KR20240038638A - Electronic device including housing - Google Patents

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KR20240038638A
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housing
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spray coating
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KR1020230124319A
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손기덕
송경환
최현석
김영천
김태정
박병규
이혁기
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 개시의 다양한 실시예에 따른 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 알루미늄 기판, 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하고, 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 용사 코팅층, 상기 용사 코팅층 또는 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 산화 피막층, 및 상기 용사 코팅층의 적어도 일부 위에 형성된 증착 피막층을 포함할 수 있다.In an electronic device including a housing according to various embodiments of the present disclosure, the housing includes an aluminum substrate, a first region having a first thickness, and a second region having a second thickness thinner than the first thickness; , It may include a thermal spray coating layer formed on the aluminum substrate, an oxide layer formed on the spray coating layer or the aluminum substrate, and a vapor deposition layer formed on at least a portion of the thermal spray coating layer.

Description

하우징을 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE INCLUDING HOUSING}Electronic device including housing {ELECTRONIC DEVICE INCLUDING HOUSING}

본 발명의 일 실시예는 하우징을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.One embodiment of the present invention relates to an electronic device including a housing.

정보통신 기술과 반도체 기술의 눈부신 발전에 힘입어 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 특히 최근의 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다. Thanks to the remarkable development of information and communication technology and semiconductor technology, the distribution and use of various electronic devices is rapidly increasing. In particular, recent electronic devices are being developed so that they can be carried and used for communication.

또한, 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리 및 전자 지갑의 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다. Additionally, electronic devices can output stored information as sound or video. As the degree of integration of electronic devices increases and high-speed, high-capacity wireless communication becomes more common, recently, various functions can be installed in a single electronic device such as a mobile communication terminal. For example, in addition to communication functions, entertainment functions such as games, multimedia functions such as music/video playback, communication and security functions for mobile banking, schedule management, and electronic wallet functions are being integrated into a single electronic device. These electronic devices are being miniaturized so that users can conveniently carry them.

최근 스마트 폰과 같은 휴대용 전자 장치의 소형화, 박형화 또는 휴대성이 강조됨에 따라, 전자 장치의 외관을 디자인적으로 미려하게 형성하려는 연구가 지속적으로 진행되고 있다.Recently, as the miniaturization, thinness, and portability of portable electronic devices such as smart phones have been emphasized, research is continuously being conducted to make the appearance of electronic devices more attractive in terms of design.

본 개시의 일 실시예에 따른 하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 알루미늄 기판, 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하고, 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 용사 코팅층, 상기 용사 코팅층 또는 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 산화 피막층, 및 상기 용사 코팅층의 적어도 일부 위에 형성된 증착 피막층을 포함할 수 있다.In an electronic device including a housing according to an embodiment of the present disclosure, the housing includes an aluminum substrate, a first region having a first thickness, and a second region having a second thickness thinner than the first thickness; , It may include a thermal spray coating layer formed on the aluminum substrate, an oxide layer formed on the spray coating layer or the aluminum substrate, and a vapor deposition layer formed on at least a portion of the thermal spray coating layer.

본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징 제조 방법에 있어서, 알루미늄 기판 상에 열용사 코팅을 하여 용사 코팅층을 형성하는 제1 공정, 상기 용사 코팅층을 폴리싱하는 제2 공정, 상기 용사 코팅층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하여, 상기 용사 코팅층은 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하도록 제조된 제3 공정, 양극 산화공정을 통해 산화 피막층을 형성하는 제4 공정, 증착 공정을 통해 증착 피막층을 형성하는 제5 공정, 및 상기 증착 피막층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하는 제6 공정을 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a housing for an electronic device according to an embodiment of the present disclosure, a first process of forming a thermal spray coating layer by thermal spray coating on an aluminum substrate, a second process of polishing the thermal spray coating layer, and at least one of the thermal spray coating layers. A portion is processed using a laser, and the sprayed coating layer is manufactured to include a first region having a first thickness and a second region having a second thickness thinner than the first thickness. A third process is oxidized through an anodic oxidation process. It may include a fourth process of forming a coating layer, a fifth process of forming a deposition coating layer through a deposition process, and a sixth process of processing at least a portion of the deposition coating layer through a laser.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법을 설명하기 위한순서도이다.
도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법 중 제1 공정 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법 중 제2 공정 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법 중 제3 공정 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 10a는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 용사 코팅층의 두께 차이에 따른 명도 차이를 나타낸 도면이다.
도 10b는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 레이저 가공 두께 차이에 따른 광택도 차이를 나타낸 도면이다.
도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법 중 제4 공정 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 12은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징의 제조 방법 중 제5 공정 단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 최종 하우징을 나타낸 도면이다.
1 is a block diagram of an electronic device in a network environment, according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 2 is a front perspective view of an electronic device, according to an embodiment of the present disclosure.
3 is a rear perspective view of an electronic device, according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 4 is an exploded perspective view of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing a cross-section of a housing according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 6 is a flowchart for explaining a method of manufacturing a housing according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 7 is a diagram for explaining a first process step in the manufacturing method of a housing according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 8 is a diagram for explaining a second process step in the manufacturing method of a housing according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 9 is a diagram for explaining a third process step in the manufacturing method of a housing according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 10a is a diagram showing the difference in brightness according to the difference in thickness of the thermal spray coating layer, according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 10b is a diagram showing the difference in gloss according to the difference in laser processing thickness, according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 11 is a diagram for explaining a fourth process step in the housing manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure.
FIG. 12 is a diagram for explaining the fifth process step in the housing manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure.
Figure 13 is a diagram showing the final housing according to an embodiment of the present disclosure.

도 1은, 일 실시예에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electronic device 101 in a network environment 100, according to one embodiment.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다. Referring to FIG. 1, in the network environment 100, the electronic device 101 communicates with the electronic device 102 through a first network 198 (e.g., a short-range wireless communication network) or a second network 199. It is possible to communicate with at least one of the electronic device 104 or the server 108 through (e.g., a long-distance wireless communication network). According to one embodiment, the electronic device 101 may communicate with the electronic device 104 through the server 108. According to one embodiment, the electronic device 101 includes a processor 120, a memory 130, an input module 150, an audio output module 155, a display module 160, an audio module 170, and a sensor module ( 176), interface 177, connection terminal 178, haptic module 179, camera module 180, power management module 188, battery 189, communication module 190, subscriber identification module 196 , or may include an antenna module 197. In some embodiments, at least one of these components (eg, the connection terminal 178) may be omitted or one or more other components may be added to the electronic device 101. In some embodiments, some of these components (e.g., sensor module 176, camera module 180, or antenna module 197) are integrated into one component (e.g., display module 160). It can be.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU; neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The processor 120, for example, executes software (e.g., program 140) to operate at least one other component (e.g., hardware or software component) of the electronic device 101 connected to the processor 120. It can be controlled and various data processing or calculations can be performed. According to one embodiment, as at least part of data processing or computation, the processor 120 stores commands or data received from another component (e.g., sensor module 176 or communication module 190) in volatile memory 132. The commands or data stored in the volatile memory 132 can be processed, and the resulting data can be stored in the non-volatile memory 134. According to one embodiment, the processor 120 is a main processor 121 (e.g., a central processing unit or an application processor), or an auxiliary processor 123 (e.g., a graphics processing unit, a neural network processing unit) that can operate independently or together with the main processor 121. (NPU; neural processing unit), image signal processor, sensor hub processor, or communication processor). For example, if the electronic device 101 includes a main processor 121 and a secondary processor 123, the secondary processor 123 may be set to use lower power than the main processor 121 or be specialized for a designated function. You can. The auxiliary processor 123 may be implemented separately from the main processor 121 or as part of it.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.The auxiliary processor 123 may, for example, act on behalf of the main processor 121 while the main processor 121 is in an inactive (e.g., sleep) state, or while the main processor 121 is in an active (e.g., application execution) state. ), together with the main processor 121, at least one of the components of the electronic device 101 (e.g., the display module 160, the sensor module 176, or the communication module 190) At least some of the functions or states related to can be controlled. According to one embodiment, coprocessor 123 (e.g., image signal processor or communication processor) may be implemented as part of another functionally related component (e.g., camera module 180 or communication module 190). there is. According to one embodiment, the auxiliary processor 123 (eg, neural network processing unit) may include a hardware structure specialized for processing artificial intelligence models. Artificial intelligence models can be created through machine learning. For example, such learning may be performed in the electronic device 101 itself on which the artificial intelligence model is performed, or may be performed through a separate server (e.g., server 108). Learning algorithms may include, for example, supervised learning, unsupervised learning, semi-supervised learning, or reinforcement learning, but It is not limited. An artificial intelligence model may include multiple artificial neural network layers. Artificial neural networks include deep neural network (DNN), convolutional neural network (CNN), recurrent neural network (RNN), restricted boltzmann machine (RBM), belief deep network (DBN), bidirectional recurrent deep neural network (BRDNN), It may be one of deep Q-networks or a combination of two or more of the above, but is not limited to the examples described above. In addition to hardware structures, artificial intelligence models may additionally or alternatively include software structures.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The memory 130 may store various data used by at least one component (eg, the processor 120 or the sensor module 176) of the electronic device 101. Data may include, for example, input data or output data for software (e.g., program 140) and instructions related thereto. Memory 130 may include volatile memory 132 or non-volatile memory 134.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The program 140 may be stored as software in the memory 130 and may include, for example, an operating system 142, middleware 144, or application 146.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼) 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The input module 150 may receive commands or data to be used in a component of the electronic device 101 (e.g., the processor 120) from outside the electronic device 101 (e.g., a user). The input module 150 may include, for example, a microphone, mouse, keyboard, keys (eg, buttons), or digital pen (eg, stylus pen).

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The sound output module 155 may output sound signals to the outside of the electronic device 101. The sound output module 155 may include, for example, a speaker or a receiver. Speakers can be used for general purposes such as multimedia playback or recording playback. The receiver can be used to receive incoming calls. According to one embodiment, the receiver may be implemented separately from the speaker or as part of it.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The display module 160 can visually provide information to the outside of the electronic device 101 (eg, a user). The display module 160 may include, for example, a display, a hologram device, or a projector, and a control circuit for controlling the device. According to one embodiment, the display module 160 may include a touch sensor configured to detect a touch, or a pressure sensor configured to measure the intensity of force generated by the touch.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.The audio module 170 can convert sound into an electrical signal or, conversely, convert an electrical signal into sound. According to one embodiment, the audio module 170 acquires sound through the input module 150, the sound output module 155, or an external electronic device (e.g. : Sound can be output through the electronic device 102 (e.g., speaker or headphone).

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The sensor module 176 detects the operating state (e.g., power or temperature) of the electronic device 101 or the external environmental state (e.g., user state) and generates an electrical signal or data value corresponding to the detected state. can do. According to one embodiment, the sensor module 176 includes, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a proximity sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, It may include a temperature sensor, humidity sensor, or light sensor.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The interface 177 may support one or more designated protocols that can be used to connect the electronic device 101 to an external electronic device (eg, the electronic device 102) directly or wirelessly. According to one embodiment, the interface 177 may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, or an audio interface.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The connection terminal 178 may include a connector through which the electronic device 101 can be physically connected to an external electronic device (eg, the electronic device 102). According to one embodiment, the connection terminal 178 may include, for example, an HDMI connector, a USB connector, an SD card connector, or an audio connector (eg, a headphone connector).

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The haptic module 179 can convert electrical signals into mechanical stimulation (e.g., vibration or movement) or electrical stimulation that the user can perceive through tactile or kinesthetic senses. According to one embodiment, the haptic module 179 may include, for example, a motor, a piezoelectric element, or an electrical stimulation device.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The camera module 180 can capture still images and moving images. According to one embodiment, the camera module 180 may include one or more lenses, image sensors, image signal processors, or flashes.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The power management module 188 can manage power supplied to the electronic device 101. According to one embodiment, the power management module 188 may be implemented as at least a part of, for example, a power management integrated circuit (PMIC).

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The battery 189 may supply power to at least one component of the electronic device 101. According to one embodiment, the battery 189 may include, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or a fuel cell.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The communication module 190 is a direct (e.g., wired) communication channel or wireless communication channel between the electronic device 101 and an external electronic device (e.g., the electronic device 102, the electronic device 104, or the server 108). can support the establishment of and communication through established communication channels. Communication module 190 operates independently of processor 120 (e.g., an application processor) and may include one or more communication processors that support direct (e.g., wired) communication or wireless communication. According to one embodiment, the communication module 190 is a wireless communication module 192 (e.g., a cellular communication module, a short-range wireless communication module, or a global navigation satellite system (GNSS) communication module) or a wired communication module 194 (e.g., : LAN (local area network) communication module, or power line communication module) may be included. Among these communication modules, the corresponding communication module is a first network 198 (e.g., a short-range communication network such as Bluetooth, wireless fidelity (WiFi) direct, or infrared data association (IrDA)) or a second network 199 (e.g., legacy It can communicate with external electronic devices through telecommunication networks such as cellular networks, 5G networks, next-generation communication networks, the Internet, or computer networks (e.g., LAN or WAN). These various types of communication modules may be integrated into one component (e.g., a single chip) or may be implemented as a plurality of separate components (e.g., multiple chips). The wireless communication module 192 uses subscriber information (e.g., International Mobile Subscriber Identifier (IMSI)) stored in the subscriber identification module 196 to communicate within a communication network such as the first network 198 or the second network 199. The electronic device 101 can be confirmed or authenticated.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부의 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The wireless communication module 192 may support 5G networks after 4G networks and next-generation communication technologies, for example, NR access technology (new radio access technology). NR access technology provides high-speed transmission of high-capacity data (eMBB (enhanced mobile broadband)), minimization of terminal power and access to multiple terminals (mMTC (massive machine type communications)), or high reliability and low latency (URLLC (ultra-reliable and low latency). -latency communications)) can be supported. The wireless communication module 192 may support high frequency bands (eg, mmWave bands), for example, to achieve high data rates. The wireless communication module 192 uses various technologies to secure performance in high frequency bands, for example, beamforming, massive array multiple-input and multiple-output (MIMO), and full-dimensional multiplexing. It can support technologies such as input/output (FD-MIMO: full dimensional MIMO), array antenna, analog beam-forming, or large scale antenna. The wireless communication module 192 may support various requirements specified in the electronic device 101, an external electronic device (e.g., electronic device 104), or a network system (e.g., second network 199). According to one embodiment, the wireless communication module 192 supports Peak data rate (e.g., 20 Gbps or more) for realizing eMBB, loss coverage (e.g., 164 dB or less) for realizing mmTC, or U-plane latency (e.g., 164 dB or less) for realizing URLLC. Example: Downlink (DL) and uplink (UL) each of 0.5 ms or less, or round trip 1 ms or less) can be supported.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.The antenna module 197 may transmit or receive signals or power to or from the outside (eg, an external electronic device). According to one embodiment, the antenna module may include an antenna including a radiator made of a conductor or a conductive pattern formed on a substrate (eg, PCB). According to one embodiment, the antenna module 197 may include a plurality of antennas (eg, an array antenna). In this case, at least one antenna suitable for the communication method used in the communication network, such as the first network 198 or the second network 199, is connected to the plurality of antennas by, for example, the communication module 190. can be selected Signals or power may be transmitted or received between the communication module 190 and an external electronic device through the at least one selected antenna. According to some embodiments, in addition to the radiator, other components (eg, radio frequency integrated circuit (RFIC)) may be additionally formed as part of the antenna module 197.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the antenna module 197 may form a mmWave antenna module. According to one embodiment, a mmWave antenna module includes a printed circuit board, an RFIC disposed on or adjacent to a first side (e.g., bottom side) of the printed circuit board and capable of supporting a designated high frequency band (e.g., mmWave band); And a plurality of antennas (e.g., array antennas) disposed on or adjacent to the second side (e.g., top or side) of the printed circuit board and capable of transmitting or receiving signals in the designated high frequency band. can do.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (e.g., bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( (e.g. commands or data) can be exchanged with each other.

일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC; mobile edge computing) 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to one embodiment, commands or data may be transmitted or received between the electronic device 101 and the external electronic device 104 through the server 108 connected to the second network 199. Each of the external electronic devices 102 or 104 may be of the same or different type as the electronic device 101. According to one embodiment, all or part of the operations performed in the electronic device 101 may be executed in one or more of the external electronic devices 102, 104, or 108. For example, when the electronic device 101 needs to perform a certain function or service automatically or in response to a request from a user or another device, the electronic device 101 may perform the function or service instead of executing the function or service on its own. Alternatively, or additionally, one or more external electronic devices may be requested to perform at least part of the function or service. One or more external electronic devices that have received the request may execute at least part of the requested function or service, or an additional function or service related to the request, and transmit the result of the execution to the electronic device 101. The electronic device 101 may process the result as is or additionally and provide it as at least part of a response to the request. For this purpose, for example, cloud computing, distributed computing, mobile edge computing (MEC), or client-server computing technology can be used. The electronic device 101 may provide an ultra-low latency service using, for example, distributed computing or mobile edge computing. In another embodiment, the external electronic device 104 may include an Internet of Things (IoT) device. Server 108 may be an intelligent server using machine learning and/or neural networks. According to one embodiment, the external electronic device 104 or server 108 may be included in the second network 199. The electronic device 101 may be applied to intelligent services (e.g., smart home, smart city, smart car, or healthcare) based on 5G communication technology and IoT-related technology.

본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be of various types. Electronic devices may include, for example, portable communication devices (e.g., smartphones), computer devices, portable multimedia devices, portable medical devices, cameras, wearable devices, or home appliances. Electronic devices according to embodiments of this document are not limited to the above-described devices.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나","A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.The various embodiments of this document and the terms used herein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various changes, equivalents, or replacements of the embodiments. In connection with the description of the drawings, similar reference numbers may be used for similar or related components. The singular form of a noun corresponding to an item may include one or more of the above items, unless the relevant context clearly indicates otherwise. In this document, “A or B”, “at least one of A and B”, “at least one of A or B”, “A, B or C”, “at least one of A, B and C”, and “A Each of phrases such as “at least one of , B, or C” may include any one of the items listed together in the corresponding phrase, or any possible combination thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "second" may be used simply to distinguish one element from another, and may be used to distinguish such elements in other respects, such as importance or order) is not limited. One (e.g. first) component is said to be "coupled" or "connected" to another (e.g. second) component, with or without the terms "functionally" or "communicatively". Where mentioned, it means that any of the components can be connected to the other components directly (e.g. wired), wirelessly, or through a third component.

본 문서의 다양한 실시예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다. The term “module” used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as logic, logic block, component, or circuit, for example. can be used A module may be an integrated part or a minimum unit of the parts or a part thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리 또는 외장 메모리)에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램)로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치)의 프로세서(예: 프로세서)는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장매체는, 비일시적(non-transitory) 저장매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of the present document are software (e.g., a program) that includes one or more instructions stored in a storage medium (e.g., internal memory or external memory) that can be read by a machine (e.g., an electronic device). It can be implemented as: For example, a processor (eg, processor) of a device (eg, electronic device) may call at least one instruction among one or more instructions stored from a storage medium and execute it. This allows the device to be operated to perform at least one function according to the at least one instruction called. The one or more instructions may include code generated by a compiler or code that can be executed by an interpreter. A storage medium that can be read by a device may be provided in the form of a non-transitory storage medium. Here, 'non-transitory' only means that the storage medium is a tangible device and does not contain signals (e.g. electromagnetic waves). This term refers to cases where data is stored semi-permanently in the storage medium. There is no distinction between temporary storage cases.

일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory (CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두개의 사용자 장치들(예: 스마트폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, methods according to various embodiments disclosed in this document may be provided and included in a computer program product. Computer program products are commodities and can be traded between sellers and buyers. The computer program product may be distributed in the form of a machine-readable storage medium (e.g. compact disc read only memory (CD-ROM)) or via an application store (e.g. Play Store TM ) or on two user devices (e.g. It can be distributed (e.g. downloaded or uploaded) directly between smartphones) or online. In the case of online distribution, at least a portion of the computer program product may be at least temporarily stored or temporarily created in a machine-readable storage medium, such as the memory of a manufacturer's server, an application store's server, or a relay server.

다양한 실시예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (e.g., module or program) of the above-described components may include a single or plural entity, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. . According to various embodiments, one or more of the components or operations described above may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, multiple components (eg, modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each component of the plurality of components in the same or similar manner as those performed by the corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, operations performed by a module, program, or other component may be executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the operations may be executed in a different order, omitted, or , or one or more other operations may be added.

도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 전면 사시도이다. 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 후면 사시도이다.Figure 2 is a front perspective view of the electronic device 101, according to an embodiment of the present disclosure. Figure 3 is a rear perspective view of the electronic device 101, according to an embodiment of the present disclosure.

도 2 및 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 제 1 면(또는 전면)(310A), 제 2 면(또는 후면)(310B), 및 제 1 면(310A) 및 제 2 면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 하우징(310)은, 도 2의 제 1 면(310A), 제 2 면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 제 1 면(310A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제 2 면(310B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.2 and 3, the electronic device 101 according to one embodiment includes a first side (or front) 310A, a second side (or back) 310B, and a first side 310A and It may include a housing 310 including a side 310C surrounding the space between the second surfaces 310B. In another embodiment (not shown), housing 310 may refer to a structure that forms some of the first side 310A, second side 310B, and side surface 310C of FIG. 2 . According to one embodiment, the first surface 310A may be formed at least in part by a substantially transparent front plate 302 (eg, a glass plate including various coating layers, or a polymer plate). The second surface 310B may be formed by a substantially opaque back plate 311. The back plate 311 is formed, for example, by coated or colored glass, ceramic, polymer, metal (e.g., aluminum, stainless steel (STS), or magnesium), or a combination of at least two of these materials. It can be. The side 310C combines with the front plate 302 and the back plate 311 and may be formed by a side bezel structure (or “side member”) 318 comprising metal and/or polymer. In some embodiments, the back plate 311 and the side bezel structure 318 may be integrally formed and include the same material (eg, a metallic material such as aluminum).

도시된 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)는, 상기 제 1 면(310A)으로부터 상기 후면 플레이트(311) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제 1 영역(310D)들을, 상기 전면 플레이트(302)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시예(도 3 참조)에서, 상기 후면 플레이트(311)는, 상기 제 2 면(310B)으로부터 상기 전면 플레이트(302) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제 2 영역(310E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 전면 플레이트(302)(또는 상기 후면 플레이트(311))가 상기 제 1 영역(310D)들(또는 상기 제 2 영역(310E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시예들에서, 상기 전자 장치(101)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(318)는, 상기와 같은 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제 1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제 1 영역(310D)들 또는 제 2 영역(310E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제 1 두께보다 얇은 제 2 두께를 가질 수 있다.In the illustrated embodiment, the front plate 302 has two first regions 310D that are curved and extend seamlessly from the first surface 310A toward the rear plate 311. It can be included at both ends of the long edge of (302). In the illustrated embodiment (see FIG. 3), the rear plate 311 is curved from the second surface 310B toward the front plate 302 and has two second regions 310E extending seamlessly with long edges. It can be included at both ends. In some embodiments, the front plate 302 (or the rear plate 311) may include only one of the first areas 310D (or the second areas 310E). In another embodiment, some of the first areas 310D or the second areas 310E may not be included. In the above embodiments, when viewed from the side of the electronic device 101, the side bezel structure 318 has a side bezel structure 318 that does not include the first regions 310D or the second regions 310E. It may have a first thickness (or width) and a second thickness that is thinner than the first thickness on the side surface including the first areas 310D or the second areas 310E.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314), 센서 모듈(304, 316, 319), 카메라 모듈(305, 312, 313), 키 입력 장치(317), 발광 소자(306), 및 커넥터 홀(308, 309) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(317), 또는 발광 소자(306))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.According to one embodiment, the electronic device 101 includes a display 301, an audio module 303, 307, and 314, a sensor module 304, 316, and 319, a camera module 305, 312, and 313, and a key input. It may include at least one of the device 317, the light emitting element 306, and the connector holes 308 and 309. In some embodiments, the electronic device 101 may omit at least one of the components (eg, the key input device 317 or the light emitting device 306) or may additionally include another component.

일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 제 1 면(310A), 및 상기 측면(310C)의 제 1 영역(310D)들을 형성하는 전면 플레이트(302)를 통하여 상기 디스플레이(301)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 디스플레이(301)의 모서리를 상기 전면 플레이트(302)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(301)의 외곽과 전면 플레이트(302)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.According to one embodiment, the display 301 may be exposed, for example, through a significant portion of the front plate 302. In some embodiments, at least a portion of the display 301 may be exposed through the front plate 302 that forms the first area 310D of the first surface 310A and the side surface 310C. In some embodiments, the edges of the display 301 may be formed to be substantially the same as the adjacent outer shape of the front plate 302. In another embodiment (not shown), in order to expand the area where the display 301 is exposed, the distance between the outer edge of the display 301 and the outer edge of the front plate 302 may be formed to be substantially the same.

다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)를 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(314), 센서 모듈(304), 카메라 모듈(305), 및 발광 소자(306) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(304), 카메라 모듈(305), 지문 센서(316), 및 발광 소자(306) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에서는, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 상기 센서 모듈(304, 319)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 제 1 영역(310D)들, 및/또는 상기 제 2 영역(310E)들에 배치될 수 있다. In another embodiment (not shown), a recess or opening is formed in a portion of the screen display area of the display 301, and an audio module 314 and a sensor are aligned with the recess or opening. It may include at least one of a module 304, a camera module 305, and a light emitting device 306. In another embodiment (not shown), an audio module 314, a sensor module 304, a camera module 305, a fingerprint sensor 316, and a light emitting element 306 are located on the back of the screen display area of the display 301. ) may include at least one of the following. In another embodiment (not shown), the display 301 is coupled to or adjacent to a touch detection circuit, a pressure sensor capable of measuring the intensity (pressure) of touch, and/or a digitizer that detects a magnetic field type stylus pen. can be placed. In some embodiments, at least a portion of the sensor modules 304, 319, and/or at least a portion of the key input device 317 are located in the first regions 310D and/or the second regions 310E. can be placed in the field.

일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). According to one embodiment, the audio modules 303, 307, and 314 may include a microphone hole 303 and speaker holes 307 and 314. A microphone for acquiring external sound may be placed inside the microphone hole 303, and in some embodiments, a plurality of microphones may be placed to detect the direction of sound. The speaker holes 307 and 314 may include an external speaker hole 307 and a receiver hole 314 for calls. In some embodiments, the speaker holes 307 and 314 and the microphone hole 303 may be implemented as one hole, or a speaker may be included without the speaker holes 307 and 314 (e.g., piezo speaker).

일 실시예에 따르면, 센서 모듈(304, 316, 319)은, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(304, 316, 319)은, 예를 들어, 하우징(310)의 제 1 면(310A)에 배치된 제 1 센서 모듈(304)(예: 근접 센서) 및/또는 제 2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(310)의 제 2 면(310B)에 배치된 제 3 센서 모듈(319)(예: HRM 센서) 및/또는 제 4 센서 모듈(316) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(310)의 제 1면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 제 2면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(304) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the sensor modules 304, 316, and 319 may generate electrical signals or data values corresponding to the internal operating state of the electronic device 101 or the external environmental state. Sensor modules 304, 316, 319 may include, for example, a first sensor module 304 (e.g., a proximity sensor) and/or a second sensor module (e.g., a proximity sensor) disposed on the first side 310A of the housing 310. (not shown) (e.g., fingerprint sensor), and/or a third sensor module 319 (e.g., HRM sensor) and/or fourth sensor module 316 disposed on the second side 310B of the housing 310. ) (e.g., a fingerprint sensor) may be included. The fingerprint sensor may be disposed on the first side 310A (eg, display 301) as well as the second side 310B of the housing 310. The electronic device 101 includes sensor modules not shown, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, a barometric pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, a temperature sensor, It may further include at least one of a humidity sensor or an illuminance sensor 304.

일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 312, 313)은, 전자 장치(101)의 제 1 면(310A)에 배치된 제 1 카메라 장치(305), 및 제 2 면(310B)에 배치된 제 2 카메라 장치(312), 및/또는 플래시(313)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 312)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(313)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the camera modules 305, 312, and 313 include a first camera device 305 disposed on the first side 310A of the electronic device 101, and a second camera device 305 disposed on the second side 310B. It may include a second camera device 312 and/or a flash 313. The camera modules 305 and 312 may include one or more lenses, an image sensor, and/or an image signal processor. The flash 313 may include, for example, a light emitting diode or a xenon lamp. In some embodiments, two or more lenses (an infrared camera, a wide-angle and a telephoto lens) and image sensors may be placed on one side of the electronic device 101.

일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서는, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시예에서, 키 입력 장치(317)는 하우징(310)의 제 2면(310B)에 배치된 센서 모듈(316)을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the key input device 317 may be disposed on the side 310C of the housing 310. In other embodiments, the electronic device 101 may not include some or all of the key input devices 317 mentioned above, and the key input devices 317 not included may be other than soft keys on the display 301. It can be implemented in the form In some embodiments, the key input device 317 may include a sensor module 316 disposed on the second side 310B of the housing 310.

일 실시예에 따르면, 발광 소자(306)는, 예를 들어, 하우징(310)의 제 1 면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(306)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시예에서는, 발광 소자(306)는, 예를 들어, 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(306)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the light emitting device 306 may be disposed on, for example, the first surface 310A of the housing 310. For example, the light emitting device 306 may provide status information of the electronic device 101 in the form of light. In another embodiment, the light emitting device 306 may provide a light source that is linked to the operation of the camera module 305, for example. The light emitting device 306 may include, for example, an LED, an IR LED, and a xenon lamp.

일 실시예에 따르면, 커넥터 홀(308, 309)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제 1 커넥터 홀(308), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제 2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(309)을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the connector holes 308 and 309 include a first connector hole 308 that can accommodate a connector (for example, a USB connector) for transmitting and receiving power and/or data with an external electronic device, And/or may include a second connector hole (eg, earphone jack) 309 that can accommodate a connector for transmitting and receiving audio signals to and from an external electronic device.

도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치(101)의 분해 사시도이다. Figure 4 is an exploded perspective view of the electronic device 101 according to an embodiment of the present disclosure.

도 4를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))는, 측면 베젤 구조(331), 제 1 지지부재(332)(예: 브라켓), 전면 플레이트(320), 디스플레이(330), 인쇄 회로 기판(340), 배터리(350), 제 2 지지부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370), 및 후면 플레이트(380)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제 1 지지부재(332), 또는 제 2 지지부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 4, 또는 도 5의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.Referring to FIG. 4, the electronic device 101 (e.g., the electronic device 101 of FIGS. 1 to 4) includes a side bezel structure 331, a first support member 332 (e.g., a bracket), and a front plate. (320), display 330, printed circuit board 340, battery 350, second support member 360 (e.g. rear case), antenna 370, and rear plate 380. there is. In some embodiments, the electronic device 101 may omit at least one of the components (e.g., the first support member 332 or the second support member 360) or may additionally include other components. . At least one of the components of the electronic device 101 may be the same as or similar to at least one of the components of the electronic device 101 of FIG. 4 or 5, and overlapping descriptions will be omitted below.

일 실시예에 따르면, 제 1 지지부재(332)는, 전자 장치(101) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(331)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(331)와 일체로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(332)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제 1 지지부재(332)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the first support member 332 may be disposed inside the electronic device 101 and connected to the side bezel structure 331, or may be formed integrally with the side bezel structure 331. The first support member 332 may be formed of, for example, a metallic material and/or a non-metallic (eg, polymer) material. The first support member 332 may have a display 330 coupled to one side and a printed circuit board 340 to the other side. The printed circuit board 340 may be equipped with a processor, memory, and/or interface. The processor may include, for example, one or more of a central processing unit, an application processor, a graphics processing unit, an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor.

일 실시예에 따르면, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the memory may include, for example, volatile memory or non-volatile memory.

일 실시예에 따르면, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the interface may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, and/or an audio interface. For example, the interface may electrically or physically connect the electronic device 101 to an external electronic device and may include a USB connector, SD card/MMC connector, or audio connector.

일 실시예에 따르면, 배터리(350)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.According to one embodiment, the battery 350 is a device for supplying power to at least one component of the electronic device 101, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or fuel. It may include a battery. At least a portion of the battery 350 may be disposed, for example, on substantially the same plane as the printed circuit board 340 . The battery 350 may be placed integrally within the electronic device 101, or may be placed to be detachable from the electronic device 101.

일 실시예에 따르면, 안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(331) 및/또는 상기 제 1 지지부재(332)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.According to one embodiment, the antenna 370 may be disposed between the rear plate 380 and the battery 350. The antenna 370 may include, for example, a near field communication (NFC) antenna, a wireless charging antenna, and/or a magnetic secure transmission (MST) antenna. For example, the antenna 370 may perform short-distance communication with an external device or wirelessly transmit and receive power required for charging. In another embodiment, an antenna structure may be formed by part or a combination of the side bezel structure 331 and/or the first support member 332.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 복수 개의 안테나 모듈(390)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 일부는 MIMO 구현을 위해 서로 다른 특성을 가진 전파(A, B 주파수 대역의 전파로 가칭함)를 송수신하기 위해 구현될 수 있다. 다른 예로, 상기 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 일부는 다이버시티(diversity) 구현을 위해 서로 동일한 특성을 가진 전파(A 주파수 대역에서 A1, A2 주파수의 전파로 가칭함)를 예를 들어, 동시에 송수신하도록 설정될 수 있다. 또 다른 예로, 상기 복수 개의 안테나 모듈(390) 중 다른 일부는 다이버시티 구현을 위해 서로 동일한 특성을 가진 전파(B 주파수 대역에서 B1, B2 주파수의 전파로 가칭함)를 예를 들어, 동시에 송수신하도록 설정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 두 개의 안테나 모듈을 포함할 수도 있으나, 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 전자 장치(101)는 4 개의 안테나 모듈을 포함하여, MIMO 및 다이버시티를 동시에 구현할 수 있다. 또 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 안테나 모듈(390)을 하나만 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present disclosure, an electronic device may include a plurality of antenna modules 390. For example, some of the plurality of antenna modules 390 may be implemented to transmit and receive radio waves with different characteristics (tentatively referred to as radio waves in A and B frequency bands) to implement MIMO. As another example, some of the plurality of antenna modules 390 simultaneously transmit and receive radio waves with the same characteristics (tentatively referred to as radio waves of A1 and A2 frequencies in the A frequency band) to implement diversity. It can be set to do so. As another example, some of the plurality of antenna modules 390 are configured to simultaneously transmit and receive radio waves with the same characteristics (tentatively referred to as radio waves of B1 and B2 frequencies in the B frequency band) to implement diversity. can be set. In one embodiment of the present invention, it may include two antenna modules, but in another embodiment of the present invention, the electronic device 101 may include four antenna modules to simultaneously implement MIMO and diversity. . In another embodiment, the electronic device 101 may include only one antenna module 390.

일 실시예에 따르면, 전파의 송수신 특성을 고려하여, 상기 인쇄 회로 기판(340)의 제 1 위치에 하나의 안테나 모듈이 배치될 경우에, 다른 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판(340)의 상기 제 1 위치로부터 떨어진(separated) 제 2 위치에 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 하나의 안테나 모듈 및 다른 안테나 모듈은 다이버시티 특성에 따른 상호간 이격 거리를 고려하여 배치될 수 있다. According to one embodiment, in consideration of the transmission and reception characteristics of radio waves, when one antenna module is disposed at the first position of the printed circuit board 340, the other antenna module is positioned at the first position of the printed circuit board 340. It may be placed in a second location separated from the location. As another example, one antenna module and another antenna module may be arranged considering the mutual separation distance according to diversity characteristics.

일 실시예에 따르면, 적어도 하나의 안테나 모듈(390)은 초고주파 대역(예: 6GHz 이상, 300GHz 이하)에서 송수신되는 전파(radio wave)를 처리하는 무선 통신 회로를 포함할 수 있다. 상기 적어도 하나의 안테나 모듈(390)의 도전성 플레이트는, 예를 들어, 패치 타입의 방사 도체 또는 일방향으로 연장된 다이폴 구조의 도전성 플레이트로 이루어질 수 있으며, 복수의 상기 도전성 플레이트가 어레이되어 안테나 어레이를 형성할 수 있다. 상기 무선 통신 회로의 일부가 구현된 칩(예: 집적회로 칩) 등은 상기 도전성 플레이트가 배치된 영역의 일측 또는 상기 도전성 플레이트가 배치된 면의 반대 방향을 향하는 면에 배치될 수 있으며, 인쇄 회로 패턴으로 이루어진 배선을 통해 상기 도전성 플레이트와 전기적으로 연결될 수 있다. According to one embodiment, at least one antenna module 390 may include a wireless communication circuit that processes radio waves transmitted and received in an ultra-high frequency band (e.g., 6 GHz or higher, 300 GHz or lower). The conductive plate of the at least one antenna module 390 may be, for example, made of a patch-type radiation conductor or a conductive plate of a dipole structure extending in one direction, and a plurality of the conductive plates are arrayed to form an antenna array. can do. A chip (e.g., integrated circuit chip) on which part of the wireless communication circuit is implemented may be placed on one side of the area where the conductive plate is placed or on a side facing in the opposite direction to the side where the conductive plate is placed, and may be a printed circuit. It can be electrically connected to the conductive plate through a patterned wiring.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)의 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380) 중 적어도 하나는 적어도 부분적으로 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)의 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380) 중 적어도 일부는 이하 후술할 도 6의 하우징 제조 공정(10)에 의해 제작될 수 있다. 도시된 실시예에서, 하우징(310), 지지 부재(예: 제1 지지 부재(332) 및/또는 제2 지지 부재(360)), 측면 베젤 구조(331), 전면 플레이트(320) 및/또는 후면 플레이트(380)는 적어도 부분적으로 전자 장치(101)의 외부에서 시각적으로 노출될 수 있다. According to one embodiment, the electronic device 101 includes a housing 310, a support member (e.g., a first support member 332 and/or a second support member 360), a side bezel structure 331, and a front plate. At least one of 320 and/or back plate 380 may at least partially include a metallic material. For example, the electronic device 101 includes a housing 310, a support member (e.g., a first support member 332 and/or a second support member 360), a side bezel structure 331, and a front plate 320. ) and/or at least a portion of the back plate 380 may be manufactured by the housing manufacturing process 10 of FIG. 6, which will be described later. In the depicted embodiment, a housing 310, a support member (e.g., a first support member 332 and/or a second support member 360), a side bezel structure 331, a front plate 320, and/or The rear plate 380 may be at least partially visible from the outside of the electronic device 101 .

도 5는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.Figure 5 is a cross-sectional view schematically showing the cross-section of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure.

도 5를 참조할 때, 전자 장치(101)의 하우징(400)은 알루미늄 기판(410), 용사 코팅층(420), 산화 피막층(430), 및 증착 피막층(440)을 포함할 수 있다. 도 5를 참조할 때, 하우징(400)의 구성은 도 2 내지 도 4의 하우징(310)의 구성과 전부 또는 일부가 동일할 수 있다. 도 5의 구조는 도 2 내지 도 4의 구조와 선택적으로 결합 가능할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the housing 400 of the electronic device 101 may include an aluminum substrate 410, a thermal spray coating layer 420, an oxide layer 430, and a vapor deposition layer 440. Referring to FIG. 5 , the configuration of the housing 400 may be completely or partially the same as the configuration of the housing 310 of FIGS. 2 to 4 . The structure of Figure 5 may be selectively combined with the structure of Figures 2 to 4.

도 5에 따르면, Z축으로 정의되는 공간 좌표계가 도시된다. 여기서 Z축은 하우징(400)의 두께 방향을 나타낼 수 있다.According to Figure 5, a spatial coordinate system defined by the Z axis is shown. Here, the Z-axis may represent the thickness direction of the housing 400.

일 실시예에 따르면, 전자 장치의 하우징(400)은, 도 2 및 도 3의 제 1 면(310A), 제 2 면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 예를 들어, 전자 장치의 하우징(400)은, 도 2의 제 2 면(또는 후면)(310B) 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(예: 도 2의 후면 플레이트(311))에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 후면 플레이트는, 예를 들어, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘)에 의하여 형성될 수 있다. 후면 플레이트는, 예를 들어, 알루미늄 금속에 의하여 형성될 수 있다.According to one embodiment, the housing 400 of the electronic device may refer to a structure forming some of the first side 310A, the second side 310B, and the side surface 310C in FIGS. 2 and 3. there is. For example, the housing 400 of an electronic device may refer to a structure that forms part of the second side (or back side) 310B of FIG. 2 . According to one embodiment, the housing 400 may be formed by a substantially opaque back plate (eg, back plate 311 in FIG. 2). The back plate may be formed, for example, by coated or colored glass, ceramic, polymer, metal (e.g., aluminum, stainless steel (STS), or magnesium), or a combination of at least two of these materials. . The back plate may be formed, for example, by metal (eg aluminum, stainless steel (STS), or magnesium). The back plate may be formed by aluminum metal, for example.

일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 금속 기판을 포함할 수 있다. 금속 기판은, 예를 들어, 알루미늄, 스테인레스, 티타늄, 마그네슘과 같은 금속 소재를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the housing 400 may include a metal substrate. The metal substrate may include, for example, a metal material such as aluminum, stainless steel, titanium, or magnesium.

일반적인 전자 장치에 따르면, 하우징은 고광택 금속 소재에 의하여 형성될 수 있다. 고광택 금속 소재는, 예를 들어, 티타늄(Ti), 스테인레스 스틸(STS)과 같은 금속일 수 있다. 티타늄(Ti), 스테인레스 스틸(STS)과 같은 고광택 금속 소재는 강성이 높고, 가공이 어려운 난삭재 금속 소재일 수 있다. 고광택 금속 소재는 무게가 무겁고, 가공이 어려워 생산 비용이 늘어나며, 다양한 외관 질감 구현의 한계가 있을 수 있다. According to a typical electronic device, the housing may be formed by a highly glossy metal material. The high-gloss metal material may be, for example, a metal such as titanium (Ti) or stainless steel (STS). Highly glossy metal materials such as titanium (Ti) and stainless steel (STS) have high rigidity and may be difficult to machine. High-gloss metal materials are heavy and difficult to process, which increases production costs and may limit the implementation of various exterior textures.

일반적인 전자 장치에 따르면, 다양한 외관 질감 구현을 위해 고광택 금속 소재를 직접 사용하여 증착이나 양극산화와 같은 가공을 할 수 있다. 이를 위해 소재를 가공하거나 파우더를 활용한 분말야금, 또는 3D Printing 기술을 활용할 수 있다. 다만, 직접 고광택 금속 소재를 사용할 경우 소재 특성상 소재 가격이 높고, 가공이 어려워 가공 비용이 많이 발생될 수 있다. 양극산화 가공을 할 경우, 알루미늄(Al2O3)으로 인해 도막 두께가 얇게 형성되어(예: 마이크로(micro) 이내) 전자 장치의 외관에는 사용하기 어려울 수 있다. 양극산화 가공을 할 경우, 산화 피막의 두께 차이로 인해 표면의 색상이 균일하지 않을 수 있다.According to general electronic devices, high-gloss metal materials can be directly used and processed such as deposition or anodization to realize various exterior textures. For this purpose, materials can be processed, powder metallurgy using powder, or 3D printing technology can be used. However, when using a high-gloss metal material directly, the material price is high due to the nature of the material, and processing is difficult, resulting in high processing costs. When anodizing processing is performed, the film thickness is formed to be thin (e.g., within micro) due to aluminum (Al2O3), making it difficult to use for the exterior of electronic devices. When performing anodizing, the color of the surface may not be uniform due to differences in the thickness of the oxide film.

일반적인 전자 장치에 따르면, 다양한 외관 질감 구현을 위해 고광택 금속 소재를 도구(tool)를 사용하여 직접 가공할 수 있다. 다만, 하우징 표면의 깊이 또는 두께는 도구(tool)의 형상에 의존해야 하고 길이의 한계가 있을 수 있다. According to general electronic devices, high-gloss metal materials can be directly processed using tools to realize various exterior textures. However, the depth or thickness of the housing surface must depend on the shape of the tool and there may be limitations in length.

일반적인 전자 장치에 따르면, 다양한 외관 질감 구현을 위해 고광택 금속 소재의 하우징 표면에 화학적 에칭(etching)을 적용할 수 있다. 다만, 이 경우 위치에 따른 깊이 조절이 불가능하여 다채로운 질감 구현에 제한적일 수 있다. According to general electronic devices, chemical etching can be applied to the surface of a housing made of high-gloss metal to create various exterior textures. However, in this case, it is not possible to control depth depending on location, which may limit the implementation of colorful textures.

일반적인 전자 장치에 따르면, 다양한 외관 질감 구현을 위해 고광택 금속 소재의 하우징 표면에 물리적 충돌을 통해 표면 질감을 구현할 수 있다. 다만, 이 경우 표면의 형상이 제한적일 수 있다. According to general electronic devices, surface texture can be realized through physical collision with the housing surface of a high-gloss metal material in order to realize various exterior textures. However, in this case, the shape of the surface may be limited.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 알루미늄 기판(410)을 포함할 수 있다. 하우징(400)은 금속 소재 중 가공이 어렵고 후처리가 제한적인 티타늄, 스테인레스와 같은 고광택 금속 소재를 대신하여 알루미늄 소재를 포함할 수 있다. 알루미늄 기판(410)은 전자 장치의 하우징(400)에 일반적으로 사용되고, 비중이 낮을 수 있다. 알루미늄 기판(410)은 가공이 용이하고, 증착이나 양극산화와 같은 후처리가 용이할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the housing 400 may include an aluminum substrate 410. The housing 400 may include aluminum instead of high-gloss metal such as titanium or stainless steel, which is difficult to process and has limited post-processing. The aluminum substrate 410 is generally used in the housing 400 of electronic devices, and may have a low specific gravity. The aluminum substrate 410 can be easily processed and post-processed such as deposition or anodization.

일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 알루미늄 기판(410) 상에 고광택 금속 소재와 유사한 질감 및/또는 광택을 가질 수 있도록 가공한 용사 코팅층(420), 산화 피막층(430), 및 증착 피막층(440)을 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the housing 400 includes a thermal spray coating layer 420, an oxide film layer 430, and a vapor deposition film layer ( 440) may further be included.

일 실시예에 따르면, 알루미늄 기판(410) 상에 용사 코팅층(420)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420)은 원하는 디자인 형상을 구현하기 위해 두께가 상이한 복수 개의 영역으로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420)은 제1 두께(t1)를 가지는 제1 영역(421) 및 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 가지는 제2 영역(422)을 포함할 수 있다. 제1 두께(t1)는 예를 들어, 대략 5㎛ 이상 15㎛ 이하일 수 있다. 제1 두께(t1)는 예를 들어, 대략 10㎛일 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 대략 5㎛ 이하일 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 대략 3㎛ 이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 영역(421) 및 제2 영역(422)의 두께 차이는 예를 들어, 대략 1㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 알루미늄 기판(410) 상에 용사 코팅층(420)이 형성될 수 있다. 일반적인 전자 장치에서 열용사 공정은 녹이 발생하거나 틈(crack)이 발생하여 강성이 약해질 경우 표면을 차폐하거나 산화 방지 역할을 위해 사용되었다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하우징(400) 상에 용사 코팅층(420)이 형성되어 티타늄, 스테인레스와 유사한 외관 표면을 구현할 수 있다. 하우징(400) 상에 용사 코팅층(420)이 형성되어 티타늄, 스테인레스와 유사한 광택을 구현할 수 있다.According to one embodiment, the spray coating layer 420 may be disposed on the aluminum substrate 410. According to one embodiment, the thermal spray coating layer 420 may be composed of a plurality of regions with different thicknesses to implement a desired design shape. According to one embodiment, the thermal spray coating layer 420 includes a first region 421 having a first thickness t1 and a second region 422 having a second thickness t2 thinner than the first thickness t1. It can be included. For example, the first thickness t1 may be approximately 5 μm or more and 15 μm or less. For example, the first thickness t1 may be approximately 10㎛. For example, the second thickness t2 may be approximately 5 μm or less. For example, the second thickness t2 may be approximately 3 μm or less. According to one embodiment, the thickness difference between the first area 421 and the second area 422 may be, for example, approximately 1 μm or more and 5 μm or less. According to one embodiment, a thermal spray coating layer 420 may be formed on the aluminum substrate 410. In general electronic devices, the thermal spraying process is used to shield the surface or prevent oxidation when rust or cracks occur and strength is weakened. According to one embodiment of the present invention, a thermal spray coating layer 420 is formed on the housing 400 to create an external surface similar to titanium or stainless steel. The thermal spray coating layer 420 is formed on the housing 400 to achieve a gloss similar to titanium or stainless steel.

일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420) 또는 알루미늄 기판(410) 상에 산화 피막층(430)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 산화 피막층(430)은 알루미늄 기판(410) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 산화 피막층(430)의 두께(t3)는 예를 들어, 대략 7㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있다. 산화 피막층(430)의 두께(t3)는 예를 들어, 대략 8㎛일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하우징(400) 상에 산화 피막층(430)이 형성되어 새로운 질감, 깊이감 있는 색상을 구현할 수 있다.According to one embodiment, the oxide film layer 430 may be disposed on the spray coating layer 420 or the aluminum substrate 410. According to one embodiment, the oxide film layer 430 may be formed on the aluminum substrate 410. According to one embodiment, the thickness t3 of the oxide film layer 430 may be, for example, approximately 7 μm or more and 10 μm or less. The thickness t3 of the oxide film layer 430 may be, for example, approximately 8 μm. According to one embodiment, an oxide film layer 430 is formed on the housing 400 to create a new texture and color with depth.

일 실시예에 따르면, 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420) 위에 형성될 수 있다. 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420)의 적어도 일부 위에 형성될 수 있다. 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420)의 제1 영역(421) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착 피막층(440)은 산화 피막층(430) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착 피막층(440)의 두께(T4)는 얇게 형성될 수 있다. 증착 피막층(440)의 두께(t4)는 예를 들어, 대략 2㎛ 이하일 수 있다. 증착 피막층(440)의 두께(t4)는 예를 들어, 대략 1㎛일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420) 위에 증착 피막층(440)을 형성하여 용사 코팅층(420)의 부식을 방지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420) 위에 증착 피막층(440)을 형성하여 원하는 컬러를 구현할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하우징(400)의 일부에 증착 피막층(440)이 형성됨에 따라 다양한 디자인, 패턴 형상을 구현할 수 있다.According to one embodiment, the deposition coating layer 440 may be formed on the spray coating layer 420. The deposition coating layer 440 may be formed on at least a portion of the spray coating layer 420 . The deposition coating layer 440 may be formed on the first region 421 of the thermal spray coating layer 420. According to one embodiment, the deposition film layer 440 may be formed on the oxide film layer 430. According to one embodiment, the thickness T4 of the deposition coating layer 440 may be formed to be thin. For example, the thickness t4 of the deposition coating layer 440 may be approximately 2 μm or less. The thickness t4 of the deposition coating layer 440 may be, for example, approximately 1 μm. According to one embodiment, corrosion of the thermal spray coating layer 420 can be prevented by forming a vapor deposition layer 440 on the thermal spray coating layer 420. According to one embodiment, a desired color can be realized by forming a vapor deposition layer 440 on the spray coating layer 420. According to one embodiment, as the deposition coating layer 440 is formed on a portion of the housing 400, various designs and pattern shapes can be implemented.

도 6은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제1 공정(S10) 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 8은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제2 공정(S20) 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 9는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제3 공정(S30) 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 10a는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 용사 코팅층(420)의 두께 차이에 따른 명도 차이를 나타낸 도면이다. 도 10b는, 본 개시의 일 실시예에 따른, 레이저 가공 두께 차이에 따른 광택도 차이를 나타낸 도면이다. 도 11은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제4 공정(S40) 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 12은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제5 공정(S50) 단계를 설명하기 위한 도면이다. 도 13은, 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징(400)의 제조 방법 중 제6 공정(S60) 단계를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a flowchart for explaining a manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 7 is a diagram for explaining the first process (S10) step in the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 8 is a diagram for explaining the second process (S20) step in the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 9 is a diagram for explaining the third process (S30) step in the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 10A is a diagram showing the difference in brightness according to the difference in thickness of the thermal spray coating layer 420, according to an embodiment of the present disclosure. Figure 10b is a diagram showing the difference in gloss according to the difference in laser processing thickness, according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 11 is a diagram for explaining the fourth process (S40) step of the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 12 is a diagram for explaining the fifth process (S50) step of the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure. FIG. 13 is a diagram for explaining the sixth process step (S60) in the manufacturing method of the housing 400 according to an embodiment of the present disclosure.

도 6 내지 도 13을 참조할 때, 전자 장치(101)의 하우징(400)은 알루미늄 기판(410), 용사 코팅층(420), 산화 피막층(430), 증착 피막층(440)을 포함할 수 있다. 도 6 내지 도 13을 참조할 때, 하우징(400), 알루미늄 기판(410), 용사 코팅층(420), 산화 피막층(430), 및 증착 피막층(440)의 구성은 도 5의 하우징(400), 알루미늄 기판(410), 용사 코팅층(420), 산화 피막층(430), 및 증착 피막층(440)의 구성과 전부 또는 일부가 동일할 수 있다. 도 6 내지 도 13의 구조는 도 5의 구조와 선택적으로 결합 가능할 수 있다.6 to 13 , the housing 400 of the electronic device 101 may include an aluminum substrate 410, a thermal spray coating layer 420, an oxide layer 430, and a vapor deposition layer 440. 6 to 13, the configuration of the housing 400, the aluminum substrate 410, the sprayed coating layer 420, the oxide layer 430, and the deposition layer 440 are the same as those of the housing 400 of FIG. 5, All or part of the configuration of the aluminum substrate 410, the sprayed coating layer 420, the oxide layer 430, and the vapor deposition layer 440 may be the same. The structures of FIGS. 6 to 13 may be selectively combined with the structure of FIG. 5 .

도 6 내지 도 13에 따르면, Z축으로 정의되는 공간 좌표계가 도시된다. 여기서 Z축은 하우징(400)의 두께 방향을 나타낼 수 있다.According to Figures 6 to 13, a spatial coordinate system defined by the Z axis is shown. Here, the Z-axis may represent the thickness direction of the housing 400.

일 실시예에 따르면, 도 6를 참조할 때, 하우징(400)의 제조 방법은, 알루미늄 기판(410)에 열용사 코팅(thermal spray)을 하는 제1 공정(S10), 알루미늄 기판(410) 상에 형성된 용사 코팅층(420)을 폴리싱(polishing)하는 제2 공정(S20), 용사 코팅층(420)의 적어도 일부를 레이저(laser)를 통해 가공하는 제3 공정(S30), 양극 산화공정을 통해 산화 피막층(430)을 형성하는 제4 공정(S40), 증착 공정을 통해 증착 피막층(440)을 형성하는 제5 공정(S50), 및 증착 피막층(440)의 적어도 일부를 레이저(laser)를 통해 가공하는 제6 공정(S60)을 포함할 수 있다. 다만, 하우징(400)의 제조 방법은, 공정들 중 적어도 하나가 생략되거나, 하나 이상의 다른 공정이 추가될 수 있다.According to one embodiment, when referring to FIG. 6, the manufacturing method of the housing 400 includes a first process (S10) of thermal spray coating on the aluminum substrate 410, A second process (S20) of polishing the thermal spray coating layer 420 formed on the thermal spray coating layer 420, a third process (S30) of processing at least a portion of the thermal spray coating layer 420 using a laser, and oxidation through an anodic oxidation process. A fourth process (S40) of forming the coating layer 430, a fifth process (S50) of forming the deposition coating layer 440 through a deposition process, and processing at least a portion of the deposition coating layer 440 using a laser. It may include a sixth process (S60). However, in the manufacturing method of the housing 400, at least one of the processes may be omitted or one or more other processes may be added.

일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 알루미늄(Al) 기판을 사용할 수 있다. 알루미늄 금속은 전자 기기의 외장재에 많이 사용될 수 있다. According to one embodiment, the housing 400 may use an aluminum (Al) substrate. Aluminum metal can be widely used in exterior materials for electronic devices.

일 실시예에 따르면, 도 6 및 도 7을 참조할 때, 알루미늄 기판(410)에 열용사 코팅(thermal spray coating)을 통해 용사 코팅층(420)을 형성하는 제1 공정(S10)을 진행할 수 있다. 알루미늄 기판(410) 표면에 열용사 코팅(thermal spray)을 진행할 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 기판(410) 표면에 플라즈마 열용사 코팅(thermal spray)을 진행할 수 있다. 제1 공정(S10)은 특정한 물성을 얻기 위해 가스, 플라즈마 또는 레이저를 이용하여, 고온의 열원을 발생시키는 용사장치에 분말 또는 와이어 형태의 용사재료를 주입하여 고속으로 모재 표면에 충돌, 적층시켜 용사 코팅층(420)을 형성시키는 공정일 수 있다. 최근, 예를 들면, 항공 분야에서 열차단 코팅(Thermal Barrier Coating) 등에 널리 사용되고 있다. 플라즈마 열용사 코팅의 용사재료는, 예를 들어, 금속, 비금속, 세라믹일 수 있다. 제1 공정(S10)은 표면에 요구되는 특정 성질을 갖는 분말, 봉 형태의 코팅재를 대기나 진공분위기에서 플라즈마 등의 다양한 열원을 사용하여 용융, 반용융 시킨 후 고속으로 분사하여 용사 코팅층(420)을 형성시키는 표면 가공 방법일 수 있다. 코팅재는 예를 들어, 분말 형태의 이산화 타이타늄(TiO2)일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 기판(410) 표면에 이산화 타이타늄(TiO2) 용사 분말로 코팅을 진행할 수 있다. According to one embodiment, when referring to FIGS. 6 and 7, the first process (S10) of forming the spray coating layer 420 on the aluminum substrate 410 through thermal spray coating may be performed. . Thermal spray coating may be performed on the surface of the aluminum substrate 410. For example, plasma thermal spray coating may be performed on the surface of the aluminum substrate 410. The first process (S10) uses gas, plasma, or a laser to obtain specific properties by injecting powder or wire-type spraying material into a spraying device that generates a high-temperature heat source, colliding with and laminating the base material surface at high speed, and thermalizing. This may be a process of forming the coating layer 420. Recently, for example, it has been widely used as thermal barrier coating in the aviation field. The spray material for plasma thermal spray coating may be, for example, metal, non-metal, or ceramic. In the first process (S10), a coating material in the form of a powder or rod having specific properties required for the surface is melted or semi-melted using various heat sources such as plasma in an air or vacuum atmosphere, and then sprayed at high speed to form a thermal spray coating layer 420. It may be a surface processing method to form a . The coating material may be, for example, titanium dioxide (TiO2) in powder form. For example, the surface of the aluminum substrate 410 may be coated with titanium dioxide (TiO2) thermal spray powder.

일 실시예에 따르면, 제1 공정(S10)을 통해 형성된 용사 코팅층(420)의 두께(t1-1)는 예를 들어, 대략 200㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다. 가공 시간 및/또는 가공 비용을 고려했을 때, 열용사 코팅을 통해 형성된 용사 코팅층(420)의 두께는 예를 들어, 대략 400㎛ 이하가 바람직할 수 있다. According to one embodiment, the thickness (t1-1) of the thermal spray coating layer 420 formed through the first process (S10) may be, for example, approximately 200 ㎛ or more and 500 ㎛ or less. Considering processing time and/or processing cost, the thickness of the thermal spray coating layer 420 formed through thermal spray coating may preferably be, for example, approximately 400 μm or less.

일 실시예에 따르면, 알루미늄 기판(410) 상에 용사 코팅층(420)이 형성될 수 있다. 일반적인 전자 장치에서 열용사 공정은 녹이 발생하거나 틈(crack)이 발생하여 강성이 약해질 경우 표면을 차폐하거나 산화 방지 역할을 위해 사용되었다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 하우징(400) 상에 용사 코팅층(420)이 형성되어 티타늄, 스테인레스와 유사한 외관 표면을 구현할 수 있다. 하우징(400) 상에 용사 코팅층(420)이 형성되어 티타늄, 스테인레스와 유사한 광택을 구현할 수 있다.According to one embodiment, a thermal spray coating layer 420 may be formed on the aluminum substrate 410. In general electronic devices, the thermal spraying process is used to shield the surface or prevent oxidation when rust or cracks occur and strength is weakened. According to one embodiment of the present invention, a thermal spray coating layer 420 is formed on the housing 400 to create an external surface similar to titanium or stainless steel. The thermal spray coating layer 420 is formed on the housing 400 to achieve a gloss similar to titanium or stainless steel.

일 실시예에 따르면, 도 6 및 도 8을 참조할 때, 알루미늄 기판(410) 상에 형성된 용사 코팅층(420)을 폴리싱(polishing)하는 제2 공정(S20)을 진행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 공정(폴리싱 공정)(S20)은 용사 코팅층(420)의 표면을 매끄럽게 연마하기 위함일 수 있다. 제2 공정(폴리싱 공정)(S20)을 통해 용사 코팅층(420) 표면의 마감을 형성할 수 있다. 제2 공정(폴리싱 공정)(S20)은 연마제를 이용하여 표면을 닦거나, 연마재의 두께가 두꺼운 경우에는 절삭공구를 사용하여 용사 코팅층(420)의 표면을 가공한 뒤 연마제를 통해 표면을 가공 할 수 있다. According to one embodiment, when referring to FIGS. 6 and 8 , a second process (S20) of polishing the thermal spray coating layer 420 formed on the aluminum substrate 410 may be performed. According to one embodiment, the second process (polishing process) (S20) may be performed to smoothly polish the surface of the spray coating layer 420. The surface of the thermal spray coating layer 420 can be finished through the second process (polishing process) (S20). The second process (polishing process) (S20) is to polish the surface using an abrasive, or, if the thickness of the abrasive is thick, process the surface of the thermal spray coating layer 420 using a cutting tool and then process the surface with an abrasive. You can.

일 실시예에 따르면, 제2 공정(S20)을 통해 가공된 용사 코팅층(420)의 두께(t1-2)는 예를 들어, 대략 10㎛ 이상 30㎛ 이하일 수 있다. 제2 공정(S20)을 통해 가공된 용사 코팅층(420)의 두께(t1-2)는 예를 들어, 대략 20㎛일 수 있다. 다만, 하우징(400)의 제조 방법에서, 제2 공정(S20)은 실시 조건 및 설계 방법에 따라 생략될 수 있다.According to one embodiment, the thickness (t1-2) of the thermal spray coating layer 420 processed through the second process (S20) may be, for example, approximately 10 μm or more and 30 μm or less. The thickness (t1-2) of the spray coating layer 420 processed through the second process (S20) may be, for example, approximately 20㎛. However, in the manufacturing method of the housing 400, the second process (S20) may be omitted depending on implementation conditions and design methods.

일 실시예에 따르면, 도 6 및 도 9를 참조할 때, 용사 코팅층(420)의 적어도 일부를 레이저(laser)를 통해 가공하는 제3 공정(레이저 공정)(S30)을 진행할 수 있다. 제3 공정(레이저 공정)(S30)은 폴리싱으로 연마된 하우징(400) 상에 원하는 디자인 형상을 구현하기 위함일 수 있다. 하우징(400) 상에 원하는 디자인 형상을 구현하기 위해 용사 코팅층(420)의 적어도 일부를 국부적으로 레이저로 가공하여 두께가 상이한 복수 개의 영역으로 구성될 수 있다. 두께 차이에 의해 색상의 명도 차이가 발생하여 원하는 디자인 형상을 구현할 수 있다. According to one embodiment, when referring to FIGS. 6 and 9 , a third process (laser process) (S30) of processing at least a portion of the spray coating layer 420 using a laser may be performed. The third process (laser process) (S30) may be performed to implement a desired design shape on the polished housing 400. In order to implement a desired design shape on the housing 400, at least a portion of the thermal spray coating layer 420 may be locally processed with a laser to form a plurality of regions with different thicknesses. Differences in thickness cause differences in color brightness, allowing the desired design shape to be realized.

일 실시예에 따르면, 제3 공정(레이저 공정)(S30) 후 용사 코팅층(420)은 제1 두께(t1)를 가지는 제1 영역(421) 및 제1 두께(t1)보다 얇은 제2 두께(t2)를 가지는 제2 영역(422)을 포함할 수 있다. 제1 두께(t1)는 예를 들어, 대략 5㎛ 이상 15㎛ 이하일 수 있다. 제1 두께(t1)는 예를 들어, 대략 10㎛일 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 대략 5㎛ 이하일 수 있다. 제2 두께(t2)는 예를 들어, 대략 3㎛ 이하일 수 있다. 절삭 두께에 따라 레이저 장비가 상이할 수 있다. 예를 들어, 절삭 두께가 1㎛ 미만인 경우 UV Laser를 사용할 수 있다. 예를 들어, 절삭 두께가 대략 1㎛ 이상 5㎛ 인 경우 IR Laser를 사용할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 영역(421) 및 제2 영역(422)의 두께 차이는 예를 들어, 대략 1㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, after the third process (laser process) (S30), the thermal spray coating layer 420 includes a first region 421 having a first thickness t1 and a second thickness thinner than the first thickness t1 ( It may include a second area 422 having t2). For example, the first thickness t1 may be approximately 5 μm or more and 15 μm or less. For example, the first thickness t1 may be approximately 10㎛. For example, the second thickness t2 may be approximately 5 μm or less. For example, the second thickness t2 may be approximately 3 μm or less. Laser equipment may differ depending on the cutting thickness. For example, if the cutting thickness is less than 1㎛, UV Laser can be used. For example, if the cutting thickness is approximately 1㎛ or more to 5㎛, IR Laser can be used. According to one embodiment, the thickness difference between the first area 421 and the second area 422 may be, for example, approximately 1 μm or more and 5 μm or less.

일 실시예에 따르면, 제2 두께(t2)는 0㎛을 포함할 수 있다. 용사 코팅층(420)은 알루미늄 기판(410)의 적어도 일부 상에 형성된 제1 두께(t1)를 가지는 제1 영역(421)으로만 이루어질 수 있다.According to one embodiment, the second thickness t2 may include 0㎛. The thermal spray coating layer 420 may consist only of a first region 421 having a first thickness t1 formed on at least a portion of the aluminum substrate 410.

일 실시예에 따르면, 도 10a를 참조할 때, 제1 영역(421) 및 제2 영역(422)의 절삭 두께 차이에 따른 밝기 차이를 비교한 사진이다. 도 10a의 (a)는 제1 영역(421)의 제1 두께(t1) 및 제2 영역(422)의 제2 두께(t2)의 두께 차이가 대략 1㎛이하일 때의 밝기 차이를 나타내었다. 도 10a의 (b)는 제1 영역(421)의 제1 두께(t1) 및 제2 영역(422) 의 제2 두께(t2)의 두께 차이가 대략 1㎛이상 3㎛이하일 때의 밝기 차이를 나타내었다. 도 10a의 (c)는 제1 영역(421)의 제1 두께(t1) 및 제2 영역(422)의 제2 두께(t2)의 절삭 두께 차이가 3㎛이상 5㎛이하일 때의 밝기 차이를 나타내었다. (a)에서 (c)로 갈수록, 두께 차이가 크고, 밝기 차이가 크고 명확하다는 사실을 확인할 수 있다.According to one embodiment, referring to FIG. 10A, this is a photo comparing the difference in brightness according to the difference in cutting thickness between the first area 421 and the second area 422. Figure 10a (a) shows the brightness difference when the thickness difference between the first thickness t1 of the first area 421 and the second thickness t2 of the second area 422 is approximately 1 μm or less. Figure 10a(b) shows the brightness difference when the thickness difference between the first thickness t1 of the first area 421 and the second thickness t2 of the second area 422 is approximately 1㎛ or more and 3㎛ or less. indicated. Figure 10a(c) shows the brightness difference when the cutting thickness difference between the first thickness t1 of the first area 421 and the second thickness t2 of the second area 422 is 3㎛ or more and 5㎛ or less. indicated. As you go from (a) to (c), you can see that the thickness difference is large and the brightness difference is large and clear.

일 실시예에 따르면, 도 10b를 참조할 때, 제1 영역(421) 및 제2 영역(422)의 레이저 가공 두께 차이에 따른 광택도(value) 차이를 비교한 사진이다. 도 10b의 (a), 및 (b)의 제1 영역(421)의 제1 두께(t1)는 동일할 수 있다. 도 10b의 (a), 및 (b)의 제1 영역(421)의 광택도는 0.8일 수 있다. 도 10b의 (a), 및 (b)의 제2 영역(422)의 제2 두께(t2)는 상이할 수 있고, 이에 따른 광택도 차이가 나타날 수 있다. 제2 영역(422)의 제2 두께(t2)는 (a)보다 (b)가 상대적으로 두꺼울 수 있다. (a)의 제2 영역(422)의 광택도는 25일 수 있다. 도 10b의 (b)의 제2 영역(422)의 광택도는 17일 수 있다. 제2 영역(422)의 광택도와 제1 영역(421)의 광택도의 차이는 두께 차이가 상대적으로 작은(b)보다 두께 차이가 상대적으로 큰 도 10b의(a)가 더 클 수 있다.According to one embodiment, referring to FIG. 10B, this is a photograph comparing the difference in glossiness (value) according to the difference in laser processing thickness of the first area 421 and the second area 422. The first thickness t1 of the first region 421 in (a) and (b) of FIG. 10B may be the same. The glossiness of the first area 421 in (a) and (b) of FIG. 10B may be 0.8. The second thickness t2 of the second region 422 in (a) and (b) of FIGS. 10B may be different, and a difference in gloss may appear accordingly. The second thickness t2 of the second region 422 may be relatively thicker in (b) than in (a). The glossiness of the second area 422 in (a) may be 25. The glossiness of the second area 422 in (b) of FIG. 10B may be 17. The difference between the glossiness of the second area 422 and the first area 421 may be greater in (a) of FIG. 10B where the thickness difference is relatively large than in (b) where the thickness difference is relatively small.

일 실시예에 따르면, 도 11을 참조할 때, 양극 산화공정을 통해 산화 피막층(430)을 형성하는 제4 공정(S40)을 진행할 수 있다. 제4 공정(S40)을 통해 새로운 질감, 깊이감 있는 색상을 구현할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 산화 피막층(430)은 용사 코팅층(420) 및/또는 알루미늄 기판(410) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 산화 피막층(430)은 알루미늄 기판(410) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420)의 제1 영역(421), 및 제1 영역(421)과 두께가 상이한 제2 영역(422)에 아노다이징(anodizing)을 수행할 수 있다. 제조상의 편의를 위해 산화 피막층(430) 및 알루미늄 기판(410)에 아노다이징을 수행할 수 있으나, 실질적으로 알루미늄 기판(410) 상에 형성된 산화 피막층(430)이 의미를 가진다. 아노다이징은 양극 산화처리를 의미하며, 도금하고자 하는 금속을 양극으로 전기 화학적으로 산화피막을 만드는 공정일 수 있다. 예를 들어, 알루미늄 표면의 후처리 용도로 많이 사용될 수 있다. 아노다이징 공정은 크게 전처리 단계, 아노다이징 단계, 착색 단계, 및 후처리 단계로 구분될 수 있다. 다만, 상기 아노다이징 공정의 각 단계는 필요에 따라 생략될 수 있다. According to one embodiment, referring to FIG. 11 , the fourth process (S40) of forming the oxide film layer 430 through an anodizing process may be performed. Through the fourth process (S40), new textures and deep colors can be realized. According to one embodiment, the oxide film layer 430 may be formed on the spray coating layer 420 and/or the aluminum substrate 410. According to one embodiment, the oxide film layer 430 may be formed on the aluminum substrate 410. According to one embodiment, anodizing may be performed on the first region 421 of the thermal spray coating layer 420 and the second region 422 whose thickness is different from the first region 421. For manufacturing convenience, anodizing may be performed on the oxide film layer 430 and the aluminum substrate 410, but the oxide film layer 430 formed on the aluminum substrate 410 is actually meaningful. Anodizing refers to anodizing, and can be a process of electrochemically creating an oxide film on the metal to be plated using an anode. For example, it can be widely used for post-processing of aluminum surfaces. The anodizing process can be largely divided into a pre-treatment step, anodizing step, coloring step, and post-treatment step. However, each step of the anodizing process may be omitted as needed.

일 실시예에 따르면, 전처리 단계는 탈지 공정, 및 디스멋 공정과 같은 공정을 포함할 수 있다. 탈지 공정은 제품에 묻어있는 얼룩과 같은 오염원을 제거하기 위해 진행될 수 있다. 탈지 공정은 상황에 따라 탈지 액을 산성, 또는 중성으로 선택적으로 적용할 수 있다. 디스멋 공정은 탈지 공정으로부터 발생한 소재 표면의 스멋(smut) 및 이물을 제거하기 위해 진행될 수 있다. According to one embodiment, the pretreatment step may include processes such as a degreasing process and a dismut process. The degreasing process can be performed to remove contaminants such as stains on the product. The degreasing process can selectively apply acidic or neutral degreasing liquid depending on the situation. The dismut process may be performed to remove smut and foreign substances on the surface of the material generated from the degreasing process.

일 실시예에 따르면, 전처리 단계 이후, 알루미늄 기판(410)의 표면을 아노다이징 처리할 수 있다. 아노다이징 단계에서는 알루미늄 기판(410)에 전압을 인가하면서 산소와 반응을 일으키고, 밀도가 높은 산화 피막을 형성할 수 있다. 아노다이징 피막은 원 소재의 형상에 따라 수직으로 성장할 수 있다. 예를 들어 고광택 표면의 경우, 피막 또한 평탄하게 성장할 수 있다.According to one embodiment, after the pretreatment step, the surface of the aluminum substrate 410 may be anodized. In the anodizing step, a voltage is applied to the aluminum substrate 410 to cause a reaction with oxygen, forming a high-density oxide film. The anodizing film can grow vertically depending on the shape of the raw material. For example, in the case of high-gloss surfaces, the film can also grow flat.

일 실시예에 따르면, 아노다이징 처리 이후, 착색 공정을 진행할 수 있다. 착색 공정은 아노다이징 처리된 산화피막에 컬러를 발현시키는 공정일 수 있다. 착색 공정에는 침지법, 전해착색법, 및/또는 유성법과 같은 공정이 있을 수 있다. 침지법은 염료가 용해되어 있는 용액에 제품을 침적하여 확산 및 흡착된 염료로부터 컬러를 구현하는 방법일 수 있다. 전해착색법은 금속염 전해액에서 전류를 인가하여 발색을 일으키는 방법일 수 있다. 유성법은 산화피막을 감광 처리하여 건조한 뒤 유성 염료를 붓으로 칠하는 착색 방법일 수 있다. 침지법의 염료 종류로는 유기 염료와 무기 염료가 모두 포함될 수 있고, 침지법의 염료들이 주로 물에 용해된다는 점에서 수성법이라고 칭할 수도 있다. 착색 공정을 통해 원하는 색상을 구현할 수 있다.According to one embodiment, after anodizing treatment, a coloring process may be performed. The coloring process may be a process of developing color on the anodized oxide film. The coloring process may include processes such as dipping, electrolytic coloring, and/or oil-based coloring. The immersion method may be a method of implementing color from the diffused and adsorbed dye by immersing the product in a solution in which the dye is dissolved. Electrolytic coloring may be a method of producing color by applying electric current in a metal salt electrolyte solution. The oil-based method may be a coloring method in which the oxide film is photosensitive, dried, and then oil-based dye is applied with a brush. Types of dyes in the immersion method may include both organic dyes and inorganic dyes, and the dyes in the immersion method are mainly dissolved in water, so it can also be called an aqueous method. The desired color can be achieved through the coloring process.

일 실시예에 따르면, 착색 공정 이후에 후처리 단계를 진행할 수 있다. 후처리 단계에서는 피막 봉공 처리와 봉공 후처리를 진행할 수 있다. 봉공 처리는 금속염을 포함한 처리법, 유기물로 이루어진 비금속염 처리법, 및 물과 수증기를 이용한 수화봉공 처리법을 포함할 수 있다. 봉공 후처리는 금속염 제거를 위한 용출 공정, 및 이물 세척을 위한 온수세 공정을 포함할 수 있다. 후처리 단계는 아노다이징과 착색 처리를 한 자재의 외관 안정성과 신뢰성을 위해 진행될 수 있다.According to one embodiment, a post-processing step may be performed after the coloring process. In the post-processing step, film sealing treatment and sealing post-processing can be performed. The sealing treatment may include a treatment method including a metal salt, a non-metal salt treatment method made of organic matter, and a hydration sealing treatment method using water and water vapor. Post-sealing treatment may include an elution process to remove metal salts and a hot water washing process to wash foreign substances. Post-treatment steps can be carried out to ensure the appearance stability and reliability of anodized and colored materials.

일 실시예에 따르면, 제4 공정(S40)을 통해 형성된 산화 피막층(430)의 두께(t3)는 예를 들어, 대략7㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있다. 산화 피막층(430)의 두께(t3)는 예를 들어, 대략 8㎛일 수 있다.According to one embodiment, the thickness t3 of the oxide film layer 430 formed through the fourth process (S40) may be, for example, approximately 7 μm or more and 10 μm or less. The thickness t3 of the oxide film layer 430 may be, for example, approximately 8 μm.

일 실시예에 따르면, 도 12를 참조할 때, 증착 공정을 통해 증착 피막층(440)을 형성하는 제5 공정(S50)을 진행할 수 있다. 증착(deposition) 공정이란, 진공 상태에서 금속을 가열 및/또는 증발시켜 그 증기를 물체 표면에 얇은 막으로 입히는 공정이다. 일반적으로 증착 공정은 렌즈의 코팅, 전자 부품이나 반도체 따위의 피막 형성에 이용될 수 있다. 증착 공정은 크게 PVD(physical vapor deposition) 증착과 CVD(chemical vapor deposition) 증착을 포함할 수 있다. PVD 증착이란, 화학반응을 수반하지 않는 증착법일 수 있다. PVD 증착이란, 물리적 기상 증착일 수 있으며, 증착하고자 하는 박막과 같은 재료를 진공(vapor)중에서 증발(evaporation) 혹은 스퍼터링(sputtering)을 시켜 모재 위에 증착시키는 기술이다. 진공 속에 열로 가열시켜 증착하거나 열 대신 전자빔을 이용하여 증착 물질을 가열하여 증발시킬 수도 있다. CVD 증착이란, 화학 반응을 통해 형성된 가스(gas) 형태의 입자나 분자를 통해 증착하는 방법이다. According to one embodiment, when referring to FIG. 12, a fifth process (S50) of forming the deposition coating layer 440 through a deposition process may be performed. The deposition process is a process of heating and/or evaporating metal in a vacuum and coating the vapor as a thin film on the surface of an object. In general, the deposition process can be used to form coatings for lenses, electronic components, or semiconductors. The deposition process may broadly include physical vapor deposition (PVD) deposition and chemical vapor deposition (CVD) deposition. PVD deposition may be a deposition method that does not involve a chemical reaction. PVD deposition, which may be physical vapor deposition, is a technology in which a material such as a thin film to be deposited is deposited on a base material by evaporation or sputtering in a vacuum. It can be deposited by heating it with heat in a vacuum, or the deposited material can be heated and evaporated using an electron beam instead of heat. CVD deposition is a method of depositing using gas particles or molecules formed through a chemical reaction.

일 실시예에 따르면, 제5 공정(S50)은 높은 에너지를 가진 입자들을 증착모재에 충돌시키는 스퍼터링(sputtering) PVD 증착 공정으로 진행할 수 있다. 스퍼터링(sputtering) PVD 증착 공정은, 진공상태에서 진행될 수 있다. 증착 기판에 양극(+)을 연결하고, 시료(target) 기판에 음극(-)을 연결한다. 그 후, 비활성 기체(예: 아르곤(Ar))를 채우고, 고전압을 건다. 이 때, 음극에서 전자가 방출되어 양극으로 가속되면서 전자가 비활성 기체와 충돌하게 된다. 충돌하면서 비활성 기체(Ar)가 이온화(Ar+) 되어 음극(-)인 시료 기판에 충돌하게 된다. 시료 기판이 이온화된 비활성기(Ar+)체와 충돌하면서 시료 기판에 존재하는 원자가 튀어나오고, 이 원자들이 기판에 증착되면서 박막을 형성하게 될 수 있다. 시료 기판은 예를 들어, 티타늄(Ti), 규소(Si), 알루미늄(Al)와 같은 금속 기판일 수 있다. According to one embodiment, the fifth process (S50) may be performed as a sputtering PVD deposition process in which particles with high energy collide with the deposition base material. The sputtering PVD deposition process can be carried out in a vacuum. Connect the anode (+) to the deposition substrate, and connect the cathode (-) to the sample (target) substrate. Afterwards, inert gas (e.g. argon (Ar)) is filled and high voltage is applied. At this time, electrons are emitted from the cathode and accelerated toward the anode, causing the electrons to collide with the inert gas. Upon collision, the inert gas (Ar) is ionized (Ar+) and collides with the sample substrate, which is the cathode (-). As the sample substrate collides with the ionized inert group (Ar+), atoms present on the sample substrate pop out, and these atoms may be deposited on the substrate to form a thin film. For example, the sample substrate may be a metal substrate such as titanium (Ti), silicon (Si), or aluminum (Al).

일 실시예에 따르면, 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420) 위에 형성될 수 있다. 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420)의 적어도 일부 위에 형성될 수 있다. 증착 피막층(440)은 용사 코팅층(420)의 제1 영역(421) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 증착 피막층(440)은 산화 피막층(430) 위에 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420) 위에 증착 피막층(440)을 형성하여 용사 코팅층(420)의 부식을 방지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 용사 코팅층(420) 위에 증착 피막층(440)을 형성하여 원하는 컬러를 구현할 수 있다.According to one embodiment, the deposition coating layer 440 may be formed on the spray coating layer 420. The deposition coating layer 440 may be formed on at least a portion of the spray coating layer 420 . The deposition coating layer 440 may be formed on the first region 421 of the thermal spray coating layer 420. According to one embodiment, the deposition film layer 440 may be formed on the oxide film layer 430. According to one embodiment, corrosion of the thermal spray coating layer 420 can be prevented by forming a vapor deposition layer 440 on the thermal spray coating layer 420. According to one embodiment, a desired color can be realized by forming a vapor deposition layer 440 on the spray coating layer 420.

일 실시예에 따르면, 제4 공정(S40)을 통해 형성된 증착 피막층(440)의 두께(t4)는 얇게 형성될 수 있다. 제4 공정(S40)을 통해 형성된 증착 피막층(440)의 두께(t4)는 예를 들어, 대략 2㎛ 이하일 수 있다. 증착 피막층(440)의 두께(t4)는 예를 들어, 대략 1㎛일 수 있다.According to one embodiment, the thickness t4 of the deposition coating layer 440 formed through the fourth process (S40) may be formed to be thin. The thickness t4 of the deposition coating layer 440 formed through the fourth process (S40) may be, for example, approximately 2 μm or less. The thickness t4 of the deposition coating layer 440 may be, for example, approximately 1 μm.

일 실시예에 따르면, 도 13을 참조할 때, 증착 피막층(440)의 적어도 일부를 레이저(laser)를 통해 가공하는 제6 공정(S60)을 진행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제6 공정(S60)은 용사 코팅층(420)의 제2 영역(422) 위에 형성된 증착 피막층(440)을 제거할 수 있다. 절삭 두께에 따라 레이저 장비가 상이할 수 있다. 예를 들어, 절삭 두께가 대략 1㎛ 미만인 경우 UV Laser를 사용할 수 있다. 예를 들어, 절삭 두께가 대략 1㎛ 이상 5㎛ 인 경우 IR Laser를 사용할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제6 공정(S60)의 레이저 공정은 UV Laser를 사용할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제6 공정(S60)에 의해 절삭되는 두께는 대략 3㎛ 이하일 수 있다. 제6 공정(S60)에 의해 절삭되는 두께는 대략 1㎛ 이상 2㎛이하 일 수 있다. 레이저 공정은 UV Laser를 사용할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제6 공정(S60)을 통해 산화 피막층(430)은 제거되지 않을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제6 공정(S60)을 통해 다양한 디자인, 패턴 형상을 구현할 수 있다. According to one embodiment, when referring to FIG. 13, a sixth process (S60) of processing at least a portion of the deposition coating layer 440 using a laser may be performed. According to one embodiment, the sixth process (S60) may remove the deposition coating layer 440 formed on the second region 422 of the spray coating layer 420. Laser equipment may differ depending on the cutting thickness. For example, if the cutting thickness is less than approximately 1㎛, UV Laser can be used. For example, if the cutting thickness is approximately 1㎛ or more to 5㎛, IR Laser can be used. According to one embodiment, the laser process of the sixth process (S60) may use a UV laser. According to one embodiment, the thickness cut by the sixth process (S60) may be approximately 3㎛ or less. The thickness cut by the sixth process (S60) may be approximately 1㎛ or more and 2㎛ or less. The laser process can use UV Laser. According to one embodiment, the oxide film layer 430 may not be removed through the sixth process (S60). According to one embodiment, various designs and pattern shapes can be implemented through the sixth process (S60).

일 실시예에 따르면, 최종 하우징(400)의 가공 깊이는 예를 들어, 대략 5㎛ 이상 30㎛ 이하일 수 있다. 다만, 최종 하우징(400)의 가공 깊이는 필요에 따라 깊이 변화를 다르게 할 수 있다. 가공 깊이와 폭을 조절함에 따라 다양한 질감이 가능하다.According to one embodiment, the processing depth of the final housing 400 may be, for example, approximately 5 μm or more and 30 μm or less. However, the processing depth of the final housing 400 may vary in depth as needed. Various textures are possible by adjusting the processing depth and width.

전자 장치의 하우징(400)은, 예를 들어, 알루미늄, 스테인레스, 티타늄, 마그네슘과 같은 금속 소재를 포함할 수 있다. 이중 티타늄, 스테인레스와 같은 고강성, 난삭재 소재를 포함하는 하우징(400)은 고광택 표면 구현이 가능할 수 있다. 다만, 티타늄, 스테인레스와 같은 고강성, 난삭재 소재는 무거운 무게, 가공이 어려워 비용이 상승하는 점, 외관 질감 구현의 한계가 있을 수 있다. The housing 400 of the electronic device may include, for example, a metal material such as aluminum, stainless steel, titanium, or magnesium. Among these, the housing 400 containing high-rigidity, difficult-to-cut materials such as titanium and stainless steel may be capable of realizing a high-gloss surface. However, high-rigidity, difficult-to-cut materials such as titanium and stainless steel are heavy, difficult to process, which increases costs, and may have limitations in realizing exterior texture.

본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치의 하우징(400)은, 알루미늄 소재를 포함하고, 외관 후처리 기능을 다양하게 형성하여 종래의 문제점을 해결하고 새롭고 차별화된 외관 다자인을 구현하기 위한 방법일 수 있다.The housing 400 of an electronic device according to an embodiment of the present disclosure may be a method for solving conventional problems and implementing a new and differentiated exterior design by including an aluminum material and forming various exterior post-processing functions. there is.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 알루미늄 소재를 포함하는 하우징(400)을 가공하여 티타늄, 스테인레스와 같은 난삭재 금속 소재와 유사한 표면을 형성하고, 폴리싱, Laser 가공과 같은 후처리를 통한 새로운 디자인과 질감을 구현할 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, the housing 400 containing an aluminum material is processed to form a surface similar to a difficult-to-cut metal material such as titanium or stainless steel, and a new design is created through post-processing such as polishing and laser processing. Texture can be implemented.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 하우징(400)은 금속 소재 중 가공이 어렵고 후처리가 제한적인 티타늄, 스테인레스와 같은 소재를 대신하여 알루미늄 소재를 포함할 수 있다. 알루미늄 소재를 티타늄, 스테인레스와 유사한 질감 및/또는 광택을 가지는 하우징(400)으로 가공할 수 있다. 알루미늄 소재를 사용하여 티타늄, 스테인레스와 같은 난삭재 소재 사용 시 구현 할 수 없었던 후처리 기술들을 적용할 수 있다. According to an embodiment of the present disclosure, the housing 400 may include aluminum instead of titanium or stainless steel, which are difficult to process and have limited post-processing among metal materials. Aluminum material can be processed into a housing 400 with a texture and/or gloss similar to titanium or stainless steel. By using aluminum, post-processing technologies that could not be implemented when using difficult-to-cut materials such as titanium and stainless steel can be applied.

다만, 본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것은 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확정될 수 있을 것이다.However, the problems to be solved by the present disclosure are not limited to the above-mentioned problems, and may be determined in various ways without departing from the spirit and scope of the present disclosure.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 하우징(도 5의 400)을 포함하는 전자 장치에 있어서, 상기 하우징은, 알루미늄 기판(도 5의 410), 제1 두께(도 5의 t1)를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께(도 5의 t2)를 가지는 제2 영역을 포함하고, 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 용사 코팅층(도 5의 420), 상기 용사 코팅층 또는 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 산화 피막층(도 5의 430), 및 상기 용사 코팅층의 적어도 일부 위에 형성된 증착 피막층(도 5의 440)을 포함할 수 있다.In an electronic device including a housing (400 in FIG. 5) according to various embodiments of the present disclosure, the housing includes an aluminum substrate (410 in FIG. 5) and a first region having a first thickness (t1 in FIG. 5). and a second region having a second thickness (t2 in FIG. 5) that is thinner than the first thickness, and a thermal spray coating layer (420 in FIG. 5) formed on the aluminum substrate, the spray coating layer, or an oxide film layer formed on the aluminum substrate. (430 in FIG. 5), and a vapor deposition layer (440 in FIG. 5) formed on at least a portion of the sprayed coating layer.

일 실시예에 따르면, 상기 증착 피막층은 상기 용사 코팅층의 상기 제1 영역 위에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the deposition coating layer may be formed on the first region of the thermal spray coating layer.

일 실시예에 따르면, 상기 증착 피막층은 상기 산화 피막층의 적어도 일부 상에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the deposition film layer may be formed on at least a portion of the oxide film layer.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이는 1㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the difference between the first thickness and the second thickness may be 1 μm or more and 5 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이가 클수록 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 명도 차이가 클 수 있다.According to one embodiment, the greater the difference between the first thickness and the second thickness, the greater the difference in brightness between the first region and the second region.

일 실시예에 따르면, 상기 산화 피막층의 두께는, 7㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the oxide film layer may be 7 μm or more and 10 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 증착 피막층의 두께는 2㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the deposition coating layer may be 2㎛ or less.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 디스플레이가 배치된 전면, 상기 전면과 반대 방향을 향하는 후면, 상기 전면과 상기 후면 사이에 배치된 측면을 포함하고, 상기 하우징은 상기 전자 장치의 후면 및 측면일 수 있다.According to one embodiment, the electronic device includes a front on which a display is disposed, a rear facing in a direction opposite to the front, and a side disposed between the front and the rear, and the housing is the rear and the side of the electronic device. You can.

일 실시예에 따르면, 상기 하우징 내부에 실장된 배터리;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it may further include a battery mounted inside the housing.

일 실시예에 따르면, 디스플레이를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it may further include a display.

일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 고광택 금속 소재와 유사한 광택을 가질 수 있다.According to one embodiment, the housing may have a gloss similar to a high-gloss metal material.

본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치의 하우징 제조 방법에 있어서, 알루미늄 기판 상에 열용사 코팅을 하여 용사 코팅층을 형성하는 제1 공정, 상기 용사 코팅층을 폴리싱하는 제2 공정, 상기 용사 코팅층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하여, 상기 용사 코팅층은 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하도록 제조된 제3 공정, 양극 산화공정을 통해 산화 피막층을 형성하는 제4 공정, 증착 공정을 통해 증착 피막층을 형성하는 제5 공정, 및 상기 증착 피막층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하는 제6 공정을 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a housing for an electronic device according to various embodiments of the present disclosure, a first process of forming a thermal spray coating layer by thermal spray coating on an aluminum substrate, a second process of polishing the thermal spray coating layer, and at least one of the thermal spray coating layers. A portion is processed using a laser, and the sprayed coating layer is manufactured to include a first region having a first thickness and a second region having a second thickness thinner than the first thickness. A third process is oxidized through an anodic oxidation process. It may include a fourth process of forming a coating layer, a fifth process of forming a deposition coating layer through a deposition process, and a sixth process of processing at least a portion of the deposition coating layer through a laser.

일 실시예에 따르면, 상기 증착 피막층은 상기 용사 코팅층의 상기 제1 영역 위에 형성될 수 있다.According to one embodiment, the deposition coating layer may be formed on the first region of the thermal spray coating layer.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이는 1㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the difference between the first thickness and the second thickness may be 1 μm or more and 5 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이가 클수록 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 명도 차이가 클 수 있다.According to one embodiment, the greater the difference between the first thickness and the second thickness, the greater the difference in brightness between the first region and the second region.

일 실시예에 따르면, 상기 산화 피막층의 두께는, 7㎛ 이상 10㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the oxide film layer may be 7 μm or more and 10 μm or less.

일 실시예에 따르면, 상기 증착 피막층의 두께는 2㎛ 이하일 수 있다.According to one embodiment, the thickness of the deposition coating layer may be 2㎛ or less.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 디스플레이가 배치된 전면, 상기 전면과 반대 방향을 향하는 후면, 상기 전면과 상기 후면 사이에 배치된 측면을 포함하고, 상기 하우징은 상기 전자 장치의 후면 및 측면일 수 있다.According to one embodiment, the electronic device includes a front on which a display is disposed, a rear facing in a direction opposite to the front, and a side disposed between the front and the rear, and the housing is the rear and the side of the electronic device. You can.

일 실시예에 따르면, 디스플레이;를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, it may further include a display.

101 : 전자 장치
400 : 하우징
410 : 알루미늄 기판
420 : 용사 코팅층
421 : 제1 영역
422 : 제2 영역
T1 : 제1 두께
T2 : 제2 두께
430 : 산화 피막층
440 : 증착 피막층
101: Electronic devices
400: housing
410: Aluminum substrate
420: thermal spray coating layer
421: first area
422: Second area
T1: first thickness
T2: second thickness
430: Oxide layer
440: Deposited film layer

Claims (20)

하우징을 포함하는 전자 장치에 있어서,
상기 하우징(도 5의 400)은,
알루미늄 기판(도 5의 410);
제1 두께(도 5의 t1)를 가지는 제1 영역(도 5의 412) 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께(도 5의 t2)를 가지는 제2 영역(도 5의 422)을 포함하고, 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 용사 코팅층(도 5의 420);
상기 용사 코팅층 또는 상기 알루미늄 기판 위에 형성된 산화 피막층(도 5의 430); 및
상기 용사 코팅층의 적어도 일부 위에 형성된 증착 피막층(도 5의 440);을 포함하는 전자 장치.
In an electronic device including a housing,
The housing (400 in FIG. 5) is,
Aluminum substrate (410 in FIG. 5);
It includes a first area (412 in FIG. 5) having a first thickness (t1 in FIG. 5) and a second area (422 in FIG. 5) having a second thickness (t2 in FIG. 5) that is thinner than the first thickness. , a thermal spray coating layer formed on the aluminum substrate (420 in FIG. 5);
an oxide layer formed on the sprayed coating layer or the aluminum substrate (430 in FIG. 5); and
An electronic device including a vapor deposition layer (440 in FIG. 5) formed on at least a portion of the sprayed coating layer.
제1 항에 있어서,
상기 증착 피막층은 상기 용사 코팅층의 상기 제1 영역 위에 형성되는 전자 장치.
According to claim 1,
The electronic device wherein the deposition coating layer is formed on the first region of the spray coating layer.
제1 항 및 제2 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 피막층은 상기 산화 피막층의 적어도 일부 상에 형성되는 전자 장치.
According to any one of claims 1 and 2,
The electronic device wherein the deposition film layer is formed on at least a portion of the oxide film layer.
제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이는 1㎛ 이상 5㎛ 이하인 전자 장치.
According to any one of claims 1 to 3,
The difference between the first thickness and the second thickness is 1 μm or more and 5 μm or less.
제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이가 클수록 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 명도 차이가 큰 전자 장치.
According to any one of claims 1 to 4,
The greater the difference between the first thickness and the second thickness, the greater the difference in brightness between the first and second regions.
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화 피막층의 두께는, 7㎛ 이상 10㎛ 이하인 전자 장치.
According to any one of claims 1 to 5,
An electronic device wherein the thickness of the oxide film layer is 7 μm or more and 10 μm or less.
제1 항 내지 제6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 피막층의 두께는 2㎛ 이하인 전자 장치.
The method according to any one of claims 1 to 6,
An electronic device wherein the thickness of the deposited film layer is 2㎛ or less.
제1 항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는 디스플레이가 배치된 전면, 상기 전면과 반대 방향을 향하는 후면, 상기 전면과 상기 후면 사이에 배치된 측면을 포함하고,
상기 하우징은 상기 전자 장치의 후면 및 측면인 전자 장치.
The method according to any one of claims 1 to 7,
The electronic device includes a front side on which a display is placed, a back side facing in a direction opposite to the front side, and a side side disposed between the front side and the back side,
The housing is the rear and side surfaces of the electronic device.
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징 내부에 실장된 배터리;를 더 포함하는 전자 장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
An electronic device further comprising a battery mounted inside the housing.
제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항에 있어서,
디스플레이;를 더 포함하는 전자 장치.
The method according to any one of claims 1 to 9,
An electronic device further comprising: a display.
제1 항 내지 제10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 하우징은 고광택 금속 소재와 유사한 광택을 가지는 전자 장치.
The method according to any one of claims 1 to 10,
The housing is an electronic device having a gloss similar to that of a high-gloss metal material.
전자 장치의 하우징 제조 방법에 있어서,
알루미늄 기판 상에 열용사 코팅을 하여 용사 코팅층을 형성하는 제1 공정;
상기 용사 코팅층을 폴리싱하는 제2 공정;
상기 용사 코팅층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하여, 상기 용사 코팅층은 제1 두께를 가지는 제1 영역 및 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가지는 제2 영역을 포함하도록 제조된 제3 공정;
양극 산화공정을 통해 산화 피막층을 형성하는 제4 공정;
증착 공정을 통해 증착 피막층을 형성하는 제5 공정; 및
상기 증착 피막층의 적어도 일부를 레이저를 통해 가공하는 제6 공정;을 포함하는 전자 장치의 하우징 제조 방법.
In a method of manufacturing a housing for an electronic device,
A first process of forming a thermal spray coating layer by thermal spray coating on an aluminum substrate;
A second process of polishing the sprayed coating layer;
a third process in which at least a portion of the thermal spray coating layer is processed using a laser, so that the thermal spray coating layer includes a first region having a first thickness and a second region having a second thickness thinner than the first thickness;
A fourth process of forming an oxide film layer through an anodizing process;
A fifth process of forming a deposition film layer through a deposition process; and
A method of manufacturing a housing for an electronic device comprising a sixth process of processing at least a portion of the deposition layer using a laser.
제12 항에 있어서,
상기 증착 피막층은 상기 용사 코팅층의 상기 제1 영역 위에 형성되는 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to claim 12,
The method of manufacturing a housing for an electronic device, wherein the deposition coating layer is formed on the first region of the spray coating layer.
제 12항 및 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 피막층은 상기 산화 피막층의 적어도 일부 상에 형성되는 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 and 13,
A method of manufacturing a housing for an electronic device, wherein the deposited film layer is formed on at least a portion of the oxide film layer.
제 12항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이는 1㎛ 이상 5㎛ 이하인 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 to 14,
A method of manufacturing a housing for an electronic device, wherein the difference between the first thickness and the second thickness is 1 μm or more and 5 μm or less.
제 12항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 두께와 상기 제2 두께 차이가 클수록 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 명도 차이가 큰 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 to 15,
A method of manufacturing a housing for an electronic device, where the greater the difference between the first thickness and the second thickness, the greater the difference in brightness between the first region and the second region.
제 12항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 산화 피막층의 두께는, 7㎛ 이상 10㎛ 이하인 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 to 16,
A method of manufacturing a housing for an electronic device, wherein the thickness of the oxide film layer is 7 μm or more and 10 μm or less.
제 12항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 증착 피막층의 두께는 2㎛ 이하인 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 to 17,
A method of manufacturing a housing for an electronic device wherein the thickness of the deposited coating layer is 2㎛ or less.
제 12항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전자 장치는 디스플레이가 배치된 전면, 상기 전면과 반대 방향을 향하는 후면, 상기 전면과 상기 후면 사이에 배치된 측면을 포함하고,
상기 하우징은 상기 전자 장치의 후면 및 측면인 전자 장치의 하우징 제조 방법.
According to any one of claims 12 to 18,
The electronic device includes a front side on which a display is placed, a back side facing in a direction opposite to the front side, and a side side disposed between the front side and the back side,
A method of manufacturing a housing for an electronic device, wherein the housing is the rear and side surfaces of the electronic device.
제 12항 내지 제 19항 중 어느 한 항에 있어서,
디스플레이;를 더 포함하는 전자 장치의 하우징 제조 방법.
The method according to any one of claims 12 to 19,
A method of manufacturing a housing for an electronic device further comprising a display.
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