KR20230064222A - 화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이 - Google Patents
화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 화합물 반도체 나노로드의 제조방법, 이를 이용하여 제조된 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이에 관한 것이다.
화합물 반도체 나노로드 소자는 그 자체가 나노미터 스케일의 작은 크기, 요컨대 수십 nm 내지 수백 nm 직경을 가지기 때문에, 평판형 소자에 비해 재료 사용량 감소로 인한 소자 제작의 저가화가 가능하고, 가볍고 유연한 소자 제작이 가능하며, 평판형 소자와의 접목을 통해 소자 성능을 향상시키는 것이 가능하다.
화합물 반도체 나노로드는 그 응용 특성에 따라서 발광 다이오드(LED), 태양 전지(Solar Cell), 가스 또는 화학센서(Photodetector, HEMT 소자), 바이오 센서 등 여러 분야에 사용되고 있다.
이러한 화합물 반도체 나노로드 성장은 주로 화학반응을 이용하여 기판 상에 화합물 반도체 박막을 성장하는 유기금속화학증착법(MOCVD)이나 분자빔 에피택시(MBE) 등을 이용하는 것이 일반적이다.
MOCVD나 MBE를 이용하여 나노로드를 성장하는 방법으로는, 기판 위에 Au와 같은 메탈 파티클을 도포하고 이를 촉매로 활용하여 나노로드를 성장시키는 방식, 산화물(SiOx) 또는 질화물(SiNx) 등을 기판 위에 증착 후 선택적으로 패터닝된 부분에서 나노로드를 성장시키는 SAG(Selective Area Growth) 방식 등이 대표적이다.
예컨대 대한민국 공개특허 제2011-0040676호는 나노로드 발광 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 나노로드 구조를 형성하는 방법으로 전자빔 리소그래피, 집속이온빔 리소그래피, 나노 임프린트법, SiO2 나노 파티클을 이용한 마스크 형성법, 또는 자기 응집성 금속 마스크법에 의하여 마스크를 패턴화한 다음, 반응성 이온 에칭법, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭 또는 화학적 이온 빔 에칭 방법을 이용해서 관통홀을 제작하고 성장하는 기술을 개시하고 있다.
이러한 기존 바텀-업(bottom-up) 방식의 화합물 반도체 나노로드 p-n 접합 성장 방식은 n형 반도체를 성장한 후, 연속해서 p형 반도체를 성장하여 p-n 접합을 구현하는 방법을 사용한다. p형 반도체를 먼저 성장한 후 n형 반도체를 성장하는 n-p 접합 역시 마찬가지이다.
도 1은 화합물 반도체 나노로드 p-n 접합을 성장시키는 종래 방식을 나타낸 도이다. 도 1a는 SiNx 또는 SiOx를 성장방지막으로 활용하여 선택적으로 나노로드 p-n 접합을 성장하는 흐름을 나타내고, 도 1b는 Au와 같은 금속 파티클을 기판 위에 도포한 후 그 금속 파티클을 촉매로 사용하여 나노로드 p-n 접합을 성장하는 흐름을 나타낸다.
그러나 이러한 국소 영역에서의 나노로드 p-n 접합 성장은 나노로드 자체의 작은 크기(수십 nm 내지 수백 nm의 직경)로 인해 각 층의 불순물 주입 농도(도핑농도)를 제어하기가 용이하지 않을 뿐만 아니라 잇달아서 성장하는 메커니즘으로 인해 불순물(dopant) 확산 현상에 의해 p-n 접합 경계 부위가 불분명해지는 것이 일반적이다. 이로 인하여 화합물 반도체 나노로드 p-n 접합은 그 특성이 본질적으로 평판형 p-n 접합에 비해 우수함에도 불구하고, 이러한 이유로 인해 우수한 특성을 얻기 어려운 실정에 있다.
따라서 도핑 농도 제어가 보다 수월하고, p-n 접합 경계면이 분명한 화합물 반도체 나노로드의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 도핑 농도의 제어가 용이하고 p-n 접합 경계면을 명확하게 할 수 있는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 p-n 접합 경계면이 명확하여 우수한 소자 특성을 나타내는 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이를 제공하고자 한다.
본 발명은 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 전술한 화합물 반도체 나노로드의 제조방법으로 제조된 화합물 반도체 나노로드를 제공한다.
또한, 본 발명은 전술한 화합물 반도체 나노로드를 포함하는 화합물 반도체 나노로드 어레이를 제공한다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은, 도핑 농도의 제어가 용이하고 p-n 접합 경계면이 분명한 화합물 반도체 나노로드를 제조할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드 및 화합물 반도체 나노로드 어레이는 p-n 접합 경계면이 분명하여 우수한 소자 특성을 나타내는 이점이 있다.
도 1은 종래의 화합물 반도체 나노로드 제조방법을 나타낸 도이다.
도 2는 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드 제조방법을 예시한 도이다.
도 3은 기존 선택 영역 성장 방식(SAG)과 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법의 차이를 설명하는 예시 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드 제조방법을 예시한 도이다.
도 3은 기존 선택 영역 성장 방식(SAG)과 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법의 차이를 설명하는 예시 흐름도이다.
이하, 본 발명에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
본 발명에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 직접 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 개재되는 경우도 포함한다.
본 발명에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
<화합물 반도체
나노로드의
제조방법>
본 발명의 한 양태는, 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계; 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법에 관한 것이다.
구체적으로 본 발명은 기존의 바텀-업(bottom-up) 방식의 나노로드 성장 시의 문제점인 도핑 농도 제어와 p-n 접합 경계면을 명확하게 할 수 있는 고품위의 화합물 반도체 나노로드의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 기판은 Al2O3, GaN, Ge, Si, GaAs, AlN, GaSb, SiC, InP, InAs, AlSb, InSb, AlP, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdTe, CdSe, CdS, 유리(glass), SiGe, SOI(silicon on insulator), Mo(몰리브덴) 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
바람직하게는 상기 기판은 상기 기판 상에 형성되는 상기 제1 반도체층과의 결함을 최소화하기 위해 상기 제1 반도체층과 격자상수가 비슷한 것을 사용할 수 있다. 예컨대 상기 기판이 GaAs, InP 등을 포함하는 경우 상기 제1 반도체층은 GaAs, InGaAs, AlInGaAs, InGaP, AlInGaP 등을 포함할 수 있다.
상기 p형 반도체와 상기 n형 반도체는 p-n 접합을 형성하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 화합물 반도체는 p-n 접합 반도체, 구체적으로 p-n 접합 나노로드 형태일 수 있다. 상기 p-n 접합 반도체는 II, III, IV, V족 원소들 중에서 적절히 선택되어 결합된 것일 수 있다.
예컨대, 상기 p형 반도체는 GaAs, InGaAs, AlGaAs, InAs, GaN, InP와 같은 화합물 반도체 성장에 Zn, C, Mg 등을 도핑을 하여 성장시킨 것일 수 있고, n형 반도체는 Si, Te, Se, S 등을 도핑을 하여 성장시킨 것일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계는, 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 평판형으로 성장시키는 것일 수 있다.
요컨대 상기 제1 반도체층은 평판형 반도체층일 수 있으며, 예컨대 MOCVD, CVD, 스퍼터링법 등으로 형성할 수 있으나 제조방법을 본 발명에서 한정하지는 않는다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 기판과 상기 제1 반도체층 사이에 희생층 및 오믹층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 희생층은 최종적으로 제조되는 화합물 반도체 나노로드를 성장한 기판으로 분리하기 용이하도록 형성될 수 있다.
상기 희생층은 화학적으로 용액에 제거가 가능한 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 AlxGa1 - xAs 및 AlAs로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 바람직하게는 상기 희생층은 AlAs를 포함할 수 있다.
상기 오믹층은 금속 및 금속 실리사이드 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지는 않으며, 당 업계에서 통상적으로 사용하는 것을 적용할 수 있다. 상기 오믹층은 상기 희생층 상에 형성될 수도 있으며, 예컨대 도핑이 제어된 n+GaAs 박막이 AlAs 위에 잇달아서 성장될 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계를 포함한다.
예컨대, 상기 제1 반도체가 p형 반도체로 선택된 경우, 상기 제2 반도체는 n형 반도체로 선택되며, 상기 제1 반도체가 n형 반도체로 선택된 경우, 상기 제2 반도체는 p형 반도체로 선택된다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계는 선택영역 성장(selective area growth) 방식 또는 메탈 파티클 촉매 성장(metal-assisted growth) 방식을 이용하는 것일 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계; 이후 성장방지막 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
구체적으로 상기 제2 반도체 나노로드를 형성할 때 선택영역 성장 방식을 이용하는 경우, 제1 반도체층을 형성하는 단계; 이후 성장방지막 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
도 2a에 선택 영역 성장 방식을 이용하는 경우의 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법을 예시하였다.
도 2a를 참고하면 GaAs 기판 위에 종래의 평판형 박막 성장과 동일한 방법으로 도핑이 제어된 n형 GaAs 박막을 성장시킨다. 그 후 n형 GaAs 박막 위에 CVD, 스퍼터링, 전자선 증착 공정 등을 이용하여 SiNx 또는 SiOx 박막을 증착시킨 후 나노미터 스케일 패턴형성 장비(E-beam lithography, Nanoimprint, Stepper photolithography) 등을 이용하여 수십 nm 내지 수백 nm 지름의 패턴 형성 완료 후 드라이 식각 공정을 이용하여 나노로드가 성장될 영역을 개방한다. 그 후 Wet 또는 Dry 클리닝 공정을 진행한 후 p형 GaAs 나노로드를 성장시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 메탈 파티클 촉매는 Au, Ag, Cu, Ni, Sn의 금속류 또는 Ga, In의 촉매로 활용할 수 있는 원소를 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 메탈 파티클 촉매는 Au, Ag, Cu, Ni 또는 Sn과 같은 결정 성장 촉진제, Ga, In 등과 같이 나노로드 성장에 있어 촉매로 활용할 수 있는 원소를 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 성장시키고자 하는 제2 반도체 나노로드가 GaAs, GaP, GaAsP 또는 GaAsSb 등인 경우 상기 촉매는 Ga를 사용하는 것이 바람직하며, 성장시키고자 하는 제2 반도체 나노로드가 InAs 또는 InP 등인 경우 상기 촉매는 In을 사용할 수 있으나 이에 한정되지는 않는다.
도 2b에 Au 파티클 촉매 성장 방식을 이용하는 경우의 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법을 예시하였다.
도 2b를 참고하면 GaAs 기판 위에 종래의 평판형 박막 성장과 동일한 방법으로 도핑이 제어된 n형 GaAs 박막을 성장시킨다. 그 후 패턴형성 후 노출영역에 스퍼터링, CVD 등의 증착 방법을 사용하여 Au 파티클 형성 또는 증착후 미세패턴과 식각 방법 등을 사용하여 국부적으로 Au 파티클을 증착시킨 후 p형 GaAs 나노로드를 성장시킬 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 보호층은 InGaP, AlGaAs, AlInP, AlGaInP, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, GaAs, InP 등을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
다만, 상기 보호층은 상기 제2 반도체 나노로드의 물질보다 큰 에너지 밴드갭을 가지는 물질을 포함하는 것이 소자의 누설전류 저감 및 전기적 절연층 형성면에서 바람직하다. 예컨대, 상기 제2 반도체 나노로드가 GaAs를 포함하는 경우 InGaP 등을 이용하여 보호층을 형성할 수 있다.
상기 보호층은 후술할 제1 반도체층을 식각하는 단계에서 상기 제2 반도체 나노로드를 보호할 수 있도록 식각 선택비(selectivitiy)가 좋은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
예컨대, 도 2a 및 2b를 참고하면 상기 제1 반도체층이 GaAs를 포함하고, 제2 반도체 나노로드가 p형 GaAs 나노로드인 경우 후속 GaAs 에칭 공정 시 p형 GaAs 나노로드를 보호할 수 있도록 InGaP와 같은 식각 선택비가 좋은 물질을 사용할 수 있다.
상기 보호층의 형성방법을 본 발명에서 제한하지는 않는다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계를 포함한다. 구체적으로 상기 식각은 상기 기판이 드러날때까지 상기 제1 반도체층을 식각하는 것일 수 있다. 상기 식각은 에칭(wet etching), 드라이에칭(dry etching), 에칭과 드라이에칭의 혼합방식, 플라즈마 에칭, 멜트백 에칭 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 식각을 통하여 상기 제2 반도체 나노로드 이외의 부분을 제거함으로써 p-n 접합의 구현이 가능하다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법이 성장방지막 패턴을 형성하는 단계, 희생층 및 오믹층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 층을 형성하는 단계 등을 더 포함하는 상태인 경우, 요컨대 성장방지막 패턴, 희생층 및/또는 오믹층이 구비되어 있는 경우 상기 성장방지막 패턴과 희생층, 오믹층도 식각하는 단계를 포함한다.
예컨대, 도 2a를 참고하면 성장방지막으로 SiNx 또는 SiOx 등을 이용한 패턴이 구비되어 있는 경우, 드라이 에칭 공정을 이용하여 SiNx 또는 SiOx를 식각하고, 잇달아서 하부의 n-형 GaAs를 식각하여 GaAs p-n 접합 나노로드를 포함하는 화합물 반도체, 요컨대 화합물 반도체 나노로드를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계 이후 필요에 따라 상기 화합물 반도체를 보호하기 위한 보호층을 형성하는 단계 등을 더 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드 제조방법, 구체적으로 p-n 접합 화합물 반도체 나노로드의 제조 방법은 적어도 한 타입의 도핑 제어가 가능하고, 경계면이 분명한 p-n 접합을 형성할 수 있다. 구체적으로 기존의 바텀-업(bottom-up) 나노로드 성장 방식의 문제점인 도핑 제어의 어려움과 불분명한 p-n 경계면 문제를 해결하여 보다 우수한 고품위의 화합물 반도체, 구체적으로 p-n 접합 나노로드 화합물 반도체를 제조할 수 있는 이점이 있다.
도 3은 기존 선택 영역 성장 방식(SAG)을 이용하는 p-n 접합 나노로드 성장방식과 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법의 차이를 설명하는 예시 흐름도이다. 도 3은 기판 위에 산화물 또는 질화물 등으로 성장방지막 패턴을 형성하고 패턴된 영역에서 나노로드를 성장하는 흐름을 나타낸다. 도 3의 하부는 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법으로, 도핑을 제어하고 접합 경계면의 불순물 확산을 방지할 수 있는 성장 및 그 제조방법을 나타낸다. 도 3을 참고하면, 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법은 도핑이 제어된 n형 반도체 박막 위에서 선택 영역 성장 방식을 이용하여 p형 나노로드를 성장시키고 보호층을 성장시킨 후 식각 공정(wet 또는 dry, 혼합방식)을 이용하여 나노로드 이외의 부분을 제거하여 p-n 접합을 구현하는 방식이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법을 이용하는 경우 평판형 박막으로 제작되는 n형 반도체 박막은 기존 평판형 n형 반도체 박막 특성과 유사하게 도핑 제어가 가능하고, n형 반도체 성장 후 성장 방지막 패터닝을 한 후 p형 나노로드를 성장하기 때문에 p-n 접합의 경계가 분명해지게 된다.
<화합물 반도체
나노로드
및 화합물 반도체
나노로드
어레이>
본 발명의 다른 양태는, 전술한 화합물 반도체 나노로드의 제조방법으로 제조된 화합물 반도체 나노로드에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 있어서, 상기 화합물 반도체 나노로드는 p-n 접합 나노로드 화합물 반도체일 수 있다.
상기 화합물 반도체 나노로드, 구체적으로 p-n 접합 나노로드 화합물 반도체는 지름이 수십 내지 수백 nm일 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 다만, 상기 범위 내인 경우 작은 사이즈의 발광 다이오드, 태양전지, 가스 센서, 화학센서 등에 적용이 용이하여 바람직하다.
상기 화합물 반도체 나노로드의 종횡비(aspect ratio)는 2 이상, 바람직하게는 2 이상 20 이하 일 수 있으나 이에 한정되지는 않는다. 예컨대 지름이 100nm인 경우 높이는 200nm 이상일 수 있으며, 이 경우 나노로드 성장 및 특성 제어가 용이하여 바람직하다.
본 발명의 또 다른 양태는, 전술한 화합물 반도체 나노로드를 포함하는 화합물 반도체 나노로드 어레이에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명의 또 다른 양태는, 전술한 p-n 접합 나노로드 화합물 반도체를 포함하는 화합물 반도체 나노로드 어레이에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화합물 반도체 나노로드 및 이를 포함하는 반도체 나노로드 어레이는 p-n 접합 중 한 형태가 평판형으로 성장되었기 때문에 도핑 농도의 제어가 가능하고, p-n 접합의 경계면이 분명하기 때문에 우수한 소자 특성을 나타내는 우수한 이점이 있다.
Claims (10)
- 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 포함하는 제1 반도체층을 형성하는 단계;
상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 반도체와 p-n 접합을 형성하도록, p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제2 반도체를 포함하는 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계;
상기 제2 반도체 나노로드를 감싸는 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 제1 반도체층을 식각하는 단계;
룰 포함하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 제2 반도체 나노로드를 형성하는 단계는 선택영역 성장(selective area growth) 방식 또는 메탈 파티클 촉매 성장(metal-assisted growth) 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
제1 반도체층을 형성하는 단계는, 기판 상에 p형 반도체 또는 n형 반도체에서 선택되는 제1 반도체를 평판형으로 성장하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제2항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
제1 반도체층을 형성하는 단계; 이후 성장방지막 패턴을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 반도체층 사이에 희생층 및 오믹층으로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상의 층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 희생층은 AlxGa1 - xAs 및 AlAs로 이루어진 군에서 선택되는 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제2항에 있어서,
상기 메탈 파티클 촉매는 Au, Ag, Cu, Ni, Sn의 금속류 또는 Ga, In의 촉매로 활용할 수 있는 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드의 제조방법. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 화합물 반도체 나노로드의 제조방법으로 제조된 화합물 반도체 나노로드.
- 제8항에 있어서,
상기 화합물 반도체는 p-n 접합 나노로드 화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 나노로드. - 제8항에 따른 화합물 반도체 나노로드를 포함하는 화합물 반도체 나노로드 어레이.
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