KR100633442B1 - 마이크로파 에스피디티 스위치 - Google Patents
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- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
Abstract
Description
Claims (7)
- 안테나를 통하여 마이크로파 신호를 송수신하는 시스템에 사용되는 SPDT 스위치에 있어서,송신 단자로부터 인가되는 송신 신호를 처리하여 안테나로 전달하는 전송 선로에 각각 연결되어 있으며 서로 병렬 연결되어 있는 제1 및 제2 스위칭 소자, 그리고 상기 제1 스위칭 소자와 상기 전송 선로 사이, 및 제2 스위칭 소자와 상기 전송 선로 사이에 각각 형성되어, 상기 송신 신호의 입출력단의 임피던스 정합을 수행하는 제1 및 제2 임피던스 변환 회로를 포함하는 송신부; 및상기 안테나로부터 인가되는 수신 신호를 처리하여 수신 단자로 전달하는 전송 선로에 각각 연결되어 있으며 서로 병렬 연결되어 있는 제3 및 제4 스위칭 소자, 그리고 상기 제3 스위칭 소자와 전송 선로 사이 및 제4 스위칭 소자와 상기 전송 선로 사이에 각각 형성되어, 상기 수신 신호의 입출력단의 임피던스 정합을 수행하는 제3 및 제4 임피던스 변화 회로를 포함하는 수신부를 포함하는 SPDT 스위치.
- 제1항에 있어서상기 제1 및 제2 스위칭 소자는 제1 구동 전압에 따라 동작하고, 상기 제3 및 제4 스위칭 소자는 제2 구동 전압에 따라 동작하며, 상기 제1 및 제2 구동 전압은 전압 레벨이 서로 반대로 공급되는 것을 특징으로 하는 SPDT 스위치.
- 제2항에 있어서상기 제1 또는 제2 구동 전압에 따라 상기 제1 내지 제4 스위칭 소자 중 어느 하나가 오프되는 경우, 상기 제1 내지 제4 임피던스 변환 회로중 어느 하나에 의하여 상기 전송 선로와 상기 제1 내지 제4 스위칭 소자 중 어느 하나 사이에 설정값 이상의 높은 임피던스가 형성되어, 상기 전송 선로를 통하여 전달되는 상기 송신 신호 또는 수신 신호의 손실이 감소되는 SPDT 스위치.
- 제2항에 있어서상기 제1 또는 제2 구동 전압에 따라 상기 제1 내지 제4 스위칭 소자 중 어느 하나가 온되는 경우, 상기 제1 내지 제4 임피던스 변환 회로 중 어느 하나에 의하여 상기 전송 선로와 상기 제1 내지 제4 스위칭 소자 중 어느 하나 사이에 설정값 보다 작은 낮은 임피던스가 형성되어, 상기 송신부와 수신부 사이의 신호 분리가 이루어지는 SPDT 스위치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 제1 내지 제4 스위칭 소자는 FET로 이루어지는 SPDT 스위치.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 제1 내지 제4 인피던스 변환회로가 동일평면 도파관(CPW, Coplanar Waveguide) 또는 마이크로스트립 라인으로 이루어지는 SPDT 스위칭.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서상기 제1 내지 제4 임피던스 변환 회로는 적어도 1소자 이상의 전송 선로로 이루어지는 SPDT 스위치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050014897 | 2005-02-23 | ||
KR20050014897 | 2005-02-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060094005A KR20060094005A (ko) | 2006-08-28 |
KR100633442B1 true KR100633442B1 (ko) | 2006-10-13 |
Family
ID=37601959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050046070A KR100633442B1 (ko) | 2005-02-23 | 2005-05-31 | 마이크로파 에스피디티 스위치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100633442B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230068588A (ko) | 2021-11-11 | 2023-05-18 | 한국과학기술원 | 이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101301213B1 (ko) | 2009-12-16 | 2013-08-28 | 한국전자통신연구원 | 고주파 대역 스위칭용 에스피디티 스위치 |
KR101532125B1 (ko) | 2012-11-23 | 2015-06-26 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 |
KR101616597B1 (ko) | 2012-11-26 | 2016-04-28 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 |
KR20150035219A (ko) | 2013-09-27 | 2015-04-06 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 |
KR102244525B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2021-04-26 | 엘지이노텍 주식회사 | Spdt 스위치 |
KR102117478B1 (ko) | 2015-03-13 | 2020-06-01 | 삼성전기주식회사 | 고주파 스위치 |
JP2020088643A (ja) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 住友電気工業株式会社 | 単極双投スイッチ |
KR102579152B1 (ko) * | 2019-12-11 | 2023-09-15 | 한국전자기술연구원 | GaN 트랜지스터를 이용한 초고주파 트래블링 웨이브 스위치 |
KR20230036791A (ko) * | 2021-09-08 | 2023-03-15 | 삼성전자주식회사 | 안테나 모듈 및 안테나 모듈을 포함하는 전자 장치 |
-
2005
- 2005-05-31 KR KR1020050046070A patent/KR100633442B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230068588A (ko) | 2021-11-11 | 2023-05-18 | 한국과학기술원 | 이중 대역 매칭 네트워크 회로 및 이를 포함하는 이중 대역 스위치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060094005A (ko) | 2006-08-28 |
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