KR20230060135A - Apparatus for generating light-emittion control signal and operating method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 발광 제어 신호를 생성하는 신호 생성 장치 및 그 동작방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 표시장치의 픽셀 구동 회로에서 이용되는 발광 제어 신호(EM)를 생성하는 기술적 사상에 관한 것이다.The present invention relates to a signal generating device for generating an emission control signal and an operation method thereof, and more particularly, to a technical concept of generating an emission control signal (EM) used in a pixel driving circuit of an organic light emitting display device.
도 1a 내지 도 1b는 유기 발광 표시장치의 픽셀 구동 회로를 설명하는 도면이다. 1A to 1B are diagrams illustrating a pixel driving circuit of an organic light emitting display device.
도 1a 내지 도 1b를 참조하면, 유기 발광 표시장치의 픽셀 구동 회로(110)는 복수의 로우(row) 라인과 컬럼(column) 라인이 교차하는 영역에 형성된 복수의 픽셀에 각각 구비되는 회로로, 통상적으로 6개의 트랜지스터(T1 내지 T6) 및 1개의 캐패시터, 즉 6T1C 구조로 구현되고, 도면부호 120과 같이 각 트랜지스터로 입력되는 제어신호(SCAN, INIT 및 EM)에 기초하여 구동된다. Referring to FIGS. 1A and 1B , the
이 중 발광 제어 신호(EM)는 픽셀 구동 회로(110)의 보상 구간 동안에 빛이 발생하는 것을 막기 위해 활용될 수 있다. Among them, the emission control signal EM may be used to prevent light from being generated during the compensation period of the
구체적으로, 도 1a와 같이 p-type TFT 기반의 픽셀 구동 회로(110)에서는 초기화 및 문턱전압 보상 구간에서 발광 제어 신호(EM)가 하이(high) 레벨이 나오도록 제어되며, n-type TFT 기반의 픽셀 구동 회로에서는 초기화 및 문턱전압 보상 구간에서 발광 제어 신호(EM)가 로우(low) 레벨이 나오도록 제어하여 해당 픽셀에서 빛이 발생하는 것을 차단할 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 1A, in the p-type TFT-based
또한, 발광 제어 신호(EM)는 빛의 발생 구간을 조정하여 밝기를 조정하는 역할을 수행할 수 있으며, 같은 전류를 OLED에 흘려주더라도 발광 제어 신호(EM)의 하이 펄스 구간을 조절하여 밝기 조절을 할 수 있다. 다시 말해, 발광 제어 신호(EM)는 주변 조도에 따라 디스플레이의 휘도를 조절할 때에도 용이하게 사용될 수 있다. In addition, the light emission control signal (EM) can play a role of adjusting the brightness by adjusting the light generation period, and even if the same current flows to the OLED, the brightness is adjusted by adjusting the high pulse period of the light emission control signal (EM). can do. In other words, the emission control signal EM can be easily used even when adjusting the luminance of the display according to the ambient illumination.
이에, 유기 발광 표시장치는 복수의 로우 라인마다 하나의 라인 시간씩 시프트되는 시프트 레지스터 특성을 갖고, 동시에 발광 제어 신호(EM)의 펄스폭을 용이하게 가변하여 출력하는 신호 생성 장치를 필요로 한다. Accordingly, the organic light emitting display device requires a signal generator having a shift register characteristic of shifting by one line time for each of a plurality of row lines, and at the same time easily varying and outputting the pulse width of the emission control signal EM.
그러나, 발광 제어 신호(EM)를 생성하는 기존의 신호 생성 장치는 발광 제어 신호(EM)의 펄스폭을 라인 시간의 홀수배로 제어하기 위한 회로와, 펄스폭을 라인 시간의 짝수배로 제어하기 위한 회로 간의 회로 구성이 상이하다는 문제가 있다.However, the conventional signal generating device for generating the emission control signal EM includes a circuit for controlling the pulse width of the emission control signal EM to be an odd multiple of the line time, and a circuit for controlling the pulse width to an even multiple of the line time. There is a problem that the circuit configuration of the liver is different.
즉, 기존의 신호 생성 장치는 발광 제어 신호(EM)의 펄스폭을 라인 신호의 홀수배 또는 짝수배 중 어느 하나로만 선택적으로 제어할 수 있어 사용자가 원하는 펄스폭으로 발광 제어 신호(EM)를 제어하는데 한계가 있으며, 이로 인해 발광 제어 신호(EM)에 기반한 디스플레이 장치의 밝기 제어에도 제약이 따른다는 문제가 있다.That is, the conventional signal generating device can selectively control the pulse width of the emission control signal EM to either an odd multiple or an even multiple of the line signal, so that the user controls the emission control signal EM with a desired pulse width. However, there is a limitation, and thus there is a problem that the brightness control of the display device based on the emission control signal (EM) is also restricted.
본 발명은 라인 시간의 홀수배 또는 짝수배 여부와 상관없이 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하는 신호 생성 장치 및 그 동작방법을 제공하고자 한다. An object of the present invention is to provide a signal generating device and operation method for generating a light emission control signal having a pulse width of an arbitrary multiple regardless of whether the line time is an odd or even multiple.
또한, 본 발명은 기존 기술 대비 보다 적은 개수의 트랜지스터로 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하는 신호 생성 장치 및 그 동작방법을 제공하고자 한다.In addition, the present invention is intended to provide a signal generating device and an operating method for generating a light emission control signal having an arbitrary multiple of pulse width with a smaller number of transistors compared to the prior art.
본 발명의 일실시예에 따른 신호 생성 장치는 제1 클록, 제1 클록과 반대의 위상을 갖는 제2 클록 및 n-1번째(여기서, n은 양의 정수) 발광 제어 라인을 통해 인가되는 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하고, 제1 클록, 제2 클록 및 n-1번째 발광 제어 신호에 기초하여 제1 게이트 신호를 생성하는 제1 신호 생성부, n-1번째 발광 제어 신호와 제1 클록 및 제2 클록 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록을 수신하고 n-1번째 발광 제어 신호와 인에이블 클록에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성하는 제2 신호 생성부 및 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부를 포함할 수 있다.A signal generating device according to an embodiment of the present invention is applied through a first clock, a second clock having a phase opposite to the first clock, and an n-1th (where n is a positive integer) emission control line. - A first signal generator for receiving a 1st light emission control signal and generating a first gate signal based on the first clock, the second clock and the n-1th light emission control signal; Second signal generation for receiving an enable clock having the same pulse width and phase as either one of the first clock and the second clock and generating a second gate signal based on the n-1th light emission control signal and the enable clock and a light emitting control signal generator configured to generate a target light emitting control signal applied through the nth light emitting control line based on the first gate signal and the second gate signal.
일측에 따르면, 타겟 발광 제어 신호는 n-1번째 발광 제어 신호와 동일한 펄스폭을 갖으며, n-1번째 발광 제어 신호와 대비하여, 제1 클록, 제2 클록 및 인에이블 클록 중 적어도 하나의 클록의 펄스폭에 대응되는 라인 시간만큼 지연된 신호 수 있다. According to one side, the target light emission control signal has the same pulse width as the n-1th light emission control signal, and in contrast to the n-1th light emission control signal, at least one of the first clock, the second clock, and the enable clock. The signal may be delayed by the line time corresponding to the pulse width of the clock.
일측에 따르면, 제1 신호 생성부는 제2 클록 및 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제1 트랜지스터 및 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 제1 클록을 수신하는 제2 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to one side, the first signal generator may include a first transistor receiving a second clock and an n−1 th light emission control signal, and a second transistor electrically connected to the first transistor and receiving a first clock. .
일측에 따르면, 제1 신호 생성부는 제1 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하고, 제2 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 제1 클록을 수신할 수 있다.According to one side, the first signal generator may receive an n−1 th light emission control signal through a gate terminal of a first transistor and receive a first clock through a gate terminal of a second transistor.
일측에 따르면, 제2 신호 생성부는 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제7 트랜지스터, 제7 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제8 트랜지스터, n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제9 트랜지스터 및 제9 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 인에이블 클록을 수신하는 제10 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to one side, the second signal generator includes a seventh transistor for receiving the n-1th light emission control signal, an eighth transistor electrically connected to the seventh transistor, a ninth transistor for receiving the n-1th light emission control signal, and a second signal generating unit. A tenth transistor electrically connected to the ninth transistor and receiving an enable clock may be included.
일측에 따르면, 제2 신호 생성부는 제7 트랜지스터 및 제8 트랜지스터 각각의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호를 수신할 수 있다.According to one side, the second signal generator may receive the n−1 th light emission control signal through the gate terminals of the seventh and eighth transistors, respectively.
일측에 따르면, 제2 신호 생성부는 제10 트랜지스터의 게이트 단자가 제7 트랜지스터와 제8 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 연결될 수 있다. According to one side, the second signal generating unit may be connected to a node electrically connecting the gate terminal of the tenth transistor to the seventh transistor and the eighth transistor.
일측에 따르면, 발광 제어 신호 생성부는 제1 게이트 신호를 수신하는 제3 트랜지스터, 제3 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 제2 게이트 신호를 수신하는 제4 트랜지스터, 게이트 단자가 제3 트랜지스터와 제4 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 전기적으로 연결되는 제5 트랜지스터 및 제5 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 제2 게이트 신호를 수신하는 제6 트랜지스터를 포함할 수 있다.According to one side, the light emitting control signal generator includes a third transistor receiving a first gate signal, a fourth transistor electrically connected to the third transistor and receiving a second gate signal, and a gate terminal of the third transistor and the fourth transistor. It may include a fifth transistor electrically connected to the node electrically connected to and a sixth transistor electrically connected to the fifth transistor and receiving the second gate signal.
일측에 따르면, 발광 제어 신호 생성부는 제3 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 제1 게이트 신호를 수신하고, 제4 트랜지스터 및 제6 트랜지스터 각각의 게이트 단자를 통해 제2 게이트 신호를 수신할 수 있다.According to one side, the emission control signal generating unit may receive the first gate signal through the gate terminal of the third transistor and receive the second gate signal through the gate terminals of the fourth and sixth transistors, respectively.
일측에 따르면, 발광 제어 신호 생성부는 제3 트랜지스터와 제4 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 n+1번째 발광 제어 라인 사이에 구비되는 커플링 캐패시터를 더 포함할 수 있다.According to one side, the light emitting control signal generator may further include a coupling capacitor provided between a node electrically connecting the third transistor and the fourth transistor and the n+1th light emitting control line.
본 발명의 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 제1 신호 생성부에서, 제1 클록, 제1 클록과 반대의 위상을 갖는 제2 클록 및 n-1번째(여기서, n은 양의 정수) 발광 제어 라인을 통해 인가되는 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 단계, 제1 신호 생성부에서, 제1 클록과, 제2 클록 및 n-1번째 발광 제어 신호에 기초하여 제1 게이트 신호를 생성하는 단계, 제2 신호 생성부에서, n-1번째 발광 제어 신호와 기 제1 클록 및 제2 클록 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록을 수신하는 단계, 제2 신호 생성부에서, n-1번째 발광 제어 신호와 인에이블 클록에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성하는 단계 및 발광 제어 신호 생성부에서, 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.In a signal generation method according to an embodiment of the present invention, in a first signal generator, a first clock, a second clock having a phase opposite to the first clock, and an n-1th (where n is a positive integer) emit light. Receiving an n-1 th light emission control signal applied through a control line, generating a first gate signal in a first signal generator based on a first clock, a second clock, and an n-1 th light emission control signal receiving, in a second signal generator, an enable clock having the same pulse width and phase as the n-1 th light emission control signal and any one of the first and second clocks, the second signal Generating, in a generator, a second gate signal based on the n-1th light emission control signal and an enable clock; and In the light emission control signal generator, controlling the nth light emission based on the first gate signal and the second gate signal. A step of generating a target emission control signal applied through a line may be included.
일실시예에 따르면, 본 발명은 라인 시간의 홀수배 또는 짝수배 여부와 상관없이 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. According to one embodiment, the present invention can generate a light emission control signal having a pulse width of an arbitrary multiple regardless of whether the line time is an odd or even multiple.
일실시예에 따르면, 본 발명은 기존 기술 대비 보다 적은 개수의 트랜지스터로 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다.According to one embodiment, the present invention can generate a light emission control signal having a pulse width of an arbitrary multiple with a smaller number of transistors compared to conventional technologies.
도 1a 내지 도 1b는 유기 발광 표시장치의 픽셀 구동 회로를 설명하는 도면이다.
도 2는 일실시예에 따른 신호 생성 장치를 설명하는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c는 일실시예에 따른 신호 생성 장치의 제1 구현예를 설명하는 도면이다.
도 4a 내지 도 4c는 일실시예에 따른 신호 생성 장치의 제2 구현예를 설명하는 도면이다.
도 5는 일실시예에 따른 신호 생성 방법을 설명하는 도면이다.1A to 1B are diagrams illustrating a pixel driving circuit of an organic light emitting display device.
2 is a diagram illustrating a signal generating device according to an exemplary embodiment.
3A to 3C are diagrams illustrating a first implementation example of a signal generating device according to an embodiment.
4A to 4C are diagrams illustrating a second embodiment of a signal generating device according to an embodiment.
5 is a diagram illustrating a signal generation method according to an embodiment.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.Specific structural or functional descriptions of the embodiments according to the concept of the present invention disclosed in this specification are only illustrated for the purpose of explaining the embodiments according to the concept of the present invention, and the embodiments according to the concept of the present invention These may be embodied in various forms and are not limited to the embodiments described herein.
본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.Embodiments according to the concept of the present invention can apply various changes and can have various forms, so the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. However, this is not intended to limit the embodiments according to the concept of the present invention to specific disclosures, and includes modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들면 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.Terms such as first or second may be used to describe various elements, but elements should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one element from another element, for example, a first element may be termed a second element, and similar In short, the second component may also be referred to as the first component.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들면 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle. Expressions describing the relationship between components, such as "between" and "directly between" or "directly adjacent to" should be interpreted similarly.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this specification are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as "comprise" or "have" are intended to designate that the described feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof exists, but one or more other features or numbers, It should be understood that the presence or addition of steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this specification, it should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나, 특허출원의 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the patent application is not limited or limited by these examples. Like reference numerals in each figure indicate like elements.
도 2는 일실시예에 따른 신호 생성 장치를 설명하는 도면이다. 2 is a diagram illustrating a signal generating device according to an exemplary embodiment.
도 2를 참조하면, 일실시예에 따른 신호 생성 장치(200)는 라인 시간의 홀수배 또는 짝수배 여부와 상관없이 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the signal generating
또한, 신호 생성 장치(200)는 기존 기술 대비 보다 적은 개수의 트랜지스터로 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. In addition, the
이를 위해, 신호 생성 장치(200)는 제1 신호 생성부(210)와, 제2 신호 생성부(220) 및 발광 제어 신호 생성부(230)를 포함할 수 있으며, 제1 신호 생성부(210)와, 제2 신호 생성부(220) 및 발광 제어 신호 생성부(230)는 10개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구현될 수 있다. To this end, the
일실시예에 따른 제1 신호 생성부(210)는 제1 클록(CLK), 제1 클록(CLK)과 반대의 위상을 갖는 제2 클록(CLKB) 및 n-1번째(여기서, n은 양의 정수) 발광 제어 라인을 통해 인가되는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신할 수 있다. The
또한, 제1 신호 생성부(210)는 제1 클록(CLK), 제2 클록(CLKB) 및 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])에 기초하여 제1 게이트 신호를 생성할 수 있다. In addition, the
예를 들면, 제1 클록(CLK) 및 제2 클록(CLKB)은 서로 반대 위상을 갖는 클록 신호로, 펄스폭은 기설정된 라인 시간에 대응하여 형성될 수 있으며, 제1 클록(CLK) 및 제2 클록(CLKB) 각각은 유기 발광 표시장치의 타이밍 컨트롤러로부터 제공될 수 있다. For example, the first clock (CLK) and the second clock (CLKB) may be clock signals having phases opposite to each other, and the pulse width may be formed corresponding to a preset line time. Each of the two clocks CLKB may be provided from a timing controller of the organic light emitting diode display.
일실시예에 따른 제2 신호 생성부(220)는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와, 제1 클록(CLK) 및 제2 클록(CLKB) 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록(CLKE)을 수신할 수 있다. The second
또한, 제2 신호 생성부(220)는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와 인에이블 클록(CLKE)에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성할 수 있다. Also, the
일실시예에 따른 발광 제어 신호 생성부(230)는 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성할 수 있다.The emission
예를 들면, 타겟 발광 제어 신호(EM[n])는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와 동일한 펄스폭을 갖으며, n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와 대비하여, 단일 라인 시간만큼 지연된 신호일 수 있다.For example, the target emission control signal EM[n] has the same pulse width as the n-1 th emission control signal EM[n-1], and the n-1 th emission control signal EM[n-1]. 1]), it may be a signal delayed by a single line time.
또한, 인에이블 클록(CLKE)은 제1 클록(CLK) 및 제2 클록(CLKB)과 마찬가지로 라인 시간에 대응되는 펄스폭으로 형성될 수 있으며, 타겟 발광 제어 신호(EM[n])의 펄스폭의 크기에 따라 제1 클록(CLK) 및 제2 클록(CLKB) 중 어느 하나의 클록과 동일한 위상으로 형성될 수 있다. Also, the enable clock CLKE may be formed with a pulse width corresponding to the line time, similar to the first clock CLK and the second clock CLKB, and the pulse width of the target emission control signal EM[n]. It may be formed in the same phase as any one of the first clock (CLK) and the second clock (CLKB) according to the size of .
구체적으로, 타이밍 컨트롤러는 발광 제어 신호(EM[n])의 펄스폭이 라인 시간의 짝수배인 경우에는 스위칭 동작을 통해 제2 클록(CLKB)을 인에이블 클록(CLKE)으로써 제2 신호 생성부(220)에 제공하고, 발광 제어 신호(EM[n])의 펄스폭이 라인 시간의 홀수배인 경우에는 스위칭 동작을 통해 제1 클록(CLK)을 인에이블 클록(CLKE)으로써 제2 신호 생성부(220)에 제공할 수 있다. Specifically, when the pulse width of the emission control signal EM[n] is an even multiple of the line time, the timing controller converts the second clock CLKB into an enable clock CLKE through a switching operation, and the second signal generator. 220, and when the pulse width of the emission control signal EM[n] is an odd multiple of the line time, a second signal is generated by using the first clock CLK as an enable clock CLKE through a switching operation.
즉, 일실시예에 따른 신호 생성 장치(200)는 별도의 추가 전력 또는 회로의 구비 없이 타이밍 컨트롤러의 스위칭 동작만으로 제공되는 인에이블 클록(CLKE)을 이용하여 라인 시간의 홀수배 또는 짝수배 여부의 상관없이 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호(EM[n])를 생성할 수 있다. That is, the
일실시예에 따른 신호 생성 장치(200)는 이후 실시예 도 3a 내지 4c를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. The
도 3a 내지 도 3c는 일실시예에 따른 신호 생성 장치의 제1 구현예를 설명하는 도면이다.3A to 3C are diagrams illustrating a first implementation example of a signal generating device according to an embodiment.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 도면부호 310은 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치의 회로 구성도를 도시하고, 도면부호 320은 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 짝수배의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하기 위한 타이밍도를 도시하며, 도면부호 330은 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 홀수배의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하기 위한 타이밍도를 도시한다. Referring to FIGS. 3A to 3C ,
도면부호 310에 따르면, 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치는 제1 신호 생성부(311)와, 제2 신호 생성부(312) 및 발광 제어 신호 생성부(313)를 포함할 수 있으며, 제1 신호 생성부(311)와, 제2 신호 생성부(312) 및 발광 제어 신호 생성부(313)는 10개의 n-type TFT와 1개의 캐패시터로 구현될 수 있다.Referring to reference numeral 310, the signal generator according to the first embodiment may include a
제1 신호 생성부(311)는 제2 클록(CKLB) 및 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제1 트랜지스터(N1) 및 제1 트랜지스터(N1)와 전기적으로 연결되고 제1 클록(CLK)을 수신하는 제2 트랜지스터(N1)를 포함할 수 있다. The
구체적으로, 제1 신호 생성부(311)는 제1 트랜지스터(N1)의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하고, 제2 트랜지스터(N2)의 게이트 단자를 통해 제1 클록(CLK)을 수신할 수 있으며, 여기서 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])는 제1 클록(CLK)이 하이 레벨일 때 수신될 수 있다. Specifically, the
또한, 제1 신호 생성부(311)는 제1 트랜지스터(N1)의 드레인 단자를 통해 제2 클록(CKLB)를 수신하고, 제1 트랜지스터(N1)와 제2 트랜지스터(N2)를 전기적으로 연결하는 노드 A를 통해 제1 게이트 신호를 출력할 수 있으며, 여기서 제1 게이트 신호는 제1 트랜지스터(N1) 및 제2 트랜지스터(N2) 각각의 스위칭 동작에 따라 하이(high) 레벨 또는 로우(low) 레벨을 갖을 수 있다. In addition, the
한편, 제2 트랜지스터(N2)의 소스 단자는 로우 레벨의 전압(VGL)이 인가되는 제2 전압라인과 연결될 수 있으며, 일례로 제2 전압라인은 접지(GND) 라인일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, the source terminal of the second transistor N2 may be connected to a second voltage line to which the low level voltage VGL is applied. For example, the second voltage line may be a ground (GND) line, but is not limited thereto. no.
제2 신호 생성부(312)는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제7 트랜지스터(N7), 제7 트랜지스터(N7)와 전기적으로 연결되는 제8 트랜지스터(N8), n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제9 트랜지스터(N9) 및 제9 트랜지스터(N9)와 전기적으로 연결되고 인에이블 클록(CLKE)을 수신하는 제10 트랜지스터(N10)를 포함할 수 있다. The
구체적으로, 제2 신호 생성부(312)는 제7 트랜지스터(N7) 및 제8 트랜지스터(N8) 각각의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하고, 제10 트랜지스터(N10)의 드레인 단자를 통해 인에이블 클록(CLKE)을 수신할 수 있다. Specifically, the
또한, 제2 신호 생성부(312)는 제10 트랜지스터(N10)의 게이트 단자가 제7 트랜지스터(N7)와 제8 트랜지스터(N8)를 전기적으로 연결하는 노드와 연결될 수 있다.Also, in the
또한, 제2 신호 생성부(312)는 제9 트랜지스터(N9)와 제10 트랜지스터(N10)를 전기적으로 연결하는 노드 QB를 통해 제2 게이트 신호를 출력할 수 있으며, 여기서 제2 게이트 신호는 제7 트랜지스터(N7) 내지 제10 트랜지스터(N10) 각각의 스위칭 동작에 따라 하이(high) 레벨 또는 로우(low) 레벨을 갖을 수 있다.In addition, the
한편, 제7 트랜지스터(N7) 및 제9 트랜지스터(N9) 각각의 소스 단자는 제2 전압라인과 연결되고, 제8 트랜지스터(N8)의 드레인 단자는 하이 레벨의 전압(VGH)이 인가되는 제1 전압라인과 연결될 수 있으며, 일례로 제1 전압라인은 전원전압(VDD) 라인일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the source terminal of each of the seventh transistor N7 and the ninth transistor N9 is connected to the second voltage line, and the drain terminal of the eighth transistor N8 has a first voltage VGH applied thereto. It may be connected to a voltage line, and for example, the first voltage line may be a power supply voltage (VDD) line, but is not limited thereto.
또한, 제8 트랜지스터(N8)는 다이오드 연결된 트랜지스터(diode connected transistor)일 수 있다.Also, the eighth transistor N8 may be a diode connected transistor.
발광 제어 신호 생성부(313)는 제1 게이트 신호를 수신하는 제3 트랜지스터(N3), 제3 트랜지스터(N3)와 전기적으로 연결되고 제2 게이트 신호를 수신하는 제4 트랜지스터(N4), 게이트 단자가 제3 트랜지스터(N3)와 제4 트랜지스터(N4)를 전기적으로 연결하는 노드 Q와 전기적으로 연결되는 제5 트랜지스터(N5) 및 제5 트랜지스터(N5)와 전기적으로 연결되고 제2 게이트 신호를 수신하는 제6 트랜지스터(N6)를 포함할 수 있다. The emission
구체적으로, 발광 제어 신호 생성부(313)는 제3 트랜지스터(N3)의 게이트 단자를 통해 제1 게이트 신호를 수신하고, 제4 트랜지스터(N4) 및 제6 트랜지스터(N6) 각각의 게이트 단자를 통해 제2 게이트 신호를 수신할 수 있다. 다시 말해, 제3 트랜지스터(N3)의 게이트 단자는 노드 A와 연결되고, 제4 트랜지스터(N4) 및 제6 트랜지스터(N6)의 게이트 단자는 노드 QB와 연결될 수 있다. Specifically, the emission
또한, 발광 제어 신호 생성부(313)는 제5 트랜지스터(N5)와 제6 트랜지스터(N6)를 전기적으로 연결하는 노드를 통해 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하여 출력할 수 있으며, 여기서 타겟 발광 제어 신호(EM[n])는 제3 트랜지스터(N3) 내지 제6 트랜지스터(N6) 각각의 스위칭 동작에 따라 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와 동일한 펄스폭을 갖으며 라인 시간만큼 지연된 신호로 형성/출력될 수 있다. In addition, the emission
예를 들면, 발광 제어 신호 생성부(313)는 n번째 발광 제어 라인에 연결된 픽셀 구동 회로 각각으로 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 출력할 수 있다. For example, the emission control
한편, 제3 트랜지스터(N3) 및 제5 트랜지스터(N5)의 드레인 단자는 제1 전압라인과 연결되고, 제4 트랜지스터(N4) 및 제6 트랜지스터(N6)의 소스 단자는 제2 전압라인과 연결될 수 있다. Meanwhile, the drain terminals of the third and fifth transistors N3 and N5 are connected to the first voltage line, and the source terminals of the fourth and sixth transistors N4 and N6 are connected to the second voltage line. can
일측에 따르면, 발광 제어 신호 생성부(313)는 노드 Q와 n+1번째 발광 제어 신호(EM[n+1])가 인가되는 n+1번째 발광 제어 라인 사이에 구비되는 커플링 캐패시터(C)를 더 포함할 수 있으며, 커플링 캐패시터(C)는 캐패시티브 커플링(capacitive coupling)을 통해 노드 Q의 전압을 높여 주어 타겟 발광 제어 신호(EM[n])의 레벨을 하이 레벨의 전압(VGH)까지 올라가도록 제어할 수 있다. According to one side, the emission
이하에서는, 도면부호 320 및 330에 도시된 타이밍도를 통해 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치의 동작 과정을 설명하기로 한다. Hereinafter, the operation process of the signal generator according to the first embodiment will be described through timing diagrams shown at
제1 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 짝수배의 펄스폭을 갖는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하는 경우에 도면부호 320의 구간 (1)에서는 노드 A가 로우 레벨로 유지되고 노드 QB가 하이 레벨로 유지되기 때문에 노드 Q와 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 로우 레벨로 유지될 수 있다. When the signal generating device according to the first embodiment generates a target emission control signal EM[n] having a pulse width of an even number of times the line time, node A is at a low level in section (1) of
도면부호 320의 구간 (2)에서는 노드 A가 제2 클록(CLKB)를 따라 하이 레벨이 되기 시작하여 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1]) 보다 하나의 라인 시간 뒤에 노드 Q가 하이 레벨이 되고, 바로 다음으로 n+1번째 발광 제어 신호(EM[n+1])가 하이 레벨로 올라갈 때 커플링 캐패시터를 통한 커플링 동작으로 인해 노드 Q가 더 높은 전압으로 올라가게 되며, 이에 따라 구간 (2)에서는 풀-업(pull-up) 트랜지스터인 제5 트랜지스터(N5)가 턴-온이 되기 때문에 하이 레벨의 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 출력될 수 있다. In period (2) of
도면부호 320의 구간 (3)에서는 인에이블 클록(CLKE)이 제2 클록(CLKB)과 동일한 파형을 갖기 때문에 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])가 로우 레벨로 떨어진 이후에 노드 QB가 하나의 라인 시간 이후에 하이 레벨로 올라가게 되고, 이로 인해 노드 Q와 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 한 라인 시간 이후에 로우 레벨로 떨어지게 되며, 이를 통해 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1]) 대비 하나의 라인 시간이 지연된 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 출력할 수 있다.In section (3) of
라인 시간의 홀수배의 펄스폭을 갖는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하는 경우에 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치는 도면부호 330의 타이밍도에 따라 동작할 수 있으며, 여기서 도면부호 330에 따른 동작과정은 앞서 도면부호 320을 통해 설명한 동작 과정과 인에이블 클록(CLKE)과 제1 클록(CLK)이 동일한 클록이라는 점을 제외하고는 동일하게 동작하므로 도면부호 320을 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In the case of generating the target emission control signal EM[n] having a pulse width of an odd multiple of the line time, the signal generating device according to the first embodiment may operate according to the timing diagram of
도 4a 내지 도 4c는 일실시예에 따른 신호 생성 장치의 제2 구현예를 설명하는 도면이다.4A to 4C are diagrams illustrating a second embodiment of a signal generating device according to an embodiment.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 도면부호 410은 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치의 회로 구성도를 도시하고, 도면부호 420은 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 짝수배의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하기 위한 타이밍도를 도시하며, 도면부호 430은 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 홀수배의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성하기 위한 타이밍도를 도시한다.Referring to FIGS. 4A to 4C ,
도면부호 410에 따르면, 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치는 제1 신호 생성부(411)와, 제2 신호 생성부(412) 및 발광 제어 신호 생성부(413)를 포함할 수 있으며, 제1 신호 생성부(411)와, 제2 신호 생성부(412) 및 발광 제어 신호 생성부(413)는 10개의 p-type TFT와 1개의 캐패시터로 구현될 수 있다.Referring to reference numeral 410, the signal generator according to the second embodiment may include a
제1 신호 생성부(411)는 제2 클록(CKLB)과 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제1 트랜지스터(P1) 및 제1 트랜지스터(P1)와 전기적으로 연결되고 제1 클록(CLK)을 수신하는 제2 트랜지스터(P1)를 포함할 수 있다.The
구체적으로, 제1 신호 생성부(411)는 제1 트랜지스터(P1)의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하고, 제2 트랜지스터(P2)의 게이트 단자를 통해 제1 클록(CLK)을 수신할 수 있다.Specifically, the
또한, 제1 신호 생성부(311)는 제1 트랜지스터(P1)의 소스 단자를 통해 제2 클록(CKLB)를 수신하고, 제1 트랜지스터(P1)와 제2 트랜지스터(P2)를 전기적으로 연결하는 노드 A를 통해 제1 게이트 신호를 출력할 수 있으며, 여기서 제1 게이트 신호는 제1 트랜지스터(P1) 및 제2 트랜지스터(P2) 각각의 스위칭 동작에 따라 하이(high) 레벨 또는 로우(low) 레벨을 갖을 수 있다.In addition, the
한편, 제2 트랜지스터(P2)의 드레인 단자는 하이 레벨의 전압(VGH)이 인가되는 제1 전압라인과 연결될 수 있다.Meanwhile, a drain terminal of the second transistor P2 may be connected to a first voltage line to which a high level voltage VGH is applied.
제2 신호 생성부(412)는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제7 트랜지스터(P7), 제7 트랜지스터(P7)와 전기적으로 연결되는 제8 트랜지스터(P8), n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하는 제9 트랜지스터(P9) 및 제9 트랜지스터(P9)와 전기적으로 연결되고 인에이블 클록(CLKE)을 수신하는 제10 트랜지스터(P10)를 포함할 수 있다.The
구체적으로, 제2 신호 생성부(412)는 제7 트랜지스터(P7) 및 제8 트랜지스터(P8) 각각의 게이트 단자를 통해 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])를 수신하고, 제10 트랜지스터(P10)의 소스 단자를 통해 인에이블 클록(CLKE)을 수신할 수 있다.Specifically, the
또한, 제2 신호 생성부(412)는 제10 트랜지스터(P10)의 게이트 단자가 제7 트랜지스터(P7)와 제8 트랜지스터(P8)를 전기적으로 연결하는 노드와 연결될 수 있다.Also, in the
또한, 제2 신호 생성부(412)는 제9 트랜지스터(P9)와 제10 트랜지스터(P10)를 전기적으로 연결하는 노드 QB를 통해 제2 게이트 신호를 출력할 수 있으며, 여기서 제2 게이트 신호는 제7 트랜지스터(P7) 내지 제10 트랜지스터(P10) 각각의 스위칭 동작에 따라 하이(high) 레벨 또는 로우(low) 레벨을 갖을 수 있다.In addition, the
한편, 제7 트랜지스터(P7) 및 제9 트랜지스터(P9) 각각의 드레인 단자는 제1 전압라인과 연결되고, 제8 트랜지스터(P8)의 소스 단자는 로우 레벨의 전압(VGL)이 인가되는 제2 전압라인과 연결될 수 있다. 또한, 제8 트랜지스터(P8)는 다이오드 연결된 트랜지스터일 수 있다.Meanwhile, the drain terminal of each of the seventh transistor P7 and the ninth transistor P9 is connected to the first voltage line, and the source terminal of the eighth transistor P8 is connected to the second voltage to which the low level voltage VGL is applied. It can be connected with a voltage line. Also, the eighth transistor P8 may be a diode-connected transistor.
발광 제어 신호 생성부(413)는 제1 게이트 신호를 수신하는 제3 트랜지스터(P3), 제3 트랜지스터(P3)와 전기적으로 연결되고 제2 게이트 신호를 수신하는 제4 트랜지스터(P4), 게이트 단자가 제3 트랜지스터(P3)와 제4 트랜지스터(P4)를 전기적으로 연결하는 노드 Q와 전기적으로 연결되는 제5 트랜지스터(P5) 및 제5 트랜지스터(P5)와 전기적으로 연결되고 제2 게이트 신호를 수신하는 제6 트랜지스터(P6)를 포함할 수 있다.The light emitting
구체적으로, 발광 제어 신호 생성부(413)는 제3 트랜지스터(P3)의 게이트 단자를 통해 제1 게이트 신호를 수신하고, 제4 트랜지스터(P4) 및 제6 트랜지스터(P6) 각각의 게이트 단자를 통해 제2 게이트 신호를 수신할 수 있다. 다시 말해, 제3 트랜지스터(P3)의 게이트 단자는 노드 A와 연결되고, 제4 트랜지스터(P4) 및 제6 트랜지스터(P6)의 게이트 단자는 노드 QB와 연결될 수 있다.Specifically, the light emitting
또한, 발광 제어 신호 생성부(413)는 제5 트랜지스터(P5)와 제6 트랜지스터(P6)를 전기적으로 연결하는 노드를 통해 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하여 출력할 수 있으며, 여기서 타겟 발광 제어 신호(EM[n])는 제3 트랜지스터(P3) 내지 제6 트랜지스터(P6) 각각의 스위칭 동작에 따라 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])와 동일한 펄스폭을 갖으며 라인 시간만큼 지연된 신호로 형성/출력될 수 있다.In addition, the emission
예를 들면, 발광 제어 신호 생성부(413)는 n번째 로우 라인에 연결된 픽셀 구동 회로 각각으로 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 출력할 수 있으며, 픽셀 구동 회로는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 하이 레벨일 때 빛이 발생되지 않도록 제어될 수 있다.For example, the emission
한편, 제3 트랜지스터(P3) 및 제5 트랜지스터(P5)의 소스 단자는 제2 전압라인과 연결되고, 제4 트랜지스터(P4) 및 제6 트랜지스터(P6)의 드레인 단자는 제1 전압라인과 연결될 수 있다.Meanwhile, source terminals of the third and fifth transistors P3 and P5 are connected to the second voltage line, and drain terminals of the fourth and sixth transistors P4 and P6 are connected to the first voltage line. can
일측에 따르면, 발광 제어 신호 생성부(413)는 노드 Q와 n+1번째 발광 제어 신호(EM[n+1])가 인가되는 n+1번째 발광 제어 라인 사이에 구비되는 커플링 캐패시터(C)를 더 포함할 수 있으며, 커플링 캐패시터(C)는 캐패시티브 커플링(capacitive coupling)을 통해 노드 Q의 전압을 높여 주어 타겟 발광 제어 신호(EM[n])의 레벨을 로우 레벨의 전압(VGL)까지 떨어지도록 제어할 수 있다.According to one side, the emission
이하에서는, 도면부호 420 및 430에 도시된 타이밍도를 통해 제1 구현예에 따른 신호 생성 장치의 동작 과정을 설명하기로 한다.Hereinafter, the operation process of the signal generating apparatus according to the first embodiment will be described through timing diagrams shown at
제2 구현예에 따른 신호 생성 장치에서 라인 시간의 짝수배의 펄스폭을 갖는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하는 경우에 도면부호 420의 구간 (1)에서는 노드 A가 하이 레벨로 유지되고 노드 QB가 로우 레벨로 유지되기 때문에 노드 Q와 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 하이 레벨로 유지될 수 있다.When the signal generating device according to the second embodiment generates a target emission control signal EM[n] having a pulse width of an even number of times the line time, node A is at a high level in section (1) of
도면부호 420의 구간 (2)에서는 노드 A가 제2 클록(CLKB)를 따라 로우 레벨이 되기 시작하여 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1]) 보다 하나의 라인 시간 뒤에 노드 Q가 로우 레벨이 되고, 바로 다음으로 n+1번째 발광 제어 신호(EM[n+1])가 로우 레벨로 올라갈 때 커플링 캐패시터를 통한 커플링 동작으로 인해 노드 Q가 더 낮은 전압으로 떨어지며, 이에 따라 구간 (2)에서는 제5 트랜지스터(N5)가 턴-온이 되기 때문에 로우 레벨의 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 출력될 수 있다.In period (2) of
도면부호 420의 구간 (3)에서는 인에이블 클록(CLKE)이 제2 클록(CLKB)과 동일한 파형을 갖기 때문에 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1])가 하이 레벨로 증가한 이후에 노드 QB가 하나의 라인 시간 이후에 로우 레벨로 떨어지게 되고, 이로 인해 노드 Q와 타겟 발광 제어 신호(EM[n])가 한 라인 시간 이후에 하이 레벨로 올라가게 되며, 이를 통해 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치는 n-1번째 발광 제어 신호(EM[n-1]) 대비 하나의 라인 시간이 지연된 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 출력할 수 있다.In section (3) of
라인 시간의 홀수배의 펄스폭을 갖는 타겟 발광 제어 신호(EM[n])를 생성하는 경우에 제2 구현예에 따른 신호 생성 장치는 도면부호 430의 타이밍도에 따라 동작할 수 있으며, 여기서 도면부호 430에 따른 동작과정은 앞서 도면부호 420을 통해 설명한 동작 과정과 인에이블 클록(CLKE)과 제1 클록(CLK)이 동일한 클록이라는 점을 제외하고는 동일하게 동작하므로 도면부호 420을 통해 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.In the case of generating the target emission control signal EM[n] having a pulse width of an odd multiple of the line time, the signal generating device according to the second embodiment may operate according to the timing diagram of
도 5는 일실시예에 따른 신호 생성 방법을 설명하는 도면이다. 5 is a diagram illustrating a signal generation method according to an embodiment.
다시 말해, 도 5는 도 2 내지 도 4c를 통해 설명한 일실시예에 따른 신호 생성 장치의 동작방법을 설명하는 도면으로 이하에서 도 5를 통해 설명하는 내용 중 도 2 내지 도 4c를 통해 설명하는 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다. In other words, FIG. 5 is a view for explaining an operation method of the signal generating device according to the embodiment described through FIGS. 2 to 4C, and among the contents described through FIG. 2 to FIG. 4C below, A description overlapping with the above will be omitted.
도 5를 참조하면, 510 단계에서 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 제1 신호 생성부에서, 제1 클록, 제1 클록과 반대의 위상을 갖는 제2 클록 및 n-1번째(여기서, n은 양의 정수) 발광 제어 라인을 통해 인가되는 n-1번째 발광 제어 신호를 수신할 수 있다. Referring to FIG. 5, in
다음으로, 520 단계에서 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 제1 신호 생성부에서, 제1 클록과, 제2 클록 및 n-1번째 발광 제어 신호에 기초하여 제1 게이트 신호를 생성할 수 있다.Next, in
다음으로, 530 단계에서 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 제제2 신호 생성부에서, n-1번째 발광 제어 신호와, 제1 클록 및 제2 클록 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록을 수신할 수 있다. 여기서, 일실시예에 따른 신호 생성 방법의 530 단계는 510 단계와 동일한 시간에 수행될 수 있다. Next, in
다음으로, 540 단계에서 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 제2 신호 생성부에서, n-1번째 발광 제어 신호와 인에이블 클록에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성할 수 있다. Next, in
다음으로, 550 단계에서 일실시예에 따른 신호 생성 방법은 발광 제어 신호 생성부에서, 제1 게이트 신호 및 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. Next, in
일측에 따르면, 타겟 발광 제어 신호는 n-1번째 발광 제어 신호와 동일한 펄스폭을 갖으며, n-1번째 발광 제어 신호와 대비하여, 제1 클록, 제2 클록 및 인에이블 클록 중 적어도 하나의 클록의 펄스폭에 대응되는 라인 시간만큼 지연된 신호일 수 있다. According to one side, the target light emission control signal has the same pulse width as the n-1th light emission control signal, and in contrast to the n-1th light emission control signal, at least one of the first clock, the second clock, and the enable clock. It may be a signal delayed by the line time corresponding to the pulse width of the clock.
결국, 본 발명을 이용하면, 라인 시간의 홀수배 또는 짝수배 여부와 상관없이 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다. As a result, using the present invention, it is possible to generate an emission control signal having a pulse width of an arbitrary multiple regardless of whether the line time is an odd or even multiple.
또한, 본 발명을 이용하면, 기존 기술 대비 보다 적은 개수의 트랜지스터로 임의의 배수의 펄스폭을 갖는 발광 제어 신호를 생성할 수 있다.In addition, if the present invention is used, a light emission control signal having a pulse width of an arbitrary multiple can be generated with a smaller number of transistors compared to the conventional technology.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들면, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 장치, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, those skilled in the art can make various modifications and variations from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or the described devices, structures, devices, circuits, etc., may be combined or combined in a different form than the described method, or other components Or even if it is replaced or substituted by equivalents, appropriate results can be achieved.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims are within the scope of the following claims.
200: 신호 생성 장치
210: 제1 신호 생성부
220: 제2 신호 생성부
230: 발광 제어 신호 생성부200: signal generating device 210: first signal generating unit
220: second signal generator 230: emission control signal generator
Claims (11)
상기 n-1번째 발광 제어 신호와, 상기 제1 클록 및 상기 제2 클록 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록을 수신하고, 상기 n-1번째 발광 제어 신호와 상기 인에이블 클록에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성하는 제2 신호 생성부 및
상기 제1 게이트 신호 및 상기 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호를 생성하는 발광 제어 신호 생성부
를 포함하는 신호 생성 장치.Receiving a first clock, a second clock having a phase opposite to the first clock, and an n-1 th light emission control signal applied through an n-1 th light emission control line (where n is a positive integer); a first signal generator configured to generate a first gate signal based on the first clock, the second clock, and the n−1 th light emission control signal;
An enable clock having the same pulse width and phase as the n-1 th light emission control signal and one of the first clock and the second clock is received, and the n-1 th light emission control signal and the phosphor a second signal generator configured to generate a second gate signal based on an enable clock; and
An emission control signal generator configured to generate a target emission control signal applied through an nth emission control line based on the first gate signal and the second gate signal.
A signal generating device comprising a.
상기 타겟 발광 제어 신호는,
상기 n-1번째 발광 제어 신호와 동일한 펄스폭을 갖으며, 상기 n-1번째 발광 제어 신호와 대비하여, 상기 제1 클록, 상기 제2 클록 및 상기 인에이블 클록 중 적어도 하나의 클록의 펄스폭에 대응되는 라인 시간만큼 지연된 신호인
신호 생성 장치.According to claim 1,
The target emission control signal,
The pulse width of at least one of the first clock, the second clock, and the enable clock has the same pulse width as the n-1 th light emission control signal and is comparable to the n-1 th light emission control signal. A signal delayed by the line time corresponding to
signal generator.
상기 제1 신호 생성부는,
상기 제2 클록 및 상기 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제1 트랜지스터 및
상기 제1 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 제1 클록을 수신하는 제2 트랜지스터
를 포함하는 신호 생성 장치.According to claim 1,
The first signal generator,
a first transistor receiving the second clock and the n−1 th light emission control signal; and
A second transistor electrically connected to the first transistor and receiving the first clock
A signal generating device comprising a.
상기 제1 신호 생성부는,
상기 제1 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 상기 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하고, 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 상기 제1 클록을 수신하는
신호 생성 장치.According to claim 3,
The first signal generator,
Receiving the n−1 th light emission control signal through the gate terminal of the first transistor and receiving the first clock through the gate terminal of the second transistor
signal generator.
상기 제2 신호 생성부는,
상기 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제7 트랜지스터;
상기 제7 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제8 트랜지스터;
상기 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는 제9 트랜지스터 및
상기 제9 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 인에이블 클록을 수신하는 제10 트랜지스터
를 포함하는 신호 생성 장치.According to claim 1,
The second signal generator,
a seventh transistor to receive the n−1 th light emission control signal;
an eighth transistor electrically connected to the seventh transistor;
a ninth transistor receiving the n−1 th light emission control signal; and
A tenth transistor electrically connected to the ninth transistor and receiving the enable clock
A signal generating device comprising a.
상기 제2 신호 생성부는,
상기 제7 트랜지스터 및 상기 제8 트랜지스터 각각의 게이트 단자를 통해 상기 n-1번째 발광 제어 신호를 수신하는
신호 생성 장치.According to claim 5,
The second signal generator,
Receiving the n−1 th light emission control signal through gate terminals of the seventh transistor and the eighth transistor, respectively
signal generator.
상기 제2 신호 생성부는,
상기 제10 트랜지스터의 게이트 단자가 상기 제7 트랜지스터와 상기 제8 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 연결되는
신호 생성 장치.According to claim 5,
The second signal generator,
A gate terminal of the tenth transistor is connected to a node electrically connecting the seventh transistor and the eighth transistor.
signal generator.
상기 발광 제어 신호 생성부는,
상기 제1 게이트 신호를 수신하는 제3 트랜지스터;
상기 제3 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 게이트 신호를 수신하는 제4 트랜지스터;
게이트 단자가 상기 제3 트랜지스터와 상기 제4 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 전기적으로 연결되는 제5 트랜지스터 및
상기 제5 트랜지스터와 전기적으로 연결되고, 상기 제2 게이트 신호를 수신하는 제6 트랜지스터를 포함하는
신호 생성 장치.According to claim 1,
The emission control signal generator,
a third transistor receiving the first gate signal;
a fourth transistor electrically connected to the third transistor and receiving the second gate signal;
A fifth transistor having a gate terminal electrically connected to a node electrically connecting the third transistor and the fourth transistor; and
A sixth transistor electrically connected to the fifth transistor and receiving the second gate signal.
signal generator.
상기 발광 제어 신호 생성부는,
상기 제3 트랜지스터의 게이트 단자를 통해 상기 제1 게이트 신호를 수신하고, 상기 제4 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터 각각의 게이트 단자를 통해 상기 제2 게이트 신호를 수신하는
신호 생성 장치.According to claim 8,
The emission control signal generator,
Receiving the first gate signal through a gate terminal of the third transistor, and receiving the second gate signal through gate terminals of each of the fourth and sixth transistors
signal generator.
상기 발광 제어 신호 생성부는,
상기 제3 트랜지스터와 상기 제4 트랜지스터를 전기적으로 연결하는 노드와 n+1번째 발광 제어 라인 사이에 구비되는 커플링 캐패시터
를 더 포함하는 신호 생성 장치.According to claim 8,
The emission control signal generator,
a coupling capacitor provided between a node electrically connecting the third transistor and the fourth transistor and an n+1 th light emitting control line;
Signal generating device further comprising a.
상기 제1 신호 생성부에서, 상기 제1 클록과, 상기 제2 클록 및 상기 n-1번째 발광 제어 신호에 기초하여 제1 게이트 신호를 생성하는 단계;
제2 신호 생성부에서, 상기 n-1번째 발광 제어 신호와, 상기 제1 클록 및 상기 제2 클록 중 어느 하나의 클록과 동일한 펄스폭 및 위상을 갖는 인에이블 클록을 수신하는 단계;
상기 제2 신호 생성부에서, 상기 n-1번째 발광 제어 신호와 상기 인에이블 클록에 기초하여 제2 게이트 신호를 생성하는 단계 및
발광 제어 신호 생성부에서, 상기 제1 게이트 신호 및 상기 제2 게이트 신호에 기초하여 n번째 발광 제어 라인을 통해 인가되는 타겟 발광 제어 신호를 생성하는 단계
를 포함하는 신호 생성 방법.
In the first signal generator, the n-1th light emission is applied through a first clock, a second clock having a phase opposite to the first clock, and an n-1th (where n is a positive integer) emission control line. receiving a control signal;
generating, by the first signal generator, a first gate signal based on the first clock, the second clock, and the n−1 th light emission control signal;
receiving, by a second signal generator, an enable clock having the same pulse width and phase as the n−1 th light emission control signal and one of the first clock and the second clock;
generating, by the second signal generator, a second gate signal based on the n-1 th light emission control signal and the enable clock; and
Generating, in a light emitting control signal generator, a target light emitting control signal applied through an nth light emitting control line based on the first gate signal and the second gate signal;
Signal generation method comprising a.
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