KR20230049518A - Housing of electronic device and method for manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시의 실시 예들은, 전자 장치의 하우징 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a housing of an electronic device and a manufacturing method thereof.
정보통신 기술과 반도체 기술의 발전으로 인하여 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 특히 최근의 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다. 또한, 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리 및 전자 지갑의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다. Due to the development of information and communication technology and semiconductor technology, the supply and use of various electronic devices are rapidly increasing. In particular, recent electronic devices are being developed to be portable and communicate. Also, electronic devices may output stored information as sound or image. As the degree of integration of electronic devices increases and ultra-high-speed, large-capacity wireless communication becomes common, recently, a single electronic device such as a mobile communication terminal may be equipped with various functions. For example, not only communication functions, but also entertainment functions such as games, multimedia functions such as music/video playback, communication and security functions for mobile banking, schedule management, and electronic wallet functions are integrated into one electronic device. These electronic devices are miniaturized so that users can conveniently carry them.
전자 장치의 외관을 이루게 되는 하우징을 제작함에 있어, 금속 소재를 활용함으로써, 외부 환경으로부터 각종 회로 장치를 보호하는 한편, 전자 장치의 외관을 디자인적으로 미려하게 형성하려는 연구가 지속적으로 진행되고 있다.In manufacturing a housing that forms the exterior of an electronic device, by using a metal material, research is continuously being conducted to protect various circuit devices from the external environment while forming a beautiful appearance of the electronic device in terms of design.
최근 휴대용 전자기기, PC, TV와 같이 다양한 전자 디바이스 제품의 외장재로 알루미늄 금속이 많이 사용되고 있다. 알루미늄 외장재는 표면 질감을 형성하는 전처리 단계 후 도장, 도금, 증착, 아노다이징과 같은 표면 처리를 진행하여 금속의 표면 보호 및 다양한 외관을 가지는 질감을 구현할 수 있다.Recently, aluminum metal has been widely used as an exterior material for various electronic device products such as portable electronic devices, PCs, and TVs. After the pretreatment step of forming the surface texture of the aluminum exterior material, surface treatment such as painting, plating, deposition, and anodizing may be performed to protect the surface of the metal and to realize textures having various appearances.
표면 질감 구현을 위한 공정에는 금속 표면에 다양한 미디어(모래, 세라믹, 알루미늄등)를 적용하여 일정한 압력으로 분사하는 블라스팅(blasting)방법, 연마석, 연마포를 적용하여 가공하는 물리적 연마(wheel polishing) 방법, 금속 브러시, 또는 사포를 이용하여 일정한 방향으로 가공하는 헤어라인(hair line) 방법이 있다. The process for realizing surface texture includes a blasting method in which various media (sand, ceramic, aluminum, etc.) are applied to the metal surface and sprayed at a constant pressure, and a physical polishing method in which abrasive stone and abrasive cloth are applied for processing. , there is a hairline method of processing in a certain direction using a metal brush or sandpaper.
이러한 가공 방법에 따라 광택 또는 거친 표면을 얻을 수 있으며, 패턴이 있는 질감으로 가공할 수도 있다.According to this processing method, a glossy or rough surface can be obtained, and it can also be processed into a patterned texture.
표면에 질감이 형성된 금속에 다양한 방식의 표면 처리 공법이 존재하며, 표면 처리 공법 중 아노다이징(Anodizing) 공법은 금속을 양극으로 통전하면서 발생하는 산소에 의해 소지금속과 밀착력이 높은 산화피막을 가지는 표면 처리 방법이다. 이렇게 처리된 아노다이징 금속의 표면은 금속의 질감이 살아있어 심미성이 높고, 내부식, 및 내마모성이 우수한 특성을 갖는다.There are various types of surface treatment methods for metals with textured surfaces. Among the surface treatment methods, the anodizing method is a surface treatment that has an oxide film with high adhesion to the base metal by oxygen generated while the metal is energized through the anode. way. The surface of the anodized metal treated as described above has high aesthetics due to the alive texture of the metal, and excellent corrosion resistance and wear resistance.
그러나, 기존 아노다이징 공법으로는 광택이 아주 높거나, 반광택 상태에서의 거친 금속 질감만이 구현되고, 초극세사와 같이 부드럽고 매트한 느낌을 주는 외관은 구현할 수 없었다. However, with the existing anodizing method, only a very high gloss or a rough metal texture in a semi-glossy state was realized, and a soft and matte appearance like microfiber could not be realized.
본 개시는 부드럽고 매트한 표면 질감을 가지는 전자 장치의 하우징 및 이의 제조 방법을 제공한다.The present disclosure provides a housing of an electronic device having a smooth and matte surface texture and a manufacturing method thereof.
다만, 본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved in the present disclosure is not limited to the above-mentioned problem, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present disclosure.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 하우징의 제조 방법은, 블라스팅 방식을 통해 금속 프레임의 표면에 굴곡을 형성하는 공정 및 인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액에 상기 금속 프레임을 침적하는 공정을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a method of manufacturing a housing of an electronic device may include a process of forming curves on a surface of a metal frame through a blasting method and a process of immersing the metal frame in an alkaline etching solution containing phosphate. .
일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 하우징은, 금속 프레임을 포함하고, 상기 금속 프레임의 표면은, 1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가지고, 표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛이고, 1cm2의 단위 면적 당 요철의 수는 90 내지 200 개일 수 있다.According to one embodiment, the housing of the electronic device includes a metal frame, a surface of the metal frame has a gloss value of 1 to 10 Gu (gloss unit), and a maximum height of a plurality of irregularities disposed on the surface is 0.1 to 2.3 μm, the maximum depth of the plurality of irregularities between the valleys is 0.1 to 1.8 μm, and the number of irregularities per unit area of 1 cm 2 may be 90 to 200.
본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 초극세사의 부드러운 질감과 매트한 입자감의 표면을 가지는 금속 프레임을 구현할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, a metal frame having a soft texture of microfibers and a surface of matte particles may be implemented.
또한, 본 개시의 다양한 실시 예에 따르면, 금속 프레임의 외측면 및 내측면 모두 초극세사의 부드러운 질감과 매트한 입자감을 가질 수 있다.In addition, according to various embodiments of the present disclosure, both the outer and inner surfaces of the metal frame may have a soft texture and matte particle feeling of microfibers.
또한, 본 개시의 다양한 실시 예는, 전자 장치의 하우징 이외에도 금속을 사용하는 제품 군에 적용 가능할 수 있다.In addition, various embodiments of the present disclosure may be applicable to a product group using metal other than the electronic device housing.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 하우징을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시 예에 따라 블라스팅 공정이 수행된 금속 프레임을 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 6b는 본 개시의 일 실시 예에 따라 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액을 이용해 에칭된 금속 프레임을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 광택 측정 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 개시의 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 관찰 결과를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 요철의 높이 및 골의 깊이를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 높이 차이를 설명하기 위한 도면이다.
도 11a는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 입자 분포를 설명하기 위한 도면이다.
도 11b는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 단위 면적당 입자 수를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 입자의 크기를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 피크의 밀도 및 표면에 존재하는 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값을 설명하기 위한 도면이다.1 is a block diagram of an electronic device in a network environment, according to various embodiments.
2 is a front perspective view of an electronic device, according to various embodiments of the present disclosure.
3 is a rear perspective view of an electronic device, according to various embodiments of the present disclosure.
4 is a diagram illustrating a housing of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
5 is a diagram for explaining a method of manufacturing a housing of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
6A is a view for explaining a process of immersing a metal frame on which a blasting process has been performed in an alkali etching solution including phosphate according to an embodiment of the present disclosure.
6B is a view for explaining a metal frame etched using an alkaline etching solution containing phosphate according to an embodiment of the present disclosure.
7 is a view for explaining a surface gloss measurement result of a metal frame according to a surface treatment method.
8 is a view for explaining surface observation results of a metal frame according to a surface treatment method of the present disclosure.
9 is a view for explaining the height of irregularities on the surface of a metal frame and the depth of a valley according to a surface treatment method.
10 is a view for explaining a difference in height of the surface of a metal frame according to a surface treatment method.
11A is a diagram for explaining particle distribution on the surface of a metal frame according to a surface treatment method.
11B is a diagram for explaining the number of particles per unit area of the surface of the metal frame according to the surface treatment method.
12 is a view for explaining the size of particles on the surface of the metal frame according to the surface treatment method.
FIG. 13 is a view for explaining the square root mean value of the peak density of the surface of the metal frame and the slope inclination value present on the surface according to the surface treatment method.
도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.1 is a block diagram of an
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.The
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
The
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to an embodiment, commands or data may be transmitted or received between the
도 2는, 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다. 2 is a front perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
도 3은, 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.3 is a rear perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 전면(310A), 후면(310B), 및 전면(310A) 및 후면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 상기 하우징(310)은, 도 2의 전면(310A), 도 3의 후면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 전면(310A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 후면(310B)은 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 유리, 알루미늄과 같은 금속 물질 또는 세라믹)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the
도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)는, 상기 전면(310A)으로부터 상기 후면 플레이트(311) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 엣지 영역(310D)들을, 상기 전면 플레이트(302)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 3 참조)에서, 상기 후면 플레이트(311)는, 상기 후면(310B)으로부터 상기 전면 플레이트(302) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 엣지 영역(310E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)(또는 상기 후면 플레이트(311))가 상기 제1 엣지 영역(310D)들(또는 상기 제2 엣지 영역(310E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(101)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(318)는, 상기와 같은 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 엣지 영역(310D)들 또는 제2 엣지 영역(310E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.In the illustrated embodiment, the
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(305, 312, 313)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 키 입력 장치(317)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 및 커넥터 홀(308, 309)(예: 도 1의 연결 단자(178)) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 커넥터 홀(309))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.According to an embodiment, the
일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 시각적으로 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면(310A), 및 상기 제1 엣지 영역(310D)들을 형성하는 전면 플레이트(302)를 통하여 상기 디스플레이(301)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(301)의 모서리를 상기 전면 플레이트(302)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(301)의 외곽과 전면 플레이트(302)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 하우징(310)의 표면(또는 전면 플레이트(302))은 디스플레이(301)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 일례로, 화면 표시 영역은 전면(310A), 및 제1 엣지 영역(310D)들을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the surface of the housing 310 (or the front plate 302) may include a screen display area formed as the
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역(예: 전면(310A), 제1 엣지 영역(310D))의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)을 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 발광 소자(미도시), 및 카메라 모듈(305) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(305), 지문 센서(미도시), 및 발광 소자(미도시) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.In another embodiment (not shown), a recess or an opening is formed in a portion of a screen display area (eg, the
다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.In another embodiment (not shown), the
어떤 실시예에서는, 상기 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 제 1엣지 영역(310D)들, 및/또는 상기 제 2 엣지 영역(310E)들에 배치될 수 있다. In some embodiments, at least a part of the
일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 예를 들면, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). 오디오 모듈(303, 307, 314)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 오디오 모듈만 장착되거나 새로운 오디오 모듈이 부가되는 것과 같이 다양하게 설계 변경할 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 센서 모듈(미도시)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치된 제1 센서 모듈(미도시)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(310)의 후면(310B)에 배치된 제3 센서 모듈(미도시)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서(미도시), 상기 지문 센서는 하우징(310)의 전면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 후면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 상기 센서 모듈(미도시)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 센서 모듈만 장착되거나 새로운 센서 모듈이 부가되는 것과 같이 다양하게 설계 변경할 수 있다.According to an embodiment, the sensor module (not shown) may generate an electrical signal or data value corresponding to an internal operating state of the
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 312, 313)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 전면(310A)에 배치된 전면 카메라 모듈(305), 및 후면(310B)에 배치된 후면 카메라 모듈(312), 및/또는 플래시(313)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 312)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(313)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다. 카메라 모듈(305, 312, 313)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 카메라 모듈만 장착되거나 새로운 카메라 모듈이 부가되는 것과 같이 다양하게 설계 변경할 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 각각 다른 속성(예: 화각) 또는 기능을 가진 복수의 카메라 모듈들(예: 듀얼 카메라, 또는 트리플 카메라)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 서로 다른 화각을 갖는 렌즈를 포함하는 카메라 모듈(305, 312)이 복수로 구성될 수 있고, 전자 장치(101)는 사용자의 선택에 기반하여, 전자 장치(101)에서 수행되는 카메라 모듈(305, 312)의 화각을 변경하도록 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 카메라 모듈(305, 312)들 중 적어도 하나는 광각 카메라이고, 적어도 다른 하나는 망원 카메라일 수 있다. 유사하게, 상기 복수의 카메라 모듈(305, 312)들 중 적어도 하나는 전면 카메라이고, 적어도 다른 하나는 후면 카메라일 수 있다. 또한, 복수의 카메라 모듈(305, 312)들은, 광각 카메라, 망원 카메라, 또는 IR(infrared) 카메라(예: TOF(time of flight) camera, structured light camera) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, IR 카메라는 센서 모듈의 적어도 일부로 동작될 수 있다. 예를 들어, TOF 카메라는 피사체와의 거리를 감지하기 위한 센서 모듈(미도시)의 적어도 일부로 동작될 수 있다.According to an embodiment, the
일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치는 하우징(310)의 후면(310B)에 배치된 센서 모듈(미도시)을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전면 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.According to one embodiment, a light emitting device (not shown) may be disposed on, for example, the
일 실시예에 따르면, 커넥터 홀(308, 309)은, 예를 들면, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(308), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(309)을 포함할 수 있다. 커넥터 홀(308, 309)은 상기 구조에 한정된 것은 아니며, 전자 장치(101)의 구조에 따라 일부 커넥터 홀만 장착되거나 새로운 커넥터 홀을 부가하는 것과 같이 다양하게 설계 변경할 수 있다.According to one embodiment, the connector holes 308 and 309 are, for example, a first connector hole capable of receiving a connector (eg, a USB connector) for transmitting and receiving power and/or data to and from an external electronic device. 308, and/or a second connector hole (eg, earphone jack) 309 capable of accommodating a connector for transmitting and receiving an audio signal to and from an external electronic device. The connector holes 308 and 309 are not limited to the above structure, and may be variously designed according to the structure of the
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305), 및/또는 센서 모듈(미도시)은 전자 장치(101)의 내부 공간에서, 디스플레이(301) 및 전면 플레이트(302)의 지정된 영역을 통해 외부 환경과 접할 수 있도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 지정된 영역은 디스플레이(301)에서 픽셀이 배치되지 않은 영역일 수 있다. 또 다른 예로, 상기 지정된 영역은 디스플레이(301)에서 픽셀이 배치된 영역일 수 있다. 디스플레이(301)의 위에서 볼 때, 상기 지정된 영역의 적어도 일부는 카메라 모듈(305) 및/또는 센서 모듈과 중첩될 수 있다. 또 다른 예로, 일부 센서 모듈은 전자 장치의 내부 공간에서 전면 플레이트(302)를 통해 시각적으로 노출되지 않고 그 기능을 수행하도록 배치될 수도 있다.According to an embodiment, the
도 2 및 도 3에서 개시되는 전자 장치(101)는 바형(bar type) 또는 평판형(plate type)의 외관을 가지고 있지만, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시된 전자 장치는 롤러블 전자 장치나 폴더블 전자 장치의 일부일 수 있다. "롤러블 전자 장치(rollable electronic device)"라 함은, 디스플레이(301)의 굽힘 변형이 가능해, 적어도 일부분이 말아지거나(wound or rolled) 하우징(310)의 내부로 수납될 수 있는 전자 장치를 의미할 수 있다. 사용자의 필요에 따라, 롤러블 전자 장치는 디스플레이를 펼침으로써 또는 디스플레이의 더 넓은 면적을 외부로 노출시킴으로써 화면 표시 영역을 확장하여 사용할 수 있다. "폴더블 전자 장치(foldable electronic device)"는 디스플레이의 서로 다른 두 영역을 마주보게 또는 서로 반대 방향을 향하는(opposite to) 방향으로 접철 가능한 전자 장치를 의미할 수 있다. 일반적으로 휴대 상태에서 폴더블 전자 장치에서 디스플레이는 서로 다른 두 영역이 마주보는 상태로 또는 대향하는 방향으로 접철되고, 실제 사용 상태에서 사용자는 디스플레이를 펼쳐 서로 다른 두 영역이 실질적으로 평판 형태를 이루게 할 수 있다. 어떤 실시예에서, 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 스마트 폰과 같은 휴대용 전자 장치뿐만 아니라, 노트북 컴퓨터나 가전 제품과 같은 다른 다양한 전자 장치를 포함하는 의미로 해석될 수 있다.The
도 4는, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 하우징(310)을 나타내는 도면이다. 4 is a diagram illustrating a
본 개시의 다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))는 적어도 일부분이 전기 전도성 물질(an electrically conductive material)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 하우징(310)은 금속성(예: 알루미늄) 프레임으로 구성될 수 있으며, 예컨대, 전자 장치와 결합되었을 때, 외부에 노출되는 부분인 외측면(330)(또는 외측 프레임)과 상기 외측면(330)의 반대 방향을 향하는 내측면(320)(또는 내측 프레임)을 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 하우징(310)은 도 2 및 도 3에서 전술한 하우징(310)과 실질적으로 동일한 구성일 수 있다. 예컨대, 도 2 및 도 3에서 전술한 하우징(310)에서 전면 플레이트 부분이 생략 도시되고, 측면 베젤 구조와 후면 플레이트가 결합된 모습을 나타낼 수 있다. 하우징은 형상 또는 치수(예: 길이, 높이 또는 면적)를 조절하여 전자 장치의 외관을 다양하게 구성할 수 있다. 이하, 도 2 및 도 3에서 전술한 부분과 중복되는 내용은 생략할 수 있다. According to various embodiments of the present disclosure, an electronic device (eg, the
하우징(310)은 외관의 미려함을 더하기 위해, 및/또는, 하우징(310)을 안테나로서 활용하기 위해 적어도 일부분이 전기 전도성 물질을 갖도록 형성될 수 있다. 하우징(310)의 적어도 일부를 전기 전도성 물질을 갖도록 형성함에 따라, 전자 장치의 강성을 높일 수 있다. At least a portion of the
다양한 실시예들에 따르면, 하우징(310)에 포함된 측면 부재 및/또는 후면 플레이트는 전자 장치의 일부분을 설명하고 있지만, 이에 국한되지 않고, 전자 장치의 하우징(310)에 착탈 가능한 구조체로 구현될 수도 있다. 예를 들어, 측면 부재 및/또는 후면 플레이트는 전자 장치와 결합되어 외부 충격, 또는 이물질로부터 전자 장치를 보호할 수 있다. According to various embodiments, the side member and/or the rear plate included in the
다양한 실시예에 따르면, 하우징(310)은 'cover', 'case', 'envelope', 'exterior case', 'accessory case' 또는 'enclosure'와 같은 다양한 용어로 지칭될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 하우징(310)에 포함된 측면 부재 및/또는 후면 플레이트는 본 문서에서 언급한 실시예에 국한되지 않고 전자 장치의 형태에 따라 다양한 형태로 성형될 수 있다.According to various embodiments, the
일 실시 예에 따라, 하우징(310)의 금속 프레임의 표면은 부드러운 질감과 매트한 입자감을 가질 수 있다.According to one embodiment, the surface of the metal frame of the
일 실시 예에 따라, 본 개시에서는 휴대용 전자 장치의 프레임을 제조하는 방법에 대해서 개시하지만, 이에 한정되지 않고, 금속을 외장재로 하는 모든 제품군에 본 발명의 적용이 가능하다.According to an embodiment, the present disclosure discloses a method of manufacturing a frame of a portable electronic device, but is not limited thereto, and the present invention can be applied to all product groups using metal as an exterior material.
일 실시 예에 따라, 하우징(310)은 내측면(320)과 외측면(330)은 동일한 표면 질감 및 표면 입자감을 갖도록 형성될 수 있다. According to an embodiment, the
일 실시 예에 따라, 하우징(310)에 표면 질감 및 입자감을 구현하기 위해 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액이 사용될 수 있다. 이하에서는, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액을 이용한 하우징(310)의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다.According to an embodiment, an alkaline etching solution containing phosphate may be used to implement surface texture and particle feeling on the
도 5는 본 개시의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a diagram for explaining a method of manufacturing a housing of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
일 실시 예에 따라, 도 5를 참조하면, 501 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 외장재 금속을 준비할 수 있다. According to an embodiment, referring to FIG. 5 , in
예를 들어, 금속 프레임을 포함하는 하우징의 원 소재를 마련할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치의 외장재 또는 내장재로 이용하는 알루미늄 판재를 하우징의 원 소재로 할 수 있다. 알루미늄 판재는 예를 들면, 순수 알루미늄을 제외한, 2xxx 계열 합금에서부터, 6xxx 계열 합금 및/또는, 고강도 7xxx 계열 합금을 포함할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 합금 소재는 알루미늄을 주요 구성 성분으로 하고 주요 합금 원소로 구리, 마그네슘, 망간, 규소, 주석 또는 아연을 포함할 수 있다. For example, a raw material for a housing including a metal frame may be provided. For example, an aluminum plate material used as an exterior or interior material of an electronic device can be used as a raw material of the housing. The aluminum plate may include, for example, 2xxx series alloys, 6xxx series alloys, and/or high-strength 7xxx series alloys, excluding pure aluminum. For example, an aluminum alloy material may include aluminum as a main constituent and copper, magnesium, manganese, silicon, tin, or zinc as a main alloying element.
다음으로, 금속 프레임을 포함하는 하우징의 원 소재를 가지고 절삭 가공과 접합 공정을 진행할 수 있다. 절삭 가공 공정을 통해 하우징을 원하는 형상대로 제작할 수 있다. 절삭 가공 공정이 완료된 부재는 접합 공정을 진행하는데, 여기서 접합 공정은 사출 공정에서 사출하는 용융 수지와 금속이 서로 접합할 수 있도록 하는 모든 화학적, 물리적 처리 공정을 의미할 수 있다. 접합 처리가 적용되지 못한 금속은 사출 수지와의 접합성이 부족하여 부서지거나 이격이 발생할 수 있으므로, 접합 공정은 사출 공정 전에 진행되어야 할 수 있다. 그리고 사출 공정을 통해 금속 프레임에 용융 수지를 사출하여 수지와 금속을 접합할 수 있다. Next, cutting and joining processes may be performed using the raw material of the housing including the metal frame. Through the cutting process, the housing can be manufactured in the desired shape. The member on which the cutting process is completed proceeds with a bonding process. Here, the bonding process may refer to all chemical and physical treatment processes for bonding the molten resin injected in the injection process to the metal. Metals to which bonding treatment has not been applied may be broken or separated due to lack of bondability with the injection resin, so the bonding process may have to be performed before the injection process. In addition, the resin and the metal may be bonded by injecting the molten resin into the metal frame through the injection process.
일 실시 예에 따라, 502 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 금속 프레임 표면의 연마를 진행할 수 있다. According to an embodiment, in
일 실시 예에 따라, 사출 공정이 완료된 자재는 가공 공정을 통해 원하는 최종 형상으로 가공될 수 있다. 여기서 가공 공정은 단순 절삭 공정 외에도 외장재의 최종 외관 형상에 관여될 수 있는 연마 공정(습식, 건식 폴리싱) 및 다이아 컷(Dia-cut) 가공을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the material on which the injection process is completed may be processed into a desired final shape through a machining process. Here, the machining process may include a polishing process (wet or dry polishing) and a dia-cut process that may be involved in the final external shape of the exterior material in addition to a simple cutting process.
일 실시예에 따르면, 상기 연마 공정은 전자 장치에 적용될 금속 프레임 표면에 고광택을 구현하기 위하여 진행되며, 연마 방식은 물리적 연마(건식/습식 폴리싱) 공정 및/또는 전해 연마 공정을 포함할 수 있다. 연마 공정은 물리적 연마 공정을 진행한 후에 전해 연마 공정을 진행할 수 있다. 또 다른 예로, 전해 연마 공정을 진행한 후에 물리적 연마 공정을 진행할 수 있다. 또 다른 예로, 물리적 연마 공정 및 전해 연마 공정 중 택일하여 진행할 수 있다. According to an embodiment, the polishing process is performed to achieve high gloss on the surface of a metal frame to be applied to an electronic device, and the polishing method may include a physical polishing (dry/wet polishing) process and/or an electrolytic polishing process. In the polishing process, an electrolytic polishing process may be performed after a physical polishing process is performed. As another example, a physical polishing process may be performed after the electrolytic polishing process. As another example, an alternative of a physical polishing process and an electrolytic polishing process may be performed.
일 실시 예에 따라, 물리적 연마는 금속 프레임 표면에 회전하는 연마장비를 접촉시켜 진행할 수 있다. 상기 물리적 연마 공정은 상기 금속 프레임의 표면이 습한 상태에서 연마를 진행하는 습식 연마 또는 상기 금속 프레임의 표면이 마른 상태에서 연마를 진행하는 건식 연마 방식 중 선택적으로 사용할 수 있다. 전해 연마(electro polishing) 공정은 양극 용해 현상을 이용하여 상기 금속 프레임의 표면을 평활화 및/또는 광택화시킬 수 있다. According to an embodiment, the physical polishing may be performed by contacting the rotating polishing equipment to the surface of the metal frame. The physical polishing process may be selectively used in a wet polishing method in which the surface of the metal frame is polished in a wet state or in a dry polishing method in which the surface of the metal frame is polished in a dry state. An electro polishing process may smooth and/or polish the surface of the metal frame by using an anode dissolution phenomenon.
일 실시 예에 따라, 503 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 연마 공정(예를 들어, 물리적 연마 및/또는 전해 연마공정)을 진행한 후에 표면 굴곡/광택을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 표면 굴곡/광택 형성 공정은 물리적 연마 공정이 진행된 후 진행하거나, 전해 연마 공정이 진행된 후 진행될 수 있다. 예를 들어, 표면에 굴곡/광택이 형성되었다는 것은, 표면에 요철이 형성되었음을 의미하는 것일 수 있다.According to an embodiment, in
일 실시 예에 따라, 표면 굴곡/광택 형성 공정은 물리적 연마 공정 및 전해 공정이 순차적으로 진행된 후에 수행될 수 있으며, 연마 공정을 수행하지 않은 상태에서 진행될 수도 있다.According to an embodiment, the surface waviness/gloss forming process may be performed after the physical polishing process and the electrolysis process are sequentially performed, or may be performed without performing the polishing process.
일 실시 예에 따라, 표면 굴곡/광택 형성 공정은 전자 장치에 적용될 금속 프레임의 표면에 굴곡(예: 거칠기)을 구현하기 위하여 진행되며, 샌드 블라스팅과 같이 물리적으로 힘을 가하는 방식이 포함될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 표면 굴곡/광택 형성 공정은 배럴 연마, 헤어라인 방식과 같이 디자인 외관에 관여되는 모든 공정들도 포함할 수 있다. According to an embodiment, the surface curvature/gloss forming process is performed to implement curvature (eg, roughness) on the surface of a metal frame to be applied to an electronic device, and may include a method of physically applying force such as sandblasting. According to an embodiment, the surface curvature/gloss formation process may include all processes involved in design appearance, such as barrel polishing and hairline method.
일 실시 예에 따라, 상술한 공정 외에 다른 공정을 추가로 포함하거나, 또는 상술한 공정 중 일부를 생략하여 진행할 수 있다. According to an embodiment, other processes may be additionally included in addition to the above processes, or some of the above processes may be omitted.
예를 들어, 상술한 가공 공정에서 발생하는 절삭유, 폴리싱 공정에서 발생하는 광약과 같은 이물질은 탈지 공정을 통해 제거될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 탈지 공정은 금속 프레임의 표면에 존재하는 이물질을 제거함과 동시에 공기 중에 산화된 금속의 산화막을 제거할 수 있다. 예를 들어, 탈지의 종류로는 벤젠 및/또는 에틸렌을 사용하는 유기용제법, 중성세제 및/또는 합성세제를 사용하는 계면활성제법, 및 황산 및/또는 질산을 사용하는 산탈지법이 포함될 수 있다.For example, foreign substances such as cutting oil generated in the above-described machining process and light powder generated in the polishing process may be removed through a degreasing process. According to an embodiment, the degreasing process may remove foreign substances present on the surface of the metal frame and at the same time remove an oxide film of metal oxidized in the air. For example, types of degreasing may include an organic solvent method using benzene and/or ethylene, a surfactant method using neutral detergent and/or synthetic detergent, and an acid degreasing method using sulfuric acid and/or nitric acid. there is.
일 실시 예에 따라, 504 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은 인산염(예: 킬레이트제)을 포함한 알칼리 에칭 용액을 이용하여 금속 프레임의 표면의 질감을 구현할 수 있다. 예를 들어, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에, 굴곡이 형성된 금속 프레임을 침적하여, 금속 프레임의 표면에 부드럽고 매트한 질감을 구현할 수 있다.According to an embodiment, in
이는 알칼리 에칭 용액에 첨가된 인산염이 금속 이온 봉쇄 역할을 하기 때문으로, 금속 프레임의 표면의 에칭 시, 인산염이 불순물의 침전 및 재부착을 방지하여 표면의 균일한 반응을 유도하여 부드러운 입자감을 형성할 수 있다. 일 실시 예에 따라, 인산염이 포함된 알칼리 에칭 용액에 굴곡이 형성된 금속 프레임을 침적하는 공정에서 수행되는 금속 프레임 표면의 반응에 대해서는 이하 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명하기로 한다.This is because the phosphate added to the alkaline etching solution acts as a metal ion blockade. When the surface of the metal frame is etched, the phosphate prevents precipitation and reattachment of impurities, induces a uniform reaction on the surface, and forms a soft particle feeling. can According to an embodiment, a reaction of a surface of a metal frame performed in a process of depositing a curved metal frame in an alkali etching solution containing phosphate will be described with reference to FIGS. 6A and 6B.
일 실시 예에 따라, 알칼리 에칭 용액의 농도는 1-50%일 수 있다. 알칼리 에칭 용액의 농도가 1% 미만이면, 에칭의 효과가 낮고, 50% 이상이면 에칭 용액에 인산염이 포함되는 경우에도 에칭을 제어할 수 없어 거친 질감으로 에칭될 수 있다.According to one embodiment, the concentration of the alkaline etching solution may be 1-50%. If the concentration of the alkaline etching solution is less than 1%, the effect of etching is low, and if it is 50% or more, etching cannot be controlled even when phosphate is included in the etching solution, and rough texture may be etched.
일 실시 예에 따라, 알칼리 에칭 용액은 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화리튬(LiOH), 탄산나트륨(Na2CO3) 또는 인산나트륨(Na3PO4) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the alkaline etching solution may include at least one of sodium hydroxide (NaOH), potassium hydroxide (KOH), lithium hydroxide (LiOH), sodium carbonate (Na 2 CO 3 ), or sodium phosphate (Na 3 PO 4 ). can
일 실시 예에 따라, 알칼리 에칭 용액은 하나의 알칼리 에칭 용액이 단독으로 사용될 수 있고, 2개 이상의 알칼리 에칭 용액이 혼합되어 사용될 수도 있고, 2개 이상의 알칼리 에칭 용액이 순차적으로 사용될 수도 있고, 다른 화합물이 첨가된 알칼리 에칭 용액이 사용될 수도 있다.According to an embodiment, one alkali etching solution may be used alone, two or more alkali etching solutions may be mixed and used, two or more alkali etching solutions may be used sequentially, or other compounds may be used as the alkali etching solution. An alkaline etching solution with this addition may be used.
일 실시 예에 따라, 인산염의 농도는 1 내지 50%일 수 있다. 인산염의 농도가 1% 미만인 경우 불순물의 침전 및 재부착을 방지하는 효과가 미미하고, 인산염의 농도가 50% 이상인 경우, 금속 프레임 표면과 알칼리 에칭 용액과의 반응을 억제하여 에칭이 잘 수행되지 않아 원하는 질감을 획득하지 못할 수 있다.According to one embodiment, the concentration of phosphate may be 1 to 50%. When the concentration of phosphate is less than 1%, the effect of preventing precipitation and reattachment of impurities is insignificant, and when the concentration of phosphate is 50% or more, the reaction between the metal frame surface and the alkaline etching solution is suppressed, so that etching is not performed well. You may not be able to get the texture you want.
바람직하게는, 인산염의 농도는 1 내지 30%일 수 있다. 인산염의 농도가 30% 이내인 경우, 원하는 질감을 획득하도록 에칭 반응의 제어를 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 인산염의 농도가 30% 이내인 경우, 약 30℃에서 약 15분 간 침적하면, 원하는 질감의 표면을 갖는 금속 프레임을 획득할 수 있다.Preferably, the concentration of phosphate may be between 1 and 30%. When the concentration of the phosphate is within 30%, the control of the etching reaction can be facilitated to obtain a desired texture. For example, if the concentration of phosphate is within 30%, a metal frame having a surface with a desired texture can be obtained by immersing at about 30° C. for about 15 minutes.
일 실시 예에 따라, 인산염은, 트리폴리인산나트륨(Na5P3O10), 제3인산칼륨(K3PO4), 피로인산나트륨(Na4P2O7·nH2O) 또는 폴리인산칼륨(K5P3O10) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the phosphate is sodium tripolyphosphate (Na 5 P 3 O 10 ), potassium triphosphate (K 3 PO 4 ), sodium pyrophosphate (Na 4 P 2 O 7 nH 2 O) or polyphosphoric acid It may include at least one of potassium (K 5 P 3 O 10 ).
일 실시 예에 따라, 인산염이 포함된 알칼리 에칭 용액에 굴곡이 형성된 금속 프레임을 침적하는 공정은 30내지 80의 온도에서 수행될 수 있다.According to one embodiment, the process of immersing the curved metal frame in an alkali etching solution containing phosphate is 30 to 80 can be performed at a temperature of
일 실시 예에 따라, 인산염이 포함된 알칼리 에칭 용액에 굴곡이 형성된 금속 프레임을 침적하는 공정은 10초 내지 20분 동안 수행될 수 있다.According to one embodiment, the process of depositing the curved metal frame in the alkali etching solution containing phosphate may be performed for 10 seconds to 20 minutes.
일 실시 예에 따라, 505 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 아노다이징 공정을 포함할 수 있다. 아노다이징 공정은 세부적으로, 클리닝 동작(cleaning), 양극 산화 피막 형성 동작(또는 아노다이징 동작)(anodizing) 및/또는 착색 동작(dyeing)을 포함할 수 있다. According to an embodiment, in
일 실시 예에 따라, 클리닝 동작은 탈지 공정, 화학 연마 공정, 디스멋(de-smut) 공정을 포함할 수 있다. 탈지 공정은 금속 표면에 존재하는 이물을 세정하기 위해 수행될 수 있다. 이때 탈지 공정은 공정환경 및 대상 재료에 따라 탈지액을 산성 또는 중성과 같이 선택적으로 적용 가능할 수 있다. 화학 연마 공정은 표면이 불균일하게 처리된 자재의 표면을 평탄화하여 난반사를 감소시키고, 표면 광택을 향상시키기 위해 진행될 수 있다. 화학 연마 공정에서는 인산, 황산, 질산 등과 같은 산성 용액으로 표면 요철을 평탄화시킬 수 있다. 디스멋 공정은 탈지 공정과 화학 연마 공정으로부터 발생한 소재 표면의 잔류물(예: 스멋(smut) 및 기타 이물)을 제거하기 위해 진행할 수 있다. According to an embodiment, the cleaning operation may include a degreasing process, a chemical polishing process, and a de-smut process. The degreasing process may be performed to clean foreign substances present on the metal surface. At this time, in the degreasing process, acidic or neutral degreasing liquid may be selectively applied according to the process environment and the target material. The chemical polishing process may be performed to planarize the surface of a material whose surface is unevenly treated to reduce diffuse reflection and improve surface gloss. In the chemical polishing process, surface irregularities may be leveled with an acidic solution such as phosphoric acid, sulfuric acid, or nitric acid. The demut process may be performed to remove residues (eg, smut and other foreign matter) on the surface of the material generated from the degreasing process and the chemical polishing process.
다음으로, 금속 외장재의 표면을 아노다이징 처리하여 양극 산화 피막을 형성할 수 있다. 양극 산화 피막 형성 동작은 황산(sulfuric acid), 옥살산(oxalic acid), 인산(phosphoric acid), 크롬산(chromic acid), 유기산(구연산, 초산, 프로피온산, 주석산) 또는 붕산을 포함한 전해액 중 적어도 하나 또는 모두를 포함하는 전해액을 수용하는 장비를 마련하고, 상기 전해액 내에 금속 프레임을 포함한 하우징을 넣고 소정의 전압 및 온도를 제공하여 진행할 수 있다. 양극 산화 피막 형성 동작에서는 금속 자재에 전압을 인가하면서 산소와의 반응을 일으키고, 밀도가 높은 산화 피막을 형성할 수 있다. 예를 들어, 사용 전압은 대략 5~40V의 범위 내에서 적용 가능하며, 공정 시간은 약 10분에서 약 2시간 정도 소요될 수 있다. 공정 온도는 대략 5~30℃ 범위 내에서 모두 적용 가능할 수 있다. Next, an anodizing may be performed on the surface of the metal packaging material to form an anodized film. The operation of forming an anodic oxide film is performed by using at least one or all of electrolyte solutions including sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid, chromic acid, organic acid (citric acid, acetic acid, propionic acid, tartaric acid), or boric acid. It is possible to prepare a device for accommodating an electrolyte solution containing, and put a housing including a metal frame into the electrolyte solution and provide a predetermined voltage and temperature. In the operation of forming an anodic oxide film, a reaction with oxygen occurs while a voltage is applied to a metal material, and an oxide film having a high density can be formed. For example, the operating voltage can be applied within a range of about 5 to 40V, and the process time may take about 10 minutes to about 2 hours. Process temperature may be all applicable within the range of about 5 ~ 30 ℃.
아노다이징 동작 이후에는 착색 동작을 진행할 수 있다. 착색 동작은 아노다이징 처리된 산화 피막에 색상을 발현시키는 공정일 수 있다. 예를 들어, 착색 동작의 종류로는 침지법, 전해착색법 또는 유성법이 있다. 침지법은 염료가 용해되어 있는 용액에 제품을 침적하여 확산 및 흡착된 염료로부터 컬러를 구현하는 방법이며, 전해착색법은 정류기를 이용하여 금속염 전해액을 전해한 뒤 전류를 인가하여 발색을 일으키는 방법일 수 있다. 유성법은 산화 피막을 감광처리하여 건조한 뒤 유성 염료를 붓으로 칠하는 착색 방법일 수 있다. 여기서 침지법의 염료 종류로는 유기 염료와 무기 염료가 모두 포함되며, 침지법의 염료들이 주로 물에 용해된다는 점에서 수성법으로 명명할 수도 있다. A coloring operation may be performed after the anodizing operation. The coloring operation may be a process of developing color in an anodized oxide film. For example, as a type of coloring operation, there is a dipping method, an electrolytic coloring method, or an oil painting method. The dipping method is a method of immersing a product in a solution in which a dye is dissolved to realize color from the diffused and adsorbed dye, and the electrolytic coloring method is a method of generating color by applying an electric current after electrolyzing a metal salt electrolyte using a rectifier. can The oil-based method may be a coloring method in which an oxide film is subjected to photosensitization, dried, and then oil-based dye is applied with a brush. Here, dyes of the immersion method include both organic dyes and inorganic dyes, and may be named as an aqueous method in that the dyes of the immersion method are mainly dissolved in water.
일 실시 예에 따라, 506 동작에서, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 아노다이징 공정의 후처리 동작인 표면 보호 처리를 수행할 수 있다. 예를 들어, 표면 보호 처리는 봉공 처리(sealing)와 봉공 후처리를 포함할 수 있다. 봉공 처리는 금속염을 포함한 처리법과 유기물로 이루어진 비금속염 처리법 모두를 포함할 수 있다. 여기에는 물과 수증기를 이용한 수화 봉공 처리도 포함될 수 있다. 봉공 후처리는 금속염 제거를 위한 용출 공정(elution) 혹은 이물 세척을 위한 온수세척 공정이 포함될 수 있다. 이러한 후처리 단계들은 아노다이징과 착색 처리를 한 자재의 외관 안정성과 신뢰성을 확보하기 위해 진행될 수 있다. 일반적으로 상기 착색 처리된 하우징은 하나의 색상을 가질 수 있다. According to an embodiment, in
일 실시 예에 따라, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공적이 수행된 금속 프레임의 표면은 1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가질 수 있다. 일 실시 예에 따른 광택 측정 결과에 대해서는 이하 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하기로 한다.According to an embodiment, the surface of the metal frame on which the immersion process is performed in an alkaline etching solution containing phosphate may have a gloss value of 1 to 10 gloss units (Gu). Gloss measurement results according to an embodiment will be described below with reference to FIGS. 7 and 8 .
일 실시 예에 따라, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛일 수 있다. 일 실시 예에 따른 요철의 높이 측정 결과는 이하 도 9 및 도 10을 참조하여 설명하기로 한다.According to an embodiment, the surface of the metal frame on which the immersion process is performed in an alkaline etching solution containing phosphate has a maximum height of 0.1 to 2.3 μm among a plurality of irregularities disposed on the surface, and a maximum depth of the valleys between the plurality of irregularities. may be 0.1 to 1.8 μm. A result of measuring the height of the irregularities according to an embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10 below.
일 실시 예에 따라, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 1cm2의 단위 면적 당 요철의 수가 90 내지 200 개일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 단위 면적당 요철의 수는 이하 도 11a 및 도 11b를 참조하여 설명하기로 한다. 일 실시 예에 따라, 요철의 평균 크기에 대해서는 이하 도 12를 참조하여 설명하기로 한다.According to one embodiment, the surface of the metal frame on which the immersion process is performed in an alkaline etching solution containing phosphate may have 90 to 200 irregularities per unit area of 1 cm 2 . According to an embodiment, the number of irregularities per unit area will be described with reference to FIGS. 11A and 11B. According to an embodiment, the average size of irregularities will be described below with reference to FIG. 12 .
일 실시 예에 따라, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 1mm2의 단위 면적 당 피크의 개수가 37000 내지 50000개이고, 피크의 경사의 기울기 값에 대한 제곱근의 평균 값은 2500 내지 4000일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 피크의 개수 및 피크의 경사의 기울기 값에 대해서는 이하 도 13을 참조하여 설명하기로 한다.According to one embodiment, the surface of the metal frame subjected to the immersion process in an alkaline etching solution containing phosphate has a number of peaks per unit area of 1 mm 2 of 37000 to 50000, and the square root of the slope value of the slope of the peak The average value may be between 2500 and 4000. According to an embodiment, the number of peaks and the slope value of the slope of the peak will be described below with reference to FIG. 13 .
일 실시 예에 따라, 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 외부면과 내부면이 동일한 질감을 가질 수 있다.According to an embodiment, the surface of the metal frame on which the immersion process is performed in an alkali etching solution containing phosphate may have the same texture as an outer surface and an inner surface.
도 6a는 본 개시의 일 실시 예에 따라 블라스팅 공정이 수행된 금속 프레임을 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정을 설명하기 위한 도면이다.6A is a view for explaining a process of immersing a metal frame on which a blasting process has been performed in an alkali etching solution including phosphate according to an embodiment of the present disclosure.
일 실시 예에 따라, 도 6a를 참조하면, 전자 장치의 하우징 제조 방법은, 블라스팅 방식을 통해 표면에 굴곡이 형성된 금속 프레임(610)을 인산염이 포함된 알칼리 에칭 용액(620)에 침적하는 공정을 포함할 수 있다.According to an embodiment, referring to FIG. 6A , a method of manufacturing a housing of an electronic device includes a process of immersing a
일 실시 예에 따라, 알칼리 에칭 용액에 의해 굴곡이 형성된 금속 프레임의 표면에 식각이 진행될 수 있다. 일 실시 예에 따라, 알칼리 에칭 용액에 포함된 인산염이 금속 이온 봉쇄 역할을 수행하여, 불순물의 침전 및 재부착을 방지할 수 있다. 이로 인해 금속 프레임의 표면에 균일한 반응이 유도되어 도 6b에 도시된 바와 같이 부드러운 입자감을 형성할 수 있다. According to an embodiment, etching may be performed on the curved surface of the metal frame by an alkali etching solution. According to an embodiment, the phosphate contained in the alkaline etching solution serves to block metal ions, thereby preventing precipitation and reattachment of impurities. As a result, a uniform reaction is induced on the surface of the metal frame to form a soft particle feeling as shown in FIG. 6B.
도 6b는 본 개시의 일 실시 예에 따라 인산염을 포함한 알칼리 에칭 용액을 이용해 에칭된 금속 프레임을 설명하기 위한 도면이다.6B is a view for explaining a metal frame etched using an alkaline etching solution containing phosphate according to an embodiment of the present disclosure.
일 실시 예에 따라, 도 6b를 참조하면, 에칭된 금속 프레임(611)은 표면의 균일한 에칭 반응으로 인해 모서리가 부드러워진 요철(612, 613)을 포함할 수 있다.According to an embodiment, referring to FIG. 6B , the etched
일 실시 예에 따라, 에칭된 금속 프레임(611)의 요철의 최대 높이(614)는 0.1 내지 2.3㎛일 수 있다. 예를 들어, 요철의 최대 높이(614)는 2.115㎛일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 요철의 최대 높이(614)는 에칭 후 금속 프레임(611)의 표면에서 설정된 개수(예: 10개)의 요철을 임의로 선택하고, 각 요철의 중심으로부터 측정된 높이 중 가장 큰 값을 의미할 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시 예에 따라, 에칭된 금속 프레임(611)의 골의 최대 깊이(615)는 0.1 내지 1.8㎛일 수 있다. 예를 들어, 골의 최대 깊이(615)는 1.515㎛일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 골의 최대 깊이(615)는 에칭 후 금속 프레임(611)의 표면에서 설정된 개수(예: 10개)의 요철을 임의로 선택하고, 각 요철의 중심으로부터 측정된 깊이 중 가장 큰 값을 의미할 수 있다.According to one embodiment, the
상술한 바와 같이, 요철의 모서리가 부드러워지고, 요철의 최대 높이 및 골의 최대 깊이가 작아짐에 따라 금속 프레임의 표면이 초극세사와 같은 부드러운 질감과 매트한 입자감을 가질 수 있게 된다.As described above, as the edges of the irregularities become softer and the maximum height of the irregularities and the maximum depth of the valleys decrease, the surface of the metal frame can have a soft texture like microfiber and a matte particle feel.
도 7은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 광택 측정 결과를 설명하기 위한 도면이다. 일 실시 예에 따라, 도 7은 고광택 표면의 금속 프레임, 샌딩 처리한 금속 프레임 및 본 개시에 따라 인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액으로 에칭을 수행한 금속 프레임의 표면의 광택을 측정한 것이다.7 is a view for explaining a surface gloss measurement result of a metal frame according to a surface treatment method. According to one embodiment, FIG. 7 is a measurement of the gloss of a metal frame having a high gloss surface, a sanded metal frame, and a surface of a metal frame etched with an alkaline etching solution containing a phosphate according to the present disclosure.
일 실시 예에 따라, 광택 값은 표면 색상에 따라 상이하게 나타나기 때문에, 세 개의 금속 프레임 모두 동일 조건에서 무착색(silver)의 금속 프레임으로 진행하였고, 각 금속 프레임의 동일한 포인트를 5회 측정하여 평균 값을 계산한 것이다.According to an embodiment, since the gloss value appears differently depending on the surface color, all three metal frames were processed with uncolored (silver) metal frames under the same conditions, and the same points of each metal frame were measured 5 times and averaged. value was calculated.
일 실시 예에 따라, 도 7을 참조하면, 고광택 금속 프레임의 광택 측정 결과(710)는 228 Gu(Gloss unit), 샌딩 처리된 금속 프레임의 광택 측정 결과(720)는 28.4Gu이고, 본 개시에 따른 금속 프레임의 광택 측정 결과(730)는 8.2 Gu임을 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따라, Gu는 빛의 반사에 의해 표면의 광택 비율을 나타내는 단위로, 수치가 높을수록 광택이 높은 것일 수 있다.According to one embodiment, referring to FIG. 7 , the
이는 육안으로도 광택의 차이를 확인할 수 있는 수준으로, 본 개시에 따른 금속 프레임이 매트한 입자감을 가짐을 확인할 수 있다. This is a level at which the difference in gloss can be confirmed with the naked eye, and it can be confirmed that the metal frame according to the present disclosure has a matte particle feeling.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 개시에 따른 금속 프레임의 광택이 낮은 매트한 질감의 이유는 도 8에 도시된 바와 같이 표면의 형상을 통해 확인할 수 있다. As shown in FIG. 7 , the reason for the low luster and matte texture of the metal frame according to the present disclosure can be confirmed through the shape of the surface as shown in FIG. 8 .
도 8은 본 개시의 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 관찰 결과를 설명하기 위한 도면이다.8 is a view for explaining surface observation results of a metal frame according to a surface treatment method of the present disclosure.
비교 예에 따라, 도 8(a)를 참조하면, 고광택 금속 프레임의 경우, 평평한 표면을 가짐을 확인할 수 있다.As a comparative example, referring to FIG. 8(a) , it can be seen that the high-gloss metal frame has a flat surface.
비교 예에 따라, 도 8(b)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 경우, 부분적으로 돌출된 굴곡과 평탄한 면이 공존함을 확인할 수 있다.As a comparative example, referring to FIG. 8(b) , in the case of the sanded metal frame, it can be seen that partially protruding curves and flat surfaces coexist.
일 실시 예에 따라, 도 8(c)를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 경우, 표면에 균일하면서 밀도가 높은 요철부가 형성된 것을 확인할 수 있다. 이를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면에 광택이 낮으면서 부드러운 질감과 매트한 입자감이 구현된 것을 확인할 수 있다. According to an embodiment, referring to FIG. 8(c) , in the case of the metal frame according to the present disclosure, it can be seen that uniform and high-density irregularities are formed on the surface. Referring to this, it can be confirmed that the surface of the metal frame according to the present disclosure has a low gloss and has a soft texture and a matte particle feeling.
도 9는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면 요철의 높이 및 골의 깊이를 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 9(a)는 요철의 최대 높이(Rv)를 나타낸 것이고, 도 9(b)는 골의 최대 깊이(Rp)를 나타낸 것일 수 있다. 일 실시 예에 따라, 요철의 최대 높이 및 골의 최대 깊이는 금속의 표면 거칠기를 의미할 수 있다. 9 is a view for explaining the height of irregularities on the surface of a metal frame and the depth of a valley according to a surface treatment method. For example, FIG. 9(a) may show the maximum height Rv of the irregularities, and FIG. 9(b) may show the maximum depth Rp of the valley. According to an embodiment, the maximum height of irregularities and the maximum depth of valleys may mean surface roughness of a metal.
비교 예에 따라, 도 9(a)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 요철의 최대 높이(910)는 2.358㎛이고, 본 개시에 따른 금속 프레임의 요철의 최대 높이(920)는 2.115㎛임을 확인할 수 있다. According to a comparative example, referring to FIG. 9(a) , the
비교 예에 따라, 도 9(b)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 골의 최대 깊이(930)는 1.953㎛이고, 본 개시에 따른 금속 프레임의 골의 최대 깊이(940)는 1.515㎛임을 확인할 수 있다. According to the comparative example, referring to FIG. 9(b) , the
이와 같이 도 9(a) 및 도 9(b)를 참조하면, 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면 거칠기에 비해, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면은 상대적으로 완만한 굴곡이 형성되어 부드러운 느낌의 질감을 확인할 수 있다.As such, referring to FIGS. 9(a) and 9(b), compared to the surface roughness of the sanded metal frame according to the comparative example, the surface of the metal frame according to the present disclosure is relatively smooth and smooth. You can check the texture of the feeling.
이로 인해, 본 개시에 따르면, 금속 프레임의 표면에 부드러운 요철을 형성하여 극세사와 같은 새로운 질감을 구현할 수 있다. For this reason, according to the present disclosure, a new texture such as microfiber may be implemented by forming soft irregularities on the surface of the metal frame.
도 10은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 높이 차이를 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 10(a)는 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 요철의 높이 차이를 나타낸 것이고, 도 10(b)는 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 요철의 높이 차이를 나타낸 것이다. 10 is a view for explaining a difference in height of the surface of a metal frame according to a surface treatment method. For example, FIG. 10 (a) shows the difference in height of irregularities on the surface of the metal frame sanded according to the comparative example, and FIG. 10 (b) shows the difference in height between the irregularities on the surface of the metal frame according to the present disclosure. it is shown
비교 예에 따라, 도 10(a)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 요철의 높이 차는, 4.3㎛, 3.1㎛, 4.0㎛, 1.9㎛로 평균 3.1㎛ 수준의 높이 차를 나타냄에 비해, 도 10(b)를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 요철의 높이 차는 3.7㎛, 2.7㎛, 1.7㎛, 1.8㎛로 평균 2.4㎛ 수준의 낮은 높이 차를 나타냄을 확인할 수 있다. According to a comparative example, referring to FIG. 10 (a), the height difference of the irregularities of the surface of the sanded metal frame was 4.3 μm, 3.1 μm, 4.0 μm, and 1.9 μm, which showed an average height difference of 3.1 μm. , Referring to FIG. 10 (b), it can be seen that the height difference of the irregularities of the surface of the metal frame according to the present disclosure is 3.7 μm, 2.7 μm, 1.7 μm, and 1.8 μm, indicating a low height difference of an average of 2.4 μm.
이로 인해, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 요철의 높이 차를 참조하면, 기존 샌딩 처리된 금속 프레임 대비 낮은 굴곡을 형성하여 부드러운 질감을 형성함을 확인할 수 있다. For this reason, referring to the height difference between the irregularities of the surface of the metal frame according to the present disclosure, it can be confirmed that a soft texture is formed by forming a lower curve compared to the conventional sanded metal frame.
도 11a는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 입자 분포를 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 11a(a)는 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 입자 분포를 나타낸 것이고, 도 11a(b)는 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 입자 분포를 나타낸 것이다. 예를 들어, 입자 분포는 요철의 분포를 나타내는 것일 수 있다. 11A is a diagram for explaining particle distribution on the surface of a metal frame according to a surface treatment method. For example, FIG. 11A(a) shows a particle distribution on the surface of a sanded metal frame according to a comparative example, and FIG. 11A(b) shows a particle distribution on the surface of a metal frame according to the present disclosure. For example, the particle distribution may represent a distribution of irregularities.
비교 예에 따라, 도 11a(a)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 입자는 불균일한 크기로, 크게 형성됨에 따라, 단위 면적(1cm2)당 입자의 개수가 적고, 입자의 분포가 불균일함을 확인할 수 있다. According to a comparative example, referring to FIG. 11a (a), as the particles on the surface of the sanded metal frame are non-uniform in size and large, the number of particles per unit area (1 cm 2 ) is small, and the distribution of particles is small. It can be seen that the inhomogeneity of
일 실시 예에 따라, 도 11a(b)를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 입자는 균일한 크기로, 작게 형성됨에 따라, 단위 면적당 입자의 개수가 많고, 입자의 분포가 균일함을 확인할 수 있다. According to one embodiment, referring to FIG. 11a (b), as the particles on the surface of the metal frame according to the present disclosure are formed in a uniform size and small, the number of particles per unit area is large and the distribution of the particles is uniform can confirm.
도 11b는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 단위 면적당 입자 수를 설명하기 위한 도면이다.11B is a diagram for explaining the number of particles per unit area of the surface of the metal frame according to the surface treatment method.
비교 예에 따라, 도 11b를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 단위 면적(1cm2)당 입자 수(1110)는 60개 내지 80개로, 평균 70개의 입자가 단위 면적에 분포됨을 확인할 수 있다.According to a comparative example, referring to FIG. 11B , the number of
일 실시 예에 따라, 본 개시에 따른 금속 프레임의 단위 면적당 입자 수(1120)는 90 내지 110개로 평균 100개의 입자가 단위 면적이 분포됨을 확인할 수 있다. According to an embodiment, the number of
이를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임이 기존 샌딩 처리된 금속 프레임보다 동일 면적에 다수의 입자가 균일하게 분포됨을 확인할 수 있으며, 이로 인해 본 개시에 따르면 부드러운 질감을 가지는 금속 프레임을 구현할 수 있게 된다.Referring to this, it can be seen that the metal frame according to the present disclosure has a large number of particles more uniformly distributed in the same area than the existing sanded metal frame, and thus, according to the present disclosure, it is possible to implement a metal frame having a smooth texture. .
도 12는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 입자의 크기를 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 12(a)는 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 입자 크기를 나타낸 것이고, 도 12(b)는 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 입자 크기를 나타낸 것일 수 있다.12 is a view for explaining the size of particles on the surface of the metal frame according to the surface treatment method. For example, FIG. 12(a) shows the grain size of the surface of the metal frame sanded according to the comparative example, and FIG. 12(b) shows the grain size of the surface of the metal frame according to the present disclosure. .
비교 예에 따라, 도 12(a)를 참조하면, 샌딩 처리된 금속 프레임의 표면의 입자 크기는 73 내지 234㎛ 사이의 큰 입자 및 작은 입자들이 분포함을 확인할 수 있다. According to a comparative example, referring to FIG. 12 (a), it can be seen that large particles and small particles are distributed between 73 and 234 μm in particle size on the surface of the sanded metal frame.
일 실시 예에 따라, 도 12(b)를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면의 입자 크기는 76 내지 142㎛ 사이의 크기를 가지는 입자가 분포되므로, 균일한 입자감을 가짐을 확인할 수 있다. According to an embodiment, referring to FIG. 12 (b), since the particle size of the surface of the metal frame according to the present disclosure is distributed between 76 and 142 μm, it can be confirmed that it has a uniform particle feeling. .
이와 같이, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면은 동일 면적 내에 크기가 작고 균일한 다수의 입자가 분포되므로, 매트한 입자감을 제공할 수 있다. As such, the surface of the metal frame according to the present disclosure may provide a matte particle feeling because a large number of small and uniform particles are distributed in the same area.
도 13은 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 피크의 밀도 및 표면에 존재하는 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값을 설명하기 위한 도면이다. 예를 들어, 도 13(a)는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면의 피크의 밀도를 나타낸 것이고, 도 13(b)는 표면 처리 방식에 따른 금속 프레임의 표면에 존재하는 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값을 나타낸 것이다. 예를 들어, 피크(peak)는 금속 프레임의 표면의 요철 각각에 포함된 미세 요철을 의미할 수 있다.FIG. 13 is a view for explaining the square root mean value of the peak density of the surface of the metal frame and the slope inclination value present on the surface according to the surface treatment method. For example, FIG. 13 (a) shows the peak density of the surface of the metal frame according to the surface treatment method, and FIG. 13 (b) shows the slope slope value present on the surface of the metal frame according to the surface treatment method It represents the square root mean value. For example, a peak may refer to fine irregularities included in each unevenness of the surface of the metal frame.
일 실시 예에 따라, 피크의 밀도(SPD, density of peaks)는, 단위 면적(1mm2) 당 피크의 개수를 의미할 수 있다.According to an embodiment, density of peaks (SPD) may mean the number of peaks per unit area (1 mm 2 ).
일 실시 예에 따라, 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값(SPQ, root mean square gradient_square average of differential data)은, 단위 면적(1mm2)에 포함된 경사의 기울기 값의 제곱근의 평균 값으로, 평평한 경우, 값이 0이며, 값이 클수록 단위 면적 내 많은 경사 또는 굴곡이 존재함을 의미할 수 있다.According to an embodiment, the root mean square gradient_square average of differential data (SPQ) for the slope slope value is the average value of the square root of the slope slope value included in the unit area (1 mm 2 ), in case of flat , the value is 0, and as the value increases, it may mean that there are many slopes or bends within a unit area.
일 실시 예에 따라, 피크의 밀도 및 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값은 금속 프레임 표면의 매트한 정도를 나타낼 수 있다.According to an embodiment, the square root mean value of the peak density and the slope slope value may indicate a degree of mattness of the surface of the metal frame.
일 실시 예에 따라, 도 13(a)를 참조하면, 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 단위 면적(1mm2) 당 피크의 밀도(1310)는 36570이고, 본 개시에 따른 금속 프레임의 단위 면적 당 피크의 밀도(1320)는 41395임을 확인할 수 있다. According to one embodiment, referring to FIG. 13 (a), the
일 실시 예에 따라, 도 13(b)를 참조하면, 비교 예에 따른 샌딩 처리된 금속 프레임의 단위 면적 당 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값(1330)은 2217이고, 본 개시에 따른 금속 프레임의 단위 면적 당 경사 기울기 값에 대한 제곱근 평균 값(1340)은 3603임을 확인할 수 있다. According to one embodiment, referring to FIG. 13(b) , the average
이를 참조하면, 본 개시에 따른 금속 프레임의 표면이 동일한 면적 내에 피크가 많고, 높은 기울기 값을 가지는 입자가 분포하여 매트한 질감을 구현함을 확인할 수 있다. Referring to this, it can be confirmed that the surface of the metal frame according to the present disclosure implements a matte texture by distributing particles having many peaks and a high gradient value within the same area.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 하우징(예: 도 3의 하우징(310))의 제조 방법은, 블라스팅 방식을 통해 금속 프레임의 표면에 굴곡을 형성하는 공정 및 인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액에 상기 금속 프레임을 침적하는 공정을 포함할 수 있다.According to an embodiment, a method of manufacturing a housing (eg, the
일 실시 예에 따르면, 상기 인산염의 농도는 1 내지 50%일 수 있다.According to one embodiment, the concentration of the phosphate may be 1 to 50%.
일 실시 예에 따르면, 상기 인산염의 농도는 1 내지 30%일 수 있다.According to one embodiment, the concentration of the phosphate may be 1 to 30%.
일 실시 예에 따르면, 상기 알칼리 에칭 용액의 농도는 1-50%일 수 있다.According to one embodiment, the concentration of the alkaline etching solution may be 1-50%.
일 실시 예에 따르면, 상기 알칼리 에칭 용액은, NaOH, KOH 또는 LiOH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the alkaline etching solution may include at least one of NaOH, KOH, or LiOH.
일 실시 예에 따르면, 상기 인산염은, 트리폴리인산나트륨, 제3인산칼륨, 피로인산나트륨 또는 폴리인산칼륨 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the phosphate may include at least one of sodium tripolyphosphate, potassium triphosphate, sodium pyrophosphate, or potassium polyphosphate.
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정은, 30℃ 내지 80℃의 온도에서 수행될 수 있다.According to one embodiment, the deposition process may be performed at a temperature of 30 °C to 80 °C.
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정은, 10초 내지 20분 동안 수행될 수 있다.According to one embodiment, the deposition process may be performed for 10 seconds to 20 minutes.
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가질 수 있다.According to an embodiment, the surface of the metal frame on which the deposition process is performed may have a gloss value of 1 to 10 gloss units (Gu).
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛일 수 있다.According to an embodiment, the surface of the metal frame on which the depositing process is performed has a maximum height of 0.1 to 2.3 μm among a plurality of irregularities disposed on the surface, and a maximum depth of the valleys between the plurality of irregularities of 0.1 to 1.8 μm. can
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 1cm2의 단위 면적 당 요철의 수는 90 내지 200 개일 수 있다.According to one embodiment, the surface of the metal frame on which the deposition process is performed may have 90 to 200 irregularities per unit area of 1 cm 2 .
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은, 1mm2의 단위 면적 당 피크의 개수가 37000 내지 50000개이고, 피크의 경사의 기울기 값에 대한 제곱근의 평균 값은 2500 내지 4000일 수 있다.According to one embodiment, the surface of the metal frame on which the deposition process is performed has a peak number of 37000 to 50000 per unit area of 1 mm 2 , and an average value of the square root of the slope of the peak slope is 2500 to 4000 can be
일 실시 예에 따르면, 상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임은, 외부면과 내부면이 동일한 질감을 가질 수 있다.According to one embodiment, the metal frame on which the depositing process is performed may have the same texture on an outer surface and an inner surface.
일 실시 예에 따르면, 전자 장치의 하우징은, 금속 프레임을 포함하고, 상기 금속 프레임의 표면은, 1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가지고, 표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛이고, 1cm2의 단위 면적 당 요철의 수는 90 내지 200 개일 수 있다.According to one embodiment, the housing of the electronic device includes a metal frame, a surface of the metal frame has a gloss value of 1 to 10 Gu (gloss unit), and a maximum height of a plurality of irregularities disposed on the surface is 0.1 to 2.3 μm, the maximum depth of the plurality of irregularities between the valleys is 0.1 to 1.8 μm, and the number of irregularities per unit area of 1 cm 2 may be 90 to 200.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 프레임의 표면은, 1mm2의 단위 면적 당 피크의 개수가 37000 내지 50000개이고, 피크의 경사의 기울기 값에 대한 제곱근의 평균 값은 2500 내지 4000일 수 있다.According to one embodiment, the surface of the metal frame, the number of peaks per unit area of 1mm 2 is 37000 to 50000, the average value of the square root of the slope of the slope of the peak may be 2500 to 4000.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 프레임은, 외부면과 내부면이 동일한 질감을 가질 수 있다.According to one embodiment, an outer surface and an inner surface of the metal frame may have the same texture.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 프레임은, 인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 것일 수 있다.According to one embodiment, the metal frame may be immersed in an alkaline etching solution containing phosphate.
일 실시 예에 따르면, 상기 인산염의 농도는 1 내지 50%일 수 있다. According to one embodiment, the concentration of the phosphate may be 1 to 50%.
일 실시 예에 따르면, 상기 알칼리 에칭 용액은, NaOH, KOH 또는 LiOH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the alkaline etching solution may include at least one of NaOH, KOH, or LiOH.
일 실시 예에 따르면, 상기 인산염은, 트리폴리인산나트륨, 제3인산칼륨, 피로인산나트륨 또는 폴리인산칼륨 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the phosphate may include at least one of sodium tripolyphosphate, potassium triphosphate, sodium pyrophosphate, or potassium polyphosphate.
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be devices of various types. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. An electronic device according to an embodiment of the present document is not limited to the aforementioned devices.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.Various embodiments of this document and terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, but should be understood to include various modifications, equivalents, or substitutes of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numerals may be used for like or related elements. The singular form of a noun corresponding to an item may include one item or a plurality of items, unless the relevant context clearly dictates otherwise. In this document, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B", "A, B or C", "at least one of A, B and C", and "A Each of the phrases such as "at least one of , B, or C" may include any one of the items listed together in that phrase, or all possible combinations thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "secondary" may simply be used to distinguish a given component from other corresponding components, and may be used to refer to a given component in another aspect (eg, importance or order) is not limited. A (e.g., first) component is said to be “coupled” or “connected” to another (e.g., second) component, with or without the terms “functionally” or “communicatively.” When mentioned, it means that the certain component may be connected to the other component directly (eg by wire), wirelessly, or through a third component.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term "module" used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as, for example, logic, logical blocks, parts, or circuits. can be used as A module may be an integrally constructed component or a minimal unit of components or a portion thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of this document provide one or more instructions stored in a storage medium (eg,
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. A computer program product is distributed in the form of a device-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (e.g. Play Store™) or on two user devices (e.g. It can be distributed (eg downloaded or uploaded) online, directly between smart phones. In the case of online distribution, at least part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a device-readable storage medium such as a manufacturer's server, an application store server, or a relay server's memory.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다. According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the above-described components may include a single object or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. there is. According to various embodiments, one or more components or operations among the aforementioned corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each of the plurality of components identically or similarly to those performed by a corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, the actions performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the actions are executed in a different order, or omitted. or one or more other actions may be added.
Claims (20)
블라스팅 방식을 통해 금속 프레임의 표면에 굴곡을 형성하는 공정; 및
인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액에 상기 금속 프레임을 침적하는 공정;을 포함하는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
A method for manufacturing a housing of an electronic device,
A process of forming curves on the surface of a metal frame through a blasting method; and
A method of manufacturing a housing of an electronic device comprising: immersing the metal frame in an alkaline etching solution containing phosphate.
상기 인산염의 농도는 1 내지 50%인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing a housing of an electronic device wherein the concentration of the phosphate is 1 to 50%.
상기 인산염의 농도는 1 내지 30%인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 2,
The method of manufacturing a housing of an electronic device wherein the concentration of the phosphate is 1 to 30%.
상기 알칼리 에칭 용액의 농도는 1-50%인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The method of manufacturing a housing of an electronic device wherein the concentration of the alkali etching solution is 1-50%.
상기 알칼리 에칭 용액은,
NaOH, KOH 또는 LiOH 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The alkaline etching solution,
A method of manufacturing a housing of an electronic device comprising at least one of NaOH, KOH or LiOH.
상기 인산염은,
트리폴리인산나트륨, 제3인산칼륨, 피로인산나트륨 또는 폴리인산칼륨 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The phosphate is
A method of manufacturing a housing of an electronic device comprising at least one of sodium tripolyphosphate, potassium triphosphate, sodium pyrophosphate, or potassium polyphosphate.
상기 침적하는 공정은,
30℃ 내지 80℃의 온도에서 수행되는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The deposition process is
A method of manufacturing a housing of an electronic device performed at a temperature of 30 ° C to 80 ° C.
상기 침적하는 공정은,
10초 내지 20분 동안 수행되는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The deposition process is
A method of manufacturing a housing of an electronic device performed for 10 seconds to 20 minutes.
상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은,
1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가지는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The surface of the metal frame on which the deposition process was performed,
A method of manufacturing a housing of an electronic device having a gloss value of 1 to 10 gloss units (Gu).
상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은,
표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The surface of the metal frame on which the deposition process was performed,
A method of manufacturing a housing of an electronic device, wherein a maximum height of a plurality of irregularities disposed on a surface is 0.1 to 2.3 μm, and a maximum depth of a valley between the plurality of irregularities is 0.1 to 1.8 μm.
상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은,
1cm2의 단위 면적 당 요철의 수는 90 내지 200 개인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The surface of the metal frame on which the deposition process was performed,
A method of manufacturing a housing of an electronic device in which the number of irregularities per unit area of 1 cm 2 is 90 to 200.
상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임의 표면은,
1mm2의 단위 면적 당 피크의 개수가 37000 내지 50000개이고, 피크의 경사의 기울기 값에 대한 제곱근의 평균 값은 2500 내지 4000인 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The surface of the metal frame on which the deposition process was performed,
A method of manufacturing a housing of an electronic device, wherein the number of peaks per unit area of 1 mm 2 is 37000 to 50000, and the average value of the square root of the slope of the peak is 2500 to 4000.
상기 침적하는 공정이 수행된 금속 프레임은,
외부면과 내부면이 동일한 질감을 가지는 전자 장치의 하우징의 제조 방법.
According to claim 1,
The metal frame on which the deposition process is performed,
A method of manufacturing a housing of an electronic device having an outer surface and an inner surface having the same texture.
금속 프레임을 포함하고,
상기 금속 프레임의 표면은,
1 내지 10 Gu(gloss unit)의 광택 값을 가지고,
표면에 배치된 복수의 요철 중 최대 높이는 0.1 내지 2.3㎛이고, 상기 복수의 요철 간 골의 최대 깊이는 0.1 내지 1.8㎛이고,
1cm2의 단위 면적 당 요철의 수는 90 내지 200 개인 전자 장치의 하우징.
In the housing of the electronic device,
including a metal frame;
The surface of the metal frame,
It has a gloss value of 1 to 10 Gu (gloss unit),
The maximum height of the plurality of irregularities disposed on the surface is 0.1 to 2.3 μm, the maximum depth of the plurality of irregularities between the valleys is 0.1 to 1.8 μm,
An electronic device housing having 90 to 200 irregularities per unit area of 1 cm 2 .
상기 금속 프레임의 표면은,
1mm2의 단위 면적 당 피크의 개수가 37000 내지 50000개이고, 피크의 경사의 기울기 값에 대한 제곱근의 평균 값은 2500 내지 4000인 전자 장치의 하우징.
According to claim 14,
The surface of the metal frame,
The housing of an electronic device, wherein the number of peaks per unit area of 1 mm 2 is 37000 to 50000, and the average value of the square root of the slope of the peak is 2500 to 4000.
상기 금속 프레임은,
외부면과 내부면이 동일한 질감을 가지는 전자 장치의 하우징.
According to claim 14,
The metal frame,
A housing for an electronic device that has the same textured exterior and interior surfaces.
상기 금속 프레임은,
인산염을 포함하는 알칼리 에칭 용액에 침적하는 공정이 수행된 것인, 전자 장치의 하우징.
According to claim 14,
The metal frame,
A housing of an electronic device, wherein a process of immersing in an alkali etching solution containing phosphate has been performed.
상기 인산염의 농도는 1 내지 50%인, 전자 장치의 하우징.
According to claim 17,
The housing of the electronic device, wherein the concentration of the phosphate is 1 to 50%.
상기 알칼리 에칭 용액은,
NaOH, KOH 또는 LiOH 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 장치의 하우징.
According to claim 17,
The alkaline etching solution,
A housing of an electronic device comprising at least one of NaOH, KOH or LiOH.
상기 인산염은,
트리폴리인산나트륨, 제3인산칼륨, 피로인산나트륨 또는 폴리인산칼륨 중 적어도 하나를 포함하는, 전자 장치의 하우징.
According to claim 17,
The phosphate is
A housing of an electronic device comprising at least one of sodium tripolyphosphate, potassium triphosphate, sodium pyrophosphate or potassium polyphosphate.
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