KR20230072233A - 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 검사 대상물에 대한 검사 신뢰성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀 및 검사장치를 제공한다.
Description
본 발명은 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 전기적 특성 시험은 다수의 전기 전도성 접촉핀을 구비한 검사장치에 검사 대상물(반도체 웨이퍼 또는 반도체 패키지)을 접근시켜 전기 전도성 접촉핀을 검사 대상물상의 대응하는 외부 단자 (솔더볼 또는 범프 등)에 접촉시킴으로써 수행된다. 검사장치의 일례로는 프로브 카드 또는 테스트 소켓이 포함되나 이에 한정되는 것은 아니다.
종래 테스트 소켓에는 포고 타입 테스트 소켓과 러버 타입 테스트 소켓이 있다.
포고 타입 테스트 소켓에 사용되는 전기 전도성 접촉핀(이하, '포고 타입 소켓핀'이라 함)은 핀부와 이를 수용하는 배럴을 포함하여 구성된다. 핀부는 그 양단의 플런저 사이에 스프링 부재를 설치함으로써 필요한 접촉압 부여 및 접촉 위치의 충격 흡수가 가능하게 한다. 핀부가 배럴 내에서 슬라이드 이동하기 위해서는 핀부의 외면과 배럴 내면 사이에는 틈새가 존재해야 한다. 하지만, 이러한 포고 타입 소켓핀은 배럴과 핀부를 별도로 제작한 후 이들을 결합하여 사용하기 때문에, 필요 이상으로 핀부의 외면이 배럴의 내면과 이격되는 등 틈새 관리를 정밀하게 수행할 수 없다. 따라서 전기 신호가 양단의 플런저를 경유하여 배럴로 전달되는 과정에서 전기 신호의 손실 및 왜곡이 발생되므로 접촉 안정성이 일정하지 않다는 문제가 발생하게 된다. 또한 핀부는 검사 대상물의 외부 단자와의 접촉 효과를 높이기 위해 뾰족한 팁부를 구비한다. 뾰족한 형상의 팁부는 검사 후 검사 대상물의 외부 단자에 압입의 흔적 또는 홈을 발생시킨다. 외부 단자의 접촉 형상의 손실로 인하여, 비전검사의 오류를 발생시키고 솔더링 등의 이후 공정에서의 외부 단자의 신뢰성을 저하시키는 문제가 발생하게 된다.
한편, 러버 타입 테스트 소켓에 사용되는 전기 전도성 접촉핀(이하, '러버 타입 소켓 핀'이라 함)은, 고무 소재인 실리콘 러버 내부에 전도성 마이크로볼을 배치한 구조로, 검사 대상물(예를 들어, 반도체 패키지)을 올리고 소켓을 닫아 응력이 가해지면 금 성분의 전도성 마이크로 볼이 서로를 강하게 누르면서 전도도가 높아져 전기적으로 연결되는 구조이다. 하지만 이러한 러버 타입 소켓핀은 과도한 가압력으로 눌러줘야만 접촉 안정성이 확보된다는 점에서 문제가 있다.
한편 최근에는 반도체 기술의 고도화 및 고집적화에 따라 검사 대상물의 외부 단자들의 피치가 더욱 더 협피치화되고 있는 추세이다. 그런데 기존 러버 타입 소켓 핀은, 유동성의 탄성 물질 내에 도전성 입자가 분포되어 있는 성형용 재료를 준비하고, 그 성형용 재료를 소정의 금형 내에 삽입한 후, 두께방향으로 자기장을 가하여 도전성 입자들을 두께방향으로 배열하여 제작되기 때문에 자기장의 사이 간격이 좁아지면 도전성 입자들이 불규칙하게 배향되어 면방향으로 신호가 흐르게 된다. 따라서 기존 러버 타입 소켓 핀으로는 협피치 기술 트렌드에 대응하는데 한계가 있다.
또한, 포고 타입 소켓핀은, 배럴과 핀부를 별도로 제작한 후 이들을 결합하여 사용하기 때문에, 작은 크기로 제작하는데 어려움이 있다. 따라서 기존 포고 타입 소켓핀 역시 협피치 기술 트렌드에 대응하는데 한계가 있다.
따라서 최근의 기술 트렌드에 부합하여 검사 대상물에 대한 검사 신뢰성을 향상시킬 수 있는 새로운 유형의 전기 전도성 접촉핀 및 이를 구비하는 검사장치의 개발이 필요한 상황이다.
본 발명은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명은 검사 대상물에 대한 검사 신뢰성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀 및 검사장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하고 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 전기 전도성 접촉핀은, 제1접속부; 제2접속부; 길이방향으로 연장되는 지지부; 폭방향으로 연장되며 양측에서 상기 지지부에 연결되는 경계부; 상기 제1접속부와 상기 경계부를 연결하는 제1탄성부; 및 상기 제2접속부와 상기 경계부를 연결하는 제2탄성부;를 포함하고, 상기 제1탄성부가 압축됨에 따라 상기 제1접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하고, 상기 제2탄성부가 압축됨에 따라 상기 제2접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성한다.
또한, 상기 제2접속부는 상기 지지부의 내측에 위치하는 플랜지를 포함하며, 상기 플랜지는 상기 제2탄성부가 압축됨에 따라 상기 지지부의 내측면과 접촉 가능하다.
또한, 상기 제1접속부는, 상기 제1탄성부와 연결되는 베이스부; 및 상기 베이스부로부터 연장되는 적어도 2개의 돌출부를 포함한다.
또한, 상기 2개의 돌출부 사이에 구비되는 홈부를 포함한다.
또한, 상기 제1탄성부는, 일단부가 상기 제1접속부에 연결되고 타단부가 상기 경계부에 연결되는 제1-1탄성부; 및 상기 제1-1탄성부와 이격되어 배치되며 일단부가 상기 제1접속부에 연결되고 타단부가 상기 경계부에 연결되는 제1-2탄성부;를 포함한다.
또한, 상기 제1-1탄성부와 상기 제1-2탄성부는 좌우 대칭되는 형상으로 구비된다.
또한, 상기 지지부는, 일단부에 구비되는 제1걸림부; 및 타단부에 구비되는 제2걸림부를 포함한다.
또한, 복수개의 금속층이 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 적층되어 형성된다.
또한, 측면에 구비되는 미세 트렌치를 포함한다.
한편, 본 발명에 따른 검사 장치는, 제1접속부; 제2접속부; 길이방향으로 연장되는 지지부; 폭방향으로 연장되며 양측에서 상기 지지부에 연결되는 경계부; 상기 제1접속부와 상기 경계부를 연결하는 제1탄성부; 및 상기 제2접속부와 상기 경계부를 연결하는 제2탄성부;를 포함하고, 상기 제1탄성부가 압축되어 상기 제1접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하고, 상기 제2탄성부가 압축되어 상기 제2접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하는 전기 전도성 접촉핀; 및 상기 전기 전도성 접촉핀을 수용하는 관통홀을 구비하는 설치부재를 포함한다.
또한, 상기 지지부는 상기 관통홀의 길이보다 길게 형성되어 상기 지지부의 적어도 일부가 상기 관통홀의 외측으로 돌출된다.
또한, 상기 지지부는, 일단부에 구비되는 제1걸림부; 및 타단부에 구비되는 제2걸림부를 포함한다.
본 발명은 검사 대상물에 대한 검사 신뢰성을 향상시킨 전기 전도성 접촉핀 및 검사장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 평면도.
도 2는 본 발명의 바람지한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 전류 패스를 표현한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 설치부재의 사시도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 설치부재에 설치된 것을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치를 이용하여 검사대상물을 검사하는 것을 도시한 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀을 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 측면을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 바람지한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 전류 패스를 표현한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 설치부재의 사시도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 설치부재에 설치된 것을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치를 이용하여 검사대상물을 검사하는 것을 도시한 도면.
도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀을 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 측면을 도시한 도면.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로만 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한적이지 않는 것으로 이해되어야 한다.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시 도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 본 명세서에서 사용한 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 구체적으로 설명한다. 이하에서 다양한 실시예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 평면도이고, 도 2는 본 발명의 바람지한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 사시도이며, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 전류 패스를 표현한 도면이고, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 설치부재의 사시도이며, 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀이 설치부재에 설치된 것을 도시한 도면이고, 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 검사장치를 이용하여 검사대상물을 검사하는 것을 도시한 도면이며, 도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀을 도시한 도면이고, 도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법을 설명하는 도면이며, 도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀의 측면을 도시한 도면이다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 검사장치(10)에 구비되어 검사 대상물(400)과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다. 검사장치(10)는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다.
검사장치(10)는 전기 전도성 접촉핀(100)과, 전기 전도성 접촉핀(100)을 수용하는 관통홀을 구비하는 설치부재(200)를 포함한다,
전기 전도성 접촉핀(100)은 프로브 카드에 구비되는 프로브 핀일 수 있고, 테스트 소켓에 구비되는 소켓 핀일 수 있다. 이하에서는 전기 전도성 접촉핀(100)의 일례로서 소켓 핀을 예시하여 설명하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사 대상물(400)의 불량 여부를 확인하기 위한 핀이라면 모두 포함된다.
이하에서 설명하는 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향은 도면에 표기된 ±x방향이고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향은 도면에 표기된 ±y방향이고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향은 도면에 표기된 ±z방향이다.
전기 전도성 접촉핀(100)은, 길이 방향(±y 방향)으로 전체 길이 치수(L)를 가지고, 상기 길이 방향의 수직한 두께 방향(±z 방향)으로 전체 두께 치수(H)를 가지며, 상기 길이 방향의 수직한 폭 방향(±x 방향)으로 전체 폭 치수(W)를 가진다.
전기 전도성 접촉핀(100)은, 제1접속부(110), 제2접속부(120), 길이 방향으로 연장되는 지지부(130), 폭 방향으로 연장되며 양측에서 지지부(130)에 연결되는 경계부(140), 제1접속부(110)와 경계부(140)를 연결하는 제1탄성부(150) 및 제2접속부(120)와 경계부(140)를 연결하는 제2탄성부(160)를 포함한다.
제1탄성부(131)의 일단은 제1접속부(110)에 연결되고 타단은 경계부(140)에 연결된다. 제2탄성부(135)의 일단은 제2접속부(120)에 연결되고 타단은 경계부(140)에 연결된다.
제1접속부(110), 제2접속부(120), 지지부(130), 경계부(140), 제1탄성부(150) 및 제2탄성부(160)는 일체형으로 구비된다. 제1접속부(110), 제2접속부(120), 지지부(130), 경계부(140), 제1탄성부(150) 및 제2탄성부(160)는 도금 공정을 이용하여 한꺼번에 제작된다.
전기 전도성 접촉핀(100)은, 후술하는 바와 같이, 내부 공간(1100)을 구비하는 몰드(1000)를 이용하여 전기 도금으로 내부 공간(1100)에 금속 물질을 충진하여 형성되기 때문에, 제1접속부(110), 제2접속부(120), 지지부(130), 경계부(140), 제1탄성부(150) 및 제2탄성부(160)가 서로 연결되는 일체형으로 제작된다. 종래 전기 전도성 접촉핀은 배럴과 핀부를 별도로 제작한 후 이들을 조립 또는 결합하여 구비되는 것인 반면에, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 제1접속부(110), 제2접속부(120), 지지부(130), 경계부(140), 제1탄성부(150) 및 제2탄성부(160)를 도금 공정을 이용하여 한꺼번에 제작함으로써 일체형으로 구비된다는 점에서 구성상의 차이가 있다.
전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로의 각 단면에서의 형상은 동일하다. 다시 말해 동일한 단면 형상이 두께 방향으로 연장되어 형성된다.
전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수 개의 금속층이 적층되어 구비된다. 복수개의 금속층은, 제1금속층(101)과 제2금속층(102)을 포함한다.
제1금속층(101)은 제2금속층(102)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속으로서 바람직하게는, 로듐(Rd), 백금 (Pt), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 망간(Mn), 텅스텐(W), 인(Ph) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(PdNi) 합금 또는 니켈-인(NiPh) 합금, 니켈-망간(NiMn), 니켈-코발트(NiCo) 또는 니켈-텅스텐(NiW) 합금 중에서 선택된 금속으로 형성될 수 있다. 제2금속층(102)은 제1금속층(101)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속으로서 바람직하게는, 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중에서 선택된 금속으로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
제1금속층(101)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 하면과 상면에 구비되고 제2금속층(102)은 제1금속층(101) 사이에 구비된다. 예를 들어, 전기 전도성 접촉핀(100)은 제1금속층(101), 제2금속층(102), 제1금속층(101) 순으로 교대로 적층되어 구비되며, 적층되는 층수는 3층 이상으로 구성될 수 있다.
제1접속부(110)의 일단은 자유단이고 타단은 제1탄성부(131)에 연결되어 접촉압력에 의해 탄력적으로 수직 이동이 가능하다.
검사 대상물(400)을 검사할 경우, 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)는 제1접속부(110)의 상면에 접촉되면서 하향으로 이동한다. 이에 따라 제1접속부(110)와 연결된 제1탄성부(150)는 압축 변형된다. 제1접속부(110)가 하향 이동하면서 제1접속부(110)는 지지부(130)와 접촉된다.
제1접속부(110)의 측면에는 폭 방향 내측으로 움푹 들어간 확폭부(114)를 구비한다. 확폭부(114)의 구성을 통해 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)가 제1접속부(110)에 접촉하기 전에는 제1접속부(110)와 지지부(130)는 서로 이격된 상태이다. 제1접속부(110)와 지지부(130)가 서로 이격된 상태이기 때문에 접속 단자(410)의 가압력이 작용할 때에 제1탄성부(150)는 보다 쉽게 압축 변형될 수 있다. 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)가 제1접속부(110)에 접촉되어 소정 거리만큼 하향 이동하면 제1접속부(110)와 지지부(130) 사이의 간격은 점차 줄어들게 되면서 제1접속부(110)의 측면이 지지부(130)와 접촉된다. 이처럼 접속 단자(410)의 가압력에 의해 제1탄성부(150)가 압축됨에 따라 제1접속부(110)는 지지부(130)에 접촉되어 전류 패스를 형성하게 된다.
제1접속부(110)는 제1탄성부(131)와 연결되는 베이스부(111)와, 베이스부(111)로부터 상방향으로 연장되는 돌출부(112)를 포함한다. 돌출부(112)는 적어도 2개 이상 구비될 수 있다.
복수개의 돌출부(112)를 통해, 제1접속부(110)와 접속단자(410)는 멀티-컨택이 이루어진다.
돌출부(112)의 상면은 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)의 하면에 밀착된다. 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)는 솔더 볼의 형태로 구비될 수 있으며, 이 경우 돌출부(112)의 상면은 적어도 일부가 곡률을 가지도록 형성되어 접속 단자(410)의 하면을 감싸듯이 밀착된다.
2개의 돌출부(112) 사이에는 홈부(113)가 구비된다. 제1접속부(110)와 외부 단자(410)가 서로 밀착되는 과정을 복수회에 걸쳐 수행되다 보면, 외부 단자(410)로부터 발생한 파티클이 돌출부(112)의 표면에 안착될 수 있다. 하지만 2개의 돌출부(112) 사이에 홈부(113)를 구성하고, 돌출부(112)의 상면을 홈부(113)측을 향해 경사진 형태로 구성함에 따라 파티클이 홈부(113)측으로 자연스럽게 유도된다. 그 결과 파티클이 돌출부(112)의 상면에 쌓이면서 전기적 접속을 방해하는 현상을 최소화하는 것이 가능하게 된다.
또한 제1접속부(110)가 하강하여 지지부(130)와 밀착된 이후에는, 홈부(113)의 구성을 통해 2개의 돌출부(112)의 단부가 서로 가까워지는 방향으로 오므려지게 하는 것이 가능함으로써 돌출부(112)가 접속 단자(410)에 보다 밀착될 수 있도록 한다. 홈부(114)는 상측에 위치하는 제1홈부(113a)와, 제1홈부(113b)의 하부에서 제1홈부(113b)의 내부 폭 보다 작은 폭은 가지는 제2홈부(113b)를 포함하여 구성될 수 있다. 이를 통해 제2홈부(113b)의 바닥면을 기준으로 2개의 돌출부(112)가 보다 쉽게 오므려지도록 하는 것이 가능하게 된다. 또한 제1홈부(113a) 및 제2홈부(113b)의 이중 홈의 구조를 통해 2개의 돌출부(112)의 강성이 저하되는 것을 방지한다.
제2접속부(120)의 일단은 자유단이고 타단은 제2탄성부(135)에 연결되어 접촉 압력에 의해 탄력적으로 수직 이동이 가능하다.
제2접속부(120)는 제2탄성부(160)와 연결되는 바디부(121)와, 바디부(121)로부터 연장되어 지지부(130)의 내측에 위치하는 플랜지(123)를 포함한다. 플랜지(123)는 제2탄성부(160)가 압축됨에 따라 지지부(130)의 내측면과 접촉 가능하다.
바디부(121)에는 오목부(122)가 구비된다. 오목부(122)의 양측은 하부로 돌출되는 접점을 형성함으로써 제2접속부(120)와 접속패드(310)는 멀티-컨택이 이루어진다.
플랜지(123)는 지지부(130)와 서로 이격된 상태에서 지지부(130)와 나란한 방향으로 바디부(121)의 측부에서 상측으로 연장되어 형성된다.
플랜지(123)는 폭 방향을 기준으로 지지부(130)와 제2탄성부(160) 사이에 위치한다.
지지부(130)는 플랜지(123)의 위치와 대응되는 위치에 형성된 박육부(134)와, 박육부(134)의 상부에 박육부(134)의 폭 보다 큰 폭을 가지는 후육부(133)를 포함한다. 지지부(130)의 외측은 지지부재(200)의 관통홀(210)의 내벽에 밀착되기 때문에 수직한 형태로 구비되는 반면에, 지지부(130)의 내측은 폭이 서로 다른 박육부(134)와 후육부(133)를 가진다. 박육부(134)는 후육부(133)에 비해 그 폭이 상대적으로 작은 부분이다. 지지부(130)의 내측은 박육부(134)와 후육부(133)의 구성에 의해, 하부에서 상부로 갈수록 지지부(130)의 폭이 커진다. 플랜지(123)가 상향 이동하면 박육부(134) 위치에서는 플랜지(123)는 지지부(130)와 이격되고 후육부(133) 위치에서는 플랜지(123)는 지지부(130)와 접촉하게 된다.
제2접속부(120)가 회로기판(300)의 접속 패드(310)에 접촉되어 가압되면 제2탄성부(160)가 압축 변형되면서 제2접속부(120)는 상향 이동하게 된다. 제2접속부(120)가 상향 이동하기 전에는 제2접속부(120)는 지지부(130)와 서로 이격된 상태이기 때문에 제2탄성부(160)의 압축 변형이 보다 쉽게 이루어진다. 제2접속부(120)가 소정 거리만큼 상향 이동하게 되면, 제2접속부(120)는 지지부(130)와 접촉하게 된다. 보다 구체적으로는 제2탄성부(160)가 압축 변형하기 전에는 제2접속부(120)의 플랜지(123)는 지지부(130)의 박육부(134)와 서로 이격된 상태이다. 제2탄성부(160)가 압축 변형되면 제2접속부(120)가 상승하게 되고 제2접속부(120)의 플랜지(123)는 후육부(133)와 접촉되게 된다. 이처럼 제2탄성부(160)가 압축됨에 따라 제2접속부(120)가 지지부(130)에 접촉되어 전류 패스를 형성한다.
지지부(130)는 좌측에 구비되는 제1지지부(141)와 우측에 구비되는 제2지지부(145)를 포함한다. 경계부(140)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭방향으로 연장되어 형성되며, 제1지지부(141)와 제2지지부(145)를 연결한다.
경계부(140)를 기준으로 지지부(130)의 상부 측과 하부 측은 서로에 대해 폭 방향으로 오므려지거나 벌려질 수 있다. 지지부(130)의 상부 측과 하부 측이 폭 방향으로 오므려지거나 벌려지는 구성을 통해 전기 전도성 접촉핀(100)을 설치부재(200)의 관통홀(210)에 삽입하여 설치하는 과정 및 교체하는 과정이 보다 쉽게 달성될 수 있다.
제1탄성부(131)는 경계부(140)를 기준으로 그 상부에 구비되고, 제2탄성부(135)는 경계부(140)를 기준으로 그 하부에 구비된다. 경계부(140)를 기준으로 제1탄성부(131) 및 제2탄성부(135)가 압축 또는 신장 변형된다. 경계부(140)는 제1,2지지부(141,145)에 고정되어 제1,2탄성부(131, 135)가 압축 변형될 때에 제1,2탄성부(141,145)의 위치 이동을 제한하는 기능을 수행하게 된다.
경계부(140)에 의해, 제1탄성부(131)가 구비되는 영역과 제2탄성부(135)가 구비되는 영역이 서로 구분이 된다. 따라서 상부로부터 유입된 이물질은 제2탄성부(135) 측으로 유입되지 못하고, 하부로부터 유입된 이물질 역시 제1탄성부(131)측으로 유입되지 못하게 된다. 이를 통해 지지부(130) 내측으로 유입된 이물질의 이동을 제한함으로써 이물질에 의해 제1,2탄성부(131, 135)의 작동이 방해되는 것을 방지할 수 있다.
제1지지부(141)와 제2지지부(145)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 길이 방향을 따라 형성되며, 제1지지부(141)와 제2지지부(145)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 폭 방향을 따라 연장되어 형성되는 경계부(140)에 일체로 연결된다. 제1,2탄성부(131, 135)는 경계부(140)를 통해 일체로 연결되면서, 전기 전도성 접촉핀(100)은 전체적으로 한 몸체로 구성된다.
제1,2탄성부(150, 160)는, 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로의 각 단면 형상이 모든 두께 단면에서 동일하다. 이는 도금 공정을 통해 전기 전도성 접촉핀(100)이 제작되기 때문에 가능하다.
제1,2탄성부(150,160)는 실질 폭(t)을 갖는 판상 플레이트가 S자 모양으로 반복적으로 절곡된 형태를 가지며, 판상 플레이트의 실질 폭(t)은 전체적으로 일정하다.
제1,2탄성부(131, 135)는 복수개의 직선부(153)와 복수개의 만곡부(154)가 교대로 접속되어 형성된다. 직선부(153)는 좌, 우로 인접하는 만곡부(154)를 연결하며, 만곡부(154)는 상, 하로 인접하는 직선부(153)를 연결한다. 만곡부(154)는 원호 형상으로 구비된다.
제1,2탄성부(131, 135)의 중앙 부위에는 직선부(153)가 배치되고 제1,2탄성부(131, 135)의 외측 부위에는 만곡부(154)가 배치된다. 직선부(153)는 폭 방향과 평행하게 구비되어 접촉압에 따른 만곡부(154)의 변형이 보다 쉽게 이루어지도록 한다.
경계부(140)와 연결되는 제1,2탄성부(131, 135)의 부분은 제1,2탄성부(131, 135)의 만곡부(154)이다. 이를 통해 제1,2탄성부(131,135)는 경계부(140)에 대해서 탄력을 유지한다.
제1탄성부(150)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 제1접속부(110)가 검사 대상물(400)의 접속 단자(410)와 안정적인 접촉이 가능할 정도의 압축량이 필요한 반면에, 제2탄성부(160)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 제2접속부(120)가 회로기판(300)의 접속패드(310)와 안정적인 접촉이 가능할 정도의 압축량이 필요하다. 따라서 제1탄성부(150)의 스프링 계수와 제2탄성부(160)의 스프링 계수는 서로 다를 수 있다. 예컨대, 제1탄성부(131)의 길이와 제2탄성부(160)의 길이는 서로 다르게 구비될 수 있다. 또는, 제1탄성부(150)의 폭 방향 치수와 제2탄성부(160)의 폭 방향 치수는 서로 다르게 구비될 수 있다.
또는, 제2탄성부(160)는 한 개로 구비되고 제1탄성부(150)는 적어도 2개 이상 구비될 수 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 제2탄성부(160)는 한 개로 구성되는 한편, 제1탄성부(150)는, 일단부가 제1접속부(110)에 연결되고 타단부가 경계부(140)에 연결되는 제1-1탄성부(151)와, 제1-1탄성부(151)와 이격되어 배치되며 일단부가 제1접속부(110)에 연결되고 타단부가 경계부(140)에 연결되는 제1-2탄성부(152)를 포함하여 구성된다. 이 경우 제1-1탄성부(151)와 제1-2탄성부(152)의 폭 방향 치수는 제2탄성부(160)의 폭 방향 치수보다 작게 형성될 수 있다.
제1-1탄성부(151)와 제1-2탄성부(152)는 좌우 대칭되는 형상으로 구비된다. 다시 말해 제1탄성부(151)와 제1-2탄성부(152) 사이의 축을 기준으로 제1-1탄성부(151)와 제1-2탄성부(152)는 대칭된다. 이를 통해 제1접속부(110)가 보다 안정적으로 수직 방향으로 변위될 수 있도록 한다.
검사 장치에 설치된 전기 전도성 접촉핀(100)이 설치부재(200)로부터 이탈되지 않도록 하기 위하여, 지지부(130)의 일단부에는 제1걸림부(131)가 구비하고 타단부에 제2걸림부(132)를 구비한다.
제1걸림부(131)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 하 방향으로의 이탈을 방지하고, 제2걸림부(132)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 상 방향으로의 이탈을 방지한다.
제1걸림부(131)는 폭 방향 내측으로 상향 경사진 경사부(131a)와, 폭 방향 외측으로 돌출된 돌출턱(131b)으로 구성된다. 경사부(131a)의 구성을 통해, 전기 전도성 접촉핀(100)을 설치부재(200)의 관통홀(210)에 삽입하는 것이 용이해진다. 또한, 돌출턱(131b)의 구성을 통해, 전기 전도성 접촉핀(100)이 관통홀(210)에 설치된 이후에 관통홀(210)의 하부로 빠지는 것을 방지한다.
제2걸림부(132)는 폭 방향 외측으로 돌출된 형태로 구성된다. 이를 통해 전기 전도성 접촉핀(100)의 상 방향 이동을 제한한다.
도 4를 참조하면, 설치부재(200)에는 관통홀(210)이 형성된다. 관통홀(210)은 사각 단면의 형상을 가지며, 전기 전도성 접촉핀(100)의 외곽 형상도 관통홀(210)의 단면 형상과 대응되게 사각 단면 형상을 가진다.
관통홀(210)의 단면과 전기 전도성 접촉핀(100)의 외곽 형상은 바람직하게는 직사각 형상으로 형성될 수 있다. 이를 통해 전기 전도성 접촉핀(100)이 90도 회전 상태에서 오삽입되는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 설치부재(200)의 관통홀(210)에 전기 전도성 접촉핀(100)이 삽입된 상태를 도시한 도면이다.
전기 전도성 접촉핀(100)이 관통홀(210)에 삽입된 상태에서 제2걸림부(132)가 설치부재(200)의 하면에 지지될 때까지 전기 전도성 접촉핀(100)을 상향으로 밀어올리면, 지지부(130)의 일부는 설치부재(200)의 상면으로부터 돌출된 상태가 된다. 지지부(130)는 관통홀(210)의 길이보다 길게 형성되어 지지부(130)의 적어도 일부가 관통홀(210)의 외측으로 돌출된다.
도 6 내지 도 8을 참조하면, 제1탄성부(150)와 제2탄성부(160)가 압축 변형하기 전에는 제1접속부(110)와 제2접속부(120)는 지지부(130)와 이격된 상태이다. 가압력에 의해 제1탄성부(150)와 제2탄성부(160)가 압축 변형을 하게 되면, 제1접속부(110)와 제2접속부(120)가 지지부(130)에 접촉됨에 따라, 제1접속부(110), 지지부(130) 및 제2접속부(120)로 이어지는 전류 패스가 형성된다.
또한, 가압력에 의해 제1탄성부(150)와 제2탄성부(160)가 압축 변형을 하게 되면, 제1접속부(110)와 제2접속부(120)가 지지부(130)의 내측과 밀착되면서 마찰력이 높아지게 된다. 제1탄성부(150)와 제2탄성부(160)에 가해지는 응력을 지지부(130)와의 마찰력으로 분산함으로써, 제1탄성부(150)와 제2탄성부(160)가 과도하게 변형되는 것을 방지하여 내구성을 향상시킨다.
검사 대상물(20)의 고주파 특성 검사를 효과적으로 대응하기 위해서는 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 길이(L)는 짧아야 한다. 이에 따라 제1,2탄성부(150, 160)의 길이도 짧아져야 한다. 하지만 제1,2탄성부(150, 160)의 길이가 짧아지게 되면 접촉압이 커지는 문제가 발생하게 된다. 제1,2탄성부(150, 160)의 길이를 짧게 하면서도 접촉압이 커지지 않도록 하려면, 제1,2탄성부(150, 160)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)을 작게 해야 한다. 그러나 제1,2탄성부(150, 160)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)을 작게 하면 제1,2탄성부(150, 160)가 쉽게 파손되는 문제를 발생하게 된다. 제1,2탄성부(150, 160)의 길이를 짧게 하면서도 접촉압이 커지지 않고 제1,2탄성부(150, 160)의 파손을 방지하기 위해서는 제1,2탄성부(150, 160)를 구성하는 판상 플레이트의 전체 두께 치수(H)를 크게 형성하여야 한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 판상 플레이트의 실질 폭(t)은 얇게 하면서도 판상 플레이트의 전체 두께 치수(H)는 크도록 형성된다. 즉, 판상 플레이트의 실질 폭(t) 대비 전체 두께 치수(H)가 크게 형성된다. 바람직하게는 전기 전도성 접촉핀(100)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t)이 5㎛ 이상 15㎛이하의 범위로 구비되고, 전체 두께 치수(H)는 70㎛ 이상 200㎛이하의 범위로 구비되되, 판상 플레이트의 실질 폭(t)과 전체 두께 치수(H)는 1:5 내지 1:30의 범위로 구비된다. 예를 들어, 판상 플레이트의 실질 폭은 실질적으로 10㎛로 형성되고, 전체 두께 치수(H)는 100㎛로 형성되어 판상 플레이트의 실질 폭(t)과 전체 두께 치수(H)는 1:10의 비율로 형성될 수 있다.
이를 통해 제1,2탄성부(150, 160)의 파손을 방지하면서도 제1,2탄성부(150, 160)의 길이를 짧게 하는 것이 가능하고 제1,2탄성부(150, 160)의 길이를 짧게 하더라도 적절한 접촉압을 갖도록 하는 것이 가능하다. 더욱이 제1,2탄성부(150, 160)를 구성하는 판상 플레이트의 실질 폭(t) 대비 전체 두께 치수(H)를 크게 하는 것이 가능함에 따라 제1,2탄성부(150, 160)의 앞, 뒤 방향으로 작용하는 모멘트에 대한 저항이 커지고 되고 그 결과 접촉 안정성이 향상된다.
제1,2탄성부(150, 160)의 길이를 짧게 하는 것이 가능함에 따라, 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)와 전체 길이 치수(L)는 1:3 내지 1:9의 범위로 구비된다. 바람직하게는 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 길이 치수(L)는 300㎛ 이상 2㎜하의 범위로 구비될 수 있으며, 보다 바람직하게는 450㎛ 이상 600㎛이하의 범위로 구비될 수 있다. 이처럼 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 길이 치수(L)를 짧게 하는 것이 가능하게 되어 고주파 특성에 대응하는 것이 용이하게 되고, 제1,2탄성부(150, 160)의 탄성 복원 시간이 단축됨에 따라 테스트 시간도 단축되는 효과를 발휘할 수 있게 된다.
또한, 전기 전도성 접촉핀(100)를 구성하는 판상 플레이트는 그 실질 폭(t)이 두께(H) 보다 작은 크기로 형성됨에 따라 전, 후 방향으로의 굽힘 저항력이 향상된다.
전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 1:1 내지는 1:5의 범위로 구비된다. 바람직하게는 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)는 70㎛ 이상 200㎛이하의 범위로 구비되고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 폭 치수(W)는 100㎛ 이상 500㎛하의 범위로 구비될 수 있으며, 보다 바람직하게는 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 폭 치수(W)는 150㎛ 이상 400㎛이하의 범위로 구비될 수 있다. 이처럼 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 폭 치수(W)를 짧게 함으로써 협피치화하는 것이 가능하게 된다.
한편, 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이로 형성될 수 있다. 따라서 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이가 되도록 복수개의 전기 전도성 접촉핀(100)을 두께 방향으로 여러 개 접합할 필요가 없게 된다. 또한 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 실질적으로 동일한 길이로 형성하는 것이 가능하게 됨에 따라, 전기 전도성 접촉핀(100)의 앞, 뒤 방향으로 작용하는 모멘트에 대한 저항이 커지고 되고 그 결과 접촉 안정성이 향상된다. 더욱이 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)는 70㎛ 이상이면서 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)는 1:1 내지는 1:5의 범위로 구비되는 구성에 따르면 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체적인 내구성 및 변형 안정성이 향상되면서 접속 단자(410)와의 접촉 안정성이 향상된다. 또한 전기 전도성 접촉핀(100)의 전체 두께 치수(H)는 70㎛ 이상으로 형성됨에 따라 전류 운반 용량(Current Carrying Capacity)를 향상시킬 수 있게 된다.
종래 포토레지스트 몰드를 이용하여 제작되는 전기 전도성 접촉핀(100)은 전체 폭 치수(W) 대비 전체 두께 치수(H)가 작다. 예를 들어 종래 전기 전도성 접촉핀(100)은 전체 두께 치수(H)가 70㎛ 미만이면서 전체 두께 치수(H)와 전체 폭 치수(W)가 1:2 내지 1:10의 범위로 구성되기 때문에, 접촉압에 의해 전기 전기 전도성 접촉핀(100)을 앞, 뒤 방향으로 변형시키는 모멘트에 대한 저항력이 약하다. 종래에는 전기 전도성 접촉핀(100)의 앞, 뒷면에 탄성부의 과도한 변형으로 인한 문제 발생을 방지하기 위해, 전기 전도성 접촉핀(100)의 앞, 뒷면에 하우징을 추가로 형성하는 것을 고려해야 하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 추가적인 하우징 구성이 필요없게 된다.
이하에서는 상술한 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 전기 전도성 접촉핀의 제조방법에 대해 설명한다.
도 9a는 내부 공간(1100)이 형성된 몰드(1000)의 평면도이고, 도 9b는 도 9a의 A-A’단면도이다.
몰드(1000)는 양극산화막, 포토레지스트, 실리콘 웨이퍼 또는 이와 유사한 재질로 구성될 있다. 다만, 바람직하게는 몰드(1000)는 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극산화하여 형성된 막을 의미하고, 포어는 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다. 예컨대, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막이 형성된다. 다만 모재 금속은 이에 한정되는 것은 아니며, Ta, Nb, Ti, Zr, Hf, Zn, W, Sb 또는 이들의 합금을 포함한다, 위와 같이 형성된 양극산화막은 수직적으로 내부에 포어가 형성되지 않은 배리어층과, 내부에 포어가 형성된 다공층으로 구분된다. 배리어층과 다공층을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하게 되면, 알루미늄 산화물(Al203) 재질의 양극산화막만이 남게 된다. 양극산화막은 양극산화시 형성된 배리어층이 제거되어 포어의 상, 하로 관통되는 구조로 형성되거나 양극산화시 형성된 배리어층이 그대로 남아 포어의 상, 하 중 일단부를 밀폐하는 구조로 형성될 수 있다.
양극산화막은 2~3ppm/℃의 열팽창 계수를 갖는다. 이로 인해 고온의 환경에 노출될 경우, 온도에 의한 열변형이 적다. 따라서 전기 전도성 접촉핀(100)의 제작 환경에 비록 고온 환경이라 하더라도 열 변형없이 정밀한 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은 포토 레지스트 몰드 대신에 양극산화막 재질의 몰드(1000)를 이용하여 제조된다는 점에서 포토 레지스트 몰드로는 구현하는데 한계가 있었던 형상의 정밀도, 미세 형상의 구현의 효과를 발휘할 수 있게 된다. 또한 기존의 포토 레지스트 몰드의 경우에는 40㎛ 두께 수준의 전기 전도성 접촉핀을 제작할 수 있으나 양극산화막 재질의 몰드(1000)를 이용할 경우에는 100㎛ 이상에서 200㎛ 이하의 두께를 가지는 전기 전도성 접촉핀(100)을 제작할 수 있게 된다.
몰드(1000)의 하면에는 시드층(1200)이 구비된다. 시드층(1200)은 몰드(1000)에 내부 공간(1100)을 형성하기 이전에 몰드(1000)의 하면에 구비될 수 있다. 한편 몰드(1000)의 하부에는 지지기판(미도시)이 형성되어 몰드(1000)의 취급성을 향상시킬 수 있다. 또한 이 경우 지지기판의 상면에 시드층(1200)을 형성하고 내부 공간(1100)이 형성된 몰드(1000)를 지지기판에 결합하여 사용할 수도 있다. 시드층(1200)은 구리(Cu)재질로 형성될 수 있고, 증착 방법에 의해 형성될 수 있다.
내부 공간(1100)은 양극산화막 재질의 몰드(1000)를 습식 에칭하여 형성될 수 있다. 이를 위해 몰드(1000)의 상면에 포토 레지스트를 구비하고 이를 패터닝한 다음, 패터닝되어 오픈된 영역의 양극산화막이 에칭 용액과 반응하여 내부 공간(1100)이 형성될 수 있다.
그 다음 몰드(1000)의 내부 공간(1100)에 전기 도금 공정을 수행하여 전기 전도성 접촉핀(100)를 형성한다. 도 9c는 내부 공간(1100)에 전기 도금 공정을 수행하여 것을 도시한 평면도이고, 도 9d는 도 9c의 A-A’단면도이다.
몰드(1000)의 두께 방향으로 금속층이 성장하면서 형성되기 때문에, 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로의 각 단면에서의 형상이 동일하고, 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 복수 개의 금속층이 적층되어 구비된다. 복수개의 금속층은, 제1금속층(101)과 제2금속층(102)을 포함한다. 제1금속층(101)은 제2금속층(102)에 비해 상대적으로 내마모성이 높은 금속으로서 로듐(rhodium, Rd), 백금 (platinum, Pt), 이리듐(iridium, Ir), 팔라듐(palladium) 이나 이들의 합금, 또는 팔라듐-코발트(palladium-cobalt, PdCo) 합금, 팔라듐-니켈(palladium-nickel, PdNi) 합금 또는 니켈-인(nickel-phosphor, NiPh) 합금, 니켈-망간(nickel-manganese, NiMn), 니켈-코발트(nickel-cobalt, NiCo) 또는 니켈-텅스텐(nickel-tungsten, NiW) 합금을 포함한다. 제2금속층(102)은 제1금속층(101)에 비해 상대적으로 전기 전도도가 높은 금속으로서 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금을 포함한다.
제1금속층(101)은 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 하면과 상면에 구비되고 제2금속층(102)은 제1금속층(101) 사이에 구비된다. 예를 들어, 전기 전도성 접촉핀(100)은 제1금속층(101), 제2금속층(102), 제1금속층(101) 순으로 교대로 적층되어 구비되며, 적층되는 층수는 3층 이상으로 구성될 수 있다.
한편, 도금 공정이 완료된 이후에, 고온으로 승온한 후 압력을 가해 도금 공정이 완료된 금속층을 눌러줌으로써 제1금속층(101) 및 제2금속층(102)이 보다 고밀화되도록 할 수 있다. 포토레지스트 재질을 몰드로 이용할 경우, 도금 공정이 완료된 이후의 금속층 주변에는 포토레지스트가 존재하므로 고온으로 승온하여 압력을 가하는 공정을 수행할 수 없다. 이와는 다르게, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 도금 공정이 완료된 금속층의 주변으로는 양극산화막 재질의 몰드(1000)가 구비되어 있기 때문에 고온으로 승온하더라도 양극산화막의 낮은 열 팽창계수로 인해 변형을 최소화하면서 제1금속층(101) 및 제2금속층(102)을 고밀화시키는 것이 가능하다. 따라서 포토레지스트를 몰드로 이용하는 기술에 비해 보다 고밀화된 제1금속층(101) 및 제2금속층(102)을 얻는 것이 가능하게 된다.
전기 도금 공정이 완료가 되면, 몰드(1000)와 시드층(1200)을 제거하는 공정을 수행한다. 몰드(1000)가 양극산화막 재질인 경우에는 양극산화막 재질에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 몰드(1000)를 제거한다. 또한 시드층(1200)이 구리(Cu) 재질인 경우에는 구리(Cu)에 선택적으로 반응하는 용액을 이용하여 시드층(1200)을 제거한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 그 측면에 복수 개의 미세 트렌치(88)를 포함한다. 미세 트렌치(88)는 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에서 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 길게 연장되어 형성된다. 여기서 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향은 전기 도금 시 금속 충진물이 성장하는 방향을 의미한다.
전기 전도성 접촉핀(100)은 제1금속층(101)과 제2금속층(102)이 서로 교번적으로 적층되어 형성되는데, 미세 트렌치(88)는 제1금속층(101)과 제2금속층(102)의 계면에서도 끊김없이 연속적으로 전기 전도성 접촉핀(100)의 두께 방향으로 길게 연장되어 형성된다.
미세 트렌치(88)는 그 깊이가 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가지며, 그 폭 역시 20㎚ 이상 1㎛이하의 범위를 가진다. 여기서 미세 트렌치(88)는 양극산화막 몰드의 제조시 형성된 기공홀에 기인한 것이기 때문에 미세 트렌치(88)의 폭과 깊이는 양극산화막 몰드(1000)의 기공홀의 직경의 범위 이하의 값을 가진다. 한편, 양극산화막 몰드(1000)에 내부 공간(1100)을 형성하는 과정에서 에칭 용액에 의해 양극산화막 몰드(1000)의 기공홀의 일부가 서로 뭉개지면서 양극산화시 형성된 기공홀의 직경의 범위보다 보다 큰 범위의 깊이를 가지는 미세 트렌치(88)가 적어도 일부 형성될 수 있다.
양극산화막 몰드(1000)는 수많은 기공홀들을 포함하고 이러한 양극산화막 몰드(1000)의 적어도 일부를 에칭하여 내부 공간(1100)을 형성하고, 내부 공간(1100) 내부로 전기 도금으로 금속 충진물을 형성하므로, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에는 양극산화막 몰드(1000)의 기공홀과 접촉하면서 형성되는 미세 트렌치(88)가 구비되는 것이다.
위와 같은 미세 트렌치(88)는, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에 있어서 표면적으로 크게 할 수 있는 효과를 가진다. 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에 형성되는 미세 트렌치(88)의 구성을 통해, 전기 전도성 접촉핀(100)에서 발생한 열을 빠르게 방출할 수 있으므로 전기 전도성 접촉핀(100)의 온도 상승을 억제할 수 있게 된다. 또한, 전기 전도성 접촉핀(100)의 측면에 형성되는 미세 트렌치(88)의 구성을 통해, 전기 전도성 접촉핀(100)의 변형 시 비틀림 저항 능력을 향상시킬 수 있게 된다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)은, 검사장치(10)에 구비되어 검사 대상물(400)과 전기적, 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 전달하는데 사용된다.
검사장치(10)는 구멍이 형성된 설치부재(200)의 관통홀(210)에 삽입되어 설치부재(200)에 설치되는 전기 전도성 접촉핀(100)을 포함한다.
검사장치(10)는 반도체 제조공정에 사용되는 검사장치일 수 있으며, 그 일례로 프로브 카드일 수 있고, 테스트 소켓일 수 있다. 전기 전도성 접촉핀들(100)은 프로브 카드에 구비되어 반도체 칩을 검사하는 전기 전도성 접촉핀일 수 있고, 패키징된 반도체 패키지를 검사하는 테스트 소켓에 구비되어 반도체 패키지를 검사하는 소켓 핀일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 전기 전도성 접촉핀(100)이 사용될 수 있는 검사장치(10)들은 이에 한정되는 것은 아니며, 전기를 인가하여 검사 대상물의 불량 여부를 확인하기 위한 검사장치라면 모두 포함된다.
검사 장치(10)의 검사 대상물(400)은, 반도체 소자, 메모리 칩, 마이크로 프로세서 칩, 로직 칩, 발광소자, 혹은 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 검사 대상물은 로직 LSI(ASIC, FPGA 및 ASSP과 같은), 마이크로프로세서(CPU 및 GPU와 같은), 메모리(DRAM, HMC(Hybrid Memory Cube), MRAM(Magnetic RAM), PCM(Phase-Change Memory), ReRAM(Resistive RAM), FeRAM(강유전성 RAM) 및 플래쉬 메모리(NAND flash)), 반도체 발광소자(LED, 미니 LED, 마이크로 LED 등 포함), 전력 장치, 아날로그IC(DC-AC 컨버터 및 절연 게이트 2극 트랜지스터(IGBT)와 같은), MEMS(가속 센서, 압력 센서, 진동기 및 지로 센서와 같은), 무배선 장치(GPS, FM, NFC, RFEM, MMIC 및 WLAN과 같은), 별개 장치, BSI, CIS, 카메라 모듈, CMOS, 수동 장치, GAW 필터, RF 필터, RF IPD, APE 및 BB를 포함한다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.
100: 전기 전도성 접촉핀
110: 제1접속부
120: 제2접속부 130: 지지부
140: 경계부 150: 제1탄성부
160: 제2탄성부 200: 설치부재
300: 회로기판 400: 검사대상물
120: 제2접속부 130: 지지부
140: 경계부 150: 제1탄성부
160: 제2탄성부 200: 설치부재
300: 회로기판 400: 검사대상물
Claims (12)
- 제1접속부;
제2접속부;
길이방향으로 연장되는 지지부;
폭방향으로 연장되며 양측에서 상기 지지부에 연결되는 경계부;
상기 제1접속부와 상기 경계부를 연결하는 제1탄성부; 및
상기 제2접속부와 상기 경계부를 연결하는 제2탄성부;를 포함하고,
상기 제1탄성부가 압축됨에 따라 상기 제1접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하고,
상기 제2탄성부가 압축됨에 따라 상기 제2접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
상기 제2접속부는 상기 지지부의 내측에 위치하는 플랜지를 포함하며,
상기 플랜지는 상기 제2탄성부가 압축됨에 따라 상기 지지부의 내측면과 접촉 가능한, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
상기 제1접속부는,
상기 제1탄성부와 연결되는 베이스부; 및
상기 베이스부로부터 연장되는 적어도 2개의 돌출부를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제3항에 있어서,
상기 2개의 돌출부 사이에 구비되는 홈부를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
상기 제1탄성부는
일단부가 상기 제1접속부에 연결되고 타단부가 상기 경계부에 연결되는 제1-1탄성부; 및
상기 제1-1탄성부와 이격되어 배치되며 일단부가 상기 제1접속부에 연결되고 타단부가 상기 경계부에 연결되는 제1-2탄성부;를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제3항에 있어서,
상기 제1-1탄성부와 상기 제1-2탄성부는 좌우 대칭되는 형상으로 구비되는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
상기 지지부는,
일단부에 구비되는 제1걸림부; 및
타단부에 구비되는 제2걸림부를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
복수개의 금속층이 상기 전기 전도성 접촉핀의 두께 방향으로 적층되어 형성되는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1항에 있어서,
측면에 구비되는 미세 트렌치를 포함하는, 전기 전도성 접촉핀.
- 제1접속부; 제2접속부; 길이방향으로 연장되는 지지부; 폭방향으로 연장되며 양측에서 상기 지지부에 연결되는 경계부; 상기 제1접속부와 상기 경계부를 연결하는 제1탄성부; 및 상기 제2접속부와 상기 경계부를 연결하는 제2탄성부;를 포함하고, 상기 제1탄성부가 압축되어 상기 제1접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하고, 상기 제2탄성부가 압축되어 상기 제2접속부가 상기 지지부에 접촉되어 전류 패스를 형성하는 전기 전도성 접촉핀; 및
상기 전기 전도성 접촉핀을 수용하는 관통홀을 구비하는 설치부재를 포함하는, 검사 장치.
- 제10항에 있어서,
상기 지지부는 상기 관통홀의 길이보다 길게 형성되어 상기 지지부의 적어도 일부가 상기 관통홀의 외측으로 돌출되는, 검사장치.
- 제10항에 있어서,
상기 지지부는,
일단부에 구비되는 제1걸림부; 및
타단부에 구비되는 제2걸림부를 포함하는, 검사장치.
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| US20100285698A1 (en) * | 2008-01-02 | 2010-11-11 | Hong-Dae Lee | Probe pin composed in one body and the method of making it |
| KR20200104061A (ko) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | (주)포인트엔지니어링 | 프로브 카드용 가이드 플레이트 및 이를 구비한 프로브 카드 |
| KR102166677B1 (ko) * | 2019-08-09 | 2020-10-16 | 주식회사 오킨스전자 | 멤스 포고 핀 및 이를 이용한 검사 방법 |
| KR102197313B1 (ko) * | 2020-07-29 | 2020-12-31 | 주식회사 세인블루텍 | 프로브 핀 및 이를 이용한 검사용 소켓 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100659944B1 (ko) | 2005-12-23 | 2006-12-21 | 리노공업주식회사 | 플런저 및 이를 장착한 검사용 탐침장치 |
| KR100952712B1 (ko) | 2007-12-27 | 2010-04-13 | 주식회사 아이에스시테크놀러지 | 판형 도전입자를 포함한 실리콘 콘택터 |
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