KR20230072545A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판의 일측에 부착된 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판과 대향하는 프레임, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 인쇄 회로 기판을 덮는 커버층, 및 상기 프레임의 일면에 배치되며, 상기 프레임과 상기 커버층 사이에 배치된 제1 반사층을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{Display device and method for manufacturing of the same}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 유기발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED), 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치의 화상을 표시하는 장치로서 유기 발광 표시 패널이나 액정 표시 패널과 같은 표시 패널을 포함한다. 그 중, 발광 표시 패널로써, 발광 소자를 포함할 수 있는데, 예를 들어 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)의 경우, 유기물을 발광 물질로 이용하는 유기 발광 다이오드(OLED), 무기물을 발광 물질로 이용하는 무기 발광 다이오드 등이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 패드부에 도포되는 커버층의 미경화를 개선하여 방습 특성을 향상시킬 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판의 일측에 부착된 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판과 대향하는 프레임, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 인쇄 회로 기판을 덮는 커버층, 및 상기 프레임의 일면에 배치되며, 상기 프레임과 상기 커버층 사이에 배치된 제1 반사층을 포함할 수 있다.
상기 제1 반사층은 유기물, 무기물 또는 금속 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 반사층은 고굴절층과 저굴절층이 교번하여 반복 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다.
상기 제1 반사층은 상기 커버층과 접하는 일면에 배치된 복수의 돌출 구조물을 포함할 수 있다.
상기 복수의 돌출 구조물의 단면 형상은 반원형, 삼각형 또는 사다리꼴 형상일 수 있다.
상기 제1 반사층의 두께는 20 내지 1000nm로 이루어질 수 있다.
상기 커버층은 UV 광 경화 물질을 포함할 수 있다.
상기 커버층은 상기 기판, 상기 프레임 및 상기 인쇄 회로 기판이 구획하는 공간 내에 채워질 수 있다.
상기 프레임은 상기 프레임의 길이 방향과 수직하는 방향으로의 단면 형상이 바 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 프레임은 상기 기판과 나란한 상면 및 상기 상면으로부터 교차하는 방향으로 구부러진 측면을 포함하며, 상기 제1 반사층은 상기 프레임의 상면과 측면에 배치될 수 있다.
상기 제1 반사층의 일면에 배치되며 상기 제1 반사층과 상기 커버층 사이에 배치된 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 프레임과 대향하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에 배치된 제2 반사층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 패드부를 포함하는 기판, 상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 트랜지스터층, 발광 소자층, 파장 변환층 및 반사 방지 부재, 상기 기판의 상기 패드부에 부착된 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판과 대향하는 프레임, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 인쇄 회로 기판을 덮는 커버층, 및 상기 프레임의 일면에 배치되며, 상기 프레임과 상기 커버층 사이에 배치된 제1 반사층을 포함할 수 있다.
상기 발광 소자층은 상기 트랜지스터층 상에 배치되며 상기 파장 변환층은 상기 발광 소자층 상에 배치되고 상기 반사 방지 부재는 상기 파장 변환층 상에 배치되며, 상기 커버층은 상기 트랜지스터층, 상기 발광 소자층, 상기 파장 변환층 및 상기 반사 방지 부재 중 적어도 하나 이상과 컨택할 수 있다.
상기 프레임은 상기 반사 방지 부재의 측면과 컨택할 수 있다.
상기 제1 반사층은 상기 트랜지스터층, 상기 발광 소자층, 및 상기 파장 변환층 중 적어도 하나 이상과 컨택할 수 있다.
상기 제1 반사층은 상기 기판으로 연장되어 상기 기판의 상면과 컨택할 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 인쇄 회로 기판이 부착된 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 UV 테이프를 부착하는 단계, 일면에 이형층이 형성된 몰드를 형성하는 단계, 일면에 반사층이 형성된 프레임을 형성하는 단계, 상기 프레임을 상기 몰드의 상기 이형층 상에 안착시키는 단계, 상기 기판 상에 상기 UV 테이프를 통해 상기 몰드를 접착하는 단계, 상기 기판과 상기 프레임 사이에 커버층 물질을 도포하고, UV 광을 조사하여 커버층을 형성하는 단계, 및 상기 기판으로부터 상기 몰드를 탈착하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 커버층은 상기 UV 광에 의해 경화되어 형성되고, 상기 프레임과 상기 기판은 상기 커버층의 의해 결합될 수 있다.
상기 몰드를 탈착하는 단계는, 상기 UV 테이프에 UV 광을 조사한 후 상기 몰드를 상기 기판으로부터 탈착시킬 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
실시예들에 따른 표시 장치 및 그 제조 방법에 의하면, 프레임의 일면에 반사층을 형성함으로써, 커버층에 UV 광이 전체적으로 도달할 수 있어 커버층의 미경화를 개선할 수 있다. 이에 따라, 인쇄 회로 기판과 패드부 간의 박리력을 향상시키고 투습이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 4의 Q1-Q1'선, Q2-Q2'선 및 Q3-Q3'선을 따라 자른 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 7은 도 1의 AA-AA'선을 따라 자른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 8은 도 7의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 9는 프레임을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 반사층을 나타낸 단면도이다.
도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 12 및 도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 반사층을 나타낸 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17 및 도 18은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20 및 도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 22 내지 도 28은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정별로 나타낸 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시한다. 표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷, 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치, 워치 폰, 헤드 마운트 디스플레이, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 내비게이션, 게임기, 디지털 카메라, 캠코더 등이 표시 장치(10)에 포함될 수 있다.
표시 장치(10)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 예로는 무기 발광 다이오드 표시 패널, 유기발광 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널의 일 예로서, 무기 발광 다이오드 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 장치(10)를 설명하는 도면에서는 제1 방향(DR1), 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)이 정의되어 있다. 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)은 하나의 평면 내에서 서로 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 위치하는 평면에 수직한 방향일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 각각에 대해 수직을 이룬다. 표시 장치(10)를 설명하는 실시예에서 제3 방향(DR3)은 표시 장치(10)의 두께 방향을 나타낸다.
표시 장치(10)의 형상은 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 평면상 제1 방향(DR1)이 제2 방향(DR2)보다 긴 장변을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 다른 예로, 표시 장치(10)는 평면상 제2 방향(DR2)이 제1 방향(DR1)보다 긴 장변을 포함하는 직사각형 형상을 가질 수도 있다. 그러나, 이에 제한되지 않으며, 정사각형, 코너부(꼭지점)가 둥근 사각형, 기타 다각형, 원형 등의 형상을 가질 수 있다. 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)의 형상 또한 표시 장치(10)의 전반적인 형상과 유사할 수 있다. 도 1에서는 제1 방향(DR1)이 제2 방향(DR2)보다 긴 직사각형 형상의 표시 장치(10) 및 표시 영역(DPA)이 예시되어 있다.
표시 장치(10)는 표시 영역(DPA)과 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DPA)은 화면이 표시될 수 있는 영역이고, 비표시 영역(NDA)은 화면이 표시되지 않는 영역이다. 표시 영역(DPA)은 활성 영역으로, 비표시 영역(NDA)은 비활성 영역으로도 지칭될 수 있다. 표시 영역(DPA)은 대체로 표시 장치(10)의 중앙을 차지할 수 있다.
표시 영역(DPA)은 복수의 화소(PX)를 포함할 수 있다. 복수의 화소(PX)는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소(PX)의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 일 방향에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소(PX)는 스트라이프 타입 또는 펜타일 타입으로 교대 배열될 수 있다. 또한, 화소(PX)들 각각은 특정 파장대의 광을 방출하는 발광 소자를 하나 이상 포함하여 특정 색을 표시할 수 있다.
표시 영역(DPA)의 주변에는 비표시 영역(NDA)이 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)을 전부 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 표시 영역(DPA)은 직사각형 형상이고, 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DPA)의 4변에 인접하도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 장치(10)의 베젤을 구성할 수 있다. 각 비표시 영역(NDA)들에는 표시 장치(10)에 포함되는 배선들 또는 회로 구동부들이 배치되거나, 외부 장치들이 실장될 수 있다.
비표시 영역(NDA)에는 인쇄 회로 기판(COF)이 결합되는 패드부(PAD)가 배치될 수 있다. 패드부(PAD)는 외부의 신호들이 표시 영역(DPA)으로 인가되기 위한 패드 전극들을 포함할 수 있다. 또한, 비표시 영역(NDA)의 패드부(PAD) 상에는 패드부(PAD)를 커버하기 위한 프레임(DF)이 배치될 수 있다. 프레임(DF)은 광을 흡수 또는 차단할 수 있는 재질로 이루어져, 외부에서 패드부(PAD) 및 인쇄 회로 기판(COF)이 시인되는 것을 방지할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(11), 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)를 포함할 수 있다.
기판(11)은 베이스 기판 또는 베이스 부재일 수 있고, 유리, 고분자 수지 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(11)은 리지드(rigid) 기판일 수 있다. 다른 예로, 기판(11)은 벤딩(Bending), 폴딩(Folding), 롤링(Rolling) 등이 가능한 플렉서블(Flexible) 기판일 수 있다. 이 경우 기판(11)은 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
트랜지스터층(TFTL)은 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 트랜지스터층(TFTL)은 표시 장치(10)의 각 화소를 구동할 수 있는 화소 회로를 포함할 수 있다. 화소 회로는 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터, 적어도 하나 이상의 커패시터, 복수의 신호 배선들을 포함할 수 있다.
발광 소자층(EML)은 트랜지스터층(TFTL) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 광을 방출하는 발광 소자를 포함할 수 있다. 발광 소자는 유기 발광 소자 또는 무기 발광 소자일 수 있다. 이하 본 실시예에서는 무기 발광 소자를 포함하는 발광 소자층(EML)을 예로 설명한다. 다만 이에 제한되지 않으며 발광 소자층(EML)은 유기 발광 소자를 포함할 수도 있다.
파장 변환층(WLCL)은 발광 소자층(EML) 상에 배치될 수 있다. 파장 변환층(WLCL)은 발광 소자층(EML)에서 방출되는 광의 파장을 서로 다른 파장으로 변환할 수 있다.
반사 방지 부재(45)는 파장 변환층(WLCL) 상에 배치될 수 있다. 반사 방지 부재(45)는 외부의 광이 표시 장치(10)의 상면에서 반사되어 시감이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 상술한 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)에 대해 도 3 내지 도 6을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(10)의 표시 영역(도 1의 'DPA')은 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각은 표시 장치(10)의 발광 소자(30)에서 생성된 광이 표시 장치(10)의 외부로 방출되는 영역일 수 있다. 또한, 표시 장치(10)의 표시 영역은 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 구획하여 둘러싸는 제1 내지 제3 차광 영역(BA1, BA2, BA3)을 포함할 수 있다.
표시 장치(10)는 기판(11), 버퍼층(12), 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)를 포함할 수 있다.
버퍼층(12)은 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(12)은 공기 또는 수분의 침투를 방지할 수 있는 무기막으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(12)은 교번하여 적층된 복수의 무기막을 포함할 수 있다.
버퍼층(12) 상에 트랜지스터층(TFTL)이 배치될 수 있다. 트랜지스터층(TFTL)은 제1 트랜지스터(T1), 제1 게이트 절연층(13), 제1 층간 절연층(15), 제2 층간 절연층(17), 및 제1 평탄화층(19)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 버퍼층(12) 상에 배치될 수 있고, 복수의 화소 각각의 화소 회로를 구성할 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(T1)는 화소 회로의 구동 트랜지스터 또는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(G1), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다. 액티브층(ACT)은 복수의 도체화 영역(ACTa, ACTb) 및 이들 사이의 채널 영역(ACTc)을 포함할 수 있다.
트랜지스터층(TFTL) 상에 발광 소자층(EML)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 제1 패턴(BNL1), 발광 소자(30), 및 제2 패턴(BNL2)을 포함할 수 있다. 발광 소자(30)는 제1 트랜지스터(T1) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(30)는 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치되고 제1 연결 전극과 제2 연결 전극에 각각 연결될 수 있다.
전술한 트랜지스터층(TFTL)과 발광 소자층(EML)의 구체적인 설명은 도 4 내지 도 6을 참조하여 후술하기로 한다.
발광 소자층(EML) 상에 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 발광 소자층(EML)의 상면 및 측면을 덮을 수 있다. 예를 들어, 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막을 포함하여, 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막을 포함하여, 발광 소자층(EML)을 먼지와 같은 이물질로부터 보호할 수 있다. 예를 들어, 봉지층(TFE)은 2개의 무기막들 사이에 적어도 하나의 유기막이 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 무기막들은 각각 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 실리콘 산질화물, 리튬 플로라이드 등을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등을 포함할 수 있다. 다만, 봉지층(TFE)의 구조가 전술한 예에 한정되는 것은 아니며 적층 구조는 다양하게 변경될 수 있다.
봉지층(TFE) 상에 제2 평탄화층(41)이 배치되어 봉지층(TFE)의 상부를 평탄화시킬 수 있다. 제2 평탄화층(41)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 평탄화층(41)은 아크릴 수지(Acryl Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드 수지(Polyamide Resin), 및 폴리이미드 수지(Polyimide Resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제2 평탄화층(41) 상에 파장 변환층(WLCL)이 배치될 수 있다. 파장 변환층(WLCL)은 제1 차광 부재(BK1), 제1 파장 변환부(WLC1), 제2 파장 변환부(WLC2), 광 투과부(LTU) 및 제1 캡핑층(CAP1)을 포함할 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 제2 평탄화층(41) 상의 제1 내지 제3 차광 영역(BA1, BA2, BA3)에 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 제2 패턴(BNL2)과 두께 방향으로 중첩될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 광의 투과를 차단할 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 간에 광이 침범하여 혼색되는 것을 방지함으로써, 색 재현율을 향상시킬 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 평면 상에서 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)을 둘러싸는 격자 형태로 배치될 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3)과 비중첩하여 배치될 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 유기 차광 물질과 발액 성분을 포함할 수 있다. 여기에서, 발액 성분은 불소 함유 단량체 또는 불소 함유 중합체로 이루어질 수 있고, 구체적으로 불소 함유 지방족 폴리카보네이트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함한 블랙 유기 물질로 이루어질 수 있다. 제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함한 유기 차광 물질의 코팅 및 노광 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함함으로써, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 대응되는 발광 영역(LA1~LA3)으로 분리시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)가 잉크젯 방식으로 형성되는 경우, 잉크 조성물이 제1 차광 부재(BK1)의 상면에 흐를 수 있다. 이 경우, 제1 차광 부재(BK1)는 발액 성분을 포함함으로써, 잉크 조성물이 각각의 발광 영역으로 흘러가도록 유도할 수 있다. 따라서, 제1 차광 부재(BK1)는 잉크 조성물이 혼합되는 것을 방지할 수 있다.
제1 파장 변환부(WLC1)는 제2 평탄화층(41) 상의 제1 발광 영역(LA1)에 배치될 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제1 파장 변환부(WLC1)는 제1 베이스 수지(BS1), 제1 산란체(SCT1) 및 제1 파장 시프터(WLS1)를 포함할 수 있다.
제1 베이스 수지(BS1)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제1 베이스 수지(BS1)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 베이스 수지(BS1)는 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 카도계 수지 및 이미드계 수지 등의 유기 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 산란체(SCT1)는 제1 베이스 수지(BS1)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제1 베이스 수지(BS1)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(SCT1)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 산란체(SCT1)는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(AlxOy), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등과 같은 금속 산화물 입자를 포함하거나, 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등의 유기 입자를 포함할 수 있다. 제1 산란체(SCT1)는 입사광의 피크 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사광의 입사 방향과 무관하게 광을 랜덤 방향으로 산란시킬 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)는 입사광의 피크 파장을 제1 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 시프터(WLS1)는 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광을 610nm 내지 650nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 적색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제1 파장 시프터(WLS1)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출하는 입자상 물질일 수 있다.
예를 들어, 양자점은 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 양자점은 그 조성 및 크기에 따라 특정 밴드 갭을 가져 빛을 흡수한 후 고유의 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 양자점의 반도체 나노 결정의 예로는 IV족계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정, IV-VI족계 나노 결정 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 양자점은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 양자점의 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할과, 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(Charging Layer)의 역할을 수행할 수 있다. 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(Gradient)를 가질 수 있다. 양자점의 쉘은 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
제1 파장 시프터(WLS1)가 방출하는 광은 45nm 이하, 또는 40nm 이하, 또는 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼 반치폭(Full Width of Half Maximum, FWHM)을 가질 수 있고, 표시 장치(10)가 표시하는 색의 색 순도와 색 재현성을 더욱 개선할 수 있다. 제1 파장 시프터(WLS1)가 방출하는 광은 입사광의 입사 방향과 무관하게 여러 방향을 향하여 방출될 수 있다. 따라서, 제1 발광 영역(LA1)에서 표시되는 적색의 측면 시인성을 향상시킬 수 있다.
발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광의 일부는 제1 파장 시프터(WLS1)에 의해 적색 광으로 변환되지 않고 제1 파장 변환부(WLC1)를 투과할 수 있다. 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환되지 않고 제1 컬러 필터(CF1)에 입사한 광은 제1 컬러 필터(CF1)에 의해 차단될 수 있다. 그리고, 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광 중 제1 파장 변환부(WLC1)에 의해 변환된 적색 광은 제1 컬러 필터(CF1)를 투과하여 외부로 출사될 수 있다. 따라서, 제1 발광 영역(LA1)은 적색 광을 방출할 수 있다.
제2 파장 변환부(WLC2)는 제2 평탄화층(41) 상의 제2 발광 영역(LA2)에 배치될 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 제2 파장 변환부(WLC2)는 제2 베이스 수지(BS2), 제2 산란체(SCT2) 및 제2 파장 시프터(WLS2)를 포함할 수 있다.
제2 베이스 수지(BS2)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제2 베이스 수지(BS2)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 베이스 수지(BS2)는 제1 베이스 수지(BS1)와 동일 물질로 이루어지거나, 제1 베이스 수지(BS1)에서 예시된 물질로 이루어질 수 있다.
제2 산란체(SCT2)는 제2 베이스 수지(BS2)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제2 베이스 수지(BS2)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(SCT2)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 산란체(SCT2)는 제1 산란체(SCT1)와 동일 물질로 이루어지거나, 제1 산란체(SCT1)에서 예시된 물질로 이루어질 수 있다. 제2 산란체(SCT2)는 입사광의 피크 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사광의 입사 방향과 무관하게 광을 랜덤 방향으로 산란시킬 수 있다.
제2 파장 시프터(WLS2)는 입사광의 피크 파장을 제1 파장 시프터(WLS1)의 제1 피크 파장과 다른 제2 피크 파장으로 변환 또는 시프트시킬 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 시프터(WLS2)는 발광 소자층(EML)에서 제공된 청색 광을 510nm 내지 550nm 범위의 단일 피크 파장을 갖는 녹색 광으로 변환하여 방출할 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 양자점, 양자 막대 또는 형광체일 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)는 제1 파장 시프터(WLS1)에서 예시된 물질과 동일 취지의 물질을 포함할 수 있다. 제2 파장 시프터(WLS2)의 파장 변환 범위는 제1 파장 시프터(WLS1)의 파장 변환 범위와 다르도록 양자점, 양자 막대 또는 형광체로 이루어질 수 있다.
광 투과부(LTU)는 제2 평탄화층(41) 상의 제3 발광 영역(LA3)에 배치될 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제1 차광 부재(BK1)에 의해 둘러싸일 수 있다. 광 투과부(LTU)는 입사광의 피크 파장을 유지하여 투과시킬 수 있다. 광 투과부(LTU)는 제3 베이스 수지(BS3) 및 제3 산란체(SCT3)를 포함할 수 있다.
제3 베이스 수지(BS3)는 광 투과율이 상대적으로 높은 물질을 포함할 수 있다. 제3 베이스 수지(BS3)는 투명 유기 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3 베이스 수지(BS3)는 제1 또는 제2 베이스 수지(BS1, BS2)와 동일 물질로 이루어지거나, 제1 또는 제2 베이스 수지(BS1, BS2)에서 예시된 물질로 이루어질 수 있다.
제3 산란체(SCT3)는 제3 베이스 수지(BS3)와 상이한 굴절률을 가질 수 있고, 제3 베이스 수지(BS3)와 광학 계면을 형성할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(SCT3)는 투과광의 적어도 일부를 산란시키는 광 산란 물질 또는 광 산란 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 산란체(SCT3)는 제1 또는 제2 산란체(SCT1, SCT2)와 동일 물질로 이루어지거나, 제1 또는 제2 산란체(SCT1, SCT2)에서 예시된 물질로 이루어질 수 있다. 제3 산란체(SCT3)는 입사광의 피크 파장을 실질적으로 변환시키지 않으면서, 입사광의 입사 방향과 무관하게 광을 랜덤 방향으로 산란시킬 수 있다.
파장 변환층(WLCL)은 제2 평탄화층(41) 상에 직접 배치됨으로써, 표시 장치(10)는 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 위한 별도의 기판을 필요로 하지 않을 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)는 제1 내지 제3 발광 영역(LA1, LA2, LA3) 각각에 용이하게 얼라인될 수 있고, 표시 장치(10)의 두께가 상대적으로 감소될 수 있다.
제1 캡핑층(CAP1)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2), 광 투과부(LTU), 및 제1 차광 부재(BK1)를 덮을 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(CAP1)은 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)를 밀봉하여 제1 및 제2 파장 변환부(WLC1, WLC2)와 광 투과부(LTU)의 손상 또는 오염을 방지할 수 있다. 제1 캡핑층(CAP1)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 캡핑층(CAP1)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물, 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 캡핑층(CAP1) 상에 제3 평탄화층(43)을 포함할 수 있다. 제3 평탄화층(43)은 제1 캡핑층(CAP1)의 상부를 평탄화시킬 수 있다. 제3 평탄화층(43)은 제2 평탄화층(41)과 동일 물질로 이루어지거나, 제2 평탄화층(41)에서 예시된 물질로 이루어질 수 있다.
제3 평탄화층(43) 상에 반사 방지 부재(45)가 배치될 수 있다. 반사 방지 부재(45)는 외부로부터 입사되는 광을 흡수하여 외광의 반사에 의해 표시 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 예시적인 실시예에서 반사 방지 부재(45)는 제1 내지 제3 색의 광(예를 들어, 적색, 녹색 및 청색) 이외의 광을 흡수할 수 있는 염료(dye)를 포함하여, 외광의 반사를 방지할 수 있다.
이하, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)의 일 화소의 평면과 단면 구조를 통해 트랜지스터층(TFTL)과 발광 소자층(EML)에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 복수의 화소(PX)들 각각은 복수의 서브 화소(SPXn, n은 1 내지 3의 정수)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소(PX)는 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)는 제3 색의 광을 발광할 수 있다. 일 예로, 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)는 각각 청색 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 제1 서브 화소(SPX1)는 제1 색의 광을 발광하고, 제2 서브 화소(SPX2)는 제2 색의 광을 발광하며, 제3 서브 화소(SPX3)는 제3 색의 광을 발광할 수 있다. 일 예로, 제1 색은 청색, 제2 색은 녹색, 제3 색은 적색일 수 있다. 또한, 도 3에서는 화소(PX)가 3개의 서브 화소(SPXn)들을 포함하는 것을 예시하였으나, 이에 제한되지 않고, 화소(PX)는 더 많은 수의 서브 화소(SPXn)들을 포함할 수 있다.
표시 장치(10)의 각 서브 화소(SPXn)들은 발광부(EMA) 및 비발광부(미도시)를 포함할 수 있다. 발광부(EMA)는 발광 소자(30)가 배치되어 특정 파장대의 광이 출사되는 영역이고, 비발광부는 발광 소자(30)가 배치되지 않고, 발광 소자(30)에서 방출된 광들이 도달하지 않아 광이 출사되지 않는 영역일 수 있다. 발광부(EMA)는 발광 소자(30)가 배치된 영역을 포함하여, 발광 소자(30)와 인접한 영역으로 발광 소자(30)에서 방출된 광들이 출사되는 영역을 포함할 수 있다.
이에 제한되지 않고, 발광부(EMA)는 발광 소자(30)에서 방출된 광이 다른 부재에 의해 반사되거나 굴절되어 출사되는 영역도 포함할 수 있다. 복수의 발광 소자(30)들은 각 서브 화소(SPXn)에 배치되고, 이들이 배치된 영역과 이에 인접한 영역을 포함하여 발광부를 형성할 수 있다. 발광부(EMA)는 전술한 발광 영역들(LA1, LA2, LA3)과 대응하며, 비발광부는 전술한 차광 영역들(BA1, BA2, BA3)에 대응할 수 있다.
또한, 각 서브 화소(SPXn)는 비발광부에 배치된 절단부(CBA)를 포함할 수 있다. 절단부(CBA)는 발광부(EMA)의 제2 방향(DR2) 일 측에 배치될 수 있다. 절단부(CBA)는 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn)들의 발광부(EMA) 사이에 배치될 수 있다. 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)에는 복수의 발광부(EMA)와 절단부(CBA)들이 배열될 수 있다. 예를 들어, 복수의 발광부(EMA)들과 절단부(CBA)들은 각각 제1 방향(DR1)으로 반복 배열되되, 발광부(EMA)와 절단부(CBA)는 제2 방향(DR2)으로 교대 배열될 수 있다. 또한, 절단부(CBA)들의 제1 방향(DR1)으로 이격된 간격은 발광부(EMA)의 제1 방향(DR1)으로 이격된 간격보다 작을 수 있다. 절단부(CBA)들 및 발광부(EMA)들 사이에는 제2 패턴(BNL2)이 배치되고, 이들 사이의 간격은 제2 패턴(BNL2)의 폭에 따라 달라질 수 있다. 절단부(CBA)에는 발광 소자(30)가 배치되지 않아 광이 출사되지 않으나, 각 서브 화소(SPXn)에 배치된 전극(21, 22) 일부가 배치될 수 있다. 각 서브 화소(SPXn)마다 배치되는 전극(21, 22)들은 절단부(CBA)에서 서로 분리되어 배치될 수 있다.
도 5는 도 4의 Q1-Q1'선, Q2-Q2'선 및 Q3-Q3'선을 따라 자른 단면도이다.
도 4에 결부하여 도 5를 참조하면, 표시 장치(10)는 기판(11), 및 기판(11) 상에 배치되는 반도체층, 복수의 도전층, 및 복수의 절연층들을 포함할 수 있다. 상기 반도체층, 도전층 및 절연층들은 각각 표시 장치(10)의 회로층과 발광 소자층을 구성할 수 있다.
차광층(BML)은 기판(11) 상에 배치될 수 있다. 차광층(BML)은 표시 장치(10)의 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 차광층(BML)은 광을 차단하는 재료를 포함하여, 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)에 광이 입사되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 차광층(BML)은 광의 투과를 차단하는 불투명한 금속 물질로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 경우에 따라서 차광층(BML)은 생략될 수 있다. 또한, 차광층(BML)은 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결되어 트랜지스터의 전압이 변하는 것을 억제하는 역할을 할 수도 있다. 또한, 차광층(BML)은 배선, 예컨대 전원 배선, 데이터 배선 또는 게이트 배선 등으로 이용될 수도 있다.
버퍼층(12)은 차광층(BML)을 포함하여 기판(11) 상에 전면적으로 배치될 수 있다. 버퍼층(12)은 투습에 취약한 기판(11)을 통해 침투하는 수분으로부터 화소(PX)의 제1 트랜지스터(T1)들을 보호하기 위해 기판(11) 상에 형성되며, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다. 버퍼층(12)은 교번하여 적층된 복수의 무기층들로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(12)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층이 교번하여 적층된 다중층으로 형성될 수 있다.
반도체층은 버퍼층(12) 상에 배치될 수 있다. 반도체층은 제1 트랜지스터(T1)의 액티브층(ACT)을 포함할 수 있다. 이들은 후술하는 제1 게이트 도전층의 게이트 전극(G1)등과 부분적으로 중첩하도록 배치될 수 있다.
한편 도면에서는 표시 장치(10)의 서브 화소(SPXn)에 포함된 트랜지스터들 중 제1 트랜지스터(T1)만을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(10)는 더 많은 수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(10)는 서브 화소(SPXn)마다 제1 트랜지스터(T1)에 더하여 하나 이상의 트랜지스터들을 더 포함하여 2개 또는 3개의 트랜지스터들을 포함할 수도 있다.
반도체층은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 산화물 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 각 액티브층(ACT)은 복수의 도체화 영역(ACTa, ACTb) 및 이들 사이의 채널 영역(ACTc)을 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(In)을 함유하는 산화물 반도체일 수 있다. 예를 들어, 상기 산화물 반도체는 인듐-주석 산화물(Indium-Tin Oxide, ITO), 인듐-아연 산화물(Indium-Zinc Oxide, IZO), 인듐-갈륨 산화물(Indium-Gallium Oxide, IGO), 인듐-아연-주석 산화물(Indium-Zinc-Tin Oxide, IZTO), 인듐-갈륨-주석 산화물(Indium-Gallium-Tin Oxide, IGTO), 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium-Gallium-Zinc Oxide, IGZO), 인듐-갈륨-아연-주석 산화물(Indium-Gallium-Zinc-Tin Oxide, IGZTO) 등일 수 있다.
다른 실시예에서, 반도체층은 다결정 실리콘을 포함할 수도 있다. 다결정 실리콘은 비정질 실리콘을 결정화하여 형성될 수 있으며, 이 경우, 액티브층(ACT)의 도체화 영역은 각각 불순물로 도핑된 도핑 영역일 수 있다.
제1 게이트 절연층(13)은 반도체층 및 버퍼층(12)상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(13)은 반도체층을 포함하여, 버퍼층(12) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 절연층(13)은 각 트랜지스터들의 게이트 절연막으로 기능할 수 있다. 제1 게이트 절연층(13)은 무기물, 예컨대 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy)을 포함하는 무기층으로 이루어지거나, 이들이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
제1 게이트 도전층은 제1 게이트 절연층(13) 상에 배치될 수 있다. 제1 게이트 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극(G1)과 스토리지 커패시터의 제1 용량 전극(CSE1)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(G1)은 액티브층(ACT)의 채널 영역(ACTc)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 제1 용량 전극(CSE1)은 후술하는 제2 용량 전극(CSE2)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 용량 전극(CSE1)은 게이트 전극(G1)과 연결되어 일체화될 수 있다. 제1 용량 전극(CSE1)은 제2 용량 전극(CSE2)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치되고 이들 사이에는 스토리지 커패시터가 형성될 수 있다.
제1 게이트 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 층간 절연층(15)은 제1 게이트 도전층 상에 배치될 수 있다. 제1 층간 절연층(15)은 제1 게이트 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 제1 층간 절연층(15)은 제1 게이트 도전층을 덮도록 배치되어 이를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 제1 층간 절연층(15)은 무기물, 예컨대 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy)을 포함하는 무기층으로 이루어지거나, 이들이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
제1 데이터 도전층은 제1 층간 절연층(15) 상에 배치될 수 있다. 제1 데이터 도전층은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE), 데이터 라인(DTL), 및 제2 용량 전극(CSE2)을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)은 제1 층간 절연층(15)과 제1 게이트 절연층(13)을 관통하는 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)의 도핑 영역(ACTa, ACTb)과 각각 접촉할 수 있다. 또한, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(SE)은 또 다른 컨택홀을 통해 차광층(BML)과 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터 라인(DTL)은 표시 장치(10)에 포함된 다른 트랜지스터(미도시)에 데이터 신호를 인가할 수 있다. 도면에서는 도시되지 않았으나, 데이터 라인(DTL)은 다른 트랜지스터의 소스/드레인 전극과 연결되어 데이터 라인(DTL)에서 인가되는 신호를 전달할 수 있다.
제2 용량 전극(CSE2)은 제1 용량 전극(CSE1)과 두께 방향으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2 용량 전극(CSE2)은 소스 전극(SE)과 일체화되어 연결될 수 있다.
제1 데이터 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 층간 절연층(17)은 제1 데이터 도전층 상에 배치될 수 있다. 제2 층간 절연층(17)은 제1 데이터 도전층과 그 위에 배치되는 다른 층들 사이에서 절연막의 기능을 수행할 수 있다. 또한, 제2 층간 절연층(17)은 제1 데이터 도전층을 덮으며 제1 데이터 도전층을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 제2 층간 절연층(17)은 무기물, 예컨대 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy)을 포함하는 무기층으로 이루어지거나, 이들이 적층된 구조로 형성될 수 있다.
제2 데이터 도전층은 제2 층간 절연층(17) 상에 배치될 수 있다. 제2 데이터 도전층은 제1 전압 배선(VL1), 제2 전압 배선(VL2), 및 제1 도전 패턴(CDP)을 포함할 수 있다. 제1 전압 배선(VL1)은 제1 트랜지스터(T1)에 공급되는 고전위 전압(또는, 제1 전원 전압)이 인가되고, 제2 전압 배선(VL2)은 제2 전극(22)에 공급되는 저전위 전압(또는, 제2 전원 전압)이 인가될 수 있다. 또한, 제2 전압 배선(VL2)은 표시 장치(10)의 제조 공정 중, 발광 소자(30)를 정렬시키기 데에 필요한 정렬 신호가 인가될 수도 있다.
제1 도전 패턴(CDP)은 제2 층간 절연층(17)에 형성된 컨택홀을 통해 제2 용량 전극(CSE2)과 연결될 수 있다. 제2 용량 전극(CSE2)은 제1 트랜지스터(T1)의 소스 전극(SE)과 일체화될 수 있고, 제1 도전 패턴(CDP)은 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 도전 패턴(CDP)은 후술하는 제1 전극(21)과도 접촉하며, 제1 트랜지스터(T1)는 제1 전압 배선(VL1)으로부터 인가되는 제1 전원 전압을 제1 도전 패턴(CDP)을 통해 제1 전극(21)으로 전달할 수 있다. 한편, 도면에서는 제2 데이터 도전층이 하나의 제2 전압 배선(VL2)과 하나의 제1 전압 배선(VL1)을 포함하는 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제2 데이터 도전층은 더 많은 수의 제1 전압 배선(VL1)과 제2 전압 배선(VL2)들을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니며, 제1 데이터 도전층이 전원 전압 등의 신호를 전달하는 역할을 할 수도 있으며, 이 경우 제2 데이터 도전층은 생략될 수도 있다.
제2 데이터 도전층은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 평탄화층(19)은 제2 데이터 도전층 상에 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(19)은 유기 절연 물질, 예를 들어 폴리이미드(Polyimide, PI)와 같은 유기 물질을 포함하여, 표면 평탄화 기능을 수행할 수 있다.
제1 평탄화층(19) 상에는 복수의 제1 패턴(BNL1)들, 복수의 전극(21, 22)들, 발광 소자(30), 복수의 연결 전극(CNE1, CNE2)들 및 제2 패턴(BNL2)이 배치될 수 있다. 또한, 제1 평탄화층(19) 상에는 복수의 절연층(PAS1, PAS2, PAS3, PAS4)들이 배치될 수 있다.
복수의 제1 패턴(BNL1)들은 제1 평탄화층(19) 상에 직접 배치될 수 있다. 복수의 제1 패턴(BNL1)들은 각 서브 화소(SPXn) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상을 갖되, 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 다른 서브 화소(SPXn)로 연장되지 않으며 발광부(EMA) 내에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 제1 패턴(BNL1)들은 제1 방향(DR1)으로 서로 이격되어 배치되고, 이들 사이에 발광 소자(30)가 배치될 수 있다. 복수의 제1 패턴(BNL1)들은 각 서브 화소(SPXn)마다 배치되어 표시 장치(10)의 표시 영역(DPA)에서 선형의 패턴을 형성할 수 있다. 도면에서는 2개의 제1 패턴(BNL1)들이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 전극(21, 22)의 수에 따라 더 많은 수의 제1 패턴(BNL1)들이 배치될 수도 있다.
제1 패턴(BNL1)은 제1 평탄화층(19)의 상면을 기준으로 적어도 일부가 돌출된 구조를 가질 수 있다. 제1 패턴(BNL1)의 돌출된 부분은 경사진 측면을 가질 수 있고, 발광 소자(30)에서 방출된 광은 제1 패턴(BNL1) 상에 배치되는 전극(21, 22)에서 반사되어 제1 평탄화층(19)의 상부 방향으로 출사될 수 있다. 제1 패턴(BNL1)은 발광 소자(30)가 배치되는 영역을 제공함과 동시에 발광 소자(30)에서 방출된 광을 상부 방향으로 반사시키는 반사격벽의 기능을 수행할 수도 있다. 제1 패턴(BNL1)의 측면은 선형의 형상으로 경사질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 제1 패턴(BNL1)은 외면이 곡률진 반원 또는 반타원의 형상을 가질 수도 있다. 제1 패턴(BNL1)들은 폴리이미드(Polyimide, PI)와 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.
복수의 전극(21, 22)들은 제1 패턴(BNL1)과 제1 평탄화층(19) 상에 배치될 수 있다. 복수의 전극(21, 22)은 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)을 포함할 수 있다. 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 이들은 서로 제1 방향(DR1)으로 이격되도록 배치될 수 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 각각 서브 화소(SPXn) 내에서 제2 방향(DR2)으로 연장되되, 절단부(CBA)에서 다른 전극(21, 22)들과 분리될 수 있다. 예를 들어, 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn)의 발광부(EMA)들 사이에는 절단부(CBA)가 배치되고, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 절단부(CBA)에서 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn)에 배치된 다른 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)과 분리될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 몇몇 전극(21, 22)들은 각 서브 화소(SPXn) 마다 분리되지 않고 제2 방향(DR2)으로 이웃하는 서브 화소(SPXn) 넘어 연장되어 배치되거나, 제1 전극(21) 또는 제2 전극(22) 중 어느 한 전극만 분리될 수도 있다.
제1 전극(21)은 제1 컨택홀(CT1)을 통해 제1 트랜지스터(T1)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극(22)은 제2 컨택홀(CT2)을 통해 제2 전압 배선(VL2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(21)은 제2 패턴(BNL2)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분에서 제1 평탄화층(19)을 관통하는 제1 컨택홀(CT1)을 통해 제1 도전 패턴(CDP)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(22)도 제2 패턴(BNL2)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분에서 제1 평탄화층(19)을 관통하는 제2 컨택홀(CT2)을 통해 제2 전압 배선(VL2)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서 제1 컨택홀(CT1)과 제2 컨택홀(CT2)은 제2 패턴(BNL2)과 중첩하지 않도록 제2 패턴(BNL2)이 둘러싸는 발광부(EMA) 내에 배치될 수도 있다. 또 다른 실시예에서 제2 전극(22)은 제1 데이터 배선층과 직접 접촉하여 전압이 인가될 수도 있다.
도면에서는 각 서브 화소(SPXn)마다 하나의 제1 전극(21)과 제2 전극(22)이 배치된 것이 예시되어 있으나, 이에 제한되지 않고 각 서브 화소(SPXn)마다 배치되는 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 수는 더 많을 수 있다. 또한, 각 서브 화소(SPXn)에 배치된 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 반드시 일 방향으로 연장된 형상을 갖지 않을 수 있으며, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 다양한 구조로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 부분적으로 곡률지거나, 절곡된 형상을 가질 수 있고, 어느 한 전극이 다른 전극을 둘러싸도록 배치될 수도 있다.
제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 각각 제1 패턴(BNL1)들 상에 직접 배치될 수 있다. 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 각각 제1 패턴(BNL1)보다 큰 폭을 갖도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 각각 제1 패턴(BNL1)의 외면을 덮도록 배치될 수 있다. 제1 패턴(BNL1)의 측면 상에는 제1 전극(21)과 제2 전극(22)이 각각 배치되고, 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이의 간격은 제1 패턴(BNL1) 사이의 간격보다 좁을 수 있다. 또한, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 적어도 일부 영역이 제1 평탄화층(19) 상에 직접 배치되어 이들은 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라 각 전극(21, 22)들은 그 폭이 제1 패턴(BNL1)보다 작을 수도 있다. 다만, 각 전극(21, 22)들은 적어도 제1 패턴(BNL1)의 일 측면은 덮도록 배치되어 발광 소자(30)에서 방출된 광을 반사시킬 수 있다.
각 전극(21, 22)은 반사율이 높은 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(21, 22)은 반사율이 높은 물질로 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등과 같은 금속을 포함하거나, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 란타늄(La) 등을 포함하는 합금일 수 있다. 각 전극(21, 22)은 발광 소자(30)에서 방출되어 제1 패턴(BNL1)의 측면으로 진행하는 광을 각 서브 화소(SPXn)의 상부 방향으로 반사시킬 수 있다.
다만, 이에 제한되지 않고 각 전극(21, 22)은 투명성 전도성 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 각 전극(21, 22)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin-Zinc Oxide) 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서 각 전극(21, 22)은 투명성 전도성 물질과 반사율이 높은 금속층이 각각 한층 이상 적층된 구조를 이루거나, 이들을 포함하여 하나의 층으로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 각 전극(21, 22)은 ITO/은(Ag)/ITO/, ITO/Ag/IZO, 또는 ITO/Ag/ITZO/IZO 등의 적층 구조를 가질 수 있다.
복수의 전극(21, 22)들은 발광 소자(30)들과 전기적으로 연결되고, 발광 소자(30)가 광을 방출하도록 소정의 전압이 인가될 수 있다. 복수의 전극(21, 22)들은 연결 전극(CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(30)와 전기적으로 연결되고, 전극(21, 22)들로 인가된 전기 신호를 연결 전극(CNE1, CNE2)을 통해 발광 소자(30)에 전달할 수 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22) 중 어느 하나는 발광 소자(30)의 애노드(Anode) 전극과 전기적으로 연결되고, 다른 하나는 발광 소자(30)의 캐소드(Cathode) 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며 그 반대의 경우일 수도 있다.
또한, 각 전극(21, 22)은 발광 소자(30)를 정렬하기 위해 서브 화소(SPXn) 내에 전기장을 형성하는 데에 활용될 수도 있다. 발광 소자(30)는 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상에 형성된 전계에 의해 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이에 배치될 수 있다. 표시 장치(10)의 발광 소자(30)는 잉크젯 프린팅 공정을 통해 전극(21, 22)들 상에 분사될 수 있다. 전극(21, 22) 상에 발광 소자(30)를 포함하는 잉크가 분사되면, 전극(21, 22)에 정렬 신호를 인가하여 전계를 생성한다. 잉크 내에 분산된 발광 소자(30)는 전극(21, 22) 상에 생성된 전계에 의해 유전영동힘을 받아 전극(21, 22) 상에 정렬될 수 있다.
제1 절연층(PAS1)은 제1 평탄화층(19) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(PAS1)은 제1 패턴(BNL1)들, 및 제1 전극(21)과 제2 전극(22)들을 덮도록 배치될 수 있다. 제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22)을 보호함과 동시에 이들을 상호 절연시킬 수 있다. 또한, 제1 절연층(PAS1) 상에 배치되는 발광 소자(30)가 다른 부재들과 직접 접촉하여 손상되는 것을 방지할 수도 있다.
일 실시예에서, 제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22)을 부분적으로 노출하는 개구부(OP)를 포함할 수 있다. 각 개구부(OP)는 각 전극(21, 22)들 중 제1 패턴(BNL1)의 상면에 배치된 부분을 일부 노출시킬 수 있다. 연결 전극(CNE1, CNE2) 중 일부는 개구부(OP)를 통해 노출된 각 전극(21, 22)과 접촉할 수 있다.
제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이에서 상면의 일부가 함몰되도록 단차가 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(PAS1)은 제1 전극(21)과 제2 전극(22)을 덮도록 배치됨에 따라 그 하부에 배치된 전극(21, 22)의 형상에 따라 그 상면이 단차질 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않는다.
제2 패턴(BNL2)은 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 제2 패턴(BNL2)은 평면상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분을 포함하여 표시 영역(DPA) 전면에서 격자형 패턴으로 배치될 수 있다. 제2 패턴(BNL2)은 각 서브 화소(SPXn)들의 경계에 걸쳐 배치되어 이웃하는 서브 화소(SPXn)들을 구분할 수 있다.
또한, 제2 패턴(BNL2)은 서브 화소(SPXn)마다 배치된 발광부(EMA)와 절단부(CBA)를 둘러싸도록 배치되어 이들을 구분할 수 있다. 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 제2 패턴(BNL2)의 제1 방향(DR1)으로 연장된 부분을 가로질러 배치될 수 있다. 제2 패턴(BNL2)의 제2 방향(DR2)으로 연장된 부분은 발광부(EMA) 사이에 배치된 부분은 절단부(CBA) 사이에 배치된 부분보다 큰 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 절단부(CBA)들 사이의 간격은 발광부(EMA)들 사이의 간격보다 작을 수 있다.
제2 패턴(BNL2)은 제1 뱅크(BNL1)보다 더 큰 높이를 갖도록 형성될 수 있다. 제2 패턴(BNL2)은 표시 장치(10)의 제조 공정의 잉크젯 프린팅 공정에서 잉크가 인접한 서브 화소(SPXn)로 넘치는 것을 방지하여 다른 서브 화소(SPXn)마다 다른 발광 소자(30)들이 분산된 잉크가 서로 혼합되지 않도록 이들을 분리시킬 수 있다. 제2 패턴(BNL2)은 제1 패턴(BNL1)과 같이 폴리이미드(Polyimide, PI)를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(30)는 제1 절연층(PAS1) 상에 배치될 수 있다. 복수의 발광 소자(30)들은 각 전극(21, 22)들이 연장된 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배치되며 실질적으로 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 발광 소자(30)는 일 방향으로 연장된 형상을 가질 수 있고, 각 전극(21, 22)들이 연장된 방향과 발광 소자(30)가 연장된 방향은 실질적으로 수직을 이룰 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 발광 소자(30)는 각 전극(21, 22)들이 연장된 방향에 수직하지 않고 비스듬히 배치될 수도 있다.
각 서브 화소(SPXn)에 배치된 발광 소자(30)들은 서로 다른 물질을 포함하는 발광층(도 6의 '36')을 포함하여 서로 다른 파장대의 광을 외부로 방출할 수 있다. 이에 따라 제1 서브 화소(SPX1), 제2 서브 화소(SPX2) 및 제3 서브 화소(SPX3)에서는 각각 제1 색, 제2 색 및 제3 색의 광이 출사될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 각 서브 화소(SPXn)들은 동일한 종류의 발광 소자(30)를 포함하여 실질적으로 동일한 색의 광을 방출할 수도 있다.
발광 소자(30)는 제1 패턴(BNL1)들 사이에서 양 단부가 각 전극(21, 22) 상에 배치될 수 있다. 발광 소자(30)의 연장된 길이는 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이의 간격보다 길고, 발광 소자(30)의 양 단부가 각각 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(30)는 일 단부가 제1 전극(21) 상에 놓이고, 타 단부가 제2 전극(22) 상에 놓이도록 배치될 수 있다.
발광 소자(30)는 기판(11) 또는 제1 평탄화층(19)의 상면에 수직한 방향으로 복수의 층들이 배치될 수 있다. 발광 소자(30)는 연장된 일 방향이 제1 평탄화층(19)의 상면과 평행하도록 배치되고, 발광 소자(30)에 포함된 복수의 반도체층들은 제1 평탄화층(19)의 상면과 평행한 방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않으며, 발광 소자(30)가 다른 구조를 갖는 경우 복수의 반도체층들은 제1 평탄화층(19)의 상면에 수직한 방향으로 배치될 수도 있다.
발광 소자(30)의 양 단부는 각각 연결 전극(CNE1, CNE2)들과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(30)는 연장된 일 방향측 단부면에는 절연막(도 6의 '38')이 형성되지 않고 반도체층(도 6의 '31', '32') 또는 전극층(도 6의 '37) 일부가 노출될 수 있고, 상기 노출된 반도체층(도 6의 '31', '32') 또는 전극층(도 6의 '37)은 연결 전극(CNE1, CNE2)과 접촉할 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 발광 소자(30)는 절연막(38) 중 적어도 일부 영역이 제거되어 반도체층(도 6의 '31', '32')의 양 단부 측면이 부분적으로 노출될 수 있다. 상기 노출된 반도체층 반도체층(도 6의 '31', '32')의 측면은 연결 전극(CNE1, CNE2)과 직접 접촉할 수도 있다.
제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(30) 상에 부분적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(30)를 감싸면서 발광 소자(30)의 양 단부가 노출되도록 발광 소자(30)의 길이보다 작은 폭을 갖고 발광 소자(30) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 표시 장치(10)의 제조 공정 중 발광 소자(30), 전극(21, 22)들 및 제1 절연층(PAS1)을 덮도록 배치된 뒤 발광 소자(30)의 양 단부를 노출하도록 제거될 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 평면상 제1 절연층(PAS1) 상에서 제2 방향(DR2)으로 연장되어 배치됨으로써 각 서브 화소(SPXn) 내에서 선형 또는 섬형 패턴을 형성할 수 있다. 제2 절연층(PAS2)은 발광 소자(30)를 보호함과 동시에 표시 장치(10)의 제조 공정에서 발광 소자(30)를 고정시킬 수 있다.
제2 절연층(PAS2) 상에는 복수의 연결 전극(CNE1, CNE2)들과 제3 절연층(PAS3)이 배치될 수 있다.
복수의 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 일 방향으로 연장된 형상을 갖고 각 전극(21, 22) 상에 배치될 수 있다. 연결 전극(CNE1, CNE2)은 제1 전극(21) 상에 배치된 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 전극(22) 상에 배치된 제2 연결 전극(CNE2)을 포함할 수 있다. 각 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 서로 이격되거나 대향하며 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 연결 전극(CNE1)과 제2 연결 전극(CNE2)은 각각 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상에 배치되어 서로 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 각 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 각 서브 화소(SPXn)의 발광부(EMA) 내에서 스트라이프형 패턴을 형성할 수 있다.
복수의 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 각각 발광 소자(30)와 접촉할 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 발광 소자(30)들의 일 단부와 접촉하고, 제2 연결 전극(CNE2)은 발광 소자(30)의 타 단부와 접촉할 수 있다. 발광 소자(30)는 연장된 방향의 양 단부면에서 반도체층이 노출되고, 각 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 발광 소자(30)의 반도체층과 접촉하여 이와 전기적으로 연결될 수 있다. 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 발광 소자(30)의 양 단부와 접촉하는 일 측이 제2 절연층(PAS2) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제1 연결 전극(CNE1)은 제1 전극(21)의 상면 일부를 노출하는 개구부(OP)를 통해 제1 전극(21)과 접촉하고, 제2 연결 전극(CNE2)은 제2 전극(22)의 상면 일부를 노출하는 개구부(OP)를 통해 제2 전극(22)과 접촉할 수 있다.
각 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 일 방향으로 측정된 폭이 각각 전극(21, 22)들의 상기 일 방향으로 측정된 폭보다 작을 수 있다. 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 각각 발광 소자(30)의 일 단부 및 타 단부와 접촉함과 동시에, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 상면 일부를 덮도록 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고 연결 전극(CNE1, CNE2)들은 그 폭이 전극(21, 22)보다 크게 형성되어 전극(21, 22)의 양 측변들을 덮을 수도 있다.
연결 전극(CNE1, CNE2)은 투명성 전도성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, ITO, IZO, ITZO, 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다. 발광 소자(30)에서 방출된 광은 연결 전극(CNE1, CNE2)을 투과하여 전극(21, 22)들을 향해 진행할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도면에서는 하나의 서브 화소(SPXn)에 2개의 연결 전극(CNE1, CNE2)들이 배치된 것이 도시되어 있으나, 이에 제한되지 않는다. 각 연결 전극(CNE1, CNE2)들의 개수는 각 서브 화소(SPXn)마다 배치되는 전극(21, 22)의 개수에 따라 달라질 수 있다.
제3 절연층(PAS3)은 제1 연결 전극(CNE1)을 덮도록 배치될 수 있다. 제3 절연층(PAS3)은 제1 연결 전극(CNE1)을 포함하여 제2 절연층(PAS2)을 기준으로 제1 연결 전극(CNE1)이 배치된 일 측을 덮도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(PAS3)은 제1 연결 전극(CNE1)과 제1 전극(21) 상에 배치된 제1 절연층(PAS1)들을 덮도록 배치될 수 있다. 이러한 배치는 제3 절연층(PAS3)을 이루는 절연 물질층이 발광부(EMA)에 전면적으로 배치된 후, 제2 연결 전극(CNE2)을 형성하기 위해 상기 절연 물질층을 일부 제거하는 공정에 의해 형성된 것일 수 있다. 상기 공정에서 제3 절연층(PAS3)을 이루는 절연 물질층은 제2 절연층(PAS2)을 이루는 절연 물질층과 함께 제거될 수 있고, 제3 절연층(PAS3)의 일 측은 제2 절연층(PAS2)의 일 측과 상호 정렬될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 일 측이 제3 절연층(PAS3) 상에 배치되며, 이를 사이에 두고 제1 연결 전극(CNE1)과 상호 절연될 수 있다.
제4 절연층(PAS4)은 기판(11)의 표시 영역(DPA)에 전면적으로 배치될 수 있다. 제4 절연층(PAS4)은 기판(11) 상에 배치된 부재들 외부 환경에 대하여 보호하는 기능을 할 수 있다. 다만, 제4 절연층(PAS4)은 생략될 수도 있다.
상술한 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2), 제3 절연층(PAS3) 및 제4 절연층(PAS4) 각각은 무기물 절연성 물질 또는 유기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(PAS1), 제2 절연층(PAS2), 제3 절연층(PAS3) 및 제4 절연층(PAS4)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 산화 알루미늄(AlxOy), 질화 알루미늄(AlN)등과 같은 무기물 절연성 물질을 포함할 수 있다. 또는, 이들은 유기물 절연성 물질로써, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리페닐렌 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 벤조사이클로부텐, 카도 수지, 실록산 수지, 실세스퀴옥산 수지, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트-폴리카보네이트 합성수지 등을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 6은 일 실시예에 따른 발광 소자의 개략도이다.
도 6을 참조하면, 발광 소자(30)는 입자형 소자로서, 소정의 종횡비를 갖는 로드 또는 원통형 형상일 수 있다. 발광 소자(30)는 나노미터(nano-meter) 스케일(1nm 이상 1um 미만) 내지 마이크로미터(micro-meter) 스케일(1um 이상 1mm 미만)의 크기를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 발광 소자(30)는 직경과 길이가 모두 나노미터 스케일의 크기를 갖거나, 모두 마이크로미터 스케일의 크기를 가질 수 있다. 몇몇 다른 실시예에서, 발광 소자(30)의 직경은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 반면, 발광 소자(30)의 길이는 마이크로미터 스케일의 크기를 가질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 일부의 발광 소자(30)는 직경 및/또는 길이가 나노미터 스케일의 크기를 갖는 반면, 다른 일부의 발광 소자(30)는 직경 및/또는 길이가 마이크로미터 스케일의 크기를 가질 수도 있다.
일 실시예에서, 발광 소자(30)는 무기 발광 다이오드일 수 있다. 구체적으로 발광 소자(30)는 임의의 도전형(예컨대, p형 또는 n형) 불순물로 도핑된 반도체층을 포함할 수 있다. 반도체층은 외부의 전원으로부터 인가되는 전기 신호를 전달받고, 이를 특정 파장대의 광으로 방출할 수 있다.
일 실시예에 따른 발광 소자(30)는 길이 방향으로 순차 적층된 제1 반도체층(31), 활성층(33), 제2 반도체층(32), 및 전극층(37)을 포함할 수 있다. 발광 소자는 제1 반도체층(31), 제2 반도체층(32), 활성층(33)의 외표면을 감싸는 절연막(38)을 더 포함할 수 있다.
제1 반도체층(31)은 n형 반도체일 수 있다. 발광 소자(30)가 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제1 반도체층(31)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, n형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제1 반도체층(31)은 n형 도펀트가 도핑될 수 있으며, n형 도펀트는 Si, Ge, Sn 등일 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(31)은 n형 Si로 도핑된 n-GaN일 수 있다. 제1 반도체층(31)의 길이는 1.5㎛ 내지 5㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 반도체층(32)은 후술하는 발광층(36) 상에 배치될 수 있다. 제2 반도체층(32)은 p형 반도체일 수 있으며 발광 소자(30)가 청색 또는 녹색 파장대의 광을 방출하는 경우, 제2 반도체층(32)은 AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 화학식을 갖는 반도체 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, p형으로 도핑된 AlGaInN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN 및 InN 중에서 어느 하나 이상일 수 있다. 제2 반도체층(32)은 p형 도펀트가 도핑될 수 있으며, p형 도펀트는 Mg, Zn, Ca, Se, Ba 등일 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체층(32)은 p형 Mg로 도핑된 p-GaN일 수 있다. 제2 반도체층(32)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 도면에서는 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)이 하나의 층으로 구성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층(36)의 물질에 따라 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32)은 더 많은 수의 층, 예컨대 클래드층(Clad layer) 또는 TSBR(Tensile strain barrier reducing)층을 더 포함할 수도 있다.
발광층(36)은 제1 반도체층(31)과 제2 반도체층(32) 사이에 배치될 수 있다. 발광층(36)은 단일 또는 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함할 수 있다. 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조의 물질을 포함하는 경우, 양자층(Quantum layer)과 우물층(Well layer)이 서로 교번적으로 복수 개 적층된 구조일 수도 있다. 발광층(36)은 제1 반도체층(31) 및 제2 반도체층(32)을 통해 인가되는 전기 신호에 따라 전자-정공 쌍의 결합에 의해 광을 발광할 수 있다. 발광층(36)이 청색 파장대의 광을 방출하는 경우, AlGaN, AlGaInN 등의 물질을 포함할 수 있다. 특히, 발광층(36)이 다중 양자 우물 구조로 양자층과 우물층이 교번적으로 적층된 구조인 경우, 양자층은 AlGaN 또는 AlGaInN, 우물층은 GaN 또는 AlInN 등과 같은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층(36)은 양자층으로 AlGaInN를, 우물층으로 AlInN를 포함하여 상술한 바와 같이, 발광층(36)은 중심 파장대역이 450nm 내지 495nm의 범위를 갖는 청색(Blue)광을 방출할 수 있다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(36)은 밴드갭(Band gap) 에너지가 큰 종류의 반도체 물질과 밴드갭 에너지가 작은 반도체 물질들이 서로 교번적으로 적층된 구조일 수도 있고, 발광하는 광의 파장대에 따라 다른 3족 내지 5족 반도체 물질들을 포함할 수도 있다. 발광층(36)이 방출하는 광은 청색 파장대의 광으로 제한되지 않고, 경우에 따라 적색, 녹색 파장대의 광을 방출할 수도 있다. 발광층(36)의 길이는 0.05㎛ 내지 0.10㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 발광층(36)에서 방출되는 광은 발광 소자(30)의 길이방향 외부면뿐만 아니라, 양 측면으로 방출될 수 있다. 발광층(36)에서 방출되는 광은 하나의 방향으로 방향성이 제한되지 않는다.
전극층(37)은 오믹(Ohmic) 연결 전극일 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 쇼트키(Schottky) 연결 전극일 수도 있다. 발광 소자(30)는 적어도 하나의 전극층(37)을 포함할 수 있다. 도 5에서는 발광 소자(30)가 하나의 전극층(37)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 경우에 따라서 발광 소자(30)는 더 많은 수의 전극층(37)을 포함하거나, 생략될 수도 있다. 후술하는 발광 소자(30)에 대한 설명은 전극층(37)의 수가 달라지거나 다른 구조를 더 포함하더라도 동일하게 적용될 수 있다.
전극층(37)은 일 실시예에 따른 표시 장치(10)에서 발광 소자(30)가 전극 또는 연결 전극과 전기적으로 연결될 때, 발광 소자(30)와 전극 또는 연결 전극 사이의 저항을 감소시킬 수 있다. 전극층(37)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(37)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 인듐(In), 금(Au), 은(Ag), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin-Zinc Oxide) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한 전극층(37)은 n형 또는 p형으로 도핑된 반도체 물질을 포함할 수도 있다. 전극층(37)은 동일한 물질을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질을 포함할 수도 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
절연막(38)은 상술한 복수의 반도체층 및 전극층들의 외면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 절연막(38)은 적어도 발광층(36)의 외면을 둘러싸도록 배치되고, 발광 소자(30)가 연장된 일 방향으로 연장될 수 있다. 절연막(38)은 상기 부재들을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 절연막(38)은 상기 부재들의 측면부를 둘러싸도록 형성되되, 발광 소자(30)의 길이방향의 양 단부는 노출되도록 형성될 수 있다.
도면에서는 절연막(38)이 발광 소자(30)의 길이방향으로 연장되어 제1 반도체층(31)으로부터 전극층(37)의 측면까지 커버하도록 형성된 것을 도시하고 있으나, 이에 제한되지 않는다. 절연막(38)은 발광층(36)을 포함하여 일부의 반도체층의 외면만을 커버하거나, 전극층(37) 외면의 일부만 커버하여 각 전극층(37)의 외면이 부분적으로 노출될 수도 있다. 또한, 절연막(38)은 발광 소자(30)의 적어도 일 단부와 인접한 영역에서 단면상 상면이 라운드지게 형성될 수도 있다.
절연막(38)의 두께는 10nm 내지 1.0㎛의 범위를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 바람직하게는 절연막(38)의 두께는 40nm 내외일 수 있다.
절연막(38)은 절연특성을 가진 물질들, 예를 들어, 실리콘 산화물(Silicon oxide, SiOx), 실리콘 질화물(Silicon nitride, SiNx), 산질화 실리콘(SiOxNy), 질화알루미늄(Aluminum nitride, AlN), 산화알루미늄(Aluminum oxide, AlxOy) 등을 포함할 수 있다. 절연막(38)은 절연 특성을 가진 물질들의 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다. 이에 따라 발광층(36)이 발광 소자(30)에 전기 신호가 전달되는 전극과 직접 접촉하는 경우 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(38)은 발광층(36)을 포함하여 발광 소자(30)의 외면을 보호하기 때문에, 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
또한, 절연막(38)은 외면이 표면처리될 수 있다. 발광 소자(30)는 소정의 잉크 내에서 분산된 상태로 전극 상에 분사되어 정렬될 수 있다. 여기서, 발광 소자(30)가 잉크 내에서 인접한 다른 발광 소자(30)와 응집되지 않고 분산된 상태를 유지하기 위해, 절연막(38)은 표면이 소수성 또는 친수성 처리될 수 있다. 예를 들어, 절연막(38)은 스테아릭 산(Stearic acid), 2,3-나프탈렌 디카르복실산(2,3-Naphthalene dicarboxylic acid) 등과 같은 물질로 외면이 표면처리될 수 있다.
한편, 상술한 표시 장치(10)는 비표시 영역(NDA)의 패드부(PDA)에 인쇄 회로 기판(COF)이 결합되고 패드부(PDA)를 덮는 프레임(DF)이 배치될 수 있다. 패드부(PDA) 상에는 인쇄 회로 기판(COF) 상에 배치되어 인쇄 회로 기판(COF)과 기판(11) 사이의 박리력을 강화시키고 투습을 방지하는 커버층(COL)이 배치될 수 있다. 커버층(COL)은 패드부(PDA) 상에 도포되고 UV 광 경화하여 제조될 수 있다. 그러나, 프레임(DF)이 커버층(COL)을 둘러싸고 있어 UV 광이 커버층(COL)의 안쪽까지 도달하지 못하여 미경화될 수 있다. 이로 인해 인쇄 회로 기판(COF)과 패드부(PDA) 간의 박리력이 약화되고 투습이 발생할 수 있다.
이하, 표시 장치(10)의 커버층(COL)의 미경화를 방지할 수 있는 표시 장치(10)를 설명한다.
도 7은 도 1의 AA-AA'선을 따라 자른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 8은 도 7의 A 영역을 확대한 도면이다. 도 9는 프레임을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 10은 일 실시예에 따른 표시 장치의 반사층을 나타낸 단면도이다. 도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(10)는 기판(11) 상에 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)가 배치될 수 있다. 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)는 기판(11)의 표시 영역(DPA) 상에 배치될 수 있다.
기판(11)의 패드부(PDA) 상에는 패드 전극층(PEL), 인쇄 회로 기판(COF), 커버층(COL) 및 프레임(DF)이 배치될 수 있다. 패드 전극층(PEL)은 기판(11) 상에 배치되며, 복수 개로 배치될 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)은 패드 전극층(PEL)에 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)과 패드 전극층(PEL)은 이방성 도전필름(Anisotropic conductive film, ACF)과 같은 접착성 도전 부재를 통해 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)의 일부는 기판(11)의 패드부(PDA)와 중첩되어 연장될 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)의 나머지 일부는 기판(11)으로부터 외부로 연장되어 유연성을 가지고 휘어질 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)의 나머지 일부는 메인 회로 보드에 연결될 수 있다.
프레임(DF)은 기판(11)의 패드부(PDA) 상에 배치될 수 있다. 프레임(DF)은 기판(11)의 패드부(PDA)가 시인되는 것을 방지할 수 있다. 구체적으로, 프레임(DF)은 패드부(PDA) 상에 배치된 패드 전극층(PEL) 및 인쇄 회로 기판(COF)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 이를 위해, 프레임(DF)은 패드부(PDA)와 중첩될 수 있으며, 패드 전극층(PEL)에 결합된 인쇄 회로 기판(COF)을 커버할 수 있다.
프레임(DF)은 사용자에게 시인되는 것을 방지하기 위해, 광을 흡수 또는 차단할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 프레임(DF)은 블랙의 염료나 안료를 포함하는 플라스틱(plastic)으로 이루어지거나, 흑색의 금속으로 이루어질 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니다.
도 9에 도시된 바와 같이, 프레임(DF)은 양단부가 구부러진 바(bar) 형상으로 이루어질 수 있다. 프레임(DF)의 길이 방향과 수직하는 방향으로의 단면 형상은 바 형상으로 이루어질 수 있다. 프레임(DF)은 반사 방지 부재(45)의 측면과 컨택할 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며 프레임(DF)과 반사 방지 부재(45)는 서로 이격될 수도 있다. 프레임(DF)의 상면은 반사 방지 부재(45)의 상면과 나란하며, 상호 정렬되어 일치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예에서 프레임(DF)의 상면은 반사 방지 부재(45)의 상면보다 기판(11)에 더 인접하도록 배치될 수도 있거나, 제3 방향(DR3)으로 더 돌출되도록 배치될 수도 있다. 프레임(DF)의 양단부는 커버층(COL)이 흘러내리지 않도록 상면과 교차하는 방향으로 구부러진 형상으로 이루어질 수 있다.
기판(11)의 패드부(PDA)와 프레임(DF) 사이에 커버층(COL)이 배치될 수 있다. 커버층(COL)은 상술한 것처럼 인쇄 회로 기판(COF)과 기판(11) 사이의 박리력을 강화시키고 투습을 방지하는 역할을 할 수 있다. 커버층(COL)은 기판(11)과 인쇄 회로 기판(COF)을 덮을 수 있다. 커버층(COL)은 기판(11) 상에 배치된 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML) 및 파장 변환층(WLCL) 중 적어도 하나의 측면과 컨택할 수 있고, 기판(11)과 컨택할 수 있다. 또한, 커버층(COL)은 패드부(PDA)와 중첩하는 인쇄 회로 기판(COF)의 상면 및 측면에 컨택할 수 있다. 커버층(COL)의 외측은 프레임(DF)의 외측과 상호 정렬되어 일치될 수 있다. 커버층(COL)은 UV 광 경화되어 도 8에 도시된 바와 같은 형상을 이룰 수 있다.
커버층(COL)은 레진(resin)을 포함할 수 있다. 커버층(COL)은 예를 들어 투명한 유기 레진을 포함할 수 있으며, 유기 레진은 UV 광 경화성 접착 물질일 수 있다. 유기 레진은 UV 광에 의해 경화되는 물질일 수 있다. 예시적인 실시예에서 유기 레진은 고분자, 올리고머, 모노머 등을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 일 실시예에서 프레임(DF)의 일면에는 반사층(RFL)이 배치될 수 있다. 반사층(RFL)은 커버층(COL)을 경화하기 위한 UV 광을 반사하는 역할을 할 수 있다. 반사층(RFL)은 프레임(DF)의 일면, 예를 들어, 기판(11)과 마주보는 프레임(DF)의 하면에 직접 배치될 수 있다.
반사층(RFL)은 광을 반사하기 위해 무기물, 유기물 또는 금속 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 반사층(RFL)은 반사율이 우수한 금속층으로 이루어질 수 있다. 금속층은 알루미늄(Al), 은(Ag) 등 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있으며 이에 제한되지 않는다. 다른 예시적인 실시예에서 반사층(RFL)은 반사율이 높은 유기물로 이루어질 수 있다. 유기물은 예를 들어 PET, PI, PC 등으로 이루어질 수 있으며 이에 제한되지 않는다.
도 10에 도시된 바와 같이, 또 다른 예시적인 실시예에서 반사층(RFL)은 굴절율이 서로 다른 다층 구조로 이루어질 수 있다. 반사층(RFL)은 고굴절층(HL)과 저굴절층(LL)이 교번하여 반복 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 고굴절층(HL)은 굴절율(n1)이 2.0 이상인 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 산화 티탄(TiO2)을 포함할 수 있다. 저굴절층(LL)은 굴절율(n2)이 1.6 이하인 물질을 포함할 수 있으며, 예를 들어 실리콘 산화물(SiO2)을 포함할 수 있다. 다만 이에 제한되는 것은 아니다. 반사층(RFL)은 고굴절층(HL)과 저굴절층(LL)이 반복 적층되므로, 반사층(RFL)으로 입사되는 광이 고굴절층(HL)과 저굴절층(LL)에서 전반사가 반복적으로 이루어져 반사될 수 있다.
반사층(RFL)은 UV 광이 커버층(COL)에 전체적으로 조사될 수 있도록 소정의 두께를 가질 수 있다. 반사층(RFL)은 20 내지 1000nm의 두께로 이루어질 수 있다. 반사층(RFL)의 두께가 20nm 이상이면 반사층(RFL)의 반사율을 증가시킬 수 있고, 1000nm 이하이면 반사층(RFL)과 인쇄 회로 기판(COF) 사이의 공간을 확보하여 UV 광이 커버층(COL에 전체적으로 조사될 수 있게 할 수 있다.
커버층(COL)은 표시 장치(10)의 측면에서 UV 광을 조사하여 경화될 수 있다. 이 경우, 커버층(COL) 중에서 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 또는 반사 방지 부재(45)에 인접한 영역에 UV 광이 도달하기 어려울 수 있다. 본 실시예에서는 프레임(DF)의 일면에 반사층(RFL)을 구비함으로써, 표시 장치(10)의 측면에서 조사되는 UV 광을 반사층(RFL)과 인쇄 회로 기판(COF) 사이에서 반사시킬 수 있다. 이에 따라, 커버층(COL)의 전체적인 영역에 UV 광이 도달하여 커버층(COL)의 경화율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 인쇄 회로 기판(COF)의 박리력을 개선하고 투습을 방지할 수 있다.
한편, 도 11을 참조하면, 프레임(DF)은 길이 방향과 수직하는 방향으로의 단면 형상이 'ㄱ'자 형상으로도 이루어질 수 있다.
구체적으로, 프레임(DF)은 상면(TS)과 측면(SS)을 포함할 수 있다. 상면(TS)은 기판(11)과 나란한 면이며, 측면(SS)은 상면(TS)으로부터 교차하는 제3 방향(DR3)의 반대 방향으로 구부러진 면일 수 있다. 측면(SS)은 기판(11)의 측면과 마주보는 면일 수 있다.
프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 반사층(RFL)이 배치될 수 있다. 반사층(RFL)은 프레임(DF)의 상면(TS)으로부터 측면(SS)까지 연장되어 배치될 수 있다. 커버층(COL)은 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS), 기판(11) 및 인쇄 회로 기판(COF)이 구획하는 공간 내에 채워진 형상으로 배치될 수 있다.
도 11의 실시예에서는, 기판(11)의 측면에서 조사되는 UV 광이 프레임(DF)의 측면(SS)에 배치된 반사층(RFL)과 인쇄 회로 기판(COF)을 통해 반사되어 커버층(COL)의 내부까지 도달할 수 있다. 또한, 커버층(COL)의 내부에서는 인쇄 회로 기판(COF)과 프레임(DF)의 상면(TS)에 배치된 반사층(RFL) 사이에서 UV 광이 반사되어 커버층(COL)의 안쪽까지 전체적으로 도달될 수 있다. 따라서, 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 반사층(RFL)을 형성함으로써, UV 광이 커버층(COL) 전체에 조사되어 커버층(COL)의 경화율을 개선할 수 있다.
도 12 및 도 13은 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도들이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 실시예에서는 반사층(RFL) 상에 보호층(PRL)이 더 배치된다는 점에서 상술한 도 7 내지 도 11의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
반사층(RFL)의 일면에 보호층(PRL)이 배치될 수 있다. 보호층(PRL)은 반사층(RFL)의 일면, 예를 들어 기판(11)과 마주보는 반사층(RFL)의 하면에 배치될 수 있다. 보호층(PRL)은 커버층(COL)에 의해 프레임(DF) 및 반사층(RFL)이 용해되는 것을 방지할 수 있다. 프레임(DF) 및 반사층(RFL)이 유기물로 이루어진 경우, 커버층(COL)의 유기물과 반응하여 용해 반응이 발생할 수 있다. 본 실시예에서는 반사층(RFL)의 일면에 보호층(PRL)을 배치함으로써, 커버층(COL)에 의해 프레임(DF) 및 반사층(RFL)이 용해되는 것을 방지할 수 있다.
보호층(PRL)은 프레임(DF) 및 반사층(RFL)의 용해를 방지하기 위해 고분자 물질을 포함할 수 있다. 고분자 물질로는 예를 들어, PET, 아크릴레이트 또는 에폭시를 포함할 수 있다. 커버층(COL)이 실리콘계, 아크릴계, 에폭시계 등으로 이루어진 경우, 보호층(PRL)은 커버층(COL)에 의해 용해되지 않음으로써, 프레임(DF) 및 반사층(RFL)이 커버층(COL)에 의해 용해되는 것을 방지할 수 있다.
도 13을 참조하면, 프레임(DF)이 상면(TS)과 측면(SS)을 포함하는 구조에서, 반사층(RFL)은 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 배치될 수 있다. 프레임(DF)과 반사층(RFL)을 보호하기 위해, 보호층(PRL)은 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 배치된 반사층(RFL) 상에 배치될 수 있다. 즉, 보호층(PRL)은 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 배치될 수 있다.
이에 따라, 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 반사층(RFL)을 형성하고, 반사층(RFL) 상에 보호층(PRL)을 형성함으로써, UV 광이 커버층(COL) 전체에 조사되어 커버층(COL)의 경화율을 개선하고, 커버층(COL)에 의해 프레임(DF)과 반사층(RFL)이 용해되는 것을 방지할 수 있다.
도 14는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 도 15는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 반사층을 나타낸 단면도이다. 도 16은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 14 내지 도 16을 참조하면, 본 실시예에서 반사층(RFL)은 돌출 구조물(PTS)을 포함한다는 점에서 상술한 도 7 내지 도 13의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
상술한 실시예들에서는 반사층(RFL)의 재료적인 반사 특성을 이용하였지만, 본 실시예에서는 반사층(RFL)의 구조적인 반사 특성을 이용할 수 있다.
구체적으로, 반사층(RFL)의 일면에는 돌출 구조물(PTS)을 포함할 수 있다. 돌출 구조물(PTS)은 기판(11)과 마주보는 반사층(RFL)의 일면 상에 배치될 수 있다. 돌출 구조물(PTS)은 단면 형상이 반원, 삼각형 또는 사다리꼴 등의 다각형으로 이루어질 수 있다.
도 14에 도시된 바와 같이, 돌출 구조물(PTS)은 단면 형상이 반원 형상일 수 있다. 돌출 구조물(PTS)은 예를 들어 마이크로 렌즈(microlens) 또는 렌티큘러 렌즈(lenticular lens)일 수 있다.
다른 예시적인 실시예에서 도 15에 도시된 바와 같이, 돌출 구조물(PTS)은 단면 형상이 삼각형 형상일 수 있다.(도 15의 (a)) 또한, 돌출 구조물(PTS)은 단면 형상이 사다리꼴 형상일 수도 있다.(도 15의 (b))
반사층(RFL)은 커버층(COL)의 굴절율과 다른 굴절율을 가진 물질을 포함할 수 있다. 반사층(RFL)과 커버층(COL)의 굴절율에 차이가 있으면, 돌출 구조물(PTS)과 커버층(COL)의 계면에서 돌출 구조물(PTS)의 형상에 의해 UV 광이 반사될 수 있다.
본 실시예에서는 반사층(RFL)이 돌출 구조물(PTS)을 포함함으로써, UV 광이 커버층(COL) 전체에 조사되어 커버층(COL)의 경화율을 개선할 수 있다.
또한, 도 16을 참조하면, 프레임(DF)이 상면(TS)과 측면(SS)을 포함하는 구조에서, 반사층(RFL)은 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 배치될 수 있다. 기판(11)의 측면에서 조사되는 UV 광이 프레임(DF)의 측면(SS)에 배치된 반사층(RFL)과 인쇄 회로 기판(COF)을 통해 반사되어 커버층(COL)의 내부까지 도달할 수 있다. 또한, 커버층(COL)의 내부에서는 인쇄 회로 기판(COF)과 프레임(DF)의 상면(TS)에 배치된 반사층(RFL) 사이에서 UV 광이 반사되어 커버층(COL)의 안쪽까지 전체적으로 도달될 수 있다. 따라서, 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)에 반사층(RFL)을 형성함으로써, UV 광이 커버층(COL) 전체에 조사되어 커버층(COL)의 경화율을 개선할 수 있다.
도 17 및 도 18은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 실시예에서 반사층(RFL)은 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML) 및 파장 변환층(WLCL)의 측면에 연장되어 배치된다는 점에서 상술한 도 7 내지 도 16의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
반사층(RFL)은 프레임(DF)의 일면 상에 배치되며, 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML) 및 파장 변환층(WLCL)의 측면에 연장되어 배치될 수 있다. 구체적으로, 반사층(RFL)은 프레임(DF)의 일면, 트랜지스터층(TFTL)의 측면, 발광 소자층(EML)의 측면, 및 파장 변환층(WLCL)의 측면에 컨택할 수 있다. 다만 이에 제한되지 않으며, 트랜지스터층(TFTL)의 측면, 발광 소자층(EML)의 측면, 및 파장 변환층(WLCL)의 측면 중 적어도 하나 이상에 반사층(RFL)이 컨택할 수도 있다. 또한, 반사층(RFL)은 기판(11)으로 연장되어 기판(11)의 상면과 컨택할 수 있다.
이 경우, 커버층(COL)을 경화하기 위해 조사되는 UV 광은 커버층(COL)의 안쪽, 즉 트랜지스터층(TFTL)의 측면, 발광 소자층(EML)의 측면, 및 파장 변환층(WLCL)의 측면에 배치된 반사층(RFL)에서 반사 및 재반사될 수 있다. 이에 따라, 커버층(COL) 전체에 UV 광이 조사되어 커버층(COL)의 반사율을 개선할 수 있다.
도 19는 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 19를 참조하면, 본 실시예에서 제1 반사층(RFL1)은 프레임(DF)의 일면에 배치되고 제2 반사층(RFL2)은 인쇄 회로 기판(COF)의 일면에 배치된다는 점에서 상술한 도 7 내지 도 18의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
프레임(DF)의 일면 상에 제1 반사층(RFL1)이 배치되고, 인쇄 회로 기판(COF)의 일면 상에 제2 반사층(RFL2)이 배치될 수 있다. 제1 반사층(RFL1)은 상술한 실시예들과 동일하므로 설명을 생략한다.
제2 반사층(RFL2)은 인쇄 회로 기판(COF)의 일면, 즉 프레임(DF)과 마주보는 인쇄 회로 기판(COF)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 인쇄 회로 기판(COF)은 자체적으로 약 40% 정도의 반사율을 나타내고 있으나, 본 실시예에서는 반사율을 더 증가시키기 위해 인쇄 회로 기판(COF)의 일면에 제2 반사층(RFL2)을 형성할 수 있다.
도 19에서는 인쇄 회로 기판(COF)의 상면에 제2 반사층(RFL2)이 배치된 것을 예로 도시하였지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 예시적인 실시예에서, 제2 반사층(RFL2)은 트랜지스터층(TFTL)의 측면과 마주보는 인쇄 회로 기판(COF)의 측면에도 배치될 수 있다.
본 실시예에서는 기판(11)의 측면에서 조사되는 UV 광이 프레임(DF)에 배치된 제1 반사층(RFL1)과 인쇄 회로 기판(COF)에 배치된 제2 반사층(RFL2)을 통해 반사되어 커버층(COL)의 내부까지 도달할 수 있다. 따라서, UV 광이 커버층(COL) 전체에 조사되어 커버층(COL)의 경화율을 개선할 수 있다.
도 20 및 도 21은 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20 및 도 21을 참조하면, 본 실시예에서 프레임(DF)의 상면(TS)과 측면(SS)이 이루는 모서리(CS)가 라운드 또는 복수의 둔각을 이룬다는 점에서 상술한 도 7 내지 도 19의 실시예와 차이가 있다. 이하, 상술한 실시예와 동일한 구성에 대해 설명을 생략하고 차이점에 대해 설명하기로 한다.
프레임(DF)은 상면(TS) 및 측면(SS)을 포함하고, 상면(TS)과 측면(SS) 사이의 모서리(CS)를 더 포함할 수 있다. 모서리(CS)는 라운드진 형상으로 이루어질 수 있다. 모서리(CS)가 라운드 형상으로 이루어지면, 커버층(COL)을 경화하기 위해 조사되는 UV 광의 반사 각도를 더 굴절시켜 커버층(COL)의 안쪽까지 UV 광이 도달할 수 있다.
또한, 모서리(CS)는 복수의 둔각을 이룰 수 있다. 도 21에 도시된 바와 같이, 상면(TS)과 모서리(CS)가 이루는 제1 각도(θ1)와 측면(SS)과 모서리(CS)가 이루는 제2 각도(θ2)는 각각 둔각으로 이루어질 수 있다. 모서리(CS)가 복수의 둔각을 가지는 경우, 커버층(COL)을 경화하기 위해 조사되는 UV 광의 반사 각도를 더 굴절시켜 커버층(COL)의 안쪽까지 UV 광이 도달할 수 있다.
이에 따라, 커버층(COL) 전체에 UV 광이 도달하여 커버층(COL)의 경화율을 개선할 수 있다.
이하, 상술한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 22 내지 도 28은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 공정별로 나타낸 단면도들이다.
도 22 내지 도 28은 상술한 도 8에 도시된 표시 장치에 대응할 수 있다. 하기 제조 방법의 설명에서는 각 층들의 물질은 상술하였으므로 생략하기로 한다.
먼저 도 22를 참조하면, 기판(11) 상에 트랜지스터층(TFTL), 발광 소자층(EML), 파장 변환층(WLCL) 및 반사 방지 부재(45)를 형성한다. 그리고, 기판(11)의 패드부(PDA)의 패드 전극층(PEL)에 인쇄 회로 기판(COF)을 결합한다.
이어, 반사 방지 부재(45) 상에 UV 테이프(UVT)를 부착한다. UV 테이프(UVT)는 기판(11)의 상부에 배치된 반사 방지 부재(45)를 후술하는 몰드(MD)에 일시적으로 접착 및 고정하는 역할을 할 수 있다. 반사 방지 부재(45)가 UV 테이프(UVT)를 통해 몰드(MD)에 고정되면, 기판(11) 전체가 몰드(MD)에 고정될 수 있다. UV 테이프(UVT)는 반사 방지 부재(45)와 몰드(MD)를 고정하는 접착 테이프처럼 작용하다가, UV가 조사되면 이형 기능을 나타내어 반사 방지 부재(45)와 몰드(MD)를 쉽게 탈착될 수 있다.
다음, 도 23을 참조하면, 몰드(MD)를 준비한다. 몰드(MD)는 상술한 기판(11)의 구조물에 대응하도록 일면에 단차들이 형성될 수 있다. 몰드(MD)는 플라스틱 또는 금속 물질로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서는 몰드(MD)를 예로 설명하지만 몰드(MD) 대신에 스테이지를 이용할 수도 있다.
몰드(MD)의 일면에 이형층(PTT)을 형성한다. 구체적으로, 몰드(MD)의 일면에 F계 수지를 코팅하여 이형층(PTT)을 형성한다. 이형층(PTT)은 몰드(MD) 표면에서 접착과 탈착이 용이하게 역할을 할 수 있다.
이어, 도 24를 참조하면, 프레임(DF)을 준비한다. 프레임(DF)은 블랙 염료가 포함된 고분자를 포함하는 테이프(tape)일 수 있다. 프레임(DF)의 일면 상에 반사층(RFL)을 형성한다. 반사층(RFL)은 스퍼터링, 증착, 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다.
다음, 도 25를 참조하면, 몰드(MD)의 일면 상에 반사층(RFL)이 형성된 프레임(DF)을 안착시킨다. 이때, 반사층(RFL)이 바깥을 향하도록 프레임(DF)을 몰드(MD) 상에 배치시킨다. 프레임(DF)은 몰드(MD)에 접착 및 고정되지 않고 일시적으로 안착될 수 있다.
이어, 도 26을 참조하면, 앞서 제조된 표시 장치(10)를 몰드(MD)에 접착시킨다. 구체적으로, 표시 장치(10)의 UV 테이프(UVT)와 몰드(MD)의 이형층(PTT)이 접착됨으로써, 표시 장치(10)와 몰드(MD)가 서로 결합될 수 있다. 도면에서는 표시 장치(10)가 하부에 배치되고 몰드(MD)가 표시 장치(10) 상부에 배치되어 이들을 결합하는 것을 도시하였지만, 이에 제한되지 않고 몰드(MD)가 표시 장치(10)의 하부에 배치하여 서로 결합될 수 있다.
다음, 도 27을 참조하면, 인쇄 회로 기판(COF)과 몰드(MD) 사이의 공간으로 커버층 물질을 도포한다. 커버층 물질은 코팅, 디스펜싱 등의 방법으로 도포할 수 있다.
이어, 기판(11)의 측면에서 인쇄 회로 기판(COF)과 몰드(MD) 사이의 공간에 배치된 커버층 물질에 UV 광 조사기(UVD)를 통해 UV 광을 조사한다. UV 광은 인쇄 회로 기판(COF)과 몰드(MD) 사이에서 반사되어 진행되고 프레임(DF)의 일면에 배치된 반사층(RFL)과 인쇄 회로 기판(COF) 사이에서 반사되어 커버층 물질 전체에 도달할 수 있다. UV 광은 수십 초 내지 수십 분 동안 조사될 수 있으며, 커버층 물질이 완전히 경화될 수 있도록 충분히 조사될 수 있다. 이로써, 커버층(COL)이 형성되고, 프레임(DF)과 기판(11)은 커버층(COL)에 의해 결합될 수 있다.
다음, 도 28을 참조하면, UV 테이프(UVT)에 UV 광을 조사한 후, 몰드(MD)를 표시 장치(10)로부터 탈착함으로써, 본 발명의 표시 장치(10)를 제조할 수 있다. 상술한 것처럼 UV 테이프(UVT)는 UV 광이 조사되면 이형 특성을 나타내므로, UV 테이프(UVT)를 표시 장치(10)로부터 쉽게 탈착할 수 있다. 이로써, UV 테이프(UVT)에 의해 부착된 몰드(MD)를 표시 장치(10)로부터 분리시킬 수 있다.
상기와 같이, 실시예들에 따른 표시 장치 및 그 제조 방법은 프레임(DF)의 일면에 반사층(RFL)을 형성함으로써, 커버층(COL)에 UV 광이 전체적으로 도달할 수 있어 커버층(COL)의 미경화를 개선할 수 있다. 이에 따라, 인쇄 회로 기판(COF)과 패드부(PDA) 간의 박리력을 향상시키고 투습이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 표시 장치 11: 기판
45: 반사 방지 부재 COF: 인쇄 회로 기판
TFTL: 트랜지스터층 EML: 발광 소자층
WLCL: 파장 변환층 MD: 몰드
DF: 프레임 RFL: 반사층
COL: 커버층 PRL: 보호층

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판의 일측에 부착된 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판과 대향하는 프레임;
    상기 기판과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 인쇄 회로 기판을 덮는 커버층; 및
    상기 프레임의 일면에 배치되며, 상기 프레임과 상기 커버층 사이에 배치된 제1 반사층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 유기물, 무기물 또는 금속 중 적어도 하나 이상을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 고굴절층과 저굴절층이 교번하여 반복 적층된 다층 구조로 이루어진 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 상기 커버층과 접하는 일면에 배치된 복수의 돌출 구조물을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 돌출 구조물의 단면 형상은 반원형, 삼각형 또는 사다리꼴 형상인 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반사층의 두께는 20 내지 1000nm로 이루어진 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 커버층은 UV 광 경화 물질을 포함하는 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 커버층은 상기 기판, 상기 프레임 및 상기 인쇄 회로 기판이 구획하는 공간 내에 채워진 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 프레임은 상기 프레임의 길이 방향과 수직하는 방향으로의 단면 형상이 바 형상으로 이루어진 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 프레임은 상기 기판과 나란한 상면 및 상기 상면으로부터 교차하는 방향으로 구부러진 측면을 포함하며,
    상기 제1 반사층은 상기 프레임의 상면과 측면에 배치되는 표시 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 반사층의 일면에 배치되며 상기 제1 반사층과 상기 커버층 사이에 배치된 보호층을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 프레임과 대향하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에 배치된 제2 반사층을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 표시 영역 및 패드부를 포함하는 기판;
    상기 기판의 상기 표시 영역 상에 배치된 트랜지스터층, 발광 소자층, 파장 변환층 및 반사 방지 부재;
    상기 기판의 상기 패드부에 부착된 인쇄 회로 기판;
    상기 인쇄 회로 기판과 대향하는 프레임;
    상기 기판과 상기 프레임 사이에 배치되며, 상기 인쇄 회로 기판을 덮는 커버층; 및
    상기 프레임의 일면에 배치되며, 상기 프레임과 상기 커버층 사이에 배치된 제1 반사층을 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 발광 소자층은 상기 트랜지스터층 상에 배치되며 상기 파장 변환층은 상기 발광 소자층 상에 배치되고 상기 반사 방지 부재는 상기 파장 변환층 상에 배치되며,
    상기 커버층은 상기 트랜지스터층, 상기 발광 소자층, 상기 파장 변환층 및 상기 반사 방지 부재 중 적어도 하나 이상과 컨택하는 표시 장치.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 프레임은 상기 반사 방지 부재의 측면과 컨택하는 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 상기 트랜지스터층, 상기 발광 소자층, 및 상기 파장 변환층 중 적어도 하나 이상과 컨택하는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 상기 기판으로 연장되어 상기 기판의 상면과 컨택하는 표시 장치.
  18. 인쇄 회로 기판이 부착된 기판을 형성하고, 상기 기판 상에 UV 테이프를 부착하는 단계;
    일면에 이형층이 형성된 몰드를 형성하는 단계;
    일면에 반사층이 형성된 프레임을 형성하는 단계;
    상기 프레임을 상기 몰드의 상기 이형층 상에 안착시키는 단계;
    상기 기판 상에 상기 UV 테이프를 통해 상기 몰드를 접착하는 단계;
    상기 기판과 상기 프레임 사이에 커버층 물질을 도포하고, UV 광을 조사하여 커버층을 형성하는 단계; 및
    상기 기판으로부터 상기 몰드를 탈착하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 커버층은 상기 UV 광에 의해 경화되어 형성되고, 상기 프레임과 상기 기판은 상기 커버층의 의해 결합되는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제18 항에 있어서,
    상기 몰드를 탈착하는 단계는, 상기 UV 테이프에 UV 광을 조사한 후 상기 몰드를 상기 기판으로부터 탈착시키는 표시 장치의 제조 방법.
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