KR20230046912A - Exterior structure of electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시의 다양한 실시 예는, 전자 장치의 외관 구조 및 이에 대한 제조 방법에 관한 것이다.Various embodiments of the present disclosure relate to an external structure of an electronic device and a manufacturing method thereof.
정보통신 기술과 반도체 기술 등의 눈부신 발전에 힘입어 각종 전자 장치들의 보급과 이용이 급속도로 증가하고 있다. 특히 최근의 전자 장치들은 휴대하고 다니며 통신할 수 있도록 개발되고 있다. Thanks to the remarkable development of information and communication technology and semiconductor technology, the supply and use of various electronic devices are rapidly increasing. In particular, recent electronic devices are being developed to be portable and communicate.
전자 장치라 함은, 가전제품으로부터, 전자 수첩, 휴대용 멀티미디어 재생기, 이동통신 단말기, 태블릿 PC, 영상/음향 장치, 데스크톱/랩톱 컴퓨터, 또는 차량용 내비게이션과 같이, 탑재된 프로그램에 따라 특정 기능을 수행하는 장치를 의미할 수 있다. 예를 들면, 이러한 전자 장치들은 저장된 정보를 음향이나 영상으로 출력할 수 있다. 전자 장치의 집적도가 높아지고, 초고속, 대용량 무선통신이 보편화되면서, 최근에는, 이동통신 단말기와 같은 하나의 전자 장치에 다양한 기능이 탑재될 수 있다. 예를 들면, 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹과 같은 통신 및 보안 기능, 및/또는 일정 관리나 전자 지갑과 같은 기능이 하나의 전자 장치에 집약되고 있는 것이다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다.Electronic devices, such as home appliances, electronic notebooks, portable multimedia players, mobile communication terminals, tablet PCs, video/audio devices, desktop/laptop computers, or car navigation systems, perform specific functions according to loaded programs. can mean a device. For example, these electronic devices may output stored information as sound or image. As the degree of integration of electronic devices increases and ultra-high-speed, large-capacity wireless communication becomes common, recently, a single electronic device such as a mobile communication terminal may be equipped with various functions. For example, not only a communication function, but also an entertainment function such as a game, a multimedia function such as music/video playback, a communication and security function such as mobile banking, and/or a schedule management function or an electronic wallet function are integrated into a single electronic device. it is being aggregated. These electronic devices are miniaturized so that users can conveniently carry them.
최근 상기 휴대용 전자 장치의 고품질화를 위해서 외장재로 알루미늄 금속이 많이 사용되고 있다. 일반적으로 알루미늄 금속은 많은 분야에 적용되어 있는 경량성 금속 소재이다. 알루미늄 합금 소재는 알루미늄을 주요 구성 성분으로 하고 주요 합금 원소로 구리, 마그네슘, 망간, 규소, 주석, 또는 아연을 포함할 수 있다.Recently, aluminum metal has been widely used as an exterior material to improve the quality of the portable electronic device. In general, aluminum metal is a lightweight metal material applied to many fields. The aluminum alloy material may include aluminum as a main constituent and copper, magnesium, manganese, silicon, tin, or zinc as a main alloying element.
외장재로 상기 알루미늄 합금 소재를 사용하기 위해서 다양한 방식의 표면처리 공법이 존재하며, 이 중 아노다이징(Anodizing) 공법은 금속을 양극으로 통전하여 양극에서 발생하는 산소에 의하여 금속면이 산화되어 산화 알루미늄 피막이 생기는 특성을 이용한 표면처리 방법이다. 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 처리를 하면 수 나노미터 사이즈의 직경을 가지는 산화피막(Al2O3)이 균일하게 수십 마이크로 미터까지 성장하게 되며, 생성된 산화 피막의 경도가 높아 알루미늄의 내마모성을 향상시킬 수 있다. 아노다이징 처리된 금속의 표면은 금속 고유의 질감이 살아있어 심미성이 높고, 부식 방지가 가능하여 내부식성에 우수한 특성을 갖는다.In order to use the aluminum alloy material as an exterior material, there are various surface treatment methods, and among them, an anodizing method is an aluminum oxide film in which an aluminum oxide film is formed by oxidizing the metal surface by oxygen generated from the anode by passing a metal through an anode. It is a surface treatment method using characteristics. When anodizing is performed on an aluminum alloy material, an oxide film (Al2O3) having a diameter of several nanometers is uniformly grown to several tens of micrometers, and the hardness of the produced oxide film is high, so that the wear resistance of aluminum can be improved. The surface of the anodized metal has high aesthetics because the unique texture of the metal is alive, and has excellent corrosion resistance because it can prevent corrosion.
최근 휴대용 전자기기 알루미늄 합금 외장재는 강도, 내마모성, 내식성, 또는 전기절연성과 함께 외관 디자인의 다양한 질감, 및 컬러 구현에 대한 수요가 증가되고 있다.Recently, demand for aluminum alloy exterior materials for portable electronic devices has increased in strength, wear resistance, corrosion resistance, or electrical insulation, as well as various textures and color implementations of exterior designs.
기존 아노다이징의 공법의 경우 금속 특유의 광택으로 인해 저채도와 같은 다양한 컬러 구현 또는 질감 구현에 제약이 있으며, 질감 구현을 위해 샌딩(Sanding), 또는 에칭(Etching)과 같은 추가공정이 필요하게 되며 비용 증가가 발생하고 품질관리에 어려움이 있다. 특히, 화이트톤(white tone)을 구현하는데 어려움이 있을 수 있다.In the case of the existing anodizing method, there are limitations in realizing various colors or textures such as low chroma due to the unique luster of metal, and additional processes such as sanding or etching are required to realize texture, and cost Increase occurs and quality control is difficult. In particular, it may be difficult to implement a white tone.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 외관 구조 및 이에 대한 제조 방법은, 알루미늄 합금 소재의 표면에 산화피막 생성시 1차 및 2차 가변 정전압을 이용하여 아노다이징 처리를 하고, 전해씰링 처리를 함으로써, 전자 장치의 외관에 화이트 톤을 구현하고자 한다.According to various embodiments of the present disclosure, an external structure of an electronic device and a method for manufacturing the same include performing anodizing treatment using primary and secondary variable constant voltages and performing electrolytic sealing treatment when an oxide film is formed on the surface of an aluminum alloy material. By doing, it is intended to implement a white tone on the exterior of the electronic device.
다만, 본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the problem to be solved in the present disclosure is not limited to the above-mentioned problem, and may be expanded in various ways without departing from the spirit and scope of the present disclosure.
본 개시의 다양한 실시예에 따른, 전자 장치는, 하우징으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는, 알루미늄 합금, 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 산화피막, 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 배치된 제2 산화피막 및 상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)을 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 제1 산화피막은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압이 사용된 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 제2 산화피막은, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압이 사용된 제2 아노다이징 공정에 의해 형성되고, 상기 전해 씰링은, 제3 전압이 사용된 전해 씰링 공정에 의해 형성될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, an electronic device is a housing, wherein at least a portion of the housing is disposed between an aluminum alloy, a first oxide film formed on the aluminum alloy, and the aluminum alloy and the first oxide film. A housing including a second oxide film and an electrolytic sealing formed on the first oxide film, wherein the first oxide film is formed by a first anodizing process in which a first voltage is used for the aluminum alloy, , The second oxide film may be formed by a second anodizing process using a second voltage for the aluminum alloy, and the electrolytic sealing may be formed by an electrolytic sealing process using a third voltage.
본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금을 이용하여 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법은, 상기 알루미늄 합금 상에 제1 산화피막을 형성시키는 제1 아노다이징 공정, 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 제2 산화피막을 형성시키는 제2 아노다이징 공정 및 상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)을 형성시키는 전해 씰링 공정을 포함하고, 상기 제1 아노다이징 공정에서 제1 전압이 인가되고, 상기 제2 아노다이징 공정에서 제2 전압이 인가되고, 상기 전해 씰링 공정에서, 제3 전압이 인가될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, a method of manufacturing a housing of an electronic device using an aluminum alloy includes a first anodizing process of forming a first oxide film on the aluminum alloy, the aluminum alloy and the first oxide film. A second anodizing process of forming a second oxide film therebetween and an electrolytic sealing process of forming an electrolytic sealing formed on the first oxide film, wherein a first voltage is applied in the first anodizing process, A second voltage may be applied in the second anodizing process, and a third voltage may be applied in the electrolytic sealing process.
본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 외관 구조 및 이에 대한 제조 방법은, 전자 장치의 외관에 균일한 화이트 톤을 구현할 수 있으며, 산화피막 생성시 1차, 2차 가변 정전압(전압 1회 변경)을 이용하는 공법으로 물리적, 화학적 공정의 추가가 없어 비용 발생이 없으며, 기존 아노다이징의 장점을 그대로 유지하면서도 안정적인 품질 관리가 가능할 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, an external structure of an electronic device and a method for manufacturing the same can implement a uniform white tone on the exterior of the electronic device, and when an oxide film is formed, the first and second variable constant voltage (
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치(101)의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 전면 사시도이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 후면 사시도이다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금 소재에 수행되는 공정에 관한 흐름도이다.
도 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 공정이 수행되는 것을 도시한다.
도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정에서의 1차 전압 및 2차 전압의 관계를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에 생성된 복수의 층을 포함하는 산화피막을 나타낸 도면이다.
도 9는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에서 헤이즈 효과가 나타는 것을 설명한 도면이다.
도 10은 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 알루미늄 합금 소재를 도시한다.
도 11은 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 알루미늄 합금 소재의 광택도에 대한 그래프를 도시한다.
도 12는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하기 전후의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타낸 도면이다.
도 13은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면을 확대한 도면이다.
도 14는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 헤이즈 효과가 발현되는 시간을 나타낸 도면이다.
도 15는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 결정립계의 두께의 변화를 나타낸 도면이다.
도 16a 내지 도 16c는 전해 씰링 공정이 수행된 알루미늄 합금 소재의 단면 모식도, 단면도 및 사시도를 도시한다.1 is a block diagram of an
2 is a front perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
3 is a rear perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
4 is an exploded perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
5 is a flowchart of a process performed on an aluminum alloy material according to various embodiments of the present disclosure.
6 illustrates an anodizing process being performed on an aluminum alloy material according to various embodiments of the present disclosure.
7 is a diagram illustrating a relationship between a primary voltage and a secondary voltage in an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure.
8 is a view showing an oxide film including a plurality of layers generated on the surface of an aluminum alloy material after an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure.
9 is a view explaining that a haze effect appears on the surface of an aluminum alloy material after an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure.
10 shows an aluminum alloy material according to the time for which a second constant voltage is applied.
11 shows a graph of the glossiness of an aluminum alloy material according to the time for which a secondary constant voltage is applied.
12 is a view showing the surface of an aluminum alloy material before and after applying a secondary constant voltage according to various embodiments of the present disclosure.
13 is an enlarged view of the surface of an aluminum alloy material according to the time for applying a second constant voltage according to various embodiments of the present disclosure.
FIG. 14 is a diagram showing the time for the haze effect to appear when a second constant voltage is applied according to a change in magnitude of the first constant voltage, according to various embodiments of the present disclosure.
15 is a diagram illustrating a change in thickness of a grain boundary when a second constant voltage is applied according to a change in magnitude of a first constant voltage, according to various embodiments of the present disclosure.
16A to 16C show cross-sectional schematics, cross-sectional views and perspective views of an aluminum alloy material subjected to an electrolytic sealing process.
도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.1 is a block diagram of an electronic device in a network environment according to various embodiments of the present disclosure.
도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다. Referring to FIG. 1 , in a
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다. The
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다. The
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다. The
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다. The
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다. The
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.The
디스플레이 모듈(160)는 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)는, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다. The
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.The
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다. The
인터페이스(177)는 전자 장치(101)이 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.The
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)은, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.The
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.The
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.The
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.The
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.The
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다. The
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.The
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.The
다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.According to various embodiments, the
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.At least some of the components are connected to each other through a communication method between peripheral devices (eg, a bus, general purpose input and output (GPIO), serial peripheral interface (SPI), or mobile industry processor interface (MIPI)) and signal ( e.g. commands or data) can be exchanged with each other.
일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다. According to an embodiment, commands or data may be transmitted or received between the
본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.Electronic devices according to various embodiments disclosed in this document may be devices of various types. The electronic device may include, for example, a portable communication device (eg, a smart phone), a computer device, a portable multimedia device, a portable medical device, a camera, a wearable device, or a home appliance. An electronic device according to an embodiment of the present document is not limited to the aforementioned devices.
본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1", "제2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.Various embodiments of this document and terms used therein are not intended to limit the technical features described in this document to specific embodiments, but should be understood to include various modifications, equivalents, or substitutes of the embodiments. In connection with the description of the drawings, like reference numbers may be used for like or related elements. The singular form of a noun corresponding to an item may include one item or a plurality of items, unless the relevant context clearly dictates otherwise. In this document, "A or B", "at least one of A and B", "at least one of A or B", "A, B or C", "at least one of A, B and C", and "A Each of the phrases such as "at least one of , B, or C" may include any one of the items listed together in that phrase, or all possible combinations thereof. Terms such as "first", "second", or "first" or "secondary" may simply be used to distinguish that component from other corresponding components, and may refer to that component in other respects (eg, importance or order) is not limited. A (eg, first) component is said to be "coupled" or "connected" to another (eg, second) component, with or without the terms "functionally" or "communicatively." When mentioned, it means that the certain component may be connected to the other component directly (eg by wire), wirelessly, or through a third component.
본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.The term "module" used in various embodiments of this document may include a unit implemented in hardware, software, or firmware, and is interchangeable with terms such as, for example, logic, logical blocks, parts, or circuits. can be used as A module may be an integrally constructed component or a minimal unit of components or a portion thereof that performs one or more functions. For example, according to one embodiment, the module may be implemented in the form of an application-specific integrated circuit (ASIC).
본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.Various embodiments of this document provide one or more instructions stored in a storage medium (eg,
일실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.According to one embodiment, the method according to various embodiments disclosed in this document may be included and provided in a computer program product. Computer program products may be traded between sellers and buyers as commodities. A computer program product is distributed in the form of a device-readable storage medium (eg compact disc read only memory (CD-ROM)), or through an application store (eg Play Store TM ) or on two user devices ( It can be distributed (eg downloaded or uploaded) online, directly between smart phones. In the case of online distribution, at least part of the computer program product may be temporarily stored or temporarily created in a device-readable storage medium such as a manufacturer's server, an application store server, or a relay server's memory.
다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.According to various embodiments, each component (eg, module or program) of the above-described components may include a single object or a plurality of entities, and some of the plurality of entities may be separately disposed in other components. there is. According to various embodiments, one or more components or operations among the aforementioned corresponding components may be omitted, or one or more other components or operations may be added. Alternatively or additionally, a plurality of components (eg modules or programs) may be integrated into a single component. In this case, the integrated component may perform one or more functions of each of the plurality of components identically or similarly to those performed by a corresponding component of the plurality of components prior to the integration. . According to various embodiments, the actions performed by a module, program, or other component are executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or one or more of the actions are executed in a different order, or omitted. or one or more other actions may be added.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치(101)의 전면 사시도이다. 도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치(101)의 후면 사시도이다.2 is a front perspective view of an
도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 전면(310A), 후면(310B), 및 전면(310A) 및 후면(310B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(310C)을 포함하는 하우징(310)을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에 따르면, 상기 하우징(310)은, 도 2의 전면(310A), 도 3의 후면(310B) 및 측면(310C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 전면(310A)의 적어도 일부분은 실질적으로 투명한 전면 플레이트(302)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 후면(310B)은 후면 플레이트(311)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(311)는, 예를 들어, 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(310C)은, 전면 플레이트(302) 및 후면 플레이트(311)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 "측면 부재")(318)에 의하여 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 후면 플레이트(311) 및 측면 베젤 구조(318)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 유리, 알루미늄과 같은 금속 물질 또는 세라믹)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 전면(310A) 및/또는 상기 전면 플레이트(302)는 디스플레이(301)의 일부를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the
일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는, 디스플레이(301), 오디오 모듈(303, 307, 314)(예: 도 1의 오디오 모듈(170)), 센서 모듈(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(305, 306)(예: 도 1의 카메라 모듈(180)), 키 입력 장치(317)(예: 도 1의 입력 모듈(150)), 및 커넥터 홀(308, 309)(예: 도 1의 연결 단자(178)) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 커넥터 홀(309))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이(301)는, 예를 들어, 전면 플레이트(302)의 상당 부분을 통하여 시각적으로 노출될 수 있다. According to an embodiment, the
일 실시예에 따르면, 하우징(310)의 표면(또는 전면 플레이트(302))은 디스플레이(301)가 시각적으로 노출됨에 따라 형성되는 화면 표시 영역을 포함할 수 있다. 일례로, 화면 표시 영역은 전면(310A)을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the surface of the housing 310 (or the front plate 302) may include a screen display area formed as the
다른 실시예(미도시)에 따르면, 전자 장치(101)는 디스플레이(301)의 화면 표시 영역(예: 전면(310A))의 일부에 형성된 리세스 또는 개구부(opening)를 포함하고, 상기 리세스 또는 개구부와 정렬된 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 발광 소자(미도시), 및 카메라 모듈(305) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시예(미도시)에 따르면, 디스플레이(301)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(314), 센서 모듈(미도시), 카메라 모듈(305), 지문 센서(미도시), 및 발광 소자(미도시) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.According to another embodiment (not shown), the
다른 실시예(미도시)에 따르면, 디스플레이(301)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.According to another embodiment (not shown), the
일 실시예에 따르면, 상기 키 입력 장치(317)의 적어도 일부가, 상기 측면 베젤 구조(318)에 배치될 수 있다.According to one embodiment, at least a part of the
일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(303, 307, 314)은, 예를 들면, 마이크 홀(303) 및 스피커 홀(307, 314)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(303)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(307, 314)은, 외부 스피커 홀(307) 및 통화용 리시버 홀(314)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는 스피커 홀(307, 314)과 마이크 홀(303)이 하나의 홀로 구현되거나, 스피커 홀(307, 314) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 센서 모듈(미도시)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치된 제1 센서 모듈(미도시)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 센서 모듈(미도시)은 상기 하우징(310)의 후면(310B)에 배치된 제3 센서 모듈(미도시)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에(미도시) 따르면, 상기 지문 센서는 하우징(310)의 전면(310A)(예: 디스플레이(301))뿐만 아니라 후면(310B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(101)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the sensor module (not shown) may generate an electrical signal or data value corresponding to an internal operating state of the
일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(305, 306)은, 예를 들면, 전자 장치(101)의 전면(310A)에 배치된 전면 카메라 모듈(305), 및 후면(310B)에 배치된 후면 카메라 모듈(306), 및/또는 플래시(304)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 모듈(305, 306)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(304)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 키 입력 장치(317)는, 하우징(310)의 측면(310C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 전자 장치(101)는 상기 언급된 키 입력 장치(317) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(317)는 디스플레이(301) 상에 소프트 키와 같은 다른 형태로 구현될 수 있다.According to one embodiment, the
일 실시예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 하우징(310)의 전면(310A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전자 장치(101)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, 전면 카메라 모듈(305)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(미도시)는, 예를 들어, LED, IR LED 및/또는 제논 램프를 포함할 수 있다.According to one embodiment, a light emitting device (not shown) may be disposed on, for example, the
일 실시예에 따르면, 커넥터 홀(308, 309)은, 예를 들면, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터) 또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, 이어폰 잭)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(308), 및/또는 저장 장치(예: 심(subscriber identification module, SIM) 카드)를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(309)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 커넥터 홀(308) 및/또는 제2 커넥터 홀(309)은 생략될 수 있다.According to one embodiment, the connector holes 308 and 309 are, for example, connectors (eg, USB connectors) for transmitting and receiving power and/or data to and from external electronic devices or audio signals to and from external electronic devices. a
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
도 4를 참조하면, 전자 장치(101)(예: 도 2 및 도 3의 전자 장치(101))는, 전면 플레이트(320)(예: 도 2의 전면 플레이트(302)), 디스플레이(330)(예: 도 2의 디스플레이(301)), 제1 지지 부재(332)(예: 브라켓), 인쇄회로기판(340), 배터리(350), 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스), 안테나(370) 및 후면 플레이트(380)(예: 도 3의 후면 플레이트(311)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(332), 또는 제2 지지 부재(360))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 2 또는 도 3의 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.Referring to FIG. 4 , an electronic device 101 (eg, the
일 실시예에 따르면, 제1 지지 부재(332)는, 전자 장치(101) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(331)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(331)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(332)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(332)는, 일면에 디스플레이(330)가 결합되고 타면에 인쇄회로기판(340)이 결합될 수 있다. 인쇄회로기판(340)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(101)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(350)(예: 도 1의 배터리(189))는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소(예: 카메라 모듈(312))에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(350)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄회로기판(340)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(350)는 전자 장치(101) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(101)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다. According to an embodiment, the
일 실시예에 따르면, 제2 지지 부재(360)(예: 리어 케이스)는, 인쇄회로기판(340)과 안테나(370) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제2 지지 부재(360)는, 인쇄회로기판(340) 또는 배터리(350) 중 적어도 하나가 결합된 일면, 및 안테나(370)가 결합된 타면을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the second support member 360 (eg, a rear case) may be disposed between the printed
일 실시예에 따르면, 안테나(370)는, 후면 플레이트(380)와 배터리(350) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(370)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 예를 들어, 안테나(370)는 무선 충전을 위한 코일을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서는, 측면 베젤 구조(331) 및/또는 상기 제1 지지 부재(332)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.According to one embodiment, the
다양한 실시예들에 따르면, 전자 장치(101)는 하우징(예: 도 2의 하우징(310)) 내에 배치된 카메라 모듈(예: 도 3의 카메라 모듈(306))을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(306)은 제1 지지 부재(332) 상에 배치되고, 전자 장치(101)의 후방(예: +Z 방향)에 위치한 피사체의 이미지를 획득할 수 있는 후면 카메라 모듈(예: 도 3의 카메라 모듈(312))일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(312)의 적어도 일부는 후면 플레이트(380)에 형성된 개구(382)를 통하여 전자 장치(101)의 외부로 노출될 수 있다.According to various embodiments, the
도 2 내지 도 4에서 개시되는 전자 장치(101)는 바형(bar type) 또는 평판형(plate type)의 외관을 가지고 있지만, 본 개시는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도시된 전자 장치는 롤러블 전자 장치나 폴더블 전자 장치일 수 있다. "롤러블 전자 장치(rollable electronic device)"라 함은, 디스플레이(예: 도 3의 디스플레이(330))의 굽힘 변형이 가능해, 적어도 일부분이 말아지거나(wound or rolled) 하우징(예: 도 2의 하우징(310))의 내부로 수납될 수 있는 전자 장치를 의미할 수 있다. 사용자의 필요에 따라, 롤러블 전자 장치는 디스플레이를 펼침으로써 또는 디스플레이의 더 넓은 면적을 외부로 노출시킴으로써 화면 표시 영역을 확장하여 사용할 수 있다. "폴더블 전자 장치(foldable electronic device)"는 디스플레이의 서로 다른 두 영역을 마주보게 또는 서로 반대 방향을 향하는(opposite to) 방향으로 접힐 수 있는 전자 장치를 의미할 수 있다. 일반적으로 휴대 상태에서 폴더블 전자 장치에서 디스플레이는 서로 다른 두 영역이 마주보는 상태로 또는 대향하는 방향으로 접히고, 실제 사용 상태에서 사용자는 디스플레이를 펼쳐 서로 다른 두 영역이 실질적으로 평판 형태를 이루게 할 수 있다. 어떤 실시예에서, 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치(101)는, 스마트 폰과 같은 휴대용 전자 장치뿐만 아니라, 노트북 컴퓨터나 카메라와 같은 다른 다양한 전자 장치를 포함할 수 있다.The
도 5는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금 소재에 수행되는 공정에 관한 흐름도이다.5 is a flowchart of a process performed on an aluminum alloy material according to various embodiments of the present disclosure.
도 5를 참조하면, 다양한 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 1 내지 도 4의 전자 장치(101))의 하우징(예: 도 2 및 도 3의 하우징(310))의 적어도 일부를 형성하는 외장재 또는 내장재로 이용되는 알루미늄 합금 소재(예: 도 6의 알루미늄 합금 소재(606))는, 다음과 같은 공정들을 통해 제조될 수 있다.Referring to FIG. 5 , according to various embodiments, at least a part of a housing (eg, the
다양한 실시예에 따르면, 알루미늄 합금 소재(606)는 버핑 및 폴리싱 공정(S510), 전처리 공정(S520), 디스멋(desmut) 공정(S530), 아노다이징 공정(S540), 착색 공정(S550), 및 전해 씰링 공정(S560)을 통해 제조될 수 있다. 상기 공정은 필수적인 것은 아니며, 일부 공정은 생략되거나, 다른 공정이 추가될 수 있다.According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따르면, 알루미늄 합금 소재(606)는 형상이 가공될 수 있다. 형상이 가공된 알루미늄 합금 소재(606)에 버핑(buffing) 및/또는 폴리싱(polishing) 공정(S510)이 수행될 수 있다. 알루미늄 합금 소재(606)에 회전하는 연마 장비가 접촉되어 폴리싱 공정이 수행될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연마 장비에 연마포가 구비되고, 연마포가 회전하면서 알루미늄 합금 소재(606)에 가압되어 폴리싱 공정이 수행될 수 있다. 다양한 실시예에 따르면, 버핑 및/또는 폴리싱 공정(S510)은 습식 또는 건식으로 수행될 수 있다. 습식 공정에서는 알루미늄 합금 소재(606)에 절삭유가 공급되어 우레탄 스펀지 또는 다른 자재로 버핑 및/또는 폴리싱 공정(S510)이 수행될 수 있다. 건식 공정은 알루미늄 합금 소재(606)에 광약 또는 연마제가 공급되어 백포 또는 다른 자재로 버핑 및/또는 폴리싱 공정(S510)이 수행될 수 있다. 버핑 및/또는 폴리싱 공정 후에 알루미늄 합금 소재(606)에 전처리 공정(S520)이 수행될 수 있다.According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따르면, 버핑 및/또는 폴리싱 공정(S510)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 전처리 공정(S520)이 수행될 수 있다. 전처리 공정(S520)은 알루미늄 합금 소재(606)를 탈지 및/또는 세정하는 것으로, 유분(예: 절삭유, 광약 잔유물) 및/또는 불순물을 제거할 수 있다. 전처리 공정(S520)에서는, 산탈지(예: pH 7.0 이하), 알칼리 탈지(pH 7.0 이상), 또는 중성 계열을 포함하는 용액이 사용될 수 있으며, 알루미늄 합금 소재(606)의 특성 및 사양에 적합하게 침전시간 및/또는 온도 조건을 응용하여 적용할 수 있다. 전처리 공정(S520)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 디스멋(desmut) 공정(S530)이 수행될 수 있다.According to various embodiments, a pretreatment process (S520) may be performed on the
다양한 실시예에 따르면, 전처리 공정(S520)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 디스멋(desmut) 공정(S530)이 수행될 수 있다. 디스멋 공정(S530)을 통해 알루미늄 합금 소재(606)에 잔존하는 금속 불순물이 제거될 수 있으며, 알루미늄 합금 소재(606)의 표면이 조정될 수 있다. 디스멋 공정(S530)에서 황산 및/또는 질산을 포함하는 용액이 사용될 수 있으며, 용액의 농도는 약 5g/L 내지 약 800g/L일 수 있고, 용액의 온도는 상온 또는 그 이상일 수 있으며, 알루미늄 합금 소재(606)의 침적 시간은 약 5초 내지 30분일 수 있다. 디스멋 공정(S530)에서의 조건은 상기와 같은 조건에 한정되는 것은 아니다. 디스멋 공정(S530)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 아노다이징 공정(S540)이 수행될 수 있다.According to various embodiments, a desmut process (S530) may be performed on the
다양한 실시예에 따르면, 디스멋 공정(S530)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 아노다이징 공정(S540)이 수행될 수 있다. 아노다이징(양극 산화) 공정(S540)을 통해, 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 산화피막이 생성될 수 있다. 아노다이징 공정(S540)에서는 황산(sulfuric acid), 옥살산(oxalic acid), 인산(phosphoric acid), 또는 크롬산(chromic acid) 중 적어도 하나 또는 모두를 포함하는 전해액이 사용될 수 있다. 알루미늄 합금 소재(606)를 전해액에 침전하여 소정의 전압 및 온도를 제공하여 아노다이징 공정(S540)이 진행될 수 있다. 아노다이징 공정(S540)은 제1 아노다이징 공정 및 제2 아노다이징 공정을 포함할 수 있다. 아노다이징 공정(S540)에 대해서는 도 6 내지 도 9에 대한 설명과 함께 자세하게 후술한다. According to various embodiments, an anodizing process (S540) may be performed on the
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(S540)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 착색 공정(S550)이 수행될 수 있다. 착색 공정(S550)을 통해 알루미늄 합금 소재(606)에 다양한 색이 구현될 수 있다. 예를 들어, 착색 공정은 유기 염료가 용해된 용액에 알루미늄 합금 소재(606)를 침적시키는 수성법으로 착색 공정(S550)이 수행될 수 있다. 용액의 온도는 약 30℃ 내지 60℃에서 필요에 따라 염료 농도는 약 0.1g/L 내지 10g/L 범위까지 첨가하여 농도가 조절될 수 있다. 착색 공정(S550)은 필요에 따라 생략될 수 있다. 착색 공정(S550)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 전해 씰링 공정(S560)이 수행될 수 있다. According to various embodiments, a coloring process (S550) may be performed on the
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(S540) 및/또는 착색 공정(S550)이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)에 전해 씰링 공정(S560)이 수행될 수 있다. 전해 씰링 공정(S560)은 알루미늄 합금 소재(606)를 탕세하는 공정을 포함할 수 있다. 탕세 공정에서는 약 80℃ 이상의 물이 사용될 수 있다. 전해 씰링 공정(S560)에서는 아크릴 수지를 베이스로 하여 TiO2가 혼합된 용액이 사용될 수 있다. 용액의 섭씨 온도는 약 0℃ 내지 약 30℃일 수 있으며, 용액에 인가되는 직류전압은 약 40V 내지 약 150V일 수 있으며, 직류전압이 인가되는 시간은 약 1분 내지 약 3분일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 직류전압은 약 100V일 수 있다. 전해 씰링 공정(S560)이 수행된 후에 봉공 공정 또는 건조 공정이 수행될 수 있다. 건조 공정에서의 온도는 약 150℃ 내지 약 200℃일 수 있다. 전해 씰링 공정(S560)이 수행되어 알루미늄 합금 소재(606)에 형성된 전해 씰링(예: 도 16a의 전해 씰링(620))에 대해서는 도 16에 대한 설명과 함께 후술한다. According to various embodiments, an electrolytic sealing process (S560) may be performed on the
이하에서는, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 가변 전압을 이용한 아노다이징 공정에 따라 복수의 층을 포함하는 산화피막 구조를 형성시켜서 헤이즈(Haze) 효과를 부여하는 구체적인 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a specific method for imparting a haze effect by forming an oxide film structure including a plurality of layers according to an anodizing process using a variable voltage according to various embodiments of the present disclosure will be described.
도 6은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 알루미늄 합금 소재에 아노다이징 공정이 수행되는 것을 도시한다. 도 7은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정에서의 1차 전압 및 2차 전압의 관계를 나타낸 도면이다. 도 8은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에 생성된 복수의 층을 포함하는 산화피막을 나타낸 도면이다. 도 9는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 아노다이징 공정 후 알루미늄 합금 소재의 표면에서 헤이즈 효과가 나타는 것을 설명한 도면이다.6 illustrates an anodizing process being performed on an aluminum alloy material according to various embodiments of the present disclosure. 7 is a diagram illustrating a relationship between a primary voltage and a secondary voltage in an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure. 8 is a view showing an oxide film including a plurality of layers generated on the surface of an aluminum alloy material after an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure. 9 is a view explaining that a haze effect appears on the surface of an aluminum alloy material after an anodizing process according to various embodiments of the present disclosure.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 아노다이징 장치(600)는, 전해액 용기(601)에 전해액(602)을 채운 후 제1 전극(604) 및 제2 전극(605)을 전지(603)의 음극(-극)과 각각 연결하여 적어도 일부가 전해액(602)에 잠기도록 하고 제1 전극(604) 및 제2 전극(605) 사이에 전지(603)의 양극(+극)과 연결된 알루미늄 합금 소재(606)가 전해액(602)에 전부 잠기도록 구성될 수 있다. 전지(603)를 통해 1차 정전압 및 2차 정전압이 순차적으로 가해져서 알루미늄 합금 소재(606)에 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540))이 수행될 수 있다. 아노다이징 공정(S540)은 제1 아노다이징 공정 및 제2 아노다이징 공정을 포함할 수 있다. 1차 정전압이 인가되는 공정을 제1 아노다이징 공정, 2차 정전압이 인가되는 공정을 제2 아노다이징 공정이라고 정의할 수 있다.6 to 9, the
일 실시예에 따르면, 1차 정전압을 통해, 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 제1 산화피막(610)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 복수의 제1 산화피막(610)들 사이에 복수의 피막 기공들(611)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 가해진 후에 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 2차 정전압에 의해 제2 산화피막(612)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 산화피막(612)은 알루미늄 합금 소재(606)의 표면 바로 위에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제2 산화피막(612)은 제1 산화피막(610)과 알루미늄 합금 소재(606)의 표면 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 아노다이징 장치(600)에 따른 아노다이징 공정(S540)에 의해 형성된 제1 산화피막(610) 및 제2 산화피막(612)에 의해 빛이 반사될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 산화피막(610)의 표면에서 난반사되는 제1 빛(701)과, 제2 산화피막(612)에 의해 반사되는 제2 빛(702)으로 인해 헤이즈 효과가 구현될 수 있다. 예를 들면, 제2 빛(702)은 제2 산화피막(612)에 의해 반사되어 제1 산화피막(610)의 피막 기공들(611)에서 난반사되어 헤이즈 효과가 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 착색 공정(예: 도 5의 착색 공정(S550))에 의해 착색된 복수의 피막 기공들(611)에 의해 알루미늄 합금 소재(606)에 파스텔 컬러가 구현될 수 있다.According to an embodiment, a
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 장치(600)에 사용되는 전해액(602)은 황산, 옥살산, 인산, 또는 크롬산 중 적어도 하나 또는 모두를 포함할 수 있다. 예를 들어, 농도가 약 150g/L 내지 약 300g/L의 황산 용액이 전해액(602)으로 사용될 수 있다. According to various embodiments, the
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 장치(600)에 의한 아노다이징 공정(S540)은 약 30℃ 이하의 온도에서 진행될 수 있다. 예를 들어, 아노다이징 공정(S540)은 약 0℃ 내지 약 25℃의 범위 온도에서 수행될 수 있다. According to various embodiments, the anodizing process (S540) by the
다양한 실시예에 따르면, 1차 정전압은 희망하는(desired) 제1 산화피막(610)의 두께에 따라 소정의 조건을 만족하는 범위 내에서 가해질 수 있다. 예를 들어, 1차 정전압은 약 10V 내지 약 30V의 범위에서 약 5분 내지 40분동안 인가되어, 두께가 약 5μm 내지 약 20μm인 제1 산화피막(610)이 형성될 수 있다.According to various embodiments, the first constant voltage may be applied within a range that satisfies a predetermined condition according to a desired thickness of the
다양한 실시예에 따르면, 1차 정전압이 인가된 후, 2차 정전압은 1차 정전압 보다 낮은 전압으로 가해질 수 있다. 예를 들어, 2차 정전압은 약 1V 내지 약 10V의 범위 내에서 인가될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 2차 정전압은 가해지는 시간이 증가함에 따라 제2 산화피막(612)이 형성되어 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 헤이즈 효과를 구현될 수 있다. 2차 정전압에서의 전류는 약 4A이하일 수 있다.According to various embodiments, after the first constant voltage is applied, the second constant voltage may be applied at a voltage lower than the first constant voltage. For example, the secondary constant voltage may be applied within a range of about 1V to about 10V. According to an embodiment, as the time for which the second constant voltage is applied increases, the
도 10은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 헤이즈 효과가 구현되는 것을 나타낸 도면이다. 도 11은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면의 광택도가 변화하는 것을 나타낸 도면이다. 10 is a diagram illustrating that a haze effect is implemented depending on the time for applying a second constant voltage according to various embodiments of the present disclosure. 11 is a view showing that the glossiness of the surface of an aluminum alloy material changes according to the time for which a second constant voltage is applied according to various embodiments of the present disclosure.
도 10 및 도 11은, 1차 정전압이 약 13V이고 2차 정전압이 약 7V인 알루미늄 합금 소재를 도시한다. 10 and 11 show an aluminum alloy material having a primary constant voltage of about 13V and a secondary constant voltage of about 7V.
도 10은 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 알루미늄 합금 소재를 도시한다. 도 11은 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 알루미늄 합금 소재의 광택도에 대한 그래프를 도시한다. 제1-1소재(1001)에서 제1-10소재(1010)로 진행할수록 2차 정전압이 가해진 시간이 큰 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1-1소재(1001)는 2차 정전압이 약 10분 가해진 상태이며, 제1-2소재(1002)는 2차 정전압이 약 20분 가해진 상태이고, 제1-10소재(1010)는 2차 정전압이 약 100분 가해진 상태를 의미할 수 있다.10 shows an aluminum alloy material according to the time for which a second constant voltage is applied. 11 shows a graph of the glossiness of an aluminum alloy material according to the time for which a secondary constant voltage is applied. It may mean that the time for which the secondary constant voltage is applied increases as the progress from the 1-
도 10을 참조하면, 2차 정전압을 가한 결과 초기 상태에 대응되는 제1-1소재(1001)부터 제1-3소재(1003)까지는 알루미늄 합금 소재의 표면에서 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생되고, 제1-4소재(1004)부터는 헤이즈 효과가 구현됨을 확인할 수 있다. 헤이즈 효과가 구현되는 제1-4소재(1004)부터 2차 정전압을 가한 시간이 증가할수록, 헤이즈 효과가 발현되는 현상이 더욱 명확해짐을 확인할 수 있다. 예를 들어, 2차 정전압을 가한 시간이 약 40분 이상이고, 2차 정전압을 가한 시간이 증가할수록, 헤이즈 효과가 더욱 명확하게 발현될 수 있다.Referring to FIG. 10, as a result of applying a secondary constant voltage, browning and/or surface changes occur on the surface of the aluminum alloy material from the 1-1
도 11을 참조하면, 2차 정전압을 가한 결과 초기 상태에 대응되는 제1-1소재(1001)의 초기 광택도는 100GU이고, 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생된 제1-2소재(1002) 및 제1-3소재(1003)에서는 광택도가 초기 광택도의 약 50% 정도로 감소하였고, 4번 상태 이후에서는 초기 광택도의 약 60% 내지 80% 정도로 2번 상태 및 3번 상태 보다 증가되면서 안정적인 외관이 구현됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 11, as a result of applying a secondary constant voltage, the initial gloss of the 1-1
도 12는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하기 전후의 알루미늄 합금 소재의 표면을 나타낸 도면이다. 자세하게는, 도 12의 (a)는 2차 정전압을 가하기 전 초기 상태의 알루미늄 합금 소재의 표면을 도시하고, 도 12 의 (b)는 2차 정전압을 가하여 헤이즈 효과가 구현된 상태의 알루미늄 합금 소재의 표면을 도시한다.12 is a view showing the surface of an aluminum alloy material before and after applying a secondary constant voltage according to various embodiments of the present disclosure. In detail, FIG. 12 (a) shows the surface of the aluminum alloy material in its initial state before applying the secondary constant voltage, and FIG. 12 (b) shows the aluminum alloy material in a state in which the haze effect is implemented by applying the secondary constant voltage shows the surface of
도 13은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 2차 정전압을 가하는 시간에 따라 알루미늄 합금 소재의 표면을 확대한 도면이다. 도 13에 도시된 제1-1소재(1001) 내지 제1-10소재(1010)는 도 10 및 도 11에 도시된 제1-1소재(1001) 내지 제1-10소재(1010)와 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.13 is an enlarged view of the surface of an aluminum alloy material according to the time for applying a second constant voltage according to various embodiments of the present disclosure. The 1-1
도 13은 1차 정전압이 약 13V이고 2차 정전압이 약 7V인 경우를 나타낸다.13 shows a case where the first constant voltage is about 13V and the second constant voltage is about 7V.
도 13은 2차 정전압이 가해진 시간에 따른 상태를 확대한 것을 도시하며, 제1-1소재(1001)부터 제1-10소재(1010)로 진행할수록 2차 정전압이 가해진 시간이 큰 것을 의미할 수 있다. 예를 들어, 제1-1소재(1001)는 2차 정전압이 약 10분 가해진 상태를 도시하고, 제1-2소재(1002)는 2차 정전압이 약 20분 가해진 상태를 도시하고, 제1-10소재(1010)는 2차 정전압이 약 100분동안 가해진 상태를 도시한다.13 shows an enlarged state according to the time for which the second constant voltage is applied, and it means that the time for which the second constant voltage is applied increases as the progress goes from the 1-
도 12를 참조하면, 알루미늄 합금 소재의 표면은, 2차 정전압을 가하기 전의 초기 상태에서는 결정립(grain)(801) 간의 구분이 명확하지 않고, 결정립(grain)간의 경계인 결정립계(grain boundary)(802)가 존재하지 않은 반면, 2차 정전압을 가하여 헤이즈 효과가 구현된 상태에서는 결정립(801)간의 구분이 명확하고 결정립계(802)가 명확하게 존재함을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 12, on the surface of the aluminum alloy material, the distinction between
도 13을 참조하면, 2차 정전압을 가하는 동안 초기 상태에 대응되는 제1-1소재(1001)에서는 결정립 간의 구분이 명확하지 않고, 결정립간의 경계인 결정립계가 존재하지 않음을 확인할 수 있다. 갈변 현상 및/또는 표면 변화가 발생된 제1-2소재(1002) 및 제1-3소재(1003)에서는 결정립 간의 구분이 가능해지고 결정립계가 존재하다가 시간이 지날수록 다시 결정립 간의 구분이 어렵고 결정립계가 사라진 것을 확인할 수 있다. 헤이즈 효과가 구현되기 시작하는 제1-4소재(1004)부터는 부분적으로 결정립 간의 구분이 가능해지고 결정립계가 존재하다가 제1-7소재(1007) 이후에서는 결정립 간의 구분과 결정립계가 더욱 명확해지면서 알루미늄 표면의 빛의 난반사에 의해 헤이즈 효과가 구현되는 것을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 13 , it can be confirmed that in the 1-1
도 14 및 [표 1]은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 헤이즈 효과가 발현되는 시간을 나타낸다.14 and [Table 1] show the time at which the haze effect appears when a second constant voltage is applied according to a change in magnitude of the first constant voltage according to various embodiments of the present disclosure.
도 14a는 [표 1]에서 1차 정전압의 크기가 약 13V이고, 2차 정전압의 크기가 약 7V인 경우이고, 도 14b는 [표 1]에서 1차 정전압의 크기가 약 18V이고, 2차 정전압의 크기가 약 7V인 경우를 나타낸다. 14a shows a case in which the magnitude of the first constant voltage is about 13V and the magnitude of the second constant voltage is about 7V in [Table 1], and FIG. It shows the case where the magnitude of the constant voltage is about 7V.
이하에서는 [표 1]을 참조하여 다양한 실시예를 설명한다.일 실시예에 따르면, 2차 정전압이 약 7V일 때, 1차 정전압이 약 13V 및 14V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 약 30분까지이고, 40분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있다.Hereinafter, various embodiments will be described with reference to [Table 1]. According to an embodiment, when the secondary constant voltage is about 7V and the primary constant voltage is about 13V and 14V, a section in which browning occurs in the initial state is up to about 30 minutes, and it can be confirmed that the haze effect occurs after 40 minutes.
일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 15V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 약 40분까지이고, 50분 이후부터는 헤이즈 효가가 발생됨을 확인할 수 있다.According to one embodiment, when the first constant voltage is about 15V, the period in which the browning phenomenon occurs in the initial state is up to about 40 minutes, and it can be confirmed that the haze effect occurs after 50 minutes.
일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 17V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 약 50분까지이고, 60분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있다.According to an embodiment, when the first constant voltage is about 17V, the period in which the browning phenomenon occurs in the initial state is up to about 50 minutes, and it can be confirmed that the haze effect occurs after 60 minutes.
일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 18V인 경우 초기 상태에서 갈변 현상이 발생되는 구간은 약 60분까지이고, 70분 이후부터는 헤이즈 효과가 발생됨을 확인할 수 있다. 이에 따라, 1차 정전압이 증가할수록 헤이즈 효과를 구현하기 위해 2차 정전압을 가하는 시간이 증가함을 확인할 수 있다.According to an embodiment, when the first constant voltage is about 18V, the period in which the browning phenomenon occurs in the initial state is up to about 60 minutes, and it can be confirmed that the haze effect occurs after 70 minutes. Accordingly, it can be confirmed that as the first constant voltage increases, the time for applying the second constant voltage to implement the haze effect increases.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 헤이즈 효과가 구현된 후 (a)와 (b)에서 동일한 번호(예: 제2-1소재(1401a)와 제3-1소재(1401b) 또는 제2-5소재(1405a)와 제3-5소재(1405b))에서의 헤이즈 효과를 비교하면 1차 정전압이 큰 제3소재(1401b 내지 1412b)에서 제2소재(1401a 내지 1410a)보다 헤이즈 효과가 더 진하게 나타남을 확인할 수 있다. 여기서, 헤이즈 효과가 더 진하게 나타난다는 의미는 광택도가 더 낮음을 의미할 수 있다. 이에 따라 1차 정전압의 크기를 통해 광택도를 제어할 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIGS. 14A and 14B, after the haze effect is implemented, the same numbers in (a) and (b) (eg, 2-1
도 15는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 결정립계의 두께의 변화를 나타낸다.15 illustrates a change in the thickness of a grain boundary when a second constant voltage is applied according to a change in magnitude of a first constant voltage, according to various embodiments of the present disclosure.
[표 2]는 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압의 크기 변화에 따라 2차 정전압을 가하였을 때 결정립계의 두께의 변화를 나타낸다.[Table 2] shows changes in the thickness of grain boundaries when a second constant voltage is applied according to a change in magnitude of the first constant voltage according to various embodiments of the present disclosure.
도 15a는 [표 2]에서 1차 전압만을 가한 경우이고, 도 15b는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 약 13V이고, 2차 정전압의 크기가 약 7V인 경우이고, 도 15c는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 약 15V이고, 2차 정전압의 크기가 약 7V인 경우이고, 도 15d는 [표 2]에서 1차 정전압의 크기가 약 17V이고, 2차 정전압의 크기가 약 7V인 경우를 나타낸다.FIG. 15a shows the case where only the first voltage is applied in [Table 2], FIG. 15b shows the case where the magnitude of the first constant voltage is about 13V and the magnitude of the second constant voltage is about 7V in [Table 2], and FIG. 15c shows [ In Table 2, the magnitude of the first constant voltage is about 15V and the magnitude of the second constant voltage is about 7V. Indicates the case of about 7V.
도 15 및 [표 2]를 참조하면, 일 실시예에 따르면, 하나의 정전압(단일전압)만을 가한 경우 결정립 간의 구분이 명확하지 않고 결정립계(예: 도 12의 결정립계(802))가 존재하지 않음을 확인할 수 있다.일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 13V인 경우, 결정립계(802)의 제1 두께(d1)가 약 0.57μm임을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 15 and [Table 2], according to an embodiment, when only one constant voltage (single voltage) is applied, the distinction between grains is not clear and grain boundaries (eg,
일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 15V인 경우, 결정립계(802)의 제2 두께(d2)가 약 0.71μm임을 확인할 수 있다.According to an embodiment, when the first constant voltage is about 15V, it can be confirmed that the second thickness d2 of the
일 실시예에 따르면, 1차 정전압이 약 17V인 경우, 결정립계(802)의 제3 두께(d3)가 약 0.97μm임을 확인할 수 있다.According to an embodiment, when the first constant voltage is about 17V, it can be confirmed that the third thickness d3 of the
위와 같은 결과를 통해, 1차 정전압이 증가함에 따라 결정립계(802)의 두께가 증가함을 확인할 수 있고, 알루미늄 합금 소재의 표면에서 난반사가 더 발생되어 헤이즈 효과가 더 진하게 나타날 수 있다.Through the above results, it can be confirmed that the thickness of the
[표 3]은 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 1차 정전압 및 2차 정전압을 가하는 크기 및 시간에 따른 효과를 나타낸다.[Table 3] shows the effect according to the magnitude and time of applying the first constant voltage and the second constant voltage according to various embodiments of the present disclosure.
(광택도 제어)Decide to thicken the haze
(Gloss Control)
(내식성, 내광성등 충족)Determination of target thickness
(Satisfying corrosion resistance, light resistance, etc.)
(특정 전압 범위)Haze expression
(specific voltage range)
(인가 시간 충족필요)Haze expression
(Need to meet authorization time)
[표 3]을 참조하면, 1차 정전압의 전압의 크기는 헤이즈 효과의 진하기를 결정하여 광택도를 제어할 수 있고, 1차 정전압을 가하는 시간은 1차 산화피막의 두께를 결정하여 내식성, 및/또는 내광성을 충족할 수 있다. 2차 정전압의 전압의 크기는 헤이즈 효과를 발현하기 위해 특정 전압 범위를 만족해야하고, 2차 정전압을 가하는 시간은 헤이즈 효과를 발현하기 위해 소정 값 이상의 인가 시간을 충족할 필요가 있다.Referring to [Table 3], the magnitude of the voltage of the first constant voltage determines the intensity of the haze effect to control the glossiness, and the time for applying the first constant voltage determines the thickness of the first oxide film to improve corrosion resistance, and/or light fastness. The magnitude of the voltage of the secondary constant voltage must satisfy a specific voltage range in order to express the haze effect, and the application time of the secondary constant voltage needs to satisfy an application time equal to or greater than a predetermined value in order to express the haze effect.
도 16a 내지 도 16c는 전해 씰링 공정이 수행된 알루미늄 합금 소재의 단면 모식도, 단면도 및 사시도를 도시한다.16A to 16C show cross-sectional schematics, cross-sectional views and perspective views of an aluminum alloy material subjected to an electrolytic sealing process.
도 16a 내지 도 16c에 도시된, 알루미늄 합금 소재(606), 제1 산화피막(610), 피막 기공(611), 및 제2 산화피막(612)은 도 8에 개시된 알루미늄 합금 소재(606), 제1 산화피막(610), 피막 기공(611), 및 제2 산화피막(612)과 동일 또는 유사할 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대한 설명은 생략될 수 있다.The
다양한 실시예에 따르면, 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540))이 수행된 알루미늄 합금 소재(606)의 표면에 제2 산화피막(612)이 배치될 수 있으며, 제2 산화피막(612)의 일 면에 제1 산화피막(610) 및 피막 기공(611)이 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 산화피막(612)은 제1 산화피막(610)과 알루미늄 합금 소재(606) 사이에 배치될 수 있다. 전해 씰링 공정(예: 도 5의 전해 씰링 공정(S560))에 의해 형성된 전해 씰링(620)은 제1 산화피막(610)의 일 면에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전해 씰링(620)과 제2 산화피막(612) 사이에 제1 산화피막(610)이 배치될 수 있다.According to various embodiments, a
다양한 실시예에 따르면, 전해 씰링(620)은 전해 씰링 공정(S560)에 의해 형성될 수 있다. 제2 산화피막(612)의 두께(d4)는 약 1 μm일 수 있으며, 제1 산화피막(610)의 두께(d5)는 약 10μm일 수 있다. 전해 씰링(620)의 두께 (d6)는 약 5μm 내지 약 30μm일 수 있다. 도 16b를 참조하면, 일 실시예에 따르면, 전해 씰링(620)의 두께(d6)는 약 10μm일 수 있다.According to various embodiments, the
이와 같이, 전해 씰링(620)이 형성됨에 따라, 사용자는 알루미늄 합금 소재(606)에 화이트 톤이 구현될 수 있다. 도 16c를 참조하면, 화이트 톤이 구현된 알루미늄 합금 소재(606)를 확인할 수 있다.In this way, as the
본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))는, 하우징(예: 도 2의 하우징(310))으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는, 알루미늄 합금(예: 도 16a의 알루미늄 합금 소재(606)), 상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 산화피막(예: 도 16a의 제1 산화피막(610)), 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 배치된 제2 산화피막(예: 도 16a의 제2 산화피막(612)) 및 상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)(예: 도 16a의 전해 씰링(620))을 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 제1 산화피막은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압이 사용된 제1 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540))에 의해 형성되고, 상기 제2 산화피막은, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압이 사용된 제2 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540))에 의해 형성되고, 상기 전해 씰링은, 제3 전압이 사용된 전해 씰링 공정(예: 도 5의 전해 씰링 공정(S560))에 의해 형성될 수 있다.An electronic device (eg, the
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링의 두께는 30um 이하일 수 있다.According to various embodiments, the thickness of the electrolytic sealing may be 30 μm or less.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링 공정에서 사용되는 용액에 아크릴수지 및 이산화 타이타늄(TiO2)이 혼합될 수 있다.According to various embodiments, an acrylic resin and titanium dioxide (TiO 2 ) may be mixed in a solution used in the electrolytic sealing process.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링 공정에서의 섭씨 온도는 0도 내지 30도일 수 있다.According to various embodiments, a Celsius temperature in the electrolytic sealing process may be 0 degrees to 30 degrees.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 전압은 직류이며, 전압은 40V 내지 150V일 수 있다.According to various embodiments, the third voltage is direct current, and the voltage may be 40V to 150V.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 전압은 3분 이하로 인가될 수 있다.According to various embodiments, the third voltage may be applied for 3 minutes or less.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 산화피막의 두께는 10um이하이며, 상기 제2 산화피막의 두께는 1um이하일 수 있다.According to various embodiments, the thickness of the first oxide layer may be 10 μm or less, and the thickness of the second oxide layer may be 1 μm or less.
본 개시의 다양한 실시예에 따른, 알루미늄 합금(예: 도 16a의 알루미늄 합금 소재(606))을 이용하여 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))의 하우징(예: 도 2의 하우징(310))을 제조하는 방법은, 상기 알루미늄 합금 상에 제1 산화피막(예: 도 16a의 제1 산화피막(610))을 형성시키는 제1 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540)), 상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 제2 산화피막(예: 도 16a의 제2 산화피막(612))을 형성시키는 제2 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540)) 및 상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)(예: 도 16a의 전해 씰링(620))을 형성시키는 전해 씰링 공정(예: 도 5의 전해 씰링 공정(S560))을 포함하고, 상기 제1 아노다이징 공정에서 제1 전압이 인가되고, 상기 제2 아노다이징 공정에서 제2 전압이 인가되고, 상기 전해 씰링 공정에서, 제3 전압이 인가될 수 있다.According to various embodiments of the present disclosure, a housing (eg, the housing of FIG. 2 ) of an electronic device (eg, the
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링의 두께는 30um 이하일 수 있다.According to various embodiments, the thickness of the electrolytic sealing may be 30 μm or less.
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링 공정에서 사용되는 용액은 아크릴수지 및 이산화 타이타늄(TiO2)이 혼합될 수 있다.According to various embodiments, the solution used in the electrolytic sealing process may be a mixture of acrylic resin and titanium dioxide (TiO 2 ).
다양한 실시예에 따르면, 상기 전해 씰링 공정에서의 섭씨 온도는 0도 내지 30도일 수 있다.According to various embodiments, a Celsius temperature in the electrolytic sealing process may be 0 degrees to 30 degrees.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 전압은 직류이며, 전압은 40V 내지 150V일 수 있다.According to various embodiments, the third voltage is direct current, and the voltage may be 40V to 150V.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제3 전압은 3분 이하로 인가될 수 있다.According to various embodiments, the third voltage may be applied for 3 minutes or less.
다양한 실시예에 따르면, 상기 제1 아노다이징 공정에서, 상기 제1 산화피막의 두께는 10um 이하로 형성되고, 상기 제2 아노다이징 공정에서, 상기 제2 산화피막의 두께는 1um 이하로 형성될 수 있다.According to various embodiments, in the first anodizing process, the thickness of the first oxide film is formed to be less than 10um, and in the second anodizing process, the thickness of the second oxide film may be formed to be less than 1um.
다양한 실시예에 따르면, 상기 알루미늄 합금을 건조하는 건조 공정을 더 포함하고, 상기 건조 공정에서의 섭씨 온도는 150도 내지 200도일 수 있다.According to various embodiments, a drying process of drying the aluminum alloy may be further included, and a Celsius temperature in the drying process may be 150 degrees to 200 degrees.
다양한 실시예에 따른, 상기 전해 씰링 공정 전에 상기 알루미늄 합금을 탕세하는 탕세 공정을 더 포함하고, 상기 탕세 공정에서는 섭씨온도 80도의 물이 사용될 수 있다.According to various embodiments, a hot water washing process of washing the aluminum alloy before the electrolytic sealing process may be further included, and water having a temperature of 80 degrees Celsius may be used in the hot water washing process.
다양한 실시예에 따른, 상기 알루미늄 합금을 버핑 및 폴리싱하는 폴리싱 공정(예: 도 5의 버핑 및 폴리싱 공정(S510)), 상기 폴리싱 공정 후에, 상기 알루미늄 합금을 탈지 및 세정하는 전처리 공정(예: 도 5의 전처리 공정(S520)), 및 상기 전처리 공정 후에, 상기 알루미늄 합금에 잔존하는 금속 불순물을 제거하고 상기 알루미늄 합금의 표면을 조정하는 디스멋 공정(예: 도 5의 디스멋 공정(S530))을 더 포함하고, 상기 디스멋 공정 후에, 상기 알루미늄 합금에 아노다이징 공정(예: 도 5의 아노다이징 공정(S540))이 수행될 수 있다.According to various embodiments, a polishing process of buffing and polishing the aluminum alloy (eg, the buffing and polishing process (S510) of FIG. 5), and a pretreatment process of degreasing and cleaning the aluminum alloy after the polishing process (eg, FIG. 5 pretreatment process (S520)), and after the pretreatment process, a dismut process of removing metal impurities remaining in the aluminum alloy and adjusting the surface of the aluminum alloy (eg, a dismut process (S530) of FIG. 5) Further, an anodizing process (eg, an anodizing process (S540) of FIG. 5) may be performed on the aluminum alloy after the dismut process.
다양한 실시예에 따른, 상기 폴리싱 공정은 건식 또는 습식 중 적어도 하나의 방법으로 수행될 수 있으며, 상기 디스멋 공정에서는 5g/L 내지 800g/L의 황산 또는 질산을 포함하는 용액이 사용되며, 상기 알루미늄 합금의 침적시간은 5초 내지 30분일 수 있다.According to various embodiments, the polishing process may be performed by at least one of a dry method or a wet method. In the dismut process, a solution containing sulfuric acid or nitric acid at 5 g/L to 800 g/L is used, and the aluminum The deposition time of the alloy may be 5 seconds to 30 minutes.
다양한 실시예에 따른, 상기 제1 전압은 13V 내지 17V이며, 상기 제2 전압은 7V일 수 있다.According to various embodiments, the first voltage may be 13V to 17V, and the second voltage may be 7V.
다양한 실시예에 따른, 상기 제1 전압이 인가되는 시간은 5분 내지 40분이며, 상기 제2 전압이 인가되는 시간은 30분 내지 120분일 수 있다.According to various embodiments, the time during which the first voltage is applied may be 5 minutes to 40 minutes, and the time during which the second voltage is applied may be between 30 minutes and 120 minutes.
이상, 본 문서의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해서 설명하였으나, 본 문서의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.In the above, the detailed description of this document has been described with respect to specific embodiments, but it will be apparent to those skilled in the art that various modifications are possible without departing from the scope of this document.
S510: 버핑 및 폴리싱 공정
S520: 전처리 공정
S530: 디스멋 공정
S540: 아노다이징 공정
S550: 착색 공정
S560: 전해 씰링 공정
606: 알루미늄 합금 소재
610: 제1 산화피막
611: 피막 기공들
612: 제2 산화피막
620: 전해 씰링S510: buffing and polishing process
S520: pretreatment process
S530: Dismut Process
S540: anodizing process
S550: coloring process
S560: Electrolytic sealing process
606: aluminum alloy material
610: first oxide film
611: film pores
612: second oxide film
620: electrolytic sealing
Claims (20)
하우징으로서, 상기 하우징의 적어도 일부는,
알루미늄 합금;
상기 알루미늄 합금 상에 형성된 제1 산화피막;
상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 배치된 제2 산화피막; 및
상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)을 포함하는 하우징을 포함하고,
상기 제1 산화피막은 상기 알루미늄 합금에 제1 전압이 사용된 제1 아노다이징 공정에 의해 형성되고,
상기 제2 산화피막은, 상기 알루미늄 합금에 제2 전압이 사용된 제2 아노다이징 공정에 의해 형성되고,
상기 전해 씰링은, 제3 전압이 사용된 전해 씰링 공정에 의해 형성된 전자 장치.In electronic devices,
A housing, at least a portion of the housing,
aluminum alloy;
a first oxide film formed on the aluminum alloy;
a second oxide film disposed between the aluminum alloy and the first oxide film; and
A housing including an electrolytic sealing formed on the first oxide film;
The first oxide film is formed by a first anodizing process in which a first voltage is used for the aluminum alloy,
The second oxide film is formed by a second anodizing process in which a second voltage is used for the aluminum alloy,
The electrolytic sealing is an electronic device formed by an electrolytic sealing process in which a third voltage is used.
상기 전해 씰링의 두께는 30um 이하인 전자 장치.According to claim 1,
The electronic device wherein the thickness of the electrolytic sealing is 30 um or less.
상기 전해 씰링 공정에서 사용되는 용액에 아크릴수지 및 이산화 타이타늄(TiO2)이 혼합된 전자 장치.According to claim 1,
An electronic device in which acrylic resin and titanium dioxide (TiO2) are mixed in a solution used in the electrolytic sealing process.
상기 전해 씰링 공정에서의 섭씨 온도는 0도 내지 30도인 전자 장치.According to claim 3,
The electronic device wherein the degree Celsius in the electrolytic sealing process is 0 degrees to 30 degrees.
상기 제3 전압은 직류이며, 전압은 40V 내지 150V인 전자 장치.According to claim 1,
The third voltage is direct current, and the voltage is 40V to 150V.
상기 제3 전압은 3분 이하로 인가된 전자 장치.According to claim 1,
The third voltage is applied for 3 minutes or less.
상기 제1 산화피막의 두께는 10um이하이며, 상기 제2 산화피막의 두께는 1um이하인 전자 장치.According to claim 1,
The thickness of the first oxide layer is 10 μm or less, and the thickness of the second oxide layer is 1 μm or less.
상기 알루미늄 합금 상에 제1 산화피막을 형성시키는 제1 아노다이징 공정;
상기 알루미늄 합금 및 상기 제1 산화피막 사이에 제2 산화피막을 형성시키는 제2 아노다이징 공정; 및
상기 제1 산화피막 상에 형성된 전해 씰링(sealing)을 형성시키는 전해 씰링 공정을 포함하고,
상기 제1 아노다이징 공정에서 제1 전압이 인가되고,
상기 제2 아노다이징 공정에서 제2 전압이 인가되고,
상기 전해 씰링 공정에서, 제3 전압이 인가된 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.A method for manufacturing a housing of an electronic device using an aluminum alloy,
a first anodizing process of forming a first oxide film on the aluminum alloy;
a second anodizing process of forming a second oxide film between the aluminum alloy and the first oxide film; and
An electrolytic sealing process of forming an electrolytic sealing formed on the first oxide film,
A first voltage is applied in the first anodizing process,
A second voltage is applied in the second anodizing process,
A method of manufacturing a housing of an electronic device to which a third voltage is applied in the electrolytic sealing process.
상기 전해 씰링의 두께는 30um 이하인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the thickness of the electrolytic sealing is 30 μm or less.
상기 전해 씰링 공정에서 사용되는 용액은 아크릴수지 및 이산화 타이타늄(TiO2)이 혼합된 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the solution used in the electrolytic sealing process is a mixture of acrylic resin and titanium dioxide (TiO 2 ).
상기 전해 씰링 공정에서의 섭씨 온도는 0도 내지 30도인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 10,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the temperature in the electrolytic sealing process is 0 to 30 degrees Celsius.
상기 제3 전압은 직류이며, 전압은 40V 내지 150V인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the third voltage is direct current and the voltage is 40V to 150V.
상기 제3 전압은 3분 이하로 인가된 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the third voltage is applied for 3 minutes or less.
상기 제1 아노다이징 공정에서, 상기 제1 산화피막의 두께는 10um 이하로 형성되고,
상기 제2 아노다이징 공정에서, 상기 제2 산화피막의 두께는 1um 이하로 형성된 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
In the first anodizing process, the thickness of the first oxide film is formed to 10 um or less,
In the second anodizing process, the thickness of the second oxide film is formed to be 1 μm or less.
상기 알루미늄 합금을 건조하는 건조 공정을 더 포함하고, 상기 건조 공정에서의 섭씨 온도는 150도 내지 200도인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
A method of manufacturing a housing of an electronic device, further comprising a drying process of drying the aluminum alloy, wherein the temperature in the drying process is 150 to 200 degrees Celsius.
상기 전해 씰링 공정 전에 상기 알루미늄 합금을 탕세하는 탕세 공정을 더 포함하고, 상기 탕세 공정에서는 섭씨온도 80도의 물이 사용된 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device further comprising a hot water washing process of washing the aluminum alloy before the electrolytic sealing process, wherein water having a temperature of 80 degrees Celsius is used in the hot water washing process.
상기 알루미늄 합금을 버핑 및 폴리싱하는 폴리싱 공정;
상기 폴리싱 공정 후에, 상기 알루미늄 합금을 탈지 및 세정하는 전처리 공정; 및
상기 전처리 공정 후에, 상기 알루미늄 합금에 잔존하는 금속 불순물을 제거하고 상기 알루미늄 합금의 표면을 조정하는 디스멋 공정을 더 포함하고,
상기 디스멋 공정 후에, 상기 알루미늄 합금에 아노다이징 공정이 수행되는 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
a polishing process of buffing and polishing the aluminum alloy;
After the polishing step, a pretreatment step of degreasing and cleaning the aluminum alloy; and
After the pretreatment step, further comprising a dismut process of removing metallic impurities remaining in the aluminum alloy and adjusting the surface of the aluminum alloy,
A method of manufacturing a housing of an electronic device in which an anodizing process is performed on the aluminum alloy after the dismut process.
상기 폴리싱 공정은 건식 또는 습식 중 적어도 하나의 방법으로 수행될 수 있으며,
상기 디스멋 공정에서는 5g/L 내지 800g/L의 황산 또는 질산을 포함하는 용액이 사용되며, 상기 알루미늄 합금의 침적시간은 5초 내지 30분인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 17,
The polishing process may be performed by at least one method of dry or wet,
In the dismut process, a solution containing sulfuric acid or nitric acid of 5 g / L to 800 g / L is used, and the deposition time of the aluminum alloy is 5 seconds to 30 minutes.
상기 제1 전압은 13V 내지 17V이며, 상기 제2 전압은 7V인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.According to claim 8,
The method of manufacturing a housing of an electronic device in which the first voltage is 13V to 17V and the second voltage is 7V.
상기 제1 전압이 인가되는 시간은 5분 내지 40분이며,
상기 제2 전압이 인가되는 시간은 30분 내지 120분인 전자 장치의 하우징을 제조하는 방법.
According to claim 8,
The time for which the first voltage is applied is 5 minutes to 40 minutes,
The method of manufacturing a housing of an electronic device, wherein the time for which the second voltage is applied is 30 minutes to 120 minutes.
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