KR20190024465A - Gate driving circuit and organic light emitting display using the same - Google Patents

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KR20190024465A KR1020170111475A KR20170111475A KR20190024465A KR 20190024465 A KR20190024465 A KR 20190024465A KR 1020170111475 A KR1020170111475 A KR 1020170111475A KR 20170111475 A KR20170111475 A KR 20170111475A KR 20190024465 A KR20190024465 A KR 20190024465A
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Abstract

An organic light emitting display device according to the present invention comprises: pixels connected to a gate line; and a gate driving circuit made of a plurality of stages supplying a gate signal applied to at least one of the gate lines and dependently connected to each other. The n^th stage of the gate driving circuit includes a Q1 node charging unit charging a Q1 node with a turn-on voltage and a full-up transistor applying the turn-on voltage to an output terminal in response to a Q1 node voltage using first and second clock signals having antiphase, wherein n is a natural number. The Q1 node charging unit includes a first charging unit charging the Q1 node voltage with the turn-on voltage and a second charging unit charging a Q2 node coupled to the Q1 node using a first clock signal in a section where the Q1 node is charged with the turn-on voltage using a second clock signal.

Description

게이트 구동회로 및 이를 이용한 유기발광 표시장치{GATE DRIVING CIRCUIT AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a gate driving circuit and an organic light emitting diode (OLED)

본 명세서는 구동 능력이 향상된 게이트 구동회로 및 이를 이용한 유기발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gate driving circuit having improved driving capability and an OLED display using the same.

평판 표시장치(Flat Panel Display; FPD)는 소형화 및 경량화에 유리한 장점으로 인해서 데스크탑 컴퓨터의 모니터뿐만 아니라, 노트북컴퓨터, 태블릿 등의 휴대용 컴퓨터나 휴대 전화 단말기 등에 폭넓게 이용되고 있다. 현재는 평판 표시장치뿐만 아니라 커브드 표시장치(Curved Display), 플렉서블 표시장치(Flexible Display), 롤러블 표시장치(Rollable Display), 및 웨어러블 표시장치(Wearable Display) 등 다양한 형태의 표시장치가 개발되고 있다. 이러한 표시장치들은 액정표시장치{Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; PDP), 전계 방출표시장치{Field Emission Display; FED), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting diode Display; 이하, OLED), 및 양자점 표시장치(Quantum Dot Display; QD) 등이 있다. Flat panel displays (FPDs) are widely used not only for monitors of desktop computers but also for portable computers such as notebook computers and tablets, as well as mobile phone terminals, due to their advantages of miniaturization and light weight. Currently, various types of display devices such as a curved display, a flexible display, a rollable display, and a wearable display have been developed not only in the flat panel display, have. Such display devices include a liquid crystal display (LCD) (LCD), a plasma display panel (PDP), a field emission display An organic light emitting diode (OLED), and a quantum dot display (QD).

이 중에서 유기발광 표시장치는 응답속도가 빠르고, 발광효율이 높은 휘도를 표현할 수 있으며 시야각이 큰 장점이 있다. 일반적으로 유기발광 표시장치는 스캔신호에 의해서 턴-온 되는 트랜지스터를 이용하여 데이터전압을 구동트랜지스터의 게이트 전극에 인가하고, 구동트랜지스터에 공급되는 데이터전압을 스토리지 커패시터에 충전한다. 그리고 발광제어신호를 이용하여 스토리지 커패시터에 충전된 데이터전압을 출력함으로써 유기발광소자를 발광시킨다. Among these, the organic light emitting display device has advantages of high response speed, high luminance efficiency, and large viewing angle. In general, an organic light emitting display uses a transistor turned on by a scan signal to apply a data voltage to a gate electrode of a driving transistor, and charges a data voltage supplied to the driving transistor to a storage capacitor. The organic light emitting element emits light by outputting the data voltage charged to the storage capacitor using the emission control signal.

유기발광 표시장치는 에미션신호와 하나 이상의 스캔신호를 이용하여 구동된다. 게이트신호인 에미션신호 및 스캔신호들을 생성하는 게이트 구동회로는 게이트신호를 순차적으로 출력하기 위한 쉬프트 레지스터를 포함하는 것이 일반적이다. 게이트 구동회로는 표시패널에서 비표시영역인 베젤 영역에 박막 트랜지스터들의 조합으로 이루어지는 게이트-인-패널(Gate In Panel, 이하 GIP) 형태로 구현되기도 한다. GIP 형태의 게이트 구동회로는 게이트라인의 개수에 대응하는 스테이지를 구비하고, 각 스테이지는 일대일로 대응하는 게이트라인에 공급되는 게이트펄스를 출력한다.The OLED display device is driven using an emission signal and one or more scan signals. The gate driving circuit for generating the emission signal and the scan signals, which are gate signals, generally includes a shift register for sequentially outputting the gate signals. The gate driving circuit may be implemented as a gate-in-panel (GIP) type in which a bezel region in a display panel is a non-display region and a combination of thin film transistors. The gate driving circuit of the GIP type has a stage corresponding to the number of gate lines, and each stage outputs a gate pulse supplied to the corresponding gate line on a one-to-one basis.

시프트레지스터는 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 게이트 구동회로의 구동 능력 향상 및 구동의 신뢰성을 높이기 위한 회로 구성을 최적화하기 위한 방안이 모색되고 있다.The shift register can be implemented in various forms, and a method for optimizing the circuit configuration for improving the driving capability of the gate driving circuit and for increasing the reliability of the driving is being sought.

앞서 언급한 바와 같이, 게이트 구동회로는 화소 어레이와 함께 표시패널에 내장되는 기술인 GIP(gate driver in panel) 형태로 구현될 수 있다. 이러한 게이트 구동회로를 GIP 회로라고 일컫을 수도 있다. GIP 회로는 시프트 레지스터(shift register)를 포함하고, 시프트 레지스터를 구성하는 스테이지(stage)들은 스타트 펄스(start pulse)에 응답하여 출력을 발생하며, 그 출력을 클럭 신호에 따라 시프트시킬 수 있다. 즉, 게이트 구동회로는 다수의 트랜지스터(transistor)를 포함하는 스테이지들을 구비하고, 스테이지들은 종속적(cascading)으로 접속되어 출력을 순차적으로 발생할 수 있다. 이 경우, 트랜지스터는 트랜지스터의 한 종류로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 포함할 수 있다.As mentioned above, the gate driver circuit can be implemented in the form of a gate driver in panel (GIP), which is a technique embedded in a display panel together with a pixel array. Such a gate drive circuit may be referred to as a GIP circuit. The GIP circuit includes a shift register, and the stages constituting the shift register generate an output in response to a start pulse, and can shift the output according to the clock signal. That is, the gate driving circuit has stages including a plurality of transistors, and the stages may be connected in a cascading manner to sequentially generate outputs. In this case, the transistor may include a thin film transistor (TFT) as a kind of transistor.

스테이지들은 각각 풀업 트랜지스터(pull-up transistor)를 제어하기 위한 Q 노드, 풀다운 트랜지스터(pull-up transistor)를 제어하기 위한 QB(Q bar) 노드를 포함할 수 있다. 예를 들어, 스테이지들 각각은 전단 스테이지로부터 입력된 스타트 전압 신호 및 클럭 신호에 응답하여 Q 노드와 QB 노드 전압을 서로 반대로 충방전시키는 트랜지스터들을 포함할 수 있다.The stages may each include a Q node for controlling a pull-up transistor, and a QB (Q bar) node for controlling a pull-up transistor. For example, each of the stages may include transistors for charging and discharging the Q node and the QB node voltage in opposition to each other in response to a start voltage signal and a clock signal input from the front stage.

QB 노드는 Q 노드와 반대로 충방전된다. Q 노드가 고전위전압일 때 QB 노드는 저전위전압이 되고, Q 노드가 저전위전압일때 QB 노드는 고전위전압이 된다. Q 노드 또는 QB 노드에 저전위전압이 인가되면 풀업 트랜지스터 또는 풀다운 트랜지스터가 턴온(turn-on)되고, Q 노드 또는 QB 노드에 고전위전압이 인가되면 풀업 트랜지스터 또는 풀다운 트랜지스터가 턴오프(turn-off)되므로, 게이트 라인에 연결된 트랜지스터를 턴온/턴오프(off)시켜준다. 풀업 트랜지스터 및 풀다운 트랜지스터 각각의 일전극은 출력단에 연결되고, 출력단은 화소 어레이로 게이트 신호를 제공하기 위한 게이트 라인에 연결된다.The QB node is charged and discharged as opposed to the Q node. When the Q node is a high potential voltage, the QB node becomes a low potential voltage, and when the Q node is a low potential voltage, the QB node becomes a high potential voltage. When a low potential voltage is applied to the Q node or the QB node, the pull-up transistor or the pull-down transistor is turned on. When a high potential voltage is applied to the Q node or the QB node, the pull- ), Thereby turning on / off the transistor connected to the gate line. One electrode of each of the pull-up transistor and the pull-down transistor is connected to the output terminal, and the output terminal is connected to the gate line for providing the gate signal to the pixel array.

앞서 언급한 바와 같이, Q 노드 및 QB 노드에 의해 출력단에 출력신호가 인가된다. 따라서, Q 노드 또는 QB 노드가 플로팅되면 Q 노드 또는 QB 노드의 전압이 고정되지 않고 변동될 수 있으므로 잘못된 출력신호가 출력될 수 있다.As mentioned above, the output signal is applied to the output terminal by the Q node and the QB node. Therefore, if the Q node or the QB node is floated, the voltage of the Q node or the QB node may fluctuate without being fixed, so that an erroneous output signal may be output.

이에 본 명세서의 발명자들은 위에서 언급한 문제점들을 인식하고, 게이트 구동회로의 구동 능력 및 구동 신뢰성을 향상시키기 위한 게이트 구동회로를 고안하고, 이를 이용한 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present invention recognized the above-mentioned problems and devised a gate driving circuit for improving driving capability and driving reliability of a gate driving circuit, and invented a display using the same.

본 명세서의 실시예에 따른 해결 과제는 Q 노드가 플로팅되지 않고 고전위전압 또는 저전위전압이 인가되게 함으로써 출력단에서 잘못된 출력이 발생하지 않도록 회로를 구성함으로써 구동 능력 및 신뢰성이 향상된 게이트 구동회로 및 이를 이용한 표시장치를 제공하는 것이다.The present invention provides a gate driving circuit in which a Q node is not floated and a high potential voltage or a low potential voltage is applied so that a wrong output is not generated at an output node so that driving capability and reliability are improved, And a display device using the same.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서에 의한 유기발광 표시장치는 게이트라인에 연결된 픽셀들 및 게이트라인들 중에서 적어도 어느 하나에 인가되는 게이트신호를 공급하며 서로 종속적으로 접속되는 다수의 스테이지로 이루어지는 게이트 구동회로를 포함한다. 게이트 구동회로의 제n(n은 자연수) 스테이지는 서로 역위상을 갖는 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여, Q1 노드를 턴-온 전압으로 충전하는 Q1 노드 충전부 및 Q1 노드 전압에 응답하여 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터를 포함한다. Q1 노드 충전부는 제2 클럭신호를 이용하여, Q1 노드 전압을 턴-온전압으로 충전하는 제1 충전부 및 Q1 노드가 턴-온 전압인 구간에서 제1 클럭신호를 이용하여 Q1 노드와 커플링되는 Q2 노드를 충전하는 제2 충전부를 포함한다.An organic light emitting display according to the present invention includes a gate driving circuit including a plurality of stages connected to each other and supplying gate signals to at least one of pixels connected to a gate line and gate lines. The n-th (n is a natural number) stage of the gate drive circuit uses a first and a second clock signal having opposite phases to each other to supply a Q1 node charging unit for charging the Q1 node to a turn- On-state voltage to the output terminal. The Q1 node charging unit uses a second clock signal to couple a first charging unit charging the Q1 node voltage to the turn-on voltage and a Q1 node coupled to the Q1 node using the first clock signal in the period where the Q1 node is the turn-on voltage And a second charging unit charging the node Q2.

본 명세서에 의한 게이트 구동회로는 종속적으로 접속되는 복수의 스테이지로 구성되고, 게이트신호를 출력한다. 복수의 스테이지들 각각은 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여 게이트 신호를 출력한다. 복수의 스테이지들 중에서 제n(n은 자연수) 스테이지는 Q1 노드 전압에 응답하여, 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터, Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된 제1 커패시터, 제2 클럭신호의 입력단에 연결된 게이트전극, 스타트신호의 입력단에 연결된 소스전극, 및 Q1 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제1 트랜지스터, Q1 노드에 연결된 게이트전극, 제1 클럭신호의 입력단에 연결된 소스전극 및 Q2 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함한다.The gate drive circuit according to the present specification is composed of a plurality of stages which are connected in a dependent manner, and outputs a gate signal. Each of the plurality of stages outputs the gate signal using the first and second clock signals. The nth (n is a natural number) stage of the plurality of stages includes a pull-up transistor responsive to the Q1 node voltage for applying a turn-on voltage to the output stage, a first capacitor connected between nodes Q1 and Q2, A first transistor including a gate electrode connected to the input terminal, a source electrode connected to the input terminal of the start signal, and a drain electrode connected to the node Q1, a gate electrode connected to the node Q1, a source electrode connected to the input terminal of the first clock signal, And a second transistor including a connected drain electrode.

본 명세서에 의한 표시장치는 게이트 구동회로의 풀업 트랜지스터를 제어하는 노드의 전압을 안정적으로 유지함으로써, 게이트 구동회로의 구동 능력 및 신뢰성을 향상시키고, 표시장치가 정확하게 이미지를 표시하도록 할 수 있다.The display device according to the present specification can stably maintain the voltage of the node controlling the pull-up transistor of the gate drive circuit, thereby improving the driving ability and reliability of the gate drive circuit and enabling the display device to display an image accurately.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited to the matters described in the description of the specification, as the contents of the description in the problems, the solutions to the problems, and the effects described above do not specify the essential features of the claims.

도 1은 본 명세서에 의한 유기발광 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 명세서에 의한 게이트 구동회로의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 게이트 구동회로의 스테이지를 나타내는 도면이다.
도 4는 제1 실시 예에 의한 스테이지의 세부 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 스테이지를 구동하는 클럭신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 6은 제2 실시 예에 의한 스테이지의 세부 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6에 도시된 스테이지를 구동하는 클럭신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an organic light emitting diode display according to the present invention; FIG.
2 is a diagram showing a configuration of a gate drive circuit according to the present specification.
3 is a view showing a stage of the gate drive circuit shown in Fig.
4 is a view showing a detailed configuration of a stage according to the first embodiment.
5 is a timing chart of clock signals driving the stage shown in FIG.
Fig. 6 is a view showing a detailed configuration of a stage according to the second embodiment.
7 is a timing chart showing the timing of the clock signals driving the stage shown in Fig.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present disclosure, and how to accomplish them, will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the description is not limited to the embodiments disclosed herein but is to be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the specific embodiments set forth herein; rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and this specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description of the present invention, a detailed description of known related arts will be omitted when it is determined that the gist of the present specification may be unnecessarily obscured. In the case where the word 'includes', 'having', 'done', etc. are used in this specification, other parts can be added unless '~ only' is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다. In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if the temporal relationship is described by 'after', 'after', 'after', 'before', etc., May not be continuous unless they are not used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical concept of the present specification.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments herein may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

본 명세서의 게이트 구동회로에서 스위치 소자들은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 p 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 명세서는 이에 한정되지 않는다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source), 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지는 않는다. In the gate driving circuit of the present specification, the switching elements may be implemented as n-type or p-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) transistors. Although p-type transistors are exemplified in the following embodiments, the present specification is not limited thereto. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. Within the transistor, the carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode from which the carrier exits from the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since the carrier is an electron, the source voltage has a voltage lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, the current flows from the source to the drain because the holes flow from the source to the drain. The source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed depending on the applied voltage. In the following embodiments, the invention is not limited to the source and the drain of the transistor.

도 1은 본 명세서에 의한 표시장치의 구성을 나타내는 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a display device according to the present invention; FIG.

도 1을 참조하면, 본 명세서에 의한 유기발광 표시장치는 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배열되는 표시패널(10), 데이터 구동부(120), 게이트 구동부(130,140) 및 타이밍 콘트롤러(110)를 구비한다. 1, the organic light emitting display according to the present invention includes a display panel 10, a data driver 120, gate drivers 130 and 140, and a timing controller 110 in which pixels P are arranged in a matrix form. Respectively.

표시패널(10)은 픽셀(P)들이 배치되어 영상을 표시하는 표시부(10A) 및 게이트 구동회로(140)가 배치되고 영상을 표시하지 않는 비표시부(10B)를 포함한다.The display panel 10 includes a display portion 10A in which pixels P are disposed and an image is displayed and a non-display portion 10B in which a gate driving circuit 140 is disposed and an image is not displayed.

표시부(10A)는 복수 개의 픽셀(P)을 포함하고, 각각의 픽셀(P)들이 표시하는 계조를 기반으로 영상을 표시한다. 픽셀(P)들은 제1 내지 제n 픽셀라인(HL1 내지 HLn)들을 따라 배열된다. 각각의 픽셀(P)은 컬럼라인(Column Line)을 따라 배열되는 데이터라인(DL)과 연결되고, 픽셀라인(HL)을 따라 배열되는 게이트라인(GL)에 연결된다. 즉, 동일한 픽셀라인에 배치된 픽셀들은 동일한 게이트라인(GL)을 공유하여 동시에 구동된다. 그리고 제1 픽셀라인(HL1)에 배치된 픽셀들을 제1 픽셀(P1)들이라 정의하고, 제n 픽셀라인(HLn)에 배치된 픽셀들을 제n 픽셀(Pn)들이라고 정의할 때, 제1 픽셀(P1)들부터 제n 픽셀(Pn)들은 순차적으로 구동된다. 그리고, 하나의 스캔라인에 데이터를 기입하는 샘플링 기간을 1수평기간(1H)이라고 정의할 수 있다.The display unit 10A includes a plurality of pixels P, and displays an image based on the gradation displayed by each of the pixels P. [ The pixels P are arranged along the first to n-th pixel lines HL1 to HLn. Each pixel P is connected to a data line DL arranged along a column line and connected to a gate line GL arranged along a pixel line HL. That is, the pixels arranged in the same pixel line share the same gate line GL and are simultaneously driven. When the pixels arranged in the first pixel line HL1 are defined as the first pixels P1 and the pixels arranged in the nth pixel line HLn are defined as the nth pixels Pn, (P1) to the n-th pixel (Pn) are sequentially driven. A sampling period for writing data into one scan line can be defined as one horizontal period (1H).

게이트라인(GL)은 픽셀 구조에 따라 에미션라인과 복수의 스캔라인을 포함할 수 있다. 본 명세서의 실시 예에 의한 게이트라인(GL)은 도 2에 도시된 것과 같이, 제1 스캔라인(SL1), 제2 스캔라인(SL2) 및 에미션라인(EML)을 포함한다. The gate line GL may include an emission line and a plurality of scan lines depending on the pixel structure. The gate line GL according to an embodiment of the present invention includes a first scan line SL1, a second scan line SL2, and an emission line EML, as shown in FIG.

타이밍 콘트롤러(110)는 데이터 구동부(120) 및 게이트 구동부의 구동 타이밍을 제어하기 위한 것이다. 이를 위해서 타이밍 콘트롤러(110)는 외부로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동부(120)에 공급한다. 또한, 타이밍 콘트롤러(110)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 발생한다. The timing controller 110 is for controlling the driving timing of the data driver 120 and the gate driver. To this end, the timing controller 110 rearranges the digital video data RGB input from the outside according to the resolution of the display panel 10 and supplies the rearranged digital video data RGB to the data driver 120. The timing controller 110 is also connected to the data driver 120 based on timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a dot clock signal DCLK, and a data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver.

데이터 구동부(120)는 데이터라인부(DL)를 구동하기 위한 것이다. 이를 위해서 데이터 구동부(120)는 데이터 제어신호(DDC)를 기반으로 타이밍 콘트롤러(110)로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 데이터라인(DL)들에 공급한다. The data driver 120 drives the data line unit DL. To this end, the data driver 120 converts the digital video data RGB input from the timing controller 110 into analog data voltages based on the data control signal DDC and supplies the analog data voltages to the data lines DL.

게이트 구동부는 레벨 시프터(130) 및 게이트 구동회로(140)를 포함한다. 레벨 시프터(130)는 IC 형태로 표시패널(10)에 접속되는 인쇄회로기판에 형성되고, 게이트 구동회로(140)는 표시패널(10)의 비표시영역(10B)에 형성되는 GIP 회로로 형성된다. The gate driver includes a level shifter 130 and a gate driver circuit 140. The level shifter 130 is formed on a printed circuit board connected to the display panel 10 in the form of an IC and the gate drive circuit 140 is formed by a GIP circuit formed in the non-display area 10B of the display panel 10 do.

레벨 시프터(130)는 타이밍 콘트롤러(110)의 제어하에 클럭신호들 및 스타트신호(VST)를 레벨 쉬프팅한 후 게이트 구동회로(140)에 공급한다. 게이트 구동회로(140)는 GIP 방식에 의해 표시패널(10)의 비표시영역(10B)에서 다수의 박막 트랜지스터(이하 트랜지스터)조합으로 형성된다. The level shifter 130 level-shifts the clock signals and the start signal VST under the control of the timing controller 110, and supplies the level-shifted signals to the gate driving circuit 140. The gate driving circuit 140 is formed by a combination of a plurality of thin film transistors (hereinafter referred to as transistors) in the non-display area 10B of the display panel 10 by the GIP method.

게이트 구동회로(140)는 스캔신호를 출력하기 위한 스캔신호 생성부 및 에미션 신호를 출력하기 위한 에미션신호 생성부를 포함할 수 있다. 스캔신호 생성부 및 에미션신호 생성부는 서로 종속적으로 접속되는 다수의 스테이지를 포함할 수 있다. 게이트 구동회로에 대해서 자세히 살펴보면 다음과 같다.The gate driving circuit 140 may include a scan signal generating unit for outputting a scan signal and an emission signal generating unit for outputting an emission signal. The scan signal generating unit and the emission signal generating unit may include a plurality of stages that are connected to each other. The gate drive circuit will be described in detail below.

도 2는 본 명세서에 의한 게이트 구동회로를 나타내는 도면이다. 도 2는 게이트 구동회로의 에미션신호 생성부를 도시하고 있지만, 스캔신호 생성부 또한 도 2와 같은 구성을 포함할 수 있다. 그리고, 게이트 구동회로는 시프트레지스터의 구성으로 형성될 수 있다. 그리고, 시프트레지스터에서 종속적으로 연결되는 스테이지들 각각은 에미션 드라이버 또는 스캔 드라이버에 해당한다.2 is a diagram showing a gate drive circuit according to the present specification. 2 shows the emission signal generator of the gate driver circuit, the scan signal generator may also have the configuration shown in FIG. The gate drive circuit may be formed with a shift register configuration. Each of the stages connected in a shift register in a dependent manner corresponds to an emission driver or a scan driver.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 명세서에 의한 에미션신호 생성부는 제1 내지 제n 에미션 드라이버(EMD1~EMD(n))를 포함한다. 제1 에미션 드라이버(EMD1)는 에미션신호(EM1)를 생성하여, 에미션신호(EM1)를 제1 픽셀라인(HL1)에 배치되는 에미션 라인에 인가한다. 제2 에미션 드라이버(EMD2)는 에미션신호(EM2)를 생성하고, 에미션신호(EM2)를 제2 픽셀라인(HL2)에 배치되는 에미션 라인에 인가한다. 마찬가지로, 제n 에미션 드라이버(EMD(n))는 에미션신호(EM(n))를 생성하고, 에미션신호(EM(n))를 제n 픽셀라인(HLn)에 배치되는 에미션 라인에 인가한다.Referring to Figs. 1 and 2, an emission signal generator according to the present invention includes first to nth emission drivers EMD1 to EMD (n). The first emission driver EMD1 generates an emission signal EM1 and applies the emission signal EM1 to the emission line disposed in the first pixel line HL1. The second emission driver EMD2 generates the emission signal EM2 and applies the emission signal EM2 to the emission line disposed in the second pixel line HL2. Similarly, the nth emission driver EMD (n) generates the emission signal EM (n) and supplies the emission signal EM (n) to the emission line .

제1 에미션 드라이버(EMD1)는 스타트신호(VST)를 입력받아 동작을 하고, 제2 에미션 드라이버(EMD2) 내지 제n 에미션 드라이버(EMD(n))은 이전 에미션 드라이버의 출력신호, 즉 에미션신호를 스타트신호 입력단(VP)에 인가받음으로써 동작한다. The first and second eighth and eighth emission drivers EMD2 to EMDn receive the output signal of the previous emission driver EMD1, That is, by receiving an emission signal at the start signal input terminal VP.

즉, 에미션신호 생성부의 제1 내지 제n 에미션 드라이버(EMD1~EMD(n))는 서로 종속적으로 연결된다. That is, the first to nth emission drivers EMD1 to EMD (n) of the emission signal generating unit are connected to each other.

도 3은 도 2에 도시된 에미션신호 생성부에서 제n 에미션 드라이버의 구성을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating the configuration of an nth emission driver in the emission signal generator shown in FIG.

도 3을 참조하면, 제n 에미션 드라이버(EMD(n))는 Q1 노드 충전부(100,200), 노드 제어부(300), 풀업부(400) 및 풀다운부(500)를 포함한다. 3, the nth emission driver EMD (n) includes Q1 node charging units 100 and 200, a node control unit 300, a pull-up unit 400, and a pull-down unit 500. FIG.

Q1 노드 충전부(100,200)는 서로 교번적으로 인가되는 제1 및 제2 클럭신호들(ECLK1,ECLK2)을 이용하여 Q1 노드(Q1)에 턴-온 전압을 인가한다. Q1 노드 충전부(100,200)는 제2 클럭신호(ECLK2)를 이용하여 Q1 노드(Q1)에 턴-온 전압을 인가하는 제1 충전부(100) 및 제1 클럭신호(ECLK1)를 이용하여 Q1 노드(Q1)에 턴-온 전압을 인가하는 제2 충전부(200)를 포함한다. The Q1 node charging units 100 and 200 apply the turn-on voltage to the Q1 node Q1 using the first and second clock signals ECLK1 and ECLK2 which are alternately applied to each other. The Q1 node charging units 100 and 200 are connected to the Q1 node Q1 by using the first charging unit 100 and the first clock signal ECLK1 that apply the turn-on voltage to the Q1 node Q1 using the second clock signal ECLK2, And a second charging unit 200 for applying a turn-on voltage to the first switching unit Q1.

노드 제어부(300)는 Q1 노드(Q1), QB1 노드(QB1) 및 QB2 노드(QB2)의 전압을 제어한다.The node controller 300 controls the voltages of the Q1 node Q1, the QB1 node QB1, and the QB2 node QB2.

풀업부(400)는 Q1 노드(Q1) 전압에 응답하여, 에미션 신호를 출력한다. The pull-up unit 400 outputs an emission signal in response to the Q1 node (Q1) voltage.

풀다운부(500)는 QB1 노드(QB1) 및 QB2 노드(QB2) 중에서 적어도 어느 하나의 전압에 응답하여, 출력단(Nout)의 전압을 턴-오프 전압으로 제어한다.The pull-down unit 500 controls the voltage of the output node Nout to a turn-off voltage in response to at least one of the voltages of the QB1 node QB1 and the QB2 node QB2.

이하, 도 3에 도시된 에미션 드라이버의 구체적인 실시예를 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, a specific embodiment of the emission driver shown in FIG. 3 will be described.

도 4는 본 명세서의 제1 실시예에 의한 제n 에미션 드라이버를 나타내는 도면이다. 4 is a view showing an nth emission driver according to the first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 제n 에미션 드라이버(EMD(n))는 Q1 노드 충전부(100,200), 노드 제어부(300), 풀업부(400) 및 풀다운부(500)를 포함한다.4, the nth emission driver EMD (n) includes Q1 node charging units 100 and 200, a node control unit 300, a pull-up unit 400, and a pull-down unit 500. FIG.

Q1 노드 충전부(100,200)는 제1 충전부(100) 및 제2 충전부(100)를 포함한다. 제1 충전부(100)(이하, 제1 트랜지스터, T1)는 제2 클럭신호 입력단(ECLK2)에 연결되는 게이트전극, 에미션 스타트신호(EVST)를 제공하는 스타트신호 입력단(VP)에 연결되는 소스전극 및 Q1 노드(Q1)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제2 클럭신호 입력단(CP2)은 제2 클럭신호(ECLK2)을 입력받고, 스타트신호 입력단(VP)은 에미션 스타트신호(EVST) 또는 캐리신호를 입력받는다. 캐리신호는 제(n-1) 에미션 드라이버(EM(n-1))의 출력신호일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 에미션 스타트신호(EVST) 및 제2 클럭신호(ECLK2)들이 모두 턴-온 전압인 구간에서 Q1 노드(Q1)를 턴-온 전압인 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. The Q1 node charging units 100 and 200 include a first charging unit 100 and a second charging unit 100. [ The first charging unit 100 includes a gate electrode connected to a second clock signal input terminal ECLK2 and a source connected to a start signal input terminal VP for providing an emission start signal EVST. And a drain electrode connected to the electrode Q1 and the node Q1. The second clock signal input terminal CP2 receives the second clock signal ECLK2 and the start signal input terminal VP receives the emission start signal EVST or the carry signal. The carry signal may be the output signal of the (n-1) -th emission driver EM (n-1). The first transistor T1 is charged to the low potential voltage VEL which is the turn-on voltage in the Q1 node Q1 in the period in which both of the emission start signal EVST and the second clock signal ECLK2 are the turn- .

제2 충전부(200)는 제2 트랜지스터(T2) 및 제1 커패시터(C1)를 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 Q1 노드(Q1)에 접속되는 게이트전극, 제1 클럭신호 입력단(CP1)에 연결되는 소스전극, 및 Q2 노드(Q2)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 Q1 노드(Q1) 및 제1 클럭신호(ECLK1)가 턴-온 전압인 구간에서 Q2 노드(Q2)를 턴-온 전압인 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. The second charging unit 200 includes a second transistor T2 and a first capacitor C1. The second transistor T2 includes a gate electrode connected to the Q1 node Q1, a source electrode connected to the first clock signal input CP1, and a drain electrode connected to the Q2 node Q2. The second transistor T2 charges the Q2 node Q2 to the low potential voltage VEL which is the turn-on voltage in the period in which the Q1 node Q1 and the first clock signal ECLK1 are the turn-on voltage.

제1 커패시터(C1)는 Q1 노드(Q1) 및 Q2 노드(Q2) 사이에 접속된다. 제1 커패시터(C1)는 Q1 노드(Q1)의 전압에 대응하여 Q2 노드(Q2)의 전압을 부트스트래핑(bootstrap)시킨다. 또는, 제1 커패시터(C1)는 Q2 노드(Q2)의 전압에 대응하여 Q1 노드(Q1)의 전압을 부트스트래핑시킨다.The first capacitor C1 is connected between the Q1 node Q1 and the Q2 node Q2. The first capacitor C1 bootstrap the voltage of the Q2 node Q2 corresponding to the voltage of the Q1 node Q1. Alternatively, the first capacitor C1 bootstrap the voltage of the Q1 node Q1 corresponding to the voltage of the Q2 node Q2.

노드 제어부(300)는 Q1 홀딩부(이하 제3 트랜지스터) (T3), QP 노드 제어부(이하, 제4 트랜지스터)(T4), QB2 노드 제어부(이하, 제8 트랜지스터)(T8), QB1 노드 제어부(이하, 제9 트랜지스터)(T9), QB1 홀딩부(이하, 제5 트랜지스터)(T5), QB2 홀딩부(이하, 제10 트랜지스터)(T10), 제2 및 제3 커패시터(C2,C3)를 포함한다. 노드 제어부(300)는 Q1 노드 제어부로 언급될 수도 있다.The node controller 300 includes a Q1 holding unit (hereinafter referred to as a third transistor) T3, a QP node controller (hereinafter referred to as a fourth transistor) T4, a QB2 node controller (hereinafter referred to as an eighth transistor) T8, (Hereinafter referred to as a ninth transistor) T9, a QB1 holding unit (hereinafter referred to as a fifth transistor) T5, a QB2 holding unit (hereinafter referred to as a tenth transistor) T10, a second and a third capacitors C2 and C3, . The node control unit 300 may be referred to as a Q1 node control unit.

제3 트랜지스터(T3)는 QB2 노드(QB2)에 접속되는 게이트전극, Q1 노드(Q1)에 연결되는 소스전극, 및 고전위전압(VEH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. Q1 노드 제어부(300)는 QB2 노드(QB2)가 턴-온 전압일 때에 Q1 노드(Q1)를 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)으로 충전시킨다. The third transistor T3 includes a gate electrode connected to the QB2 node QB2, a source electrode connected to the Q1 node Q1, and a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VEH. The Q1 node controller 300 charges the Q1 node Q1 to the high potential voltage VEH which is the turn-off voltage when the QB2 node QB2 is at the turn-on voltage.

QB 노드 충전부(T4,T8,T9)는 제4 트랜지스터(T4), 제8 트랜지스터(T8) 및 제9 트랜지스터(T9)를 포함한다. The QB node charging units T4, T8 and T9 include a fourth transistor T4, an eighth transistor T8 and a ninth transistor T9.

제4 트랜지스터(T4)는 제2 클럭신호 입력단(CP2)에 연결되는 게이트전극, 제(n-1) QB2 노드(QB2(n-1))에 연결되는 소스전극 및 QP 노드(QP)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 제(n-1) QB2 노드(QB2(n-1))의 전압 및 제2 클럭신호(ECLK2)들이 모두 턴-온 전압인 구간에서 QP 노드(QP)를 턴-온 전압인 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. 제(n-1) QB2 노드(QB2(n-1))는 제(n-1) 에미션 드라이버(EM(n-1))의 QB2 노드(QB2)를 지칭한다.The fourth transistor T4 is connected to the gate electrode connected to the second clock signal input CP2, the source electrode connected to the (n-1) th QB2 node QB2 (n-1) and the QP node QP And a drain electrode. The fourth transistor T4 turns on and off the QP node QP in a period in which the voltage of the (n-1) th QB2 node QB2 (n-1) and the second clock signal ECLK2 are both the turn- (VEL) which is a turn-on voltage. The (n-1) th QB2 node QB2 (n-1) refers to the QB2 node QB2 of the (n-1) th emission driver EM (n-1).

제8 트랜지스터(T8)는 QP 노드(QP)에 연결되는 게이트전극, 제1 클럭신호 입력단(CP1)에 연결되는 소스전극, 및 QB2 노드(QB2)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제8 트랜지스터(T8)는 QP 노드(QP)의 전압이 턴-온 전압일 때, 제1 클럭신호(ECLK1)의 전압을 QB2 노드(QB2)에 인가한다. The eighth transistor T8 includes a gate electrode connected to the QP node QP, a source electrode connected to the first clock signal input CP1, and a drain electrode connected to the QB2 node QB2. The eighth transistor T8 applies the voltage of the first clock signal ECLK1 to the QB2 node QB2 when the voltage of the QP node QP is the turn-on voltage.

제2 커패시터(C2)의 양 전극은 각각 QP 노드(QP)와 QB2 노드(QB2)에 연결된다. 그 결과 QB2 노드(QB2)의 전압 변화에 따라 QP 노드(QP)는 부트스트래핑된다. Both electrodes of the second capacitor C2 are connected to the QP node QP and the QB2 node QB2, respectively. As a result, the QP node QP is bootstrapped according to the voltage change of the QB2 node QB2.

제9 트랜지스터(T9)는 제1 클럭신호 입력단(CP1)에 연결되는 게이트전극, QB2 노드(QB2)에 연결되는 소스전극, 및 QB1 노드(QB1)에 연결되는 드레인 전극을 포함한다. 제9 트랜지스터(T9)는 제1 클럭신호(ECLK1)의 전압레벨에 따라서, QB2 노드(QB2)와 QB1 노드(QB1) 간의 전류 경로를 스위칭한다.The ninth transistor T9 includes a gate electrode connected to the first clock signal input CP1, a source electrode connected to the QB2 node QB2, and a drain electrode connected to the QB1 node QB1. The ninth transistor T9 switches the current path between the QB2 node QB2 and the QB1 node QB1 according to the voltage level of the first clock signal ECLK1.

QB 노드 제어부(T5,T10)는 제5 트랜지스터(T5) 및 제10 트랜지스터(T10)를 포함한다. The QB node controllers T5 and T10 include a fifth transistor T5 and a tenth transistor T10.

제5 트랜지스터(T5)는 Q1 노드(Q1)에 연결되는 게이트전극, QB1 노드(QB1)에 연결되는 소스전극 및 고전위전압(VEH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 Q1 노드(Q1)의 전압이 턴-온 전압일 때에 QB1 노드(QB1)의 전압을 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)으로 충전시킨다. The fifth transistor T5 includes a gate electrode connected to the Q1 node Q1, a source electrode connected to the QB1 node QB1, and a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VEH. The fifth transistor T5 charges the voltage of the QB1 node QB1 to the high-potential voltage VEH which is the turn-off voltage when the voltage of the node Q1 is the turn-on voltage.

제10 트랜지스터(T10)는 Q1 노드(Q1)에 연결되는 게이트전극, QB2 노드(QB2)에 연결되는 소스전극 및 고전위전압(VEH)의 입력단에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제10 트랜지스터(T10)는 Q1 노드(Q1)의 전압이 턴-온 전압일 때에 QB2 노드(QB2)의 전압을 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)으로 충전시킨다.The tenth transistor T10 includes a gate electrode connected to the Q1 node Q1, a source electrode connected to the QB2 node QB2, and a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VEH. The tenth transistor T10 charges the voltage of the QB2 node QB2 to the high-potential voltage VEH which is the turn-off voltage when the voltage of the node Q1 is the turn-on voltage.

제3 커패시터(C3)의 양 전극은 각각 QB1 노드(QB1) 및 고전위전압(VEH)의 입력단에 연결된다. 제3 커패시터(C3)는 QB1 노드(QB1)의 전압을 안정적으로 유지함으로써, 풀다운 트랜지스터(T7)의 동작 신뢰성을 높일 수 있다.Both electrodes of the third capacitor C3 are connected to the input terminal of the QB1 node QB1 and the high potential voltage VEH, respectively. The third capacitor C3 can stably maintain the voltage of the QB1 node QB1, thereby increasing the operational reliability of the pull-down transistor T7.

풀업부(400)는 Q1 노드(Q1)의 전압에 응답하여, 턴-온 전압인 저전위전압(VEL)을 출력단(Nout)에 인가한다. 풀업부(400)는 저전위전압(VEL)의 입력단과 출력단(Nout) 사이에 접속하며, 게이트전극이 Q1 노드(Q1)에 연결되는 풀업 트랜지스터(T6)로 구현될 수 있다. Up section 400 applies a low potential voltage VEL, which is a turn-on voltage, to the output terminal Nout in response to the voltage of the Q1 node Q1. Up portion 400 may be implemented as a pull-up transistor T6 connected between the input terminal of the low potential voltage VEL and the output terminal Nout and the gate electrode connected to the node Q1.

풀다운부(500)는 QB1 노드(QB1)의 전압에 응답하여 출력단(Nout)에 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)을 인가하는 풀다운 트랜지스터(T7)를 포함한다. The pull down section 500 includes a pulldown transistor T7 which applies a high potential voltage VEH which is a turn-off voltage to the output node Nout in response to the voltage of the QB1 node QB1.

도 5는 도 4에 도시된 제n 에미션 드라이버에 인가되는 클럭신호들 및 주요 노드의 전압 변화를 나타내는 타이밍도이다.FIG. 5 is a timing diagram showing clock signals applied to the nth emission driver shown in FIG. 4 and a voltage change of a main node.

도 4 및 도 5를 참조하면, 풀업 트랜지스터(T6)는 Q1 노드 전압이 저전위전압(VEL) 이하의 턴-온 전압일 때에 출력단(Nout)을 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. 출력단(Nout)과 연결되는 제n 픽셀라인(HLn)의 에미션라인에는 턴-온 전압의 에미션 신호(EM(n))가 인가된다. Q1 노드(Q1)는 서로 교번적으로 턴-온 전압을 유지하는 제1 클럭신호(ECLK1) 및 제2 클럭신호(ECLK2)에 의해서 저전위전압(VEL)으로 유지된다. 제1 클럭신호(ECLK1) 및 제2 클럭신호(ECLK2)는 역위상을 갖고, 2수평기간(2H)의 주기를 갖는다. 다만, 제1 클럭신호(ECLK1) 및 제2 클럭신호(ECLK2)는 동작 마진을 위해서 전압레벨이 반전되는 구간에서 다소 중첩되도록 펄스 폭이 설계될 수 있다. 4 and 5, the pull-up transistor T6 charges the output node Nout to the low potential voltage VEL when the Q1 node voltage is a turn-on voltage lower than or equal to the low potential voltage VEL. An emission signal EM (n) of a turn-on voltage is applied to the emission line of the n-th pixel line HLn connected to the output terminal Nout. The Q1 node Q1 is maintained at the low potential voltage VEL by the first clock signal ECLK1 and the second clock signal ECLK2 that alternately maintain the turn-on voltage. The first clock signal ECLK1 and the second clock signal ECLK2 have opposite phases and have a period of two horizontal periods 2H. However, the first clock signal ECLK1 and the second clock signal ECLK2 may be designed so that the pulse width is somewhat overlapped in a section where the voltage level is inverted for the operation margin.

제2 클럭신호(ECLK2)와 에미션 스타트신호(EVST)가 동기되는 구간에서 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온되어서, Q1 노드(Q1)를 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. The first transistor T1 is turned on during the period in which the second clock signal ECLK2 and the emission start signal EVST are synchronized to charge the Q1 node Q1 to the low potential VEL.

제1 클럭신호(ECLK1)가 저전위전압(VEL)인 구간에서 제2 트랜지스터(T2)는 Q2 노드(Q2)를 저전위전압(VEL)으로 충전시킨다. 제1 클럭신호(ECLK1)에 의해서 Q2 노드(Q2)의 전압이 변하는 것에 대응하여, Q1 노드(Q1)는 부트스트래핑 전압(Vboot)으로 부트스트래핑된다. 그 결과 풀업 트랜지스터(T6)는 턴-온 전압의 저전위전압(VEL)을 출력단(Nout)에 충전시키고, 출력단(Nout)은 턴-온전압 레벨의 에미션신호(EM(n))를 출력한다.The second transistor T2 charges the Q2 node Q2 to the low potential voltage VEL in a period in which the first clock signal ECLK1 is at the low potential voltage VEL. The Q1 node Q1 is bootstrapped to the bootstrapping voltage Vboot, corresponding to the voltage of the Q2 node Q2 being changed by the first clock signal ECLK1. As a result, the pull-up transistor T6 charges the low potential voltage VEL of the turn-on voltage to the output terminal Nout and the output terminal Nout outputs the emission signal EM (n) of the turn- do.

Q1 노드(Q1)가 턴-온전압레벨인 구간에서 제5 트랜지스터(T5)는 QB1 노드(QB1)의 전압을 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)으로 충전시키고, 제10 트랜지스터(T10)는 QB2 노드(QB2)를 턴-오프 전압인 고전위전압(VEH)으로 충전시킨다. 그 결과, Q1 노드(Q1)가 턴-온 전압인 구간에서 풀다운 트랜지스터(T7)는 안정적으로 턴-오프 상태를 유지한다.The fifth transistor T5 charges the QB1 node QB1 with the high-potential voltage VEH which is the turn-off voltage, and the tenth transistor T10 charges the node QB1 with the high- Charges QB2 node QB2 with a high-potential voltage VEH which is a turn-off voltage. As a result, the pull-down transistor T7 stably maintains the turn-off state in the period where the Q1 node Q1 is the turn-on voltage.

제1 타이밍(t1)에서, 제4 트랜지스터(T4)는 제(n-1) QB2 노드(QB2(n-1))로부터 인가받는 저전위전압(VEL)을 QP 노드(QP)에 인가한다. 제1 타이밍(t1)에서, 제2 클럭신호(ECLK2)가 턴-온 전압으로 반전되어 제1 트랜지스터(T1)는 턴-온 되고, 에미션 스타트신호(EVST)는 고전위전압(VEH)으로 반전된다. 그 결과, 제1 타이밍(t1)에서 Q1 노드(Q1)는 고전위전압(VEH)으로 반전된다. 제1 타이밍(t1)에서, Q1 노드(Q1)가 턴-오프 전압으로 상승하여, 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프된다. 제1 타이밍(t1)에서 턴-오프된 제2 트랜지스터(T2)는 에미션 스타트신호(EVST)와 제2 클럭신호(ECLK2)가 동기되는 제4 타이밍(t4)까지 턴-오프 상태를 유지한다. 제2 트랜지스터(T2)가 턴-오프 상태인 동안, Q2 노드(Q2)는 제1 클럭신호(ECLK1)의 전압변화에 영향을 받지 않고 일정한 전압을 유지할 수 있다. 그 결과, 제1 커패시터(C1)를 통해서 Q2 노드(Q2)와 커플링되는 Q1 노드(Q1)의 전압은 안정적으로 턴-오프 전압을 유지할 수 있다. At the first timing t1, the fourth transistor T4 applies a low potential voltage VEL applied from the (n-1) th QB2 node QB2 (n-1) to the QP node QP. At the first timing t1, the second clock signal ECLK2 is inverted to the turn-on voltage so that the first transistor T1 is turned on and the emission start signal EVST is switched to the high potential voltage VEH It is reversed. As a result, at the first timing t1, the Q1 node Q1 is inverted to the high potential voltage VEH. At the first timing t1, the Q1 node Q1 rises to the turn-off voltage and the second transistor T2 is turned off. The second transistor T2 turned off at the first timing t1 maintains the turn-off state until the fourth timing t4 when the emission start signal EVST and the second clock signal ECLK2 are synchronized . While the second transistor T2 is in the turn-off state, the Q2 node Q2 can maintain a constant voltage without being affected by the voltage change of the first clock signal ECLK1. As a result, the voltage of the Q1 node (Q1) coupled to the Q2 node (Q2) through the first capacitor (C1) can stably maintain the turn-off voltage.

제2 타이밍(t2)에서, 제8 트랜지스터(T8)는 제1 클럭신호(ECLK1)의 저전위전압(VEL)을 QB2 노드(QB2)에 인가한다. 이때, QB2 노드(QB2)의 전압 변화량에 대응하여 QP 노드(QP)는 더 낮은 전압레벨로 부트스트래핑된다. 제9 트랜지스터(T9)는 저전위전압(VEL)의 제1 클럭신호(ECLK1)에 응답하여 QB2 노드(QB2)의 전압을 QB1 노드(QB1)에 인가한다. At the second timing t2, the eighth transistor T8 applies the low potential voltage VEL of the first clock signal ECLK1 to the QB2 node QB2. At this time, the QP node QP is bootstrapped to a lower voltage level corresponding to the voltage change amount of the QB2 node QB2. The ninth transistor T9 applies the voltage of the QB2 node QB2 to the QB1 node QB1 in response to the first clock signal ECLK1 of the low potential voltage VEL.

풀다운 트랜지스터(T7)는 QB1 노드(QB1)의 전압에 응답하여, 출력단(Nout)을 턴-오프전압으로 충전시킨다. The pull-down transistor T7 charges the output node Nout to the turn-off voltage in response to the voltage of the QB1 node QB1.

제2 타이밍(t2)에서, 제3 트랜지스터(T3)는 QB2 노드(QB2)의 전압에 응답하여 Q1 노드(Q1)에 고전위전압(VEH)을 인가하여, Q1 노드(Q1)가 안정적으로 턴-오프 전압을 유지하도록 한다.At the second timing t2, the third transistor T3 applies the high potential voltage VEH to the Q1 node Q1 in response to the voltage of the QB2 node QB2, so that the Q1 node Q1 stably turns - Keep the off voltage.

제3 타이밍(t3)에서, 제1 클럭신호(ECLK1)는 고전위전압(VEH)으로 반전된다. 제8 트랜지스터(T8)를 통해서 인가되는 제1 클럭신호(ECLK1)의 고전위전압(VEH)에 의해서 QB2 노드(QB2)의 전압은 고전위전압(VEH)이 된다.제4 타이밍(t4)에서, 에미션 스타트신호(EVST)와 제2 클럭신호(ECLK2)가 다시 턴-온 전압으로 동기되고, 그 결과 Q1 노드(Q1)에는 저전위전압(VEL)이 인가된다. At the third timing t3, the first clock signal ECLK1 is inverted to the high potential voltage VEH. The voltage of the QB2 node QB2 becomes the high potential voltage VEH by the high potential voltage VEH of the first clock signal ECLK1 applied through the eighth transistor T8. At the fourth timing t4, , The emission start signal EVST and the second clock signal ECLK2 are synchronized again with the turn-on voltage, and as a result, the low potential voltage VEL is applied to the Q1 node Q1.

살펴본 바와 같이, 본 명세서에 의한 게이트 구동회로의 에미션 드라이버는 제1 및 제2 클럭신호들(ECLK1,ECLK2)을 이용하여 풀업 트랜지스터의 게이트전압인 Q1 노드(Q1)를 제어한다. 제2 트랜지스터(T2)는 Q1 노드(Q1)에 턴-온 전압을 직접 인가하는 것이 아니라, Q1 노드(Q1)와 커플링되는 Q2 노드(Q2)에 턴-온 전압을 인가하여 Q1 노드(Q1) 전압을 제어한다. 특히, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극은 Q1 노드(Q1)에 연결된다. 따라서, 풀업 트랜지스터가 턴-오프되는 구간에서 제2 트랜지스터(T2)는 턴-오프되어서, 풀업 트랜지스터의 게이트전압은 제1 클럭신호(ECLK1)에 의해서 직접적인 커플링 현상이 발생하지 않는다. As described above, the emission driver of the gate driving circuit according to the present invention controls the Q1 node Q1, which is the gate voltage of the pull-up transistor, using the first and second clock signals ECLK1 and ECLK2. The second transistor T2 applies the turn-on voltage to the Q2 node Q2 coupled to the Q1 node Q1, instead of directly applying the turn-on voltage to the Q1 node Q1, ) Voltage. In particular, the gate electrode of the second transistor T2 is connected to the node Q1. Therefore, the second transistor T2 is turned off during the period in which the pull-up transistor is turned off, so that the coupling voltage does not directly occur due to the first clock signal ECLK1 in the gate voltage of the pull-up transistor.

일반적인 게이트 구동회로는 서로 교번적으로 인가되는 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여 Q 노드를 충전시킬 경우에, Q 노드에 클럭신호를 직접 인가한다. 그 결과, 풀업 트랜지스터가 턴-오프 상태이어서 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하지 않을 경우에도 클럭신호의 전압 변화량에 따라 Q 노드가 부트스트래핑되어서, 원치않는 게이트신호가 출력되기도 한다.A general gate driving circuit directly applies a clock signal to a Q node when the Q node is charged by using alternately applied first and second clock signals. As a result, even when the pull-up transistor is in the turn-off state and the turn-on voltage is not applied to the Q node, the Q node is bootstrapped according to the voltage change amount of the clock signal, and an undesired gate signal is also output.

이에 반해서, 본 명세서에 의한 게이트 구동회로는 풀업 트랜지스터의 게이트전극인 Q1 노드(Q1)에 직접 턴-온 전압을 인가하지 않고 Q2 노드(Q2)를 통해서 턴-온 전압을 인가하며, 풀업 트랜지스터(Tpu)가 턴-오프일 때에 Q2 노드(Q2)와 Q1 노드(Q1)를 연결시키는 제2 트랜지스터(T2)를 턴-오프 시킨다. 따라서, 풀업 트랜지스터가 턴-오프 상태일 때에 Q2 노드(Q2)의 전압을 안정적인 턴-오프 전압으로 유지하여, 풀업 트랜지스터가 오동작하는 것을 방지한다.On the other hand, the gate drive circuit according to the present invention applies a turn-on voltage through the Q2 node Q2 without directly applying a turn-on voltage to the Q1 node Q1 which is the gate electrode of the pull-up transistor, Off state of the second transistor T2 that connects the Q2 node Q2 and the Q1 node Q1 when the transistor Tpu is turned off. Therefore, the voltage of the Q2 node (Q2) is maintained at a stable turn-off voltage when the pull-up transistor is in the turn-off state, thereby preventing the pull-up transistor from malfunctioning.

도 6은 본 명세서의 제2 실시예에 의한 제n 에미션 드라이버를 나타내는 도면이다. 도 6에서 전술한 실시 예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다. 6 is a view showing an nth emission driver according to the second embodiment of the present invention. 6, the same reference numerals are used for the same components as those in the above-described embodiment, and a detailed description thereof will be omitted or briefly explained.

도 6을 참조하면, 제n 에미션 드라이버(EMD(n))는 Q1 노드 충전부(100,200,210), 노드 제어부(300), 풀업부(400) 및 풀다운부(500)를 포함한다.6, the nth emission driver EMD (n) includes Q1 node charging units 100, 200 and 210, a node control unit 300, a pull-up unit 400 and a pull-down unit 500. FIG.

Q1 노드 충전부(100,200,210)는 제1 및 제2 충전부(100,200)와 Q2 노드 제어부(210)를 포함한다. The Q1 node charging units 100, 200 and 210 include first and second charging units 100 and 200 and a Q2 node control unit 210. [

제1 충전부(100)(이하, 제1 트랜지스터)는 제2 클럭신호(ECLK2)을 입력받는 게이트전극, 에미션 스타트신호(EVST)를 제공하는 스타트신호 입력단(VP)에 연결되는 소스전극 및 Q1 노드(Q1)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. The first charging unit 100 includes a gate electrode for receiving the second clock signal ECLK2, a source electrode connected to a start signal input VP for providing an emissive start signal EVST, And a drain electrode connected to the node Q1.

제2 충전부(200)는 제2 트랜지스터(T2) 및 제1 커패시터(C1)를 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 Q1 노드(Q1)에 접속되는 게이트전극, 제1 클럭신호 입력단(CP1)에 연결되는 소스전극, 및 Q2 노드(Q2)에 연결되는 드레인전극을 포함한다. 제1 커패시터(C1)는 Q1 노드(Q1) 및 Q2 노드(Q2) 사이에 접속된다. The second charging unit 200 includes a second transistor T2 and a first capacitor C1. The second transistor T2 includes a gate electrode connected to the Q1 node Q1, a source electrode connected to the first clock signal input CP1, and a drain electrode connected to the Q2 node Q2. The first capacitor C1 is connected between the Q1 node Q1 and the Q2 node Q2.

제1 커패시터(C1)는 Q1 노드(Q1)의 전압에 대응하여 Q2 노드(Q2)의 전압을 부트스트래핑시킨다. 또는, 제1 커패시터(C1)는 Q2 노드(Q2)의 전압에 대응하여 Q1 노드(Q1)의 전압을 부트스트래핑시킨다.The first capacitor C1 bootstrapping the voltage of the Q2 node Q2 corresponding to the voltage of the Q1 node Q1. Alternatively, the first capacitor C1 bootstrap the voltage of the Q1 node Q1 corresponding to the voltage of the Q2 node Q2.

Q2 노드 제어부(210)는 Q1 노드(Q1)가 턴-오프 전압인 구간에서 Q2 노드(Q2)에 정전위전압을 인가한다. 정전위전압은 고전위전압(VEH)을 이용할 수 있다. Q2 노드 제어부(210)는 제2 클럭신호 입력단(CP2)에 연결되는 게이트전극, Q2 노드(Q2)에 연결되는 드레인전극 및 고전위전압(VEH)의 입력단에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 트랜지스터일 수 있다. 이 경우, Q2 노드 제어부(210)는 제2a 트랜지스터(T2a)이다. The Q2 node controller 210 applies the constant potential voltage to the Q2 node Q2 in the period in which the Q1 node Q1 is the turn-off voltage. The constant-potential voltage can utilize a high-potential voltage (VEH). The Q2 node control unit 210 may include a gate electrode connected to the second clock signal input CP2, a drain electrode connected to the Q2 node Q2, and a source electrode connected to the input terminal of the high voltage VEH. have. In this case, the Q2 node controller 210 is the 2a transistor T2a.

도 7은 도 6에 도시된 에미션 드라이버의 구동을 위한 클럭신호들 및 주요 노드의 전압 변화를 나타내는 타이밍도이다. 도 7에 도시된 제1 및 제2 클럭신호들의 타이밍은 도 5에 도시된 제1 및 제2 클럭신호들의 타이밍과 동일하기 때문에, 제2 실시예에 의한 에미션 드라이버의 구동 타이밍은 제1 실시예와 동일하다. FIG. 7 is a timing diagram showing clock signals for driving the emission driver shown in FIG. 6 and a voltage change of a main node. Since the timings of the first and second clock signals shown in Fig. 7 are the same as the timings of the first and second clock signals shown in Fig. 5, the driving timings of the emission driver according to the second embodiment are similar to those of the first embodiment It is the same as the example.

도 6 및 도 7을 참조하면, 제2 실시예에 의한 에미션 드라이버는 Q2 노드 제어부(210)를 이용하여, Q1 노드(Q1)가 고전위전압(VEH)을 유지하는 구간에서 Q2 노드(Q2)의 전압을 고전위전압(VEH)으로 유지할 수 있다. 6 and 7, the emission driver according to the second embodiment uses the Q2 node controller 210 to control the Q2 node Q2 (Q2) in a period in which the Q1 node Q1 maintains the high potential voltage VEH Can be maintained at the high-potential voltage (VEH).

제2 실시예의 Q2 노드 제어부(210)의 특징을 제1 실시예와 비교하면 다음과 같다.The characteristics of the Q2 node control unit 210 of the second embodiment are compared with those of the first embodiment as follows.

도 4에 도시된 제1 실시예에서, Q2 노드(Q2)는 Q1 노드(Q1)와 제1 커패시터(C1)를 통해서 커플링 된 상태이다. 따라서, 도 5에서 보는 바와 같이, Q1 노드(Q1)의 전압이 상승하는 구간에서 Q2 노드(Q2)의 전압은 커플링 현상에 의해서 고전위전압(VEH) 보다 높은 전압레벨로 상승하기도 한다. 제2 트랜지스터(T2)의 드레인전압과 소스전압 간의 차이(Vds)는 Q2 노드(Q2)의 전압과 제1 클럭신호(ECLK1)의 전압 간의 차이에 해당한다. Q2 노드(Q2)의 전압이 고전위전압(VEH) 보다 높아지면, 제1 클럭신호(ECLK1)가 저전위전압(VGL)인 구간에서 제2 트랜지스터(T2)의 Vds 가 커진다. 그 결과 제2 트랜지스터(T2)의 열화가 가속될 수 있다.In the first embodiment shown in Fig. 4, the Q2 node Q2 is coupled through the Q1 node Q1 and the first capacitor C1. Therefore, as shown in FIG. 5, the voltage of the Q2 node Q2 rises to a voltage level higher than the high-potential voltage VEH by the coupling phenomenon in a period in which the voltage of the Q1 node Q1 rises. The difference (Vds) between the drain voltage and the source voltage of the second transistor T2 corresponds to the difference between the voltage of the node Q2 and the voltage of the first clock signal ECLK1. When the voltage of the Q2 node Q2 becomes higher than the high potential voltage VEH, the Vds of the second transistor T2 becomes larger in the section where the first clock signal ECLK1 is the low potential voltage VGL. As a result, deterioration of the second transistor T2 can be accelerated.

그리고, 제2 실시예의 Q2 노드 제어부(210)는 Q1 노드(Q1)의 전압이 상승하는 구간 내에서 Q2 노드(Q2)에 정전위전압, 예컨대 고전위전압(VEH)을 인가한다. 따라서, Q2 노드(Q2)는 Q1 노드(Q1)의 전압이 상승하더라도 커플링 현상이 나타나지 않고 고전위전압(VEH)을 유지할 수 있다. 이로 인해서 제2 실시예는 제2 트랜지스터(T2)의 열화가 가속되는 것을 방지할 수 있다.The Q2 node controller 210 of the second embodiment applies a constant potential voltage, e.g., a high potential voltage VEH, to the Q2 node Q2 in a period in which the voltage of the Q1 node Q1 rises. Therefore, even if the voltage of the Q1 node (Q1) rises, the Q2 node (Q2) can maintain the high potential voltage (VEH) without any coupling phenomenon. Thus, the second embodiment can prevent the deterioration of the second transistor T2 from being accelerated.

본 명세서의 실시예들은 다음과 같이 설명될 수 있다.Embodiments of the present invention can be described as follows.

본 명세서에 의한 유기발광 표시장치는 게이트라인에 연결된 픽셀들 및 게이트라인들 중에서 적어도 어느 하나에 인가되는 게이트신호를 공급하며 서로 종속적으로 접속되는 다수의 스테이지로 이루어지는 게이트 구동회로를 포함한다. 게이트 구동회로의 제n(n은 자연수) 스테이지는 서로 역위상을 갖는 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여, Q1 노드를 턴-온 전압으로 충전하는 Q1 노드 충전부 및 Q1 노드 전압에 응답하여 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터를 포함한다. Q1 노드 충전부는 제2 클럭신호를 이용하여, Q1 노드 전압을 턴-온전압으로 충전하는 제1 충전부 및 Q1 노드가 턴-온 전압인 구간에서 제1 클럭신호를 이용하여 Q1 노드와 커플링되는 Q2 노드를 충전하는 제2 충전부를 포함한다.An organic light emitting display according to the present invention includes a gate driving circuit including a plurality of stages connected to each other and supplying gate signals to at least one of pixels connected to a gate line and gate lines. The n-th (n is a natural number) stage of the gate drive circuit uses a first and a second clock signal having opposite phases to each other to supply a Q1 node charging unit for charging the Q1 node to a turn- On-state voltage to the output terminal. The Q1 node charging unit uses a second clock signal to couple a first charging unit charging the Q1 node voltage to the turn-on voltage and a Q1 node coupled to the Q1 node using the first clock signal in the period where the Q1 node is the turn-on voltage And a second charging unit charging the node Q2.

제1 충전부는 스타트신호 입력단 및 Q1 노드 사이에 접속되며, 게이트전극이 제2 클럭신호의 입력단에 연결되는 제1 트랜지스터를 포함할 수 있다.The first charging unit may include a first transistor connected between a start signal input terminal and a node Q1, and a gate electrode connected to an input terminal of the second clock signal.

제2 충전부는 제1 클럭신호의 입력단 및 Q2 노드 사이에 접속되며, 게이트전극이 Q1 노드에 연결되는 제2 트랜지스터, 및 Q1 노드 및 Q2 노드 사이에 접속하는 제1 커패시터를 포함할 수 있다.The second charging unit may include a second transistor connected between the input terminal of the first clock signal and a node Q2, a gate electrode connected to the node Q1, and a first capacitor connected between the node Q1 and the node Q2.

Q1 노드 충전부는 Q1 노드가 턴-오프 전압인 구간에서 Q2 노드에 정전위전압을 인가하는 Q2 노드 제어부를 더 포함할 수 있다.The Q1 node charging unit may further include a Q2 node control unit for applying a constant potential voltage to the Q2 node in a period in which the Q1 node is in a turn-off voltage.

Q2 노드 제어부는 제2 클럭신호 입력단에 연결되는 게이트전극, Q2 노드에 연결되는 드레인전극 및 고전위전압 입력단에 연결되는 소스전극을 포함할 수 있다.The Q2 node control unit may include a gate electrode connected to the second clock signal input terminal, a drain electrode connected to the Q2 node, and a source electrode connected to the high potential input terminal.

게이트 구동회로는 QB1 노드의 전압에 응답하여, 출력단의 전압을 턴-오프 전압으로 제어하는 풀다운부, 및 Q1 노드의 반대 전압레벨로 QB1 노드의 전압을 제어하는 노드 제어부를 더 포함할 수 있다.The gate driving circuit may further include a pull-down section for controlling the voltage of the output terminal to a turn-off voltage in response to the voltage of the QB1 node, and a node control section for controlling the voltage of the QB1 node at the opposite voltage level of the Q1 node.

노드 제어부는 QP 노드와 QB2 노드 사이에 접속되는 제2 커패시터, 제(n-1) 스테이지의 QB2 노드 및 상QP 노드와 연결되는 QP 노드 제어부를 더 포함할 수 있다.The node controller may further include a second capacitor connected between the QP node and the QB2 node, a QB2 node of the (n-1) th stage, and a QP node controller coupled to the upper QP node.

노드 제어부는 QP 노드의 전압에 응답하여, 제1 클럭신호의 턴-온 전압을 QB2 노드에 인가하는 QB2 노드 제어부를 더 포함할 수 있다.The node control unit may further include a QB2 node control unit responsive to the voltage of the QP node for applying a turn-on voltage of the first clock signal to the QB2 node.

노드 제어부는 게이트전극이 제1 클럭신호를 인가받는 제1 클럭신호 입력단에 연결되고, QB2 노드의 전압을 QB1 노드에 인가하는 QB1 노드 제어부를 더 포함할 수 있다.The node control unit may further include a QB1 node controller connected to the first clock signal input terminal to which the gate electrode receives the first clock signal and to apply the voltage of the QB2 node to the QB1 node.

본 명세서에 의한 게이트 구동회로는 구동회로는 종속적으로 접속되는 복수의 스테이지로 구성되고, 게이트신호를 출력한다. 복수의 스테이지들 각각은 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여 게이트 신호를 출력한다. 복수의 스테이지들 중에서 제n(n은 자연수) 스테이지는 Q1 노드 전압에 응답하여, 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터, Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된 제1 커패시터, 제2 클럭신호의 입력단에 연결된 게이트전극, 스타트신호의 입력단에 연결된 소스전극, 및 Q1 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제1 트랜지스터, Q1 노드에 연결된 게이트전극, 제1 클럭신호의 입력단에 연결된 소스전극 및 Q2 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함한다.The gate drive circuit according to the present specification comprises a plurality of stages to which a drive circuit is connected in a dependent manner, and outputs a gate signal. Each of the plurality of stages outputs the gate signal using the first and second clock signals. The nth (n is a natural number) stage of the plurality of stages includes a pull-up transistor responsive to the Q1 node voltage for applying a turn-on voltage to the output stage, a first capacitor connected between nodes Q1 and Q2, A first transistor including a gate electrode connected to the input terminal, a source electrode connected to the input terminal of the start signal, and a drain electrode connected to the node Q1, a gate electrode connected to the node Q1, a source electrode connected to the input terminal of the first clock signal, And a second transistor including a connected drain electrode.

제1 클럭신호 및 제2 클럭신호는 서로 역위상일 수 있다.The first clock signal and the second clock signal may be in opposite phases to each other.

제1 클럭신호 및 제2 클럭신호는 한 주기가 2수평기간일 수 있다.The first clock signal and the second clock signal may be one horizontal period and two horizontal periods.

스타트신호는 제(n-1) 스테이지가 출력하는 게이트신호일 수 있다.The start signal may be a gate signal output from the (n-1) th stage.

Q2 노드에 연결된 드레인전극, 고전위전압의 입력단에 연결된 소스전극, 제2 클럭신호에 연결된 게이트전극을 포함하는 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.A transistor including a drain electrode connected to the Q2 node, a source electrode connected to the input terminal of the high potential voltage, and a gate electrode connected to the second clock signal.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 명세서의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 명세서의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Accordingly, the technical scope of the present specification should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

10: 표시패널 110: 타이밍 콘트롤러
120: 데이터 구동부 130,140: 게이트 구동부
10: Display panel 110: Timing controller
120: Data driver 130, 140: Gate driver

Claims (14)

게이트라인에 연결된 픽셀들; 및
상기 게이트라인들 중에서 적어도 어느 하나에 인가되는 게이트신호를 공급하며, 서로 종속적으로 접속되는 다수의 스테이지로 이루어지는 게이트 구동회로를 포함하고,
상기 게이트 구동회로의 제n(n은 자연수) 스테이지는
서로 역위상을 갖는 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여, Q1 노드를 턴-온 전압으로 충전하는 Q1 노드 충전부; 및
Q1 노드 전압에 응답하여, 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터를 포함하며,
상기 Q1 노드 충전부는
상기 제2 클럭신호를 이용하여, 상기 Q1 노드 전압을 턴-온전압으로 충전하는 제1 충전부; 및
상기 Q1 노드가 턴-온 전압인 구간에서, 상기 제1 클럭신호를 이용하여 상기 Q1 노드와 커플링되는 Q2 노드를 충전하는 제2 충전부를 포함하는 유기발광 표시장치.
Pixels connected to the gate line; And
And a gate driving circuit which supplies a gate signal applied to at least one of the gate lines and has a plurality of stages which are connected to each other in a dependent manner,
The nth (n is a natural number) stage of the gate drive circuit
A Q1 node charging unit charging the Q1 node with a turn-on voltage using first and second clock signals having opposite phases to each other; And
A pull-up transistor responsive to a Q1 node voltage for applying a turn-on voltage to an output terminal,
The Q1 node charging unit
A first charging unit charging the Q1 node voltage to a turn-on voltage using the second clock signal; And
And a second charging unit charging the node Q2 coupled with the node Q1 using the first clock signal in a period in which the node Q1 is a turn-on voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 충전부는
스타트신호 입력단 및 상기 Q1 노드 사이에 접속되며, 게이트전극이 상기 제2 클럭신호의 입력단에 연결되는 제1 트랜지스터를 포함하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
The first charging unit
And a first transistor connected between a start signal input terminal and the Q1 node and having a gate electrode connected to an input terminal of the second clock signal.
제 1 항에 있어서,
상기 제2 충전부는
상기 제1 클럭신호의 입력단 및 상기 Q2 노드 사이에 접속되며, 게이트전극이 상기 Q1 노드에 연결되는 제2 트랜지스터; 및
상기 Q1 노드 및 상기 Q2 노드 사이에 접속하는 제1 커패시터를 포함하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
The second charging unit
A second transistor connected between the input terminal of the first clock signal and the Q2 node, and having a gate electrode connected to the Q1 node; And
And a first capacitor connected between the Q1 node and the Q2 node.
제 1 항에 있어서,
상기 Q1 노드 충전부는
상기 Q1 노드가 턴-오프 전압인 구간에서 상기 Q2 노드에 정전위전압을 인가하는 Q2 노드 제어부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
The Q1 node charging unit
And a Q2 node controller for applying a constant potential voltage to the node Q2 in a period where the node Q1 is a turn-off voltage.
제 4 항에 있어서,
상기 Q2 노드 제어부는
상기 제2 클럭신호 입력단에 연결되는 게이트전극, 상기 Q2 노드에 연결되는 드레인전극 및 상기 고전위전압 입력단에 연결되는 소스전극을 포함하는 유기발광 표시장치.
5. The method of claim 4,
The Q2 node control unit
A gate electrode connected to the second clock signal input terminal, a drain electrode connected to the node Q2, and a source electrode connected to the high potential input terminal.
제 1 항에 있어서,
상기 게이트 구동회로는
QB1 노드의 전압에 응답하여, 상기 출력단의 전압을 턴-오프 전압으로 제어하는 풀다운부; 및
상기 Q1 노드의 반대 전압레벨로 상기 QB1 노드의 전압을 제어하는 노드 제어부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 1,
The gate drive circuit
A pull-down unit responsive to the voltage of the node QB1 for controlling the voltage of the output terminal to a turn-off voltage; And
And a node controller for controlling the voltage of the QB1 node to a voltage level opposite to that of the Q1 node.
제 6 항에 있어서,
상기 노드 제어부는
QP 노드와 QB2 노드 사이에 접속되는 제2 커패시터;
제(n-1) 스테이지의 QB2 노드 및 상기 QP 노드와 연결되는 QP 노드 제어부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
The method according to claim 6,
The node control unit
A second capacitor connected between the QP node and the QB2 node;
Further comprising a QB2 node of the (n-1) th stage and a QP node controller connected to the QP node.
제 7 항에 있어서,
상기 노드 제어부는
상기 QP 노드의 전압에 응답하여, 상기 제1 클럭신호의 턴-온 전압을 상기 QB2 노드에 인가하는 QB2 노드 제어부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
8. The method of claim 7,
The node control unit
And a QB2 node controller for applying a turn-on voltage of the first clock signal to the QB2 node in response to the voltage of the QP node.
제 8 항에 있어서,
상기 노드 제어부는
게이트전극이 상기 제1 클럭신호를 인가받는 제1 클럭신호 입력단에 연결되고, 상기 QB2 노드의 전압을 상기 QB1 노드에 인가하는 QB1 노드 제어부를 더 포함하는 유기발광 표시장치.
9. The method of claim 8,
The node control unit
And a QB1 node controller connected to a first clock signal input terminal to which a gate electrode of the first clock signal is applied and to apply a voltage of the QB2 node to the QB1 node.
종속적으로 접속되는 복수의 스테이지로 구성되고, 게이트신호를 출력하는 게이트 구동회로에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 각각은 제1 및 제2 클럭신호를 이용하여 상기 게이트신호를 출력하고,
상기 복수의 스테이지들 중에서 제n(n은 자연수) 스테이지는
Q1 노드 전압에 응답하여, 턴-온 전압을 출력단에 인가하는 풀업 트랜지스터;
상기 Q1 노드와 Q2 노드 사이에 연결된 제1 커패시터;
상기 제2 클럭신호의 입력단에 연결된 게이트전극, 스타트신호의 입력단에 연결된 소스전극, 및 상기 Q1 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제1 트랜지스터;
상기 Q1 노드에 연결된 게이트전극, 상기 제1 클럭신호의 입력단에 연결된 소스전극 및 상기 Q2 노드에 연결된 드레인전극을 포함하는 제2 트랜지스터를 포함하는 게이트 구동회로.
A gate drive circuit comprising a plurality of stages connected in a dependent manner and outputting a gate signal,
Each of the plurality of stages outputting the gate signal using first and second clock signals,
The nth (n is a natural number) stage among the plurality of stages is
A pull-up transistor responsive to the Q1 node voltage for applying a turn-on voltage to an output terminal;
A first capacitor connected between the node Q1 and the node Q2;
A first transistor including a gate electrode connected to an input terminal of the second clock signal, a source electrode connected to an input terminal of the start signal, and a drain electrode connected to the node Q1;
And a second transistor including a gate electrode connected to the node Q1, a source electrode connected to the input terminal of the first clock signal, and a drain electrode connected to the node Q2.
제 10 항에 있어서,
상기 제1 클럭신호 및 상기 제2 클럭신호는 서로 역위상인 게이트 구동회로.
11. The method of claim 10,
Wherein the first clock signal and the second clock signal are in opposite phase to each other.
제 11 항에 있어서,
상기 제1 클럭신호 및 상기 제2 클럭신호는 한 주기가 2 수평기간인 표시장치의 게이트 구동회로.
12. The method of claim 11,
Wherein the first clock signal and the second clock signal have one period of two horizontal periods.
제 12 항에 있어서,
상기 스타트신호는 제(n-1) 스테이지가 출력하는 게이트신호인 게이트 구동회로.
13. The method of claim 12,
And the start signal is a gate signal output from the (n-1) th stage.
제 10 항에 있어서,
상기 Q2 노드에 연결된 드레인전극, 고전위전압의 입력단에 연결된 소스전극, 및 상기 제2 클럭신호에 연결된 게이트전극을 포함하는 트랜지스터를 더 포함하는 게이트 구동회로.
11. The method of claim 10,
A transistor including a drain electrode coupled to the node Q2, a source electrode coupled to an input terminal of the high potential voltage, and a gate electrode coupled to the second clock signal.
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