KR20230068588A - 이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치 - Google Patents

이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치 Download PDF

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KR20230068588A
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홍성철
이규하
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한국과학기술원
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Abstract

본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로는, 제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1); 및 제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하며, 상기 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성된다.

Description

이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치{SHARED DUAL BAND MATCHING NETWORK CIRCUIT AND DUAL BAND SWITCH HAVING THE SAME}
본 발명은 두 신호 선로가 공유하는 이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치 구조에 관한 것이다.
차세대 이동 통신으로 최근 활발히 연구가 진행되고 있는 5G의 경우, 높은 데이터 전송률을 얻기 위해 기존 4G 주파수 대역보다 높은 주파수인 밀리미터파 대역이 후보로 거론되고 있다. 여기에서, 밀리미터파 대역의 높은 경로 손실을 보상하기 위한 기술로 빔포밍 시스템이 주목받고 있다.
5G 이동통신에서 밀리미터파 대역은 5개의 주파수 대역으로 분류될 수 있으며, 각 대역은 24.25-29.5 GHz (n257, n258, n261), 37-43.5 GHz (n259, n260) 대역에 배정되어 있다. 국가별로 사용한 5G 주파수 대역은 서로 다르기 때문에, 단말기의 호환성을 위해서는 빔포밍 시스템의 RF 부품들이 두 주파수 대역 모두에서 동작해야 한다. 이를 위해서는 빔포밍 시스템에 포함되는 각 RF 부품들이 이중대역 (24.25-29.5 GHz, 37-43.5 GHz)에서 동작을 해야 한다.
그러나, 현재 이중대역에서 낮은 삽입손실(insertion loss)과 높은 고립도(isolation) 특성을 가지며, 동시에 작은 면적으로 구현될 수 있는 스위치는 제안되고 있지 않아, 이러한 종래 기술의 한계를 해소할 수 있는 기술의 개발이 필요한 실정이다.
한국등록특허 10-0633442호
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이중대역에서 낮은 삽입 손실과 높은 고립도 특성을 가지며, 동시에 작은 면적으로 구현될 수 있는 이중대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치를 제공하고자 한다.
본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로는, 제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1); 및 제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하며, 상기 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성된다.
일 실시예에서, 상기 제1 인덕터(11)와 제2 인덕터(13)는 상호 인덕턴스를 갖도록 커플링되어 구성되며, 두 개의 공진 주파수를 가짐에 따라 이중 대역에서 오프 캐패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따른 이중 대역 스위치는 이중대역 매칭 네트워크 회로와 스위칭 소자들을 포함하여 구성된다. 여기에서, 이중 대역 스위치는, 인가되는 각각의 전압에 대응하여 상기 스위칭 소자들 중 적어도 일부가 온 상태로 동작하고 나머지 스위칭 소자가 오프 상태로 동작함에 따라 신호 경로가 변경되도록 구성된다. 상기 이중대역 매칭 네트워크 회로는, 상기 오프 상태로 동작하는 스위칭 소자에 의한 오프 캐패시턴스를 이중 대역에서 상쇄시키도록 구성된다.
일 실시예에서, 상기 이중대역 매칭 네트워크 회로는, 제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1); 및 제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하며, 상기 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 인덕터(11)와 제2 인덕터(13)는 상호 인덕턴스를 갖도록 커플링되어 구성되며, 두 개의 공진 주파수를 가짐에 따라 이중 대역에서 상기 오프 캐패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.
본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치는 이중대역에서 낮은 삽입 손실과 높은 고립도 특성을 가지며, 동시에 작은 면적으로 구현될 수 있는 이점이 있다.
도 1는 종래의 스위치드 인덕터를 이용한 SPDT 스위치를 설명하기 위한 참고도이다.
도 2는 도 1의 스위치에 따른 삽입 손실, 고립도, 반사계수를 나타내는 참고도이다.
도 3은 종래의 가변 매칭 네트워크 네트워크를 이용한 SPDT 스위치를 설명하기 위한 참고도이다.
도 4는 본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 SPDT 스위치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 6은 도 5에 따른 SPDT 스위치의 레이아웃을 나타내는 참고도이다.
도 7은 도 5에 따른 SPDT 스위치의 삽입 손실 및 고립도 특성을 설명하기 위한 시뮬레이션 결과이다.
도 8은 도 5에 따른 SPDT 스위치의 반사 계수를 설명하기 위한 시뮬레이션 결과이다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 DPDT 스위치를 설명하기 위한 회로도이다.
도 10은 도 9에 따른 DPDT 스위치의 레이아웃을 나타내는 참고도이다.
도 11은 도 9에 따른 DPDT 스위치의 삽입 손실 및 고립도 특성을 설명하기 위한 시뮬레이션 결과이다.
도 12는 도 9에 DPDT 스위치의 반사 계수를 설명하기 위한 시뮬레이션 결과이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명 및 본 발명의 다양한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
고주파 대역에서는 FET의 기생성분인 오프 캐퍼시턴스가 보이게 된다. 이로 인해 오프 스위치로 신호가 누설되어, 스위치의 삽입 손실과 고립도 특성이 나빠지게 된다. 이에, 이와 같은 오프 캐퍼시턴스를 상쇄시켜 주기 위한 신호선로들이 공유하는 매칭 네트워크 기술이 고안된 바 있다. 도 1은 단일 매칭 네트워크인 스위치드 인덕터를 이용한 SPDT 스위치의 회로도이다. 스위치드 인덕터는 인덕터와 FET를 포함하여 구성되며, 스위칭 소자와 스위치드 인덕터에 구성되는 FET의 오프 캐퍼시턴스와 인덕터로 인해 공진 주파수가 결정된다.
그러나, 이와 같은 스위치 구조는 단일대역에서만 오프 캐퍼시턴스를 공진시킬 수 있다. 도 2는 도 1의 스위치에 따른 삽입 손실, 고립도, 반사계수를 나타내는 참고도이다. 도 2를 참조하면, 도 1에 따른 스위치 구조는 28GHz 대역을 제외한 타 대역에서는 높은 삽입 손실과 낮은 고립도를 갖는 것을 확인할 수 있다. 특히, 고립도의 경우, 매칭 네트워크의 특성 상 매우 협대역에서만 높은 성능을 가짐을 확인할 수 있다. 또한, 매칭 네트워크에 FET이 포함됨에 따라, 매칭 네트워크의 품질 인자가 낮아지게 되는 단점이 있다.
한편, 5G 이동통신 주파수를 지원하기 위해 도 3에 도시된 바와 같은 가변 매칭 네트워크를 이용한 SPDT 스위치가 제안된 바 있다. 도 3은 종래의 가변 매칭 네트워크 네트워크를 이용한 SPDT 스위치를 설명하기 위한 참고도이다. 도 3을 참조하면, 해당 매칭 네트워크의 경우 TX, RX단의 인덕터가 오프 캐퍼시턴스를 각각 상쇄시켜준다. 여기에서, A0, A1, B0, B1의 4가지 바이어스를 조절함으로써, 공진 주파수가 조절될 수 있다. 도 3에 따른 스위치의 경우, TX, RX단의 인덕터가 분리되어 있어 사이즈가 커지는 단점이 있다. 또한, 공진 주파수를 조절하기 위한 스위칭 소자들로 인해, 도2에 따른 스위치와 마찬가지로 매칭 네트워크의 품질 인자가 낮아지게 되는 단점이 있다.
본 출원인은 이러한 종래 기술에 따른 문제점을 모두 해소하기 위하여 본 발명을안출하였으며, 이중대역에서 낮은 삽입손실과 높은 고립도 특성을 가지며, 동시에 작은 면적으로 구현될 수 있는, 이중대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치를 제안하고자 한다. 이하에서는, 도 4 내지 12를 참조하여 본 발명 및 본 발명의 다양한 실시예에 다른 이중대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치에 대하여 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 설명하기 위한 회로도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 측면에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로는 하나의 인덕터(L1)가 구비된 선로와, 캐패시터(C2), 인덕터(L2) 및 캐패시터(C2)가 직렬로 연결된 선로가 병렬로 연결된 회로로 구성될 수 있다. 여기에서, 두 개의 인덕터는 상호 인덕턴스(M)를 갖도록 커플링되어 구성된다. 즉, 본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로는 2개의 커플링된 인덕터와 캐퍼시터를 이용하여, 매칭 네트워크를 가변하지 않고 단일대역이 아닌 이중대역에서 오프 캐퍼시턴스를 공진시키는, 두 신호선로에 의해 공유되는 이중대역-매칭 네트워크 구조이다.
여기에서, 본 발명에 따른 매칭 네트워크는 하나의 등가 인덕터(Leff)로 치환될 수 있다. 이러한 등가 인덕터의 인덕턴스는 매칭 네트워크를 구성하는 두 개의 인덕터와 캐퍼시터, 그리고 두 인덕터의 커플링 계수(k)로 조절되며, 두 개의 공진 주파수를 갖는다. 즉, 본 발명에 따른 매칭 네트워크는 이중대역에서 오프 캐퍼시턴스를 상쇄시킬 수 있다. 따라서 낮은 삽입 손실과 높은 고립도 특성을 두 주파수 대역에서 모두 가질 수 있어, 기존 스위치의 문제를 해결할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매칭 네트워크는 두 스위칭 소자에 공유되는 형식으로 설계됨으로써 회로의 면적 측면에서 효율적인 설계가 가능하고, 두 인덕터는 커플링되도록 구성됨으로써 작은 사이즈의 인덕터로 높은 실효 인덕턴스를 가질 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 매칭 네트워크는 매칭 네트워크 소자 값의 변경 없이 (reconfigurable) 작은 면적을 유지하면서도 낮은 삽입손실과 높은 고립도 특성을 단일대역이 아닌 이중대역에서 얻을 수 있는 이점이 있다. 또한, 매칭 네트워크 자체가 이중 대역의 특성을 가지므로, 매칭 네트워크 소자들의 값을 변경시킬 필요가 없어, 이중대역 구현 시 외부 컨트롤 전압이 필요하지 않다. 이에, 컨트롤 스위치로 인한 품질인자 저하가 발생되지 않으며, 추가적인 컨트롤 전압이 필요하지 않는다는 이점이 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 밀리미터파 SPDT 스위치를 설명하기 위한 회로도이다. 도 5에 도시된 스위치는 Series-Shunt 구조의 SPDT 스위치로, 직렬 FET (M1, M2)와, 병렬 FET (M3, M4)와, 본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하여 구성될 수 있다. 여기에서, 이러한 SPDT 스위치는 인가 전압 VG에 의해 제어될 수 있다. 예를 들어, port1 - port2의 경로가 활성화되도록 동작하려면 VG에 하이(high) 신호가 인가된다. 이 경우, M1은 턴-온이 되고, VG에 상보적으로 동작하는 인가 전압
Figure pat00001
는 로우 (low) 신호가 인가되어 M2는 턴-오프 된다. 이 때, M2의 오프 캐퍼시턴스가 보이게 되는데, 두 스위칭 소자 M1, M2가 공유하는 이중대역-매칭 네트워크가 M2의 오프 캐퍼시턴스와 양 대역에서 공진하게 되어, M2로 누설되는 신호가 없게 된다.
도 6은 도 5에 따른 밀리미터파 SPDT 스위치의 레이아웃을 나타내는 참고도이다. 특히 밀리미터파에서 동작하는 CMOS 공정의 SPDT 스위치를 예로 들었다. 레이아웃 결과 본 발명에 따른 SPDT 스위치는 약 0.05mm^2의 면적으로 구현될 수 있음이 확인되었다. 도 7 및 8은 본 실시예에 대한 시뮬레이션 결과이다. 도 7 및 8을 참조하면, 28GHz와 38.5GHz에서 각각 약 1.3 dB와 1.4 dB의 삽입 손실을 가지며, 고립도는 각각 약 32.5 dB와 34dB임을 확인할 수 있다. 또한, 반사계수 역시 양 대역에서 모두 15 dB 이상임을 확인할 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 DPDT 스위치를 설명하기 위한 회로도이다. 즉, 본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 스위치는 DPDT(Double Pole Double Throws) 스위치로 확장되어 구현될 수 있다. DPDT 스위치는 상보적인 관계에 있는 인가 전압 VG와
Figure pat00002
로 제어될 수 있다. 여기에서, Port1 - port4, 그리고 port2 - port3의 경로가 활성화되도록 동작하려면, VG에 하이 신호가 인가되며 이에
Figure pat00003
에는 로우 신호가 인가되어 M12와 M21은 턴-온될 수 있다. 여기에서, M11, M22는 반대로 턴-오프 되어, 오프 캐퍼시턴스를 보인다. 이 때 M11, M12, M21, 22와 공유된 이중대역-매칭 네트워크를 통해 이중대역에서 오프 캐퍼시턴스를 공진시켜, 본 발명의 일 실시예에 따른 SPDT 스위치와 마찬가지로 양 대역에서 낮은 삽입 손실과 높은 고립도를 얻을 수 있다. DPDT의 경우도, 공유된 형태의 매칭 네트워크이므로, 작은 사이즈로 스위치 설계가 가능함은 물론이다.
도 10은 도 9에 따른 DPDT 스위치의 레이아웃을 나타내는 참고도이다. 레이아웃 결과 DPDT 스위치는 약 0.036mm^2 의 면적으로 구현될 수 있음이 확인되었다. 도 11 및 12는 본 실시예에 대한 시뮬레이션 결과이다. 도 11 및 12를 참조하면, 27GHz와 40GHz에서 각각 약 1.7 dB와 1.8 dB의 삽입 손실을 가지며, 고립도는 각각 약 22 dB와 23dB임을 확인할 수 있다. 또한, 반사계수 역시 양 대역에서 모두 14 dB 이상임을 확인할 수 있다.
이하에서는, 도 4, 5 및 9를 참조하여 본 발명 및 다양한 실시예에 따른 구성들의조합에 대해 설명한다.
본 발명에 따른 이중대역 매칭 네트워크 회로(10)는 제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1) 및 제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하여 구성된다. 여기에서, 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성될 수 있다. 이 때, 상기 제1 인덕터(11)와 제2 인덕터(13)는 상호 인덕턴스를 갖도록 커플링되어 구성되며, 두 개의 공진 주파수를 가짐에 따라 이중 대역에서 오프 캐패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.
일 실시예에서, 이중 대역 스위치는 이중대역 매칭 네트워크 회로와 스위칭 소자들을 포함하여 구성될 수 있다. 여기에서, 이중 대역 스위치는, 인가되는 각각의 전압에 대응하여 상기 스위칭 소자들 중 적어도 일부가 온 상태로 동작하고 나머지 스위칭 소자가 오프 상태로 동작함에 따라 신호 경로가 변경되도록 구성된다. 이 때, 이중대역 매칭 네트워크 회로는, 오프 상태로 동작하는 스위칭 소자에 의한 오프 캐패시턴스를 이중 대역에서 상쇄시키도록 구성될 수 있다. 한편, 이중 대역 스위치는 도 5 및 9에 도시된 바와 같이 SPDT 또는 DPDT 스위치로 구현될 수 있다.
상술한 본 발명 및 본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 두 신호 선호에 공유된 이중대역-매칭 네트워크를 이용해 별도의 매칭 네트워크 가변 소자 없이 이중대역에서 오프 캐퍼시턴스를 공진시킬 수 있으며, 동시에 매우 작은 사이즈로 구현 가능하다. 또한, SPDT와 DPDT 모두에 적용이 가능함에 따라, 범용성이 높다. 특히, 본 발명에 따른 이중대역 스위치를 빔포밍 시스템에 적용할 경우, 작은 사이즈와 양 대역에서의 높은 성능을 나타낼 수 있어 효율적인 이중대역 빔포밍 시스템 구성이 가능하다. 이에, 병렬 단일 대역 빔포밍 IC로 이루어진 현재의 빔포밍 시스템의 크기를 효과적으로 줄여줄 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10 : 이중대역 매칭 네트워크 회로
11 : 제1 인덕터
12 : 제1 캐패시터
13 : 제2 인덕터
14 : 제2 캐패시터

Claims (5)

  1. 제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1); 및
    제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하며,
    상기 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성되는,
    이중대역 매칭 네트워크 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 인덕터(11)와 제2 인덕터(13)는 상호 인덕턴스를 갖도록 커플링되어 구성되며, 두 개의 공진 주파수를 가짐에 따라 이중 대역에서 오프 캐패시턴스를 상쇄시키는,
    이중대역 매칭 네트워크 회로.
  3. 이중대역 매칭 네트워크 회로와 스위칭 소자들을 포함하여 구성되는 이중 대역 스위치에 있어서,
    인가되는 각각의 전압에 대응하여 상기 스위칭 소자들 중 적어도 일부가 온 상태로 동작하고 나머지 스위칭 소자가 오프 상태로 동작함에 따라 신호 경로가 변경되도록 구성되며,
    상기 이중대역 매칭 네트워크 회로는,
    상기 오프 상태로 동작하는 스위칭 소자에 의한 오프 캐패시턴스를 이중 대역에서 상쇄시키도록 구성되는,
    이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 이중 대역 스위치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 이중대역 매칭 네트워크 회로는,
    제1 인덕터(11)가 구비된 제1 선로(L1); 및
    제1 캐패시터(12), 제2 인덕터(13) 및 제2 캐패시터(14)가 직렬로 연결된 제2 선로(L2);를 포함하며,
    상기 제1 선로(L1)와 제2 선로(L2)는 병렬로 연결되어 구성되는,
    이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 이중 대역 스위치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 인덕터(11)와 제2 인덕터(13)는 상호 인덕턴스를 갖도록 커플링되어 구성되며, 두 개의 공진 주파수를 가짐에 따라 이중 대역에서 상기 오프 캐패시턴스를 상쇄시키는,
    이중대역 매칭 네트워크 회로를 포함하는 이중 대역 스위치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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