된 상기 리세스에, 디스플레이 패널(280)이 배치될 수 있다. 디스플레이 패널(280)의 -Z축 방향에 디지타이저 모듈(240)가 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 디지타이저 모듈(240)은 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(241), 디지타이저 차폐시트(242) 및 메탈시트(metal sheet, 243)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(예: 도 6의 지지 플레이트(250))는 메탈시트(243)로 표현될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(241)은 전자 펜(1000)으로부터 수신한 신호를 통해 전자 펜(1000)의 위치를 파악할 수 있다. 디지타이저 차폐시트(242)는 주변의 자기장 영향을 감소시키도록 구성될 수 있다. 메탈시트(243)는 디스플레이 패널(280), 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(241) 및/또는 디지타이저 차폐시트(242)의 강성을 유지하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메탈시트(243)는 디스플레이 패널(280)과 전자 펜(1000)과의 접촉으로부터 전달되는 외력에 의해 발생하는 디스플레이 패널(280) 및 디지타이저 모듈(240)의 변형을 감소시키도록 구성될 수 있다. 지지 플레이트(예: 도 6의 지지 플레이트(250))는 메탈시트(243)로 표현될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자성부재(400)는 제1 하우징(310), 및/또는 제2 하우징(320)에 배치될 수 있다. 자성부재(400)는 디지타이저 모듈(240)의 -Z축 방향에 배치될 수 있다. 제1 하우징(310)에 배치된 자성부재(400) 및 제2 하우징(320)에 배치된 자성부재(400)의 위치는 대응될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 접힌 상태 또는 닫힌 상태의 전자 장치(101)에서, 제1 하우징(310)에 배치된 자성부재(400)와 제2 하우징(320)에 배치된 자성부재(400) 사이에 인력이 작용할 수 있다. 이에 따라, 제1 하우징(310) 및 제2 하우징(320)이 닫힌 상태로 유지될 수 있다.
도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 펜 및 디지타이저 모듈의 상호 작용을 나타낸 개략도이다.
도 8에 개시된 디지타이저 모듈(240), 디스플레이 패널(280), 및 전자 펜(1000)은 도 2 내지 도 7에 개시된 디지타이저 모듈(240), 디스플레이 패널(280), 및 전자 펜(1000)과 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.
도 8을 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(1000)은 전자 펜 촉(1001), 페라이트(1002), 코일(1003), 가변 커패시터(capacitor, 1004), 고정 커패시터(1005) 및 스위치(미도시)를 포함할 수 있다. 코일(1003)의 인덕턴스(inductance)는 L(H)일 수 있으며, 가변 커패시터(1004)의 커패시턴스(capacitance)는 C1(F)일 수 있으며, 고정 커패시터(1005)의 커패시턴스는 C2(F)일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스위치, 가변 커패시터(1004) 및 고정 커패시터(1005)와의 등가 커패시터의 커패시턴스는 C(F)일 수 있다.
다양한 실시예예 따르면, 전자 펜 촉(1001)의 눌림에 따른 이동에 대응하여, 가변 커패시터(1004)의 용량은 변할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 펜 촉(1001)이 눌리면 가변 커패시터(1004)의 용량이 증가하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전자 펜 촉(1001)이 눌리면 가변 커패시터(1004)의 용량이 감소하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 고정 커패시터(1005)의 용량은 고정되도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 펜(1000)에 포함된 스위치는 또 다른 가변 커패시터로 구성될 수 있다. 따라서, 스위치가 단락되거나 개방되면 커패시턴스가 변할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(1000) 내부에 배치된 코일(1003), 가변 커패시터(1004), 및 고정 커패시터(1005)는 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이, 전기적으로 연결된 코일(1003), 스위치, 가변 커패시터(1004) 및 고정 커패시터(1005)의 공진 주파수(f)는 1/(2π(L*C)^(1/2)) Hz일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 디지타이저 모듈(240)에서는 일정한 주파수(예를 들어 A kHz)로 외부에 신호를 유기할 수 있다. 전자 펜(1000)에 배치된 코일(1003), 가변 커패시터(1004), 및 고정 커패시터(1005)로 구성된 회로는 디지타이저 모듈(240)에서 유기된 신호를 수신하여, 공진 주파수(f)로 공진하여 전류가 흐를 수 있다. 공진 주파수(f)로 공진하여 전류가 흐름에 따라, 전자 펜(1000)에서 공진 주파수(f)로 신호가 유기될 수 있다. 디지타이저 모듈(240)은 전자 펜(1000)에서 공진 주파수(f)로 유기된 신호를 수신할 수 있다.
도 9는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 공진 주파수의 구간에 따른 전자 펜의 기능을 도시한다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(예: 도 8의 전자 펜(1000))의 스위치의 개방 또는 단락, 및 가변 커패시터(예: 도 8의 가변 커패시터(1004))의 커패시턴스 변화에 따라, 전자 펜(1000)에서 유기된 신호의 공진 주파수(f)는 변할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 공진 주파수(f)에 따라, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 구간 별로 다르게 작동하도록 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 약 540kHz 내지 약 570kHz 사이에서의 공진 주파수(f)를 필기 모드로 인식할 수 있다. 이에 따라, 전자 펜(1000)은 필기구로 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 약 570 kHz 내지 약 600kHz 사이에서의 공진 주파수(f)를 지우개 모드로 인식할 수 있다. 이에 따라, 전자 펜(1000)은 지우개로 사용될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 약 540kHz 내지 약 570kHz 사이에서의 공진 주파수(f)를 필기 모드로 인식할 수 있으며, 약 570 kHz 내지 약 600kHz 사이에서의 공진 주파수(f)를 지우개 모드로 인식할 수 있다. 공진 주파수(f)의 영역에 따라 전자 장치(101)에 입력되는 기능은 다른 기능으로 대체될 수 있다. 따라서, 전자 펜(1000)의 용도는 필기구 또는 지우개로 한정되는 것은 아니다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(1000)의 전자 펜 촉(예: 도 8의 전자 펜 촉(1001))이 눌림에 따라, 가변 커패시터(1004)의 커패시턴스가 변하여 공진 주파수(f)가 변함에 따라, 전자 장치(101)는 전자 펜(1000)의 필압을 측정할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 전자 펜(1000)의 코일(예: 도 8의 코일(1003))의 인덕턴스의 값은 주변의 자기장에 의해 변할 수 있다. 이와 같이 코일(1003)의 인덕턴스의 값이 변하는 것에 대응하기 위해, 전자 장치(101)는 수신한 주파수의 영역을 조정(calibration)하여 전자 장치(101)는 사용자의 의도에 대응되는 입력으로 인식할 수 있다.
도 10a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 10b는 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열로부터 소정의 거리로 이격된 위치에서의 자기장 세기의 변화를 도시하며, 도 10c는 자석 어레이의 배열로부터 소정의 거리로 이격된 위치에서의 전자 펜의 인덕턴스의 변화를 도시하며, 도 10d는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 10a, 도 10b, 도 10c 및 도 10d에 개시된 제1 자석 어레이(400-1)는 도 5 및 도 7에 개시된 자성부재(400)의 실시예 중 하나이므로, 동일한 설명은 생략될 수 있다.
도 10a, 도 10b, 도 10c 및 도 10d를 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 제1 자석 어레이(400-1)는 제1-1자석성분(400-11), 제1-2자석성분(400-12), 제1-3자석성분(400-13), 제1-4자석성분(400-14), 제1-5자석성분(400-15), 제1-6자석성분(400-16), 제1-7자석성분(400-17), 제1-8자석성분(400-18), 및 제1-9자석성분(400-19)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1-1자석성분(400-11)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-2자석성분(400-12)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-3자석성분(400-13)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-4자석성분(400-14)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-5자석성분(400-15)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-6자석성분(400-16)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-7자석성분(400-17)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-8자석성분(400-18)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제1-9자석성분(400-19)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1-3자석성분(400-13) 및 제1-7자석성분(400-17)의 X`축 방향 길이는 제1-1자석성분(400-11), 제1-2자석성분(400-12), 제1-4자석성분(400-14), 제1-6자석성분(400-16), 제1-8자석성분(400-18), 및 제1-9자석성분(400-19)의 X`축 방향 길이보다 A% 짧도록 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제1-5자석성분(400-15)의 X`축 방향 길이는 제1-1자석성분(400-11), 제1-2자석성분(400-12), 제1-4자석성분(400-14), 제1-6자석성분(400-16), 제1-8자석성분(400-18), 및 제1-9자석성분(400-19)의 X`축 방향 길이보다 2*A% 길도록 형성될 수 있다. 자석성분의 길이 변화 값(A)는 고정된 값이 아니며 달라질 수 있다. 일 실시예에 따르면, A 값은 0보다 크고 15이하일 수 있다.
도 10b를 참조하면, 본 개시의 다양한 실시예가 적용되지 않은 자석 어레이의 자기장의 세기(M1-1) 및 본 개시의 다양한 실시예가 적용된 제1 자석 어레이(400-1)의 자기장의 세기(M1-2)의 변화를 확인할 수 있다. 자기장의 세기(M1-1, M1-2)는 자석 어레이 및 제1 자석 어레이(400-1)로부터 약 3.5mm가 이격된 위치에서 측정되었다. 도 10b에서의 제1 자석 어레이(400-1)의 A값은 약 6(%)이다.
도 10b에서의 X축은 도 10a에서의 제1 자석 어레이(400-1)의 좌측에서 X`축으로 진행하면서 측정된 위치를 의미하며, Y축은 자기선속밀도(V*s/m^2)를 의미한다.
다양한 실시예에 따르면, ①은 제1-1자석성분(400-11)의 위치에 대응하며, ③은 제1-3자석성분(400-13)의 위치에 대응하며, ⑤는 제1-5자석성분(400-15)의 위치에 대응하며, ⑦은 제1-7자석성분(400-17)의 위치에 대응하며, ⑨는 제1-9자석성분(400-19)의 위치에 대응할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장의 세기(M1-1)과 자기장의 세기(M1-2)를 비교하면, 자석 어레이의 자기장의 세기(M1-1)의 편차는 제1 자석 어레이(400-1)의 자기장의 세기(M1-2)의 편차보다 큰 것을 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 자석 어레이의 자기장의 세기(M1-1)의 최대 세기는 ③ 및 ⑦에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.054 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 자기장의 세기(M1-1)의 최소 세기는 ⑤의 근처에서 발생하며 자기선속밀도는 약 0.045 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 자석 어레이(400-1)의 자기장의 세기(M1-2)의 최대 세기는 ③, ⑤ 및 ⑦에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.052 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 자기장의 세기(M1-2)의 최소 세기는 ⑤의 근처에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.047 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 제1 자석 어레이(400-11)의 최대 세기와 최소 세기의 차이가 줄어들며, 제1 자석 어레이(400-11)의 자기장 세기의 편차가 줄어들 수 있다. 이에 따라, 전자 펜(1000)의 코일(1003)에서 발생하는 인덕턴스의 변화는 줄어들 수 있으며, 전자 장치(101)의 오작동이 줄어들 수 있다.
도 10c는 본 개시의 다양한 실시예가 적용되지 않은 자석 어레이에 의한 코일(1003)의 인덕턴스의 변화 및 본 개시의 다양한 실시예가 적용된 제1 자석 어레이(400-1)에 의한 코일(1003)의 인덕턴스의 변화를 확인할 수 있다. 인덕턴스는 자석 어레이 및 제1 자석 어레이(400-1)로부터 약 3.5mm가 이격된 위치에서 측정되었다. 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 6%이다.
도 10c를 참조하면, 전자 펜(1000)의 코일(1003)의 인덕턴스의 변화량을 확인할 수 있다. 자석과 인접하게 위치하면서 코일(1003)의 인덕턴스는 감소할 수 있으며, 감소한 만큼 음수로 표시된다.
도 10c에서의 X축은, 도 10a에서의 제1 자석 어레이(400-1)의 좌측 끝에서 전자 펜(1000)을 +X`축으로 진행하면서 측정된 위치를 의미하며, Y축은 자석에 의해 변화된 코일(1003)의 인덕턴스 변화(μH)를 의미한다. 자기장의 세기가 세지면 코일(1003)의 인덕턴스는 많이 감소하고, 자기장의 세기가 약해지면 코일(1003)의 인덕턴스는 덜 감소하는 경향이 있다.
다양한 실시예에 따르면, 도 10c를 통해 본 개시의 다양한 실시예가 적용되지 않은 자석 어레이 위에서의 전자 펜(1000)의 코일(1003)의 인덕턴스의 변화(L1) 및 본 개시의 다양한 실시예가 적용된 제1 자석 어레이(400-1) 위에서의 전자 펜(1000)의 코일(1003)의 인덕턴스의 변화(L2)를 확인할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 인덕턴스 변화(L1)와 관련하여, ③ 및 ⑦의 위치에서 가장 큰 수치(약 -0.6μH)의 하락이 발생하였으며, ⑤의 위치에서는 약 -0.3μH의 하락이 발생한 것을 확인할 수 있다. 인덕턴스 변화(L2)와 관련하여, ③, ⑤ 및 ⑦에서 비슷한 수치(약 -0.5μH)의 하락이 발생한 것을 확인할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 제1 자석 어레이(400-1)에서는 인덕턴스의 수치 하락의 최대값이 감소한 것을 확인할 수 있으며, 수치 하락의 편차가 감소한 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 코일(1003)의 인덕턴스 수치 하락의 편차가 감소함에 따라, 전자 장치(101)의 오작동의 가능성이 감소할 수 있다.
도 10d를 참조하면 다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M1-1, M1-2)는 자석 어레이 및 제1 자석 어레이(400-1)로부터 약 3.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M1-1)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M1-2)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 6%이다. 자기장 세기 변화 그래프(M1-1, M1-2)는 도 10b에 도시된 그래프와 동일하다. 따라서, 도 10b에 대한 설명을 원용한다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M1-3, M1-4)는 자성부재(400)로부터 약 4.0mm 이격된 위치에서 측정된 것이며, 자기장 세기 변화 그래프(M1-3)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M1-4)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 7%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M1-3)의 최고값은 약 0.037 V*s/m^2 이며, 최저값은 약 0.0295 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-1)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M1-4)의 최고값은 약 0.034 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 약 0.032 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-1)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M1-5, M1-6)는 자성부재(400)로부터 약 4.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M1-5)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M1-6)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 9%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M1-5)의 최고값은 약 0.027 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 약 0.0205 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-1)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M1-6)의 최고값은 약 0.0255 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 약 0.025 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-1)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
도 11a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 11b는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 11a에 도시된 제2 자석 어레이(400-2)는 도 5 및 도 7에 도시된 자성부재(400)의 실시예 중 하나이므로, 동일한 설명은 생략될 수 있다.
도 11a를 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 제2 자석 어레이(400-2)는 제2-1자석성분(400-21), 제2-2자석성분(400-22), 제2-3자석성분(400-23), 제2-4자석성분(400-24), 제2-5자석성분(400-25), 제2-6자석성분(400-26), 제2-7자석성분(400-27), 제2-8자석성분(400-28), 및 제2-9자석성분(400-29)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제2-1자석성분(400-21)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-2자석성분(400-22)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-3자석성분(400-23)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-4자석성분(400-24)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-5자석성분(400-25)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-6자석성분(400-26)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-7자석성분(400-27)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-8자석성분(400-28)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제2-9자석성분(400-29)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제2-2자석성분(400-22) 및 제2-8자석성분(400-28)의 X`축 방향 길이는 제2-3자석성분(400-23), 제2-5자석성분(400-25), 및 제2-7자석성분(400-27)의 X`축 방향 길이보다 A% 짧도록 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제2-4자석성분(400-24) 및 제2-6자석성분(400-26)의 X`축 방향 길이는 제2-3자석성분(400-23), 제2-5자석성분(400-25), 및 제2-7자석성분(400-27)의 X`축 방향 길이보다 A% 길도록 형성될 수 있다. A 값은 0보다 크고 15이하일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제2-1자석성분(400-21) 및 제2-9자석성분(400-29)의 X`축 방향 길이는 제2-3자석성분(400-23), 제2-5자석성분(400-25), allc 제2-7자석성분(400-27)의 X`축 방향 길이의 절반일 수 있다.
도 11b를 참조하면 다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M2-1)는 자석 어레이(400-2)로부터 약 3.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M1-1)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이다.
다양한 실시예에 따르면, ②는 제2-2자석성분(400-22)의 위치에 대응하며, ④는 제2-4자석성분(400-24)의 위치에 대응하며, ⑤는 제2-5자석성분(400-25)의 위치에 대응하며, ⑥은 제2-6자석성분(400-26)의 위치에 대응하며, ⑧은 제2-8자석성분(400-29)의 위치에 대응할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M2-3, M2-4)는 자성부재(400)로부터 약 4.0mm 이격된 위치에서 측정된 것이며, 자기장 세기 변화 그래프(M2-3)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M2-4)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 2%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M2-3)의 최고값은 위치 ② 및 ⑧에서 약 0.043 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 위치 ⑤에서 약 0.035 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-2)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M2-4)의 최고값은 위치 ② 및 ⑧약 0.042 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 위치 ⑤에서 약 0.036 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-2)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M2-5, M2-6)는 자성부재(400)로부터 약 4.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M2-5)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M2-6)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 5%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M2-5)의 최고값은 위치 ② 및 ⑧에서 약 0.0315 V*s/m^2 이며, 최저값은 위치 ⑤에서 약 0.0245 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-2)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M2-6)의 최고값은 최고값은 위치 ④ 및 ⑥에서 약 0.0305 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 위치 ⑤에서 약 0.0265 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-2)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
도 12a는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 자석 어레이의 배열을 도시하며, 도 12b는 기존 자석 어레이의 자기장 변화와 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이의 배열의 자기장 변화를 도시한다.
도 12a에 도시된 제3 자석 어레이(400-3)는 도 5 및 도 7에 도시된 자성부재(400)의 실시예 중 하나이므로, 동일한 설명은 생략될 수 있다.
도 12a를 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 제3 자석 어레이(400-3)는 제3-1자석성분(400-31), 제3-2자석성분(400-32), 제3-3자석성분(400-33), 제3-4자석성분(400-34), 제3-5자석성분(400-35), 제3-6자석성분(400-36), 제3-7자석성분(400-37), 제3-8자석성분(400-38), 제3-9자석성분(400-39), 제3-10자석성분(400-310), 및 제3-11자석성분(400-311)을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제3-1자석성분(400-31)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-2자석성분(400-32)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-3자석성분(400-33)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-4자석성분(400-34)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-5자석성분(400-35)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-6자석성분(400-36)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-7자석성분(400-37)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-8자석성분(400-38)은 자기장 방향이 -Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-9자석성분(400-39)은 자기장 방향이 +X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-10자석성분(400-310)은 자기장 방향이 +Z`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있으며, 제3-11자석성분(400-311)은 자기장 방향이 -X`축 방향을 향해 형성되도록 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제3-2자석성분(400-32) 및 제3-10자석성분(400-310)의 X`축 방향 길이는 제3-3자석성분(400-33), 제3-4자석성분(400-34), 제3-5자석성분(400-35), 제3-7자석성분(400-37), 제3-8자석성분(400-38), 제3-9자석성분(400-39)의 X`축 방향 길이보다 A% 짧도록 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제3-6자석성분(400-36)의 X`축 방향 길이는 제3-3자석성분(400-33), 제3-4자석성분(400-34), 제3-5자석성분(400-35), 제3-7자석성분(400-37), 제3-8자석성분(400-38), 및 제3-9자석성분(400-39)의 X`축 방향 길이보다 2*A% 길도록 형성될 수 있다. 자석성분의 길이 변화 값(A)는 고정된 값이 아니며 달라질 수 있다. 일 실시예에 따르면, A 값은 0보다 크고 15이하일 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 제3-1자석성분(400-31) 및 제3-11자석성분(400-311)의 X`축 방향 길이는 제3-3자석성분(400-33), 제3-4자석성분(400-34), 제3-5자석성분(400-35), 제3-7자석성분(400-37), 제3-8자석성분(400-38), 및 제3-9자석성분(400-39)의 X`축 방향 길이의 절반일 수 있다.
도 12b를 참조하면 다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M3-1, M3-2)는 자석 어레이 및 제3 자석 어레이(400-3)로부터 약 3.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M3-1)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M3-2)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 3%이다.
다양한 실시예에 따르면, ②는 제3-2자석성분(400-32)의 위치에 대응하며, ⑤는 제3-5자석성분(400-35)의 위치에 대응하며, ⑥은 제3-6자석성분(400-36)의 위치에 대응하며, ⑦은 제3-7자석성분(400-37)의 위치에 대응하며, ⑩은 제3-10자석성분(400-310)의 위치에 대응할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장의 세기(M3-1)과 자기장의 세기(M3-2)를 비교하면, 자기장의 세기(M3-1)의 편차는 자기장의 세기(M3-2)의 편차보다 큰 것을 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 자석 어레이의 자기장의 세기(M3-1)의 최대 세기는 위치 ② 및 ⑩에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.053 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 양 단 근처의 수치를 제외한 자기장의 세기(M3-1)의 최소 세기는 위치 ⑤ 및 ⑦의 근처에서 발생하며 자기선속밀도는 약 0.046 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3 자석 어레이(400-3)의 자기장의 세기(M3-2)의 최대 세기는 위치 ④ 및 ⑧에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.052 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 양 단 근처의 수치를 제외한 제3 자석 어레이(400-3)의 자기장의 세기(M3-2)의 최소 세기는 위치 ⑤ 및 ⑦의 근처에서 발생하며, 자기선속밀도는 약 0.047 V*s/m^2임을 확인할 수 있다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 제3 자석 어레이(400-3)의 최대 세기와 최소 세기의 차이가 줄어들며, 제3 자석 어레이(400-3)의 편차가 줄어들 수 있다. 이에 따라, 전자 펜(1000)의 코일(1003)에서 발생하는 인덕턴스의 변화는 줄어들 수 있으며, 전자 장치(101)의 오작동이 줄어들 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M3-3, M3-4)는 자석 어레이 및 제3 자석 어레이(400-3)로부터 약 4.0mm 이격된 위치에서 측정된 것이며, 자기장 세기 변화 그래프(M3-3)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M3-4)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 4%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M3-3)의 최고값은 위치 ② 및 ⑩에서 약 0.038 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 약 0.031 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-2)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M3-4)의 최고값은 위치 ⑥에서 약 0.036 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 위치 ⑤ 및 ⑦에서 약 0.033 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-3)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 자기장 세기 변화 그래프(M3-5, M3-6)는 자석 어레이 및 제3 자석 어레이(400-3)로부터 약 4.5mm 이격된 위치에서 측정된 것이다. 자기장 세기 변화 그래프(M3-5)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 0%이고, 자기장 세기 변화 그래프(M3-6)에서의 자석성분 길이의 변화값(A)은 약 9%이다. 본 개시의 발명이 적용되지 않은 자석 어레이에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M3-5)의 최고값은 위치 ② 및 ⑩에서 약 0.027 V*s/m^2 이며, 최저값은 위치 ⑤ 및 ⑦에서 약 0.021 V*s/m^2이다. 본 개시의 발명이 적용된 자석 어레이(400-3)에 대한 자기장 세기 변화 그래프(M3-6)의 최고값은 위치 ② 및 ⑩에서 약 0.026 V*s/m^2 이며, 양 단 근처의 수치를 제외한 최저값은 위치 ⑤ 및 ⑦에서 약 0.022 V*s/m^2이다. 이와 같이, 본 개시의 다양한 실시예에 따른 자석 어레이(400-3)가 적용되면, 자기장 세기의 변화의 편차가 감소하는 것을 확인할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는, 제1 하우징(예: 도 2의 제1 하우징(310)), 상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(302)), 상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징(예: 도 2의 제2 하우징(320)), 상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이(예: 도 2의 플렉서블 디스플레이(200)), 상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재(예: 도 5의 자성부재(400)), 및 상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재(예: 도 5의 자성부재(400))를 포함하고, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고, 적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제1 하우징 사이에 배치되고, 상기 제2 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제2 하우징 사이에 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 상기 전자 장치의 길이방향으로 나란히 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재는 상기 제1 하우징의 외곽에 인접하게 배치되고, 상기 제2 자성부재는 상기 제2 하우징의 외곽에 인접하게 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재 각각은, 복수 개의 수직 자석성분 및 복수 개의 수평 자석성분을 포함하고, 상기 제1 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분(예: 도 10a의 제1-5자석성분(400-15)) 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분(예: 도 10a의 제1-3자석성분(400-13) 또는 제1-7자석성분(400-17))을 포함하고, 상기 제2 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분보다 2A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성되고, 상기 A의 값은 0보다 크고 10보다 작을 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 서로 인력이 작용하도록 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 플렉서블 디스플레이 사이에 배치된 디지타이저 모듈(예: 도 5의 디지타이저 모듈(240))을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 디지타이저 모듈은 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(예: 도 5의 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(241)) 및 디지타이저 차폐시트(예: 도 5의 디지타이저 차폐시트(242))를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 디지타이저 모듈 사이에 배치된 메탈시트(예: 도 5의 메탈시트(243))를 더 포함할 수 있다.
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는, 제1 하우징(예: 도 2의 제1 하우징(310)), 상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(302)), 상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징(예: 도 2의 제2 하우징(320)), 상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이(예: 도 2의 플렉서블 디스플레이(200)), 상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재(예: 도 5의 자성부재(400)), 및 상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재(예: 도 5의 자성부재(400))를 포함하고, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고, 적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성되고, 적어도 하나의 상기 수평 자석성분의 길이는 다른 상기 수평 자석성분의 길이의 절반으로 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제1 하우징 사이에 배치되고, 상기 제2 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제2 하우징 사이에 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 상기 전자 장치의 길이방향으로 나란히 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재는 상기 제1 하우징의 외곽에 인접하게 배치되고, 상기 제2 자성부재는 상기 제2 하우징의 외곽에 인접하게 배치될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재 각각은, 복수 개의 수직 자석성분 및 복수 개의 수평 자석성분을 포함하고, 상기 제1 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분(예: 도 10a의 제1-5자석성분(400-15)) 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분(예: 도 10a의 제1-3자석성분(400-13) 또는 제1-7자석성분(400-17))을 포함하고, 상기 제2 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분보다 2A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성되고, 상기 A의 값은 0보다 크고 10보다 작을 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석 성분보다 A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성될 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 플렉서블 디스플레이 사이에 배치된 디지타이저 모듈(예: 도 5의 디지타이저 모듈(240))을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 디지타이저 모듈은 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(예: 도 5의 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판(241)) 및 디지타이저 차폐시트(예: 도 5의 디지타이저 차폐시트(242))를 포함할 수 있다.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 디지타이저 모듈 사이에 배치된 메탈시트(예: 도 5의 메탈시트(243))를 더 포함할 수 있다.
이상, 본 문서의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해서 설명하였으나, 본 문서의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
101: 전자 장치
240: 디지타이저 모듈
241: 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판
242: 디지타이저 차폐시트
243: 메탈시트
280: 디스플레이 패널
310: 제1 하우징
320: 제2 하우징
400: 자성부재
400-1: 제1 자석 어레이
400-2: 제2 자석 어레이
400-3: 제3 자석 어레이
1000: 전자 펜
1001: 전자 펜 촉
1002: 페라이트
1003: 코일
1004: 가변 커패시터
1005: 고정 커패시터

Claims (20)

  1. 전자 장치에 있어서,
    제1 하우징;
    상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조;
    상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징;
    상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이;
    상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재; 및
    상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재를 포함하고,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고,
    적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제1 하우징 사이에 배치되고,
    상기 제2 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제2 하우징 사이에 배치된 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 상기 전자 장치의 길이방향(Y축방향)으로 나란히 배치된 전자 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성부재는 상기 제1 하우징의 외곽에 인접하게 배치되고, 상기 제2 자성부재는 상기 제2 하우징의 외곽에 인접하게 배치된 전자 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재 각각은, 복수 개의 수직 자석성분 및 복수 개의 수평 자석성분을 포함하고,
    상기 제1 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함하고,
    상기 제2 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함하는 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분보다 2A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성되고,
    상기 A의 값은 0보다 크고 10보다 작은 전자 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 서로 인력이 작용하도록 배치된 전자 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 플렉서블 디스플레이 사이에 배치된 디지타이저 모듈을 더 포함하는 전자 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 디지타이저 모듈은 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판 및 디지타이저 차폐시트를 포함하는 전자 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 디지타이저 모듈 사이에 배치된 메탈시트를 더 포함하는 전자 장치.
  11. 전자 장치에 있어서,
    제1 하우징;
    상기 제1 하우징의 적어도 일부에 배치된 힌지 구조;
    상기 힌지 구조에 연결되고, 상기 제1 하우징에 대하여 상대적 운동을 제공하는 제2 하우징;
    상기 제1 하우징으로부터 상기 힌지 구조를 가로질러 상기 제2 하우징에 배치된 플렉서블 디스플레이;
    상기 제1 하우징에 배치된 적어도 하나의 제1 자성부재; 및
    상기 제1 자성부재의 위치에 대응되도록 상기 제2 하우징에 배치된 적어도 하나의 제2 자성부재를 포함하고,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 각각, 상기 플렉서블 디스플레이에 수직한 수직 자석성분 및 상기 플렉서블 디스플레이에 평행한 수평 자석성분을 포함하고,
    적어도 하나의 상기 수직 자석성분의 길이는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성되고,
    적어도 하나의 상기 수평 자석성분의 길이는 다른 상기 수평 자석성분의 길이의 절반으로 형성된 전자 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제1 하우징 사이에 배치되고,
    상기 제2 자성부재는 적어도 2개의 자성부재를 포함하며, 상기 플렉서블 디스플레이와 상기 제2 하우징 사이에 배치된 전자 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재는 상기 전자 장치의 길이방향(Y축방향)으로 나란히 배치된 전자 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 자성부재는 상기 제1 하우징의 외곽에 인접하게 배치되고, 상기 제2 자성부재는 상기 제2 하우징의 외곽에 인접하게 배치된 전자 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 자성부재 및 상기 제2 자성부재 각각은, 복수 개의 수직 자석성분 및 복수 개의 수평 자석성분을 포함하고,
    상기 제1 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함하고,
    상기 제2 자성부재는 상기 수평 자석성분의 길이보다 길게 형성된 적어도 하나의 긴 수직 자석성분 및 상기 수평 자석성분의 길이보다 짧게 형성된 적어도 하나의 짧은 수직 자석성분을 포함하는 전자 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분보다 2A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성된 전자 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 긴 수직 자석성분은 상기 수평 자석 성분보다 A% 길게 형성되고, 상기 짧은 수직 자석성분은 상기 수평 자석성분의 길이보다 A% 짧게 형성되고,
    상기 A의 값은 0보다 크고 10보다 작은 전자 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 플렉서블 디스플레이 사이에 배치된 디지타이저 모듈을 더 포함하는 전자 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 디지타이저 모듈은 디지타이저 플렉서블 인쇄회로기판 및 디지타이저 차폐시트를 포함하는 전자 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제1 하우징 및 상기 제2 하우징과 상기 디지타이저 모듈 사이에 배치된 메탈시트를 더 포함하는 전자 장치.
KR1020210166903A 2021-11-18 2021-11-29 자석 어레이를 포함하는 전자 장치 KR20230073054A (ko)

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